KR102649177B1 - Gate drivign circuit, display panel and display device - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실시예들은, 게이트 구동 회로, 디스플레이 패널 및 장치에 관한 것으로서, 디스플레이 패널의 양측에 배치된 스캔 구동 회로는 듀얼 피딩 방식으로 구동하고, 발광 구동 회로는 버퍼 트랜지스터가 신호 배선과 수평하게 배치된 구조에서 싱글 피딩 방식으로 구동되도록 함으로써, 디스플레이 패널의 영역에 따른 휘도 편차를 방지하며, 버퍼 트랜지스터의 사이즈와 발광 구동 회로의 폭을 감소시켜 디스플레이 패널의 베젤 영역을 최소화할 수 있도록 한다.Embodiments of the present invention relate to a gate driving circuit, a display panel, and a device, wherein the scan driving circuit arranged on both sides of the display panel is driven by a dual feeding method, and the light emission driving circuit has a buffer transistor arranged horizontally with the signal wire. By operating in a single feeding method in a structured structure, luminance deviation depending on the area of the display panel is prevented, and the bezel area of the display panel can be minimized by reducing the size of the buffer transistor and the width of the light emission driving circuit.
Description
본 발명의 실시예들은, 게이트 구동 회로, 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a gate driving circuit, a display panel, and a display device.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하는 디스플레이 장치에 대한 요구가 증가하고 있으며, 액정 디스플레이 장치, 유기발광 디스플레이 장치 등과 같은 다양한 유형의 디스플레이 장치가 활용되고 있다.As the information society develops, the demand for display devices that display images is increasing, and various types of display devices such as liquid crystal display devices and organic light emitting display devices are being utilized.
이러한 디스플레이 장치 중 유기발광 디스플레이 장치는, 스스로 발광하는 유기발광다이오드를 이용함으로써, 응답 속도, 명암비, 발광 효율, 휘도 및 시야각 등에서 장점을 제공한다.Among these display devices, organic light emitting display devices provide advantages in response speed, contrast ratio, luminous efficiency, luminance, and viewing angle by using organic light emitting diodes that emit light on their own.
이러한 유기발광 디스플레이 장치는, 일 예로, 다수의 게이트 라인, 다수의 데이터 라인 및 다수의 서브픽셀이 배치된 디스플레이 패널과, 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 구동 회로와, 다수의 데이터 라인을 구동하는 데이터 구동 회로와, 게이트 구동 회로 및 데이터 구동 회로를 제어하는 컨트롤러 등을 포함할 수 있다.Such an organic light emitting display device includes, for example, a display panel on which a plurality of gate lines, a plurality of data lines, and a plurality of subpixels are arranged, a gate driving circuit that drives the plurality of gate lines, and a plurality of data lines. It may include a data driving circuit, a gate driving circuit, and a controller that controls the data driving circuit.
여기서, 게이트 구동 회로는, 디스플레이 패널의 베젤 영역에 배치될 수 있으며, 서브픽셀 내 스위칭 트랜지스터의 작동 타이밍을 제어하는 스캔 구동 회로와, 서브픽셀 내 발광 트랜지스터의 작동 타이밍을 제어하는 발광 구동 회로를 포함할 수 있다.Here, the gate driving circuit may be disposed in the bezel area of the display panel and includes a scan driving circuit that controls the operating timing of the switching transistor in the subpixel, and a light emission driving circuit that controls the operating timing of the light emitting transistor in the subpixel. can do.
따라서, 이러한 게이트 구동 회로의 배치로 인해 디스플레이 패널의 베젤 영역의 폭을 감소시키는 데 많은 어려움이 존재한다.Therefore, there are many difficulties in reducing the width of the bezel area of the display panel due to the arrangement of the gate driving circuit.
본 발명의 실시예들의 목적은, 디스플레이 패널의 액티브 영역 내의 휘도 편차를 방지하면서 디스플레이 패널의 베젤 영역의 폭을 감소시킬 수 있는 게이트 구동 회로와, 이를 포함하는 디스플레이 패널 및 장치를 제공하는 데 있다.The purpose of embodiments of the present invention is to provide a gate driving circuit capable of reducing the width of the bezel area of a display panel while preventing luminance deviation within the active area of the display panel, and a display panel and device including the same.
본 발명의 실시예들의 목적은, 디스플레이 패널의 베젤 영역을 감소시킬 수 있는 구조를 갖는 스캔 구동 회로, 발광 구동 회로와 그 구동 방식을 제공하는 데 있다.The purpose of embodiments of the present invention is to provide a scan driving circuit, a light emission driving circuit, and a driving method having a structure that can reduce the bezel area of a display panel.
일 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 다수의 게이트 라인, 다수의 데이터 라인 및 다수의 서브픽셀이 배치된 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널의 양측에 배치된 다수의 스캔 구동 회로와, 디스플레이 패널의 양측에 배치된 다수의 발광 구동 회로를 포함하고, 다수의 발광 구동 회로 각각에 포함된 버퍼 트랜지스터는 발광 구동 회로에 배치된 신호 배선이 배치된 방향과 동일한 방향으로 배치된 디스플레이 장치를 제공한다.In one aspect, embodiments of the present invention include a display panel having a plurality of gate lines, a plurality of data lines, and a plurality of subpixels disposed, a plurality of scan driving circuits disposed on both sides of the display panel, and both sides of the display panel. It provides a display device that includes a plurality of light emission driving circuits arranged in, and the buffer transistor included in each of the plurality of light emission driving circuits is arranged in the same direction as the direction in which the signal wires arranged in the light emission driving circuit are arranged.
다른 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 다수의 게이트 라인과, 다수의 게이트 라인에 의해 구동되고 액티브 영역에 배치된 다수의 서브픽셀과, 액티브 영역의 양측에 배치된 다수의 스캔 구동 회로와, 액티브 영역의 양측에 배치된 다수의 발광 구동 회로를 포함하고, 다수의 스캔 구동 회로 각각에 포함된 버퍼 트랜지스터는 스캔 구동 회로에 배치된 신호 배선이 배치된 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 다수의 발광 구동 회로 각각에 포함된 버퍼 트랜지스터는 발광 구동 회로에 배치된 신호 배선이 배치된 방향과 동일한 방향으로 배치된 디스플레이 패널을 제공한다.In another aspect, embodiments of the present invention include a plurality of gate lines, a plurality of subpixels driven by the plurality of gate lines and arranged in an active area, a plurality of scan driving circuits arranged on both sides of the active area, and It includes a plurality of light emission driving circuits arranged on both sides of the active area, and a buffer transistor included in each of the plurality of scan driving circuits is arranged in a direction crossing the direction in which the signal wires arranged in the scan driving circuit are arranged. The buffer transistor included in each light emission driving circuit provides a display panel arranged in the same direction as the signal wires arranged in the light emission driving circuit.
다른 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 제1 스캔 구동 회로와, 제1 스캔 구동 회로와 대응되도록 배치된 제2 스캔 구동 회로와, 제1 스캔 구동 회로를 포함한 2K개의 스캔 구동 회로와 대응되도록 배치된 제1 발광 구동 회로와, 제1 발광 구동 회로에 대응되도록 배치된 제2 발광 구동 회로를 포함하고, 제1 발광 구동 회로와 제2 발광 구동 회로에 포함된 버퍼 트랜지스터는 제1 발광 구동 회로와 제2 발광 구동 회로에 배치된 신호 배선이 배치된 방향과 동일한 방향으로 배치된 게이트 구동 회로를 제공한다.In another aspect, embodiments of the present invention correspond to 2K scan driving circuits including a first scan driving circuit, a second scan driving circuit arranged to correspond to the first scan driving circuit, and the first scan driving circuit. It includes a first light emission driving circuit and a second light emission driving circuit arranged to correspond to the first light emission driving circuit, and the buffer transistor included in the first light emission driving circuit and the second light emission driving circuit is connected to the first light emission driving circuit. and a gate driving circuit arranged in the same direction as the direction in which the signal wires arranged in the second light emission driving circuit are arranged.
본 발명의 실시예들에 의하면, 디스플레이 패널의 양측에 스캔 구동 회로와 발광 구동 회로를 배치하고, 발광 구동 회로 내 배치되는 버퍼 트랜지스터가 신호 배선과 동일한 방향을 따라 배치되도록 함으로써, 발광 구동 회로의 폭을 감소시켜 디스플레이 패널의 베젤 영역의 폭이 감소될 수 있도록 한다.According to embodiments of the present invention, the scan driving circuit and the light emission driving circuit are arranged on both sides of the display panel, and the buffer transistor disposed in the light emission driving circuit is arranged along the same direction as the signal wire, thereby reducing the width of the light emission driving circuit. By reducing the width of the bezel area of the display panel.
본 발명의 실시예들에 의하면, 스캔 구동 회로는 듀얼 피딩(Dual Feeding) 방식으로 구동하고, 발광 구동 회로는 싱글(Single Feeding) 방식으로 구동함으로써, 디스플레이 패널 내 휘도 편차를 방지하며 발광 구동 회로 내 버퍼 트랜지스터의 사이즈가 감소될 수 있도록 하여 발광 구동 회로의 폭을 감소시킬 수 있도록 한다.According to embodiments of the present invention, the scan driving circuit is driven by a dual feeding method and the light emission driving circuit is driven by a single feeding method, thereby preventing luminance deviation within the display panel and within the light emission driving circuit. By reducing the size of the buffer transistor, the width of the light emission driving circuit can be reduced.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치에 포함된 서브픽셀의 회로 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치에 포함된 게이트 구동 회로의 예시를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치에 포함된 게이트 구동 회로의 다른 예시를 나타낸 도면이다.
도 5는 도 4에 도시된 발광 구동 회로 내 회로 소자의 배치 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치에 포함된 게이트 구동 회로의 또 다른 예시를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치에 포함된 게이트 구동 회로의 또 다른 예시를 나타낸 도면이다.
도 8은 도 6과 도 7에 도시된 발광 구동 회로 내 회로 소자의 배치 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 9는 도 7에 도시된 발광 구동 회로 내에서 로직 트랜지스터와 버퍼 트랜지스터가 배치된 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 10은 도 9에 도시된 발광 구동 회로 내 회로 소자의 배치 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 11은 도 7에 도시된 발광 구동 회로 내에서 로직 트랜지스터와 버퍼 트랜지스터가 배치된 구조의 다른 예시를 나타낸 도면이다.1 is a diagram showing the schematic configuration of a display device according to embodiments of the present invention.
Figure 2 is a diagram showing an example of a circuit structure of a subpixel included in a display device according to embodiments of the present invention.
Figure 3 is a diagram showing an example of a gate driving circuit included in a display device according to embodiments of the present invention.
Figure 4 is a diagram showing another example of a gate driving circuit included in a display device according to embodiments of the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing an example of the arrangement structure of circuit elements in the light emission driving circuit shown in FIG. 4.
Figure 6 is a diagram showing another example of a gate driving circuit included in a display device according to embodiments of the present invention.
Figure 7 is a diagram showing another example of a gate driving circuit included in a display device according to embodiments of the present invention.
FIG. 8 is a diagram showing an example of the arrangement structure of circuit elements in the light emission driving circuit shown in FIGS. 6 and 7.
FIG. 9 is a diagram showing an example of a structure in which a logic transistor and a buffer transistor are arranged within the light emission driving circuit shown in FIG. 7.
FIG. 10 is a diagram showing an example of the arrangement structure of circuit elements in the light emission driving circuit shown in FIG. 9.
FIG. 11 is a diagram showing another example of a structure in which a logic transistor and a buffer transistor are arranged within the light emission driving circuit shown in FIG. 7.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the exemplary drawings. In adding reference numerals to components in each drawing, identical components may have the same reference numerals as much as possible even if they are shown in different drawings. Additionally, when describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description may be omitted.
또한, 본 발명의 구성요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성요소 사이에 다른 구성요소가 "개재"되거나, 각 구성요소가 다른 구성요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.Additionally, when describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the essence, sequence, order, or number of the components are not limited by the term. When a component is described as being “connected,” “coupled,” or “connected” to another component, that component may be directly connected or connected to that other component, but there are no other components between each component. It should be understood that may be “interposed” or that each component may be “connected,” “combined,” or “connected” through other components.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.Figure 1 is a diagram showing the schematic configuration of a
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)는, 발광 소자를 포함하는 다수의 서브픽셀(SP)이 배열된 디스플레이 패널(110)과, 디스플레이 패널(110)을 구동하기 위한 게이트 구동 회로(120), 데이터 구동 회로(130) 및 컨트롤러(140) 등을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the
디스플레이 패널(110)에는, 다수의 게이트 라인(GL)과 다수의 데이터 라인(DL)이 배치되고, 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차하는 영역에 서브픽셀(SP)이 배치된다. 이러한 서브픽셀(SP)은 각각 발광 소자를 포함할 수 있으며, 둘 이상의 서브픽셀(SP)이 하나의 픽셀을 구성할 수 있다.In the
게이트 구동 회로(120)는, 컨트롤러(140)에 의해 제어되며, 디스플레이 패널(110)에 배치된 다수의 게이트 라인(GL)으로 스캔 신호를 순차적으로 출력하여 다수의 서브픽셀(SP)의 구동 타이밍을 제어한다.The
또한, 게이트 구동 회로(120)는, 서브픽셀(SP)에 포함된 발광 소자의 발광 타이밍을 제어하는 발광 신호를 출력할 수도 있다. 이러한 스캔 신호를 출력하는 회로와, 발광 신호를 출력하는 회로는 일체로 구현될 수도 있고, 별도로 구현될 수도 있다.Additionally, the
게이트 구동 회로(120)는, 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC, Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있으며, 구동 방식에 따라 디스플레이 패널(110)의 일측에만 위치할 수도 있고 양측에 위치할 수도 있다. 또한, 게이트 구동 회로(120)는, 디스플레이 패널(110)의 베젤 영역에 배치되는 GIP(Gate In Panel) 형태로 구현될 수도 있다.The
데이터 구동 회로(130)는, 컨트롤러(140)로부터 영상 데이터를 수신하고, 영상 데이터를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환한다. 그리고, 게이트 라인(GL)을 통해 스캔 신호가 인가되는 타이밍에 맞춰 데이터 전압을 각각의 데이터 라인(DL)으로 출력하여 각각의 서브픽셀(SP)이 영상 데이터에 따른 밝기를 표현하도록 한다.The
데이터 구동 회로(130)는, 하나 이상의 소스 드라이버 집적 회로(SDIC, Source Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다.The
컨트롤러(140)는, 게이트 구동 회로(120)와 데이터 구동 회로(130)로 각종 제어 신호를 공급하며, 게이트 구동 회로(120)와 데이터 구동 회로(130)의 동작을 제어한다.The
컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 게이트 구동 회로(120)가 스캔 신호를 출력하도록 하며, 외부에서 수신한 영상 데이터를 데이터 구동 회로(130)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 변환하여 변환된 영상 데이터를 데이터 구동 회로(130)로 출력한다.The
컨트롤러(140)는, 영상 데이터와 함께 수직 동기 신호(VSYNC), 수평 동기 신호(HSYNC), 입력 데이터 인에이블 신호(DE, Data Enable), 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호를 외부(예, 호스트 시스템)로부터 수신한다.The
컨트롤러(140)는, 외부로부터 수신한 각종 타이밍 신호를 이용하여 각종 제어 신호를 생성하고 게이트 구동 회로(120) 및 데이터 구동 회로(130)로 출력할 수 있다.The
일 예로, 컨트롤러(140)는, 게이트 구동 회로(120)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP, Gate Start Pulse), 게이트 시프트 클럭(GSC, Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE, Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS)를 출력한다.As an example, the
여기서, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 게이트 구동 회로(120)를 구성하는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 시프트 클럭(GSC)은 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호의 시프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로의 타이밍 정보를 지정하고 있다.Here, the gate start pulse (GSP) controls the operation start timing of one or more gate driver integrated circuits constituting the
또한, 컨트롤러(140)는, 데이터 구동 회로(130)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP, Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC, Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE, Source Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호(DCS)를 출력한다.In addition, the
여기서, 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 구동 회로(130)를 구성하는 하나 이상의 소스 드라이버 집적 회로의 데이터 샘플링 스타트 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 소스 드라이버 집적 회로 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 구동 회로(130)의 출력 타이밍을 제어한다.Here, the source start pulse (SSP) controls the data sampling start timing of one or more source driver integrated circuits constituting the
이러한 디스플레이 장치(100)는, 디스플레이 패널(110), 게이트 구동 회로(120), 데이터 구동 회로(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나, 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 전원 관리 집적 회로를 더 포함할 수 있다.This
디스플레이 패널(110)에는, 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL) 이외에 각종 신호나 전압이 공급되는 전압 라인이 배치될 수 있으며, 각각의 서브픽셀(SP)에는 발광 소자와 이를 구동하기 위한 트랜지스터 등이 배치될 수 있다.In the
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)의 디스플레이 패널(110)에 배열된 서브픽셀(SP)의 회로 구조의 예시를 나타낸 도면이다.FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a circuit structure of a subpixel (SP) arranged on the
도 2를 참조하면, 디스플레이 패널(110)에 배열된 서브픽셀(SP)에는, 유기발광다이오드(OLED)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하기 위한 다수의 디스플레이 구동 트랜지스터와, 스토리지 캐패시터(Cst)가 배치될 수 있다.Referring to FIG. 2, the subpixels (SP) arranged on the
도 2는 서브픽셀(SP)에 6개의 디스플레이 구동 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6)와, 1개의 스토리지 캐패시터(Cst)가 배치된 6T1C 구조를 예시로 나타낸 것으로서, 서브픽셀(SP)은 이외에도 서브픽셀(SP)에 배치되는 회로 소자의 수와 연결 관계에 따라 다양하게 구현될 수 있다.Figure 2 shows an example of a 6T1C structure in which six display driving transistors (T1, T2, T3, T4, T5, T6) and one storage capacitor (Cst) are arranged in the subpixel (SP). In addition, SP) can be implemented in various ways depending on the number and connection relationship of circuit elements arranged in the subpixel (SP).
또한, 서브픽셀(SP)에 배치된 디스플레이 구동 트랜지스터가 P 타입인 경우를 예시로 나타내나, N 타입의 디스플레이 구동 트랜지스터로 서브픽셀(SP)이 구성될 수도 있다.In addition, although the display driving transistor disposed in the subpixel SP is of the P type as an example, the subpixel SP may be composed of an N type display driving transistor.
제1 트랜지스터(T1)는, 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로(130)와 스토리지 캐패시터(Cst) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 게이트 라인(GL)을 통해 공급되는 스캔 신호에 의해 제어될 수 있다.The first transistor T1 may be electrically connected between the
제1 트랜지스터(T1)는, 게이트 라인(GL)을 통해 턴-온 레벨의 스캔 신호가 인가되면 데이터 구동 회로(130)로부터 공급되는 데이터 전압이 스토리지 캐패시터(Cst)의 일면에 인가되도록 한다.The first transistor T1 causes the data voltage supplied from the
이러한 제1 트랜지스터(T1)는, 스토리지 캐패시터(Cst)에 데이터 전압이 인가되는 타이밍을 제어하므로 스위칭 트랜지스터라고도 한다.This first transistor T1 is also called a switching transistor because it controls the timing at which the data voltage is applied to the storage capacitor Cst.
제2 트랜지스터(T2)는, 구동 전압(VDD)이 공급되는 라인과 제5 트랜지스터(T5) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 스토리지 캐패시터(Cst)와 전기적으로 연결될 수 있다.The second transistor T2 may be electrically connected between the line to which the driving voltage VDD is supplied and the fifth transistor T5. Additionally, the gate electrode of the second transistor T2 may be electrically connected to the storage capacitor Cst.
이러한 제2 트랜지스터(T2)는 구동 트랜지스터라고도 하며, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극에 인가된 전압에 따라 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 제어하여 유기발광다이오드(OLED)가 나타내는 밝기를 제어할 수 있다.This second transistor (T2) is also called a driving transistor, and controls the current flowing through the organic light-emitting diode (OLED) according to the voltage applied to the gate electrode of the second transistor (T2) to adjust the brightness displayed by the organic light-emitting diode (OLED). You can control it.
제3 트랜지스터(T3)는, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극과 드레인 전극 또는 소스 전극 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 제3 트랜지스터(T3)는 게이트 라인(GL)을 통해 공급되는 스캔 신호에 의해 제어될 수 있다.The third transistor T3 may be electrically connected between the gate electrode and the drain electrode or source electrode of the second transistor T2. Additionally, the third transistor T3 can be controlled by a scan signal supplied through the gate line GL.
이러한 제3 트랜지스터(T3)는, 제2 트랜지스터(T2)의 문턱 전압을 보상해주기 위한 것으로서, 보상 트랜지스터라고도 한다.This third transistor T3 is used to compensate for the threshold voltage of the second transistor T2, and is also called a compensation transistor.
즉, 제2 트랜지스터(T2)는 구동 트랜지스터로서, 서브픽셀(SP)에 인가되는 데이터 전압에 따라 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 제어해야 하나, 서브픽셀(SP)마다 배치된 제2 트랜지스터(T2)의 문턱 전압의 편차로 인해 각각의 서브픽셀(SP)에 배치된 유기발광다이오드(OLED)가 원하는 밝기를 나타내지 못할 수 있다.That is, the second transistor T2 is a driving transistor and must control the current flowing through the organic light emitting diode (OLED) according to the data voltage applied to the subpixel (SP). However, the second transistor T2 disposed in each subpixel (SP) Due to the deviation of the threshold voltage of (T2), the organic light emitting diode (OLED) disposed in each subpixel (SP) may not display the desired brightness.
따라서, 제3 트랜지스터(T3)를 통해, 각각의 서브픽셀(SP)에 배치된 제2 트랜지스터(T2)의 문턱 전압을 보상할 수 있도록 한다.Accordingly, the threshold voltage of the second transistor T2 disposed in each subpixel SP can be compensated through the third transistor T3.
일 예로, 게이트 라인(GL)을 통해 제3 트랜지스터(T3)를 턴-온 시키는 스캔 신호가 인가되면, 구동 전압(VDD)에서 제2 트랜지스터(T2)의 문턱 전압이 감해진 전압이 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극으로 인가되게 된다.For example, when a scan signal that turns on the third transistor (T3) is applied through the gate line (GL), the voltage obtained by subtracting the threshold voltage of the second transistor (T2) from the driving voltage (VDD) is applied to the second transistor (T3). It is applied to the gate electrode of (T2).
