KR19990000011A - 배합물계를 사용한 전기발광 장치 - Google Patents

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지그프리트 카르크
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귄터 슈마허,클라우스 로이터
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Abstract

본 발명은 최소한 2개의 전극, 즉 기저 전극(2)과 상부 전극(8), 및 화학식 1 및(또는) 화학식 2의 염료를 포함하는 발광 층(5)를 포함하는 전기발광 장치를 제공한다.
[화학식 1]
[화학식 2]

Description

배합물계를 사용한 전기발광 장치
전기발광 장치(electroluminescent(EL) arrangement)는 전압이 가해질때 전류의 흐름과 함께 빛을 방출하는 것을 특징으로 한다. 이러한 형태의 장치는 발광 다이오드(light-emitting diode)(LED)로써 오래전부터 공지되었다. 빛의 방출은 양전하(홀)과 음전하(전자)의 재결합으로 인하여 일어난다.
오늘날 전자공학 또는 광자공학의 발광 성분은 주로 비소화 갈륨과 같은 무기 반도체를 사용하여 개발되고 있다. 이러한 물질을 사용하여 펑추얼 디스플레이(punctual display) 소자가 생성될 수 있다. 면적이 큰(large-area) 장치는 불가능하다.
반도체 발광 다이오드 이외에, 증착된 저분자량 화합물을 기재로 하는 전기발광 장치가 또한 공지되어 있다(미국 특허 제4,539,507호, 미국 특허 제4,769,262호, 미국 특허 제5,077,142호, 유럽 특허 공개 제406762호). 이러한 물질로는 제조 방법에 의해 단지 작은 크기의 LED만이 생산될 수 있다. 또한, 이러한 전기발광 장치는 높은 생산 비용과 매우 짧은 수명을 갖는다.
폴리-(p-페닐렌) 및 폴리-(p-페닐렌비닐렌(PPV)) 등의 중합체는 또한 전기 발광체로서 기술되어 있다[G. Leising et al., Adv. Mater. 4(1992) No. 1:Friend et al., J. Chem. Soc., Chem. Commun., 32(1992); Saito et al., Polymer, 1990, Vol. 31, 1137; Friend et al., Physical Review B, Vol. 42, No. 18, 11670, 또는 국제 출원 공개 90/13148]. 전기발광 디스플레이에 있어서 PPV의 다른 예는 유럽 특허 공개 제443861호, 국제 공개 제9203490호 및 동 제92003491호에 기술되어 있다.
유럽 특허 공개 제0294061호는 폴리아세틸렌 기재의 광학 조절기를 개시하고 있다.
헤게(Heeger) 등은 가요성 중합체 LED의 생산을 위해 가용성의 공액 PPV 유도체를 제안하고 있다(국제 공개 제92/16023호).
또한 여러 조성의 중합체 배합물이 공지되어 있다[M. Stolka et al., Pure Appl. Chem., volume 67, no. 1, pp. 1775-182, 1995; H. Baessler et al., Adv. Mater. 1995, 7, no. 6, 551; K. Nagai et al., Appl. Phys. Lett. 67(16), 1995, 2281; EP-A 532 798].
일반적으로 유기 EL 장치는 1층 이상의 유기 전하 전달 화합물층을 포함한다. 원칙적으로 층의 배치는 다음의 순서와 같다:
1 담체, 기판
2 기저 전극
3 홀 주입 층
4 홀 전달 층
5 발광 층
6 전자 전달 층
7 전자 주입 층
8 상부 전극
9 접촉부
10 커버, 외장
이 구조는 가장 일반적인 경우를 나타내며, 한 층이 두가지 이상의 기능을 나타내도록 각각의 층을 제거함으로써 단순화될 수 있다. 가장 간단한 경우는, EL 장치가 두 개의 전극으로 구성되어 있고, 이 전극 사이에 발광을 포함하는 모든 기능을 수행하는 유기층이 위치하고 있다. 폴리-(p-페닐렌비닐렌)을 기재로 하는 이러한 형태의 계는 예를 들어 국제 공개 제90/13,148호에 기술되어 있다.
다층계(multilayer system)는 가스 상태로 연속해서 또는 캐스팅 방법으로 층이 배치되는 증착법에 의하여 제조될 수 있다. 캐스팅 방법이 높은 처리 속도로 인해 바람직하다. 그러나 문제는 층이 그 위에 연속적으로 더 코팅되는 동안 먼저 배치된 층이 부분적으로 용해한다는 것이다.
