KR20160121075A - 수광 센서 패키지 - Google Patents

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KR20160121075A
KR20160121075A KR1020150050550A KR20150050550A KR20160121075A KR 20160121075 A KR20160121075 A KR 20160121075A KR 1020150050550 A KR1020150050550 A KR 1020150050550A KR 20150050550 A KR20150050550 A KR 20150050550A KR 20160121075 A KR20160121075 A KR 20160121075A
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light receiving
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정영우
김태원
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(주)파트론
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Abstract

수광 센서 패키지가 개시된다.본 발명의 수광 센서 패키지는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 위치하는 수광 센서, 상기 수광 센서의 상면 중 적어도 일부를 제외한 나머지 부분을 덮는 차광몰딩부 및, 상기 차광몰딩부에 의해 덮이지 않은 상기 수광 센서의 상면 중 상기 일부를 덮는 투광몰딩부를 포함한다.

Description

수광 센서 패키지{PHOTODETECTING SENSOR PACKAGE}
본발명은 수광 센서 패키지에 관한 것으로,광전 변환 소자를 포함하여 외부의 특정 파장 대역의 광량을 측정할 수 있는 수광 센서 패키지에 관한 것이다.
최근의 건강에 대한 관심이 증가함에 따라 전자 장치에는 헬스 케어 용도의 다양한 센서가 탑재되고 있다.예를 들어,온도 센서,심박 센서 및 자외선 센서 등이 그것이다.특히, 자외선 센서는 오존층의 파괴로 인한 조사량 증가로 인해 인체나 환경에 미치는 우려가 증대되고 있다.
일반적으로,자외선은 400nm 이하의 파장 대역의 광을 의미하는데,이는 다시 장파 자외선(UV-A파, 320nm 내지 400nm의 파장 대역), 중파 자외선(UV-B파, 280nm 내지 320nm의 파장 대역) 및 단파 자외선(UV-C파, 280nm 이하의 파장 대역)으로 구분될 수 있다. 주로,장파 자외선은 피부 흑화 및 노화와 관련되고,중파 자외선은 피부 염증 및 피부암 유발과 관련되며,단파 자외선은 강한 살균력이 있다고 알려져 있다.
자외선 센서는 광 신호를 전기 신호로 변환하는 수광 센서의 일종이다.일본국 공개특허공보 특개2009-200222호에는 종래의 자외선 센서의 일 형태가 도시되어 있다.그러나 종래의 자외선 센서는 센서 칩과 윈도우 부재 사이의 환경 변화에 따른 투광성 변화에 따라 오차가 발생할 수 있다는 문제점이 있었다.또한,센서 칩의 측면을 통해 센서 칩 내부로 침투하는 광으로 인한 오차가 발생할 수 있다는 문제점이 있었다.측면을 통해 침투하는 광으로 인한 오차는 실리콘 타입의 수광 센서인 경우 특히 민감할 수 있다.따라서 이러한 문제점을 해결할 수 있는 수광 센서 패키지에 대한 요구가 증대되고 있다.
본 발명이 해결하려는 과제는, 외부 환경 변화에 따라 발생할 수 있는 센서의 측정 오차를 최소화할 수 있는 수광 센서 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 다른 과제는, 수광 센서의 측면을 통해 침투되는 광에 의해 야기될 수 있는 오차를 최소화할 수 있는 수광 센서 패키지를 제공하는 것이다.
