KR19980082806A - Thermoelectric cold element using metal substrate and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 금속기판을 이용한 열전냉온소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 열전냉온소자(Thermoelectric cooler/heater modules)의 모듈을 구성하는 냉각 칩(Chip)인 N-칩과 P-칩들의 조직 배치를 위한 기판이 되는 두 장의 평판을 세라믹(Ceramic)판 대신 열전도율이 높는 금속판을 사용하므로써 전력손실에 의해 발생하는 주울(Joule)열을 빨리 방출시킬 수 있어 소자의 동작특성을 향상시킬 수 있으며, 기판의 파쇄강도가 뛰어나 기계적 충격에 의한 파괴확률이 낮아 대량생산에도 적합한 등의 유용한 효과를 가지는 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermoelectric cold / heating device using a metal substrate and a method for manufacturing the same. The present invention relates to an arrangement of N-chips and P-chips, which are cooling chips constituting a module of thermoelectric cooler / heater modules. By using the metal plate with high thermal conductivity instead of the ceramic plate, the two plates serving as substrates can quickly release Joule heat caused by power loss, thereby improving the operation characteristics of the device. Excellent breaking strength, low probability of failure due to mechanical impact, and has a useful effect such as suitable for mass production.

Description

금속기판을 이용한 열전냉온소자 및 그 제조방법Thermoelectric cold element using metal substrate and manufacturing method thereof

본 발명은 금속원판을 이용한 열전냉온소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 열전냉온소자(Thermoelectric cooler/heater modules)의 모듈을 구성하는 냉각 칩(Chip)인 N-칩과 P-칩들의 조직 배치를 위한 기판이 되는 두 장의 평판을 세라믹(Ceramic)판 대신 열전도율이 높는 금속판을 사용하여 전자식 냉각소자의 동작효율을 높일 수 있게 한 금속기판을 이용한 열전냉온소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thermoelectric cold / heating device using a metal disc, and a method for manufacturing the same. The arrangement of N-chips and P-chips, which are cooling chips constituting a module of thermoelectric cooler / heater modules, is described. The present invention relates to a thermoelectric cold / heating device using a metal substrate and a method of manufacturing the same, which use a metal plate having a high thermal conductivity instead of a ceramic plate to increase the operating efficiency of the electronic cooling device.

열전냉온소자(Thermoelectric cooler/heater modules)는 세라믹판(Ceramic Plate) 사이에 일정한 형태의 열전도 물질을 일정한 형태로 배열하여 고정한 것으로, 열전도 물질은 P-형과, N-형의 반도체 재료로 구성되어 있으며, 이 반도체 재료를 수십 또는 수백개씩 나열하여 이루어지는 것이다.Thermoelectric cooler / heater modules are fixed by arranging a certain type of thermally conductive material between ceramic plates in a certain shape.Thermal conductive material is composed of P-type and N-type semiconductor materials. The semiconductor materials are arranged by tens or hundreds.

상기한 바와 같은 열전냉온소자는 온도제어기에서 피드백신호를 사용하여 전류를 통하면 냉각되고 열을 가하면 전기가 발생하는 에너지 직접변환기능을 가지며 진동이 없고, 잡음이 없으며, 적용온도범위가 광범위하여 적은 소비전력으로도 사용할 수 있을 뿐만 아니라 크기가 소형인 등의 장점이 있다.The thermoelectric cold and hot element as described above has a direct energy conversion function that generates electricity when a current is cooled by applying a feedback signal from a temperature controller and generates electricity. There is no vibration, there is no noise, and the application temperature range is wide. Not only can it be used as a power consumption, but also has the advantages of small size.

종래의 세라믹기판을 이용한 열전냉온소자의 제조공정은 기판이 될 세라믹판상에 필요한 형태의 패턴을 전도성재료로 프린트한 후 소성로내에서 소성 및 숙성하는 공정과, 상기 공정에 의해 프린트된 패턴면에 납을 이용해 골고루 일정하게 납땜하는 공정과, 전류의 통로가 될 동으로 된 전도편을 패턴형태로 전달하여 프린트된 패턴면에 납땜하여 고착하므로써 기판을 완정하는 공정과, 상기 공정에 의해 완성된 두 기판 사이에 반도체칩을 샌드위치형으로 접합하여 열전냉온소자를 완성하는 공정으로 이루어진다.The manufacturing process of the thermoelectric cold / heat element using the conventional ceramic substrate is a process of printing the pattern of the shape required on the ceramic plate to be a substrate with a conductive material and then firing and maturing in the kiln, and lead on the pattern surface printed by the above process Uniformly and uniformly soldering process, transfer the conductive piece that will be the passage of current in the form of pattern, soldering and fixing to the printed pattern surface, and completing the substrate, and the two substrates completed by the above process The semiconductor chip is sandwiched between sandwiches to form a thermoelectric element.

