KR19980020297A - Lead frame and semiconductor package using same - Google Patents

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KR19980020297A KR1019960038731A KR19960038731A KR19980020297A KR 19980020297 A KR19980020297 A KR 19980020297A KR 1019960038731 A KR1019960038731 A KR 1019960038731A KR 19960038731 A KR19960038731 A KR 19960038731A KR 19980020297 A KR19980020297 A KR 19980020297A
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김광호
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Abstract

본 발명은 칩이 접착 고정되는 리드 프레임의 다이 패드 부분을 제거하고 연장된 타이바로 칩을 접착 고정하는 다이패드가 제거된 반도체 패키지에 관한 것으로써, 복수 개의 본딩 패드들을 갖고 있는 반도체 칩; 상기 본딩 패드들에 대항하여 형성된 리드들과 그 리드들을 가로질러 일체형으로 형성된 댐바 및 상기 리드들의 모서리 부분에서 일체형으로 연장된 타이바를 갖는 리드 프레임; 상기 연장된 타이바를 칩 상면에 접착 고정하는 접착제; 상기 본딩 패드들과 각기 대응하는 리드들과 타이바를 전기적으로 연결하는 본딩 와이어; 및 상기 칩 및 전기적 연결부위를 내재·봉지 하는 성형 수지; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 패드가 제거된 반도체 패키지를 제공하여 다이패드와 접착제에서 발생하였던 보이드 및 박리현상 등의 불량을 제거하고 와이어 길이가 줄어들어 와이어 휨 등의 불량을 방지할 수 있는 이점(利點)이 있다.The present invention relates to a semiconductor package in which a die pad for removing a die pad portion of a lead frame to which a chip is adhesively fixed and a die pad for adhesively fixing a chip with an extended tie bar is removed, the semiconductor chip having a plurality of bonding pads; A lead frame having leads formed against the bonding pads, a dam bar integrally formed across the leads, and a tie bar integrally extending from an edge portion of the leads; An adhesive for adhesively fixing the extended tie bar to an upper surface of a chip; Bonding wires electrically connecting the bonding pads and the leads and tie bars respectively; And a molding resin containing and encapsulating the chip and the electrical connection portion. Providing a semiconductor package, the die pad is removed, characterized in that it includes the defects such as voids and peeling phenomenon that occurred in the die pad and the adhesive, the wire length is reduced to prevent the defects such as wire bending ( There is 利 點).

Description

리드 프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지.Lead frame and semiconductor package using same.

본 발명은 반도체 칩을 실장하는 리드 프레임 및 그를 이용한 반도체 패키지에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 칩이 접착 고정되는 리드 프레임의 다이 패드 부분을 제거하고 연장된 타이바로 칩을 접착 고정하는 다이패드가 제거된 반도체 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a lead frame for mounting a semiconductor chip and a semiconductor package using the same, and more particularly, a die pad for removing a die pad portion of a lead frame in which a chip is adhesively fixed and adhesively fixing the chip with an extended tie bar. A semiconductor package is removed.

칩의 기능이 증가 될 수록 칩의 입·출력(input/output) 단자 수가 증가되고 그에 따라 실장하기 위한 리드 수가 비례적으로 증가 되고 있다. 이처럼, 증가된 실장 리드 수를 수용할 수 있는 패키지로는 볼 그리드 어레이(ball grid array) 패키지, TAB(tape automated bonding) 패키지, QFP(quad flat package) 등과 같은 표면 실장형 패키지가 있다.As the functionality of a chip increases, the number of input / output terminals of the chip increases, so that the number of leads for mounting increases proportionally. As such, packages that can accommodate an increased number of mounting leads include surface mount packages such as ball grid array packages, tape automated bonding (TAB) packages, quad flat packages (QFPs), and the like.

상기 패키지들 중에서 1980년대 이후 현재까지 광범위한 분야에서 가장 널리 사용되고 있고, 향후에도 사용증대가 예상되는 패키지는 네방향으로 외부리드들을 갖는 QFP이다.Among the packages, the package is most widely used in a wide range of fields since the 1980s and the present, and a package that is expected to increase in the future is a QFP having external leads in four directions.

네방향 표면실장형 외부리드를 갖는 QFP에 사용되는 종래의 리드 프레임은 일반적으로 칩이 접착 고정되는 다이패드와 이를 지지해 주는 타이바(tie bar) 및 실장되는 외부리드들의 수만큼 내부리드들로 구성되어 있으며, 내부리드는 다이패드부를 향해 배열되어 있다.Conventional lead frames used in QFPs having four-way surface mount external leads typically have as many internal leads as the number of external leads that are mounted and the die pads to which the chips are adhesively bonded and the tie bars that support them. The inner lead is arranged toward the die pad portion.

실장되는 외부리드 수 증가에 따른 동일한 수만큼의 내부리드 증가시 문제가 되는 것은 리드 프레임의 내부리드의 제작 한계 및 제작 품질과 이로 인한 패키지 제조 공정, 특히 와이어 본딩(wire bonding) 및 몰딩(molding) 공정에서의 공정 품질 및 공정 양산성 등이다.The problem of increasing the same number of inner leads as the number of external leads mounted is that the manufacturing limits and manufacturing quality of the inner lead of the lead frame and the resulting package manufacturing process, in particular wire bonding and molding Process quality and process productivity in the process.

이하 도면을 참조하여 설명하면, 도 1은 종래 기술에 의한 QFP용 리드 프레임과 반도체 칩의 전기적인 연결을 나타내는 평면도이고, 도 2는 도 1의 2 부분 확대도이다.Referring to the drawings, FIG. 1 is a plan view illustrating electrical connection between a lead frame for a QFP and a semiconductor chip according to the prior art, and FIG. 2 is an enlarged two-part view of FIG.

도1과 도 2는 리드 프레임(50)의 다이패드(40) 상면에 칩(10)이 접착제(도면에 도시안됨)로 접착고정되어 있고, 본딩 패드(12)와 내부리드(52)가 와이어에 의하여 전기적으로 연결되어 있는 모양을 나타내고 있다.1 and 2 show that the chip 10 is adhesively fixed to the upper surface of the die pad 40 of the lead frame 50 with an adhesive (not shown), and the bonding pad 12 and the inner lead 52 are wired. It shows the state which is electrically connected by.

또한, 상기 내부리드(52)와 외부리드(54)로 이루어진 리드들을 가로 질러 일체로 형성된 댐바(56)와 다이패드(40)를 지지하기 위하여 일체로 형성된 타이바(42)가 형성되어 QFP용 리드 프레임(50)을 이루고 있다.In addition, a tie bar 42 integrally formed to support the dam bar 56 and the die pad 40 integrally formed across the leads formed of the inner lead 52 and the outer lead 54 is formed for the QFP. The lead frame 50 is formed.

이와 같이 리드 수가 많은 리드 프레임 제작시 가장 문제가 되는 것을 내부리드들(52)의 미세 간격에 의한 가공 난이(難易)성이다. 리드 수가 많아지고 패키지 실장밀도가 증가할수록 리드들간의 미세화는 필연적이다.Thus, the most difficult problem when manufacturing a lead frame with a large number of leads is the difficulty of processing due to the fine spacing of the inner leads 52. As the number of leads increases and the package mounting density increases, miniaturization between leads becomes inevitable.

그러나, 이러한 미세화에 대응할 수 있는 리드 프레임 가공 펀치의 제작 한계로 인해 리드 피치의 미세화 한계를 갖게된다.However, due to the manufacturing limitations of the lead frame machining punch that can cope with such miniaturization, there is a limit of miniaturization of the lead pitch.

현재의 리드 프레임 제작 기술로는 제작 수율 및 품질 등을 감안할 때 내부리드 피치 간격을 180㎛ 수준을 한계로 보고 있다.Current lead frame manufacturing technology considers the internal lead pitch interval to be limited to 180㎛ considering production yield and quality.

