KR19980070338A - 평면조명등 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR19980070338A
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이데이노부유키
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Abstract

평면조명등에 있어서, 박형화(薄型化)를 도모하는 동시에, 밝은 조명이 얻어지도록 한다. 제1 기판(22)에 복수의 방전용 전극(23,24)이, 전극간격을 50㎛이하로 하여 형성되고, 제1의 기판(22)에 대향하는 제2의 기판(25)에 형광체층(26)이 형성되고, 제1 및 제2의 기판(22 및 25)에 의해 전극(23,24) 및 형광체층(26)을 내측으로 하는 밀봉용기(28)가 형성되고, 밀봉용기(28)내에 봉입가스압이 0.8∼3.0기압으로 되도록 소정 가스가 봉입되어 이루어 지고, 플라즈마방전에 의해 자외선을 방전시키고 이 자외선에 의해 형광체층(26)을 발광시켜 조명광으로 하도록 구성한다.

Description

평면조명등 및 그 제조방법
본 발명은, 예를 들면 통상의 조명, 또는 액정표시 등의 백라이트 등에 적용할 수 있는 평면조명등에 관한 것이다.
조명등으로서는, 각 가정에서 사용되고 있는 형광등, 또 액정표시 등에 있어서의 백라이트로서의 일렉트로루미네선스(EL) 등이 알려져 있다. 한편, 플라즈마방전을 이용한 표시장치가 알려져 있다.
도 1 및 도 2는, 플라즈마표시장치의 일례를 나타낸다. 이 플라즈마표시장치(1)는, 내면에 복수의 벨트형전극, 즉 투명전극으로 이루어지는 양극(2)과 음극(3)이 교호로 배열형성된 투명기판 예를 들면 유리기판(4)과, 내면에 양극(2) 및 음극(3)과 직교하는 방향으로 뻗는 복수의 벨트형의 어드레스전극(5) 및 형광체층(6)이 형성되어 이루어지는 배면기판(7)으로 이루어진다.
양 기판(4) 및 (7)은, 그 양극(2) 및 음극(3)의 면과, 어드레스전극(5) 및 형광체층(6)의 면이 내측으로 되도록 서로 대향하고, 주변의 스페이서(9)를 기밀봉지(氣密封止)되어, 밀봉용기(10)를 구성하고 있다.
밀봉용기(10)내에서는, 어드레스전극(5)간에 위치하도록 양극(2) 및 음극(3)과 직교하는 벨트형의 격벽(隔壁)(11)이 설치되고, 이 격벽(11)에 의해, 각 어드레스전극(5) 및 형광체층(6)이 구획되어 있다.
이 플라즈마표시장치(1)에 있어서는, 쌍을 이루는 양극(2) 및 음극(3)간에 방전유지전압이 인가되고, 예를 들면 음극(3)과 어드레스전극(6)간에 방전개시전압이 인가되면, 이에 의해 대응하는 쌍의 양극(2) 및 음극(3) 사이에서 방전이 생긴다. 이 방전에 의해 플라즈마(13)가 발생하고, 이 플라즈마(13)로부터의 자외선(14)에 의해 형광체층(6)이 여기발광(勵起發光)하여 소요 표시가 이루어진다.
통상, 이와 같은 플라즈마표시장치(1)에 있어서의 전극간격, 즉 양극(2)과 음극(3)과의 간격은, 최대한 100μm∼200μm 정도로 이루어져 있다.
그런데, 조명등에 대해 보면, 종래의 형광등은 원통형이고, 체적이 있으므로, 박형(薄型)으로 하기에는 한계가 있다. 또, 일렉트로루미네선스(EL)는, 밝기와 색조에 있어서 난점이 있다.
한편, 플라즈마방전을 이용하는 것도 생각할 수 있지만, 밝기의 점에서 난점이 있다.
본 발명은, 전술한 점을 감안하여, 밝기 또한 박형화를 가능하게 한 평면조명등 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
도 1은 플라즈마표시장치의 일례를 나타낸 평면도.
도 2는 도 1의 플라즈마표시장치의 단면도.
도 3은 본 발명의 제1 실시의 형태에 관한 평면조명등의 원리적 구성을 나타낸 분해도.
도 4는 본 발명의 제1 실시의 형태에 관한 평면조명등의 원리적 구성을 나타낸 단면도.
도 5 (A)는 본 발명의 제1 실시의 형태에 관한 평면조명등의 설명에 기여하는 광량분포도이고, 도 5 (B)는 본발명의 제1 실시의 형태에 관한 평면조명등의 설명에 기여하는 요부의 단면도.
도 6은 본 발명의 제1 실시의 형태에 관한 평면조명등의 설명에 기여하는 단면도.
도 7 (A)∼(C)는 본 발명의 제1 실시의 형태에 관한 방전전극의 형상을 나타낸 평면도.
도 8은 본 발명의 제1 실시의 형태에 관한 교류구동방식의 평면조명등의 실시예를 나타낸 단면도.
도 9는 본 발명의 제1 실시의 형태에 관한 직류구동방식의 평면조명등의 실시예의 단면도.
도 10은 본 발명의 제2 실시의 형태에 관한 평면조명등의 원리적 구성을 나타낸 단면도.
도 11은 본 발명의 제2 실시의 형태에 관한 교류구동방식의 평면조명등의 단면도.
도 12는 본 발명의 제2 실시의 형태에 관한 직류구동방식의 평면조명등의 단면도.
도 13은 본 발명의 제3 실시의 형태에 관한 평면조명등의 원리적 구성을 나타낸 단면도.
도 14는 본 발명의 제3 실시의 형태에 관한 교류구동상식의 평면조명등의 단면도.
도 15는 본 발명의 제3 실시의 형태에 관한 직류구동방식의 평면조명등의 단면도.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
21,211,212,51,511,512,61,611,612 : 평면조명등, 22,25 : 유리기판, 23,24 : 전극, 26 : 형광체층, 28 : 밀봉용기, 30 : 플라즈마, 31 : 자외선, 34 : 유전체층(誘電體層), 35 : 보호막.
제1의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제1의 기판에 복수의 방전용 전극이, 전극간격을 50μm 이하로서 형성되고, 제1의 기판에 대향하는 제2의 기판에 형광체층이 형성되고, 제1 및 제2의 기판에 의해 전극 및 형광체층을 내측으로 하는 밀봉용기가 구성되고, 이 밀봉용기내에 봉입가스압이 0.8∼3.0기압으로 되도록 He, Ne, Ar, Xe, Kr 중의 1종 이상의 가스가 봉입된 구성으로 한다.
제2의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제1의 발명의 평면조명등에 있어서, 방전용 전극표면에 유전체층, 또는 유전체층 및 보호막을 형성한 구성으로 한다.
제3의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제2의 발명의 평면조명등에 있어서, 보호막을 MgO로 구성한 구성으로 한다.
제4의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제1의 발명의 평면조명등에 있어서, 전극의 전압인가를 직류구동 또는 교류구동으로 한 구성으로 한다.
제5의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제2 또는 제3의 발명의 평면조명등에 있어서, 전극에의 전압인가를 교류구동으로 한 구성으로 한다.
제6의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제1의 발명의 평면조명등에 있어서, 직류구동에서는 음극으로 되는전극을 산화금속으로 형성하고, 양극으로 되는 전극을 금속으로 형성한 구성으로 한다.
제7의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제1의 발명의 평면조명등에 있어서, 교류구동에서는 음극 및 양극으로 되는 상기 전극 모두 산화금속 또는 금속으로 형성한 구성으로 한다.
제8의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제5의 발명에 있어서, 음극 및 양극으로 되는 전극 모두에 산화금속 또는 금속으로 형성한 구성으로 한다.
제9의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제1, 제2, 제3, 제4, 제5, 제6, 제7 또는 제8의 발명의 평면조명등에 있어서, 밀봉용기내에 Hg가스를 혼합한 구성으로 한다.
제10의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제1, 제2, 제3, 제4, 제5, 제6, 제7, 제8 또는 제9의 발명의 평면조명등에 있어서, 방전용 전극에 있어서의 전극쌍의 피치를 P로 하고, 방전용 전극과 형광체층간의 거리를 L로 하고, 방전각을 θ로 할 때,
P≤2Ltanθ
로 설정한 구성으로 한다.
제11의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제1, 제2, 제3, 제4, 제5, 제6, 제7, 제8, 제9 또는 제10의 발명의 평면조명등에 있어서, 동일 평면상에 형성된 쌍을 이루는 상기 방전용 전극의 상호 대향면이 비직선형으로 형성된 구성으로 한다.
