KR20010091552A - A chuck cleaning apparatus for transfer robot - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A chuck cleaning device of a transfer robot is provided to remove the residual cleaning solution of a robot chuck by improving a structure of a chuck cleaning device. CONSTITUTION: A vessel(10) has an opened upper portion for inserting a chuck(252) of a transfer robot(250). The first nozzle(20) is installed in an upper end portion of the vessel(10). The first nozzle(20) is used for injecting a purge gas to the chuck(252) of the transfer robot(250) inserted into the vessel(10). The second nozzle(30) is installed under the first nozzle(20). The second nozzle(30) is used for injecting a cleaning solution to the chuck(252) of the transfer robot(250) inserted into the vessel(10). A chamber(40) is installed at a lower end portion of the vessel(10). The chamber(40) has an opening(42) for inserting into the inside of the chamber(40). The chamber(40) is used for drying the chuck(252) inserted through the opening(42). An exhaust portion(60) is installed at a side of the vessel(10). The exhaust portion(60) is used for exhausting heat of the chamber(40) to an exhaust duct.

Description

이송 로봇의 척 세정장치{A CHUCK CLEANING APPARATUS FOR TRANSFER ROBOT}Chuck cleaning device of transfer robot {A CHUCK CLEANING APPARATUS FOR TRANSFER ROBOT}

본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 습식 식각 설비에서 반도체 웨이퍼를 이송시키기 위한 이송 로봇의 척 세정장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a chuck cleaning apparatus of a transfer robot for transferring a semiconductor wafer in a wet etching facility.

현재 사용되고 있는 습식 식각 장비에는 웨이퍼와 웨이퍼에 형성된 막질 및감광액 등을 크리닝, 식각, 스트립 하기 위한 여러 종류의 화학 용액과 초순수가 사용된다.Currently used wet etching equipment uses a variety of chemical solutions and ultrapure water for cleaning, etching and stripping the wafer and the film quality and photoresist formed on the wafer.

이러한 습식 식각 장비의 공정조(처리조)로는 웨이퍼를 에칭 또는 크리닝 하기 위한 약액 배스(chemical bath)및 초순수 린스 배스(DIW rinse bath)가 있으며, 습식 식각 설비에서는 웨이퍼를 이들 공정조에 담그기 위하여 이송 로봇이 사용된다. 이러한 용도로 사용되는 이송 로봇(250)은 주기적으로 로봇 척(252)에 묻어 있는 약액(불순물)을 제거하는 세정 공정을 거치게 된다. 도 1에는 습식 식각 설비의 이송 로봇를 세정하기 위한 장치(200)가 도시되어 있다. 도 1에서 보여주는 바와 같이, 세정 장치(200)에서는 로봇 척(252)이 용기(210)상에서 상하 이동될 때, 용기에 설치된 제 1 노즐(220)에서 초순수를 분사하여 세정하고, 용기 상부에 설치된 제 2 노즐(230)에서 질소가스를 분사하여 로봇 척(252)에 묻은 초순수를 제거하게 된다.Process baths (treatment baths) of such wet etching equipment include chemical baths for etching or cleaning wafers and ultrapure rinse baths. In wet etching facilities, transfer robots are used to immerse wafers in these process baths. This is used. The transfer robot 250 used for this purpose periodically undergoes a cleaning process for removing the chemical liquid (impurity) from the robot chuck 252. 1 shows an apparatus 200 for cleaning a transfer robot of a wet etching facility. As shown in FIG. 1, in the cleaning device 200, when the robot chuck 252 is moved up and down on the container 210, ultrapure water is sprayed and cleaned from the first nozzle 220 installed in the container, and installed on the container. Nitrogen gas is injected from the second nozzle 230 to remove ultrapure water from the robot chuck 252.

그러나, 이러한 종래 이송 로봇의 척 세정 장치(200)에서는 로봇 척(252)에 묻은 세정액(특히, 척의 하단부분 묻은 세정액)을 완벽하게 제거하지 못하고 있다. 따라서, 세정액이 남아 있는 상태에서, 로봇 척(252)이 웨이퍼를 척킹하거나 이동하며, 로봇 척(252)에 남아 있는 세정액이 웨이퍼와 그 주변을 오염시키고, 캐리어(carrier)에 떨어져서 후속공정의 웨이퍼 및 설비를 오염시키는 악영향을 끼치게 된다.However, in the conventional chuck cleaning device 200 of the transfer robot, the cleaning liquid on the robot chuck 252 (particularly, the cleaning liquid on the lower end of the chuck) cannot be completely removed. Therefore, with the cleaning liquid remaining, the robot chuck 252 chucks or moves the wafer, and the cleaning liquid remaining on the robot chuck 252 contaminates the wafer and its surroundings, falls off the carrier, and the wafer of the subsequent process. And adversely affect the equipment.

본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 로봇 척에 잔존하는 세정액을 완전히 제거할 수 있는 새로운 형태의 이송 로봇의 척 세정장치를 제공하는데 있다.The present invention is to solve such a conventional problem, an object of the present invention is to provide a chuck cleaning apparatus of a transfer robot of a new type that can completely remove the cleaning liquid remaining in the robot chuck.

도 1은 종래 로봇 척의 세정장치를 보여주는 도면;1 is a view showing a cleaning device of a conventional robot chuck;

도 2는 본 발명에 따른 로봇 척의 세정장치를 보여주는 도면;2 shows a cleaning device for a robot chuck in accordance with the present invention;

도 3은 도 2에서 로봇 척의 세정 과정을 설명하기 위한 도면이다.3 is a view for explaining a cleaning process of the robot chuck in FIG.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

10 : 용기 20 : 제 1 노즐10 container 20 first nozzle

30 : 제 2 노즐 40 : 챔버30: second nozzle 40: chamber

42 : 오프닝 50 : 히터42: opening 50: heater

60 : 배기구 70 : 퍼지가스 공급라인60: exhaust port 70: purge gas supply line

250 : 이송 로봇 252 : 로봇 척250: transfer robot 252: robot chuck

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 반도체 웨이퍼의 습식 식각 설비에서 사용되는 웨이퍼 이송 로봇의 척을 세정하기 위한 장치는 이송 로봇의 척이 삽입될 수 있도록 상면이 개방된 용기와; 상기 용기의 상단에 설치되는 그리고 상기 용기 내부로 들어온 이송 로봇의 척에 퍼지 가스를 분사하기 위한 제 1 노즐과; 상기 제 1 노즐보다 아래에 위치되도록 상기 용기에 설치되는 그리고 상기 이송 로봇의 척에 세정액을 분사하기 위한 제 2 노즐과; 상기 용기 하단에 설치되고, 상기 이송 로봇의 척이 내부에 위치될 수 있도록 척 삽입을 위한 오프닝을 가지며, 상기 오프닝을 통해 삽입된 척을 건조시키기 위한 고온의 챔버 및; 상기 용기의 측면에 설치되어, 상기 챔버에서 발생되어 상승하는 열을 용기 상부로 유출시키기 않고 배기 덕트로 강제 배기 시키기 위한 배기구를 포함한다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, the apparatus for cleaning the chuck of the wafer transfer robot used in the wet etching equipment of the semiconductor wafer includes a container having an upper surface open so that the chuck of the transfer robot can be inserted; A first nozzle installed at an upper end of the vessel and for injecting purge gas to the chuck of a transfer robot that has entered the vessel; A second nozzle installed in the container so as to be positioned below the first nozzle and for injecting a cleaning liquid into the chuck of the transfer robot; A high temperature chamber installed at the bottom of the container, having an opening for inserting the chuck so that the chuck of the transfer robot can be positioned therein, and drying the chuck inserted through the opening; It is provided on the side of the container, and includes an exhaust port for forcibly exhausting the exhaust heat generated in the chamber to the exhaust duct without flowing out to the upper portion of the container.

이와 같은 본 발명에서 상기 챔버의 내부 온도를 높이기 위하여 상기 챔버 내부에 설치되는 히터를 더 포함할 수 있다. 그리고 상기 챔버 내부로 고온의 퍼지 가스를 주입하기 위한 공급 라인을 더 포함할 수 있다.In the present invention as described above may further include a heater installed inside the chamber to increase the internal temperature of the chamber. And it may further include a supply line for injecting a high temperature purge gas into the chamber.

이하 본 발명의 실시예를 첨부도면 도 2 내지 도 3에 의거하여 상세히 설명한다. 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호를 병기한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 3. Like reference numerals designate like elements.

도 2는 본 발명의 실시예에 의한 이송 로봇의 척 세정장치를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 3은 도 2에서 이송 로봇의 척 세정을 보여주는 도면이다.2 is a view schematically showing a chuck cleaning device of a transfer robot according to an embodiment of the present invention. 3 is a view showing the chuck cleaning of the transfer robot in FIG.

