KR102640525B1 - 포토다이오드 모듈 - Google Patents
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- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 25
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 7
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000001364 causal effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
본 발명은 포토다이오드 모듈 및 포토다이오드 모듈의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 빛에너지를 전기에너지로 변환하는 광전 변환 소자로서, 수광영역에서 광파 수신 시에 노이즈광(예: 형광등, 삼파장등의 빛)의 유입 및 전자기장의 유입을 차단하도록 구조 개선된 포토다이오드 모듈 및 포토다이오드 모듈의 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 포토다이오드 모듈 및 포토다이오드 모듈의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 빛에너지를 전기에너지로 변환하는 광전 변환 소자로서, 수광영역에서 광파 수신 시에 노이즈광(예: 형광등, 삼파장등의 빛)의 유입 및 전자기장의 유입을 차단하도록 구조 개선된 포토다이오드 모듈 및 포토다이오드 모듈의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 포토다이오드(photodiode)는 빛에너지를 전기에너지로 변환하는 다이오드로서, 광조사한 반도체의 pn접합 내에서 생성된 전자-정공쌍을 접합에 역방향 전압을 가하여, 전류의 변화로서 꺼내는 다이오드이다. 광강도에 비례하여 전류가 많아지며, 금제대폭 이상의 에너지를 가지는 광이 검출되므로, 검출하고 싶은 광의 파장에 따라서 반도체를 선택하여 설계한다.
이러한 포토다이오드는 광을 수신하는 수광영역과 접지단자와 접지단자 상에 부착된 베어칩으로 이루어진 변조부 및 상기 변조부의 베어칩에 연결된 권선과 출력단자로 이루어진 출력부로 구성되어 모듈을 형성하는 것을 예로 들 수 있다.
이와 같은 상기 포토다이오드 모듈의 종래 기술은 광원의 발광부에서 발산된 광파가 수광영역을 통해 수신되어 변조 출력되게 되는데, 이때, 수광영역을 통해 광원의 정상적인 광파 이외에도 주변의 형광등이나 삼파장등 등에서 발산되는 광파가 노이즈 형태로 유입되어, 오작동을 일으키는 문제점이 있다.
또한, 상기와 같은 종래 포토다이오드 모듈은 상기 수광영역이 입사되는 광파를 수신하고, 상기 변조부의 베어칩이 수신된 광원을 전기적 신호로 변조하며, 상기 변조부를 통하여 변조된 전기신호가 베어칩에 연결된 권선을 통하여 출력단자로 출력되게 되는데, 이때, 외부의 자기장이나 전기장이 모듈 내로 침투하여 동작에 영향을 끼쳐, 오동작을 일으키도록 하는 문제점이 있다.
본 발명은 포토다이오드 모듈의 수광영역에서 광파 수신 시 주변의 형광등이나 삼파장등의 광파가 노이즈 광으로 유입되는 것을 차단 가능한 구조 개선된 포토다이오드 모듈과 이러한 포토다이오드 모듈을 제조하는 방법을 제공하는데 목적이 있다.
본 발명은 포토다이오드 모듈의 수광영역에서 광파 수신 시 주변의 자기장이나 전기장이 모듈 내로 유입되는 것을 차단 가능한 구조 개선된 포토다이오드 모듈과 이러한 포토다이오드 모듈을 제조하는 방법을 제공하는데 목적이 있다.
상기와 같은 과제 해결을 위한 본 발명 중 포토다이오드 모듈은 수광영역이 배치된 상면과, 상기 상면에서 하면으로 연장되어 부피체를 형성하는 측면을 갖는 포토다이오드; 상기 포토다이오드의 상면에 마련되는 광필터부; 상기 포토다이오드의 측면에 마련되는 차폐부; 를 포함하고, 상기 차폐부는 TiO2로 이루어진 것일 수 있다.
본 발명 중 상기 광필터부는 동작 대응 광원에서 발산된 정상적 광파장만을 통과시키고, 그 외 광파장은 차단하는 컬러필터인 것일 수 있다.
본 발명의 상기 차폐부의 두께는 포토다이오드의 측면 높이의 0.2~0.6배인 것일 수 있다.
