KR0132218Y1 - Drying apparatus of semiconductor wafer - Google Patents

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KR0132218Y1 KR2019950039646U KR19950039646U KR0132218Y1 KR 0132218 Y1 KR0132218 Y1 KR 0132218Y1 KR 2019950039646 U KR2019950039646 U KR 2019950039646U KR 19950039646 U KR19950039646 U KR 19950039646U KR 0132218 Y1 KR0132218 Y1 KR 0132218Y1
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Abstract

본 고안은 세정공정이 완료된 웨이퍼를 건조시키기 위한 웨이퍼의 건조장치에 관한 것으로서, 좀더 구체적으로는 별도의 건조장비를 이용하지 않고도 탈이온수에서 웨이퍼를 꺼낼 때 웨이퍼의 표면에 묻은 탈이온수를 완전히 건조시킬 수 있도록 한 것이다.The present invention relates to a wafer drying apparatus for drying a wafer in which a cleaning process is completed, and more specifically, to completely dry the deionized water on the surface of the wafer when removing the wafer from the deionized water without using a separate drying equipment. I would have to.

이를 위해, 배쓰(2)의 상면에 헤파필터(5)를 설치하여 크레이들(7)로 세정완료된 웨이퍼(3)를 배쓰(2)의 상면으로 들어 올리면서 웨이퍼(3)에 묻은 탈이온수(6)를 건조시키도록 된 것에 있어서, 상기 배쓰(2)의 일측으로 이소프로필 알콜 기화수단(8)을 설치하고 상기 이소프로필 알콜 기화수단(8)에는 기화된 이소프로필 알콜을 웨이퍼(3)가 배쓰(2)의 상면으로 노출되는 부위로 분사시키기 위한 이소프로필 알콜 공급라인(9)을 설치함과 동시에 상기 이소프로필 알콜 공급라인의 끝단에는 노즐(10)을 설치하여서 된 것이다.To this end, the HEPA filter 5 is installed on the upper surface of the bath 2 to lift the wafer 3 cleaned with the cradle 7 onto the upper surface of the bath 2, and the deionized water adhered to the wafer 3 ( 6), the isopropyl alcohol vaporization means 8 is provided on one side of the bath 2, and the isopropyl alcohol vaporization means 8 is vaporized isopropyl alcohol. By installing the isopropyl alcohol supply line (9) for spraying to the site exposed to the upper surface of the bath (2) and at the end of the isopropyl alcohol supply line by installing a nozzle (10).

Description

웨이퍼의 건조장치Wafer Drying Equipment

제1도는 종래의 장치를 나타낸 구성도.1 is a block diagram showing a conventional device.

제2도는 본 고안의 장치를 나타낸 종단면도.Figure 2 is a longitudinal cross-sectional view showing the device of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

2 : 배쓰 3 : 웨이퍼2: bath 3: wafer

6 : 탈이온수 7 : 크레이들6: deionized water 7: cradle

8 : 이소프로필 알콜 기화수단8 isopropyl alcohol vaporization means

9 : 이소프로필 알콜 공급라인9: isopropyl alcohol supply line

10 : 노즐 11 : 냉각수 공급라인10: nozzle 11: coolant supply line

12 : 이소프로필 알콜층12: isopropyl alcohol layer

본 고안은 세정공정이 완료된 웨이퍼를 건조시키기 위한 웨이퍼의 건조장치에 관한 것으로서, 좀더 구체적으로는 별도의 건조장비를 이용하지 않고도 탈이온수에서 웨이퍼를 꺼낼 때 웨이퍼의 표면에 묻은 탈이온수를 완전히 건조시킬 수 있도록 한 것이다.The present invention relates to a wafer drying apparatus for drying a wafer in which cleaning processes are completed. I would have to.

일반적으로 반도체 제조공정중에 패턴을 형성하고 나면 공정시 웨이퍼의 표면에 묻은 중금속이온 또는 자연산화막을 제거하여야만 다음 다음공정의 진행이 가능해지게 된다.In general, after the pattern is formed during the semiconductor manufacturing process, the next process is possible only when the heavy metal ion or the natural oxide film on the surface of the wafer is removed during the process.