도 2 내지 도 3을 참조하면, 본 발명에 의한 이송 로봇의 척 세정장치(100)는 용기(10), 제 1 노즐(20), 제 2 노즐(30), 챔버(40), 히터(50), 배기구(60) 그리고 퍼지가스 공급 라인(70)을 구비한다. 상기 용기(10)는 이송 로봇(250)의 척이 삽입될 수 있도록 상면이 개방되어 있다. 상기 제 1 노즐(20)은 상기 용기(10)의 상단에 설치된다. 상기 제 2 노즐(30)은 상기 제 1 노즐(20)보다 아래쪽에 위치되도록 상기 용기(10)에 설치된다. 상기 제 1 노즐(20)에서는 상기 용기(10) 내부로 들어온 상기 로봇 척(252)에 퍼지 가스를 분사한다. 그리고 상기 제 2 노즐(30)에서는 상기 용기(10) 내부로 들어온 이송 로봇의 척(252)에 세정액을 분사한다.2 to 3, the chuck cleaning device 100 of the transfer robot according to the present invention includes a container 10, a first nozzle 20, a second nozzle 30, a chamber 40, and a heater 50. ), An exhaust port 60 and a purge gas supply line 70. The upper surface of the container 10 is open so that the chuck of the transfer robot 250 can be inserted. The first nozzle 20 is installed on the upper end of the container 10. The second nozzle 30 is installed in the container 10 to be located below the first nozzle 20. The first nozzle 20 sprays a purge gas to the robot chuck 252 introduced into the container 10. In addition, the second nozzle 30 sprays the cleaning liquid onto the chuck 252 of the transfer robot introduced into the container 10.

한편, 상기 챔버(40)는 상기 용기(10) 하단에 설치되며, 이송 로봇(250)의 척(252)이 내부 공간에 위치될 수 있도록 척 삽입을 위한 오프닝(42)을 가진다. 상기 챔버(40)는 상기 오프닝(42)을 통해 삽입된 로봇 척(252)을 건조시키기 위하여 내부 온도가 높게 설정된다. 상기 챔버(40) 내부의 온도를 높이기 위하여 상기 챔버(40)에는 히터(50)가 설치된다. 그리고, 상기 퍼지 가스 공급 라인(70)은 질소가스를 상기 챔버(40) 내부로 주입하기 위한 것으로, 상기 히터(50)에 의해 가열된 챔버 내부에 열은 상기 퍼지 가스 공급라인(70)을 통해 주입된 질소 가스에 의해 확산된다.On the other hand, the chamber 40 is installed at the bottom of the container 10, and has an opening 42 for inserting the chuck so that the chuck 252 of the transfer robot 250 can be located in the interior space. The chamber 40 has a high internal temperature to dry the robot chuck 252 inserted through the opening 42. The heater 50 is installed in the chamber 40 to increase the temperature inside the chamber 40. In addition, the purge gas supply line 70 is for injecting nitrogen gas into the chamber 40, and heat is supplied into the chamber heated by the heater 50 through the purge gas supply line 70. It is diffused by the injected nitrogen gas.

한편, 상기 배기구(60)는 상기 용기(10)의 측면에 설치된다. 상기 용기(10)의 측면에 배기구(60)를 형성한 것은 상기 챔버(40)에서 발생되어 상승하는 열을 설비 외부로 유출시키지 않기 위한 것으로, 상기 챔버(40)에서 발생되어 상승하는열은 용기(10) 상부로 유출되지 않고 상기 배기구(60)를 통해 배기 덕트로 강제 배기된다.On the other hand, the exhaust port 60 is provided on the side of the container (10). The exhaust port 60 is formed on the side surface of the container 10 so that the heat generated in the chamber 40 does not flow out of the facility and the heat generated in the chamber 40 rises. 10 is forcibly exhausted to the exhaust duct through the exhaust port 60 without flowing out.

상술한 바와 같은 세정장치(100)에서의 로봇 척의 세정 작업은 다음과 같이 이루어진다. 먼저, 상기 제 2 노즐(30)에서 크리닝용 초순수를 상기 로봇 척(252)에 분사하여 로봇 척(252)에 묻어 있는 약액을 제거한다. 그리고 제 1 노즐(20)에서 질소 가스를 분사하여 로봇 척(252)에 묻은 초순수를 1차로 떨어뜨린다. 그런 후 상기 로봇 척(252)에 남아 있을 지도 모르는 물기를 완전히 제거하기 위하여 상기 로봇 척(252)을 상기 오프닝(42)을 통해 상기 챔버(40) 내부로 삽입시킨다. 상기 챔버(40)에서는 히터(50)와 질소 가스에 의한 열의 확산을 이용하여 상기 로봇 척(252)에 제거되지 않고 남아있는 물방울을 완전히 건조시키게 된다.The cleaning operation of the robot chuck in the cleaning device 100 as described above is performed as follows. First, the cleaning liquid is sprayed on the robot chuck 252 by the second nozzle 30 to remove the chemical liquid from the robot chuck 252. Then, nitrogen gas is injected from the first nozzle 20 so that ultrapure water buried in the robot chuck 252 is first dropped. The robot chuck 252 is then inserted into the chamber 40 through the opening 42 to completely remove any water that may remain in the robot chuck 252. In the chamber 40, the water droplets that are not removed from the robot chuck 252 are completely dried by using the diffusion of heat by the heater 50 and nitrogen gas.

