KR19980066881U - Wafer guide - Google Patents
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Abstract
본 고안은 내부에 웨이퍼가 삽입되는 다수의 슬롯이 형성된 지지대를 구비하여 슬롯과 슬롯들 사이에 삽입시킨 웨이퍼를 일정간격으로 유지시키는 웨이퍼가이드에 관한 것으로, 지지대의 단면적이 하부로 갈수록 작아지도록 형성하고, 또한 슬롯과 슬롯 사이에 보조바를 형성한 것이 특징으로 한다.The present invention relates to a wafer guide having a slot formed with a plurality of slots into which a wafer is inserted to maintain the wafer inserted between the slot and the slots at a predetermined interval. In addition, it is characterized in that the auxiliary bar is formed between the slot and the slot.
따라서, 본 고안의 웨이퍼가이드는 와류발생으로 인한 세정불량에 따른 웨이퍼의 오염 발생을 억제하고, 웨이퍼와 접촉되는 면적을 최소화하여 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.Therefore, the wafer guide of the present invention can suppress the contamination of the wafer due to the cleaning failure due to the vortex generation, and can minimize the area of contact with the wafer to improve the yield of the product.
Description
본 고안은 왯스테이션(wet station) 내에서 웨이퍼 세정용으로 사용되는 웨이퍼가이드(wafer guide)에 관한 것으로, 특히 처리조 내로 디핑되는 다수의 웨이퍼를 일정간격으로 유지시키어 세정하기에 적당한 웨이퍼가이드에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer guide used for wafer cleaning in a wet station, and more particularly, to a wafer guide suitable for cleaning by maintaining a plurality of wafers dipped into a processing tank at a predetermined interval. will be.
반도체 디바이스 제조공정에는 웨이퍼 표면에 여러 가지 물질을 도포하거나, 증착시키거나 또는 소정 분위기에서 열처리하는 공정 등이 있으며, 공정 진행 중에 반도체웨이퍼 표면에는 각종 오염이 생기거나 잔재할 가능성이 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION A semiconductor device manufacturing process includes a process of coating, depositing, or heat treatment in a predetermined atmosphere on a wafer surface, and there is a possibility that various contaminations may occur or remain on the surface of the semiconductor wafer during the process.
따라서, 반도체웨이퍼는 표면에 잔재하는 오염 물질을 제거하기 위해 각각의 공정 사이에 표면을 세정하는 공정이 필요하다. 이 때 사용되는 세정기술은 이러한 여러가지 오염을 물리적, 화학적 방법을 구사해서 제거한다.Therefore, the semiconductor wafer needs a process of cleaning the surface between the respective processes in order to remove contaminants remaining on the surface. The cleaning technology used at this time removes these various contaminants using physical and chemical methods.
가장 일반적인 화학적 세정방법으로 수세정(水洗淨)이 사용되는 데, 이 수세정은 왯스테이션 내에 웨이퍼를 디핑한 후, 순수 또는 세정액 등의 처리액과 웨이퍼 표면과의 화학반응을 통해 세정하는 것이다. 이 때, 디핑되는 다수의 웨이퍼가 서로 일정간격을 유지하여서 웨이퍼 간에 간섭을 주지 않아야 하는 데, 이러한 간섭을 방지하기 위해 각각의 웨이퍼를 안내할 웨이퍼가이드가 필요하다.Water washing is used as the most common chemical cleaning method. The water washing is performed by dipping a wafer in a washing station and then cleaning by chemical reaction between a treatment liquid such as pure water or cleaning liquid and the surface of the wafer. . At this time, the plurality of wafers to be dipped should not be interfered with each other by maintaining a constant distance from each other, a wafer guide is required to guide each wafer to prevent such interference.
도 1 내지 도 3은 종래의 웨이퍼가이드를 설명하기 위해 도시한 도면으로, 도 1은 종래의 웨이퍼가이드의 정면도이고, 도 2는 종래의 웨이퍼가이드 및 그 내부에 형성된 지지대의 측면도이고, 도 3은 종래의 웨이퍼가이드 내부에 형성된 지지대의 사시도이다.1 to 3 illustrate a conventional wafer guide, FIG. 1 is a front view of a conventional wafer guide, FIG. 2 is a side view of a conventional wafer guide and a support formed therein, and FIG. A perspective view of a support formed in a conventional wafer guide.