본 발명의 목적은 단층 또는 다층 장치의 제조를 위해서 형광 염료와 적합한 결합제를 기재로 하는 배합계를 제공하는데 있다.
이제 본 발명자들은 아래 나타낸 화학식 1 및 2의 형광 염료가 투명 열가소성 물질 내에 분산되어 캐스팅 방법으로 처리되어 박층 시스템을 생성할 수 있다는 것을 밝혀내었다.
본 발명은 2개 이상의 전극, 즉 기저 전극(2)와 상부 전극(8), 및 화학식 1 및(또는) 화학식 2의 염료를 포함하는 하나의 발광 층(5)를 포함하는 전기발광 장치를 제공한다.
[화학식 1]
[화학식 2]
식 중, T는 산소원자 또는 NR4(여기서 R4는 수소원자, 또는 임의로 치환된 알킬 또는 임의로 치환된 아릴을 나타냄)를 나타내고;
R1과 R8은 탄소 원자로 결합된 5 또는 6-원의 카르보 또는 헤테로사이클 고리 또는 질소 원자로 결합된 5 또는 6-원의 헤테로사이클 고리를 의미하는데, 이들 고리는 쿠마린 N-헤테로사이클을 통과하는 축에 대해 회전시 비대칭적 관계에 있고, 상기 5 또는 6-원 고리는 이온을 발생하지 않는 치환체를 가질 수 있으며, 임의로 치환된 벤젠 고리 또는 임의로 치환된 나프탈렌 고리가 그에 융합될 수 있고;
R2및 R9는 임의로 치환된 알킬, 알케닐, 임의로 치환된 사이클로알킬, 임의로 치환된 아릴, 임의로 치환된 아르알킬을 의미하거나,(여기서 R5, R6, R7또는 R10은 동일하거나 다를 수 있으며 수소 원자, 임의로 치환된 알킬 또는 임의로 치환된 아릴을 나타냄)를 나타내고;
R3은 수소원자 또는 CN을 나타낸다.
R1및 R8은 바람직하게는 N, O, S로부터의 1, 2 또는 3개의 헤테로 원자를 포함하고 벤젠 고리에 융합될 수 있는 5 또는 6-원 헤테로사이클 고리를 나타내는데, 여기서 헤테로사이클 고리 및 융합된 벤젠 고리 모두는 예를 들어, 알킬, 아릴, 아르알킬, 사이클로알킬, 할로겐, 알콕시, 시아노 및 아실에 의해 치환될 수 있다.
벤젠 고리가 융합될 수 있는 5 또는 6-원 헤테로사이클 고리를 의미하는 R1및 R8의 예는 피라졸, 이미다졸, 티아졸, 옥사졸, 1,2,4-트리아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 벤즈이미다졸, 벤조티아졸, 벤조옥사졸, 피리딘이다.
R1및 R8은 특히 바람직하게는 화학식 3의 헤테로사이클 잔기를 나타낸다.
[화학식 3]
식 중, Y는 산소원자, 황원자 또는 NR11(여기서 R11은 수소원자, 알킬, 아릴, 아르알킬 또는 사이클로알킬을 나타냄)을 나타내고, A 고리는 바람직하게는 C1-C4알킬, C1-C4알콕시, 브롬, 염소, 페닐, 사이클로헥실, C1-C4알킬술포닐, 술파모일 또는 C1-C4알콕시카보닐로 이루어진 군으로부터 선택된 1 내지 2개의 치환체로 치환될 수 있다.
알킬(R5, R6, R7, R10, R11, 및 R1과 R8에 따른 5 또는 6-원 고리에 대한 이온을 발생하지 않는 치환체로서)은 바람직하게는 C1-C6알킬을 나타낸다.
알케닐(R5,R6,R7,R10)는 바람직하게는 C1-C7알케닐을, 특히 알릴을 나타낸다.
아릴(R5,R6,R7,R11, 및 R1과 R8에 따른 5 또는 6-원 고리에 대한 이온을 발생하지 않는 치환체로서)은 바람직하게는 페닐을 나타낸다.
사이클로알킬(R5, R6, R7, R10, R11, 및 R1과 R8에 따른 5 또는 6-원 고리에 대한 이온을 발생하지 않는 치환체로서)은 바람직하게는 C3-C7사이클로알킬, 특히 바람직하게는 사이클로헥실을 나타낸다.
