KR19990013669A - 분사용 가소성 연마재, 이를 사용한 플라즈마 표시 패널 기판의분사 방법 및 분사 폐물질의 처리 방법 - Google Patents

분사용 가소성 연마재, 이를 사용한 플라즈마 표시 패널 기판의분사 방법 및 분사 폐물질의 처리 방법 Download PDF

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Abstract

분사용 가소성 연마재, 특히 배리어 리브 및 프라이밍 리브를 형성하기 위한 분사 공정에 사용되는 가소성 연마재; 이를 사용한 분사 방법; 및 분사 폐물질의 처리 방법에 관한 것이다. 유기 용매 또는 물/유기 용매 혼합물에 가용성이고, 5 내지 100㎛의 평균 입도를 갖는 가소성 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 분사용 가소성 연마재; 가소성 연마재를 사용한 플라즈마 표시 패널 기판의 분사 방법; 및 분사 폐물질의 처리 방법에 관한 것이다.

Description

분사용 가소성 연마재, 이를 사용한 플라즈마 표시 패널 기판의 분사 방법 및 분사 폐물질의 처리 방법
본 발명은 분사용 가소성 연마재(plastic abrasive for sandblasting); 이를 사용한 플라즈마 표시 패널 기판의 분사 방법; 및 분사 공정 도중에 생성된 분사 폐물질의 처리 방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 본 발명은 플라즈마 표시 패널 기판 내의 배리어 리브(barrier rib) 및/또는 프라이밍 리브(priming rib)로 구성되는 기포형 또는 선형 구조물을 형성하기 위한 분사 공정에 사용되는 가소성 연마재; 가소성 연마재를 사용한 플라즈마 표시 패널 기판의 분사 방법; 및 분산 공정 도중에 생성된 폐물질의 처리 방법에 관한 것이다.
분사 공정은 유리, 대리석, 플라스틱, 세라믹, 가죽, 나무 등을 표면-패턴화하는 데에 사용되는 공정법으로 알려져 있다. 이 방법에서, 패턴은 처리하고자 하는 재료의 표면 상에 분사 레지스트를 형성하고, 레지스트를 선택적으로 분쇄하기 위하여 레지스트의 노출된 부분 상에 연마재 등을 분무함으로써 작성된다. 구체적으로, 정밀 공정은 분사 레지스트로서 내분사성의 감광성 수지를 사용하고, 사진 석판술에 의해 분사 마스크 패턴을 형성한 후, 노출된 부분 상에 연마재 등을 분무함으로써 달성된다. 이 기술은 플라즈마 표시 패널(이하, 간단히 PDP라고 부름) 내에 절연 패턴과 금속 패턴, 특히 세라믹, 발광단 등으로 만들어진 절연 패턴과 금속 배선 패턴이 혼재되어 있는 회로 기판의 형성에 적용된다.
PDP는 유리와 같은 기판 상에 배리어 리브 및 프라이밍 리브로 구성되는 기포형 또는 선형 구조물을 형성하고, 기포형 구조물 내에 또는 선형 구조물들 사이에 전극 및 발광단 층을 제공하고, 여기에 방전 가스를 도입하여 표시 소자를 수득함으로써 제조된다. 예를 들면, JP-A-2-301934호(여기서 사용되는 JP-A란 용어는 심사되지 않은 공개된 일본 특허 출원을 의미함)에서 제안된 바와 같이, 기포형 또는 선형 구조물은 기판 상에 무기 분말(예: 낮은 용융점을 갖는 유리 프릿) 및 적합한 비히클을 함유하는 조성물을 도포하고, 이를 건조시켜서 페이스트 층을 형성하고, 그 위에 내분사성의 감광성 수지 조성물 층을 형성하고, 석판 수단에 의한 셀 도화용 마스크 패턴을 형성하고, 마스크 패턴을 통해 분사를 행하여 내분사성의 감광성 수지 조성물 층을 벗겨서 제거하고, 베이크함으로써 형성될 수 있다.
이 분사 공정에 사용되는 연마재는 유리 비드, SiC, SiO2, Al2O3및 ZrO2와 같은 입도 2 내지 500㎛의 무기 미립자로 이루어지는 것들이다.
그러나, 이들 무기 미립자로 이루어지는 연마재를 분사 공정에 사용하면 연마재의 미립자 뿐만 아니라 바탕 전극, 발광단, 배리어 리브 및 프라이밍 리브의 다량의 분말이 혼합되는 결과가 생긴다. 이 혼합물은 혼합물 내의 입자를 분류하기가 어렵기 때문에 그 자체로 폐물질로서 폐기된다. 이것은 심각한 환경 문제를 야기한다.
이러한 상황 하에, 본 발명자들은 예의 연구를 거듭한 결과, 분사 공정에서 연마재로서 특정한 가소성 입자를 사용하는 경우에, 우수한 분사 성능이 달성될 수 있을 뿐만 아니라 분사 폐물질 내의 연마재를 쉽게 제거할 수 있다는 것을 알게 되었다. 이로써 분사 폐물질을 재사용하여 분사 폐물질의 처리와 관련된 환경 문제를 피할 수 있다. 본 발명은 이러한 발견을 기초로 하여 완성되었다.
