KR19980065222A - 정전기 보호 소자 - Google Patents

정전기 보호 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR19980065222A
KR19980065222A KR1019970000091A KR19970000091A KR19980065222A KR 19980065222 A KR19980065222 A KR 19980065222A KR 1019970000091 A KR1019970000091 A KR 1019970000091A KR 19970000091 A KR19970000091 A KR 19970000091A KR 19980065222 A KR19980065222 A KR 19980065222A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductivity type
region
type impurity
well region
type well
Prior art date
Application number
KR1019970000091A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100205609B1 (ko
Inventor
오세춘
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019970000091A priority Critical patent/KR100205609B1/ko
Priority to US09/002,826 priority patent/US5986863A/en
Priority to JP00026298A priority patent/JP3949251B2/ja
Publication of KR19980065222A publication Critical patent/KR19980065222A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100205609B1 publication Critical patent/KR100205609B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
    • H01L27/0255—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using diodes as protective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 정전기로부터 반도체 장치의 내부 회로를 보호하는 정전기 보호 소자의 기생 전류 경로를 차단하는 정전기 보호 소자에 관한 것으로, 반도체 기판과, 상기 반도체 기판내에 형성된 n 형 웰 영역과, 상기 n 형 웰 영역 내에 n+ 형 불순물 이온을 주입하여 형성된 n+ 형 불순물 영역과, 상기 n 형 웰 영역 내에 p+ 도전형 불순물 이온을 주입하여 형성된 p+ 형 불순물 영역을 갖는 정전기 보호 소자에 있어서, 상기 정전기 보호 소자는, 상기 n 형 웰 영역의 일 내측과 상기 n+ 형 불순물 영역과의 사이, 그리고 상기 n 형 웰 영역의 다른 내측과 상기 p+ 형 불순물 영역과의 사이에 각각 상기 n 형 웰 영역 보다 상대적으로 고농도의 불순물 이온을 주입하여 형성된 가아드링 영역을 포함한다. 이와 같은 장치에 의해서, 정전기 보호 소자에서 발생되는 기생 pnp 트랜지스터에 의한 전류 경로를 차단할 수 있고, 아울러 EDS 테스트에서의 반도체 소자의 불량 유발과 같은 문제점을 해결할 수 있다.