웨이퍼를 일정간격으로 유지시키어 처리조 내로 디핑시키기 위한 종래의 일반적인 웨이퍼가이드는 도 1 내지 도 3과 같이, 하부가 개방된 가이드몸체(100)와, 몸체(100) 내부에 형성되고, 웨이퍼(106)가 삽입되어 장착되는 다수의 슬롯(104)이 형성된 지지대(102)로 구성된다.Conventional wafer guides for maintaining the wafer at a predetermined interval and dipping into the processing tank are formed in the guide body 100 and the body 100 with the lower portion as shown in FIGS. 1 to 3, and the wafer 106. ) Is composed of a support (102) formed with a plurality of slots 104 are inserted and mounted.
그리고 슬롯(104)과 슬롯들 사이에는 웨이퍼(106)를 지지하는 다수의 기둥(108)이 형성된다.In addition, a plurality of pillars 108 supporting the wafer 106 are formed between the slot 104 and the slots.
이와 같이 구성된 종래의 웨이퍼가이드는 웨이퍼 세정공정 시, 내부에 다수의 슬롯(104)이 형성된 지지대(102)의 각각의 슬롯에 대응되도록 웨이퍼(106)가 삽입되어진 후, 처리조 내에 디핑되며, 이 때, 처리조 내에는 중앙으로 부터 처리액이 공급되어 웨이퍼가이드 내에 삽입된 각각의 웨이퍼와 웨이퍼 사이에 흐르면서 처리액과 웨이퍼 표면 간에 화학반응을 통해 웨이퍼 세정공정이 진행된다.In the conventional wafer guide configured as described above, during the wafer cleaning process, the wafer 106 is inserted to correspond to each slot of the support 102 having the plurality of slots 104 formed therein, and then dipped into the processing tank. At this time, the processing liquid is supplied from the center into the processing tank and flows between each wafer and the wafer inserted into the wafer guide, thereby performing a wafer cleaning process through a chemical reaction between the processing liquid and the wafer surface.
그러나, 종래의 웨이퍼가이드에서는 처리조 하부로 부터 공급되는 처리액과 지지대 몸체의 접촉면과의 마찰로 인하여 와류가 발생되며, 이러한 와류로 인하여 처리조 하부에 침체된 이물질이 처리조 공간 전체로 퍼지게 되어 웨이퍼 표면에 재흡착되므로 웨이퍼가 불균일하게 세정되어 표면 상에 띠모양의 파티클을 형성시키어 제품의 수율이 저하되는 문제점이 있었다.However, in the conventional wafer guide, vortices are generated due to friction between the processing liquid supplied from the lower part of the processing tank and the contact surface of the support body, and the foreign substances stagnated in the lower part of the processing tank are spread through the processing tank space due to the vortices. Since the wafer is resorbed on the surface of the wafer, the wafer is unevenly cleaned to form strip-shaped particles on the surface, thereby lowering the yield of the product.
또한, 종래의 웨이퍼가이드에서는 슬롯에 삽입된 웨이퍼가 슬롯과 슬롯 사이의 기둥으로 비스듬히 기울어져서 접촉됨에 따라, 기둥에 부착된 파티클이웨이퍼 표면으로 옮겨져서 제품이 손상되는 문제점이 있다.In addition, in the wafer guide according to the related art, as the wafer inserted into the slot is inclined at an angle to the pillar between the slot and the contact, the particles attached to the pillar are transferred to the wafer surface, thereby causing damage to the product.
따라서 본 고안은 이러한 문제점들을 해결하고자 안출된 것으로, 본 고안의 목적은 처리조 하부로 부터 공급되는 처리액과 가이드몸체와 접촉됨에 따라 발생되는 와류를 감소시키는 웨이퍼가이드를 제공하는 데 있다.Therefore, the present invention is devised to solve these problems, and an object of the present invention is to provide a wafer guide to reduce the vortices generated by contact with the processing liquid and the guide body supplied from the bottom of the treatment tank.
그리고 본 고안의 다른 목적으로는 웨이퍼 가장자리와 접촉되는 슬롯의 면적을 최소화하는 웨이퍼가이드를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a wafer guide that minimizes the area of the slot in contact with the wafer edge.
