KR19980020498A - Semiconductor chip package having center bonding pad and manufacturing method thereof - Google Patents

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KR19980020498A
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조태제
김형호
정도수
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김광호
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Abstract

본 발명은 반도체 칩 패키지와 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 다이 패드가 구비된 리드 프레임에 센터 본딩 패드를 갖는 반도체 칩을 적용한 반도체 칩 패키지와 그 제조 방법에 관한 것으로, 다이 패드와 복수개의 인너 리드를 갖는 리드 프레임과, 상기 다이 패드 상부면에 부착되며 중앙부에 본딩 패드가 구비된 반도체 칩과, 상기 본딩 패드와 상기 리드 프레임의 인너 리드를 전기적으로 연결하는 도전성의 와이어와, 전체를 몰딩하는 성형 수지를 포함하며, 반도체 칩 패키지 제조 방법에 있어서, 리드 프레임의 다이 패드 상부면에 복수개의 본딩 패드가 중앙부에 형성된 반도체 칩을 부착하는 단계와, 상기 리드 프레임의 인너 리드와 상기 본딩 패드를 도전성의 와이어를 사용하여 전기적으로 연결하는 단계와, 전체를 성형 수지로 몰딩하는 단계를 포함하는 하는 것을 특징으로 한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor chip package and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a semiconductor chip package and a method of manufacturing the same, in which a semiconductor chip having a center bonding pad is applied to a lead frame provided with a die pad. A lead frame having two inner leads, a semiconductor chip attached to an upper surface of the die pad, and having a bonding pad at a central portion thereof, a conductive wire electrically connecting the bonding pad and the inner lead of the lead frame; In the method of manufacturing a semiconductor chip package comprising a molding resin for molding, attaching a semiconductor chip having a plurality of bonding pads in the center portion on the die pad upper surface of the lead frame, the inner lead and the bonding pad of the lead frame Electrical connection using a conductive wire, and the entire molding resin It characterized in that it comprises the step of molding.

Description

센터 본딩 패드를 갖는 반도체 칩 패키지와 그 제조 방법Semiconductor chip package having center bonding pad and manufacturing method thereof

본 발명은 반도체 칩 패키지와 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 다이 패드가 구비된 리드 프레임에 센터 본딩 패드를 갖는 반도체 칩을 적용한 반도체 칩 패키지와 그 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor chip package and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a semiconductor chip package and a method of manufacturing the same, in which a semiconductor chip having a center bonding pad is applied to a lead frame provided with a die pad.

일반적으로 반도체 칩 패키지는 도 1에 도시된 바와 같이 리드 프레임의 다이 패드(8) 상부면에 복수개의 본딩 패드(5)가 구비된 반도체 칩(1)을 접착제(4)를 사용하여 부착하고, 리드 프레임의 인너 리드(2)와 반도체 칩(1)의 본딩 패드(5)를 도전성의 와이어(3)를 이용하여 전기적으로 연결한 후, 상기 반도체 칩(1)과 인너 리드(2)의 일정 부위를 성형 수지(6)로 몰딩한 후, 통상적인 트리밍/포밍 공정과 플래팅 공정을 거쳐 제작된다.In general, a semiconductor chip package attaches a semiconductor chip 1 having a plurality of bonding pads 5 to an upper surface of a die pad 8 of a lead frame using an adhesive 4, as shown in FIG. After the inner lead 2 of the lead frame and the bonding pad 5 of the semiconductor chip 1 are electrically connected with each other using a conductive wire 3, the semiconductor chip 1 and the inner lead 2 are fixed. After the part is molded with the molding resin 6, it is produced through a conventional trimming / forming process and a plating process.

여기서, 미설명 부호 7은 반도체 칩이 탑재되는 다이 패드(8)를 물리적으로 지지하는 타이바이다.Here, reference numeral 7 denotes a tie bar that physically supports the die pad 8 on which the semiconductor chip is mounted.

상기와 같이 제작된 반도체 칩 패키지에 적용되는 리드 프레임의 인너 리드와 다이 패드는 상호 일정 거리가 떨어져 있는 바, 반도체 칩(1)의 집적도가 향상되어 칩 사이즈가 커짐에 따라, 다이 패드와 인너 리드와의 일정한 거리를 확보할 수 없고, 패키지의 소형 박형화의 추세에 역행되는 문제점이 있었다.Since the inner lead and the die pad of the lead frame applied to the semiconductor chip package manufactured as described above are separated from each other by a predetermined distance, the integration degree of the semiconductor chip 1 is improved and the chip size is increased, so that the die pad and the inner lead are increased. There is a problem that can not secure a constant distance with the reverse of the trend of miniaturization of the package.

또한, 대형화된 반도체 칩을 패키지화하기 위해서는 그에 맞게 리드 프레임 및 패키지를 재 설계해야 하는 문제점이 있었다.In addition, in order to package an enlarged semiconductor chip, there is a problem in that a lead frame and a package must be redesigned accordingly.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 도 2에 도시된 LOC(Lead On Chip)패키지가 개발되어 현재 활발히 생산되고 있다. 설명의 편의상 도 1에 도시된 도면과 동일한 명칭에는 동일한 부호를 사용한다.In order to solve the above problems, the lead on chip (LOC) package shown in Figure 2 has been developed and is currently being actively produced. For the convenience of description, the same reference numerals are used for the same names as those shown in FIG. 1.

LOC 타입의 반도체 칩 패키지는 중앙부에 본딩 패드(5)가 구비된 반도체 칩(1) 상면에 리드 프레임의 인너 리드(2)를 절연 테이프(4)로 부착하고 상기 인너 리드(2)와 반도체 칩(1)의 본딩 패드(5)를 도전성의 와이어(3)를 이용하여 전기적으로 연결하고, 반도체 칩(1)이 포함되도록 인너 리드(2)의 일정 부위를 성형 수지(6)로 몰딩한 후, 통상적인 트리밍/포밍 공정과 플래팅 공정을 거쳐 제작된다.In the LOC type semiconductor chip package, the inner lead 2 of the lead frame is attached with an insulating tape 4 on the upper surface of the semiconductor chip 1 having the bonding pad 5 at the center thereof, and the inner lead 2 and the semiconductor chip are attached to each other. The bonding pad 5 of (1) is electrically connected using a conductive wire 3, and a portion of the inner lead 2 is molded with the molding resin 6 so that the semiconductor chip 1 is included. It is manufactured through a conventional trimming / forming process and a plating process.

상기와 같은 LOC 타입의 패키지는 반도체 칩(1)의 표면에 리드 프레임의 인너 리드(2)가 절연 테이프(4) 등을 매개로 부착하기 때문에 다이 패드(8)가 필요없게 되어 도 1에 도시된 패키지에 사용된 반도체 칩보다 큰 대형의 반도체 칩을 탑재할 수 있다. 또한, 대형의 반도체 칩을 사용하여 제작한 패키지는 종래의 다이 패드를 갖는 리드 프레임을 이용하여 만든 반도체 칩 패키지의 크기보다 더 박형으로 만들 수 있는 장점이 있다.In the LOC type package as described above, since the inner lead 2 of the lead frame is attached to the surface of the semiconductor chip 1 via an insulating tape 4 or the like, the die pad 8 is not required. Larger semiconductor chips than those used in conventional packages can be mounted. In addition, a package manufactured using a large semiconductor chip has an advantage of making it thinner than the size of a semiconductor chip package made using a lead frame having a conventional die pad.

그러나, 상기의 LOC 타입의 패키지에 사용되는 리드 프레임은 인너 리드에 절연 테이프가 부착되어 있어 종래의 다이 패드를 갖는 리드 프레임보다 비싸기 때문에 패키지의 제조 비용이 많이 드는 문제점이 있었다.However, the lead frame used in the LOC type package has a problem in that the manufacturing cost of the package is high because an insulating tape is attached to the inner lead and is more expensive than a lead frame having a conventional die pad.

