KR19980058437A - Semiconductor Package Manufacturing Method - Google Patents

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KR19980058437A
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die
conductive adhesive
lead frame
semiconductor package
pad portion
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KR1019960077761A
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Inventor
홍성학
Original Assignee
김영환
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 패키지 제조 방법에 관한 것으로, 마스크 플레이트를 이용하여 다이 본디 패드 부분에 도전성 접착제를 도포하는 단계; 상기 도전성 접착제가 도포된 다이 본딩 패드 부분에 리드 프레임을 열압착시키는 단계; 상기 다이와, 도전성 접착제에 의해 다이에 부착된 리드 프레임의 일정 부분을 몰딩 컴파운드로 성형하여 패키지 몸체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor package, comprising: applying a conductive adhesive to a die bond pad portion using a mask plate; Thermally compressing a lead frame to a die bonding pad portion coated with the conductive adhesive; And forming a package body by molding the die and a portion of the lead frame attached to the die by a conductive adhesive into a molding compound.

Description

반도체 패키기 제조 방법.Semiconductor package manufacturing method.

본 발명은 반도체 패키지 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 도전성 접착제를 이용하여 다이 본딩 패드 부분과 리드 프레임을 부착시키는 다이 본딩에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates to the manufacturing method of a semiconductor package. Specifically, It is related with the die bonding which adheres a die bonding pad part and a lead frame using a conductive adhesive.

일반적으로 집적회로가 형성된 반도체 칩은 조립공정으로 보내져서 칩절단, 칩부착, 와이어 본딩, 몰드, 포밍, 트림공정 등의 공정을 순서적으로 거쳐 패키지화 된다.Generally, a semiconductor chip having an integrated circuit is sent to an assembly process and packaged through a sequence of chip cutting, chip attachment, wire bonding, mold, forming, trimming, and the like.

자세하게, 종래 기술에 따른 반도체 캐키지 제조 공정을 도 1을 참조하여 설명하면 다음과 같다.In detail, the semiconductor package manufacturing process according to the prior art will be described with reference to FIG. 1.

리드 프레임의 패들(2a)에 에폭시와 같은 접착제가 도포되고, 에폭시가 도포된 리드 프레임의 패들(2a)상에 상기 에폭시에 의해서 웨이퍼에서 소잉(sawing)된 다이(1)가 부착된다. 그런 다음, 다이(1)와 외부로의 전기적 신호 전달 경로를 이루는 리드 프레임의 인너 리드(2b)가 금속 와이어(3)에 의해 본딩된다.An adhesive such as epoxy is applied to the paddle 2a of the lead frame, and a die 1 sawed on the wafer by the epoxy is attached to the paddle 2a of the epoxy applied lead frame. Then, the inner lead 2b of the lead frame forming the electrical signal transmission path to the die 1 and to the outside is bonded by the metal wire 3.

그리고 나서, 몰딩 컴파운드에 의해 상기 다이(1) 및 이에 와이어 본딩되는 인너 리드(2b)를 포함하는 일정 면적이 밀봉되어 패키지 몸체(4)가 혀엉되고, 이후, 포밍/트림 공정에 의해 리드 프레임의 아웃 리드(2c)가 소정 형태를 갖게 된다.Then, a predetermined area including the die 1 and the inner lead 2b wire-bonded thereto by the molding compound is sealed so that the package body 4 is tangled, and then the forming / trimming process of the lead frame The out lead 2c has a predetermined shape.

그러나, 상기와 같은 종래 기술은, 패들 및 금속 와이어에 의한 높이 때문에 패키지의 두께를 감소시키는데 한계가 있으며, 인너 리드와 다이를 금속 와이어를 사용하여 본딩하고 있기 때문에 외부 충격에 의해 금속 와이어가 부식 및 단선됨으로써, 패키지가 외부와 전기적으로 단락되는 문제점이 있었다.However, the prior art as described above has a limitation in reducing the thickness of the package due to the height due to the paddle and the metal wire, and since the inner lead and the die are bonded using the metal wire, the metal wire is corroded and damaged by external impact. By disconnection, there was a problem that the package is electrically shorted to the outside.

따라서, 본 발명은 다이 본딩 패드 부분에 도전성 접착제를 도포하고, 리드 프레임의 인너 리드를 도전성 접착제가 도포된 부분에 접착한 후, 몰딩 컴파운드로 밀봉함으로써, 패키지 크기를 최소화할 수 있는 반도체 패키지 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, the present invention applies a conductive adhesive to the die bonding pad portion, adheres the inner lead of the lead frame to the portion coated with the conductive adhesive, and then seals with a molding compound, thereby minimizing the package size. The purpose is to provide.