그리고, 고온 다습한 환경에서는 다이패드에서 발생하는 스트레스(stress)가 커져 이로인한 패키지 크랙(crack)이나 미세한 박리현상이 발생하여 치명적인 패키지 신뢰성 불량을 유발시킨다. 이런 형상은 리드 프레임의 다이패드 면적이 넓을수록 비례적으로 심하게 발생한다.Further, in a high temperature and high humidity environment, stress generated in the die pad increases, resulting in package cracks or fine peeling, which causes fatal package reliability failure. This shape occurs proportionately as the die pad area of the lead frame increases.

칩을 다이패드에 접착시 통상 액상의 전도성 또는 비전도성 접착제를 사용하는 관계로 반드시 별도 준비된 장치를 이용해서 고온 경화를 시켜주어야 하고, 접착제의 보관조건이나 경화조건에 따라 접착제의 보이드나 칩과 다이패드간의 미세 박리 현상이 발생하여 반도체 패키지의 신뢰성에 심각한 영향을 주는 경우가 빈번하다.When bonding chips to die pads, liquid conductive or non-conductive adhesives are usually used, so they must be cured at a high temperature using a specially prepared device. Often, micro-delamination between pads occurs and seriously affects the reliability of a semiconductor package.

또한, 접착제의 양이 과도하면 접착제가 접착되는 칩의 상면으로 넘쳐 칩의 전기적 특성불량을 유발시키고 너무 양이 적으면 칩과의 접착력이 저하되어 다이패드로 부터 쉽게 이탈되므로 접착제양 조정을 세밀하게 유지시켜야 하는 부담이 항상 수반하게 된다.In addition, excessive amount of adhesive overflows to the upper surface of the chip to which the adhesive is bonded, causing the chip's electrical characteristics to be poor, and if the amount is too small, the adhesive strength with the chip is lowered and it is easily detached from the die pad. There is always a burden to maintain.

본딩패드들과 내부리드들 간의 전기적 연결 수단으로 이용되는 와이어는 그 길이가 통상 타이바 인접 내부리드에서 가장길며, 와이어가 길면 일반적으로 와이어의 휨 또는 쳐짐 등의 불량이 발생하는 등의 단점이 있다.The wire used as the electrical connection means between the bonding pads and the inner leads is usually the longest in the inner lead adjacent to the tie bar, and if the wire is long, there is a disadvantage in that a defect such as bending or sagging of the wire generally occurs. .

본 발명의 목적은 상기 전술한 바와 같이 다이패드와 접착제 사이에서 발생하는 흡습과 보이드로 인한 박리현상과 패키지 크랙 등의 불량을 제거하고, 타이바 인접 부근의 와이어 길이가 길어 발생하였던 와이어의 휨 또는 처짐 등의 불량을 제거하고 리드 프레임의 실장 리드의 밀도를 높이기 위한 리드 프레임 형태를 제공하여 반도체 제품의 신뢰성 향상을 제공하는데 있다.The object of the present invention is to remove defects such as peeling and package cracks due to moisture absorption and voids generated between the die pad and the adhesive as described above, and to prevent warpage of wires caused by long wire lengths adjacent to tie bars. The present invention provides a lead frame shape for removing defects such as sag and increasing the density of mounting leads of a lead frame, thereby improving reliability of semiconductor products.

도 1은 종래 기술에 의한 QFP용 리드 프레임과 반도체 칩의 전기적인 연결을 나타내는 평면도.1 is a plan view showing the electrical connection of the lead frame and the semiconductor chip for QFP according to the prior art.

도 2는 도 1의 2 부분 확대도.2 is an enlarged two-part view of FIG.

도 3은 본 발명에 의한 다이패드가 제거된 QFP용 리드 프레임을 나타내는 평면도.3 is a plan view showing a lead frame for a QFP in which the die pad is removed according to the present invention.

도 4는 도 3의 4 부분 확대도.4 is an enlarged view of a portion of FIG. 3.

도 5는 본 발명에 의한 연장된 타이바가 칩 상면에 접착되는 모양을 나타내는 단면도.Figure 5 is a cross-sectional view showing the shape of the extended tie bar according to the present invention bonded to the chip upper surface.

