KR102664918B1 - 압전 단결정, 그 제조방법 및 그를 이용한 압전 및 유전 응용 부품 - Google Patents
압전 단결정, 그 제조방법 및 그를 이용한 압전 및 유전 응용 부품 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102664918B1 KR102664918B1 KR1020210171666A KR20210171666A KR102664918B1 KR 102664918 B1 KR102664918 B1 KR 102664918B1 KR 1020210171666 A KR1020210171666 A KR 1020210171666A KR 20210171666 A KR20210171666 A KR 20210171666A KR 102664918 B1 KR102664918 B1 KR 102664918B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- single crystal
- piezoelectric
- piezoelectric single
- phase
- composition
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 311
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 141
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 42
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 30
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 30
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 20
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 18
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 18
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 10
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 8
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 5
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 abstract description 21
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 abstract description 20
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 11
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 93
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 13
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 238000007716 flux method Methods 0.000 description 6
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 229910020215 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3PbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000009659 non-destructive testing Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
- H10N30/302—Sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/857—Macromolecular compositions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
본 발명은 압전 단결정, 그 제조방법 및 상기 압전 단결정을 이용한 압전 및 유전 응용 부품에 관한 것이다.
본 발명의 압전 단결정은 페로브스카이트형 결정 구조([A][B]O3)에서, [A] 자리 이온들의 조성 제어를 통해 압전 단결정의 특성을 극대화하고, 고상 단결정 성장법에 의해 복잡한 화학적 조성이라도, 조성 구배없이 균일한 조성의 단결정을 제공할 수 있으며, 특히 본 발명의 압전 단결정은 기계적 충격에 대한 저항성이 크고 기계 가공이 용이한 형태로 제공함으로써, 압전 단결정을 이용한 초음파 트랜스듀서, 압전 액추에이터, 압전 센서, 유전 캐패시터를 포함하는 압전 응용 부품 및 유전 응용 부품 분야에 유용하게 적용할 수 있다.
본 발명의 압전 단결정은 페로브스카이트형 결정 구조([A][B]O3)에서, [A] 자리 이온들의 조성 제어를 통해 압전 단결정의 특성을 극대화하고, 고상 단결정 성장법에 의해 복잡한 화학적 조성이라도, 조성 구배없이 균일한 조성의 단결정을 제공할 수 있으며, 특히 본 발명의 압전 단결정은 기계적 충격에 대한 저항성이 크고 기계 가공이 용이한 형태로 제공함으로써, 압전 단결정을 이용한 초음파 트랜스듀서, 압전 액추에이터, 압전 센서, 유전 캐패시터를 포함하는 압전 응용 부품 및 유전 응용 부품 분야에 유용하게 적용할 수 있다.
Description
본 발명은 압전 단결정, 그 제조방법 및 상기 압전 단결정을 이용한 압전 및 유전 응용 부품에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 페로브스카이트형 결정 구조([A][B]O3)에서, [A] 자리 이온들의 조성 제어를 통해 압전 단결정의 특성을 향상시켜, 높은 유전 상수(K3 T≥4,000∼15,000), 높은 압전 상수(d33≥1,400∼6,000 pC/N), 높은 항전계(EC≥4∼12 kV/㎝)를 동시에 구현하고, 나아가, 고상 단결정 성장법에 의해 제조됨에 따라 복합한 화학 조성이라도 조성 구배없이 균일한 압전 단결정을 제공하고, 기계적 특성을 동시에 가지는 페로브스카이트형 결정 구조의 압전 단결정, 그 제조방법 및 상기 압전 단결정을 이용한 압전 및 유전 응용 부품에 관한 것이다.
페로브스카이트형 결정 구조([A][B]O3)의 압전 단결정들은 기존의 압전 다결정체 재료에 비하여 월등히 높은 유전 상수(K3 T)와 압전 상수(d33과 k33)를 나타내어, 압전 액추에이터, 초음파 트랜스듀서, 압전 센서와 유전 캐페시터 등과 같은 고성능 부품에 이용되며 각종 박막 소자의 기판 재료로서도 그 응용이 기대된다.
현재까지 개발된 페로브스카이트형 결정 구조의 압전 단결정들에는 PMN-PT (Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3), PZN-PT (Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3), PInN-PT (Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3), PYbN-PT (Pb(Yb1/2Nb1/2)O3-PbTiO3), PSN-PT (Pb(Sc1/2Nb1/2)O3-PbTiO3), PMN-PInN-PT, PMN-PYbN-PT와 BiScO3-PbTiO3 (BS-PT) 등이 있다. 이러한 단결정들은 용융(melting)시에 공융(congruent melting) 거동을 하여, 통상적으로 기존의 단결정 성장법인 플럭스법(flux method), 브리지만법(Bridgman method) 등으로 제조되어 왔다.
그러나 기존에 개발된 PMN-PT와 PZN-PT의 압전 단결정들은 상온에서 높은 유전 및 압전 특성들(K3 T>4,000, d33>1,400 pC/N, k33>0.85)을 보이는 장점이 있으나, 낮은 상전이 온도들(TC와 TRT), 낮은 항전계(EC)와 취성(brittleness) 등의 결점으로 압전 단결정의 사용 온도 범위나 사용 전압 조건 등과 압전 단결정 응용 부품 제작 조건 등이 크게 제한된다.
일반적으로 페로브스카이트형 결정 구조의 압전 단결정들은 능면체상과 정방정상의 상경계 즉, MPB(morphotropic phase boundary) 조성 부근 영역에서 유전 및 압전 특성이 가장 높다고 알려져 있다.
그러나 페로브스카이트형 결정 구조의 압전 단결정들은 일반적으로 능면체상일 때 가장 우수한 유전 및 압전 특성을 보이기 때문에 능면체상의 압전 단결정들의 응용이 가장 활발하나, 능면체상의 압전 단결정들은 능면체상과 정방정상의 상전이 온도(TRT) 이하에서만 안정하기 때문에, 능면체상이 안정할 수 있는 최대 온도인 TRT 이하에서만 사용이 가능하다. 따라서, TRT 상전이 온도가 낮은 경우에는 능면체상의 압전 단결정의 사용 온도가 낮아지고, 압전 단결정 응용 부품의 제작 온도와 사용 온도도 TRT 이하로 제한된다.
또한 상전이 온도들(TC와 TRT)과 항전계(EC)가 낮은 경우에는 기계가공, 응력, 열 발생과 구동 전압 하에서 압전 단결정들이 쉽게 폴링이 제거(depoling)되고 우수한 유전 및 압전 특성을 상실하게 된다. 따라서 상전이 온도들(TC와 TRT)과 항전계(EC)가 낮은 압전 단결정들은 단결정 응용 부품 제작 조건, 사용 온도 조건과 구동 전압 조건 등이 제한된다. PMN-PT 단결정의 경우 일반적으로 TC <150℃, TRT<80℃와 EC<2.5 kV/cm이고, PZN-PT 단결정의 경우 일반적으로 TC <170℃, TRT<100℃와 EC<3.5 kV/cm이다. 그리고 이러한 압전 단결정들로 제작된 유전 및 압전 응용 부품들도 제조 조건, 사용 온도 범위나 사용 전압 조건 등이 제한되어 압전 단결정 응용 부품의 개발과 실용화에 장애가 되어 왔다.
압전 단결정의 단점을 극복하기 위하여 PInN-PT, PSN-PT와 BS-PT 등과 같은 새로운 조성의 단결정이 개발되었고, 또한 PMN-PInN-PT와 PMN-BS-PT 등과 같이 서로 혼합한 단결정 조성들도 연구되고 있다.
그러나 이러한 단결정들의 경우 유전 상수, 압전 상수, 상전이 온도들, 항전계와 기계적 특성 등을 동시에 개선하지는 못하였고, Sc와 In 등과 같이 비싼 원소를 주성분으로 하는 조성의 압전 단결정들은 높은 단결정 제조 원가로 인하여 단결정의 실용화에 장애가 되는 문제가 있다.
현재까지 개발된 PMN-PT를 포함하는 페로브스카이트형 결정 구조의 압전 단결정들이 낮은 상전이 온도를 보이는 이유를 크게 세 가지로 나눌 수 있는데, 첫째, PT와 함께 주된 구성 성분이 되는 릴랙서(relaxor; PMN이나 PZN 등)의 상전이 온도가 낮다는 점이다.
비특허문헌 1에는 페로브스카이트형 구조 압전 세라믹 다결정체들의 정방정상과 입방정상의 상전이 온도(TC)가 표 1에 제시되어 있다. 압전 단결정의 큐리온도는 같은 조성의 다결정체의 큐리온도와 유사하기 때문에, 다결정체의 큐리온도로부터 압전 단결정의 큐리온도를 추정할 수 있다.
둘째, 정방정상과 능면체상이 경계를 이루는 MPB가 온도 축에 대하여 수직으로 되지 못하고 완만하게 기울어져 있기 때문에, 능면체상과 정방정상의 상전이 온도(TRT)를 올리기 위해서는 큐리온도(TC) 감소가 필연적이기 때문에 큐리온도(TC)와 능면체상과 정방정상의 상전이 온도(TRT)를 동시에 높이기 어렵다.