본 발명의 상기 차폐부는 포토다이오드 상면과 동일 방향에 위치하는 면이 외곽으로 가면서 하향 경사면을 이루는 것일 수 있다.
본 발명의 상기 차폐부는 표면 중 적어도 상면에 반사 요철이 형성된 것일 수 있다.
본 발명의 상기 반사 요철은 경사면이 수광영역의 반대방향으로 향하도록 형성된 것일 수 있다.
본 발명의 상기 차폐부는 포토다이오드 측면과 접하는 내측면의 일부를 제외한 외측 방향의 면에 미세공이 형성된 것일 수 있다.
본 발명의 상기 미세공이 형성되는 두께는 차폐부 두께의 30~60%인 것일 수 있다.
본 발명의 상기 미세공은 규칙적 또는 불규칙적으로 형성된 것일 수 있다.
본 발명 중 포토다이오드 모듈의 제조방법은 수광영역이 배치된 상면과, 상기 상면에서 하면으로 연장되어 부피체를 형성하는 측면을 갖는 포토다이오드를 준비하는 제1단계; 상기 포토다이오드의 적어도 측면에 차폐층으로 이루어지는 차폐부를 형성하는 제2단계; 상기 수광영역이 배치된 포토다이오드의 상면 부분에 광필터부를 적층 고정하는 제3단계; 를 포함하여 진행되는 것일 수 있다.
상기와 같은 과제 해결 수단에 의한 본 발명은 상기 포토다이오드(11)의 상면에 배치된 수광영역(12) 부분에 광필터부(13)가 적층 고정되고, 상기 포토다이오드(11)의 측면(11b)에 차폐부(14)가 감싸면서 마련되어, 포토다이오드 모듈(10) 전체적으로 주변의 형광등이나 삼파장등의 광파가 노이즈 광으로 유입되는 것을 차단함은 물론, 특히 상기 수광영역(12)에서 광파 수신 시 이러한 노이즈 광이 유입되는 것을 차단함으로써, 포토다이오드 모듈(10)의 광신호를 전기신호로 변환하는 동작의 정확도를 향상시킴과 동시에 오동작을 방지하도록 하는 효과를 얻는다.
또한, 본 발명은 상기 포토다이오드(11)의 측면(11b)에 차폐부(14)가 감싸면서 마련되어, 포토다이오드 모듈(10) 전체적으로 주변에서 발생된 전자파를 포함한 자기장이나 전기장이 모듈 내로 침부하는 것을 차단함으로써, 포토다이오드 모듈(10)의 전기적 오동작을 방지하도록 하는 효과를 얻는다.
또한, 본 발명은 상기 광필터부(13)의 면적이 수광영역(12)의 면적 보다 넓게 확장 적층 고정됨으로써, 상기 수광영역(12)의 테두리와 광필터부(13)의 테두리 사이로 노이즈광이 유입되는 것을 방지하는 효과를 얻는다.
또한, 본 발명은 상기 광필터부(13)의 테두리 부분이 차폐부(14)의 상면 일부 또는 전체를 덮어 차단하도록 적층 고정됨으로써, 상기 수광영역(12)의 테두리와 광필터부(13)의 테두리 사이로 노이즈광이 유입되는 것을 더더욱 방지하는 효과를 얻는다.
또한, 본 발명은 상기 차폐부(14)의 포토다이오드(11) 상면(11a)과 동일 방향에 위치하는 면이 외곽으로 가면서 하향 경사면으로 이루어져, 상기 차폐부(14)의 상면으로 입사되는 광파가 반사되어, 상기 수광영역(12)가 위치한 부위로 반사 내지 산란하는 것을 방지함으로써, 상기 수광영역(12)의 수광 정확도를 향상시키는 효과를 얻는다.
또한, 본 발명은 상기 차폐부(14)의 표면 중 적어도 상면에 반사 요철(14a)이 형성되고, 상기 반사 요철(14a)은 경사면이 수광영역(12)의 반대방향 즉, 외측 방향으로 향하도록 형성되어, 입사되는 광파가 상기 수광영역(12) 방향으로 반사 내지 산란되지 않고, 외측 방향으로 반사되도록 유도함으로써, 상기 수광영역(12)의 수광 정확도를 더욱 향상시키는 효과를 얻는다.