따라서, 본 발명의 목적은 우수한 분사 성능을 갖고 분사시에 생성되는 폐물질의 재사용을 가능하게 하는 분사용 가소성 연마재를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 언급한 가소성 연마재를 사용한 PDP 기판의 분사 방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 분사 공정 도중에 생성되는 폐물질의 처리 방법을 제공하고자 하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 유기 용매 또는 물과 유기 용매의 혼합물에 가용성이고, 5 내지 100㎛의 평균 입도를 갖는 가소성 입자를 포함하는 분사용 가소성 연마재;
플라즈마 표시 패널 기판 상에 페이스트 조성물을 도포하고, 이를 건조시켜서 페이스트 층을 형성하고, 그 위에 내분사성의 감광성 수지 조성물 층을 형성하고, 감광성 수지 조성물 층을 화학선으로 선택적으로 조사하여 노출된 패턴을 형성하고, 현상하여 분사용 마스크 패턴을 형성한 후, 분사용 가소성 연마재로 노출된 부분을 분쇄시키는 것을 포함하는, 플라즈마 표시 패널 기판의 분사 방법; 및
분사 공정 도중에 생성된 폐물질을 유기 용매 또는 물과 유기 용매의 혼합물로 처리하여 가소성 연마재를 제거하는 것을 포함하는 분사 폐물질의 처리 방법을 제공한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 분사용 가소성 연마재는 유기 용매 또는 물과 유기 용매의 혼합물에 쉽게 용해되어야 하고, 분사 성능에 있어 무기 입자를 포함하는 것에 필적해야 한다. 상술한 조건을 만족시키는 한 어떠한 가소성 입자라도 사용가능하지만, 아크릴로니트릴/폴리에틸렌 클로라이드/스티렌 수지의 가소성 입자가 바람직하다. 가소성 입자의 평균 입도는 처리하고자 하는 재료의 공정 정밀도, 두께 등에 따라서 적합하게 결정될 수 있으나 바람직하게는 5 내지 100㎛ 범위이다. 평균 입도가 5㎛ 미만인 경우에는, 분사 공정에 장시간이 필요하다. 한편, 평균 입도가 100㎛를 초과하는 경우에는, 몇몇 경우에 정밀 공정이 어렵게 된다. 실용적 관점에서는, 입도가 약 100㎛ 이하인 입자를 적어도 80중량% 함유하는 가소성 입자를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 가소성 입자의 입도는 충격 분쇄 및 기류 분쇄와 같은 분쇄 조건에 의해 조정될 수 있다.
가소성 입자가 용해되는 유기 용매 또는 물/유기 용매의 혼합물로서, 케톤 용매, 에스테르 용매 및 물/알코올 용매가 비용 및 취급 특성에서 바람직하다. 더욱 구체적으로, 용매의 바람직한 예로는 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 에틸 아세테이트, 물/메탄올, 물/에탄올 및 물/이소프로필 알코올이 포함된다.
분사 공정에서 절단 특성을 개선하기 위하여, 상기에 특정된 범위 내에서 큰 입도를 갖는 가소성 입자로 재료를 한번 분쇄시킨 후에 보다 작은 입도를 갖는 가소성 입자로 마무리 처리할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 가소성 연마재는 유기 용매 또는 물과 유기 용매의 혼합물에 쉽게 용해될 수 있다. 따라서, 분사 공정의 완결 후에, 회수된 물/유기 용매 혼합물은 오염 물질을 함유하지 않기 때문에 배리어 리브 및/또는 프라이밍 리브, 전극 및 발광단과 같은 무기 성분은 쉽게 회수 및 재사용될 수 있다. 그 결과, 분사 폐물질의 처분으로 인한 환경 문제가 일어나지 않는다.
이제, 본 발명의 가소성 연마제를 사용한 분사 방법의 구체예를 설명한다.
이 방법은 하기 단계들을 포함한다: (ⅰ) 무기 분말 및 적합한 비히클을 포함하는 페이스트 조성물을 스크린 인쇄 등에 의해 PDP 기판(예: 유리) 상에 도포하고, 이를 건조시켜서 페이스트 층을 형성하는 단계; (ⅱ) 내분사성의 감광성 수지 조성물의 용액을 도포기, 바아 코팅기, 롤 코팅기, 커튼 플로우 코팅기 등을 사용하여 페이스트 층 상에 도포하고 건조시켜서 감광성 수지 조성물 층을 형성하는 단계; 또는 (ⅲ) 페이스트 층 상에 분사를 위한 조성물 하도층을 형성한 후, 그 위에 내분사성의 감광성 수지 조성물 층을 형성하는 단계; (ⅳ) 예정된 마스크 패턴을 갖는 마스크를 감광성 수지 조성물 층에 접착시키고, 화학선으로 마스크 패턴을 통해 복합 재료를 조사시키고 현상하여 분사용 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및 (ⅴ) 그 위에 분사용 마스크 패턴을 통해 가소성 연마재를 분무시키고 노출된 부분을 선택적으로 분쇄시키는 단계. 이 분사 방법에서, 분사를 위한 하도 조성물 층 및 내분사성의 감광성 수지 조성물 층은 각각 그 위에 형성된 상응하는 조성물 층을 갖는 지지체 막을 포함하는 건조 막을 도포함으로써 형성될 수 있다. 건조 막을 사용하는 것은 배치를 쉽게 하여 정확한 절단을 할 수 있기 때문에 특히 바람직하다.
노출은 마스크를 사용하지 않고 아르곤 레이저 비임, YAG-SHG 레이저 비임 등으로 직접 도화함으로써 행할 수 있다.
PDP 기판 상에 도포되는 페이스트 조성물에 함유되는 무기 분말의 예로는 붕산납 유리 및 붕산아연 유리와 같은 여러 가지 원소(예: Si, B, Pb, Na, K, Mg, Ca, Ba, Ti, Zr 및 Al)의 산화물을 포함하는 유리; 산화코발트, 산화크롬, 산화니켈, 산화구리, 산화망간, 산화네오디늄, 산화바나듐, 산화세륨, 시펙 옐로우, 산화카드뮴, 알루미나, 실리카, 마그네시아, 첨정석, Y2SiO5:Ce, CaWO4:Pb, BaMgAl14O23:Eu, ZnS:(Ag,Cd), Y2O3:Eu, Y2SiO5:Eu, Y3Al5O12:Eu, Zn3(PO4)2:Mn, YBO3Eu, (Y,Gd)BO3:Eu, GdBO3:Eu, ScBO3:Eu, LuBO3:Eu, Zn2SiO4:Mn, BaAl12O19:Mn, SrAl13O19:Mn, CaAl12O19:Mn, YBO3:Tb, BaMgAl14O23:Mn, LuBO3:Tb, GdBO3:Tb, ScBO3:Tb, Sr6Si3O3Cl4:Eu, ZnO:Zn, ZnS:(Cu,Al), ZnS:Ag, Y2O3S:Eu, ZnS:Zn, (Y,Cd)BO3:Eu, BaMgAl12O23:Eu와 같은 발광단 및 철, 니켈, 구리, 알루미늄, 은 및 금과 같은 도전성 입자가 포함된다. 비히클의 예로는 셀룰로오즈, 카복시메틸 셀룰로오즈, 하이드록시에틸 셀룰로오즈, 하이드록시프로필 셀룰로오즈, 메틸 셀룰로오즈, 에틸 셀룰로오즈, 에틸하이드록시에틸 셀룰로오즈, 카복시메틸에틸 셀룰로오즈 및 (메트)아크릴레이트 중합체와 같은 고분자량 화합물이 포함된다. 페이스트 층은 통상적으로 두께가 100 내지 200㎛이다.