아르알킬(R5, R6, R7, R10, R11, 및 5 또는 6-원 고리에 대한 이온을 발생하지 않는 치환체로서)은 바람직하게는 벤질 및 페네틸을 나타낸다.
아실(R1및 R8)은 바람직하게는 (C1-C6알킬)카보닐, 벤조일, C1-C6알킬술포닐 및 페닐술포닐을 나타낸다.
R1과 R8에 따른 5 또는 6-원 고리에 대한 이온을 발생하지 않는 치환체로서 할로겐은 바람직하게는 염소, 브롬, 플루오르를 나타낸다.
R1과 R8에 따른 5 또는 6-원 고리에 대한 이온을 발생하지 않는 치환체로서 알콕시는 바람직하게는 C1-C6알콕시를 나타낸다.
치환된 알킬(R5, R6, R7, R10, R11, R4)는 예를 들어 염소 및 브롬같은 할로겐, 히드록시, 시아노, 트리플루오로메틸, C1-C6알콕시, C1-C6알킬술포닐, 페닐술포닐에 의해 치환될 수 있는 알킬을 나타내거나, 카바모일, C1-C6알킬 및 페닐에 의해 모노 또는 디치환된 술파모일, C1-C6알킬 및 페닐에 의해 모노 또는 디치환된 술파모일, C1-C6페닐에 의해 모노 또는 디치환된 아미노를 나타낸다.
치환된 아릴(R5, R6, R7, R10, R11, R4), 치환된 사이클로알킬(R2및 R9) 및 치환된 아르알킬(R2및 R9)은 아릴, 사이클로알킬 또는 아르알킬을 나타내는데, 이들은 상기 언급한 알킬에 대한 치환체를 제외하고 C1-C6알킬에 의해 더 치환될 수 있다.
바람직한 발광 염료는 다음 화학식의 염료들이다.
[화학식 4]
[화학식 5]
식 중;
R'2는 C1-C4의 디알킬아미노, 특히 디메틸아미노 및 디에틸아미노를 나타내고;
R'3는 수소원자, 또는 CN을 나타내고;
Y'는 산소원자, NR'5(여기서 R'5는 C1-C4알킬, 특히 메틸, 또는 페닐임) 또는 황을 나타내고;
A'링은 C1-C4의 알킬, 특히 메틸, C1-C4의 알콕시, 특히 메톡시, 할로겐, 특히 염소, 알킬술포닐 특히 메틸술포닐, 및 술파모일에 의해 치환될 수 있다.
염료의 예는
이다.
본 발명에 따르면 전하 전달 화합물은 어떤 방식으로든 홀 및(또는) 전자를 전달할 수 있는 화합물이면 모두 선택된다. 이러한 화합물은 또한 방출 층의 성분, 즉 예를 들어 일반적으로 형광 염료 또는 페닐아민 유도체 또는 3급 아민같은 발광 물질인 화합물을 포함하는 것이 명백하다.
전하(홀 및(또는) 전자)를 전달하는 유기 화합물이 다수 문헌에 기술되어 있다. 예를 들어 고진공 하에서 증착된 저분자량 물질의 사용이 지배적이다. 이러한 화합물은 대부분 3급 아릴 아민 또는 옥사디아졸 기를 함유하는 화합물이다. 이러한 부류의 물질의 종류와 용도에 대한 철저한 조사가 유럽 특허 공개 제387,715호, 그리고 미국 특허 제4,539,507호, 동 제4,720,432호 및 4,769,292에 공표되어 있다. 이론상으로, 전자사진으로부터 광전도체로 알려진 모든 물질이 사용될 수 있다. 유럽특허 공개 제532,798호에는 홀 도체 및 전자 도체에 대한 상세한 설명을 하고 있다. 폴리티오펜 또는 유럽 특허 공개 제532,798호에 설명된 폴리티오펜을 함유한 혼합물이 전하 전달 물질로 바람직하다.
전자발광 층을 형성하기 위해서는, 발광 염료를 가용성 투명 결합제 내에 분산시킨다.