셋째, 상전이 온도가 비교적 높은 릴랙서(PYbN, PInN나 BiScO3 등)를 PMN-PT 등에 섞어 주는 경우에도 상전이 온도가 조성에 비례하여 단순히 증가하지 않거나 또는 유전 및 압전 특성이 저하되는 문제를 발생시키기 때문이다.
나아가, 비특허문헌 1에 제시된 Relaxor-PT계 단결정들은 주로 용융 공정을 이용하는 기존의 단결정 성장법인 플럭스법과 브리지만법 등으로 제조되는데, 단결정 제조 공정상의 이유로 조성이 균일한 큰 단결정을 제조하기 어렵고 제조원가가 높고 대량 생산이 어려워 상용화에 아직 성공하지 못하고 있다.
또한, 일반적으로 압전 세라믹 단결정들은 압전 세라믹 다결정체(polycrystalline ceramics)에 비하여 기계적 강도 및 파괴 인성이 낮아 작은 기계적 충격에도 쉽게 깨어지는 결점이 있다. 이러한 압전 단결정의 취성은 압전 단결정을 이용한 응용 부품의 제작과 응용 부품의 사용 중에 쉽게 압전 단결정의 파괴를 유발하여, 압전 단결정의 사용에 큰 제한이 되어왔다. 따라서 압전 단결정의 상용화를 위해서는 압전 단결정의 유전 및 압전 특성 향상과 함께 동시에 압전 단결정의 기계적 특성 향상이 필요하다.
이에, 본 발명자들은 종래 문제점을 개선하고 고성능 및 고정밀의 고부가가치 시장에 적용가능한 수준의 압전 단결정을 제공하기 위하여 꾸준히 노력한 결과, 압전 단결정을 구성하는 화학조성이 복잡해지면서 압전 특성이 향상되는 결과로부터 단결정의 압전 특성을 향상시키고자 페로브스카이트형 결정 구조([A][B]O3)에서, [A] 자리 이온들의 조성을 설계하고, 고상 단결정 성장법에 의해 복합한 화학 조성이라도 조성 구배없이 균일하고 압전 특성이 개선되고 기계적 특성을 동시에 가지는 압전 단결정 제조를 확인함으로써, 본 발명을 완성하였다.
IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control, vol. 44, no. 5, 1997, pp. 1140-1147.
본 발명의 목적은 신규한 조성식을 가지는 페로브스카이트형 결정 구조([A][B]O3)의 압전 단결정을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 압전 단결정의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 압전 단결정을 이용한 압전 부품 또는 유전 부품에 적용하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 하기 화학식 1의 조성식을 가지는 압전 단결정을 제공한다.
화학식 1
[A1-(a+1.5b)BaCb][(MN)1-x-y(L)yTix]O3
상기 식에서, A는 Pb 또는 Ba이고,
B는 Ba, Ca, Co, Fe, Ni, Sn 및 Sr으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종 이상이며,
C는 Co, Fe, Bi, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상이며,
L은 Zr 또는 Hf에서 선택된 단독 또는 혼합 형태이고,
M은 Ce, Co, Fe, In, Mg, Mn, Ni, Sc, Yb 및 Zn로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 한 종 이상이며,
N은 Nb, Sb, Ta 및 W로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 한 종 이상이며,
0<a≤0.10,
0<b≤0.05,
0.05≤x≤0.58,
0.05≤y≤0.62이다.
이때, 상기 L이 혼합 형태일 때, 하기 화학식 2의 조성식을 가지는 압전 단결정을 제공한다.
화학식 2
[A1-(a+1.5b)BaCb][(MN)1-x-y(Zr1-w,Hfw)yTix]O3
상기에서, A, B, C, M 및 N은 상기 화학식 1의 정의와 동일하고, a, b, x 및 y도 동일하다. 다만, 0.01≤ w≤0.20를 나타낸다.
본 발명의 화학식 1의 조성식을 가지는 압전 단결정에 있어서, 0.01≤a≤0.10 및 0.01≤b≤0.05을 충족하는 조성이며, 더욱 바람직하게는 상기 식에서 a/b≥2를 충족하는 것이다.
본 발명의 화학식 1의 조성식을 가지는 압전 단결정에 있어서, 0.10≤x≤0.58 및 0.10≤y≤0.62를 총족하는 것이 더욱 바람직하다.
또한, 본 발명의 화학식 1의 조성식을 가지는 압전 단결정은 단결정 내부의 조성 구배가 0.2 내지 0.5몰%로 이루어진 것으로 균일성의 특징을 부여한다.
상기 압전 단결정 조성에 부피비로 0.1 내지 20%의 강화 이차상(P)을 더 포함할 수 있으며, 상기 강화 이차상 P는 금속상, 산화물상 또는 기공(pore)인 것이다.
보다 구체적으로, 상기 강화 이차상 P는 Au, Ag, Ir, Pt, Pd, Rh, MgO, ZrO2 및 기공(pore)으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 한 종 이상이며, 상기 강화 이차상 P는 압전 단결정 내에서 입자의 형태로 균일하게 분포하거나 또는 일정한 패턴을 가지면서 규칙적으로 분포한다.
또한, 압전 단결정에서, 상기 x와 y는 능면체상과 정방정상의 상경계(MPB) 조성으로부터 10 mol%, 더욱 바람직하게는 상기 x와 y는 능면체상과 정방정상의 상경계(MPB) 조성으로부터 5 mol% 이내의 범위에 속하는 것이다.
이상의 압전 단결정은 큐리온도(Curie temperature, Tc)가 180℃ 이상이며 동시에 능면체상과 정방정상의 상전이온도(phase transition temperature between rhombohedral phase and tetragonal phase, TRT)가 100℃ 이상인 압전 단결정을 제공한다.
또한, 상기 압전 단결정이 전기기계결합계수(longitudinal electromechanical coupling coefficient, k33)가 0.85 이상이며, 항전계(coercive electric field, Ec)가 3.5 내지 12kV/cm를 충족한다.
특히, 상기 압전 단결정은 유전 상수(K3 T) 4,000 내지 15,000 및 압전 상수(d33) 1,400 내지 6,000pC/N를 충족한다.
본 발명은 상기의 압전 단결정을 제조하는 방법으로서,
(a) 상기 조성을 가지는 다결정체의 기지상 입자들(matrix grains)의 평균 크기를 조절하여 비정상 입자의 개수 밀도(number density: number of abnormal grains/unit area)를 감소시키는 단계 및
(b) 상기 단계(a)를 통해 얻어진 비정상 입자의 개수 밀도가 감소된 다결정체를 열처리하여 비정상 입자를 성장시키는 단계를 포함하되, 상기 압전 단결정을 구성하는 조성의 분말을 800 내지 900℃ 미만의 온도에서 하소하여 분말 성형체를 수득하고, 상기 분말 성형체를 소결하는 1차 열처리공정 및 상기 단결정 성장 시 2차 열처리공정을 수행하는 압전 단결정의 제조방법을 제공한다.
또 다른 제조방법으로서, 상기 조성을 가지는 다결정체의 기지상 입자들의 평균 크기를 조절하여 비정상 입자의 개수 밀도를 감소시키는 조건하에서 다결정체를 열처리하는, 압전 단결정의 제조방법을 제공한다.
상기에서 다결정체의 비정상 입자의 개수 밀도는 감소된 상태에서 발생된 소수의 비정상 입자만을 계속하여 성장시켜 단결정을 얻을 수 있다.
상기 다결정체의 열처리 전에 다결정체에 종자 단결정을 접합시켜 열처리 중에 종자 단결정을 다결정체 안으로 계속 성장시키는 압전 단결정의 제조방법을 제공할 수 있다. 이때, 상기 다결정체의 기지상 입자들의 평균 크기(R)는 비정상 입자 생성이 일어나는 임계 크기(비정상 입자의 개수 밀도가 "0 (zero)"이 되는 기지상 입자들의 평균 크기, Rc)의 0.5 내지 2배 크기 범위(0.5Rc≤R≤2Rc)내로 조절되는 것이다.
나아가, 본 발명은 상기의 압전 단결정 또는 상기 압전 단결정과 폴리머가 복합화된 압전체를 이용한 압전 응용 부품 및 유전 응용 부품을 제공한다.
상기 압전체를 이용한 압전 응용 부품 및 유전 응용 부품은 초음파 트랜스듀서 (ultrasonic transducers), 압전 액추에이터 (piezoelectric actuators), 압전 센서 (piezoelectric sensors), 유전 캐패시터 (dielectric capacitors), 전기장 방사 트랜스듀서 (Electric Field Generating Transducers) 및 전기장-진동 방사 트랜스듀서 (Electric Field and Vibration Generating Transducers)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나에 적용할 수 있다.
본 발명에 따른 압전 단결정은 페로브스카이트형 결정 구조([A][B]O3)에서, [A] 자리 이온들의 복합조성을 통해, 높은 유전 상수(K3 T), 높은 압전 상수(d33과 k33), 높은 상전이 온도들(TC와 TRT) 및 높은 항전계(EC)의 유전특성을 현저히 개선할 수 있다.
또한, 본 발명의 압전 단결정은 고상 단결정 성장법에 의해 복합한 화학 조성이라도 조성 구배없이 균일하고 압전 특성을 향상시킬 수 있으며, 동시에 고상 단결정 성장법 과정에서 생성되는 기공에 의해 기계적 충격에 대한 저항성이 크고 기계 가공이 용이한 형태로 제공할 수 있는 제조방법을 제공할 수 있다.
