KR102591850B1 - Display device, display panel, and gate driving circuit - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 83
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 24
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 18
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 14
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 43
- 101150042817 NFS1 gene Proteins 0.000 description 7
- 101100126298 Rickettsia conorii (strain ATCC VR-613 / Malish 7) iscS gene Proteins 0.000 description 7
- 101150114492 SPL1 gene Proteins 0.000 description 7
- 101150044246 SPL8 gene Proteins 0.000 description 6
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 101150056353 SPL2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
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- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
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- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
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- Theoretical Computer Science (AREA)
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Abstract
본 발명의 실시예들은, 표시장치, 표시패널 및 게이트 구동 회로에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 각기 다른 N개의 서브픽셀 라인을 포함하는 M개의 클러스터와 각각 대응되며 제1 메인 스테이지 회로 및 제2 메인 스테이지 회로를 포함하는 M개의 게이트 구동 유닛에서, 인접한 2개의 게이트 구동 유닛 사이마다 배치되는 중간 스테이지 회로를 이용하여 클러스터 구동을 수행함으로써, 클럭신호 개수(클럭신호의 상 개수)를 줄여주고, 이를 통해, 클럭배선 개수를 줄여주고 베젤 사이즈를 작게 해줄 수 있다. Embodiments of the present invention relate to a display device, a display panel, and a gate driving circuit, and more specifically, each corresponds to M clusters including N different subpixel lines, and includes a first main stage circuit and a second main stage circuit. In M gate driving units including a main stage circuit, cluster driving is performed using an intermediate stage circuit disposed between two adjacent gate driving units, thereby reducing the number of clock signals (number of phases of the clock signal). Through this, the number of clock wiring can be reduced and the bezel size can be made smaller.
Description
본 발명의 실시예들은 표시장치, 표시패널 및 게이트 구동 회로에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to display devices, display panels, and gate driving circuits.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 다양한 종류의 표시장치가 개발되고 있다. 표시장치는 다수의 데이터 라인과 다수의 게이트 라인이 연결된 다수의 서브픽셀이 배치된 표시패널과, 다수의 데이터 라인을 구동하는 데이터 구동 회로와, 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 구동 회로 등을 포함할 수 있다. As the information society develops, various types of display devices for displaying images are being developed. The display device includes a display panel with a plurality of subpixels connected to a plurality of data lines and a plurality of gate lines, a data driving circuit for driving the plurality of data lines, and a gate driving circuit for driving the plurality of gate lines. can do.
표시장치의 게이트 구동 회로는 서로 다른 상을 갖는 클럭신호들을 이용하여, 게이트 신호를 생성하여 게이트 라인들로 출력한다. 따라서, 표시패널에는 게이트 구동 회로로 클럭신호들을 전달하기 위한 클럭배선들이 배치된다. The gate driving circuit of the display device uses clock signals having different phases to generate a gate signal and outputs it to gate lines. Accordingly, clock wires for transmitting clock signals to the gate driving circuit are disposed on the display panel.
표시장치는 구동이 복잡해지거나 필요한 기능(예: 보상 등)이 추가되는 경우, 필요한 클럭신호의 상이 더욱더 많아져야만 한다. 이로 인해, 표시패널에 배치되는 클럭배선들의 개수도 증가하게 되어, 베젤 사이즈가 커지는 문제점이 있어왔다. When driving a display device becomes more complicated or necessary functions (e.g. compensation, etc.) are added, the number of clock signal phases required must increase. As a result, the number of clock wires arranged on the display panel also increases, causing a problem in that the bezel size increases.
본 발명의 실시예들은, 클럭신호 개수(클럭신호의 상 개수)를 줄여주고, 이를 통해, 클럭배선 개수를 줄여주고 베젤 사이즈를 작게 해줄 수 있는 표시장치, 표시패널 및 게이트 구동 회로를 제공할 수 있다. Embodiments of the present invention can provide a display device, display panel, and gate driving circuit that can reduce the number of clock signals (number of phases of the clock signal), thereby reducing the number of clock wires and reducing the bezel size. there is.
또한, 본 발명의 실시예들은, 구동이 복잡해지거나 필요한 기능(예: 보상 등)이 추가되는 경우, 클럭신호 개수(클럭신호의 상 개수)를 줄여주면서도 정상적인 구동을 가능하게 하는 표시장치, 표시패널 및 게이트 구동 회로를 제공할 수 있다.In addition, embodiments of the present invention provide a display device and display panel that enable normal operation while reducing the number of clock signals (number of phases of the clock signal) when driving becomes complicated or necessary functions (e.g. compensation, etc.) are added. and a gate driving circuit.
또한, 본 발명의 실시예들은, 디스플레이 구동 중에 충분한 센싱 시간을 확보해줄 수 있는 클러스터 구동을 수행하는 표시장치, 표시패널 및 게이트 구동 회로를 제공할 수 있다.Additionally, embodiments of the present invention can provide a display device, display panel, and gate driving circuit that perform cluster driving that can secure sufficient sensing time during display driving.
일 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인이 배치되고, 다수의 서브픽셀을 포함하는 표시패널과, 다수의 데이터 라인을 구동하는 데이터 구동 회로와, 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 구동 회로와, 데이터 구동 회로 및 게이트 구동 회로를 제어하는 컨트롤러를 포함하는 표시장치를 제공할 수 있다. In one aspect, embodiments of the present invention include a display panel on which a plurality of data lines and a plurality of gate lines are arranged and including a plurality of subpixels, a data driving circuit that drives the plurality of data lines, and a plurality of gates. A display device including a gate driving circuit that drives a line, a data driving circuit, and a controller that controls the gate driving circuit can be provided.
다수의 서브픽셀은 M개의 클러스터로 그룹화되고, M(M≥2)개의 클러스터 각각은 N(N≥2)개의 서브픽셀 라인을 포함하고, M개의 클러스터 각각에 포함된 N개의 서브픽셀 라인에 배치된 서브픽셀들은 동시에 발광할 수 있다. A plurality of subpixels are grouped into M clusters, each of the M(M≥2) clusters includes N(N≥2) subpixel lines, and is placed on the N subpixel lines included in each of the M clusters. The subpixels can emit light simultaneously.
게이트 구동 회로는, M개의 클러스터와 대응되는 M개의 게이트 구동 유닛과, M개의 게이트 구동 유닛 중 인접한 2개의 게이트 구동 유닛 사이마다 배치되는 중간 스테이지 회로를 포함할 수 있다. M개의 게이트 구동 유닛 각각은 제1 메인 스테이지 회로 및 제2 메인 스테이지 회로를 포함할 수 있다. The gate driving circuit may include M gate driving units corresponding to the M clusters, and an intermediate stage circuit disposed between two adjacent gate driving units among the M gate driving units. Each of the M gate driving units may include a first main stage circuit and a second main stage circuit.
M개의 게이트 구동 유닛은, M개의 클러스터 중 (i-1)번째 클러스터에 배치된 게이트 라인들을 구동하는 (i-1)번째 게이트 구동 유닛과, M개의 클러스터 중 i번째 클러스터에 배치된 게이트 라인들을 구동하는 i번째 게이트 구동 유닛과, M개의 클러스터 중 (i+1)번째 클러스터에 배치된 게이트 라인들을 구동하는 (i+1)번째 게이트 구동 유닛을 포함할 수 있다. The M gate driving units include an (i-1)th gate driving unit that drives gate lines arranged in the (i-1)th cluster among the M clusters, and a (i-1)th gate driving unit that drives gate lines arranged in the ith cluster among the M clusters. It may include an i-th gate driving unit that drives and an (i+1)-th gate driving unit that drives gate lines arranged in the (i+1)-th cluster among the M clusters.
i번째 게이트 구동 유닛과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 중간 스테이지 회로는, i번째 게이트 구동 유닛 및 (i+1)번째 게이트 구동 유닛으로 중간 캐리신호를 출력하되, i번째 게이트 구동 유닛으로 중간 캐리신호를 i번째 게이트 구동 유닛의 리셋 신호로서 출력하고, (i+1)번째 게이트 구동 유닛으로 중간 캐리신호를 (i+1)번째 게이트 구동 유닛의 셋 신호로서 출력할 수 있다. The intermediate stage circuit disposed between the i-th gate driving unit and the (i+1)-th gate driving unit outputs an intermediate carry signal to the ith gate driving unit and the (i+1)-th gate driving unit, and outputs an intermediate carry signal to the i-th gate driving unit. The intermediate carry signal can be output to the driving unit as a reset signal of the ith gate driving unit, and the intermediate carry signal can be output to the (i+1)th gate driving unit as a set signal of the (i+1)th gate driving unit. .
i번째 게이트 구동 유닛과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 중간 스테이지 회로는, i번째 게이트 구동 유닛 및 (i+1)번째 게이트 구동 유닛으로부터 캐리신호를 입력 받을 수 있다. 이 경우, i번째 게이트 구동 유닛으로부터 입력되는 캐리신호는 중간 스테이지 회로의 셋 신호이고, (i+1)번째 게이트 구동 유닛으로부터 입력되는 캐리신호는를 중간 스테이지 회로의 리셋 신호일 수 있다. The intermediate stage circuit disposed between the i-th gate driving unit and the (i+1)-th gate driving unit may receive a carry signal from the i-th gate driving unit and the (i+1)-th gate driving unit. In this case, the carry signal input from the i-th gate driving unit may be a set signal of the mid-stage circuit, and the carry signal input from the (i+1)-th gate driving unit may be a reset signal of the mid-stage circuit.
이와 다르게, i번째 게이트 구동 유닛과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 중간 스테이지 회로는, (i-1)번째 게이트 구동 유닛과 i번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 중간 스테이지 회로로부터 중간 캐리신호를 셋 신호로서 입력 받고, (i+1)번째 게이트 구동 유닛과 다음의 (i+2)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 중간 스테이지 회로로부터 중간 캐리신호를 리셋 신호로서 입력 받을 수 있다. Differently, the intermediate stage circuit disposed between the ith gate driving unit and the (i+1)th gate driving unit is from the intermediate stage circuit disposed between the (i-1)th gate driving unit and the ith gate driving unit. The intermediate carry signal can be input as a set signal, and the intermediate carry signal can be input as a reset signal from the intermediate stage circuit placed between the (i+1)th gate driving unit and the next (i+2)th gate driving unit. .
다른 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 액티브 영역에 배치되며, 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인과 연결된 다수의 서브픽셀과, 액티브 영역의 외곽 영역인 넌-액티브 영역에 배치되며, 다수의 게이트 라인과 연결되는 게이트 구동 회로를 포함하는 표시패널을 제공할 수 있다. In another aspect, embodiments of the present invention are arranged in an active area, a plurality of subpixels connected to a plurality of data lines and a plurality of gate lines, a non-active area outside the active area, and a plurality of subpixels A display panel including a gate driving circuit connected to a gate line can be provided.
다수의 서브픽셀은 M개의 클러스터로 그룹화되고, M(M≥2)개의 클러스터 각각은 N(N≥2)개의 서브픽셀 라인을 포함하고, M개의 클러스터 각각에 포함된 N개의 서브픽셀 라인에 배치된 서브픽셀들은 동시에 발광할 수 있다. A plurality of subpixels are grouped into M clusters, each of the M(M≥2) clusters includes N(N≥2) subpixel lines, and is placed on the N subpixel lines included in each of the M clusters. The subpixels can emit light simultaneously.
게이트 구동 회로는, M개의 클러스터에 대응되고, 제1 메인 스테이지 회로 및 제2 메인 스테이지 회로를 각각 포함하는 M개의 게이트 구동 유닛과, M개의 게이트 구동 유닛 중 인접한 2개의 게이트 구동 유닛 사이마다 배치되는 중간 스테이지 회로를 포함할 수 있다. The gate driving circuit corresponds to M clusters and is disposed between M gate driving units each including a first main stage circuit and a second main stage circuit, and two adjacent gate driving units among the M gate driving units. May include mid-stage circuitry.
M개의 게이트 구동 유닛은, M개의 클러스터 중 (i-1)번째 클러스터에 배치된 게이트 라인들을 구동하는 (i-1)번째 게이트 구동 유닛과, M개의 클러스터 중 i번째 클러스터에 배치된 게이트 라인들을 구동하는 i번째 게이트 구동 유닛과, M개의 클러스터 중 (i+1)번째 클러스터에 배치된 게이트 라인들을 구동하는 (i+1)번째 게이트 구동 유닛을 포함할 수 있다. The M gate driving units include an (i-1)th gate driving unit that drives gate lines arranged in the (i-1)th cluster among the M clusters, and a (i-1)th gate driving unit that drives gate lines arranged in the ith cluster among the M clusters. It may include an i-th gate driving unit that drives and an (i+1)-th gate driving unit that drives gate lines arranged in the (i+1)-th cluster among the M clusters.
i번째 게이트 구동 유닛과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 중간 스테이지 회로는, i번째 게이트 구동 유닛 및 (i+1)번째 게이트 구동 유닛으로부터 캐리신호를 입력 받고, i번째 게이트 구동 유닛 및 (i+1)번째 게이트 구동 유닛으로 중간 캐리신호를 출력할 수 있다. The middle stage circuit disposed between the ith gate driving unit and the (i+1)th gate driving unit receives a carry signal from the ith gate driving unit and the (i+1)th gate driving unit, and drives the ith gate. An intermediate carry signal can be output to the unit and the (i+1)th gate driving unit.
i번째 게이트 구동 유닛과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 중간 스테이지 회로는, i번째 게이트 구동 유닛으로부터 캐리신호를 중간 스테이지 회로의 셋 신호로서 입력 받고, (i+1)번째 게이트 구동 유닛으로부터 캐리신호를 중간 스테이지 회로의 리셋 신호로서 입력 받고, i번째 게이트 구동 유닛으로 중간 캐리신호를 i번째 게이트 구동 유닛의 리셋 신호로서 출력하고, (i+1)번째 게이트 구동 유닛으로 중간 캐리신호를 (i+1)번째 게이트 구동 유닛의 셋 신호로서 출력할 수 있다. 이 경우, 표시패널은 넌-액티브 영역에 배치되는 (N+4)개의 클럭배선을 더 포함할 수 있다. The mid-stage circuit disposed between the ith gate driving unit and the (i+1)-th gate driving unit receives a carry signal from the ith gate driving unit as a set signal of the mid-stage circuit, and drives the (i+1)-th gate. A carry signal is input from the driving unit as a reset signal of the intermediate stage circuit, an intermediate carry signal is output to the i-th gate driving unit as a reset signal of the i-th gate driving unit, and an intermediate carry is output to the (i+1)-th gate driving unit. The signal can be output as a set signal of the (i+1)th gate driving unit. In this case, the display panel may further include (N+4) clock wires arranged in the non-active area.
또 다른 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 액티브 영역에 배치되며, 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인과 연결된 다수의 서브픽셀과, 액티브 영역의 외곽 영역인 넌-액티브 영역에 배치되며, 다수의 게이트 라인과 연결되는 게이트 구동 회로를 포함하는 표시패널을 제공할 수 있다. In another aspect, embodiments of the present invention are arranged in an active area, a plurality of subpixels connected to a plurality of data lines and a plurality of gate lines, a non-active area outside the active area, and a plurality of subpixels A display panel including a gate driving circuit connected to a gate line can be provided.
다수의 서브픽셀은 M개의 클러스터로 그룹화되고, M(M≥2)개의 클러스터 각각은 N(N≥2)개의 서브픽셀 라인을 포함하고, M개의 클러스터 각각에 포함된 N개의 서브픽셀 라인에 배치된 서브픽셀들은 동시에 발광할 수 있다. A plurality of subpixels are grouped into M clusters, each of the M(M≥2) clusters includes N(N≥2) subpixel lines, and is placed on the N subpixel lines included in each of the M clusters. The subpixels can emit light simultaneously.
게이트 구동 회로는, M개의 클러스터에 대응되고, 제1 메인 스테이지 회로 및 제2 메인 스테이지 회로를 각각 포함하는 M개의 게이트 구동 유닛과, M개의 게이트 구동 유닛 중 인접한 2개의 게이트 구동 유닛 사이마다 배치되는 중간 스테이지 회로를 포함할 수 있다. The gate driving circuit corresponds to M clusters and is disposed between M gate driving units each including a first main stage circuit and a second main stage circuit, and two adjacent gate driving units among the M gate driving units. May include mid-stage circuitry.
M개의 게이트 구동 유닛은, M개의 클러스터 중 (i-1)번째 클러스터에 배치된 게이트 라인들을 구동하는 (i-1)번째 게이트 구동 유닛과, M개의 클러스터 중 i번째 클러스터에 배치된 게이트 라인들을 구동하는 i번째 게이트 구동 유닛과, M개의 클러스터 중 (i+1)번째 클러스터에 배치된 게이트 라인들을 구동하는 (i+1)번째 게이트 구동 유닛을 포함할 수 있다. The M gate driving units include an (i-1)th gate driving unit that drives gate lines arranged in the (i-1)th cluster among the M clusters, and a (i-1)th gate driving unit that drives gate lines arranged in the ith cluster among the M clusters. It may include an i-th gate driving unit that drives and an (i+1)-th gate driving unit that drives gate lines arranged in the (i+1)-th cluster among the M clusters.
i번째 게이트 구동 유닛과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 중간 스테이지 회로는, i번째 게이트 구동 유닛 및 (i+1)번째 게이트 구동 유닛으로 중간 캐리신호를 출력하되, i번째 게이트 구동 유닛으로 중간 캐리신호를 i번째 게이트 구동 유닛의 리셋 신호로서 출력하고, (i+1)번째 게이트 구동 유닛으로 중간 캐리신호를 (i+1)번째 게이트 구동 유닛의 셋 신호로서 출력할 수 있다. The intermediate stage circuit disposed between the i-th gate driving unit and the (i+1)-th gate driving unit outputs an intermediate carry signal to the ith gate driving unit and the (i+1)-th gate driving unit, and outputs an intermediate carry signal to the i-th gate driving unit. The intermediate carry signal can be output to the driving unit as a reset signal of the ith gate driving unit, and the intermediate carry signal can be output to the (i+1)th gate driving unit as a set signal of the (i+1)th gate driving unit. .
i번째 게이트 구동 유닛과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 중간 스테이지 회로는, (i-1)번째 게이트 구동 유닛과 i번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 중간 스테이지 회로로부터 중간 캐리신호를 셋 신호로서 입력 받고, (i+1)번째 게이트 구동 유닛과 다음의 (i+2)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 중간 스테이지 회로로부터 중간 캐리신호를 리셋 신호로서 입력 받을 수 있다. 이 경우, 이러한 표시패널은 넌-액티브 영역에 배치되는 (N+5)개의 클럭배선을 더 포함할 수 있다. The intermediate stage circuit disposed between the ith gate driving unit and the (i+1)th gate driving unit receives an intermediate carry signal from the intermediate stage circuit disposed between the (i-1)th gate driving unit and the ith gate driving unit. can be input as a set signal, and an intermediate carry signal can be input as a reset signal from an intermediate stage circuit disposed between the (i+1)-th gate driving unit and the next (i+2)-th gate driving unit. In this case, this display panel may further include (N+5) clock wires arranged in the non-active area.
또 다른 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 액티브 영역에 배치되며, 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인과 연결된 다수의 서브픽셀과, 액티브 영역의 외곽 영역인 넌-액티브 영역에 배치되며, 다수의 게이트 라인과 연결되는 게이트 구동 회로를 포함하는 표시패널을 제공할 수 있다. In another aspect, embodiments of the present invention are arranged in an active area, a plurality of subpixels connected to a plurality of data lines and a plurality of gate lines, a non-active area outside the active area, and a plurality of subpixels A display panel including a gate driving circuit connected to a gate line can be provided.
다수의 서브픽셀은 M개의 클러스터로 그룹화되고, M개의 클러스터 각각은 N개의 서브픽셀 라인을 포함할 수 있다. M은 2 이상의 자연수이고, N은 2이상의 자연수일 수 있다. Multiple subpixels are grouped into M clusters, and each of the M clusters may include N subpixel lines. M may be a natural number of 2 or more, and N may be a natural number of 2 or more.
M개의 클러스터 각각에 포함된 N개의 서브픽셀 라인에 배치된 서브픽셀들은 동시에 발광할 수 있다. Subpixels arranged on N subpixel lines included in each of M clusters may emit light simultaneously.
중간 스테이지 회로의 셋 및 리셋 처리 방식에 따라, 표시패널은, 넌-액티브 영역에 배치되며 (N+4)개의 클럭신호를 게이트 구동 회로로 공급하는 (N+4)개의 클럭배선을 더 포함하거나, 넌-액티브 영역에 배치되며 (N+5)개의 클럭신호를 게이트 구동 회로로 공급하는 (N+5)개의 클럭배선을 더 포함할 수 있다. Depending on the set and reset processing method of the intermediate stage circuit, the display panel may further include (N+4) clock wires that are placed in the non-active area and supply (N+4) clock signals to the gate driving circuit. , It is disposed in the non-active area and may further include (N+5) clock wires that supply (N+5) clock signals to the gate driving circuit.
다수의 게이트 라인은 다수의 스캔라인, 다수의 센스라인 및 다수의 발광제어라인을 포함할 수 있다. The multiple gate lines may include multiple scan lines, multiple sense lines, and multiple light emission control lines.
다수의 서브픽셀 각각은, 발광소자와, 발광소자를 구동하는 구동 트랜지스터와, 스캔신호에 응답하여 구동 트랜지스터의 제1 노드와 해당 데이터 라인 간의 연결을 제어하는 스캔 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 제1 노드와 제2 노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터를 포함할 수 있다. Each of the plurality of subpixels includes a light-emitting device, a driving transistor that drives the light-emitting device, a scan transistor that controls the connection between the first node of the driving transistor and the corresponding data line in response to a scan signal, and a first node of the driving transistor. It may include a storage capacitor electrically connected between and the second node.
다수의 서브픽셀의 전체 또는 일부는, 센스신호에 응답하여 구동 트랜지스터의 제2 노드와 해당 기준라인 간의 연결을 제어하는 센스 트랜지스터와, 발광제어신호에 응답하여 발광소자의 발광을 제어하는 발광제어 트랜지스터 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다. All or part of the plurality of subpixels include a sense transistor that controls the connection between the second node of the driving transistor and the corresponding reference line in response to a sense signal, and a light emission control transistor that controls light emission of the light emitting device in response to a light emission control signal. It may further include one or more of the following.
N개의 서브픽셀 라인에 배치된 센스 트랜지스터들의 게이트 노드들은 전기적으로 연결되거나 센스신호가 동시에 인가될 수 있다. Gate nodes of sense transistors arranged in N subpixel lines may be electrically connected or sense signals may be applied simultaneously.
N개의 서브픽셀 라인에 배치된 발광제어 트랜지스터들의 게이트 노드들은 전기적으로 연결되거나 발광제어신호가 동시에 인가될 수 있다.The gate nodes of the emission control transistors arranged in the N subpixel lines may be electrically connected or an emission control signal may be applied simultaneously.
또 다른 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 각기 다른 N(N≥2)개의 서브픽셀 라인을 포함하는 M(M≥2)개의 클러스터와 각각 대응되는 M개의 게이트 구동 유닛과, M개의 게이트 구동 유닛 중 인접한 2개의 게이트 구동 유닛 사이마다 배치되는 중간 스테이지 회로를 포함하는 게이트 구동 회로를 제공할 수 있다. In another aspect, embodiments of the present invention include M gate driving units each corresponding to M (M ≥ 2) clusters including different N (N ≥ 2) subpixel lines, and M gate driving units. A gate driving circuit including an intermediate stage circuit disposed between two adjacent gate driving units among the units may be provided.
M개의 게이트 구동 유닛 각각은 제1 메인 스테이지 회로 및 제2 메인 스테이지 회로를 포함할 수 있다. Each of the M gate driving units may include a first main stage circuit and a second main stage circuit.
M개의 게이트 구동 유닛은, M개의 클러스터 중 (i-1)번째 클러스터에 배치된 게이트 라인들을 구동하는 (i-1)번째 게이트 구동 유닛과, M개의 클러스터 중 i번째 클러스터에 배치된 게이트 라인들을 구동하는 i번째 게이트 구동 유닛과, M개의 클러스터 중 (i+1)번째 클러스터에 배치된 게이트 라인들을 구동하는 (i+1)번째 게이트 구동 유닛을 포함할 수 있다. The M gate driving units include an (i-1)th gate driving unit that drives gate lines arranged in the (i-1)th cluster among the M clusters, and a (i-1)th gate driving unit that drives gate lines arranged in the ith cluster among the M clusters. It may include an i-th gate driving unit that drives and an (i+1)-th gate driving unit that drives gate lines arranged in the (i+1)-th cluster among the M clusters.
i번째 게이트 구동 유닛과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 중간 스테이지 회로는, i번째 게이트 구동 유닛 및 (i+1)번째 게이트 구동 유닛으로 중간 캐리신호를 출력하되, i번째 게이트 구동 유닛으로 중간 캐리신호를 i번째 게이트 구동 유닛의 리셋 신호로서 출력하고, (i+1)번째 게이트 구동 유닛으로 중간 캐리신호를 (i+1)번째 게이트 구동 유닛의 셋 신호로서 출력할 수 있다. The intermediate stage circuit disposed between the i-th gate driving unit and the (i+1)-th gate driving unit outputs an intermediate carry signal to the ith gate driving unit and the (i+1)-th gate driving unit, and outputs an intermediate carry signal to the i-th gate driving unit. The intermediate carry signal can be output to the driving unit as a reset signal of the ith gate driving unit, and the intermediate carry signal can be output to the (i+1)th gate driving unit as a set signal of the (i+1)th gate driving unit. .
i번째 게이트 구동 유닛과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 중간 스테이지 회로는, i번째 게이트 구동 유닛으로부터 캐리신호를 중간 스테이지 회로의 셋 신호로서 입력받을 수 있다. 여기서, i번째 게이트 구동 유닛으로부터 입력되는 캐리신호는 중간 스테이지 회로의 셋 신호이고, (i+1)번째 게이트 구동 유닛으로부터 입력되는 캐리신호는 중간 스테이지 회로의 리셋 신호일 수 있다. The intermediate stage circuit disposed between the i-th gate driving unit and the (i+1)-th gate driving unit may receive a carry signal from the i-th gate driving unit as a set signal of the intermediate stage circuit. Here, the carry signal input from the i-th gate driving unit may be a set signal of the mid-stage circuit, and the carry signal input from the (i+1)-th gate driving unit may be a reset signal of the mid-stage circuit.
이와 다르게, i번째 게이트 구동 유닛과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 중간 스테이지 회로는, (i-1)번째 게이트 구동 유닛과 i번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 중간 스테이지 회로로부터 중간 캐리신호를 셋 신호로서 입력 받고, (i+1)번째 게이트 구동 유닛과 다음의 (i+2)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 중간 스테이지 회로로부터 중간 캐리신호를 리셋 신호로서 입력 받을 수 있다. Differently, the intermediate stage circuit disposed between the ith gate driving unit and the (i+1)th gate driving unit is from the intermediate stage circuit disposed between the (i-1)th gate driving unit and the ith gate driving unit. The intermediate carry signal can be input as a set signal, and the intermediate carry signal can be input as a reset signal from the intermediate stage circuit placed between the (i+1)th gate driving unit and the next (i+2)th gate driving unit. .
본 발명의 실시예들에 의하면, 클럭신호 개수(클럭신호의 상 개수)를 줄여주고, 이를 통해, 클럭배선 개수를 줄여주고 베젤 사이즈를 작게 해줄 수 있는 표시장치, 표시패널 및 게이트 구동 회로를 제공할 수 있다. According to embodiments of the present invention, a display device, display panel, and gate driving circuit are provided that can reduce the number of clock signals (number of phases of the clock signal), thereby reducing the number of clock wires and reducing the bezel size. can do.
또한, 본 발명의 실시예들에 의하면, 구동이 복잡해지거나 필요한 기능(예: 보상 등)이 추가되는 경우, 클럭신호 개수(클럭신호의 상 개수)를 줄여주면서도 정상적인 구동을 가능하게 하는 표시장치, 표시패널 및 게이트 구동 회로를 제공할 수 있다.In addition, according to embodiments of the present invention, when driving becomes complicated or necessary functions (e.g. compensation, etc.) are added, a display device that enables normal driving while reducing the number of clock signals (number of phases of the clock signal); A display panel and gate driving circuit can be provided.
또한, 본 발명의 실시예들에 의하면, 디스플레이 구동 중에 충분한 센싱 시간을 확보해줄 수 있는 클러스터 구동을 수행하는 표시장치, 표시패널 및 게이트 구동 회로를 제공할 수 있다.Additionally, according to embodiments of the present invention, it is possible to provide a display device, a display panel, and a gate driving circuit that perform cluster driving that can secure sufficient sensing time during display driving.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 시스템 구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 서브픽셀의 등가회로이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 게이트 구동 회로를 구성하는 게이트 구동 유닛을 간략하게 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 기본적인 구동 기간들을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 서브픽셀에 대한 구동 시, 서브픽셀에 인가되는 게이트 신호들을 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 순차 구동에 대한 타이밍도다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 순차 구동에 필요한 클럭배선 구조를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 클러스터 구동을 위한 서브픽셀 라인들에 대한 클러스터링을 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 클러스터 구동에 대한 타이밍도다.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 클러스터 구동 시, 하나의 클러스터에 인가되는 게이트 신호들을 나타낸 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 클러스터 구동에 필요한 클럭배선 구조를 나타낸 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 클러스터 구동에 필요한 클럭배선 개수를 저감하기 위하여, 중간 스테이지를 갖는 게이트 구동 회로를 나타낸 도면이다.
도 13은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 클러스터 구동에 필요한 클럭배선 개수를 저감한 구조를 나타낸 도면이다.
도 14는 도 12의 중간 스테이지를 갖는 게이트 구동 회로를 더욱 상세하게 나타낸 도면이다.
도 15는 도 14의 제1 메인 스테이지 회로를 나타낸 도면이다.
도 16은 도 14의 제2 메인 스테이지 회로를 나타낸 도면이다.
도 17은 도 14의 중간 스테이지 회로를 나타낸 도면이다.
도 18은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 클러스터 구동을 위한 센스신호 및 발광제어신호의 공급 구조를 간략하게 나타낸 도면이다.
도 19는 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 클러스터 구동을 위한 센스신호 및 발광제어신호의 다른 공급 구조를 간략하게 나타낸 도면이다.
도 20은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 클러스터 구동을 위하여, 중간 스테이지를 갖는 게이트 구동 회로에 공급되는 클럭신호들에 대한 클럭 타이밍도이다.