그러나, 상기의 제조방법에 따른 문제점은 노동집약적인 수작업에 의하므로 품질면에서 균등하지 못한 문제점이 있고, 대량생산에도 취약하며, 그에 따른 금전적 손실도 매우 큰 등의 단점이 있다.However, the problem with the manufacturing method is a labor-intensive manual work, there is a problem that is not even in terms of quality, it is also vulnerable to mass production, resulting in a very large financial loss.

아울러, 상기한 세라믹기판을 사용한 열전냉온소자에 있어서의 가장 큰 문제점은 전기손실로 발생하는 손실열의 처리문제이다. 기판의 재료가 되는 세라믹은 열전도율이 1.5㎉/mh℃ 정도이므로 열전냉온소자의 효율적 동작의 기본요건인 손실열의 빠른 방출이 이루어지지 않으며 또한, 세라믹의 기계적인 강도 즉, 깨짐현상 때문에 절단가공에 의한 대량생산시에도 많은 제약이 있는 등의 문제점이 있어 왔다.In addition, the biggest problem in the thermoelectric cold and hot element using the ceramic substrate is the problem of processing the heat loss caused by electrical losses. Since the ceramic material used as the substrate material has a thermal conductivity of about 1.5 mA / mh ° C., the loss of heat, which is a basic requirement for the efficient operation of thermoelectric elements, is not rapidly released. Also, due to the mechanical strength of the ceramic, that is, the cracking phenomenon, There have been problems such as many restrictions in mass production.

본 발명은 상기와 같은 제반 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로, 열전도율이 세라믹의 100배 정도되는 알루미늄(Aluminum)판이나 듀랄루민(Duralumin)판에 높은 펄스전압에도 견딜 수 있는 두께 100㎛ 이하의 비교적 열의 양도체(良導體)인 물질을 코팅한 후 소성로(燒成爐)에서 열처리하여 이를 기판으로 사용하므로써 반도체칩과의 접착력이 우수하고, 전기적인 절연성도 우수하여 손실열의 효율적 방산(放散)이 가능한 금속기판을 이용한 열전냉온소자 및 그 제조방법을 제공함을 그 목적으로 한다.The present invention was created in order to solve the above problems, relatively heat of less than 100㎛ thickness of 100mm or less that can withstand high pulse voltage on aluminum plate or duralumin plate with thermal conductivity about 100 times that of ceramic. Metal coated with a good conductor and then heat treated in a kiln to be used as a substrate to provide excellent adhesion to semiconductor chips and excellent electrical insulation, enabling efficient heat dissipation of lost heat. It is an object of the present invention to provide a thermoelectric cold element using a substrate and a method of manufacturing the same.

도 1은 열전냉온소자의 사시도.1 is a perspective view of a thermoelectric cold element.

도 2는 도 1의 A-A선 단면도.2 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Explanation of symbols for main parts of drawings *

1 : 열전냉온소자2 : 금속원판1: thermoelectric cold and hot element 2: metal disc

3 : 반도체칩4 : 코팅부3: semiconductor chip 4: coating part

5 : 동(銅) 호일5: copper foil

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 방법적 구성 및 그 실시에를 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in more detail the method configuration and embodiment of the present invention.