또한, 본 발명은 상기 차폐부(14) 중 포토다이오드(11) 측면(11b)과 접하는 내측면의 일부를 제외한 외측 방향의 면에 미세공(14b)이 형성되어, 상기 차폐부(14) 방향으로 입사되는 광파 또는 전자기장이 차폐부(14)의 평면에서 반사되거나, 상기 미세공(14b)으로 유입되어 무수한 미세공 틈으로 진행하면서 산란 굴절되면서 지연되거나 상쇄되면서 소멸됨으로써, 차폐부(14)에 의한 노이즈광의 유입 내지 전자기장의 침투를 방지하고, 이를 통해, 포토다이오드 모듈(10)의 오동작을 방지하는 효과를 얻는다.
도 1은 본 발명 중 포토다이오드 모듈의 외관 구성을 도시한 사시도.
도 2는 본 발명의 외관 구성과 적층 구조를 도시한 분리 사시도.
도 3은 본 발명의 세부 구성 및 작용을 도시한 측 단면도.
도 4 및 도 5는 본 발명에서 광필터부의 적층 배치에 따른 다른 예들을 도시한 측 단면도.
도 6은 본 발명에서 차폐부의 구조에 따른 다른 예를 도시한 측 단면도.
도 7 및 도 8은 본 발명에서 차폐부의 표면 구조의 예들을 도시한 부분 측 단면도.
도 9는 본 발명 중 포토다이오드의 제조방법에 대한 순서를 도시한 순서 블록도.
도 2는 본 발명의 외관 구성과 적층 구조를 도시한 분리 사시도.
도 3은 본 발명의 세부 구성 및 작용을 도시한 측 단면도.
도 4 및 도 5는 본 발명에서 광필터부의 적층 배치에 따른 다른 예들을 도시한 측 단면도.
도 6은 본 발명에서 차폐부의 구조에 따른 다른 예를 도시한 측 단면도.
도 7 및 도 8은 본 발명에서 차폐부의 표면 구조의 예들을 도시한 부분 측 단면도.
도 9는 본 발명 중 포토다이오드의 제조방법에 대한 순서를 도시한 순서 블록도.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, 설명되는 각 단계들은 특별한 인과관계에 의해 나열된 순서에 따라 수행되어야 하는 경우를 제외하고, 나열된 순서와 상관없이 수행될 수 있다.
본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 첨부 도면 도 1 내지 도 9를 참조하여 본 발명에 대해 설명한다.
먼저, 본 발명인 포토다이오드 모듈(10)은 기본적으로 첨부 도면 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 수광영역(12)이 배치된 상면(11a)과, 상기 상면(11a)에서 하면으로 연장되어 부피체를 형성하는 측면(11b)을 갖는 포토다이오드(11); 상기 포토다이오드(11)의 상면(11a)에 마련되는 광필터부(13); 상기 포토다이오드(11)의 측면(11b)에 마련되는 차폐부(14); 를 포함하고, 상기 차폐부(14)는 TiO2로 이루어진 것일 수 있다.
이와 같이 된 본 발명은 상기 포토다이오드(11)의 상면에 배치된 수광영역(12) 부분에 광필터부(13)가 적층 고정되고, 상기 포토다이오드(11)의 측면(11b)에 차폐부(14)가 감싸면서 마련되어, 포토다이오드 모듈(10) 전체적으로 주변의 광파가 노이즈 광으로 유입되는 것을 차단함은 물론, 특히 상기 수광영역(12)에서 광파 수신 시 이러한 노이즈 광이 유입되는 것을 차단함으로써, 포토다이오드 모듈(10)의 광신호를 전기신호로 변환하는 동작의 정확도를 향상시킴과 동시에 오동작을 방지하도록 하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명은 상기 포토다이오드(11)의 측면(11b)에 차폐부(14)가 감싸면서 마련되어, 포토다이오드 모듈(10) 전체적으로 주변에서 발생된 전자파를 포함한 자기장이나 전기장이 모듈 내로 침부하는 것을 차단함으로써, 포토다이오드 모듈(10)의 전기적 오동작을 방지하도록 하는 것이 가능하다.
