KR102625095B1 - 검사 기능의 제어가 가능한 픽셀 및 디스플레이 장치 - Google Patents

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Abstract

본 개시에 따른 픽셀 구동 회로는, 제1 신호 및 제2 신호에 기초하여 데이터가 저장되는 메모리부, 발광 소자와 연결되고 메모리부에 저장된 데이터에 기초하여 발광 소자에 전력을 공급하는 구동부 및 픽셀 구동 회로의 결함을 검사하는 검사 모드 진입을 제어하는 검사 제어부를 포함하되, 검사 제어부는 제1 신호 및 상기 제2 신호에 기초하여 검사 모드 활성화 신호를 생성한다.

Description

검사 기능의 제어가 가능한 픽셀 및 디스플레이 장치{PIXEL AND DISPLAY APPARATUS CAPABLE OF CONTROLLING TEST FUNCTION}
본 개시는 디스플레이 장치에 포함되는 픽셀에 관한 것으로서, 구체적으로 검사 기능의 제어가 가능한 픽셀 및 디스플레이 장치에 관한 것이다.
일반적인 디스플레이 장치는 복수의 픽셀을 포함하며, M * N개의 픽셀이 배치되어 구성된다. 각각의 픽셀은 하나 이상의 발광소자를 포함할 수 있으며, 일반적으로 3개의 발광소자(R, G, B)로 구성된다. 각각의 발광소자를 서브 픽셀이라고 부른다.
서브 픽셀의 구동을 제어하는 다양한 방법 중 단일 프레임동안 서브 프레임의 발광을 제어할 비디오 데이터를 내장 메모리에 저장하고, PWM(Pulse Width Modulation) 신호를 통해 계조를 제어하는 PWM 제어 방식이 존재한다. PWM 제어를 위해서 각각의 픽셀을 구동하기 위한 픽셀 구동 회로는 트랜지스터로 구현될 수 있지만, 트랜지스터의 동작 영역에 따라 디지털 회로(digital circuit)와 아날로그 회로(analog circuit)로 나누어질 수 있다.
한편, 디스플레이 업계의 다양한 첨단 기술을 위해 우수한 표시장치 특성이 요구되고 있고, 특히 고해상도 구현을 위해 픽셀 사이즈 최소화에 대한 요구가 증가하고 있다. 픽셀 사이즈를 최소화한다는 것은 픽셀 구동 회로 또한 작아져야 한다는 것을 의미하며, 이에 상응하는 미세 공정이 수행된다. 이에 따라, 미세 공정을 통해 제조된 픽셀 구동 회로 또는 발광소자에 결함 유무를 검사하는 기능이 필요할 수 있다.
전술한 배경기술은 발명자가 본 발명의 도출을 위해 보유하고 있었거나, 본 발명의 도출 과정에서 습득한 기술 정보로서, 반드시 본 발명의 출원 전에 일반 공중에게 공개된 공지기술이라 할 수는 없다.
본 개시의 목적은 검사 기능의 제어가 가능한 픽셀 및 디스플레이 장치를 제공하는 데 있다. 본 개시가 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 한정되지 않으며, 언급되지 않은 본 개시의 다른 과제 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있고, 본 개시의 실시예에 의해 보다 분명하게 이해될 것이다. 또한, 본 개시가 해결하고자 하는 과제 및 장점들은 특허 청구범위에 나타난 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 알 수 있을 것이다.
본 개시의 제1 측면에 따른 픽셀 구동 회로는 제1 신호 및 제2 신호에 기초하여 데이터가 저장되는 메모리부; 발광 소자와 연결되고, 상기 메모리부에 저장된 데이터에 기초하여 상기 발광 소자에 전력을 공급하는 구동부; 및 픽셀 구동 회로의 결함을 검사하는 검사 모드 진입을 제어하는 검사 제어부;를 포함하되, 상기 검사 제어부는 상기 제1 신호 및 상기 제2 신호에 기초하여 검사 모드 활성화 신호를 생성한다.
본 개시의 제2 측면에 따른 디스플레이 장치는, 행과 열을 형성하는 복수의 픽셀 구동 회로의 배열을 포함하는 디스플레이 패널; 상기 디스플레이 패널에 포함된 복수의 픽셀 구동 회로 중 행 방향으로 배열된 픽셀 구동 회로들에 순차적으로 제1 신호를 출력하는 스캔 구동 회로; 및 상기 디스플레이 패널에 포함된 복수의 픽셀 구동 회로 중 종 방향으로 배열된 픽셀 구동 회로들에 상기 복수의 픽셀 구동 회로의 각각에 대응하는 발광소자들의 구동과 관련된 제2 신호를 출력하는 데이터 구동 회로;를 포함하되, 상기 복수의 픽셀 구동 회로의 각각은 제1 측면에 따른 픽셀 구동 회로이다.