도 21은 3가지 구동 방식(순차 구동 방식, 클러스터 구동 방식, 중간 스테이지를 갖는 클러스터 구동 방식)에 따른 클럭 개수를 나타낸 도면이다. 1 is a system configuration diagram of a display device according to embodiments of the present invention.
Figure 2 is an equivalent circuit of a subpixel of a display device according to embodiments of the present invention.
FIG. 3 is a diagram schematically showing a gate driving unit constituting a gate driving circuit of a display device according to embodiments of the present invention.
Figure 4 is a diagram showing basic driving periods of a display device according to embodiments of the present invention.
FIG. 5 is a diagram illustrating gate signals applied to a subpixel when driving a subpixel of a display device according to embodiments of the present invention.
Figure 6 is a timing diagram for sequential driving of a display device according to embodiments of the present invention.
Figure 7 is a diagram showing a clock wiring structure required for sequential driving of a display device according to embodiments of the present invention.
Figure 8 is a diagram showing clustering of subpixel lines for cluster driving of a display device according to embodiments of the present invention.
Figure 9 is a timing diagram for cluster driving of a display device according to embodiments of the present invention.
Figure 10 is a diagram showing gate signals applied to one cluster when driving a cluster of a display device according to embodiments of the present invention.
FIG. 11 is a diagram showing a clock wiring structure required to drive a cluster of a display device according to embodiments of the present invention.
FIG. 12 is a diagram illustrating a gate driving circuit having an intermediate stage to reduce the number of clock wires required for cluster driving of a display device according to embodiments of the present invention.
FIG. 13 is a diagram illustrating a structure in which the number of clock wires required to drive a cluster of a display device according to embodiments of the present invention is reduced.
FIG. 14 is a diagram showing the gate driving circuit with the intermediate stage of FIG. 12 in more detail.
FIG. 15 is a diagram showing the first main stage circuit of FIG. 14.
FIG. 16 is a diagram showing the second main stage circuit of FIG. 14.
FIG. 17 is a diagram showing the intermediate stage circuit of FIG. 14.
Figure 18 is a diagram briefly showing the supply structure of a sense signal and an emission control signal for driving a cluster of a display device according to embodiments of the present invention.
Figure 19 is a diagram briefly showing another supply structure of a sense signal and a light emission control signal for driving a cluster of a display device according to embodiments of the present invention.
FIG. 20 is a clock timing diagram of clock signals supplied to a gate driving circuit having an intermediate stage for cluster driving of a display device according to embodiments of the present invention.
Figure 21 is a diagram showing the number of clocks according to three driving methods (sequential driving method, cluster driving method, and cluster driving method with an intermediate stage).
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다. 본 명세서 상에서 언급된 "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "~만"이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별한 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the exemplary drawings. In adding reference numerals to components in each drawing, the same components may have the same reference numerals as much as possible even if they are shown in different drawings. Additionally, when describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description may be omitted. When “comprises,” “has,” “consists of,” etc. mentioned in the specification are used, other parts may be added unless “only” is used. When a component is expressed in the singular, it can also include the plural, unless specifically stated otherwise.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. Additionally, when describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, sequence, order, or number of the components are not limited by the term.
구성 요소들의 위치 관계에 대한 설명에 있어서, 둘 이상의 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속" 등이 된다고 기재된 경우, 둘 이상의 구성 요소가 직접적으로 "연결", "결합" 또는 "접속" 될 수 있지만, 둘 이상의 구성 요소와 다른 구성 요소가 더 "개재"되어 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 여기서, 다른 구성 요소는 서로 "연결", "결합" 또는 "접속" 되는 둘 이상의 구성 요소 중 하나 이상에 포함될 수도 있다. In the description of the positional relationship of components, when two or more components are described as being “connected,” “coupled,” or “connected,” the two or more components are directly “connected,” “coupled,” or “connected.” ", but it should be understood that two or more components and other components may be further "interposed" and "connected," "combined," or "connected." Here, other components may be included in one or more of two or more components that are “connected,” “coupled,” or “connected” to each other.
구성 요소들이나, 동작 방법이나 제작 방법 등과 관련한 시간적 흐름 관계에 대한 설명에 있어서, 예를 들어, "~후에", "~에 이어서", "~다음에", "~전에" 등으로 시간적 선후 관계 또는 흐름적 선후 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the description of temporal flow relationships related to components, operation methods, production methods, etc., for example, temporal precedence relationships such as “after”, “after”, “after”, “before”, etc. Or, when a sequential relationship is described, non-continuous cases may be included unless “immediately” or “directly” is used.
한편, 구성 요소에 대한 수치 또는 그 대응 정보(예: 레벨 등)가 언급된 경우, 별도의 명시적 기재가 없더라도, 수치 또는 그 대응 정보는 각종 요인(예: 공정상의 요인, 내부 또는 외부 충격, 노이즈 등)에 의해 발생할 수 있는 오차 범위를 포함하는 것으로 해석될 수 있다.On the other hand, when a numerical value or corresponding information (e.g., level, etc.) for a component is mentioned, even if there is no separate explicit description, the numerical value or corresponding information is related to various factors (e.g., process factors, internal or external shocks, It can be interpreted as including the error range that may occur due to noise, etc.).
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)의 시스템 구성도이다. 1 is a system configuration diagram of a
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)는, 다수의 데이터라인(DL) 및 다수의 게이트라인(GL)이 배치되고, 다수의 데이터라인(DL) 및 다수의 게이트라인(GL)과 연결되는 다수의 서브픽셀(SP)이 배열된 표시패널(110)과, 표시패널(110)을 구동하기 위한 구동 회로를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, the
구동 회로는, 기능적으로 볼 때, 다수의 데이터라인(DL)을 구동하는 데이터 구동 회로(120)와, 다수의 게이트라인(GL)을 구동하는 게이트 구동 회로(130)와, 데이터 구동 회로(120) 및 게이트 구동 회로(130)를 제어하는 컨트롤러(140) 등을 포함할 수 있다. Functionally, the driving circuit includes a
표시패널(110)에서 다수의 데이터라인(DL) 및 다수의 게이트라인(GL)은 서로 교차하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 다수의 데이터라인(DL)은 행(Row) 또는 열(Column)으로 배치될 수 있고, 다수의 게이트라인(GL)은 열(Column) 또는 행(Row)으로 배치될 수 있다. 아래에서는, 설명의 편의를 위하여, 다수의 데이터라인(DL)은 행(Row)으로 배치되고, 다수의 게이트라인(GL)은 열(Column)로 배치되는 것으로 가정한다. In the
컨트롤러(140)는, 데이터 구동 회로(120) 및 게이트 구동 회로(130)의 구동 동작에 필요한 각종 제어신호(DCS, GCS)를 공급하여, 데이터 구동 회로(120) 및 게이트 구동 회로(130)를 제어한다. The
이러한 컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상 데이터를 데이터 구동 회로(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터(DATA)를 출력하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 통제한다. This
전술한 컨트롤러(140)는, 입력 영상 데이터와 함께, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블(DE: Data Enable) 신호, 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호들을 외부(예: 호스트 시스템)로부터 수신한다. The above-described
컨트롤러(140)는, 외부로부터 입력된 입력 영상 데이터를 데이터 구동 회로(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터(DATA)를 출력하는 것 이외에, 데이터 구동 회로(120) 및 게이트 구동 회로(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 DE 신호, 클럭 신호 등의 타이밍 신호를 입력 받아, 각종 제어 신호들을 생성하여 데이터 구동 회로(120) 및 게이트 구동 회로(130)로 출력한다. The
예를 들어, 컨트롤러(140)는, 게이트 구동 회로(130)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS: Gate Control Signal)를 출력한다. 여기서, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 게이트 구동 회로(130)를 구성하는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭(GSC)은 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔신호(게이트 펄스)의 쉬프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 타이밍 정보를 지정하고 있다. For example, the
또한, 컨트롤러(140)는, 데이터 구동 회로(120)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Source Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호(DCS: Data Control Signal)를 출력한다. 여기서, 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 구동 회로(120)를 구성하는 하나 이상의 소스-드라이버 집적회로의 데이터 샘플링 시작 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 소스-드라이버 집적회로 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 구동 회로(120)의 출력 타이밍을 제어한다.In addition, the
이러한 컨트롤러(140)는 통상의 디스플레이 기술에서 이용되는 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)이거나, 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)를 포함하여 다른 제어 기능도 더 수행할 수 있는 제어장치일 수 있다. This
컨트롤러(140)는, 데이터 구동 회로(120)와 별도의 부품으로 구현될 수도 있고, 데이터 구동 회로(120)와 함께 통합되어 집적회로로 구현될 수 있다. The
데이터 구동 회로(120)는, 컨트롤러(140)로부터 영상 데이터(DATA)를 입력 받아 다수의 데이터라인(DL)로 데이터 전압을 공급함으로써, 다수의 데이터라인(DL)을 구동한다. 여기서, 데이터 구동 회로(120)는 소스 구동 회로라고도 한다. The
데이터 구동 회로(120)는, 적어도 하나의 소스-드라이버 집적회로(S-DIC: Source-Driver Integrated Circuit)를 포함하여 구현될 수 있다. 각 소스-드라이버 집적회로(S-DIC)는, 시프트 레지스터(Shift Register), 래치 회로(Latch Circuit), 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter), 출력 버퍼(Output Buffer) 등을 포함할 수 있다. 각 소스-드라이버 집적회로(S-DIC)는, 경우에 따라서, 아날로그-디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 더 포함할 수 있다. The
각 소스-드라이버 집적회로(S-DIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG: Chip On Glass) 방식으로 표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또한, 각 소스-드라이버 집적회로(S-DIC)는, 표시패널(110)에 연결된 소스-회로필름 상에 실장 되는 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수도 있다.Each source-driver integrated circuit (S-DIC) is connected to a bonding pad of the
게이트 구동 회로(130)는, 다수의 게이트라인(GL)로 스캔신호를 순차적으로 공급함으로써, 다수의 게이트라인(GL)을 순차적으로 구동한다. 여기서, 게이트 구동 회로(130)는 스캔 구동 회로라고도 한다. The
게이트 구동 회로(130)는, 시프트 레지스터(Shift Register), 레벨 시프터(Level Shifter) 등을 포함할 수 있다. The
게이트 구동 회로(130)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또한, 게이트 구동 회로(130)는 다수의 게이트 드라이버 집적회로(G-DIC)로 구현되어 표시패널(110)과 연결된 게이트-회로필름 상에 실장 되는 칩 온 필름(COF) 방식으로 구현될 수도 있다.The
게이트 구동 회로(130)는, 컨트롤러(140)의 제어에 따라, 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔신호를 다수의 게이트라인(GL)로 순차적으로 공급한다. The
데이터 구동 회로(120)는, 게이트 구동 회로(130)에 의해 특정 게이트라인이 열리면, 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상 데이터(DATA)를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 다수의 데이터라인(DL)로 공급한다. When a specific gate line is opened by the
데이터 구동 회로(120)는, 표시패널(110)의 일 측(예: 상측 또는 하측)에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라 표시패널(110)의 양측(예: 상 측과 하 측)에 모두 위치할 수도 있다. The
게이트 구동 회로(130)는, 표시패널(110)의 일 측(예: 좌측 또는 우측)에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라 표시패널(110)의 양측(예: 좌 측과 우 측)에 모두 위치할 수도 있다. The
표시패널(110)에 배치된 다수의 게이트라인(GL)은 다수의 스캔라인(SCL), 다수의 센스라인(SCL) 및 다수의 발광제어라인(EML)을 포함할 수 있다. 스캔라인(SCL), 센스라인(SCL) 및 발광제어라인(EML)은 서로 다른 종류의 트랜지스터들(스캔 트랜지스터, 센스 트랜지스터, 발광제어 트랜지스터)의 게이트 노드로 서로 다른 종류의 게이트 신호(스캔신호, 센스신호, 발광제어신호)를 전달하는 배선들이다. 이하, 도 2를 참조하여 설명한다. The plurality of gate lines (GL) disposed on the
본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)는, 백 라이트 유닛이 필요한 액정표시장치 등일 수도 있고, OLED(Organic Light Emitting Diode) 디스플레이, 퀀텀닷(Quantum Dot) 디스플레이, 마이크로 LED(Micro Light Emitting Diode) 디스플레이 등과 같은 자발광 디스플레이일 수 있다.The
본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)가 OLED 디스플레이인 경우, 각 서브픽셀(SP)은 스스로 빛을 내는 유기발광다이오드(OLED)를 발광소자로서 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)가 퀀텀닷 디스플레이인 경우, 각 서브픽셀(SP)은 스스로 빛을 내는 반도체 결정인 퀀텀닷(Quantom Dot)으로 만들어진 발광소자를 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)가 마이크로 LED 디스플레이인 경우, 각 서브픽셀(SP)은 스스로 빛을 내고 무기물을 기반으로 만들어진 마이크로 LED(Micro Light Emitting Diode)를 발광소자로서 포함할 수 있다. When the
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)의 서브픽셀(SP)의 등가회로이다. Figure 2 is an equivalent circuit of a subpixel (SP) of the
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)에서, 각 서브픽셀(SP)은, 발광소자(ED)와, 발광소자(ED)로 흐르는 전류를 제어하는 구동 트랜지스터(DRT)와, 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)로 전달하는 스캔 트랜지스터(SCT)와, 초기화 동작을 위한 센스 트랜지스터(SENT)와, 발광 제어를 위한 발광제어 트랜지스터(EMT)와, 일정 기간 동안 전압 유지를 위한 스토리지 캐패시터(Cst) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2, in the
발광소자(ED)는 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2)과, 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2) 사이에 위치하는 발광층(EL)을 포함한다. 발광소자(ED)의 제1 전극(E1)은 애노드 전극 또는 캐소드 전극일 수 있고, 제2 전극(E2)은 캐소드 전극 또는 애노드 전극일 수 있다. 발광소자(ED)는 일 예로, 유기발광다이오드(OLED), 발광다이오드(LED), 퀀텀닷 발광소자 등일 수 있다. The light emitting element (ED) includes a first electrode (E1) and a second electrode (E2), and a light emitting layer (EL) located between the first electrode (E1) and the second electrode (E2). The first electrode E1 of the light emitting device ED may be an anode electrode or a cathode electrode, and the second electrode E2 may be a cathode electrode or an anode electrode. For example, the light emitting device (ED) may be an organic light emitting diode (OLED), a light emitting diode (LED), or a quantum dot light emitting device.
발광소자(ED)의 제2 전극(E2)은 공통 전극일 수 있다. 이 경우, 발광소자(ED)의 제2 전극(E2)에는 기저 전압(EVSS)이 인가될 수 있다. 여기서, 기저 전압(EVSS)은, 일 예로, 그라운드 전압이거나 그라운드 전압과 유사한 전압일 수 있다. The second electrode E2 of the light emitting device ED may be a common electrode. In this case, the base voltage EVSS may be applied to the second electrode E2 of the light emitting device ED. Here, the base voltage (EVSS) may be, for example, a ground voltage or a voltage similar to the ground voltage.
구동 트랜지스터(DRT)는 발광소자(ED)를 구동하기 위한 트랜지스터로서, 제1 노드(N1), 제2 노드(N2) 및 제3 노드(N3)을 포함한다. The driving transistor DRT is a transistor for driving the light emitting device ED and includes a first node N1, a second node N2, and a third node N3.
구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 게이트 노드에 해당하는 노드로서, 스캔 트랜지스터(SCT)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 발광소자(ED)의 제1 전극(E1)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제3 노드(N3)는 구동 전압(EVDD)이 인가되는 노드로서, 구동 전압(EVDD)을 공급하는 구동라인(DVL: Driving Voltage Line)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다. 아래에서는, 설명의 편의를 위하여, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 소스 노드이고, 제3노드(N3)는 드레인 노드인 것을 예로 들어 설명할 수 있다. The first node N1 of the driving transistor DRT is a node corresponding to the gate node and may be electrically connected to the source node or drain node of the scan transistor SCT. The second node N2 of the driving transistor DRT may be electrically connected to the first electrode E1 of the light emitting device ED and may be a source node or a drain node. The third node (N3) of the driving transistor (DRT) is a node to which the driving voltage (EVDD) is applied, and can be electrically connected to the driving voltage line (DVL) that supplies the driving voltage (EVDD), and is a drain node. Or it may be a source node. Below, for convenience of explanation, the second node N2 of the driving transistor DRT is a source node, and the third node N3 is a drain node.
스캔 트랜지스터(SCT)는 게이트라인(GL)의 일종인 다수의 스캔라인(SCL) 중 대응되는 스캔라인(SCL)에서 공급되는 스캔신호(SCAN)에 응답하여, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 다수의 데이터라인(DL) 중 대응되는 데이터라인(DL) 간의 연결을 제어할 수 있다. The scan transistor (SCT) is the first node of the driving transistor (DRT) in response to the scan signal (SCAN) supplied from the corresponding scan line (SCL) among a plurality of scan lines (SCL), which are a type of gate line (GL). The connection between (N1) and the corresponding data line (DL) among the plurality of data lines (DL) can be controlled.
스캔 트랜지스터(SCT)의 드레인 노드 또는 소스 노드는 해당 데이터라인(DL)에 전기적으로 연결될 수 있다. 스캔 트랜지스터(SCT)의 소스 노드 또는 드레인 노드는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에 전기적으로 연결될 수 있다. 스캔 트랜지스터(SCT)의 게이트 노드는 게이트라인(GL)의 한 종류인 스캔라인(SCL)과 전기적으로 연결되어 스캔신호(SCAN)를 인가 받을 수 있다. The drain node or source node of the scan transistor (SCT) may be electrically connected to the corresponding data line (DL). The source node or drain node of the scan transistor (SCT) may be electrically connected to the first node (N1) of the driving transistor (DRT). The gate node of the scan transistor (SCT) is electrically connected to a scan line (SCL), a type of gate line (GL), and can receive a scan signal (SCAN).
스캔 트랜지스터(SCT)는 턴-온 레벨 전압의 스캔신호(SCAN)에 의해 턴-온 되어, 해당 데이터라인(DL)으로부터 공급된 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)로 전달해줄 수 있다. The scan transistor (SCT) is turned on by the scan signal (SCAN) of the turn-on level voltage, and the data voltage (Vdata) supplied from the corresponding data line (DL) is connected to the first node (N1) of the driving transistor (DRT). ) can be delivered.
스캔 트랜지스터(SCT)는 턴-온 레벨 전압의 스캔신호(SCAN)에 의해 턴-온 되고, 턴-오프 레벨 전압의 스캔신호(SCAN)에 의해 턴-오프 된다. 여기서, 스캔 트랜지스터(SCT)가 n 타입인 경우, 턴-온 레벨 전압은 하이 레벨 전압이고, 턴-오프 레벨 전압은 로우 레벨 전압일 수도 있다. 스캔 트랜지스터(SCT)가 p 타입인 경우, 턴-온 레벨 전압은 로우 레벨 전압이고 턴-오프 레벨 전압은 하이 레벨 전압일 수도 있다.The scan transistor (SCT) is turned on by the scan signal (SCAN) of the turn-on level voltage and turned off by the scan signal (SCAN) of the turn-off level voltage. Here, when the scan transistor (SCT) is n-type, the turn-on level voltage may be a high level voltage, and the turn-off level voltage may be a low level voltage. When the scan transistor (SCT) is a p-type, the turn-on level voltage may be a low level voltage and the turn-off level voltage may be a high level voltage.
센스 트랜지스터(SENT)는, 게이트라인(GL)의 일종인 다수의 센스라인(SENL) 중 대응되는 센스라인(SENL)에서 공급되는 센스신호(SENSE)에 응답하여, 발광소자(ED)의 제1 전극(E1)에 전기적으로 연결된 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 다수의 기준라인(RVL) 중 대응되는 기준라인(RVL) 간의 연결을 제어할 수 있다. The sense transistor (SENT) responds to the sense signal (SENSE) supplied from the corresponding sense line (SENL) among the plurality of sense lines (SENL), which are a type of gate line (GL), and transmits the first signal to the light emitting device (ED). The connection between the second node N2 of the driving transistor DRT electrically connected to the electrode E1 and the corresponding reference line RVL among the plurality of reference lines RVL can be controlled.
센스 트랜지스터(SENT)의 드레인 노드 또는 소스 노드는 기준라인(RVL)에 전기적으로 연결될 수 있다. 센스 트랜지스터(SENT)의 소스 노드 또는 드레인 노드는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 발광소자(ED)의 제1 전극(E1)과 전기적으로 연결될 수 있다. 센스 트랜지스터(SENT)의 게이트 노드는 게이트라인(GL)의 일종인 센스라인(SENL)과 전기적으로 연결되어 센스신호(SENSE)를 인가 받을 수 있다. The drain node or source node of the sense transistor (SENT) may be electrically connected to the reference line (RVL). The source node or drain node of the sense transistor (SENT) may be electrically connected to the second node (N2) of the driving transistor (DRT) and may be electrically connected to the first electrode (E1) of the light emitting device (ED). The gate node of the sense transistor (SENT) is electrically connected to the sense line (SENL), a type of gate line (GL), and can receive a sense signal (SENSE).
센스 트랜지스터(SENT)는 턴-온 되어, 기준라인(RVL)에서 공급된 기준전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 인가해줄 수 있다. The sense transistor (SENT) is turned on to apply the reference voltage (Vref) supplied from the reference line (RVL) to the second node (N2) of the driving transistor (DRT).
센스 트랜지스터(SENT)는 턴-온 레벨 전압의 센스신호(SENSE)에 의해 턴-온 되고, 턴-오프 레벨 전압의 센스신호(SENSE)에 의해 턴-오프 된다. 여기서, 센스 트랜지스터(SENT)가 n 타입인 경우, 턴-온 레벨 전압은 하이 레벨 전압이고, 턴-오프 레벨 전압은 로우 레벨 전압일 수도 있다. 센스 트랜지스터(SENT)가 p 타입인 경우, 턴-온 레벨 전압은 로우 레벨 전압이고 턴-오프 레벨 전압은 하이 레벨 전압일 수도 있다.The sense transistor (SENT) is turned on by the sense signal (SENSE) of the turn-on level voltage and turned off by the sense signal (SENSE) of the turn-off level voltage. Here, when the sense transistor (SENT) is n-type, the turn-on level voltage may be a high level voltage, and the turn-off level voltage may be a low level voltage. When the sense transistor (SENT) is a p-type, the turn-on level voltage may be a low level voltage and the turn-off level voltage may be a high level voltage.
발광제어 트랜지스터(EMT)는 게이트라인(GL)의 일종인 다수의 발광제어라인(EML) 중에서 대응되는 발광제어라인(EML)에서 공급되는 발광제어신호(EM)에 응답하여, 구동 트랜지스터(DRT)의 제3 노드(N3)와 다수의 구동라인(DVL) 중 대응되는 구동라인(DVL) 간의 연결을 제어할 수 있다. 즉, 도 2에 도시된 바와 같이, 발광제어 트랜지스터(EMT)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제3 노드(N3)와 구동라인(DVL) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. The emission control transistor (EMT) responds to the emission control signal (EM) supplied from the corresponding emission control line (EML) among the plurality of emission control lines (EML), which are a type of gate line (GL), and operates the driving transistor (DRT). It is possible to control the connection between the third node (N3) of and the corresponding driving line (DVL) among the plurality of driving lines (DVL). That is, as shown in FIG. 2, the emission control transistor (EMT) may be electrically connected between the third node (N3) of the driving transistor (DRT) and the driving line (DVL).
발광제어 트랜지스터(EMT)의 드레인 노드 또는 소스 노드는 구동라인(DVL)에 전기적으로 연결될 수 있다. 발광제어 트랜지스터(EMT)의 소스 노드 또는 드레인 노드는 구동 트랜지스터(DRT)의 제3 노드(N3)에 전기적으로 연결될 수 있다. 발광제어 트랜지스터(EMT)의 게이트 노드는 게이트라인(GL)의 일종인 발광제어라인(EML)과 전기적으로 연결되어 발광제어신호(EM)를 인가 받을 수 있다. The drain node or source node of the emission control transistor (EMT) may be electrically connected to the driving line (DVL). The source node or drain node of the emission control transistor (EMT) may be electrically connected to the third node (N3) of the driving transistor (DRT). The gate node of the emission control transistor (EMT) is electrically connected to the emission control line (EML), a type of gate line (GL), and can receive the emission control signal (EM).
이와 다르게, 발광제어 트랜지스터(EMT)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 발광소자(ED)의 제1 전극(E1) 간의 연결을 제어할 수도 있다. 즉, 도 2에 도시된 바와 다르게, 발광제어 트랜지스터(EMT)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 발광소자(ED) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다.Alternatively, the emission control transistor (EMT) may control the connection between the second node (N2) of the driving transistor (DRT) and the first electrode (E1) of the light emitting device (ED). That is, unlike shown in FIG. 2, the emission control transistor (EMT) may be electrically connected between the second node (N2) of the driving transistor (DRT) and the light emitting element (ED).
발광제어 트랜지스터(EMT)는 턴-온 레벨 전압의 발광제어신호(EM)에 의해 턴-온 되고, 턴-오프 레벨 전압의 발광제어신호(EM)에 의해 턴-오프 된다. 여기서, 발광제어 트랜지스터(EMT)가 n 타입인 경우, 턴-온 레벨 전압은 하이 레벨 전압이고, 턴-오프 레벨 전압은 로우 레벨 전압일 수도 있다. 발광제어 트랜지스터(EMT)가 p 타입인 경우, 턴-온 레벨 전압은 로우 레벨 전압이고 턴-오프 레벨 전압은 하이 레벨 전압일 수도 있다.The emission control transistor (EMT) is turned on by the emission control signal (EM) of the turn-on level voltage and turned off by the emission control signal (EM) of the turn-off level voltage. Here, when the emission control transistor (EMT) is n-type, the turn-on level voltage may be a high level voltage, and the turn-off level voltage may be a low level voltage. When the emission control transistor (EMT) is a p-type, the turn-on level voltage may be a low level voltage and the turn-off level voltage may be a high level voltage.
스토리지 캐패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결되어, 영상 신호 전압에 해당하는 데이터 전압(Vdata) 또는 이에 대응되는 전압을 한 프레임 시간 동안 유지해줄 수 있다. The storage capacitor Cst is electrically connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT and generates a data voltage Vdata corresponding to the image signal voltage or a voltage corresponding thereto. It can be maintained for the frame time.
스토리지 캐패시터(Cst)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 존재하는 내부 캐패시터(Internal Capacitor)인 기생 캐패시터(예: Cgs, Cgd)가 아니라, 구동 트랜지스터(DRT)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 캐패시터(External Capacitor)일 수 있다. The storage capacitor Cst is not a parasitic capacitor (e.g. Cgs, Cgd), which is an internal capacitor existing between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT. It may be an external capacitor intentionally designed outside the transistor (DRT).
구동 트랜지스터(DRT), 스캔 트랜지스터(SCT), 센스 트랜지스터(SENT) 및 발광제어트랜지스터(EMT) 각각은 n 타입 트랜지스터이거나 p 타입 트랜지스터일 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT), 스캔 트랜지스터(SCT), 센스 트랜지스터(SENT) 및 발광제어트랜지스터(EMT) 모두가 n 타입 트랜지스터이거나 p 타입 트랜지스터일 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT), 스캔 트랜지스터(SCT), 센스 트랜지스터(SENT) 및 발광제어트랜지스터(EMT) 중 적어도 하나는 n 타입 트랜지스터(또는 p 타입 트랜지스터)이고 나머지는 p 타입 트랜지스터(또는 n 타입 트랜지스터)일 수 있다.Each of the driving transistor (DRT), scan transistor (SCT), sense transistor (SENT), and emission control transistor (EMT) may be an n-type transistor or a p-type transistor. The driving transistor (DRT), scan transistor (SCT), sense transistor (SENT), and emission control transistor (EMT) may all be n-type transistors or p-type transistors. At least one of the driving transistor (DRT), scan transistor (SCT), sense transistor (SENT), and emission control transistor (EMT) is an n-type transistor (or p-type transistor), and the others are p-type transistors (or n-type transistors). You can.
도 2에 예시된 각 서브픽셀 구조는 설명을 위한 예시일 뿐, 1개 이상의 트랜지스터를 더 포함하거나, 경우에 따라서는, 1개 이상의 캐패시터를 더 포함할 수도 있다. 또는, 다수의 서브픽셀들(SP) 각각이 동일한 구조로 되어 있을 수도 있고, 다수의 서브픽셀들(SP) 중 일부는 다른 구조로 되어 있을 수도 있다. Each subpixel structure illustrated in FIG. 2 is only an example for explanation and may further include one or more transistors or, in some cases, one or more capacitors. Alternatively, each of the multiple subpixels (SP) may have the same structure, or some of the multiple subpixels (SP) may have a different structure.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)의 게이트 구동 회로(130)를 구성하는 게이트 구동 유닛(GDU: Gate Driving Unit)을 간략하게 나타낸 도면이다. FIG. 3 is a diagram briefly illustrating a gate driving unit (GDU) constituting the
도 3을 참조하면, 게이트 구동 회로(130)는 다수의 게이트 라인(GL)을 구동하기 위하여 다수의 게이트 구동 유닛(GDU)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 3 , the
도 3을 참조하면, 기본적으로, 다수의 게이트 구동 유닛(GDU) 각각은 적어도 하나의 로직(LOGIC)과 적어도 하나의 출력 버퍼(OUT_BUF)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 3, basically, each of the plurality of gate driving units (GDU) may include at least one logic (LOGIC) and at least one output buffer (OUT_BUF).
각 출력 버퍼(OUT_BUF)는 턴-온 동작이 교번하는 풀-업 트랜지스터(Tu)와 풀-다운 트랜지스터(Td)를 포함한다. Each output buffer (OUT_BUF) includes a pull-up transistor (Tu) and a pull-down transistor (Td) whose turn-on operation alternates.
풀-업 트랜지스터(Tu)의 드레인 노드(또는 소스 노드)에는 클럭신호(CLK)가 인가되고, 풀-업 트랜지스터(Tu)의 소스 노드(또는 드레인 노드)는 출력 노드(Nout)와 전기적으로 연결되고, 풀-업 트랜지스터(Tu)의 게이트 노드는 로직(LOGIC)에 의해 제어되는 Q 노드이다. A clock signal (CLK) is applied to the drain node (or source node) of the pull-up transistor (Tu), and the source node (or drain node) of the pull-up transistor (Tu) is electrically connected to the output node (Nout). And the gate node of the pull-up transistor (Tu) is the Q node controlled by logic (LOGIC).