제12의 본 발명에 관한 평면조명등의 제조방법은, 제1의 기판에 방전용 전극을 형성하는 공정과, 제2의 기판에 형광체층을 형성하는 공정과, 방전용 전극과 형광체층이 내측으로 되도록, 제1의 기판과 제2의 기판을 배치하여 밀봉용기를 구성하는 공정과, 밀봉용기내에 압력이 0.8∼3.0기압으로 되도록 방전용 가스를 봉입하는 공정을 가진다.
제13의 본 발명에 관한 평면조명등의 제조방법은, 제1의 기판에 방전용 전극을 형성하는 공정과, 방전전극상에 유전체층, 또는 유전체층 및 보호막을 형성하는 공정과, 제2의 기판에 형광체층을 형성하는 공정과, 방전용 전극과 형광체층이 내측으로 되도록, 제1의 기판과 제2의 기판을 배치하여 밀봉용기를 구성하는 공정과, 밀봉용기내에 압력이 0.8∼3.0기압으로 되도록 방전용 가스를 봉입하는 공정을 가진다.
제14의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제1의 기판에 복수의 방전용 전극이, 이 전극간격을 50μm 이하로서 형성되고, 제1의 기판에 대향하는 제2의 기판에 반사막과 형광체층이 형성되고, 제1 및 제2의 기판에 의해, 전극 및 형광체층을 내측으로 하는 밀봉용기가 구성되고, 밀봉용기내에 봉입가스압이 0.8∼3.0기압으로 되도록 He, Ne, Ar, Xe, Kr 중의 1종 이상의 가스가 봉입된 구성으로 한다.
제15의 본 발명에 관한 평면조명등의 제조방법은, 제14의 발명의 평면조명등에 있어서, 반사막이 제2의 기판과 형광체층과의 사이에 형성된 구성으로 한다.
제16의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제14 또는 제15의 발명의 평면조명등에 있어서, 반사막이 고반사율 재료로 형성된 구성으로 한다.
제17의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제16의 발명의 평명조명등에 있어서, 고반사율 재료가 알루미늄인 구성으로 한다.
제18의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제14, 제15, 제16 또는 제17의 발명의 평명조명등에 있어서, 방전용 전극표면에 유전체층, 또는 유전체층 및 보호막을 형성한 구성으로 한다.
제19의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제18의 발명의 평명조명등에 있어서, 보호막을 MgO로 형성한 구성으로 한다.
제20의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제14, 제15, 제16 또는 제17의 발명의 평명조명등에 있어서, 전압에의 전압인가를 직류구동 또는 교류구동으로 한 구성으로 한다.
제21의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제18 또는 제19의 발명의 평명조명등에 있어서, 전극에의 전압인가를 교류구동으로 한 구성으로 한다.
제22의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제14, 제15, 제16 또는 제17의 발명의 평명조명등에 있어서, 직류구동에서는 음극으로 되는전극을 산화금속으로 형성하고, 양극으로 되는 전극을 금속으로 형성한 구성으로 한다.
제23의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제14, 제15, 제16 또는 제17의 발명의 평면조명등에 있어서, 교류구동에서는 음극 및 양극으로 되는 전극 모두 산화금속 또는 금속으로 형성한 구성으로 한다.
제24의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제21의 발명에 있어서, 음극 및 양극으로 되는 전극 모두 산화금속 또는 금속으로 형성한 구성으로 한다.
제25의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제14, 제15, 제16, 제17, 제18, 제19, 제20, 제21, 제22, 제23, 또는 제24의 발명의 평면조명등에 있어서, 밀봉용기내에 Hg가스를 혼합한 구성으로 한다.
제26의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제14, 제15, 제16, 제17, 제18, 제19, 제20, 제21, 제22, 제23, 제24 또는 제25의 발명의 평면조명등에 있어서, 방전용 전극에 있어서의 전극쌍의 피치를 P로 하고, 방전용 전극과 형광체층간의 거리를 L로 하고, 방전각을 θ로 할 때,
P≤2Ltanθ
로 설정한 구성으로 한다.
제27의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제14, 제15, 제16, 제17, 제18, 제19, 제20, 제21, 제22, 제23, 제24 제 25 또는 제26의 발명의 평면조명등에 있어서, 동일 평면상에 형성된 쌍을 이루는 방전용 전극의 상호 대향면이 비직선형으로 형성된 구성으로 한다.
제28의 본 발명에 관한 평면조명등의 제조방법은, 제1의 기판에 방전용 전극을 형성하는 공정과, 제2의 기판에 반사막 및 형광체층을 형성하는 공정과, 방전용 전극과, 형광체층이 내측으로 되도록, 제1의 기판과 제2의 기판을 배치하여 밀봉용기를 구성하는 공정과, 밀봉용기내에 압력이 0.8∼3.0기압으로 되도록 방전용 가스를 봉입하는 공정을 가진다.
제29의 본 발명에 관한 평면조명등의 제조방법은, 제1의 기판에 방전용 전극을 형성하는 공정과, 방전용 전극상에 유전체층, 또는 유전체층 및 보호막을 형성하는 공정과, 제2의 기판에 반사막 및 형광체층을 형성하는 공정과, 방전용 전극과 형광체층이 내측으로 되도록, 제1의 기판과 제2의 기판을 배치하여 밀봉용기를 구성하는 공정과, 밀봉용기내에 압력이 0.8∼3.0기압으로 되도록 방전용 가스를 봉입하는 공정을 가진다.
제30의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제1의 기판에 반사막과, 복수의 방전용 전극이 이 전극간격을 50μm 이하로서 형성되고, 제1의 기판에 대향하는 제2의 기판에 형광체층이 형성되고, 제1 및 제2의 기판에 의해, 전극 및 형광체층을 내측으로 하는 밀봉용기가 구성되고, 이 밀봉용기내에 봉입가스가 0.8∼3.0기압으로 되도록 He, Ne, Ar, Xe, Kr 중의 1종 이상의 가스가 봉입된 구성으로 한다.
제31의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제30의 발명의 평면조명등에 있어서, 반사막이 제1의 기판과 방전용 전극과의 사이에 형성되는 동시에, 반사막과 방전용 전극과의 사이에 절연막이 형성된 구성으로 한다.
제32의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제30 또는 제31의 발명의 평면조명등에 있어서, 반사막이 고반사율 재료로 형성된 구성으로 한다.
제33의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제32의 발명의 평면조명등에 있어서, 고반사율 재료가 알루미늄인 구성으로 한다.
제34의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제30, 제31, 제32 또는 제33의 발명의 평면조명등에 있어서, 방전용 전극표면에 유전체층, 또는 유전체층 및 보호막을 형성한 구성으로 한다.
제35의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제34의 발명의 평면조명등에 있어서, 보호막을 MgO로 형성한 구성으로 한다.
제36의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제30, 제31, 제32 또는 제33의 발명의 평면조명등에 있어서, 전극에의 전압인가를 직류구동 또는 교류구동으로 한 구성으로 한다.
제37의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제34 또는 제35의 발명의 평면조명등에 있어서, 전극에의 전압인가를 교류구동으로 한 구성으로 한다.
제38의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제30, 제31, 제32 또는 제33의 발명의 평면조명등에 있어서, 직류구동에서는 음극으로 되는전극을 산화금속으로 형성하고, 양극으로 되는 전극을 금속으로 형성한 구성으로 한다.
제39의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제30, 제31, 제32 또는 제33의 발명의 평면조명등에 있어서, 교류구동에서는 음극 및 양극으로 되는 전극 모두 산화금속 또는 금속으로 형성한 구성으로 한다.
제40의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제37의 발명에 있어서, 음극 및 양극으로 되는 전극 모두 산화금속 또는 금속으로 형성한 구성으로 한다.
제41의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제30, 제31, 제32, 제33, 제34, 제35, 제36, 제37, 제38, 제39, 또는 제40의 발명의 평면조명등에 있어서, 밀봉용기내에 Hg가스를 혼합한 구성으로 한다.
제42의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제30, 제31, 제32, 제33, 제34, 제35, 제36, 제37, 제38, 제39, 제40 또는 제41의 발명의 평면조명등에 있어서, 방전용 전극에 있어서의 전극쌍의 피치를 P로 하고, 방전용 전극과 형광체층간의 거리를 L로 하고, 방전각을 θ로 할 때,
P≤2Ltanθ
로 설정한 구성으로 한다.