상기과제를 해결하기 위한본 발명의 수광 센서 패키지는, 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 위치하는 수광 센서, 상기 수광 센서의 상면 중 적어도 일부를 제외한 나머지 부분을 덮는 차광몰딩부 및 상기 차광몰딩부에 의해 덮이지 않은 상기 수광 센서의 상면 중 상기 일부를 덮는 투광몰딩부를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서,상기몰딩부는 상기 수광 센서의 측면을 덮을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 수광 센서의 상면 중 중심 부분은 상기 차광몰딩부에 의해 덮이지 않고, 테두리 부분만 상기 차광몰딩부에 의해 덮이고, 상기 수광 센서의 중심 부분은 상기 투광몰딩부에 의해 덮일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 차광몰딩부는 250nm 내지 400nm의 파장 대역의 광에 대해서 80% 이상의 차광성을 가지는 재질로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 차광몰딩부는 흑색 계열의 수지재로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 차광몰딩부는에폭시몰딩컴파운드(Epoxy Molding Compound, EMC)를 포함하는 재질로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 차광몰딩부는 상기 수광 센서의 상면 상에 위치하는 개구를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 개구는상측개구면이 하측 개구면보다 넓게 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 투광몰딩부는 상기 개구 내부에 위치할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 투광몰딩부는 상기 개구의내주면과 밀착되어 결합될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 수광 센서는 실리콘(Si) 기판에 형성된 실리콘 반도체를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 수광 센서는 광 신호를 전기 신호로 변환하는 광전 변환 소자를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 광전 변환 소자는 상기 수광 센서의 상면 측에 형성되고, 상기 광전 변환 소자가 형성된 상면은 상기 차광몰딩부에 의해 덮이지 않는 부분에 포함될 수 있다,
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 수광 소자는 250nm 내지 400nm의 파장 대역의 광을 수광할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 투광몰딩부는수지재(resin)로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 투광몰딩부는 실리콘 수지재 또는 에폭시수지재를 포함하는 재질로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 투광몰딩부는 250nm 내지 400nm의 파장 대역의 광에 대해서 90% 이상의 투광성을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 투광몰딩부는 상기 수광 센서의 상면과 밀착되어 결합될 수 있다.
상기과제를 해결하기 위한본 발명의 수광 센서 패키지의 제조 방법은, 베이스 기판을 마련하는 단계, 상기 베이스 기판의 상면에 수광 센서를 배치하는 단계, 상기 수광 센서의 상면 중 적어도 일부를 제외한 나머지 부분이 금형의 내부 공간에 위치하도록 금형을 배치하는 단계, 상기 금형의 내부 공간에 수지재를 주입하여 차광몰딩부를 형성하는 단계 및 상기 차광몰딩부에 의해 덮이지 않은 상기 수광 센서의 상면 중 상기 일부를 덮도록 투광몰딩부를 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 차광몰딩부를 형성하는 단계에서, 상기 수광 센서의 상면 중 적어도 일부를 외부로 노출시키는 개구가 형성되고, 상기 투광몰딩부를 형성하는 단계는, 상기 개구 내부에 투광몰딩부를 주입하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 수광 센서 패키지는 외부 환경 변화에 따라 발생할 수 있는 센서의 측정 오차를 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 수광 센서 패키지는 수광 센서의 측면을 통해 침투되는 광에 의해 야기될 수 있는 오차를 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 수광 센서 패키지의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 수광 센서 패키지의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 수광 센서 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 수광 센서 패키지의 제조 방법의 베이스 기판을 마련하는 단계 및 수광 센서를 배치하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 수광 센서 패키지의 제조 방법의 금형을 배치하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 수광 센서 패키지의 제조 방법의 차광몰딩부를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 수광 센서 패키지의 제조 방법의 투광몰딩부를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명하는데 있어서, 해당 분야에 이미 공지된 기술 또는 구성에 대한 구체적인 설명을 부가하는 것이 본 발명의 요지를 불분명하게 할 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명에서 이를 일부 생략하도록 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어들은 본 발명의 실시예들을 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 해당 분야의 관련된 사람 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
이하, 첨부한 도 1 내지 도 2를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 수광 센서패키지에 대해 설명한다.
도 1 내지 도 2를 참조하면, 본 발명의 수광 센서 패키지는 베이스 기판(100), 수광 센서(200), 차광몰딩부(300) 및 투광부(400)를 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 수광 센서 패키지의 단면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 수광 센서 패키지의 사시도이다.
먼저, 베이스 기판(100)에 대해 설명하도록 한다. 베이스 기판(100)은 수광 센서 패키지의 하면을 이루고, 수광 센서 패키지의 형태를 결정할 수 있다. 베이스 기판(100)은 예를 들어, 직사각형의 판(plate)형으로 형성될 수 있다. 베이스 기판(100)은 회로 기판으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 베이스 기판(100)은 인쇄 회로 기판(PCB; Printed Circuit Board)으로 형성될 수 있다. 베이스 기판(100)의 상면 및 하면에는 도전성 단자가 형성될 수 있다.