무기 페이스트 층 상에 도포되는 내분사성의 감광성 수지 조성물의 예로는 JP-A-9-127692호에 개시된 바와 같이, 적어도 두 개의 (메트)아크릴로일 그룹을 갖는 광중합성 우레탄 (메트)아크릴레이트 화합물, 50 내지 250㎎ KOH/g의 산가를 갖는 알칼리-가용성 고분자량 화합물 및 광중합 개시제, 및 필요에 따라, 유기 용매에 가용성이고 광조사시에 루이스산을 형성할 수 있는 루이스 산 염을 함유하는 감광성 수지 조성물이 포함된다. 감광성 수지 조성물에 의해 형성된 코팅 막은 높은 탄성, 높은 연화성 및 우수한 알칼리-현상성, 재료에의 양호한 접착성, 및 높은 내분사성을 갖고, 정전 형성이 거의 일어나지 않아서, 빛에 의한 방전 또는 파괴가 거의 없다.
적어도 두 개의 (메트)아크릴로일 그룹을 갖는 광중합성 우레탄 (메트)아크릴레이트 화합물로서, 디올 화합물을 디이소시아네이트 화합물과 반응시켜서 형성한 말단 이소시아네이트(-NCO) 그룹을 갖는 화합물을 하이드록실 그룹(들)을 갖는 (메트)아크릴레이트 화합물과 반응시킴으로써 얻은 생성물을 사용하는 것이 바람직하다. 디올 화합물의 예로는 말단 하이드록실 그룹을 갖는 폴리에스테르 및 폴리에테르가 포함된다. 폴리에스테르의 예로는 락톤의 고리 개방 중합에 의해 형성된 폴리에스테르, 폴리카보네이트 및 알킬렌 글리콜(예: 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜 및 디프로필렌 글리콜)을 디카복실산(예: 말레산, 푸마르산, 글루타르산 및 아디프산)과 축합시켜서 형성한 폴리에스테르가 포함된다. 폴리에테르의 예로는 폴리에틸렌 글리콜, 폴리프로필렌 글리콜, 폴리테트라메틸렌 글리콜 및 폴리펜타메틸렌 글리콜이 포함된다. 디올 화합물과 반응되는 디이소시아네이트 화합물의 예로는 디메틸렌 디이소시아네이트, 트리메틸렌 디이소시아네이트, 테트라메틸렌 디이소시아네이트, 펜타메틸렌 디이소시아네이트, 헥사메틸렌 디이소시아네이트, 헵타메틸렌 디이소시아네이트, 2,2-디메틸펜탄-1,5-디이소시아네이트, 옥타메틸렌 디이소시아네이트, 2,5-디메틸헥산-1,6-디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸펜탄-1,5-디이소시아네이트, 노나메틸렌 디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸헥산 디이소시아네이트, 데카메틸렌 디이소시아네이트 및 이소포론 디이소시아네이트와 같은 지방족 또는 지환족 디이소시아네이트 화합물이 포함된다. 이들 화합물은 단독으로 또는 두가지 이상의 혼합물로 사용될 수 있다.
하이드록실 그룹(들)을 갖는 (메트)아크릴레이트 화합물의 예로는 하이드록시메틸 아크릴레이트, 하이드록시메틸 메타크릴레이트, 2-하이드록시에틸 아크릴레이트, 2-하이드록시에틸 메타크릴레이트, 3-하이드록시프로필 아크릴레이트, 3-하이드록시프로필 메타크릴레이트, 에틸렌 글리콜 모노아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 모노메타크릴레이트, 글리세롤 아크릴레이트, 글리세롤 메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨 모노아크릴레이트 및 디펜타에리트리톨 모노메타크릴레이트가 포함된다. 이들 화합물은 단독으로 또는 두가지 이상의 혼합물로 사용될 수 있다.
알칼리-가용성 고분자량 화합물로서는, 아크릴산 또는 메타크릴산의 공중합체 및 카복실-함유 셀룰로오즈 수지가 바람직하다. 알칼리-가용성 고분자량 화합물의 산가는 일반적으로 50 내지 250㎎ KOH/g, 바람직하게는 80 내지 200 ㎎ KOH/g이다. 산가가 50㎎ KOH/g 미만인 경우에는, 종종 현상 부족이 일어난다. 한편, 산가가 250㎎ KOH/g을 초과하는 경우에는, 연화성 및 내습성이 저하된다. 아크릴산 또는 메타크릴산의 공중합체로서는, 아크릴산 또는 메타크릴산/메틸 아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트, 에틸 아크릴레이트 또는 에틸 메타크릴레이트를 사용하는 것이 바람직하다. 대신에, n-부틸 아크릴레이트 또는 n-부틸 메타크릴레이트/아크릴로니트릴 또는 메타크릴로니트릴과 함께 상기 조합을 사용하는 것도 바람직하다. 카복실-함유 셀룰로오즈 수지의 바람직한 예로는 하이드록시에틸 카복시메틸 셀룰로오즈, 셀룰로오즈 아세테이트 프탈레이트 및 하이드록시프로필메틸 셀룰로오즈 프탈레이트가 포함된다. 이들 중에서, 셀룰로오즈 아세테이트 프탈레이트 또는 하이드록시프로필메틸 셀룰로오즈 프탈레이트는 카복시-개질된 우레탄 (메트)아크릴레이트 화합물에 상당히 필적하고, 건조 막 내에서 처리될 때에 막-형성 특성이 우수하며, 양호한 알칼리 현상성을 갖기 때문에 이들 수지를 사용하는 것이 특히 바람직하다.