본 개시의 실시예에 따르면, 새로운 신호를 사용하지 않고, 기존에 사용되는 신호를 사용하여 픽셀 구동 회로가 픽셀의 결함 유무를 검사할 수 있는 검사 모드로 진입하게 할 수 있다.
또한, 픽셀 구동 회로가 의도하지 않은 검사 모드로 진입하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 구동 모드와 검사 모드가 명확하게 구분될 수 있고, 검사 모드에서 구동 모드에 따른 동작에 영향을 주지 않도록 픽셀 구동 회로가 구성될 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 복수의 픽셀 구동 회로를 포함하는 디스플레이 장치이다.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른 픽셀 구동 회로의 구성을 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른 전력 생성부의 회로도이다.
도 4는 본 명세서에 따른 전력 생성부가 로우 신호와 컬럼 신호를 이용하여 기준 전압을 출력하는 것에 관한 타이밍도이다.
도 5는 입력되는 데이터를 저장하는 레지스터 또는 픽셀 내장 메모리에 포함될 수 있는 플립플롭의 구성을 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 6는 본 개시의 일 실시예에 따른 검사 제어부의 구성을 도시한다.
도 7은 본 개시의 일 실시예에 따른 검사 제어부의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 8은 본 개시의 다른 실시예에 따른 검사 제어부의 구성을 도시한다.
도 9는 본 개시의 다른 실시예에 따른 검사 제어부의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 10은 본 개시의 또 다른 실시예에 따른 검사 제어부의 구성을 도시한다.
도 11은 본 개시의 또 다른 실시예에 따른 검사 제어부의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 12는 본 개시의 일 실시예에 따른 검사 모드 제어 방식을 설명하기 위한 블록도이다.
도 13은 본 개시의 다른 실시예에 따른 검사 모드 제어 방식을 설명하기 위한 블록도이다.
본 개시의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 설명되는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 개시는 아래에서 제시되는 실시예들로 한정되는 것이 아니라, 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있고, 본 개시의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 아래에 제시되는 실시예들은 본 개시가 완전하도록 하며, 본 개시가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 본 개시를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
실시예들에서 사용되는 용어는 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어들을 선택하였으나, 이는 당 분야에 종사하는 기술자의 의도 또는 판례, 새로운 기술의 출현 등에 따라 달라질 수 있다. 또한, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며, 이 경우 해당되는 설명 부분에서 상세히 그 의미를 기재할 것이다. 따라서 명세서에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌, 그 용어가 가지는 의미와 명세서의 전반에 걸친 내용을 토대로 정의되어야 한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 개시를 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 명세서에서 사용되는 "제 1" 또는 "제 2" 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용할 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다.
이하의 실시예에서, 소자 상태와 연관되어 사용되는 "온(ON)"은 소자의 활성화된 상태를 지칭하고, "오프(OFF)"는 소자의 비활성화된 상태를 지칭할 수 있다. 소자에 의해 수신된 신호와 연관되어 사용되는 "온"은 소자를 활성화하는 신호를 지칭하고, "오프"는 소자를 비활성화하는 신호를 지칭할 수 있다. 소자는 높은 전압 또는 낮은 전압에 의해 활성화될 수 있다. 예를 들어, P타입 트랜지스터는 낮은 전압에 의해 활성화될 수 있다. N타입 트랜지스터는 높은 전압에 의해 활성화된다. 따라서, P타입 트랜지스터와 N타입 트랜지스터에 대한 "온" 전압은 반대(낮음 대 높음) 전압 레벨임을 이해하여야 한다.
하나의 소자(elements)가 다른 소자와 "연결된(connected to)"이라고 지칭되는 것은 다른 소자와 직접 연결 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 복수의 픽셀 구동 회로를 포함하는 디스플레이 장치이다.
도 1을 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 디스플레이 패널(110), 스캔 구동 회로(120), 데이터 구동 회로(130) 및 제어부(140)를 포함할 수 있다.
본 개시에서, 디스플레이 패널(110)은 복수의 픽셀(pixel, PX)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 복수의 픽셀(PX)은 M * N(M 및 N은 자연수임)개의 픽셀이 매트릭스의 형태로 배열되어 구성될 수 있으나, 복수의 픽셀(PX)이 배열되는 방식은 지그재그 형 등 다른 실시예에 따라 다양한 패턴으로 배열될 수 있다.
본 개시에서, 디스플레이 패널(110)은 LCD(liquid crystal display), LED(light emitting diode) 디스플레이, OLED(organic LED) 디스플레이, AMOLED(active-matrix OLED) 디스플레이, ECD(Electrochromic Display), DMD(Digital Mirror Device), AMD(Actuated Mirror Device), GLV(Grating Light Valve), PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electro Luminescent Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 중 하나로 구현될 수 있고, 그 밖에 다른 종류의 평판 디스플레이 또는 플렉서블(flexible) 디스플레이로 구현될 수 있다. 본 개시에서 디스플레이 패널(110)은 일 예시로서 LED 디스플레이로 구현되는 것으로 설명하겠다.
본 개시에서, 복수의 픽셀(PX)의 각각은 하나 이상의 발광소자를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 발광소자는 발광다이오드(LED)일 수 있다. 발광다이오드는 80um이하의 크기를 가진 마이크로 LED(Micro LED)일 수 있다. 일 실시예에서, 하나의 픽셀(PX)은 서로 다른 색을 가진 복수의 발광소자를 통해 다양한 색을 출력할 수 있다. 일 예시로, 하나의 픽셀(PX)은 적색, 녹색, 청색으로 구성된 발광소자를 포함할 수 있다. 다른 예시로, 하나의 픽셀(PX)은 백색 발광소자를 더 포함할 수 있으며, 백색 발광소자가 적색, 녹색, 청색 발광소자 중 어느 하나를 대체할 수도 있다. 다른 예시로, 하나의 픽셀(PX)은 하나의 백색 발광소자로 구성될 수도 있다. 하나의 픽셀(PX)에 복수의 발광소자가 포함되는 실시예에서, 하나의 픽셀(PX)에 포함된 각각의 발광소자를 '서브 픽셀(sub pixel)'이라고 지칭할 수 있다.
본 개시에서, 각각의 픽셀(PX)은 픽셀에 포함된 발광소자 즉, 서브 픽셀을 구동시키는 픽셀 구동 회로를 포함할 수 있다. 본 개시에서, 픽셀 구동 회로는 스캔 구동 회로(120) 및/또는 데이터 구동 회로(130)에서 출력된 신호에 의해 서브 픽셀의 턴 온(turn on) 또는 턴 오프(turn off) 동작을 구동시킬 수 있다. 일 실시예에서, 픽셀 구동 회로는 적어도 하나의 박막 트랜지스터, 적어도 하나의 캐패시터 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 픽셀 구동 회로는 반도체 웨이퍼 상에 적층 구조에 의해 구현될 수 있다.
본 개시에서, 디스플레이 패널(110)은 행(row) 방향으로 배열된 하나 이상의 스캔 라인(SL1~SLm) 및 열(column) 방향으로 배열된 하나 이상의 데이터 라인(DL1~DLn)을 포함할 수 있다. 본 개시에서, 픽셀(PX)은 하나 이상의 스캔 라인(SL1~SLm) 및 하나 이상의 데이터 라인(DL1~DLn)의 교차 지점에 위치할 수 있다. 각각의 픽셀(PX)은 어느 하나의 스캔 라인(SLk) 및 어느 하나의 데이터 라인(DLk)과 연결될 수 있다. 하나 이상의 스캔 라인(SL1~SLm)은 스캔 구동 회로(120)에 연결되고, 하나 이상의 데이터 라인(DL1~DLn)은 데이터 구동 회로(130)에 연결될 수 있다.
본 개시에서, 스캔 구동 회로(120)는 하나 이상의 스캔 라인(SL1~SLm) 중 어느 하나에 연결된 하나 이상의 픽셀이 구동되도록 하는 신호(이하, 로우 신호)를 출력할 수 있다. 바람직하게, 스캔 구동 회로(120)는 하나 이상의 스캔 라인(SL1~SLm)을 순차적으로 선택할 수 있다. 예를 들어, 제1 스캔 구동 기간 동안 제1 스캔 라인(SL1)에 연결된 픽셀이 구동되고, 제2 스캔 구동 기간 동안 제2 스캔 라인(SL2)에 연결된 픽셀이 구동될 수 있다. 즉, 로우 신호는 발광소자의 구동을 제어하기 위한 클럭 신호에 대응될 수 있다.
본 개시에서, 데이터 구동 회로(130)는 하나 이상의 데이터 라인(DL1~DLn)을 통해서 각각의 픽셀로 계조(gradation)와 관련된 신호(이하, 컬럼 신호)를 출력할 수 있다. 즉, 컬럼 신호는 영상 데이터의 비트 값에 대응될 수 있다. 하나의 데이터 라인은 종 방향으로 하나 이상의 픽셀과 연결되어 있지만, 스캔 구동 회로(120)에 의해 선택된 스캔 라인과 연결된 픽셀들에게만 계조와 관련된 신호가 입력될 수 있다.
본 개시에서, 제어부(140)는 스캔 구동 회로(120) 및 데이터 구동 회로(130)의 동작을 실행하도록 제어 신호를 출력할 수 있다. 제어부(140)는 하나의 영상 프레임에 해당하는 영상 데이터에 대응하는 제어 신호를 스캔 구동 회로(120) 또는 데이터 구동 회로(130)로 출력할 수 있다.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른 픽셀 구동 회로의 구성을 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 2를 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 픽셀 구동 회로(200)는 메모리부(210) 및 구동부(220)를 포함할 수 있다. 또한, 픽셀 구동 회로(200)는 전력을 공급받기 위한 단자(VCC, GND), 발광소자에 발광 제어 신호를 출력하기 위한 단자(R, G, B), 스캔 구동 회로에서 출력된 로우 신호를 입력받기 위한 단자(ROW) 및 데이터 구동 회로에서 출력된 컬럼 신호를 입력받기 위한 단자(COL)를 포함할 수 있다. 전술한 단자들을 통해 전력 및 신호가 입출력될 수 있도록 전기적 연결이 구성될 수 있다.
본 개시에서, 메모리부(210)는 발광소자의 구동과 관련된 데이터를 저장할 수 있다. 일 실시예에서, 메모리부(210)는 픽셀 내장 메모리(211) 및 레지스터(212)를 포함할 수 있다. 픽셀 내장 메모리(211)는 발광소자(예컨대, LED)의 구동과 관련된 데이터, 즉 비디오 데이터를 저장할 수 있다. 비디오 데이터는 한 프레임 또는 하나의 PWM 사이클동안 발광소자가 빛을 발산하는 계조에 대한 데이터이다. 일 실시예에서, 픽셀 내장 메모리(211)는 구동부(220)에 포함될 수 있는 캐패시터부(미도시)의 충전과 관련된 데이터를 저장할 수 있다.
본 개시에서, 구동부(220)는 메모리부(210)에 저장된 데이터에 기초하여 발광소자에 전력을 공급할 수 있다. 구체적으로, 구동부(220)는 픽셀 내장 메모리(211)에 저장된 데이터에 기초하여 발광소자에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시예에서, 구동부(220)는 PWM 구동 방식에 따라 발광소자의 전력 공급을 제어하도록 구성될 수 있으며, PWM 구동 방식은 통상의 기술자에게 알려진 기술이므로, 상세한 설명은 생략한다.
일 실시예에서, 바이어스부는 구동부(220)에 바이어스 전력을 공급할 수 있다. 바이어스 전력 공급을 위해, 바이어스부는 전력을 공급받기 위한 단자(VCC)와 연결될 수 있다.
본 개시의 픽셀 구동 회로(200)는 전력 생성부(240)를 더 포함할 수 있다. 전력 생성부(240)는 스캔 구동 회로에서 출력된 로우 신호와 데이터 구동 회로에서 출력된 컬럼 신호를 이용하여 메모리부(210)에 기준 전압(VDD)을 출력할 수 있다. 전력 생성부(240)의 구성 및 동작에 대해서는 후술한다.
본 개시의 픽셀 구동 회로(200)는 메모리부(210)에 저장된 데이터의 초기화를 제어하는 리셋부(250)를 포함할 수 있다. 구체적으로, 리셋부(250)는 리셋 신호(RSTB)를 생성하여 메모리부(210)에 출력할 수 있다. 리셋부(250)의 구성 및 동작에 대해서는 후술한다.
전술한 본 개시의 픽셀 구동 회로(200)의 동작은 구동 모드에서의 동작에 관한 것이고, 검사 모드에서 픽셀 구동 회로(200) 및 픽셀 구동 회로(200)에 포함된 구성들은 상이하게 작동할 수 있다.
구체적으로, 본 개시의 픽셀 구동 회로(200)는 검사 제어부(260)를 더 포함할 수 있다. 검사 제어부(260)는 검사 모드 활성화 신호를 생성할 수 있다. 검사 모드 활성화 신호는 픽셀 구동 회로(200)가 구동 모드가 아닌 검사 모드에서 작동하도록 하는 신호를 지칭할 수 있다. 즉, 생성된 검사 모드 활성화 신호에 기초하여, 픽셀 구동 회로(200)는 검사 모드로 진입할 수 있고, 픽셀 구동 회로(200)에 포함된 구성들은 발광소자 또는 픽셀 구동 회로(200)의 정상 동작 여부 검사를 위해 구동 모드와 상이하게 작동할 수 있다.