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 패키기 제조 방법을 설명하기 위한 단면도.1 is a cross-sectional view for explaining a semiconductor package manufacturing method according to the prior art.

도 2A 및 도 2B는 본 발명의 다이 본딩 공정을 설명하기 위한 단면도.2A and 2B are cross-sectional views for explaining the die bonding step of the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 단면도.3 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

11:다이, 12:폴리이미드, 13:마스크 플레이트, 14:도전성 접착제, 15a:하부 히터 블럭, 15b:상부 히터 블럭, 16:리드 프레임11: die, 12: polyimide, 13: mask plate, 14: conductive adhesive, 15a: lower heater block, 15b: upper heater block, 16: lead frame

상기와 같은 본 발명의 목적은, 마스크 플레이트를 이용하여 다이 본딩 패드 부분에 도전성 접착제를 도포하는 단계; 상기 도전성 접착제가 도포된 다이 본딩 패드 부분에 리드 프레임을 열압착시키는 단계; 상기 다이와, 도전성 접착제에 의해 다이에 부착된 리드 프레임의 일정 부분을 몰딩 컴파운드로 성형하여 패키지 몸체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 본 발명에 따른 반도체 패키지 제조 방법에 의거 달성된다.An object of the present invention as described above, the step of applying a conductive adhesive to the die bonding pad portion using a mask plate; Thermally compressing a lead frame to a die bonding pad portion coated with the conductive adhesive; The die and a portion of the lead frame attached to the die by a conductive adhesive is formed by a molding compound to achieve a semiconductor package manufacturing method according to the invention characterized in that it comprises a step of forming a package body.

본 발명에 따른 반도체 패키지는 도전성 접착제를 이용하여 다이 본딩 패드 부분에 리드 프레임의 인너 리드를 접착시키기 때문에 패키지의 크기를 최소화할 수 있다.Since the semiconductor package according to the present invention adheres the inner lead of the lead frame to the die bonding pad portion using a conductive adhesive, the size of the package can be minimized.

[실시예]EXAMPLE

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 2A를 참조하면, 웨이퍼에서 소잉된 다이(11)의 소정 부분, 즉, 다이를 보호하기 위하여 도포되는 보호막인 폴리이미드(12)가 코팅되지 않은 다이 본딩 패드 부분에 마스크 플레이트(13)를 이용하여 도전성 접착제(14)를 도포한다. 여기서, 마스크 플레이트(13)는 일정한 외곽 규격에서 다이 본딩 패드에만 도전성 접착제(14)가 분사되도록 다이(11) 크기에 맞게 제작되고, 다이(11) 표면에서 2㎜ 이상 위에 마스크 플레이트(13)가 놓이도록 해야한다.Referring to FIG. 2A, a mask plate 13 is used for a predetermined portion of a die 11 sawed from a wafer, that is, a portion of a die bonding pad not coated with polyimide 12, which is a protective film applied to protect the die. Then, the conductive adhesive 14 is applied. Here, the mask plate 13 is manufactured to fit the size of the die 11 so that the conductive adhesive 14 is injected only to the die bonding pad in a certain outline standard, and the mask plate 13 is formed at least 2 mm from the surface of the die 11. You have to let go.

도 2B 를 참조하면, 도전성 접착제(14)가 도포된 다이(11) 밑면에 하부 히터 블럭(15a)을 위치시키고, 다이(11) 상부에도 상부 히터 블럭(15b)을 위치시킨다. 또한, 상부 히터 블럭(15a)과 다이(11) 사이에 리드 프레임(16)을 위치시킨다. 이때, 리드 프레임은 도전성 접착제(14)가 도포된 다이 본딩 패드 상에 위치된다. 여기서, 다이(11) 밑면에 놓이는 하부 히터 블럭(15a)은 다이(11)의 크기에 맞도록 제작되어야 하고, 다이(11) 상단에 있는 상부 히터 블럭(15b)은 압력을 가하기 위하여 상·하로 움직일 수있도록 설계된다. 한편, 히터 블럭으로 가할 수 있는 열의 온도범위는 0 내지 400℃이고, 가압은 0 내지 5kgf/㎠이다.Referring to FIG. 2B, the lower heater block 15a is positioned on the bottom of the die 11 to which the conductive adhesive 14 is applied, and the upper heater block 15b is also positioned on the die 11. In addition, the lead frame 16 is positioned between the upper heater block 15a and the die 11. At this time, the lead frame is positioned on the die bonding pad to which the conductive adhesive 14 is applied. Here, the lower heater block 15a placed on the bottom of the die 11 should be manufactured to fit the size of the die 11, and the upper heater block 15b on the top of the die 11 may be moved up and down to apply pressure. It is designed to be movable. On the other hand, the temperature range of heat that can be applied to the heater block is 0 to 400 ℃, pressurization is 0 to 5kgf / ㎠.