풀-다운 트랜지스터(Td)의 드레인 노드(또는 소스 노드)에는 베이스 전압(예: 저전위 전압, 턴-오프 레벨 전압, 그라운드 전압, 또는 VSS 전압이라고도 함)가 인가되고, 풀-다운 트랜지스터(Td)의 소스 노드(또는 드레인 노드)는 출력 노드(Nout)와 전기적으로 연결되고, 풀-다운 트랜지스터(Td)의 게이트 노드는 로직(LOGIC)에 의해 제어되는 QB 노드이다. A base voltage (e.g., also called low-potential voltage, turn-off level voltage, ground voltage, or VSS voltage) is applied to the drain node (or source node) of the pull-down transistor (Td), and the pull-down transistor (Td) is applied to the drain node (or source node). )'s source node (or drain node) is electrically connected to the output node (Nout), and the gate node of the pull-down transistor (Td) is the QB node controlled by logic (LOGIC).
Q 노드와 QB 노드는 전압 상태가 서로 반대이다. 예를 들어, Q 노드가 하이 레벨 전압이면, QB 노드는 로우 레벨 전압이다. Q 노드가 로우 레벨 전압이면, QB 노드는 하이 레벨 전압이다.The Q node and QB node have opposite voltage states. For example, if the Q node is a high level voltage, the QB node is a low level voltage. If the Q node is a low level voltage, the QB node is a high level voltage.
Q 노드의 하이 레벨 전압(또는 로우 레벨 전압)에 따라, 풀-업 트랜지스터(Tu)가 턴-온 상태인 경우, 풀-다운 트랜지스터(Td)는 QB 노드의 로우 레벨 전압(또는 하이 레벨 전압)에 따라 턴-오프 상태이다. Q 노드의 로우 레벨 전압(또는 하이 레벨 전압)에 따라, 풀-업 트랜지스터(Tu)가 턴-오프 상태인 경우, 풀-다운 트랜지스터(Td)는 QB 노드의 하이 레벨 전압(또는 로우 레벨 전압)에 따라 턴- 온 상태이다. Depending on the high level voltage (or low level voltage) of the Q node, when the pull-up transistor (Tu) is turned on, the pull-down transistor (Td) is connected to the low level voltage (or high level voltage) of the QB node. It is in a turn-off state according to . Depending on the low level voltage (or high level voltage) of the Q node, when the pull-up transistor (Tu) is turned off, the pull-down transistor (Td) is connected to the high level voltage (or low level voltage) of the QB node. Accordingly, it is in the turn-on state.
출력 노드(Nout)는 스캔라인(SCL), 센스라인(SENL) 및 발광제어라인(EML) 중 하나와 전기적으로 연결될 수 있다. The output node (Nout) may be electrically connected to one of the scan line (SCL), sense line (SENL), and emission control line (EML).
풀-업 트랜지스터(Tu)가 턴-온 상태이면, 풀-업 트랜지스터(Tu)에 인가되는 클럭신호(CLK)를 출력 노드(Nout)으로 출력된다. 출력 노드(Nout)로 출력되는 클럭신호(CLK)는 턴-온 레벨 전압을 갖는 스캔신호(SCL), 센스신호(SENSE) 및 발광제어신호(EM) 중 하나일 수 있다. When the pull-up transistor Tu is turned on, the clock signal CLK applied to the pull-up transistor Tu is output to the output node Nout. The clock signal CLK output to the output node Nout may be one of a scan signal SCL, a sense signal SENSE, and an emission control signal EM having a turn-on level voltage.
풀-다운 트랜지스터(Td)가 턴-온 상태이면, 풀-다운 트랜지스터(Td)에 인가되는 베이스 전압(VSS)가 출력 노드(Nout)으로 출력된다. 출력 노드(Nout)로 출력되는 베이스 전압(VSS)은 턴-오프 레벨 전압을 갖는 스캔신호(SCL), 센스신호(SENSE) 및 발광제어신호(EM) 중 하나일 수 있다.When the pull-down transistor Td is turned on, the base voltage VSS applied to the pull-down transistor Td is output to the output node Nout. The base voltage (VSS) output to the output node (Nout) may be one of a scan signal (SCL), a sense signal (SENSE), and an emission control signal (EM) having a turn-off level voltage.
로직(LOGIC)은 Q 노드와 QB 노드 각각의 전압을 제어하기 위한 회로로서, 둘 이상의 트랜지스터(스위치 소자) 등을 포함할 수 있다. 로직(LOGIC)은 셋 신호(VST)를 입력 받아, 해당 게이트 구동 유닛(GDU)의 동작을 세팅(Setting) 하고, 리셋 신호(VRST)를 입력 받아, 해당 게이트 구동 유닛(GDU)의 동작을 리셋(Reset)할 수 있다. 로직(LOGIC)은 Q 노드와 QB 노드 각각의 전압을 제어하기 위하여, 별도의 전원을 입력 받을 수도 있다. Logic is a circuit for controlling the voltage of each Q node and QB node, and may include two or more transistors (switch elements). Logic receives a set signal (VST), sets the operation of the gate driving unit (GDU), and receives a reset signal (VRST) to reset the operation of the gate driving unit (GDU). (Reset) can be done. Logic (LOGIC) may receive a separate power input to control the voltage of each Q node and QB node.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)의 기본적인 구동 기간들을 나타낸 도면이고, 도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)의 서브픽셀(SP)에 대한 구동 시, 서브픽셀(SP)에 인가되는 게이트 신호들(SCAN, SENSE, EM)을 나타낸 도면이다. FIG. 4 is a diagram showing basic driving periods of the
도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)의 각 서브픽셀(SP)의 기본적인 구동 기간들은, 센싱 기간(SENSING), 제1 홀딩 기간(HOLD1), 데이터 쓰기 기간(DW), 제2 홀딩 기간(HOLD2) 및 발광 기간(EMISSION)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4, the basic driving periods of each subpixel (SP) of the
도 4 및 도 5를 참조하면, 센싱 기간(SENSING)은 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치(예: 문턱전압, 이동도)를 센싱하기 위한 기간이다. 센싱 기간(SENSING)은 초기화 기간(INIT) 및 샘플링 기간(SAMP)을 포함할 수 있다. Referring to Figures 4 and 5, the sensing period (SENSING) is a period for sensing the characteristic values (eg, threshold voltage, mobility) of the driving transistor (DRT). The sensing period (SENSING) may include an initialization period (INIT) and a sampling period (SAMP).
도 5를 참조하면, 센싱 기간(SENSING) 내 초기화 기간(INIT) 동안, 스캔 트랜지스터(SCT)는 턴-온 레벨 전압의 스캔신호(SCAN)에 의해 턴-온 되고, 센스 트랜지스터(SENT)는 턴-온 레벨 전압의 센스신호(SENSE)에 의해 턴-온 된다. Referring to FIG. 5, during the initialization period (INIT) within the sensing period (SENSING), the scan transistor (SCT) is turned on by the scan signal (SCAN) of the turn-on level voltage, and the sense transistor (SENT) is turned on. -Turns on by the sense signal (SENSE) of the on level voltage.
이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에 센싱 구동용 데이터전압(Vdata)이 인가되고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 기준전압(Vref)이 인가됨으로써, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)가 초기화 된다. 초기화 기간(INIT) 동안, 발광제어 트랜지스터(EMT)는 턴-오프 레벨 전압의 발광제어신호(EM)에 의해 턴-오프 될 수 있다. Accordingly, the sensing driving data voltage (Vdata) is applied to the first node (N1) of the driving transistor (DRT), and the reference voltage (Vref) is applied to the second node (N2) of the driving transistor (DRT), The first node (N1) and the second node (N2) of the driving transistor (DRT) are initialized. During the initialization period (INIT), the emission control transistor (EMT) may be turned off by the emission control signal (EM) at a turn-off level voltage.
도 5를 참조하면, 센싱 기간(SENSING) 내 샘플링 기간(SAMP) 동안, 스캔 트랜지스터(SCT)는 턴-온 레벨 전압의 스캔신호(SCAN)에 의해 턴-온 되고, 센스 트랜지스터(SENT)는 턴-오프 레벨 전압의 센스신호(SENSE)에 의해 턴-오프 된다. 그리고, 초기화 기간(INIT) 동안, 발광제어 트랜지스터(EMT)는 턴-온 레벨 전압의 발광제어신호(EM)에 의해 턴-온 될 수 있다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 센싱 구동용 데이터전압(Vdata)이 인가된 상태이고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 플로팅 된 상태이다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압은 부스팅 되고, 일정 시간 이후 포화(saturation) 된다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 포화된 전압은 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)의 센싱 구동용 데이터전압(Vdata)에서 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)을 뺀 전압(Vdata-Vth)에 해당한다. Referring to FIG. 5, during the sampling period (SAMP) within the sensing period (SENSING), the scan transistor (SCT) is turned on by the scan signal (SCAN) of the turn-on level voltage, and the sense transistor (SENT) is turned on. -Turns off by the sense signal (SENSE) of the off-level voltage. Also, during the initialization period (INIT), the emission control transistor (EMT) may be turned on by the emission control signal (EM) at the turn-on level voltage. Accordingly, the first node (N1) of the driving transistor (DRT) is in a state where the data voltage (Vdata) for sensing driving is applied, and the second node (N2) of the driving transistor (DRT) is in a floating state. The voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT is boosted and becomes saturated after a certain period of time. The saturated voltage of the second node (N2) of the driving transistor (DRT) is the threshold voltage (Vth) of the driving transistor (DRT) in the sensing driving data voltage (Vdata) of the first node (N1) of the driving transistor (DRT). Corresponds to the voltage minus (Vdata-Vth).
도 5를 참조하면, 제1 홀딩 기간(HOLD1)은 센싱 기간(SENSING) 이후 데이터 쓰기 기간(DW)이 진행되기 전의 기간이다. 제1 홀딩 기간(HOLD1) 동안, 스캔 트랜지스터(SCT), 센스 트랜지스터(SENT) 및 발광제어 트랜지스터(EMT)는 턴-오프 상태일 수 있다. 제1 홀딩 기간(HOLD1) 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)의 전압이 변동(상승)될 수 있다. Referring to FIG. 5, the first holding period (HOLD1) is a period after the sensing period (SENSING) but before the data writing period (DW). During the first holding period (HOLD1), the scan transistor (SCT), the sense transistor (SENT), and the emission control transistor (EMT) may be in a turned-off state. During the first holding period (HOLD1), the voltage of the first node (N1) and the second node (N2) of the driving transistor (DRT) may vary (increase).
도 5를 참조하면, 데이터 쓰기 기간(DW)은, 발광소자(ED)에 흐르는 구동전류를 결정하는 기간으로서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에 영상 표시(다음 프레임을 위한 영상 업데이트)를 위한 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 기간이다. 이때, 센싱 기간(SENSING)의 구동 동작으로 인해, 발광소자(ED)에 흐르는 구동전류는 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압과 무관하게 결정될 수 있다. 이에 따라, 구동 트랜지스터들(DRT) 간의 문턱전압 편차에 따른 휘도 불균일이 발생하지 않는다. 따라서, 센싱 기간(SENSING)을 구동 트랜지스터들(DRT) 간의 문턱전압 편차를 보상해주는 내부 보상기간이라고도 한다. Referring to FIG. 5, the data writing period (DW) is a period that determines the driving current flowing through the light emitting element (ED), and displays an image (image for the next frame) on the first node (N1) of the driving transistor (DRT). This is the period during which the data voltage (Vdata) for update is applied. At this time, due to the driving operation during the sensing period (SENSING), the driving current flowing through the light emitting device (ED) may be determined regardless of the threshold voltage of the driving transistor (DRT). Accordingly, luminance unevenness due to threshold voltage deviation between the driving transistors (DRT) does not occur. Therefore, the sensing period (SENSING) is also called an internal compensation period that compensates for the threshold voltage deviation between the driving transistors (DRT).
도 5를 참조하면, 데이터 쓰기 기간(DW) 동안, 스캔 트랜지스터(SCT)는 턴-온 레벨 전압의 스캔신호(SCAN)에 의해 턴-온 된다. 이에 따라, 스캔 트랜지스터(SCT)는 데이터라인(DL)에 공급된 영상 표시용 데이터 전압(VDTA)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에 전달한다. 여기서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 스토리지 캐패시터(Cst)의 한 전극과 전기적으로 연결된다. 따라서, 데이터 쓰기 기간(DW) 동안, 영상 표시용 데이터 전압(VDTA)과 대응되는 전하가 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된다. Referring to FIG. 5, during the data writing period (DW), the scan transistor (SCT) is turned on by the scan signal (SCAN) of the turn-on level voltage. Accordingly, the scan transistor (SCT) transfers the image display data voltage (VDTA) supplied to the data line (DL) to the first node (N1) of the driving transistor (DRT). Here, the first node N1 of the driving transistor DRT is electrically connected to one electrode of the storage capacitor Cst. Accordingly, during the data writing period (DW), a charge corresponding to the image display data voltage (VDTA) is charged in the storage capacitor (Cst).
도 5를 참조하면, 제2 홀딩 기간(HOLD2)은 데이터 쓰기 기간(DW) 이후 발광 기간(EMISSION)이 진행되기 전의 기간이다. 제2 홀딩 기간(HOLD2) 동안, 스캔 트랜지스터(SCT), 센스 트랜지스터(SENT) 및 발광제어 트랜지스터(EMT)는 턴-오프 상태일 수 있다. 제2 홀딩 기간(HOLD2) 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)의 전압이 상승한다. Referring to FIG. 5, the second holding period (HOLD2) is a period after the data writing period (DW) and before the emission period (EMISSION) begins. During the second holding period (HOLD2), the scan transistor (SCT), sense transistor (SENT), and emission control transistor (EMT) may be in a turned-off state. During the second holding period (HOLD2), the voltage of the first node (N1) and the second node (N2) of the driving transistor (DRT) increases.
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 상승된 전압(즉, 발광소자(ED)의 제1 전극(E1)의 전압)이 일정 전압(발광소자(ED)의 제2 전극(E2)의 전압에서 발광소자(ED)의 문턱전압을 더한 전압) 이상이 되면, 발광소자(ED)가 발광하기 시작한다. The increased voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT (i.e., the voltage of the first electrode E1 of the light emitting device ED) is increased to a constant voltage (the voltage of the second electrode E2 of the light emitting device ED). When the voltage exceeds the voltage of (plus the threshold voltage of the light emitting device (ED)), the light emitting device (ED) begins to emit light.
도 5를 참조하면, 발광 기간(EMISSION)은 발광소자(ED)가 실제로 발광하는 기간이다. 발광 기간(EMISSION) 동안, 발광소자(ED)가 발광할 수 있도록, 발광제어 트랜지스터(EMT)는 턴-온 레벨 전압의 발광제어신호(EM)에 의해 턴-온 된다. 이때, 발광소자(ED)의 발광 휘도는 발광소자(ED)에 흐르는 구동전류에 비례한다. 발광 기간(EMISSION)이 한 프레임 시간의 대부분을 차지할 수 있다. Referring to FIG. 5, the emission period (EMISSION) is a period during which the light emitting element (ED) actually emits light. During the emission period (EMISSION), the emission control transistor (EMT) is turned on by the emission control signal (EM) at the turn-on level voltage so that the light emitting device (ED) can emit light. At this time, the luminance of the light emitting device (ED) is proportional to the driving current flowing through the light emitting device (ED). The emission period (EMISSION) may occupy most of one frame time.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)의 순차 구동에 대한 타이밍도다.Figure 6 is a timing diagram for sequential driving of the
도 6을 참조하면, 표시패널(110)에는 다수의 서브픽셀(SP)이 매트릭스 형태로 배열된다. 따라서, 표시패널(110)에는 다수의 서브픽셀 라인(SPL1 ~ SPL8) 이 존재할 수 있다. Referring to FIG. 6, a plurality of subpixels (SP) are arranged in a matrix form on the
도 6을 참조하면, 다수의 서브픽셀 라인(SPL1 ~ SPL8)은 개별적으로 구동되고 순차적으로 구동될 수 있다. 이러한 구동 방식을 순차 구동(Sequential Driving) 또는 개별 구동이라고 한다. 즉, 순차 구동(Sequential Driving) 방식은, 서브픽셀 라인들(SPL1 ~ SPL8)을 라인-바이-라인(Line-by-Line)으로 순차적으로 구동하는 방식이다.Referring to FIG. 6, multiple subpixel lines (SPL1 to SPL8) may be driven individually and sequentially. This driving method is called sequential driving or individual driving. That is, the sequential driving method is a method of sequentially driving the subpixel lines (SPL1 to SPL8) in a line-by-line manner.
다수의 서브픽셀 라인(SPL1 ~ SPL8)은 센싱 기간(SENSING)이 순차적으로 진행되고, 제1 홀딩 기간(HOLD1)이 순차적으로 진행되고, 데이터 쓰기 기간(DW)이 순차적으로 진행되고, 제2 홀딩 기간(HOLD2)이 순차적으로 진행되고, 발광 기간(EMISSION)이 순차적으로 진행된다. 즉, 다수의 서브픽셀 라인(SPL1 ~ SPL8) 각각의 구동 세트(센싱, 홀딩, 데이터 쓰기, 홀딩, 발광)는 순차적으로 진행된다. In the plurality of subpixel lines (SPL1 to SPL8), the sensing period (SENSING) proceeds sequentially, the first holding period (HOLD1) proceeds sequentially, the data writing period (DW) proceeds sequentially, and the second holding period (HOLD1) proceeds sequentially. The period (HOLD2) proceeds sequentially, and the emission period (EMISSION) proceeds sequentially. That is, the drive sets (sensing, holding, data writing, holding, and light emission) of each of the multiple subpixel lines (SPL1 to SPL8) proceed sequentially.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)의 순차 구동에 필요한 클럭배선 구조를 나타낸 도면이다. FIG. 7 is a diagram showing a clock wiring structure required for sequential driving of the
도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)가 순차 구동 방식으로 구동하는 경우, 게이트 구동을 위하여, 서로 상(Phase)이 서로 다른 많은 클럭신호들(SE_CLK1~6, SC_CLK1~6, EM_CLK1~6, CR_CLK1~6)을 게이트 구동 회로(130)로 공급하기 위한 다양한 종류의 많은 클럭 배선들(SE_CW1~6, SC_CW1~6, EM_CW1~6, CR_CW1~6)이 필요하다. Referring to FIG. 7, when the
예를 들어, 센스신호(SENSE)의 생성에 필요한 6상의 센스클럭 신호(SE_CLK1~6), 스캔신호(SCAN)의 생성에 필요한 6상의 스캔 클럭신호(SC_CLK1~6), 발광제어신호(EM)의 생성에 필요한 6상의 발광제어 클럭신호(EM_CLK1~6) 및 게이트 구동 회로(130) 내 스테이지(Stage) 간의 셋(Set) 및 리셋(Reset) 등의 제어를 위한 6상의 캐리 클럭신호(CR_CLK1~6) 등이 필요할 수 있다. 즉, 순차 구동 방식의 경우, 24상의 클럭신호들(SE_CLK1~6, SC_CLK1~6, EM_CLK1~6, CR_CLK1~6)이 필요하다. 상 개수를 줄인다고 하더라도, 20개 정도의 상을 갖는 클럭신호들이 필요하다. For example, the 6-phase sense clock signal (SE_CLK1~6) required for generating the sense signal (SENSE), the 6-phase scan clock signal (SC_CLK1~6) required for generating the scan signal (SCAN), and the emission control signal (EM) The 6-phase light emission control clock signal (EM_CLK1 to 6) required for the generation of the 6-phase carry clock signal (CR_CLK1 to 6) for controlling the set and reset between stages in the
게이트 구동 회로(130) 내 게이트 구동의 각 스테이지(Stage)와 대응되는 각 게이트 구동 유닛(GDU)은 동작 구간인 Q 노드의 하이 레벨 전압 구간 내에 캐리신호(Carry Signal)을 출력해야 한다. 캐리신호에 의한 셋 신호 및 리셋 신호는 서로 겹치지 않아야 하기 때문에, 각 게이트 구동 유닛(GDU) 간의 Q 노드의 하이 레벨 전압 구간은 시간적인 중첩 구간이 발생한다. 따라서, 인접한 스테이지에 대응되는 게이트 구동 유닛들(GDU)은 동일한 상을 갖는 클럭신호들을 사용할 수가 없기 때문에 더욱 많은 다른 상의 클럭신호들이 필요할 수밖에 없다. Each gate driving unit (GDU) corresponding to each stage of gate driving in the
또한, 디스플레이 구동과 관계 없이 센싱 및 보상을 진행하는 외부 보상 방식에 비해, 내부 보상 방식에 따라 디스플레이 구동 중에 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 센싱하여 보상하는 경우, 복잡한 구동 타이밍을 가져야 하기 때문에, 더욱더 많은 클럭신호들이 필요하다. In addition, compared to the external compensation method, which performs sensing and compensation regardless of display driving, when the threshold voltage of the driving transistor (DRT) is sensed and compensated during display driving according to the internal compensation method, complex driving timing is required. More and more clock signals are needed.
표시패널(110)은, 영상이 표시되고 다수의 서브픽셀(SP)에 배치되는 액티브 영역(A/A)과, 액티브 영역(A/A)의 외곽 영역인 넌-액티브 영역(N/A)을 포함한다. The
넌-액티브 영역(N/A)에는, GIP 타입의 게이트 구동 회로(130)와, 클럭 배선들(SE_CW1~6, SC_CW1~6, EM_CW1~6, CR_CW1~6)이 배치된다. In the non-active area (N/A), a GIP type
전술한 바와 같이, 순차 구동 방식 및 내부 보상 방식에 의하면, 상당히 많은 클럭 배선들(SE_CW1~6, SC_CW1~6, EM_CW1~6, CR_CW1~6)이 넌-액티브 영역(N/A)에 배치되기 때문에, 넌-액티브 영역(N/A)에서 클럭 배선들(SE_CW1~6, SC_CW1~6, EM_CW1~6, CR_CW1~6)이 형성되는 면적이 커질 수밖에 없다. 이에 따라, 표시장치(100)의 베젤이 커질 수 있다. As described above, according to the sequential driving method and internal compensation method, a significant number of clock wires (SE_CW1 to 6, SC_CW1 to 6, EM_CW1 to 6, CR_CW1 to 6) are placed in the non-active area (N/A). Therefore, the area where the clock wires (SE_CW1 to 6, SC_CW1 to 6, EM_CW1 to 6, CR_CW1 to 6) are formed in the non-active area (N/A) is bound to increase. Accordingly, the bezel of the
한편, 각 서브픽셀(SP)의 센싱 기간(SENSING) 동안, 각 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치(예: 문턱전압 등)를 센싱하기 위해서는, 각 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압이 상승하여 포화되는 시간이 필요하다. 하지만, 내부 보상 방식과 같이, 디스플레이 구동 기간 중에 센싱 기간(SENSING)이 할당되는 경우, 정상적인 센싱 동작을 위해 필요한 시간을 확보해야 하는데, 디스플레이 구동 시간 등으로 인해 센싱 시간 확보가 쉽지 않다. 이에 따라, 센싱 시간이 부족한 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치(예: 문턱전압)가 정확하게 센싱되지 못하여, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치(예: 문턱전압) 편차를 정상적으로 보상해줄 수 없다. 이러한 센싱 시간 부족 현상은 고해상도 또는 대형 표시패널(110)에서 더욱 심할 수 있다. Meanwhile, during the sensing period (SENSING) of each subpixel (SP), in order to sense the characteristic value (e.g., threshold voltage, etc.) of the driving transistor (DRT) within each subpixel (SP), the driving transistor (DRT) within each subpixel (SP) It takes time for the voltage of the second node N2 of the transistor DRT to rise and become saturated. However, as with the internal compensation method, when a sensing period (SENSING) is allocated during the display driving period, the time necessary for normal sensing operation must be secured, but it is not easy to secure the sensing time due to the display driving time, etc. Accordingly, when the sensing time is insufficient, the characteristic value (e.g., threshold voltage) of the driving transistor (DRT) cannot be sensed accurately, and the deviation in characteristic value (e.g., threshold voltage) between the driving transistors (DRT) cannot be properly compensated. This phenomenon of insufficient sensing time may be more severe in high-resolution or large-
전술한 바와 같이, 내부 보상 방식으로 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하여 보상하는 경우, 다수의 서브픽셀 라인(SPL1 ~ SPL8)을 개별적으로 순차적으로 구동하는 경우, 센싱 기간(SENSING)을 필요한 시간만큼 확보하기가 어렵다. As described above, when compensating by sensing the characteristic value of the driving transistor (DRT) using an internal compensation method, when driving multiple subpixel lines (SPL1 to SPL8) individually and sequentially, the sensing period (SENSING) is set to the required time. It is difficult to secure it.
따라서, 순차 구동 방식 및 내부 보상 방식에 의하면, 클럭배선 개수가 많아질 수밖에 없고, 센싱 시간 확보에 어려움이 있기 때문에, 이를 해결하기 위한 새로운 구동 방식이 필요하다. Therefore, according to the sequential driving method and the internal compensation method, the number of clock wires inevitably increases and it is difficult to secure sensing time, so a new driving method is needed to solve this problem.