광중합 개시제의 예로는 1-하이드록시사이클로헥실 페닐 케톤, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀 옥사이드, 1-[4-(2-하이드록시에톡시)페닐]-2-하이드록시-2-메틸-1-프로판-1-온, 2,4-디에틸티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2,4-디메틸티옥산톤, 3,3-디메틸-4-메톡시벤조페논, 벤조페논, 1-클로로-4-프로폭시티옥산톤, 1-(4-이소프로필페닐)-2-하이드록시-2-메틸프로판-1-온, 1-(4-도데실페닐)-2-하이드록시-2-메틸프로판-1-온, 4-벤조일-4'-메틸디메틸 설파이드, 4-디메틸아미노벤조산, 메틸 4-디메틸아미노벤조에이트, 에틸 4-디메틸아미노벤조에이트, 부틸 4-디메틸아미노벤조에이트, 2-에틸헥사일 4-디메틸아미노벤조에이트, 2-이소아밀 4-디메틸아미노벤조에이트, 2,2-디에톡시아세토페논, 벤질디메틸 케탈, 벤질-β-메톡시에틸 아세탈, 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(o-에톡시카보닐)옥심, 메틸 o-벤조일벤조에이트, 비스(4-디메틸아미노페닐) 케톤, 4,4'-비스디에틸아미노벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논, 벤질, 벤조인, 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 프로필 에테르, 벤조인-n-부틸 에테르, 벤조인 이소부틸 에테르, 벤조인 부틸 에테르, p-디메틸아미노아세토페논, p-3급-부틸트리클로로아세토페논, p-3급-부틸디클로로아세토페논, 티옥산톤, 2-메틸티옥산톤, 2-이소프로필티옥산톤, 디벤조수베론, α,α-디클로로-4-페녹시아세토페논 및 펜틸-4-디메틸아미노벤조에이트가 포함된다. 이들 화합물은 단독으로 또는 두가지 이상의 혼합물로 사용될 수 있다.
상술한 바와 같은 성분들 이외에, 감광성 수지 조성물은 현상시에 막 환원 또는 팽창을 막기 위해서 광중합성 단량체를 추가로 함유할 수 있다. 광중합성 단량체의 예로는 아크릴산, 메타크릴산, 푸마르산, 말레산, 모노메틸 푸마레이트, 모노에틸 푸마레이트, 2-하이드록시에틸 아크릴레이트, 2-하이드록시에틸 메타크릴레이트, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 메타크릴레이트와 같은 일관능성 단량체 및 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리메타크릴레이트, 테트라메틸올프로판 테트라아크릴레이트, 테트라메틸올프로판 테트라메타크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리메타크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라메타크릴레이트 및 디펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트와 같은 다관능성 단량체가 포함된다. 이들 화합물은 단독으로 또는 두가지 이상의 혼합물로 사용될 수 있다. 추가로, 조성물은 처리하고자 하는 재료 내에 함유된 무기 분말을 함유할 수 있다.
내분사성의 감광성 수지 조성물 층은 감광성 수지 조성물을 임의의 용매에 용해시키고, 얻어진 용액을 도포기, 바아 코팅기, 롤 코팅기, 커튼 플로우 코팅기 등을 사용하여 페이스트 층에 도포하여 10 내지 100㎛의 두께를 갖는 건조 막을 수득하고, 건조시키는 것을 포함하는 방법에 의해 형성될 수 있다. 다른 방법은 감광성 수지 조성물을 지지체 막 상에 도포하여 건조 막을 제조하고, 그 위에 이형 막을 제공하고, 건조 막의 이형 막을 벗겨내고, 이렇게 노출된 면을 페이스트 층 상에 압축시킨 후, 지지체 막을 벗겨내는 것을 포함한다. 내분사성의 감광성 수지 조성물 층을 형성한 후에, 예정된 마스크 패턴을 갖는 마스크를 내분사성의 감광성 수지 조성물 층에 접착시킨다. 이어서, 복합 재료를 마스크 패턴을 통해 화학선으로 조사시킨 후에 현상한다. 별법으로, 노출은 네가-마스크(nega-mask)를 사용하지 않고 아르곤 레이저 비임, YAG-SHG 레이저 비임 등으로 직접 도화한 후에 현상함으로써 행할 수 있다. 이렇게 하여, 분사용 마스크 패턴을 형성할 수 있다.
건조 막에 사용될 수 있는 지지체 막의 예로는 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리카보네이트 또는 폴리염화비닐로 만들어진 두께 15 내지 125㎛의 합성 수지 막이 포함된다.
이형 막은 감광성 수지 조성물 층을 안전하게 보호하고, 사용할 때에는 쉽게 벗겨지지만 사용 전에는 벗겨지지 않는 적합한 이형 특성을 갖는 막이다. 그 예로는 15 내지 125㎛의 두께를 갖는 실리콘-코팅된 또는 -베이크된 PET 막, 폴리프로필렌 막 및 폴리에틸렌 막이 포함된다. 노출에 사용될 수 있는 화학선을 위한 공급원의 예로는 저압 수은 램프, 고압 수은 램프, 초고압 수은 램프, 아크 램프 및 크세논 램프가 포함된다.