상기 중금속이온 또는 자연산화막을 제거하기 위해서는 웨이퍼를 혼합화합물에 담가 중금속이온 또는 자연산화막을 제거한 다음 웨이퍼의 표면에 묻어 있는 혼합화합물을 탈이온수에 의해 세정하여야 되는데, 이에 따라 웨이퍼의 표면에 묻은 탈이온수를 건조시켜야 된다.In order to remove the heavy metal ions or natural oxide film, the wafer is immersed in the mixed compound to remove the heavy metal ions or the natural oxide film, and then the mixed compound on the surface of the wafer must be washed with deionized water. Should be dried.

상기 탈이온수를 건조시키기 위한 별도의 장비를 이용하지 않고 고온(80℃)의 탈이온수가 담겨진 배쓰(Bath)에서 웨이퍼를 서서히 들어 올림으로써 웨이퍼를 건조시키는 슬로우 풀 드라이어(Slow pull dayer)방식이 알려져 있다(참고 : NOYES publication Handbook of semiconductor wafer cleaning technology, By werner, 1993, page : 134~135).A slow pull dayer method is known in which a wafer is dried by slowly lifting a wafer in a bath containing high temperature (80 ° C.) deionized water without using a separate device for drying the deionized water. (Note: NOYES publication Handbook of semiconductor wafer cleaning technology, By werner, 1993, page: 134-135).

첨부도면 제1도는 상기한 슬로우 풀 드라이어를 나타낸 구성도로써, 고온의 탈이온수가 탈이온수 공급관(1)을 통해 공급되는 배쓰(2)내에 웨이퍼(3)가 담겨지는 카세트(4)가 로딩되어 있고 상기 배쓰의 상부에는 깨끗한 공기만을 인출되는 웨이퍼(3)측으로 공급하는 헤파필터(5)가 설치되어 있다.FIG. 1 is a block diagram illustrating the above-mentioned slow full dryer, in which a cassette 4 containing a wafer 3 is loaded into a bath 2 supplied with deionized water of high temperature through a deionized water supply pipe 1. In the upper part of the bath, a HEPA filter 5 for supplying only clean air to the wafer 3 side is provided.

따라서 카세트(4)내에 세정하기 위한 웨이퍼(3)를 담은 상태에서 탈이온수 공급관(1)을 통해 배쓰(2)의 내부로 고온의 탈이온수(6)를 연속적으로 공급하면 고온의 탈이온수가 웨이퍼의 표면에 묻어 있던 중금속이온 또는 자연산화막을 개끗하게 세정하고 난후, 배쓰(2)의 상면으로 오버 플로우되어 배출된다.Therefore, when the high temperature deionized water 6 is continuously supplied into the bath 2 through the deionized water supply pipe 1 while the wafer 3 for cleaning in the cassette 4 is contained, the high temperature deionized water is used. After the heavy metal ions or the natural oxide film which have been buried on the surface of the surface are cleanly cleaned, they are overflowed to the upper surface of the bath 2 and discharged.

일정시간동안 탈이온수(6)를 오버 플로우시켜 웨이퍼의 세정작업을 완료하고 나면 V형상으로 된 크레이들(7)을 이용하여 카세트(4)에 담겨져 있던 웨이퍼(3)를 배쓰(2)의 상면으로 서서히 들어 올리게 된다.After the deionized water 6 is overflowed for a certain time to complete the cleaning of the wafer, the wafer 3 contained in the cassette 4 is placed on the top surface of the bath 2 using the V-shaped cradle 7. Will slowly lift up.

이에 따라 웨이퍼(3)가 배쓰(2)의 상면으로 노출되면 헤파필터(5)를 통해 깨끗한 공기가 웨이퍼축으로 공급되므로 상기 웨이퍼의 표면에 묻어 있던 탈이온수가 건조된다.As a result, when the wafer 3 is exposed to the top surface of the bath 2, clean air is supplied to the wafer shaft through the HEPA filter 5, so that the deionized water on the surface of the wafer is dried.