가용성 투명 중합체가 바람직하게는 불활성 결합제, 예를 들어 폴리카보네이트, SAN과 같은 폴리스티렌 및 폴리스티렌 공중합체, 폴리술폰류, 예를 들어 폴리아크릴레이트, 폴리비닐카바졸, 폴리비닐피롤리돈, 비닐 아세테이트 및 비닐 알코올 중합체 및 공중합체 같은 비닐기를 포함한 단량체를 기재로 한 중합체, 폴리올레핀류, 페녹시 수지류 등이 있다. 이들 불활성 결합제는 전자 및(또는) 홀 전도 물질에 대한 결합제로서 생각될 수 있다. 유럽 특허 공개 제532,798호에는 적합한 중합성 결합제에 대하여 알기쉽게 설명하고 있다.
형광 염료 및 불활성 결합제로 제조한 배합물은 특히 필름을 형성한다는 사실과 캐스팅, 나이프 코팅 또는 스핀 코팅에 의해서 적합한 지지체 위에 전도성 필름으로 배치될 수 있다는 사실에 의해 구별된다.
전자발광 장치를 제조하기 위해서, 1종 이상의 형광 염료와 1종 이상의 투명 결합제의 적당한 배합물은 적합한 용매 및 공지 방법-캐스팅, 나이프 코팅, 스핀 코팅-을 사용하여 투명 전극 위에 도포된 적합한 용액 안에서 제조된다.
다른 물질, 공기의 작용을 측정하는 안정제, 열적 산화, 오존 및 UV 조사, 홀-전도성 화합물 및(또는) 전자전도성 화합물이 층의 제조 전에 이 용액에 첨가될 수 있다.
그러나 다성분 혼합물과는 대조적으로, 분리층 안에 홀 전도성 물질 및 전자전도성 물질을 임의적으로, 또한 부가적으로 배열하는 것이 또한 가능하다. 이 경우, 중합성 결합제 안에 분산되어 있는 중합성 화합물, 올리고머 또는 단량체를 포함할 수 있는 홀전도성 물질이 캐스팅 또는 증착법에 의해서 투명 전극 위에 배치된다. 다음 단계에서 이 층은 형광 염료와 결합제의 배합물로 상부 코팅된다. 전자-전도성층도 발광층 위에 유사하게 배치될 수 있다. 이를 위해, 결합제 안에 분산되어 있는 중합체, 올리고머 또는 단량체를 포함할 수 있는 전자 전도체를 적합한 용매 안에 용해시켜 발광 층 위에 캐스팅 또는 증착시킨다.
또한 홀전도체 및 배합물 안의 형광 염료 및 분리층으로서 전자전도체를 배치하는 것이 바람직하다. 홀 전도체의 분리층을 또한 먼저 배치하고, 형광 염료 및 전자전도체 배합물로 코팅할 수 있다.
중합성 결합제를 포함한 배합물 내 형광 염료의 농도는 2 내지 85중량%, 바람직하게는 5 내지 75중량%, 특히 바람직하게는 10 내지 70중량% 범위에서 변할 수 있다.
중합성 결합제 내의 저분자량 홀전도체의 함량은 2 내지 85중량%, 바람직하게는 5 내지 75중량%, 특히 바람직하게는 10 내지 70중량% 범위에서 변할 수 있다. 필름 형성 홀 전도체는 또한 순수 형태(100%)로 배치될 수 있다.
중합성 결합제 내의 저분자량 전자전도체의 함량은 2 내지 85중량%, 바람직하게는 5 내지 75중량%, 특히 바람직하게는 10 내지 70중량% 범위에서 변할 수 있다. 필름 형성 홀전도체는 또한 순수 형태(100%)로 배치될 수 있다.
사용되는 투명 지지체의 예로는 유리 또는 플라스틱 물질, 예를 들어 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리술폰 또는 폴리이미드의 필름이 있다.
다음은 적합한 전극 물질의 예이다:
a) 금속 산화물, 예를 들어 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(NESA) 등,
b) 반투명 금속 필름, 예를 들어 Au, Pt, Ag, Cu 등,
c) 폴리아닐린, 폴리티오펜 등의 전도성 중합체 필름.
금속 산화물 및 반투명 금속 필름 전극은 증착법, 스퍼터링법, 백금도금법 등의 기술에 의해 박층으로 배치시킨다.
일반적으로 전극중 하나는 스펙트럼의 가시영역에서 투명하다.
투명 전극의 두께는 50Å 내지 약 수 μm인데, 바람직하게는 100Å 내지 5,000Å이다.
전기발광 물질은 투명 전극 또는 임의로 존재하는 전하 전달 층에 박막으로 직접 배치된다. 필름의 두께는 30Å 내지 10μm인데, 바람직하게는 50Å 내지 1μm이다.
EL 층 및 임의로 배치되는 전자-전도층이 건조되면 카운터 전극을 제공한다. 카운터 전극은 투명할 수 있는 전도성 물질로 구성된다.
본 발명에 따르는 장치는 두 개의 전기선(예를 들어 금속선)에 의해 두 개의 전극 모두와 연결된다.
100볼트 이하의 DC 전압이 가해질때, 장치는 400 내지 700nm 파장의 빛을 방출한다. 장치는 400 내지 700nm의 범위 내에서 발광한다.
본 발명에 따른 배합계는 높은 양자 수율 및 전자 방출을 위한 낮은 활성화 전압을 특징으로 한다. 또한 배합계는 여러 색의 전기 방출을 생성하는 데에 사용할 수 있다.
발명에 따른 배합계는 조명용 디스플레이용 및 정보 표시용으로 사용될 수 있다.
하기의 염료 Fb 1, Fb 2 및 Fb 3가 전기발광 장치를 제조하는데 사용된다.
중합성 LED(전자방출 다이오드)의 박층 시스템(1 또는 2층 시스템)을 위한 지지체로서 발저스(Balzer)의 발카트론(Balcatron) Z 20 유리 기판을 사용한다. 그 지지체는 스퍼터링된 투명하고 전도성의 인듐 주석 산화물(ITO)로 미리 코팅되어 제공된다. ITO 표면을 아세톤, 메탄올로 세척시킨 후 중합성 물질 용액을 모델 HS 485 하마테크(Hamatech) 스핀 코터를 사용하여 정해진 회전 속도에서 스핀 코팅시켰다.
[실시예 1 내지 3]
배합물의 조성 및 발광 층의 생성
[실시예 1]
저분자량 형광 염료 Fb 1(30중량%)을 중합성 결합제 폴리비닐카바졸(PVK)(70중량%)와 배합하였다. 두 물지리 모두 디클로로에탄에 용해시켜서 0.5% 용액을 만들고 0.45μm 필터로 여과하였다. 용액을 ITO 음극상에 피펫한 후 기판을 스핀 코터 위에서 30초 동안 스핀 코팅시켰다. 500rpm에서는 110nm 두께 및 1000rpm에서는 35nm 두께의 적색 배합 필름층이 생성되었다.
[실시예 2]
쿠마린 염료 Fb 2(30중량%)을 중합성 결합제 폴리비닐카바졸(PVK)(70중량%)와 혼합하였다. 두 물질 모두 디클로로에탄에 용해시켜서 0.5% 용액을 만들고 0.45μm 필터로 여과하였다. 이 경우, 스핀 코터 위에서, 500rpm에서는 150nm 두께 및 1000rpm에서는 80nm 두께의 녹색 배합 필름층이 생성되었다.
[실시예 3]
저분자량 염료 Fb 3(30중량%)을 중합성 결합제 폴리비닐카바졸(PVK)(70중량%)와 배합하였다. 두 물질 모두 디클로로에탄에 용해시켜서 0.5% 용액을 만들고 0.45μm 필터로 여과하였다. 스핀 코터 위에서, 500rpm에서는 150nm 두께 및 1000rpm에서는 80nm 두께의 청색 배합 필름층이 생성되었다.
방출층을 스핀 코팅한 후 용매를 완전히 증발시키기 위해서 코팅된 기판을 온도 50℃, 10-3mbar의 압력의 진공 오븐 내에서 최소한 2시간 동안 방치하였다.
전자전도체로서 중합성 결합제 내에 옥시디아졸 PBD을 지닌 2층 장치의 제조
2층 구조 내에서 중합성 전자 전달 층으로서 2-(4-비페닐)-5-(4t-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸)(PBD)를 폴리스티렌(PS)과 PBD 2부:PS 1부의 비율로 배합하여 사용하였다. 스핀 코팅에 사용되는 이 용액은 에틸 아세테이트 또는 테트라히드로푸란(THF) 내에서 0.5%로 제조되고 0.45μm 필터로 여과하였다. 다층 구조 안의 두 번째 층을 1500rpm에서 스핀 코팅하여 약 400nm의 두께를 부가적으로 생성하였다.
레이볼드 유니벡스(Leybold Univex) 450 증착 장치로 약 10-7mbar 압력에서, 양극을 상부 전극으로 사용되고 있는 알루미늄(Al)으로 피복시켰다.