여기서, 본 발명 중 상기 광필터부(13)는 동작 대응 광원에서 발산된 정상적 광파장만을 통과시키고, 그 외 광파장은 차단하는 컬러필터인 것일 수 있다.
상기한 컬러필터는 RGB필터로서, 각 색상별 물리적 장벽을 갖는 것일 수 있다. 이때, 본 발명의 상기 광필터부(13)의 면적은 수광영역(12)의 면적 보다 넓게 확장 적층 고정된 것일 수 있다. 광필터부(13)가 이와 같이 형성된다면, 상기 수광영역(12)의 테두리와 광필터부(13)의 테두리 사이로 상기한 노이즈광이 유입되는 것을 방지하거나 극히 최소화할 수 있다.
이때 또한, 본 발명의 상기 광필터부(13)는 첨부 도면 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 테두리 부분이 차폐부(14)의 상면 일부(도 4) 또는 전체(도 5)를 덮어 차단하도록 적층 고정된 것일 수 있다.
이와 같이 되면, 상기 수광영역(12)의 테두리와 광필터부(13)의 테두리 사이로 노이즈광이 유입되는 것을 더더욱 방지하는 것이 가능하다.
한편, 본 발명 중 상기 차폐부(14)는 TiO2가 포토다이오드(11)의 측면(11b)을 감싸는 테형태의 블록체인 것일 수 있다.
이때, 본 발명의 상기 차폐부(14)는 TiO2가 성형 몰딩을 통해 포토다이오드(11)의 측면(11b)에 대해 블록체로 성형된 것일 수 있다.
이때 또한, 본 발명의 상기 차폐부(14)는 TiO2가 설계 두께까지 포토다이오드(11)의 측면(11b)에 다층 코팅을 통해 두께를 형성한 것일 수도 있다.
상기와 같이, 차폐부(14)가 성형 몰딩을 통해 블록체로 성형되거나, 다층 코팅을 통해 두께를 형성되는 것 이외에도, 설계 두께만큼 상기 포토다이오드(11) 측면(11b)에 형성되어진 것이면 만족한다.
이때 또한, 본 발명의 상기 차폐부(14)의 두께는 포토다이오드(11)의 측면 높이의 0.2~0.6배인 것일 수 있다. 구체적으로, 여기서 차폐부(14)의 두께라 함은 도 2 내지 도 4에서 좌우 방향의 두께를 의미하고, 포토다이오드(11)의 측면 높이라 함은 도 2 내지 도 4에서 상하 방향의 높이를 의미한다.
이와 같이 수치 한정된 범위 이하로 두께가 얇은 경우에는 노이즈광이 미미하게 침투 가능하여 필터의 기능이 저하되며, 그 이상으로 두께가 두꺼운 경우에는 노이즈광의 차단 효과는 우수하나 동작 대응 광원에서 발산된 정상적인 광파의 입사 유입량이 적어 동작 응답성이 저하되므로, 반드시 상기한 수치 범위 내의 두께로 이루어지는 것이 바람직하다.
이때 또한, 본 발명의 상기 차폐부(14)는 포토다이오드(11) 상면(11a)과 동일 방향에 위치하는 면 즉, 상면이 평면인 것을 기본적인 실시예로 할 수 있다.
그러나, 상기 차폐부(14)는 포토다이오드(11) 상면(11a)과 동일 방향에 위치하는 면이 첨부 도면 도 6에 도시된 바와 같이, 외곽으로 가면서 하향 경사면으로 이루어진 것일 수도 있다.
이와 같이 되면, 상기 차폐부(14)의 상면으로 입사되는 광파가 반사되어, 상기 수광영역(12)이 위치한 부위로 반사 내지 산란하는 것을 방지함으로써, 상기 수광영역(12)의 수광 정확도를 향상시키는 것이 가능하다.
이때 또한, 본 발명의 상기 차폐부(14)는 첨부 도면 도 7에 도시된 바와 같이, 표면 중 적어도 상면에 반사 요철(14a)이 형성된 것일 수 있다.
상기한 반사 요철(14a)은 경사면이 수광영역(12)의 반대방향 즉, 외측 방향으로 향하도록 형성된 것일 수 있다.
이와 같이 되면, 상기 차폐부(14)의 상면으로 입사되는 광파가 수광영역(12)의 외측 방향으로 기울기를 갖는 경사면에 반사되어, 입사되는 광파가 상기 수광영역(12) 방향으로 반사 내지 산란되지 않고, 외측 방향으로 반사되도록 유도함으로써, 상기 수광영역(12)의 수광 정확도를 더욱 향상시키는 것이 가능하다.
이때 또한, 본 발명의 상기 차폐부(14)는 첨부 도면 도 8에 도시된 바와 같이, 포토다이오드(11) 측면(11b)과 접하는 내측면의 일부를 제외한 외측 방향의 면에 미세공(14b)이 형성된 것일 수도 있다.
이와 같이 되면, 상기 차폐부(14) 방향으로 입사되는 광파 또는 전자기장이 차폐부(14)의 평면에서 반사되거나, 상기 미세공(14b)으로 유입되어 무수한 미세공 틈으로 진행하면서 산란 굴절되면서 지연되거나 상쇄되면서 소멸됨으로써, 차폐부(14)에 의한 노이즈광의 유입 내지 전자기장의 침투를 방지하는 것이 가능하다.
상기한 미세공(14b)이 차폐부(14)의 전체 두께에서 형성되는 두께는 차폐부(14) 두께의 30~60%인 것일 수 있다.
이와 같이 되면, 상기 미세공(14b)이 서로 다른 인접한 미세공들과 연결되어, 상기 포토다이오드(11)의 측면(11b) 부분에 도달하는 것을 방지하게 된다.
이때, 상기한 미세공(14b)은 규칙적 또는 불규칙적으로 형성된 것일 수 있다.
그리고, 본 발명 중 포토다이오드 모듈(10)의 제조방법은 첨부 도면 도 9에 도시된 바와 같이, 수광영역(12)이 배치된 상면(11a)과, 상기 상면(11a)에서 하면으로 연장되어 부피체를 형성하는 측면(11b)을 갖는 포토다이오드(11)를 준비하는 제1단계(S1); 상기 포토다이오드(11)의 적어도 측면(11b)에 차폐층으로 이루어지는 차폐부(14)를 형성하는 제2단계(S2); 상기 수광영역(12)이 배치된 포토다이오드(11)의 상면(11a) 부분에 광필터부(13)를 적층 고정하는 제3단계; 를 포함하여 진행되는 것일 수 있다.
여기서, 본 발명 중 상기 제1단계(S1)인 포토다이오드 준비 단계에서 준비되는 포토다이오드(11)는 광을 수신하는 수광영역과, 접지단자 상에 부착된 베어칩으로 이루어진 변조부 및 상기 변조부의 베어칩에 연결된 권선과 출력단자로 이루어진 출력부로 구성된 것을 예시하나, 반드시 이에 한정되지는 않는다.
한편, 본 발명 중 상기 제2단계(S2)인 차폐부 형성 단계에서는 준비된 포토다이오드(11)를 상기 차폐부(14)의 형상에 따라 사전 제작된 성형 몰딩에 인입하여 중앙 부분에 안치하고, 상기 안치된 포토다이오드(11)의 측면(11b)에 TiO2를 주입하여 성형하는 것일 수 있다.
이때, 본 발명의 상기 제2단계(S2)는 준비된 포토다이오드(11)의 측면(11b)에 대해, TiO2를 설정된 두께만큼 도포하여 경화 코팅하고, 이러한 코팅을 설정 두께에 도달할 때 반복하는 것일 수도 있다.
상기와 같이, 상기 차폐부(14)를 성형 몰딩을 통해 블록체로 성형하거나, 다층 코팅을 통해 두께를 형성하는 방식 이외에도, 설계 두께만큼 상기 포토다이오드(11) 측면(11b)에 차폐부(14)를 형성할 수 있는 방식이면 만족한다.
