KR19980022237A - 액정 표시 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다. 유기 절연막을 광차단막과 게이트 전극 사이에 형성한다. 유기 절연막은 광차단막과 게이트 전극 사이의 커플링 효과를 방지한다. 유기 절연막의 두께는 커플링 효과를 최소화하기 위해서 증착이 아닌 코팅에 의해 2㎛이상으로 형성하며 유기 물질인 BCB(benzocyclobutene) 계통이나 일산화공(日産化工)의 RN-812 등을 사용하는 것이 바람직하다.

Description

액정 표시 장치

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다. 특히, 백화 형상을 방지하기 위한 박막 트랜지스터 액정 표시 장치에 관한 것이다.

액정 표시 장치는 박막 트랜지스터 기판과 컬러 필터 기판 그리고 그사이에 주입되어 있는 액정으로 이루어져 있다.

박막 트랜지스터 기판은 다음과 같이 이루어져 있다.

기판과 기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극, 게이트 전극 위에 형성되어있는 절연막, 절연막 위에 형성되어 있는 반도체막, 반도체막 위에 형성되어 있는 외인성 반도체막 그리고 외인성 반도체막 위에는 소스 및 드레인 전극이 형성되어 있다. 소스 및 드레인 전극 위에는 보호막이 형성되어 있다.

이와 같은 일반적인 액정 표시 장치의 화소부의 광 유도 전류(photo-induced current)는 오프 전류(I_OFF) 들뜸 현상을 유발시켜 박막 트랜지스터 동작시 누설 전류(lakage current)에 의한 백화 현상과 수직 크로스토크(vertical crosstalk) 등의 디스플레이시 제반 불량의 주요 원인으로 작용한다.

박막 트랜지스터의 누설 전류는 첫째 박막 트랜지스터 채널부의 디자인 그리고 둘째 빛에 반응하는 비정질 실리콘 자체 물성에 의하여 발생하며, 둘째 번의 원인을 구조적으로 대처하는 방법이 가장 효과적인 것으로 공인되고 있다.

역스태거 구조의 박막 트랜지스터는 하부에 형성되는 게이트에 의하여 입사광을 어느 정도 차단하는 효과를 볼 수 있고, 반도체층인 채널이 게이트에 의하여 전면 보호되는 게이트 위에 반도체층이 형성되어 있는 구조는 직접광에 대해서 가장 이상적이나 반사광에 의한 난반사 영향까지 배제시킬 수 없는 단점이 있다.

박막 트랜지스터의 하부에 광차단막을 형성하는 방법은 가장 간단하나 공정수가 증가하는 단점이 있고 박막 트랜지스터 하부에 형성된 고립 광차단막(isolate black matrix)이 인가되는 게이트 그리고 데이터 구동 전압에 커플링(coupling)되는 현상을 방지하지 못한다.

게이트 전극과 광차단막의 커플링 효과를 방지하기 위해서는 절연막의 두께가 일반적인 두께인 3000-4000Å 정도는 곤란하고, 두께를 늘리기 위해 PECVD를 사용하여 SiNx를 2-3㎛ 의 두께로 증착하는 방법은 공정 시간이 너무 길어 생산성이 없다.

그러므로 본 발명은 게이트 전극과 절연막의 커플링 효과를 방지하고 광차단을 할 수 있는 액정 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.

도1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 화소부의 단면도이다.

이러한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 기판, 기판 위에 형성되어 있는 광차단막, 상기 광차단막을 덮고있는 유기 절연막, 상기 유기 절연막 위에 형성되어 있는 게이트 전극, 상기 게이트 전극을 덮고 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 비정질 실리콘막, 상기 비정질 실리콘막 위에 형성되어 있는 소스 및 드레인 전극. 상기 소스 및 드레인 전극을 도포하고 있는 보호막을 포함하고 있다.

여기서, 유기 절연막이 게이트 전극과 광차단막 사이에 형성되어 있어 게이트 전극과 절연막의 커플링 효과를 방지한다.

이때, 유기 절연막은 그 두께가 약 2-3㎛로 도포되어 있다.

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 실시예에 대하여 더욱 상세히 설명한다. 본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 다음과 같다.

도1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 화소부의 단면도이다.

도1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 다음과 같은 구조를 갖고 있다.

기판(1) 위에 광차단막(10)이 형성되어 있고, 유기 절연막(20)이 차단막(10)을 덮고 있다. 유기 절연막(20) 위에는 게이트 전극(30)이 형성되어 있고, 게이트 전극(30)을 게이트 절연막(50)이 덮고 있다.

이때 게이트 전극(30) 위에는 게이트 산화막(40)을 형성할 수 있으며, 그 위에 게이트 절연막(50)이 도포되어 있다.

게이트 절연막(50) 위에 비정질 실리콘막(60)이 형성되어 있으며, 그 위에는 n+ 비정질 실리콘(70)이 오믹 컨택을 향상시키기 위해 형성되어 있다.

n+ 비정질 실리콘막(70) 위에는 소스 및 드레인 전극(80)이 형성되어 있고, 그 위에는 보호막(90)이 도포되어 있다.

여기서, 유기 절연막(20)은 광차단막(10)과 게이트 전극(30) 사이의 커플링 효과를 방지한다. 유기 절연막(20)의 두께는 커플링 효과를 최소화하기 위해서 증착이 아닌 코팅에 의해 2㎛이상으로 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 유기 물질인 BCB(benzocyclobutene) 계통이나 일산화공(日産化工)의 RN-812 등을 사용하는 것이 바람직하다. 이것은 두께 조절이 용이하고 후막 형성시 공정 시간을 줄일 수 있으며 평탄화까지도 획득할 수 있다. 또한 광차단막의 형성시 스텝의 증가에 의한 데이터 오픈 방지를 할 수 있다.

그러므로 본 발명은 유기 절연막을 광차단막과 게이트 전극 사이에 형성함으로써 광차단막과 게이트 전극 사이의 커플링 효과를 방지하는 효과가 있다.

Claims (6)

1. 기판, 기판 위에 형성되어 있는 광차단막, 상기 광차단막을 덮고있는 유기 절연막, 상기 유기 절연막 위에 형성되어 있는 게이트 전극, 상기 게이트 전극을 덮고 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 비정질 실리콘막, 상기 비정질 실리콘막 위에 형성되어 있는 소스 및 드레인 전극.

   상기 소스 및 드레인 전극을 도포하고 있는 보호막을 포함하는 액정 표시 장치.
2. 제1항에서, 상기 유기 절연막은 그 두께가 약 2-3㎛인 액정 표시 장치.
3. 제1항에서, 상기 유기 물질은 BCB(benzocyclobutene) 계통으로 형성되어 있는 액정 표시 장치.
4. 제1항에서, 상기 유기 물질은 일산화공(日産化工)의 RN-812로 형성되어 있는 액정 표시 장치.
5. 제1항에서, 상기 게이트 전극 위에 형성되어 있는 게이트 산화막을 더 포함하는 액정 표시 장치.
6. 제1항에서, 상기 비정질 실리콘막 위에 형성되어 있는 n+ 비정질 실리콘막을 더 포함하는 액정 표시 장치.