나아가, 본 발명은 기계적 특성을 동시에 가져 넓은 온도 영역과 사용 전압 조건에서 사용 가능하게 하는 장점이 있으며, 높은 유전 특성을 기반으로 고성능, 고정밀의 고부가가치가 요구되는 분야에 적용될 수 있다.
따라서, 단결정 대량 생산에 적합한 고상 단결정 성장법을 이용하여 압전 단결정들을 제조하고 값비싼 원료를 포함하지 않는 단결정 조성을 개발하여 압전 단결정 상용화를 가능하게 하며, 본 발명에 의한 응용 부품은 우수한 특성의 압전 단결정을 이용하여 넓은 온도 영역에서 압전 응용 부품 및 유전 응용 부품들을 제작하고 사용할 수 있다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은 하기 화학식 1의 조성식을 가지는 압전 단결정을 제공한다.
화학식 1
[A1-(a+1.5b)BaCb][(MN)1-x-y(L)yTix]O3
상기 식에서, A는 Pb 또는 Ba이고,
B는 Ba, Ca, Co, Fe, Ni, Sn 및 Sr으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종 이상이며,
C는 Co, Fe, Bi, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상이며,
L은 Zr 또는 Hf에서 선택된 단독 또는 혼합 형태이고,
M은 Ce, Co, Fe, In, Mg, Mn, Ni, Sc, Yb 및 Zn로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 한 종 이상이며,
N은 Nb, Sb, Ta 및 W로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 한 종 이상이며,
0<a≤0.10,
0<b≤0.05,
0.05≤x≤0.58,
0.05≤y≤0.62이다.
본 발명의 화학식 1의 조성식을 가지는 압전 단결정은 화학적 조성이 복합해지면서 압전 특성이 더욱 증가하는 경향에 기반하여, 페로브스카이트형 결정 구조([A][B]O3)에서, [A] 자리 이온들을 복합 조성으로 구성한다.
이때, 화학식 1의 조성식을 가지는 압전 단결정에서 [A] 자리 이온의 복합조성을 구체적으로 살피면, [A1-(a+1.5b)BaCb]로 구성될 수 있으며, 상기 A 조성은 유연 또는 무연 원소를 포함하며 본 발명의 실시예에서는 A가 Pb인 유연계 압전 단결정에 한정하여 설명하나, 이에 한정되지는 아니할 것이다.
상기 [A] 자리 이온에 있어서, B 조성은 금속 2가 원소, 바람직하게는 Ba, Ca, Co, Fe, Ni, Sn 및 Sr으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종 이상이며, C 조성은 금속 3가의 원소라면 사용하다.
바람직하게는 Co, Fe, Bi, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상이며, 더욱 바람직하게는 란탄계 원소를 1종 또는 2종 혼합형태로 사용하는 것이다.
본 발명의 실시예에서는 [A] 자리 이온에 있어서, C 조성은 La, Sm, Bi를 포함한 단독 또는 1종이상의 혼합조성으로 설명하고 있으나 이에 한정되지는 아니할 것이다.
상기 화학식 1의 조성식을 가지는 압전 단결정에서 [A] 자리 이온의 복합조성에 있어서, [A] 자리 이온에 해당되는 [A1-(a+1.5b)BaCb] 조성은 목표하는 물성을 구현하기 위한 요건으로서, A가 유연계 또는 무연계 압전 단결정일 때, 금속 2가 원소 및 금속 3가 원소의 조합하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
즉, 0.01≤a≤0.10 및 0.01≤b≤0.05을 충족해야 하며, 더욱 바람직하게는 a/b≥2를 충족하는 것이다. 이때, 상기에서 a가 0.01 미만이면, 페로브스카이트 상이 불안정한 문제가 있고, 0.10을 초과하면 상전이 온도가 너무 낮아져 실제 사용이 어려워져 바람직하지 않다.
또한, a/b≥2 요건을 벗어나면, 유전 및 압전 특성이 최대화되지 않거나 단결정 성장이 제한되는 문제가 있다.
이때, 화학식 1의 조성식을 가지는 압전 단결정에서 [A] 자리 이온의 복합조성에 있어서 금속 3가 원소 또는 금속 2가 원소 단독으로 구성된 경우 대비, 복합조성일 때, 우수한 유전 상수를 구현할 수 있다.
일반적으로 알려진 [A][MN]O3-PbTiO3-PbZrO3 상태도에 따르면, 능면체상과 정방정상의 상경계(MPB) 주위에서 우수한 유전 및 압전 특성을 나타내는 조성 영역을 나타낸다. [A][MN]O3-PbTiO3-PbZrO3 상태도에서 능면체상과 정방정상의 상경계 조성에서 유전 및 압전 특성이 최대화되고 MPB 조성에서 조성이 멀어질수록 유전 및 압전 특성이 점차 감소한다. 그리고 MPB 조성에서 능면체상 영역으로 5mol% 조성 이내의 경우에는 유전 및 압전 특성의 감소가 적어 아주 높은 유전 및 압전 특성 값을 유지하였고, MPB 조성에서 능면체상 영역으로 10mol% 조성 이내의 경우에는 유전 및 압전 특성이 연속적으로 감소하였지만 유전 및 압전 응용 부품에 적용하기에 충분히 높은 유전 및 압전 특성 값을 보였다. MPB 조성에서 정방정상 영역으로 조성이 변하는 경우에는 능면체상 영역에서 보다 유전 및 압전 특성의 감소가 보다 빠르게 일어난다. 그러나 정방정상 영역으로 5 mol% 조성 이내의 경우나 10 mol% 조성 이내의 경우에도 유전 및 압전 특성이 연속적으로 감소하였지만 유전 및 압전 응용 부품에 적용하기에 충분히 높은 유전 및 압전 특성 값을 보인다.
PbTiO3와 PbZrO3의 상경계(MPB)는 PbTiO3: PbZrO3 = x: y = 0.48: 0.52 (몰비)으로 알려져 있다.
MPB 조성에서 능면체상과 정방정상 영역으로 각각 5 mol% 조성이 변하는 경우에는 x와 y의 최대값은 각각 0.53과 0.57(다시 말하면, x가 최대인 경우의 x: y= 0.53: 0.47이고, y가 최대인 경우의 x: y = 0.43: 0.57)이 된다. 그리고 MPB 조성에서 능면체상과 정방정상 영역으로 각각 10 mol% 조성이 변하는 경우에는 x와 y의 최대값은 각각 0.58과 0.62(다시 말하면, x가 최대인 경우의 x: y = 0.58: 0.42이고, y가 최대인 경우의 x: y = 0.38: 0.62)가 된다. MPB 조성에서 능면체상과 정방정상 영역으로 각각 5 mol% 조성 이내의 범위에서 높은 유전 및 압전 특성 값을 유지하였고, MPB 조성에서 능면체상과 정방정상 영역으로 각각 10 mol% 조성 이내의 범위에서는 유전 및 압전 응용 부품에 적용하기에 충분히 높은 유전 및 압전 특성 값을 보인다.
또한, PbTiO3와 PbZrO3의 함량 즉, x와 y 값이 0.05 이하인 경우에는 능면체상과 정방정상의 상경계를 만들 수 없거나 상전이 온도들과 항전계가 너무 낮아 본 발명에 적합하지 않다.
상기 화학식 1에서 바람직하게는 0.05≤x≤0.58이고, 더욱 바람직하게는 0.10≤x≤0.58이다. 이때, x가 0.05 미만인 경우에는 상전이 온도(Tc와 TRT), 압전 상수(d33, k33) 또는 항전계(Ec)가 낮으며, x가 0.58을 초과하는 경우에는 유전 상수(K3 T), 압전 상수(d33, k33) 또는 상전이 온도(TRT)가 낮기 때문이다.
한편, 화학식 1에서 바람직하게는 0.05≤y≤0.62이고, 더욱 바람직하게는 0.10≤y≤0.62를 충족하는 것이다. 그 이유는 y가 0.05 미만인 경우에는 상전이 온도(Tc와 TRT), 압전 상수(d33, k33) 또는 항전계(Ec)가 낮으며 0.62를 초과하는 경우에는 유전 상수(K3 T) 또는 압전 상수(d33, k33)가 낮기 때문이다.
본 발명의 화학식 1의 조성식을 가지는 압전 단결정은 페로브스카이트형 결정 구조([A][B]O3)에서, [B] 자리 이온에서 금속 4가 원소를 포함하되, 특히 L 조성에 대하여, Zr 또는 Hf에서 선택된 단독 또는 혼합 형태로 한정한다.
상기 혼합 형태이면, 하기 화학식 2의 조성식을 가지는 압전 단결정을 제공한다.
화학식 2
[A1-(a+1.5b)BaCb][(MN)1-x-y(Zr1-w,Hfw)yTix]O3
상기에서, A, B, C, M 및 N은 상기 화학식 1의 정의와 동일하고, a, b, x 및 y도 동일하며, 다만 0.01≤w≤0.20를 나타낸다.
이때, 상기 w가 0.01 미만이면, 유전 및 압전 특성이 최대화되지 않는 문제가 있고, 0.20를 초과하면, 유전 및 압전 특성이 급격히 감소하여 바람직하지 않다.