또 한편, 본 발명 중 상기 제3단계(S3)인 광필터부 적층 고정 단계는 상기 수광영역(12)이 배치된 포토다이오드(11)의 상면(11a) 부분에 광필터부(13)를 적층하고 접착 또는 융착 고정하는 단계이다.
상기와 같이, 본 발명의 각 실시예에 개시된 기술적 특징들은 해당 실시예에만 한정되는 것은 아니고, 서로 양립 불가능하지 않은 이상, 각 실시예에 개시된 기술적 특징들은 서로 다른 실시예에 병합되어 적용될 수 있다.
따라서, 각 실시예에서는 각각의 기술적 특징을 위주로 설명하지만, 각 기술적 특징이 서로 양립 불가능하지 않은 이상, 서로 병합되어 적용될 수 있다.
본 발명은 상술한 실시예 및 첨부한 도면에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자의 관점에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 범위는 본 명세서의 청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
10: 포토다이오드 모듈 11: 포토다이오드
11a, 11b: 상면, 하면 12: 수광영역
13: 광필터부 14: 차폐부
14a: 반사 요철 14b: 미세공
11a, 11b: 상면, 하면 12: 수광영역
13: 광필터부 14: 차폐부
14a: 반사 요철 14b: 미세공
Claims (7)
- 수광영역이 배치된 상면과, 상기 상면에서 하면으로 연장되어 부피체를 형성하는 측면을 갖는 포토다이오드;
상기 포토다이오드의 상면에 마련되는 광필터부; 및
상기 포토다이오드의 측면에 마련되어 상기 측면을 감싸고 있는 차폐부
를 포함하고,
상기 차폐부는 내부에 복수 개의 미세공을 구비하여, 광파나 전자기장이 미세공으로 유입되어 산란 굴절되면서 지연되거나 상쇄되면서 소멸되도록 하는
포토다이오드 모듈. - 청구항 1에 있어서,
상기 차폐부의 두께는,
포토다이오드의 측면 높이의 0.2~0.6배인,
포토다이오드 모듈. - 청구항 1에 있어서,
상기 차폐부의 포토다이오드 상면과 동일 방향에 위치하는 면은,
외곽으로 가면서 하향 경사면을 이루는,
포토다이오드 모듈. - 청구항 1에 있어서,
상기 차폐부는,
표면 중 적어도 상면에 반사 요철이 형성된,
포토다이오드 모듈. - 청구항 4에 있어서,
상기 반사 요철은,
경사면이 수광영역의 반대방향을 향해 형성된,
포토다이오드 모듈. - 청구항 1에 있어서,
상기 차폐부는,
상기 차폐부는 TiO2로 이루어진,
포토다이오드 모듈. - 삭제
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020220001396A KR102640525B1 (ko) | 2022-01-05 | 2022-01-05 | 포토다이오드 모듈 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020220001396A KR102640525B1 (ko) | 2022-01-05 | 2022-01-05 | 포토다이오드 모듈 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230106189A KR20230106189A (ko) | 2023-07-13 |
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Family
ID=87160137
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| KR1020220001396A KR102640525B1 (ko) | 2022-01-05 | 2022-01-05 | 포토다이오드 모듈 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102640525B1 (ko) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2008235939A (ja) * | 2008-06-27 | 2008-10-02 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置 |
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| JP2017114933A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | 京セラ株式会社 | オプトデバイス用樹脂組成物およびこれを用いたオプトデバイス |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980067116U (ko) | 1997-05-23 | 1998-12-05 | 조희재 | 외부 광노이즈 제거용 포토다이오드 |
| KR20160121075A (ko) * | 2015-04-10 | 2016-10-19 | (주)파트론 | 수광 센서 패키지 |
-
2022
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Patent Citations (3)
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| JP2017114933A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | 京セラ株式会社 | オプトデバイス用樹脂組成物およびこれを用いたオプトデバイス |
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|---|---|
| KR20230106189A (ko) | 2023-07-13 |
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