또한, LOC 타입에 적용되는 반도체 칩은 고집적화되어 있기 때문에 반도체 칩에 형성된 회로 패턴을 소정의 외부 회로와 연결하기 위한 수단으로 사용되는 와이어의 수가 증가함에 따라 와이어간의 배치 간격이 조밀하게 되어 성형 수지로 몰딩하는 공정에서 와이어의 쏠림(sweeping) 현상으로 인해 와이어간의 전기적인 쇼트가 발생하는 문제점도 있었다.In addition, since the semiconductor chip applied to the LOC type is highly integrated, as the number of wires used as a means for connecting the circuit pattern formed on the semiconductor chip with a predetermined external circuit increases, the spacing between the wires becomes dense, thereby forming a molding resin. In the molding process, there is a problem in that electrical shorting occurs between wires due to a wire sweeping phenomenon.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 일반 패키지의 장점인 다이 패드가 구비된 리드 프레임에 LOC 패키지의 장점인 센터 본딩 패드를 갖는 반도체 칩이 복합적으로 나타날 수 있는 반도체 칩 패키지와 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention is to solve the above problems, a semiconductor chip package that can be a composite of a semiconductor chip having a center bonding pad which is an advantage of the LOC package in a lead frame having a die pad is an advantage of the general package and The object is to provide a method for producing the same.

도 1은 종래의 반도체 칩 패키지의 내부 구조를 나타낸 평면도1 is a plan view showing the internal structure of a conventional semiconductor chip package

도 2는 종래의 LOC 타입의 반도체 칩 패키지의 내부 구조를 나타낸 평면도2 is a plan view showing the internal structure of a conventional LOC type semiconductor chip package

도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 반도체 칩 패키지의 내부 구조를 나타낸 평면도3 is a plan view showing the internal structure of a semiconductor chip package according to an embodiment of the present invention

도 4는 도 3의 반도체 칩 패키지를 도시한 단면도4 is a cross-sectional view illustrating the semiconductor chip package of FIG. 3.

도 5 (A) 내지 (B)는 본 발명에 의한 다른 실시예를 나타낸 도면5 (A) to (B) is a view showing another embodiment according to the present invention

도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : 반도체 칩2 : 인너 리드3 : 와이어1 semiconductor chip 2 inner lead 3 wire

4 : 접착제5 : 본딩 패드6 : 성형 수지4: adhesive 5: bonding pad 6: molding resin

7 : 타이바7: tie bar

이하, 본 발명에 의한 센터 본딩 패드를 갖는 반도체 칩 패키지를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다. 설명의 편의상 종래의 부분과 동일한 명칭에는 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, a semiconductor chip package having a center bonding pad according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. For convenience of description, the same reference numerals are used for the same names as the conventional parts.

도 3은 본 발명에 의한 반도체 칩 패키지의 내부 구조를 나타낸 평면도이고, 도 4는 본 발명에 의한 반도체 칩 패키지를 도시한 단면도이다.3 is a plan view showing the internal structure of a semiconductor chip package according to the present invention, Figure 4 is a cross-sectional view showing a semiconductor chip package according to the present invention.

도시된 바와 같이, 리드 프레임의 다이 패드(8) 상부면에는 중앙부에 본딩 패드(5)가 구비된 반도체 칩(1)의 이면이 접착제(4)로 접착되고, 본딩 패드(5)와 인너 리드(2)는 도전성의 와이어(3)로 전기적 연결이 되고, 반도체 칩(1)과 인너 리드(2)의 일정 부분이 포함되도록 성형 수지(6)로 몰딩되어 있는 구조로 되어 있다.As illustrated, the back surface of the semiconductor chip 1 having the bonding pads 5 at the center thereof is bonded to the upper surface of the die pad 8 of the lead frame with an adhesive 4, and the bonding pads 5 and the inner leads (2) has a structure in which it is electrically connected with the conductive wire 3, and is molded with the molding resin 6 so that a predetermined portion of the semiconductor chip 1 and the inner lead 2 are included.

도 5는 (A) 내지 (B)는 본 발명의 다른 실시예로서, 도 5(A)는 상기와 같은 반도체 칩 패키지 구조에서 반도체 제조 공정중 성형 수지로 몰딩하는 공정에서 와이어들이 반도체 칩의 가장 자리 부분에 접촉되는 것을 방지하고, 와이어간의 전기적인 쇼트를 방지하기 위해 와이어(3)가 소정의 각으로 절곡된 것을 나타낸 도면이고, 도 5(B) 리드 프레임의 인너 리드(2)와 반도체 칩(1)의 상부면이 수평이 된 것을 나타낸 도면이다.5A to 5B show another embodiment of the present invention, and FIG. 5A shows the most of the wires of the semiconductor chip in the molding process of the molding resin during the semiconductor manufacturing process. It is a figure which shows that the wire 3 was bent at a predetermined angle in order to prevent contact with the seat portion and to prevent electrical short between the wires. FIG. 5 (B) shows the inner lead 2 and the semiconductor chip of the lead frame. It is a figure which shows that the upper surface of (1) became horizontal.

여기서, 이웃한 와이어들이 상호 전기적으로 쇼트되는 것을 방지하기 위해 본딩 패드(5)와 인너 리드(2)를 전기적으로 연결하는 도전성의 와이어(3) 표면 전체에 절연체로 코팅할 수 도 있다.Here, in order to prevent the neighboring wires from being electrically shorted to each other, the entire surface of the conductive wire 3 electrically connecting the bonding pad 5 and the inner lead 2 may be coated with an insulator.

이와 같이 구성되는 본 발명에 의한 반도체 칩 패키지의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.The method for manufacturing a semiconductor chip package according to the present invention configured as described above is as follows.

먼저, 리드 프레임의 다이 패드(8) 상부면상에 절연성의 접착제(4)로 중앙에 본딩 패드(5)가 구비된 반도체 칩(1)을 부착한다. 이후 반도체 칩(1)의 본딩 패드(5)와 이 본딩 패드(5)에 대응된 인너 리드(2)를 도전성의 와이어(3)로 전기적 연결이 되도록 한다.First, the semiconductor chip 1 with the bonding pad 5 is attached to the center of the lead frame with the insulating adhesive 4 on the upper surface of the die pad 8. Thereafter, the bonding pad 5 of the semiconductor chip 1 and the inner lead 2 corresponding to the bonding pad 5 are electrically connected to the conductive wire 3.

여기서, 상기 도전성의 와이어(3)는 성형 수지로 몰딩하는 공정에서 이웃한 와이어와 쇼트되는 것을 방지하기 위해 미리 그 표면이 절연 물질로 코팅되어 있다.Here, the conductive wire 3 is coated with an insulating material in advance in order to prevent shorting with neighboring wires in the process of molding with molding resin.

계속하여 트랜스퍼 몰딩법을 이용하여 반도체 칩(1), 와이어(3) 전체, 및 인너 리드(2)의 일정 부분이 포함되도록 성형 수지로 몰딩을 진행한다.Subsequently, molding is performed with a molding resin so as to include a predetermined portion of the semiconductor chip 1, the entire wire 3, and the inner lead 2 using the transfer molding method.

이후, 트림(trim)공정을 이용하여 아웃 리드와 인너 리드(2)를 구분하는 봉지선의 외부로 성형 수지(6)가 흘러나오지 않도록 하기 위하여 아웃 리드 사이에 형성된 댐바(dambar)(미도시)들을 절단한다.Subsequently, dambars (not shown) formed between the out leads may be formed to prevent the molding resin 6 from flowing out of the encapsulation line separating the out leads and the inner leads 2 using a trim process. Cut.

계속하여 아웃 리드를 원하는 형태로 절단한다. 이어서, 아웃 리드의 전기적 안정성을 향상시키고, 외부 환경으로부터 보호하기 위해 아웃 리드를 전기 도금한다. 계속하여 포밍(forming) 공정을 이용하여 상기 전기 도금된 아웃 리드를 인쇄 회로 기판상에 실장하기 위해 원하는 형태로 절곡한다. 이렇게 하여 반도체 칩 패키지를 완성한다.Then, the out lead is cut into the desired shape. The out leads are then electroplated to improve the electrical stability of the out leads and to protect them from the external environment. Subsequently, the electroplated out lead is bent into a desired shape for mounting on a printed circuit board using a forming process. In this way, the semiconductor chip package is completed.