본 고안의 웨이퍼가이드는 상기의 목적들을 해결하고자, 하부가 개방된 가이드 몸체와, 웨이퍼가 삽입되어 장착되는 다수의 슬롯이 형성된 지지대와, 슬롯과 슬롯 사이에 형성되어 삽입되는 웨이퍼 가장자리와 접촉되는 보조바로 구비된 것을 특징으로 한다.In order to solve the above objects, the wafer guide of the present invention has a guide body having a lower opening, a support having a plurality of slots into which a wafer is inserted and mounted, and an auxiliary contacting a wafer edge formed between the slot and the slot. Characterized in that provided immediately.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 고안을 설명하겠다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1 내지 도 3은 종래의 웨이퍼가이드를 설명하기 위해 도시한 도면으로,1 to 3 are diagrams for explaining a conventional wafer guide,
도 1은 종래의 웨이퍼가이드의 정면도이고,1 is a front view of a conventional wafer guide,
도 2는 종래의 웨이퍼가이드 및 그 내부에 형성된 지지대의 측면도이고,2 is a side view of a conventional wafer guide and a support formed therein;
도 3은 종래의 웨이퍼가이드 내부에 형성된 지지대의 사시도이다.3 is a perspective view of a support formed in a conventional wafer guide.
도 4는 본 고안의 웨이퍼가이드 및 그 내부에 형성된 지지대의 측면도이고,Figure 4 is a side view of the wafer guide of the present invention and the support formed therein,
도 5는 본 고안의 웨이퍼가이드 내의 지지대의 사시도이다.Figure 5 is a perspective view of the support in the wafer guide of the present invention.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
100,200:가이드몸체102,202:지지대100,200: guide body 102,202: support
104,204:슬롯106,206:웨이퍼104,204: Slot 106,206: Wafer
205:보조바208:기둥205: Secondary bar 208: pillar
도 4는 본 고안의 웨이퍼가이드 및 그 내부에 형성된 지지대의 측면도이고, 도 5는 본 고안의 웨이퍼가이드 내의 지지대의 사시도이다.Figure 4 is a side view of the wafer guide of the present invention and the support formed therein, Figure 5 is a perspective view of the support in the wafer guide of the present invention.
본 고안의 웨이퍼가이드는 도 4와 도 5와 같이, 하부가 개방된 가이드몸체(200)와, 가이드몸체(200) 내부에 형성되고, 웨이퍼(206)가 삽입되어 장착되는 다수의 슬롯(204)이 형성되는 지지대(202)와, 슬롯(205)과 슬롯 사이에 형성되어, 삽입되는 웨이퍼(206) 가장자리와 접촉되는 보조바(205)로 구성된다.4 and 5, the wafer guide of the present invention has a guide body 200 having an open lower portion, and a plurality of slots 204 formed inside the guide body 200 and into which the wafer 206 is inserted and mounted. The support 202 is formed, and the auxiliary bar 205 formed between the slot 205 and the slot and in contact with the edge of the wafer 206 to be inserted.
그리고 슬롯과 슬롯들 사이에는 웨이퍼(206)를 지지하는 다수의 기둥(208)이 형성된다.A plurality of pillars 208 supporting the wafer 206 are formed between the slots and the slots.
이와 같이 구성된 본 고안의 웨이퍼가이드는 웨이퍼 세정공정 시, 지지대(202)에 형성된 각각의 슬롯(204)과 슬롯들 사이에 세정될 웨이퍼(206)가 삽입되어 진다.In the wafer guide according to the present invention configured as described above, the wafer 206 to be cleaned is inserted between the slots 204 and the slots formed in the support 202 during the wafer cleaning process.
이 때, 슬롯(204)과 슬롯 사이에 형성된 보조바(205) 상단은 평평하여, 평평한 면에 웨이퍼(206) 가장자리가 접촉되어 지지되며, 또한 상단부의 단면적이 하단부보다 작도록 형성된다.At this time, the slot 204 and the upper end of the auxiliary bar 205 formed between the slot is flat, the edge of the wafer 206 is in contact with the flat surface is supported, and the cross-sectional area of the upper end is formed to be smaller than the lower end.
따라서, 상단부로 갈수록 단면적이 작아짐에 따라, 슬롯(204)에 삽입된 웨이퍼(206)가 슬롯과 슬롯 사이의 기둥(208)에 비스듬히 기울어질 시, 웨이퍼(206)와의 접촉되는 면적을 최소화한다.Thus, as the cross-sectional area decreases toward the upper end, the area in contact with the wafer 206 is minimized when the wafer 206 inserted in the slot 204 is inclined obliquely to the pillar 208 between the slot and the slot.