1층 또는 2층의 PLED는 다이오드 특성 곡선 및 발광 및 전기발광 스펙트럼이 측정되는 시험 장치를 조절하는 컴퓨터 상에서 테스트하였다.
[표 1]
표 1에서는 본 발명에 따른 배합물을 사용하여 여러 색의 전기 발광을 얻을 수 있음을 나타내었다.
본 발명에 따른 배합계는 높은 양자 수율 및 전자 방출을 위한 낮은 활성화 전압으로 기존의 기술보다 우수하며, 여러 색의 전기 발광을 생성하는 데에 사용할 수 있다. 따라서 본 발명에 따른 배합계는 조명용 디스플레이 및 정보 표시용으로 사용될 수 있다.

Claims (10)

  1. 2개 이상의 전극, 화학식 1 및(또는) 화학식 2의 염료를 포함하는 하나의 발광 층을 포함하는 전기발광 장치.
    [화학식 1]
    [화학식 2]
    식 중, T는 산소원자 또는 NR4(여기서 R4는 수소원자, 임의로 치환된 알킬 또는 임의로 치환된 아릴을 나타냄)를 나타내고,
    R1과 R8은 탄소 원자로 결합된 5 또는 6-원의 카르보 또는 헤테로사이클 고리 또는 질소 원자로 결합된 5 또는 6-원의 헤테로사이클 고리를 의미하는데, 이들 고리는 쿠마린 N-헤테로사이클을 통과하는 축에 대해 회전시 비대칭적 관계에 있고, 상기 5 또는 6-원 고리는 이온을 발생하지 않는 치환체를 가질 수 있으며, 임의로 치환된 벤젠 고리 또는 임의로 치환된 나프탈렌 고리가 그에 융합될 수 있고,
    R2및 R9는 임의로 치환된 알킬, 알케닐, 임의로 치환된 사이클로알킬, 임의로 치환된 아릴, 임의로 치환된 아르알킬을 의미하거나,
    (여기서 R5, R6, R7또는 R10은 동일하거나 다를 수 있으며 수소원자, 임의로 치환된 알킬 또는 임의로 치환된 아릴을 나타냄)를 나타내고,
    R3은 수소원자 또는 CN을 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서, R1및 R8이 바람직하게는 N, O, S로부터의 1, 2 또는 3개의 헤테로 원자를 포함하고 벤젠 고리에 융합될 수 있는 5 또는 6-원 헤테로사이클 고리를 나타내는데, 여기서 헤테로사이클 고리 및 융합된 벤젠 고리 모두는 예를 들어, 알킬, 아릴, 아르알킬, 사이클로알킬, 할로겐, 알콕시, 시아노 및 아실에 의해 치환될 수 있는 전기발광 장치.
  3. 제1항에 있어서, R1및 R8이 벤젠 고리가 용합될 수 있는 5 또는 6-원 헤테로사이클 고리로서, 피라졸, 이미다졸, 티아졸, 옥사졸, 1,2,4-트리아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 벤즈이미다졸, 벤조티아졸, 벤조옥사졸 또는 피리딘을 나타내는 전기발광 장치.
  4. 제1항에 있어서, R1및 R8이 화학식 3의 헤테로사이클 잔기를 나타내는 전기발광 장치.
    [화학식 3]
    식 중, Y는 산소원자, 황원자 또는 NR11(여기서 R11은 수소원자, 알킬, 아릴, 아르알킬 또는 사이클로알킬을 나타냄)을 나타내고, A 고리는 바람직하게는 C1-C4알킬, C1-C4알콕시, 브롬, 염소, 페닐, 사이클로헥실, C1-C4알킬술포닐, 술파모일 또는 C1-C4알콕시카보닐로 이루어진 군으로부터 선택된 1 내지 2개의 치환체로 치환될 수 있다.
  5. 의 염료가 사용되는 전기발광 장치.
  6. 제1항에 있어서, 하나 이상의 전하 주입 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기발광 장치.
  7. 제1항에 있어서, 하나 이상의 전하 전달 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기발광 장치.
  8. 제1항에 있어서, 전하 주입 물질이 분리층 안에 배치되는 것을 특징으로 하는 전기발광 장치.
  9. 제1항에 있어서, 전하 전달 물질이 분리층 안에 배치되는 것을 특징으로 하는 전기발광 장치.
  10. 조명용 디스플레이 및 정보 표시용 전기발광 장치에 있어서 제5항의 염료의 용도.
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