그런 다음, 상·하부 히터 블럭(15a, 15b) 이용하여 적정한 압력과 열로서 도전성 접착제(14)가 도포된 다이 본딩 패드 부분에 리드 프레임(16)을 부착시켜 전기적으로 도통되도록 만든다.Then, the lead frame 16 is attached to the die bonding pad portion to which the conductive adhesive 14 is applied at an appropriate pressure and heat by using the upper and lower heater blocks 15a and 15b to be electrically conductive.

그리고 나서, 후속 공정을 진행하여, 도 3에 도시된 바와 같은, 리드 프레임(16)이 도전성 접착제(14)에 의해 다이(11)에 부착된 반도체 패키지를 제조 한다.Subsequently, the subsequent process proceeds to produce a semiconductor package in which the lead frame 16, as shown in FIG. 3, is attached to the die 11 by a conductive adhesive 14.

이상에서와 같이, 본 발명의 반도체 패키지 제조 방법은 다이 본딩 패드 부분에 도전성 접착제를 도포한 후, 그 부분에 리드 프레임을 부착시킴으로써, 패키지의 크기를 최소화할 수 있으며, 와이어 본딩 공정이 생략되기 때문에 경제적으로 잇점이 있다. 또한, 히터 블럭에 의해 접착 및 경화가 동시에 이루어지기 때문에 별도의 경화 공정을 필요로 하지 않는다.As described above, in the method of manufacturing a semiconductor package of the present invention, by applying a conductive adhesive to a die bonding pad portion and then attaching a lead frame to the portion, the size of the package can be minimized and the wire bonding process is omitted. There is an economic advantage. In addition, since the bonding and curing are performed at the same time by the heater block, no separate curing process is required.

한편, 여기에서는 본 발명의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 당 업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하, 특허청구의 범위는 본 발명의 진정한 사상과 범위에 속하는 한 모든 수정과 변형을 포함하는 것으로 이해할 수 있다.Meanwhile, although specific embodiments of the present invention have been described and illustrated herein, modifications and variations can be made by those skilled in the art. Accordingly, the following claims are to be understood as including all modifications and variations as long as they fall within the true spirit and scope of the present invention.

Claims (5)

마스크 플레이트를 이용하여 다이 본댕 패드 부분에 도전성 접착제를 도포하는 단계;Applying a conductive adhesive to the die bond pad portion using the mask plate; 상기 도전성 접착제가 도포된 다이 본딩 패드 부분에 리드 프레임을 열압착시키는 단계;Thermally compressing a lead frame to a die bonding pad portion coated with the conductive adhesive; 상기 다이와, 도전성 접착제에 의해 다이에 부착된 리드 프레임의 일정 부분을 몰딩 컴파운드로 성형하여 패키지 몸체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조 방법.Forming a package body by molding the die and a portion of a lead frame attached to the die by a conductive adhesive to a molding compound. 제 1 항에 있어서, 상기 마스크 플레이트는 다이 표면으로부터 최소 2㎜ 이상의 위에 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조 방법.The method of claim 1, wherein the mask plate is installed at least 2 mm above the die surface. 제 1 항에 있어서, 상기 도전성 접착제가 도포된 다이의 본딩 패드 부분과 리드 프레임을 부착시키기 위하여 히터 블럭을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조 방법.The method of manufacturing a semiconductor package according to claim 1, wherein a heater block is used to attach the lead pad and the bonding pad portion of the die coated with the conductive adhesive. 제 3 항에 있어서, 상기 히터 블럭의 가압은 0 내지 5kgf/㎠인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조 방법.The method of claim 3, wherein the pressure of the heater block is 0 to 5 kgf / cm 2. 제 3 항에 있어서, 상기 히터 블럭의 가열 온도는 0 내지 400℃인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조 방법.The method of claim 3, wherein the heating temperature of the heater block is 0 to 400 ° C. 5.
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