KR19990074083A - Semiconductor Wafer Drying Equipment - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 웨이퍼 건조장치에 관한 것으로, 본 발명은 웨이퍼의 탈이온수 세정과 이소 프로필 알콜 증기에 의한 건조 공정을 동시에 수행하기 위한 세정 및 건조 겸용 챔버와, 상기 웨이퍼의 세정시 탈이온수를 공급하기 위한 제 1 공급 수단과, 상기 탈이온수와 이소 프로필 알콜 및 질소 가스를 배출 및 배기시키기 위한 배출 수단과, 상기 웨이퍼의 건조시 히터의 작동에 의해 이소 프로필 알콜을 가열함에 따라 이소 프로필 알콜 증기를 발생시키기 위한 이소 프로필 알콜 증기 발생수단과, 상기 이소 프로필 알콜 증기 발생수단에 의해 발생되는 이소 프로필 알콜 증기를 공급하기 위한 제 2 공급 수단과, 상기 제 2 공급 수단과 연통되며 웨이퍼의 건조시 일단의 복수개의 노즐을 통해 이소 프로필 알콜 증기와 질소 가스를 세정 및 건조 겸용 챔버로 공급하기 위한 제 3 공급 수단으로 구성된 것을 그 특징으로 한다.The present invention relates to a semiconductor wafer drying apparatus, and the present invention provides a cleaning and drying chamber for simultaneously performing a deionized water cleaning of the wafer and a drying process by isopropyl alcohol vapor, and supplying deionized water during the cleaning of the wafer. First supply means for discharging and evacuating and evacuating the deionized water, isopropyl alcohol and nitrogen gas, and isopropyl alcohol vapor by heating the isopropyl alcohol by operation of a heater during drying of the wafer. Isopropyl alcohol vapor generating means for supplying, second supply means for supplying isopropyl alcohol vapor generated by the isopropyl alcohol vapor generating means, and a plurality of one end in communication with the second supply means and being dried in the wafer. Chamber for cleaning and drying isopropyl alcohol vapor and nitrogen gas through two nozzles That consists of a third supply means for supplying to and as its features.
따라서, 세정이 완료된 웨이퍼를 건조할 때 웨이퍼의 표면에 물자욱 및 파티클이 발생되는 현상을 방지할수 있으며, 공정 시간의 단축에 의한 생산성을 향상시킬수 있을 뿐만 아니라, 공기보다 무거운 이소 프로필 알콜 증기를 이용한 다운 플로우 방식을 채택하여 웨이퍼의 건조 효율을 높일수 있게 된다.Therefore, it is possible to prevent the occurrence of material dust and particles on the surface of the wafer when drying the cleaned wafer, and to improve productivity by shortening the process time, and to use isopropyl alcohol vapor that is heavier than air. By adopting the down flow method, it is possible to increase the drying efficiency of the wafer.
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼 건조장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼 건조장치로서 세정이 완료된 웨이퍼를 건조할 때 웨이퍼의 표면에 물자욱 및 파티클이 발생되는 현상을 방지할수 있도록 한 것이다.The present invention relates to a semiconductor wafer drying apparatus, and more particularly, to a phenomenon in which material dust and particles are generated on the surface of a wafer when the cleaned wafer is dried.
일반적으로, 반도체 제조 공정에서 세정이 완료된 웨이퍼를 건조하기 위한 웨이퍼 건조 장치는 도 1에 나타낸 바와 같이, 드라이 챔버(16)내의 하단에 이소 프로필 알콜(IPA)이 담겨져 있고, 상기 드라이 챔버(16)의 하단에는 이소 프로필 알콜(IPA)을 가열하기 위한 히터(8a)가 설치되어 있으며, 상기 드라이 챔버(16)내의 하부에는 하단에 형성된 배출구(17)가 드라이 챔버(16)의 하단으로 돌출되어 건조하기 위한 웨이퍼(2)를 지지하는 웨이퍼 캐리어(18)가 안착되는 배출 안내부(19)가 설치된다.In general, a wafer drying apparatus for drying a cleaned wafer in a semiconductor manufacturing process, as shown in FIG. 1, isopropyl alcohol (IPA) is contained at a lower end of the dry chamber 16, and the dry chamber 16 is dried. At the bottom of the heater 8a for heating isopropyl alcohol (IPA) is installed, the outlet 17 formed in the lower portion in the lower portion of the dry chamber 16 protrudes to the bottom of the dry chamber 16 to dry The discharge guide part 19 in which the wafer carrier 18 which supports the wafer 2 for this purpose is mounted is provided.