Description

정전기 보호 소자
본 발명은 정전기 보호 소자에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는, 정전기로부터 반도체 장치의 내부 회로를 보호하는 정전기 보호 소자의 기생 전류 경로(parasitic current path)를 차단하는 정전기 보호 소자에 관한 것이다.
도 1 에는 종래 정전기 보호 소자의 구조가 개략적으로 도시되어 있다.
도 1을 참조하면, 종래 정전기 보호 소자는, n 형 매몰층(12, 14)이 형성된 p 형 반도체 기판(10)과, 상기 반도체 기판(10)에 n 형 불순물 이온을 주입하여 형성된 복수의 n웰 영역(20, 30)과, 상기 복수의 n웰 영역(20, 30)사이의 상기 반도체 기판(10)에 상기 복수의 n웰 영역(20, 30)을 격리하도록 p 형 불순물 이온을 주입하여 형성된 p웰 영역(40)과, 상기 복수의 n웰 영역(20, 30)의 각각에 p+ 형 불순물 이온을 주입하여 형성된 p+ 형 불순물 영역(22, 32)과, 상기 복수의 n웰 영역(20, 30)의 각각에 n+ 형 불순물 이온을 주입하여 형성된 n+ 형 불순물 영역(24, 34)을 포함하는 구조를 갖는다.
그러나, 상술한 종래 정전기 보호 소자에 있어서, 외부로부터 정전기가 인가되면 상기 복수의 p+ 형 불순물 영역(22, 32)과 상기 p+ 형 불순물 영역(22, 32)이 형성된 각각의 n웰 영역(20, 30), 그리고 반도체 기판(10)이 바이폴라 트랜지스터의 에미터(emitter), 베이스(base), 그리고 컬렉터(collector)의 역할을 수행하게 된다.
이로 인해, 도 1에 참조 번호'Q'로 도시된 바와 같이 기생 pnp 트랜지스터(parasitic pnp transistor)에 의한 전류 경로(current path)가 형성되고, 따라서, 정전기 보호 소자가 외부로부터 인가된 정전기를 원활히 방전시킬 수 없게 된다.
또한, 상기한 전류 경로에 의해서 완성된 반도체 소자의 전기적인 특성을 테스트하는 EDS 테스트에서 전류 레벨이 높을 시에는 반도체 소자의 불량이 유발되는 문제점이 발생된다.
상술한 문제점을 해결하기 위해 제안된 본 발명은 정전기로부터 반도체 장치의 내부 회로를 보호하는 정전기 보호 소자의 기생 전류 경로를 차단할 수 있는 정전기 보호 소자를 제공하는 데 그 목적이 있다.
도 1은 종래 정전기 보호 소자의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도;
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 정전기 보호 소자의 구조를 상세히 보여주는 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명
10 : 반도체 기판 12, 14 : 매몰층
20, 30 : 웰 영역 22, 32 : p+ 불순물 영역
24, 34 : n+ 불순물 영역 26a, 26b, 36a, 36b : 가아드링
(구성)
상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 반도체 기판과, 상기 반도체 기판내에 형성된 제 1 도전형 웰 영역과, 상기 제 1 도전형 웰 영역 내에 제 1 도전형 불순물 이온을 주입하여 형성된 제 1 도전형 불순물 영역과, 상기 제 1 도전형 웰 영역 내에 제 2 도전형 불순물 이온을 주입하여 형성된 제 2 도전형 불순물 영역을 갖는 정전기 보호 소자에 있어서, 상기 정전기 보호 소자는, 상기 제 1 도전형 웰 영역의 일 내측과 상기 제 1 도전형 불순물 영역과의 사이, 그리고 상기 제 1 도전형 웰 영역의 다른 내측과 상기 제 2 도전형 불순물 영역과의 사이에 각각 상기 제 1 도전형 웰 영역 보다 상대적으로 고농도의 불순물 이온을 주입하여 형성된 가아드링 영역을 포함한다.
이 특징의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 제 1 도전형 웰 영역은 n 형 웰 영역이다.
이 특징의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 제 1 도전형 불순물 이온은 n+ 형 불순물 이온이고, 상기 제 2 도전형 불순물 이온은 p+ 형 불순물 이온이다.
이 특징의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 가아드링 영역은 n+ 형 불순물 이온 영역이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의하면, 정전기 보호 소자는, 제 1 도전형 반도체 기판과; 상기 제 1 도전형 반도체 기판내에 형성된 제 2 도전형 웰 영역과; 상기 제 2 도전형 웰 영역 내에 형성된 제 1 도전형 불순물 영역과; 상기 제 1 도전형 불순물 영역과 횡방향으로 소정의 거리를 두고, 상기 제 2 도전형 웰 영역 내에 형성된 제 2 도전형 불순물 영역과; 상기 제 2 도전형 웰 영역의 일 내측과 상기 제 1 도전형 불순물 영역과의 사이, 그리고 상기 제 2 도전형 웰 영역의 다른 내측과 상기 제 2 도전형 불순물 영역과의 사이에 각각 형성된 제 2 도전형 가아드링 영역을 포함한다.