이상의 화학식 1의 조성식을 가지는 압전 단결정은 페로브스카이트형 결정 구조([A][B]O3)에서, [A] 자리 이온의 복합조성과 [B] 자리 이온의 조성을 조합함으로써, 큐리온도(Curie temperature, Tc)가 180℃ 이상이며 동시에 능면체상과 정방정상의 상전이온도(phase transition temperature between rhombohedral phase and tetragonal phase, TRT)가 100℃ 이상인 압전 단결정이다. 이때, 큐리온도가 180℃ 미만이면 항전계(Ec)를 5 kV/cm 이상 또는 상전이 온도(TRT)를 100℃ 이상으로 올리기 어려운 문제가 있다.
또한, 본 발명에 의한 화학식 1의 조성식을 가지는 압전 단결정은 전기기계결합계수(k33)가 0.85 이상인 것이며, 상기 전기기계결합계수가 0.85 미만이면 압전 다결정체 세라믹스와 특성이 유사하고 에너지 변환 효율이 낮아지기 때문에 바람직하지 않다.
본 발명에 의한 압전 단결정은 항전계(EC)가 3.5 내지 12 kV/㎝인 것이 바람직하고, 상기 항전계가 3.5 kV/cm 미만이면 압전 단결정 가공시 또는 압전 단결정 응용 부품 제작 또는 사용 시에 쉽게 폴링(poling)이 제거되는 문제가 있다.
또한, 본 발명에 의한 압전 단결정은 높은 유전 상수(K3 T≥4,000∼15,000) 및 높은 압전 상수(d33≥1,400∼6,000 pC/N)를 동시에 충족한다.
또한, 본 발명의 화학식 1의 조성식을 가지는 압전 단결정은 단결정 내부의 조성 구배가 0.2 내지 0.5몰%로 이루어져 균일성있는 단결정을 제공할 수 있다.
지르콘산납(PbZrO3)은 230℃의 높은 상전이 온도를 가질 뿐 만 아니라, MPB가 온도 축에 대해서 더욱 수직하게 만드는 효과가 있어 높은 큐리온도를 유지하면서 높은 능면체상과 정방정상의 상전이온도(TRT)를 얻는 것이 가능하여, Tc와 TRT가 동시에 높은 조성을 개발할 수 있다.
종래 압전 단결정 조성에 지르콘산납을 섞어 주는 경우에도 상전이 온도가 지르콘산납의 함량에 비례하여 증가하기 때문이다. 따라서 지르코늄(Zr) 또는 지르콘산납을 포함하는 페로브스카이트형 결정 구조의 압전 단결정은 기존의 압전 단결정들의 문제점들을 극복할 수 있다. 또한, 지르코니아(ZrO2) 또는 지르콘산납은 기존의 압전 다결정 재료에서 주성분으로 사용되고 있고 또한 저렴한 원료이기 때문에 단결정의 원료 가격을 높이지 않고 본 발명의 목적을 달성할 수 있다.
반면에, 지르콘산납을 포함하는 페로브스카이트형 압전 단결정은 용융 시에 PMN-PT와 PZN-PT 등과 달리 공융(congruent melting) 거동을 보이지 않고 비공융(incongruent melting) 거동을 보인다. 따라서 비공융 거동을 보이면 고상의 용융 시에 액상과 고상 지르코니아(solid phase ZrO2)로 분리되고, 액상 내의 고상 지르코니아 입자들이 단결정 성장을 방해하여 용융 공정을 이용하는 일반적인 단결정 성장법인 플럭스법과 브리지만법 등으로는 제조할 수 없다.
또한, 용융 공정을 이용하는 일반적인 단결정 성장법으로는 강화 이차상을 포함하는 단결정 제조가 어렵고 아직까지 보고된 바가 없다. 왜냐하면 용융 온도 이상에게 강화 이차상이 액상과 화학적으로 불안정하여 반응하므로 독립적인 이차상 형태를 유지하지 못하고 소멸하기 때문이다. 또한 액상 내에서 이차상과 액상의 밀도 차이로 인하여 이차상과 액상의 분리가 일어나서, 이차상을 포함하는 단결정 제조가 어렵고 더욱이 단결정 내부에 강화 이차상의 부피 분율(volume fraction), 크기(size), 형태(shape), 배열(arrangement) 및 분포(distribution) 등을 조절할 수 없다.
이에, 본 발명은 용융 공정을 이용하지 않는 고상 단결정 성장법을 이용하여 강화 이차상을 포함하는 압전 단결정들을 제조한다. 고상 단결정 성장법에서는 단결정 성장이 용융 온도 이하에서 일어나므로 강화 이차상과 단결정과의 화학적 반응이 억제되고 강화 이차상은 단결정 내부에 독립적인 형태로 안정하게 존재할 수 있게 된다.
또한, 단결정 성장이 강화 이차상을 포함하는 다결정체에서 일어나고 단결정 성장 중에 강화 이차상의 부피 분율, 크기, 형태, 배열 및 분포 등의 변화가 없다. 따라서 강화 이차상을 포함하는 다결정체를 만드는 공정에서 다결정 내부의 강화 이차상의 부피 분율, 크기, 형태, 배열 및 분포 등을 조절하고 단결정을 성장시키면, 결과적으로 원하는 형태의 강화 이차상을 포함하는 단결정 즉, 강화 압전 단결정(second phase-reinforced single crystals)을 제조할 수 있다.
따라서, 종래 단결정 성장법인 플럭스법과 브리지만 법으로는 페로브스카이트형 결정 구조([A][B]O3)에 있어서, 복합조성으로 압전 단결정을 제조할 수 없다. 특히, 용융 공정을 포함하는 플럭스법과 브리지만 법의 경우 제조공정에서 단결정 내부의 조성 구배가 1 내지 5몰% 이상으로 제조되는 반면, 본 발명의 고상 단결정 성장법으로는, 단결정 내부의 조성 구배가 0.2 내지 0.5 몰%의 균일한 조성으로 제조될 수 있다.
따라서, 본 발명의 고상 단결정 성장법에 의해, 지르콘산납을 포함하는 페로브스카이트형 결정 구조([A][B]O3)에 있어서, [A] 자리 이온의 복합 조성 및 [B]자리 이온간 조합이 복잡한 조성이라도 압전 단결정을 균일하게 성장하게 함으로써, 종래 압전 단결정들에 비하여 유전 상수(K3 T≥4,000∼15,000)와 압전 상수(d33≥1,400∼6,000 pC/N) 및 높은 항전계(EC≥4∼12 kV/㎝)가 현저히 높아진 신규 압전 단결정을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 고상 단결정 성장법에 따른 압전 단결정의 제조방법은 플럭스법과 브리지만 법 대비, 낮은 공정 가격으로 대량 생산이 가능하다.
구체적으로 본 발명의 고상 단결정 성장법에 따른 압전 단결정의 제조방법은
(a) 상기 조성을 가지는 다결정체의 기지상 입자들(matrix grains)의 평균 크기를 조절하여 비정상 입자의 개수 밀도(number density: number of abnormal grains/unit area)를 감소시키는 단계 및
(b) 상기 단계(a)를 통해 얻어진 비정상 입자의 개수 밀도가 감소된 다결정체를 열처리하여 비정상 입자를 성장시키는 단계를 포함한다.
또 다른 제조방법으로서, 상기 조성을 가지는 다결정체의 기지상 입자들의 평균 크기를 조절하여 비정상 입자의 개수 밀도를 감소시키는 조건하에서 다결정체를 열처리하는, 압전 단결정의 제조방법을 제공한다.
상기에서 다결정체의 비정상 입자의 개수 밀도는 감소된 상태에서 발생된 소수의 비정상 입자만을 계속하여 성장시켜 단결정을 얻을 수 있다.
상기 다결정체의 열처리 전에 다결정체에 종자 단결정을 접합시켜 열처리 중에 종자 단결정을 다결정체 안으로 계속 성장시키는 압전 단결정의 제조방법을 제공할 수 있다.
상기 제조방법에 있어서, 압전 단결정을 구성하는 조성을 가지는 분말을 800 내지 900℃ 미만의 온도에서 하소하여 분말 성형체를 수득하고, 상기 분말 성형체를 소결하는 1차 열처리공정 및 상기 단결정 성장 시 2차 열처리공정을 통해 압전 단결정을 제조한다.
이때, 상기 1차 및 2차 열처리공정이 900 내지 1,300℃에서 1 내지 20℃/분 승온속도로 1 내지 100 시간동안 수행되는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 1,000 내지 1,200℃에서 1차 열처리하고 이후 2차 열처리하여 단결정을 성장시킨다.
상기 다결정체의 기지상 입자들의 평균 크기(R)는 비정상 입자 생성이 일어나는 임계 크기(비정상 입자의 개수 밀도가 "0 (zero)"가 되는 기지상 입자들의 평균 크기, Rc)의 0.5 내지 2배 크기 범위(0.5Rc≤R≤2Rc)내로 조절되는 것이다. 이때, 상기 다결정체의 기지상 입자들의 평균 크기가 0.5Rc 보다 작은 경우(0.5Rc> R)에는 비정상 입자들의 개수 밀도가 너무 높아 단결정이 성장을 하지 못하고, 다결정체의 기지상 입자들의 평균 크기가 2Rc 보다 큰 경우(2Rc <R)에는 비정상 입자들의 개수 밀도는 "0"이나 단결정의 성장 속도가 너무 느려서 큰 단결정을 제조할 수 없다.