본 발명의 제조공정은 기판이 될 롤(Roll) 상태의 알루미늄 또는 듀랄루민 등의 금속원판을 소정의 치수로 절단한 후, 이 절단한 판 사이에 스페이서(Spacer)를 놓고 고르게 쌓아올린 다음, 이 쌓아올린 층을 가압한 후 열로 소성처리하는 제 1 공정과; 상기 공정에 의해 열처리 한 금속판에 사용한 금속의 열팽창에 대응할 수 있는 유연성과 높은 절연성 및 열전도율이 높은 수지의 공중합체를 이용한 절연물질로 전기적인 절연막을 1차 코팅하는 제 2 공정과; 상기의 공정에 의해 1차 코팅된 금속판을 소성로에서 열처리한 후, 페이스트(Paste)상의 절연막을 2차 코팅하는 제 3 공정과; 절연막의 접착력을 이용하여 동(銅) 호일(Foil)을 라미네이트(Laminate)하여 가압용 평판으로 압착한 후 열처리하는 제 4 공정과; 상기 제 4 공정에 의해 라미네이트 된 동(銅) 호일(Foil)면에 필요한 패턴을 에칭(Etching)하여 금속기판을 완성하는 제 5 공정과; 상기한 공정에 의해 완성된 두 금속기판 사이에 N-형 반도체칩과 P-형 반도체칩을 샌드위치형으로 배열한 후 리드(Lead)선을 인출하여 접합하므로써 금속기판을 이용한 열전냉온소자를 완성하는 제 6 공정으로 이루어진다.According to the manufacturing process of the present invention, a metal disc such as aluminum or duralumin, which is to be a substrate, is cut to a predetermined dimension, and then a spacer is placed between the cut plates and evenly stacked, and then stacked. A first step of calcining with heat after pressurizing the raised layer; A second step of primary coating an electrical insulating film with an insulating material using a copolymer of a resin having flexibility, high insulation, and high thermal conductivity to cope with thermal expansion of a metal used in the metal plate heat-treated by the above steps; A third step of subjecting the first coated metal plate by the above process to a firing furnace and then secondarily coating an insulating film on a paste; A fourth step of laminating a copper foil by using an adhesive force of the insulating film, compressing the foil with a pressing plate, and then heat-treating it; A fifth step of etching the required pattern on the surface of the copper foil laminated by the fourth step to complete the metal substrate; The N-type semiconductor chip and the P-type semiconductor chip are sandwiched between the two metal substrates completed by the above process, and the lead wires are drawn and bonded to complete the thermoelectric cold / heat element using the metal substrate. 6th process.

상기의 제 2 공정 및 제 3 공정에서의 코팅방법은 금속판위에 수지의 용액을 점액한 후, 금속판을 회전시키므로써 원심확산되도록 한다.The coating method in the second and third processes described above allows the solution of the resin to be slime on the metal plate, followed by centrifugal diffusion by rotating the metal plate.

상기와 같은 제조방법을 갖는 본 발명을 실시에를 통해 더욱 상세히 설명한다.The present invention having the above-described manufacturing method will be described in more detail with reference to Examples.

[실시예]EXAMPLE

기판이 될 롤(Roll) 상태의 열전도율이 175㎉/㎡h℃인 알루미늄 금속원판을 40×40㎜의 치수로 절단한 후, 이 절단한 판 사이에 스페이서(Spacer)를 놓고 고르게 쌓아올린 다음, 이 쌓아올린 층을 30㎏/㎠ 이상으로 가압한 후 300~400℃의 열로 소성처리하여 적층된 듀랄루민 금속원판을 얻었다.After cutting the aluminum metal plate with a thermal conductivity of 175㎉ / m²h ° C to 40 × 40mm in a roll state to be a substrate, a spacer is placed between the cut plates and evenly stacked. The stacked layer was pressed at 30 kg / cm 2 or more, and then calcined with heat of 300 to 400 ° C. to obtain a laminated duralumin metal disc.

이후, 이 적층된 듀랄루민 금속원판에 에폭시(Epoxy)계의 레진(Resin) 수지에 열의 양도성을 지닌 Ca(열전도율 91㎉/㎡h℃), Na(열전도율 115㎉/㎡h℃), Mg(열전도율 137㎉/㎡h℃)를 혼합한 수지를 이용 1500~2000RPM의 속도로 원심확산시켜 100㎛ 정도의 전기적인 절연막을 1차 코팅하였다.Subsequently, Ca (heat conductivity of 91 kW / m 2 h ° C.), Na (thermal conductivity of 115 kW / m 2 h ° C.), Mg (thermal conductivity) having heat transferability to epoxy resin resin was laminated on the laminated duralumin metal disc. 137 Pa / m 2 h ℃) by centrifugal diffusion at a speed of 1500 ~ 2000RPM using a resin mixed with 100㎛ the first electrical insulating film was coated.

상기 1차 코팅한 금속판을 소성로에서 180~250℃ 정도로 열처리한 후, 페이스트(Paste) 상의 레진수지를 절연막을 2차 코팅하였다.After heat-treating the first coated metal plate at about 180 to 250 ° C. in a calcination furnace, a resin film on a paste was secondarily coated with an insulating film.

