KR19980015493A

KR19980015493A - 철-니켈 합금 소재의 내식성 및 내균열성 향상을 위한 4층 도금 방법

Info

Publication number: KR19980015493A
Application number: KR1019960034830A
Authority: KR
Inventors: 문성수
Original assignee: 문성수
Priority date: 1996-08-22
Filing date: 1996-08-22
Publication date: 1998-05-25
Also published as: KR100215996B1

Abstract

철-니켈 합금 소재로 된 반도체 리드프레임에 내식성 향성을 위한 4층 도금 방법이 개시되어 있는데, 이 방법은 철-니켈 합금 소재의 피도금체에 동 도금층, 동-주석 합금 도금층 또는 동-비스머스 합금 도금층을 형성하도록 일차 하지 도금하고, 그 위에 주석 도금층, 니켈 도금층 또는 동 도금층을 형성하도록 이차 하지 도금하고, 또 그 위에 금 도금층, 동 도금층, 니켈 도금층, 팔라듐 도금층 또는 팔라듐 합금 도금층을 형성하도록 삼차 하지 도금을 한 다음, 상부 도금층으로 팔라듐 도금층, 팔라듐 합금 도금층 또는 금 도금층을 형성하도록 도금하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 4단계의 도금층은 기존 은 도금 후 주석-납 합금 도금을 하는 2단계의 도금층보다 훨씬 얇은 박막으로서도 특히 철-니켈 합금 소재로 된 반도체 리드 프레임에 우수한 내식성을 제공한다. 또한 미세 균열과 수소취성이 거의 없는 유연한 도금층을 형성시켜 그 어떤 도금층보다도 우수한 특성을 나타내어 철-니켈 합금 소재로 된 반도체 리드프레임의 신뢰도를 한층 높였다.

Description

철-니켈 합금 소재의 내식성및 내균열성 향상을 위한 4층 도금 방법

본 발명은 철-니켈 합금 소재의 내식성 향상을 위한 도금 방법에 관한 것으로서, 특히 철-니켈 합금 소재로 된 반도체 리드프레임(Lead Frame)에 사용할 수 있는 4층 도금 방법에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 리드프레임에는 동합금으로 된 소재를 많이 사용해 왔으나, 여러 가지 특성을 고려해서 보다 효율성이 큰 철-니켈 합금 소재를 점점 더 많이 사용하고 있는 추세이다. 동 합금 소재의 반도체 리드프레임 제작시에는주로 스탬핑(stamping) 공정을 사용하였으나, 철-니켈 합금 소재는 이소재 자체가 동합금 소재보다는 매우 단단하기 때문에 스탬핑 제작 공정으로는 다리(Lead) 등이 휘어지거나 끊어지는 문제점이 있고, 따라서 조밀하고 미세한 리드프레임을 만들 수 없는 문제점이 있었다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 에칭(etching) 공정이 개발되어 사용되고 있다.

한편, 종래에는 반도체 리드프레임에 주로 은 도금 후 주석-납 합금 도금을 해왔는데, 어느 일정 수준의 특성, 예를 들면 내식성, 납땜성 등을 얻기 위하여 다른 도금에 비해 비교적 두꺼운 도금을 해왔다. 그러나 반도체가 하이 리드(high Lead), 즉 고용량화될수록 다리 사이가 매우 미세해져 두꺼운 도금을 할 경우 서로 맞붙는 현상이 나타난다. 이러한 문제점들을 극복하기 위하여 매우 얇은 도금층, 즉 박막으로서도 우수한 내식성 및 납땜성과 같은 특성을 나타내는 도금층을 얻기 위한 많은 연구가 수행되었다. 그 대표적인 방법이 팔라듐 도금, 팔라듐 합금 도금 또는 금 도금을 하는 것이다.

철-니켈 합금 소재, 예를 들어 합금 #42(Ni 42%, Fe 56%, Mn 0.8%, Si 0.3%, Ca 0.035%, P 0.025%)의 경우 이 소재 자체에 함유되는 있는 Si 및 Ca 성분으로 인하여 화학적 활성화 처리가 어렵고 또한 이 소재 위에 팔라듐 도금, 팔라듐 합금 도금 또는 금 도금을 하기 전에 하지 도금층으로서 일반적인 니켈 도금을 하면 Fe 성분으로 인하여 내식성이 떨어지기 때문에 부식 발생 및 미세균열에 의한 납땜성 저하 등의 문제점이 많다.

이에 본 발명자는 철-니켈 합금 소재로 된 반도체 리드 프레임에 팔라듐 도금, 팔라듐 합금 도금 또는 금 도금을 적용함에 있어, 보다 높은 신뢰성을 얻을 수 있도록 많은 연구 실험을 한 결과, 팔라듐 도금 팔라듐 합금 도금 조성물, 또는 금 도금 조성물로 도금하기 전에 3층의 하지 도금을 함으로써 우수한 특성을 얻을 수 있게 되었다.

즉, 본 발명의 목적은 철-니켈 합금 소재 위에 수소 취성 및 미세 균열이 거의 없고 유연하며 특히 내식성이 우수한 도금층을 얻을 수 있는 4층 도금 방법을 제공하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 철-니켈 합금 소재의 피도금체에 동도금층, 동-주석 합금 도금층 똔ㄴ 동-비스머스 합금 도금층을 형성하도록 일차하지 도금하고, 그 위에 주석 도금층, 니켈 도금층 또는 동 도금층을 형성하도록 이차 하지 도금하고, 또 그 위에 금 도금층, 동도금층, 니켈 도금층, 팔라듐 도금층 또는 팔라듐 합금 도금층을 형성하도록삼차 하지 도금을 한 다음, 상부 도금층으로 팔라듐 도금층, 팔라듐 합금 도금층 또는 금 도금층을 형성하도록 도금하는 것을 특징으로 하는 철-니켈 합금 소재의 4층 도금 방법을 제공한다.

이하 본 발명에 대하여 보다 상세히 설명한다.

본 발명에서는 철-니켈 합금 소재에 순차적으로 일차 하지 도금, 이차 하지 도금, 삼차 하지 도금을 한 다음, 그 위에 팔리듐 도금, 팔라듐 합금 도금 또는 금 도금을 하여 4층의 도금층을 형성하게 된다. 4층 도금층의 구성은 하기 표 1과 같다:

[표 1]

상기 표에서 *, **, ***는 4층 도금시 각각 서로 관련된 도금층을 나타낸다. 다시 말하면, 삼차 하지 도금층이 동 도금층인 경우에는 일차 하지 도금층이 동-주석 합금 도금층 또는 동-비스머스 합금 도금층인 것이 바람직하다. 또, 삼차 하지 도금층이 니켈 도금층인 경우에는 이차 하지 도금층이 주석 도금층 또는 동도금층인 것이 바람직하다. 또한, 삼차 하지 도금층이 필라듐 도금 또는 팔라듐 합금 도금층인 경우 상부 도금층은 금 도금층인 것이 바람직하다.

일차 하지 도금층은 동 도금층, 동-주석 합금 도금층 또는 동-비스머스 합금 도금층이다. 동 도금층을 형성하기 위한 동 도금 조성물은 본 출원인의 대한민국 특허출원 제 96-1402호에 기재되어 있는 것처럼 비시안계 동 화합물을 동 금속 기준으로 20-50g/l 포함하는 수용액으로 이루어지는 것이 바람직하다. 이때 비시안계 동 화합물은 적절한 염 형태로 공급되며, 염의 예로는 황산동 5수화물, 피로린산 제 2구리, 탄산 제 2구리 또는 이들의 혼합물 등을 들 수 있다.

동-주석 합금 도금층을 형성하기 위한 도금 조성물로는 본 출원인의 대한민국 특허출원 제 96-21467호에 기재되어 있는 것처럼 동 10-30g/l와 주석 3-7g/l가 포함된 수용액으로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한 본 발명자가 새로 개발한 동 10-25g/l, 주석 5-15g/l 및 전도성염으로 메탄설폰산 150g/l를 포함하는 수용액으로 이루어지는 메탄설폰산 타입의 동-주석 합금 도금 조성물로부터 동-주석 합금 도금층이 이루어질 수도 있다.

동-비스머스 합금 도금층을 형성하기 위한 도금 조성물로는 동 10-30g/l, 비스머스 0.5-2g/l 및 전도성염으로 피로린산칼륨 120g/l가 포함된 수용액으로 이루어지는 것이 바람직하다.

이차 하지 도금층으로는 주석 도금층, 니켈 도금층 또는 동 도금층이다. 주석 도금층을 형성하기 위한 도금 조성물은 주석 5-15g/l를 포함하는 수용액으로 이루어지는 것이 바람직하다. 이때 주석 화합물은 적절한 염 형태로 공급되며, 염의 예로는 메탄설폰산 주석, 황산 제 1주석, 염화 제 1주석 또는 이들의 혼합물 등을 들 수 있다. 니켈 도금층을 형성하기 위한 니켈 도금 조성물로는 본 출원인의 대한민국 특허출원 제 96-2912호에 기재되어 있는 것처럼 니켈 30-100g/l가 포함된 수용액으로 이루어지는 것이 바람직하다.

동 도금층을 형성하기 위한 도금 조성물은 상기 일차 하지 도금층에 사용되는 동 도금 조성물과 동일한 것을 사용하는 것이 바람직하며, 이차 하지 도금층은 일차 하지 도금층보다는 얇아야 하므로 더 짧은 시간내에 도금하여야 한다.

삼차 하지 도금층으로는 금 도금층, 동 도금층, 니켈 도금층, 팔라듐 도금층 또는 팔라듐 합금 도금층이다.

금 도금층은 금 스트라이크 도금 또는 일반적인 금 도금으로 형성된다. 금 스트라이크 도금을 하기 위한 도금 조성물로는 금 2-10g/l 및 전도성염으로 메탄설폰산 100g/l가 포함된 수용액으로 이루어지는 것이 바람직하다.

동 도금층을 형성하기 위한 도금 조성물은 상기 일차 하지 도금층에 사용되는 동 도금 조성물과 동일한 것을 사용하는 것이 바람직하며, 삼차 하지 도금층은 일차 하지 도금층보다 얇아야 하므로 더 짧은 시간내에 도금하여야 한다.

니켈 도금층을 형성하기 위한 도금 조성물은 상기 이차 하지 도금층으로 사용되는 니켈 도금 조성물을 사용하는 것이 바람직하다.

팔라듐 도금층 또는 팔라듐 합금 도금층을 형성하기 위한 도금 조성물은 본 출원인의 대한민국 특허출원 제 96-21467호에 기재되어 있는 것처럼, 팔라듐 100% 도금, 팔라듐-금 합금 도금, 팔라듐-은 합금 도금 또는 팔라듐-비스머스 합금 도금 조성물을 사용하는 것이 바람직하다.

팔라듐 도금층도 팔라듐 스트라이크 도금 또는 일반적인 팔라듐 도금으로 형성된다. 팔라듐 스트라이크 도금을 하기 위한 도금 조성물로는 팔라듐 3-10g/l 및 전도성염으로 황산암모늄 40g/l가 포함된 수용액으로 이루어지는 것이 바람직하다.

일반적인 팔라듐 도금을 위한 도금 조성물은 순수 100% 팔라듐 5g/l를 포함하는 수용액으로 이루어지는 것이 바람직하다. 팔라듐 도금을 위한 팔라듐은 적절한 염 형태로 공급되며, 염의 예로는 테트라클로로디암모늄 팔라듐, 이염화테트라암모늄 팔라듐, 이염화디아민 팔라듐, 염화팔라듐, 이염화테트라아민 팔라듐 또는 이들의 혼합물 등을 둘 수 있다.

팔라듐-금 합금 도금을 위한 도금 조성물은 팔라듐 5g/l, 금 0.3-0.7g/l를 포함하는 수용액으로 이루어지는 것이 바람직하다.

팔라듐-은 합금 도금을 위한 도금 조성물은 5g/l, 은 0.5-1.3g/l를 포함하는 수용액으로 이루어지는 것이 바람직하다.

팔라듐-비스머스 합금 도금을 위한 도금 조성물은 팔라듐 5g/l, 비스머스 0.3-0.7g/l를 포함하는 수용액으로 이루어지는 것이 바람직하다.

상기 삼차 하지 도금층 위에 형성되는 상부 도금층으로는 팔라듐 도금층, 팔라듐 합금 도금층 또는 금 도금층이다. 상부 도금층을 형성하는데 사용되는 팔라듐 도금, 팔라듐 합금 도금 또는 도금 조성물들은 삼차 하지도금층 형성에 사용되는 도금 조성물과 동일한 것을 사용하는 것이 바람직다.

상기 일차, 이차 및 삼차 하지 도금 조성물은 추가로 하나 이상의 전도성염, 착화제, 표면개선제 및 응력 감소제를 포함할 수 있다. 상기 하지 도금 조성물들은 도금 금속 화합물, 전도성염, 착화제 및 기타 첨가제 등을 직접 물에 용해시키거나, 금속염을 미리 전도성염 또는 착화제와 반응시킨 후 물에 용해시켜 충분히 반응시켜 제조된다.

일차 하지 도금층을 형성하는 경우에는 상기 일차 하지 도금용 조성물을 25-50℃로 유지하면서, 음극인 피도금체와 각각 해당하는 금속의 양극을 담그로 전류를 2-5 ASD로 흘려주어, 피도금체에 두께 0.7-1.0㎛의 일차 하지 도금층을 형성시킨다.

이차 하지 도금층을 형성하는 경우에는, 상기 이차 하지 도금용 조성물을 40-50℃로 유지하면서, 음극인 일차 하지 도금된 피도금체와 각각 해당하는 금속의 양극을 담그고 전류를 4-8 ASD로 흘려주어, 피도금체에 두께 0.5-1.0㎛의 이차 하지 도금층을 형성시킨다.

삼차 하지 도금층을 형성하는 경우에는, 상기 삼차 하지 도금용 조성물을 20-45℃로 유지하면서, 음극인 이차 하지 도금된 피도금체인 각각 해당하는 금속의 양극을 담그고 전류를 0.54-4 ASD로 흘려주어, 피도금체에 두께 0.1-0.5㎛의 삼차하지 도금층을 형성시킨다.

상부 도금층을 형성시킬 경우에는, 상부 도금 조성물을 30-45℃로 유지하면서, 음극인 삼차 하지 도금된 피도금체와 각각 해당하는 금속의 양극 또는 불용성 백금망을 양극으로 담그고, 전류를 0.7-1.5 ASD로 흘려주어 피도금체에 두께 0.1-0.2㎛의 도금층을 형성시킨다.

이하 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 단 본 발명의 범위가 하기 실시예만으로 한정되는 것은 아니다.

하기 실시예에서 사용되는 조성물들은 다음과 같은 조성을 가진다.

동-비스머스 합금 도금 조성물(pH 10, Be′ 6, 45℃)

피로린산 제 2구리50g/l

비스머스 나트륨 수화물2g/l

피로린산 칼륨120g/l

1-페닐 세미 카바지드0.5g/l

N-아릴피리디늄 클로라이드0.3g/l

폴리에틸렌 이민0.03g/l

동-주석 합금 도금 조성물(pH 1, Be′ 6, 25℃)

황산동45g/l

메탄설폰산주석50g/l

메탄설폰산150g/l

N-부틸리덴설파닐산5g/l

프로피오구안아미드3g/l

피로카테콜1g/l

폴리옥시에틸렌트리스티릴 페닐에스테르0.05g/l

동-주석 합금 도금 조성물(pH 13.5, Be′ 11, 50℃)

피로린산 제 2구리50g/l

주석산칼륨12g/l

탄산칼륨60g/l

탄산나트륨35g/l

수산화칼륨5g/l

니트릴로트리아세트산3g/l

동 도금 조성물(pH 8, Be′ 8, 50℃)

황산동 5수화물50g/l

황산암모늄45g/l

황산칼륨20g/l

에틸렌디아민테트라아세트산염 2수화물5g/l

소디움 테트라페닐 보레이트0.5g/l

디에틸렌글리콜 모노데실에테르0.1g/l

주석 도금 조성물(pH 1, Be′ 6, 25℃)

메탄설폰산 주석45g/l

메탄설폰산210g/l

N-부틸리덴 설파닐산5g/l

카테콜1g/l

벤즈알데히드0.05g/l

레조시놀0.02g/l

주석 도금 조성물(pH 1, Be′ 5, 25℃)

황산 제 1주석20g/l

황산100g/l

N-신나몰리덴설파닐산2g/l

히드로퀴논3g/l

퓨어 알데히드1g/l

벤질리덴아세톤0.01g/l

주석 도금 조성물(pH 7, Be′ 6, 25℃)