용매의 예로는 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 디프로필 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르, 프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 디에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노페닐 에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노페닐 에테르 아세테이트, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 디에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르 아세테이트, 디에틸렌 글리콜 모노페닐 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르 아세테이트, 2-메톡시부틸 아세테이트, 3-메톡시부틸 아세테이트, 4-메톡시부틸 아세테이트, 2-메틸-3-메톡시부틸 아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸 아세테이트, 3-에틸-3-메톡시부틸 아세테이트, 2-에톡시부틸 아세테이트, 4-에톡시부틸 아세테이트, 4-프로폭시부틸 아세테이트, 2-메톡시펜틸 아세테이트, 3-메톡시펜틸 아세테이트, 4-메톡시펜틸 아세테이트, 2-메틸-3-메톡시펜틸 아세테이트, 3-메틸-3-메톡시펜틸 아세테이트, 3-메틸-4-메톡시펜틸 아세테이트, 4-메틸-4-메톡시펜틸 아세테이트, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 디에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 에틸 이소부틸 케톤, 테트라하이드로푸란, 사이클로펜타논, 사이클로헥사논, 메틸 프로피오네이트, 에틸 프로피오네이트, 프로필 프로피오네이트, 이소프로필 프로피오네이트, 메틸 2-하이드록시프로피오네이트, 에틸 2-하이드록시프로피오네이트, 2-하이드록시-2-메틸-3-메톡시프로피오네이트, 에틸-3-메톡시프로피오네이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 에틸-3-프로폭시프로피오네이트, 프로필-3-메톡시프로피오네이트, 이소프로필-3-메톡시프로피오네이트, 에틸 에톡시아세테이트, 에틸 옥시아세테이트, 메틸 2-하이드록시-3-메틸부타노에이트, 메틸 락테이트, 에틸 락테이트, 프로필 락테이트, 이소프로필 락테이트, 부틸 락테이트, 이소아밀 락테이트, 메틸 아세테이트, 에틸 아세테이트, 프로필 아세테이트, 이소프로필 아세테이트, 부틸 아세테이트, 이소아밀 아세테이트, 메틸 카보네이트, 에틸 카보네이트, 프로필 카보네이트, 부틸 카보네이트, 메틸 피루베이트, 에틸 피루베이트, 프로필 피루베이트, 부틸 피루베이트, 메틸 아세토아세테이트, 에틸 아세토아세테이트, 벤질 메틸 에테르, 벤질 에틸 에테르, 디헥실 에테르, 벤질 아세테이트, 에틸 벤조에이트, 디에틸 옥살레이트, 디에틸 말레이트, γ-부티로락톤, 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 사이클로헥사논, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 헥산올, 사이클로헥산올, 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜 및 글리세롤이 포함된다. 이들 용매는 단독으로 또는 두가지 이상의 혼합물로 사용될 수 있다.
현상에 사용되는 현상제로서는, 당업계에서 통상 사용되는 알칼리 현상제, 예를 들면 알칼리 금속(예: 리튬, 나트륨, 칼륨 및 칼슘)의 수산화물, 탄산염, 중탄산염, 인산염 및 피로인산염의 수용액, 1급 아민(예: 벤질아민 및 부틸아민), 2급 아민(예: 디메틸아민, 디벤질아민 및 디에탄올아민), 3급 아민(예: 트리메틸아민, 트리에틸아민 및 트리에탄올아민), 사이클릭 아민(예: 모르폴린, 피페라진 및 피리딘), 폴리아민(예: 에틸렌디아민 및 헥사메틸렌디아민), 수산화암모늄(테트라에틸암모늄 하이드록시드, 트리메틸벤질암모늄 하이드록시드 및 트리메틸페닐벤질암모늄 하이드록시드) 및 수산화설포늄(트리메틸설포늄 하이드록시드, 디에틸메틸설포늄 하이드록시드 및 디메틸벤질설포늄 하이드록시드) 및 콜린, 규산염 등을 함유하는 완충 용액을 사용하는 것이 바람직하다.
내분사성의 감광성 수지 조성물 층을 형성하기 위해서는, 페이스트 층 상에 분사를 위한 하도 조성물 층을 임시로 형성하는 것이 유리하다. 이 분사를 위한 하도 조성물 층의 형성은 내분사성의 감광성 수지 조성물이 무기 페이스트 층 내로 침투하는 것을 방지하여, 절연층의 탈색, 절연 저항의 변화 등을 피할 수 있다. 상기 언급한 분사를 위한 하도 조성물 층으로는, (메트)아크릴산을 필수 성분으로 함유하는 선형 (메트)아크릴 공중합체 내의 카복실 그룹의 일부를 열중합성 또는 열가교결합성 그룹(들)을 갖는 화합물과 반응시켜서 얻어지는 개질된 아크릴 수지를 함유하는 하도 조성물을 사용하는 것이 바람직하다. (메트)아크릴산을 필수 성분으로 함유하는 선형 (메트)아크릴 공중합체는 (메트)아크릴산 단량체를 70 내지 125℃에서 광중합 개시제의 존재하에 대략 1 내지 15시간 동안 에틸렌 불포화된 그룹(들)을 갖는 화합물[(메트)아크릴산 단량체는 제외됨]과 중합함으로써 수득될 수 있다. (메트)아크릴산 단량체의 예로는 아크릴산 및 메타크릴산이 포함된다. 에틸렌 불포화된 그룹(들)을 갖는 화합물[(메트)아크릴산은 제외됨]의 예로는 메틸 아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, 에틸 메타크릴레이트, 이소부틸 아크릴레이트, 이소부틸 메타크릴레이트, 2-하이드록시에틸 아크릴레이트, 2-하이드록시에틸 메타크릴레이트, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 메타크릴레이트, 글리세롤 아크릴레이트, 글리세롤 메타크릴레이트, 아크릴산 아미드, 메타크릴산 아미드, 아크릴로니트릴, 메틸아크릴로니트릴, 2-에틸헥실 아크릴레이트, 2-에틸헥실 메타크릴레이트, 벤질 아크릴레이트, 벤질 메타크릴레이트, 에틸렌 글리콜 모노아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 모노메타크릴레이트, 트리에틸렌 글리콜 모노아크릴레이트, 트리에틸렌 글리콜 모노메타크릴레이트, 테트라에틸렌 글리콜 모노아크릴레이트, 테트라에틸렌 글리콜 모노메타크릴레이트, 부틸렌 글리콜 모노아크릴레이트, 부틸렌 글리콜 모노메타크릴레이트, 프로필렌 글리콜 모노아크릴레이트 및 프로필렌 글리콜 모노메타크릴레이트가 포함된다. 에틸렌 불포화된 그룹(들)을 갖는 화합물은 단독으로 또는 두가지 이상의 혼합물로 사용될 수 있다.