제43의 본 발명에 관한 평면조명등은, 제30, 제31, 제32, 제33, 제34, 제35, 제36, 제37, 제38, 제39, 제40, 제41 또는 제42의 발명의 평면조명등에 있어서, 동일 평면상에 형성된 쌍을 이루는 방전용 전극의 상호 대향면이 비직선형으로 형성된 구성으로 한다.
제44의 본 발명에 관한 평면조명등의 제조방법은, 제1의 기판에 반사막을 형성하고, 반사막상에 절연막을 통하여 방전용 전극을 형성하는 공정과, 제2의 기판에 형광체층을 형성하는 공정과, 방전용 전극과 형광체층이 내측으로 되도록, 제1의 기판과 제2의 기판을 배치하여 밀봉용기를 구성하는 공정과, 밀봉용기내에 압력이 0.8∼3.0기압으로 되도록 방전용 가스를 봉입하는 공정과를 가진다.
제45의 본 발명에 관한 평면조명등의 제조방법은, 제1의 기판에 반사막을 형성하고, 반사막상에 절연막을 통하여 방전용 전극을 형성하는 공정과, 방전용 전극상에 유전체층, 또는 유전체층 및 보호막을 형성하는 공정과, 제2의 기판에 형광체층을 형성하는 공정과, 방전용 전극과 형광체층이 내측으로 되도록, 제1의 기판과 제2의 기판을 배치하여 밀봉용기를 구성하는 공정과, 밀봉용기내에 압력이 0.8∼3.0기압으로 되도록 방전용 가스를 봉입하는 공정과를 가진다.
다음에, 도면을 참조하여 본 발명의 실시의 형태를 설명한다.
도 3 및 도 4는, 본 발명의 제1 실시의 형태의 원리적인 구성을 나타낸다.
이 평면조명등(21)은, 도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이, 제1의 기판 예를 들면 유리기판(22)의 일면(22a)상에, 쌍을 이루는 방전용 전극, 즉 양극(23) 및 음극(24)을 형성하고, 이 제1의 유리기판(22)에 대향하는 제2의 기판 예를 들면 유리기판(25)의 일면(25a)상에 형광체층(26)을 도포형성하고, 이들 제1 및 제2의 유리기판(22) 및(25)을 그 전극 즉 양극(23) 및 음극(24)과, 형광체층(26)이 내측으로 되도록 서로 대향하여 배치하고, 스페이서(27)를 통하여 기밀봉지하여 구성된다.
이 제1의 유리기판(22)과, 제2의 유리기판(25)과, 스페이서(27)와에 의해 밀봉용기(28)가 구성된다.
한쪽의 양극(23)은, 복수의 전극부(23A)가 평행으로 배열되고, 일단에 있어서 연결된 빗살형으로 형성되고, 다른 쪽의 음극(24)도 동일하게 복수의 전극부(24A)가 평행으로 배열된 일단에 있어서 연결된 빗살형으로 형성된다.
이들 양극(23) 및 음극(24)은, 유리기판(22)상에 있어서, 각각의 전극부(23A) 및 (24A)를 상대의 전극부 사이에 삽입하도록, 소정의 전극간격 x1을 가지고 형성된다. 즉, 양극의 복수의 전극부(23A)와 음극의 복수의 전극부(24A)는 교호로 배열된 형으로 된다.
전극간격 xI은 50㎛이하, 예를 들면 5㎛∼20㎛에 설정되어 있다. 또는, 전극간격 xI을 5㎛이하, 1㎛이하, 예를 들면 0.5㎛에 설정하는 것도 가능하다.
한편, 밀봉용기(28)내에는 봉입가스압이 0.8∼3.0기압 예를 들면 0.9∼2.0기압으로 되도록, 예를 들면 He, Ne, Ar, Xe, Kr 등으로부터 선택된 1종이상의 가스가 봉입된다. 또한 이것에 Hg가스를 혼합하도록 해도 된다.
한 구체예로서는, 전극간격 xI을 10㎛로 하고, 봉입가스압이 1.0기압으로 되도록 XeNe혼합가스를 봉입한 구성으로 할 수 있다.
이 평면조명등(21)에 있어서는, 양극(23)과 음극(24)사이에 소요전압 V을 인가하여 양극(23) 및 음극(24)사이에서 면(面)방전을 일으킨다. 이 방전에 의해 플라즈마(30)가 발생하고, 이 플라즈마(30)에서 발생한 자외선(31)에 의해 형광체층(26)이 여기(勵起)발광하여, 조명광으로 된다. 이 때, 전극간격 xI을 50㎛이하, 예를 들면 5㎛∼20㎛, 또는 5㎛이하, 1㎛이하로 작게 하고, 봉입가스압을 0.8∼3.0기압으로 크게 함으로써, 결과적으로 자외선(31)이 발생하여, 형광체층(26)을 밝게 발광시킬 수 있다.
양극(23) 및 음극(24)이 제1의 가스기판(22)의 동일면(22a)상에 병치(竝置)형성되고, 이들 양극(23) 및 음극(24)과 대향하도록, 제2의 유리기판(25)의 면에 형광체층(26)이 형성되어 있으므로, 방전에 의해 발생한 플라즈마(30)가 형광체층(26)에 접촉하지 않고, 따라서 플라즈마(30)중의 하전(荷電)입자에 의해 형광체층(26)이 두들겨지지 않아, 형광체층의 열화가 회피된다.
형광체층(26)의 종류를 선택함으로써, 임의의 색온도의 조명이 얻어진다.
그리고, 이 실시의 형태에서는, 제1 및 제2의 유리기판(22 및 25)을 스페이서(27)를 통해 봉지(封止)하여 평면의 밀봉용기(28)를 구성하므로, 매우 얇은 평면조명등을 구성할 수 있다.
여기서, 형광체층(26)은 도 5 (B)에 나타낸 바와 같이, 양극(23) 및 음극(24)으로 이루어지는 방전용 전극쌍(40)에 의한 방전에 의해 발생한 자외선방사영역(41)에 대응하여 도 5 (A)의 광량분포(42)를 가지고 발광한다. 지금, 광으로서 밝게 느끼는 영역을 유효발광영역(43)으로 정의하고, 전극(23,24)사이의 방전부로부터 유효발광영역(43)단(端)에 면하는 각도 θ를 방전각으로 정의한다.
그리고, 도 6에 나타낸 바와 같이 양극(23) 및 음극(24)으로 이루어지는 방전용 전극쌍(40)의 피치를 P로 하고, 방전공간의 방전용 전극(양극(23), 음극(24))과 형광체층(26)사이의 거리를 L, 형광체층(26)에 있어서 방전각 θ의 범위에서 발광하는 영역의 거리를 D로 할 때, 방전용 전극쌍(40)의 피치 P가 다음의 수 1과 같은 조건에 있으면, 설계상, 형광체층(26)의 전체면이 밝게 발광한다.
단, 실용상, 전극간격 xI은 10㎛ 전후, 방전용 전극과 형광체층사이의 거리 L는 100㎛이상으로 할 수 있으므로, xI＜＜L이다.
D≒Ltanθ
P=2D≒2Ltanθ
따라서, 이 실시의 형태에서는, 방전용 전극쌍(40)의 피치 P를
P≤2Ltanθ
의 조건을 충족시키도록 설정하여 평면조명등을 구성한다. 이와 같이 하면, 전체면에 균일성이 양호한 발광이 얻어진다.
예를 들면 방전각 θ을 70°로 했을 때에는, P≤L×3.9로 되고, 방전용 전극쌍의 피치 P를 거리 L(환언하면 유리기판(22 및 25)사이의 거리)의 3.9배이하로 설정함으로써, 잘린 곳이 없는 방전발광이 얻어지게 된다.
한편, 이 종류의 평면조명등에서는 휘도를 올리려고 하는 경우, 방전용 전극의 길이를 크게 함으로써, 방전면적을 넓히고, 그로 인해 발광량을 올리는 것이 가능하게 된다.
그래서, 이 실시의 형태에서는, 쌍을 이루는 방전용 전극, 즉 양극(23) 및 음극(24)의 형상을 직선상으로부터 비직선상으로 바꿔 형성하여 실효적으로 방전용 전극의 길이를 크게 하도록 한 구성을 채용할 수 있다.
도 7 (A)∼도 7 (C)에 그 예를 나타냈다.
도 7 (A)의 예는, 동일평면상의 1쌍의 방전용 전극, 즉 양극전극부(23A)와 음극전극부(24A)의 상호의 대향면을 파형의 곡선형으로 형성한다.
