KR19980076567A - 웨이퍼 리프트 링 - Google Patents

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KR19980076567A
KR19980076567A KR1019970013322A KR19970013322A KR19980076567A KR 19980076567 A KR19980076567 A KR 19980076567A KR 1019970013322 A KR1019970013322 A KR 1019970013322A KR 19970013322 A KR19970013322 A KR 19970013322A KR 19980076567 A KR19980076567 A KR 19980076567A
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KR
South Korea
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wafer
lift ring
support pin
support
assembled
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KR1019970013322A
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Inventor
김정주
Original Assignee
윤종용
삼성전자 주식회사
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

플라즈마 공정챔버 내에 웨이퍼의 밑면을 받쳐 지지하며 웨이퍼를 승· 하강하도록 하는 반도체 웨이퍼 리프트 링에 관한 것이다.
본 발명은 일부가 절개된 고리 형상의 테두리부 상면 소정 위치에 지지핀이 조립되는 홀이 형성되어 있고, 플라즈마 공정을 수행하는 공정챔버 내부에 설치되어 상기 복수개의 지지핀으로 하여금 웨이퍼의 밑면을 받쳐 지지하여 승· 하강시키도록 하는 웨이퍼 리프트 링에 있어서, 상기 리프트 링의 상면에 지지핀이 조립되는 부위에 지지핀의 직경 크기의 자리홈이 형성됨을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면, 리프트 링의 표면에 조립되는 지지핀이 위치되도록 자리홈을 형성함에 따라 지지핀의 초기 설정된 위치에서 이탈되지 않게 됨에 따라 웨이퍼의 승· 하강함에 있어 흔들림을 방지하고 균형을 유지하게 되어 웨이퍼 이탈로 깨짐 현상을 방지하게 되는 효과가 있다.