상기 2차 코팅된 금속판에 절연막의 접착력을 이용하여 100~300㎛ 정도의 두께를 가진 동(銅) 호일(Foil)을 라미네이트(Laminate)하여 가압용 평판을 이용하여 30㎏/㎠ 이상으로 압착한 후 180~250℃ 정도의 온도로 열처리하였다.Laminated a copper foil having a thickness of about 100 ~ 300㎛ by using the adhesive strength of the insulating film on the secondary coated metal plate (Laminate) and crimped to 30kg / ㎠ or more using a pressure plate After the heat treatment at a temperature of about 180 ~ 250 ℃.

이후, 라미네이트 된 동(銅) 호일(Foil)면을 에칭(Etching)하여 패턴한 금속기판을 완성하였다.Subsequently, the patterned metal substrate was completed by etching the laminated copper foil surface.

상기한 방법에 의해 완성된 두 금속기판 사이에 N-형 반도체와 P-형 반도체칩을 샌드위치형으로 배열한 후 리드(Lead)선을 인출하여 접합하므로써 금속기판을 이용한 열전냉온소자를 완성하였다.An N-type semiconductor and a P-type semiconductor chip were sandwiched between two metal substrates completed by the above-described method, and then lead wires were drawn and bonded to form a thermoelectric cold / heat element using the metal substrate.

도 1 및 도 2는 상기와 같은 방법으로 제조한 열전냉온소자(1)를 도시한 것으로, 금속원판(2)의 일면을 코팅한 코팅부(4)와 코팅부에 라미네이트 접착한 동(銅) 호일(5)로 이루어진 두 금속기판 사이에 반도체칩(3)을 접착하여 구성한 것이다.1 and 2 show a thermoelectric cold element 1 manufactured by the method as described above, wherein the coating part 4 coated on one surface of the metal disc 2 and the copper laminated with the coating part. The semiconductor chip 3 is bonded between two metal substrates made of the foil 5.

상기와 같이 하여 제조한 본 발명 금속기판을 이용한 열전냉온소자와 종래의 세라믹을 이용한 열전냉온소자를 비교해 보면, 본 발명에서는 열전도율이 175㎉/㎡h℃ 정도인 알루미늄 또는 듀랄루민을 기판재로 사용하므로써 열전도율이 10㎉/㎡h℃ 정도인 세라믹 기판을 사용한 경우와는 전력손실로 발생하는 주울(Joule)열의 빠른 방출면에서 비교가 되지 않으며, 전류통로로 전도재인 열전도율 35㎉/㎡h℃ 정도인 납을 사용하여 납땜 접합한 종래기술에 비해 본 발명은 전류통로로 평균 열전도율이 100㎉/㎡h℃ 이상인 라미네이트된 동(銅) 호일(Foil)을 사용하므로써 소자의 동작 특성면에서도 비교가 되지 않는다.Comparing the thermoelectric cold / heat device using the metal substrate of the present invention manufactured as described above and the thermoelectric cold / heat device using a conventional ceramic, in the present invention, by using aluminum or duralumin having a thermal conductivity of about 175 kW / m 2 h ° C. as a substrate material Compared to the case of using a ceramic substrate with a thermal conductivity of 10㎉ / ㎡h ℃, it is not comparable in terms of rapid discharge of Joule heat generated by power loss, and the thermal conductivity as a conductive material is 35㎉ / ㎡h ℃. Compared to the prior art soldered by soldering, the present invention is not compared in terms of operating characteristics of the device by using laminated copper foil having an average thermal conductivity of 100 kW / m 2 h or more as a current path. .

또한, 본 발명은 금속의 열팽창에 대응할 수 있는 유연성과 높은 절연성 및 열전도율이 높은 수지의 공중합체를 이용한 절연물질로 코팅함에 의해 큰 충격에도 파괴될 확률이 종래의 기술에 비해 매우 적은 등의 장점이 있다.In addition, the present invention has the advantage that the likelihood of breaking even in a large impact by coating with an insulating material using a copolymer of a resin of flexibility and high insulation and high thermal conductivity to cope with thermal expansion of the metal is very small compared to the prior art have.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명은 전력손실에 의해 발생하는 주울(Joule)열을 빨리 방출시킬 수 있어 소자의 동작특성을 향상시킬 수 있으며, 기판의 유연성이 뛰어나 기계적 충격에 의하 파괴확률이 낮아 대량생산에도 적합한 등의 유용한 효과가 있다.As described above, the present invention can quickly release Joule heat generated by power loss, thereby improving the operation characteristics of the device, and having excellent flexibility of the substrate, and low probability of breakage due to mechanical impact. There is also a useful effect such as suitable.