본 발명은 상기의 압전 단결정 단독 또는 상기 압전 단결정과 폴리머가 복합화된 압전체를 제공한다.
상기 폴리머로는 특별히 한정되지 아니하나, 대표적 일례로 에폭시 수지를 혼용할 때, 기계적 충격에 대한 저항성이 크고 기계 가공이 용이한 형태로 제공될 수 있다.
나아가, 본 발명은 화학식 1의 조성식을 가지는 페로브스카이트형 압전 단결정으로 이루어진 압전체 또는 상기 압전 단결정과 폴리머가 복합화된 압전체를 이용한 압전 응용 부품 및 유전 응용 부품을 제공한다. 구체적으로, 압전 응용 부품들은 초음파 트랜스듀서(의료용 초음파 진단기, 소나용 트랜스듀서, 비파괴 검사용 트랜스듀서, 초음파 세척기, 초음파 모터 등), 압전 액추에이터(d33 형 액추에이터, d31 형 액추에이터, d15 형 액추에이터, 미세위치 제어용 압전 액추에이터, 압전 펌프, 압전 밸브와 압전 스피커 등)와 압전 센서(압전 가속도계 등), 전기장 방사 트랜스듀서 (Electric Field Generating Transducers) 및 전기장-진동 방사 트랜스듀서 (Electric Field and Vibration Generating Transducers) 등이 있다.
또한, 유전 응용 부품들은 고효율 커패시터(capacitor), 적외선 센서, 유전체 필터 등이 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명하고자 한다.
본 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1∼6> [A] 자리이온의 복합조성을 충족한 압전 단결정 제조
페로브스카이트형 구조([A][B]O3)의 압전 단결정을 고상 단결정 성장법으로 제조하되, 상기 [A] 자리이온의 복합조성으로 이루어진, 표 1에 제시된 실시예 1 내지 실시예 6의 압전 단결정을 제조하였다. 또한, 분말 합성 공정에서 과량의 MgO와 PbO를 추가하여, 제조된 단결정 내부에는 MgO 이차상과 기공 강화상 2 vol% 포함되도록 하였다. 먼저 MgO와 Nb2O5 분말을 볼밀링하여 혼합한 후에 하소하여 MgNb2O6 상을 제조하고[쿨롬바이트(Columbite)법을 적용], 추가적으로 원료 분말들을 정량비로 다시 혼합하고 하소하여 페로브스카이트상 분말을 제조하였다. 상기 제조된 분말에 과량의 PbO와 MgO를 첨가하여 혼합 분말들을 제조하였다. 상기 혼합 분말들을 성형한 후에 200MPa의 정수압으로 가압 성형하였고, 분말 성형체는 900℃와 1300℃ 사이의 여러 온도들에서 25℃ 간격으로 100 시간까지 각각 열처리하였다. 다결정체의 기지상 입자들의 평균 크기(R)를 비정상 입자의 생성이 일어나는 임계 크기의 0.5배 이상 2배 이하인 크기 범위(0.5Rc≤R≤2Rc)로 조절할 수 있는 조건으로서, 첨가되는 과량 PbO의 양이 10∼20 mol% 범위로 결정되었고, 열처리 온도가 1000∼1200℃ 범위로 결정되었다(1차 소결). 이와 같이 제조된 다결정체 위에 Ba(Ti0.7Zr0.3)O3 종자 단결정을 올려놓고 열처리하였고(단결정 성장 열처리), 종자 단결정의 다결정체내로의 연속적인 성장을 이용하여 다결정체 조성의 단결정을 제조하였다.
상기 다결정체의 기지상 입자들의 평균 크기(R)를 비정상 입자의 생성이 일어나는 임계 크기(비정상 입자의 개수 밀도가 "0 (zero)"이 되는 기지상 입자들의 평균 크기, Rc)의 0.5배 이상 2배 이하인 크기 범위(0.5Rc≤R≤2Rc)로 조절하였을 때, 종자 단결정은 다결정체 내부로 연속적으로 성장하였다. 본 실시예에서는 과량 PbO의 양과 열처리 온도를 조절하였을 때, 다결정체의 기지상 입자들의 평균 크기(R)를 비정상 입자의 생성이 일어나는 임계 크기의 0.5배 이상 2배 이하인 크기 범위로 조절할 수 있었다. 다결정체의 기지상 입자들의 평균 크기(R)를 0.5Rc≤R≤2Rc의 범위로 조절하였을 때, 열처리 중에 Ba(Ti0.7Zr0.3)O3 종자 단결정이 다결정체 내부로 연속적으로 성장하여 다결정과 같은 조성의 단결정이 제조되었고, 성장한 단결정의 크기는 20ⅹ20㎟ 이상이었다. 그리고 세라믹 분말 성형체의 1차 소결과 단결정 성장 열처리 중에 분위기 내의 산소 분압을 변화시키면서 압전 단결정들을 제조하였다.
<실시예 7∼9> [B] 자리이온의 복합조성을 충족한 압전 단결정 제조
실시예 1과 같은 고상 단결정 성장법으로 [B] 자리이온의 복합 조성을 충족하는 하기 표 1에 제시된 실시예 7 내지 실시예 9의 압전 단결정을 제조하였다. 또한, 분말 합성 공정에서 과량의 MgO와 PbO를 추가하여, 제조된 단결정 내부에는 MgO 이차상과 기공 강화상 2 vol% 포함되도록 하였다.
고상 단결정 성장법으로 제조된 실시예 1 내지 9의 압전 단결정에 대한 유전 및 압전 특성을 임피던스 애널라이저와 d33 메터 등을 이용하여 분석하였다.
<실험예 1> (Pb,Sr,La)(Mg
1/2
Nb
2/3
)(Zr,Ti)O
3
압전 단결정의 유전 및 압전 특성 평가1
상기 실시예 1에서 제조된 (Pb,Sr,La)(Mg1/2Nb2/3)(Zr,Ti)O3 압전 단결정에 대하여, 하기 표 2에서 제시된 바와 같이, [A] 자리이온의 복합조성 중 a/b에 따라 제조된 압전 단결정의 유전 및 압전 특성을 평가하였다.
더욱 구체적으로는, 상기 제조된 [Pb1-(a+1.5b)SraLab][(Mg1/3Nb2/3)0.4Zr0.25Ti0.35]O3 (a=0.02; 0.0≤b≤0.1) 단결정에서 b[La(+3) 함량]와 a/b[Sr(+2)/La(+3) 비율]의 변화에 따른 유전 상수, 상전이 온도들(TC와 TRT), 압전 상수와 항전계(EC)의 특성 변화를 각각 임피던스 분석기 등을 이용하여 IEEE 법으로 측정하여 하기 표 2에 기재하였다.
상기 표 2의 결과로부터, (001) 압전 단결정(a=0.02; b=0.01; a/b=2)의 압전 전하 상수, 유전 상수와 유전 손실 특성을 평가한 결과, 압전 전하 상수(d33)는 2,650[pC/N]이고, 유전 상수는 8,773이고, 유전 손실(tan d)은 0.5%이었다.
상기 결과, b[La(+3) 함량]와 a/b[Sr(+2)/La(+3) 비율]의 변화에 따라 압전 단결정의 물성이 크게 변화하는 것을 관찰하였다. 특히, "a/b <2"인 조성에서는 단결정 성장이 제한적으로 일어났고, 성장한 단결정도 많은 결함들을 포함하였다. 또한, a/b <2"인 조성에서는 유전 손실이 크게 증가하였고, 유전 및 압전 상수도 크게 감소하였다.
따라서 "a/b≥2"인 조성 영역에서 단결정 성장 속도 및 성장한 단결정의 상태도 상대적으로 우수하였다. 이러한 결과들은 "a/b≥2"조성 압전 단결정들이 보다 우수한 압전 특성과 단결정 성장 특성으로 실제 응용 가능성이 높은 것을 보여주었다.
또한, 상기 제조된 [Pb1-(a+1.5b)SraLab][(Mg1/3Nb2/3)0.4Zr0.25Ti0.35]O3 (0.0<a≤0.15, b=0.01) 단결정에서 a[Sr(+2) 함량]와 a/b[Sr(+2)/La(+3) 비율]의 변화에 따른 유전 상수, 상전이 온도들(TC와 TRT), 압전 상수와 항전계(EC)의 특성 변화를 각각 임피던스 분석기 등을 이용하여 IEEE 법으로 측정하여 하기 표 3에 기재하였다.
상기 표 3에 나타난 바와 같이, a[Sr(+2) 함량]와 a/b[Sr(+2)/La(+3) 비율]의 변화에 따라 압전 단결정의 물성이 크게 변화하는 것을 관찰하였다. 특히, "a/b <2"인 조성에서는 단결정 성장이 제한적으로 일어났고 또한 성장한 단결정도 많은 결함들을 포함하였다. 또한, a/b <2"인 조성에서는 유전 및 압전 상수도 크게 감소하였고, 유전 손실이 크게 증가하였다.
따라서 "a/b≥ 2"인 조성 영역에서 단결정 성장 속도 및 성장한 단결정의 상태도 상대적으로 우수하였다. 이러한 결과들은 "a/b≥ 2"조성 압전 단결정들이 보다 우수한 압전 특성과 단결정 성장 특성으로 실제 응용 가능성이 높은 것을 보여주었다.