Description

웨이퍼 리프트 링
본 발명은 웨이퍼 리프트 링에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마 공정챔버 내에 웨이퍼의 밑면을 받쳐 지지하며 웨이퍼를 승· 하강하도록 하는 반도체 웨이퍼 리프트 링에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 공정은 전기적 방전을 통해 기체 내에 화학 반응을 일으켜 웨이퍼 상에 증착물을 형성하거나 제거하도록 하는 기술이다.
플라즈마 공정은 대단히 복잡한 화학공정으로서 방전과정 중에 다양한 화학 물질, 전자이온들이 생성되며 또한 생성되는 막의 표면에 화학적 변화가 일어날 수가 있다.
따라서, 플라즈마 공정을 실시토록 하는 공정챔버 내부에는 웨이퍼 표면에 순수한 물질의 증착이 이루어지도록 반응 에너지인 플라즈마와 생성되는 막의 상호작용에 영향을 주지 않게 하는 기술이 중요시 되어 왔다.
이러한 플라즈마 화학기상증착 공정을 실시하는 공정챔버 내부에는 로봇으로부터 웨이퍼를 인계 받아 소정 위치로 승· 하강시키는 웨이퍼 리프트 링(Wafer Lift Ring)이 설치되어 있다.
이러한 웨이퍼 리프트 링(10)에 대하여 도1을 참조하여 설명하면, 소정 굵기를 가지고 웨이퍼의 직경 크기로 원 형상의 테두리부(12)가 형성되어 있고, 이 테두리부(12)의 소정 부위는 단절된 형상의 개구간을 이루고 있으며, 또 테두리부(12)의 일측 부위에는 로봇(도시 안됨)과 연결되는 암(14)이 형성되어 있다.
한편, 테두리부(12)의 상면 형상은 밋밋하게 형성되어 있고, 이 상면 소정 위치에는 복수개의 홀(16)이 형성되어 있으며, 이 홀(16)에 웨이퍼의 저면을 받쳐 지지하도록 형성된 복수개의 지지핀(18)이 도2에 도시된 바와 같이 조립되어 있다.
이렇게 고정된 지지핀(18)은 리프트 링(10)의 승· 하강 운동에 의해 웨이퍼의 저면을 받쳐 지지하도록 되어 있다.
그러나, 상술한 바와 같이 지지핀은 밋밋한 형상의 테두리부 상면에 조립됨에 따라 계속적인 공정 수행 중 웨이퍼와의 충격 또는 불순물 등에 의해 마모되거나 파손되어 초기 설정된 위치로부터 이격 위치되거나 들뜸 현상이 발생되고, 이에 따라 웨이퍼의 균형 및 위치가 이격되어 웨이퍼가 리프트 링으로부터 떨어져 깨지는 문제가 있었다.
상기 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 지지핀이 위치되는 테두리부 상면에 고정되는 지지핀이 이격 위치되거나 들뜸 현상을 방지하도록 하여 웨이퍼를 안전하게 받쳐 지지하도록 하는 웨이퍼 리프트 링을 제공함에 있다.
도1은 종래의 웨이퍼 리프트 링을 나타낸 정면도이다.
도2는 도1의 리프트 링에 조립되는 지지핀의 설치 관계를 나타낸 단면도이다.
도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 리프트 링을 나타낸 정면도이다.
도4는 본 발명에 따른 리프트 링에 조립되는 지지핀의 설치 관계를 나타낸 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10, 20: 리프트 링 12, 22: 테두리부
14: 암 16, 26: 홀
18, 28: 지지핀 30: 자리홈
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 일부가 절개된 고리 형상의 테두리부 상면 소정 위치에 지지핀이 조립되는 홀이 형성되어 있고, 플라즈마 공정을 수행하는 공정챔버 내부에 설치되어 상기 복수개의 지지핀으로 하여금 웨이퍼의 밑면을 받쳐 지지하여 승· 하강시키도록 하는 웨이퍼 리프트 링에 있어서, 상기 리프트 링의 상면에 지지핀이 조립되는 부위에 지지핀의 직경 크기의 자리홈이 형성됨을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 따른 웨이퍼 리프트 링에 대하여 도3과 도4를 참조하여 설명하기로 한다.
첨부된 도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 리프트 링을 나타낸 정면도이고, 도4는 리프트 링상에 설치되는 지지핀의 설치 관계를 나타낸 단면도로서, 종래와 동일한 부분에 대하여 상세한 설명은 생략하기로 한다.
먼저, 도3을 참조하여 설명하면, 리프트 링(20)의 테두리부(22) 상면 소정 위치에는 지지핀(28)의 직경 크기로 소정 깊이를 갖는 자리홈(30)이 형성되어 있고, 이 자리홈(30)의 내부에는 지지핀(28)의 하측 단부가 삽입되는 홀(26)이 형성되어 있다.
이러한 구성에 따르면 지지핀(28)은 테두리부(22)에 형성된 자리홈(30)에 끼워 맞춤으로 삽입됨과 동시에 지지핀(28)의 하측 단부가 홀(26)에 삽입되어 고정됨에 따라 지지핀(28) 밑면으로 이물질이 유입되는 것을 방지할 뿐 아니라 정위치로부터 이격되는 것이 방지되어 일정하게 고정된 상태를 유지하게 된다.
따라서, 본 발명에 따르면, 지지핀이 위치되는 테두리부 상면에 자리홈과 홀에 의해 지지핀이 고정됨에 따라 이격 위치되거나 들뜸 현상이 방지되어 웨이퍼의 저면을 안전하게 받쳐 지지하게 되어 지지핀에 의한 웨이퍼의 깨짐 현상을 방지하게 되는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (1)

  1. 일부가 절개된 고리 형상의 테두리부 상면 소정 위치에 지지핀이 조립되는 홀이 형성되어 있고, 플라즈마 공정을 수행하는 공정챔버 내부에 설치되어 상기 복수개의 지지핀으로 하여금 웨이퍼의 밑면을 받쳐 지지하여 승· 하강시키도록 하는 웨이퍼 리프트 링에 있어서,
    상기 리프트 링의 상면에 지지핀이 조립되는 부위에 지지핀의 직경 크기의 자리홈이 형성됨을 특징으로 하는 웨이퍼 리프트 링.
KR1019970013322A 1997-04-10 1997-04-10 웨이퍼 리프트 링 KR19980076567A (ko)

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