베이스 기판(100)의 상면에는 수광 센서(200)가 위치한다. 베이스 기판(100)의 상면에 형성된 단자와 수광 센서(200)의 단자는 전기적으로 연결될 수 있다. 베이스 기판(100)과 수광 센서(200)는 예를 들어, 와이어 본딩 또는 플립-칩 본딩 등의 방식으로 연결될 수 있다. 베이스 기판(100)의 하면에 형성된 단자는 수광 센서 패키지의 입출력 단자로 사용될 수 있다.
수광 센서(200)는 베이스 기판(100)의 상면 상에 위치한다. 수광 센서(200)는 직사각형의 판형으로 형성되되, 베이스 기판(100)보다는 작은 면적으로 형성될 수 있다.
수광 센서(200)는 다양한 방식으로 베이스 기판(100)에 결합될 수 있다. 예를 들어, 수광 센서(200)는 베이스 기판(100)에 와이어 본딩(wire bonding) 방식 또는 플립칩본딩(flipchip bonding) 방식 등으로 결합될 수 있다. 첨부한 도면에는 와이어(250)가 수광 센서(200)와 베이스 기판(100)을 연결하는 본딩방식으로 결합된 것이 도시되어 있지만 이에 한정되는 것은 아니다.
수광 센서(200)는 광 신호를 수광하여 전기 신호로 변환하는 광전 변환 소자(210)를 포함할 수 있다. 광전 변환 소자(210)는 예를 들어, 포토다이오드(Photodiode)일 수 있다. 광전 변환 소자(210)는 수광 센서(200)의 상면(201) 측에 형성될 수 있다. 구체적으로, 광전 변환 소자(210)는 수광 센서(200)의 상면(201) 중심 부분에 위치할 수 있다. 광전 변환 소자(210)는 수광 센서(200)의 상면(201) 측에서 복수 개가 격자형으로 배열되어 배치될 수 있다.
광전 변환 소자(210)는 수광 센서(200)의 상면(201)을 통해 외부로 노출되도록 형성된다. 따라서 광전 변환 소자(210)는 수광 센서(200)의 상방에서 조사되는 광을 수광하여 광량을 측정할 수 있다. 구체적으로, 수광 센서(200)는 광전 변환 소자(210)에 의해 자외선(UV) 대역, 즉, 250nm 내지 400nm의 광을 측정할 수 있다. 더욱 구체적으로, 수광 센서(200)는 자외선 중 장파 자외선(UV-A파, 320nm 내지 400nm의 파장 대역), 중파 자외선(UV-B파, 280nm 내지 320nm의 파장 대역) 또는 단파 자외선(UV-C파, 280nm 이하의 파장 대역) 중 하나 또는 둘 이상의 영역을 선택적으로 수광하여 광량을 측정할 수 있다.
차광몰딩부(300)는 수광 센서(200)의 적어도 일부를 제외한 나머지 부분을 덮도록 형성된다. 구체적으로, 차광몰딩부(300)는 수광 센서(200)의 상면(201) 중 적어도 일부를 제외한 측면(202)을 둘러싸며 덮도록 형성될 수 있다. 차광몰딩부(300)는 수광 센서(200)의 상면(201) 중 중심 부분은 덮지 않고, 테두리 부분만 덮도록 형성될 수 있다. 결과적으로 수광 센서(200)의 상면(201)의 중심 부분에 위치하는 광전 변환 소자(210)는 차광몰딩부(300)에 의해 덮이지 않고 외부로 노출될 수 있다.
차광몰딩부(300)는 수광 센서(200)의 상면(201) 상에 형성된 개구(310)를 포함할 수 있다. 개구(310)에 의해 수광 센서(200)의 상면(201)이 외부로 노출된다. 개구(310)는 상측개구(310)면이 하측 개구(310)면보다 넓게 형성될 수 있다. 따라서 개구(310)의 내주면은 경사지게 형성될 수 있다.
차광몰딩부(300)는 수광 센서(200)가 측정하는 광의 파장 대역에 있어서 차광성을 가지는 재질로 형성될 수 있다. 구체적으로, 차광몰딩부(300)는 250nm 내지 400nm의 파장 대역의 광에 대해서 차광성을 가지는 재질로 형성된다. 더욱 구체적으로, 차광몰딩부(300)는 0.1mm의 두께로 형성된 층이 250nm 내지 400nm의 파장 대역의 광에 대해서 80% 이상의 차광성을 가지는 재질로 형성될 수 있다. 이러한 재질은, 예를 들어, 흑색 계열의 에폭시몰딩컴파운드(Epoxy Molding Compound, EMC) 등의 수지재일 수 있다. 차광몰딩부(300)는 수광 센서(200)의 측면(202) 및 상면(201) 일부를 적어도 0.1mm의 두께로 덮도록 형성된다. 따라서 차광몰딩부(300)가 덮고 있는 수광 센서(200)의 측면(202) 및 상면(201)의 일부는 외부의 광에 직접 노출되는 것이 최소화될 수 있다.
결과적으로, 차광몰딩부(300)에 의해 수광 센서(200)는 광전 변환 소자(210)가 노출되어 있는 상면(201)의 중심부만이 한정적으로 노출되도록 형성될 수 있다.
차광몰딩부(300)의 상면은 평평한 형태로 형성될 수 있다. 차광몰딩부(300)의 상면은 개구(310)의 상측개구(310)면 주변을 둘러싸도록 형성된다. 차광몰딩부(300)의 상면에는 투광부(400)가 위치할 수 있다. 차광몰딩부(300)의 상면과 투광부(400)의 하면은 적어도 일부에서 맞닿아 결합될 수 있다.
차광몰딩부(300)는 베이스 기판(100) 상에서 수광 센서(200)는 덮도록 형성될 수 있다. 구체적으로, 차광몰딩부(300)는 처음에 액상 또는 파우더 상태의 수지재로 베이스 기판(100) 상의 금형(350) 내에 주입될 수 있다. 금형(350) 내부에는 베이스 기판(100)의 상면 상에 위치하는 수광 센서(200)가 위치할 수 있다. 금형(350) 내에서 수지재는 수광 센서(200)의 일부를 덮은 상태로 고체로 형성될 수 있다.
투광몰딩부(400)는 차광몰딩부(300)의 개구(310) 내부에 위치하여, 수광 센서(200)의 상면(201) 중 일부를 덮도록 형성된다. 투광몰딩부(400)에 의해 덮이는 수광 센서(200)의 상면(201) 중 일부는 차광몰딩부(300)의 개구(310) 내부에 위치하여 차광몰딩부(300)에 의해 덮이지 않는 부분에 해당한다.
투광몰딩부(400)는 수광 센서(200)의 상면(201) 중 상기 일부에 밀착되어 결합된다. 그리고 투광몰딩부(400)는 차광몰딩부(300)의 개구(310)의 내주면과도 밀착되어 결합된다. 따라서 수광 센서(200)의 상면(201) 중 상기 일부는 투광몰딩부(400)에 의해 덮여 외부로부터 밀폐될 수 있다. 또한, 투광몰딩부(400)와 수광 센서(200)의 상면(201) 중 상기 일부 사이에는 공간이 없어 습기가 유입되어 서리가 생기거나 물방울이 맺히는 것을 방지할 수 있다.
투광몰딩부(400)는 투광성의 수지재(resin)로 형성된다. 투광몰딩부(400)는 예를 들어, 실리콘 수지재 또는 에폭시수지재를 포함하는 재질로 형성될 수 있다. 그리고 투광몰딩부(400)는 250nm 내지 400nm의 파장 대역의 광에 대해서 90% 이상의 투광성을 가지는 재질로 형성될 수 있다. 따라서 외부에서 투광몰딩부(400)로 입사되는 250nm 내지 400nm의 파장 대역의 광은 90% 이상이 투광몰딩부(400)를 통과하여 수광 센서(200)로 입사되게 된다.
투광몰딩부(400)는 입사된 광이 수광 센서(200)의 상면(201)의 광전 변환 소자(210)로 집중되도록 입사된 광을 굴절시킬 수 있다. 구체적으로, 투광몰딩부(400)는 이를 위해 상면이 볼록한 형태를 가질 수 있다.
이하, 첨부한 도 3 내지 도 7을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 수광 센서 패키지의 제조 방법에 대해 설명한다. 상기 수광 센서 패키지의 제조 방법은 도 1 내지 도 2를 참조하여 상술한 수광 센서 패키지의 제조 방법에 해당한다. 따라서 설명의 편의성을 위하여 상술한 내용과 중복되는 내용 중 일부는 생략하도록 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 수광 센서 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 수광 센서 패키지의 제조 방법의 베이스 기판을 마련하는 단계 및 수광 센서를 배치하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 수광 센서 패키지의 제조 방법의 금형을 배치하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 수광 센서 패키지의 제조 방법의 차광몰딩부를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 수광 센서 패키지의 제조 방법의 투광몰딩부를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 수광 센서 패키지의 제조 방법은, 베이스 기판을 마련하는 단계(S100), 수광 센서를 배치하는 단계(S200), 금형을 배치하는 단계(S300), 차광몰딩부를 형성하는 단계(S400) 및 투광몰딩부를 형성하는 단계(S500)를 포함한다.
