KR102656794B1

KR102656794B1 - 탄성파 필터 및 멀티플렉서

Info

Publication number: KR102656794B1
Application number: KR1020227000447A
Authority: KR
Inventors: 아키라 노구치
Original assignee: 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date: 2019-07-17
Filing date: 2020-07-13
Publication date: 2024-04-12
Also published as: JP7272440B2; JPWO2021010379A1; CN114097175A; WO2021010379A1; US20220140809A1; KR20220018020A

Abstract

탄성파 필터(40)는 복수개의 IDT 전극과 반사기를 가지는 종결합 공진기(1)를 포함하고, [i] 전극지(Fe(k))와 전극지(Fe(k+1))의 거리를 k번째 전극지 피치(P(k))로 정의하며, [ii] 전극지(Fe(k-1)), 전극지(Fe(k)), 및 전극지(Fe(k+1))라는 서로 이웃하는 3개의 전극지에서 전극지 피치(P(k))와 전극지 피치(P(k-1)) 및 (P(k+1))의 평균인 구간 평균 전극지 피치(PM(k))의 차분을, 전체 평균 전극지 피치(PT)로 나눈 값을 피치 편차율(D(k))로 정의하고, [iii] 피치 편차율(D(k))을, 상기 IDT 전극 또는 반사기가 가지는 모든 전극지에 대해 산출하여 얻어진 분포를 피치 편차율(D(k))의 히스토그램으로 정의한 경우, 상기 복수개의 IDT 전극 또는 반사기 중 적어도 하나는 상기 히스토그램에서의 피치 편차율(D)의 표준 편차(SD)가 1.4% 이상이다.

Description

탄성파 필터 및 멀티플렉서

본 발명은 탄성파 필터 및 상기 탄성파 필터를 포함한 멀티플렉서에 관한 것이다.

특허문헌 1에는 탄성파 전파 방향에 복수개의 IDT(InterDigital Transducer) 전극 및 반사기가 배치된 종결합 공진기에서, IDT전 극의 메인 여진(勵振) 영역의 사이 또는 상기 메인 여진 영역과 반사기 사이에 전극지(電極指) 피치가 단계적으로 변화되는 서브 여진 영역이 배치된 탄성파 필터가 개시되어 있다. 이에 따르면, 탄성파 필터의 저손실성이 개선된다고 되어 있다.

국제공개공보 WO2003/003574

그러나 특허문헌 1과 같이 전극지 피치의 분포가 규칙적으로 변화되는 서브 여진 영역이 배치된 종결합 공진기를 포함하는 탄성파 필터에서는 불필요한 음향파가 여진되어, 충분한 감쇠 특성이 얻어지지 않는다는 문제가 있다. 또한, 상기 탄성파 필터를 포함하는 멀티플렉서의 아이솔레이션 특성이 열화(劣化)된다는 문제가 있다.

따라서, 본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 감쇠 특성이 향상된 탄성파 필터 및 아이솔레이션 특성이 향상된 멀티플렉서를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 한 양태에 따른 탄성파 필터는 압전성을 가지는 기판과, 상기 기판에 마련되고 탄성파 전파 방향으로 병치(竝置)된 복수개의 IDT 전극과, 상기 복수개의 IDT 전극에 대하여 상기 탄성파 전파 방향으로 서로 이웃하도록 배치된 반사기를 가지는 종결합 공진기를 포함한 탄성파 필터로서, 상기 복수개의 IDT 전극 및 상기 반사기 각각은 상기 탄성파 전파 방향과 교차하는 방향으로 연장되고, 서로 평행하게 배치된 복수개의 전극지로 구성되며, (1) 상기 탄성파 전파 방향에서의 k(k는 2 이상의 정수)번째 전극지와 (k+1)번째 전극지의 거리를 k번째 전극지 피치로 정의하고, (2) (k-1)번째 전극지, k번째 전극지, 및 (k+1)번째 전극지라는 서로 이웃하는 3개의 전극지에서 k번째 전극지 피치와, (k-1)번째 전극지 피치 및 (k+1)번째 전극지 피치의 평균인 구간 평균 전극지 피치의 차분을, 상기 서로 이웃하는 3개의 전극지가 포함되는 IDT 전극 또는 반사기가 가지는 전극지 전체의 평균 피치인 전체 평균 전극지 피치로 나눈 값을 k번째 전극지의 피치 편차율로 정의하며, (3) 상기 k번째 전극지의 피치 편차율을, 상기 서로 이웃하는 3개의 전극지가 포함되는 IDT 전극 또는 반사기가 가지는 모든 전극지에 대해 산출하여 얻어진 상기 피치 편차율의 분포를 상기 피치 편차율의 히스토그램으로 정의한 경우, 상기 복수개의 IDT 전극 및 상기 반사기 중 적어도 하나는 상기 히스토그램에서의 상기 피치 편차율의 표준 편차가 1.4% 이상이다.

본 발명에 의하면, 감쇠 특성이 향상된 탄성파 필터 및 아이솔레이션 특성이 향상된 멀티플렉서를 제공하는 것이 가능해진다.

도 1은 실시형태에 따른 탄성파 필터의 회로 구성도이다.
도 2는 실시형태에 따른 종결합 공진기의 전극 구성을 나타내는 개략 평면도이다.
도 3은 실시형태에 따른 종결합 공진기의 전극지 피치의 분포를 나타내는 그래프이다.
도 4는 비교예에 따른 종결합 공진기의 전극지 피치의 분포를 나타내는 그래프이다.
도 5는 실시형태에 따른 종결합 공진기의 불규칙한 전극지 피치 분포의 작용을 설명하는 도면이다.
도 6은 실시형태에 따른 종결합 공진기의 불규칙한 전극지 피치 분포에서의 피치 편차율 및 그의 표준 편차를 설명하는 도면이다.
도 7은 실시예 1에 따른 멀티플렉서 및 그 주변 회로의 구성도이다.
도 8은 실시예 1 및 비교예 1에 따른 멀티플렉서의 통과 특성 및 아이솔레이션 특성을 비교한 그래프이다.
도 9는 실시예 1 및 비교예 1에 따른 멀티플렉서의 전압 정재파비를 비교한 그래프이다.
도 10은 종결합 공진기의 피치 편차율의 표준 편차와 멀티플렉서의 아이솔레이션의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 11a는 실시예 2에 따른 탄성파 필터의 회로 구성도이다.
도 11b는 실시예 2 및 비교예 2에 따른 탄성파 필터의 통과 특성을 비교한 그래프이다.
도 12a는 실시예 3에 따른 탄성파 필터가 가지는 종결합 공진기의 전극지 배치 구성 및 전극지 피치의 분포를 나타내는 그래프이다.
도 12b는 실시예 3 및 비교예 3에 따른 멀티플렉서의 통과 특성 및 아이솔레이션 특성을 비교한 그래프이다.
도 13은 실시예 4에 따른 멀티플렉서 및 그 주변 회로의 구성도이다.
도 14는 실시예 4, 비교예 4 및 비교예 5에 따른 탄성파 필터의 통과 특성을 비교한 그래프이다.

이하, 본 발명의 실시형태에 대해, 실시형태 및 도면을 이용하여 상세하게 설명한다. 한편, 이하에서 설명하는 실시형태는 모두 포괄적 또는 구체적인 예를 나타내는 것이다. 이하의 실시형태에서 나타내지는 수치, 형상, 재료, 구성 요소, 구성 요소의 배치 및 접속 형태 등은 일례이며, 본 발명을 한정하는 주지가 아니다. 이하의 실시형태에서의 구성 요소 중 독립 청구항에 기재되지 않은 구성 요소에 대해서는 임의의 구성 요소로서 설명된다. 또한, 도면에 도시되는 구성 요소의 크기 또는 크기의 비는 반드시 엄밀하지 않다.

(실시형태)

[1. 실시형태에 따른 탄성파 필터(40)의 구성]

도 1은 실시형태에 따른 탄성파 필터(40)의 회로 구성도이다. 또한, 도 2는 실시형태에 따른 종결합 공진기(1)의 전극 구성을 나타내는 개략 평면도이다. 도 2에는 종결합 공진기(1)를 구성하는 IDT 전극 및 반사기의 평면 레이아웃 구성 및 IDT 전극 간의 전기적인 접속 상태가 도시되어 있다. 한편, 도 2에 도시된 종결합 공진기(1)는 IDT 전극의 전형적인 평면 레이아웃 구성을 설명하기 위한 것으로, IDT 전극을 구성하는 전극지의 개수, 길이 및 전극지 피치 등은 이에 한정되지 않는다.

도 1에 나타내는 바와 같이, 탄성파 필터(40)는 종결합 공진기(1)와 직렬암(serial arm) 공진자(31s 및 32s)와 병렬암(parallel arm) 공진자(31p 및 32p)와 입출력 단자(110 및 120)를 포함한다.

직렬암 공진자(31s 및 32s)는 입출력 단자(110)와 입출력 단자(120)를 잇는 경로 상에 직렬 배치된 탄성파 공진자이다. 병렬암 공진자(31p 및 32p)는 각각 상기 경로 상의 노드와 그라운드 사이에 접속된 탄성파 공진자이다.

또한, 도 2에 나타내는 바와 같이, 종결합 공진기(1)는 병렬 접속된 종결합 공진부(10 및 20)로 구성되고, 단자(130)와 입출력 단자(120) 사이에 배치되어 있다. 종결합 공진부(10)는 압전성을 가지는 기판 상의 탄성파 전파 방향으로 나란히 배치된 5개의 IDT(InterDigital Transducer) 전극(11, 12, 13, 14 및 15)과, 상기 5개의 IDT 전극에 대하여 탄성파 전파 방향으로 서로 이웃하도록 배치된 반사기(19A 및 19B)를 가진다. 종결합 공진부(20)는 압전성을 가지는 기판 상의 탄성파 전파 방향으로 나란히 배치된 5개의 IDT 전극(21, 22, 23, 24 및 25)과, 상기 5개의 IDT 전극에 대하여 탄성파 전파 방향으로 서로 이웃하도록 배치된 반사기(29A 및 29B)를 가진다.