또한, 상기 드라이 챔버(16)내의 상단에는 냉각부(20)가 설치되어 있고, 냉각부(20) 하단의 드라이 챔버(16) 내측벽에는 응축수 받이(21)가 설치되어 있고, 상기 드라이 챔버(16)의 하부 일측에는 액체 공급 및 배출라인(22)(23)이 각각 설치된다.In addition, a cooling unit 20 is installed at an upper end of the dry chamber 16, a condensate receiver 21 is installed at an inner wall of the dry chamber 16 at the lower end of the cooling unit 20, and the dry chamber ( The lower one side of the 16 is provided with liquid supply and discharge lines 22, 23, respectively.
따라서, 도 1의 드라이 챔버(16)에서 웨이퍼(2)를 건조하기 전에 먼저, 케미컬 베쓰에 웨이퍼(2)를 투입하여 에칭을 하는 케미컬 세정을 완료한 후, 로봇 아암(도시는 생략함)에 의해서 세정조에 상기 웨이퍼(2)가 투입되어 탈이온수가 공급됨에 따라 웨이퍼(2)를 세정하게 되며, 세정이 완료된 웨이퍼(2)는 로봇 아암에 의해서 도 1의 드라이 챔버(16)로 이동되어 드라이 챔버(16) 내에서 이소 프로필 알콜 증기에 의해 웨이퍼(2)에 묻어 있는 탈이온수를 제거시킴에 따라 웨이퍼(2)를 건조시키는 공정을 완료하게 된다.Therefore, before the wafer 2 is dried in the dry chamber 16 of FIG. 1, the chemical cleaning is performed by putting the wafer 2 into the chemical bath to perform etching, and then the robot arm (not shown). The wafer 2 is introduced into the cleaning tank to clean the wafer 2 as the deionized water is supplied. The cleaned wafer 2 is moved to the dry chamber 16 of FIG. 1 by a robot arm and dried. As the deionized water on the wafer 2 is removed by the isopropyl alcohol vapor in the chamber 16, the process of drying the wafer 2 is completed.
그러나, 이와 같은 종래의 웨이퍼(2)를 건조할 때에는 세정조에서 드라이 챔버(16)로 이동시키는 동안 웨이퍼(2)가 공기에 노출되므로 인해 웨이퍼(2)의 표면에 웨이퍼(2)에 묻은 물이 자연 건조될 때 발생하는 이상 산화막이 형성되는 현상인 물자욱(Water Mark)이나, 파티클이 발생하게 되며, 종래의 장치에서는 12" 크기의 웨이퍼를 건조시킬수가 없으므로 인해 작업시의 많은 불편함을 초래하여 장치의 신뢰성을 저하시키게 되는 등의 많은 문제점이 있었다.However, when the conventional wafer 2 is dried, water adhered to the wafer 2 on the surface of the wafer 2 because the wafer 2 is exposed to air while moving from the cleaning bath to the dry chamber 16. Water Mark, which is a phenomenon in which abnormal oxide film is formed when this is naturally dried, or particles are generated, and in the conventional device, since it is impossible to dry a 12 "size wafer, many inconveniences in working There have been many problems such as lowering the reliability of the device.
따라서, 본 발명은 상기한 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 웨이퍼 건조장치로서 세정이 완료된 웨이퍼를 건조할 때 웨이퍼의 표면에 물자욱 및 파티클이 발생되는 현상을 방지할수 있으며, 공정 시간의 단축에 의한 생산성을 향상시킬수 있을 뿐만 아니라, 공기보다 무거운 이소 프로필 알콜 증기를 이용한 다운 플로우 방식을 채택하여 웨이퍼의 건조 효율을 높일수 있는 반도체 웨이퍼 건조장치를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention is to solve the above-mentioned problems, as a wafer drying apparatus can prevent the occurrence of material dust and particles on the surface of the wafer when drying the cleaned wafer, and by shortening the process time The purpose of the present invention is not only to improve productivity, but also to provide a semiconductor wafer drying apparatus capable of increasing the drying efficiency of a wafer by adopting a downflow method using isopropyl alcohol vapor that is heavier than air.
