KR19980057583A - 반도체 제조장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 특히 포토공정의 안정성 향상 및 중첩정밀도 향상에 적당하도록 한 반도체 제조장치에 관한 것이다.
이를위한 본 발명의 반도체 제조장치는 포토공정에 있어서, 노광이 이루어지는 챔버, 상기 챔버내에 삽입되는 웨이퍼의 항온을 유지하기 위하여 상기 챔버내에 설치된 항온 척, 상기 항온 척의 온도를 제어하기 위해 침버 외부에 형성되는 온도 조절부를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 특히 포토공정의 안정성 향상 및 중첩정밀도 향상에 적당하도록 한 반도체 제조장치에 관한 것이다
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래의 반도체 제조장치에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래의 반도체 제조장치의 평면도이다.
먼저, 도 1에 도시한 바와같이 반도체 제조공정 중 포토공정에 있어, 도포 및 현상이 이루어지는 제 1 챔버(1)와 노광이 이루어지는 제 2 챔버(2)로 구성되어 상기 제 1 챔버(1)에서 웨이퍼(도면에 도시하지 않았음)에 감광막을 도포하고 소프트 베이킹 공정을 한 후, 제 2 챔버(2)로 옮겨져 노광공정이 이루어진다. 그리고 다시 제 1 챔버(2)로 옮겨져 현상공정이 이루어진다.
이때, 제 2 챔버(2)의 온도에만 의존하여 연속적으로 노광공정이 이루어지므로 온도차에 의한 공정요소의 불안정이 발생된다.
상기와 같은 종래의 반도체 제조장치에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
노광공정이 이루어지는 챔버에 미세한 온도 조절 시스템이 따로 없기 때문에 연속적으로 노광공정이 진행되는 경우 웨이퍼가 동일한 온도에서 노광이 이루어지지 않으며 특히 소프트 베이킹 공정의 온도가 높을수록 이 온도차는 심하게 나타난다.
따라서 노광이 이루어지는 웨이퍼간의 온도차에 의해 발생되는 중첩 정밀도가 낮아진다.
본 발명은 이와같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로 노광장비의 챔버내에 항온 척을 두어 항온 시스템을 유지하도록 한 반도체 제조장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 반도체 제조장치를 나타낸 평면도
도 2는 본 발명의 반도체 제조장치를 나타낸 평면도
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
21 : 제 1 챔버, 22 : 제 2 챔버, 23 : 항온 척, 24 : 열전기 냉각기, 25 : 열감지 센서 26 : 온도 조절부
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조장치는 포토공정에 있어서, 노광이 이루어지는 챔버, 상기 챔버내에 삽입되는 웨이퍼의 항온을 유지하기 위하여 상기 챔버내에 설치된 항온 척, 상기 항온 척의 온도를 제어하기 위한 챔버 외부에 형성되는 온도 조절부를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 반도체 제조장치에 대하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 반도체 제조장치를 나타낸 평면도이다.
도 2에 도시한 바와같이 반도체 제조공정중 포토공정에 있어서, 도포 및 현상이 이루어지는 제 1 챔버(21)와 노광이 이루어지는 제 2 챔버(22)로 구성된다.
이때, 제 2 챔버(22)는 상기 제 2 챔버(22)의 온도를 조절하기 위한 항온 척(23)을 상기 제 2 챔버(22)내에 설치하고, 상온 항온 척(23)의 온도를 제어하기 위해 상기 챔버(22) 외부에 온도 조절부(26)를 설치한다. 그리고 상기 항온 척(23)은 열전자 공급기(24)를 매트릭스 형태로 배열하며, 상기 열전자 공급기(24) 사이사이에 열감지 센서(25)를 설치한다.
여기서, 본 발명의 반도체 제조장치 중 포토공정이 이루어지는 동작에 대하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, 상기 제 1 챔버(21)에서 웨이퍼(도면에 도시하지 않았음)에 감광막을 도포 하고 소프트 베이킹 공정을 한 후, 제 2 챔버(22)로 옮겨져 노광공정이 이루어진다.
이때, 상기 제 2 챔버(22)에서는 일정 온도로 설정된 값에 도달 되었는지를 열감지 센서(25)가 센싱하고 만약, 항온에 도달하지 않았으면 상기 항온 척(23)에서 항온에 도달할때 까지 머물도록 한 후, 항온 상태에 도달한 이후에 노광이 이루어지도록 한다.
이어서, 다시 제 1 챔버(21)로 옮겨저 현상이 이루어진다.
이상에서 설명한 바와같이 본 발명의 반도체 제조장치에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.
웨이퍼가 항상 일정한 온도 범위에서 노광공정이 이루어지므로 웨이퍼간의 변위를 극소화 시키고, 중첩 정렬 정밀도를 유지할 수 있도록 함으로서 반도체 제조공정의 안정성을 향상 시킬 수 있다.
Claims (2)
- 포토공정에 있어서,노광이 이루어지는 챔버 ;상기 챔버내에 삽입되는 웨이퍼의 항온을 유지하기 위하여 상기 챔버내에 설치된 항온 척 ;상기 항온 척의 온도를 제어하기 위해 챔버 외부에 형성되는 온도 조절부를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
- 제 1항에 있어서,상기 항온 척은 매트릭스 형태로 배열되어 웨이퍼에 열전자를 공급하기 위한 열전자 공급부와, 상기 열전자 공급부 사이에 형성되어 열을 감지하는 열감지 센서로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960076880A KR19980057583A (ko) | 1996-12-30 | 1996-12-30 | 반도체 제조장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960076880A KR19980057583A (ko) | 1996-12-30 | 1996-12-30 | 반도체 제조장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19980057583A true KR19980057583A (ko) | 1998-09-25 |
Family
ID=66395871
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960076880A KR19980057583A (ko) | 1996-12-30 | 1996-12-30 | 반도체 제조장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR19980057583A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100572419B1 (ko) * | 1997-04-07 | 2006-06-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 리소그래피시스템,리소그래피방법,노광장치와그제조방법및기판처리장치와그제조방법 |
-
1996
- 1996-12-30 KR KR1019960076880A patent/KR19980057583A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100572419B1 (ko) * | 1997-04-07 | 2006-06-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 리소그래피시스템,리소그래피방법,노광장치와그제조방법및기판처리장치와그제조방법 |
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