그러나 이러한 종래의 장치는 배쓰의 상면으로 웨이퍼를 서서히 들어 올리면서 웨이퍼의 표면에 묻어 있던 탈이온수가 헤파필터를 통해 유입되는 공기에 의해 건조되므로 웨이퍼의 위치에 따라 건조되는 정도가 다르게 된다.However, such a conventional apparatus is different in the degree of drying depending on the position of the wafer because the deionized water buried in the surface of the wafer is dried by the air flowing through the HEPA filter while gradually lifting the wafer to the top of the bath.

예를 들어, 트랜치(Trench)구조와 같이 요철이 많이 또는 깊게 형성된 웨이퍼인 경우나, 웨이퍼의 표면이 소수성, 친수성인 경우에는 위치에 따라 건조되는 정도가 달라지게 되므로 웨이퍼상에 물자국(Water mark), 이물질(particle) 등이 남아서 완성품인 디바이스에 치명적인 악영향을 미치게 된다.For example, in the case of a wafer in which the irregularities are deeply or deeply formed, such as a trench structure, or the surface of the wafer is hydrophobic or hydrophilic, the degree of drying varies depending on the location, so that water marks on the wafer ), Foreign particles (particles) and so on will have a fatal adverse effect on the finished device.

본 고안은 종래의 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 별도의 장비를 이용하지 않고도 배쓰의 상면으로 세정이 완료된 웨이퍼를 꺼낼 때 패턴내의 트랜치에 잔류하는 탈이온수까지도 완벽하게 건조시킬 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.The present invention was devised to solve such a problem in the prior art, and it is possible to completely dry even deionized water remaining in the trench in the pattern when removing the wafer which has been cleaned to the top of the bath without using a separate equipment. The purpose is.

상기 목적을 달성하기 위한 본 고안의 형태에 따르면, 배쓰의 상면에 헤파필터를 설치하여 크레이들로 세정완료된 웨이퍼를 배쓰의 상면으로 들어 올리면서 웨이퍼에 묻은 탈이온수를 건조시키도록 된 것에 있어서, 상기 배쓰의 일측으로 이소프로필 알콜 기화수단을 설치하고 상기 이소프로필 알콜 기화수단에는 기화된 이소프로필 알콜을 배쓰의 상면으로 분사시키기 위한 이소프로필 알콜 공급라인을 설치함과 동시에 상기 이소프로필 알콜 공급라인의 끝단에는 노즐을 설치하며, 상기 웨이퍼가 배쓰의 상면으로 노출되는 부위에는 기화된 이소프로필 알콜이 외부로 빠져 나가지 못하도록 하는 냉각수 공급라인을 설치하여서 된 웨이퍼의 건조장치가 제공된다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, by installing a hepa filter on the upper surface of the bath to dry the deionized water on the wafer while lifting the wafer cleaned with the cradle to the upper surface of the bath, the An isopropyl alcohol vaporization means is installed on one side of the bath, and an isopropyl alcohol vaporization means is installed on the isopropyl alcohol vaporization means, and an isopropyl alcohol supply line for spraying vaporized isopropyl alcohol onto the top of the bath is provided at the end of the isopropyl alcohol vaporization line. In the nozzle is provided, and the wafer is exposed to the top surface of the bath is provided with a wafer drying apparatus provided with a cooling water supply line for preventing the vaporized isopropyl alcohol from escaping to the outside.

이하, 본 고안을 일실시예로 도시한 첨부된 도면 제2도를 참고로 하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to Figure 2 of the accompanying drawings showing an embodiment of the present invention in more detail as follows.

첨부도면 제2도는 본 고안의 장치를 나타낸 종단면도로써, 본 고안의 구성중 종래의 구성과 동일한 부분은 그 설명을 생략하고 동일부호를 부여하기로 한다.2 is a longitudinal cross-sectional view showing a device of the present invention, and the same parts as those of the conventional structure of the present invention will be omitted and the same reference numerals will be given.