도 1은 종래의 웨이퍼 건조장치를 나타낸 종단면도Figure 1 is a longitudinal cross-sectional view showing a conventional wafer drying apparatus
도 2는 본 발명을 나타낸 종단면도Figure 2 is a longitudinal cross-sectional view showing the present invention
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
1; 세정 및 건조 겸용 챔버 2; 웨이퍼One; Chamber 2 for cleaning and drying; wafer
3; 보트 4; 제 1 밸브3; Boat 4; First valve
5; 제 1 공급 라인 6; 제 2 밸브5; First supply line 6; Second valve
7; 배출 라인 8; 히터7; Discharge line 8; heater
9; 이소 프로필 알콜 증기 발생기 10; 제 3 밸브9; Isopropyl alcohol steam generator 10; Third valve
11; 제 2 공급 라인 12; 노즐11; Second supply line 12; Nozzle
13; 제 3 공급 라인 14; 제 4 밸브13; Third supply line 14; Fourth valve
15; 커버 IPA; 이소 프로필 알콜15; Cover IPA; Isopropyl Alcohol
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 웨이퍼의 탈이온수 세정과 이소 프로필 알콜 증기에 의한 건조 공정을 동시에 수행하기 위한 세정 및 건조 겸용 챔버와, 상기 웨이퍼의 세정시 탈이온수를 공급하기 위한 제 1 공급 수단과, 상기 탈이온수와 이소 프로필 알콜 및 질소 가스를 배출 및 배기시키기 위한 배출 수단과, 상기 웨이퍼의 건조시 히터의 작동에 의해 이소 프로필 알콜을 가열함에 따라 이소 프로필 알콜 증기를 발생시키기 위한 이소 프로필 알콜 증기 발생수단과, 상기 이소 프로필 알콜 증기 발생수단에 의해 발생되는 이소 프로필 알콜 증기를 공급하기 위한 제 2 공급 수단과, 상기 제 2 공급 수단과 연통되며 웨이퍼의 건조시 일단의 복수개의 노즐을 통해 이소 프로필 알콜 증기와 질소 가스를 세정 및 건조 겸용 챔버로 공급하기 위한 제 3 공급 수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 건조장치가 제공되므로써 달성된다.In order to achieve the above object, the present invention provides a combined cleaning and drying chamber for simultaneously performing a deionized water cleaning of a wafer and a drying process by isopropyl alcohol vapor, and a first supply for supplying deionized water during cleaning of the wafer. Means for discharging and evacuating the deionized water and isopropyl alcohol and nitrogen gas, and isopropyl for generating isopropyl alcohol vapor upon heating the isopropyl alcohol by operation of a heater during drying of the wafer. Alcohol vapor generating means, second supply means for supplying isopropyl alcohol vapor generated by the isopropyl alcohol vapor generating means, and in communication with the second supply means and through a plurality of nozzles in one end during drying of the wafer Agent for supplying isopropyl alcohol vapor and nitrogen gas to a combined cleaning and drying chamber This is achieved by providing a semiconductor wafer drying apparatus comprising three supply means.