이 장치의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 제 1 도전형 반도체 기판은 p 형 반도체 기판이다.
이 장치의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 제 2 도전형 웰 영역은 n 형 웰 영역이다.
이 장치의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 제 1 도전형 불순물 영역은 p+ 형 불순물 영역이고, 상기 제 2 도전형 불순물 영역은 n+ 형 불순물 이온이다.
이 장치의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 가아드링 영역은 n+ 형 불순물 영역이다.
이 장치의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 가아드링 영역은 상기 제 2 도전형 웰 영역 보다 상대적으로 고농도 불순물 영역이다.
(작용)
이와 같은 장치에 의해서, 정전기 보호 소자에서 발생되는 기생 pnp 트랜지스터에 의한 전류 경로를 차단할 수 있고, 아울러 EDS 테스트에서의 반도체 소자의 불량 유발과 같은 문제점을 해결할 수 있다.
(실시예)
이하, 본 발명의 실시예를 첨부 도면 도 2를 의거해서 상세히 설명한다.
도 2를 참고하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 정전기 보호 소자는, n 형 웰 영역이 형성된 반도체 기판과, 상기 n 형 웰 영역 내에 형성된 n+ 형 불순물 영역과, 상기 n 형 웰 영역 내에 형성된 p+ 형 불순물 영역을 갖는 정전기 보호 소자에 있어서, 상기 정전기 보호 소자는, 상기 n 형 웰 영역의 일 내측과 상기 p+ 형 불순물 영역과의 사이, 그리고 상기 n 형 웰 영역의 다른 내측과 상기 n+ 형 불순물 영역과의 사이에 각각 상기 n 형 웰 영역 보다 상대적으로 고농도의 불순물 이온을 주입하여 형성된 n+ 가아드링 영역을 포함한다. 이러한 장치에 의해서, 정전기 보호 소자에서 발생되는 기생 pnp 트랜지스터에 의한 전류 경로를 차단할 수 있고, 아울러 EDS 테스트에서의 반도체 소자의 불량 유발과 같은 문제점을 해결할 수 있다.
도 2에 있어서, 도 1에 도시된 정전기 보호 소자의 구성 요소와 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기한다.
도 2에는 본 발명의 실시예에 따른 정전기 보호 소자의 구조가 상세히 도시되어 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 정전기 보호 소자는, n 형 매몰층(12, 14)이 형성된 p 형 반도체 기판(10)과, 상기 p 형 반도체 기판(10)내에 n 형 불순물 이온을 주입하여 횡방향으로 소정의 거리를 두고 나란하게 형성된 복수의 n 형 웰 영역(20, 30)과, 상기 복수의 n 형 웰 영역(20, 30)의 각각에 p+ 형 불순물 이온을 주입하여 형성된 복수의 p+ 형 불순물 영역(22, 32)과, 상기 복수의 n 형 웰 영역(20, 30)의 각각에 형성된 p+ 형 불순물 영역(22, 32)과 횡방향으로 소정의 거리를 두고, 상기 복수의 n 형 웰 영역(20, 30)의 각각에 n+ 형 불순물 이온을 주입하여 형성된 n+ 형 불순물 영역(24, 34)과, 상기 복수의 n 형 웰 영역(20, 30)의 각각의 일 내측과 그 각각의 일 내측과 인접한 p+ 형 불순물 영역(22, 32)과의 사이, 그리고 상기 복수의 n 형 웰 영역(20, 30)의 각각의 다른 내측과 그 각각의 다른 내측과 인접한 n+ 형 불순물 영역(24, 34)과의 사이에 형성된 n+ 형 가아드링 영역(guardring region ;26a, 26b, 36a, 36b)을 포함하는 구조를 갖는다.
이때, 상기 n+ 형 가아드링 영역(26a, 26b, 36a, 36b)은 각 n+ 형 가아드링 영역이 형성된 n 웰 영역(30)보다 상대적으로 고농도의 불순물 이온을 주입하여 형성된다.
상술한 바와 같은 구조를 갖는 정전기 보호 소자에 의해서, 정전기 보호 소자에서 발생되는 기생 pnp 트랜지스터에 의한 전류 경로를 차단할 수 있고, 아울러 EDS 테스트에서의 반도체 소자의 불량 유발과 같은 문제점을 해결할 수 있다.