제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극에 문턱 전압이 감해진 구동 전압(VDD)이 인가된 상태에서 스토리지 캐패시터(Cst)의 일면에 데이터 전압이 인가되도록 함으로써, 제2 트랜지스터(T2)의 문턱 전압에 대한 보상이 이루어질 수 있도록 한다.By allowing the data voltage to be applied to one side of the storage capacitor (Cst) while the driving voltage (VDD) with the reduced threshold voltage is applied to the gate electrode of the second transistor (T2), the threshold voltage of the second transistor (T2) Ensure that compensation is provided.
여기서, 스토리지 캐패시터(Cst)의 일면에 데이터 전압의 인가를 제어하는 제1 트랜지스터(T1)와, 제2 트랜지스터(T2)의 문턱 전압 보상을 수행하는 제3 트랜지스터(T3)는 동일한 게이트 라인(GL)으로 공급되는 스캔 신호에 의해 제어될 수도 있고, 다른 게이트 라인(GL)으로 공급되는 스캔 신호에 의해 제어될 수도 있다.Here, the first transistor T1, which controls the application of the data voltage to one surface of the storage capacitor Cst, and the third transistor T3, which performs threshold voltage compensation of the second transistor T2, have the same gate line GL. ) may be controlled by a scan signal supplied to the other gate line (GL).
이와 같이, 제3 트랜지스터(T3)를 통해 제2 트랜지스터(T2)의 문턱 전압의 편차를 보상함으로써, 제2 트랜지스터(T2)의 문턱 전압의 차이로 인해 서브픽셀(SP)이 나타내는 휘도의 편차를 방지할 수 있도록 한다.In this way, by compensating for the deviation in the threshold voltage of the second transistor T2 through the third transistor T3, the deviation in luminance shown by the subpixel SP due to the difference in the threshold voltage of the second transistor T2 is reduced. Make it possible to prevent it.
제4 트랜지스터(T4)는, 스토리지 캐패시터(Cst)와 기준 전압(Vref)이 공급되는 라인 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 제4 트랜지스터(T4)는 게이트 라인(GL)을 통해 공급되는 발광 신호에 의해 제어될 수 있다.The fourth transistor T4 may be electrically connected between the storage capacitor Cst and the line to which the reference voltage Vref is supplied. Also, the fourth transistor T4 can be controlled by the light emission signal supplied through the gate line GL.
이러한 제4 트랜지스터(T4)는, 게이트 라인(GL)을 통해 턴-온 레벨의 발광 신호가 인가되면 스토리지 캐패시터(Cst)의 일면의 전압을 초기화하거나, 스토리지 캐패시터(Cst)의 일면에 인가된 데이터 전압을 서서히 방전시키며 데이터 전압에 따른 전류가 유기발광다이오드(OLED)에 흐르도록 할 수 있다.This fourth transistor T4 initializes the voltage on one side of the storage capacitor Cst when a turn-on level light emission signal is applied through the gate line GL, or stores the data applied to one side of the storage capacitor Cst. The voltage can be slowly discharged and the current according to the data voltage can flow to the organic light emitting diode (OLED).
제5 트랜지스터(T5)는, 제2 트랜지스터(T2)와 유기발광다이오드(OLED) 사이에 전기적으로 연결된다. 그리고, 제5 트랜지스터(T5)는, 게이트 라인(GL)을 통해 공급되는 발광 신호에 의해 제어될 수 있다.The fifth transistor T5 is electrically connected between the second transistor T2 and the organic light emitting diode (OLED). And, the fifth transistor T5 can be controlled by the light emission signal supplied through the gate line GL.
제5 트랜지스터(T5)는, 스토리지 캐패시터(Cst)의 일면에 데이터 전압이 인가되고 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극에 문턱 전압의 보상이 적용된 구동 전압(VDD)이 인가된 상태에서, 턴-온 레벨의 발광 신호가 인가되면 턴-온 되어 유기발광다이오드(OLED)에 전류가 흐르도록 할 수 있다.The fifth transistor (T5) turns - with the data voltage applied to one side of the storage capacitor (Cst) and the driving voltage (VDD) with threshold voltage compensation applied to the gate electrode of the second transistor (T2). When an on-level light emitting signal is applied, it is turned on to allow current to flow through the organic light emitting diode (OLED).
이러한 제4 트랜지스터(T4)와 제5 트랜지스터(T5)는 유기발광다이오드(OLED)의 발광 타이밍을 제어하므로, 발광 트랜지스터라고도 한다.These fourth transistors (T4) and fifth transistors (T5) control the light emission timing of the organic light emitting diode (OLED), so they are also called light emitting transistors.
제6 트랜지스터(T6)는, 기준 전압(Vref)이 공급되는 라인과 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 게이트 라인(GL)을 통해 공급되는 스캔 신호에 의해 제어될 수 있다.The sixth transistor T6 may be electrically connected between a line to which the reference voltage Vref is supplied and the anode electrode of the organic light emitting diode (OLED). And, it can be controlled by a scan signal supplied through the gate line (GL).
제6 트랜지스터(T6)는, 게이트 라인(GL)을 통해 턴-온 레벨의 스캔 신호가 인가되면 기준 전압(Vref)을 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극이나, 제2 트랜지스터(T2)와 제5 트랜지스터(T5) 사이의 노드를 초기화할 수 있다.When a scan signal at the turn-on level is applied through the gate line GL, the sixth transistor T6 applies the reference voltage Vref to the anode electrode of the organic light emitting diode (OLED) or the second transistor T2 and the second transistor T2. 5 The node between transistors (T5) can be initialized.
이와 같이, 서브픽셀(SP)에 배치된 디스플레이 구동 트랜지스터는 스캔 신호와 발광 신호에 의해 작동하며, 데이터 전압에 따른 전류가 유기발광다이오드(OLED)에 흐르도록 함으로써, 서브픽셀(SP)이 영상 데이터에 따른 밝기를 나타낼 수 있도록 한다.In this way, the display driving transistor disposed in the subpixel (SP) operates by a scan signal and a light emission signal, and allows current according to the data voltage to flow to the organic light emitting diode (OLED), so that the subpixel (SP) generates image data. It allows the brightness to be displayed according to .
이러한 서브픽셀(SP) 내 배치된 트랜지스터의 작동 타이밍을 제어하는 스캔 신호나 발광 신호는 디스플레이 패널(110)의 일측에 배치된 게이트 구동 회로(120)에 의해 출력될 수 있다.A scan signal or a light emission signal that controls the operation timing of the transistor disposed in the subpixel SP may be output by the
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)에 포함된 게이트 구동 회로(120)의 예시를 나타낸 도면이다.FIG. 3 is a diagram illustrating an example of the
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 게이트 구동 회로(120)는, 디스플레이 패널(110)의 일측에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 3, the
그리고, 게이트 구동 회로(120)는, 서브픽셀(SP)에 배치된 스위칭 트랜지스터 등으로 스캔 신호를 출력하는 다수의 스캔 구동 회로(SDC)와, 서브픽셀(SP)에 배치된 발광 트랜지스터 등으로 발광 신호를 출력하는 다수의 발광 구동 회로(EDC)를 포함할 수 있다.In addition, the
이러한 다수의 스캔 구동 회로(SDC)와 다수의 발광 구동 회로(EDC) 각각은, 하나의 서브픽셀(SP) 라인과 대응되도록 배치될 수 있다.Each of these multiple scan driving circuits (SDC) and multiple light emission driving circuits (EDC) may be arranged to correspond to one subpixel (SP) line.
또는, 다수의 스캔 구동 회로(SDC) 각각은 하나의 서브픽셀(SP) 라인과 대응되도록 배치되고, 다수의 발광 구동 회로(EDC) 각각은 둘 이상의 서브픽셀(SP) 라인과 대응되도록 배치될 수 있다.Alternatively, each of the plurality of scan driving circuits (SDC) may be arranged to correspond to one subpixel (SP) line, and each of the plurality of emission driving circuits (EDC) may be arranged to correspond to two or more subpixel (SP) lines. there is.
다수의 스캔 구동 회로(SDC)와 다수의 발광 구동 회로(EDC) 각각은, 스캔 신호 또는 발광 신호를 출력하기 위한 다수의 트랜지스터와, 캐패시터 등과 같은 회로 소자를 포함할 수 있다.Each of the plurality of scan driving circuits (SDC) and the plurality of light emission driving circuits (EDC) may include circuit elements such as a plurality of transistors and capacitors for outputting scan signals or light emission signals.
일 예로, 제1 발광 구동 회로(EDC1)을 예시로 살펴보면, 제1 발광 구동 회로(EDC1)는, 발광 신호의 출력을 제어하는 버퍼 트랜지스터 그룹(BTG)와, 버퍼 트랜지스터(BT)의 게이트 전극의 전압 레벨을 제어하는 로직 트랜지스터(LTG)를 포함할 수 있다.As an example, looking at the first light emission driving circuit (EDC1) as an example, the first light emission driving circuit (EDC1) includes a buffer transistor group (BTG) that controls the output of the light emission signal, and a gate electrode of the buffer transistor (BT). It may include a logic transistor (LTG) that controls the voltage level.
버퍼 트랜지스터 그룹(BTG)은, 게이트 라인(GL)으로 턴-온 레벨의 발광 신호의 출력을 제어하는 제1 버퍼 트랜지스터(BT1)와, 게이트 라인(GL)으로 턴-오프 레벨의 발광 신호의 출력을 제어하는 제2 버퍼 트랜지스터(BT2)를 포함할 수 있다.The buffer transistor group (BTG) includes a first buffer transistor (BT1) that controls the output of a turn-on level light emitting signal to the gate line (GL), and a first buffer transistor (BT1) that controls the output of a turn-off level light emitting signal to the gate line (GL). It may include a second buffer transistor (BT2) that controls .
제1 버퍼 트랜지스터(BT1)는, Q 노드의 전압 레벨에 의해 제어되며, 일 예로, 게이트 로우 전압(VGL)이 게이트 라인(GL)으로 출력되는 것을 제어할 수 있다. 그리고, 제2 버퍼 트랜지스터(BT2)는, Qb 노드의 전압 레벨에 의해 제어되며, 일 예로, 게이트 하이 전압(VGH)이 게이트 라인(GL)으로 출력되는 것을 제어할 수 있다.The first buffer transistor BT1 is controlled by the voltage level of the Q node, and, for example, can control output of the gate low voltage VGL to the gate line GL. In addition, the second buffer transistor BT2 is controlled by the voltage level of the Qb node, and, for example, can control output of the gate high voltage VGH to the gate line GL.
이러한 버퍼 트랜지스터(BT)의 온-오프를 제어하는 Q 노드와 Qb 노드의 전압 레벨은 로직 트랜지스터 그룹(LTG)에 포함된 다수의 로직 트랜지스터(LT)에 의해 제어될 수 있다.The voltage levels of the Q node and Qb node, which control the on-off of the buffer transistor (BT), can be controlled by a plurality of logic transistors (LT) included in the logic transistor group (LTG).