이어서 웨이퍼가이드는 처리조 내로 디핑되며, 이 때, 처리조 내에는 중앙으로 부터 처리조 상부쪽으로 처리액이 공급되면서 처리조 벽을 타고 처리액이 넘쳐 흐른다.Subsequently, the wafer guide is dipped into the treatment tank, where the treatment liquid flows from the center to the upper portion of the treatment tank and flows over the treatment tank wall.
이 때, 본 고안의 지지대(202)의 단면적은 하부로 갈수록 작게 형성하여 상부쪽으로 처리액이 공급되면서 발생되는 와류를 최소화한다.At this time, the cross-sectional area of the support 202 of the present invention is made smaller toward the bottom to minimize the vortex generated while the processing liquid is supplied to the upper side.
또한, 하부로 갈수록 단면적이 작도록 형성된 본 고안의 지지대(202)는 그 단면 형상을 다야몬드형 또는 원형 또는 타원형으로 할 수도 있다.In addition, the support 202 of the present invention formed to have a smaller cross-sectional area toward the bottom may have a diamond-shaped, circular or oval shape.
다음에, 웨이퍼가이드 내에 삽입된 각각의 웨이퍼와 웨이퍼 사이로 처리액이 흐르면서 웨이퍼 표면과 화학반응을 하여 웨이퍼(206) 표면에 부착된 이물을 제거하여 웨이퍼 세정공정이 완료된다.Next, a processing liquid flows between each of the wafers inserted in the wafer guide and the wafer, and chemically reacts with the wafer surface to remove foreign substances adhering to the wafer 206 surface, thereby completing the wafer cleaning process.
상기에서 살펴본 바와 같이, 본 고안의 웨이퍼가이드에서는 웨이퍼가이드 하부의 면적을 좁게 형성함으로써, 웨이퍼 세정공정 진행 시, 처리조 하부로 부터 공급되는 처리액과 지지대몸체의 접촉면과의 마찰로 인하여 발생되는 와류를 감소시키어 처리조 내에 발생된 이물질이 공간 전체로 퍼지게 됨을 방지하여 안정된 세정공정을 진행시킬 수 있다.As described above, in the wafer guide of the present invention, the area of the lower portion of the wafer guide is formed to be narrow, so that the vortices generated by friction between the processing liquid supplied from the lower portion of the processing tank and the contact surface of the support body during the wafer cleaning process are performed. In order to prevent the foreign matters generated in the treatment tank from spreading to the entire space, it is possible to proceed with a stable cleaning process.
또한, 웨이퍼 삽입 시, 슬롯과 슬롯 사이에 형성된 보조바에 의해 웨이퍼와 기둥과의 접촉되는 면적을 최소화한다.In addition, when the wafer is inserted, the contact area between the wafer and the pillar is minimized by the auxiliary bar formed between the slot and the slot.
따라서, 와류발생으로 인한 세정불량에 따른 웨이퍼의 오염 발생을 억제하고, 웨이퍼와 접촉되는 면적을 최소화하여 제품의 수율을 향상시키는 잇점이 있다.Accordingly, there is an advantage in that the contamination of the wafer due to the cleaning failure due to the vortex generation is suppressed and the yield of the product is improved by minimizing the area in contact with the wafer.
Claims (4)
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR2019970011354U KR19980066881U (en) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | Wafer guide |
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| KR2019970011354U KR19980066881U (en) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | Wafer guide |
Publications (1)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030048682A (en) * | 2001-12-12 | 2003-06-25 | 삼성전자주식회사 | Wafer guide and wet etching apparatus having it |
| KR100487541B1 (en) * | 2002-09-06 | 2005-05-03 | 삼성전자주식회사 | Wafer guides used in cleaning/drying process of semiconductor substrates |
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1997
- 1997-05-20 KR KR2019970011354U patent/KR19980066881U/en not_active Application Discontinuation
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| KR20030048682A (en) * | 2001-12-12 | 2003-06-25 | 삼성전자주식회사 | Wafer guide and wet etching apparatus having it |
| KR100487541B1 (en) * | 2002-09-06 | 2005-05-03 | 삼성전자주식회사 | Wafer guides used in cleaning/drying process of semiconductor substrates |
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