이에 따라, 본 발명의 실시예들은 클러스터 구동(Cluster Driving) 방식을 제시한다. 클러스터 구동 방식은, 다수의 서브픽셀 라인을 하나의 클러스터(Cluster)로 묶어서 센싱 구동 및 발광 동작을 동시에 진행하는 구동 방식이다. 아래에서는, 클러스터 구동 방식에 대한 더욱 상세하게 설명한다. Accordingly, embodiments of the present invention propose a cluster driving method. The cluster driving method is a driving method that groups multiple subpixel lines into one cluster and performs sensing and light emission operations simultaneously. Below, the cluster driving method is explained in more detail.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 클러스터 구동을 위한 서브픽셀 라인들(SPL #1 ~ SPL #N)에 대한 클러스터링(Clustering)을 나타낸 도면이다. FIG. 8 is a diagram showing clustering of subpixel lines (
도 8을 참조하면, 클러스터 구동 방식에 의하면, 표시패널(110)에 배치된 모든 서브픽셀 라인(SPL1, SPL2, ...)에서 N(N≥2)개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #N)씩 하나의 클러스터(CLST: Cluster, 블록이라고도 함)로 그룹화한다. Referring to FIG. 8, according to the cluster driving method, N (N≥2) subpixel lines (
여기서, N은 하나의 클러스터(CLST)에 포함되는 서브픽셀 라인들(SPL #1 ~ SPL #N)의 개수로서, 클러스터 크기를 나타내는 값이다. Here, N is the number of subpixel lines (
도 8을 참조하면, 다수의 서브픽셀(SP)은 M개의 클러스터(CLST #1, CLST #2, ... , CLST #M)으로 그룹화된다. M은 2 이상의 자연수일 수 있다. Referring to FIG. 8, multiple subpixels (SP) are grouped into M clusters (
도 8을 참조하면, M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M) 각각은 N개의 서브픽셀 라인(SPL #1, SPL #2, ... , SPL #N)을 포함할 수 있다. N은 2이상의 자연수일 수 있다. N개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #N) 각각에는 여러 개의 서브픽셀(SP)이 배치된다.Referring to FIG. 8, each of M clusters (
M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M) 각각에 N개의 서브픽셀 라인들(SPL #1, SPL #2, ... , SPL #N)이 포함된 경우, 클러스터 구동을 "N-클러스터 구동 "이라고 한다. If each of M clusters (
예를 들어, M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M) 각각에 4개의 서브픽셀 라인들(SPL #1 ~ SPL #4)이 포함된 경우, 클러스터 구동을 "4-클러스터 구동"이라고 한다. 다른 예를 들어, M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M) 각각에 6개의 서브픽셀 라인들(SPL #1 ~ SPL #6)이 포함된 경우, 클러스터 구동을 "6-클러스터 구동"이라고 한다.For example, if each of M clusters (
아래에서는, 설명의 편의를 위하여, M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M) 각각은 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #6, N=4)을 포함하는 경우를 예로 든다. 즉, "4-클러스터 구동"을 예로 든다. M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M) 중 제1 클러스터(CLST #1) 및 제2 클러스터(CLST #2)을 예로 든다. Below, for convenience of explanation, an example is given where each of M clusters (
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)의 클러스터 구동에 대한 타이밍도이고, 도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)의 클러스터 구동 시, 하나의 클러스터(Cluster)에 인가되는 게이트 신호들(SCAN, SENSE, EM)을 나타낸 도면이다.FIG. 9 is a timing diagram for cluster driving of the
도 9 및 도 10을 참조하면, 표시장치(100)는, 클러스터 구동(4-클러스터 구동) 시, 제1 클러스터(CLST #1)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)을 정해진 절차(SENSING, HOLD1, DW, HOLD2, EMISSIOND)에 따라 구동한다. 그리고, 제1 클러스터(CLST #1)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)의 구동이 시작된 이후, 정해진 타이밍에 따라, 제2 클러스터(CLST #2)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)의 구동이 시작될 수 있다. Referring to FIGS. 9 and 10, when driving a cluster (4-cluster driving), the
일 예로, 제1 클러스터(CLST #1)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)에 대응되는 4개의 스캔라인(SCL)의 구동과, 제2 클러스터(CLST #2)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)에 대응되는 4개의 스캔라인(SCL)의 구동이 중첩되지 않도록, 제1 클러스터(CLST #1)과 제2 클러스터(CLST #2)의 구동 타이밍이 제어될 수 있다. As an example, driving of four scan lines (SCL) corresponding to four subpixel lines (
도 9 및 도 10을 참조하면, 클러스터 구동 시, 제1 클러스터(CLST #1)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)에 배치된 서브픽셀들(SP)의 경우, 센싱 기간(SENSING)과 발광 기간(EMISSION)은 동시에 진행되고, 데이터 쓰기 기간(DW)은 순차적으로 진행된다. Referring to FIGS. 9 and 10, when driving a cluster, in the case of subpixels (SP) arranged in four subpixel lines (
도 9 및 도 10을 참조하면, 클러스터 구동 시, 센싱 기간(SENSING) 내 초기화 기간(INIT) 동안, 게이트 구동회로(130)는, 제1 클러스터(CLST #1)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)에 대응되는 4개의 스캔라인(SCL)으로 턴-온 레벨 전압의 스캔신호들(SCAN #1 ~ SCAN #4)을 동시에 인가하고, 제1 클러스터(CLST #1)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)에 대응되는 4개의 센스라인(SENL)으로 턴-온 레벨 전압의 센스신호(SENSE)를 동시에 인가하고, 제1 클러스터(CLST #1)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)에 대응되는 4개의 발광제어라인(EML)으로 턴-오프 레벨 전압의 발광제어신호(EM)를 동시에 인가한다. Referring to FIGS. 9 and 10, when driving a cluster, during the initialization period (INIT) within the sensing period (SENSING), the
도 9 및 도 10을 참조하면, 클러스터 구동 시, 센싱 기간(SENSING) 내 샘플링 기간(SAMP) 동안, 게이트 구동회로(130)는, 제1 클러스터(CLST #1)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)에 대응되는 4개의 스캔라인(SCL)으로 턴-온 레벨 전압의 스캔신호들(SCAN #1 ~ SCAN #4)을 동시에 지속적으로 인가하고, 제1 클러스터(CLST #1)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)에 대응되는 N개의 센스라인(SENL)으로 턴-오프 레벨 전압의 센스신호(SENSE)를 동시에 인가하고, 제1 클러스터(CLST #1)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)에 대응되는 N개의 발광제어라인(EML)으로 턴-온 레벨 전압의 발광제어신호(EM)를 동시에 인가한다. Referring to FIGS. 9 and 10, when driving a cluster, during a sampling period (SAMP) within a sensing period (SENSING), the
전술한 바와 같이, 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4) 모두는, 턴-온 레벨 전압 또는 턴-오프 레벨 전압의 센스신호(SENSE)를 동시에 인가 받는다. As described above, all four subpixel lines (
센스신호(SENSE)의 공급 구조의 일 예로, 제1 클러스터(CLST #1)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)에 배치된 서브픽셀들(SP) 각각은 센스 트랜지스터(SENT)를 1개씩 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 클러스터(CLST #1)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)에 대응되는 4개의 센스라인(SENL)이 배치되고, 게이트 구동회로(130)는 4개의 센스라인(SENL)으로 턴-온 레벨 전압 또는 턴-오프 레벨 전압의 센스신호(SENSE)를 공급할 수 있다. 제1 클러스터(CLST #1)에 대한 센스신호(SENSE)의 공급 방식의 일 예로, 게이트 구동회로(130)는 4개의 센스신호(SENSE)를 출력할 수 있다. 게이트 구동회로(130)에서 출력된 4개의 센스신호(SENSE)는 4개의 센스라인(SENL)으로 각각 인가될 수 있다. 제1 클러스터(CLST #1)에 대한 센스신호(SENSE)의 공급 방식의 다른 예로, 게이트 구동회로(130)는 1개의 센스신호(SENSE)를 출력할 수 있다. 이 경우, 1개의 센스신호(SENSE)는 4개의 센스라인(SENL)으로 분기되어 공급될 수 있다. As an example of a supply structure of a sense signal (SENSE), each of the subpixels (SP) disposed on four subpixel lines (
센스신호(SENSE)의 공급 구조의 다른 예로, 제1 클러스터(CLST #1)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)에 배치된 서브픽셀들(SP)은 컬럼 단위로 1개의 센스 트랜지스터(SENT)를 공유할 수 있다. 이 경우, 제1 클러스터(CLST #1)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)에 대응되는 1개의 센스라인(SENL)이 배치되고, 게이트 구동회로(130)는 1개의 센스라인(SENL)으로 턴-온 레벨 전압 또는 턴-오프 레벨 전압의 센스신호(SENSE)를 공급할 수 있다. 1개의 센스라인(SENL)에 공급된 턴-온 레벨 전압 또는 턴-오프 레벨 전압의 센스신호(SENSE)는 컬럼 단위로 1개의 센스 트랜지스터(SENT)에 인가되고, 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)에 포함된 동일 컬럼에 배치된 서브픽셀들(SP)에 의해 공유된다. As another example of the supply structure of the sense signal (SENSE), the subpixels (SP) arranged on the four subpixel lines (
전술한 바와 같이, 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4) 모두는, 턴-온 레벨 전압 또는 턴-오프 레벨 전압의 발광제어신호(EM)를 동시에 인가 받는다. As described above, all four subpixel lines (
발광제어신호(EM)의 공급 구조의 일 예로, 제1 클러스터(CLST #1)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)에 배치된 서브픽셀들(SP) 각각은 발광제어 트랜지스터(EMT)를 1개씩 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 클러스터(CLST #1)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)에 대응되는 4개의 발광제어라인(EML)이 배치되고, 게이트 구동회로(130)는 4개의 발광제어라인(EML)으로 턴-온 레벨 전압 또는 턴-오프 레벨 전압의 발광제어신호(EM)를 공급할 수 있다. 제1 클러스터(CLST #1)에 대한 발광제어신호(EM)의 공급 방식의 일 예로, 게이트 구동회로(130)는 4개의 발광제어신호(EM)를 출력할 수 있다. 게이트 구동회로(130)에서 출력된 4개의 발광제어신호(EM)는 4개의 발광제어라인(EML)으로 각각 인가될 수 있다. 제1 클러스터(CLST #1)에 대한 발광제어신호(EM)의 공급 방식의 다른 예로, 게이트 구동회로(130)는 1개의 발광제어신호(EM)를 출력할 수 있다. 1개의 발광제어신호(EM)는 4개의 발광제어라인(EML)으로 분기되어 공급될 수 있다. As an example of a supply structure of the emission control signal (EM), each of the subpixels (SP) arranged on the four subpixel lines (
발광제어신호(EM)의 공급 구조의 다른 예로, 제1 클러스터(CLST #1)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)에 배치된 서브픽셀들(SP)은 컬럼 단위로 1개의 발광제어 트랜지스터(EMT)를 공유할 수 있다. 이 경우, 제1 클러스터(CLST #1)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)에 대응되는 1개의 발광제어라인(EML)이 배치되고, 게이트 구동회로(130)는 1개의 발광제어라인(EML)으로 턴-온 레벨 전압 또는 턴-오프 레벨 전압의 발광제어신호(EM)를 공급할 수 있다. 1개의 발광제어라인(EML)에 공급된 턴-온 레벨 전압 또는 턴-오프 레벨 전압의 발광제어신호(EM)는 컬럼 단위로 1개의 센스 트랜지스터(SENT)에 인가되고, 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)에 포함된 동일 컬럼에 배치된 서브픽셀들(SP)에 의해 공유된다.As another example of the supply structure of the emission control signal (EM), the subpixels (SP) arranged on the four subpixel lines (
도 9 및 도 10을 참조하면, 클러스터 구동 시, 제1 클러스터(CLST #1)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)에 포함된 서브픽셀들(SP)은, 센싱 기간(SENSING)이 동시에 시작되어 동시에 완료되면, 영상 표시를 위한 데이터 전압(Vdata)이 순차적으로 기록된다. 즉, 클러스터 구동 시, 제1 클러스터(CLST #1)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4) 각각의 데이터 쓰기 기간(DW)은 순차적으로 진행된다. Referring to FIGS. 9 and 10, when driving the cluster, the subpixels (SP) included in the four subpixel lines (
이를 위해, 제1 클러스터(CLST #1)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)은, 각기 다른 길이만큼의 제1 홀딩 기간(HOLD1)을 가진 이후, 데이터 쓰기 기간(DW)을 갖는다. To this end, the four subpixel lines (
제1 홀딩 기간(HOLD1) 동안, 제1 클러스터(CLST #1)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)은 턴-오프 레벨 전압의 스캔신호(SCAN #1 ~ SCAN #4), 턴-오프 레벨 전압의 센스신호(SENSE), 턴-오프 레벨 전압의 발광제어신호(EM)를 공급받는다. During the first holding period (HOLD1), the four subpixel lines (
도 9 및 도 10을 참조하면, 제1 클러스터(CLST #1)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4) 각각의 데이터 쓰기 기간(DW)이 순차적으로 진행됨에 따라, 제1 클러스터(CLST #1)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4)은 각기 다른 길이만큼의 제2 홀딩 기간(HOLD2)을 가진다. 이후, 제1 클러스터(CLST #1)에 포함된 4개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #4) 각각의 발광 기간(EMISSION)이 동시에 진행된다. Referring to FIGS. 9 and 10, as the data write period (DW) of each of the four subpixel lines (
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(110)의 클러스터 구동에 필요한 클럭배선 구조를 나타낸 도면이다.FIG. 11 is a diagram showing a clock wiring structure required for cluster driving of the
도 11을 참조하면, 클러스터 구동 방식의 경우, N개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #N)을 하나의 클러스터(CLST)로 묶어서 동시에 구동하게 때문에, 순차 구동 방식에 비해, 일부 스캔신호(SCAN)를 위한 클럭신호들의 상 저감이 가능해질 수 있다. 데이터 쓰기 타이밍을 위한 스캔신호(SCAN)를 제외한 다른 타이밍에 사용되는 스캔신호(SCAN)는, 하나의 클러스터(CLST) 내 N개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #N)에 대응되는 N개의 스캔라인(SCL)에 동시에 출력될 수 있다. Referring to FIG. 11, in the case of the cluster driving method, N subpixel lines (
도 11을 참조하면, 예를 들어, N-클러스터 구동의 경우, 센스신호(SENSE)의 생성에 필요한 2상의 센스클럭 신호(SE_CLK1~2), 스캔신호(SCAN)의 생성에 필요한 2N상의 스캔 클럭신호(SC_CLK1~2N), 발광제어신호(EM)의 생성에 필요한 1상의 발광제어 클럭신호(EM_CLK1) 및 게이트 구동 회로(130) 내 스테이지(Stage) 간의 셋(Set) 및 리셋(Reset) 등의 제어를 위한 2상의 캐리 클럭신호(CR_CLK1~2) 등이 필요할 수 있다. Referring to FIG. 11, for example, in the case of N-cluster driving, the 2-phase sense clock signals (SE_CLK1 to 2) required for generating the sense signal (SENSE) and the 2N-phase scan clock required for generating the scan signal (SCAN) signals (SC_CLK1 to 2N), one-phase emission control clock signal (EM_CLK1) required for generating the emission control signal (EM), and set and reset between stages in the
만약, N=4인 4-클러스터 구동의 경우, 센스신호(SENSE)의 생성에 필요한 2상의 센스클럭 신호(SE_CLK1~2), 스캔신호(SCAN)의 생성에 필요한 8상의 스캔 클럭신호(SC_CLK1~8), 발광제어신호(EM)의 생성에 필요한 1상의 발광제어 클럭신호(EM_CLK1) 및 게이트 구동 회로(130) 내 스테이지(Stage) 간의 셋(Set) 및 리셋(Reset) 등의 제어를 위한 2상의 캐리 클럭신호(CR_CLK1~2) 등이 필요할 수 있다. 13상의 클럭신호들(SE_CLK1~2, SC_CLK1~8, EM_CLK1, CR_CLK1~2)이 필요하다. 즉, 13개의 클럭신호들(SE_CLK1~2, SC_CLK1~8, EM_CLK1, CR_CLK1~2)이 필요하다. In the case of 4-cluster operation with N=4, the 2-phase sense clock signal (SE_CLK1~2) required for generating the sense signal (SENSE) and the 8-phase scan clock signal (SC_CLK1~2) required for generating the scan signal (SCAN) 8), 2 for controlling the one-phase emission control clock signal (EM_CLK1) required for generating the emission control signal (EM) and the set and reset between stages in the gate driving circuit 130 A carry clock signal (CR_CLK1~2) may be required. 13 phase clock signals (SE_CLK1~2, SC_CLK1~8, EM_CLK1, CR_CLK1~2) are required. That is, 13 clock signals (SE_CLK1~2, SC_CLK1~8, EM_CLK1, CR_CLK1~2) are required.
이처럼, 클러스터 구동 방식의 경우, 순차 구동 방식의 경우보다, 클럭신호의 상 개수를 줄일 수 있다고 하더라도, 캐리신호(Carry Signal)의 전달 구조가 순차 구동 방식과 동일한 경우, 캐리신호에 의한 클럭신호의 상 개수가 증가하는 문제는 여전히 발생할 수 있다. 따라서, 클러스터 구동 방식의 경우에도, 클럭배선들(SE_CW1~2, SC_CW1~2N, EM_CW1, CR_CW1~2)이 배치되는 클럭배선 영역의 면적을 줄이는데 상당한 제약이 따를 수 밖에 없다. As such, in the case of the cluster driving method, even though the number of phases of the clock signal can be reduced compared to the case of the sequential driving method, if the transmission structure of the carry signal is the same as the sequential driving method, the clock signal by the carry signal Problems with increasing number of phases may still occur. Therefore, even in the case of the cluster driving method, there are significant limitations in reducing the area of the clock wiring area where the clock wiring (SE_CW1~2, SC_CW1~2N, EM_CW1, CR_CW1~2) is placed.
이에, 아래에서는, 클럭신호들의 상을 더욱 줄여주어 클럭배선 영역의 면적을 효과적으로 감소시켜줄 수 있는 방안을 설명한다. Accordingly, below, we will describe a method that can effectively reduce the area of the clock wiring area by further reducing the phase of clock signals.
도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)의 클러스터 구동에 필요한 클럭배선 개수를 저감하기 위하여, 중간 스테이지를 갖는 게이트 구동 회로(130)를 나타낸 도면이고, 도 13은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)의 클러스터 구동에 필요한 클럭배선 개수를 저감한 구조를 나타낸 도면이다. FIG. 12 is a diagram showing a
본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)는, 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)이 배치되고, 다수의 서브픽셀(SP)을 포함하는 표시패널(110)과, 다수의 데이터 라인(DL)을 구동하는 데이터 구동 회로(120)와, 다수의 게이트 라인(GL)을 구동하는 게이트 구동 회로(130)와, 데이터 구동 회로(120) 및 게이트 구동 회로(130)를 제어하는 컨트롤러(140) 등을 포함할 수 있다. The
N-클러스터 구동을 위하여, 다수의 서브픽셀(SP)은 M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M, M≥2)로 그룹화되되, M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M) 각각은 N개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #N, N≥2)을 포함할 수 있다. M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M) 중 하나의 클러스터는 다른 클러스터와 다른 구동 타이밍을 갖는다. For N-cluster operation, multiple subpixels (SP) are grouped into M clusters (
N-클러스터 구동 시, M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M) 각각에 포함된 N개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #N)에 배치된 서브픽셀(SP)들은 동시에 발광할 수 있다. When driving an N-cluster, subpixels (SP) arranged on N subpixel lines (
N-클러스터 구동 시, M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M) 각각에 포함된 N개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #N)에 배치된 서브픽셀(SP)들은 동시에 센싱 동작이 진행될 수 있다. When driving an N-cluster, the subpixels (SP) placed on the N subpixel lines (
도 12를 참조하면, 게이트 구동 회로(130)는 GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되며, 액티브 영역(A/A)의 외곽 영역인 넌-액티브 영역(N/A)에 배치될 수 있다. 게이트 구동 회로(130)는 액티브 영역(A/A)에 배치되는 다수의 게이트 라인(GL)과 연결될 수 있다. Referring to FIG. 12, the
도 12를 참조하면, 도 2와 같은 서브픽셀 구조 하에서, 게이트 구동 회로(130)는, 넌-액티브 영역에 배치된 (N+4)개의 클럭배선(SE_CW1, SC_CW1~N, EM_CW1, CR_CW1, INT_CR_CW1)을 통해 입력된 (N+4)개의 클럭신호(SE_CLK1, SC_CLK1~N, EM_CLK1, CR_CLK1, INT_CR_CLK1)를 토대로 다수의 스캔라인(SCL), 다수의 센스라인(SENL) 및 다수의 발광제어라인(EML)을 구동할 수 있다. Referring to FIG. 12, under the subpixel structure as shown in FIG. 2, the
게이트 구동 회로(130)에 포함되는 M개의 게이트 구동 유닛(GDU) 각각은, (N+4)개의 클럭신호(SE_CLK1, SC_CLK1~N, EM_CLK1, CR_CLK1, INT_CR_CLK1) 중 N개의 스캔 클럭신호(SC_CLK1~N), 1개의 센스 클럭신호(SE_CLK1), 1개의 발광제어 클럭신호(EM_CLK1) 및 1개의 캐리 클럭신호(CR_CLK1)를 토대로, N개의 스캔신호(SCAN), 1개의 센스신호(SENSE), 1개의 발광제어신호(EM) 및 1개의 캐리신호(CARRY)를 출력할 수 있다. Each of the M gate driving units (GDUs) included in the
게이트 구동 회로(130)에 포함되는 각 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)는, (N+4)개의 클럭신호(SE_CLK1, SC_CLK1~N, EM_CLK1, CR_CLK1, INT_CR_CLK1) 중 나머지 1개의 중간 캐리 클럭신호(INT_CR_CLK1)를 토대로, 1개의 중간 캐리신호(INT_CARRY)를 출력할 수 있다. Each intermediate stage circuit (INTER_STAGE) included in the
도 12를 참조하면, 게이트 구동 회로(130)는 M개의 게이트 구동 유닛(GDU; ... , GDU #(i-1), GDU #i, GDU #(i+1), ...)과 M개의 게이트 구동 유닛(GDU) 중 인접한 2개의 게이트 구동 유닛(예: GDU #(i-1)와 GDU #i, GDU #i와 GDU #(i+1)) 사이마다 배치되는 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE: Intermediate Stage Circuit)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 12, the
도 12를 참조하면, M개의 게이트 구동 유닛(GDU)은 각기 다른 N개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #N)을 포함하는 M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M)와 각각 대응된다. M개의 게이트 구동 유닛(GDU) 각각은 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1) 및 제2 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE2)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 12, M gate driving units (GDUs) each correspond to M clusters (
제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)는 캐리 클럭신호(CR_CLK1), 스캔 클럭신호들(SC_CLK1~4) 및 센스 클럭신호(SE_CLK1)를 입력 받고, 캐리신호(CARRY), 스캔신호들(SCAN<1:N>) 및 센스신호(SENSE<1:N>)를 출력한다. The first main stage circuit (MAIN_STAGE1) receives a carry clock signal (CR_CLK1), scan clock signals (SC_CLK1 to 4), and a sense clock signal (SE_CLK1), and receives a carry signal (CARRY) and scan signals (SCAN<1: N>) and sense signal (SENSE<1:N>) are output.
제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)는 쉬프트 레지스터(Shift Register) 구조를 가질 수 있다. The first main stage circuit (MAIN_STAGE1) may have a shift register structure.
제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)는 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)에서 출력된 중간 캐리신호(INT_CARRRY)를 이용하여, 셋(Set) 하거나 리셋(Reset)할 수 있다. The first main stage circuit (MAIN_STAGE1) can be set or reset using the intermediate carry signal (INT_CARRRY) output from the intermediate stage circuit (INTER_STAGE).
제2 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE2)는 발광제어 클럭신호(EM_CLK1)를 입력 받아, 하이 레벨 전압의 발광제어신호(EM<1:N>)를 출력할 수 있다. 제2 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE2)는 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)에서 출력된 캐리신호(CARRY)를 입력 신호(VINP)로서 입력 받아, 로우 레벨 전압의 발광제어신호(EM<1:N>)를 출력할 수 있다. The second main stage circuit (MAIN_STAGE2) can receive the emission control clock signal (EM_CLK1) and output the emission control signal (EM<1:N>) with a high level voltage. The second main stage circuit (MAIN_STAGE2) receives the carry signal (CARRY) output from the first main stage circuit (MAIN_STAGE1) as an input signal (VINP) and generates a low-level voltage emission control signal (EM<1:N>). can be output.
제2 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE2)는 인버터(Inverter) 구조를 가질 수 있다. 제2 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE2)는 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)와 같이 셋 신호(VST) 및 리셋 신호(VRST)를 이용하는 쉬프트 레지스터(Shift Resister) 구조로 구성될 수도 있다. The second main stage circuit (MAIN_STAGE2) may have an inverter structure. Like the first main stage circuit (MAIN_STAGE1), the second main stage circuit (MAIN_STAGE2) may be configured with a shift register structure using a set signal (VST) and a reset signal (VRST).
M개의 게이트 구동 유닛(GDU) 각각은 게이트 구동을 위한 M개의 스테이지(Stage)에 해당한다. Each of the M gate driving units (GDUs) corresponds to M stages for gate driving.
도 12를 참조하면, M개의 게이트 구동 유닛(GDU)은 (i-1)번째 스테이지인 (i-1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i-1)), i번째 스테이지인 i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i) 및 (i+1)번째 스테이지인 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1))를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 12, the M gate driving units (GDUs) are the (i-1)th gate driving unit (GDU #(i-1)) of the (i-1)th stage, and the ith gate driving of the ith stage. It may include a unit (GDU #i) and an (i+1)th gate driving unit (GDU #(i+1)) which is the (i+1)th stage.
(i-1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i-1))은 M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M) 중 (i-1)번째 클러스터(CLST #(i-1))에 배치된 게이트 라인(GL)들을 구동할 수 있다. i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)은 M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M) 중 i번째 클러스터(CLST #i)에 배치된 게이트 라인(GL)들을 구동할 수 있다. (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1))은 M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M) 중 (i+1)번째 클러스터(CLST #(i+1))에 배치된 게이트 라인(GL)들을 구동할 수 있다. The (i-1)th gate driving unit (GDU #(i-1)) is placed in the (i-1)th cluster (CLST #(i-1)) among M clusters (
도 12를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1)) 사이에 배치된 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)는, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i) 및 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1))으로부터 캐리신호(CARRY)를 입력 받을 수 있다. Referring to FIG. 12, the intermediate stage circuit (INTER_STAGE) disposed between the i-th gate driving unit (GDU #i) and the (i+1)-th gate driving unit (GDU #(i+1)) is connected to the i-th gate. A carry signal (CARRY) can be input from the driving unit (GDU #i) and the (i+1)th gate driving unit (GDU #(i+1)).
도 12를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1)) 사이에 배치된 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)는, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i) 및 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1))으로 중간 캐리신호(INT_CARRY)를 출력할 수 있다.Referring to FIG. 12, the intermediate stage circuit (INTER_STAGE) disposed between the i-th gate driving unit (GDU #i) and the (i+1)-th gate driving unit (GDU #(i+1)) is connected to the i-th gate. An intermediate carry signal (INT_CARRY) can be output to the driving unit (GDU #i) and the (i+1)th gate driving unit (GDU #(i+1)).
도 12를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1)) 사이에 배치된 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)는, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)으로부터 캐리신호(CARRY)를 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)의 셋 신호(VST)로서 입력 받을 수 있다. Referring to FIG. 12, the intermediate stage circuit (INTER_STAGE) disposed between the i-th gate driving unit (GDU #i) and the (i+1)-th gate driving unit (GDU #(i+1)) is connected to the i-th gate. The carry signal (CARRY) can be input from the driving unit (GDU #i) as the set signal (VST) of the intermediate stage circuit (INTER_STAGE).
도 12를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1)) 사이에 배치된 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)는, (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1))으로부터 캐리신호(CARRY)를 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)의 리셋 신호(VRST)로서 입력 받을 수 있다. Referring to FIG. 12, the intermediate stage circuit (INTER_STAGE) disposed between the i-th gate driving unit (GDU #i) and the (i+1)-th gate driving unit (GDU #(i+1)) is (i+ 1) The carry signal (CARRY) can be input from the gate driving unit (GDU #(i+1)) as the reset signal (VRST) of the intermediate stage circuit (INTER_STAGE).
도 12를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1)) 사이에 배치된 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)는, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)으로 중간 캐리신호(INT_CARRY)를 i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)의 리셋 신호(VRST)로서 출력할 수 있다. Referring to FIG. 12, the intermediate stage circuit (INTER_STAGE) disposed between the i-th gate driving unit (GDU #i) and the (i+1)-th gate driving unit (GDU #(i+1)) is connected to the i-th gate. The intermediate carry signal (INT_CARRY) can be output to the driving unit (GDU #i) as a reset signal (VRST) of the ith gate driving unit (GDU #i).
도 12를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1)) 사이에 배치된 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)는, (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1))으로 중간 캐리신호(INT_CARRY)를 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1))의 셋 신호(VST)로서 출력할 수 있다. Referring to FIG. 12, the intermediate stage circuit (INTER_STAGE) disposed between the i-th gate driving unit (GDU #i) and the (i+1)-th gate driving unit (GDU #(i+1)) is (i+ 1) The intermediate carry signal (INT_CARRY) is output as the set signal (VST) of the (i+1)th gate driving unit (GDU #(i+1)). You can.
한편, 이상에서 간략하게 설명한 중간 스테이지(Intermediate Stage)를 갖는 게이트 구동 방식에 대하여, 서브픽셀(SP)의 구체적인 구조를 통해 구체적으로 살펴본다. Meanwhile, the gate driving method with the intermediate stage briefly described above will be examined in detail through the specific structure of the subpixel (SP).
도 2를 참조하여 전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)의 다수의 서브픽셀(SP) 각각은 발광소자(ED), 발광소자(ED), 발광소자(ED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT), 스캔신호(SCAN)에 응답하여 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 해당 데이터 라인(DL) 간의 연결을 제어하는 스캔 트랜지스터(SCT) 및 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터(Cst)를 포함한다. As described above with reference to FIG. 2, each of the plurality of subpixels (SP) of the
도 2를 참조하여 전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)의 다수의 서브픽셀(SP)의 전체 또는 일부는, 센스신호(SENSE)에 응답하여 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 해당 기준라인 간의 연결을 제어하는 센스 트랜지스터(SENT)와, 발광제어신호(EM)에 응답하여 발광소자(ED)의 발광을 제어하는 발광제어 트랜지스터(EMT)를 더 포함할 수 있다. As described above with reference to FIG. 2, all or part of the plurality of subpixels (SP) of the
이러한 서브픽셀(SP)의 구조를 위해, 표시패널(110)에 배치된 다수의 게이트 라인(GL)은 다수의 스캔라인(SCL), 다수의 센스라인(SENL) 및 다수의 발광제어라인(EML)을 포함할 수 있다. For the structure of this subpixel (SP), a plurality of gate lines (GL) disposed on the
도 13을 참조하면, 일 예로, 표시패널(110)의 넌-액티브 영역(N/A)에는, (N+4)개의 클럭배선(SE_CW1, SC_CW1~N, EM_CW1, CR_CW1, INT_CR_CW1)이 배치될 수 있다. Referring to FIG. 13, as an example, (N+4) clock wires (SE_CW1, SC_CW1 to N, EM_CW1, CR_CW1, INT_CR_CW1) are disposed in the non-active area (N/A) of the
(N+4)개의 클럭배선(SE_CW1, SC_CW1~N, EM_CW1, CR_CW1, INT_CR_CW1)은, M개의 게이트 구동 유닛(GDU) 각각에 연결되며, N상(N개)의 스캔 클럭신호(SC_CLK1~N)를 M개의 게이트 구동 유닛(GDU) 각각에 전달하는 N개의 스캔 클럭배선(SC_CW1, SC_CW2, ... , SC_CWN)과, M개의 게이트 구동 유닛(GDU) 각각에 연결되며, 1상(1개)의 센스 클럭신호(SE_CLK1)를 M개의 게이트 구동 유닛(GDU) 각각에 전달하는 1개의 센스 클럭배선(SE_CW1)과, M개의 게이트 구동 유닛(GDU) 각각에 연결되며, 1상(1개)의 발광제어 클럭신호(EM_CLK1)를 M개의 게이트 구동 유닛(GDU) 각각에 전달하는 1개의 발광제어 클럭배선(EM_CW1)과, M개의 게이트 구동 유닛(GDU) 각각에 연결되며, 1상(1개)의 캐리 클럭신호(CR_CLK1)를 M개의 게이트 구동 유닛(GDU) 각각에 전달하는 1개의 캐리 클럭배선(CR_CW1)과, 각 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)에 연결되며, 1상(1개)의 중간 캐리 클럭신호(INT_CR_CLK1)를 각 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)에 전달하는 1개의 중간 캐리 클럭배선(INT_CR_CW1)을 포함할 수 있다. (N+4) clock wires (SE_CW1, SC_CW1~N, EM_CW1, CR_CW1, INT_CR_CW1) are connected to each of M gate driving units (GDUs), and N-phase (N) scan clock signals (SC_CLK1~N) ) are connected to each of the M gate drive units (GDUs), and 1 phase (1 ) one sense clock wire (SE_CW1) that transmits the sense clock signal (SE_CLK1) to each of the M gate driving units (GDUs), and is connected to each of the M gate driving units (GDUs), 1 phase (1) One light emission control clock wire (EM_CW1) that transmits the light emission control clock signal (EM_CLK1) to each of the M gate drive units (GDUs), is connected to each of the M gate drive units (GDUs), and has 1 phase (1 ) is connected to one carry clock wire (CR_CW1) that delivers the carry clock signal (CR_CLK1) to each of the M gate driving units (GDUs) and each intermediate stage circuit (INTER_STAGE), and is connected to the middle of one phase (one) It may include one intermediate carry clock wire (INT_CR_CW1) that delivers the carry clock signal (INT_CR_CLK1) to each intermediate stage circuit (INTER_STAGE).
전술한 바와 같이, 중간 스테이지를 갖는 게이트 구동 회로(130)를 이용하면, 도 11의 게이트 구동 회로(130)를 이용하는 것에 비해, 클럭배선 개수(클럭신호 상의 개수)가 2N+5개에서 N+4개로 줄어들 수 있다. As described above, when using the
예를 들어, 4-클러스터 구동의 경우, 도 11과 같이 중간 스테이지가 없는 게이트 구동 회로(130)를 이용하면, 클럭배선 개수(클럭신호 상의 개수)가 13개이지만, 중간 스테이지를 갖는 게이트 구동 회로(130)를 이용하면, 클럭배선 개수(클럭신호 상의 개수)가 8개가 된다. For example, in the case of 4-cluster driving, if the
따라서, 도 13에 도시된 바와 같이, 중간 스테이지를 게이트 구동 회로(130)를 이용하면, 클럭배선 개수가 줄어들게 되어, 넌-액티브 영역(N/A)에서 클럭배선 영역 면적이 더욱더 감소할 수 있다. Therefore, as shown in FIG. 13, if the
전술한 서브픽셀 구조 하에서, 클러스터 구동 시, 내부 보상을 포함하는 구동 타이밍을 간략하게 설명한다. Under the above-described subpixel structure, driving timing including internal compensation when driving a cluster will be briefly described.