IDT 전극(11~15, 21~25), 반사기(19A, 19B, 29A 및 29B)는 압전성을 가지는 기판 상에 형성되고, IDT 전극(11~15 및 21~25) 각각과 압전성을 가지는 기판은 탄성 표면파 공진자를 구성한다.

IDT 전극(11~15, 21~25), 및 반사기(19A, 19B, 29A 및 29B) 각각은 탄성파 전파 방향과 교차하는 방향으로 연장되고, 서로 평행하게 배치된 복수개의 전극지로 구성되어 있다.

IDT 전극(11)은 빗형 전극(11a 및 11b)으로 구성되어 있다. 빗형 전극(11a)은 제1 빗형 전극의 일례이며, IDT 전극(11)을 구성하는 복수개의 전극지 중 일부의 전극지와, 상기 일부의 전극지의 일방단(一方端)끼리를 접속하는 버스바(busbar) 전극으로 구성되고, 입출력 단자(120)에 접속되어 있다. 빗형 전극(11b)은 제2 빗형 전극의 일례이며, IDT 전극(11)을 구성하는 복수개의 전극지 중 타부(他部)의 전극지와, 상기 타부의 전극지의 타방단(他方端)끼리를 접속하는 버스바 전극으로 구성되고, 그라운드에 접속되어 있다. 빗형 전극(11a)을 구성하는 전극지와 빗형 전극(11b)을 구성하는 전극지는 서로 맞물려 있다. IDT 전극(13)은 빗형 전극(13a(제1 빗형 전극) 및 13b(제2 빗형 전극))으로 구성되어 있다. 빗형 전극(13a)은 입출력 단자(120)에 접속되고, 빗형 전극(13b)은 그라운드에 접속되어 있다. IDT 전극(15)은 빗형 전극(15a(제1 빗형 전극) 및 15b(제2 빗형 전극))으로 구성되어 있다. 빗형 전극(15a)은 입출력 단자(120)에 접속되고, 빗형 전극(15b)은 그라운드에 접속되어 있다. IDT 전극(21)은 빗형 전극(21a(제1 빗형 전극) 및 21b(제2 빗형 전극))으로 구성되어 있다. 빗형 전극(21a)은 입출력 단자(120)에 접속되고, 빗형 전극(21b)은 그라운드에 접속되어 있다. IDT 전극(23)은 빗형 전극(23a(제1 빗형 전극) 및 23b(제2 빗형 전극))으로 구성되어 있다. 빗형 전극(23a)은 입출력 단자(120)에 접속되고, 빗형 전극(23b)은 그라운드에 접속되어 있다. IDT 전극(25)은 빗형 전극(25a(제1 빗형 전극) 및 25b(제2 빗형 전극))으로 구성되어 있다. 빗형 전극(25a)은 입출력 단자(120)에 접속되고, 빗형 전극(25b)은 그라운드에 접속되어 있다.

IDT 전극(12)은 빗형 전극(12a 및 12b)으로 구성되어 있다. 빗형 전극(12b)은 제1 빗형 전극의 일례이며, IDT 전극(12)을 구성하는 복수개의 전극지 중 일부의 전극지와, 상기 일부의 전극지의 일방단끼리를 접속하는 버스바 전극으로 구성되고, 단자(130)에 접속되어 있다. 빗형 전극(12a)은 제2 빗형 전극의 일례이며, IDT 전극(12)을 구성하는 복수개의 전극지 중 타부의 전극지와, 상기 타부의 전극지의 타방단끼리를 접속하는 버스바 전극으로 구성되고, 그라운드에 접속되어 있다. 빗형 전극(12a)을 구성하는 전극지와 빗형 전극(12b)을 구성하는 전극지는 서로 맞물려 있다. IDT 전극(14)은 빗형 전극(14b(제1 빗형 전극) 및 14a(제2 빗형 전극))으로 구성되어 있다. 빗형 전극(14b)은 단자(130)에 접속되고, 빗형 전극(14a)은 그라운드에 접속되어 있다. IDT 전극(22)은 빗형 전극(22b(제1 빗형 전극) 및 22a(제2 빗형 전극))으로 구성되어 있다. 빗형 전극(22b)은 단자(130)에 접속되고, 빗형 전극(22a)은 그라운드에 접속되어 있다. IDT 전극(24)은 빗형 전극(24b(제1 빗형 전극) 및 24a(제2 빗형 전극))으로 구성되어 있다. 빗형 전극(24b)은 단자(130)에 접속되고, 빗형 전극(24a)은 그라운드에 접속되어 있다.

한편, 종결합 공진부(10)를 구성하는 IDT 전극의 수는 2 이상이면 되고, 종결합 공진부(20)를 구성하는 IDT 전극의 수도 2 이상이면 된다. 또한, 종결합 공진부(10)를 구성하는 반사기의 수는 1 이상이면 되고, 종결합 공진부(20)를 구성하는 반사기의 수도 1 이상이면 된다.

또한, 본 실시형태에 따른 탄성파 필터(40)에서 종결합 공진기(1)를 구성하는 종결합 공진부의 수는 임의이고, 종결합 공진기(1)는 종결합 공진부(10 및 20) 중 어느 하나만으로 구성되어 있어도 된다.

한편, 본 실시형태에 따른 탄성파 필터(40)에서 직렬암 공진자의 수 및 병렬암 공진자의 수는 임의이고, 직렬암 공진자(31s 및 32s) 그리고 병렬암 공진자(31p 및 32p)는 없어도 된다.

또한, 본 실시형태에 따른 탄성파 필터(40)에서 도 1에 개시된 탄성파 공진자, 입출력 단자 및 그라운드를 접속하는 경로 사이에 다른 회로 소자 및 배선 등이 삽입되어 있어도 된다.

[2. 전극지 피치 및 피치 편차율]

도 2에 나타내는 바와 같이, IDT 전극(11~15, 21~25), 반사기(19A, 19B, 29A 및 29B) 각각은 탄성파 전파 방향과 교차하는 방향으로 연장되고, 서로 평행하게 배치된 복수개의 전극지(Fe)로 구성되어 있다.

본 실시형태에 따른 탄성파 필터(40)는 서로 이웃하는 전극지(Fe)끼리의 거리(전극지(Fe)의 탄성파 전파 방향에서의 중심선끼리의 거리)인 전극지 피치(P)의 분포에 특징을 가진다. 여기서 도 2에 나타내는 바와 같이, 1개의 IDT 전극 또는 1개의 반사기(예를 들면 IDT 전극(11))에서 탄성파 전파 방향에서의 1번째 전극지(Fe(1))와 2번째 전극지(Fe(2))의 거리(전극지(Fe(1))의 탄성파 전파 방향에서의 중심선과 전극지(Fe(2))의 탄성파 전파 방향에서의 중심선의 거리)를 전극지(Fe(1))의 전극지 피치(P(1))로 정의한다. 이후, 마찬가지로 하여, 전극지(Fe(2))의 전극지 피치(P(2)), 전극지(Fe(3))의 전극지 피치(P(3)), 전극지(Fe(4))의 전극지 피치(P(4))가 정의된다. 즉, 전극지(Fe(k))와 전극지(Fe(k+1))의 거리(전극지(Fe(k))의 탄성파 전파 방향에서의 중심선과 전극지(Fe(k+1))의 탄성파 전파 방향에서의 중심선의 거리)를, 탄성파 전파 방향에서의 k번째 전극지(Fe(k))의 전극지 피치(P(k))(k는 자연수)로 정의한다.

도 3은 실시형태에 따른 종결합 공진기(1)의 전극지 피치(P(k))의 분포를 나타내는 그래프이다. 동도면에는 종결합 공진기(1)를 구성하는 종결합 공진부(10)의 전극지 피치(P(k))가 도시되어 있다. 가로축에는 종결합 공진부(10)를 구성하는 전극지(Fe(1))부터 전극지(Fe(200))의 위치가 도시되어 있고, 세로축에는 전극지(Fe(k))의 전극지 피치(P(k))가 도시되어 있다.

도 3에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 종결합 공진부(10)에서는 전극지 피치(P(k))는 불규칙하게 배열된 전극지 구간을 가지고 있다.

도 4는 비교예에 따른 탄성파 필터가 가지는 종결합 공진부의 전극지 피치(P(k))의 분포를 나타내는 그래프이다. 비교예에 따른 탄성파 필터는 실시형태에 따른 탄성파 필터(40)와 비교하여, 2개의 탄성파 공진부가 병렬 접속된 탄성파 공진기를 가지는 점은 동일하나, 상기 2개의 탄성파 공진부의 전극지 피치(P(k))의 분포가 다르다. 도 4에는 비교예에 따른 종결합 공진부의 전극지 피치(P(k))가 도시되어 있다.

도 4에 나타내는 바와 같이, 비교예에 따른 종결합 공진부에서는 전극지 피치(P(k))는 규칙적으로 배열되어 있다. 구체적으로는 비교예에 따른 종결합 공진부에서는 서로 이웃하는 3개 이상의 전극지(Fe) 사이에서 일정한 전극지 피치(P)를 가지는 구간을 동일한 IDT 전극 또는 반사기 내에 가진다. 한편, 전극지 피치(P(k))가 규칙적으로 배열된 예로는 도 4에 도시된 예 이외에, 전극지(Fe)의 추이에 대하여 전극지 피치(P(k))가 일정한 비율로 증가 또는 감소하는(전극지 피치(P(k))가 일정한 경사를 가지는: 이른바 그라데이션 피치(gradation pitch)인) 경우를 들 수 있다.

이에 반해, 본 실시형태에 따른 종결합 공진부(10)에서는 서로 이웃하는 3개 이상의 전극지(Fe) 사이에서 일정한 전극지 피치(P)를 가지지 않으면서, 서로 이웃하는 3개 이상의 전극지(Fe) 사이에서 전극지 피치(P(k)가 일정한 경사를 가지지 않는 IDT 전극 또는 반사기를 가진다.

한편, 도 3에 도시된, 본 실시형태에 따른 종결합 공진부(10)에서는 IDT 전극(11~15), 반사기(19A, 19B) 전체에서 전극지 피치(P(k))가 불규칙하게 배열되어 있는데, 본 발명에 따른 탄성파 필터의 종결합 공진기는 이에 한정되지 않는다. 즉, 본 발명에 따른 탄성파 필터는 IDT 전극(11~15), 반사기(19A 및 19B) 중 적어도 하나에서, 서로 이웃하는 3개 이상의 전극지(Fe) 사이에서 전극지 피치(P(k))가 불규칙하게 배열된 전극지 구간을 가지고 있으면 된다.

한편, 종결합 공진기(1)를 구성하는 종결합 공진부(20)의 전극지 피치(P(k))에 대해서도, 종결합 공진부(10)의 전극지 피치(P(k))와 마찬가지로 불규칙한 분포를 가지고 있어도 된다. 또한, 종결합 공진부(10) 및 종결합 공진부(20)의 전극지 피치(P(k))의 분포는 동일해도 되고, 또한 달라도 된다.

도 5는 실시형태에 따른 종결합 공진기(1)의 불규칙한 전극지 피치(P(k))의 분포 작용을 설명하는 도면이다. 동도면에는 압전성을 가지는 기판(60) 및 기판(60) 상에 형성된 전극지(Fe(k)~Fe(k+4))의 절단면 개략도가 도시되어 있다. 도 5에 도시된 전극지(Fe(k)~Fe(k+4))는 불규칙한 전극지 피치(P(k)~P(k+4))를 가진다.

우선, 도 5에 도시된 전극지(Fe(k)~Fe(k+4))가 동일한 IDT 전극 내에 배치된 전극지인 것으로 한다(작용 1). 여기서, 전극지(Fe(k)), 전극지(Fe(k+2)), 및 전극지(Fe(k+4))는 신호 전위(HOT)가 인가되는 제1 빗형 전극을 구성하고 있다. 또한, 전극지(Fe(k+1)) 및 전극지(Fe(k+3))는 그라운드(GND)에 접속된 제2 빗형 전극을 구성하고 있다. 여기서 전극지 피치(P(k), P(k+1), P(k+2), 및 P(k+3))는 불규칙한 전극지 피치 분포를 가진다.

이 때, HOT 전극인 전극지(Fe(k+2))로 여진되는 음향파(도 5의 실선)의 파장(HOT2의 음향파의 파장)의 위상과, HOT 전극인 전극지(Fe(k))로 여진되는 음향파(도 5의 일점쇄선)의 위상에서 어긋남이 생긴다. 또한, HOT 전극인 전극지(Fe(k+2))로 여진되는 음향파(도 5의 실선)의 파장(HOT2의 음향파의 파장)의 위상과, HOT 전극인 전극지(Fe(k+4))로 여진되는 음향파(도 5의 파선)의 위상에서 어긋남이 생긴다. 이 때문에, HOT 전극인 전극지(Fe(k)), 전극지(Fe(k+2)), 및 전극지(Fe(k+4)) 사이에서, 음향 임피던스에 부정합이 생기기 쉬워진다.

다음으로, 도 5에 도시된 전극지(Fe(k)~Fe(k+3))가 종결합 공진기(1)에서의 입력 측 IDT 전극에 속하고, 전극지(Fe(k+4))가 종결합 공진기(1)에서의 출력 측 IDT 전극에 속하는 것으로 한다(작용 2). 여기서 전극지(Fe(k)), 전극지(Fe(k+2)), 및 전극지(Fe(k+4))는 신호 전위(HOT)가 인가되는 제1 빗형 전극을 구성하고 있다. 또한, 전극지(Fe(k+1)) 및 전극지(Fe(k+3))는 그라운드(GND)에 접속된 제2 빗형 전극을 구성하고 있다. 여기서 전극지 피치(P(k), P(k+1), P(k+2), 및 P(k+3))는 불규칙한 전극지 피치 분포를 가지고 있다.

이 때, 입력 측 IDT 전극에서의 전극지(Fe(k))로 여진되는 음향파와 전극지(Fe(k+2))로 여진되는 음향파를 출력 측 IDT 전극에서의 전극지(Fe(k+4))로 픽업하는 경우에, 전극지(Fe(k))의 음향파의 위상과 전극지(Fe(k+2))의 음향파의 위상이 어긋나 있으므로, 전극지(Fe(k+4))로 효율적으로 픽업할 수 없다.

종결합 공진기의 감쇠 특성을 개선하는 수법으로서 HOT 전극인 전극지에서 감쇠 대역의 주파수 신호의 여진을 억제하는 것, 및 감쇠 대역의 주파수 신호를 입력 측 IDT 전극에서 출력 측 IDT 전극까지 전파되지 않도록 하는 것을 들 수 있다.

전극지(Fe)의 추이에 대하여 전극지 피치(P(k))가 일정한 비율로 증가 또는 감소하는(그라데이션 피치인) 구성을 가지는 종래의 종결합 공진기의 경우, 감쇠 대역의 주파수 신호를 입력 측 IDT 전극에서 출력 측 IDT 전극까지 전파되지 않도록 위상 차를 캔슬하는 것은 가능하지만, HOT 전극인 전극지에서 감쇠 대역의 주파수 신호의 여진 자체를 억제하는 능력은 낮고, 충분한 감쇠 개선 효과가 얻어지지 않는다.

이에 반해, 본 실시형태에 따른 탄성파 필터(40)에서는 감쇠 대역의 주파수에 대응한 전극지 피치(P)를 가지는 IDT 전극 또는 반사기에 대하여, 도 5와 같은 불규칙한 전극지 피치(P)의 분포를 적용함으로써, 상기 작용 1에 의해 불필요한 음향파의 여진 자체를 억제하고, 또한 상기 작용 2에 의해 여진된 음향파의 픽업을 억제할 수 있다. 이로써, 탄성파 필터(40)의 감쇠 특성을 향상시키는 것이 가능해진다.

다음으로, 본 실시형태에 따른 탄성파 필터(40)에서 규정되는 피치 편차율(D) 및 그의 표준 편차(SD)에 대해 설명한다.

도 6은 실시형태에 따른 종결합 공진기(1)의 불규칙한 전극지 피치 분포에서의 피치 편차율(D) 및 그의 표준 편차(SD)를 설명하는 도면이다.

도 6의 (a)에는 종결합 공진기를 구성하는 IDT 전극 또는 반사기의 전극지 피치(P(k))의 분포의 일례가 도시되어 있다. 가로축에는 IDT 전극 또는 반사기를 구성하는 전극지(Fe(k))의 위치가 도시되어 있고, 세로축에는 전극지(Fe(k))의 전극지 피치(P(k))가 도시되어 있다.

전술한 바와 같이, 우선 (1) 탄성파 전파 방향에서의 k(k는 2 이상의 정수)번째 전극지(Fe(k))와 (k+1)번째 전극지(Fe(k+1))의 거리(전극지(Fe(k))의 탄성파 전파 방향에서의 중심선과 전극지(Fe(k+1))의 탄성파 전파 방향에서의 중심선의 거리)를 k번째 전극지 피치(P(k))로 정의한다.

다음으로, (2) 전극지(Fe(k-1)), 전극지(Fe(k)), 및 전극지(Fe(k+1))라는 서로 이웃하는 3개의 전극지에서 전극지 피치(P(k-1))와 전극지 피치(P(k+1))의 평균을 구간 평균 전극지 피치(PM(k))[={P(k-1)+P(k+1)}/2]로 한다. 이 때, 전극지 피치(P(k))와 구간 평균 전극지 피치(PM(k))의 차분[=P(k)-PM(k)]을, 전극지(Fe(k-1), Fe(k), 및 Fe(k+1))가 포함되는 IDT 전극 또는 반사기가 가지는 전극지 전체의 평균 피치인 전체 평균 전극지 피치(PT)로 나눈 값을 전극지(Fe(k))의 피치 편차율(D(k))[={P(k)-PM(k)}/PT]로 정의한다.

다음으로, (3) 전극지(Fe(k))의 피치 편차율(D(k))을, 전극지(Fe(k-1), Fe(k), 및 Fe(k+1))가 포함되는 IDT 전극 또는 반사기가 가지는 모든 전극지(Fe)에 대해 산출하고, 상기 IDT 전극 또는 반사기에서의 피치 편차율(D(k))의 히스토그램을 산출한다.

도 6의 (b)에는 종결합 공진기를 구성하는 IDT 전극 또는 반사기의 피치 편차율(D(k))의 분포의 일례가 도시되어 있다. 가로축에는 IDT 전극 또는 반사기를 구성하는 전극지(Fe(k))의 위치가 도시되어 있고, 세로축에는 피치 편차율(D(k))이 도시되어 있다.

또한, 도 6의 (c)에는 종결합 공진기를 구성하는 IDT 전극 또는 반사기의 피치 편차율(D(k))의 히스토그램의 일례가 도시되어 있다.

마지막으로, 피치 편차율(D(k))의 히스토그램으로부터 종결합 공진기를 구성하는 IDT 전극 또는 반사기의 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)를 산출한다.

상기 정의에 의하면, 전극지 피치(P(k))의 규칙성이 강할수록 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)는 작고, 전극지 피치(P(k))의 불규칙성이 강할수록 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)는 커진다.