Claims (10)

  1. 반도체 기판(10)과, 상기 반도체 기판(10)내에 형성된 제 1 도전형 웰 영역(30)과, 상기 제 1 도전형 웰 영역(30)내에 제 1 도전형 불순물 이온을 주입하여 형성된 제 1 도전형 불순물 영역(34)과, 상기 제 1 도전형 웰 영역(30)내에 제 2 도전형 불순물 이온을 주입하여 형성된 제 2 도전형 불순물 영역(32)을 갖는 정전기 보호 소자에 있어서,
    상기 정전기 보호 소자는, 상기 제 1 도전형 웰 영역(30)의 일 내측과 상기 제 1 도전형 불순물 영역(34)과의 사이, 그리고 상기 제 1 도전형 웰 영역(30)의 다른 내측과 상기 제 2 도전형 불순물 영역(32)과의 사이에 각각 상기 제 1 도전형 웰 영역(30)보다 상대적으로 고농도의 불순물 이온을 주입하여 형성된 가아드링 영역(36a, 36b)을 포함하여, 상기 정전기 보호 소자의 기생 전류 경로를 차단하는 것을 특징으로 하는 정전기 보호 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 도전형 웰 영역은 n 형 웰 영역인 것을 특징으로 하는 정전기 보호 소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 도전형 불순물 이온은 n+ 형 불순물 이온이고, 상기 제 2 도전형 불순물 이온은 p+ 형 불순물 이온인 것을 특징으로 하는 정전기 보호 소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 가아드링 영역(36a, 36b)은 n+ 형 불순물 이온 영역인 것을 특징으로 하는 정전기 보호 소자.
  5. 제 1 도전형 반도체 기판(10)과;
    상기 제 1 도전형 반도체 기판(10)내에 형성된 제 2 도전형 웰 영역(30)과;
    상기 제 2 도전형 웰 영역(30)내에 형성된 제 1 도전형 불순물 영역(32)과;
    상기 제 1 도전형 불순물 영역(32)과 횡방향으로 소정의 거리를 두고, 상기 제 2 도전형 웰 영역(30)내에 형성된 제 2 도전형 불순물 영역(34)과;
    상기 제 2 도전형 웰 영역(30)의 일 내측과 상기 제 1 도전형 불순물 영역(32)과의 사이, 그리고 상기 제 2 도전형 웰 영역(30)의 다른 내측과 상기 제 2 도전형 불순물 영역(34)과의 사이에 각각 형성된 제 2 도전형 가아드링 영역(36a, 36b)을 포함하는 정전기 보호 소자.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 도전형 반도체 기판(10)은 p 형 반도체 기판인 정전기 보호 소자.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 도전형 웰 영역(30)은 n 형 웰 영역인 정전기 보호 소자.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 도전형 불순물 영역(32)은 p+ 형 불순물 영역이고, 상기 제 2 도전형 불순물 영역(34)은 n+ 형 불순물 이온인 정전기 보호 소자.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 가아드링 영역(36a, 36b)은 n+ 형 불순물 영역인 정전기 보호 소자.
  10. 제 5 항에 있어서,
    상기 가아드링 영역(36a, 36b)은 상기 제 2 도전형 웰 영역(30)보다 상대적으로 고농도 불순물 영역인 정전기 보호 소자.
KR1019970000091A 1997-01-06 1997-01-06 정전기 보호 소자 KR100205609B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970000091A KR100205609B1 (ko) 1997-01-06 1997-01-06 정전기 보호 소자
US09/002,826 US5986863A (en) 1997-01-06 1998-01-05 Electrostatic discharge protection circuits including circumferential guard rings
JP00026298A JP3949251B2 (ja) 1997-01-06 1998-01-05 静電気保護回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970000091A KR100205609B1 (ko) 1997-01-06 1997-01-06 정전기 보호 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980065222A true KR19980065222A (ko) 1998-10-15
KR100205609B1 KR100205609B1 (ko) 1999-07-01

Family

ID=19494111

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970000091A KR100205609B1 (ko) 1997-01-06 1997-01-06 정전기 보호 소자

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5986863A (ko)
JP (1) JP3949251B2 (ko)
KR (1) KR100205609B1 (ko)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100308086B1 (ko) * 1999-11-01 2001-11-02 박종섭 반도체 소자의 제조방법
KR100332472B1 (ko) * 1998-10-28 2002-09-05 주식회사 하이닉스반도체 정전기보호회로를구비한반도체장치의제조방법
KR20030061266A (ko) * 2002-01-11 2003-07-18 허균 냉음료와 간식을 보관할 수 있는 휴대용 간식 용기 세트
KR100685359B1 (ko) * 2002-09-09 2007-02-22 산요덴키가부시키가이샤 보호 소자
US7262470B2 (en) 2003-02-06 2007-08-28 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device
US7538394B2 (en) 2004-12-22 2009-05-26 Sanyo Electric Co., Ltd. Compound semiconductor switch circuit device
US7732868B2 (en) 2002-09-09 2010-06-08 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device
KR100971215B1 (ko) * 2008-08-20 2010-07-20 주식회사 동부하이텍 Ｅｓｐ 보호 회로
US8450805B2 (en) 2004-12-22 2013-05-28 Semiconductor Components Industries, Llc Compound semiconductor switch circuit device

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6552594B2 (en) * 1997-03-27 2003-04-22 Winbond Electronics, Corp. Output buffer with improved ESD protection
US6271999B1 (en) * 1998-11-20 2001-08-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company ESD protection circuit for different power supplies
US6388857B1 (en) 1999-07-23 2002-05-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor circuit device with improved surge resistance
US6411485B1 (en) * 1999-11-04 2002-06-25 United Microelectrics Corp. Electrostatic discharge protection circuit for multi-voltage power supply circuit
US7067852B1 (en) * 2000-09-12 2006-06-27 National Semiconductor Corporation Electrostatic discharge (ESD) protection structure
US6429489B1 (en) 2001-05-18 2002-08-06 International Business Machines Corporation Electrostatic discharge power clamp circuit
US7902630B2 (en) 2002-08-14 2011-03-08 Advanced Analogic Technologies, Inc. Isolated bipolar transistor
US20080197408A1 (en) * 2002-08-14 2008-08-21 Advanced Analogic Technologies, Inc. Isolated quasi-vertical DMOS transistor
US7834421B2 (en) * 2002-08-14 2010-11-16 Advanced Analogic Technologies, Inc. Isolated diode
US7812403B2 (en) 2002-08-14 2010-10-12 Advanced Analogic Technologies, Inc. Isolation structures for integrated circuit devices
US7741661B2 (en) * 2002-08-14 2010-06-22 Advanced Analogic Technologies, Inc. Isolation and termination structures for semiconductor die
US7939420B2 (en) * 2002-08-14 2011-05-10 Advanced Analogic Technologies, Inc. Processes for forming isolation structures for integrated circuit devices
US8513087B2 (en) 2002-08-14 2013-08-20 Advanced Analogic Technologies, Incorporated Processes for forming isolation structures for integrated circuit devices
US7825488B2 (en) 2006-05-31 2010-11-02 Advanced Analogic Technologies, Inc. Isolation structures for integrated circuits and modular methods of forming the same
US7956391B2 (en) * 2002-08-14 2011-06-07 Advanced Analogic Technologies, Inc. Isolated junction field-effect transistor
US8089129B2 (en) 2002-08-14 2012-01-03 Advanced Analogic Technologies, Inc. Isolated CMOS transistors
US7667268B2 (en) 2002-08-14 2010-02-23 Advanced Analogic Technologies, Inc. Isolated transistor
TW586124B (en) * 2002-09-18 2004-05-01 Macronix Int Co Ltd ESD protection apparatus and method for a high-voltage input pad
TW575989B (en) * 2002-09-25 2004-02-11 Mediatek Inc NPN Darlington ESD protection circuit
JP4312451B2 (ja) * 2002-12-24 2009-08-12 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 静電気保護素子及び半導体装置
EP1494284A1 (en) * 2003-06-30 2005-01-05 Freescale Semiconductor, Inc. Overvoltage protection device
US7098509B2 (en) * 2004-01-02 2006-08-29 Semiconductor Components Industries, L.L.C. High energy ESD structure and method
US7405445B2 (en) * 2004-06-18 2008-07-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor structure and method for ESD protection
US7187527B2 (en) * 2004-09-02 2007-03-06 Macronix International Co., Ltd. Electrostatic discharge conduction device and mixed power integrated circuits using same
JP4993941B2 (ja) * 2006-04-27 2012-08-08 パナソニック株式会社 半導体集積回路及びこれを備えたシステムｌｓｉ
KR100867977B1 (ko) 2006-10-11 2008-11-10 한국과학기술원 인도시아닌 그린 혈중 농도 역학을 이용한 조직 관류 분석장치 및 그를 이용한 조직 관류 분석방법
US7737526B2 (en) * 2007-03-28 2010-06-15 Advanced Analogic Technologies, Inc. Isolated trench MOSFET in epi-less semiconductor sustrate
US7868414B2 (en) * 2007-03-28 2011-01-11 Advanced Analogic Technologies, Inc. Isolated bipolar transistor
US8537514B2 (en) 2007-08-08 2013-09-17 Sofics Bvba Diode chain with guard-band
US8164869B2 (en) * 2007-08-08 2012-04-24 Sofics Bvba Diode chain with a guard-band
JP5310100B2 (ja) * 2009-03-03 2013-10-09 富士通セミコンダクター株式会社 静電気保護回路および半導体装置
JP2011166153A (ja) * 2010-02-12 2011-08-25 Samsung Electronics Co Ltd ガードリング構造を有する半導体デバイス、ディスプレイドライバ回路、及びディスプレイ装置
KR101986090B1 (ko) 2012-04-06 2019-06-05 삼성전자 주식회사 가드링을 포함하는 반도체 장치 및 이를 포함하는 반도체 시스템