도 7 (B)의 예는, 동일평면상의 1쌍의 방전용 전극, 즉 양극전극부(23A)와 음극전극부(24A)의 상호의 대향면을 구형파(矩形波)로 되도록 한 곡선상으로 형성한다.
도 7 (C)의 예는, 동일평면상의 양극전극부(23A)와 음극전극부(24A)가 교대로 배치되고, 각 인접하는 양극전극부(23A) 및 음극전극부(24A)사이에서 방전을 발생시키는 구성에 있어서, 그 각 인접하는 양 전극부(23A 및 24A)의 대향면을 곡선상으로 형성한다.
이들의 곡선패턴의 방전용 전극부(23A,24A)는, 인쇄 또는 포토리소그래피법에 의해 용이하게 형성할 수 있다.
이와 같이 동일평면상의 전극부(23A,24A)를 상호의 대향면이 곡선상으로 형성됨으로써, 실효적으로 전극부(23A,24A)의 길이를 크게 할 수 있어, 평면조명등의 휘도를 향상할 수 있다.
또, 도 7 (C)의 전극패턴의 경우에는, 방전용 전극쌍의 피치 P가 촘촘하기 때문에, 고휘도의 조명이 얻어 지고, 도 7A 및 7B의 전극패턴의 경우에는, 방전용 전극쌍의 피치 P가 거칠기때문에, 부드러운 조명이 얻어 진다.
이 실시의 형태에 있어서는, 양극(23) 및 음극(24)에의 전압인가로서, 직류구동 또는 교류구동을 채용할 수 있다.
도 8은, 교류구동방식의 평면조명등(211)의 예를 나타냈다. 이 평면조명등(211)에서는, 그 전극간격 xI을 예를 들면 10㎛로 한 양 전극(23 및 24)상에 예를 들면 0.1∼4.0㎛두께의 예를 들면 유리에 의한 유전체층(34)을 형성하고, 바람직하게는 다시 유전체층(34)상에 보호막으로서, 또 방전개시전압을 내리는 역할을 가지는 예를 들면 0.5㎛두께의 MgO층(35)을 형성한다. 양 전극(23 및 24)사이에 교류전압 VAC이 인가된다. 교류구동이므로, 양 전극(23 및 24)에는, 각각 플러스전압과 마이너스전압이 교대로 인가됨으로써, 교대로 양극, 음극으로 된다.
그리고, 통상 방전에 의해 음극측의 전극은 산화되고, 양극측의 전극은 환원된다. 그러나, 교류구동방식의 경우의 전극(23 및 24)은 함께, 산화금속 예를 들면 ITO(InO3+SnO2)막, SnO2막, I2O3막 등의 투명전극으로 형성해도 되고, 또는 함께, 예를 들면 Al, Cu, Ni, Fe, Cr, Zn, Au, Ag, Pb, 기타 등의 금속, 또는 이들의 합금으로 형성해도 된다.
도 9는, 직류구동방식의 평면조명등(212)의 예를 나타냈다. 이 평면조명등(212)에서는 양극(23) 및 음극(24)사이에 직류전압 VDC이 인가된다. 이 경우, 음극(24)은 산화금속 예를 들면 ITO막, SnO2막, I2O3막 등의 투명전극으로 형성하고, 양극(23)은 예를 들면, Al, Cu, Ni, Fe, Cr, Zn, Au, Ag, Pb, 기타 등의 금속, 또는 이들의 합금으로 형성한다. 이로써 전극의 수명이 늘어나게 된다.
이들, 도 8 및 도 9의 평면조명등(211 및 212)의 동작원리는, 도 3 및 도 4에서 설명한 것과 동일하므로, 중복설명을 생략한다.
도 8의 교류구동방식의 평면조명등(211)은, 다음과 같이 하여 제작할 수 있다.
먼저, 제1의 기판인 예를 들면 유리기판(22)의 일면상에, 인쇄 또는 포토리소그래피 등에 의해 방전용 전극인 양극(23) 및 음극(24)을 전술한 원하는 간격 x1을 가지고 병치하도록 형성한다.
이어서, 이 양극(23) 및 음극(24)을 덮도록 전체면에 예를 들면 유리층 등에 의한 유전체층(34)을 형성하고, 이 유전체층(34)상에 다시 보호막으로 되는 예를 들면 MgO막(35)을 피착형성한다.
다음에, 제2의 기판인 예를 들면 유리기판(25)의 일면상에 형광체층(26)을 형성한다.
다음에, 제1의 유리기판(22)과 제2의 유리기판(25)을, 전극(23,24)과 형광체층(26)이 내측으로 되로록, 따라서 상호의 MgO막(35) 및 형광체층(26)이 마주 보도록 배치하고, 스페이서(27)에 의해 소정의 간격을 유지하여 기밀봉지해서, 밀봉용기(28)를 형성한다.
이어서, 이 밀봉용기(28)내에 압력이 0.8∼3.0기압으로 되도록 방전가스를 봉입하여 교류구동방식의 평면조명등(211)을 얻는다.
도 9의 직류구동방식의 평면조명등(212)은, 다음과 같이 하여 제작할 수 있다.
먼저, 제1의 기판인 예를 들면 유리기판(22)의 일면상에 인쇄 또는 포토리소그래피 등에 의해 방전용 전극인 양극(23) 및 음극(24)을 전술한 원하는 간격 x1을 가지고 병치하도록 형성한다.
다음에, 제2의 기판인 예를 들면 유리기판(25)의 일면상에 형광체층(26)을 도포형성한다.
다음에, 제1의 유리기판(22)과 제2의 유리기판(25)을, 상호의 전극(23,24) 및 형광체층(26)이 마주 보도록 배치하고, 스페이서(27)에 의해 소정의 간격을 유지하여 기밀봉지해서, 기밀용기(28)를 형성한다.
이어서, 이 기밀용기(28)내에 압력이 0.8∼3.0기압으로 되도록 방전가스를 봉입하여 직류구동방식의 평면조명등(212)을 얻는다.
전술한 평면조명등(211 및 212)에 있어서는, 고휘도로 발광한 광은 전극(24,24)이 형성된 제1의 유리기판(22)측 및 형광체측(26)이 형성된 제2의 유리기판(25)측의 쌍방으로부터 외부로 방사된다. 따라서, 평면조명등(211 및 212)에 있어서, 이 쌍방에 방사하는 광을 이용할 때는, 주위를 비추는 조명효과가 얻어 진다. 물론, 이 평면조명등(211 및 212)은 제1의 기판(22)측만, 또는 제2의 기판(25)측만 방사되는 광을 이용하는 경우에도 어느 한 쪽의 방출광을 차단함으로써 적용할 수 있다.
여기서, 형광체층(26)을 통하는 광은 일부 형광체층(26)에서 흡수된다. 일반적으로 자외선조사에 의한 형광체의 발광은, 형광체층의 두께를 20∼40㎛로 했을 때, 그 형광체의 표면으로부터의 발광휘도는 형광체를 투과한 측으로부터의 발광휘도보다 2∼3배 정도 크다.
제1의 유리기판(22) 또는 제2의 유리기판(25)의 어느 한 쪽을 통해 방사되는 광만을 조명으로서 이용할 경우, 고휘도로 발광한 광의 일부가 반대측의 유리기판을 통해 이면에 방사되기 때문에 발광한 광의 손실에 의한 휘도저하가 생긴다.
다음에, 이 점을 개선한 본 발명의 제2 실시의 형태에 관한 평면조명등에 대하여 설명한다.
도 10은, 전극(23,24)이 형성된 제1의 기판(22)측으로부터 방사된 광만을 이용하는 평면조명등(51)의 원리적 구성을 나타냈다.
이 실시의 형태에 관한 평면조명등(51)은, 도 10에 나타낸 바와 같이, 제1의 기판 예를 들면 유리기판(22)의 일면상에 쌍을 이루는 방전용 전극, 즉 양극(23) 및 음극(24)을 형성한다. 또, 제2의 기판 예를 들면 유리기판(25)의 일면상에, 예를 들면 증착법 또는 스퍼터법에 의해 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 은(Ag) 등의 고반사율재료, 본 예에서는 알루미늄을 성막하여 반사막(53)을 형성한 후, 반사막(53)상에 형광체층(26)을 도포형성한다.
그리고, 제1의 유리기판(22)과 제2의 유리기판(25)과를, 양극(23) 및 음극(24)과 형광체층(26)이 내측으로 되도록 상대향하여 배치하고, 스페이서(27)에 의해 소정의 간격을 유지하여 기밀봉지함으로써 밀봉용기(28)를 구성한다.