도 6은 본 발명에 의한 리드 프레임을 이용한 반도체 패키지를 나타내는 부분 절개 사시도.Fig. 6 is a partially cutaway perspective view showing a semiconductor package using a lead frame according to the present invention.

도면의 주요 부호에 대한 설명Description of the main symbols in the drawings

10 : 칩 12 : 본딩 패드10 chip 12 bonding pad

20 : 접착제 30 : 와이어20: adhesive 30: wire

40 : 다이 패드 42 : 타이바40: die pad 42: tie bar

44 : 연장된 타이바 46 : 칩 접착 타이바44: extended tie bar 46: chip adhesive tie bar

50 : 리드 프레임 52 : 내부리드50: lead frame 52: inner lead

54 : 외부리드 56 : 댐바54: external lead 56: dam bar

60 : 성형 수지60: molding resin

상기 목적을 달성하기 위하여 칩 상면에 형성된 본딩 패드들에 대항하여 형성된 복수 개의 리드; 상기 리드을 가로질러 일체형으로 형성된 댐바; 상기 리드의 모서리 부분에서 일체형으로 연장된 타이바; 들을 포함하는 것을 특징으로 하는 다이패드가 제거된 리드 프레임을 제공한다.A plurality of leads formed against the bonding pads formed on the upper surface of the chip to achieve the above object; A dam bar integrally formed across the lead; A tie bar integrally extending from the edge portion of the lead; Provided is a lead frame from which a die pad has been removed.

또한, 상기 다른 목적을 달성하기 위하여 복수 개의 본딩 패드들을 갖고 있는 반도체 칩; 상기 본딩 패드들에 대항하여 형성된 리드들과 그 리드들을 가로질러 일체형으로 형성된 댐바 및 상기 리드들의 모서리 부분에서 일체형으로 연장된 타이바를 갖는 리드 프레임; 상기 연장된 타이바를 칩 상면에 접착 고정하는 접착제; 상기 본딩 패드들과 각기 대응하는 리드들과 타이바를 전기적으로 연결하는 본딩 와이어; 및 상기 칩 및 전기적 연결부위를 내재·봉지 하는 성형 수지; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 패드가 제거된 반도체 패키지를 제공한다.In addition, a semiconductor chip having a plurality of bonding pads to achieve the above another object; A lead frame having leads formed against the bonding pads, a dam bar integrally formed across the leads, and a tie bar integrally extending from an edge portion of the leads; An adhesive for adhesively fixing the extended tie bar to an upper surface of a chip; Bonding wires electrically connecting the bonding pads and the leads and tie bars respectively; And a molding resin containing and encapsulating the chip and the electrical connection portion. It provides a semiconductor package, the die pad is removed, characterized in that it comprises a.

이하, 도면을 참조하여 본 발명은 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

도 3은 본 발명에 의한 다이패드가 제거된 QFP용 리드 프레임을 나타내는 평면도, 도 4는 도 3의 4 부분 확대도, 그리고 도 5는 본 발명에 의한 연장된 타이바가 칩 상면에 접착되는 모양을 나타내는 단면도이다.3 is a plan view showing a lead frame for a QFP in which a die pad is removed according to the present invention, FIG. 4 is an enlarged view of a portion of FIG. 3, and FIG. 5 is a view in which an extended tie bar according to the present invention is bonded to a chip upper surface. It is sectional drawing to show.

먼저, 도 3은 외부리드들(54)과 일체형으로 형성된 내부리드들(52)이 접착될 칩(10)의 본딩패드(12)들을 향하여 방사형으로 형성되어 있고, 그 리드들(52, 54)을 가로 질러 일체형으로 형성된 댐바(56) 및 그 리드들(52, 54)의 모서리 부분에서 일체형으로 타이바가(44) 칩(10) 상부면 방향으로 연장되어 있는 리드 프레임(50)을 나타내고 있다.First, FIG. 3 is formed radially toward the bonding pads 12 of the chip 10 to which the inner leads 52 integrally formed with the outer leads 54 are bonded, and the leads 52 and 54. A dam bar 56 integrally formed across the cross-section and a lead frame 50 extending in the direction of the top surface of the chip 10 integrally with the tie bar 44 at the corner portions of the leads 52 and 54 are shown.

그리고, 도 4와 5를 참조하여 좀더 자세히 설명하면, 리드 프레임의 모서리 부분에서 리드들(52)과 일체형으로 형성되어 있는 연장된 타이바(44)는 반도체 칩(10) 상면의 본딩 패드(12)가 형성되어 있지 않는 칩(10) 상면의 여백 공간까지 연장되어 있고, 그 하면에 전기절연 접착제(20)가 도포 되어 접착 고정된다.4 and 5, the extended tie bar 44 integrally formed with the leads 52 at the edge portion of the lead frame may have a bonding pad 12 on the upper surface of the semiconductor chip 10. ) Is extended to the margin space of the upper surface of the chip 10, the electrical insulating adhesive 20 is applied to the lower surface of the chip 10 is fixed.

즉, 연장된 타이바(44, 46)가 와이어 본딩을 하기 위하여 칩을 리드 프레임(50)에 접착 고정하는 역할을 하고, 그 연장된 타이바(44)는 병렬형으로 이분되어 있으며, 이와 같이 병렬형으로 이분되어 있는 타이바(44)는 칩(10)의 각 모서리 부분에 형성되어 있는 본딩패드(12)들과 전기적으로 연결되는 역할을 한다.That is, the extended tie bars 44 and 46 serve to adhesively fix the chip to the lead frame 50 for wire bonding, and the extended tie bars 44 are divided into two in parallel. The tie bars 44 divided in parallel form a role of electrically connecting the bonding pads 12 formed at each corner of the chip 10.

도면에 도시한 바와 같이 상기 타이바(44)는 칩(10)을 접착 고정하는 역할과 본딩패드(12)와 전기적으로 연결되어 전기적 신호를 전달하는 리드 역할을 동시에 하고 있다.As shown in the figure, the tie bar 44 serves to adhesively fix the chip 10 and to serve as a lead that is electrically connected to the bonding pad 12 to transmit an electrical signal.

상기 접착제(20)는 전기 절연성 접착 테이프를 사용하여 접착 고정할 수 있고, 접착하는 방법은 일반적인 리드 온 칩(lead on chip) 패키지에서 내부리드들을 칩 상면에 접착 고정하는 방법과 유사한 방법으로 실시할 수 있다.The adhesive 20 may be adhesively fixed using an electrically insulating adhesive tape, and the adhesive method may be performed by a method similar to the method of adhesively fixing the inner leads to the upper surface of a chip in a general lead on chip package. Can be.

따라서, 본 발명에 의한 상기 타이바(44)에 바로 인접해 있는 내부리드(52)는 종래 기술에 의한 다른 종류의 리드 프레임 내부리드들과 같이 배열하지 않고, 상기 타이바(44)에 바로 접속시키는 구조이므로 전체적으로 내부리드 수를 최대 8개 까지 감소할 수 있다.Therefore, the inner lead 52 immediately adjacent to the tie bar 44 according to the present invention is not arranged like other types of lead frame inner leads according to the prior art, and is directly connected to the tie bar 44. As a result of this structure, the total number of internal leads can be reduced to a maximum of eight.

그리고, 도 6에 도시한 바와 같이 본 발명에 의한 리드 프레임을 이용한 반도체 패키지는 병렬형으로 이분되어 칩(10) 상부면으로 연장된 타이바(44)가 칩 상부면의 여백 부위에 접착 고정되어 있고, 와이어(30)가 타이바(44)와 본딩 패드(12)를 전기적으로 연결하고 있으며 칩을 포함한 전기적 연결 부위를 성형 수지(60)가 봉지하고 있는 모양을 나타내고 있다.As shown in FIG. 6, the semiconductor package using the lead frame according to the present invention is divided into two parts in parallel, and the tie bars 44 extending to the upper surface of the chip 10 are adhesively fixed to the margin area of the upper surface of the chip. In addition, the wire 30 electrically connects the tie bar 44 and the bonding pad 12, and the molding resin 60 encapsulates the electrical connection portion including the chip.