선형 (메트)아크릴 공중합체와 반응하는 열중합성 또는 열가교결합성 그룹(들)을 갖는 화합물의 예로는 글리시딜 그룹(들)을 갖는 (메트)아크릴레이트; 지환족 에폭시 그룹을 갖는 (메트)아크릴레이트; 비닐 이소시아네이트 화합물; 및 하이드록시알킬 (메트)메틸아크릴레이트를 디메틸렌 디이소시아네이트, 트리메틸렌 디이소시아네이트, 테트라메틸렌 디이소시아네이트, 펜타메틸렌 디이소시아네이트, 헥사메틸렌 디이소시아네이트, 헵타메틸렌 디이소시아네이트, 2,2-디메틸펜탄-1,5-디이소시아네이트, 옥타메틸렌 디이소시아네이트, 2,5-디메틸헥산-1,6-디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸헥산 디이소시아네이트, 2,4,4-트리메틸헥산 디이소시아네이트 및 데카메틸렌 디이소시아네이트와 반응시켜서 얻은 생성물이 포함된다. 글리시딜 그룹(들)을 갖는 (메트)아크릴레이트의 예로는 글리시딜 아크릴레이트 및 글리시딜 메타크릴레이트가 포함된다. 비닐 이소시아네이트 화합물의 예로는 비닐 이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트 및 m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질 이소시아네이트가 포함된다. 이들 중에서, 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트를 사용하는 것이 바람직하다. 열중합성 또는 열가교결합성 그룹(들)을 갖는 화합물은 선형 (메트)아크릴 공중합체 내의 카복실 그룹을 기준으로 하여 5 내지 100몰%, 바람직하게는 50 내지 100몰%의 반응 비율로 반응된다. 반응 비율이 5몰% 미만인 경우에, 내분사성의 감광성 수지 조성물에의 접착성이 저하된다.
상기 언급한 개질된 아크릴 수지는 5,000 내지 500,000(바람직하게는 8,000 내지 100,000)의 중량 평균 분자량 및 0 내지 225㎎ KOH/g(바람직하게는 0 내지 150㎎ KOH/g)의 산가를 갖는다. 그의 중량 평균 분자량이 5,000 미만인 경우에는, 하도 조성물이 불량한 막-형성성을 나타낸다. 중량 평균 분자량이 500,000을 초과하는 경우에는, 몇몇 경우에 균일한 두께를 갖는 기판 층이 형성될 수 없다. 산가가 225㎎ KOH/g을 초과하면, 연화성이 감소되거나 내분사성의 감광성 수지 조성물에의 접착성이 저하되어, 현상 도중에 벗겨지거나 내분사성의 감광성 수지 조성물 내에서 균열되어 바람직하지 않다. 이 분사를 위한 하도 조성물 층은 조성물을 상기 언급한 용매에 용해시킨 후, 얻어진 용액을 도포기, 바아 코팅기, 첨정석 및 커튼 플로우 코팅기와 같은 도포 수단을 사용하여 기판 상에 도포함으로써 형성된다. 별법으로, 내분사성의 감광성 수지 조성물 층의 형성에서 행한 바와 같이, 기판 상에 스크린-인쇄하거나 건조 막으로서 접착시킬 수도 있다. 하도 조성물 층은 통상적으로 두께가 0.5 내지 2㎛이다.
본 발명을 추가로 더욱 상세히 예시하기 위하여, 이에 제한되는 것은 아니나 하기 실시예를 기재한다. 여기에 사용된 %란 용어는 중량%를 의미한다.
실시예 1
하기 성분들을 함께 잘 교반하고 혼련하여 내분사성의 감광성 수지 조성물의 용액을 수득한다.
· Daicel Chemical Industries, Ltd.제의 카복실-함유 우레탄
ACRYLATE KRM 7222 (중량 평균 분자량: 10,000, 산가: 20㎎ KOH/g, 20%의 에틸 아세테이트 용매 함유) 35 중량부
· The Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd.제의 카복실-함유 우레탄
ACRYLATE SICO UT-2313 (중량 평균 분자량: 약 20,000, 산가: 0㎎ KOH/g, 30%의 에틸 아세테이트 용매 함유) 32 중량부
· 셀룰로오즈 아세테이트 프탈레이트 KC-71
(Wako Pure Chemicals Industries, Ltd.제, 산가: 120㎎ KOH/g, 75%의 메틸 에틸 케톤 용매 함유) 30 중량부
· 2,4-디에틸티옥산톤 2 중량부
· 2-이소아밀 4-디메틸아미노벤조에이트 1 중량부
· 디메틸벤질 케탈 0.05 중량부
· (η5-2,4-사이클로펜타디엔-1-일)[(1,2,3,4,5,6-η)-(1-메틸에틸)벤젠]-철(1+)-헥사플루오로포스페이트(1-) 0.1 중량부
· 에틸 아세테이트 30 중량부
이렇게 하여 제조된 내분사성의 감광성 수지 조성물 용액을 도포기를 사용하여 두께가 50㎛인 PET 막 상에 건조 후의 막이 30㎛의 두께를 갖도록 코팅한다. 반-건조 상태에서, 두께가 25㎛인 다른 PET 막을 여기에 접착시켜서 건조 막을 형성한다.
다음, 건조 막의 PET 막 중 하나를 벗겨내고, 이렇게 노출된 감광성 수지 조성물 층 면을 80℃에서 전극 패턴 상에 배리어 리브(붕규산납 유리 프릿 층)가 제공된 플라즈마 표시 패널 기판 상에 접착 및 적층시킨다. 그런 후, 나머지 PET 막을 벗겨내고 감광성 수지 조성물 층을 네가-마스크를 통해 150mJ/㎠에서 초고압 수은 램프로 조사한다. 이어서, 0.2% 탄산나트륨 수용액을 사용하여 1.5㎏/㎠의 분무 압력 하에 60초간 분무 현상을 행한다. 물로 세척한 후, 내분사성의 감광성 수지 조성물 패턴을 80℃에서 10분간 건조시킴으로써 완전히 경화시킨다. 육안으로 평가할 때에, 패턴 내에 삭제 부분 및 박리 부분이 관찰되지 않는다. 수득된 패턴을 내분사성 마스크로서 사용하여, 연마재로서 아크릴로니트릴/폴리에틸렌 클로라이드/스티렌 수지(평균 입도: 10㎛)를 사용하여 3㎏/㎠의 분사 압력 하에 5분간 분사를 행하고, 유리 층(배리어 리브)을 150㎛로 분쇄하여 전극 패턴을 노출시킨다. 이어서, 박리 용액으로서 10% 트리에탄올아민 수용액을 사용하여 잔류하는 내분사성의 감광성 수지 조성물을 벗겨낸다. 그 결과, 노출된 전극 패턴 및 유리 층에서 박리되지 않은 부분이 관찰되지 않는다. 더욱이, 유리 패턴은 삭제 부분 및 박리 부분이 없다.
상기 언급된 분사 공정에서 형성된 1㎏의 분쇄 폐물질을 메틸 에틸 케톤 용액 10ℓ에 붓고 1시간 동안 교반하여 연마재를 용해시킨다. 이어서, 잔류물을 여과하여 분리시킨다. 이러한 공정을 2회 반복한 후에, 붕규산납 유리 프릿을 수득한다. 이 붕규산납 유리 프릿은 오염 물질을 함유하지 않아서 배리어 리브 재료로서 재사용될 수 있다.
실시예 2
실시예 1과 동일한 방법에 따라 제조한 내분사성의 감광성 수지 조성물의 건조 막의 PET 막중 하나를 벗겨내고, 이렇게 노출된 감광성 수지 조성물 층 면을 80℃에서 전극 패턴 상에 배리어 리브(붕규산납 유리 프릿 층)가 제공된 플라즈마 표시 패널 기판 상에 접착 및 적층시킨다. 그런 후, 나머지 PET 막을 벗겨내고 감광성 수지 조성물 층을 네가-마스크를 통해 100mJ/㎠에서 초고압 수은 램프로 조사한다. 이어서, 0.2% 탄산나트륨 수용액을 사용하여 1.5㎏/㎠의 분무 압력 하에 60초간 분무 현상을 행한다. 물로 세척한 후, 내분사성의 감광성 수지 조성물 패턴을 80℃에서 10분간 건조시킨 후, 200mJ/㎠에서 UV-조사에 의해 완전히 경화시킨다. 육안으로 평가할 때에, 패턴 내에 삭제 부분 및 박리 부분이 관찰되지 않는다.
수득된 패턴을 내분사성 마스크로서 사용하여, 연마재로서 SOARNOL D2908 (The Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd.제, 에틸렌/비닐 알코올 공중합체 수지, 평균 입도: 25㎛)를 사용하여 3㎏/㎠의 분사 압력 하에 5분간 분사를 행하고, 유리 층을 150㎛로 분쇄하여 전극 패턴을 노출시킨다. 이어서, 박리 용액으로서 10% 트리에탄올아민 수용액을 사용하여 잔류하는 내분사성의 감광성 수지 조성물을 벗겨낸다. 그 결과, 노출된 전극 패턴 및 유리 층에서 박리되지 않은 부분이 관찰되지 않는다. 더욱이, 유리 패턴은 삭제 부분 및 박리 부분이 없다.
상기 언급된 분사 공정에서 형성된 1㎏의 분쇄 폐물질을 물/이소프로필 알코올(중량비 50/50)의 혼합물 10ℓ에 붓고 1시간 동안 교반하여 연마재를 용해시킨다. 이어서, 잔류물을 여과하여 분리시킨다. 이러한 공정을 2회 반복한 후에, 붕규산납 유리 프릿을 수득한다. 이 붕규산납 유리 프릿은 오염 물질을 함유하지 않아서 배리어 리브 재료로서 재사용될 수 있다.
비교예
실시예 1과 동일한 방법에 따라 제조한 내분사성의 감광성 수지 조성물의 건조 막의 PET 막중 하나를 벗겨내고, 이렇게 노출된 감광성 수지 조성물 층 면을 80℃에서 전극 패턴 상에 배리어 리브(붕규산납 유리 프릿 층)가 제공된 플라즈마 표시 패널 기판 상에 접착 및 적층시킨다. 그런 후, 나머지 PET 막을 벗겨내고 감광성 수지 조성물 층을 네가-마스크를 통해 100mJ/㎠에서 초고압 수은 램프로 조사한다. 이어서, 0.2% 탄산나트륨 수용액을 사용하여 1.5㎏/㎠의 분무 압력 하에 60초간 분무 현상을 행한다. 물로 세척한 후, 내분사성의 감광성 수지 조성물 패턴을 80℃에서 10분간 건조시킨 후, 200mJ/㎠에서 UV-조사에 의해 완전히 경화시킨다.
수득된 패턴을 내분사성 마스크로서 사용하여, 연마재로서 탄화규소(평균 입도: 10㎛)를 사용하여 3㎏/㎠의 분사 압력 하에 5분간 분사를 행하고, 유리 층을 150㎛로 분쇄하여 전극 패턴을 노출시킨다. 그러나, 분사 공정에서 형성된 분쇄 폐물질(즉, 붕규산납 유리 프릿과 탄화규소의 혼합물)은 분리될 수 없기 때문에 재사용될 수 없다.
본 발명에 따른 분사용 가소성 연마재는 유기 용매 또는 물과 유기 용매의 혼합물에 가용성이고, 더욱이 분사 성능에 있어서 통상의 연마재에 필적한다. 따라서, 이들 연마재는 분사 공정에 사용될 때에 우수한 배리어 리브 및 프라이밍 리브를 형성할 수 있다. 또한, 이들 가소성 연마재는 분사 폐물질로부터, 예를 들어 서서히 붓는 방법으로 쉽게 제거될 수 있어서, 배리어 리브 및 프라이밍 리브 재료를 재사용할 수 있고, 폐물질의 처분으로 인한 임의의 환경 문제를 일으키지 않는다.
본 발명을 그의 특정 실시태양을 참조하여 상세히 설명하였으나, 당업자에게는 본 발명의 정신 및 범위에서 벗어나지 않으면서 여러 가지 변화 및 변형이 이루어질 수 있다는 것이 명백하다.

Claims (9)

  1. 유기 용매 또는 물과 유기 용매의 혼합물에 가용성이고, 5 내지 100㎛의 평균 입도를 갖는 가소성 입자를 포함하는 분사용 가소성 연마재.
  2. 제1항에 있어서, 가소성 입자가 아크릴로니트릴/폴리에틸렌 클로라이드/스티렌 수지 입자인 분사용 가소성 연마재.
  3. 제1항에 있어서, 유기 용매 또는 물과 유기 용매의 혼합물이 케톤 용매, 에스테르 용매 또는 물/알코올 용매인 분사용 가소성 연마재.