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4757363A (en) * 1984-09-14 1988-07-12 Harris Corporation ESD protection network for IGFET circuits with SCR prevention guard rings
EP0517391A1 (en) * 1991-06-05 1992-12-09 STMicroelectronics, Inc. ESD protection circuit
US5637900A (en) * 1995-04-06 1997-06-10 Industrial Technology Research Institute Latchup-free fully-protected CMOS on-chip ESD protection circuit

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100332472B1 (ko) * 1998-10-28 2002-09-05 주식회사 하이닉스반도체 정전기보호회로를구비한반도체장치의제조방법
KR100308086B1 (ko) * 1999-11-01 2001-11-02 박종섭 반도체 소자의 제조방법
KR20030061266A (ko) * 2002-01-11 2003-07-18 허균 냉음료와 간식을 보관할 수 있는 휴대용 간식 용기 세트
KR100685359B1 (ko) * 2002-09-09 2007-02-22 산요덴키가부시키가이샤 보호 소자
US7732868B2 (en) 2002-09-09 2010-06-08 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device
US8742506B2 (en) 2002-09-09 2014-06-03 Semiconductor Components Industries, Llc Protecting element having first and second high concentration impurity regions separated by insulating region
US9735142B2 (en) 2002-09-09 2017-08-15 Semiconductor Components Industries, Llc Method of forming a protecting element comprising a first high concentration impurity region separated by an insulating region of a substrate
US7262470B2 (en) 2003-02-06 2007-08-28 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device
US7538394B2 (en) 2004-12-22 2009-05-26 Sanyo Electric Co., Ltd. Compound semiconductor switch circuit device
US8450805B2 (en) 2004-12-22 2013-05-28 Semiconductor Components Industries, Llc Compound semiconductor switch circuit device
KR100971215B1 (ko) * 2008-08-20 2010-07-20 주식회사 동부하이텍 Ｅｓｐ 보호 회로

Also Published As

Publication number Publication date
JP3949251B2 (ja) 2007-07-25
JPH10209377A (ja) 1998-08-07
US5986863A (en) 1999-11-16
KR100205609B1 (ko) 1999-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100205609B1 (ko) 정전기 보호 소자
US6645802B1 (en) Method of forming a zener diode
CN100394596C (zh) 静电放电防护架构以及半导体晶片
KR0159451B1 (ko) 반도체장치의 보호회로
US20070020818A1 (en) ESD protection device in high voltage and manufacturing method for the same
KR920005539B1 (ko) 정확히 설정된 동작전압을 갖는 반도체 과전압 억제기 및 그의 제조방법
US6353237B1 (en) ESD protection circuit triggered by diode
US8598625B2 (en) ESD protection device with tunable design windows
US7859010B2 (en) Bi-directional semiconductor ESD protection device
KR101119859B1 (ko) Ｍｏｓ 트랜지스터 및 이를 구비한 반도체 집적회로 장치
EP1352429B1 (en) Integrated circuit provided with overvoltage protection and method for manufacture thereof
US10269898B2 (en) Surrounded emitter bipolar device
EP0793272B1 (en) A pad protection diode structure
US5880514A (en) Protection circuit for semiconductor device
KR100244294B1 (ko) 이에스디(esd) 보호회로
KR100638068B1 (ko) 정전 방전에 대한 보호 장치
US20240096868A1 (en) Silicon-controlled rectifiers with a segmented floating region
KR20010050164A (ko) 동작이 안정화된 반도체 장치의 보호회로
US20050224917A1 (en) Junction diode
KR100271090B1 (ko) 반도체 장치의 정전기 보호소자 및 그의 형성방법
US20020005526A1 (en) Electrostatic discharge protective structure and a method for producing it
KR100308074B1 (ko) 집적회로
KR19980014191A (ko) 바이폴라 트랜지스터
GB2328794A (en) Bipolar transistor
KR20000059381A (ko) 바이폴라 집적회로의 정전기 보호셀 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
N231 Notification of change of applicant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120330

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130322

Year of fee payment: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee