KR102670974B1 - 그래핀의 전사 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 일측면에 그래핀이 성장되어 형성된 금속판을 수용액에 부유시키는 단계; 상기 금속판을 제거하여서, 상기 금속판이 제거된 그래핀을 상기 수용액에 부유시키는 단계; 및 상기 그래핀 위로 피전사체를 눌러 상기 그래핀을 상기 피전사체로 전사시키는 단계;를 포함하는, 그래핀의 전사 방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 그래핀의 전사 방법에 관한 것이다.
그래핀은 2차원 물질로서 밴드갭이 0(zero gap)인 도체 물질이며, 두께가 매우 얇고 투명하며 전기 전도성이 매우 큰 특성을 갖는다. 그래핀의 이러한 특성을 이용하여, 그래핀을 투명 디스플레이, 휘어질 수 있는 디스플레이 또는 터치 패널의 투명 전극에 적용하려는 시도가 이루어지고 있으며, 최근에는 대면적 합성법을 개발하여 그래핀 소재의 투명 전극을 제품화하려는 연구가 활발히 진행되고 있다. 또한, 이러한 그래핀은 주로 화학 기상 증착 방법(CVD)을 이용하여 제조될 수 있고, 이를 통해 고품질의 그래핀이 대량 생산될 수 있으며, 이러한 그래핀은 금속 촉매층이 형성된 실리콘 웨이퍼 기판이나 금속 기판 상에 증착될 수 있다. 이처럼 기판 상에 증착된 그래핀은 원하는 재질의 기판 상으로 전사되어 사용될 수 있는 것이다.
일반적인 그래핀의 전사 공정으로서, 대기 중에서 열 분리 필름(thermal release film)을 사용하여 금속 기판 상의 그래핀을 원하는 기판 상에 전사시키는 방식, 즉 건식 전사(Dry-transfer)가 사용되고 있다. 그러나 열 분리 필름을 이용한 일련의 전사 공정은 그래핀과 피전사체 사이에 기포를 발생시키며, 그래핀과 피전사체 간 접착성이 열등하여 온전하게 그래핀이 전사되지 못하는 문제점이 있다. 이와 같이 열 분리 필름을 사용한 건식 전사 방법을 사용하면, 그래핀의 품질 역시 매우 떨어졌다.
위 건식 전사 방법 외에 또다른 전사 방법으로서, 금속판 상에 그래핀을 성장시킨 뒤, 또다시 그래핀 상에 PMMA 등의 소재의 얇은 폴리머층을 입히고, 금속판을 녹여낸 후에 이를 다시 원하는 기판에 옮긴 후 얇은 폴리머층을 제거하여 최종적으로 그래핀을 전사시키는 방식, 즉 습식 전사(Wet-transfer) 방법이 고안되었다. 이와 같은 습식 전사 방법은 그래핀이 뭉치면서 접히거나 찢어지는 등의 문제를 방지하여 건식 전사의 문제점을 일부 해결할 수는 있었으나, 그래핀을 전사하는데 부차적인 공정이 추가되어 시간과 비용의 측면에서 비효율적인 문제가 있었을 뿐만 아니라, 그래핀을 분리하는 과정에서 발생된 불순물이 발생하여 환경적인 문제점이 발생하였다. 무엇보다도, 피전사체에 요철 또는 굴곡이 있는 경우 PMMA 및 굴곡이 있는 표면 간 공간이 남게 되어 그래핀이 피전사체에 온전히 부착되지 못하는 치명적인 단점이 있었다.
본 발명은 위와 같은 문제를 해결하고자, 종래와 달리 그래핀에 PMMA 등의 폴리머를 도입하지 않아, 간단하면도 피전사체에 요철이 있는 경우에도 피전사체의 표면에 그래핀이 온전히 부착될 수 있는 그래핀의 전사 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 일측면에 그래핀이 성장되어 형성된 금속판을 수용액에 부유시키는 단계; 상기 금속판을 제거하여서, 상기 금속판이 제거된 그래핀을 상기 수용액에 부유시키는 단계; 및 상기 그래핀 위로 피전사체를 눌러 상기 그래핀을 상기 피전사체로 전사시키는 단계;를 포함하는, 그래핀의 전사 방법을 제공한다.
본 발명의 그래핀의 전사 방법에 따르면, 그래핀에 PMMA 등의 폴리머의 도입 없이도 피전사체에 직접 전사시킬 수 있어, 시간 및 비용을 절감할 수 있어 효율적이며, 친환경적인 전사 방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 그래핀의 전사 방법에 따르면, 피전사체에 요철이 있는 경우에도 그 표면에 그래핀이 온전히 부착될 수 있으며, 그래핀의 손상을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따라 수조 내에 물에 부유시킨 다층 그래핀을 나타낸 도시이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따라 그래핀을 피전사체로 전사시키는 과정을 나타낸 도시이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따라 그래핀이 전사된 피전사체를 나타낸 도시이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따라 그래핀을 피전사체로 전사시키는 과정을 나타낸 도시이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따라 그래핀이 전사된 피전사체를 나타낸 도시이다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명의 일 측면은 그래핀의 전사 방법을 제공한다.
본 발명의 그래핀의 전사 방법은 수전사 방법을 포함하는 것일 수 있으며, 구체적으로 그래핀을 피전사체에 전사시키는 매개체가 물을 포함하는 것일 수 있다. 또한, 상기 그래핀의 전사 방법은 그래핀의 성장을 위해 금속판을 이용하는 것 외에, 폴리머층 등 그래핀을 지지하기 위한 별도의 부재를 이용하지 않는 것일 수 있으며, 상기 그래핀의 지지체를 이용하지 않아도 그래핀을 피전사체로 온전하게 전사시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 그래핀의 전사 방법은, (a) 일측면에 그래핀이 성장되어 형성된 금속판을 수용액에 부유시키는 단계를 포함하는 것일 수 있으며, 상기 금속판은 상기 그래핀의 성장을 위한 촉매 역할을 하는 것일 수 있다.
상기 수용액은 물을 포함하는 용액이라면 제한되는 것이 아니지만, 불순물 등이 포함되지 않은 탈이온수 등을 이용하면 더욱 친환경적인 그래핀의 전사 방법을 제공할 수 있다.
상기 (a) 단계에서의 그래핀의 성장은 박리법, 증착법, 합성법에 의해서 수행되는 것일 수 있으며, 상기 박리법은 기계적 박리법 및 화학적 박리법을 포함하는 것일 수 있고, 상기 증착법은 화학 기상 증착법을 포함하는 것일 수 있으며, 상기 합성법은 에피텍샬 성장 합성법 및 유기화학 합성법을 포함하는 것일 수 있다.
상기 화학 기상 증착법은 열 화학 기상 장치를 이용하는 것일 수 있고, 구체적으로 상기 금속판을 상기 열 화학 기상 장치의 가열부에 고정하는 단계, 상기 금속판을 가열하는 단계, 상기 금속판을 어닐링(annealing)하는 단계, 상기 금속판에 그래핀을 성장시키는 단계, 상기 그래핀이 성장되어 형성된 금속판을 냉각시키는 단계을 순차적으로 포함하는 것일 수 있다.
상기 금속판을 가열하는 단계는 메탄 가스의 탄소 결합이 끊어져 탄소 원자가 상기 금속판과 화학 반응이 일어날 수 있도록 충분한 온도를 가지도록 상기 금속판을 가열해주는 것일 수 있고, 구체적으로 0.3 내지 0.7 Torr의 압력에서 수소 가스를 1시간 내지 3시간 동안 유입하면서 열을 가하는 것을 포함하는 것일 수 있다.
상기 금속판을 어닐링하는 단계는 상기 가열된 금속판에 존재하는 산화층 및 이물질 등을 제거하고, 상기 금속판의 결정 입계(grain boundary)를 크게 하여 그래핀의 성장을 용이하게 해주는 것일 수 있으며, 구체적으로 20분 내지 60분 동안 열을 가하는 것을 포함하는 것일 수 있다.
상기 금속판에 그래핀을 성장시키는 단계는 상기 금속판에 메탄 가스를 주입하여 그래핀이 성장되는 것일 수 있으며, 구체적으로 메탄 가스 내 탄소 결합이 끊어져 분리된 탄소 원자가 상기 금속판의 표면에서 확산되며 재배열되어 그래핀이 형성되는 것일 수 있다. 상기 메탄 가스는 20분 내지 60분 동안 주입되는 것일 수 있다. 또한 이 때 상기 금속판은 탄소 원자의 화학 반응을 촉진하는 촉매의 역할을 하는 것일 수 있다.
상기 그래핀이 성장되어 형성된 금속판을 냉각시키는 단계는 상기 금속판을 상기 가열부로부터 분리하여 냉각 장치를 통해 상온까지 냉각시키는 것일 수 있다.
상기 (a) 단계에서는 그래핀이 형성되어 있지 않은 타측면이 상기 수용액의 수면을 향하도록 상기 금속판이 부유되는 것일 수 있으며, 이에 따라 상기 금속판을 식각액으로 선택적으로 제거할 때 상기 그래핀이 수용액에 부유시키게 할 수 있다.
상기 금속판은 상기 메탄 가스 내 탄소 원자가 확산되어 그래핀을 형성시킬 때의 촉매의 역할을 할 수 있는 소재라면 제한되는 것이 아니지만, 구체적으로 구리, 니켈, 철 및 코발트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 그래핀은 단층(single-layer) 또는 다층(multi-layer) 구조인 것을 포함할 수 있으나, 상기 그래핀이 다층 구조, 또는 2층 이상 4층 이하의 구조일 때 그 구조가 물리적으로 더욱 안정하여, 피전사체에 전사되는 동안 외력에도 손상이 일어나지 않아 그 품질을 더욱 우수하게 할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 그래핀의 전사 방법은, (b) 상기 금속판을 제거하여서, 상기 금속판이 제거된 그래핀을 상기 수용액에 부유시키는 단계를 포함하는 것일 수 있으며, 구체적으로 상기 그래핀이 형성된 금속판에서 금속판만 선택적으로 제거하는 것일 수 있다.
상기 (b) 단계에서의 금속판의 제거는 식각에 의해서 수행되는 것일 수 있으며, 구체적으로 상기 수용액에 식각액을 첨가하여 상기 금속판을 제거하거나 상기 금속판에 식각액을 분사하여 상기 금속판을 제거하는 것일 수 있다.
상기 식각액은 상기 금속판만 선택적으로 식각하여 제거할 수 있는 용액이라면 제한되는 것은 아니나, 구체적으로 FeCl3, (NH4)2S2O8 등을 포함하는 것일 수 있으며, 더 구체적으로 30 내지 40 중량%의 농도의 FeCl3 수용액을 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 그래핀의 전사 방법은, (c) 상기 그래핀 위로 피전사체를 눌러 상기 그래핀을 상기 피전사체로 전사시키는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 그래핀의 전사 방법은, 상기 (b) 단계와 상기 (c) 단계 사이에, 상기 수용액에 포함된 불순물을 제거하는 단계를 더 포함하는 것일 수 있으며, 이를 통해 수용액 내에 포함된 금속 이온, 할로겐 이온 등을 제거하여 이후 피전사체에 상기 그래핀을 수용액 상에서 전사시킬 때의 부착력을 더욱 향상시킬 수 있다.
상기 수용액에 포함된 불순물을 제거하는 단계는 탈이온수로 2회에서 5회 세척하는 것을 포함할 수 있다.
상기 피전사체는 그 재질에 제한되지 않으며, 구체적으로 PE, PP, PVC, PS, ABS, 아크릴, 페놀 수지 등의 플라스틱; 철, 구리, 알루미늄 등의 금속; 유리, 토기, 도자기, 시멘트, 규산 칼슘 등의 세라믹스; 목질 합판, 목질 단판, 파티클 보드 등의 목질; 종이; 섬유, 부직포 등의 재질을 포함할 수 있다.