즉, 로직 트랜지스터 그룹(LTG)에 포함된 다수의 로직 트랜지스터(LT)는 제1 발광 구동 회로(EDC1)으로 입력되는 스타트 신호(VST), 클럭 신호(CLK) 등에 의해 온-오프 되며 Q 노드와 Qb 노드의 전압 레벨을 제어한다. 여기서, 클럭 신호(CLK)는 서로 다른 위상을 갖는 둘 이상의 클럭 신호(CLK)가 이용될 수 있으며, 도 3에 도시된 게이트 구동 회로(120)는, 두 개의 클럭 신호(CLK)가 이용되는 경우를 예시로 나타내나 이에 한정되지 아니한다.That is, the plurality of logic transistors (LT) included in the logic transistor group (LTG) are turned on and off by the start signal (VST), clock signal (CLK), etc. input to the first light emission driving circuit (EDC1) and are connected to the Q node and Controls the voltage level of the Qb node. Here, two or more clock signals CLK having different phases may be used, and the
그리고, Q 노드와 Qb 노드의 전압 레벨을 제어함으로써, 버퍼 트랜지스터(BT)를 통해 로우 레벨 또는 하이 레벨을 갖는 발광 신호가 게이트 라인(GL)으로 출력되도록 한다.Also, by controlling the voltage levels of the Q node and Qb node, a light emitting signal having a low level or high level is output to the gate line GL through the buffer transistor BT.
여기서, 로직 트랜지스터 그룹(LTG)을 구성하는 다수의 로직 트랜지스터(LT)는, 다양하게 구현될 수 있다. 그리고, 스캔 구동 회로(SDC)도 발광 구동 회로(EDC)와 유사하게 로직 트랜지스터 그룹(LTG)과 버퍼 트랜지스터 그룹(BTG)으로 구성될 수 있다.Here, the multiple logic transistors (LT) constituting the logic transistor group (LTG) may be implemented in various ways. Additionally, the scan driving circuit (SDC) may also be composed of a logic transistor group (LTG) and a buffer transistor group (BTG), similar to the emission driving circuit (EDC).
이와 같이, 스캔 구동 회로(SDC)와 발광 구동 회로(EDC)는, 스캔 신호 또는 발광 신호를 서브픽셀(SP)로 공급하며 각각의 서브픽셀(SP)의 작동 타이밍을 제어한다.In this way, the scan driving circuit (SDC) and the light emission driving circuit (EDC) supply scan signals or light emission signals to the subpixels (SP) and control the operation timing of each subpixel (SP).
이때, 게이트 구동 회로(120)가 디스플레이 패널(110)의 일측에만 배치된 경우에는, 게이트 구동 회로(120)로부터 멀어질수록 로드가 증가하여 디스플레이 패널(110) 내에서 휘도 편차가 발생할 수 있다.At this time, when the
본 발명의 실시예들은, 스캔 구동 회로(SDC)와 발광 구동 회로(EDC)를 디스플레이 패널(110)의 양측에 배치하고, 서브픽셀(SP)로 스캔 신호와 발광 신호를 공급함으로써, 디스플레이 패널(110) 내의 휘도 편차를 방지할 수 있도록 한다.Embodiments of the present invention arrange the scan driving circuit (SDC) and the light emission driving circuit (EDC) on both sides of the
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)에 포함된 게이트 구동 회로(120)의 다른 예시를 나타낸 도면이다.FIG. 4 is a diagram showing another example of the
도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 게이트 구동 회로(120)는, 디스플레이 패널(110)의 양측에 배치된 다수의 스캔 구동 회로(SDC)와 다수의 발광 구동 회로(EDC)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the
다수의 스캔 구동 회로(SDC)는, 디스플레이 패널(110)의 일측에 배치된 다수의 제1 스캔 구동 회로(SDC11, SDC21, SDC31, SDC41, SDC51, SDC61, SDC71, SDC81, 이하 "SDC1"이라 함)과, 디스플레이 패널(110)의 타측에서 제1 스캔 구동 회로(SDC1)와 대응되도록 배치된 다수의 제2 스캔 구동 회로(SDC12, SDC22, SDC32, SDC42, SDC52, SDC62, SDC72, SDC82, 이하 "SDC2"라 함)를 포함할 수 있다.The plurality of scan driving circuits (SDC) are a plurality of first scan driving circuits (SDC11, SDC21, SDC31, SDC41, SDC51, SDC61, SDC71, SDC81, hereinafter referred to as “SDC1”) disposed on one side of the
그리고, 제1 스캔 구동 회로(SDC1)와 제2 스캔 구동 회로(SDC2)는 동일한 서브픽셀(SP) 라인으로 스캔 신호를 공급할 수 있다.Additionally, the first scan driving circuit (SDC1) and the second scan driving circuit (SDC2) may supply scan signals to the same subpixel (SP) line.
다수의 발광 구동 회로(EDC)는, 디스플레이 패널(110)의 일측에 배치된 다수의 제1 발광 구동 회로(EDC11, EDC21, EDC31, EDC41, 이하 "EDC1"이라 함)와, 디스플레이 패널(110)의 타측에서 제1 발광 구동 회로(EDCX1)와 대응되도록 배치된 다수의 제2 발광 구동 회로(EDC12, EDC22, EDC32, EDC42, 이하 "EDC2"라 함)를 포함할 수 있다.The plurality of light emission driving circuits (EDC) include a plurality of first light emission driving circuits (EDC11, EDC21, EDC31, EDC41, hereinafter referred to as “EDC1”) disposed on one side of the
여기서, 하나의 발광 구동 회로(EDC)는 두 개의 스캔 구동 회로(SDC)와 대응되도록 배치될 수 있다(2 stage 설계). Here, one light emission driving circuit (EDC) can be arranged to correspond to two scan driving circuits (SDC) (2 stage design).
그리고, 제1 발광 구동 회로(EDC1)와 제2 발광 구동 회로(EDC2)는 동일한 서브픽셀(SP) 라인으로 발광 신호를 공급할 수 있으며, 두 개의 서브픽셀(SP) 라인으로 발광 신호를 공급할 수 있다.In addition, the first light emission driving circuit (EDC1) and the second light emission driving circuit (EDC2) can supply a light emission signal through the same subpixel (SP) line and can supply light emission signals through two subpixel (SP) lines. .
따라서, 디스플레이 패널(110)의 양측에 배치된 스캔 구동 회로(SDC)에 의해 공급되는 스캔 신호에 따라 서브픽셀(SP)에 데이터 전압의 인가가 완료된 후, 발광 구동 회로(EDC)에 의해 두 개의 서브픽셀(SP) 라인 단위로 발광 신호가 순차적으로 공급되어 서브픽셀(SP)이 발광할 수 있다.Therefore, after the application of the data voltage to the subpixel SP according to the scan signal supplied by the scan driving circuit (SDC) disposed on both sides of the
이와 같이, 디스플레이 패널(110)의 양측에 스캔 구동 회로(SDC)와 발광 구동 회로(EDC)를 배치하고 스캔 신호와 발광 신호를 듀얼 피딩 방식으로 공급함에 따라 디스플레이 패널(110)의 영역에 따른 휘도 편차를 방지할 수 있다.In this way, the scan driving circuit (SDC) and the light emission driving circuit (EDC) are placed on both sides of the
도 5는 도 4에 도시된 발광 구동 회로(EDC) 내 회로 소자의 배치 구조의 예시를 나타낸 도면이다.FIG. 5 is a diagram showing an example of the arrangement structure of circuit elements in the light emission driving circuit (EDC) shown in FIG. 4.
도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 구동 회로(EDC)는, 발광 신호의 출력을 제어하는 버퍼 트랜지스터(BT)와, Q 노드와 Qb 노드의 전압 레벨을 제어하는 로직 트랜지스터(LT)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, the light emission driving circuit (EDC) according to embodiments of the present invention includes a buffer transistor (BT) that controls the output of the light emission signal, and a logic transistor (BT) that controls the voltage levels of the Q node and Qb node. LT) may be included.
여기서, 게이트(Gate)는 발광 구동 회로(EDC) 내 배치되는 트랜지스터의 게이트 전극을 나타내고, 소스/드레인(S/D)은 트랜지스터의 소스/드레인 전극이나 각종 신호/전압이 인가되는 배선을 나타낸다. 그리고, 액티브(Active)는 트랜지스터의 채널 영역을 나타내며, 캐패시터 전극(CE)은 발광 구동 회로(EDC) 내에서 캐패시터를 형성하는 전극을 나타낸다.Here, the gate (Gate) represents the gate electrode of the transistor disposed in the light emission driving circuit (EDC), and the source/drain (S/D) represents the source/drain electrodes of the transistor or wiring to which various signals/voltages are applied. Additionally, Active represents the channel area of the transistor, and the capacitor electrode (CE) represents an electrode that forms a capacitor within the light emission driving circuit (EDC).
일 예로, 발광 구동 회로(EDC)는, 다수의 로직 트랜지스터(LT1, LT2, LT3, LT4, LT5, LT6, LT7, LT8, LT9)와 두 개의 버퍼 트랜지스터(BT1, BT2)를 포함할 수 있다.As an example, the light emission driving circuit (EDC) may include a plurality of logic transistors (LT1, LT2, LT3, LT4, LT5, LT6, LT7, LT8, LT9) and two buffer transistors (BT1, BT2).
여기서, 제1 로직 트랜지스터(LT1)는, 제2 발광 클럭 신호(ECLK2)에 의해 제어되며, 제5 로직 트랜지스터(LT5)와 Q 노드의 전압 레벨을 제어한다. 제2 로직 트랜지스터(LT2)는, 제1 발광 클럭 신호(ECLK2)에 의해 제어되며 제3 로직 트랜지스터(LT3)와 함께 Q 노드의 전압 레벨을 제어한다.Here, the first logic transistor LT1 is controlled by the second light-emitting clock signal ECLK2 and controls the voltage levels of the fifth logic transistor LT5 and the Q node. The second logic transistor LT2 is controlled by the first emission clock signal ECLK2 and controls the voltage level of the Q node together with the third logic transistor LT3.
제4 로직 트랜지스터(LT4)는, 제2 발광 클럭 신호(ECLK2)에 의해 제어되며, 제3 로직 트랜지스터(LT3)를 제어한다.The fourth logic transistor LT4 is controlled by the second light-emitting clock signal ECLK2 and controls the third logic transistor LT3.
제5 로직 트랜지스터(LT5)는, 제6 로직 트랜지스터(LT6)를 제어하며, 제7 로직 트랜지스터(LT7)와 함께 Qb 노드의 전압 레벨을 제어한다. 그리고, 제8 로직 트랜지스터(LT8)는, 제1 로직 트랜지스터(LT1)의 턴-온 시 공급된 스타트 신호(VST)에 의해 제어되며, Qb 노드의 전압 레벨을 제어한다.The fifth logic transistor LT5 controls the sixth logic transistor LT6 and, together with the seventh logic transistor LT7, controls the voltage level of the Qb node. Additionally, the eighth logic transistor LT8 is controlled by the start signal VST supplied when the first logic transistor LT1 is turned on, and controls the voltage level of the Qb node.
제9 로직 트랜지스터(LT9)는, 리셋 신호(RESET)에 의해 제어되며 게이트 라인(GL)으로 출력되는 발광 신호를 턴-오프 레벨로 초기화시킨다.The ninth logic transistor LT9 is controlled by the reset signal RESET and initializes the light emission signal output to the gate line GL to the turn-off level.
즉, 다수의 로직 트랜지스터(LT)는, 발광 구동 회로(EDC)로 입력되는 각종 신호에 따라 제어되며 발광 구동 회로(EDC) 내의 Q 노드와 Qb 노드의 전압 레벨을 제어하며, 도 5는 로직 트랜지스터(LT)가 배치된 구조의 예시를 나타낸 것으로서, 이와 다르게 다양하게 구현될 수도 있다.That is, the plurality of logic transistors (LT) are controlled according to various signals input to the light emission driving circuit (EDC) and control the voltage levels of the Q node and Qb node in the light emission driving circuit (EDC). Figure 5 shows the logic transistors. This shows an example of a structure in which (LT) is arranged, and may be implemented in various ways.