M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M) 각각에 포함된 N개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #N)은, N개의 스캔라인(SCL), N개의 센스라인(SENL) 및 N개의 발광제어라인(EML)과 연결될 수 있다. The N subpixel lines (
한 프레임 시간 동안, M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M) 각각에 포함된 N개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #N) 각각의 구동시간은, 센싱 기간(SENSING), 제1 홀딩 기간(HOLD1), 데이터 쓰기 기간(DW), 제2 홀딩 기간(HOLD2) 및 발광 기간(EMISSION)을 포함할 수 있다. 센싱 기간(SENSING)은 초기화 기간(INIT)과 샘플링 기간(SAMP)을 포함할 수 있다(도 4, 도 5, 도 6 및 도 9 참조). During one frame time, the driving time of each of the N subpixel lines (
센싱 기간(SENSING) 내 초기화 기간(INIT) 동안, N개의 스캔라인(SCL)으로 턴-온 레벨 전압을 갖는 N개의 스캔신호(SCAN)가 동시에 인가되고, N개의 센스라인(SENL)으로 턴-온 레벨 전압을 갖는 N개의 센스신호(SENSE)가 동시에 인가되고, N개의 발광제어라인(EML)으로 턴-오프 레벨 전압을 갖는 N개의 발광제어신호(EM)가 동시에 인가될 수 있다. During the initialization period (INIT) within the sensing period (SENSING), N scan signals (SCAN) with turn-on level voltage are simultaneously applied to N scan lines (SCL), and turn-on level voltages are applied to N scan lines (SENL). N sense signals (SENSE) having an on-level voltage may be applied simultaneously, and N emission control signals (EM) having a turn-off level voltage may be simultaneously applied to the N emission control lines (EML).
센싱 기간(SENSING) 내 샘플링 기간(SAMP) 동안, N개의 스캔라인(SCL)으로 턴-온 레벨 전압을 갖는 N개의 스캔신호(SCAN)가 동시에 인가되고, N개의 센스라인(SENL)으로 턴-오프 레벨 전압을 갖는 N개의 센스신호(SENSE)가 동시에 인가되고, N개의 발광제어라인(EML)으로 턴-온 레벨 전압을 갖는 N개의 발광제어신호(EM)가 동시에 인가될 수 있다. During the sampling period (SAMP) within the sensing period (SENSING), N scan signals (SCAN) with turn-on level voltage are simultaneously applied to N scan lines (SCL), and turn-on level voltages are applied to N scan lines (SENL). N sense signals (SENSE) having an off-level voltage may be applied simultaneously, and N emission control signals (EM) having a turn-on level voltage may be simultaneously applied to the N emission control lines (EML).
제1 홀딩 기간(HOLD1) 동안, N개의 스캔라인(SCL)으로 턴-오프 레벨 전압을 갖는 N개의 스캔신호(SCAN)가 인가되고, N개의 센스라인(SENL)으로 턴-오프 레벨 전압을 갖는 N개의 센스신호(SENSE)가 인가되고, N개의 발광제어라인(EML)으로 턴-오프 레벨 전압을 갖는 N개의 발광제어신호(EM)가 인가될 수 있다. During the first holding period (HOLD1), N scan signals (SCAN) having a turn-off level voltage are applied to the N scan lines (SCL), and N scan signals (SCAN) having a turn-off level voltage are applied to the N sense lines (SENL). N sense signals (SENSE) may be applied, and N emission control signals (EM) having a turn-off level voltage may be applied to N emission control lines (EML).
데이터 쓰기 기간(DW) 동안, N개의 센스라인(SENL)으로 턴-오프 레벨 전압을 갖는 N개의 센스신호(SENSE)가 인가되고, N개의 발광제어라인(EML)으로 턴-오프 레벨 전압을 갖는 N개의 발광제어신호(EM)가 인가되고, N개의 스캔라인(SCL)으로 턴-온 레벨 전압을 갖는 N개의 스캔신호(SCAN)가 순차적으로 인가될 수 있다. During the data writing period (DW), N sense signals (SENSE) with turn-off level voltage are applied to N sense lines (SENL), and N sense signals (SENSE) with turn-off level voltage are applied to N emission control lines (EML). N emission control signals (EM) may be applied, and N scan signals (SCAN) having turn-on level voltages may be sequentially applied to N scan lines (SCL).
제2 홀딩 기간(HOLD2) 동안, N개의 스캔라인(SCL)으로 턴-오프 레벨 전압을 갖는 N개의 스캔신호(SCAN)가 인가되고, N개의 센스라인(SENL)으로 턴-오프 레벨 전압을 갖는 N개의 센스신호(SENSE)가 인가되고, N개의 발광제어라인(EML)으로 턴-오프 레벨 전압을 갖는 N개의 발광제어신호(EM)가 인가될 수 있다. During the second holding period (HOLD2), N scan signals (SCAN) having a turn-off level voltage are applied to the N scan lines (SCL), and N scan signals (SCAN) having a turn-off level voltage are applied to the N sense lines (SENL). N sense signals (SENSE) may be applied, and N emission control signals (EM) having a turn-off level voltage may be applied to N emission control lines (EML).
발광 기간(EMISSION) 동안, N개의 스캔라인(SCL)으로 턴-오프 레벨 전압을 갖는 N개의 스캔신호(SCAN)가 인가되고, N개의 센스라인(SENL)으로 턴-오프 레벨 전압을 갖는 N개의 센스신호(SENSE)가 인가되고, N개의 발광제어라인(EML)으로 턴-온 레벨 전압을 갖는 N개의 발광제어신호(EM)가 인가되고, N개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #N)이 동시에 발광할 수 있다. During the emission period (EMISSION), N scan signals (SCAN) with turn-off level voltages are applied to N scan lines (SCL), and N scan signals (SCAN) with turn-off level voltages are applied to N sense lines (SENL). A sense signal (SENSE) is applied, N emission control signals (EM) with turn-on level voltage are applied to N emission control lines (EML), and N subpixel lines (
참고로, 본 명세서에서, 각종 게이트 신호(SCAN, SENSE, EM 등)의 턴-온 레벨 전압은 해당 트랜지스터(스캔 트랜지스터, 센스 트랜지스터, 발광제어 트랜지스터 등)를 턴-온 시킬 수 있는 전압으로서, 해당 트랜지스터가 n 타입인 경우 하이 레벨 전압이고, 해당 트랜지스터가 p 타입인 경우 로우 레벨 전압일 수 있다. 본 명세서에서, 각종 게이트 신호(SCAN, SENSE, EM 등)의 턴-오프 레벨 전압은 해당 트랜지스터(스캔 트랜지스터, 센스 트랜지스터, 발광제어 트랜지스터 등)를 턴-오프 시킬 수 있는 전압으로서, 해당 트랜지스터가 n 타입인 경우 로우 레벨 전압이고, 해당 트랜지스터가 p 타입인 경우 하이 레벨 전압일 수 있다. 이러한 턴-온 레벨 전압 및 턴-오프 레벨 전압은 게이트 구동 회로(130) 내 트랜지스터들의 게이트 노드에 인가되는 게이트 신호에도 적용될 수 있다. For reference, in this specification, the turn-on level voltage of various gate signals (SCAN, SENSE, EM, etc.) is a voltage that can turn on the corresponding transistor (scan transistor, sense transistor, light emission control transistor, etc.). If the transistor is n-type, it may be a high-level voltage, and if the transistor is p-type, it may be a low-level voltage. In this specification, the turn-off level voltage of various gate signals (SCAN, SENSE, EM, etc.) is a voltage that can turn off the corresponding transistor (scan transistor, sense transistor, light emission control transistor, etc.), and the corresponding transistor is n If the transistor is a p-type, it may be a low-level voltage, and if the transistor is a p-type, it may be a high-level voltage. These turn-on level voltages and turn-off level voltages may also be applied to gate signals applied to gate nodes of transistors in the
M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M) 각각에 포함된 N개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #N) 각각의 샘플링 기간(SAMP) 동안, N개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #N)에 배치된 서브픽셀(SP)들 각각의 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압은 상승하다가 포화될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 소스 노드인 경우, 전술한 전압 상승 및 포화 현상을 소스 팔로잉(Source Following)이라고 한다. N subpixel lines (
샘플링 기간(SAMP) 동안의 소스 팔로윙 현상은 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압이 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)을 포함하는 전압 상태를 찾아가는 현상이다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 포화된 전압은 구동 트랜지스터의 제1 노드(N1)의 전압(Vdata)과 문턱전압(Vth)만큼 차이가 나는 전압 값(Vdata-Vth)일 수 있다. The source following phenomenon during the sampling period (SAMP) is a phenomenon in which the voltage of the second node (N2) of the driving transistor (DRT) finds a voltage state including the threshold voltage (Vth) of the driving transistor (DRT). The saturated voltage of the second node (N2) of the driving transistor (DRT) may be a voltage value (Vdata-Vth) that is different from the voltage (Vdata) of the first node (N1) of the driving transistor by the threshold voltage (Vth). there is.
따라서, 샘플링 기간(SAMP) 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 포화된 전압은 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압에 따라 달라질 수 있다. Accordingly, during the sampling period SAMP, the saturated voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT may vary depending on the threshold voltage of the driving transistor DRT.
아래에서는, 도 12를 참조하여 간략하게 설명한 중간 스테이지를 갖는 게이트 구동 회로(130)에 대하여 도 14 내지 도 17을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. Below, the
도 14는 도 12의 중간 스테이지를 갖는 게이트 구동 회로(130)를 더욱 상세하게 나타낸 도면이고, 도 15는 도 14의 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)를 나타낸 도면이고, 도 16은 도 14의 제2 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE2)를 나타낸 도면이고, 도 17은 도 14의 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)를 나타낸 도면이다. FIG. 14 is a diagram showing the
도 14를 참조하면, 도 2와 같은 서브픽셀 구조 하에서, 게이트 구동 회로(130)는, 넌-액티브 영역에 배치된 (N+4)개의 클럭배선(SE_CW1, SC_CW1~N, EM_CW1, CR_CW1, INT_CR_CW1)을 통해 입력된 (N+4)개의 클럭신호(SE_CLK1, SC_CLK1~N, EM_CLK1, CR_CLK1, INT_CR_CLK1)를 토대로 다수의 스캔라인(SCL), 다수의 센스라인(SENL) 및 다수의 발광제어라인(EML)을 구동할 수 있다. Referring to FIG. 14, under the subpixel structure as shown in FIG. 2, the
도 14를 참조하면, 게이트 구동 회로(130)는 M개의 게이트 구동 유닛(GDU; ... , GDU #(i-1), GDU #i, GDU #(i+1), ...)과 M개의 게이트 구동 유닛(GDU) 중 인접한 2개의 게이트 구동 유닛(예: GDU #(i-1)와 GDU #i, GDU #i와 GDU #(i+1)) 사이마다 배치되는 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE: Intermediate Stage Circuit)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 14, the
도 14를 참조하면, M개의 게이트 구동 유닛(GDU) 각각은, (N+4)개의 클럭신호(SE_CLK1, SC_CLK1~N, EM_CLK1, CR_CLK1, INT_CR_CLK1) 중 N개의 스캔 클럭신호(SC_CLK1~N), 1개의 센스 클럭신호(SE_CLK1), 1개의 발광제어 클럭신호(EM_CLK1) 및 1개의 캐리 클럭신호(CR_CLK1)를 토대로, N개의 스캔신호(SCAN<1:N>), 1개(또는 1개 내지 N개)의 센스신호(SENSE<1:N>), 1개(또는 1개 내지 N개)의 발광제어신호(EM<1:N>) 및 1개의 캐리신호(CARRY)를 출력할 수 있다. Referring to FIG. 14, each of the M gate driving units (GDUs) includes N scan clock signals (SC_CLK1 to N) among (N+4) clock signals (SE_CLK1, SC_CLK1 to N, EM_CLK1, CR_CLK1, INT_CR_CLK1), Based on one sense clock signal (SE_CLK1), one emission control clock signal (EM_CLK1), and one carry clock signal (CR_CLK1), N scan signals (SCAN<1:N>), 1 (or 1 to 1) N) sense signals (SENSE<1:N>), 1 (or 1 to N) emission control signals (EM<1:N>), and 1 carry signal (CARRY) can be output. .
도 14를 참조하면, M개의 게이트 구동 유닛(GDU)은 각기 다른 N개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #N)을 포함하는 M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M)와 각각 대응된다. M개의 게이트 구동 유닛(GDU) 각각은 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1) 및 제2 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE2)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 14, M gate driving units (GDUs) each correspond to M clusters (
M개의 게이트 구동 유닛(GDU)은 게이트 구동을 위한 M개의 스테이지(Stage)에 각각 해당한다. M gate driving units (GDUs) each correspond to M stages for gate driving.
도 14를 참조하면, M개의 게이트 구동 유닛(GDU)은 (i-1)번째 스테이지인 (i-1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i-1)), i번째 스테이지인 i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i) 및 (i+1)번째 스테이지인 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1))를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 14, the M gate driving units (GDUs) are the (i-1)th gate driving unit (GDU #(i-1)) of the (i-1)th stage, and the ith gate driving of the ith stage. It may include a unit (GDU #i) and an (i+1)th gate driving unit (GDU #(i+1)) which is the (i+1)th stage.
(i-1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i-1))은 M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M) 중 (i-1)번째 클러스터(CLST #(i-1))에 배치된 게이트 라인(GL)들을 구동할 수 있다. i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)은 M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M) 중 i번째 클러스터(CLST #i)에 배치된 게이트 라인(GL)들을 구동할 수 있다. (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1))은 M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M) 중 (i+1)번째 클러스터(CLST #(i+1))에 배치된 게이트 라인(GL)들을 구동할 수 있다. The (i-1)th gate driving unit (GDU #(i-1)) is placed in the (i-1)th cluster (CLST #(i-1)) among M clusters (
도 14를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1)) 사이에 배치된 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)는, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i) 및 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1))으로부터 캐리신호(CARRY)를 입력 받을 수 있다. Referring to FIG. 14, the intermediate stage circuit (INTER_STAGE) disposed between the i-th gate driving unit (GDU #i) and the (i+1)-th gate driving unit (GDU #(i+1)) is connected to the i-th gate. A carry signal (CARRY) can be input from the driving unit (GDU #i) and the (i+1)th gate driving unit (GDU #(i+1)).
도 14를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1)) 사이에 배치된 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)는, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i) 및 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1))으로 중간 캐리신호(INT_CARRY)를 출력할 수 있다.Referring to FIG. 14, the intermediate stage circuit (INTER_STAGE) disposed between the i-th gate driving unit (GDU #i) and the (i+1)-th gate driving unit (GDU #(i+1)) is connected to the i-th gate. An intermediate carry signal (INT_CARRY) can be output to the driving unit (GDU #i) and the (i+1)th gate driving unit (GDU #(i+1)).
도 14를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1)) 사이에 배치된 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)는, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)으로부터 캐리신호(CARRY)를 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)의 셋 신호(VST)로서 입력 받을 수 있다. Referring to FIG. 14, the intermediate stage circuit (INTER_STAGE) disposed between the i-th gate driving unit (GDU #i) and the (i+1)-th gate driving unit (GDU #(i+1)) is connected to the i-th gate. The carry signal (CARRY) can be input from the driving unit (GDU #i) as the set signal (VST) of the intermediate stage circuit (INTER_STAGE).
도 14를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1)) 사이에 배치된 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)는, (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1))으로부터 캐리신호(CARRY)를 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)의 리셋 신호(VRST)로서 입력 받을 수 있다. Referring to FIG. 14, the intermediate stage circuit (INTER_STAGE) disposed between the i-th gate driving unit (GDU #i) and the (i+1)-th gate driving unit (GDU #(i+1)) is (i+ 1) The carry signal (CARRY) can be input from the gate driving unit (GDU #(i+1)) as the reset signal (VRST) of the intermediate stage circuit (INTER_STAGE).
도 14를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1)) 사이에 배치된 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)는, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)으로 중간 캐리신호(INT_CARRY)를 i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)의 리셋 신호(VRST)로서 출력할 수 있다. Referring to FIG. 14, the intermediate stage circuit (INTER_STAGE) disposed between the i-th gate driving unit (GDU #i) and the (i+1)-th gate driving unit (GDU #(i+1)) is connected to the i-th gate. The intermediate carry signal (INT_CARRY) can be output to the driving unit (GDU #i) as a reset signal (VRST) of the ith gate driving unit (GDU #i).
도 14를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1)) 사이에 배치된 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)는, (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1))으로 중간 캐리신호(INT_CARRY)를 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1))의 셋 신호(VST)로서 출력할 수 있다. Referring to FIG. 14, the intermediate stage circuit (INTER_STAGE) disposed between the i-th gate driving unit (GDU #i) and the (i+1)-th gate driving unit (GDU #(i+1)) is (i+ 1) The intermediate carry signal (INT_CARRY) is output as the set signal (VST) of the (i+1)th gate driving unit (GDU #(i+1)). You can.
도 14를 참조하면, M개의 게이트 구동 유닛(GDU) 각각의 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)는, 스캔신호 출력부(1420), 센스신호 출력부(1410) 및 캐리신호 출력부(1430)를 포함할 수 있다. M개의 게이트 구동 유닛(GDU) 각각의 제2 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE2)는 발광제어신호 출력부(1440)를 포함할 수 있다. 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)는 중간 캐리신호 출력부(1450)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 14, the first main stage circuit (MAIN_STAGE1) of each of the M gate driving units (GDUs) includes a scan
도 14를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)에 포함된 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)의 스캔신호 출력부(1420)는 N개의 스캔 클럭신호(SC_CLK1~N)에 응답하여, N개의 스캔신호(SCAN<1:N>)를 출력할 수 있다. Referring to FIG. 14, the scan
N=4인 4-클러스터 구동의 경우, 도 15에 도시된 바와 같이, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)에 포함된 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)의 스캔신호 출력부(1420)는 4개의 스캔 클럭신호(SC_CLK1~4)에 응답하여, 4개의 스캔신호(SCAN<1:4>; SCAN #1, SCAN #2, SCAN #3, SCAN #4)를 출력할 수 있다.In the case of 4-cluster driving with N = 4, as shown in FIG. 15, the scan
도 14를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)에 포함된 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)의 센스신호 출력부(1410)는, 1개의 센스 클럭신호(SE_CLK1)에 응답하여, 1개의 센스신호(SENSE<1:N>; SENSE)를 출력(도 18 참조)하거나, K(1≤K≤N)개의 센스신호(SENSE<1:N>; SENSE #1 ~ SENSE #N)를 출력(도 19 참조)할 수 있다.Referring to FIG. 14, the sense
N=4인 4-클러스터 구동의 경우, 도 15에 도시된 바와 같이, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)에 포함된 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)의 센스신호 출력부(1410)는, 1개의 센스 클럭신호(SE_CLK1)에 응답하여, 1개의 센스신호(SENSE<1:4>; SENSE)를 출력(도 18 참조)하거나, K(1≤K≤4)개의 센스신호(SENSE<1:4>; SENSE #1 ~ SENSE #4)를 출력(도 19 참조)할 수 있다.In the case of 4-cluster driving with N = 4, as shown in FIG. 15, the sense
도 14를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)에 포함된 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)의 캐리신호 출력부(1430)는, 1개의 캐리 클럭신호(CR_CLK1)에 응답하여, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)에 포함된 제2 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE2)와, (i-1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i-1))과 i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i) 사이에 배치된 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)와, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1)) 사이에 배치된 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)로 1개의 캐리신호(CARRY)를 출력할 수 있다. Referring to FIG. 14, the carry
도 14를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)에 포함된 제2 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE2)에 포함된 발광제어신호 출력부(1440)는, 1개의 발광제어 클럭신호(EM_CLK1)에 응답하여, 1개의 발광제어신호(EM<1:N>; EM) 또는 K(1≤K≤N)개의 발광제어신호 (EM<1:N>)를 출력할 수 있다.Referring to FIG. 14, the emission control
N=4인 4-클러스터 구동의 경우, 도 16에 도시된 바와 같이, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)에 포함된 제2 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE2)에 포함된 발광제어신호 출력부(1440)는, 1개의 발광제어 클럭신호(EM_CLK1)에 응답하여, 1개의 발광제어신호(EM<1:4>; EM)를 출력(도 18 참조)하거나, K(1≤K≤4)개의 발광제어신호(EM <1:4>; EM #1 ~ EM #4)를 출력(도 19 참조)할 수 있다.In the case of 4-cluster driving with N = 4, as shown in FIG. 16, the light emission control
도 14를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1)) 사이에 위치하는 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)에 포함된 중간 캐리신호 출력부(1450)는, 1개의 중간 캐리 클럭신호(INT_CR_CLK1)에 응답하여, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)에 포함된 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)와, (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1))에 포함된 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)로 1개의 중간 캐리신호(INT_CARRY)를 출력할 수 있다. Referring to FIG. 14, the intermediate carry included in the intermediate stage circuit (INTER_STAGE) located between the i-th gate driving unit (GDU #i) and the (i+1)-th gate driving unit (GDU #(i+1)) The
도 14를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)에 포함된 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)에 포함된 캐리신호(CARRY) 출력부에서 출력되는 1개의 캐리신호(CARRY)는, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)에 포함된 제2 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE2)의 입력신호(VINP)로 입력될 수 있다. Referring to FIG. 14, one carry signal (CARRY) output from the carry signal (CARRY) output unit included in the first main stage circuit (MAIN_STAGE1) included in the ith gate driving unit (GDU #i) is i. It may be input as the input signal (VINP) of the second main stage circuit (MAIN_STAGE2) included in the second gate driving unit (GDU #i).
도 14를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)에 포함된 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)에 포함된 캐리신호(CARRY) 출력부에서 출력되는 1개의 캐리신호(CARRY)는, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1)) 사이에 배치된 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)의 셋 신호(VST)로 입력될 수 있다.Referring to FIG. 14, one carry signal (CARRY) output from the carry signal (CARRY) output unit included in the first main stage circuit (MAIN_STAGE1) included in the ith gate driving unit (GDU #i) is i. It can be input as a set signal (VST) of the intermediate stage circuit (INTER_STAGE) disposed between the (i+1)th gate driving unit (GDU #i) and the (i+1)th gate driving unit (GDU #(i+1)).
도 14를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)에 포함된 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)에 포함된 캐리신호(CARRY) 출력부에서 출력되는 1개의 캐리신호(CARRY)는, (i-1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i-1))과 i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i) 사이에 배치된 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)의 리셋 신호(VRST)로 입력될 수 있다.Referring to FIG. 14, one carry signal (CARRY) output from the carry signal (CARRY) output unit included in the first main stage circuit (MAIN_STAGE1) included in the ith gate driving unit (GDU #i) is ( It can be input as a reset signal (VRST) of the intermediate stage circuit (INTER_STAGE) disposed between the (i-1)th gate driving unit (GDU #(i-1)) and the ith gate driving unit (GDU #i).
도 14를 참조하면, 제2 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE2)에 포함된 발광제어신호 출력부(1440)는, 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)에 포함된 캐리신호 출력부(1430)에서 출력되는 1개의 캐리신호(CARRY)가 인버팅 된 1개의 발광제어신호(EM)를 출력할 수 있다. Referring to FIG. 14, the light emission control
도 14를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1)) 사이에 배치된 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)에 포함된 중간 캐리신호 출력부(1450)에서 출력되는 중간 캐리신호(INT_CARRY)는, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)에 포함된 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)의 리셋 신호(VRST)로 입력될 수 있다. Referring to FIG. 14, the intermediate carry included in the intermediate stage circuit (INTER_STAGE) disposed between the i-th gate driving unit (GDU #i) and the (i+1)-th gate driving unit (GDU #(i+1)) The intermediate carry signal (INT_CARRY) output from the
도 14를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1)) 사이에 배치된 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)에 포함된 중간 캐리신호 출력부(1450)에서 출력되는 중간 캐리신호(INT_CARRY)는, (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1))에 포함된 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)의 셋 신호(VST)로 입력될 수 있다.Referring to FIG. 14, the intermediate carry included in the intermediate stage circuit (INTER_STAGE) disposed between the i-th gate driving unit (GDU #i) and the (i+1)-th gate driving unit (GDU #(i+1)) The intermediate carry signal (INT_CARRY) output from the
도 15를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)의 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)에 포함된 센스신호 출력부(1410), 스캔신호 출력부(1420) 및 캐리신호 출력부(1430) 각각은 적어도 하나의 출력 버퍼(OUT_BUF)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 15, the sense
도 15를 참조하면, 캐리신호 출력부(1430)는 풀-업 트랜지스터(Tu_1) 및 풀-다운 트랜지스터(Td_1)로 구성되며, 풀-업 트랜지스터(Tu_1)와 풀-다운 트랜지스터(Td_1)가 연결된 출력 노드로 캐리신호(CARRY)를 출력할 수 있다. 풀-업 트랜지스터(Tu_1)의 드레인 노드(또는 소스 노드)에 캐리 클럭신호(CR_CLK1)이 인가되고, 풀-다운 트랜지스터(Td_1)의 드레인 노드(또는 소스 노드)에 베이스 전원(VSS1)이 인가될 수 있다. 풀-업 트랜지스터(Tu_1)의 게이트 노드와 소스 노드(또는 드레인 노드) 사이에 캐패시터(Cu_1)가 연결될 수 있다.Referring to FIG. 15, the carry
풀-업 트랜지스터(Tu_1)의 게이트 노드는 Q 노드이고, 풀-다운 트랜지스터(Td_1)의 게이트 노드는 QB 노드에 해당한다. Q 노드가 하이 레벨 전압을 가지면, 풀-업 트랜지스터(Tu_1)가 턴-온 되어, 캐리 클럭신호(CR_CLK1)를 하이 레벨 전압의 캐리신호(CARRY)로서 출력 노드로 출력한다. QB 노드가 하이 레벨 전압을 가지면, 풀-다운 트랜지스터(Td_1)가 턴-온 되어, 베이스 전원(VSS1)을 로우 레벨 전압의 캐리신호(CARRY)로서 출력 노드로 출력한다. The gate node of the pull-up transistor (Tu_1) corresponds to the Q node, and the gate node of the pull-down transistor (Td_1) corresponds to the QB node. When the Q node has a high level voltage, the pull-up transistor (Tu_1) is turned on and outputs the carry clock signal (CR_CLK1) as the carry signal (CARRY) of the high level voltage to the output node. When the QB node has a high level voltage, the pull-down transistor (Td_1) is turned on and outputs the base power supply (VSS1) as a carry signal (CARRY) of the low level voltage to the output node.
도 15를 참조하면, 센스신호 출력부(1410)는 풀-업 트랜지스터(Tu_2) 및 풀-다운 트랜지스터(Td_2)로 구성되며, 풀-업 트랜지스터(Tu_2)와 풀-다운 트랜지스터(Td_2)가 연결된 출력 노드로 센스신호(SENSE)를 출력할 수 있다. 풀-업 트랜지스터(Tu_2)의 드레인 노드(또는 소스 노드)에 센스 클럭신호(SE_CLK1)이 인가되고, 풀-다운 트랜지스터(Td_2)의 드레인 노드(또는 소스 노드)에 베이스 전원(VSS1)이 인가될 수 있다. 풀-업 트랜지스터(Tu_2)의 게이트 노드와 소스 노드(또는 드레인 노드) 사이에 캐패시터(Cu_2)가 연결될 수 있다.Referring to FIG. 15, the sense
풀-업 트랜지스터(Tu_2)의 게이트 노드는 Q 노드이고, 풀-다운 트랜지스터(Td_1)의 게이트 노드는 QB 노드에 해당한다. Q 노드가 하이 레벨 전압을 가지면, 풀-업 트랜지스터(Tu_2)가 턴-온 되어, 캐리 클럭신호(CR_CLK1)를 턴-온 레벨 전압의 센스신호(SENSE)로서 출력 노드로 출력한다. QB 노드가 하이 레벨 전압을 가지면, 풀-다운 트랜지스터(Td_2)가 턴-온 되어, 베이스 전원(VSS1)을 턴-오프 레벨 전압의 센스신호(SENSE)로서 출력 노드로 출력한다. The gate node of the pull-up transistor (Tu_2) corresponds to the Q node, and the gate node of the pull-down transistor (Td_1) corresponds to the QB node. When the Q node has a high level voltage, the pull-up transistor (Tu_2) is turned on and outputs the carry clock signal (CR_CLK1) as a sense signal (SENSE) of the turn-on level voltage to the output node. When the QB node has a high level voltage, the pull-down transistor (Td_2) is turned on and outputs the base power supply (VSS1) to the output node as a sense signal (SENSE) of the turn-off level voltage.
도 15를 참조하면, N-4인 4-클러스터 구동의 경우, 스캔신호 출력부(1420)는, 4(N=4)개의 풀-업 트랜지스터(Tu_3, Tu_4, Tu_5, Tu_6) 및 4(N=4)개의 풀-다운 트랜지스터(Td_3, Td_4, Td_5, Td_6)를 포함하여 구성된다. Referring to FIG. 15, in the case of N-4 4-cluster driving, the scan
N-4인 4-클러스터 구동의 경우, 스캔신호 출력부(1420)에서, 제1 풀-업 트랜지스터(Tu_3)와 제1 풀-다운 트랜지스터(Td_3)가 연결된 출력 노드로 제1 스캔신호(SCAN #1)를 출력하고, 제2 풀-업 트랜지스터(Tu_4)와 제2 풀-다운 트랜지스터(Td_4)가 연결된 출력 노드로 제2 스캔신호(SCAN #1)를 출력하고, 제3 풀-업 트랜지스터(Tu_5)와 제3 풀-다운 트랜지스터(Td_5)가 연결된 출력 노드로 제3 스캔신호(SCAN #1)를 출력하고, 제4 풀-업 트랜지스터(Tu_6)와 제4 풀-다운 트랜지스터(Td_6)가 연결된 출력 노드로 제4 스캔신호(SCAN #1)를 출력할 수 있다. In the case of N-4 4-cluster driving, the first scan signal (SCAN) is transmitted from the scan
제1 풀-업 트랜지스터(Tu_3)의 드레인 노드(또는 소스 노드)에 제1 스캔 클럭신호(SC_CLK1)이 인가되고, 제2 풀-업 트랜지스터(Tu_4)의 드레인 노드(또는 소스 노드)에 제2 스캔 클럭신호(SC_CLK2)이 인가되고, 제3 풀-업 트랜지스터(Tu_5)의 드레인 노드(또는 소스 노드)에 제3 스캔 클럭신호(SC_CLK3)이 인가되고, 제4 풀-업 트랜지스터(Tu_6)의 드레인 노드(또는 소스 노드)에 제4 스캔 클럭신호(SC_CLK4)이 인가된다. 제1 내지 제4 풀-업 트랜지스터(Tu_3, Tu_4, Tu_5, Tu_6)의 게이트 노드와 소스 노드(또는 드레인 노드) 사이에 캐패시터들(Cu_3, Cu_4, Cu_5, Cu_6)가 연결될 수 있다. The first scan clock signal (SC_CLK1) is applied to the drain node (or source node) of the first pull-up transistor (Tu_3), and the second scan clock signal (SC_CLK1) is applied to the drain node (or source node) of the second pull-up transistor (Tu_4). The scan clock signal (SC_CLK2) is applied, the third scan clock signal (SC_CLK3) is applied to the drain node (or source node) of the third pull-up transistor (Tu_5), and the third scan clock signal (SC_CLK3) is applied to the drain node (or source node) of the fourth pull-up transistor (Tu_6). The fourth scan clock signal (SC_CLK4) is applied to the drain node (or source node). Capacitors (Cu_3, Cu_4, Cu_5, and Cu_6) may be connected between the gate node and the source node (or drain node) of the first to fourth pull-up transistors (Tu_3, Tu_4, Tu_5, and Tu_6).
제1 내지 제4 풀-다운 트랜지스터(Td_3, Td_4, Td_5, Td_6)의 드레인 노드(또는 소스 노드)에는 베이스 전원(VSS1)이 공통으로 인가될 수 있다. The base power source VSS1 may be commonly applied to the drain nodes (or source nodes) of the first to fourth pull-down transistors Td_3, Td_4, Td_5, and Td_6.
제1 내지 제4 풀-업 트랜지스터(Tu_3, Tu_4, Tu_5, Tu_6)의 게이트 노드들(Q 노드)은 모두 전기적으로 연결될 수 있다(Q 노드 공유 구조). 제1 내지 제4 풀-다운 트랜지스터(Td_3, Td_4, Td_5, Td_6)의 게이트 노드들(QB 노드)은 모두 전기적으로 연결될 수 있다(QB 노드 공유 구조). 이 경우, Q 노드와 QB 노드를 제어하기 위한 1개의 로직(LOGIC)만이 필요하다. The gate nodes (Q nodes) of the first to fourth pull-up transistors (Tu_3, Tu_4, Tu_5, and Tu_6) may all be electrically connected (Q node sharing structure). The gate nodes (QB nodes) of the first to fourth pull-down transistors (Td_3, Td_4, Td_5, and Td_6) may all be electrically connected (QB node sharing structure). In this case, only one logic (LOGIC) is needed to control the Q node and QB node.
이와 다르게, 제1 내지 제4 풀-업 트랜지스터(Tu_3, Tu_4, Tu_5, Tu_6)의 게이트 노드들(Q 노드)은 모두 전기적으로 분리될 수도 있다(Q 노드 분리 구조). 제1 내지 제4 풀-다운 트랜지스터(Td_3, Td_4, Td_5, Td_6)의 게이트 노드들(QB 노드)은 모두 전기적으로 분리될 수 있다(QB 노드 분리 구조). 이 경우, 4개의 로직(LOGIC)이 필요하다. Alternatively, the gate nodes (Q nodes) of the first to fourth pull-up transistors (Tu_3, Tu_4, Tu_5, and Tu_6) may all be electrically separated (Q node isolation structure). The gate nodes (QB nodes) of the first to fourth pull-down transistors (Td_3, Td_4, Td_5, and Td_6) can all be electrically separated (QB node isolation structure). In this case, 4 logics (LOGIC) are required.
Q 노드가 하이 레벨 전압을 가지면, 제1 내지 제4 풀-업 트랜지스터(Tu_3, Tu_4, Tu_5, Tu_6)가 턴-온 되어, 제1 내지 제4 스캔 클럭신호(SC_CLK1~4)를 제1 내지 제4 스캔신호(SCAN #1 ~ SCAN #4)로서 출력 노드로 출력한다. 여기서, 제1 내지 제4 스캔 클럭신호(SC_CLK1~4)의 전압 레벨에 따라, 제1 내지 제4 스캔신호(SCAN #1 ~ SCAN #4)는 모두 동일할 수도 있고, 제1 내지 제4 스캔신호(SCAN #1 ~ SCAN #4) 중 일부는 다를 수도 있다. When the Q node has a high level voltage, the first to fourth pull-up transistors (Tu_3, Tu_4, Tu_5, Tu_6) are turned on, and the first to fourth scan clock signals (SC_CLK1 to 4) are connected to the first to fourth pull-up transistors (Tu_3, Tu_4, Tu_5, Tu_6). It is output to the output node as the fourth scan signal (
QB 노드가 하이 레벨 전압을 가지면, 제1 내지 제4 풀-다운 트랜지스터(Td_3, Td_4, Td_5, Td_6)가 턴-온 되어, 베이스 전원(VSS1)을 제1 내지 제4 스캔신호 (SCAN #1 ~ SCAN #4)로서 출력 노드로 출력한다.When the QB node has a high level voltage, the first to fourth pull-down transistors (Td_3, Td_4, Td_5, Td_6) are turned on, and the base power supply (VSS1) is sent to the first to fourth scan signals (SCAN #1). ~ SCAN #4) and output to the output node.
도 15를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)의 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)는 센스신호 출력부(1410), 스캔신호 출력부(1420) 및 캐리신호 출력부(1430) 이외에, 로직(LOGIC)를 더 포함할 수 있다. Referring to FIG. 15, the first main stage circuit (MAIN_STAGE1) of the ith gate driving unit (GDU #i) includes a sense
도 15를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)의 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)에 포함된 로직(LOGIC)은, (i-1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i-1))과 i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i) 사이에 배치된 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)로부터 출력된 중간 캐리신호(INT_CARRY)를 셋 신호(VST)로서 입력 받고, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1)) 사이에 배치된 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)로부터 출력된 중간 캐리신호(INT_CARRY)를 리셋 신호(VRST)로서 입력 받는다. Referring to FIG. 15, the logic (LOGIC) included in the first main stage circuit (MAIN_STAGE1) of the ith gate driving unit (GDU #i) is the (i-1)th gate driving unit (GDU #(i-1). )) and the ith gate driving unit (GDU #i) receive the intermediate carry signal (INT_CARRY) output from the intermediate stage circuit (INTER_STAGE) as a set signal (VST), and The intermediate carry signal (INT_CARRY) output from the intermediate stage circuit (INTER_STAGE) disposed between i) and (i+1)th gate driving unit (GDU #(i+1)) is input as a reset signal (VRST).
도 15를 참조하면, 풀-업 트랜지스터들(Tu_1 ~ Tu_6)의 게이트 노드들(Q 노드)은 모두 전기적으로 연결되고, 풀-다운 트랜지스터들(Td_1 ~ Td_6)의 게이트 노드들(QB 노드)이 모두 전기적으로 연결될 수 있다(Q 노드 공유 구조, QB 노드 공유 구조). Referring to FIG. 15, the gate nodes (Q node) of the pull-up transistors (Tu_1 to Tu_6) are all electrically connected, and the gate nodes (QB node) of the pull-down transistors (Td_1 to Td_6) are electrically connected. All can be electrically connected (Q node sharing structure, QB node sharing structure).
이와 같이, Q 노드 공유 구조 및 QB 노드 공유 구조를 갖는 경우, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)의 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)에 포함된 로직(LOGIC)은, 입력되는 셋 신호(VST) 또는 리셋 신호(VRST)와, 입력되는 전원들(VDD, VSS2)를 이용하여, 풀-업 트랜지스터들(Tu_1 ~ Tu_6)의 게이트 노드들이 모두 전기적으로 연결되어 공유되는 Q 노드와, 풀-다운 트랜지스터들(Td_1 ~ Td_6)의 게이트 노드들이 모두 전기적으로 연결되어 공유되는 QB 노드를 제어할 수 있다. In this way, in the case of having the Q node sharing structure and the QB node sharing structure, the logic (LOGIC) included in the first main stage circuit (MAIN_STAGE1) of the ith gate driving unit (GDU #i) is the input set signal (VST). ) or using the reset signal (VRST) and the input power sources (VDD, VSS2), the gate nodes of the pull-up transistors (Tu_1 to Tu_6) are all electrically connected to a shared Q node, and the pull-down The gate nodes of the transistors (Td_1 to Td_6) are all electrically connected to control the shared QB node.
풀-업 트랜지스터들(Tu_1 ~ Tu_6)의 게이트 노드들(Q 노드)은 모두 전기적으로 분리되고, 풀-다운 트랜지스터들(Td_1 ~ Td_6)의 게이트 노드들(QB 노드)이 모두 전기적으로 분리될 수 있다(Q 노드 분리 구조, QB 노드 분리 구조). The gate nodes (Q nodes) of the pull-up transistors (Tu_1 to Tu_6) can all be electrically separated, and the gate nodes (QB nodes) of the pull-down transistors (Td_1 to Td_6) can all be electrically separated. (Q node separation structure, QB node separation structure).
이와 같이, Q 노드 분리 구조 및 QB 노드 분리 구조를 갖는 경우, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)의 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)는, 출력신호(CARRY, SENSE, SCAN #1, SCAN #2, SCAN #3, SCAN #4) 마다 별도의 로직(LOGIC)을 포함할 수 있다. 즉, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)의 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)는, 캐리신호(CARRY)를 출력하기 위한 풀-업 트랜지스터(Tu_1)와 풀-다운 트랜지스터(Td_1)의 게이트 노드들(Q 노드, QB 노드)을 제어하기 위한 로직(LOGIC)과, 센스신호(SENSE)를 출력하기 위한 풀-업 트랜지스터(Tu_2)와 풀-다운 트랜지스터(Td_2)의 게이트 노드들(Q 노드, QB 노드)을 제어하기 위한 로직(LOGIC)과, 제1 스캔신호(SCAN #1)를 출력하기 위한 풀-업 트랜지스터(Tu_3)와 풀-다운 트랜지스터(Td_3)의 게이트 노드들(Q 노드, QB 노드)을 제어하기 위한 로직(LOGIC)과, 제2 스캔신호(SCAN #2)를 출력하기 위한 풀-업 트랜지스터(Tu_4)와 풀-다운 트랜지스터(Td_4)의 게이트 노드들(Q 노드, QB 노드)을 제어하기 위한 로직(LOGIC)과, 제3 스캔신호(SCAN #3)를 출력하기 위한 풀-업 트랜지스터(Tu_5)와 풀-다운 트랜지스터(Td_5)의 게이트 노드들(Q 노드, QB 노드)을 제어하기 위한 로직(LOGIC)과, 제4 스캔신호(SCAN #4)를 출력하기 위한 풀-업 트랜지스터(Tu_6)와 풀-다운 트랜지스터(Td_6)의 게이트 노드들(Q 노드, QB 노드)을 제어하기 위한 로직(LOGIC)을 포함할 수 있다. As such, in the case of having the Q node separation structure and the QB node separation structure, the first main stage circuit (MAIN_STAGE1) of the ith gate driving unit (GDU #i) output signals (CARRY, SENSE,
도 15를 참조하면, 로직(LOGIC)은, 하이 레벨 전압의 셋 신호(VST)와 로우 레벨 전압의 리셋 신호(VRST)가 입력되면, 하이 레벨 전압의 셋 신호(VST)를 Q 노드로 출력하고, 로우 레벨 전압의 전원을 QB 노드로 출력한다. 이에 따라, Q 노드는 하이 레벨 전압을 갖게 되고, QB 노드는 로우 레벨 전압을 갖게 된다. 따라서, 캐리신호 출력부(1430), 센스신호 출력부(1410) 및 스캔신호 출력부(1420)에 포함되는 모든 풀-업 트랜지스터들(Tu_1 ~ Tu_6)이 턴-온 되고, 모든 풀-다운 트랜지스터들(Td_1 ~ Td_6)은 턴-오프 된다. Referring to FIG. 15, when the high-level voltage set signal (VST) and the low-level voltage reset signal (VRST) are input, the logic (LOGIC) outputs the high-level voltage set signal (VST) to the Q node. , output low-level voltage power to the QB node. Accordingly, the Q node has a high level voltage, and the QB node has a low level voltage. Accordingly, all pull-up transistors (Tu_1 to Tu_6) included in the carry
도 15를 참조하면, 로직(LOGIC)은, 하이 레벨 전압의 리셋 신호(VRST)와 로우 레벨 전압의 셋 신호(VST)가 입력되면, 하이 레벨 전압의 전원(VDD)을 QB 노드로 출력하고, 로우 레벨 전압의 전원(VSS2)을 Q 노드로 출력한다. 이에 따라, QB 노드는 하이 레벨 전압을 갖게 되고, Q 노드는 로우 레벨 전압을 갖게 된다. 따라서, 캐리신호 출력부(1430), 센스신호 출력부(1410) 및 스캔신호 출력부(1420)에 포함되는 모든 풀-다운 트랜지스터들(Td_1 ~ Td_6)이 턴-온 되고, 모든 풀-업 트랜지스터들(Tu_1 ~ Tu_6)이 턴-오프 된다. Referring to FIG. 15, when the high-level voltage reset signal (VRST) and the low-level voltage set signal (VST) are input, the logic (LOGIC) outputs the high-level voltage power supply (VDD) to the QB node, The low-level voltage power supply (VSS2) is output to the Q node. Accordingly, the QB node has a high level voltage, and the Q node has a low level voltage. Accordingly, all pull-down transistors (Td_1 to Td_6) included in the carry
이러한 로직(LOGIC_INT)은 전술한 바와 같이 동작할 수 있도록 여러 개의 트랜지스터들로 구성될 수 있다. This logic (LOGIC_INT) may be composed of multiple transistors to operate as described above.
도 16을 참조하면, 제2 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE2)의 발광제어신호 출력부(1440)는, 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)에 포함된 캐리신호 출력부(1430)에서 출력되는 1개의 캐리신호(CARRY)를 입력 신호(VINP)로서 입력 받고, 발광제어 클럭신호(EM_CLK1) 및 각종 전원들(VD2, VDD2, VSS3, VSS4)를 더 입력 받는다. Referring to FIG. 16, the light emission control
제2 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE2)의 발광제어신호 출력부(1440)는, 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)에 포함된 캐리신호 출력부(1430)에서 출력되는 캐리신호(CARRY)를 입력 신호(VINP)로서 입력 받고, 입력된 캐리신호(CARRY)를 이용하여 1개의 발광제어신호(EM)를 출력할 수 있다. The light emission control
여기서, 발광제어신호(EM)는 캐리신호(CARRY)와 전압 레벨이 반전된 신호일 수 있다. 즉, 발광제어신호(EM)는 캐리신호(CARRY)가 인버팅 된 신호일 수 있다. Here, the emission control signal (EM) may be a signal whose voltage level is inverted from that of the carry signal (CARRY). That is, the emission control signal (EM) may be an inverted signal of the carry signal (CARRY).
제2 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE2)의 발광제어신호 출력부(1440)는 발광제어 클럭신호(EM_CLK1)를 입력 받아, 하이 레벨 전압의 발광제어신호(EM)를 출력할 수 있다. 제2 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE2)는 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)에서 출력된 캐리신호(CARRY)를 입력 신호(VINP)로서 입력 받아, 로우 레벨 전압의 발광제어신호(EM)를 출력할 수 있다. The light emission control
도 17을 참조하면, 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)의 중간 캐리신호 출력부(1450)는, 풀-업 트랜지스터(Tu_i) 및 풀-다운 트랜지스터(Td_i)를 포함하고, 풀-업 트랜지스터(Tu_i)의 게이트 노드에 해당하는 Qi 노드와 풀-다운 트랜지스터(Td_i)의 게이트 노드에 해당하는 QBi 노드를 제어하는 로직(LOGIC_INT)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 17, the intermediate carry
중간 캐리신호 출력부(1450)에서, 풀-업 트랜지스터(Tu_i)와 풀-다운 트랜지스터(Td_i)가 연결된 출력 노드로 중간 캐리신호(INT_CARRY)를 출력할 수 있다. 풀-업 트랜지스터(Tu_i)의 드레인 노드(또는 소스 노드)에 중간 캐리 클럭신호(INT_CR_CLK1)이 인가되고, 풀-다운 트랜지스터(Td_i)의 드레인 노드(또는 소스 노드)에 베이스 전원(VSS1)이 인가될 수 있다. The intermediate carry
중간 캐리신호 출력부(1450)에서, 풀-업 트랜지스터(Tu_i)의 게이트 노드는 Q 노드이고, 풀-다운 트랜지스터(Td_i)의 게이트 노드는 QB 노드에 해당한다. Q 노드가 하이 레벨 전압을 가지면, 풀-업 트랜지스터(Tu_i)가 턴-온 되어, 중간 캐리 클럭신호(INT_CR_CLK1)를 하이 레벨 전압의 중간 캐리신호(INT_CARRY)로서 출력 노드로 출력한다. QB 노드가 하이 레벨 전압을 가지면, 풀-다운 트랜지스터(Td_i)가 턴-온 되어, 베이스 전원(VSS1)을 로우 레벨 전압의 캐리신호(CARRY)로서 출력 노드로 출력한다.In the intermediate carry
도 17을 참조하면, 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)의 중간 캐리신호 출력부(1450)에 포함된 로직(LOGIC_INT)은, 각종 전원들(VDD, VSS2), 셋 신호(VST) 및 리셋 신호(VRST)를 입력 받아, 동작의 세팅 및 리셋, 그리고 Qi 노드 및 QBi 노드를 제어할 수 있다. Referring to FIG. 17, the logic (LOGIC_INT) included in the intermediate carry
i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)와 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1)) 사이에 위치한 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)의 중간 캐리신호 출력부(1450)에 포함된 로직(LOGIC_INT)에 입력되는 셋 신호(VST)는, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)에 포함된 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)의 캐리신호 출력부(1430)에서 출력된 캐리신호(CARRY)일 수 있다. Included in the intermediate carry
i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)와 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1)) 사이에 위치한 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)의 중간 캐리신호 출력부(1450)에 포함된 로직(LOGIC_INT)에 입력되는 리셋 신호(VRST)는, (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1))에 포함된 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)의 캐리신호 출력부(1430)에서 출력된 캐리신호(CARRY)일 수 있다. Included in the intermediate carry
도 17을 참조하면, 로직(LOGIC_INT)은, 하이 레벨 전압의 셋 신호(VST)와 로우 레벨 전압의 리셋 신호(VRST)가 입력되면, 하이 레벨 전압의 셋 신호(VST)를 Qi 노드로 출력하고, 로우 레벨 전압의 전원을 QBi 노드로 출력한다. 이에 따라, Q 노드는 하이 레벨 전압을 갖게 되고, QB 노드는 로우 레벨 전압을 갖게 된다. 따라서, 풀-업 트랜지스터(Tui)가 턴-온 되고, 풀-다운 트랜지스터(Tdi)는 턴-오프 된다. Referring to FIG. 17, when the high-level voltage set signal (VST) and the low-level voltage reset signal (VRST) are input, the logic (LOGIC_INT) outputs the high-level voltage set signal (VST) to the Qi node. , output low-level voltage power to the QBi node. Accordingly, the Q node has a high level voltage, and the QB node has a low level voltage. Accordingly, the pull-up transistor (Tui) is turned on, and the pull-down transistor (Tdi) is turned off.
도 17을 참조하면, 로직(LOGIC_INT)은, 하이 레벨 전압의 리셋 신호(VRST)와 로우 레벨 전압의 셋 신호(VST)가 입력되면, 하이 레벨 전압의 전원(VDD)을 QBi 노드로 출력하고, 로우 레벨 전압의 전원(VSS2)을 Qi 노드로 출력한다. 이에 따라, QBi 노드는 하이 레벨 전압을 갖게 되고, Qi 노드는 로우 레벨 전압을 갖게 된다. 따라서, 풀-업 트랜지스터(Tui)가 턴-오프 되고, 풀-다운 트랜지스터(Tdi)는 턴-온 된다.Referring to FIG. 17, when the reset signal (VRST) of the high level voltage and the set signal (VST) of the low level voltage are input, the logic (LOGIC_INT) outputs the power supply (VDD) of the high level voltage to the QBi node, The low-level voltage power supply (VSS2) is output to the Qi node. Accordingly, the QBi node has a high level voltage, and the Qi node has a low level voltage. Accordingly, the pull-up transistor (Tui) is turned off and the pull-down transistor (Tdi) is turned on.
이러한 로직(LOGIC_INT)은 전술한 바와 같이 동작할 수 있도록 여러 개의 트랜지스터들로 구성될 수 있다. This logic (LOGIC_INT) may be composed of multiple transistors to operate as described above.
도 18은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)의 클러스터 구동을 위한 센스신호(SENSE) 및 발광제어신호(EM)의 공급 구조를 간략하게 나타낸 도면이고, Figure 18 is a diagram briefly showing the supply structure of a sense signal (SENSE) and an emission control signal (EM) for cluster driving of the
도 18을 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)에 포함된 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)에 포함된 센스신호 출력부(1410)에서 출력된 1개의 센스신호(SENSE)는, i번째 클러스터(CLST #i)에 포함된 N개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #N)과 대응되는 N개의 센스라인(SENL #1 ~ SENL #N)으로 분기되어 인가될 수 있다. Referring to FIG. 18, one sense signal (SENSE) output from the sense
이를 위해, 표시패널(110)의 액티브 영역(A/A) 또는 넌-액티브 영역(N/A)에서는, N개의 센스라인(SENL #1 ~ SENL #N)이 전기적으로 묶여지는 하나 이상의 지점(CNT_SENL)이 존재할 수 있다. To this end, in the active area (A/A) or non-active area (N/A) of the
이에 따라, M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M) 각각에 포함되는 N개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #N)에 포함된 서브픽셀(SP)들에 배치된 센스 트랜지스터(SENT)들의 게이트 노드들은 전기적으로 연결되거나 센스신호(SENSE)가 동시에 인가될 수 있다. Accordingly, the sense transistor (SENT) disposed in the subpixels (SP) included in the N subpixel lines (
도 18을 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)에 포함된 제2 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE2)에 발광제어신호 출력부(1440)에서 출력된 1개의 발광제어신호(EM)는, N개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #N)과 대응되는 N개의 발광제어라인(EML #1 ~ EML #N)으로 분기되어 인가될 수 있다.Referring to FIG. 18, one emission control signal (EM) output from the emission control
이를 위해, 표시패널(110)의 액티브 영역(A/A) 또는 넌-액티브 영역(N/A)에서는, N개의 발광제어라인(EML #1 ~ EML #N)이 전기적으로 묶여지는 하나 이상의 지점(CNT_EML)이 존재할 수 있다. To this end, in the active area (A/A) or non-active area (N/A) of the
이에 따라, M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M) 각각에 포함되는 N개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #N)에 포함된 서브픽셀(SP)들에 배치된 발광제어 트랜지스터(EMT)들의 게이트 노드들은 전기적으로 연결되거나 발광제어신호(EM)가 동시에 인가될 수 있다.Accordingly, the emission control transistor (EMT) disposed in the subpixels (SP) included in the N subpixel lines (
이러한 센스신호(SENSE) 및 발광제어신호(EM)의 공급 구조를 갖고, GIP 타입의 게이트 구동 회로(130)를 포함하는 표시패널(110)을 간략하게 설명하면 다음과 같다. The
본 발명의 실시예들에 따른 표시패널(110)은, 액티브 영역(A/A)에 배치되며, 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)과 연결된 다수의 서브픽셀(SP)과, 액티브 영역(A/A)의 외곽 영역인 넌-액티브 영역(N/A)에 배치되며 다수의 게이트 라인(GL)과 연결되는 게이트 구동 회로(130) 등을 포함할 수 있다. The
다수의 서브픽셀(SP)은 M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M)로 그룹화되고, M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M) 각각은 N개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #N)을 포함할 수 있다. 여기서, M은 2 이상의 자연수이고, N은 2이상의 자연수일 수 있다. Multiple subpixels (SP) are grouped into M clusters (
M개의 클러스터(CLST #1 ~ CLST #M) 각각에 포함된 N개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #N)에 배치된 서브픽셀(SP)들은 동시에 발광할 수 있다. Subpixels (SP) arranged on N subpixel lines (
다수의 게이트 라인(GL)은 다수의 스캔라인(SCL), 다수의 센스라인(SENL) 및 다수의 발광제어라인(EML)을 포함할 수 있다. The plurality of gate lines (GL) may include a plurality of scan lines (SCL), a plurality of sense lines (SENL), and a plurality of emission control lines (EML).
다수의 서브픽셀(SP) 각각은, 발광소자(ED)와, 발광소자(ED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT)와, 스캔신호(SCAN)에 응답하여 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 해당 데이터 라인(DL) 간의 연결을 제어하는 스캔 트랜지스터(SCT)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터(Cst)를 포함할 수 있다. Each of the plurality of subpixels (SP) includes a light emitting element (ED), a driving transistor (DRT) for driving the light emitting element (ED), and a first node ( A scan transistor (SCT) that controls the connection between N1) and the corresponding data line (DL), and a storage capacitor (Cst) electrically connected between the first node (N1) and the second node (N2) of the driving transistor (DRT) may include.
다수의 서브픽셀(SP)의 전체 또는 일부는, 센스신호(SENSE)에 응답하여 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 해당 기준라인 간의 연결을 제어하는 센스 트랜지스터(SENT)와, 발광제어신호(EM)에 응답하여 발광소자(ED)의 발광을 제어하는 발광제어 트랜지스터(EMT)를 더 포함할 수 있다. All or part of the plurality of subpixels (SP) include a sense transistor (SENT) that controls the connection between the second node (N2) of the driving transistor (DRT) and the corresponding reference line in response to the sense signal (SENSE), and a light emitting device. It may further include an emission control transistor (EMT) that controls light emission of the light emitting element (ED) in response to the control signal (EM).
N개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #N)에 배치된 센스 트랜지스터(SENT)들의 게이트 노드들은 전기적으로 연결되거나 센스신호(SENSE)가 동시에 인가될 수 있다. Gate nodes of the sense transistors (SENT) arranged on N subpixel lines (
N개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #N)에 배치된 발광제어 트랜지스터(EMT)들의 게이트 노드들은 전기적으로 연결되거나 발광제어신호(EM)가 동시에 인가될 수 있다. The gate nodes of the emission control transistors (EMT) arranged on N subpixel lines (
표시패널(110)은 넌-액티브 영역(N/A)에 배치되며 (N+4)개의 클럭신호를 게이트 구동 회로(130)로 공급하는 (N+4)개의 클럭배선(SE_CW1, SC_CW1~N, EM_CW1, CR_CW1, INT_CR_CW1)을 더 포함할 수 있다. The
한편, 게이트 구동 회로(130)는, 넌-액티브 영역에 배치된 (N+4)개의 클럭배선(SE_CW1, SC_CW1~N, EM_CW1, CR_CW1, INT_CR_CW1)을 통해 입력된 (N+4)개의 클럭신호를 토대로 다수의 스캔라인(SCL), 다수의 센스라인(SENL) 및 다수의 발광제어라인(EML)을 구동한다. Meanwhile, the
한편, 게이트 구동 회로(130)에 포함된 M개의 게이트 구동 유닛(GDU) 각각은, (N+4)개의 클럭신호(SC_CLK1~N, SE_CLK1, EM_CLK1, CR_CLK1, INT_CR_CLK1) 중 N개의 스캔 클럭신호(SC_CLK1~N), 1개의 센스 클럭신호(SE_CLK1), 1개의 발광제어 클럭신호(EM_CLK1) 및 1개의 캐리 클럭신호(CR_CLK1)를 토대로, N개의 스캔신호(SCAN), 1개 내지 N개의 센스신호(SENSE), 1개 내지 N개의 발광제어신호(EM) 및 1개의 캐리신호(CARRY)를 출력할 수 있다. Meanwhile, each of the M gate driving units (GDUs) included in the
게이트 구동 회로(130)에 포함된 각 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)는, (N+4)개의 클럭신호(SC_CLK1~N, SE_CLK1, EM_CLK1, CR_CLK1, INT_CR_CLK1) 중 나머지 1개의 중간 캐리 클럭신호(INT_CR_CLK1)를 토대로, 1개의 중간 캐리신호(INT_CARRY)를 출력할 수 있다. Each intermediate stage circuit (INTER_STAGE) included in the
도 19는 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)의 클러스터 구동을 위한 센스신호(SENSE) 및 발광제어신호(EM)의 다른 공급 구조를 간략하게 나타낸 도면이다. FIG. 19 is a diagram briefly illustrating another supply structure of a sense signal (SENSE) and an emission control signal (EM) for cluster driving of the
도 19를 참조하면, 게이트 구동 회로(130)에 포함된 M개의 게이트 구동 유닛(GDU) 각각은, N개의 센스신호(SENSE #1 ~ SENSE #N)와 N개의 발광제어신호(EM #1 ~ EM #N)를 출력할 수 있다. Referring to FIG. 19, each of the M gate driving units (GDUs) included in the
도 19를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)에 포함된 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1)에 포함된 센스신호 출력부(1410)에서 출력된 N개의 센스신호(SENSE #1 ~ SENSE #N)는, i번째 클러스터(CLST #i)에 포함된 N개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #N)과 대응되는 N개의 센스라인(SENL #1 ~ SENL #N)으로 각각 따로 인가될 수 있다. Referring to FIG. 19, N sense signals (
도 19를 참조하면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)에 포함된 제2 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE2)에 발광제어신호 출력부(1440)에서 출력된 N개의 발광제어신호(EM #1 ~ EM #N)는, N개의 서브픽셀 라인(SPL #1 ~ SPL #N)과 대응되는 N개의 발광제어라인(EML #1 ~ EML #N)으로 각각 따로 인가될 수 있다.Referring to FIG. 19, N emission control signals (
도 20은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)의 클러스터 구동을 위하여, 중간 스테이지(Intermediate Stage)를 갖는 게이트 구동 회로(130)에 공급되는 클럭신호들(SE_CLK1, SC_CLK1, SC_CLK2, SC_CLK3, SC_CLK4, EM_CLK1, CR_CLK1, INT_CR_CLK1)에 대한 클럭 타이밍도이다.FIG. 20 shows clock signals (SE_CLK1, SC_CLK1, SC_CLK2, SC_CLK3) supplied to the
도 20을 참조하면, 4-클러스터 구동 시, 8개의 클럭신호들(SE_CLK1, SC_CLK1, SC_CLK2, SC_CLK3, SC_CLK4, EM_CLK1, CR_CLK1, INT_CR_CLK1)이 게이트 구동에 이용된다. Referring to FIG. 20, when driving a 4-cluster, eight clock signals (SE_CLK1, SC_CLK1, SC_CLK2, SC_CLK3, SC_CLK4, EM_CLK1, CR_CLK1, INT_CR_CLK1) are used to drive the gate.