  4. 플라즈마 표시 패널 기판 상에 페이스트 조성물을 도포하고,
    이를 건조시켜서 페이스트 층을 형성하고,
    그 위에 내분사성의 감광성 수지 조성물 층을 형성하고,
    화학선으로 선택적으로 조사하고,
    현상하여 분사용 마스크 패턴을 형성한 후,
    분사용 가소성 연마재로 노출된 부분을 분쇄시키는 것을 포함하는, 플라즈마 표시 패널 기판의 분사 방법.
  5. 제4항에 있어서, 분사용 가소성 연마재가 유기 용매 또는 물과 유기 용매의 혼합물에 가용성이고, 5 내지 100㎛의 평균 입도를 갖는 가소성 입자를 포함하는, 플라즈마 표시 패널 기판의 분사 방법.
  6. 제4항에 있어서, 내분사성의 감광성 수지 조성물 층을 형성하기 전에 페이스트 층 상에 분사를 위한 하도 조성물 층을 형성시키는 단계를 추가로 포함하는, 플라즈마 표시 패널 기판의 분사 방법.
  7. 제4항에 있어서, 내분사성의 감광성 수지 조성물 층의 형성이 내분사성의 감광성 수지 조성물 층을 갖는 건조 막을 도포함으로써 수행되는, 플라즈마 표시 패널 기판의 분사 방법.
  8. 제6항에 있어서, 분사를 위한 하도 조성물 층의 형성이 하도 조성물 층을 갖는 건조 막을 도포함으로써 수행되는, 플라즈마 표시 패널 기판의 분사 방법.
  9. 분사 공정 도중에 생성된 폐물질을 유기 용매 또는 물과 유기 용매의 혼합물로 처리하여 가소성 연마재를 제거하는 것을 포함하는, 분사 폐물질의 처리 방법.
KR10-1998-0027394A 1997-07-10 1998-07-08 샌드블라스트용 가소성 연마재, 이를 사용한 플라즈마 표시패널기판의 샌드블라스트 가공방법 및 샌드블라스트 폐물질의 처리방법 KR100519392B1 (ko)

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000066391A (ja) * 1998-08-17 2000-03-03 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd サンドブラスト用感光性組成物及びそれを用いた感光性フィルム
US6659844B2 (en) * 2001-05-29 2003-12-09 General Electric Company Pliant coating stripping
JP2003305651A (ja) * 2002-02-12 2003-10-28 Sony Corp 投射材およびブラスト方法
KR100501306B1 (ko) * 2002-04-01 2005-07-18 (주) 휴네텍 도광판 제조방법 및 제조장치와 이를 위한 도광판 제조용입자분사장치
US20040227411A1 (en) * 2003-05-16 2004-11-18 Shuen-Shing Hsiao Method for manufacturing teeth of linear step motors
US7509735B2 (en) * 2004-04-22 2009-03-31 Siemens Energy, Inc. In-frame repairing system of gas turbine components
US20060142773A1 (en) 2004-12-29 2006-06-29 Depuy Mitek, Inc. Abrasive cutting system and method
EP2057244B1 (en) * 2006-09-01 2010-05-12 Cedric Sheridan Intermediate product for use in the production of abrading or cutting tools
JP2009297871A (ja) * 2008-06-17 2009-12-24 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 被研削品の製造方法
JP4737342B1 (ja) * 2010-09-24 2011-07-27 富士ゼロックス株式会社 環状体の製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4858394A (en) * 1987-03-18 1989-08-22 Dynamat, Inc. Free standing photoresist mask and the method of using the same for abrasive engraving
US4943368A (en) * 1988-11-15 1990-07-24 Pittsburgh Mineral & Environmental Technology, Inc. Nonmetallic abrasive blasting material recovery process including an electrostatic separation step
CA2020333C (en) * 1989-07-07 2001-05-29 William R. Lynn Pliant media blasting method and apparatus
US5145717A (en) * 1990-01-31 1992-09-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Stripping method for removing resist from a printed circuit board
JPH04101777A (ja) * 1990-08-15 1992-04-03 Oki Electric Ind Co Ltd ブラスト用研磨材及びそれを用いたバリアリブ形成方法
AU652772B2 (en) * 1990-09-13 1994-09-08 Rwe Entsorgung Aktiengesellschaft Process for recovering metals and coatings from composite materials
US5446340A (en) * 1993-10-04 1995-08-29 General Electric Company Discharge lamp having a lamp envelope with a textured sealed region and method of making same
BE1007894A3 (nl) * 1993-12-20 1995-11-14 Philips Electronics Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een plaat van niet-metallisch materiaal met een patroon van gaten en/of holten.
FR2720750B1 (fr) * 1994-06-01 1996-07-19 Atochem Elf Sa Dispersion stable aqueuse de copolymères fluorés hydroxyles et de copolymères acryliques, son procédé de préparation et son utilisation comme peinture en phase aqueuse.
US5457261A (en) * 1994-07-08 1995-10-10 O'brien & Gere Technical Svcs., Inc. System and method for removing contaminants from solid surfaces and decontaminating waste
US5674108A (en) * 1994-10-12 1997-10-07 Nextec, Inc. Method for removing coatings which create hazardous byproducts
EP0792906A4 (en) * 1994-11-18 1998-04-08 Dow Kakoh Kabushiki Kaisha POLYSTYRENE RESIN FOAM AND PROCESS FOR PRODUCING FOAM
EP0722179A3 (en) * 1994-12-05 1997-12-10 E.I. Du Pont De Nemours And Company Insulator composition, green tape, and method for forming plasma display apparatus barrier-rib
TW320732B (ko) * 1995-04-20 1997-11-21 Matsushita Electron Co Ltd
JP3638660B2 (ja) * 1995-05-01 2005-04-13 松下電器産業株式会社 感光性樹脂組成物、それを用いたサンドブラスト用感光性ドライフィルム及びそれを用いた食刻方法
JPH0929837A (ja) * 1995-07-17 1997-02-04 Fujitsu Ltd ブラスト研削方法、およびそれを用いたガス放電パネルの隔壁形成方法
JPH09155743A (ja) * 1995-12-11 1997-06-17 Fuji Seisakusho:Kk 被加工物に付着した研掃材の除去方法
US5909083A (en) * 1996-02-16 1999-06-01 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Process for producing plasma display panel

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