상기 실시예 1에서 제조된 [Pb1-(a+1.5b)SraLab][(Mg1/3Nb2/3)0.4Zr0.25Ti0.35]O3 단결정에서 a[Sr(+2) 함량], b[La(+3) 함량]와 a/b[Sr(+2)/La(+3) 비율]의 변화에 따른 압전 단결정의 성장(Growth)와 압전 물성을 평가하면, "0.01≤a≤0.10"와 "0.01≤b≤0.05"의 조성 영역에서 단결정 성장과 물성이 우수하였다. 더 바람직하게는 a/b≥2인 경우에 가장 우수한 압전 단결정을 개발할 수 있었다.
<실험예 2> (Pb,Ca,Sr,Sm)(Mg
1/2
Nb
2/3
)(Zr,Ti)O
3
압전 단결정의 유전 및 압전 특성 평가2
상기 실시예 2에서 제조된 [Pb1-(a+1.5b+c)CacSraSmb][(Mg1/3Nb2/3)0.35Zr0.30Ti0.35]O3 (0.0≤a≤0.15, 0.0≤b≤0.1, 0.0≤c≤0.1) 조성의 압전 단결정에 대하여, [A] 자리이온의 복합조성 중 a[Sr(+2) 함량], c[Ca(2+) 함량]와 (a+c)/b[(Sr(+2)+Ca(2+))/Sm(+3) 비율]의 변화에 따른 유전 상수, 상전이 온도들(TC와 TRT), 압전 상수와 항전계(EC)의 특성 변화를 각각 임피던스 분석기 등을 이용하여 IEEE 법으로 측정하여 하기 표 4에 기재하였다.
상기 표 4의 결과로부터, (001) 압전 단결정(a=0.02, b=0.01, c=0.00)의 압전 전하 상수, 유전 상수와 유전 손실 특성을 평가한 결과, 압전 전하 상수(d33)는 4,457[pC/N]이고, 유전 상수는 14,678이고, 유전 손실(tan d)은 1.0%이었다.
상기 표 4에 나타난 바와 같이, a[Sr(+2) 함량], c[Ca(2+) 함량]와 (a+c)/b[(Sr(+2)+Ca(2+))/Sm(+3) 비율]의 변화에 따라 압전 단결정의 물성이 크게 변화하는 것을 관찰하였다. 특히, "(a+c)/b <2"인 조성에서는 단결정 성장이 제한적으로 일어났고 성장한 단결정도 많은 결함들을 포함하였다. 또한, (a+c)/b <2"인 조성에서는 유전 손실이 크게 증가하였고, 유전 및 압전 상수도 크게 감소하였다.
따라서 "(a+c)/b≥2"인 조성 영역에서 단결정 성장 속도 및 성장한 단결정의 상태도 상대적으로 우수하였다. 이러한 결과들은 "(a+c)/b≥2"조성 압전 단결정들이 보다 우수한 압전 특성과 단결정 성장 특성으로 실제 응용 가능성이 높은 것을 보여주었다.
또한, 상기 실시예 2에서 제조된 [Pb1-(a+1.5b+c)CacSraSmb][(Mg1/3Nb2/3)0.35Zr0.30Ti0.35]O3 (0.0≤a≤0.15, 0.0≤b≤0.1, c=0.01) 단결정에서 a[Sr(+2) 함량], b[Sm(3+) 함량]와 (a+c)/b[(Sr(+2)+Ca(2+))/Sm(+3) 비율]의 변화에 따른 유전 상수, 상전이 온도들(TC와 TRT), 압전 상수와 항전계(EC)의 특성 변화를 각각 임피던스 분석기 등을 이용하여 IEEE 법으로 측정하여 하기 표 5에 기재하였다.
상기 표 5에 나타난 바와 같이, 단결정에서 a[Sr(+2) 함량], b[Sm(3+) 함량]와 (a+c)/b[(Sr(+2)+Ca(2+))/Sm(+3) 비율]의 변화에 따라 압전 단결정의 물성이 크게 변화하는 것을 관찰하였다. 특히, "(a+c)/b<2"인 조성에서는 단결정 성장이 제한적으로 일어났고 또한 성장한 단결정도 많은 결함들을 포함하였다. 또한 (a+c)/b <2"인 조성에서는 유전 손실이 크게 증가하였고, 유전 및 압전 상수도 크게 감소하였다.
따라서 "(a+c)/b≥2"인 조성 영역에서 단결정 성장 속도 및 성장한 단결정의 상태도 상대적으로 우수하였다. 이러한 결과들은 "(a+c)/b≥2"조성 압전 단결정들이 보다 우수한 압전 특성과 단결정 성장 특성으로 실제 응용 가능성이 높은 것을 보여주었다.
또한, 상기 실시예 2에서 제조된 [Pb1-(a+1.5b+c)CacSraSmb][(Mg1/3Nb2/3)0.35Zr0.30Ti0.35]O3 (0.0≤a≤0.15, 0.0≤b≤0.1, 0.0≤c≤0.1) 단결정에서 a[Sr(+2) 함량], b[Sm(+3) 함량], c[Ca[+2] 함량]와 (a+c)/b의 변화에 따른 압전 단결정의 성장(Growth)와 압전 물성을 평가하면, "0.01≤(a+c)≤0.10"와 "0.01≤b≤0.05"의 조성 영역에서 단결정 성장과 물성이 우수하였다. 더 바람직하게는 (a+c)/b≥2인 경우에 가장 우수한 압전 단결정을 개발할 수 있었다.
<실험예 3> (Pb,Ni,Sm)(Mg
1/2
Nb
2/3
)(Zr,Ti)O
3
압전 단결정의 유전 및 압전 특성 평가3
상기 실시예 3에서 제조된 [Pb1-(a+1.5b)NiaSmb][(Mg1/3Nb2/3)0.35Zr0.30Ti0.35]O3 (0.0≤a≤0.15, 0.0≤b≤0.1) 조성의 압전 단결정에 대하여, a=0.02, 0.0≤b≤0.1 조성의 단결정에서 a[Ni 함량]와 a/b[Ni/Sm 비율]의 변화에 따른 유전 상수, 압전 상수와 전기기계결합계수(k33)의 특성 변화를 각각 임피던스 분석기 등을 이용하여 IEEE 법으로 측정하여 하기 표 6에 기재하였다.
상기 표 6에 나타난 바와 같이, a[Ni 함량]와 a/b[Ni/Sm 비율]의 변화에 따라 압전단결정의 물성이 크게 변화하는 것을 관찰하였다. 특히, "a/b <2"인 조성에서는 단결정 성장이 제한적으로 일어났고 또한 성장한 단결정도 많은 결함들을 포함하였다. 또한, a/b <2"인 조성에서는 유전 손실이 크게 증가하였고, 유전 및 압전 상수도 크게 감소하였다.
따라서 "a/b≥2"인 조성 영역에서 단결정 성장 속도 및 성장한 단결정의 상태도 상대적으로 우수하였다. 이러한 결과들은 "a/b≥2"조성 압전 단결정들이 보다 우수한 압전 특성과 단결정 성장 특성으로 실제 응용 가능성이 높은 것을 보여주었다.
또한, 상기 실시예 3에서 제조된 [Pb1-(a+1.5b)NiaSmb][(Mg1/3Nb2/3)0.35Zr0.30Ti0.35]O3 (0.0≤a≤0.15, 0.0≤b≤0.1) 단결정에서 a[Ni 함량], b[Sm 함량]와 a/b의 변화에 따른 압전 단결정의 성장(Growth)와 압전 물성을 평가하면, "0.01≤a≤0.10"와 "0.01≤b≤0.05"의 조성 영역에서 단결정 성장과 물성이 우수하였다. 더 바람직하게는 a/b≥2인 경우에 가장 우수한 압전 단결정을 개발할 수 있었다.
<실험예 4> (Pb,Sr,Bi)(Mg
1/2
Nb
2/3
)(Zr,Ti)O
3
압전 단결정의 유전 및 압전 특성 평가4
상기 실시예 4에서 제조된 [Pb1-(a+1.5b)SraBib][(Mg1/3Nb2/3)0.35Zr0.30Ti0.35]O3 (0.0≤a≤0.15, 0.0≤b≤0.1) 조성의 압전 단결정에 대하여, a=0.02, 0.0≤b≤0.1 조성의 단결정에서 a[Sr 함량]와 a/b[Sr/Bi 비율]의 변화에 따른 유전 상수, 압전 상수와 전기기계결합계수(k33)의 특성 변화를 각각 임피던스 분석기 등을 이용하여 IEEE 법으로 측정하여 하기 표 7에 기재하였다.
상기 표 7에 나타난 바와 같이, a[Sr 함량]와 a/b[Sr/Bi 비율]의 변화에 따라 압전단결정의 물성이 크게 변화하는 것을 관찰하였다. 특히, "a/b <2"인 조성에서는 단결정 성장이 제한적으로 일어났고 또한 성장한 단결정도 많은 결함들을 포함하였다. 또한, a/b <2"인 조성에서는 유전 손실이 크게 증가하였고, 유전 및 압전 상수도 크게 감소하였다.