일례를 들어 패키지 몸체 크기가 28mm × 28mm 이고 208개의 리드들을 갖는 QFP의 리드 프레임인 경우, 패키지 한변에 52개의 외부리드 및 동일한 수의 내부리드가 존재하는 것이 현재까지의 리드 프레임 구조 개념이다.For example, in the case of a lead frame of a QFP having a package body size of 28 mm x 28 mm and 208 leads, there are 52 external leads and the same number of internal leads on one side of the package.

그러나, 본 발명에서와 같이 타이바에 바로 인접해 있는 내부리드를 타이바에 바로 접속시킬 경우 패키지 한변에 2개씩 내부리드들 활용할 수 있어 패키지 네변에 총 8개의 내부리드를 타이바에 접속시킬 수 있으므로 실제 배열된 내부리드는 200개가 된다.However, when the inner lead immediately adjacent to the tie bar is directly connected to the tie bar as in the present invention, two inner leads can be used on one side of the package, so that a total of eight inner leads can be connected to the tie bar on the four sides of the package, and thus the actual arrangement. The number of internal leads is 200.

따라서, 본 발명에 의한 다이패드가 제거되고 연장된 타이바를 갖는 리드 프레임을 이용한 반도체 패키지는 다음과 같은 이점(利點)을 갖고 있다.Therefore, the semiconductor package using the lead frame having the tie bar with the die pad removed according to the present invention has the following advantages.

연장된 타이바가 칩 상면에 접착되고 본딩패드와 전기적인 역할을 함으로써, 와이어 본딩 길이가 줄어들어 와이어 휨 등의 불량 발생이 감소되고, 와이어 본딩 길이의 감소로 인하여 몰딩 공정의 안정성을 높일 수 있다.Since the extended tie bar is bonded to the chip top surface and plays an electrical role with the bonding pad, the wire bonding length is reduced to reduce the occurrence of defects such as wire bending, and the stability of the molding process can be improved due to the reduction of the wire bonding length.

칩을 접착고정하는 다이패드와 접착제가 제거되어 다이패드와 칩 사이에서 발생하였던 박리현상 및 접착제가 갖고 있은 흡습과 보이드 등의 불량을 방지할 수 있어 반도체 패키지의 신뢰성을 향상 시킬수 있다.By removing the die pad and the adhesive to fix the chip, it is possible to prevent the peeling phenomenon occurring between the die pad and the chip and the defects such as moisture absorption and voids of the adhesive, thereby improving the reliability of the semiconductor package.

연장된 타이바를 칩 상면에 접착하는 수단으로서, 리드 온 칩 패키지에서 사용하고 있는 접착 테이프와 방법을 사용할 수 있으므로 새로운 설비 및 공정이 추가 없이 기존의 장비를 이용할 수 있는 장점이 있다.As a means of bonding the extended tie bar to the upper surface of the chip, it is possible to use the adhesive tape and the method used in the lead-on chip package, and there is an advantage of using the existing equipment without adding new equipment and processes.

Claims (2)

칩 상면에 형성된 복수개의 본딩 패드에 대항하여 형성된 복수 개의 리드;A plurality of leads formed against a plurality of bonding pads formed on an upper surface of the chip; 상기 리드를 가로질러 일체형으로 형성된 댐바; 그리고A dam bar integrally formed across the lead; And 상기 리드의 모서리 부분에서 상기 칩 상면을 향하여 연장된 타이바;A tie bar extending from an edge portion of the lead toward the upper surface of the chip; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.Lead frame comprising a. 제 1항에 있어서, 상기 연장된 타이바가 병렬형으로 이분되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.The lead frame according to claim 1, wherein the extended tie bars are divided in parallel.
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US7436049B2 (en) 2004-02-04 2008-10-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Lead frame, semiconductor chip package using the lead frame, and method of manufacturing the semiconductor chip package

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