상기 피전사체는 평판 또는 굴곡면이 있는 기재가 가능하며, 특히 표면의 적어도 일부에 요철이 존재하는 것일 수 있으며, 피전사체의 표면에 요철이 존재하는 경우 종래의 전사 방법과 같이 그래핀에 PMMA 등의 얇은 폴리머층을 입힌 상태에서 전사 시킨 후 폴리머층을 제거하게 되면 피전사체 표면과 그래핀 간에 많은 틈이 존재하게 되는 등 품질이 저하되는 문제가 있으나, 본 발명의 그래핀의 전사 방법은 그래핀을 단독으로 피전사체에 전사시키는 것이므로, 피전사체의 표면에 요철이 존재하더라도 그래핀을 온전히 부착시킬 수 있으며, 부착력을 더욱 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 그래핀의 전사 방법은, 상기 (c) 단계 이전에, 상기 피전사체의 표면의 접착력 향상을 위한 전처리 단계를 더 포함함 할 수 있다. 또한, 상기 전처리는 스파크 방전 처리, 열 처리, 화염 처리, 커플링제 처리, 앵커제 처리, 화학적 활성화 처리 및 프라이머 조성물 처리로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 스파크 방전 처리는 코로나 처리, 플라즈마 처리 등 고주파수의 스파크 방전 처리를 포함할 수 있으며, 구체적으로 상기 플라즈마 처리는 대기압 플라즈마, 산소 기체 플라즈마 처리를 포함하는 것일 수 있다. 또한, 상기 플라즈마 처리는 그 시간에 제한되는 것은 아니나, 구체적으로 5분 이내, 구체적으로, 상기 플라즈마 처리는 0.5초 내지 60초, 1초 내지 50초, 1초 내지 40초, 1초 내지 30초, 특히 30초의 시간 동안 동안 수행되는 것일 수 있다.
또한, 상기 플라즈마 처리는 그 온도에 제한되는 것은 아니나, 예를 들어 0 ℃ 내지 50 ℃, 10 ℃ 내지 40 ℃ 또는 15 ℃ 내지 35 ℃의 온도에서 수행되는 것일 수 있고, 상기 플라즈마 처리는 습도에 제한되는 것은 아니나, 예를 들어 0% 내지 90%, 20% 내지 80%, 30% 내지 70% 또는 40% 내지 60%의 습도에서 수행되는 것일 수 있으며, 상기 플라즈마 처리는 플라즈마의 RF power에 제한되는 것은 아니나, 예를 들어 100 W 내지 600 W, 200 W 내지 500 W 또는 300W 내지 400W의 파워에서 수행되는 것일 수 있으며, 상기 플라즈마 처리가 상기한 범위의 온도, 습도 및 RF power 중 하나 이상을 만족하는 조건에서 수행되는 경우 피전사체의 표면의 접착성을 더욱 향상시키는 효과를 나타낼 수 있다.
상기 열 처리는 상기 피전사체를 진공 분위기하에 150 ℃ 내지 250 ℃의 온도에서 수행되는 것일 수 있다. 상기 열 처리의 온도가 상기 범위를 만족할 경우, 상기 그래핀이 전사되기 위한 충분한 에너지가 형성되어, 상기 피전사체로 상기 그래핀이 전사가 더욱 잘 이루어질 수 있고, 상기 그래핀과 상기 피전사체의 부착력이 더욱 향상될 수 있다. 또한, 상기 열 처리가 진공 분위기 하에서 수행되면, 상기 그래핀과 상기 피전사체 사이에 분자들의 생성을 방지하여, 상기 그래핀과 상기 피전사체 간의 부착력을 더욱 향상되는 것일 수 있으며, 상기 진공 분위기는, 실질적으로 대기압을 포함하지 않을 수 있으며, 구체적으로 10-2 Torr 이하의 대기압 분위기 또는 10-7 Torr 내지 10-2 Torr의 대기압 분위기를 포함하는 것일 수 있다.
상기 커플링제 처리는 실란 커플링제를 이용하는 것을 포함할 수 있으며, 상기 커플링제는 유기 관능기로서 아미노기를 포함하는 아민계 실란커플링제를 포함하는 것일 수 있으며, 구체적으로 아미노프로필-트리메톡시실란(Aminopropyl-trimethoxysilane), 아미노프로필-트리에톡시실란(Aminopropyltryethoxysilane), 아미노에틸-3-아미노프로필메틸디메톡시실란(Aminoethyl-3-aminopropylmethyldimethoxysilane), 아미노에틸-3-아미노프로필트리메톡시실란(Aminoethyl-3-aminopropyltrimethoxysilane), 이에틸렌트리아미노프로필메틸디메톡시실란(Diethylene-triaminopropylmethyldimethoxysilane) 또는 이의 혼합물을 포함하는 것일 수 있다.
또한 상기 커플링제 처리는 상기 피전사체를 실란커플링제 함유 용액에 함침함으로써 수행되는 것일 수 있으며, 상기 함침은 30초 내지 60분, 1분 내지 30분, 1분 내지 20분, 1분 내지 15분, 1분 내지 10분, 5분 내지 15분, 또는 10분 동안 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 함침이 상기 시간으로 수행되는 경우 상기 피전사체의 부착력을 더욱 향상시키면서도 공정 시간을 줄이는 효과를 나타낼 수 있다.
상기 화학적 활성화 처리는 기상 루이스산(ex. BF3), 황산 또는 고온 수산화나트륨 등으로 상기 피전사체의 표면을 처리하여 부착력을 향상시키는 것일 수 있다.
상기 프라이머 조성물 처리는 상기 피전사체의 표면에 프라이머층을 형성하여 상기 피전사체의 접착력을 향상시키는 것을 포함할 수 있으며, 상기 프라이머층 조성물은 예를 들면, 폴리아크릴계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리에스테르계 수지 등의 수계 프라이머 조성물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 그래핀의 전사 방법은, 상기 (c) 단계 이후에, 상기 그래핀이 전사된 피전사체를 세척 및 건조하는 단계를 더 포함하는 것일 수 있다.
상기 세척은 불순물이 포함되지 않은 물에 의한 것이라면 사용되는 용액에 제한이 없으나, 구체적으로 탈이온수에 의해 수행되는 것일 수 있다. 또한, 상기 건조는 25 ℃ 내지 100 ℃의 온도에서 수행되는 것일 수 있으며, 30초 내지 30분, 또는 1분 내지 10분 동안 수행되는 것일 수 있다.
본 발명의 다른 측면은 상기 그래핀의 전사 방법을 이용하여 얻어진 그래핀 및 피전사체의 복합체를 제공한다.
상기 그래핀은 단층(single-layer) 또는 다층(multi-layer) 구조인 것을 포함할 수 있으나, 상기 그래핀이 다층 구조, 또는 2층 이상 4층 이하의 구조일 때 그 구조가 물리적으로 더욱 안정하여, 상기 피전사체에 전사된 그래핀의 품질을 더욱 우수하게 할 수 있다.
상기 피전사체는 그 재질에 제한되지 않으며, 구체적으로 PE, PP, PVC, PS, ABS, 아크릴, 페놀 수지 등의 플라스틱; 철, 구리, 알루미늄 등의 금속; 유리, 토기, 도자기, 시멘트, 규산 칼슘 등의 세라믹스; 목질 합판, 목질 단판, 파티클 보드 등의 목질; 종이; 섬유, 부직포 등의 재질을 포함할 수 있다.
상기 피전사체는 평판 또는 굴곡면이 있는 기재가 가능하며, 특히 표면의 적어도 일부에 요철이 존재하는 것일 수 있으며, 피전사체의 표면에 요철이 존재하는 경우 종래의 전사 방법과 같이 그래핀에 PMMA 등의 얇은 폴리머층을 입힌 상태에서 전사 시킨 후 폴리머층을 제거하게 되면 상기 복합체의 그래핀 및 피전사체 사이에 많은 틈이 존재하게 되는 등 품질이 저하되는 문제가 있으나, 본 발명의 그래핀의 전사 방법은 그래핀을 단독으로 피전사체에 전사시키는 것이므로, 피전사체의 표면에 요철이 존재하더라도 그래핀을 온전히 부착시킬 수 있으며, 부착력을 더욱 향상시킬 수 있어서, 결국 상기 복합체의 품질 역시 더욱 향상될 수 있다.
이하, 실시예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 그러나 이들 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐 어떠한 의미로든 본 발명의 범위가 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
<실시예>
(i) 일측면에 그래핀이 형성된 구리 금속판을 수용액에 부유시키는 단계
구리 금속판을 열 화학 기상 장치의 가열부에 고정하고, 0.5 Torr에서 수소 가스를 유입시키면서 2시간 동안 1000 ℃까지 가열한 후, 30분 동안 열을 가하며 어닐링하여 금속판 내 산화층 및 잔존 이물질을 제거하였다. 이후, 메탄 가스를 주입하여 30분 동안 상기 구리 금속판 상에서 3층 구조의 그래핀을 성장시켜 형성시키고, 그래핀이 형성되면 상기 그래핀이 형성된 구리 금속판을 가열부에서 분리하여 상온까지 냉각시킨 후, 그래핀이 형성되어 있지 않은 면이 수면을 향하도록, 상기 그래핀이 형성된 구리 금속판을 물이 채워진 수조에 부유시켰다.