도 4를 참조하면, 베이스 기판을 마련하는 단계(S100)에서는 수광 센서(200)가 결합된 베이스 기판(100)이 마련된다. 수광 센서를 배치하는 단계(S200)에서는 수광 센서(200)가 베이스 기판(100)의 상면에 배치된다. 수광 센서(200)는 다양한 방식으로 베이스 기판(100)에 결합될 수 있다. 예를 들어, 수광 센서(200)는 베이스 기판(100)에 와이어 본딩(wire bonding) 방식 또는 플립칩본딩(flipchip bonding) 방식 등으로 결합될 수 있다. 도 4에는 와이어(250)가 수광 센서(200)와 베이스 기판(100)을 연결하는 본딩 방식으로 결합된 것이 도시되어 있지만 이에 한정되는 것은 아니다.
도 5를 참조하면, 금형(350)을 배치하는 단계(S300)는 수광 센서(200)의 상면(201) 중 적어도 일부를 제외한 나머지 부분이 금형(350)의 내부 공간(351)에 위치하도록 금형(350)을 배치하는 단계이다. 금형(350)은 내부 공간(351)을 가지고 있다. 상기 내부 공간(351)에 수지재가 주입되어 차광수지재가 사출성형될 수 있다. 금형(350)의 내부 공간(351)에 위치하게 되는 수광 센서(200)의 상면(201) 중 적어도 일부를 제외한 부분은 이후의 차광몰딩부(300)를 형성하는 단계(S400)에서 차광몰딩부(300)에 의해 덮이게 된다. 금형(350)의 내부 공간(351)에 위치하지 않게 되는 수광 센서(200)의 상면(201) 중 적어도 일부는 차광몰딩부(300)에 의해 덮이지는 않고, 이후의 투광몰딩부(400)를 형성하는 단계(S500)에서 투광몰딩부(400)에 의해 덮이게 된다.
금형(350)은 내부 공간(351)과 외부를 연통하는 수지재주입구를 포함한다. 차광몰딩부(300)를 형성하는 단계(S400)에서 주입구에디스펜서(360)를 통해 수지재가 주입될 수 있다.
도 6을 참조하면, 차광몰딩부(300)를 형성하는 단계(S400)는 금형(350)의 내부 공간(351)에 수지재를 주입하여 차광몰딩부(300)를 형성하는 단계이다. 금형(350)의 내부 공간(351)에 주입되는 수지재는 차광성을 가지는 재질일 수 있다. 수지재는 액상 상태 또는 분말 상태로 금형(350)의 내부 공간(351)으로 주입되게 된다.
차광몰딩부(300)는 수광 센서(200)의 상면(201) 중 상기 일부를 제외한 부분 및 수광 센서(200)의 측면(202)을 덮는다. 차광몰딩부(300)는 개구(310)를 형성하여, 개구(310)를 통해 수광 센서(200)의 상면(201) 중 상기 일부를 외부로 노출시킨다.
도 7을 참조하면, 투광몰딩부(400)를 형성하는 단계(S500)는 차광몰딩부(300)에 의해 덮이지 않은 수광 센서(200)의 상면(201) 중 일부를 덮도록 투광몰딩부(400)를 형성하는 단계이다. 투광몰딩부(400)는 차광몰딩부(300)의 개구(310) 내부에 위치한다.
투광몰딩부(400)는 투광성의 수지재로 형성될 수 있다. 투광성의 수지재는 액상 또는 분말 상태로 디스펜서(460)를 통해 차광몰딩부(300)의 개구(310) 내부에 주입된다. 투광몰딩부(400)는 상면이 볼록한 형태를 가질 수 있다.