그 밖의 구성, 즉, 전극간격 x1, 봉입가스의 종류, 봉입가스압, 전극쌍의 피치 P, 전극(23,24)의 형상 등의 구성은, 전술한 도 3, 도 4, 도 6, 도7 (A)∼(C)에서 설명한 것과 동일하므로, 중복설명은 생략한다.
이 평면조명등(51)에 있어서는, 양극(23)과 음극(24)사이에 소요전압 V을 인가함으로써 방전이 일어나, 플라즈마(30)가 발생하고, 이 플라즈마(30)에서 발생한 자외선(31)에 의해 형광체층(26)이 여기발생한다. 그리고, 이 경우, 발광한 광중 형광체층(26)측의 제2의 유리기판(25)으로 향했던 광은, 반사막(53)에 의해 반사되어, 전극(23,24)측의 제1의 유리기판(22)으로 향하게 된다. 따라서, 제2의 유리기판(25)측으로 달아나는 광의 손실을 방지하고, 제1의 유리기판(22)측으로부터 방사되는 광의 휘도가 향상되고, 또한 고휘도의 조명이 얻어진다.
이 실시의 형태에 있어서도, 양극(23) 및 음극(24)에의 전압인가로서, 직류구동 또는 교류구동을 채용할 수 있다.
도 11은, 교류구동방식의 평면조명등(511)의 예를 나타냈다. 이 평면조명등(511)에서는, 그 전극간격 x1을 예를 들면 10㎛로 한 양 전극(23 및 24)상에 예를 들면 0.1∼4.0㎛ 두께의 예를 들면 유리층에 의한 유전체층(34)을 형성하고, 바람직하게는, 다시 유전체층(34)상에 보호막으로서, 또 방전개시전압을 내리는 역할을 가지는 예를 들면 0.5㎛ 두께의 MgO층(35)을 형성한다. 양 전극(23 및 24)사이에 교류전압 VAC이 인가된다. 이 경우도, 전극(23 및24)은 함께, 산화금속, 예를 들면 ITO막, SnO2막, I2O3막 등의 투명전극으로 형성해도 되고, 또는 함께 금속, 예를 들면 Al, Cu, Ni, Fe, Cr, Zn, Au, Ag, Pb, 기타 등의 금속, 또는 이들의 합금으로 형성해도 된다. 양 전극(23,24)을 금속으로 형성하는 경우, 저항치가 작으므로 가늘게 형성하여 유리기판(22)을 통과하는 광에 대한 개구율을 올리도록 할 수 있다.
도 12는, 직류구동방식의 평면조명등(512)의 예를 나타냈다. 이 평면조명등(512)에서는, 양극(23) 및 음극(24)사이에 직류전압 VDC이 인가된다. 또, 마찬가지로, 음극(24)은 산화금속 예를 들면 ITO막, SnO2막, I2O3막 등의 투명전극으로 형성하고, 양극(23)은 금속, 예를 들면 Al, Cu, Ni, Fe, Cr, Zn, Au, Ag, Pb, 기타 등의 금속, 또는 이들의 합금으로 형성된다.
여기서도, 유리기판(22)을 투과하는 광에 대한 개구율을 올리기 위해 금속으로 형성된 양극(23)을 가늘게 형성할 수 있다.
도 11에 나타낸 교류구동방식의 평면조명등(511)은, 다음과 같이 하여 제작할 수 있다.
먼저, 제1의 기판인 예를 들면 유리기판(22)의 일면상에 인쇄 또는 포토리소그래피 등에 의해 방전용 전극인 양극(23) 및 음극(24)을 전술한 원하는 전극간격 x1을 가지고 병치하도록 형성된다. 이어서, 이 양극(23) 및 음극(24)을 덮도록 전체면에 예를 들면 유리층 등에 의한 유전체층(34)을 형성하고, 이 유전체층(34)상에 다시 보호막으로 되는 예를 들면 MgO막(35)을 피착형성한다.
다음에, 제2의 기판인 예를 들면 유리기판(25)의 일면상에, 예를 들면 증착법 또는 스퍼터법에 의해 고반사율의 금속 예를 들면 알루미늄을 성막하여 두께가 1000∼10000Å정도의 반사막(53)을 형성한 후, 이 반사막(53)상에 형광체층(26)을 도포형성한다.
다음에, 제1의 유리기판(23)과 제2의 유리기판(25)을, 전극(23,24)과 형광체층(26)이 내측으로 되도록, 따라서 상호의 MgO막(35) 및 형광체층(26)이 마주 보도록 배치하고, 스페이서(27)에 의해 소정의 간격을 유지하여 기밀봉지해서, 밀봉용기(28)를 형성한다.
이어서, 이 밀봉용기(28)내에 압력이 0.8∼3.0기압으로 되도록 방전가스를 봉입하여 교류구동방식의 평면조명등(511)을 얻는다.
도 12에 나타낸 직류구동방식의 평면조명등(512)은, 다음과 같이 하여 제작할 수 있다.
먼저, 제1의 기판인 예를 들면 유리기판(22)의 일면상에, 인쇄 또는 포토리소그래피 등에 의해 방전용 전극인 양극(23) 및 음극(24)을 전술한 원하는 전극간격 x1을 가지고 병치하도록 형성한다.
다음에, 제2의 기판인 예를 들면 유리기판(25)의 일면상에, 예를 들면 증착법 또는 스퍼터법에 의해 고반사율의 금속 예를 들면 알루미늄을 성막하여 두께가 1000∼10000Å정도의 반사막(53)을 형성한 후, 이 반사막(53)상에 형광체층(26)을 도포형성한다.
다음에, 제1의 유리기판(22)과 제2의 유리기판(25)을, 상호의 전극(23,24)과 형광체층(26)이 마주 보도록 배치하고, 스페이서(27)에 의해 소정의 간격을 유지하여 기밀봉지해서, 밀봉용기(28)를 형성한다.
이어서, 이 밀봉용기(28)내에 압력이 0.8∼3.0기압으로 되도록 방전가스를 봉입하여 직류구동방식의 평면조명등(512)을 얻는다.
도 13은, 형광체층(26)이 형성된 제2의 유리기판(25)측에 의해 방사된 광만을 이용하는 평면조명등(61)의 원리적 구성을 나타냈다.
이 실시의 형태에 관한 평면조명등(61)은, 도 13에 나타낸 바와 같이, 제1의 기판 예를 들면 유리기판(22)의 일면상에 예를 들면 증착 또는 스퍼터법에 의해 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 은(Ag) 등의 고반사율재료, 본 예에서는 알루미늄을 성막하여 반사막(53)을 형성하고, 이 반사막(53)상에 절연막(54)을 형성하고, 절연막(54)상에 쌍을 이루는 방전용 전극, 즉 양극(23) 및 음극(24)을 형성한다. 또, 제2의 기판 예를 들면 유리기판(25)의 일면상에, 형광체층(26)을 도포형성한다.
그리고, 제1의 유리기판(22)과 제2의 유리기판(25)과를, 양극(23) 및 음극(24)과 형광체층(26)이 내측으로 되도록 배치하고, 스페이서(27)를 통해 서로 소정 간격을 유지하여 밀봉봉지해서, 밀봉용기(28)를 구성한다.
그 밖의 구성, 즉, 전극간격 x1, 봉입가스의 종류, 봉입가스압, 전극쌍의 피치 P, 전극(23,24)의 형상 등의 구성은, 전술한 도 3, 도 4, 도 6, 도 7 (A)∼(C)에서 설명한 것과 동일하므로, 중복설명을 생략한다.
이 평면조명등(61)에 있어서는, 전술한 도 4와 마찬가지로 양극(23)과 음극(24)사이에 소요전압 V을 인가함으로써 방전이 일어나, 플라즈마(30)가 발생하고, 이 플라즈마에서 발생한 자외선(31)에 의해 형광체층(26)이 여기발광한다. 이 경우, 발광항 광중, 전극(23,24)의 제1유리기판(22)으로 향한 광은 반사막(53)에 의해 반사되어, 형광체층(26)의 제2의 유리기판(25)으로 향하게 된다. 따라서, 제1의 유리기판(22)측으로 달아나는 광의 손실을 방지하여, 제2의 유리기판(25)측으로부터 방사되는 광의 휘도가 향상하고, 또한 고휘도의 조명이 얻어진다.