이상에서, 본 발명에 따른 장치의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.In the above, the configuration and operation of the apparatus according to the present invention is shown in accordance with the above description and drawings, but this is merely an example, and various changes and modifications are possible without departing from the spirit of the present invention. .

이와 같은 본 발명을 적용하면, 로봇 척에 잔존하는 세정액을 완전히 제거함으로써 척에 묻어 있는 세정액에 의한 파티클 발생을 방지할 수 있다.By applying the present invention as described above, it is possible to prevent particles from being generated by the cleaning liquid on the chuck by completely removing the cleaning liquid remaining on the robot chuck.

Claims (3)

반도체 웨이퍼의 습식 식각 설비에서 사용되는 웨이퍼 이송 로봇의 척을 세정하기 위한 장치에 있어서:Apparatus for cleaning chucks of wafer transfer robots used in wet etching facilities of semiconductor wafers: 이송 로봇의 척이 삽입될 수 있도록 상면이 개방된 용기와;A container having an open top surface so that the chuck of the transfer robot can be inserted therein; 상기 용기의 상단에 설치되는 그리고 상기 용기 내부로 들어온 이송 로봇의 척에 퍼지 가스를 분사하기 위한 제 1 노즐과;A first nozzle installed at an upper end of the vessel and for injecting purge gas to the chuck of a transfer robot that has entered the vessel; 상기 제 1 노즐보다 아래에 위치되도록 상기 용기에 설치되는 그리고 상기 이송 로봇의 척에 세정액을 분사하기 위한 제 2 노즐과;A second nozzle installed in the container so as to be positioned below the first nozzle and for injecting a cleaning liquid into the chuck of the transfer robot; 상기 용기 하단에 설치되고, 상기 이송 로봇의 척이 내부에 위치될 수 있도록 척 삽입을 위한 오프닝을 가지며, 상기 오프닝을 통해 삽입된 척을 건조시키기 위한 고온의 챔버 및;A high temperature chamber installed at the bottom of the container, having an opening for inserting the chuck so that the chuck of the transfer robot can be positioned therein, and drying the chuck inserted through the opening; 상기 용기의 측면에 설치되어, 상기 챔버에서 발생되어 상승하는 열을 용기 상부로 유출시키기 않고 배기 덕트로 강제 배기 시키기 위한 배기구를 포함하는 것을 이송 로봇의 척 세정장치.And an exhaust port installed at a side of the container to forcibly exhaust the heat generated in the chamber and rising from the chamber to the exhaust duct without flowing out of the upper part of the container. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 챔버의 내부 온도를 높이기 위하여 상기 챔버 내부에 설치되는 히터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이송 로봇의 척 세정장치.Chuck cleaning device of the transfer robot further comprises a heater installed inside the chamber to increase the internal temperature of the chamber. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 챔버 내부로 고온의 퍼지 가스를 주입하기 위한 공급 라인을 더 포함하되,Further comprising a supply line for injecting a high temperature purge gas into the chamber, 상기 퍼지 가스는 질소인 것을 특징으로 하는 이송 로봇의 척 세정장치.The purge gas is a chuck cleaning device of the transfer robot, characterized in that the nitrogen.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100870145B1 (en) * 2007-08-31 2008-11-24 세메스 주식회사 Cleaning unit of transferring member and apparatus for processing substrates having the same
KR100900594B1 (en) * 2006-02-23 2009-06-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing system, substrate processing method, and storage medium

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5379784A (en) * 1993-01-23 1995-01-10 Tokyo Electron Limited Apparatus for cleaning conveyor chuck

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100900594B1 (en) * 2006-02-23 2009-06-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing system, substrate processing method, and storage medium
KR100870145B1 (en) * 2007-08-31 2008-11-24 세메스 주식회사 Cleaning unit of transferring member and apparatus for processing substrates having the same

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