따라서 "a/b≥2"인 조성 영역에서 단결정 성장 속도 및 성장한 단결정의 상태도 상대적으로 우수하였다. 이러한 결과들은 "a/b≥2"조성 압전 단결정들이 보다 우수한 압전 특성과 단결정 성장 특성으로 실제 응용 가능성이 높은 것을 보여주었다.
또한, 상기 실시예 4에서 제조된 [Pb1-(a+1.5b)SraBib][(Mg1/3Nb2/3)0.35Zr0.30Ti0.35]O3 (0.0≤a≤0.15, 0.0≤b≤0.1) 단결정에서 a[Sr 함량], b[Bi 함량]와 a/b의 변화에 따른 압전 단결정의 성장(Growth)와 압전 물성을 평가하면, "0.01≤a≤0.10"와 "0.01≤b≤0.05"의 조성 영역에서 단결정 성장과 물성이 우수하였다. 더 바람직하게는 a/b≥2인 경우에 가장 우수한 압전 단결정을 개발할 수 있었다.
<실험예 5> (Pb,Sr,Sm)(Mg
1/2
Nb
2/3
)(Zr,Hf)TiO
3
압전 단결정의 유전 및 압전 특성 평가5
상기 실시예 7에서 제조된 [Pb0.98-1.5xSraSmb][(Mg1/3Nb2/3)0.35(Zr1-xHfx)0.30Ti0.35]O3 (0.0≤a≤0.15, 0.0≤b≤0.1, 0.0≤x≤0.5) 압전 단결정에 대하여, a[Sr 함량], b[Sm 함량], a/b[Sr/Sm 비율]와 x[Hf 함량]의 변화에 따른 유전 상수, 압전 상수와 전기기계결합계수(k33)의 특성 변화를 각각 임피던스 분석기 등을 이용하여 IEEE 법으로 측정하여 하기 표 8에 기재하였다.
상기 표 8에 나타난 바와 같이, a[Sr 함량], b[Sm 함량], a/b[Sr/Sm 비율]와 x[Hf 함량]의 변화에 따라 압전단결정의 물성이 크게 변화하는 것을 관찰하였다. 특히, "0.0≤x≤0.5"인 조성에서는 단결정 성장이 보다 빠르게 일어나고 또한 성장한 단결정내에서 결함들도 감소하였다. 또한, "0.0≤x≤0.2"인 조성에서는 유전 및 압전 상수도 증가하였다. 이러한 결과들은 "0.0≤x≤0.5"인 조성에서는 압전 단결정들이 보다 우수한 압전 특성과 단결정 성장 특성으로 실제 응용 가능성이 높은 것을 보여주었다.
<실험예 6> (Pb,Ni,Sm)(Mg
1/2
Nb
2/3
)(Zr,Hf)TiO
3
압전 단결정의 유전 및 압전 특성 평가6
상기 실시예 9에서 제조된 [Pb0.98-1.5xNiaSmb][(Mg1/3Nb2/3)0.35(Zr1-xHfx)0.30Ti0.35]O3 (0.0≤a≤0.1, 0.0≤b≤0.1, 0.0≤x≤0.5) 압전 단결정에 대하여, a[Ni 함량], b[Sm 함량], a/b[Ni/Sm 비율]와 x[Hf 함량]의 변화에 따른 유전 상수, 압전 상수와 전기기계결합계수(k33)의 특성 변화를 각각 임피던스 분석기 등을 이용하여 IEEE 법으로 측정하여 하기 표 9에 기재하였다.
상기 표 9에 나타난 바와 같이, a[Ni 함량], b[Sm 함량], a/b[Ni/Sm 비율]와 x[Hf 함량]의 변화에 따라 압전단결정의 물성이 크게 변화하는 것을 관찰하였다. 특히, "0.0≤x≤0.5"인 조성에서는 단결정 성장이 보다 빠르게 일어나고 또한 성장한 단결정내에서 결함들도 감소하였다. 또한, "0.0≤x≤0.2"인 조성에서는 유전 및 압전 상수도 증가하였다. 이러한 결과들은 "0.0≤x≤0.5"인 조성에서는 압전 단결정들이 보다 우수한 압전 특성과 단결정 성장 특성으로 실제 응용 가능성이 높은 것을 보여주었다.
<실험예 7> 파괴 강도의 측정
상기 실시예 1에서 제조된 [Pb1-(a+1.5b)SraLab][(Mg1/3Nb2/3)0.4Zr0.25Ti0.35]O3 (0.0≤a≤0.15, b=0.01) 조성의 압전 단결정에 대하여, 단결정 내의 기공의 함량에 따른 파괴 강도(Fracture Strength)와 파괴 인성(Fracture Toughness) 등의 기계적 특성을 비교 평가하였다. 이때, 파괴강도 값들을 ASTM 법에 따라 4점 굽힘 강도 측정법으로 측정하였고, 그 결과를 하기 표 10(a=0.02, b=0.01)와 표 11(a=0.04, b=0.01)에 기재하였다.
상기 결과로부터 고상 단결정 성장법으로 제조된 [Pb1-(a+1.5b)SraLab][(Mg1/3Nb2/3)0.4Zr0.25Ti0.35]O3 (0.0≤a≤0.15, b=0.01) 압전 단결정은 단결정 내부에 기공을 포함하는 경우에 파괴 강도와 파괴 인성이 증가하는 경향을 보였고 기공의 ?t량이 20% 이내일 때 높은 파괴 강도와 파괴 인성의 값을 보였다. 특히, 기공의 형상이 구형에 가까울수록 기계적 특성 향상의 효과는 증가하였다. 따라서, 단결정 내부에 기공과 MgO 등의 강화상을 포함시키는 경우는 단결정이 외부의 기계적 충격에 대한 저항성이 증가하여, 결과적으로 복합체의 단결정의 기계적 성능이 크게 향상된 결과를 보였다.
이상의 결과로부터, 압전 단결정의 조성으로 압전 특성을 최대화하고, 또한 강화상들을 이용하여 단결정의 기계적 특성을 높여서, 압전 단결정의 높은 압전 특성을 유지하고 기계적 취성(Brittleness) 특성을 개선한, 두 가지 특성에 모두 우수한 압전 단결정을 제작하였다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
Claims (22)
- 하기 화학식 1의 조성식을 가지는 페로브스카이트형 구조의 압전 단결정:
화학식 1
[A1-(a+1.5b)BaCb][(MN)1-x-y(L)yTix]O3
상기 식에서,
A는 Pb 또는 Ba이고,
B는 Ba, Ca, Co, Fe, Ni, Sn 및 Sr으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종 이상이며,
C는 Co, Fe, Bi, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상이며,
L은 Zr 또는 Hf에서 선택된 단독 또는 혼합 형태이고,
M은 Ce, Co, Fe, In, Mg, Mn, Ni, Sc, Yb 및 Zn로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 한 종 이상이며,
N은 Nb, Sb, Ta 및 W로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 한 종 이상이며,
0<a≤0.10, 0<b≤0.05, 0.05≤x≤0.58 및 0.05≤y≤0.62이다. - 제1항에 있어서, 상기 압전 단결정에서 L이 혼합 형태일 때, 화학식 2의 조성식을 가지는 것을 특징으로 하는 압전 단결정:
화학식 2
[A1-(a+1.5b)BaCb][(MN)1-x-y(Zr1-w, Hfw)yTix]O3이고,
상기 화학식 2에서 0.01≤w≤0.20이며, A, B, C, M 및 N, a, b, x, y 및 z은 제1항의 화학식 1과 동일하다. - 제1항에 있어서, 상기 식에서
0.01≤a≤0.10,
0.01≤b≤0.05인 것을 특징으로 하는 압전 단결정. - 제1항에 있어서, 상기 식에서 a/b≥2인 것을 특징으로 하는 압전 단결정.
- 제1항에 있어서, 상기 식에서
0.10≤x≤0.58 및 0.10≤y≤0.62인 것을 특징으로 하는 압전 단결정. - 제1항에 있어서, 상기 압전 단결정이 단결정 내부의 조성 구배가 0.2 내지 0.5몰%로 이루어진 것을 특징으로 하는 압전 단결정.
- 제1항에 있어서, 압전 단결정 조성에 부피비로 0.1 내지 20%의 강화 이차상(P)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 단결정.
- 제7항에 있어서, 상기 강화 이차상 P는 금속상, 산화물상 또는 기공(pore)인 것을 특징으로 하는 압전 단결정.
- 제8항에 있어서, 상기 강화 이차상 P는 Au, Ag, Ir, Pt, Pd, Rh, MgO, ZrO2 및 기공(pore)으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 한 종 이상인 것을 특징으로 하는 압전 단결정.
- 제8항에 있어서, 상기 강화 이차상 P는 압전 단결정 내에서 입자의 형태로 균일하게 분포하거나 또는 일정한 패턴을 가지면서 규칙적으로 분포하는 것을 특징으로 하는 압전 단결정.
- 제1항에 있어서, 상기 x와 y는 능면체상과 정방정상의 상경계(MPB) 조성으로부터 10 mol% 이내의 범위에 속하는 것을 특징으로 하는 압전 단결정.
- 제1항에 있어서, 상기 x와 y는 능면체상과 정방정상의 상경계(MPB) 조성으로부터 5 mol% 이내의 범위에 속하는 것을 특징으로 하는 압전 단결정.