두 개의 버퍼 트랜지스터(BT) 중 제1 버퍼 트랜지스터(BT1)는 Q 노드의 전압 레벨에 의해 제어되며, 턴-온 레벨의 발광 신호를 게이트 라인(GL)으로 출력한다.Among the two buffer transistors BT, the first buffer transistor BT1 is controlled by the voltage level of the Q node and outputs a turn-on level light emitting signal to the gate line GL.
그리고, 제2 버퍼 트랜지스터(BT2)는 Qb 노드의 전압 레벨에 의해 제어되며, 턴-오프 레벨의 발광 신호를 게이트 라인(GL)으로 출력한다.Additionally, the second buffer transistor BT2 is controlled by the voltage level of the Qb node and outputs a turn-off level light emission signal to the gate line GL.
여기서, 본 발명의 실시예들은, 서브픽셀(SP) 내 배치된 트랜지스터가 P 타입으로 구현된 경우를 예시로 설명하므로, 제1 버퍼 트랜지스터(BT1)는 게이트 로우 전압(VGL)의 출력을 제어하고 제2 버퍼 트랜지스터(BT2)는 게이트 하이 전압(VGH)의 출력을 제어할 수 있다.Here, embodiments of the present invention are explained by taking the case where the transistor disposed in the subpixel SP is implemented as a P type, so the first buffer transistor BT1 controls the output of the gate low voltage VGL and The second buffer transistor BT2 can control the output of the gate high voltage VGH.
이러한 제1 버퍼 트랜지스터(BT1)와 제2 버퍼 트랜지스터(BT2)는, 게이트 라인(GL)으로 출력되는 발광 신호를 제어하므로, 로직 트랜지스터(LT)에 비해 큰 사이즈를 가질 수 있다.Since the first buffer transistor BT1 and the second buffer transistor BT2 control the light emission signal output to the gate line GL, they may have a larger size than the logic transistor LT.
따라서, 버퍼 트랜지스터(BT)의 채널 영역의 너비, 즉, 버퍼 트랜지스터(BT)의 폭이 일정 수준 이상이 되어야 하므로, 도 5에 도시된 예시와 같이, 버퍼 트랜지스터(BT)의 채널 영역이 신호 배선과 동일한 방향으로 분리되어 배치될 수 있다.Therefore, the width of the channel area of the buffer transistor (BT), that is, the width of the buffer transistor (BT) must be above a certain level, so as in the example shown in FIG. 5, the channel area of the buffer transistor (BT) is connected to the signal wiring. It can be separated and arranged in the same direction as.
즉, 버퍼 트랜지스터(BT)는, 발광 구동 회로(EDC) 내 배치된 신호 배선과 교차하는 방향으로 배치되고, 채널 영역이 신호 배선과 동일한 방향으로 분리되어 일정 수준 이상의 채널을 확보해줄 수 있다.That is, the buffer transistor (BT) is arranged in a direction that intersects the signal wires arranged in the light emission driving circuit (EDC), and the channel area is separated in the same direction as the signal wires, thereby securing a channel above a certain level.
반면, 이러한 버퍼 트랜지스터(BT)의 배치 구조에 따라 발광 구동 회로(EDC)의 폭(Wa=178㎛)이 증가할 수 있다. 또한, 발광 구동 회로(EDC)에 배치되는 신호 배선 중 분리되어 배치되는 신호 배선(예, 게이트 로우 전압(VGL)이 인가되는 신호 배선)이 분리되어 배치될 수도 있다.On the other hand, the width (Wa = 178㎛) of the light emission driving circuit (EDC) may increase depending on the arrangement structure of the buffer transistor (BT). Additionally, among the signal wires arranged in the light emission driving circuit (EDC), signal wires (eg, signal wires to which the gate low voltage (VGL) is applied) may be arranged separately.
이와 같이, 디스플레이 패널(110)의 양측에 배치된 스캔 구동 회로(SDC)와 발광 구동 회로(EDC)의 듀얼 피딩 구동을 통해 디스플레이 패널(110) 내 휘도 편차를 방지할 수 있으나, 발광 구동 회로(EDC)의 폭으로 인해 디스플레이 패널(110)의 베젤 영역을 감소시키는 데 어려움이 존재할 수 있다.In this way, luminance deviation within the
본 발명의 실시예들은, 발광 구동 회로(EDC)에 배치되는 버퍼 트랜지스터(BT)가 발광 구동 회로(EDC) 내에 배치되는 신호 배선과 동일한 방향으로 배치될 수 있도록 함으로써, 발광 구동 회로(EDC)의 폭을 감소시키며 디스플레이 패널(110)의 영역에 따른 휘도 편차도 방지할 수 있도록 한다.Embodiments of the present invention allow the buffer transistor (BT) disposed in the light emission driving circuit (EDC) to be disposed in the same direction as the signal wire disposed in the light emission driving circuit (EDC), thereby It reduces the width and prevents luminance deviation depending on the area of the
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)에 포함된 게이트 구동 회로(120)의 또 다른 예시를 나타낸 도면이다.FIG. 6 is a diagram showing another example of the
도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 게이트 구동 회로(120)는, 다수의 스캔 구동 회로(SDC)와 다수의 발광 구동 회로(EDC)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the
다수의 스캔 구동 회로(SDC)는, 디스플레이 패널(110)의 일측에 배치된 다수의 제1 스캔 구동 회로(SDC1)와, 디스플레이 패널(110)의 타측에서 각각의 제1 스캔 구동 회로(SDC1)와 대응되도록 배치된 다수의 제2 스캔 구동 회로(SDC2)를 포함할 수 있다.The plurality of scan driving circuits (SDC) include a plurality of first scan driving circuits (SDC1) disposed on one side of the
그리고, 서로 대응되는 제1 스캔 구동 회로(SDC1)와 제2 스캔 구동 회로(SDC2)는 동일한 서브픽셀(SP) 라인으로 스캔 신호를 출력한다.And, the first scan driving circuit (SDC1) and the second scan driving circuit (SDC2) corresponding to each other output scan signals through the same subpixel (SP) line.
다수의 발광 구동 회로(EDC)는, 디스플레이 패널(110)의 일측에 배치된 다수의 제1 발광 구동 회로(EDC1)와, 디스플레이 패널(110)의 타측에서 각각의 제1 발광 구동 회로(EDC1)와 대응되도록 배치된 다수의 제2 발광 구동 회로(EDC2)를 포함할 수 있다.The plurality of light emission driving circuits (EDC) include a plurality of first light emission driving circuits (EDC1) disposed on one side of the
그리고, 서로 대응되는 제1 발광 구동 회로(EDC1)와 제2 발광 구동 회로(EDC2)는 동일한 서브픽셀(SP) 라인으로 스캔 신호를 출력할 수 있다.Additionally, the first and second light emission driving circuits EDC1 and EDC2 corresponding to each other may output scan signals through the same subpixel (SP) line.
여기서, 각각의 발광 구동 회로(EDC)는 4개의 스캔 구동 회로(SDC)와 대응되도록 배치될 수 있다(4 stage 설계).Here, each light emission driving circuit (EDC) can be arranged to correspond to four scan driving circuits (SDC) (4 stage design).
따라서, 제1 발광 구동 회로(EDC1)와 제2 발광 구동 회로(EDC2)는 동일한 4개의 서브픽셀(SP) 라인으로 발광 신호를 출력할 수 있다. 그리고, 제1 발 광 구동 회로(EDC1)와 제2 발광 구동 회로(EDC2)는 서로 동일한 서브픽셀(SP) 라인으로 발광 신호를 출력하므로, 각각 별도의 스타트 신호(VST)를 입력받을 수 있다.Accordingly, the first light emission driving circuit EDC1 and the second light emission driving circuit EDC2 can output light emission signals through the same four subpixel (SP) lines. Also, since the first light emission driving circuit (EDC1) and the second light emission driving circuit (EDC2) output light emission signals through the same subpixel (SP) line, each can receive a separate start signal (VST).
이때, 발광 구동 회로(EDC)를 4개의 스캔 구동 회로(SDC)와 대응되도록 배치함에 따라, 발광 구동 회로(EDC) 내에서 가장 큰 사이즈를 갖는 버퍼 트랜지스터(BT)의 배치가 용이해질 수 있다.At this time, by arranging the light emission driving circuit (EDC) to correspond to the four scan driving circuits (SDC), placement of the buffer transistor (BT) having the largest size within the light emission driving circuit (EDC) can be facilitated.
일 예로, 발광 구동 회로(EDC)에 배치되는 버퍼 트랜지스터(BT)는, 발광 구동 회로(EDC)에 배치되는 신호 배선이 배치된 방향과 동일한 방향으로 배치될 수 있다.For example, the buffer transistor BT disposed in the light emission driving circuit EDC may be disposed in the same direction as the signal wire disposed in the light emission driving circuit EDC.
버퍼 트랜지스터(BT)가 신호 배선과 동일한 방향으로 배치됨에 따라, 버퍼 트랜지스터(BT)의 소스 전극 또는 드레인 전극을 구성하기 위하여 신호 배선으로부터 돌출된 소스/드레인(S/D)이 배치되지 않도록 할 수 있다.As the buffer transistor (BT) is arranged in the same direction as the signal wire, it is possible to prevent the source/drain (S/D) protruding from the signal wire from being placed to form the source or drain electrode of the buffer transistor (BT). there is.
즉, 버퍼 트랜지스터(BT)의 소스 전극 또는 드레인 전극은 신호 배선과 일체로 형성되거나, 신호 배선과 중첩되어 형성될 수 있다.That is, the source electrode or drain electrode of the buffer transistor (BT) may be formed integrally with the signal wire or may be formed to overlap the signal wire.
따라서, 발광 구동 회로(EDC)에 배치되는 버퍼 트랜지스터(BT)로 인해 발광 구동 회로(EDC)의 폭이 증가하는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, it is possible to prevent the width of the light emission driving circuit (EDC) from increasing due to the buffer transistor (BT) disposed in the light emission driving circuit (EDC).
또한, 버퍼 트랜지스터(BT)의 채널 영역을 분리하지 않고 일 방향으로 배치되도록 할 수 있으므로, 로직 트랜지스터(LT)에 비하여 넓은 폭을 갖는 버퍼 트랜지스터(BT)를 용이하게 배치하도록 할 수 있다.Additionally, since the channel region of the buffer transistor (BT) can be arranged in one direction without separating it, the buffer transistor (BT) with a wider width than the logic transistor (LT) can be easily arranged.
그리고, 발광 구동 회로(EDC)에 배치되는 로직 트랜지스터(LT) 중 적어도 일부는, 발광 구동 회로(EDC)에 배치된 신호 배선과 교차하는 방향으로 배치될 수 있다.Also, at least some of the logic transistors LT disposed in the light emission driving circuit EDC may be disposed in a direction that intersects the signal wires disposed in the light emission driving circuit EDC.
또한, 스캔 구동 회로(SDC)에 배치되는 버퍼 트랜지스터(BT)는, 스캔 구동 회로(SDC)가 1 스테이지로 설계되므로, 2 스테이지로 설계된 발광 구동 회로(EDC)의 버퍼 트랜지스터(BT)와 같이 스캔 구동 회로(SDC)에 배치된 신호 배선과 교차하는 방향으로 배치될 수 있다.In addition, the buffer transistor (BT) disposed in the scan driving circuit (SDC) is designed as a 1-stage scan driving circuit (SDC), so the buffer transistor (BT) of the light emission driving circuit (EDC) designed as a 2-stage It may be arranged in a direction crossing the signal wires arranged in the driving circuit (SDC).
한편, 이와 같이, 발광 구동 회로(EDC)를 4 스테이지로 설계함에 따라 버퍼 트랜지스터(BT)가 신호 배선과 수평한 방향으로 배치되어 발광 트랜지스터(EDC)의 폭을 감소시킬 수 있으나, 하나의 발광 구동 회로(EDC)가 4개의 서브픽셀(SP) 라인으로 발광 신호를 공급함에 따라 로드가 증가할 수 있다.Meanwhile, as the light emission driving circuit (EDC) is designed in 4 stages, the buffer transistor (BT) is arranged in a horizontal direction with the signal wire, which reduces the width of the light emission transistor (EDC), but only one light emission driving circuit is used. The load may increase as the circuit (EDC) supplies the luminous signal to the four subpixel (SP) lines.
따라서, 발광 신호의 출력을 위한 버퍼 트랜지스터(BT)의 사이즈가 증가될 수 있다.Accordingly, the size of the buffer transistor (BT) for outputting the light emitting signal can be increased.
본 발명의 실시예들은, 디스플레이 패널(110)의 양측에 배치된 발광 구동 회로(EDC)가 싱글 피딩 방식으로 발광 신호를 출력함으로써, 발광 구동 회로(EDC)의 폭을 더욱 감소시킬 수 있도록 한다.Embodiments of the present invention allow the light emission driving circuit (EDC) disposed on both sides of the
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)에 포함된 게이트 구동 회로(120)의 또 다른 예시를 나타낸 도면이다.FIG. 7 is a diagram showing another example of the
도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 게이트 구동 회로(120)는, 디스플레이 패널(110)의 양측에 배치된 다수의 스캔 구동 회로(SDC)와 다수의 발광 구동 회로(EDC)를 포함한다.Referring to FIG. 7, the
다수의 스캔 구동 회로(SDC)는, 디스플레이 패널(110)의 양측에 제1 스캔 구동 회로(SDC1)와 제2 스캔 구동 회로(SDC2)가 서로 대응되도록 배치되며, 동일한 서브픽셀(SP) 라인으로 스캔 신호를 출력한다.The plurality of scan driving circuits (SDC) are disposed on both sides of the
다수의 발광 구동 회로(EDC)는, 디스플레이 패널(110)의 일측에 배치된 제1 발광 구동 회로(EDC1)와, 디스플레이 패널(110)의 타측에서 제1 발광 구동 회로(EDC1)와 대응되도록 배치된 제2 발광 구동 회로(EDC2)를 포함할 수 있다.The plurality of light emission driving circuits (EDC) are arranged to correspond to the first light emission driving circuit (EDC1) disposed on one side of the
그리고, 각각의 발광 구동 회로(EDC)는 4개의 스캔 구동 회로(SDC)와 대응되도록 배치될 수 있다(4 stage 설계).Additionally, each light emission driving circuit (EDC) can be arranged to correspond to four scan driving circuits (SDC) (4 stage design).
여기서, 서로 대응되도록 배치된 제1 발광 구동 회로(EDC1)와 제2 발광 구동 회로(EDC2)는 서로 다른 서브픽셀(SP) 라인으로 발광 신호를 출력할 수 있다.Here, the first light emission driving circuit EDC1 and the second light emission driving circuit EDC2 arranged to correspond to each other may output light emission signals through different subpixel (SP) lines.
일 예로, 발광 구동 회로(EDC)가 4 스테이지로 설계된 경우, 제1 발광 구동 회로(EDC1)와 제2 발광 구동 회로(EDC2)는 각각 서로 다른 2개의 서브픽셀(SP) 라인으로 발광 신호를 출력할 수 있다.For example, when the light emission driving circuit (EDC) is designed in 4 stages, the first light emission driving circuit (EDC1) and the second light emission driving circuit (EDC2) each output a light emission signal to two different subpixel (SP) lines. can do.
따라서, 스타트 신호(VST)는 제1 발광 구동 회로(EDC1)나 제2 발광 구동 회로(EDC2) 중 어느 하나의 발광 구동 회로로만 입력될 수 있으며, 제1 발광 구동 회로(EDC1)로 스타트 신호(VST)가 입력되는 경우 제1 발광 구동 회로(EDC1)에서 출력된 발광 신호가 제2 발광 구동 회로(EDC2)의 스타트 신호(VST)로 입력될 수 있다.Accordingly, the start signal VST can be input only to either the first light emission driving circuit EDC1 or the second light emission driving circuit EDC2, and the start signal ( When VST) is input, the light emission signal output from the first light emission driving circuit (EDC1) may be input as the start signal (VST) of the second light emission driving circuit (EDC2).
발광 구동 회로(EDC)에서 출력되는 발광 신호는 서브픽셀(SP) 내 발광 소자의 발광을 위해 대부분의 기간 동안 턴-온 레벨의 신호로 인가되므로, 서브픽셀(SP)의 전류 변동에 영향을 주지 않아 싱글 피딩 방식으로 구동될 수 있다.The light emission signal output from the light emission driving circuit (EDC) is applied as a turn-on level signal for most of the period for the light emitting element in the subpixel (SP) to emit light, so it does not affect current fluctuations in the subpixel (SP). Therefore, it can be operated in a single feeding method.
이와 같이, 디스플레이 패널(110)의 양측에 배치된 발광 구동 회로(EDC)가 싱글 피딩 방식으로 구동됨에 따라, 하나의 발광 구동 회로(EDC)에 의해 구동되는 서브픽셀(SP) 라인을 감소시켜 발광 구동 회로(EDC)에 배치된 버퍼 트랜지스터(BT)의 사이즈가 감소되도록 할 수 있다.In this way, as the light emission driving circuits (EDC) disposed on both sides of the
그리고, 발광 구동 회로(EDC)에 배치된 버퍼 트랜지스터(BT)의 사이즈의 감소로 인해 발광 구동 회로(EDC)의 폭을 감소시켜, 디스플레이 패널(110)의 베젤 영역의 폭을 더욱 감소시킬 수 있다.Additionally, due to a reduction in the size of the buffer transistor (BT) disposed in the light emission driving circuit (EDC), the width of the light emission driving circuit (EDC) can be reduced, thereby further reducing the width of the bezel area of the
즉, 디스플레이 패널(110)의 양측에 배치된 스캔 구동 회로(SDC)는 듀얼 피딩 방식으로 구동하여 디스플레이 패널(110)의 영역에 따른 휘도 편차를 방지하고, 발광 구동 회로(EDC)는 4 스테이지로 설계하고 싱글 피딩 방식으로 구동함으로써 휘도 편차를 방지하며 디스플레이 패널(110)의 베젤 영역을 감소시킬 수 있도록 한다.That is, the scan driving circuit (SDC) disposed on both sides of the
여기서, 발광 구동 회로(EDC)가 4 스테이지로 설계된 경우를 예시로 설명하고 있으나, 하나의 발광 구동 회로(EDC)에 의해 구동되는 서브픽셀(SP) 라인의 수를 K개라고 할 때, 각각의 발광 구동 회로(EDC)는 2K 스테이지로 설계될 수 있다.Here, the case where the light emission driving circuit (EDC) is designed as 4 stages is explained as an example, but assuming that the number of subpixel (SP) lines driven by one light emission driving circuit (EDC) is K, each The light emission drive circuit (EDC) can be designed with a 2K stage.
그리고, 발광 구동 회로(EDC)에 배치되는 버퍼 트랜지스터가 발광 구동 회로(EDC)에 배치된 신호 배선과 수평한 방향으로 배치되는 구조에서 싱글 피딩 방식으로 구동되는 발광 구동 회로(EDC)는 모두 본 발명의 실시예들에 포함될 수 있다.In addition, in a structure in which the buffer transistor disposed in the light emitting driving circuit (EDC) is disposed in a horizontal direction with the signal wire disposed in the light emitting driving circuit (EDC), the light emitting driving circuit (EDC) driven in a single feeding method is all according to the present invention. It may be included in the embodiments of.
도 8은 도 6과 도 7에 도시된 발광 구동 회로(EDC) 내 회로 소자의 배치 구조의 예시를 나타낸 도면이다.FIG. 8 is a diagram showing an example of the arrangement structure of circuit elements in the light emission driving circuit (EDC) shown in FIGS. 6 and 7.
도 8을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 구동 회로(EDC)는, 발광 신호의 출력을 제어하는 버퍼 트랜지스터(BT)와, Q 노드와 Qb 노드의 전압 레벨을 제어하는 로직 트랜지스터(LT)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 8, the light emission driving circuit (EDC) according to embodiments of the present invention includes a buffer transistor (BT) that controls the output of the light emission signal, and a logic transistor (BT) that controls the voltage levels of the Q node and Qb node. LT) may be included.
여기서, 로직 트랜지스터(LT)와 버퍼 트랜지스터(BT) 각각의 기능은 도 5에서 설명된 내용과 동일하므로 생략한다.Here, the functions of each of the logic transistor (LT) and buffer transistor (BT) are the same as those described in FIG. 5 and are therefore omitted.
발광 구동 회로(EDC)에 배치된 로직 트랜지스터(LT)의 적어도 일부는 발광 구동 회로(EDC)에 배치된 신호 배선과 교차하는 방향으로 배치될 수 있다.At least a portion of the logic transistor LT disposed in the light emission driving circuit EDC may be disposed in a direction crossing the signal wires disposed in the light emission driving circuit EDC.
그리고, 발광 구동 회로(EDC)에 배치된 버퍼 트랜지스터(BT)는 발광 구동 회로(EDC)에 배치된 신호 배선이 배치된 방향과 동일한 방향으로 배치될 수 있다.Additionally, the buffer transistor BT disposed in the light emission driving circuit EDC may be disposed in the same direction as the signal wire disposed in the light emission driving circuit EDC.
즉, 발광 구동 회로(EDC)가 4 스테이지로 설계됨에 따라 버퍼 트랜지스터(BT)가 신호 배선과 동일한 방향을 따라 배치될 수 있게 된다. 그리고, 버퍼 트랜지스터(BT)의 소스 전극 또는 드레인 전극이 신호 배선과 일체로 형성되거나, 또는 신호 배선과 중첩되도록 형성될 수 있다.That is, as the light emission driving circuit (EDC) is designed in four stages, the buffer transistor (BT) can be arranged along the same direction as the signal wire. Additionally, the source electrode or drain electrode of the buffer transistor BT may be formed integrally with the signal wire or may be formed to overlap the signal wire.
버퍼 트랜지스터(BT)가 신호 배선과 동일한 방향으로 배치됨에 따라, 버퍼 트랜지스터(BT)가 신호 배선과 인접하게 배치될 수 있으므로, 발광 구동 회로(EDC)를 더욱 컴팩트하게 구성할 수 있다.As the buffer transistor (BT) is arranged in the same direction as the signal wire, the buffer transistor (BT) can be placed adjacent to the signal wire, and thus the light emission driving circuit (EDC) can be configured more compactly.
그리고, 버퍼 트랜지스터(BT)의 폭이 신호 배선을 따라 증가하게 되므로, 버퍼 트랜지스터(BT)의 채널 영역이 분리되지 않고 일 방향으로 배치될 수 있게 된다.Additionally, since the width of the buffer transistor (BT) increases along the signal wire, the channel region of the buffer transistor (BT) can be arranged in one direction without being separated.
이와 같이, 발광 구동 회로(EDC)는 4 스테이지로 설계하고 싱글 피딩 방식으로 구동함에 따라, 발광 구동 회로(EDC)의 버퍼 트랜지스터(BT)가 신호 배선과 수평하게 배치되고 사이즈가 감소될 수 있도록 함으로써, 발광 구동 회로(EDC)의 폭(Wb=98㎛)을 더욱 감소시킬 수 있도록 한다.In this way, the light emission driving circuit (EDC) is designed in 4 stages and driven by a single feeding method, so that the buffer transistor (BT) of the light emission driving circuit (EDC) is placed horizontally with the signal wire and the size can be reduced. , allowing the width (Wb=98㎛) of the light emission driving circuit (EDC) to be further reduced.
이러한 발광 구동 회로(EDC)에 배치된 버퍼 트랜지스터(BT)는, 디스플레이 패널(110)의 양측에 배치된 제1 발광 구동 회로(EDC1)와 제2 발광 구동 회로(EDC2)에서 서로 대칭적으로 배치될 수도 있고, 비대칭적으로 배치될 수도 있다.The buffer transistor (BT) disposed in this light emission driving circuit (EDC) is symmetrically disposed in the first light emission driving circuit (EDC1) and the second light emission driving circuit (EDC2) disposed on both sides of the
도 9는 도 7에 도시된 발광 구동 회로(EDC) 내에서 로직 트랜지스터(LT)와 버퍼 트랜지스터(BT)가 배치된 구조의 예시를 나타낸 도면이고, 도 10은 도 9에 도시된 발광 구동 회로(EDC) 내 회로 소자의 배치 구조의 예시를 나타낸 도면이다.FIG. 9 is a diagram showing an example of a structure in which a logic transistor (LT) and a buffer transistor (BT) are arranged within the light emission driving circuit (EDC) shown in FIG. 7, and FIG. 10 is a diagram showing an example of a structure in which the light emission driving circuit (EDC) shown in FIG. This is a diagram showing an example of the arrangement structure of circuit elements within an EDC.
도 9를 참조하면, 디스플레이 패널(110)의 양측에 배치된 제1 발광 구동 회로(EDC1)와 제2 발광 구동 회로(EDC2) 각각에 포함된 버퍼 트랜지스터 그룹(BTG)은 서로 대칭적으로 배치될 수 있다. 또한, 제1 발광 구동 회로(EDC1)와 제2 발광 구동 회로(EDC2) 각각에 포함된 로직 트랜지스터 그룹(LTG)도 서로 대칭적으로 배치될 수 있다.Referring to FIG. 9, the buffer transistor group BTG included in each of the first and second light emission driving circuits EDC1 and EDC2 disposed on both sides of the
그리고, 제1 발광 구동 회로(EDC1)와 제2 발광 구동 회로(EDC2)는 싱글 피딩 방식으로 구동되므로, 제1 발광 구동 회로(EDC1)로 스타트 신호(VST)가 입력되면 제1 발광 구동 회로(EDC1)에 의해 출력된 발광 신호가 제2 발광 구동 회로(EDC2)의 스타트 신호(VST)로 입력되게 된다.In addition, since the first light emission driving circuit (EDC1) and the second light emission driving circuit (EDC2) are driven by a single feeding method, when the start signal (VST) is input to the first light emission driving circuit (EDC1), the first light emission driving circuit (EDC2) The light emission signal output by EDC1) is input as the start signal (VST) of the second light emission driving circuit (EDC2).
또한, 제2 발광 구동 회로(EDC2)에 의해 출력된 발광 신호는 다음 제1 발광 구동 회로(EDC1)의 스타트 신호(VST)로 입력되어, 싱글 피딩 구동이 이루어질 수 있다.Additionally, the light emission signal output by the second light emission driving circuit (EDC2) is input as the start signal (VST) of the first light emission driving circuit (EDC1), so that single feeding driving can be performed.
도 10은 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 발광 구동 회로(EDC1)와 제2 발광 구동 회로(EDC2)가 서로 대칭적으로 배치된 경우, 발광 구동 회로(EDC) 내 회로 소자의 배치 구조의 예시를 나타낸 것이다.10 shows the arrangement structure of circuit elements in the light emission driving circuit (EDC) when the first light emission driving circuit (EDC1) and the second light emission driving circuit (EDC2) are arranged symmetrically, as shown in FIG. 9. It shows an example.
도 10에 도시된 바와 같이, 디스플레이 패널(110)의 양측에 배치되는 제1 발광 구동 회로(EDC1)와 제2 발광 구동 회로(EDC2)가 서로 대칭적으로 배치되므로, 디스플레이 패널(110)의 양측에 배치되는 발광 구동 회로(EDC)를 용이하게 구현할 수 있다.As shown in FIG. 10, the first light emission driving circuit (EDC1) and the second light emission driving circuit (EDC2) disposed on both sides of the
또는, 발광 구동 회로(EDC)가 싱글 피딩 방식으로 구동되므로, 발광 구동 회로(EDC)에 의해 구동되는 서브픽셀(SP) 라인을 고려하여, 제1 발광 구동 회로(EDC1)과 제2 발광 구동 회로(EDC2)를 비대칭적으로 구현할 수도 있다.Alternatively, since the light emission driving circuit (EDC) is driven by a single feeding method, the first light emission driving circuit (EDC1) and the second light emission driving circuit are connected in consideration of the subpixel (SP) line driven by the light emission driving circuit (EDC). (EDC2) can also be implemented asymmetrically.
도 11은 도 7에 도시된 발광 구동 회로(EDC) 내에서 로직 트랜지스터(LT)와 버퍼 트랜지스터(BT)가 배치된 구조의 다른 예시를 나타낸 도면이다.FIG. 11 is a diagram showing another example of a structure in which a logic transistor (LT) and a buffer transistor (BT) are arranged within the light emission driving circuit (EDC) shown in FIG. 7.
도 11을 참조하면, 디스플레이 패널(110)의 양측에 배치된 제1 발광 구동 회로(EDC1)와 제2 발광 구동 회로(EDC2) 각각에 포함된 버퍼 트랜지스터 그룹(BTG)은 서로 비대칭적으로 배치될 수 있다.Referring to FIG. 11, the buffer transistor group BTG included in each of the first and second light emission driving circuits EDC1 and EDC2 disposed on both sides of the
제1 발광 구동 회로(EDC1)에 포함된 버퍼 트랜지스터(BT)는, 제1 발광 구동 회로(EDC1)에 의해 발광 신호가 인가되는 서브픽셀(SP) 라인과 인접하게 배치될 수 있다.The buffer transistor BT included in the first light emission driving circuit EDC1 may be disposed adjacent to the subpixel SP line to which the light emission signal is applied by the first light emission driving circuit EDC1.
그리고, 제2 발광 구동 회로(EDC2)에 포함된 버퍼 트랜지스터(BT)는, 제2 발광 구동 회로(EDC2)에 의해 발광 신호가 인가되는 서브픽셀(SP) 라인과 인접하게 배치될 수 있다.Additionally, the buffer transistor BT included in the second light emission driving circuit EDC2 may be disposed adjacent to the subpixel SP line to which the light emission signal is applied by the second light emission driving circuit EDC2.
즉, 각각의 발광 구동 회로(EDC)에 포함된 버퍼 트랜지스터(BT)가 발광 구동 회로(EDC)에 의해 구동되는 서브픽셀(SP) 라인과 인접하게 배치되도록 함으로써, 발광 구동 회로(EDC)에서 출력된 발광 신호가 서브픽셀(SP) 라인으로 도달하는 경로를 감소시켜 로드를 저감시켜줄 수 있다.That is, the buffer transistor (BT) included in each light emission driving circuit (EDC) is arranged adjacent to the subpixel (SP) line driven by the light emission driving circuit (EDC), so that the output from the light emission driving circuit (EDC) The load can be reduced by reducing the path through which the light-emitting signal reaches the subpixel (SP) line.
전술한 본 발명의 실시예들에 의하면, 디스플레이 패널(110)의 양측에 배치되는 발광 구동 회로(EDC)에 포함된 버퍼 트랜지스터(BT)가 발광 구동 회로(EDC)에 배치된 신호 배선과 동일한 방향으로 배치되도록 함으로써, 발광 구동 회로(EDC)의 폭을 감소시켜 디스플레이 패널(110)의 베젤 영역을 감소시킬 수 있도록 한다.According to the above-described embodiments of the present invention, the buffer transistor (BT) included in the light emission driving circuit (EDC) disposed on both sides of the
또한, 디스플레이 패널(110)의 양측에 배치된 발광 구동 회로(EDC) 각각이 K개의 서브픽셀(SP) 라인을 구동하는 싱글 피딩 방식으로 구동되도록 함으로써, 디스플레이 패널(110)의 영역에 따른 휘도 편차를 방지하며 버퍼 트랜지스터(BT)의 사이즈가 감소될 수 있도록 하여, 발광 구동 회로(EDC)의 배치로 인한 디스플레이 패널(110)의 베젤 영역의 폭의 증가를 최소화할 수 있도록 한다.In addition, each of the light emission driving circuits (EDC) disposed on both sides of the
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely an illustrative explanation of the technical idea of the present invention, and various modifications and variations will be possible to those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. In addition, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but rather to explain it, and therefore the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be interpreted in accordance with the claims below, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of rights of the present invention.
100: 디스플레이 장치 110: 디스플레이 패널
120: 게이트 구동 회로 130: 데이터 구동 회로
140: 컨트롤러100: display device 110: display panel
120: gate driving circuit 130: data driving circuit
140: controller
Claims (20)
상기 디스플레이 패널의 양측에 배치된 다수의 스캔 구동 회로; 및
상기 디스플레이 패널의 상기 양측에 배치된 다수의 발광 구동 회로를 포함하고,
상기 다수의 발광 구동 회로 각각에 포함된 버퍼 트랜지스터는 상기 발광 구동 회로에 배치된 신호 배선이 배치된 방향과 동일한 방향으로 배치되고, 상기 다수의 스캔 구동 회로 각각에 포함된 버퍼 트랜지스터는 상기 스캔 구동 회로에 배치된 신호 배선이 배치된 방향과 교차하는 방향으로 배치된 디스플레이 장치.
A display panel on which a plurality of gate lines, a plurality of data lines and a plurality of subpixels are arranged;
a plurality of scan driving circuits disposed on both sides of the display panel; and
Comprising a plurality of light emission driving circuits disposed on both sides of the display panel,
The buffer transistor included in each of the plurality of light emission driving circuits is arranged in the same direction as the signal wire disposed in the light emission driving circuit, and the buffer transistor included in each of the plurality of scan driving circuits is arranged in the scan driving circuit. A display device arranged in a direction that intersects the direction in which the signal wires arranged are arranged.
상기 다수의 발광 구동 회로 각각에 포함된 다수의 로직 트랜지스터 중 적어도 하나는 상기 발광 구동 회로에 배치된 신호 배선이 배치된 방향과 교차하는 방향으로 배치된 디스플레이 장치.
According to paragraph 1,
A display device wherein at least one of the plurality of logic transistors included in each of the plurality of light emission driving circuits is arranged in a direction that intersects the direction in which the signal wires arranged in the light emission driving circuit are arranged.
상기 다수의 스캔 구동 회로 중 서로 대응되도록 배치된 제1 스캔 구동 회로와 제2 스캔 구동 회로는 서로 동일한 서브픽셀 라인으로 스캔 신호를 출력하고,
상기 다수의 발광 구동 회로 중 서로 대응되도록 배치된 제1 발광 구동 회로와 제2 발광 구동 회로는 서로 다른 서브픽셀 라인으로 발광 신호를 출력하는 디스플레이 장치.
According to paragraph 1,
Among the plurality of scan driving circuits, a first scan driving circuit and a second scan driving circuit arranged to correspond to each other output scan signals to the same subpixel line,
A display device wherein among the plurality of light emission driving circuits, the first light emission driving circuit and the second light emission driving circuit arranged to correspond to each other output light emission signals through different subpixel lines.
상기 제1 발광 구동 회로에 포함된 버퍼 트랜지스터와 상기 제2 발광 구동 회로에 포함된 버퍼 트랜지스터는 서로 대칭적으로 배치된 디스플레이 장치.
According to paragraph 4,
A display device wherein the buffer transistor included in the first light emission driving circuit and the buffer transistor included in the second light emission driving circuit are arranged symmetrically.
상기 제1 발광 구동 회로에 포함된 버퍼 트랜지스터와 상기 제2 발광 구동 회로에 포함된 버퍼 트랜지스터는 서로 비대칭적으로 배치된 디스플레이 장치.
According to paragraph 4,
A display device wherein the buffer transistor included in the first light emission driving circuit and the buffer transistor included in the second light emission driving circuit are asymmetrically disposed.
상기 제1 발광 구동 회로에 포함된 버퍼 트랜지스터는 상기 제1 발광 구동 회로에 의해 발광 신호가 인가되는 서브픽셀 라인과 인접하게 배치되고, 상기 제2 발광 구동 회로에 포함된 버퍼 트랜지스터는 상기 제2 발광 구동 회로에 의해 발광 신호가 인가되는 서브픽셀 라인과 인접하게 배치된 디스플레이 장치.
According to clause 6,
The buffer transistor included in the first light emission driving circuit is disposed adjacent to the subpixel line to which the light emission signal is applied by the first light emission driving circuit, and the buffer transistor included in the second light emission driving circuit is disposed adjacent to the subpixel line to which the light emission signal is applied by the first light emission driving circuit. A display device disposed adjacent to a subpixel line to which a light emitting signal is applied by a driving circuit.
상기 제1 발광 구동 회로에 의해 출력된 발광 신호는 상기 제2 발광 구동 회로에 스타트 신호로 입력되는 디스플레이 장치.
According to paragraph 4,
A display device wherein the light emission signal output by the first light emission driving circuit is input as a start signal to the second light emission driving circuit.
상기 다수의 발광 구동 회로 각각은 K개의 서브픽셀 라인으로 발광 신호를 출력하고,
하나의 발광 구동 회로는 2K개의 스캔 구동 회로와 대응되도록 배치된 디스플레이 장치.
According to paragraph 1,
Each of the plurality of light emission driving circuits outputs a light emission signal through K subpixel lines,
A display device in which one light emission driving circuit is arranged to correspond to 2K scan driving circuits.
상기 다수의 게이트 라인에 의해 구동되고, 액티브 영역에 배치된 다수의 서브픽셀;
상기 액티브 영역의 양측에 배치된 다수의 스캔 구동 회로; 및
상기 액티브 영역의 상기 양측에 배치된 다수의 발광 구동 회로를 포함하고,
상기 다수의 스캔 구동 회로 각각에 포함된 버퍼 트랜지스터는 상기 스캔 구동 회로에 배치된 신호 배선이 배치된 방향과 교차하는 방향으로 배치되고,
상기 다수의 발광 구동 회로 각각에 포함된 버퍼 트랜지스터는 상기 발광 구동 회로에 배치된 신호 배선이 배치된 방향과 동일한 방향으로 배치된 디스플레이 패널.
multiple gate lines;
a plurality of subpixels driven by the plurality of gate lines and arranged in an active area;
a plurality of scan driving circuits disposed on both sides of the active area; and
comprising a plurality of light emission driving circuits disposed on both sides of the active area,
The buffer transistor included in each of the plurality of scan driving circuits is arranged in a direction that intersects the direction in which the signal wires arranged in the scan driving circuit are arranged,
A display panel wherein the buffer transistors included in each of the plurality of light emission driving circuits are arranged in the same direction as the signal wires arranged in the light emission driving circuits.
상기 다수의 발광 구동 회로 각각에 포함된 다수의 로직 트랜지스터 중 적어도 하나는 상기 발광 구동 회로에 배치된 신호 배선이 배치된 방향과 교차하는 방향으로 배치된 디스플레이 패널.
According to clause 10,
A display panel wherein at least one of the plurality of logic transistors included in each of the plurality of light emission driving circuits is arranged in a direction that intersects the direction in which the signal wires arranged in the light emission driving circuit are arranged.
상기 다수의 스캔 구동 회로 중 서로 대응되도록 배치된 제1 스캔 구동 회로와 제2 스캔 구동 회로는 서로 동일한 서브픽셀 라인으로 스캔 신호를 출력하고,
상기 다수의 발광 구동 회로 중 서로 대응되도록 배치된 제1 발광 구동 회로와 제2 발광 구동 회로는 서로 다른 서브픽셀 라인으로 발광 신호를 출력하는 디스플레이 패널.
According to clause 10,
Among the plurality of scan driving circuits, a first scan driving circuit and a second scan driving circuit arranged to correspond to each other output scan signals to the same subpixel line,
A display panel wherein among the plurality of light emission driving circuits, the first light emission driving circuit and the second light emission driving circuit arranged to correspond to each other output light emission signals through different subpixel lines.
상기 제1 발광 구동 회로에 포함된 버퍼 트랜지스터와 상기 제2 발광 구동 회로에 포함된 버퍼 트랜지스터는 서로 대칭적으로 배치된 디스플레이 패널.
According to clause 12,
A display panel wherein the buffer transistor included in the first light emission driving circuit and the buffer transistor included in the second light emission driving circuit are arranged symmetrically.
상기 제1 발광 구동 회로에 포함된 버퍼 트랜지스터와 상기 제2 발광 구동 회로에 포함된 버퍼 트랜지스터는 서로 비대칭적으로 배치된 디스플레이 패널.
According to clause 12,
A display panel wherein the buffer transistor included in the first light emission driving circuit and the buffer transistor included in the second light emission driving circuit are asymmetrically disposed.
상기 제1 발광 구동 회로에 포함된 버퍼 트랜지스터는 상기 제1 발광 구동 회로에 의해 발광 신호가 인가되는 서브픽셀 라인과 인접하게 배치되고, 상기 제2 발광 구동 회로에 포함된 버퍼 트랜지스터는 상기 제2 발광 구동 회로에 의해 발광 신호가 인가되는 서브픽셀 라인과 인접하게 배치된 디스플레이 패널.
According to clause 14,
The buffer transistor included in the first light emission driving circuit is disposed adjacent to the subpixel line to which the light emission signal is applied by the first light emission driving circuit, and the buffer transistor included in the second light emission driving circuit is disposed adjacent to the subpixel line to which the light emission signal is applied by the first light emission driving circuit. A display panel disposed adjacent to a subpixel line to which a light emitting signal is applied by a driving circuit.
상기 제1 스캔 구동 회로와 대응되도록 배치된 제2 스캔 구동 회로;
상기 제1 스캔 구동 회로를 포함한 2K개의 스캔 구동 회로와 대응되도록 배치된 제1 발광 구동 회로; 및
상기 제1 발광 구동 회로에 대응되도록 배치된 제2 발광 구동 회로를 포함하고,
상기 제1 발광 구동 회로와 상기 제2 발광 구동 회로에 포함된 버퍼 트랜지스터는 상기 제1 발광 구동 회로와 상기 제2 발광 구동 회로에 배치된 신호 배선이 배치된 방향과 동일한 방향으로 배치되고, 상기 제1 스캔 구동 회로와 상기 제2 스캔 구동 회로에 포함된 버퍼 트랜지스터는 상기 제1 스캔 구동 회로와 상기 제2 스캔 구동 회로에 배치된 신호 배선이 배치된 방향과 교차하는 방향으로 배치된 게이트 구동 회로.
a first scan driving circuit;
a second scan driving circuit arranged to correspond to the first scan driving circuit;
a first light emission driving circuit arranged to correspond to 2K scan driving circuits including the first scan driving circuit; and
A second light emission driving circuit arranged to correspond to the first light emission driving circuit,
The buffer transistors included in the first light emission driving circuit and the second light emission driving circuit are arranged in the same direction as the signal wires arranged in the first light emission driving circuit and the second light emission driving circuit, and the A gate driving circuit in which the buffer transistor included in the first scan driving circuit and the second scan driving circuit is arranged in a direction that intersects the direction in which the signal wires arranged in the first scan driving circuit and the second scan driving circuit are arranged.
상기 제1 발광 구동 회로에 포함된 버퍼 트랜지스터와 상기 제2 발광 구동 회로에 포함된 버퍼 트랜지스터는 서로 대칭적으로 배치된 게이트 구동 회로.
According to clause 16,
A gate driving circuit wherein the buffer transistor included in the first light emission driving circuit and the buffer transistor included in the second light emission driving circuit are arranged symmetrically.
상기 제1 발광 구동 회로에 포함된 버퍼 트랜지스터와 상기 제2 발광 구동 회로에 포함된 버퍼 트랜지스터는 서로 비대칭적으로 배치되고,
상기 제1 발광 구동 회로에 포함된 버퍼 트랜지스터는 상기 제1 발광 구동 회로에 의해 발광 신호가 인가되는 서브픽셀 라인과 인접하게 배치되고, 상기 제2 발광 구동 회로에 포함된 버퍼 트랜지스터는 상기 제2 발광 구동 회로에 의해 발광 신호가 인가되는 서브픽셀 라인과 인접하게 배치된 게이트 구동 회로.
According to clause 16,
The buffer transistor included in the first light emission driving circuit and the buffer transistor included in the second light emission driving circuit are asymmetrically disposed,
The buffer transistor included in the first light emission driving circuit is disposed adjacent to the subpixel line to which the light emission signal is applied by the first light emission driving circuit, and the buffer transistor included in the second light emission driving circuit is disposed adjacent to the subpixel line to which the light emission signal is applied by the first light emission driving circuit. A gate driving circuit disposed adjacent to the subpixel line to which the light emitting signal is applied by the driving circuit.
상기 제1 스캔 구동 회로와 상기 제2 스캔 구동 회로는 서로 동일한 서브픽셀 라인으로 스캔 신호를 출력하고,
상기 제1 발광 구동 회로와 상기 제2 발광 구동 회로를 서로 다른 서브픽셀 라인으로 발광 신호를 출력하는 게이트 구동 회로.According to clause 16,
The first scan driving circuit and the second scan driving circuit output scan signals to the same subpixel line,
A gate driving circuit that outputs light emission signals from the first light emission driving circuit and the second light emission driving circuit to different subpixel lines.
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