이상, 본 발명의 수광 센서 패키지 및 그 제조 방법의 실시예들에 대해 설명하였다. 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부한 도면에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자의 관점에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 범위는 본 명세서의 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 베이스 기판 200: 수광 센서
300: 차광몰딩부 310: 개구
350: 금형 351: 내부 공간
400: 투광몰딩부

Claims (20)

  1. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 위치하는 수광 센서;
    상기 수광 센서의 상면 중 적어도 일부를 제외한 나머지 부분을 덮는 차광몰딩부; 및
    상기 차광몰딩부에 의해 덮이지 않은 상기 수광 센서의 상면 중 상기 일부를 덮는 투광몰딩부를 포함하는 수광 센서 패키지.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 몰딩부는 상기 수광 센서의 측면을 덮는 수광 센서 패키지.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 수광 센서의 상면 중 중심 부분은 상기 차광몰딩부에 의해 덮이지 않고, 테두리 부분만 상기 차광몰딩부에 의해 덮이고,
    상기 수광 센서의 중심 부분은 상기 투광몰딩부에 의해 덮이는 수광 센서 패키지.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 차광몰딩부는 250nm 내지 400nm의 파장 대역의 광에 대해서 80% 이상의 차광성을 가지는 재질로 형성되는 수광 센서 패키지.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 차광몰딩부는 흑색 계열의 수지재로 형성되는 수광 센서 패키지.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 차광몰딩부는에폭시몰딩컴파운드(Epoxy Molding Compound, EMC)를 포함하는 재질로 형성되는 수광 센서 패키지.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 차광몰딩부는 상기 수광 센서의 상면 상에 위치하는 개구를 포함하는 수광 센서 패키지.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 개구는상측개구면이 하측 개구면보다 넓게 형성되는 수광 센서 패키지.
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 투광몰딩부는 상기 개구 내부에 위치하는 수광 센서 패키지.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 투광몰딩부는 상기 개구의내주면과 밀착되어 결합되는 수광 센서 패키지.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 수광 센서는 실리콘(Si) 기판에 형성된 실리콘 반도체를 포함하는 수광 센서 패키지.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 수광 센서는 광 신호를 전기 신호로 변환하는 광전 변환 소자를 포함하는 수광 센서 패키지.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 광전 변환 소자는 상기 수광 센서의 상면 측에 형성되고,
    상기 광전 변환 소자가 형성된 상면은 상기 차광몰딩부에 의해 덮이지 않는 부분에 포함되는 수광 센서 패키지.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 수광 소자는 250nm 내지 400nm의 파장 대역의 광을 수광할 수 있는 수광 센서 패키지.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 투광몰딩부는수지재(resin)로 형성되는 수광 센서 패키지.
  16. 제1 항에 있어서,
    상기 투광몰딩부는 실리콘 수지재 또는 에폭시수지재를 포함하는 재질로 형성되는 수광 센서 패키지.
  17. 제1 항에 있어서,
    상기 투광몰딩부는 250nm 내지 400nm의 파장 대역의 광에 대해서 90% 이상의 투광성을 가지는 수광 센서 패키지.
  18. 제1 항에 있어서,
    상기 투광몰딩부는 상기 수광 센서의 상면과 밀착되어 결합되는 수광 센서 패키지.
  19. 베이스 기판을 마련하는 단계;
    상기 베이스 기판의 상면에 수광 센서를 배치하는 단계;
    상기 수광 센서의 상면 중 적어도 일부를 제외한 나머지 부분이 금형의 내부 공간에 위치하도록 금형을 배치하는 단계;
    상기 금형의 내부 공간에 수지재를 주입하여 차광몰딩부를 형성하는 단계; 및
    상기 차광몰딩부에 의해 덮이지 않은 상기 수광 센서의 상면 중 상기 일부를 덮도록 투광몰딩부를 형성하는 단계를 포함하는 수광 센서 패키지의 제조 방법.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 차광몰딩부를 형성하는 단계에서, 상기 수광 센서의 상면 중 적어도 일부를 외부로 노출시키는 개구가 형성되고,
    상기 투광몰딩부를 형성하는 단계는, 상기 개구 내부에 투광몰딩부를 주입하는 단계를 포함하는 수광 센서 패키지의 제조 방법.


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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102036351B1 (ko) * 2019-05-15 2019-10-24 (주)에스제이시스템 혈중 산소포화도 측정센서 및 이의 제조방법
KR102162435B1 (ko) * 2020-04-03 2020-10-06 김병철 반사형 포토센서 및 그 제조방법
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