이 실시의 형태에 있어서도, 양극(23) 및 음극(24)에의 전압인가로서, 직류구동 또는 교류구동을 채용할 수 있다.
도 14는, 교류구동방식의 평면조명등(611)의 예를 나타냈다. 이 평면조명등(611)에서는, 전술한 바와 같이, 그 전극간격 x1을 예를 들면 10㎛으로 한 양 전극(23 및 24)상에 예를 들면 0.1∼4.0㎛두께의 예를 들면 유리층에 의한 유전체층(34)을 형성하고, 바람직하게는, 다시 유전체층(34)상에 보호막으로서, 또 방전개시전압을 내리는 역할을 가지는 예를 들면 0.5㎛두께의 MgO층(35)을 형성한다. 양전극(23 및 24)사이에 교류전압 VAC이 인가된다. 이 경우도, 전극(23 및 24)은 함께, 전술한 도 8 및 도 11에서 설명한 것과 동일한 산화금속 또는 금속으로 형성해도 된다.
도 13은, 직류구동방식의 평면조명등(612)의 예를 나타냈다. 이 평면조명등(612)은, 전술한 바와 같이 양극(23) 및 음극(24)사이에 직류전압 VDC이 인가된다. 또, 전술한 도 9 및 도 12에서 설명한 바와 같이, 음극(24)은 산화금속으로 형성하고, 양극(23)은 금속으로 형성한다.
도 14에 나타낸 교류방식의 평면조명등(611)은, 다음과 같이 하여 제작할 수 있다.
먼저, 제1의 기판인 예를 들면 유리기판(22)의 일면상에 증착법 또는 스퍼터법으로 고반사율의 금속, 예를 들면 알루미늄을 성막하여 두께가 1000∼10000Å정도의 반사막(53)을 형성한다.
이어서, 이 반사막(53)상에 예를 들면 0.5∼10.0㎛정도의 절연막(예를 들면 SiO2막)(54)을 CVD법 또는 증착법에 의해 성막한다.
이어서, 이 절연막(54)상에 인쇄 또는 포토리소그래피 등에 의해 방전용 전극인 양극(23) 및 음극(24)을, 전술한 원하는 전극간격 x1을 가지고 병치하도록 형성한다.
이어서, 이 양극(23) 및 음극(24)을 덮도록 전체면에 예를 들면 유리 등에 의한 유전체층(34)을 형성하고, 이 유전체층(34)상에 다시 보호막으로 되는 예를 들면 MgO막(35)을 피착형성한다.
다음에, 제2의 기판인 예를 들면 유리기판(25)의 일면상에 형광체층(26)을 형성한다.
다음에, 제1의 유리기판(23)과 제2의 유리기판(25)을, 전극(23,24)과 형광체층(26)이 내측으로 되도록, 따라서 상호의 MgO막(35) 및 형광체층(26)이 마주 보도록 배치하고, 스페이서(27)에 의해 소정의 간격을 유지하여 기밀봉지해서, 밀봉용기(28)를 형성한다.
이어서, 이 밀봉용기(28)내에 압력이 0.8∼3.0기압으로 되도록 방전가스를 봉입하여 교류구동방식의 평면조명등(611)을 얻는다.
도 15에 나타낸 직류방식의 평면조명등(612)은, 다음과 같이 하여 제작할 수 있다.
먼저, 제1의 기판인 예를 들면 유리기판(22)의 일면상에 증착법 또는 스퍼터법으로 고반사율의 금속, 예를 들면 알루미늄을 성막하여 두께가 1000∼10000Å정도의 반사막(53)을 형성한다.
이어서, 이 반사막(53)상에 예를 들면 0.5∼10.0㎛정도의 절연막(예를 들면 SiO2막)(54)을 CVD법 또는 증착법에 의해 성막한다.
이어서, 이 절연막(54)상에 인쇄 또는 포토리소그래피 등에 의해 방전용 전극인 양극(23) 및 음극(24)을, 전술한 원하는 전극간격 x1을 가지고 병치하도록 형성한다.
다음에, 제2의 기판인 예를 들면 유리기판(25)의 일면상에 형광체층(26)을 형성한다.
다음에, 제1의 유리기판(23)과 제2의 유리기판(25)을, 상호의 전극(23,24)과 형광체층(26)이 마주 보도록 배치하고, 스페이서(27)에 의해 소정의 간격을 유지하여 기밀봉지해서, 밀봉용기(28)를 형성한다.
이어서, 이 밀봉용기(28)내에 압력이 0.8∼3.0기압으로 되도록 방전가스를 봉입하여 직류구동방식의 평면조명등(612)을 얻는다.
전술한 본 발명의 실시의 형태의 평면조명등은, 통상의 조명에 사용하는 것이 가능하고, 또 액정표시장치의 백라이트 등에도 적용할 수 있다.
본 발명에 관한 평면조명등에 의하면, 얇은 평면조명등이 얻어지는 동시에, 고휘도의 조명이 얻어진다. 따라서, 통상의 조명, 또는 액정표시장치의 백라이트 등에도 적용할 수 있다.
반사막을 형광체층측의 제2의 기판에 형성함으로써, 발광한 광을 모두 방전용 전극측의 제1의 기판을 통해 방사할 수 있어, 보다 고휘도의 평면조명등을 제공할 수 있다.
반사막을 방전용 전극측의 제1의 기판에 형성함으로써, 발광한 광을 모두 형광체층측의 제2의 기판을 통해 방사할 수 있어, 보다 고휘도의 평면조명등을 제공할 수 있다.
쌍을 이루는 방전용 전극의 상호의 대향면을 비직선상으로 형성함으로써, 실효적으로 전극의 길이를 크게 할 수 있어, 평면조명등의 휘도를 향상할 수 있다.
방전용 전극쌍의 피치 P, 방전공간의 방전용 전극과 형광체층사이의 거리 L, 방전용 θ으로 할 때,
P≤2Ltanθ
로 설정함으로써, 전체면에 균일성이 양호한 발광이 얻어진다.
봉입가스에 Hg가스를 혼합함으로써, 자외선 365nm의 발생에 의해 형광체의 발광휘도의 대폭 상승이 얻어진다고 하는 효과가 있다.
직류구동에서는, 음극을 산화금속으로 형성하는 동시에, 양극을 금속으로 형성하고, 또 교류구동에서는, 음극, 양극 함께 산화금속 또는 금속으로 형성함으로써, 전극의 수명을 향상시킬 수 있다.
교류구동형의 경우, 방전용 전극의 표면에 유전체층을 가짐으로써, 방전용 전극의 열화를 방지하여, 긴 수명이 도모된다. 또한, 유전체의 표면에 보호막, 예를 들면 MgO막을 형성함으로써, 유전체층을 보호하는 동시에, 방전개시전압을 내릴 수 있다.
본 발명에 관한 제조방법에 의하면, 직류구동형, 교류구동형, 또는, 각각의 구동형으로 양면방사형, 편면(片面)방사형의 고휘도발광의 평면형 조명등을 제조할 수 있다.

Claims (54)

  1. 제1의 기판에 복수의 방전용 전극이, 이 전극간격을 50μm 이하로 하여 형성되고,
    상기 제1의 기판에 대향하는 제2의 기판에 형광체층이 형성되고,
    상기 제1 및 제2의 기판에 의해, 상기 전극 및 상기 형광체층을 내측으로 하는 밀봉용기가 구성되고,
    상기 밀봉용기내에 봉입가스압이 0.8∼3.0 기압으로 되도록 He, Ne, Ar, Xe, Kr중 1종 이상의 가스가 봉입되어 이루어지는
    것을 특징으로 하는 평면조명등.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 밀봉용기내에 Hg가스가 혼합되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 전극에의 전압인가를 직류구동 또는 교류구동으로 하는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 직류구동에서는 음극으로 되는 상기 전극이 산화금속으로 형성되고, 양극으로 되는 상기 전극이 금속으로 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  5. 청구항 1에 있어서, 교류구동에서는 음극 및 양극으로 되는 상기 전극 모두 산화금속 또는 금속으로 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 방전용 전극에 있어서의 전극쌍의 피치를 P로 하고,
    상기 방전용 전극과 상기 형광체층간의 거리를 L로 하고,
    방전각을 θ로 할 때,
    P≤2Ltanθ
    로 설정되어 이루어지는
    것을 특징으로 하는 평면조명등.