염화 제 1주석30g/l

인산칼륨50g/l

염화암모늄20g/l

o-클로로벤즈알데히드2g/l

피리딘카르복스알데히드0.1g/l

프로피오알데히드0.01g/l

니켈 도금 조성물

설파민산니켈450g/l

황산암모늄90g/l

붕사50g/l

아미노아세트산5g/l

2-메톡시-1-나프토알데히드0.3g/l

트리데실옥시폴리(에틸렌옥시)에탄올(Ⅲ)0.1g/l

순수 100% 팔라듐 도금 조성물(pH 5, Be′ 7, 30℃)

테트라클로로디암모늄팔라듐12g/l

황산칼륨50g/l

니트릴로트리아세트산5g/l

나프탈렌-1-설폰산(α)나트륨염0.1g/l

트리에틸렌테트라아민0.07g/l

팔라듐-금 합금 도금 조성물

이염화테트라암모늄팔라듐10g/l

시안화금(Ⅰ)칼륨0.74g/l

인산암모늄50g/l

4-옥소-펜탄산(9 Cl)2g/l

벤젠설포네이트0.1g/l

필라듐-은 합금 도금 조성물(pH 9.5, Be′ 8, 45℃)

이염화 디아민팔라듐11g/l

오르소린산은2g/l

피로린산칼륨60g/l

피로린산나트륨20g/l

아미노아세트산3g/l

2-프로펜-1-설폰산 나트륨염0.15g/l

폴리에틸렌이민0.07g/l

팔라듐-비스머스 합금 도금 조성물(pH 6.5, Be′ 7, 40℃)

이염화테트라아민팔라듐10g/l

비스머스나트륨 수화물2g/l

염화암모늄50g/l

황산암모늄35g/l

1-페닐세미카바지드0.5g/l

4-메톡시벤즈알데히드0.2g/l

폴리에틸렌이민0.07g/l

금 스트라이크 도금 조성물(pH 1.5, Be′ 4, 20℃)

테트라클로로 금(Ⅲ)칼륨5.9g/l

메탄설폰산100g/l

주석산나트륨칼륨5g/l

트리에탄올아민 라우릴설페이트0.01g/l

팔라듐 스트라이크 도금 조성물(pH 5.5, Be′ 6, 30℃)

이염화테트라암모늄팔라듐7g/l

황산암모늄40g/l

2-프로펜-1-설폰산나트륨염0.1g/l

트리에탄올아민 라우릴셀페이트0.01g/l

실시예 1

상기 동 도금 조성물로 3 ASD의 전류밀도에서 철-니켈 합금 소재(Alloy #42)로 된 반도체 리드 프레임을 도금하여 표면이 고른 일차 하지 동도금층(0.7㎛)을 얻고, 상기 니켈 도금 조성물 5 ASD의 전류밀도에서 상기 일차 하지 동도금된 리드프레임을 도금하여표면이 고른 이차 하지 니켈 도금층(1.0㎛)을 얻었다.

그 다음 상기 금 스트라이크 도금 조성물로 1 ASD의 전류밀도에서 상기 이차 하지 니켈 도금된 리드 프레임을 도금하여 표면이 고른 밝은 금속의 삼차 하지 금도금층(0.1㎛)을 얻었다. 그런 다음 추가로 상기 팔라듐 도금 조성물 또는 팔라듐 합금 도금 조성물중 하나를 1 ASD의 전류 밀도에서 상기 삼차 하지 금 도금된 리드 프레임을 도금하여 표면이 고근 도금층(0.1㎛)을 얻었다.

실시예 2 내지 14

일차 하지 도금 조성물, 이차 하지 도금 조성물, 삼차 하지 도금 조성물 및 상부 도금 조성물로서 상기 도금 조성물들을 사용하여 각각 하기 표 2에 나타낸 것과 같은 도금층을 형성하도록 실시예 1의 방법에 따라 4층 도금하였다. 표 2에서 순차적 철-니켈 합금 소재의 반도체 리드 프레임 위에 일차 하지 도금층/이차 하지 도금층/삼차 하지 도금층/상부 도금층을 나타내며, 층의 구성을 간단히 나타내기 위해 다음과 같은 표시를 정하였다.

동 도금층:Cu

동-주석 합금 도금층:Cu-Sn

동-비스머스 합금 도금층:Cu-Bi

주석 도금층:Sn

니켈 도금층:Ni

금 스트라이크 도금층:Au(S)

팔라듐 스트라이크 도금층:Pd(S)

팔라듐 또는 팔라듐 합금 도금층:Pd or Pd alloy

[표 2]

상기 실시예 1 내지 14에 따라 제조된 도금체에 대하여 밀착성 시험, 균열성 시험, 부식성 시험 및 납땜성 시험을 하였으며, 실험 방법, 실험 조건 및 실험 결과를 하기 표 3 내지 6에 나타내었다.

[표 3]

[표 4]

[표 5]

[표 6]

본 발명에서와 같이 철-니켈 합금 소재로 된 반도체 리드 프레임에 순차적으로 일차 하지 도금, 이차 하지 도금, 삼차 하지 도금 후 상부 도금을 하는 4층 도금을 함으로써, 소재 자체가 가진 특성으로 인한 내부식성 저하 현상을 최대로 억제시켜 박막으로서도 우수한 특성, 특히 내식성을얻을 수 있도록 하였다.

Claims

철-니켈 합금 소재의 피도금체에 동 도금층, 동-주석 합금 도금층 또는 동-비스머스 합금 도금층을 형성하도록 일차 하지 도금하고, 그 위에 주석 도금층, 니켈 도금층 또는 동 도금층을 형성하도록 이차 하지 도금하고, 또 그 위에 금 도금층, 동 도금층, 니켈 도금층, 팔라듐 도금층 또는 팔라듐 합금 도금층을 형성하도록 삼차 하지 도금을 한 다음, 상부 도금층으로팔라듐 도금층, 팔라듐 합금 도금층 또는 금 도금층을 형성하도록 도금하는 것을 특징으로 하는 철-니켈 합금 소재의 4층 도금 방법.
제 1항에 있어서,

상기 철-니켈 합금 소재의 피도금체가 반도체 리드프레임인 것을 특징으로 하는 방법.
제 1항에 있어서,

상기 철-니켈 합금 소재의 피도금체가 Alloy #42의 반도체 리드프레임인 것을 특징으로 하는 방법.
제 1항에 있어서,

상기 삼차 하지 도금층이 동 도금층이고 일차 하지 도금층이 동-주석 합금 도금층 또는 동-비스머스 합금 도금층인 것을 특징으로 하는 방법.
제 1항에 있어서,

상기 삼차 하지 도금츠이 니켈 도금층이고 이차 하지 도금층이 주석 도금층 또는 동 도금층인 것을 특징으로 하는 방법.
제 1항에 있어서,

상기 삼차 하지 도금층이 팔라듐 도금층 또는 팔라듐 합금 도금층이고 상부 도금층이 금도금층인 것을 특징으로 하는 방법.
제 1항에 있어서,

상기 동-비스머스 합금 도금층은 동 10-30g/l, 비스머스 0.5-2.0g/l 및 전도성염으로 피로린산 칼륨 120g/l을 포함하는 수용액으로 이루어진 동-비스머스 합금도금 조성물을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
제 1항에 있어서,

상기 금 도금층은 금 2-10g/l 및 전도성염으로 메탄설폰산 1--g/l을 포함하는 수용액으로 이루어진 금 스트라이크 도금 조성물을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
제 1항에 있어서,

상기 팔라듐 도금층은 팔라듐 3-10g/l 및 전도성염으로 황산암모늄 40g/l을 포함하는 수용액으로이루어진 팔라듐 스트라이크 도금 조성물을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
제 1항에 있어서,

상기 동-주석 합금 도금층은 동 10-25g/l, 주석 5-15g/l 및 전도성염으로 메탄설폰산 150g/l을 포함하는 수용액으로 이루어진 동-주석 합금 도금 조성물을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
제 1항에 있어서,

상기 주석 도금층은 주석 5-15g/l를 포함하는 수용액으로 이루어진 주석 도금 조성물을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
제 11항에 있어서,

상기 주석은 메탄설폰산, 주석, 황산 제 1주석, 염화 제 1주석 및 이들의 혼합물로 구성된 군중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
제 11항에 있어서,

상기 수용액이 메탄설폰산, 황산, 인산칼륨 및 염화암모늄중에서 선택된 하나 이상의 전도성염을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제 1항 내지 제 13항중 어느 한 항에 따른 방법에 따라 도금된 도금체.