KR19980039348A - 반도체 로드락 챔버의 진공 콘트롤 시스템 - Google Patents
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Abstract
대기상태에서 진공상태의 챔버내에 웨이퍼를 로딩시키는 것이 가능하도록 이들 사이에서 저진공상태를 유지하도록 된 로드락 챔버의 진공 콘트롤 시스템에 관한 것이다.
본 발명의 구성은 로드락 챔버(10)와 진공펌프(13)가 진공파이프(14)로 연결되고, 상기 진공파이프(14)상에 고진공밸브(15)가 설치된 반도체 로드락 챔버의 진공 콘트롤 시스템에 있어서, 상기 로드락 챔버(10)와 고진공밸브(15) 사이의 진공파이프(14)상에 스로틀밸브(16)를 설치하여 이루어진다.
따라서 진공파이프에 스로틀 밸브가 설치되어 로드락 챔버내의 압력을 일정하게 유지 시킴으로써 웨이퍼의 반송이 쉽게 이루어지는 것이고, 이로써 공정시간을 단축시켜 생산성이 향상되고, 파티클이 감소되어 제품수율이 증가하는 효과가 있다.
Description
본 발명은 반도체 로드락 챔버에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 대기상태에서 진공상태의 챔버내에 웨이퍼를 로딩시키는 것이 가능하도록 이들 사이에서 저진공상태를 유지하도록 된 로드락 챔버의 진공 콘트롤 시스템에 관한 것이다.
일반적으로 반도체장치의 제조공정은 진공이 유지된 공정챔버내에서 진행되어지고, 이러한 진공상태가 유지된 공정챔버내로 웨이퍼를 로딩 및 언로딩시키기 위해서는 저진공을 유지하는 로드락 챔버를 통해 로딩 및 언로딩하게 된다.
도 1은 상기와 같이 로드락 챔버를 구비하는 제조설비를 나타낸 것으로, 다각형 형상의 로드락 챔버(10)의 일측에 복수개의 공정챔버(11)가 구비되어 있고, 타측에는 웨이퍼를 로드락 챔버(10)내에 로딩 및 언로딩시키는 입구(12)가 구비되어 있다.
따라서 입구(12)를 통해 웨이퍼를 로드락 챔버(10)내에 로딩시킨 다음 로드락 챔버(10)내부를 저진공상태로 유지하고, 공정챔버(11)내부도 저진공상태를 유지시킴으로써 로드락 챔버(10)에서 공정챔버(11)로 웨이퍼를 로딩시킬 수 있게 되며, 이와 같이 공정챔버(11)로 웨이퍼가 로딩되면, 공정챔버(11)는 고진공을 유지하여 공정을 진행하게 된다.
이와 같이하여 공정을 마친 웨이퍼를 언로딩 시키는 과정은 먼저 공정챔버(11)의 고진공상태를 로드락 챔버(10)와 동일한 저진공상태로 만들어 로드락 챔버(10)로 웨이퍼를 이동시키고, 이동후 로드락 챔버(10) 내부를 배기시켜 대기상태로 유지하여 웨이퍼를 외부로 배출시킬 수 있도록 하는 것이다.
도 2는 종래의 로드락 챔버의 진공 콘트롤 시스템을 나타낸 것으로, 로드락 챔버(10)와 진공펌프(13)가 진공파이프(14)로 연결되고, 이 진공파이프(14)상에는 고진공밸브(15)가 설치된 구성이다.
그러나 상기와 같은 로드락 챔버의 진공 콘트롤 시스템은 웨이퍼의 로딩 및 언로딩시마다 로드락 챔버(10) 내부를 저진공상태와 대기상태로 반복하여 유지해야 하고, 이러한 로드락 챔버(10)의 진공 콘트롤 방식이 N2퍼지에 의한 벤트와 펌핑에 의해 이루어지는 것이므로 저진공상태의 유지를 위한 펌핑작업과 대기상태로 만들기 위한 배기작업시간이 길어져 생산성을 저하시키는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 공정챔버의 압력이 높아도 로드락 챔버를 항상 동일한 압력으로 유지할 수 있도록 함으로써 공정종료후 웨이퍼를 쉽게 반송시켜 로스타임을 줄이고 파티클을 감소시킬 수 있는 반도체 로드락 챔버의 진공 콘트롤 시스템을 제공하는 것이다.