- 제1항에 있어서, 상기 압전 단결정이 큐리온도(Curie temperature, Tc)가 180℃ 이상이며 동시에 능면체상과 정방정상의 상전이온도(phase transition temperature between rhombohedral phase and tetragonal phase, TRT)가 100℃ 이상인 것을 특징으로 하는 압전 단결정.
- 제1항에 있어서, 상기 압전 단결정이 전기기계결합계수(longitudinal electromechanical coupling coefficient, k33)가 0.85 이상인 것을 특징으로 하는 압전 단결정.
- 제1항에 있어서, 상기 압전 단결정이 항전계(coercive electric field, Ec)가 3.5 내지 12kV/cm인 것을 특징으로 하는 압전 단결정.
- 제1항에 있어서, 상기 압전 단결정이
유전 상수(K3 T) 4,000 내지 15,000 및
압전 상수(d33) 1,400 내지 6,000pC/N를 충족하는 것을 특징으로 하는 압전 단결정. - (a) 제1항의 압전 단결정을 구성하는 조성의 분말을 800 내지 900℃ 미만의 온도에서 하소하여 분말을 수득하고, 상기 분말을 소결하는 1차 열처리공정을 수행하여 상기 압전 단결정을 구성하는 조성을 가지는 다결정체의 기지상 입자들(matrix grains)의 평균 크기를 조절하여 비정상 입자의 개수 밀도(number density: number of abnormal grains/unit area)를 감소시키고,
(b) 상기 단계(a)를 통해 얻어진 비정상 입자의 개수 밀도가 감소된 다결정체를 열처리하여 비정상 입자를 성장시켜 단결정을 수득하되, 상기 성장 시 2차 열처리공정을 수행하는 압전 단결정의 제조방법. - 제17항에 있어서, 상기 1차 및 2차 열처리공정이 900 내지 1,300℃에서 수행된 것을 특징으로 하는 압전 단결정의 제조방법.
- 제18항에 있어서, 상기 열처리가 1 내지 20℃/분 승온속도로 1 내지 100 시간동안 수행된 것을 특징으로 하는 압전 단결정의 제조방법.
- 제17항에 있어서, 상기 다결정체의 기지상 입자들의 평균 크기(R)는, 비정상 입자 생성이 일어나는 임계 크기(비정상 입자의 개수 밀도가 "0 (zero)"이 되는 기지상 입자들의 평균 크기, Rc)의 0.5배 이상 2배 이하인 크기 범위(0.5Rc≤R≤2Rc)로 조절되는 것을 특징으로 하는 압전 단결정의 제조방법.
- 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따른 압전 단결정으로 이루어진 압전체 또는 상기 압전 단결정과 폴리머가 복합화된 압전체를 이용한 압전 응용 부품 및 유전 응용 부품.
- 제21항에 있어서, 상기 압전 응용 부품 및 유전 응용 부품이 초음파 트랜스듀서 (ultrasonic transducers), 압전 액추에이터 (piezoelectric actuators), 압전 센서 (piezoelectric sensors), 유전 캐패시터 (dielectric capacitors), 전기장 방사 트랜스듀서 (Electric Field Generating Transducers) 및 전기장-진동 방사 트랜스듀서 (Electric Field and Vibration Generating Transducers)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 압전 응용 부품 및 유전 응용 부품.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/KR2021/018537 WO2022124792A1 (ko) | 2020-12-11 | 2021-12-08 | 압전 단결정, 그 제조방법 및 그를 이용한 압전 및 유전 응용 부품 |
| US17/928,604 US12031232B2 (en) | 2020-12-11 | 2021-12-08 | Piezoelectric single crystal, fabrication method therefor, and piezoelectric and dielectric application parts using same |
| JP2023534611A JP2023549422A (ja) | 2020-12-11 | 2021-12-08 | 圧電単結晶、その製造方法、並びにそれを用いた圧電及び誘電応用部品 |
| CN202180082720.5A CN116569675A (zh) | 2020-12-11 | 2021-12-08 | 压电单晶、其制造方法及使用其的压电及介电应用部件 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20200173604 | 2020-12-11 | ||
| KR1020200173604 | 2020-12-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220083603A KR20220083603A (ko) | 2022-06-20 |
| KR102664918B1 true KR102664918B1 (ko) | 2024-05-09 |
Family
ID=82250061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210171666A KR102664918B1 (ko) | 2020-12-11 | 2021-12-03 | 압전 단결정, 그 제조방법 및 그를 이용한 압전 및 유전 응용 부품 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102664918B1 (ko) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090212667A1 (en) | 2004-05-06 | 2009-08-27 | Jfe Mineral Company, Ltd | Piezoelectric single crystal device and fabrication method thereof |
| US20150372219A1 (en) | 2013-03-25 | 2015-12-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Piezoelectric transducer, ultrasonic probe, and piezoelectric transducer manufacturing method |
| KR101779899B1 (ko) | 2016-11-03 | 2017-09-19 | 국방과학연구소 | 압전 단결정을 구비하는 적층형 압전 액추에이터 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100564092B1 (ko) | 2002-10-11 | 2006-03-27 | 주식회사 세라콤 | 고상 단결정 성장 방법 |
| KR100743614B1 (ko) | 2005-11-04 | 2007-07-30 | 주식회사 세라콤 | 압전 단결정 및 그 제조방법, 그리고 그 압전 단결정을이용한 압전 및 유전 응용 부품 |
| JP5832091B2 (ja) * | 2010-03-02 | 2015-12-16 | キヤノン株式会社 | 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッドおよび超音波モータ |
-
2021
- 2021-12-03 KR KR1020210171666A patent/KR102664918B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090212667A1 (en) | 2004-05-06 | 2009-08-27 | Jfe Mineral Company, Ltd | Piezoelectric single crystal device and fabrication method thereof |
| US20150372219A1 (en) | 2013-03-25 | 2015-12-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Piezoelectric transducer, ultrasonic probe, and piezoelectric transducer manufacturing method |
| KR101779899B1 (ko) | 2016-11-03 | 2017-09-19 | 국방과학연구소 | 압전 단결정을 구비하는 적층형 압전 액추에이터 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20220083603A (ko) | 2022-06-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5063606B2 (ja) | 圧電単結晶及びその製造方法、並びにその圧電単結晶を利用した圧電応用部品及び誘電応用部品 | |
| EP2255397B1 (en) | Piezoelectric material | |
| JP4541985B2 (ja) | 多結晶体の製造方法 | |
| EP1253121B1 (en) | Grain oriented ceramics and a production process thereof, as well as an anisotropically-shaped powder and a production process thereof | |
| JP5566059B2 (ja) | 金属酸化物および圧電材料 | |
| EP2598462B1 (en) | Ceramic | |
| EP1457471A2 (en) | Crystal oriented ceramics and production method of same | |
| JP2010254560A (ja) | セラミクス、圧電素子および圧電素子の製造方法 | |
| KR101779899B1 (ko) | 압전 단결정을 구비하는 적층형 압전 액추에이터 | |
| JP2007269603A (ja) | 圧電セラミックス及びその製造方法 | |
| JP7366006B2 (ja) | 極性ナノ領域エンジニアードリラクサー－ＰｂＴｉＯ３強誘電性結晶 | |
| KR102664918B1 (ko) | 압전 단결정, 그 제조방법 및 그를 이용한 압전 및 유전 응용 부품 | |
| KR102632993B1 (ko) | 압전 단결정, 그 제조방법 및 그를 이용한 압전 및 유전 응용 부품 | |
| KR102663619B1 (ko) | 내부 전기장을 포함하는 압전 단결정, 그 제조방법 및 그를 이용한 압전 및 유전 응용 부품 | |
| KR102632987B1 (ko) | 압전 단결정-다결정 세라믹 복합체, 그 제조방법 및 그를 이용한 압전 및 유전 응용 부품 | |
| US12031232B2 (en) | Piezoelectric single crystal, fabrication method therefor, and piezoelectric and dielectric application parts using same | |
| US20230329120A1 (en) | Piezoelectric single crystal including internal electric field, method for manufacturing same, and piezoelectric and dielectric application components using same | |
| US20230247908A1 (en) | Piezoelectric single crystal-polycrystalline ceramic composite, preparation method therefor, and piezoelectric and dielectric application components using same | |
| CN116569675A (zh) | 压电单晶、其制造方法及使用其的压电及介电应用部件 | |
| JPWO2015093436A1 (ja) | 結晶配向圧電セラミックス、その製造方法、及び圧電体素子 | |
| CN116671281A (zh) | 压电单晶-多晶陶瓷复合材料、其制造方法及使用其的压电及介电应用部件 | |
| KR102711950B1 (ko) | 유전상수 저하가 적은 단결정 압전체 | |
| CN116724687A (zh) | 包含内电场的压电单晶及其制造方法及使用其的压电和介电应用部件 | |
| Luo et al. | Polar Nanoregions Engineered Relaxor-PbTiO3 Ferroelectric Crystals | |
| Hosono et al. | Piezoelectric materials Pb (In/sub 1/2/Nb/sub 1/2/) O/sub 3/-Pb (Mg/sub 1/3/Nb/sub 2/3/) O/sub 3/-PbTiO/sub 3/with high Curie temperatures and large piezoelectric constants |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |