KR200148632Y1 - Chemical bath of wet cleaning apparatus - Google Patents
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Abstract
본 고안은 습식세정장치의 케미컬 베스(Chemical Bath)에 관한 것으로, 종래의 케미컬 베스는 그 케미컬 베스의 본체의 상부에 설치되어 있는 냉각코일이 약 170 ℃정도로 비등하는 케미컬 용액에서 발생하는 펌을 극소량만 결로하여 회수할 수 있기 때문에 상기 결로되지 않은 펌으로 인하여 상기 케미컬 베스의 주변의 다른 시스템을 오염시키게 되며, 그 오염으로 인하여 상기 케미컬 베스의 도어를 개폐하는 엑츄레이터등의 작동이 불량해지는 문제가 발생하게 되었으며, 또 이러한 오염으로 인하여 상기 케미컬 베스 및 다른 시스템의 주기적인 클린닝이 필요하게 됨과 아울러 상기 냉각코일의 잦은 파손으로 인하여 상기 케미컬 베스가 빈번하게 다운(Down)되어 상기 반도체 웨이퍼등을 오염시키게 되는 문제점이 있었다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 본 고안은 소정의 용적을 갖는 본체와, 그 본체에 케미컬용액 및 헹굼용액을 공급할 수 있는 공급관과, 그 공급관으로 공급된 케미컬 용액을 비등하게 할 수 있는 가열장치와, 또 상기 본체의 상부에 설치되고 상기 케미컬 용액의 비등으로 인하여 발생하는 펌(Fume)을 냉각하여 결로(結露)할 수 있는 냉각코일과, 그리고 상기 본체의 상단부에 설치되어 구동장치에 의하여 개폐가 가능할 뿐만 아니라 상기 케미컬용액의 비등으로 인하여 발생하는 펌을 상기 냉각코일과 더불어 결로할 수 있는 냉각튜브(Tube)가 설치된 도어를 구비하여 구성함으로써, 반도체 웨이퍼의 오염을 방지하는 효과가 있게 된다.The present invention relates to a chemical bath of a wet cleaning device, and a conventional chemical bath has a very small amount of perm generated from a chemical solution in which a cooling coil installed on the upper part of the body of the chemical bath boils at about 170 ° C. Since only the dew condensation can be recovered, the non-condensation perm pollutes other systems around the chemical bath, and the contamination causes the operation of the actuator to open and close the door of the chemical bath to be poor. In addition, due to such contamination, periodic cleaning of the chemical bath and other systems is required, and the chemical bath is frequently down due to frequent breakage of the cooling coils to contaminate the semiconductor wafer. There was a problem caused. In order to solve this problem, the present invention provides a main body having a predetermined volume, a supply pipe capable of supplying a chemical solution and a rinsing solution to the main body, a heating device capable of boiling the chemical solution supplied to the supply pipe, and Cooling coils installed on the upper part of the main body and capable of cooling and condensing fumes generated due to boiling of the chemical solution, and installed on the upper end of the main body, can be opened and closed by a driving device. Rather, it is provided with a door in which a cooling tube (Tube), which can condense together with the cooling coil, a pump generated by boiling of the chemical solution, is provided, thereby preventing contamination of the semiconductor wafer.
Description
제1도는 종래의 케미컬 베스의 구조를 보인 측면도.1 is a side view showing the structure of a conventional chemical bath.
제2도는 종래의 케미컬 베스의 본체의 구조를 보인 개략도.2 is a schematic view showing the structure of a main body of a conventional chemical bath.
제3도는 본 고안에 의한 케미컬 베스의 구조를 보인 개략도.3 is a schematic view showing the structure of the chemical bath according to the present invention.
제4도는 본 고안에 의한 케미컬 베스의 본체의 구조를 보인 개략도.4 is a schematic view showing the structure of the main body of the chemical bath according to the present invention.