Claims (5)

기판이 될 롤(Roll) 상태의 알루미늄 또는 듀랄루민 등의 금속원판을 소정의 치수로 절단한 후, 이 절단한 판 사이에 스페이서(Spacer)를 놓고 고르게 쌓아올린 다음, 이 쌓아올린 층을 가압한 후 열로 소성처리하는 제 1 공정과;After cutting a metal disc such as rolled aluminum or duralumin to a predetermined dimension, a spacer is placed evenly between the cut plates, and the stacked layer is pressed. A first step of calcining with heat; 상기 공정에 의해 열처리 한 금속판에 사용한 금속의 열팽창에 대응할 수 있는 유연성과 높은 절연성 및 열전도율이 높은 수지의 공중합체를 이용한 절연물질로 전기적인 절연막을 1차 코팅하는 제 2 공정과;A second step of primary coating an electrical insulating film with an insulating material using a copolymer of a resin having flexibility, high insulation, and high thermal conductivity to cope with thermal expansion of a metal used in the metal plate heat-treated by the above steps; 상기의 공정에 의해 1차 코팅된 금속판을 소성로에서 열처리한 후, 페이스트(Paste)상의 절연막을 2차 코팅하는 제 3 공정과;A third step of subjecting the first coated metal plate by the above process to a firing furnace and then secondarily coating an insulating film on a paste; 절연막의 접착력을 이용하여 동(銅) 호일(Foil)을 라미네이트(Laminate)하여 가압용 평판으로 압착한 후 열처리하는 제 4 공정과;A fourth step of laminating a copper foil by using an adhesive force of the insulating film, compressing the foil with a pressing plate, and then heat-treating it; 상기 제 4 공정에 의해 라미네이트된 동(銅) 호일(Foil)면에 필요한 패턴을 에칭(Etching)하여 금속기판을 완성하는 제 5 공정과;A fifth step of etching the required pattern on the copper foil surface laminated by the fourth step to complete the metal substrate; 상기한 공정에 의해 완성된 두 금속기판 사이에 N-형 반도체칩과 P-형 반도체칩을 샌드위치형으로 배열한 후 리드(Lead)선을 인출하여 접합하므로써 금속기판을 이용한 열전냉온소자를 완성하는 제 6 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속기판을 이용한 열전냉온소자의 제조방법.The N-type semiconductor chip and the P-type semiconductor chip are sandwiched between the two metal substrates completed by the above process, and the lead wires are drawn and bonded to complete the thermoelectric cold / heat element using the metal substrate. A method for manufacturing a thermoelectric cold element using a metal substrate, characterized in that it comprises a sixth step. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 제1차 또는 제2차 코팅방법으로 금속판 위에 수지의 용액을 점액한 후, 금속판을 회전시키므로써 원심확산되도록 하는 방법을 적용한 것을 특징으로 하는 금속기판을 이용한 열전냉온소자의 제조방법.A method of manufacturing a thermoelectric cold / hot element using a metal substrate, wherein a method of applying a centrifugal diffusion by rotating a metal plate after slime of a resin on a metal plate by a first or second coating method is applied. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 열처리시의 온도를 180~250℃ 정도로 적용한 것을 특징으로 하는 금속기판을 이용한 열전냉온소자의 제조방법.A method of manufacturing a thermoelectric cold / heat element using a metal substrate, wherein the temperature during heat treatment is applied at about 180 to 250 ° C. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 절연막을 형성하는 수지로 에폭시(Epoxy)계의 레진(Resin) 수지에 열의 양도성을 지닌 Ca(열전도율 91㎉/㎡h℃), Na(열전도율 115㎉/㎡h℃), Mg(열전도율 137㎉/㎡h℃)를 혼합한 수지를 이용함을 특징으로 하는 금속기판을 이용한 열전냉온소자의 제조방법.Resin to form an insulating film, which has heat transferability to epoxy resin resin (Ca (heat conductivity: 91㎉ / ㎡h ℃), Na (heat conductivity: 115㎉ / ㎡h ℃), Mg (thermal conductivity: 137㎉ /)) A method of manufacturing a thermoelectric cold / hot element using a metal substrate, characterized in that a resin mixed with ㎡h ℃) is used. 청구항 1 내지 청구항 3에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 금속기판을 이용한 열전냉온소자.Thermoelectric cold and hot element using a metal substrate, characterized in that prepared by claim 1 to claim 3.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101493121B1 (en) * 2011-02-25 2015-02-13 주식회사 엘지화학 Thermoelectric apparatus having vibration-proof structure

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