본 실시형태에 따른 탄성파 필터(40)가 가지는 종결합 공진기(1)에서 종결합 공진부(10)를 구성하는 IDT 전극(11~15), 반사기(19A 및 19B) 각각은 피치 편차율(D(k))의 표준 편차가 1.4% 이상이다. 또한, 종결합 공진부(20)를 구성하는 IDT 전극(21~25), 반사기(29A 및 29B) 각각에서 상기 히스토그램에서의 피치 편차율(D(k))의 표준 편차가 1.4% 이상이다.

이로써, 탄성파 필터의 감쇠 대역의 주파수에 대응한 음향파가 기판 상에서 전파되는 경우, 예를 들면 전극지(Fe(k))로 여진되는 음향파의 위상과 전극지(Fe(k+2))로 여진되는 음향파의 위상이 어긋나기 쉬워져, 음향 임피던스에 부정합이 생기기 쉬워진다. 이 때문에, 탄성파 필터의 감쇠 대역의 주파수에 대응한 음향파의 여진을 억제하는 것이 가능해진다. 더욱이, 입력 측 IDT 전극에서의 전극지(Fe(k))로 여진되는 음향파와 전극지(Fe(k+2))로 여진되는 음향파를 출력 측 IDT 전극으로 픽업하는 경우에 쌍방의 음향파의 위상이 어긋나 있으므로, 효율적으로 픽업할 수 없다. 따라서, 탄성파 필터(40)의 감쇠 특성을 향상시키는 것이 가능해진다.

한편, 도 4에 도시된 비교예에 따른 종결합 공진부에서는 IDT 전극 및 반사기 각각에서 전극지 피치(P(k))의 규칙성이 강하기 때문에, 상기 히스토그램에서의 표준 편차(SD)는 1.4% 미만이 된다. 또한, 전극지(Fe)의 추이에 대하여 전극지 피치(P(k))가 일정한 비율로 증가 또는 감소하는(전극지 피치(P(k))가 일정한 경사를 가지는: 이른바 그라데이션 피치인) 전극지 구성을 가지는 IDT 전극 및 반사기 각각에서도 전극지 피치(P(k))의 규칙성이 강하기 때문에, 상기 히스토그램에서의 표준 편차(SD)는 1.4% 미만이 된다.

한편, 본 실시형태에 따른 종결합 공진기(1)에서 종결합 공진부(10)를 구성하는 IDT 전극(11~15), 반사기(19A 및 19B), 그리고 종결합 공진부(20)를 구성하는 IDT 전극(21~25), 반사기(29A 및 29B) 중 적어도 하나가, 상기 히스토그램에서의 표준 편차(SD)가 1.4% 이상이면 된다.

이로써, 감쇠 특성에 대한 영향이 큰 IDT 전극 또는 반사기에 대하여, 상기 히스토그램에서의 표준 편차(SD)를 1.4% 이상으로 함으로써, 탄성파 필터(40)의 감쇠 특성을 효과적으로 향상시키는 것이 가능해진다.

또한, 본 실시형태에 따른 종결합 공진기(1)에서 종결합 공진부(10)를 구성하는 IDT 전극(11~15), 및 종결합 공진부(20)를 구성하는 IDT 전극(21~25) 중 적어도 하나가 상기 히스토그램에서의 표준 편차(SD)가 1.4% 이상이면서, 반사기(19A, 19B, 29A 및 29B) 각각은 상기 히스토그램에서의 표준 편차(SD)가 1.4% 미만이어도 된다.

이로써, 감쇠 특성에 대한 영향이 큰 IDT 전극에 대하여 불규칙한 전극지 피치(P(k))를 적용함으로써 탄성파 필터(40)의 감쇠 특성을 향상시킬 수 있음과 함께, 반사기에서의 전극지 피치(P(k))의 제조 불균일을 억제할 수 있으므로, 반사기의 공진 동작으로 규정되는 통과 대역 외의 감쇠극을 안정시키는 것이 가능해진다.

또한, 본 실시형태에 따른 종결합 공진기(1)에서 IDT 전극(11~15, 및 21~25) 중 한 IDT 전극이 상기 히스토그램에서의 표준 편차(SD)가 1.4% 이상이면서, IDT 전극(11~15, 및, 21~25) 중 다른 IDT 전극이 상기 히스토그램에서의 표준 편차(SD)가 1.4% 미만이어도 된다.

이로써, 감쇠 특성에 대한 영향이 큰 한 IDT 전극에 대하여 탄성파 필터(40)의 감쇠 특성을 향상시킬 수 있음과 함께 다른 IDT 전극에서의 제조 불균일을 억제할 수 있으므로 특성 열화를 억제할 수 있다.

또한, 본 실시형태에 따른 종결합 공진기(1)에서 종결합 공진부(10)를 구성하는 반사기(19A, 19B), 그리고 종결합 공진부(20)를 구성하는 반사기(29A 및 29B) 중 적어도 하나는 상기 히스토그램에서의 표준 편차(SD)가 1.4% 이상이면서, IDT 전극(11~15, 및 21~25) 각각은 상기 히스토그램에서의 표준 편차(SD)가 1.4% 미만이어도 된다.

이로써, 감쇠 특성에 대한 영향이 큰 반사기에 대하여 불규칙한 전극지 피치(P(k))를 적용함으로써, 탄성파 필터(40)의 감쇠 특성을 향상시킬 수 있음과 함께, IDT 전극에서의 전극지 피치(P(k))의 제조 불균일을 억제할 수 있으므로, 통과 대역에서의 삽입 손실을 안정시키는 것이 가능해진다.

[3. 실시예 1에 따른 멀티플렉서(100)의 구성 및 특성]

도 7은 실시예 1에 따른 멀티플렉서(100) 및 그 주변 회로의 구성도이다. 동도면에 나타내는 바와 같이, 멀티플렉서(100)는 탄성파 필터(40)와 필터(50)와 공통 단자(160)를 포함한다. 멀티플렉서(100)는 공통 단자(160)에서 안테나(2)에 접속되어 있다. 공통 단자(160)와 안테나(2)의 접속 경로와 그라운드 사이에는 임피던스 정합용 인덕터(3)가 접속되어 있다. 한편, 인덕터(3)는 공통 단자(160)와 안테나(2) 사이에 직렬로 접속되어도 된다. 한편, 인덕터(3)는 멀티플렉서(100)에 포함시킨 구성으로 해도 되고, 멀티플렉서(100)에 외장된 구성이어도 된다. 또한, 인덕터(3)는 커패시터이어도 되고, 또는 인덕터 및 커패시터로 이루어지는 합성 회로이어도 된다.

필터(50)는 제1 필터의 일례이며, LTE(Long Term Evolution)의 Band26의 송신용 필터(송신 대역: 824-849㎒)에 적용된다.

탄성파 필터(40)는 LTE의 Band26의 수신용 필터(수신 대역: 859-894㎒)에 적용된다.

필터(50)의 입출력 단자(140)와 탄성파 필터(40)의 입출력 단자(110)는 공통 단자(160)에 접속되고, 본 실시예에 따른 멀티플렉서(100)는 LTE의 Band26의 듀플렉서에 적용된다.

필터(50)는 입출력 단자(140)(제3 입출력 단자) 및 입출력 단자(150)(제4 입출력 단자)를 가지며, 복수개의 탄성파 공진자로 구성된 래더(ladder)형 탄성파 필터이다. 필터(50)는 직렬암 공진자(51s, 52s, 53s 및 54s)와 병렬암 공진자(51p, 52p 및 53p)를 포함한다. 직렬암 공진자(51s, 52s, 53s 및 54s)는 입출력 단자(140)와 입출력 단자(150)를 잇는 경로 상에 직렬 배치되어 있다. 병렬암 공진자(51p, 52p 및 53p)는 각각, 상기 경로 상의 노드와 그라운드 사이에 접속되어 있다. 본 구성에 의해, 필터(50)는 LTE의 Band26의 송신 대역을 통과 대역으로 하는 밴드패스 필터를 구성하고 있다.

탄성파 필터(40)는 실시형태에 따른 탄성파 필터(40)와 마찬가지의 회로 구성을 가지며, 탄성파로서 러브파를 이용하고 있다. 종결합 공진부(10)가 가지는 5개의 IDT 전극(11~15), 반사기(19A 및 19B), 그리고 종결합 공진부(20)가 가지는 5개의 IDT 전극(21~25), 반사기(29A 및 29B)는 도 3에 도시된 전극지 피치(P(k))의 분포를 가지며, 종결합 공진부(10 및 20)의 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)는 각각 2.92%로 되어 있다.

도 8은 실시예 1 및 비교예 1에 따른 멀티플렉서의 통과 특성 및 아이솔레이션 특성을 비교한 그래프이다. 또한, 도 9는 실시예 1 및 비교예 1에 따른 멀티플렉서의 전압 정재파비를 비교한 그래프이다.

한편, 비교예 1에 따른 멀티플렉서의 회로 구성은 도 7에 도시된 실시예 1에 따른 멀티플렉서(100)의 회로 구성과 동일하나, 실시예 1에 따른 멀티플렉서(100)와 비교하여, 수신용 필터(탄성파 필터(40))를 구성하는 종결합 공진부의 전극지 피치(P(k))가 규칙적으로 분포되어 있는 점이 다르다. 즉, 비교예 1에 따른 수신용 필터를 구성하는 종결합 공진부의 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)는 1.4% 미만이다.

도 8의 (a)에 나타내는 바와 같이, 송신용 필터(필터(50))의 통과 특성에 대해서는 실시예 1과 비교예 1에서 차이는 보여지지 않는다. 이는, 실시예 1에 따른 송신용 필터와 비교예 1에 따른 송신용 필터는 동일한 회로 구성 및 동일한 전극지 구성을 가지고 있는 것에 기인한다.

한편, 도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이, 수신용 필터의 통과 특성에 대해서는 실시예 1인 편이 비교예 1보다도 송신 대역에서의 감쇠 특성(도면 중의 파선 원 내)이 개선되어 있다.

