JPH05234839A - 半導体露光方法および装置 - Google Patents
半導体露光方法および装置Info
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- JPH05234839A JPH05234839A JP4070069A JP7006992A JPH05234839A JP H05234839 A JPH05234839 A JP H05234839A JP 4070069 A JP4070069 A JP 4070069A JP 7006992 A JP7006992 A JP 7006992A JP H05234839 A JPH05234839 A JP H05234839A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 露光直前のウエハ温度と装置内基準温度とを
一致させ、ウエハに対する熱的影響による変形のバラつ
きを防止し、パターン露光精度の向上を図る。 【構成】 半導体露光において、露光（ステップ５）の
ために被露光物を吸着する（ステップ４）前に、強制温
調を行う。
一致させ、ウエハに対する熱的影響による変形のバラつ
きを防止し、パターン露光精度の向上を図る。 【構成】 半導体露光において、露光（ステップ５）の
ために被露光物を吸着する（ステップ４）前に、強制温
調を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体露光方法および装
置に関し、特に露光直前のウエハの温度を装置内の基準
温度に一致させる為の技術に関するものである。
置に関し、特に露光直前のウエハの温度を装置内の基準
温度に一致させる為の技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しょうとする課題】投影
露光装置において、装置外から搬入されたウエハは、ウ
エハ搬送系を経由してウエハチャック上に転送され、ウ
エハチャックに吸着された後、投影露光される。一般に
ウエハの温度は、装置外から搬入された時点ではチャッ
ク温度とは異なっているが、ウエハ搬送中に、主として
周囲の空気との間の熱伝導によって、チャック温度に近
づく。６インチウエハが従来の投影露光装置に搬入され
た場合の、ウエハ温度の変化の様子を図４（ａ）に示
す。図４（ａ）において、時刻０に２１．２℃の温度の
ウエハが搬入され、約２０秒後に２０℃の温度のチャッ
クに吸収されると仮定した。搬送中のウエハは、約０．
３Ｃ／Ｗの熱抵抗で周囲の空気温度（２０℃）に近づ
き、また吸着後は０．０８Ｃ／Ｗの熱抵抗でチャック温
度に近づくとした。一方、シリコンウエハの線膨張率
は、４．２ｐｐｍ／℃であることが知られている。ウエ
ハの伸び縮みを、図４（ａ）と同じ時間スケールで示し
たのが図４（ｂ）である。２０℃のウエハの伸び縮みを
０ｐｐｍとして示す。図３（ｂ）において、チャック吸
着時のウエハの温度は、チャックに対して約０．５℃程
高く、そのためウエハは２．１ｐｐｍ程伸びた状態で吸
着される。吸着時におけるウエハとチャックとの温度差
は、主としてウエハが装置に搬入されてからの経過時間
によって定まる。一般にウエハ搬送系はパイプライン形
式でウエハを搬送する。このとき順次搬送時間がウエハ
一枚の露光時間より短く設計されているため、第２枚目
以降のウエハは、搬送系上のどこかのステージで待機す
ることになる。したがって１枚目のウエハの経過時間と
２枚目以降の経過時間は大きく異なる。また、ウエハ搬
送系の各部分の温度を、例えば０．５℃範囲内で均一に
保つためには、大規模な温度制御機構が必要となる。通
常は搬送系内の各部分で０．５℃程度の温度差が存在し
ている。したがって搬送途中の周囲温度によっても、ま
たウエハの待機状態によっても、チャック吸着時の各ウ
エハの温度は互いに異なることとなる。この結果、以下
の３点の問題が引き起こされる。 （１）投影露光系の倍率が厳しく管理されていても、ウ
エハの熱膨張（縮小）によって実際に投影露光されたパ
ターンの大きさおよび間隔がウエハ毎に異なってしま
う。 （２）吸着動作中および吸着直後から、温度に応じた大
きさになろうとするウエハと、ウエハを一定の大きさに
留めようとするチャックの間にストレスが生じる。この
ため吸着動作によってウエハが変形したり、吸着力が異
物等によって弱くなった場合には、露光途中で倍率が変
化する。 （３）ステップアンドリピート方式で露光する装置の場
合には、ステップ間隔がウエハ毎に変動する。
露光装置において、装置外から搬入されたウエハは、ウ
エハ搬送系を経由してウエハチャック上に転送され、ウ
エハチャックに吸着された後、投影露光される。一般に
ウエハの温度は、装置外から搬入された時点ではチャッ
ク温度とは異なっているが、ウエハ搬送中に、主として
周囲の空気との間の熱伝導によって、チャック温度に近
づく。６インチウエハが従来の投影露光装置に搬入され
た場合の、ウエハ温度の変化の様子を図４（ａ）に示
す。図４（ａ）において、時刻０に２１．２℃の温度の
ウエハが搬入され、約２０秒後に２０℃の温度のチャッ
クに吸収されると仮定した。搬送中のウエハは、約０．
３Ｃ／Ｗの熱抵抗で周囲の空気温度（２０℃）に近づ
き、また吸着後は０．０８Ｃ／Ｗの熱抵抗でチャック温
度に近づくとした。一方、シリコンウエハの線膨張率
は、４．２ｐｐｍ／℃であることが知られている。ウエ
ハの伸び縮みを、図４（ａ）と同じ時間スケールで示し
たのが図４（ｂ）である。２０℃のウエハの伸び縮みを
０ｐｐｍとして示す。図３（ｂ）において、チャック吸