제5도는 본 고안에 의한 케미컬 베스의 도어의 구조를 보인 개략도.5 is a schematic view showing the structure of the door of the chemical bath according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
11 : 케미컬 베스 12 : 본체11: Chemical Bath 12: Body
12a : 배출구 13 : 도어12a: outlet 13: door
13a : 로드 13b : 고정대13a: Rod 13b: Fixture
13c : 액츄레이터 13d : 냉각튜브13c: actuator 13d: cooling tube
14 : 케미컬용액 공급관 15 : 헹굼용액 공급관14: chemical solution supply pipe 15: rinse solution supply pipe
16 : 쿼츠히터 17 : 냉각코일16: quartz heater 17: cooling coil
본 고안은 반도체 웨이퍼의 제조공정에 쓰이는 습식세정장치의 케미컬 베스(Chemical Bath)에 관한 것으로, 특히 케미컬의 펌(Fume)을 잡아 줌과 아울러 냉각효과를 높여 상기 케미컬을 절감하고 동시에 상기 반도체 웨이퍼의 제조공정효과를 높일 수 있게 한 습식세정장치의 케미컬 베스에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical bath of a wet cleaning device used in the manufacturing process of a semiconductor wafer, and in particular, to hold the pump's fume and increase the cooling effect to reduce the chemical and at the same time The present invention relates to a chemical bath of a wet cleaning device that can enhance the manufacturing process effect.
일반적으로, 반도체 웨이퍼를 재조함에 있어 그 반도체 웨이퍼는 여러 공정을 거치게 되는데 이러한 공정 중의 하나인 상기 반도체 웨이퍼의 세정공정은 인산(H3PO4)과 같은 케미컬 용액과 순수(DIW(DeIonizer Water))와 같은 헹굼용액을 사용하게 된다.In general, in manufacturing a semiconductor wafer, the semiconductor wafer is subjected to various processes. The cleaning process of the semiconductor wafer, which is one of these processes, includes a chemical solution such as phosphoric acid (H 3 PO 4 ) and pure water (DIW (DeIonizer Water)). Use a rinse solution such as
제1도와 제2도는 상기 케미컬 용액과 헹굼용액을 공급하여 담는 종래의 일반적인 케미컬 베스의 구조를 보인 것으로, 상기 도면에 도시된 바와 같은 구조의 케미컬 베스(Chemical Bath)(1)에 상기 케미컬 용액을 공급한 후 상기 반도체 웨이퍼를 세정하게 된다.1 and 2 show the structure of a conventional general chemical bath containing the chemical solution and the rinsing solution. The chemical solution is placed in a chemical bath 1 having a structure as shown in the drawing. After the supply, the semiconductor wafer is cleaned.
상기 케미컬 베스(Chemical Bath)(1)는 소정의 용적을 갖는 베스 (Bath)의 본체(2)가 있고, 그 본체(2)의 상단부에는 공압을 이용하는 액츄레이터(미도시)에 의하여 개폐가 가능한 도어(3)가 있으며, 또 상기 본체(2)에는 상기 케미컬용액과 헹굼용액이 공급되는 공급관(4,5)이 있고, 그 공급관(4)으로 공급된 케미컬용액을 비등상태로 유지하기 위한 퀘츠히터(QTZ Heater)(6)가 설치되며, 상기 본체(2)의 상부에는 상기 비등하는 케미컬용액의 펌을 결로(結露)하기 위하여 냉각수를 공급할 수 있는 냉각코일(7)이 설치되어 있다.The chemical bath 1 has a main body 2 of a bath having a predetermined volume, and the upper end of the main body 2 can be opened and closed by an actuator (not shown) using pneumatic pressure. There is a door (3), and the main body (2) has supply pipes (4, 5) to which the chemical solution and the rinsing solution are supplied, and for maintaining the boiling of the chemical solution supplied to the supply pipe (4) A heater (QTZ Heater) 6 is provided, and a cooling coil 7 capable of supplying cooling water in order to condense the permeation of the boiling chemical solution is provided on the upper part of the main body 2.
상기와 같이 구성된 케미컬 베스(1)는 케미컬 용액의 공급관(4)을 통하여 케미컬을 공급하여 상기 퀘츠히터(6)를 가동하여 상기 케미컬을 비등시키고, 그 비등한 케미컬의 펌은 상기 냉각코일(7)에 의하여 결로되어 상기 케미컬 베스(1)의 본체(2)의 하부로 낙하하계 되며, 또 상기 본채(2)의 상부에 설치된 도어(3)는 상기 반도체 웨이퍼의 캐리어(미도시)가 입출할 때만 개폐되게 된다.The chemical bath 1 configured as described above supplies the chemical through the supply pipe 4 of the chemical solution to operate the quetz heater 6 to boil the chemical, and the boiled chemical pump is the cooling coil 7. Condensation and fall down to the lower part of the main body (2) of the chemical bath (1), and the door (3) installed on the upper part of the main housing (2) is only when the carrier (not shown) of the semiconductor wafer It will be opened and closed.
※ 여기에서, 펌(Fume)은 상기 캐미컬용액이 증발한 기상의 케미컬용액을 의미한다.※ Here, Fume refers to the chemical solution of the vapor phase of the chemical solution evaporated.
그러나, 상기와 같은 구조의 케미컬 베스는 그 케미컬 베스의 본체의 상부에 설치되어 있는 냉각코일이 약 170℃정도로 비등하는 케미컬 용액에서 발생하는 펌을 극소량만 결로하여 회수할 수 있기 때문에 상기 결로되지 않은 펌으로 인하여 상기 케미컬 베스의 주변의 다른 시스템을 오염시키게 되며, 그 오염으로 인하여 상기 케미컬 베스의 도어를 개폐하는 엑츄레이터등의 작동이 불량해지는 문제가 발생하게 되었으며, 또 이러한 오염으로 인하여 상기 케미컬 베스 및 다른 시스템의 주기적인 클린닝이 필요하게 됨과 아울러 상기 냉각코일의 잦은 파손으로 인하여 상기 케미컬 베스가 빈번하게 다운(Down)되어 상기 반도체 웨이퍼등을 오염시키게 되는 문제점이 있었다.However, the chemical bath of the structure described above does not contain condensation because only a very small amount of condensation can be recovered from the chemical solution in which the cooling coil installed at the upper part of the main body of the chemical bath boils at about 170 ° C. The pump is contaminated with other systems in the vicinity of the chemical bath, the contamination caused the problem that the operation of the actuator, such as opening and closing the door of the chemical bath is a problem occurs, and also due to this contamination In addition, periodic cleaning of other systems is required, and due to frequent breakage of the cooling coil, the chemical bath is frequently down and contaminates the semiconductor wafer.
따라서, 본 고안의 목적은 상기의 문제점을 해결하여 케미컬용액의 펌의 발생을 방지하고 또 그 정으로 인한 케미컬 베스 및 다른 시스템의 오염을 방지함과 아울러 냉각코일의 파손을 막아 반도체 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있는 습식세정장치의 케미컬 베스( Chemical Bath )를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to solve the above problems to prevent the generation of chemical solution perm and to prevent contamination of the chemical bath and other systems, and to prevent damage to the cooling coil, thereby preventing contamination of the semiconductor wafer. The present invention provides a chemical bath of a wet cleaning device that can be prevented.
본 고안의 목적은 소정의 용적을 갖는 본체와, 그 본체에 케미컬용액 및 헹굼용액을 공급할 수 있는 공급관과, 그 공급관으로 공급된 케미컬용액을 비등하게 할 수 있는 가열장치와, 또 상기 본체의 상부에 설치되고 상기 캐미컬용액의 비등으로 인하여 발생하는 펌(Fume)을 냉각하여 결로(結露)할 수 있는 냉각코일과, 그리고 상기 본체의 상단부에 설치되어 구동장치에 의하여 개폐가 가능할 뿐만 아니라 상기 케미컬용액의 비등으로 인하여 발생하는 펌을 상기 냉각코일과 더불어 결로할 수 있는 냉각튜브가 설치된 도어가 구비되어 구성된 것을 특징으로 하는 습식세정장치의 케미컬 베스에 의하여 달성된다.An object of the present invention is to provide a main body having a predetermined volume, a supply pipe capable of supplying a chemical solution and a rinsing solution to the main body, a heating device capable of boiling the chemical solution supplied through the supply pipe, and an upper portion of the main body. And a cooling coil installed in the cooling coil to cool and condense a fume generated by boiling of the chemical solution, and installed at an upper end of the main body so as to be opened and closed by a driving device. It is achieved by the chemical bath of the wet cleaning device, characterized in that the door is provided with a cooling tube is installed to condensate the pump generated by the boiling of the solution with the cooling coil.
이하, 상기 본 고안에 의한 습식세정장치의 케미컬 베스의 일실시예를 첨부된 도면에 의거하여 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the chemical bath of the wet cleaning apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
제3도는 본 고안에 의한 케미컬 베스의 구조를 보인 개략도이 고, 제4도는 본 고안에 의한 케미컬 베스의 본체의 구조를 보인 개략도이며, 제5도는 본 고안에 의한 케미컬 베스의 도어의 구조를 보인 개략도이다.3 is a schematic view showing the structure of the chemical bath according to the present invention, Figure 4 is a schematic view showing the structure of the main body of the chemical bath according to the present invention, Figure 5 is a schematic view showing the structure of the door of the chemical bath according to the present invention to be.
상기 제3도 내지 제5도에 도시된 바와 같이 소정의 용적을 갖는 본체(12)가 있고, 그 본체(12)의 하부의 일측에는 상기 케미컬용액 및 헹굼용액을 배출할 수 있는 태플론(12a')으로 피팅(Fitting)된 배출구(12a)가 있고, 또 상기 본체(12)에는 상기 케미컬용액과 헹굼용액을 공급할 수 있는 공급관(14,15)이 있으며, 그 공급관(14)으로 공급된 케미컬용액을 비등시킬 수 있도록 퀘츠히터(16)가 설치된다.As shown in FIGS. 3 to 5, there is a main body 12 having a predetermined volume, and on one side of the lower part of the main body 12, a teflon 12a capable of discharging the chemical solution and a rinsing solution. And a discharge outlet 12a fitted with '), and the main body 12 has supply pipes 14 and 15 for supplying the chemical solution and the rinsing solution, and the chemicals supplied to the supply pipe 14. A quetz heater 16 is installed to boil the solution.
상기 본체(12)의 상부에는 상기 퀘츠히터(16)의 열로 인하여 상기 케미컬용액이 비등하게 되며, 이 케미컬용액의 비등으로 인하여 발생되는 펌을 결로(結露)하기 위한 냉각코일(17)이 있으며, 그 냉각코일(17)에는 순수가 공급된다.In the upper portion of the main body 12, the chemical solution is boiled due to the heat of the quench heater 16, there is a cooling coil 17 for condensing the perm generated by the boiling of the chemical solution, Pure water is supplied to the cooling coil 17.
그리고, 상기 본체(12)의 상단부레는 상기 반도체 웨이퍼의 캐리어가 입출할 때만 개폐되는 도어(13)가 설치되며, 그 도어(13)는 피브시(PVC) 로 형성된 로드(ROD)(12)와 그 로드(13a)의 일단부에 설치된 고정대 (13b) 그리고 다른 일단부에 설치된 로타리 액츄레이터(13c)에 의하여 개폐되게 된다.The upper end of the main body 12 is provided with a door 13 that opens and closes only when the carrier of the semiconductor wafer enters and exits, and the door 13 is formed of a rod ROD 12 formed of PVC. And the holder 13b provided at one end of the rod 13a and the rotary actuator 13c provided at the other end thereof.
상기 도어(13)에는 상기 케미컬용액의 비등으로 인하여 발생되는 펌을 상기 냉각코일(17)과 함께 냉각하여 결로할 수 있도록 냉각수가 유동할 수 있는 망사구조의 냉각튜브(13d)를 설치한다. 상기 망사구조의 냉각튜브(13d)는 상기 도어의 배면에 전체적으로 설치한다.The door 13 is provided with a mesh tube cooling tube 13d through which a cooling water can flow to cool and condensate a perm generated by boiling of the chemical solution with the cooling coil 17. The cooling tube 13d of the mesh structure is entirely installed on the rear surface of the door.
이와 같이 구성한 본 고안의 습식세정장치의 케미컬 베스에 의한 작용효과를 설명하면 다음과 같다.Referring to the effect by the chemical bath of the wet cleaning device of the present invention configured as described above are as follows.
상기와 같이 구성된 본 고안에 의한 습식세정장치의 케미컬 베스 (11)의 공급관(14)을 통하여 상기 케미컬용액을 공급한 후, 상기 퀘츠히터(16)에 전원을 인가하여 상기 케미컬용액을 비등시키고, 또 상기 도어(13)에 설치된 로타리 액츄레이터(13c)를 작동시켜 그 도어(13)를 개폐하여 상기 반도체 웨이퍼가 적재되어 있는 캐리어를 인입하고, 상기 반도체 웨이퍼를 세정하며, 그리고 상기 케미컬용액의 비등으로 인하여 발생되는 펌은 상기 본체(12)의 상부에 설치된 냉각코일(17)에 의하여 결로되어 상기 본체(12)로 떨어짐과 아울러 상기 도어(13)에 설치된 냉각튜브(13d)에 의해서도 상기 펌이 결로되어 상기 본체(12)로 떨어지게 된다.After supplying the chemical solution through the supply pipe 14 of the chemical bath 11 of the wet cleaning device according to the present invention configured as described above, by applying power to the Quetz heater 16 to boil the chemical solution, In addition, the rotary actuator 13c provided in the door 13 is operated to open and close the door 13 to introduce a carrier on which the semiconductor wafer is loaded, to clean the semiconductor wafer, and to boil the chemical solution. Perm generated by the condensation by the cooling coil (17) installed on the upper portion of the main body 12 falls to the main body 12, as well as the cooling tube 13d installed in the door 13 It is condensed and falls into the main body 12.
이와 갈이 상기 케미컬용액의 비등으로 인하여 발생되는 상기 펌이 상기 본체의 상부에 설치된 냉각코일과 더불어 상기 도어에 설치된 냉각튜브에 의하여 완전하게 결로되게 되어 상기 케미컬 베스와 그 케미컬 베스의 주변의 다른 시스템의 오염을 방지하고, 또 상기 케미컬 베스의 도어를 개폐하는 엑츄레이터가 로타리식으로 되어 있어 상기 펌의 오염으로 인한 상기 도어의 작동이 불량해지는 문제가 발생하지 않게 됨과 아울러 상기 도어에 설치된 냉각튜브로 인하여 상기 냉각코일이 파손되어도 상기 케미컬 베스가 다운(Down)되지않게 되어 상기 반도체 웨이퍼의 오염을 방지하는 효과가 있게 된다.In this case, the pump generated due to boiling of the chemical solution is completely condensed by the cooling tube installed on the door along with the cooling coil installed on the upper portion of the main body, and the other system around the chemical bath and the chemical bath. In order to prevent the contamination of the door, and the actuator for opening and closing the door of the chemical bath is a rotary type so that the problem of the operation of the door due to the contamination of the pump does not occur and the cooling tube installed in the door As a result, even if the cooling coil is damaged, the chemical bath does not go down, thereby preventing contamination of the semiconductor wafer.
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