본 고안은 배쓰(2)의 일측에 이소프로필 알콜 기화수단(8)이 설치되어 있고 상기 이소프로필 알콜 기화수단에는 기화된 이소프로필 알콜을 배쓰(2)의 상면으로 분사시키기 위한 이소프로필 알콜 공급라인(9)이 연결되어 있으며 상기 이소프로필 알콜 공급라인(9)의 끝단에는 노즐(10)이 대향되게 고정되어 상기 노즐사이에 기화된 이소프로필 알콜층(12)이 형성되도록 되어 있다.The present invention is isopropyl alcohol vaporization means 8 is installed on one side of the bath (2) isopropyl alcohol vaporization means isopropyl alcohol supply line for injecting vaporized isopropyl alcohol to the upper surface of the bath (2) (9) is connected to the end of the isopropyl alcohol supply line (9) so that the nozzle 10 is oppositely fixed so that the vaporized isopropyl alcohol layer 12 is formed between the nozzles.

그리고 웨이퍼(3)가 배쓰(2)의 상면으로 노출되는 부위에는 기화된 이소프로필 알콜이 노즐(10)을 통해 분사될 때 외부로 빠져 나가지 못하고 이소프로필 알콜층(12)이 양호한 형태로 형성되도록 하는 냉각수 공급라인(1)이 설치되어 있다. 본 고안은 배쓰(2)내에 공급되어 웨이퍼(3)의 표면에 묻은 중금속이온 또는 자연산화막을 제거하는 탈이온수(6)의 온도를 반드시 80℃이상으로 유지하여야 된다. 이는, 탈이온수(6)의 온도가 80`이하인 경우에는 노즐(10)사이에 이소프로필 알콜층(12)이 형성되지 않기 때문이다.In addition, when the vaporized isopropyl alcohol is sprayed through the nozzle 10, the isopropyl alcohol layer 12 may be formed in a good shape at a portion where the wafer 3 is exposed to the top surface of the bath 2. Cooling water supply line 1 is provided. The present invention must maintain the temperature of the deionized water (6) supplied to the bath (2) to remove heavy metal ions or natural oxide film on the surface of the wafer (3) or more. This is because the isopropyl alcohol layer 12 is not formed between the nozzles 10 when the temperature of the deionized water 6 is 80 'or less.

이와 같이 구성된 본 고안의 작용, 효과를 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation, effects of the present invention configured as described above are as follows.

먼저, 카세트(4)내에 세정하기 위한 웨이퍼(3)를 담은 상태에서 탈이온수 공급관(1)을 통해 배쓰(2)의 내부로 고온(80℃이상)의 탈이온수(6)를 공급하면 탈이온수가 웨이퍼(3)의 표면에 묻어 있던 중금속이온 또는 자연산화막을 깨끗하게 세정하고 난 후, 배쓰(2)의 상면으로 오버 플로우(Over flow)되어 배출된다.First, when the deionized water 6 of high temperature (80 degreeC or more) is supplied to the inside of the bath 2 through the deionized water supply pipe 1 in the state which contained the wafer 3 for cleaning in the cassette 4, deionized water is carried out. After cleaning the heavy metal ions or the natural oxide film on the surface of the wafer 3 cleanly, the flow overflows to the upper surface of the bath 2 and is discharged.

일정시간동안 탈이온수(6)를 오버 플로우시켜 웨이퍼의 세정작업을 완료하고 나면 V형상으로 된 크레이들(7)이 카세트(4)에 담겨져 있던 웨이퍼(3)를 배쓰(2)의 상면으로 서서히 들어 올리게 되므로 세정완료된 웨이퍼(3)가 탈이온수의 외부로 노출된다.After the deionized water 6 is overflowed for a certain time to complete the cleaning of the wafer, the V-shaped cradle 7 gradually moves the wafer 3 contained in the cassette 4 to the top surface of the bath 2. As it is lifted up, the cleaned wafer 3 is exposed to the outside of the deionized water.