반도체 칩의 별도의 설계 및 추가되는 반도체 제조 장비가 필요없어 기존의 생산중인 패키지의 사용 설계 및 장비를 곧바로 적용할 수 있어 반도체 제조의 투자 비용이 추가되는 것을 막을 수 있다.The separate design of semiconductor chips and the need for additional semiconductor manufacturing equipment are eliminated, allowing the use of existing designs and equipment in production packages to be applied directly, thereby avoiding additional investment in semiconductor manufacturing.

이상 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 반도체 칩 패키지의 구조에 따르면, 일반 반도체 칩 패키지와 LOC 패키지 각각의 장점만을 취합하여 구성함으로써 보다 완벽한 패키지의 기능을 얻을 수 있으며, 기존의 반도체 칩 및 생산 라인을 이용하여 제품을 제조할 수 있는 경제적인 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the structure of the semiconductor chip package according to the present invention, by combining only the advantages of each of the general semiconductor chip package and LOC package, it is possible to obtain a more complete package function, the existing semiconductor chip and production line The economical effect of manufacturing the product can be obtained.

부가적으로, 인너 리드와 본딩 패드를 전기적으로 연결하는 도전성의 와이어를 절연 코팅하고, 소정 각도 절곡되도록 함으로써, 와이어간의 쇼트로 인한 반도체 장치의 기능 저하를 막을 수 있는 효과도 있다.In addition, by electrically insulating a conductive wire that electrically connects the inner lead and the bonding pad and bending it at a predetermined angle, there is an effect of preventing the deterioration of the function of the semiconductor device due to the short circuit between the wires.

Claims (5)

다이 패드와 복수개의 인너 리드를 갖는 리드 프레임과, 상기 다이 패드 상부면에 부착되며 중앙부에 본딩 패드가 구비된 반도체 칩과, 상기 본딩 패드와 상기 리드 프레임의 인너 리드를 전기적으로 연결하는 도전성의 와이어와, 전체를 몰딩하는 성형 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 센터 본딩 패드를 갖는 반도체 칩 패키지.A lead frame having a die pad and a plurality of inner leads, a semiconductor chip attached to an upper surface of the die pad and having a bonding pad at a center thereof, and a conductive wire electrically connecting the bonding pad and the inner lead of the lead frame. And a molding resin for molding the whole. 제 1 항에 있어서, 상기 도전성의 와이어는 표면이 절연 물질로 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 센터 본딩 패드를 갖는 반도체 칩 패키지.The semiconductor chip package according to claim 1, wherein the conductive wire is coated with an insulating material on its surface. 제 1 항에 있어서, 상기 도전성의 와이어는 상기 반도체 칩의 엣지 부분에 접촉되는 것을 방지하기 위해 소정의 각으로 절곡되어 있는 것을 특징으로 하는 센터 본딩 패드를 갖는 반도체 칩 패키지.The semiconductor chip package according to claim 1, wherein the conductive wire is bent at a predetermined angle to prevent contact with the edge portion of the semiconductor chip. 제 1 항에 있어서, 상기 리드 프레임의 인너 리드와 상기 반도체 칩의 상부면이 수평인 것을 특징으로 하는 센터 본딩 패드를 갖는 반도체 칩 패키지.The semiconductor chip package of claim 1, wherein an inner lead of the lead frame and an upper surface of the semiconductor chip are horizontal. 반도체 칩 패키지 제조 방법에 있어서, 리드 프레임의 다이 패드 상부면에 복수개의 본딩 패드가 중앙부에 형성된 반도체 칩을 부착하는 단계와, 상기 리드 프레임의 인너 리드와 상기 본딩 패드를 도전성의 와이어를 사용하여 전기적으로 연결하는 단계와, 전체를 성형 수지로 몰딩하는 단계를 포함하는 센터 본딩 패드를 갖는 반도체 칩 패키지 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor chip package, comprising: attaching a semiconductor chip having a plurality of bonding pads formed at a center portion to an upper surface of a die pad of a lead frame, and electrically connecting the inner lead and the bonding pad of the lead frame using conductive wires A method of manufacturing a semiconductor chip package having a center bonding pad, the method comprising the steps of: connecting to a mold;
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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