  7. 청구항 1에 있어서, 동일 평면상에 형성된 쌍을 이루는 상기 방전용 전극의 상호 대향면이 비직선형으로 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 방전용 전극표면에 유전체층, 또는 유전체층 및 보호막을 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 보호막이 MgO로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  10. 청구항 8에 있어서, 상기 전극에의 전압인가를 교류구동으로 하는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  11. 청구항 8에 있어서, 상기 밀봉용기내에 Hg가스가 혼합되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  12. 청구항 10에 있어서, 음극 및 양극으로 되는 상기 전극 모두 산화금속 또는 금속으로 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  13. 청구항 8에 있어서, 상기 방전용 전극에 있어서의 전극쌍의 피치를 P로 하고,
    상기 방전용 전극과 상기 형광체층간의 거리를 L로 하고,
    방전각을 θ로 할 때,
    P≤2Ltanθ
    로 설정되어 이루어지는
    것을 특징으로 하는 평면조명등.
  14. 청구항 8에 있어서, 동일 평면상에 형성된 쌍을 이루는 상기 방전용 전극의 상호 대향면이 비직선형으로 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  15. 제1의 기판에 방전용 전극을 형성하는 공정과,
    제2의 기판에 형광체층을 형성하는 공정과,
    상기 방전용 전극과 상기 형광체층이 내측으로 되도록, 상기 제1의 기판과 상기 제2의 기판을 배치하여 밀봉용기를 구성하는 공정과,
    상기 밀봉용기내에 압력이 0.8∼3.0 기압으로 되도록 방전용 가스를 봉입하는 공정과
    를 가지는 것을 특징으로 하는 평면조명등의 제조방법.
  16. 제1의 기판에 방전용 전극을 형성하는 공정과,
    상기 방전용 전극상에 유전체층, 또는 유전체층 및 보호막을 형성하는 공정과,
    제2의 기판에 형광체층을 형성하는 공정과,
    상기 방전용 전극과 상기 형광체층이 내측으로 되도록, 상기 제1의 기판과 상기 제2의 기판을 배치하여 밀봉용기를 구성하는 공정과,
    상기 밀봉용기내에 압력이 0.8∼3.0 기압으로 되도록 방전용 가스를 봉입하는 공정과
    를 가지는 것을 특징으로 하는 평면조명등의 제조방법.
  17. 제1의 기판에 복수의 방전용 전극이, 이 전극간격을 50μm 이하로 하여 형성되고,
    상기 제1의 기판에 대향하는 제2의 기판에 반사막과 형광체층이 형성되고,
    상기 제1 및 제2의 기판에 의해, 상기 전극 및 상기 형광체층을 내측으로 하는 밀봉용기가 구성되고,
    상기 밀봉용기내에 봉입가스압이 0.8∼3.0 기압으로 되도록 He, Ne, Ar, Xe, Kr중 1종 이상의 가스가 봉입되어 이루어지는
    것을 특징으로 하는 평면조명등.
  18. 청구항 17에 있어서, 상기 반사막이 상기 제2의 기판과 상기 형광체층과의 사이에 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  19. 청구항 17에 있어서, 상기 반사막이 고반사율 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  20. 청구항 19에 있어서, 상기 고반사율 재료가 알루미늄인 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  21. 청구항 17에 있어서, 상기 밀봉용기내에 Hg가스가 혼합되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  22. 청구항 17에 있어서, 상기 전극에의 전압인가를 직류구동 또는 교류구동으로 하는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  23. 청구항 17에 있어서, 직류구동에서는 음극으로 되는 상기 전극이 산화금속으로 형성되고, 양극으로 되는 상기 전극이 금속으로 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  24. 청구항 17에 있어서, 교류구동에서는 음극 및 양극으로 되는 상기 전극 모두 산화금속 또는 금속으로 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  25. 청구항 17에 있어서, 상기 방전용 전극에 있어서의 전극쌍의 피치를 P로 하고,
    상기 방전용 전극과 상기 형광체층간의 거리를 L로 하고,
    방전각을 θ로 할 때,
    P≤2Ltanθ
    로 설정되어 이루어지는
    것을 특징으로 하는 평면조명등.
  26. 청구항 17에 있어서, 동일 평면상에 형성된 쌍을 이루는 상기 방전용 전극의 상호 대향면이 비직선형으로 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  27. 청구항 17에 있어서, 상기 방전용 전극표면에 유전체층, 또는 유전체층 및 보호막을 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  28. 청구항 27에 있어서, 상기 보호막이 MgO로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  29. 청구항 27에 있어서, 상기 전극에의 전압인가를 교류구동으로 하는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  30. 청구항 27에 있어서, 상기 밀봉용기내에 Hg가스가 혼합되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  31. 청구항 29에 있어서, 음극 및 양극으로 되는 상기 전극 모두 산화금속 또는 금속으로 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  32. 청구항 27에 있어서, 상기 방전용 전극에 있어서의 전극쌍의 피치를 P로 하고,
    상기 방전용 전극과 상기 형광체층간의 거리를 L로 하고,
    방전각을 θ로 할 때,
    P≤2Ltanθ
    로 설정되어 이루어지는
    것을 특징으로 하는 평면조명등.
  33. 청구항 27에 있어서, 동일 평면상에 형성된 쌍을 이루는 상기 방전용 전극의 상호 대향면이 비직선형으로 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  34. 제1의 기판에 방전용 전극을 형성하는 공정과,
    제2의 기판에 반사막 및 형광체층을 형성하는 공정과,
    상기 방전용 전극과, 상기 형광체층이 내측으로 되도록, 상기 제1의 기판과 상기 제2의 기판을 배치하여 밀봉용기를 구성하는 공정과,
    상기 밀봉용기내에 압력이 0.8∼3.0 기압으로 되도록 방전용 가스를 봉입하는 공정과
    를 가지는 것을 특징으로 하는 평면조명등의 제조방법.
  35. 제1의 기판에 방전용 전극을 형성하는 공정과,
    상기 방전용 전극상에 유전체층, 또는 유전체층 및 보호막을 형성하는 공정과,
    제2의 기판에 반사막 및 형광체층을 형성하는 공정과,
    상기 방전용 전극과, 상기 형광체층이 내측으로 되도록, 상기 제1의 기판과 상기 제2의 기판을 배치하여 밀봉용기를 구성하는 공정과,
    상기 밀봉용기내에 압력이 0.8∼3.0 기압으로 되도록 방전용 가스를 봉입하는 공정과
    를 가지는 것을 특징으로 하는 평면조명등의 제조방법.
  36. 제1의 기판에 반사막이 형성되고,
    상기 제1의 기판에 복수의 방전용 전극이 이 전극간격을 50μm 이하로 하여 형성되고,
    상기 제1의 기판에 대향하는 제2의 기판에 형광체층이 형성되고,
    상기 제1 및 제2의 기판에 의해, 상기 전극 및 상기 형광체층을 내측으로 하는 밀봉용기가 구성되고,
    상기 밀봉용기내에 압력이 0.8∼3.0 기압으로 되도록 He, Ne, Ar, Xe, Kr중 1종 이상의 가스가 봉입되어 이루어지는
    것을 특징으로 하는 평면조명등.
  37. 청구항 36에 있어서, 상기 반사막이 상기 제1의 기판과 상기 방전용 전극과의 사이에 형성되는 동시에,
    상기 반사막과 상기 방전용 전극과의 사이에 절연막이 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  38. 청구항 36에 있어서, 상기 반사막이 고반사율 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  39. 청구항 38에 있어서, 상기 고반사율 재료가 알루미늄인 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  40. 청구항 36에 있어서, 상기 밀봉용기내에 Hg가스가 혼합되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  41. 청구항 36에 있어서, 상기 전극에의 전압인가를 직류구동 또는 교류구동으로 하는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  42. 청구항 36에 있어서, 직류구동에서는 음극으로 되는 상기 전극이 산화금속으로 형성되고, 양극으로 되는 상기 전극이 금속으로 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  43. 청구항 36에 있어서, 교류구동에서는 음극 및 양극으로 되는 상기 전극 모두 산화금속 또는 금속으로 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  44. 청구항 36에 있어서, 상기 방전용 전극에 있어서의 전극쌍의 피치를 P로 하고,
    상기 방전용 전극과 상기 형광체층간의 거리를 L로 하고,
    방전각을 θ로 할 때,
    P≤2Ltanθ
    로 설정되어 이루어지는
    것을 특징으로 하는 평면조명등.
  45. 청구항 36에 있어서, 동일 평면상에 형성된 쌍을 이루는 상기 방전용 전극의 상호 대향면이 비직선형으로 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  46. 청구항 36에 있어서, 상기 방전용 전극표면에 유전체층, 또는 유전체층 및 보호막을 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  47. 청구항 46에 있어서, 상기 보호막이 MgO로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  48. 청구항 46에 있어서, 상기 전극에의 전압인가를 교류구동으로 하는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  49. 청구항 46에 있어서, 상기 밀봉용기내에 Hg가스가 혼합되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  50. 청구항 46에 있어서, 음극 및 양극으로 되는 상기 전극 모두 산화금속 또는 금속으로 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  51. 청구항 46에 있어서, 상기 방전용 전극에 있어서의 전극쌍의 피치를 P로 하고,
    상기 방전용 전극과 상기 형광체층간의 거리를 L로 하고,
    방전각을 θ로 할 때,
    P≤2Ltanθ
    로 설정되어 이루어지는
    것을 특징으로 하는 평면조명등.
  52. 청구항 46에 있어서, 동일 평면상에 형성된 쌍을 이루는 상기 방전용 전극의 상호 대향면이 비직선형으로 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면조명등.
  53. 제1의 기판에 반사막을 형성하고, 이 반사막상에 절연막을 통하여 방전용 전극을 형성하는 공정과,
    제2의 기판에 형광체층을 형성하는 공정과,
    상기 방전용 전극과 상기 형광체층이 내측으로 되도록, 상기 제1의 기판과 상기 제2의 기판을 배치하여 밀봉용기를 구성하는 공정과,
    상기 밀봉용기내에 압력이 0.8∼3.0 기압으로 되도록 방전용 가스를 봉입하는 공정과
    를 가지는 것을 특징으로 하는 평면조명등의 제조방법.
  54. 제1의 기판에 반사막을 형성하고, 이 반사막상에 절연막을 통하여 방전용 전극을 형성하는 공정과,
    상기 방전용 전극상에 유전체층, 또는 유전체층 및 보호막을 형성하는 공정과,
    제2의 기판에 형광체층을 형성하는 공정과,
    상기 방전용 전극과 상기 형광체층이 내측으로 되도록, 상기 제1의 기판과 상기 제2의 기판을 배치하여 밀봉용기를 구성하는 공정과,
    상기 밀봉용기내에 압력이 0.8∼3.0 기압으로 되도록 방전용 가스를 봉입하는 공정과
    를 가지는 것을 특징으로 하는 평면조명등의 제조방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030060171A (ko) * 2002-01-07 2003-07-16 삼성에스디아이 주식회사 백라이트 장치
KR100697260B1 (ko) * 1999-06-12 2007-03-21 삼성전자주식회사 엘씨디 백라이트용 평판 램프
KR100737953B1 (ko) * 2005-09-23 2007-07-12 주식회사 룩스온 무수은 평면방전램프

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6246171B1 (en) * 1997-03-21 2001-06-12 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Gas discharge lamp with dielectrically impeded electrodes
KR100247821B1 (ko) * 1997-08-30 2000-03-15 손욱 플라즈마표시장치
JPH11213894A (ja) * 1998-01-23 1999-08-06 Fujitsu Ltd プラズマディスプレイパネル
DE19844720A1 (de) * 1998-09-29 2000-04-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dimmbare Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen
KR100300407B1 (ko) * 1998-10-14 2001-09-06 김순택 플라즈마표시장치
JP2000357462A (ja) * 1998-10-23 2000-12-26 Sony Corp 平面型プラズマ放電表示装置と駆動方法
WO2000026937A1 (fr) * 1998-10-29 2000-05-11 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Ecran a plasma a decharge plate en courant alternatif
KR100556475B1 (ko) * 1999-04-01 2006-03-03 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
JP3587118B2 (ja) * 2000-02-24 2004-11-10 日本電気株式会社 プラズマディスプレイパネル
EP1202319A2 (en) * 2000-10-27 2002-05-02 Sony Corporation Alternating current driven type plasma display
US7548015B2 (en) * 2000-11-02 2009-06-16 Danfoss A/S Multilayer composite and a method of making such
US7518284B2 (en) 2000-11-02 2009-04-14 Danfoss A/S Dielectric composite and a method of manufacturing a dielectric composite
WO2004027970A1 (en) * 2002-09-20 2004-04-01 Danfoss A/S An elastomer actuator and a method of making an actuator
US8181338B2 (en) 2000-11-02 2012-05-22 Danfoss A/S Method of making a multilayer composite
JP2002170521A (ja) * 2000-11-29 2002-06-14 Nec Corp 平面型蛍光ランプ、照明装置及び液晶表示装置
US7259150B2 (en) * 2001-08-07 2007-08-21 Isis Pharmaceuticals, Inc. Modulation of apolipoprotein (a) expression
DE60224844T2 (de) 2001-12-21 2009-01-08 Danfoss A/S Dielektrisches betätigungsglied oder sensorstruktur und herstellungsverfahren
JP4271902B2 (ja) * 2002-05-27 2009-06-03 株式会社日立製作所 プラズマディスプレイパネル及びそれを用いた画像表示装置
ES2309502T3 (es) 2003-02-24 2008-12-16 Danfoss A/S Vendaje de compresion elastico electroactivo.
CN1324642C (zh) * 2003-04-16 2007-07-04 翰立光电股份有限公司 冷阴极平面灯结构
KR101018344B1 (ko) 2004-01-08 2011-03-04 삼성에스디아이 주식회사 전계방출형 백라이트 유니트 및 그 구동 방법과 하부패널의 제조 방법
KR20070010844A (ko) * 2005-07-20 2007-01-24 삼성전자주식회사 면광원 장치 및 이를 구비한 표시 장치
US7732999B2 (en) * 2006-11-03 2010-06-08 Danfoss A/S Direct acting capacitive transducer
US7880371B2 (en) * 2006-11-03 2011-02-01 Danfoss A/S Dielectric composite and a method of manufacturing a dielectric composite
CN102165237A (zh) * 2008-04-30 2011-08-24 丹佛斯多能公司 电动阀
EP2294317B1 (en) * 2008-04-30 2013-04-17 Danfoss Polypower A/S A pump powered by a polymer transducer
KR20100000195A (ko) * 2008-06-24 2010-01-06 삼성에스디아이 주식회사 발광 장치 및 이 발광 장치를 광원으로 사용하는 표시 장치
JP5565793B2 (ja) * 2009-12-08 2014-08-06 学校法人立命館 深紫外発光素子及びその製造方法
US8891222B2 (en) 2012-02-14 2014-11-18 Danfoss A/S Capacitive transducer and a method for manufacturing a transducer
US8692442B2 (en) 2012-02-14 2014-04-08 Danfoss Polypower A/S Polymer transducer and a connector for a transducer
US20150353180A1 (en) * 2013-04-26 2015-12-10 Scott A. Strozier Plasma-lift apparatus and methods for making and using same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62226556A (ja) * 1986-03-26 1987-10-05 Mitsubishi Electric Corp 平板状光源
JPH0315136A (ja) * 1989-06-12 1991-01-23 Mitsubishi Electric Corp プラズマディスプレイ装置およびプラズマディスプレイ装置の製造方法
US4978888A (en) * 1989-07-18 1990-12-18 Thomas Electronics Incorporated Thick-film integrated flat fluorescent lamp
KR920003398A (ko) * 1990-07-27 1992-02-29 김정배 간섭필터를 보유한 투사관
US5477105A (en) * 1992-04-10 1995-12-19 Silicon Video Corporation Structure of light-emitting device with raised black matrix for use in optical devices such as flat-panel cathode-ray tubes
US5343115A (en) * 1992-05-15 1994-08-30 Thomas Electronics Incorporated Efficient large area multi-channel flat fluorescent lamp
KR0129515B1 (ko) * 1992-08-11 1998-04-08 강진구 냉장고의 고내온도 제어방법
KR100322057B1 (ko) * 1994-10-11 2002-05-13 김순택 면광원장치
JP3339554B2 (ja) * 1995-12-15 2002-10-28 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
US5723945A (en) * 1996-04-09 1998-03-03 Electro Plasma, Inc. Flat-panel display

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100697260B1 (ko) * 1999-06-12 2007-03-21 삼성전자주식회사 엘씨디 백라이트용 평판 램프
KR20030060171A (ko) * 2002-01-07 2003-07-16 삼성에스디아이 주식회사 백라이트 장치
KR100737953B1 (ko) * 2005-09-23 2007-07-12 주식회사 룩스온 무수은 평면방전램프

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Publication number Publication date
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