도 1은 종래의 로드락 챔버를 구비하는 반도체 제조설비를 나타낸 평면도이다.
도 2는 종래의 로드락 챔버의 진공 콘트롤 시스템을 나타낸 구성도이다.
도 3은 본 발명에 따른 로드락 챔버의 진공 콘트롤 시스템을 나타낸 구성도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 로드락 챔버 11 : 공정챔버
12 : 입구 13 : 진공펌프
14 : 진공파이프 15 : 고진공밸브
16 : 스로틀밸브
상기의 목적은 로드락 챔버와 진공펌프가 진공파이프로 연결되고, 상기 진공파이프상에 고진공밸브가 설치된 반도체 로드락 챔버의 진공 콘트롤 시스템에 있어서, 상기 로드락 챔버와 고진공밸브 사이의 진공파이프상에 스로틀밸브를 설치하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체 로드락 챔버의 진공 콘트롤 시스템에 의해 달성될 수 있다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 로드락 챔버의 진공 콘트롤 시스템을 나타낸 것으로, 종래와 동일한 부분에 대하여는 동일부호를 부여하였다. 즉 본 발명의 반도체 로드락 챔버의 진공 콘트롤 시스템은 대기상태와 고진공상태를 유지하는 공정챔버 사이에 구비되어 웨이퍼의 로딩 및 언로딩이 가능하게 하는 로드락 챔버(10)와, 이 로드락 챔버(10)내부를 선택적으로 저진공상태로 유지하기 위한 진공펌프(13)가 진공파이프(14)로 연결되고, 상기 진공파이프(14)에는 고진공밸브(15)가 설치되어 있다.
또한 상기 로드락 챔버(10)와 고진공밸브(15) 사이의 진공파이프(14)상에는 스로틀밸브(16)가 설치된 구성이다.
이러한 구성의 로드락 챔버의 진공 콘트롤 시스템은 로드락 챔버(10)와 고진공밸브(15) 사이의 진공파이프(14)상에 스로틀밸브(16)가 설치된 것이므로 이 상태에서 로드락 챔버(10)의 진공 콘트롤을 진행하게 되면, 공정챔버내의 압력이 높아도 로드락 챔버(10)를 항상 동일한 압력으로 유지할 수 있기 때문에 공정종료후 웨이퍼를 쉽게 반송시킬 수 있는 것이고, 이로써 공정시간을 단축시킬 수 있게 된다.
이상에서와 같이 본 발명에 따른 반도체 로드락 챔버의 진공 콘트롤 시스템에 의하면, 진공파이프에 스로틀 밸브가 설치되어 로드락 챔버내의 압력을 일정하게 유지 시킴으로써 웨이퍼의 반송이 쉽게 이루어지는 것이고, 이로써 공정시간을 단축시켜 생산성이 향상되고, 파티클이 감소되어 제품수율이 증가하는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
Claims (1)
- 로드락 챔버와 진공펌프가 진공파이프로 연결되고, 상기 진공파이프상에 고진공밸브가 설치된 반도체 로드락 챔버의 진공 콘트롤 시스템에 있어서, 상기 로드락 챔버와 고진공밸브 사이의 진공파이프상에 스로틀밸브를 설치하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체 로드락 챔버의 진공 콘트롤 시스템.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960058368A KR19980039348A (ko) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 반도체 로드락 챔버의 진공 콘트롤 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960058368A KR19980039348A (ko) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 반도체 로드락 챔버의 진공 콘트롤 시스템 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19980039348A true KR19980039348A (ko) | 1998-08-17 |
Family
ID=66482278
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960058368A KR19980039348A (ko) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 반도체 로드락 챔버의 진공 콘트롤 시스템 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR19980039348A (ko) |
-
1996
- 1996-11-27 KR KR1019960058368A patent/KR19980039348A/ko not_active Application Discontinuation
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