(ii) 구리 금속판을 제거하여 그래핀을 수용액에 부유시키는 단계
상기 (i)에서 상기 그래핀이 형성된 구리 금속판으로부터 35 중량%의 FeCl3 수용액을 사용하여 구리 금속판을 선택적으로 에칭하여 제거하였다. 이를 통해, 도 1에 도시된 바와 같이, 구리 금속판이 모두 제거된 그래핀을 수조의 수용액에 부유시켰다. 상기 FeCl3 수용액을 첨가하고 2시간이 경과한 후 탈이온수로 수조를 3번 세척하여 상기 수조의 수용액에 존재하는 불순물을 제거하였다.
(iii) 그래핀 위로 주화를 눌러 전사시키는 단계
그래핀을 전사시킬 피전사체로서 구리-아연 합금체인 미국 1센트 주화를 준비하고, 상기 주화를 24 ℃의 온도, 43%의 습도, 200W의 RF power의 조건에서 30초 동안 플라즈마 처리를 하여 전처리를 하였다.
이후, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 플라즈마 처리가 된 주화를 핀셋으로 집어 상기 (ii)에서 수조에 부유시킨 그래핀 위로 눌러 상기 그래핀을 상기 주화에 전사시켰다.
(iv) 그래핀이 전사된 주화를 세척 및 건조하는 단계
상기 (iii)의 그래핀이 전사된 주화를 탈이온수로 세척한 뒤, 50 ℃의 온도에서 5분 동안 건조시켜 그래핀이 주화에 더 밀착되도록 하였다. 그래핀이 주화에 잘 전사되었는지 확인하기 위해 그래핀이 전사된 주화의 일측면에 30중량% 농도의 과산화수소 처리를 하였고, 도 3에 도시된 바와 같이, 주화 내 요철이 있는 부분에도 그래핀이 잘 밀착되어 전사된 것을 관찰할 수 있었다.
Claims (13)
- (a) 일측면에 그래핀이 성장되어 형성된 금속판을 수용액에 부유시키는 단계;
(b) 상기 금속판을 제거하여서, 상기 금속판이 제거된 그래핀을 상기 수용액에 부유시키는 단계; 및
(c) 상기 그래핀 위로 피전사체를 눌러 상기 그래핀을 상기 피전사체로 전사시키는 단계;를 포함하는, 그래핀의 전사 방법으로서,
상기 금속판은 구리를 포함하는 것이고,
상기 피전사체는 표면의 적어도 일부에 요철이 존재하는 것이고,
상기 (b) 단계에서, 상기 금속판의 제거는 상기 수용액에 식각액을 첨가하여 상기 금속판을 제거하는 것이고, 상기 식각액은 30 내지 40 중량%의 농도의 FeCl3 수용액인 것이며,
상기 (c) 단계 이전에, 상기 피전사체의 표면의 접착력 향상을 위한 전처리 단계를 더 포함하고,
상기 전처리는 스파크 방전 처리, 열 처리, 화염 처리, 커플링제 처리, 앵커제 처리, 화학적 활성화 처리 및 프라이머 조성물 처리로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 그래핀의 전사 방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 (a) 단계에서의 그래핀의 성장은 화학 기상 증착법에 의해서 수행되는 것인, 그래핀의 전사 방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 (a) 단계에서는, 그래핀이 형성되어 있지 않은 타측면이 상기 수용액의 수면을 향하도록 상기 금속판이 부유되는 것인, 그래핀의 전사 방법. - 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 그래핀은 다층 구조인 것인, 그래핀의 전사 방법. - 삭제
- 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 (b) 단계와 상기 (c) 단계 사이에, 상기 수용액에 포함된 불순물을 제거하는 단계를 더 포함하는, 그래핀의 전사 방법. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 (c) 단계 이후에, 상기 그래핀이 전사된 피전사체를 세척 및 건조하는 단계를 더 포함하는, 그래핀의 전사 방법. - 청구항 1 내지 청구항 3, 청구항 5, 청구항 8 및 청구항 12 중의 어느 한 항의 그래핀의 전사 방법을 이용하여 얻어진 그래핀 및 피전사체의 복합체.
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Non-Patent Citations (1)
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