여기서, 상기 제 1 공급 수단은 세정 및 건조 겸용 챔버의 하단 일측에연결되는 제 1 공급 라인과, 제 1 공급 라인에 설치되어 웨이퍼의 세정시 탈이온수를 공급하기 위해 개폐되는 제 1 밸브로 구성되고, 상기 배출 수단은 세정 및 건조 겸용 챔버의 하단 타측에 연결되는 배출 라인과, 배출 라인에 설치되어 탈이온수와 이소 프로필 알콜 및 질소 가스를 배출 및 배기시키기 위해 개폐되는 제 2 밸브로 구성되며, 상기 이소 프로필 알콜 증기 발생수단은 세정 및 건조 겸용 챔버의 일측에 설치되어 내부의 이소 프로필 알콜을 가열하기 위해 하단에 히터가 부착되는 이소 프로필 알콜 증기 발생기로 된 것을 그 특징으로 한다.Here, the first supply means is composed of a first supply line which is connected to the lower end side of the combined chamber for cleaning and drying, and a first valve installed in the first supply line to open and close to supply deionized water during cleaning of the wafer, The discharge means comprises a discharge line connected to the other lower end of the combined cleaning and drying chamber, and a second valve installed in the discharge line to open and close to discharge and exhaust deionized water, isopropyl alcohol and nitrogen gas. The isopropyl alcohol vapor generating means is characterized in that the isopropyl alcohol steam generator is installed on one side of the combined cleaning and drying chamber is attached to a heater at the bottom to heat the isopropyl alcohol inside.
또한, 상기 제 2 공급 수단은 이소 프로필 알콜 증기 발생기의 상부에 연결되는 제 2 공급 라인과, 제 2 공급 라인에 설치되어 이소 프로필 알콜 증기를 공급하기 위해 개폐되는 제 3 밸브로 구성되고, 상기 제 3 공급 수단은 세정 및 건조 겸용 챔버의 상부에 설치되어 웨이퍼의 건조시 일단의 복수개의 노즐을 통해 이소 프로필 알콜 증기와 질소 가스를 공급하기 위한 제 3 공급 라인과, 제 3 공급 라인의 타단에 설치되어 질소 가스의 공급시 개폐되는 제 4 밸브로 구성된 것을 그 특징으로 한다.In addition, the second supply means comprises a second supply line connected to the upper portion of the isopropyl alcohol steam generator, and a third valve installed in the second supply line to open and close to supply isopropyl alcohol vapor, The third supply means is installed at the upper part of the combined chamber for cleaning and drying, and is provided at the third supply line for supplying isopropyl alcohol vapor and nitrogen gas through a plurality of nozzles at the end of drying the wafer, and at the other end of the third supply line. And a fourth valve that opens and closes when the nitrogen gas is supplied.
또한, 상기 세정 및 건조 겸용 챔버내의 하부에는 세정 및 건조하기 위한 웨이퍼를 고정시키기 위한 보트가 설치되며, 상기 세정 및 건조 겸용 챔버의 상단에는 웨이퍼의 세정 및 건조시 개방 및 폐쇄되는 커버가 설치된 것을 그 특징으로 한다.In addition, a boat for fixing a wafer for cleaning and drying is installed at a lower part of the combined cleaning and drying chamber, and a cover for opening and closing the wafer during cleaning and drying of the wafer is installed at the upper end of the combined cleaning and drying chamber. It features.
따라서, 본 발명에 의하면, 웨이퍼 건조장치로서 세정이 완료된 웨이퍼를 건조할 때 웨이퍼의 표면에 물자욱 및 파티클이 발생되는 현상을 효율적으로 방지할수 있고, 공정 시간의 단축에 의한 생산성을 증대시킬수 있는 한편, 공기보다 무거운 이소 프로필 알콜 증기를 이용한 다운 플로우 방식을 채택하여 웨이퍼의 건조 효율을 높일수 있으므로 인해 장치의 신뢰성을 대폭 향상시킬수 있게 된다.Therefore, according to the present invention, when drying the cleaned wafer as a wafer drying apparatus, it is possible to effectively prevent the occurrence of material dust and particles on the surface of the wafer, and to increase productivity by shortening the process time. In addition, by adopting a downflow method using isopropyl alcohol vapor, which is heavier than air, the drying efficiency of the wafer can be improved, thereby greatly improving the reliability of the device.
이하, 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면에 의거하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention for achieving the above object will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명을 나타낸 종단면도로서, 종래의 기술과 동일한 부분에 대해서는 동일 부호를 부여하여 본 발명을 설명한다.Fig. 2 is a longitudinal sectional view showing the present invention, in which the same parts as in the prior art are denoted by the same reference numerals to explain the present invention.
본 발명은 웨이퍼 건조장치의 세정 및 건조 겸용 챔버(1)내의 하부에 세정 및 건조하기 위한 웨이퍼(2)를 고정시키기 위한 보트(3)가 설치되고, 상기 세정 및 건조 겸용 챔버(1)의 하단 일측에는 웨이퍼(2)의 세정시 탈이온수를 공급하기 위해 개폐되는 제 1 밸브(4)가 구비된 제 1 공급 라인(5)이 연결되며, 상기 세정 및 건조 겸용 챔버(1)의 하단 타측에는 탈이온수와 이소 프로필 알콜(IPA) 및 질소 가스를 배출 및 배기시키기 위해 개폐되는 제 2 밸브(6)가 구비된 배출 라인(7)이 연결된다.The present invention is provided with a boat (3) for fixing the wafer (2) for cleaning and drying in the lower part of the chamber (1) for both cleaning and drying of the wafer drying apparatus, the lower end of the combined chamber for cleaning and drying (1) One side is connected to a first supply line 5 having a first valve 4 which is opened and closed to supply deionized water during cleaning of the wafer 2, and the other side of the lower end of the combined chamber for cleaning and drying 1. A drain line 7 is provided with a second valve 6 which opens and closes to drain and exhaust deionized water, isopropyl alcohol (IPA) and nitrogen gas.
또한, 상기 세정 및 건조 겸용 챔버(1)의 일측에는 내부의 이소 프로필 알콜(IPA)을 가열하기 위해 하단에 히터(8)가 부착되어 웨이퍼(2)의 건조시 히터(8)의 작동에 의해 이소 프로필 알콜(IPA)을 가열함에 따라 이소 프로필 알콜 증기를 발생시키기 위한 이소 프로필 알콜 증기 발생기(9)가 설치되며, 이소 프로필 알콜 증기 발생기(9)의 상부에는 이소 프로필 알콜 증기를 공급하기 위해 개폐되는 제 3 밸브(10)가 구비된 제 2 공급 라인(11)이 연결된다.In addition, a heater 8 is attached to a lower end to heat the isopropyl alcohol (IPA) therein at one side of the combined cleaning and drying chamber 1, and is operated by the heater 8 during drying of the wafer 2. Heating isopropyl alcohol (IPA) is provided with an isopropyl alcohol steam generator (9) for generating isopropyl alcohol vapor, and on top of the isopropyl alcohol steam generator (9) is opened and closed to supply isopropyl alcohol vapor. The second supply line 11 with the third valve 10 to be connected is connected.
그리고, 상기 세정 및 건조 겸용 챔버(1)의 상부에는 제 2 공급 라인(11)과 연통되며 웨이퍼(2)의 건조시 일단의 복수개의 노즐(12)을 통해 이소 프로필 알콜 증기와 질소 가스를 공급하기 위한 제 3 공급 라인(13)이 설치되고, 제 3 공급 라인(13)의 타단에는 질소 가스의 공급시 개폐되는 제 4 밸브(14)가 설치되며, 상기 세정 및 건조 겸용 챔버(1)의 상단에는 웨이퍼(2)의 세정 및 건조시 개방 및 폐쇄되는 커버(15)가 설치되어 구성된다.In addition, the upper part of the combined cleaning and drying chamber 1 communicates with the second supply line 11 and supplies isopropyl alcohol vapor and nitrogen gas through a plurality of nozzles 12 at the time of drying the wafer 2. The third supply line 13 is provided for the purpose, and the other end of the third supply line 13 is provided with a fourth valve 14 which opens and closes when the nitrogen gas is supplied. A cover 15 is installed at an upper end to open and close the wafer 2 during cleaning and drying of the wafer 2.
상기와 같이 구성된 본 발명은 도 2에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(2)를 건조하기 전에, 케미컬 베쓰에 웨이퍼(2)를 투입하여 에칭을 하는 케미컬 세정을 완료한 후, 세정 및 건조 겸용 챔버(1)의 상단에 설치된 커버(15)가 개방된 상태에서 로봇 아암에 의해 상기 웨이퍼(2)가 투입되어 세정 및 건조 겸용 챔버(1)내의 하부에 설치된 보트(3)에 고정되면, 상기 세정 및 건조 겸용 챔버(1)의 하단 일측에 연결된 제 1 공급 라인(5)의 제 1 밸브(4)가 개방됨에 따라 약 1분간 탈이온수가 상기 제 1 공급 라인(5)을 통해 공급되므로 웨이퍼(2)를 세정하게 된다.The present invention configured as described above, as shown in Figure 2, before drying the wafer (2), after the chemical cleaning in which the wafer (2) is put into the chemical bath to perform the etching, the cleaning and drying chamber (1) When the wafer 2 is inserted by the robot arm in the state in which the cover 15 installed at the upper end of the c) is opened and fixed to the boat 3 installed at the lower part of the combined chamber for cleaning and drying, the cleaning and drying is performed. As the first valve 4 of the first supply line 5 connected to the lower end side of the combined chamber 1 is opened, deionized water is supplied through the first supply line 5 for about 1 minute, so that the wafer 2 Will be cleaned.
그 후, 상기 웨이퍼(2)의 세정이 완료되면, 세정 및 건조 겸용 챔버(1)의 상단에 설치된 커버(15)는 폐쇄되고, 상기 제 1 밸브(4)는 폐쇄됨과 동시에, 상기 세정 및 건조 겸용 챔버(1)의 하단 타측에 연결된 배출 라인(7)에 설치되어 있는 제 2 밸브(6)가 개방됨에 따라 탈이온수가 배출 라인(7)을 통해 상기 세정 및 건조 겸용 챔버(1)의 하부로 드레인된다.Thereafter, when the cleaning of the wafer 2 is completed, the cover 15 installed on the upper end of the chamber for cleaning and drying 1 is closed, and the first valve 4 is closed, and at the same time, the cleaning and drying As the second valve 6 installed in the discharge line 7 connected to the other side of the lower end of the combined chamber 1 opens, the deionized water passes through the discharge line 7 to the lower portion of the combined cleaning and drying chamber 1. To drain.
이와 동시에, 탈이온수의 드레인이 완료된 다음, 상기 세정 및 건조 겸용 챔버(1)의 일측에 설치된 이소 프로필 알콜 증기 발생기(9)상의 제 2 공급 라인(11)에 설치된 제 3 밸브(10)가 개방되어 하단의 히터(8)가 작동함에 따라 가열된 이소 프로필 알콜 증기가 상기 제 2 공급 라인(11)을 거쳐 상기 세정 및 건조 겸용 챔버(1)의 상부에 제 2 공급 라인(11)과 연통되도록 설치된 제 3 공급 라인(13) 일단의 노즐(12)을 통해 약 5분 동안 세정 및 건조 겸용 챔버(1)의 내부로 공급되므로 웨이퍼(2)에 뭍은 탈이온수를 완전히 제거하게 된다.At the same time, after the drain of the deionized water is completed, the third valve 10 installed in the second supply line 11 on the isopropyl alcohol vapor generator 9 installed on one side of the combined cleaning and drying chamber 1 is opened. So that the heated isopropyl alcohol vapor is communicated with the second supply line 11 over the cleaning and drying chamber 1 via the second supply line 11 as the heater 8 at the bottom is operated. Since the third supply line 13 is installed into the cleaning and drying chamber 1 for about 5 minutes through the nozzle 12 at one end of the installed third supply line 13, the deionized water accumulated in the wafer 2 is completely removed.
그 후, 상기 웨이퍼(2)에 뭍은 탈이온수가 완전히 제거되고 이소 프로필 알콜(IPA)만 남아 있게 되면, 제 3 공급 라인(13)의 타단에 설치된 제 4 밸브(14)가 개방됨에 따라 제 3 공급 라인(13)의 노즐(12)을 통해 약 50℃의 뜨거운 질소 가스가 공급되므로써 웨이퍼(2)에 뭍어 있는 이소 프로필 알콜(IPA)을 제거하여 웨이퍼(2)의 건조를 종료하게 되며, 웨이퍼(2)의 건조가 완료되면 커버(15)가 개방되고, 로봇 아암에 의해 웨이퍼(2)를 세정 및 건조 겸용 챔버(1) 밖으로 빼내게 된다.Thereafter, when the deionized water squeezed on the wafer 2 is completely removed and only isopropyl alcohol (IPA) remains, the fourth valve 14 installed at the other end of the third supply line 13 is opened. The hot nitrogen gas of about 50 ° C. is supplied through the nozzle 12 of the third supply line 13 to remove the isopropyl alcohol (IPA) from the wafer 2, thereby completing drying of the wafer 2. When the drying of the wafer 2 is completed, the cover 15 is opened, and the robot arm pulls the wafer 2 out of the chamber for cleaning and drying together by the robot arm.
한편, 웨이퍼(2)의 건조 공정이 완료되면, 상기 제 2,4 밸브(6)(14)는 폐쇄되고, 제 1 밸브(4)는 개방된 상태에서 세정 및 건조 겸용 챔버(1)의 내부를 탈이온수로 세척하게 된다.On the other hand, when the drying process of the wafer 2 is completed, the second and fourth valves 6 and 14 are closed and the first valve 4 is opened, and thus the interior of the chamber for both cleaning and drying 1 is opened. It is washed with deionized water.
이상에서 상술한 바와 같이, 본 발명의 반도체 웨이퍼 건조장치는 다음과 같은 효과를 갖게 된다.As described above, the semiconductor wafer drying apparatus of the present invention has the following effects.
첫째, 웨이퍼의 세정이 종료된 후 건조 공정이 하나의 세정 및 건조 겸용 챔버의 내부에서 이루어지므로 웨이퍼가 공기에 노출되지 않음에 따른 물자욱이 발생되는 것을 방지할수 있게 된다.First, after the cleaning of the wafer is completed, the drying process is performed inside the single chamber for cleaning and drying, thereby preventing material wafers from being exposed to the air.
둘째, 이소 프로필 알콜을 제거하기 위하여 질소 가스를 사용하므로 종래의 공정시 대기에 방치할 때 보다 공정 시간을 단축시켜 생산성을 향상시킬수 있고, 파티클이 부착되는 현상을 방지할수 있게 된다.Second, since nitrogen gas is used to remove isopropyl alcohol, it is possible to shorten the process time and improve productivity, and prevent particles from adhering, compared to when leaving the atmosphere in the conventional process.
셋째, 공기보다 약 2.1배 무거운 이소 프로필 알콜 증기의 무게를 이용한 다운플로우 방식을 채택하므로 종래의 약 50% 정도만 이소 프로필 알콜 증기를 사용해도 탈이온수를 완전히 제거시킬수 있어서 웨이퍼의 건조 효율을 증대시킬수 있게 된다.Third, by adopting the downflow method using the weight of isopropyl alcohol vapor, which is about 2.1 times heavier than air, deionized water can be completely removed even if only about 50% of conventional isopropyl alcohol vapor is used to increase the drying efficiency of the wafer. do.
넷째, 12" 크기의 웨이퍼를 효율적으로 건조시킬수 있으며, 베쓰의 사용 갯수를 줄일수 있어서 장치의 크기를 콤팩트화 할수 있고, 설치 비용을 절감시킬수 있게 된다.Fourth, the 12 "wafer can be dried efficiently, and the number of baths used can be reduced, making the device compact and reducing installation costs.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 또한 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been illustrated and described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and the present invention may be commonly used in the technical field to which the present invention pertains without departing from the gist of the present invention as claimed in the following claims. Anyone with knowledge will be able to make various changes.
Claims (8)
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019980007458A KR19990074083A (en) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | Semiconductor Wafer Drying Equipment |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100783731B1 (en) * | 2006-12-18 | 2007-12-07 | 주식회사 케이씨텍 | Ipa supply device for semiconductor drying apparatus |
KR100800942B1 (en) * | 2006-08-21 | 2008-02-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Method for fabricating semiconductor device |
-
1998
- 1998-03-06 KR KR1019980007458A patent/KR19990074083A/en not_active Application Discontinuation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100800942B1 (en) * | 2006-08-21 | 2008-02-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Method for fabricating semiconductor device |
KR100783731B1 (en) * | 2006-12-18 | 2007-12-07 | 주식회사 케이씨텍 | Ipa supply device for semiconductor drying apparatus |
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