着時のウエハの温度は、チャックに対して約０．５℃程
高く、そのためウエハは２．１ｐｐｍ程伸びた状態で吸
着される。吸着時におけるウエハとチャックとの温度差
は、主としてウエハが装置に搬入されてからの経過時間
によって定まる。一般にウエハ搬送系はパイプライン形
式でウエハを搬送する。このとき順次搬送時間がウエハ
一枚の露光時間より短く設計されているため、第２枚目
以降のウエハは、搬送系上のどこかのステージで待機す
ることになる。したがって１枚目のウエハの経過時間と
２枚目以降の経過時間は大きく異なる。また、ウエハ搬
送系の各部分の温度を、例えば０．５℃範囲内で均一に
保つためには、大規模な温度制御機構が必要となる。通
常は搬送系内の各部分で０．５℃程度の温度差が存在し
ている。したがって搬送途中の周囲温度によっても、ま
たウエハの待機状態によっても、チャック吸着時の各ウ
エハの温度は互いに異なることとなる。この結果、以下
の３点の問題が引き起こされる。 （１）投影露光系の倍率が厳しく管理されていても、ウ
エハの熱膨張（縮小）によって実際に投影露光されたパ
ターンの大きさおよび間隔がウエハ毎に異なってしま
う。 （２）吸着動作中および吸着直後から、温度に応じた大
きさになろうとするウエハと、ウエハを一定の大きさに
留めようとするチャックの間にストレスが生じる。この
ため吸着動作によってウエハが変形したり、吸着力が異
物等によって弱くなった場合には、露光途中で倍率が変
化する。 （３）ステップアンドリピート方式で露光する装置の場
合には、ステップ間隔がウエハ毎に変動する。
【０００３】本発明は上記従来技術の問題点に鑑みなさ
れたものであって、露光直前のウエハ温度と装置内基準
温度とを一致させ、ウエハに対する熱的影響による変形
のバラつきを防止し、パターン露光精度の向上を図った
半導体露光装置の提供を目的とする。
れたものであって、露光直前のウエハ温度と装置内基準
温度とを一致させ、ウエハに対する熱的影響による変形
のバラつきを防止し、パターン露光精度の向上を図った
半導体露光装置の提供を目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、ウエハ吸着時において、ウエハの温度
とチャックの温度を一致させる。しかしながら、このた
めには、搬送系全体に大規模な温度制御系を設け、十分
安定した後に露光用チャックへ搬送する方法や、吸着に
よって熱抵抗を下げ短い時定数でウエハ温度をチャック
温度に近づける方法等が考えられるが、いずれも露光時
のウエハ温度制御の精度やスループットに問題がある。
め、本発明では、ウエハ吸着時において、ウエハの温度
とチャックの温度を一致させる。しかしながら、このた
めには、搬送系全体に大規模な温度制御系を設け、十分
安定した後に露光用チャックへ搬送する方法や、吸着に
よって熱抵抗を下げ短い時定数でウエハ温度をチャック
温度に近づける方法等が考えられるが、いずれも露光時
のウエハ温度制御の精度やスループットに問題がある。
【０００５】
【作用】本発明によれば、露光のための吸着直前にウエ
ハ温度をモニタしながらウエハチャック上で温調を行な
う。
ハ温度をモニタしながらウエハチャック上で温調を行な
う。
【０００６】
【実施例】図２（ａ）に本発明のウエハ搬送シーケンス
を、図２（ｂ）に従来のウエハ搬送シーケンスを示す。
本発明シーケンスにおいては、まずウエハを搬入し（ス
テップ１）、これを回転補正する（ステップ２）。同時
に、ウエハ温度を基準温度に近づけるため、強制空調を
行なう（ステップ３）。続いて、露光のためのチャック
吸着を行い（ステップ４）、露光し（ステップ５）、チ
ャック吸着を解除して（ステップ６）、ウエハを搬出す
る（ステップ７）。従来との相違点は、露光のためのウ
エハの吸着（ステップ４）の前に、強制空調を行なう点
である。
を、図２（ｂ）に従来のウエハ搬送シーケンスを示す。
本発明シーケンスにおいては、まずウエハを搬入し（ス
テップ１）、これを回転補正する（ステップ２）。同時
に、ウエハ温度を基準温度に近づけるため、強制空調を
行なう（ステップ３）。続いて、露光のためのチャック
吸着を行い（ステップ４）、露光し（ステップ５）、チ
ャック吸着を解除して（ステップ６）、ウエハを搬出す
る（ステップ７）。従来との相違点は、露光のためのウ
エハの吸着（ステップ４）の前に、強制空調を行なう点
である。
【０００７】図１に本発明における搬入後のウエハの温
度変化（ａ）およびウエハの大きさの変動の様子（ｂ）
を６インチウエハの場合を例にとって示す。図１（ｂ）
では２０℃におけるウエハの大きさを基準としそれから
の変化分を比率で示す。時刻０に２１．２℃の温度で搬
入されたウエハは、搬送中およびウエハ回転の補正を受
けている間、０．３Ｃ／Ｗの熱抵抗で搬送系周囲の空気
温度２０℃に近付く。搬入２０秒後に投影露光用のチャ
ック上にウエハが送り込まれ、強制空調機直下に移動し
て２０．０５℃まで空冷される。チャックは温度２０℃
で、十分大きな熱容量を持っているとする。空調中、ウ
エハは０．０４Ｃ／Ｗの低い熱抵抗で冷やされ約１．３
秒で目標温度になる。温度差が０．０５℃となっている
ため、基準サイズからの変化分は、約０．２ｐｐｍとな
る。露光のために吸着される時には、ウエハはほぼ標準
の大きさとなっているので、吸着時のストレスの蓄積は
ない。ウエハの大きさ変化は０．１ｐｐｍ以下である。
さらに搬送途中のウエハの履歴が異なっていて、チャッ
ク上に搬送されたときのウエハの温度がばらついていた
としても、空調によってチャック温度に揃えられてしま
うため、露光のための吸着時には、ウエハの温度のばら
つきも大きさのばらつきもない。
度変化（ａ）およびウエハの大きさの変動の様子（ｂ）
を６インチウエハの場合を例にとって示す。図１（ｂ）
では２０℃におけるウエハの大きさを基準としそれから
の変化分を比率で示す。時刻０に２１．２℃の温度で搬
入されたウエハは、搬送中およびウエハ回転の補正を受
けている間、０．３Ｃ／Ｗの熱抵抗で搬送系周囲の空気
温度２０℃に近付く。搬入２０秒後に投影露光用のチャ
ック上にウエハが送り込まれ、強制空調機直下に移動し
て２０．０５℃まで空冷される。チャックは温度２０℃
で、十分大きな熱容量を持っているとする。空調中、ウ
エハは０．０４Ｃ／Ｗの低い熱抵抗で冷やされ約１．３
秒で目標温度になる。温度差が０．０５℃となっている
ため、基準サイズからの変化分は、約０．２ｐｐｍとな
る。露光のために吸着される時には、ウエハはほぼ標準
の大きさとなっているので、吸着時のストレスの蓄積は
ない。ウエハの大きさ変化は０．１ｐｐｍ以下である。
さらに搬送途中のウエハの履歴が異なっていて、チャッ
ク上に搬送されたときのウエハの温度がばらついていた
としても、空調によってチャック温度に揃えられてしま
うため、露光のための吸着時には、ウエハの温度のばら
つきも大きさのばらつきもない。
【０００８】図３に本発明の構成を示す。同図におい
て、３はレチクル、５はウエハ、１は露光光を照射する
照明系、２はウエハ５とレチクル３との位置ずれを測定
するためのアライメントスコープ、４はレチクル３のパ
ターンをウエハ５に投影するための投影レンズ、７はウ
エハ５を移動するＸＹステージ、９はウエハを収納して
おくウエハカセット、１０はウエハ搬送系、８は装置ベ
ースを表わす。本発明で新たに加わった部分として、１
１はウエハ温調機、１２はダクト、１３はエアーフィル
タ、１４はウエハ温度センサ、１５はチャック温度セン
サである。
て、３はレチクル、５はウエハ、１は露光光を照射する
照明系、２はウエハ５とレチクル３との位置ずれを測定
するためのアライメントスコープ、４はレチクル３のパ
ターンをウエハ５に投影するための投影レンズ、７はウ
エハ５を移動するＸＹステージ、９はウエハを収納して
おくウエハカセット、１０はウエハ搬送系、８は装置ベ
ースを表わす。本発明で新たに加わった部分として、１
１はウエハ温調機、１２はダクト、１３はエアーフィル
タ、１４はウエハ温度センサ、１５はチャック温度セン
サである。
【０００９】ウエハは、ウエハ搬送系からＸＹステージ
上のチャックにおかれた直後、吸着前にエアーフィルタ
直下に移動し、ここで温調される。この温調は、温度セ
ンサ１５でモニタされるチャック温度と、温度センサ１
４でモニタされるウエハ温度との差分を最小にするよう
に制御される。温度センサ１４としては、非接触型の赤
外線センサ等が考えられる。いずれにしても、この温度
の差分が、あらかじめ定められた閾値以下になったとき
にウエハは吸着され、次の露光シーケンスに進む。
上のチャックにおかれた直後、吸着前にエアーフィルタ
直下に移動し、ここで温調される。この温調は、温度セ
ンサ１５でモニタされるチャック温度と、温度センサ１
４でモニタされるウエハ温度との差分を最小にするよう
に制御される。温度センサ１４としては、非接触型の赤
外線センサ等が考えられる。いずれにしても、この温度
の差分が、あらかじめ定められた閾値以下になったとき
にウエハは吸着され、次の露光シーケンスに進む。
【００１０】１０のウエハ搬送系の内部に、予備的な粗
温調機構を持っていれば、本発明の温調に要する時間の
短縮となる。
温調機構を持っていれば、本発明の温調に要する時間の
短縮となる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、露光の為の吸着以
前に空調など公知の種々の手段による強制温調を行うこ
とによって、露光吸着時のウエハの大きさを一定に揃え
ることができる。この結果マスクとパターンの重ね合わ
せ精度が向上し、またステップアンドリピート型の投影
露光装置では露光されたパターンの配列間隔が均一とな
る。
前に空調など公知の種々の手段による強制温調を行うこ
とによって、露光吸着時のウエハの大きさを一定に揃え
ることができる。この結果マスクとパターンの重ね合わ
せ精度が向上し、またステップアンドリピート型の投影
露光装置では露光されたパターンの配列間隔が均一とな
る。
【図１】 （ａ）（ｂ）はそれぞれ本発明に係わる半導
体露光装置におけるウエハ搬入後の経過時間に対するウ
エハの温度変化および大きさの変化を表すグラフであ
る。
体露光装置におけるウエハ搬入後の経過時間に対するウ
エハの温度変化および大きさの変化を表すグラフであ
る。
【図２】 （ａ）（ｂ）はそれぞれ本発明実施例および
従来技術による露光シーケンスのフローチャートであ
る。
従来技術による露光シーケンスのフローチャートであ
る。
【図３】 本発明に係わる空調装置を設けた半導体露光
装置の構成図である。
装置の構成図である。
【図４】 （ａ）（ｂ）はそれぞれ従来の半導体露光装
置におけるウエハ搬入後の経過時間に対するウエハの温
度変化およびウエハの大きさの変化を表すグラフであ
る。
置におけるウエハ搬入後の経過時間に対するウエハの温
度変化およびウエハの大きさの変化を表すグラフであ
る。
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体露光において、被露光物の搬入後
露光のために被露光物を吸着する前に、被露光物を強制
温調することを特徴とする半導体露光方法。 - 【請求項２】移動用ステージ上の特定の部分に被露光物
の温度を測定するためのセンサと温調設備を設けたこと
を特徴とする半導体露光装置。 - 【請求項３】 ウエハ温度とチャック温度の差分を一定
温度以内に制御するようにした温度調節器を持つ半導体
露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4070069A JP2646413B2 (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 投影露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4070069A JP2646413B2 (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 投影露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234839A true JPH05234839A (ja) | 1993-09-10 |
| JP2646413B2 JP2646413B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=13420886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4070069A Expired - Fee Related JP2646413B2 (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 投影露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2646413B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005252247A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-09-15 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| JP2006024715A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Toshiba Corp | リソグラフィー装置およびパターン形成方法 |
| KR100733050B1 (ko) * | 2000-03-06 | 2007-06-27 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 반도체 제조 장치에 있어서의 기판 탑재 방법 및 장치 |
| JP2009200486A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| WO2024160162A1 (zh) * | 2023-01-31 | 2024-08-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 传输装置、半导体工艺设备及晶圆传输方法 |
-
1992
- 1992-02-21 JP JP4070069A patent/JP2646413B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100733050B1 (ko) * | 2000-03-06 | 2007-06-27 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 반도체 제조 장치에 있어서의 기판 탑재 방법 및 장치 |
| JP2005252247A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-09-15 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| JP2006024715A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Toshiba Corp | リソグラフィー装置およびパターン形成方法 |
| US7796237B2 (en) | 2004-07-07 | 2010-09-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lithography apparatus, method of forming pattern and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2009200486A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| US8228487B2 (en) | 2008-02-20 | 2012-07-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| WO2024160162A1 (zh) * | 2023-01-31 | 2024-08-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 传输装置、半导体工艺设备及晶圆传输方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2646413B2 (ja) | 1997-08-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |