KR19990007973A - 다중 반사 멀티플랙서 및 디멀티플랙서 - Google Patents

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KR19990007973A
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벤카타에이. 바가바튜라
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알프레드엘.미첼슨
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Abstract

광신호들은 복수의 다른 파장신호들을 전달하는 단일 경로와 다른 파장신호들을 개별적으로 전달하는 다중 경로를 커플링하는 광통로의 길이차이 발생기에 의해 그들의 파장에 따라 분산된다. 광통로의 길이 발생기는 또한 다른 길이 광통로들을 따라 각 다른 파장신호의 에너지의 연속적 부분을 반사하기 위해 복수의 부분적 반사면을 갖는 반사 스택에 의해 형성될 수 있다.

Description

다중 반사 멀티플랙서 및 디멀티플랙서
일반적으로, 상기 장치들은 멀티플랙싱(multiplexing) 및 디멀티플랙싱(demu ltiplexing) 조작에 사용될 수 있다. 차이는 단지 상기 장치들을 통과하는 빛의 이동 방향이 반대라는 것이다. 멀티플랙서는 다중 광경로에서 단일경로로 이동하는 다른 파장들(또한 채널이라고도 칭함)의 신호를 발송한다. 디멀티플랙서는 단일경로로부터 각각의 다중경로로 다른 파장신호를 발송한다.
이러한 장치들내에서 다른 파장신호들을 분류하는데 다양한 기술이 사용된다. 하나의 상기 기술은 단일 및 다중 경로 사이에서 중간 경로의 광통로의 길이를 변화시켜 다른 파장신호들을 각지게 분리시킨다. 다양한 길이의 도파관을 측면 진행으로 배열시켜, 그들의 전파방향으로 횡단하는 다른 파장신호의 위상을 상대적으로 변화시킨다. 일반적으로, 통로의 길이차이는 중앙 파장신호의 정수배수(integer multiple)이고, 이 중앙파장신호의 파두(wavefront)는 빛의 이동의 다른 거리에 영향을 받지 않지만, 그 나머지 파장신호들은 그들의 파장의 함수로서 경사가 점차적으로 변한다. 예를 들어, 중앙파장과 가장 다른 파장의 파두가 또한 가장 경사진다.
디멀티플랙싱 방향에서, 다른 파장신호들은 평행한 파두로서 다른 길이의 중간 경로로 입사되고, 상대적으로 경사진 파두로서 중간 경로에서 출사된다. 멀티플랙싱 조작에서는 입사 및 출사가 반대이다. 초점을 맞추는 것으로 다중경로의 횡측배열(lateral array)과 일치하는 선형분리로 파두들사이에 각분리를 전환시킨다.
상기 장치로 입사되는 다른 파장신호의 각각은 전파방향으로 횡단하는 평면에서 복사의 패턴(pattern)으로 한정될 수 있는 모드필드를 나타낸다. 통상적으로, 상기 패턴은 가우스-유형 분포(Gaussian-type distribution)를 따른다. 중간 경로는 각 신호의 모드필드의 다른 단면을 독립적으로 전달하지만, 통상의 모드필드에서는 에너지의 전체 분포를 공동으로 유지한다(즉, 중간 경로에서의 피크강도(peak intensities)는 통상의 모드필드에서의 에너지의 분포에 맞는 패턴을 따른다).
그러나, 상기 분포는 횡측으로 배열된 다중경로와 경사진 파두를 효율적으로 연결하는데 적합하지 않다. 경사진 파두를 갖는 다른 파장신호는 또한 효율적으로 비경사 파두의 초점위치에서 대응적으로 상쇄된 위치에서의 전파 및 초점방향으로 경사진다. 그 결과로, 전송효율은 파두 경사의 양이 증가되면서 감소된다. 즉, 중앙 파장신호는 가장 효율적으로 연결되지만, 다른 파장신호들은 더 큰 손실을 나타내는데, 특히 중앙 파장신호로부터 가장 멀리 떨어진 파장신호가 그러하다.
<발명의 요약>
하나 또는 그 이상의 여러 실시예를 갖는 다른 파장신호의 개별적인 모드필드의 분포의 독립적으로 에너지의 분포를 조절하여 멀티플랙서 및 디멀티플랙서의 커플링 효율(coupling efficiency)을 향상시킨다. 광통로의 길이차이는 여전히 다른 파장신호를 각지게 분류하는데 사용되지만, 다른 길이의 광통로를 통하는 에너지 분포는 신호들의 모드필드 분포와 일치하지 않는다.
다른 단면들로 모드필드를 나누고 다른 단면을 전달하는 대신에, 본 발명의 다른 길이의 통로는 배열되어 모드 필드를 통과하는 에너지의 연속적 부분을 수렴시킨다. 바꾸어 말하면, 본 발명의 각각의 다른 길이의 통로는 각각의 다른 파장신호들의 모드필드에서 다른 위치의 견본에서 뽑아낸 에너지를 포함한다.
본 발명의 새로운 멀티플랙싱 및 디멀티플랙싱 장치의 한 구체예는 복수의 다른 길이의 중간 경로를 갖는 광통로의 길이차이 발생기를 이용하여 다른 파장신호를 개별적으로 전달하기 위한 다중 경로와 복수의 다른 파장신호를 전달하기 위한 단일 경로를 커플링하는 유형이 바람직하다. 그러나, 통상적인 광통로의 길이 발생기와 대조적으로, 본 발명의 광통로의 길이차이 발생기내에서의 복합 빔스플리트는
(a) 하나의 다른 길이의 중간경로를 따라 각각의 다른 파장신호의 모드 필드에서 다중 위치로부터 에너지의 일부를 전환시키고,
(b) 또 다른 길이의 중간 경로를 따라 각각의 다른 파장신호의 모드 필드에서 다중 위치로부터 잔여 에너지의 일부를 전환시키며,
(c) 실질적으로 각각의 다른 파장신호의 모든 에너지가 또 다른 길이의 중간 경로를 따라 연속적으로 전환될 때까지, 상기 또 다른 길이의 중간 경로를 따라 각각의 다른 파장신호의 모드 필드에서 다중 위치로부터 잔여 에너지의 연속부분을 계속 전환시킨다.
다른 길이의 중간 경로는 다른 파장신호를 각지게 분리하기 위한 패턴으로 배열된다. 분리된 포커싱 렌즈는 다중경로로 각지게 분리된 파장신호를 연결하도록 사용될 수 있다.
각 중간 경로에서 에너지의 총량은 모드필드에서 단일위치로부터 보다 각각의 다른 파장신호의 모드필드에서의 다중위치로부터의 중간 경로로 전환되는 에너지의 총량에 의해 조절된다. 중간 경로들 사이에서 에너지 분포의 이러한 새로운 조절은 다른 파장신호사이에 더욱 균일한 커플링 효율을 제공하는데 사용될 수 있다.
복합 빔스플리트를 포함하는 광통로의 길이차이 발생기는 단일 및 다중 경로를 커플링하기 위한 복수의 겹침 부분적 반사 표면을 갖는 반사 스택으로서 형성될 수 있다. 각각의 부분적 반사표면은 0이 아닌 반사각에서 각각의 다른 파장신호의 에너지의 한 부분으로 반사하도록 방향이 결정되고, 그들사이에 전파방향으로 횡단하는 단일 및 다중 경로 사이에서 광통로의 길이를 변화시키기 위해 상대적으로 위치된다.
예를 들어, 제 1의 부분적 반사면들은 제 1의 다른 길이의 중간경로 사이에 따라 각각의 다른 파장신호의 에너지의 일부를 반사하고, 제 2의 부분적 반사면으로 각각의 다른 파장신호의 에너지의 잔여분을 전송한다. 제 2의 부분적 반사면은 제 2의 다른 길이의 중간경로를 따라 각각의 다른 파장신호의 잔여 에너지의 일부를 반사하고, 각각의 다른 파장신호의 실질적인 모든 에너지가 추가 중간 경로사이에서 분배될 때까지 제 3 및 그 이후의 부분적 반사면들로 각각의 다른 파장신호의 에너지의 잔여분을 전송한다.
스택의 부분적 반사면들은 1/4파장 반사막과 같은 교대 전송층 및 부분적 반사층에 의해 또는 다른 굴절률을 갖는 교대층의 하나에 의해 형성될 수 있다. 바람직하게, 부분적 반사면들은 평행하고, 실질적으로 동일한 간격으로 떨어져 있다. 중간경로 사이에서 구분된 에너지의 양은 부분적 반사면에 의해 나타나는 반사성의 총양에 의해 조절된다. 부분적 반사면들 사이의 광통로의 길이 차이는 부분적 반사면, 부분적 반사면들 사이의 간격, 및 전달매체의 굴절률로부터 0이 아닌 반사각에 의해 조절된다.
본 발명은 그들의 파장에 따라 광신호를 발송하기 위해 광통로 길이의 변화를 이용하는 멀티플랙서(multiplexer) 및 디멀티플랙서(demultiplexer)에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 새로운 멀티플랙서 및 디멀티플랙서의 벌크 광학장치의 배치도,
도 2는 광통로의 길이차이 발생기로서 본 발명의 멀티플랙서 및 디멀티플랙서에서 사용되는 반사 스택의 부분도,
도 3은 본 발명의 멀티플랙서 및 디멀티플랙서의 집적 광학장치의 계획도,
도 4는 마이크로 채널 도파관을 도시하는 도 3의 선 4-4를 따라 절단한 횡단면도,
도 5a, 5b, 및 5c는 광통로의 길이차이 발생기를 제조하기 위한 또 다른 구조를 도시하는 도 3의 선 5-5에 따라 절단한 횡단면도,
도 6은 파장가변 반사스택의 절단 계획도이다.
도 1에 도시된 본 발명의 새로운 멀티플랙서 및 디멀티플랙서의 벌크 광학장치에서, 다른 파장신호들" λ1n "를 전달하기 위한 단일경로(12)와 상기 신호들을 개별적으로 전달하기 위한 다중경로(14, 16 및 18)는 단일-모드의 광섬유이다. 디멀티플랙싱 조작 동안, 단일경로(12)는 입력경로이고 다중경로(14, 16 및 18)는 출력경로이다. 입력 및 출력은 멀티플랙싱 조작 동안은 반대이다. 간단히 말해서, 본 발명의 멀티플랙서 및 디멀티플랙서의 이 외의 부품은 디멀티플랙싱 조작 동안 빛의 이동 방향에 관하여 기준이 된다.
콜리메팅 렌즈(22, collimating lens) 및 실린드리컬 렌즈(24, cylindrical lens)를 포함하는 빔-성형 어셈블리(beam-shaping assembly)는 다단계의 광통로 길이의 차이발생기의 기능을 하는 반사스택(26)과 단일경로로 연결된다. 다른 파장신호들" λ1n "을 모드필드을 통하여 분산되는 주어진 총량의 에너지를 각각 갖는 공통 선형 경로(30)을 따라 전파되는 복수의 평행파두을 갖는 가는 허리모양의 빔(narrow-waisted beam)으로서 반사스택에서 받아들인다.
반사스택(26)은 공통경로(30)를 따라 겹쳐지는 복수의 부분적 반사면(32, 34, 36 및 38)을 포함한다. 이 부분적 반사면(32, 34, 36 및 38)은 높은 굴절률의 1/4파장막 또는 공기같은 얇은 반사막으로 바람직하게 형성된다. 높은 굴절률과 낮은 굴절률 사이에 교대로 물질의 층 또한 사용될 수 있다. 도 1에는 부분적 반사면이 4개만 도시되어 있지만, 바람직한 커플링 효율 및 혼선 감쇠를 달성하기 위해서는 20개 또는 그 이상의 상기와 같은 부분적 반사면이 필요하다.