또한, 도 8의 (c)에 나타내는 바와 같이, 송신용 필터와 수신용 필터 사이의 아이솔레이션 특성에 대해서는, 수신용 필터의 감쇠 특성의 개선에 기인하여 실시예 1인 편이 비교예 1보다도 송신 대역에서의 아이솔레이션 특성(도면 중의 파선 원 내)이 개선되어 있다.

한편, 도 8에는 나타내고 있지 않으나, Band26의 송신 대역보다도 저주파 측의 감쇠 대역, 및 Band26의 수신 대역보다도 고주파 측의 감쇠 대역에서의 수신용 필터의 통과 특성, 송신용 필터의 통과 특성, 및 송신용 필터와 수신용 필터(탄성파 필터(40)) 사이의 아이솔레이션 특성에 대해서는 실시예 1 및 비교예 1에서 차이는 보여지지 않는다.

또한, 도 9의 (a) 및 (c)에 나타내는 바와 같이, 실시예 1에 따른 수신용 필터의 수신 대역에서의 입력 측 및 출력 측의 전압 정재파비가 비교예 1의 그들보다도 작아져 있기 때문에, 수신용 필터의 임피던스 특성도 개선되어 있다.

실시예 1에 따른 수신용 필터의 감쇠 특성의 향상, 임피던스 특성의 개선, 및 수신용 필터-송신용 필터 간의 아이솔레이션 특성의 향상은 실시예 1에서 종결합 공진부의 전극지 피치(P(k))를 불규칙 분포로 하고, 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)를 크게 함으로써, 불필요한 음향파의 여진을 저해하면서 불필요 신호의 전파를 억제할 수 있었기 때문이라고 풀이된다.

도 10은 종결합 공진기(1)의 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)와 멀티플렉서(100)의 아이솔레이션의 관계를 나타내는 그래프이다. 동도면에는 실시예 1에 따른 멀티플렉서(100)에서 탄성파 필터(40)가 가지는 종결합 공진기(1)의 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)와 송신 대역의 아이솔레이션의 상관 관계가 도시되어 있다. 도 10에 의하면, 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)를 1.4% 이상으로 함으로써, 송신 대역의 아이솔레이션 개선 효과(1㏈ 이상)가 얻어졌다. 또한, 표준 편차(SD)가 1.4%~3.0%의 범위에서 표준 편차(SD)가 커짐에 따라, 송신 대역의 아이솔레이션이 향상된다.

[4. 실시예 2에 따른 탄성파 필터(40A)의 구성 및 특성]

도 11a는 실시예 2에 따른 탄성파 필터(40A)의 회로 구성도이다. 동도면에 나타내는 바와 같이, 탄성파 필터(40A)는 종결합 공진부(10A)와 직렬암 공진자(33s 및 34s)와 병렬암 공진자(33p 및 34p)와 입출력 단자(110 및 120)를 포함한다. 실시예 2에 따른 탄성파 필터(40A)는 실시형태에 따른 탄성파 필터(40)와 비교하여, 종결합 공진부(10A)의 구성이 주로 다르다. 이하, 실시예 2에 따른 탄성파 필터(40A)에 대해, 실시형태에 따른 탄성파 필터(40)와 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략하고, 다른 구성을 중심으로 설명한다.

직렬암 공진자(33s 및 34s)는 입출력 단자(110)와 입출력 단자(120)를 잇는 경로 상에 직렬 배치된 탄성파 공진자이다. 병렬암 공진자(33p 및 34p)는 각각 상기 경로 상의 노드와 그라운드 사이에 접속된 탄성파 공진자이다.

종결합 공진부(10A)는 압전성을 가지는 기판 상의 탄성파 전파 방향으로 나란히 배치된 7개의 IDT 전극과, 상기 7개의 IDT 전극에 대하여 탄성파 전파 방향으로 서로 이웃하도록 배치된 2개의 반사기를 가진다. 상기 7개의 IDT 전극 및 상기 2개의 반사기 각각은 압전성을 가지는 기판과 함께 탄성 표면파 공진자를 구성한다. 상기 7개의 IDT 전극 및 상기 2개의 반사기 각각은 탄성파 전파 방향과 교차하는 방향으로 연장되고, 서로 평행하게 배치된 복수개의 전극지(Fe)로 구성된다.

탄성파 필터(40A)는 탄성파로서 저음속 레일리파를 이용하고, LTE의 Band8의 수신 대역(925-960㎒)을 통과 대역으로 하는 밴드패스 필터를 구성하고 있다.

종결합 공진부(10A)가 가지는 7개의 IDT 전극 및 2개의 반사기는 불규칙한 전극지 피치(P(k))의 분포를 가지며, 종결합 공진부(10A)의 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)는 1.5%로 되어 있다.

도 11b는 실시예 2 및 비교예 2에 따른 탄성파 필터의 통과 특성을 비교한 그래프이다.

한편, 비교예 2에 따른 탄성파 필터의 회로 구성은 도 11a에 도시된 실시예 2에 따른 탄성파 필터(40A)의 회로 구성과 동일하지만, 실시예 2에 따른 탄성파 필터(40A)와 비교하여, 종결합 공진부(10A)의 전극지 피치(P(k))가 규칙적으로 분포되어 있는 점이 다르다. 즉, 비교예 2에 따른 탄성파 필터를 구성하는 종결합 공진부(10A)의 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)는 1.4% 미만이다.

도 11b에 나타내는 바와 같이, 실시예 2에 따른 탄성파 필터(40A)인 편이, 비교예 2에 따른 탄성파 필터보다도 송신 대역(880-915㎒)에서의 감쇠 특성이 개선되어 있음과 함께 통과 대역 내의 리플(ripple)이 저감되어 있다.

이에 따르면, 실시예 2에서 종결합 공진부(10A)의 전극지 피치(P(k))를 불규칙 분포로 하고, 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)를 크게 함으로써, 감쇠 대역뿐만 아닌 통과 대역 내에 발생하는 불필요한 음향파의 여진을 저해함으로써, 통과 대역 내의 리플이 저감된 것이라고 풀이된다.

[5. 실시예 3에 따른 멀티플렉서의 구성 및 특성]

실시예 3에 따른 멀티플렉서는 도 7에 도시된 실시예 1에 따른 멀티플렉서(100)의 회로 구성과 동일하지만, 실시예 1에 따른 멀티플렉서(100)와 비교하여, 수신용 필터를 구성하는 종결합 공진부의 전극지 피치(P(k))의 분포 양태가 다르다.

도 12a는 실시예 3에 따른 수신용 필터(탄성파 필터(40))가 가지는 종결합 공진부(10)의 전극지 배치 구성 및 전극지 피치의 분포를 나타내는 그래프이다. 도 12a의 하단에는 종결합 공진부(10)를 구성하는 IDT 전극(11)의 일부가 확대된 전극 레이아웃이 도시되어 있다. IDT 전극(11)은 빗형 전극(11a 및 11b)으로 구성되어 있다. 빗형 전극(11a)은 신호 전위(HOT)가 인가되는 제1 빗형 전극의 일례이며, 빗형 전극(11b)은 그라운드에 접속된 제2 빗형 전극의 일례이다. 빗형 전극(11a)을 구성하는 전극지(Fe(1), Fe(3), Fe(5) 및 Fe(7))와 빗형 전극(11b)을 구성하는 전극지(Fe(2G), Fe(4G) 및 Fe(6G))는 서로 맞물려 있다.

여기서 빗형 전극(11a)을 구성하는 전극지(Fe(1), Fe(3), Fe(5), Fe(7)…)에서의 서로 이웃하는 전극지의 전극지 피치는 불규칙하게 분포되어 있다. 한편, 빗형 전극(11b)을 구성하는 전극지(Fe(2G), Fe(4G), Fe(6G)…)에서의 서로 이웃하는 전극지의 전극지 피치는 빗형 전극(11b)에 걸쳐 동일하다. 한편, IDT 전극(11)은 빗형 전극(11a)에서의 전극지 피치의 불규칙성, 및 빗형 전극(11b)에서의 전극지 피치의 규칙성에 의해, IDT 전극(11) 전체에서의 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)로서 1.4% 이상으로 되어 있다.

즉, 도 12a에 나타내는 바와 같이, 예를 들면, {P(2G)+P(3)}과 {P(4G)+P(5)}는 동일하다는 조건을 기초로, P(1), P(2G), P(3), P(4G), P(5), P(6G), P(7)…의 분포에 의해 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)를 1.4% 이상으로 하고 있다.

한편, 본 실시예에 따른 멀티플렉서에서는 도 12a의 상단에 나타내는 바와 같이, 수신용 필터(탄성파 필터(40))를 구성하는 종결합 공진부(10)의 IDT 전극(12~15), 반사기(19A 및 19B)는 상술한 IDT 전극(11)과 마찬가지의 전극지 피치(P(k))의 분포 양태로 되어 있다.

도 12b는 실시예 3 및 비교예 3에 따른 멀티플렉서의 통과 특성 및 아이솔레이션 특성을 비교한 그래프이다.

한편, 비교예 3에 따른 멀티플렉서의 회로 구성은 실시예 3에 따른 멀티플렉서의 회로 구성과 동일하지만, 실시예 3에 따른 멀티플렉서와 비교하여 수신용 필터(탄성파 필터(40))를 구성하는 종결합 공진부의 전극지 피치(P(k))가 규칙적으로 분포되어 있는 점이 다르다. 즉, 비교예 3에 따른 수신용 필터를 구성하는 종결합 공진부의 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)는 1.4% 미만이다.

도 12b의 (a)에 나타내는 바와 같이, 송신용 필터(필터(50))의 통과 특성에 대해서는 실시예 3과 비교예 3에서 차이는 보여지지 않는다. 이는 실시예 3에 따른 송신용 필터와 비교예 3에 따른 송신용 필터는 동일한 회로 구성 및 동일한 전극지 구성을 가지고 있는 것에 기인하고 있다.

한편, 도 12b의 (b)에 나타내는 바와 같이, 수신용 필터의 통과 특성에 대해서는 실시예 3인 편이 비교예 3보다도 송신 대역에서의 감쇠 특성(도면 중의 파선 원 내)이 개선되어 있다.

또한, 도 12b의 (c)에 나타내는 바와 같이, 송신용 필터와 수신용 필터 사이의 아이솔레이션 특성에 대해서는 수신용 필터의 감쇠 특성의 개선에 기인하여, 실시예 3인 편이 비교예 3보다도 송신 대역에서의 아이솔레이션 특성(도면 중의 파선 원 내)이 개선되어 있다.

실시예 3에 따른 수신용 필터의 감쇠 특성 향상 및 수신용 필터-송신용 필터 간의 아이솔레이션 특성 향상은 실시예 3에서 종결합 공진부의 전극지 피치(P(k))를 불규칙 분포로 하고, 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)를 크게 함으로써, 불필요한 음향파의 여진을 저해하면서 불필요 신호의 전파를 억제할 수 있었기 때문이라고 풀이된다.

또한, 전극지 피치(P(k))가 일정하지 않은 경우, IDT 전극 간에서 전극지 피치(P(k))의 제조 불균일이 커지고, 이에 기인하여 통과 특성이 열화되는 것이 상정된다. 이에 반해, 상기 구성에 의하면, IDT 전극(11)을 구성하는 한 쌍의 빗형 전극 중 그라운드에 접속된 빗형 전극(11b)의 전극지 피치(P(k))가 일정하므로, 적어도 빗형 전극(11b)의 전극지 피치(P(k))를 고정밀도로 제조할 수 있다. 이로써, IDT 전극 간에서의 전극지 피치(P(k))의 제조 불균일을 저감할 수 있으므로, 통과 특성의 열화를 억제할 수 있다.

한편, 본 실시예에 따른 멀티플렉서에서는 수신용 필터가 가지는 종결합 공진부의 IDT 전극 및 반사기의 전극지의 배치 구성으로서, 신호 전위(HOT)가 인가되는 제1 빗형 전극에서의 전극지 피치(P(k))의 불규칙성, 및 그라운드에 접속되는 제2 빗형 전극에서의 전극지 피치(P(k))의 규칙성(동일 피치)에 의해 상기 IDT 전극 및 반사기에서의 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)를 1.4% 이상으로 했지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 종결합 공진부의 IDT 전극 및 반사기의 전극지의 배치 구성으로서, 그라운드에 접속되는 제2 빗형 전극에서의 전극지 피치(P(k))의 불규칙성, 및 신호 전위(HOT)가 인가되는 제1 빗형 전극에서의 전극지 피치(P(k))의 규칙성(동일 피치)에 의해 상기 IDT 전극 및 반사기에서의 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)를 1.4% 이상으로 해도 된다. 이에 의해서도, IDT 전극 간에서의 전극지 피치(P(k))의 제조 불균일을 저감할 수 있으므로, 통과 특성의 열화를 억제할 수 있다.

[6. 실시예 4에 따른 멀티플렉서의 구성 및 특성]

도 13은 실시예 4에 따른 멀티플렉서(200) 및 그 주변 회로의 구성도이다. 동도면에 나타내는 바와 같이, 멀티플렉서(200)는 탄성파 필터(41)와 필터(51)와 공통 단자(160)를 포함한다. 멀티플렉서(200)는 공통 단자(160)에서 안테나(2)에 접속되어 있다. 한편, 공통 단자(160)와 안테나(2)를 잇는 경로에 임피던스 정합 회로가 접속되어 있어도 된다.

필터(51)는 예를 들면, LTE의 Band26의 수신용 필터에 적용된다. 필터(51)의 필터 구조는 임의이다.

탄성파 필터(41)는 예를 들면, LTE의 Band26의 송신용 필터에 적용된다.

필터(51)의 입출력 단자(140)와 탄성파 필터(41)의 입출력 단자(110)는 공통 단자(160)에 접속되고, 본 실시예에 따른 멀티플렉서(200)는 LTE의 Band26의 듀플렉서에 적용된다.

탄성파 필터(41)는 필터 회로(43)와 종결합 공진기(42)를 포함한다.

필터 회로(43)는 압전성을 가지는 기판(60)에 마련되어 있다. 필터 회로(43)는 입출력 단자(110 및 120)에 접속되고, 1개 이상의 탄성파 공진자로 이루어지며, 제1 주파수 대역을 통과 대역으로 한다. 제1 주파수 대역은 예를 들면, LTE의 Band26의 송신 대역이다.

종결합 공진기(42)는 기판(60)에 마련되고, 탄성파 전파 방향으로 병치된 IDT 전극(42a 및 42b)을 가지며, 입출력 단자(110)와, 입출력 단자(110 및 120)를 잇는 경로 상의 노드에 접속되고, 필터 회로(43)를 통과하는 제1 주파수 대역 이외의 소정의 주파수 대역의 신호 성분에 대하여 역상(逆相)의 신호를 생성하는 부가 회로이다. 종결합 공진기(42)는 IDT 전극(42a)을 가지는 탄성 표면파 공진자 및 IDT 전극(42b)을 가지는 탄성 표면파 공진자로 이루어지는 종결합형 탄성 표면파 공진기이다. 종결합 공진기(42)는 일단(一端)(IDT 전극(42a))이 입출력 단자(110)에 접속되고 타단(他端)(IDT 전극(42b))이 필터 회로(43)의 직렬암에 접속되어 있다. 한편, 종결합 공진기(42)의 일단 및 타단은 필터 회로(43)의 입출력 단자(110 및 120)를 잇는 직렬암 경로 상의 노드에 접속되어 있으면 된다. 또한, 종결합 공진기(42)는 IDT 전극(42a 및 42b)에 대하여 탄성파 전파 방향으로 서로 이웃하도록 배치된 반사기를 포함해도 된다. 또한, 종결합 공진기(42)가 가지는 IDT 전극의 수는 3개 이상이어도 된다. 또한, 종결합 공진기(42)는 IDT 전극을 가지는 탄성 표면파 공진자로 이루어지는 탄성 표면파 필터, 트랜스버설형 공진기, 또는 트랜스버설형 필터이어도 된다.

상기 구성에 의해, 탄성파 필터(41)에서 종결합 공진기(42)가 생성한 소정의 주파수 대역의 신호 성분과, 필터 회로(43)를 전송하는 신호 중 캔슬 대상인(예를 들면, LTE의 Band26의 수신 대역의) 신호 성분이 합산되었을 때에, 상기 합산된 신호의 진폭이 기존 캔슬 대상인 신호 성분의 진폭보다 작게 하는 것이 가능해진다. 보다 바람직하게는 종결합 공진기(42)가 생성한 캔슬 신호 성분은 필터 회로(43)를 통과한 후의 캔슬 대상인 신호 성분에 대하여, 역상이면서 동일한 진폭의 신호이다.

여기서 IDT 전극(42a, 42b) 및 반사기 중 적어도 하나는 상기 히스토그램에서의 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)가 1.4% 이상이다.

이에 따르면, 종결합 공진기(42)의 소정의 주파수 대역에 대응한 음향파가 기판(60) 상에서 전파되는 경우, 예를 들면 전극지(Fe(k))로 여진되는 음향파의 위상과 전극지(Fe(k+2))로 여진되는 음향파의 위상이 어긋나기 쉬워져, 음향 임피던스에 부정합이 생기기 쉬워진다. 이 때문에, 상기 소정의 주파수 대역에 대응한 음향파의 여진을 억제하는 것이 가능해진다.

도 14는 실시예 4, 비교예 4 및 비교예 5에 따른 탄성파 필터의 통과 특성을 비교한 그래프이다. 실시예 4에 따른 탄성파 필터(41)는 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)가 1.5%이다. 또한, 비교예 4에 따른 탄성파 필터의 회로 구성은 실시예 4에 따른 탄성파 필터(41)와 비교하여, 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)가 1.1%인 점만이 다르다. 또한, 비교예 5에 따른 탄성파 필터의 회로 구성은 실시예 4에 따른 탄성파 필터(41)와 비교하여, 종결합 공진기(42)를 가지지 않는 점만이 다르다.

도 14에 도시된 탄성파 필터의 통과 특성에서 실시예 4에 따른 탄성파 필터(41)는 비교예 4 및 비교예 5에 따른 탄성파 필터와 비교하여, 통과 대역(송신 대역)보다도 고주파수 측에 위치하는 감쇠 대역(수신 대역)의 감쇠량이 커지면서, 감쇠 대역(수신 대역)에서의 감쇠량이 커지는 대역이 넓어져 있다.

실시예 4에 따른 탄성파 필터(41)의 감쇠 대역(수신 대역)의 감쇠량이 커진 것은, 종결합 공진기(42)에서 랜덤 피치에 의한 대역 외 여진억제 효과가 발생했음으로써 감쇠 대역(수신 대역)에서의 고주파 영역의 감쇠량을 작게 하고 있던 종결합 공진기(42) 기인의 리플이 개선된 것에 기인하는 것이라고 풀이된다. 또한, 실시예 4에 따른 탄성파 필터(41)의 감쇠 대역(수신 대역)에서의 감쇠량이 커지는 대역이 넓어진 것은, 상기 랜덤 피치에 의해 종결합 공진기(42)의 IDT 전극(42a)과 IDT 전극(42b) 간의 전파 특성이 최적화된 것에 기인하는 것이라고 풀이된다.

또한, 탄성파 필터(41)에서의 감쇠 대역(수신 대역)의 상기 개선에 의해, 탄성파 필터(41)와 필터(51)의 아이솔레이션 특성이 향상된 멀티플렉서(200)를 제공할 수 있다.

[7. 효과 등]

이상과 같이, 본 실시형태에 따른 탄성파 필터(40)는 압전성을 가지는 기판(60)과, 기판(60)에 마련되고 탄성파 전파 방향으로 병치된 복수개의 IDT 전극과, 복수개의 IDT 전극에 대하여 탄성파 전파 방향으로 서로 이웃하도록 배치된 반사기를 가지는 종결합 공진기(1)를 포함하며, 복수개의 IDT 전극 및 반사기 각각은 탄성파 전파 방향과 교차하는 방향으로 연장되고, 서로 평행하게 배치된 복수개의 전극지(Fe)로 구성되며, (1) 전극지(Fe(k))(k는 2 이상의 정수)와 전극지(Fe(k+1))의 거리를 k번째 전극지 피치(P(k))로 정의하고, (2) 전극지(Fe(k-1)), 전극지(Fe(k)), 전극지(Fe(k+1))라는 서로 이웃하는 3개의 전극지에서 전극지 피치(P(k))와, 전극지 피치(P(k-1) 및 P(k+1))의 평균인 구간 평균 전극지 피치(PM(k))의 차분을, 상기 서로 이웃하는 3개의 전극지가 포함되는 IDT 전극 또는 반사기가 가지는 전극지 전체의 평균 피치인 전체 평균 전극지 피치(PT)로 나눈 값을 k번째 전극지의 피치 편차율(D(k))로 정의하며, (3) k번째 전극지의 피치 편차율(D(k))을, 상기 서로 이웃하는 3개의 전극지가 포함되는 IDT 전극 또는 반사기가 가지는 모든 전극지에 대해 산출하여 얻어진 피치 편차율(D(k))의 분포를 피치 편차율(D(k))의 히스토그램으로 정의한 경우, 상기 복수개의 IDT 전극 및 반사기 중 적어도 하나는 상기 히스토그램에서의 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)가 1.4% 이상이다.

이로써, 탄성파 필터(40)의 통과 대역 외의 주파수 대역에 대응한 음향파가 기판(60) 상에서 전파되는 경우, 예를 들면 전극지(Fe(k))로 여진되는 음향파의 위상과 전극지(Fe(k+2))로 여진되는 음향파의 위상이 어긋나기 쉬워져, 음향 임피던스에 부정합이 생기기 쉬워진다. 이 때문에, 탄성파 필터(40)의 통과 대역 외의 주파수 대역에 대응한 음향파의 여진을 억제하는 것이 가능해진다. 더욱이, 입력 측 IDT 전극에서의 전극지(Fe(k))로 여진되는 음향파와 전극지(Fe(k+2))로 여진되는 음향파를 출력 측 IDT 전극으로 픽업하는 경우에 쌍방의 음향파의 위상이 어긋나 있으므로, 효율적으로 픽업할 수 없다. 따라서, 탄성파 필터(40)의 감쇠 특성을 향상시키는 것이 가능해진다.

또한, 상기 복수개의 IDT 전극 각각은 복수개의 전극지(Fe) 중 일부의 전극지와, 상기 일부의 전극지의 일방단끼리를 접속하는 버스바 전극으로 구성된 제1 빗형 전극과, 상기 복수개의 전극지 중 타부의 전극지와, 상기 타부의 전극지의 타방단끼리를 접속하는 버스바 전극으로 구성되고, 그라운드에 접속된 제2 빗형 전극을 가진다. 여기서 제1 빗형 전극을 구성하는 전극지와 제2 빗형 전극을 구성하는 전극지는 서로 맞물려 있고, 상기 복수개의 IDT 전극 중 적어도 하나는 상기 히스토그램에서의 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)가 1.4% 이상이며, 제2 빗형 전극을 구성하는 전극지(Fe)에서의 서로 이웃하는 전극지(Fe)의 전극지 피치는 제2 빗형 전극에 걸쳐 동일해도 된다.

전극지 피치(P(k))가 일정하지 않은 경우, IDT 전극 간에서 전극지 피치의 제조 불균일이 커지고, 특히 통과 특성이 열화되는 것이 상정된다. 이에 반해, 상기 구성에 따르면, IDT 전극을 구성하는 제1 빗형 전극 및 제2 빗형 전극 중 그라운드에 접속된 제2 빗형 전극의 전극지 피치(P(k))가 일정하므로, 제2 빗형 전극의 전극지 피치(P(k))를 고정밀도로 제조할 수 있으므로 통과 특성의 열화를 억제할 수 있다.

또한, 상기 복수개의 IDT 전극 중 적어도 하나는 상기 히스토그램에서의 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)가 1.4% 이상이며, 제1 빗형 전극을 구성하는 전극지에서의 서로 이웃하는 전극지의 전극지 피치(P(k))는 제1 빗형 전극에 걸쳐 동일해도 된다.

상기 구성에 의하면, IDT 전극을 구성하는 제1 빗형 전극 및 제2 빗형 전극 중 신호 전위(HOT)가 인가되는 제1 빗형 전극의 전극지 피치(P(k))가 일정하므로, 제1 빗형 전극의 전극지 피치(P(k))를 고정밀도로 제조할 수 있으므로 통과 특성의 열화를 억제할 수 있다.

또한, 복수개의 IDT 전극 중 적어도 하나는 상기 히스토그램에서의 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)가 1.4% 이상이며, 반사기는 상기 히스토그램에서의 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)가 1.4% 미만이어도 된다.

이로써, 반사기에서의 전극지 피치(P(k))의 제조 불균일을 억제할 수 있기 때문에, 반사기의 공진 동작으로 규정되는 통과 대역 외의 감쇠극을 안정시키는 것이 가능해진다.

또한, 복수개의 IDT 전극 중 한 IDT 전극은 상기 히스토그램에서의 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)가 1.4% 이상이며, 상기 복수개의 IDT 전극 중 다른 IDT 전극은 상기 히스토그램에서의 피치 편차율(D(k))의 표준 편차가 1.4% 미만이어도 된다.

이로써, 감쇠 특성에 크게 영향을 주는 IDT 전극만을 불규칙 피치로 함으로써 감쇠 특성을 개선하고, 다른 IDT 전극을 규칙 피치로 함으로써 제조 불균일에 의한 특성 열화를 억제할 수 있다.

또한, 복수개의 IDT 전극 각각은 상기 히스토그램에서의 피치 편차율(D(k))의 표준 편차(SD)가 1.4% 미만이며, 반사기는 상기 히스토그램에서의 피치 편차율(D(k))의 표준 편차가 1.4% 이상이어도 된다.

이로써, IDT 전극에서의 전극지 피치의 제조 불균일을 억제할 수 있기 때문에, 통과 대역에서의 삽입 손실을 안정시키는 것이 가능해진다.

또한, 탄성파 필터(41)는 압전성을 가지는 기판(60)과, 기판(60)에 마련되고, 입출력 단자(110 및 120)에 접속되며, 탄성파 공진자로 이루어지고, 제1 주파수 대역을 통과 대역으로 하는 필터 회로(43)와, 기판(60)에 마련되고, 탄성파 전파 방향으로 병치된 복수개의 IDT 전극(42a 및 42b)을 가지며, 입출력 단자(110), 입출력 단자(120), 및 입출력 단자(110)와 입출력 단자(120)를 잇는 경로 중 적어도 어느 하나에 접속되고 필터 회로(43)를 통과하는 제1 주파수 대역 이외의 소정의 주파수 대역의 신호 성분에 대하여 다른 위상의 신호를 생성하는 종결합 공진기(42)를 포함하며, IDT 전극(42a 및 42b)은 탄성파 전파 방향과 교차하는 방향으로 연장되고, 서로 평행하게 배치된 복수개의 전극지로 구성되며, IDT 전극(42a 및 42b) 중 적어도 하나는 상기 히스토그램에서의 피치 편차율(D(k))의 표준 편차가 1.4% 이상이어도 된다.

이에 따르면, 필터 회로(43)에서의 소정의 감쇠 대역의 감쇠량을 크게 할 수 있으면서, 상기 감쇠 대역에서의 감쇠량이 커지는 대역을 넓게 할 수 있다.

또한, 본 실시형태에 따른 멀티플렉서(100)는 공통 단자(160)와, 입출력 단자(110 및 120)를 가지는 탄성파 필터(40)와, 입출력 단자(140 및 150)를 가지며 탄성파 필터(40)와 통과 대역이 다른 필터(50)를 포함하고, 공통 단자(160)는 입출력 단자(110 및 140)에 접속된다.

이로써, 탄성파 필터(40)와 필터(50)의 아이솔레이션 특성이 향상된 멀티플렉서(100)를 제공할 수 있다.

(기타 변형예 등)

이상, 본 발명에 따른 탄성파 필터 및 멀티플렉서에 대해, 실시형태 및 실시예를 들어 설명했는데, 본 발명의 탄성파 필터 및 멀티플렉서는 상기 실시형태 및 실시예에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태 및 실시예에서의 임의의 구성 요소를 조합하여 실현되는 다른 실시형태나, 상기 실시형태 및 실시예에 대하여 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 당업자가 생각해 내는 각종 변형을 실시하여 얻어지는 변형예나, 상기 실시형태 및 실시예에서의 탄성파 필터 및 멀티플렉서를 내장한 각종 기기도 본 발명에 포함된다.

예를 들면, 상기 실시형태 및 실시예에서는 멀티플렉서로서 LTE의 Band26에 적용되는 듀플렉서를 예시하고, 탄성파 필터로서 LTE의 Band8에 적용되는 수신용 필터를 예시했는데, 본 발명은 LTE의 Band8 및 Band26 이외의 통신 밴드에도 적용된다. 또한, 상기 멀티플렉서는 듀플렉서뿐만 아닌, 3개의 필터가 안테나에 공통 접속된 트리플렉서나, 3개의 듀플렉서가 공통 단자에서 공통 접속된 헥사플렉서 등에 대해서도 적용할 수 있다. 즉, 상기 멀티플렉서는 2개 이상의 필터를 포함하면 된다.

또한, 본 발명에 따른 멀티플렉서는 송신용 필터 및 수신용 필터 쌍방을 포함하는 구성에 한정되지 않고, 복수개의 송신용 필터만, 또는 복수개의 수신용 필터만을 포함하는 구성이어도 된다.

또한, 상기 실시형태 및 실시예에서의 탄성파 필터 및 멀티플렉서에서 도면에 개시된 각 회로 소자(및 부품) 및 신호 경로를 접속하는 경로 사이에 다른 회로 소자 및 배선 등이 삽입되어도 된다.

본 발명은 통과 대역 내의 저손실 및 통과 대역 외의 고감쇠가 요구되는 무선통신 단말의 프론트엔드에 사용되는 송수신 필터 및 멀티플렉서로서 널리 이용할 수 있다.

1: 종결합 공진기
2: 안테나
3: 인덕터
10, 10A, 20: 종결합 공진부
11, 12, 13, 14, 15, 21, 22, 23, 24, 25, 42a, 42b: IDT 전극
11a, 11b, 12a, 12b, 13a, 13b, 14a, 14b, 15a, 15b, 21a, 21b, 22a, 22b, 23a, 23b, 24a, 24b, 25a, 25b: 빗형 전극
19A, 19B, 29A, 29B: 반사기
31s, 32s, 33s, 34s, 51s, 52s, 53s, 54s: 직렬암 공진자
31p, 32p, 33p, 34p, 51p, 52p, 53p: 병렬암 공진자
40, 40A, 41: 탄성파 필터
42: 종결합 공진기
43: 필터 회로
50, 51: 필터
60: 기판
100, 200: 멀티플렉서
110, 120, 140, 150: 입출력 단자
130: 단자
160: 공통 단자
D: 피치 편차율
Fe: 전극지
P: 전극지 피치
PM: 구간 평균 전극지 피치
PT: 전체 평균 전극지 피치
SD: 표준 편차

Claims

압전성을 가지는 기판과, 상기 기판에 마련되고 탄성파 전파 방향으로 병치(竝置)된 복수개의 IDT(InterDigital Transducer) 전극과, 상기 복수개의 IDT 전극에 대하여 상기 탄성파 전파 방향으로 서로 이웃하도록 배치된 반사기를 가지는 종결합 공진기를 포함한 탄성파 필터로서,
상기 복수개의 IDT 전극 및 상기 반사기 각각은 상기 탄성파 전파 방향과 교차하는 방향으로 연장되고, 서로 평행하게 배치된 복수개의 전극지(電極指)로 구성되며,
(1) 상기 탄성파 전파 방향에서의 k(k는 2 이상의 정수)번째 전극지와 (k+1)번째 전극지의 거리를 k번째 전극지 피치로 정의하고,
(2) (k-1)번째 전극지, k번째 전극지, 및 (k+1)번째 전극지라는 서로 이웃하는 3개의 전극지에서 k번째 전극지 피치와, (k-1)번째 전극지 피치 및 (k+1)번째 전극지 피치의 평균인 구간 평균 전극지 피치의 차분을, 상기 서로 이웃하는 3개의 전극지가 포함되는 IDT 전극 또는 반사기가 가지는 전극지 전체의 평균 피치인 전체 평균 전극지 피치로 나눈 값을 k번째 전극지의 피치 편차율로 정의하며,
(3) 상기 k번째 전극지의 피치 편차율을, 상기 서로 이웃하는 3개의 전극지가 포함되는 IDT 전극 또는 반사기가 가지는 모든 전극지에 대해 산출하여 얻어진 상기 피치 편차율의 분포를 상기 피치 편차율의 히스토그램으로 정의한 경우,
상기 복수개의 IDT 전극 및 상기 반사기 중 적어도 하나는 상기 히스토그램에서의 상기 피치 편차율의 표준 편차가 1.4% 이상인, 탄성파 필터.
제1항에 있어서,
상기 복수개의 IDT 전극 각각은
상기 복수개의 전극지 중 일부의 전극지와, 상기 일부의 전극지의 일방단(一方端)끼리를 접속하는 버스바(busbar) 전극으로 구성된 제1 빗형 전극과,
상기 복수개의 전극지 중 타부(他部)의 전극지와, 상기 타부의 전극지의 타방단(他方端)끼리를 접속하는 버스바 전극으로 구성되고, 그라운드에 접속된 제2 빗형 전극을 가지며,
상기 제1 빗형 전극을 구성하는 전극지와 상기 제2 빗형 전극을 구성하는 전극지는 서로 맞물리고,
상기 복수개의 IDT 전극 중 적어도 하나는 상기 히스토그램에서의 상기 피치 편차율의 표준 편차가 1.4% 이상이며, 상기 적어도 하나의 IDT 전극의 상기 제2 빗형 전극을 구성하는 전극지에서의 서로 이웃하는 전극지의 전극지 피치는 상기 제2 빗형 전극에 걸쳐 동일한, 탄성파 필터.
제1항에 있어서,
상기 복수개의 IDT 전극 각각은
상기 복수개의 전극지 중 일부의 전극지와, 상기 일부의 전극지의 일방단끼리를 접속하는 버스바 전극으로 구성된 제1 빗형 전극과,
상기 복수개의 전극지 중 타부의 전극지와, 상기 타부의 전극지의 타방단끼리를 접속하는 버스바 전극으로 구성되고, 그라운드에 접속된 제2 빗형 전극을 가지며,
상기 제1 빗형 전극을 구성하는 전극지와 상기 제2 빗형 전극을 구성하는 전극지는 서로 맞물리고,
상기 복수개의 IDT 전극 중 적어도 하나는 상기 히스토그램에서의 상기 피치 편차율의 표준 편차가 1.4% 이상이며, 상기 적어도 하나의 IDT 전극의 상기 제1 빗형 전극을 구성하는 전극지에서의 서로 이웃하는 전극지의 전극지 피치는 상기 제1 빗형 전극에 걸쳐 동일한, 탄성파 필터.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수개의 IDT 전극 중 적어도 하나는 상기 히스토그램에서의 상기 피치 편차율의 표준 편차가 1.4% 이상이며,
상기 반사기는 상기 히스토그램에서의 상기 피치 편차율의 표준 편차가 1.4% 미만인, 탄성파 필터.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수개의 IDT 전극 중 한 IDT 전극은 상기 히스토그램에서의 상기 피치 편차율의 표준 편차가 1.4% 이상이며,
상기 복수개의 IDT 전극 중 다른 IDT 전극은 상기 히스토그램에서의 상기 피치 편차율의 표준 편차가 1.4% 미만인, 탄성파 필터.
제1항에 있어서,
상기 복수개의 IDT 전극 각각은 상기 히스토그램에서의 상기 피치 편차율의 표준 편차가 1.4% 미만이며,
상기 반사기는 상기 히스토그램에서의 상기 피치 편차율의 표준 편차가 1.4% 이상인, 탄성파 필터.
압전성을 가지는 기판과,
상기 기판에 마련되고, 제1 입출력 단자 및 제2 입출력 단자에 접속되며, 탄성파 공진자로 이루어지고, 제1 주파수 대역을 통과 대역으로 하는 필터 회로와,
상기 기판에 마련되고, 탄성파 전파 방향으로 병치(竝置)된 복수개의 IDT 전극을 가지며, 상기 제1 입출력 단자, 상기 제2 입출력 단자, 및 상기 제1 입출력 단자와 상기 제2 입출력 단자를 잇는 경로 중 적어도 어느 하나에 접속되고 상기 필터 회로를 통과하는 상기 제1 주파수 대역 이외의 소정의 주파수 대역의 신호 성분에 대하여 다른 위상의 신호를 생성하는 종결합 공진기를 포함하며,
상기 복수개의 IDT 전극은 상기 탄성파 전파 방향과 교차하는 방향으로 연장되고, 서로 평행하게 배치된 복수개의 전극지(電極指)로 구성되며,
(1) 상기 탄성파 전파 방향에서의 k(k는 2 이상의 정수)번째 전극지와 (k+1)번째 전극지의 거리를 k번째 전극지 피치로 정의하고,
(2) (k-1)번째 전극지, k번째 전극지, 및 (k+1)번째 전극지라는 서로 이웃하는 3개의 전극지에서 k번째 전극지 피치와, (k-1)번째 전극지 피치 및 (k+1)번째 전극지 피치의 평균인 구간 평균 전극지 피치의 차분을, 상기 서로 이웃하는 3개의 전극지가 포함되는 IDT 전극이 가지는 전극지 전체의 평균 피치인 전체 평균 전극지 피치로 나눈 값을 k번째 전극지의 피치 편차율로 정의하며,
(3) 상기 k번째 전극지의 피치 편차율을, 상기 서로 이웃하는 3개의 전극지가 포함되는 IDT 전극이 가지는 모든 전극지에 대해 산출하여 얻어진 상기 피치 편차율의 분포를 상기 피치 편차율의 히스토그램으로 정의한 경우,
상기 복수개의 IDT 전극 중 적어도 하나는 상기 히스토그램에서의 상기 피치 편차율의 표준 편차가 1.4% 이상인, 탄성파 필터.
공통 단자와,
제1 입출력 단자 및 제2 입출력 단자를 가지는 제1항 내지 제3항, 및 제6항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 탄성파 필터와,
제3 입출력 단자 및 제4 입출력 단자를 가지며 상기 탄성파 필터와 통과 대역이 다른 제1 필터를 포함하고,
상기 공통 단자는 상기 제1 입출력 단자 및 상기 제3 입출력 단자에 접속되는, 멀티플렉서.