KR0164502B1 - System for removing contaminant of wafer transfer belt - Google Patents

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KR0164502B1 KR1019950067564A KR19950067564A KR0164502B1 KR 0164502 B1 KR0164502 B1 KR 0164502B1 KR 1019950067564 A KR1019950067564 A KR 1019950067564A KR 19950067564 A KR19950067564 A KR 19950067564A KR 0164502 B1 KR0164502 B1 KR 0164502B1
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    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt

Abstract

본 발명은 반도체소자의 제조공정중 웨이퍼를 이송하는 이송장비의 세정장치에 관한 것으로 특히 벨트를 통한 웨이퍼 이송시 벨트의 오염물질을 제거하기 위한 세정가스를 공급하는 웨이퍼 이송벨트의 오염제거 시스템에 대한 것이다.The present invention relates to a cleaning apparatus of a transfer device for transferring a wafer during a manufacturing process of a semiconductor device, and more particularly to a decontamination system for a wafer transfer belt for supplying a cleaning gas for removing contaminants on a belt during wafer transfer through a belt. will be.

종래의 오염제거 시스템은 플래이트에 식각증기가 응축되 고인 식각액을 제거하기 위해서는 장비로부터 분리하여야 하기 때문에 이에따른 번거럼움과 시간적 손실 및 안전성에 문제점이 있었다.Conventional decontamination system has a problem in the hassle, time loss and safety because it has to be separated from the equipment to remove the etching liquid condensed with the etching steam on the plate.

본 발명은 상술한 문제점을 극복하기 위한 것으로 웨이퍼를 챔버내부로 로딩시키기 위하여 사용되는 컨베어 이송장치에서 벨트에 증착된 막을 식각가스를 플래이트를 통하여 공급하여 제거하는 오염제거 시스템에 있어서, 식각액이 저정된 용기에 질소가스를 공급하는 라인을 연장하여 식각액 증기가 플래이트로 공급하는 증기공급라인과 연결하고 공급되는 질소가스를 가열하는 가열부와, 상기 질소의 공급과 증기의 공급을 조절하는 제어부로 구성하여 가열된 질소가스를 플래이트에 공급하여 고여 있는 식각액을 제거하도록 한 것이다.The present invention is to overcome the above-mentioned problems, in the conveyor transfer apparatus used to load the wafer into the chamber, in the decontamination system for supplying and removing the film deposited on the belt by the etching gas through the plate, the etching solution is stored Extends a line for supplying nitrogen gas to the container and is connected to a steam supply line for supplying the etching liquid vapor to the plate, and a heating unit for heating the supplied nitrogen gas, and a control unit for controlling the supply of nitrogen and the supply of steam. The heated nitrogen gas was supplied to the plate to remove the accumulated etchant.

Description

웨이퍼 이송벨트의 오염제거시스템Decontamination System of Wafer Transfer Belt

제1도는 본 발명의 따른 가스공급시스템.1 is a gas supply system according to the present invention.

제2도는 종래의 벨트세척장치의 전체적인 구성도.2 is an overall configuration diagram of a conventional belt washing apparatus.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

10 : 플래이트 20 : 식각액 용기10: plate 20: etching liquid container

21, 22, 23 : 제1, 제2, 제3 제어밸브 30 : 히팅테입21, 22, 23: first, second, third control valve 30: heating tape

본 발명은 반도체소자의 제조공정중 웨이퍼를 이송하는 이송장비의 세정장치에 관한 것으로 특히 벨트를 통한 웨이퍼 이송시 벨트의 오염물질을 제거하기 위한 세정가스를 공급하는 웨이퍼 이송벨트의 오염제거 시스템에 대한 것이다.The present invention relates to a cleaning apparatus of a transfer device for transferring a wafer during a manufacturing process of a semiconductor device, and more particularly to a decontamination system for a wafer transfer belt for supplying a cleaning gas for removing contaminants on a belt during wafer transfer through a belt. will be.

반도체 소자의 제조공정중 벨트를 이용한 컨베어(Conveyor)방식의 설비가 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition;CVD)장비에 많이 응용되고 있다.In the semiconductor device manufacturing process, a conveyor-type facility using a belt is widely applied to chemical vapor deposition (CVD) equipment.

이러한 방식의 장비는 벨트를 통하여 웨이퍼를 챔버내로 로딩한 상태에서 박막(SiO2, BPSG)을 증착한 후 웨이퍼를 챔버밖으로 언로딩이 된다.This type of equipment deposits a thin film (SiO 2 , BPSG) while the wafer is loaded into the chamber through the belt and then unloads the wafer out of the chamber.

이때 벨트의 언로딩된 부위에 증착된 박막을 제거하여 후속 웨이퍼들의 공정진행이 이루어 질 수 있도록 하는데 사용되는 것이 웨이퍼 세정장치이다.At this time, the wafer cleaning apparatus is used to remove the thin film deposited on the unloaded portion of the belt so that subsequent wafers can be processed.

제2도는 상술한 종래의 컨베어 벨트의 세척장비의 전체적인 구조를 나타낸 것이다.Figure 2 shows the overall structure of the cleaning equipment of the conventional conveyor belt described above.

상기 세척장비는 벨트(1)의 표면에 증착된 막을 식각가스와 반응시키는 제거하는 식각부와, 식각된 벨트를 씻어 내는 세정부와, 세정된 벨트를 건조시키는 건조부와 구성된다.The washing apparatus includes an etching unit for removing a film deposited on the surface of the belt 1 with an etching gas, a cleaning unit for washing the etched belt, and a drying unit for drying the cleaned belt.

상기 식각부는 식각용액으로 사용되는 HF용액이 담긴 용기(2a)에 질소가스를 불어 기포를 형성하여 발생된 HF 가스를 식각 플래이트(2)를 통하여 벨트의 표면에 접촉시켜 박막을 제거한다.The etching unit blows nitrogen gas into a container (2a) containing the HF solution used as an etching solution to form bubbles to contact the surface of the belt through the etching plate 2 to remove the thin film.

상기 세정부는 박막이 제거된 벨트(1)를 린스탱크(3)를 통과시켜 표면의 오염물질을 제거한다.The cleaning unit removes contaminants on the surface by passing the belt 1 from which the thin film is removed through the rinse tank 3.

그리고 최종적으로 세정된 벨트를 램프(4)를 쬐여 건조하는 단계를 거쳐 세척과정을 마친다.And finally, the belt washed through the step of drying the lamp 4 to finish the cleaning process.

상술한 컨베어 벨트의 세정공정중 가장 중요한 것이 벨트를 얼마나 깨끗이 오염을 제거하느냐 인데 종래의 식각가스에 의한 제거방법은 식각 플래이트내에 식각가스인 HF증기가 응축되어 내부에 고이게 되어 식각을 저해하게 된다.The most important of the above-mentioned cleaning process of the conveyor belt is how clean the belt is to remove the contamination. The conventional removal method by the etching gas is HF vapor, which is an etching gas, is condensed in the etching plate, and the inside is inhibited.

이러한 응축용액은 시간이 경과하면 할수록 심화되면 식각 플래이트를 설비로부터 분해하여 제거해 주어야 하므로 설비의 가동효율을 떨어뜨리게 되며 분리시 안전사고의 위험이 따르는 문제점들이 있었다.Since the condensate solution has to deteriorate with time, the etching plate has to be decomposed and removed from the equipment, thereby reducing the operating efficiency of the equipment and causing a risk of safety accidents during separation.

본 발명은 상술한 문제점들을 해소하기 위한 것으로 식각플래이트에 응축된 식각용액을 설비를 분리하지 않고 안전하게 제거할 수 있도록 한 컨베어 벨트의 오염제거 시스템을 제공하는데 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a decontamination system of a conveyor belt that can safely remove the etching solution condensed on the etching plate without separating the equipment.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징으로는 반도체소자 제조장비에서 웨이퍼를 챔버내부로 로딩시키기 위하여 사용되는 컨베어 이송장치에서 벨트에 증착된 막을 식각가스를 플래이트를 통하여 공급하여 제거하는 오염제거 시스템에 있어서, 식각증기가 응축되어 고인 식각액을 제거하는 식각액 제거수단을 포함한 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a feature of the present invention is to provide a decontamination system for supplying an etching gas through a plate to remove a film deposited on a belt in a conveyor transfer apparatus used to load a wafer into a chamber in a semiconductor device manufacturing apparatus. In the case, the etching steam is condensed, characterized in that it comprises an etchant removing means for removing the decayed etchant.

상기 식각액 제거수단은 식각액이 저정된 용기에 질소가스를 공급하는 라인을 연장하여 식각액 증기가 플래이트로 공급하는 증기공급라인과 연결하고 공급되는 질소가스를 가열하는 가열부와, 상기 질소의 공급과 증기의 공급을 조절하는 제어부를 구비한다.The etching liquid removing unit extends a line for supplying nitrogen gas to the vessel in which the etching liquid is stored, is connected to a steam supply line for supplying the etching liquid vapor to the plate, and a heating unit for heating the supplied nitrogen gas, and the supply and steam of nitrogen. It is provided with a control unit for adjusting the supply of.

상술한 구성을 갖는 본 발명은 응축된 식각가스를 히팅하여 간편하게 제거되도록 하였다.The present invention having the above-described configuration is to be easily removed by heating the condensed etching gas.

이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 작용·효과를 첨부된 도면에 따라서 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention, actions and effects will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제1도는 본 발명의 실시예에 따른 벨트의 오염제거 시스템의 전체적인 구성도이다.1 is an overall configuration diagram of a belt decontamination system according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 식각증기를 플래이트(10)로 제공하는 증기공급라인과 식각증기가 공급되도록 식각액의 저장용기(20)에 연결된 질소가스공급라인을 연결하고 질소 및 식각증기의 공급을 제어하는 가스제어수단과, 공급되는 질소가스를 가열하는 히팅수단으로 구성된다.The present invention is connected to the steam supply line for providing the etch steam to the plate 10 and the gas control means for connecting the nitrogen gas supply line connected to the storage vessel 20 of the etching liquid to supply the etching steam and controls the supply of nitrogen and etching steam And heating means for heating the supplied nitrogen gas.

상기 가스제어수단 상기 질소가스가 식각액 용기(20)나 상기 증기공급라인으로 공급되도록 조절하는 각각의 제1 및 제2 제어밸브(21),(23)와, 상기 증기공급라인과 질소공급라인의 연결부와 상기 식각액 저장용기(20)사이에 설치된 제3 제어밸브(22)를 사용한다.The first and second control valves 21 and 23 which control the gas control means to supply the nitrogen gas to the etchant container 20 or the steam supply line, and the steam supply line and the nitrogen supply line. The third control valve 22 is installed between the connection portion and the etchant storage container 20.

상기 제1 및 제2 제어밸브(21),(23)는 오픈/클로우즈 밸브를 사용하고, 상기 제3 제어밸브(22)는 오픈/클로우즈 밸브 또는 일방향밸브를 사용한다.The first and second control valves 21 and 23 use open / close valves, and the third control valve 22 uses open / close valves or one-way valves.

상기 히팅수단은 상기 제2 제어밸브(23)를 지나 플래이트(10)로 공급되는 라인에 히팅테입(30)을 설치한다.The heating means installs a heating tape 30 in a line supplied to the plate 10 through the second control valve 23.

상술한 구성을 갖는 본 발명의 동작과정을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the present invention having the above-described configuration is as follows.

벨트(100)에 표면에 형성된 막을 식각할 경우 상기 제1 및 제2 조절밸브(21),(22)를 오픈시켜 질소가스가 식각액 저장용기에 공급되어 식각증기가 증기공급라인을 통하여 플래이트(10)로 공급되도록 한다.When etching the film formed on the surface of the belt 100, the first and second control valves 21 and 22 are opened to supply nitrogen gas to the etchant storage container so that the etching steam is provided through the steam supply line. To be supplied.

이러한 공정을 수행하다가 일정기간후 플래이트(10) 내부에 식각증기가 응결되어 고일 경우 이 식각액을 제거하기 위해서는 먼저 상기 제1 및 제2 조절밸브(21),(22)를 클로우즈시키고 상기 제2 조절밸브(23)를 오픈시켜 질소가스가 바로 상기 플래이트(10)로 공급되도록 한다.After performing this process, if the etching vapor condenses inside the plate 10 after a certain period of time, in order to remove the etching solution, the first and second control valves 21 and 22 are first closed and the second adjustment is performed. The valve 23 is opened to allow nitrogen gas to be supplied directly to the plate 10.

그리고 히팅테입(30)에 전원을 인가하여 상기 플래이트(10)로 공급되는 질소가스가 가열되도록 하다.Then, power is applied to the heating tape 30 so that the nitrogen gas supplied to the plate 10 is heated.

이때 상기 질소가스는 약 50℃ 내외로 조절되도록 한다.At this time, the nitrogen gas is adjusted to about 50 ℃.

그리고 플레이트(10)로 공급되는 고온의 질소가스는 플래이트에 고인 식각액을 기화시켜 제거한다.In addition, the hot nitrogen gas supplied to the plate 10 is removed by vaporizing the etchant accumulated on the plate.

상술한 작용으로 식각액을 제거하기 위해서 장비를 분해하는 번거러움을 없애고 식각액의 누출로 인한 안전사고를 예방하여 줌으로서 장비의 가동효율을 높여줄 수 있는 이점이 있다.In order to remove the etchant to remove the etching solution by the above-described action has the advantage that can increase the operating efficiency of the equipment by preventing the safety accidents caused by the leakage of the etchant.

Claims (6)

반도체소자 제조장비에서 웨이퍼를 챔버내부로 로딩시키기 위하여 사용되는 컨베어 이송장치에서 벨트에 증착된 막을 식각가스를 플래이트를 통하여 공급하여 제거하는 오염제거 시스템에 있어서, 식각증기가 응축되어 고인 식각액을 제거하는 식각액 제거수단을 포함한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송벨트의 오염제거 시스템.A decontamination system for supplying an etching gas through a plate to remove a film deposited on a belt in a conveyor conveying apparatus used to load a wafer into a chamber in a semiconductor device manufacturing apparatus. Decontamination system of the wafer transfer belt comprising an etchant removal means. 제1항에 있어서, 상기 식각액 제거수단은 식각액이 저정된 용기에 질소가스를 공급하는 라인을 연장하여 식각액 증기가 플래이트로 공급하는 증기공급라인과 연결하고 공급되는 질소가스를 가열하는 가열부와, 상기 질소의 공급과 증기의 공급을 조절하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송벨트의 오염제거 시스템.According to claim 1, The etchant removing means is a heating unit for extending the line for supplying nitrogen gas to the vessel in which the etchant is stored connected to the steam supply line for supplying the etchant vapor to the plate and heating the supplied nitrogen gas; And a control unit for controlling the supply of nitrogen and the supply of steam. 제2항에 있어서, 상기 가열부는 증기공급라인과 질소공급라인을 가열하도록 히팅테입을 형성한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송벨트의 오염제거 시스템.The decontamination system of claim 2, wherein the heating unit forms a heating tape to heat the steam supply line and the nitrogen supply line. 제3항에 있어서, 상기 히팅테입은 플래이트로 공급되는 질소가스를 약 50℃로 가열하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송벨트의 오염제거 시스템.The decontamination system of claim 3, wherein the heating tape heats nitrogen gas supplied to the plate to about 50 ° C. 5. 제2항에 있어서, 상기 제어부는 상기 식각액 용기와 상기 증기공급라인의 연결부위 사이에 형성된 제1 개폐밸브와, 상기 질소가스를 식각액 저장용기나 상기 증기공급라인으로 공급방향을 조절하는 각각의 개폐밸브로 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송벨트의 오염제거 시스템.According to claim 2, wherein the control unit is a first opening and closing valve formed between the connection portion of the etching liquid container and the steam supply line, and each opening and closing to control the supply direction of the nitrogen gas to the etching liquid storage container or the steam supply line Decontamination system of the wafer transfer belt, characterized in that consisting of a valve. 제1항에 있어서, 상기 식각증기는 HF인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송벨트의 오염제거 시스템.The decontamination system of claim 1, wherein the etching steam is HF.
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