각각의 부분적 반사면(32, 34 및 36)은 각각의 다른 파장신호" λ1n "의 모드필드(즉, 모드필드를 통하여)에서 다중위치로 에너지의 일부를 반사시키고, 부분적 반사면(34, 36, 및 38)의 연속적 하나로 각각의 다른 파장신호" λ1n "의 에너지의 잔여분을 전송시켜서 2중 빔스플리터의 기능을 한다. 에너지의 반사된 부분이 바람직하게 모드필드를 통하여 균일하게 이끌어낼지라도, 부분적 반사면(32, 34, 및 36)은 또한 모드필드에서 복수의 위치로부터 에너지를 끌어내기 위한 높은 반사성의 별개의 면적을 형성시킬 수 있다. 이 후자의 경우에서, 별개의 면적은 바람직하게 부분적 반사면들사이에서 흔들려서 모든 모드 필드가 결국 반사된다. 전송층(42, 44 및 46)은 부분적 반사면(32, 34, 36 및 38)들사이에서 다른 파장신호" λ1n "를 전달한다. 공통경로(30)를 따른 마지막의 부분적 반사면(38)은 또한 전체적으로 반사시켜 커플링 효율을 최대화한다.
도 2에 있어서, 부분적 반사면(32)은 반사각 θi 에서 공통경로(30)에서 중간경로(52)로 각 다른 파장신호" λ1n "의 일부의 에너지를 반사하고, 부분적 반사면(34)로 공통경로(30)을 따라 잔여 에너지를 전송한다. 일부의 잔여 에너지는 반사각 θt 으로 공통경로(30)에서 중간경로(54)로 부분적 반사면(34)에 의해 반사되고, 잔여 에너지는 다음의 부분적 반사면(36)으로 부분적 반사면(34)에 의해 전송된다. 다시, 부분적 반사면(36)은 일부를 반사하고 순간에너지의 다른 부분을 전송한다. 반사된 부분은 공통경로(30)으로부터 중간경로(56)으로 전환된다. 전송된 부분은 다른 파장신호" λ1n "의 실질적으로 모든 에너지가 공통경로(30)에서 추가 중간경로(예를들어, 중간경로(58))로 전환될 때까지, 유사한 연속 반사면(예를 들어, 반사면(38))으로 전달된다.
부분적 반사면(32, 34, 36 및 38)은 각각 평행하고, 대략 일정 간격" Lt "로 이격되어 있다. 반사스택(26)에서 반사각" θi "을 쉽게 도시하기 위해 대략 45도로 도시하였지만, 각 " θi "는 부분적 반사면(32)이 극성의존적이지 않도록 바람직하게 대략 5도 내지 15도 범위내의 브레스터의 각(brewster's angle)에 근접하지 않게 선택된다. 반사스택(26)내로부터 반사각" θt "는 가장 바깥쪽의 부분적 반사면(32)의 내부면에서 굴절 총량에 의한 반사각" θi "와는 다르다. 두 각" θi " 및" θt " 는 수치적으로 nisinθi=ntsibθt 와 같이 나타낼 수 있다.
여기서, " ni "는 스택(26)의 가장 바깥쪽 굴절면(32)과 인접한 전송중간의 굴절률이고, " nt "는 전송층(42)의 굴절률이다.
부분적 반사면(32, 34, 36 및 38)의 연속 반사는 다른 파장신호" λ1n "의 모드 필드에서 에너지의 분포와 상관없이 중간경로(52, 54, 56, 및 58)사이에서 다른 파장신호" λ1n "의 에너지를 나눈다. 중간경로(52, 54, 56, 및 58)사이의 에너지 분포는 부분적 반사면들(32, 34, 36, 및 38)에 의해 나타나는 반사성의 총량을 조절하여 조정될 수 있다. 예를 들어, 부분적 반사면(32, 34, 36, 및 38)은 차후의 부분적 반사면(34, 36, 및 38)에 도달하는 에너지의 총량을 지수적으로 감소를 보상하기 위해 %반응성을 점진적으로 증가시킬 수 있다.
바람직한 반응성을 계산할 때, 재반사 또한 고려되어야 한다. 예를 들어, 도 2는 부분적 반사면(32)에서 부분반사에 의한 부분적 반사층(34)로 중간경로(60)을 따라 반송된 부분적 반사층(34)로 반사된 에너지의 한 부분을 도시한다. 상기 적은 부분은 부분적 반사면(36)에서의 반사와 일직선상에 중간경로(56)를 따라 부분적 반사층(34)에 의해 재반사된다. 중간경로(60)를 따라 반송된 잔여 에너지는 나머지 중간경로들(예를 들어, 경로 58)을 따라 분산시키기 위해 연속적 부분적 반사층(36 및 38)으로 전송된다.
중간경로(52, 54, 56 및 58)는 두 개의 인접한 부분적 반사층들사이에 간격" Lt ", 중간 전송층의 굴절률" nt " 및 δρ=2Ltntcosθt 에 따른 두 개의 부분적 반사층으로부터 반사각" θt "의 기능으로서 광통로 길이가 다르다. 여기서, " δρ "는 인접한 중간 경로들(52, 54, 56 및 58)의 광통로의 길이사이의 차이다.
광통로의 길이차이 " δρ "는 바람직하게 예를 들어 도 1에 도시된 신호" λ1 "의 파장에 대응하는 중앙파장" λ0 "의 정수배수"m"으로 선택된다. 모든 다른 비-정수 다중 파장은 광통로의 길이차이" δρ "의 결과로서 위상이 변한다. 배수"m"은 바람직하게 20 내지 150범위내이어서 다른 파장신호들내에서 위상변화를 증가시킨다. 장치의 유용한 파장범위, 즉, 자유공간범위"FSR"는 또한 에 따라 정수배수"m"과 관계된다.
이러한 중간 경로들사이의 측면공간에 연결된 중간경로(52, 54, 56 및 58)를 따라 통로의 길이차이" δρ "는 도 1에서 도시된 다른 파장신호 사이에 각분산을 일으킨다. 두 개의 다른 파장신호에서 파장의 단위당 라디안으로 수치적 표현된 각분산은 " "로 나타낼 수 있다.
파장들사이에서 각분산" i/dλ "은 다른 파장신호" λ1n "사이의 경사에서 1차 변화를 만들기 위한 모든 인접한 중간경로(52, 54, 56, 및 58)를 지나 일정할 수 있고 또는 각분산" i/dλ "은 파두의 형태위에 고차효율을 생성하기 위해 전파방향으로 횡단하도록 변화시킬 수 있다. 예를 들어, 파두곡선은 포커싱을 위해 사용될 수 있다.
그러므로, 부분적 반사면(32, 34, 36 및 38)의 수, 위치, 및 반사성을 변화시키는 능력과 함께, 다른 파장신호" λ1n "에 의해 집중적으로 전달된 에너지의 모드 필드 뿐만아니라, 통로의 길이 차이" δρ " 및 각분산" i/dλ "에 따른 변수는 다른 파장신호" λ1n "의 대표파두의 상대적 각도 및 형태 모두에 영향을 미치도록 조절할 수 있다. 통상적으로, 인접신호들사이에 균일한 커플링 효율 및 저 혼선은 상기 최적의 기본목표이다.
포커싱 렌즈(62)는 반사스택(26)과 다중경로(14, 16 및 18) 사이에 각지게 경사진 신호들" λ1n "를 연결한다. 도면과 같이, 광통로의 길이차이" δρ "의 상기 배수"m"인 도 1의 신호" λ1 "의 비경사진 파두는 경로(14)상에 광학축(64)을 따라 초점 맞쳐진다. 나머지 신호들" λ2 λn "은 그들의 경사의 상대적 총량에 따라 광학축(64)으로부터 오프셋(offsets)을 증가시켜 경로(16 및 18)상에 초점이 맞추어진다. 추가 경로는 또한 멀티플랙싱 또는 디멀티플랙싱을 요구하는 또 다른 파장신호를 전달하기 위해 광학축(64)의 면상에 위치될 수 있다.
본 발명의 멀티플랙서 및 디멀티플랙서의 평면 장치는 도 3에 도시된다. 단일 경로(72) 및 다중경로(74)는 평면판 도파관(76)에서 마이크로 채널 도파관으로 형성된다. 선 4-4를 따라 절단한 도 4는 기판(78)위에 둘러싸인 피복부분(73) 및 중심부분(71)에 의해 형성된 단일 도파관(72)을 도시한다.
단일 도파관(72)은 빛의 가는 빔(80)으로서 빔(80)을 위한 0이 아닌 반사각으로 경사지지 않고 서로 평행하게 방향짓는 복수의 부분적 반사면(84)을 갖는 반사기 스택(82)으로 직접적으로 다른 파장신호" λ1n "를 전달한다. 부분적 반사면(84)은 전술한 장치(10)의 대응 표면과 유사한 복합 빔스플리터로서 기능을 한다.
선 5-5를 따라 절단한 도 5a, 5b, 및 5c는 (82a, 82b 및 82c)로 지정된 반사기 스택(82)의 3개의 교대의 구조를 도시한다. 도 5a에서 반사스택(82a)은 도파관으로부터 같거나 다른 물질로 만들어진 전송부품(88)에 의해 분리된 복수의 얇은 반사막(86)에 의해 형성된다. 반사막(86)은 부분적 반사면(84)의 기능을 한다. 전송부품(88)은 두께(대략 500Å∼2000Å)에서 약 1/4파장만 측정하는 훨씬 얇은 반사막(86)을 지지하기 위해 대략 20㎛ 내지 1000㎛의 두께를 측정하는 전송기판으로서의 기능을 한다.
전송부품(88)은 유리, 고분자, 반도체 및 전기-광학 물질을 포함하는 다수의 다른 형태의 물질로도 형성될 수 있다. 바람직한 유리 물질은 또 다른 산화물 또는 황화물 유리뿐만 아니라, SiO2, 소다석회유리(soda lime glass), 도피드 실리카(doped silica), TiO2, GeO2, Al2O3이다. UV curable, 열가소성 또는 열경화성 물질은 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리이미드(polyimide), PMMA를 포함한다. 반도체는 Si, Ge, InP 및 GaAs를 포함한다.
전송부품(88)에 사용될 수 있는 상기 물질들의 일부를 포함하여 반사막(86)에도 사용할 수 있다. 부분적으로 반사할 뿐만아니라, 반사막(86) 또한 부분적으로 전송된다. 실질적으로, 반사막(86)은 다른 파장신호" λ1n "의 적은 %의 에너지만이 각 반사막(86)에 의해 반사되도록 하기 위해 바람직하게 95%이상 전송한다.
예를 들어, 반사막(86)은 여러 가지 산화물, 황화물, 질소화물 및 Si3N4같은 플르오르화물, 실리콘 옥시질소화물, MgF2, PbF2, 및 ZnS로 제조될 수 있다. 또 다른 투명한 고분자, 액정, 및 전기-광물질은 또한 스퍼터링(sputtering), 통상적인 또는 전기 빔 증발, 및 플라스마 또는 화학적 증류 석출에 의해 퇴적될 수 있는 상기 물질들을 포함하도록 사용될 수 있다.
반사막(86) 및 전송부품(88)을 형성하기 위한 이러한 물질들의 일부는 전술한 장치(10)의 반사기 스택(26)을 제조하기 위한 것 같이 벌크 광학 적용에 더욱 안정하고, 그 외의 것들은 본 장치(70)의 반사기 스택(82)에 더욱 적합하다. 이런 물질들의 선택은 또한 반사기 스택을 통과하는 전송을 고려한 파장 범위내(예를 들어, 1000㎚ 내지 1700㎚)에서 물질의 광학적 특성에 의존한다. 또한, 두 반사막(86) 및 전송부품(88)의 효율을 최대화하기 위해 낮은 흡수비를 나타내야 한다.
도 5b의 반사기 스택(82b)는 반사막을 대신하여 전송부품들(92)내에 공기갭(90, air gaps)인 것을 제외하고 유사하다. 공기갭(90) 및 전송부품(92)사이의 접선에서 변화율 때문에, 접선은 부분적 반사면(84)로서 기능을 한다. 공기의 굴절률이 고정되어있기 때문에, 각 접선으로부터의 반사의 총량은 전송부품(92)의 굴절률을 조정하여 조절된다.
변화율은 또한 도 5c의 반사기 스택(82c)에 사용되어 부분적 반사면(84)를 제조한다. 스택(82c)은 다른 굴절률(낮고 높은 굴절률)의 교대층(94 및 96)으로 제조된다. 층들(94 및 96)사이의 접선은 굴절률 사이의 차이의 함수로서 부분적 반응성을 제공한다.
또한, 전송부품(88) 또는 반사막(86)에 사용된 상기 물질들을 포함하는 상기 물질의 일부는 높고 낮은 굴절률의 교대층(94 및 96)에서 사용될 수 있다. 낮은 굴절률의 물질의 예는 PMMA 및 실리콘 같은 고분자 뿐만아니라 SiO2, B2O3, 도피드 SiO2, 플루마인드 도피드(flumined doped) SiO2, 및 Na3AlF6와 같은 다양한 유리를 포함한다. 굴절률이 높은 유리는 Si3N4, TiO2, GeO2, ZnS, PbF2, 및 Si를 포함한다. 안정하게 높은 굴절률을 갖는 고분자는 폴리카보네이트, 폴리이미드, 및 포토레지스트를 포함한다.
장치(10)와 유사하게, 반사스택(82)에서 나온 모드필드는 부분적 반사면(84)의 위치 및 상대적 반사성에 의해 주로 결정된다. 다른 파장신호" λ1n "의 각분산은 부분적 반사면(84)으로부터의 전송층(예를 들어, 88)의 굴절률 및 반사각에 의해 그 이상 결정된다.
포커싱렌즈(98, 도 3)는 다중도파관(74)의 위치에 대응하는 공간적 분리로 다른 파장신호" λ1n "사이의 각분리를 전환한다. 반면에, 각각의 다른 파장신호" λ1n "는 다중도파관(74)의 다른 하나에 초점 맞추어 진다. 다중도파관(74)의 단계적인 패닝(fanning)이 도시되지 않은 큰 광섬유에 연결하기 위해 사용된다.
벌크 및 집적 평판 장치(10 및 70) 뿐만아니라, 본 발명의 멀티플랙서 및 디멀티플랙서는 혼성렌즈로부터 합체될 수 있다. 예를 들어, 단일 및 다중 경로는 평판형 광도파관상에 장치될 수 있고, 광통로의 길이차이 발생기 또는 포커싱렌즈 둘 중의 하나는 개별적으로 제조되고, 평판형 광도파관과 연결된다. 층들사이에 균일하게 증가되는 반사스택을 개별적으로 제조하는 하나의 방법은 (a)부분적 반사표면을 제조하기 위해 전송물질인 판의 하나의 표면을 처리하는 단계, (b)판을 부분적으로 조각내는 단계, (c)겹침스택으로 부분을 합체시키는 단계로 이루어진다.
장치가 벌크, 집적, 또는 혼합 렌즈인지 아닌지에 상관없이, 밀접하게 이간되어 있는 파장신호(예를 들어, 1㎚ 또는 그 이하에 의한 차이)를 발송하기 위해 정밀한 오차 허용도의 생성은 어렵다. 결과적으로, 어떤 연속적 "튜닝(tuning)" 이 필요하다. 튜닝은 온도, 압력, 또는 전기장 또는 자기장과 같은 환경조건에 대한 응답으로 비율, 크기, 및 반사성을 변화시키는 광통로의 길이차이 발생기에서 하나 또는 그 이상의 물질에 의해 달성될 수 있다.
예를 들어, 도 6은 전송 기판층(104)에 의해 분리되는 반사 막층(102)을 갖는 파장가변(tunable) 반사스택(100)의 예를 도시하고 있다. 반사막층(102)은 ITO와 같은 투명한 전도성 물질로 제조되고, 전송기판층(104)은 순수 또는 도피드 결정의 단일 결정으로 제조된다. 튜닝장치(106)에 의해 발생되고 전도체의 반사면(102)을 통하여 적용되는 전압은 반사층(102)사이의 광통로의 길이를 변화시켜 전송층(104)의 굴절률을 변화시킨다.
반사층(102)사이에 물리적 간격" Lt "은 전송층(104)의 실리콘 결정에서 (폴리비닐리덴 플로오르화물과 같은) 압전기 결정(piezoelectric crystal)을 치환시켜 변화시킨다. 유사하게 적용된 전압은 물리적 간격" Lt "의 방향으로 압전기 결정을 확장 또는 대조하도록 사용될 수 있다. 전기-광 반사층을 통하는 전압은 또한 층의 반사특성을 조절하도록 사용된다. 또한, 튜닝 장치(106)는 상기 영향과 유사하게 반응하는 다른 전송층 및 반사층의 근처에서 온도, 압력, 또는 전기장 또는 자기장을 조절하여 변형시킬 수 있다.

Claims (72)

  1. 모드 필드를 통해 분산되는 주어진 양의 에너지를 갖는 복수의 다른 파장신호들을 각각 전달하는 단일 경로;
    상기 다른 파장신호들을 개별적으로 전달하는 다중 경로;
    상기 단일 및 다중 경로를 커플링하기 위해 복수의 다른 길이의 중간 경로를 갖는 광통로의 길이차이 발생기; 및
    (a) 하나의 다른 길이의 중간 경로를 따라 각각의 다른 파장신호의 모드 필드에서 다중 위치로부터 에너지의 일부를 전환시키고,
    (b) 또 다른 길이의 중간 경로를 따라 각각의 다른 파장신호의 모드 필드에서 다중 위치로부터 잔여 에너지의 일부를 전환시키며,
    (c) 실질적으로 각각의 다른 파장신호의 모든 에너지가 또 다른 길이의 중간 경로를 따라 연속적으로 전환될 때까지, 상기 또 다른 길이의 중간 경로를 따라 각각의 다른 파장신호의 모드 필드에서 다중 위치로부터 잔여 에너지의 연속부분을 계속 전환시키는 복합 빔스플리터를 포함하는 상기 광통로의 길이 발생기;
    를 포함하는 파장에 따라 광신호들을 발송하기 위한 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 다른 길이의 중간 경로가 다른 파장신호를 각지게 분리하기 위한 패턴으로 배열되는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 장치가 상기 다른 길이의 중간 경로 및 상기 다중 경로 사이에 각지게 분리된 파장신호들을 연결하는 포커싱 렌즈를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 장치가 상기 다른 길이의 중간 경로 및 상기 단일 경로 사이에 다른 파장신호들을 연결하는 포커싱 렌즈를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제 3항에 있어서, 상기 복합 빔스플리터가 상기 다른 파장신호의 모드 필드의 독립적인 다른 길이의 중간 경로들 사이에서 에너지 분포를 조절하는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 복합 빔스플리트가 다른 길이의 중간 경로들 사이에 대략적으로 동일하게 각각의 다른 파장신호의 에너지를 분포시키는 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 광통로의 길이 발생기의 복합 빔스플리트가 복수의 부분적 반사면들을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제 7항에 있어서, 제 1의 상기 부분적 반사면이 제 1의 다른 길이의 중간 경로를 따라 각각의 다른 파장신호의 에너지의 일부를 반사하고, 제 2의 상기 부분적 반사면들로 각각의 다른 파장신호의 에너지의 잔여분을 전송하는 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 제 2의 부분적 반사면이 제 2의 다른 길이의 중간 경로를 따라 각각의 다른 파장신호의 잔여에너지의 일부를 반사하고, 제 3의 상기 부분적 반사면으로 각각의 다른 파장신호의 에너지의 그 이상의 잔여부분을 전송하는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 복합 빔스플리터가 적어도 20개의 상기 부분적 반사면을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 제 9항에 있어서, 상기 부분적 반사면들이 평행하게 배열된 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 부분적 반사면들이 다른 파장신호의 파장의 배수와 같은 거리를 간격으로 이격된 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 제 11항에 있어서, 상기 부분적 반사면들이 적어도 20㎛의 거리를 간격으로 이격된 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 제 9항에 있어서, 상기 제 3의 부분적 반사면이 제 3의 다른 길이의 중간 경로를 따라 각각의 다른 파장신호의 잔여 에너지의 일부를 반사하는 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 제 1, 제 2, 및 제 3의 부분적 반사면들이 상대적으로 위치되어 상기 제 2의 부분적 표면에 의해 반사된 에너지의 일부가 상기 제 2의 부분적 반사면으로 상기 제 1의 부분적 반사면에 의해 되돌려 반사되고, 여기서 더욱 감소된 부분이 상기 제 3의 중간 경로를 따라 제 2의 부분적 반사면에 의해 재반사됨을 특징으로 하는 장치.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 제 3의 부분적 반사면으로부터의 상기 반사 및 상기 제 2의 부분적 반사면으로부터의 상기 재반사에 의해 형성된 제 3의 중간 경로를 따라 광통로의 길이가 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 장치.
  17. 주어진 양의 에너지를 갖는 복수의 다른 파장신호 각각을 전달하기 위한 단일 경로;
    상기 다른 파장신호들을 개별적으로 전달하기 위한 다중 경로;
    상기 단일 및 다중경로를 커플링하기 위한 복수의 겹쳐진 부분적 반사면들을 갖는 반사스택; 및
    상기 단일 및 다중 경로 사이에서 전파방향으로 횡단하는 상기 단일 및 다중 경로사이의 광통로의 길이를 변화하기 위한 또 다른 상기 부분적 반사면으로 0이 아닌 반사각에서 각각의 다른 파장신호의 에너지의 일부를 반사하도록 방향을 맞추고, 각각의 다른 파장신호의 에너지의 잔여부분을 전송하도록 상대적으로 위치시키는 각각의 상기 부분적 반사면을 포함하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 반사스택이 다른 굴절률을 갖는 교대층에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  19. 제 18항에 있어서, 상기 교대층의 하나가 공기인 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  20. 제 18항에 있어서, 양쪽의 상기 층들이 낮은 흡수비를 나타내는 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  21. 제 17항에 있어서, 상기 반사스택이 교대 전송층 및 부분적 반사층에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  22. 제 21항에 있어서, 상기 디바이스가 하나의 상기 전송층 및 부분적 반사층의 굴절률을 변화시키기 위한 튜너를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  23. 제 22항에 있어서, 상기 층들의 하나가 전기-광학체로 제조된 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  24. 제 23항에 있어서, 상기 층들의 또 다른 층이 전도체로 제조된 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  25. 제 21항에 있어서, 상기 디바이스가 부분적 반사층들 사이의 간격을 변화시키기 위한 튜너를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  26. 제 25항에 있어서, 상기 층들의 하나가 압전체로 제조된 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  27. 제 26항에 있어서, 상기 층들의 또 다른 층이 전도체로 제조된 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  28. 제 21항에 있어서, 상기 부분적 반사층이 반사막인 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  29. 제 17항에 있어서, 상기 반사 스택이 0이 아닌 반사각에서 각각의 다른 파장신호의 에너지의 잔여부분을 반사하는 전체 반사층을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  30. 제 17항에 있어서, 상기 부분적 반사면들이 각기 서로 평행하게 펼쳐진 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  31. 제 30항에 있어서, 상기 부분적 반사면들이 실질적으로 등거리로 이격된 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  32. 제 31항에 있어서, 상기 부분적 반사면이 전송층에 의해 분리된 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  33. 제 32항에 있어서, 상기 전송층들이 실질적으로 동일한 광학체로 제조된 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  34. 제 17항에 있어서, 상기 부분적 반사면들의 인접쌍이 거리" Lt "의 간격으로 이격되고, 상기 인접한 부분적 반사면들 사이의 전송층이 굴절률" nt "를 갖는 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  35. 제 34항에 있어서, 상기 인접한 부분적 반사면들 사이에 광통로의 길이차이" δρ "가 하기 수학식 1로 계산되는 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
    δρ=2Ltntcosθt
    여기서, " θt "는 반사스택내에서 상기 인접한 부분적 반사면으로부터의 반사각이다.
  36. 제 35항에 있어서, 상기 거리" Lt "가 적어도 20㎛인 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  37. 제 35항에 있어서, 상기 각" θt "가 5도 내지 15도 사이인 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  38. 제 17항에 있어서, 상기 부분적 반사면들 각각이 상기 단일 및 다중 경로 사이의 복수의 다른 길이의 중간 경로의 하나를 따라 각각의 다른 파장신호의 에너지의 일부를 반사하는 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  39. 제 38항에 있어서, 상기 각각의 부분적 반사면의 부분반사성이 상기 다른 길이의 중간 경로들사이에서 대략적으로 동일하게 각각의 다른 파장신호의 에너지를 분할하도록 조절되는 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  40. 제 17항에 있어서, 상기 부분적 반사면들 각각이 복수의 다른 길이의 중간 경로의 하나를 따라 각각의 다른 파장신호의 에너지의 일부를 반사하고, 실질적으로 각각의 다른 파장신호의 모두가 상기 다른 길이의 중간 경로를 따라 반사될 때까지 반복패턴으로 반사면들의 연속적인 하나로 각각의 다른 파장신호의 에너지의 잔여부분을 전송하는 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  41. 제 40항에 있어서, 상기 반사스택이 복수의 평행 파두로서 다른 파장신호를 받도록 배열되고, 복수의 상대적으로 경사진 파두들로 복수의 평행 파두를 변형시키도록 배열되는 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  42. 제 41항에 있어서, 상기 디바이스가 상대적으로 경사진 파장신호를 상기 다중 경로로 정렬된 선형적으로 분류된 파장신호로 변형시키는 포커싱 렌즈를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  43. 제 41항에 있어서, 상기 부분적 반사면들이 상기 단일 경로 및 상기 반사스택사이에서 전파방향을 따라 0이 아닌 반사각으로 경사진 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  44. 제 43항에 있어서, 상기 단일 경로가 평면의 광도파로에서 도파관으로서 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  45. 제 44항에 있어서, 상기 반사 스택이 상기 0이 아닌 반사각으로 방향을 향하는 일련의 부분적 반사면들로서 상기 평면의 광도파로에서 또한 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 멀티플랙서 또는 디멀티플랙서 디바이스.
  46. 다단계 광통로의 길이차이 발생기로 공통경로를 따라 다른 파장신호를 전달하는 단계;
    주어진 양의 에너지를 갖는 복수의 평행파두들로서 다단계 광통로의 길이차이 발생기 중의 제 1단계에서 다른 파장신호를 받는 단계;
    공통경로에서 제 1의 중간경로로 각각의 평행파두들을 통과하는 에너지의 일부를 전환시키는 단계;
    다단계 광통로의 길이차이 발생기의 제 2단계로 공통경로를 따라 각각의 평행파두들의 에너지의 잔여부분을 전달하는 단계;
    공통경로에서 제 2의 중간 경로로 각각의 평행파두들을 통과하는 잔여 에너지의 일부를 전환시키는 단계;
    각각의 평행파두들의 실질적인 모든 에너지가 추가 중간 경로를 따라 전환될 때까지 공통경로로부터 각각의 평행파두를 통과하는 잔여 에너지의 일부를 연속적으로 전달하고 전환시키는 단계를 반복하는 단계; 및
    복수의 평행파두들을 복수의 상대적으로 경사진 파두들로 변형하기 위한 길이를 점차적으로 변화시키면서 중간 경로를 배열하는 단계를 포함하는 다른 파장신호를 각지게 분산하는 방법.
  47. 제 46항에 있어서, 상기 방법이 각각 다중 경로와 상대적으로 경사진 파두를 커플링시키는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 다른 파장신호의 분산방법.
  48. 제 47항에 있어서, 상기 커플링 단계가 각각 다중 경로위로 상대적으로 경사진 파두를 포커싱시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다른 파장신호의 분산방법.
  49. 제 46항에 있어서, 상기 다단계 광통로의 길이차이 발생기의 단계들이 부분적 반사면들을 포함하는 것을 특징으로 하는 다른 파장신호의 분산방법.
  50. 제 49항에 있어서, 상기 전환 단계가 공통경로에서 각각의 중간 경로로 평행파두를 통과하는 에너지의 반사 부분을 부분적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 다른 파장신호의 분산방법.
  51. 제 50항에 있어서, 상기 에너지의 잔여분을 전달하는 단계가 부분적 반사면을 통하여 잔여 에너지를 전송하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 다른 파장신호의 분산방법.
  52. 제 51항에 있어서, 상기 에너지의 잔여분을 전달하는 단계가 부분적 반사면을 분리하는 굴절부품을 통하여 잔여 에너지를 전송하는 것을 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 다른 파장신호의 분산방법.
  53. 제 51항에 있어서, 상기 방법이 공통경로를 따라 0이 아닌 반사각에서 서로 각각 평행하는 부분적 반사면을 방향짓는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 다른 파장신호의 분산방법.
  54. 제 53항에 있어서, 상기 방법이 실질적으로 일정한 거리를 통하여 부분적 반사면을 분리시키는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 다른 파장신호의 분산방법.
  55. 제 51항에 있어서, 상기 방법이 중간 경로들 사이에 에너지의 분포를 조절하기 위해 부분적 반사면의 반사성을 상대적으로 조정하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 다른 파장신호의 분산방법.
  56. 제 52항에 있어서, 상기 방법이 부분적 반사면이 공통경로사이에서 겹쳐지도록 하기 위해 스택에서 부분적 반사면 및 굴절부품을 배열하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 다른 파장신호의 분산방법.
  57. 제 52항에 있어서, 상기 방법이 중간 경로들의 광통로의 길이를 더욱 조절하기 위해 굴절부품의 굴절률을 조정하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 다른 파장신호의 분산방법.
  58. 제 57항에 있어서, 상기 조절 단계가 굴절부품의 굴절률을 조정하도록 외부조절을 이용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다른 파장신호의 분산방법.
  59. 제 58항에 있어서, 상기 외부 조절이 온도, 압력, 전기장, 및 자기장 중 하나인 것을 특징으로 하는 다른 파장신호의 분산방법.
  60. 제 46항에 있어서, 상기 방법이 중간 경로의 상대적 광통로의 길이를 조절하기 위해 다단계 광통로의 길이차이 발생기를 튜닝하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 다른 파장신호의 분산방법.
  61. 공통경로 및 제 1의 복수의 중간경로 사이의 각각의 다른 파장신호들의 모드 필드에서 다중 위치로부터 에너지의 일부를 분할하는 단계;
    통상경로에서 제 2의 복수의 중간경로로 각각의 다른 파장신호들의 에너지의 잔여분을 전환시키는 단계;
    각각의 다른 파장신호의 실질적인 모든 에너지가 중간 경로를 따라 전환될 때까지 공통경로에서 추가 중간 경로로 각각의 다른 파장신호들의 에너지의 또 다른 잔여분을 더욱 연속적으로 전환시키는 단계; 및
    중간 경로 및 다중 경로 사이에서 다른 파장신호들을 개별적으로 커플링하기 위한 중간 경로에 의해 전달되는 다른 파장신호를 분산시키는 단계
    를 포함하는 다른 파장신호의 에너지의 모드 필드 분포의 독립적으로 다른 파장신호를 개별적으로 전달하기 위한 다중경로와 복수의 다른 파장신호를 전달하는 단일경로의 커플링 방법.
  62. 제 61항에 있어서, 상기 전환 단계가 각각의 다른 파장신호들의 모드필드에서 다중위치로부터 에너지의 잔여분을 전환시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중경로와 단일경로의 커플링 방법.
  63. 제 62항에 있어서, 상기 연속적 전환 단계가 각각의 다른 파장신호들의 모드필드에서 다중위치로부터 에너지의 또 다른 잔여분을 연속적으로 전환시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중경로와 단일경로의 커플링 방법.
  64. 제 61항에 있어서, 상기 분할 단계가 각각의 다른 파장신호의 모드 필드를 통과하여 에너지의 일부를 분할하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중경로와 단일경로의 커플링 방법.
  65. 제 64항에 있어서, 상기 전환 단계가 각각의 다른 파장신호의 모드 필드를 통과하여 에너지의 잔여분을 전환시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중경로와 단일경로의 커플링 방법.
  66. 제 65항에 있어서, 상기 연속적 전환 단계가 각각의 다른 파장신호의 모드필드를 통과하여 에너지의 또 다른 잔여분을 연속적으로 전환시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중경로와 단일경로의 커플링 방법.
  67. 제 61항에 있어서, 상기 분할 단계가 제 1의 중간 경로를 따라 각각의 다른 파장신호의 에너지의 일부를 반사하고, 공통경로를 따라 각각의 다른 파장신호의 에너지의 일부를 전송하도록 제 1의 부분적 반사면을 이용하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중경로와 단일경로의 커플링 방법.
  68. 제 67항에 있어서, 상기 전환 단계가 제 2의 중간 경로를 따라 각각의 다른 파장신호의 에너지의 일부를 반사하고, 공통경로를 따라 각 다른 파장신호의 에너지의 또 다른 잔여분을 전송하도록 제 2의 부분적 반사면을 이용하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중경로와 단일경로의 커플링 방법.
  69. 제 68항에 있어서, 상기 방법이 중간 경로에 의해 전달되는 다른 파장신호의 공동 모드 필드 분포를 조절하기 위해 제 1 및 제 2의 부분적 반사면들의 반사성들을 상대적으로 조정하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 다중경로와 단일경로의 커플링 방법.
  70. 제 69항에 있어서, 상기 공동 모드 필드 분배가 단일 경로 및 다중 경로 사이에서 커플링 효율을 향상시키도록 조절되는 것을 특징으로 하는 다중경로와 단일경로의 커플링 방법.
  71. 제 61항에 있어서, 상기 분산 단계가 중간 경로를 다른 광통로의 길이로 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중경로와 단일경로의 커플링 방법.
  72. 제 71항에 있어서, 상기 분산 단계가 다른 파장신호의 상대적으로 경사진 파두를 위해 길이를 점차적으로 변화시키면서 다른 길이의 중간 경로를 배열시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중경로와 단일경로의 커플링 방법.
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