도 20을 참조하면, 4-클러스터 구동을 위한 8개의 클럭신호들(SE_CLK1, SC_CLK1, SC_CLK2, SC_CLK3, SC_CLK4, EM_CLK1, CR_CLK1, INT_CR_CLK1)은, 도 9 및 도 10과 같은 내부 보상 구동 타이밍(SENSING -> HOLD1 -> DW -> HOLD2 -> EMISSION)에 따라 전압 레벨이 변할 수 있다. Referring to Figure 20, eight clock signals (SE_CLK1, SC_CLK1, SC_CLK2, SC_CLK3, SC_CLK4, EM_CLK1, CR_CLK1, INT_CR_CLK1) for 4-cluster driving are internally compensated driving timing (SENSING - > HOLD1 -> DW -> HOLD2 -> EMISSION) the voltage level may change.
도 20을 참조하면, 8개의 클럭신호들(SE_CLK1, SC_CLK1, SC_CLK2, SC_CLK3, SC_CLK4, EM_CLK1, CR_CLK1, INT_CR_CLK1)은, 4개의 스캔 클럭신호(SC_CLK1~4), 1개의 센스 클럭신호(SE_CLK1), 1개의 발광제어 클럭신호(EM_CLK1), 1개의 캐리 클럭신호(CR_CLK1) 및 1개의 중간 캐리 클럭신호(INT_CLK1)를 포함한다. Referring to Figure 20, eight clock signals (SE_CLK1, SC_CLK1, SC_CLK2, SC_CLK3, SC_CLK4, EM_CLK1, CR_CLK1, INT_CR_CLK1) include four scan clock signals (SC_CLK1 to 4), one sense clock signal (SE_CLK1), It includes one emission control clock signal (EM_CLK1), one carry clock signal (CR_CLK1), and one intermediate carry clock signal (INT_CLK1).
1번째 스테이지(Stage #1)는, 1번째 스테이지(Stage #1)에 해당하는 게이트 구동 유닛(GDU)이 셋 신호(VST)로서 하이 레벨 전압을 갖는 1개의 중간 캐리 클럭신호(INT_CLK1)를 입력 받음에 따라 시작되고, 1번째 스테이지(Stage #1)에 해당하는 게이트 구동 유닛(GDU)이 리셋 신호(VRST)로서 하이 레벨 전압을 갖는 1개의 중간 캐리 클럭신호(INT_CLK1)를 입력 받음에 따라 리셋(Rest) 된다. In the first stage (Stage #1), the gate driving unit (GDU) corresponding to the first stage (Stage #1) inputs one intermediate carry clock signal (INT_CLK1) with a high level voltage as a set signal (VST). It starts when the gate driving unit (GDU) corresponding to the first stage (Stage #1) receives one intermediate carry clock signal (INT_CLK1) with a high level voltage as the reset signal (VRST) and is reset. (Rest) It is done.
2번째 스테이지(Stage #2)는, 2번째 스테이지(Stage #2)에 해당하는 게이트 구동 유닛(GDU)이 1번째 스테이지(Stage #1)를 리셋 시킨 1개의 중간 캐리 클럭신호(INT_CLK1)를 입력 받음에 따라 시작될 수 있으며, 2번째 스테이지(Stage #2)에 해당하는 게이트 구동 유닛(GDU)이 리셋 신호(VRST)로서 하이 레벨 전압을 갖는 1개의 중간 캐리 클럭신호(INT_CLK1)를 입력 받음에 따라 리셋(Rest) 된다.In the second stage (Stage #2), the gate driving unit (GDU) corresponding to the second stage (Stage #2) inputs one intermediate carry clock signal (INT_CLK1) that resets the first stage (Stage #1). It can be started when the gate driving unit (GDU) corresponding to the second stage (Stage #2) receives one intermediate carry clock signal (INT_CLK1) with a high level voltage as a reset signal (VRST). It is reset (Rest).
중간 캐리 클럭신호(INT_CLK1)가 로우 레벨 전압에서 하이 레벨 전압으로 변하는 타이밍은, 캐리 클럭신호(CR_CLK1)가 하이 레벨 전압에서 로우 레벨 전압으로 변화하는 타이밍에 이어서 발생할 수 있다. 이는, 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)는 제1 메인 스테이지 회로(MAIN_STAGE1) 내 캐리신호 출력부(1430)에서 출력된 캐리신호(CARRY)를 셋 신호(VST)로서 입력 받기 때문이다. The timing at which the intermediate carry clock signal INT_CLK1 changes from the low level voltage to the high level voltage may occur following the timing at which the carry clock signal CR_CLK1 changes from the high level voltage to the low level voltage. This is because the intermediate stage circuit (INTER_STAGE) receives the carry signal (CARRY) output from the carry
1번째 스테이지(Stage #1)가 시작되면, 내부 보상 구동기간들(SENSING -> HOLD1 -> DW -> HOLD2 -> EMISSION)이 진행된다. When the first stage (Stage #1) starts, internal compensation driving periods (SENSING -> HOLD1 -> DW -> HOLD2 -> EMISSION) proceed.
센싱 기간(SENSING) 동안, 4개의 스캔 클럭신호(SC_CLK1~4)는 하이 레벨 전압을 갖는다. 센싱 기간(SENSING) 동안, 1개의 센스 클럭신호(SE_CLK1)는 하이 레벨 전압을 갖다가 로우 레벨 전압으로 변화하고, 1개의 발광제어 클럭신호(EM_CLK1)는 로우 레벨 전압을 갖다가 하이 레벨 전압으로 변화할 수 있다. During the sensing period (SENSING), the four scan clock signals (SC_CLK1 to 4) have high level voltages. During the sensing period (SENSING), one sense clock signal (SE_CLK1) has a high level voltage and changes to a low level voltage, and one emission control clock signal (EM_CLK1) has a low level voltage and changes to a high level voltage. can do.
센싱 기간(SENSING) 이후, 데이터 쓰기 기간(DW) 동안, 4개의 스캔 클럭신호(SC_CLK1~4)는 순차적으로 하이 레벨 전압 구간을 갖는다. 데이터 쓰기 기간(DW) 동안, 1개의 센스 클럭신호(SE_CLK1) 및 1개의 발광제어 클럭신호(EM_CLK1)는 로우 레벨 전압을 갖는다. After the sensing period (SENSING), during the data writing period (DW), the four scan clock signals (SC_CLK1 to 4) sequentially have high level voltage sections. During the data writing period (DW), one sense clock signal (SE_CLK1) and one emission control clock signal (EM_CLK1) have a low level voltage.
데이터 쓰기 기간(DW) 이후, 발광 기간(EMISSION) 동안, 1개의 발광제어 클럭신호(EM_CLK1)가 하이 레벨 전압을 갖는다. 4개의 스캔 클럭신호(SC_CLK1~4) 및 1개의 센스 클럭신호(SE_CLK1)는 로우 레벨 전압을 갖는다. After the data writing period (DW), during the emission period (EMISSION), one emission control clock signal (EM_CLK1) has a high level voltage. Four scan clock signals (SC_CLK1 to 4) and one sense clock signal (SE_CLK1) have low level voltages.
도 20을 참조하면, 각 스테이지에 해당하는 게이트 구동 유닛(GDU) 사이마다 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)를 추가로 구비함으로써, 제1 스테이지(Stage #1)에서 Q노드가 하이 레벨 전압을 갖는 하이 구간(HIGH 구간)과, 제2 스테이지(Stage #2)에서 Q노드가 하이 레벨 전압을 갖는 하이 구간(HIGH 구간)은 서로 중첩되지 않는다. 따라서, 중간 스테이지가 없는 노말 클러스터 구동에 비해 많은 클럭신호가 필요 없게 된다. Referring to FIG. 20, an intermediate stage circuit (INTER_STAGE) is additionally provided between gate driving units (GDUs) corresponding to each stage, so that a high section in which the Q node has a high level voltage in the first stage (Stage #1) (HIGH section) and the high section (HIGH section) in which the Q node has a high level voltage in the second stage (Stage #2) do not overlap with each other. Therefore, compared to normal cluster driving without an intermediate stage, many clock signals are not needed.
도 21은 3가지 구동 방식(순차 구동 방식, 클러스터 구동 방식, 중간 스테이지를 갖는 클러스터 구동 방식)에 따른 클럭 개수를 나타낸 도면이다. Figure 21 is a diagram showing the number of clocks according to three driving methods (sequential driving method, cluster driving method, and cluster driving method with an intermediate stage).
도 21을 참조하면, 각 서브픽셀(SP)이 도 2와 같은 4T(Transistor)1C(Capacitor) 구조를 갖는 경우, 순차 구동 방식과, 중간 스테이지가 없는 노말 클러스터 구동 방식과, 중간 스테이지가 있는 클러스터 구동 방식 각각에 대하여, 게이트 신호들(SENSE, SCAN, EM), 캐리신호(CARRRY) 및 중간 캐리신호(INT_CARRY)를 생성하기 위한 클럭신호들의 개수(상의 개수)를 비교해본다. Referring to FIG. 21, when each subpixel (SP) has a 4T (Transistor) 1C (Capacitor) structure as shown in FIG. 2, a sequential driving method, a normal cluster driving method without an intermediate stage, and a cluster with an intermediate stage are used. For each driving method, the number of clock signals (number of phases) for generating the gate signals (SENSE, SCAN, EM), carry signal (CARRRY), and intermediate carry signal (INT_CARRY) are compared.
예를 들어, 순차 구동 방식의 경우(즉, 클러스터 크기(N)가 1인 경우), 5개의 센스 클럭신호(SE_CLK1~5), 5개의 스캔 클럭신호(SC_CLK1~5), 5개의 발광제어 클럭신호(EM_CLK1~5), 5개의 캐리 클럭신호(CR_CLK1~5)를 포함하여, 20개의 클럭신호가 필요할 수 있다. 경우에 따라서는, 6개의 센스 클럭신호(SE_CLK1~6), 6개의 스캔 클럭신호(SC_CLK1~6), 6개의 발광제어 클럭신호(EM_CLK1~6), 6개의 캐리 클럭신호(CR_CLK1~6)를 포함하여, 24개의 클럭신호가 필요할 수 있다.For example, in the case of sequential driving method (i.e., when the cluster size (N) is 1), 5 sense clock signals (SE_CLK1~5), 5 scan clock signals (SC_CLK1~5), and 5 light emission control clocks 20 clock signals may be required, including signals (EM_CLK1 to 5) and 5 carry clock signals (CR_CLK1 to 5). In some cases, 6 sense clock signals (SE_CLK1~6), 6 scan clock signals (SC_CLK1~6), 6 emission control clock signals (EM_CLK1~6), and 6 carry clock signals (CR_CLK1~6) Including, 24 clock signals may be required.
예를 들어, 클러스터 크기(N)가 4이고 중간 스테이지가 없는 클럭스터 구동 방식인 노멀(Normal) 4-클러스터 구동 방식의 경우, 2개의 센스 클럭신호(SE_CLK1~2), 8개의 스캔 클럭신호(SC_CLK1~8), 1개의 발광제어 클럭신호(EM_CLK1), 2개의 캐리 클럭신호(CR_CLK1~2)를 포함하여, 13개(=2N+5=2*4+5)의 클럭신호가 필요할 수 있다. For example, in the case of the Normal 4-cluster driving method, which is a clockster driving method with a cluster size (N) of 4 and no intermediate stage, 2 sense clock signals (SE_CLK1~2) and 8 scan clock signals ( 13 (=2N+5=2*4+5) clock signals may be required, including SC_CLK1~8), one emission control clock signal (EM_CLK1), and two carry clock signals (CR_CLK1~2). .
예를 들어, 중간 스테이지가 있는 4-클러스터 구동 방식의 경우, 1개의 센스 클럭신호(SE_CLK1), 4개의 스캔 클럭신호(SC_CLK1~4), 1개의 발광제어 클럭신호(EM_CLK1), 1개의 캐리 클럭신호(CR_CLK1) 및 1개의 중간 캐리 클럭신호(INT_CR_CLK1)를 포함하여, 8개(=N+4=4+4)의 클럭신호가 필요할 수 있다. For example, in the case of a 4-cluster driving method with an intermediate stage, 1 sense clock signal (SE_CLK1), 4 scan clock signals (SC_CLK1~4), 1 emission control clock signal (EM_CLK1), and 1 carry clock Eight (=N+4=4+4) clock signals may be required, including a signal (CR_CLK1) and one intermediate carry clock signal (INT_CR_CLK1).
따라서, 중간 스테이지가 있는 4-클러스트 구동 방식으로 게이트 구동을 하기 위한 클럭신호 개수(8개)는, 순차 구동 방식에서의 클럭신호 개수(20~24개)보다 휠씬 적고, 중간 스테이지가 없는 4-클러스트 구동 방식에서의 클럭신호 개수(13개)보다 적다. Therefore, the number of clock signals (8) for gate driving in the 4-cluster driving method with an intermediate stage is much smaller than the number of clock signals (20 to 24) in the sequential driving method, and the number of clock signals (8) for gate driving in the 4-cluster driving method with an intermediate stage is much smaller than the number of clock signals (20 to 24) in the sequential driving method. It is less than the number of clock signals (13) in the cluster driving method.
예를 들어, 클러스터 크기(N)가 6이고 중간 스테이지가 없는 클럭스터 구동 방식인 노멀(Normal) 6-클러스터 구동 방식의 경우, 2개의 센스 클럭신호(SE_CLK1~2), 12개의 스캔 클럭신호(SC_CLK1~12), 1개의 발광제어 클럭신호(EM_CLK1), 2개의 캐리 클럭신호(CR_CLK1~2)를 포함하여, 17개(=2N+5=2*6+5)의 클럭신호가 필요할 수 있다. For example, in the case of the Normal 6-cluster driving method, which is a clockster driving method with a cluster size (N) of 6 and no intermediate stage, 2 sense clock signals (SE_CLK1~2) and 12 scan clock signals ( 17 clock signals (=2N+5=2*6+5) may be required, including SC_CLK1~12), one emission control clock signal (EM_CLK1), and two carry clock signals (CR_CLK1~2). .
예를 들어, 중간 스테이지가 있는 6-클러스터 구동 방식의 경우, 1개의 센스 클럭신호(SE_CLK1), 6개의 스캔 클럭신호(SC_CLK1~6), 1개의 발광제어 클럭신호(EM_CLK1), 1개의 캐리 클럭신호(CR_CLK1) 및 1개의 중간 캐리 클럭신호(INT_CR_CLK1)를 포함하여, 10개(=N+4=6+4)의 클럭신호가 필요할 수 있다. For example, in the case of a 6-cluster driving method with an intermediate stage, 1 sense clock signal (SE_CLK1), 6 scan clock signals (SC_CLK1~6), 1 emission control clock signal (EM_CLK1), and 1 carry clock Including a signal (CR_CLK1) and one intermediate carry clock signal (INT_CR_CLK1), 10 (=N+4=6+4) clock signals may be required.
따라서, 중간 스테이지가 있는 6-클러스트 구동 방식으로 게이트 구동을 하기 위한 클럭신호 개수(10개)는, 순차 구동 방식에서의 클럭신호 개수(20~24개)보다 휠씬 적고, 중간 스테이지가 없는 6-클러스트 구동 방식에서의 클럭신호 개수(17개)보다 적다. Therefore, the number of clock signals for gate driving in the 6-cluster driving method with an intermediate stage (10) is much smaller than the number of clock signals (20 to 24) in the sequential driving method, and the number of clock signals for gate driving in the 6-cluster driving method with an intermediate stage is much smaller than the number of clock signals (20 to 24) in the sequential driving method. It is less than the number of clock signals (17) in the cluster driving method.
결론적으로, 본 발명의 실시예들에 따른 중간 스테이지를 갖는 클러스터 구동 방식은, 클러스터 구동 자체로 인하여 클럭신호 개수(클럭 상 개수)를 저감시킬 수 있을 뿐만 아니라, Q 노드의 하이 구간의 중첩 없이도 구동이 가능하게 해줌으로써, 노멀한 클러스터 구동 방식에 비해서도, 클럭신호 개수(클럭 상 개수)를 더욱 저감시킬 수 있다. 이에 따라, 클럭배선 영역 면적을 상당히 줄여주어 베젤 크기를 상당히 줄여줄 수 있다.In conclusion, the cluster driving method with an intermediate stage according to embodiments of the present invention not only reduces the number of clock signals (number of clock phases) due to the cluster driving itself, but also operates without overlapping the high section of the Q node. By making this possible, the number of clock signals (number of clock phases) can be further reduced compared to the normal cluster driving method. Accordingly, the clock wiring area can be significantly reduced, thereby significantly reducing the bezel size.
본 발명의 실시예들에 따른 중간 스테이지를 갖는 클러스터 구동 방식은, 다수의 게이트 신호 종류를 갖는 경우에 더욱 효과가 클 수 있다. The cluster driving method with an intermediate stage according to embodiments of the present invention may be more effective when there are multiple types of gate signals.
또한, 본 발명의 실시예들에 따른 중간 스테이지를 갖는 클러스터 구동 방식의 경우, Q 노드를 공유함으로써, 게이트 구동 회로(130)를 매우 단순화 시킬 수 있다. Additionally, in the case of a cluster driving method with an intermediate stage according to embodiments of the present invention, the
또한, 본 발명의 실시예들에 의하면, 클럭신호 개수(클럭신호의 상 개수)를 줄여주고, 이를 통해, 클럭배선 개수를 줄여주고 베젤 사이즈를 작게 해줄 수 있는 표시장치(100), 표시패널(110) 및 게이트 구동 회로(130)를 제공할 수 있다.In addition, according to embodiments of the present invention, a
또한, 본 발명의 실시예들에 의하면, 구동이 복잡해지거나 필요한 기능(예: 보상 등)이 추가되는 경우, 클럭신호 개수(클럭신호의 상 개수)를 줄여주면서도 정상적인 구동을 가능하게 하는 표시장치(100), 표시패널(110) 및 게이트 구동 회로(130)를 제공할 수 있다.In addition, according to embodiments of the present invention, when driving becomes complicated or necessary functions (e.g. compensation, etc.) are added, a display device that enables normal driving while reducing the number of clock signals (number of phases of the clock signal) ( 100), a
또한, 본 발명의 실시예들에 의하면, 디스플레이 구동 중에 충분한 센싱 시간을 확보해줄 수 있는 클러스터 구동을 수행하는 표시장치(100), 표시패널(110) 및 게이트 구동 회로(130)를 제공할 수 있다.In addition, according to embodiments of the present invention, a
한편, 아래에서, 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)의 셋(Set)과 리셋(Reset)에 대하여 간략하게 다시 설명한다. Meanwhile, below, the set and reset of the intermediate stage circuit (INTER_STAGE) will be briefly described again.
i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1)) 사이에 배치된 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)는, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)으로 중간 캐리신호(INT_CARRY)를 i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)의 리셋 신호(VRST)로서 출력하고, (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1))으로 중간 캐리신호(INT_CARRY)를 (i+1)번째 게이트 구동 유닛의 셋 신호(VST)로서 출력할 수 있다. The intermediate stage circuit (INTER_STAGE) disposed between the ith gate driving unit (GDU #i) and the (i+1)th gate driving unit (GDU #(i+1)) is the ith gate driving unit (GDU #i). ), the intermediate carry signal (INT_CARRY) is output as the reset signal (VRST) of the ith gate driving unit (GDU #i), and the intermediate carry is output to the (i+1)th gate driving unit (GDU #(i+1)). The signal (INT_CARRY) can be output as the set signal (VST) of the (i+1)th gate driving unit.
이러한 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)의 셋(Set)과 리셋(Reset)은, 이상에서 설명한 바와 같이 해당 게이트 구동 유닛에서 출력되는 캐리신호들(CARRY)에 의해 이루어지거나(제1 방안), 이와 다른 방식으로서, 다른 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)의 중간 캐리신호들(INT_CARRRY)에 의해 이루어질 수도 있다(제2 방안). The set and reset of this intermediate stage circuit (INTER_STAGE) are performed by carry signals (CARRY) output from the corresponding gate driving unit as described above (first method), or in another method. As, it may be achieved by the intermediate carry signals (INT_CARRRY) of another intermediate stage circuit (INTER_STAGE) (second method).
제1 방안에 따르면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1)) 사이에 배치된 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)는, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i) 및 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1))으로부터 캐리신호(CARRY)를 입력 받을 수 있다. 이 경우, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)으로부터 입력되는 캐리신호(CARRY)는 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)의 셋 신호(VST)이고, (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1))으로부터 입력되는 캐리신호(CARRY)는 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)의 리셋 신호(VRST)일 수 있다. 제1 방안에 따르면, 표시패널(110)의 넌-액티브 영역(N/A)에는, (N+4)개의 클럭신호를 게이트 구동 회로(130)로 공급하는 (N+4)개의 클럭배선이 배치될 수 있다. According to the first method, the intermediate stage circuit (INTER_STAGE) disposed between the i-th gate driving unit (GDU #i) and the (i+1)-th gate driving unit (GDU #(i+1)) is A carry signal (CARRY) can be input from the driving unit (GDU #i) and the (i+1)th gate driving unit (GDU #(i+1)). In this case, the carry signal (CARRY) input from the ith gate driving unit (GDU #i) is the set signal (VST) of the intermediate stage circuit (INTER_STAGE), and the (i+1)th gate driving unit (GDU #(i) The carry signal (CARRY) input from +1)) may be the reset signal (VRST) of the intermediate stage circuit (INTER_STAGE). According to the first method, in the non-active area (N/A) of the
제2 방안에 따르면, i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i)과 (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1)) 사이에 배치된 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)는, (i-1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i-1))과 i번째 게이트 구동 유닛(GDU #i) 사이에 배치된 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)로부터 중간 캐리신호(INT_CARRY)를 셋 신호(VST)로서 입력 받고, (i+1)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+1))과 다음의 (i+2)번째 게이트 구동 유닛(GDU #(i+2)) 사이에 배치된 중간 스테이지 회로(INTER_STAGE)로부터 중간 캐리신호(INT_CARRY)를 리셋 신호(VRST)로서 입력 받을 수 있다. 제2 방안에 따르면, 표시패널(110)의 넌-액티브 영역(N/A)에는, (N+5)개의 클럭신호를 게이트 구동 회로(130)로 공급하는 (N+5)개의 클럭배선이 배치될 수 있다. According to the second method, the intermediate stage circuit (INTER_STAGE) disposed between the i-th gate driving unit (GDU #i) and the (i+1)-th gate driving unit (GDU #(i+1)) is (i- 1) The intermediate carry signal (INT_CARRY) is used as a set signal (VST) from the intermediate stage circuit (INTER_STAGE) disposed between the ith gate driving unit (GDU #(i-1)) and the ith gate driving unit (GDU #i). An intermediate stage circuit ( INTER_STAGE) can receive the intermediate carry signal (INT_CARRY) as a reset signal (VRST). According to the second method, in the non-active area (N/A) of the
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely an illustrative explanation of the technical idea of the present invention, and various modifications and variations will be possible to those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. In addition, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but rather to explain it, and therefore the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be interpreted in accordance with the claims below, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of rights of the present invention.
100: 표시장치
110: 표시패널
120: 데이터 구동 회로
130: 게이트 구동 회로
140: 컨트롤러
1410: 센스신호 출력부
1420: 스캔신호 출력부
1430: 캐리신호 출력부
1440: 발광제어 신호 출력부
1450: 중간 캐리신호 출력부100: display device
110: display panel
120: data driving circuit
130: Gate driving circuit
140: controller
1410: Sense signal output unit
1420: Scan signal output unit
1430: Carry signal output unit
1440: Light emission control signal output unit
1450: Intermediate carry signal output unit
Claims (25)
상기 다수의 데이터 라인을 구동하는 데이터 구동 회로;
상기 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 구동 회로; 및
상기 데이터 구동 회로 및 상기 게이트 구동 회로를 제어하는 컨트롤러를 포함하고,
상기 다수의 서브픽셀은 M개의 클러스터로 그룹화되고, 상기 M(M≥2)개의 클러스터 각각은 N(N≥2)개의 서브픽셀 라인을 포함하고, 상기 M개의 클러스터 각각에 포함된 상기 N개의 서브픽셀 라인에 배치된 서브픽셀들은 동시에 발광하고,
상기 게이트 구동 회로는, 상기 M개의 클러스터와 각각 대응되는 M개의 게이트 구동 유닛과, 상기 M개의 게이트 구동 유닛 중 인접한 2개의 게이트 구동 유닛 사이마다 배치되는 중간 스테이지 회로를 포함하고, 상기 M개의 게이트 구동 유닛 각각은 제1 메인 스테이지 회로 및 제2 메인 스테이지 회로를 포함하고,
상기 M개의 게이트 구동 유닛은, 상기 M개의 클러스터 중 (i-1)번째 클러스터에 배치된 게이트 라인들을 구동하는 (i-1)번째 게이트 구동 유닛과, 상기 M개의 클러스터 중 i번째 클러스터에 배치된 게이트 라인들을 구동하는 i번째 게이트 구동 유닛과, 상기 M개의 클러스터 중 (i+1)번째 클러스터에 배치된 게이트 라인들을 구동하는 (i+1)번째 게이트 구동 유닛을 포함하고,
상기 i번째 게이트 구동 유닛과 상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 상기 중간 스테이지 회로는,
상기 i번째 게이트 구동 유닛 및 상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛으로 중간 캐리신호를 출력하되,
상기 i번째 게이트 구동 유닛으로 중간 캐리신호를 상기 i번째 게이트 구동 유닛의 리셋 신호로서 출력하고, 상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛으로 중간 캐리신호를 상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛의 셋 신호로서 출력하는 표시장치.
A display panel including a plurality of subpixels and a plurality of data lines and a plurality of gate lines;
a data driving circuit that drives the plurality of data lines;
a gate driving circuit that drives the plurality of gate lines; and
A controller that controls the data driving circuit and the gate driving circuit,
The plurality of subpixels are grouped into M clusters, each of the M (M ≥ 2) clusters includes N (N ≥ 2) subpixel lines, and the N sub-pixels included in each of the M clusters. Subpixels arranged in a pixel line emit light simultaneously,
The gate driving circuit includes M gate driving units respectively corresponding to the M clusters, and an intermediate stage circuit disposed between two adjacent gate driving units among the M gate driving units, and driving the M gates. Each unit includes a first main stage circuit and a second main stage circuit,
The M gate driving units include an (i-1)th gate driving unit that drives gate lines arranged in the (i-1)th cluster among the M clusters, and a (i-1)th gate driving unit arranged in the ith cluster among the M clusters. It includes an i-th gate driving unit that drives gate lines, and an (i+1)-th gate driving unit that drives gate lines arranged in an (i+1)-th cluster among the M clusters,
The intermediate stage circuit disposed between the i-th gate driving unit and the (i+1)-th gate driving unit,
An intermediate carry signal is output to the i-th gate driving unit and the (i+1)-th gate driving unit,
An intermediate carry signal is output to the ith gate driving unit as a reset signal of the ith gate driving unit, and an intermediate carry signal is output to the (i+1)th gate driving unit of the (i+1)th gate driving unit. A display device that outputs a set signal.
상기 i번째 게이트 구동 유닛과 상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 상기 중간 스테이지 회로는,
상기 i번째 게이트 구동 유닛 및 상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛으로부터 캐리신호를 입력 받되,
상기 i번째 게이트 구동 유닛으로부터 입력되는 캐리신호는 상기 중간 스테이지 회로의 셋 신호이고,
상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛으로부터 입력되는 캐리신호는 상기 중간 스테이지 회로의 리셋 신호인 표시장치.
According to paragraph 1,
The intermediate stage circuit disposed between the i-th gate driving unit and the (i+1)-th gate driving unit,
A carry signal is received from the ith gate driving unit and the (i+1)th gate driving unit,
The carry signal input from the ith gate driving unit is the set signal of the intermediate stage circuit,
A carry signal input from the (i+1)th gate driving unit is a reset signal of the intermediate stage circuit.
상기 i번째 게이트 구동 유닛과 상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 상기 중간 스테이지 회로는,
상기 (i-1)번째 게이트 구동 유닛과 상기 i번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 중간 스테이지 회로로부터 중간 캐리신호를 셋 신호로서 입력 받고,
상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛과 다음의 (i+2)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 중간 스테이지 회로로부터 중간 캐리신호를 리셋 신호로서 입력 받는 표시장치.
According to paragraph 1,
The intermediate stage circuit disposed between the i-th gate driving unit and the (i+1)-th gate driving unit,
Receiving an intermediate carry signal as a set signal from an intermediate stage circuit disposed between the (i-1)th gate driving unit and the ith gate driving unit,
A display device that receives an intermediate carry signal as a reset signal from an intermediate stage circuit disposed between the (i+1)th gate driving unit and the next (i+2)th gate driving unit.
상기 다수의 게이트 라인은 다수의 스캔라인, 다수의 센스라인 및 다수의 발광제어라인을 포함하고,
상기 다수의 서브픽셀 각각은,
발광소자와,
상기 발광소자를 구동하는 구동 트랜지스터와,
스캔신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 해당 데이터 라인 간의 연결을 제어하는 스캔 트랜지스터와,
상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 제2 노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터를 포함하고,
상기 다수의 서브픽셀의 전체 또는 일부는,
센스신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드와 해당 기준라인 간의 연결을 제어하는 센스 트랜지스터와, 발광제어신호에 응답하여 상기 발광소자의 발광을 제어하는 발광제어 트랜지스터 중 하나 이상을 더 포함하는 표시장치.
According to paragraph 1,
The plurality of gate lines include a plurality of scan lines, a plurality of sense lines, and a plurality of emission control lines,
Each of the plurality of subpixels is,
A light emitting device,
A driving transistor that drives the light emitting device,
a scan transistor that controls the connection between the first node of the driving transistor and the corresponding data line in response to a scan signal;
A storage capacitor electrically connected between a first node and a second node of the driving transistor,
All or part of the plurality of subpixels,
A display further comprising at least one of a sense transistor that controls the connection between the second node of the driving transistor and the corresponding reference line in response to a sense signal, and a light emission control transistor that controls light emission of the light emitting device in response to a light emission control signal. Device.
상기 게이트 구동 회로는, 넌-액티브 영역에 배치된 (N+4)개의 클럭배선을 통해 입력된 (N+4)개의 클럭신호를 토대로 상기 다수의 스캔라인, 상기 다수의 센스라인 및 상기 다수의 발광제어라인을 구동하고,
상기 M개의 게이트 구동 유닛 각각은,
상기 (N+4)개의 클럭신호 중 N개의 스캔 클럭신호, 1개의 센스 클럭신호, 1개의 발광제어 클럭신호 및 1개의 캐리 클럭신호를 토대로, N개의 스캔신호, 1개의 센스신호, 1개의 발광제어신호 및 1개의 캐리신호를 출력하고,
상기 각 중간 스테이지 회로는, 상기 (N+4)개의 클럭신호 중 나머지 1개의 중간 캐리 클럭신호를 토대로, 1개의 중간 캐리신호를 출력하는 표시장치.
According to paragraph 4,
The gate driving circuit operates the plurality of scan lines, the plurality of sense lines, and the plurality of clock signals based on (N+4) clock signals input through (N+4) clock wires disposed in the non-active region. Driving the light emission control line,
Each of the M gate driving units,
Based on N scan clock signals, one sense clock signal, one light emission control clock signal, and one carry clock signal among the (N+4) clock signals, N scan signals, one sense signal, and one light emission Outputs a control signal and one carry signal,
A display device wherein each intermediate stage circuit outputs one intermediate carry signal based on the remaining intermediate carry clock signal among the (N+4) clock signals.
상기 M개의 클러스터 각각에 포함되는 N개의 서브픽셀 라인에 포함된 서브픽셀들에 배치된 발광제어 트랜지스터들의 게이트 노드들은 전기적으로 연결되거나 상기 발광제어신호가 동시에 인가되는 표시장치.
The method of claim 5, wherein gate nodes of sense transistors disposed in subpixels included in N subpixel lines included in each of the M clusters are electrically connected or the sense signals are applied simultaneously,
A display device in which gate nodes of emission control transistors disposed in subpixels included in N subpixel lines included in each of the M clusters are electrically connected or the emission control signal is applied simultaneously.
상기 (N+4)개의 클럭배선은,
상기 M개의 게이트 구동 유닛 각각에 연결된 N개의 스캔 클럭배선, 1개의 센스 클럭배선, 1개의 발광제어 클럭배선 및 1개의 캐리 클럭배선과,
상기 각 중간 스테이지 회로에 연결된 1개의 중간 캐리 클럭배선을 포함하는 표시장치.
According to clause 5,
The (N+4) clock wires are,
N scan clock wires, 1 sense clock wire, 1 light emission control clock wire, and 1 carry clock wire connected to each of the M gate driving units,
A display device including one intermediate carry clock wire connected to each intermediate stage circuit.
상기 i번째 게이트 구동 유닛에 포함된 상기 제1 메인 스테이지 회로는,
상기 N개의 스캔 클럭신호에 응답하여, 상기 N개의 스캔신호를 출력하는 스캔신호 출력부와,
상기 1개의 센스 클럭신호에 응답하여, 상기 1개의 센스신호 또는 K(1≤K≤N)개의 센스신호를 출력하는 센스신호 출력부와,
상기 1개의 캐리 클럭신호에 응답하여, 상기 i번째 게이트 구동 유닛에 포함된 상기 제2 메인 스테이지 회로와, 상기 (i-1)번째 게이트 구동 유닛과 상기 i번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 상기 중간 스테이지 회로와, 상기 i번째 게이트 구동 유닛과 상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 상기 중간 스테이지 회로로 상기 1개의 캐리신호를 출력하는 캐리신호 출력부를 포함하고,
상기 i번째 게이트 구동 유닛에 포함된 상기 제2 메인 스테이지 회로는,
상기 1개의 발광제어 클럭신호에 응답하여, 상기 1개의 발광제어신호 또는 K(1≤K≤N)개의 발광제어신호를 출력하는 발광제어신호 출력부를 포함하고,
상기 i번째 게이트 구동 유닛과 상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛 사이에 위치하는 상기 중간 스테이지 회로는,
상기 1개의 중간 캐리 클럭신호에 응답하여, 상기 i번째 게이트 구동 유닛에 포함된 상기 제1 메인 스테이지 회로와, 상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛에 포함된 상기 제1 메인 스테이지 회로로 상기 1개의 중간 캐리신호를 출력하는 중간 캐리신호 출력부를 포함하는 표시장치.
According to clause 5,
The first main stage circuit included in the ith gate driving unit,
a scan signal output unit that outputs the N scan signals in response to the N scan clock signals;
A sense signal output unit that outputs the one sense signal or K (1≤K≤N) sense signals in response to the one sense clock signal,
In response to the one carry clock signal, the second main stage circuit included in the ith gate driving unit, and the intermediate disposed between the (i-1)th gate driving unit and the ith gate driving unit It includes a stage circuit and a carry signal output unit that outputs the one carry signal to the intermediate stage circuit disposed between the i-th gate driving unit and the (i+1)-th gate driving unit,
The second main stage circuit included in the ith gate driving unit,
In response to the one light emission control clock signal, it includes a light emission control signal output unit that outputs the one light emission control signal or K (1≤K≤N) light emission control signals,
The intermediate stage circuit located between the i-th gate driving unit and the (i+1)-th gate driving unit,
In response to the one intermediate carry clock signal, the first main stage circuit included in the i-th gate driving unit and the first main stage circuit included in the (i+1)-th gate driving unit A display device including an intermediate carry signal output unit that outputs intermediate carry signals.
상기 i번째 게이트 구동 유닛에 포함된 상기 제1 메인 스테이지 회로에 포함된 상기 캐리신호 출력부에서 출력되는 상기 1개의 캐리신호는,
상기 i번째 게이트 구동 유닛에 포함된 상기 제2 메인 스테이지 회로의 입력신호로 입력되고,
상기 i번째 게이트 구동 유닛과 상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 상기 중간 스테이지 회로의 셋 신호로 입력되고,
상기 (i-1)번째 게이트 구동 유닛과 상기 i번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 상기 중간 스테이지 회로의 리셋 신호로 입력되는 표시장치.
According to clause 8,
The one carry signal output from the carry signal output unit included in the first main stage circuit included in the ith gate driving unit is:
It is input as an input signal of the second main stage circuit included in the ith gate driving unit,
It is input as a set signal of the intermediate stage circuit disposed between the i-th gate driving unit and the (i+1)-th gate driving unit,
A display device that is input as a reset signal of the intermediate stage circuit disposed between the (i-1)th gate driving unit and the ith gate driving unit.
상기 제2 메인 스테이지 회로에 포함된 상기 발광제어신호 출력부는,
상기 제1 메인 스테이지 회로에 포함된 상기 캐리신호 출력부에서 출력되는 상기 1개의 캐리신호가 인버팅 된 상기 1개의 발광제어신호를 출력하는 표시장치.
According to clause 8,
The light emission control signal output unit included in the second main stage circuit,
A display device that outputs the one light emission control signal by inverting the one carry signal output from the carry signal output unit included in the first main stage circuit.
상기 i번째 게이트 구동 유닛과 상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 상기 중간 스테이지 회로에 포함된 상기 중간 캐리신호 출력부에서 출력되는 상기 중간 캐리신호는,
상기 i번째 게이트 구동 유닛에 포함된 상기 제1 메인 스테이지 회로의 리셋 신호로 입력되고,
상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛에 포함된 상기 제1 메인 스테이지 회로의 셋 신호로 입력되는 표시장치.
According to clause 8,
The intermediate carry signal output from the intermediate carry signal output unit included in the intermediate stage circuit disposed between the i-th gate driving unit and the (i+1)-th gate driving unit is,
It is input as a reset signal of the first main stage circuit included in the ith gate driving unit,
A display device that is input as a set signal of the first main stage circuit included in the (i+1)th gate driving unit.
상기 i번째 게이트 구동 유닛에 포함된 상기 제1 메인 스테이지 회로에 포함된 상기 센스신호 출력부에서 출력된 상기 1개의 센스신호는, 상기 N개의 서브픽셀 라인과 대응되는 상기 N개의 센스라인으로 분기되어 인가되고,
상기 i번째 게이트 구동 유닛에 포함된 상기 제2 메인 스테이지 회로에 상기 발광제어신호 출력부에서 출력된 상기 1개의 발광제어신호는, 상기 N개의 서브픽셀 라인과 대응되는 상기 N개의 발광제어라인으로 분기되어 인가되는 표시장치.
According to clause 8,
The one sense signal output from the sense signal output unit included in the first main stage circuit included in the ith gate driving unit is branched to the N sense lines corresponding to the N subpixel lines. approved,
The one emission control signal output from the emission control signal output unit to the second main stage circuit included in the ith gate driving unit branches to the N emission control lines corresponding to the N subpixel lines. A display device that is approved.
상기 게이트 구동 회로는, 넌-액티브 영역에 배치된 (N+4)개의 클럭배선을 통해 입력된 (N+4)개의 클럭신호를 토대로 상기 다수의 스캔라인, 상기 다수의 센스라인 및 상기 다수의 발광제어라인을 구동하고,
상기 M개의 게이트 구동 유닛 각각은,
상기 (N+4)개의 클럭신호 중 N개의 스캔 클럭신호, 1개의 센스 클럭신호, 1개의 발광제어 클럭신호 및 1개의 캐리 클럭신호를 토대로, N개의 스캔신호, 1 내지 N개의 센스신호, 1 내지 N개의 발광제어신호 및 1개의 캐리신호를 출력하고,
상기 각 중간 스테이지 회로는, 상기 (N+4)개의 클럭신호 중 나머지 1개의 중간 캐리 클럭신호를 토대로, 1개의 중간 캐리신호를 출력하는 표시장치.
According to paragraph 4,
The gate driving circuit operates the plurality of scan lines, the plurality of sense lines, and the plurality of clock signals based on (N+4) clock signals input through (N+4) clock wires disposed in the non-active region. Driving the light emission control line,
Each of the M gate driving units,
Among the (N+4) clock signals, based on N scan clock signals, 1 sense clock signal, 1 emission control clock signal, and 1 carry clock signal, N scan signals, 1 to N sense signals, 1 Outputs to N light emission control signals and one carry signal,
A display device wherein each intermediate stage circuit outputs one intermediate carry signal based on the remaining intermediate carry clock signal among the (N+4) clock signals.
상기 M개의 클러스터 각각에 포함된 상기 N개의 서브픽셀 라인은, N개의 스캔라인, N개의 센스라인 및 N개의 발광제어라인과 연결되고,
한 프레임 시간 동안, 상기 M개의 클러스터 각각에 포함된 상기 N개의 서브픽셀 라인 각각의 구동시간은,
상기 N개의 스캔라인으로 턴-온 레벨 전압을 갖는 N개의 스캔신호가 동시에 인가되고, 상기 N개의 센스라인으로 턴-온 레벨 전압을 갖는 N개의 센스신호가 동시에 인가되고, 상기 N개의 발광제어라인으로 턴-오프 레벨 전압을 갖는 N개의 발광제어신호가 동시에 인가되는 초기화 기간과,
상기 N개의 스캔라인으로 턴-온 레벨 전압을 갖는 N개의 스캔신호가 동시에 인가되고, 상기 N개의 센스라인으로 턴-오프 레벨 전압을 갖는 N개의 센스신호가 동시에 인가되고, 상기 N개의 발광제어라인으로 턴-온 레벨 전압을 갖는 N개의 발광제어신호가 동시에 인가되는 샘플링 기간과,
상기 N개의 스캔라인으로 턴-오프 레벨 전압을 갖는 N개의 스캔신호가 인가되고, 상기 N개의 센스라인으로 턴-오프 레벨 전압을 갖는 N개의 센스신호가 인가되고, 상기 N개의 발광제어라인으로 턴-오프 레벨 전압을 갖는 N개의 발광제어신호가 인가되는 제1 홀딩 기간과,
상기 N개의 센스라인으로 턴-오프 레벨 전압을 갖는 N개의 센스신호가 인가되고, 상기 N개의 발광제어라인으로 턴-오프 레벨 전압을 갖는 N개의 발광제어신호가 인가되고, 상기 N개의 스캔라인으로 턴-온 레벨 전압을 갖는 N개의 스캔신호가 순차적으로 인가되는 데이터 쓰기 기간과,
상기 N개의 스캔라인으로 턴-오프 레벨 전압을 갖는 N개의 스캔신호가 인가되고, 상기 N개의 센스라인으로 턴-오프 레벨 전압을 갖는 N개의 센스신호가 인가되고, 상기 N개의 발광제어라인으로 턴-오프 레벨 전압을 갖는 N개의 발광제어신호가 인가되는 제2 홀딩 기간과,
상기 N개의 스캔라인으로 턴-오프 레벨 전압을 갖는 N개의 스캔신호가 인가되고, 상기 N개의 센스라인으로 턴-오프 레벨 전압을 갖는 N개의 센스신호가 인가되고, 상기 N개의 발광제어라인으로 턴-온 레벨 전압을 갖는 N개의 발광제어신호가 인가되고, 상기 N개의 서브픽셀 라인이 동시에 발광하는 발광 기간을 포함하는 표시장치.
According to paragraph 4,
The N subpixel lines included in each of the M clusters are connected to N scan lines, N sense lines, and N light emission control lines,
During one frame time, the driving time of each of the N subpixel lines included in each of the M clusters is,
N scan signals having turn-on level voltages are simultaneously applied to the N scan lines, N sense signals having turn-on level voltages are simultaneously applied to the N sense lines, and the N light emission control lines an initialization period in which N light emission control signals having a turn-off level voltage are applied simultaneously,
N scan signals having turn-on level voltages are simultaneously applied to the N scan lines, N sense signals having turn-off level voltages are simultaneously applied to the N sense lines, and the N light emission control lines A sampling period in which N light emission control signals having a turn-on level voltage are applied simultaneously,
N scan signals having a turn-off level voltage are applied to the N scan lines, N sense signals having a turn-off level voltage are applied to the N sense lines, and a turn signal is applied to the N light emission control lines. - a first holding period in which N light emission control signals having an off-level voltage are applied,
N sense signals having a turn-off level voltage are applied to the N sense lines, N light emission control signals having a turn-off level voltage are applied to the N light emission control lines, and N light emission control signals having a turn-off level voltage are applied to the N light emission control lines. A data writing period in which N scan signals having a turn-on level voltage are sequentially applied,
N scan signals having a turn-off level voltage are applied to the N scan lines, N sense signals having a turn-off level voltage are applied to the N sense lines, and a turn signal is applied to the N light emission control lines. - a second holding period in which N light emission control signals having an off-level voltage are applied,
N scan signals having a turn-off level voltage are applied to the N scan lines, N sense signals having a turn-off level voltage are applied to the N sense lines, and a turn signal is applied to the N light emission control lines. - A display device including a light emission period in which N light emission control signals having an on-level voltage are applied and the N subpixel lines emit light simultaneously.
상기 M개의 클러스터 각각에 포함된 상기 N개의 서브픽셀 라인 각각의 상기 샘플링 기간 동안, 상기 N개의 서브픽셀 라인에 배치된 서브픽셀들 각각의 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드의 전압은 상승하다가 포화되는 표시장치.
According to clause 14,
During the sampling period of each of the N subpixel lines included in each of the M clusters, the voltage of the second node of the driving transistor of each of the subpixels arranged in the N subpixel lines increases and then becomes saturated. Device.
상기 구동 트랜지스터의 제2 노드의 포화된 전압은 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압에 따라 달라지는 표시장치.
According to clause 15,
A display device in which the saturated voltage of the second node of the driving transistor varies depending on the threshold voltage of the driving transistor.
상기 액티브 영역의 외곽 영역인 넌-액티브 영역에 배치되며, 상기 다수의 게이트 라인과 연결되는 게이트 구동 회로를 포함하고,
상기 다수의 서브픽셀은 M개의 클러스터로 그룹화되고, 상기 M(M≥2)개의 클러스터 각각은 N(N≥2)개의 서브픽셀 라인을 포함하고, 상기 M개의 클러스터 각각에 포함된 상기 N개의 서브픽셀 라인에 배치된 서브픽셀들은 동시에 발광하고,
상기 게이트 구동 회로는, 상기 M개의 클러스터와 각각 대응되는 M개의 게이트 구동 유닛과, 상기 M개의 게이트 구동 유닛 중 인접한 2개의 게이트 구동 유닛 사이마다 배치되는 중간 스테이지 회로를 포함하고, 상기 M개의 게이트 구동 유닛 각각은 제1 메인 스테이지 회로 및 제2 메인 스테이지 회로를 포함하고,
상기 M개의 게이트 구동 유닛은, 상기 M개의 클러스터 중 (i-1)번째 클러스터에 배치된 게이트 라인들을 구동하는 (i-1)번째 게이트 구동 유닛과, 상기 M개의 클러스터 중 i번째 클러스터에 배치된 게이트 라인들을 구동하는 i번째 게이트 구동 유닛과, 상기 M개의 클러스터 중 (i+1)번째 클러스터에 배치된 게이트 라인들을 구동하는 (i+1)번째 게이트 구동 유닛을 포함하고,
상기 i번째 게이트 구동 유닛과 상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 상기 중간 스테이지 회로는,
상기 i번째 게이트 구동 유닛 및 상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛으로부터 캐리신호를 입력 받고,
상기 i번째 게이트 구동 유닛 및 상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛으로 중간 캐리신호를 출력하는 표시패널.
A plurality of subpixels disposed in the active area and connected to a plurality of data lines and a plurality of gate lines; and
a gate driving circuit disposed in a non-active area outside the active area and connected to the plurality of gate lines;
The plurality of subpixels are grouped into M clusters, each of the M (M ≥ 2) clusters includes N (N ≥ 2) subpixel lines, and the N sub-pixels included in each of the M clusters. Subpixels arranged in a pixel line emit light simultaneously,
The gate driving circuit includes M gate driving units respectively corresponding to the M clusters, and an intermediate stage circuit disposed between two adjacent gate driving units among the M gate driving units, and driving the M gates. Each unit includes a first main stage circuit and a second main stage circuit,
The M gate driving units include an (i-1)th gate driving unit that drives gate lines arranged in the (i-1)th cluster among the M clusters, and a (i-1)th gate driving unit arranged in the ith cluster among the M clusters. It includes an i-th gate driving unit that drives gate lines, and an (i+1)-th gate driving unit that drives gate lines arranged in an (i+1)-th cluster among the M clusters,
The intermediate stage circuit disposed between the i-th gate driving unit and the (i+1)-th gate driving unit,
Receiving a carry signal from the ith gate driving unit and the (i+1)th gate driving unit,
A display panel that outputs an intermediate carry signal to the ith gate driving unit and the (i+1)th gate driving unit.
상기 넌-액티브 영역에 배치되는 (N+4)개의 클럭배선을 더 포함하는 표시패널.
According to clause 17,
A display panel further comprising (N+4) clock wires disposed in the non-active area.
상기 액티브 영역의 외곽 영역인 넌-액티브 영역에 배치되며, 상기 다수의 게이트 라인과 연결되는 게이트 구동 회로를 포함하고,
상기 다수의 서브픽셀은 M개의 클러스터로 그룹화되고, 상기 M(M≥2)개의 클러스터 각각은 N(N≥2)개의 서브픽셀 라인을 포함하고, 상기 M개의 클러스터 각각에 포함된 상기 N개의 서브픽셀 라인에 배치된 서브픽셀들은 동시에 발광하고,
상기 게이트 구동 회로는, 상기 M개의 클러스터와 각각 대응되는 M개의 게이트 구동 유닛과, 상기 M개의 게이트 구동 유닛 중 인접한 2개의 게이트 구동 유닛 사이마다 배치되는 중간 스테이지 회로를 포함하고, 상기 M개의 게이트 구동 유닛 각각은 제1 메인 스테이지 회로 및 제2 메인 스테이지 회로를 포함하고,
상기 M개의 게이트 구동 유닛은, 상기 M개의 클러스터 중 (i-1)번째 클러스터에 배치된 게이트 라인들을 구동하는 (i-1)번째 게이트 구동 유닛과, 상기 M개의 클러스터 중 i번째 클러스터에 배치된 게이트 라인들을 구동하는 i번째 게이트 구동 유닛과, 상기 M개의 클러스터 중 (i+1)번째 클러스터에 배치된 게이트 라인들을 구동하는 (i+1)번째 게이트 구동 유닛을 포함하고,
상기 i번째 게이트 구동 유닛과 상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 상기 중간 스테이지 회로는,
상기 i번째 게이트 구동 유닛 및 상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛으로 중간 캐리신호를 출력하되, 상기 i번째 게이트 구동 유닛으로 중간 캐리신호를 상기 i번째 게이트 구동 유닛의 리셋 신호로서 출력하고, 상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛으로 중간 캐리신호를 상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛의 셋 신호로서 출력하는 표시패널.
A plurality of subpixels disposed in the active area and connected to a plurality of data lines and a plurality of gate lines; and
a gate driving circuit disposed in a non-active area outside the active area and connected to the plurality of gate lines;
The plurality of subpixels are grouped into M clusters, each of the M (M ≥ 2) clusters includes N (N ≥ 2) subpixel lines, and the N sub-pixels included in each of the M clusters. Subpixels arranged in a pixel line emit light simultaneously,
The gate driving circuit includes M gate driving units respectively corresponding to the M clusters, and an intermediate stage circuit disposed between two adjacent gate driving units among the M gate driving units, and driving the M gates. Each unit includes a first main stage circuit and a second main stage circuit,
The M gate driving units include an (i-1)th gate driving unit that drives gate lines arranged in the (i-1)th cluster among the M clusters, and a (i-1)th gate driving unit arranged in the ith cluster among the M clusters. It includes an i-th gate driving unit that drives gate lines, and an (i+1)-th gate driving unit that drives gate lines arranged in an (i+1)-th cluster among the M clusters,
The intermediate stage circuit disposed between the i-th gate driving unit and the (i+1)-th gate driving unit,
An intermediate carry signal is output to the i-th gate driving unit and the (i+1)-th gate driving unit, and the intermediate carry signal is output to the i-th gate driving unit as a reset signal of the i-th gate driving unit, A display panel that outputs an intermediate carry signal to the (i+1)th gate driving unit as a set signal of the (i+1)th gate driving unit.
상기 넌-액티브 영역에 배치되는 (N+5)개의 클럭배선을 더 포함하는 표시패널.
According to clause 19,
A display panel further comprising (N+5) clock wires disposed in the non-active area.
상기 액티브 영역의 외곽 영역인 넌-액티브 영역에 배치되며, 상기 다수의 게이트 라인과 연결되는 게이트 구동 회로를 포함하고,
상기 다수의 서브픽셀은 M개의 클러스터로 그룹화되고, 상기 M개의 클러스터 각각은 N개의 서브픽셀 라인을 포함하고, 상기 M은 2 이상의 자연수이고, 상기 N은 2이상의 자연수이고,
상기 M개의 클러스터 각각에 포함된 상기 N개의 서브픽셀 라인에 배치된 서브픽셀들은 동시에 발광하고,
상기 넌-액티브 영역에 배치되며 (N+4)개의 클럭신호를 상기 게이트 구동 회로로 공급하는 (N+4)개의 클럭배선을 더 포함하거나, 상기 넌-액티브 영역에 배치되며 (N+5)개의 클럭신호를 상기 게이트 구동 회로로 공급하는 (N+5)개의 클럭배선을 더 포함하는 표시패널.
A plurality of subpixels disposed in the active area and connected to a plurality of data lines and a plurality of gate lines; and
a gate driving circuit disposed in a non-active area outside the active area and connected to the plurality of gate lines;
The plurality of subpixels are grouped into M clusters, each of the M clusters includes N subpixel lines, where M is a natural number of 2 or more, and N is a natural number of 2 or more,
Subpixels arranged on the N subpixel lines included in each of the M clusters emit light simultaneously,
It is disposed in the non-active area and further includes (N+4) clock wires that supply (N+4) clock signals to the gate driving circuit, or is disposed in the non-active area and (N+5) A display panel further comprising (N+5) clock wires that supply clock signals to the gate driving circuit.
상기 다수의 게이트 라인은 다수의 스캔라인, 다수의 센스라인 및 다수의 발광제어라인을 포함하고,
상기 다수의 서브픽셀 각각은,
발광소자와,
상기 발광소자를 구동하는 구동 트랜지스터와,
스캔신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 해당 데이터 라인 간의 연결을 제어하는 스캔 트랜지스터와,
상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 제2 노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터를 포함하고,
상기 다수의 서브픽셀의 전체 또는 일부는,
센스신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드와 해당 기준라인 간의 연결을 제어하는 센스 트랜지스터와, 발광제어신호에 응답하여 상기 발광소자의 발광을 제어하는 발광제어 트랜지스터 중 하나 이상을 더 포함하고,
상기 N개의 서브픽셀 라인에 배치된 센스 트랜지스터들의 게이트 노드들은 전기적으로 연결되거나 상기 센스신호가 동시에 인가되고,
상기 N개의 서브픽셀 라인에 배치된 발광제어 트랜지스터들의 게이트 노드들은 전기적으로 연결되거나 상기 발광제어신호가 동시에 인가되는 표시패널.
According to clause 21,
The plurality of gate lines include a plurality of scan lines, a plurality of sense lines, and a plurality of emission control lines,
Each of the plurality of subpixels is,
A light emitting device,
A driving transistor that drives the light emitting device,
a scan transistor that controls the connection between the first node of the driving transistor and the corresponding data line in response to a scan signal;
A storage capacitor electrically connected between a first node and a second node of the driving transistor,
All or part of the plurality of subpixels,
It further includes at least one of a sense transistor that controls the connection between the second node of the driving transistor and the corresponding reference line in response to a sense signal, and a light emission control transistor that controls light emission of the light emitting device in response to a light emission control signal,
Gate nodes of the sense transistors arranged in the N subpixel lines are electrically connected or the sense signals are applied simultaneously,
A display panel in which gate nodes of the emission control transistors arranged in the N subpixel lines are electrically connected or the emission control signals are applied simultaneously.
각기 다른 N(N≥2)개의 서브픽셀 라인을 포함하는 M(M≥2)개의 클러스터와 각각 대응되고, 제1 메인 스테이지 회로 및 제2 메인 스테이지 회로를 각각 포함하는 M개의 게이트 구동 유닛; 및
상기 M개의 게이트 구동 유닛 중 인접한 2개의 게이트 구동 유닛 사이마다 배치되는 중간 스테이지 회로를 포함하고,
상기 M개의 게이트 구동 유닛은, 상기 M개의 클러스터 중 (i-1)번째 클러스터에 배치된 게이트 라인들을 구동하는 (i-1)번째 게이트 구동 유닛과, 상기 M개의 클러스터 중 i번째 클러스터에 배치된 게이트 라인들을 구동하는 i번째 게이트 구동 유닛과, 상기 M개의 클러스터 중 (i+1)번째 클러스터에 배치된 게이트 라인들을 구동하는 (i+1)번째 게이트 구동 유닛을 포함하고,
상기 i번째 게이트 구동 유닛과 상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 상기 중간 스테이지 회로는,
상기 i번째 게이트 구동 유닛 및 상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛으로 중간 캐리신호를 출력하되, 상기 i번째 게이트 구동 유닛으로 중간 캐리신호를 상기 i번째 게이트 구동 유닛의 리셋 신호로서 출력하고, 상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛으로 중간 캐리신호를 상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛의 셋 신호로서 출력하는 게이트 구동 회로.
In the gate driving circuit,
M gate driving units each corresponding to M (M ≥ 2) clusters each including N (N ≥ 2) different subpixel lines and each including a first main stage circuit and a second main stage circuit; and
An intermediate stage circuit disposed between two adjacent gate driving units among the M gate driving units,
The M gate driving units include an (i-1)th gate driving unit that drives gate lines arranged in the (i-1)th cluster among the M clusters, and a (i-1)th gate driving unit arranged in the ith cluster among the M clusters. It includes an i-th gate driving unit that drives gate lines, and an (i+1)-th gate driving unit that drives gate lines arranged in an (i+1)-th cluster among the M clusters,
The intermediate stage circuit disposed between the i-th gate driving unit and the (i+1)-th gate driving unit,
An intermediate carry signal is output to the i-th gate driving unit and the (i+1)-th gate driving unit, and the intermediate carry signal is output to the i-th gate driving unit as a reset signal of the i-th gate driving unit, A gate driving circuit that outputs an intermediate carry signal to the (i+1)th gate driving unit as a set signal of the (i+1)th gate driving unit.
상기 i번째 게이트 구동 유닛과 상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 상기 중간 스테이지 회로는,
상기 i번째 게이트 구동 유닛으로부터 캐리신호를 상기 중간 스테이지 회로의 셋 신호로서 입력 받되,
상기 i번째 게이트 구동 유닛으로부터 입력되는 캐리신호는 상기 중간 스테이지 회로의 셋 신호이고,
상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛으로부터 입력되는 캐리신호는 상기 중간 스테이지 회로의 리셋 신호인 게이트 구동 회로.
According to clause 23,
The intermediate stage circuit disposed between the i-th gate driving unit and the (i+1)-th gate driving unit,
A carry signal is input from the ith gate driving unit as a set signal of the intermediate stage circuit,
The carry signal input from the ith gate driving unit is the set signal of the intermediate stage circuit,
A gate driving circuit wherein the carry signal input from the (i+1)th gate driving unit is a reset signal of the intermediate stage circuit.
상기 i번째 게이트 구동 유닛과 상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 상기 중간 스테이지 회로는,
상기 (i-1)번째 게이트 구동 유닛과 상기 i번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 중간 스테이지 회로로부터 중간 캐리신호를 셋 신호로서 입력 받고,
상기 (i+1)번째 게이트 구동 유닛과 다음의 (i+2)번째 게이트 구동 유닛 사이에 배치된 중간 스테이지 회로로부터 중간 캐리신호를 리셋 신호로서 입력 받는 게이트 구동 회로.According to clause 23,
The intermediate stage circuit disposed between the i-th gate driving unit and the (i+1)-th gate driving unit,
Receiving an intermediate carry signal as a set signal from an intermediate stage circuit disposed between the (i-1)th gate driving unit and the ith gate driving unit,
A gate driving circuit that receives an intermediate carry signal as a reset signal from an intermediate stage circuit disposed between the (i+1)th gate driving unit and the next (i+2)th gate driving unit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190128270A KR102591850B1 (en) | 2019-10-16 | 2019-10-16 | Display device, display panel, and gate driving circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190128270A KR102591850B1 (en) | 2019-10-16 | 2019-10-16 | Display device, display panel, and gate driving circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210045034A KR20210045034A (en) | 2021-04-26 |
KR102591850B1 true KR102591850B1 (en) | 2023-10-20 |
Family
ID=75733577
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190128270A KR102591850B1 (en) | 2019-10-16 | 2019-10-16 | Display device, display panel, and gate driving circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102591850B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11869442B2 (en) | 2021-09-03 | 2024-01-09 | Lg Display Co., Ltd. | Display panel and display device having emission control driver |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101661026B1 (en) * | 2014-09-17 | 2016-09-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display device |
KR102596043B1 (en) * | 2017-05-22 | 2023-11-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | Active Matrix Display Device |
-
2019
- 2019-10-16 KR KR1020190128270A patent/KR102591850B1/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210045034A (en) | 2021-04-26 |
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