상기한 동작시 이소프로필 알콜 기화수단(8)에서 기화된 이소프로필 알콜이 이소프로필 알콜 공급라인(9) 및 배쓰(2)의 상면에 상호 대향되게 설치된 노즐(10)을 통해 공급되어 웨이퍼(3)의 노출부위로 분사되므로 상기 기화된 이소프로필 알콜이 웨이퍼의 표면에 묻은 탈이온수와 화합적 반응을 하여 건조시킨 다음 깨끗이 기화된 이소프로필 알콜을 만날 때 까지 서서히 상승하게 된다.In the above operation, isopropyl alcohol vaporized in the isopropyl alcohol vaporization means 8 is supplied through the nozzle 10 installed on the top surface of the isopropyl alcohol supply line 9 and the bath 2 so as to be opposite to the wafer 3. Since the vaporized isopropyl alcohol is chemically reacted with deionized water on the surface of the wafer and dried, the vaporized isopropyl alcohol gradually rises until it meets the cleanly vaporized isopropyl alcohol.

이때, 웨이퍼(3)의 노출부위측으로는 냉각수 공급라인(9)이 설치되어 있어 분사되는 기화된 이소프로필 알콜이 외부로 빠져 나가지 않게 되고, 이에 따라 웨이퍼(3)의 노출부위에는 기화된 이소프로필 알콜층(12)이 형성되므로 탈이온수를 더욱 효과적으로 건조시킬 수 있게 되는 것이다.At this time, the cooling water supply line 9 is installed at the exposed portion of the wafer 3 so that the vaporized isopropyl alcohol is not discharged to the outside, and thus the vaporized isopropyl is exposed at the exposed portion of the wafer 3. Since the alcohol layer 12 is formed will be able to dry the deionized water more effectively.

이상에서와 같은 본 고안은 세정완료된 웨이퍼를 건조시키기 위한 별도의 장치를 설치하지 않고도 이소프로필 알콜 기화수단만을 설치하여 웨이퍼의 노출부위측으로 기화된 이소프로필 알콜을 분사시켜 패턴내의 트랜치에 잔류하는 탈이온수까지도 완벽하게 건조시키게 되므로 웨이퍼의 세정에 따른 불량을 미연에 방지하게 되고, 이에 따라 수율이 향상되는 효과를 얻게 된다.As described above, the present invention installs only isopropyl alcohol vaporization means without installing a separate device for drying the cleaned wafer, and sprays vaporized isopropyl alcohol toward the exposed portion of the wafer, thereby remaining in the trench in the pattern. Since it is completely dried, defects due to the cleaning of the wafer can be prevented in advance, thus yielding an effect of improving the yield.

Claims (3)

배쓰의 상면에 헤파필터를 설치하여 크레이들로 세정완료된 웨이퍼를 배쓰의 상면으로 들어 올리면서 웨이퍼에 묻은 탈이온수를 건조시키도록 된 것에 있어서, 상기 배쓰의 일측으로 이소프로필 알콜 기화수단을 설치하고 상기 이소프로필 알콜 기화수단에는 기화된 이소프로필 알콜을 웨이퍼가 배쓰의 상면으로 분사시키기 위한 이소프로필 알콜 공급라인을 설치함과 동시에 이소프로필 알콜 공급라인의 끝단에는 노즐을 대향되게 설치함을 특징으로 하는 웨이퍼의 건조장치.Hepa filter is installed on the upper surface of the bath to dry the deionized water on the wafer while lifting the cleaned wafer with cradle to the upper surface of the bath, wherein isopropyl alcohol vaporization means is installed on one side of the bath and the The isopropyl alcohol vaporization means is provided with an isopropyl alcohol supply line for injecting the vaporized isopropyl alcohol to the top of the bath, and at the end of the isopropyl alcohol supply line, the nozzle is provided facing the wafer Drying device. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼가 배쓰의 상면으로 노출되는 부위에 기화된 이소프로필 알콜이 외부로 빠져 나가지 못하도록 하는 냉각수 공급라인을 설치하여서된 웨이퍼의 건조장치.The wafer drying apparatus according to claim 1, wherein a cooling water supply line is provided to prevent vaporized isopropyl alcohol from escaping to the outside of the wafer exposed to the top surface of the bath. 제1항 또는 제2항에 있어서, 웨이퍼를 세정하는 탈이온수의 온도가 80℃이상임을 특징으로 하는 웨이퍼의 건조장치.The wafer drying apparatus according to claim 1 or 2, wherein the temperature of deionized water for cleaning the wafer is 80 deg.
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