구체적으로, 구동부(220)는 검사 구동부(미도시) 및 검사부(미도시)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 검사 모드에서, 구동부(220)는 제어부(230)의 제어에 따라 발광소자에 검사 신호를 인가할 수 있다. 발광소자에 검사 신호가 인가되는 경우, 발광소자 또는 픽셀 구동 회로의 정상 동작 여부가 검사될 수 있다.
일 실시예에서, 검사 모드에서, 전력 생성부(240)는 제어부(230)의 제어에 따라 검사 모드 전압을 생성하여 검사부로 인가할 수 있다. 검사 모드 전압은 전술한 기준 전압(VDD)에 비해 저전압을 인가하는 전원 전압일 수 있다.
일 실시예에서, 검사 모드에서, 검사부는 검사 모드 전압을 이용하여 발광소자 또는 픽셀 구동 회로를 경유하여 흐르는 전류를 측정할 수 있다. 검사부는 전류 측정을 위한 전류 측정 회로를 포함할 수 있다. 검사부는 측정된 전류값과 기준 전류값의 차이가 임계값 이상이면 발광소자 또는 픽셀 구동 회로가 결함인 것으로 결정할 수 있다.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른 전력 생성부의 회로도이다.
전술한 바와 같이, 본 개시의 일 실시예에 따른 픽셀 구동 회로는 전력 생성부를 포함할 수 있다. 전력 생성부는 스캔 구동 회로에서 출력된 로우 신호와 데이터 구동 회로에서 출력된 컬럼 신호를 이용하여 메모리에 기준 전압을 출력할 수 있다. 이하에서, '메모리'는 메모리부 또는 픽셀 내장 메모리를 지칭할 수 있다.
도 3을 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 전력 생성부(300)는 트랜지스터(310), NAND 게이트(320) 및 시간 지연 소자(330)를 포함할 수 있다. 전력 생성부(300)는 로우 신호의 입력단(ROW)과 컬럼 신호의 입력단(COL)과 연결되어 로우 신호 및 컬럼 신호를 수신할 수 있다. 또한, 전력 생성부(300)는 기준 전압(VDD_INT)을 메모리로 출력하는 기준 전압 출력단을 구비할 수 있다.
트랜지스터(310)는 로우 신호의 입력단과 기준 전압의 출력단 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 트랜지스터(310)는 PMOSFET일 수 있다. PMOSFET의 드레인 단자와 소스 단자는 로우 신호의 입력단과 기준 전압의 출력단에 연결되고, PMOSFET의 게이트 단자는 NAND 게이트의 신호 출력단에 연결될 수 있다. 참고로, PMOSFET은 게이트 단자에 입력된 신호가 로직 하이(Logic High, '1')일 때 턴 오프 되고, 게이트 단자에 입력된 신호가 로직 로우(Logic Low, '0')일 때 턴 온 된다.
NAND 게이트(320)는 트랜지스터(310)의 중간 단자(게이트 단자)와 컬럼 신호의 입력단 사이에 배치될 수 있다. NAND 게이트(320)는 논리 회로 소자로서, 2개의 입력단과 1개의 출력단을 가질 수 있다. NAND 게이트(320)의 2개의 입력단 중 하나에는 컬럼 신호가 입력되고, 나머지 하나에는 지연된 로우 신호가 입력될 수 있다. 참고로, NAND 게이트(320)는 입력이 모두 로직 하이([1,1])인 경우에만 로직 로우를 출력하고, 나머지 경우에는([0,0], [1,0], [0,1]) 모두 로직 하이를 출력한다.
시간 지연 소자(330)는 로우 신호의 입력단과 NAND 게이트 사이에 배치될 수 있다. 시간지연소자(330)는 로우 신호를 입력 받아 미리 설정된 시간만큼 지연시키고, 지연된 로우 신호를 NAND 게이트(320)의 입력단 중 어느 하나로 출력할 수 있다. 일 예시로, 지연시간은 0.5ns~1ns일 수 있다.
도 4는 본 명세서에 따른 전력 생성부가 로우 신호와 컬럼 신호를 이용하여 기준 전압을 출력하는 것에 관한 타이밍도이다.
도 4를 참조하면, 'ROW'은 로우 신호의 입력단을 통해 입력된 로우 신호를 의미하고, 'ROW_D'은 로우 신호가 시간 지연 소자(예컨대, 도 3의 시간 지연 소자(330))를 지나서 지연된 로우 신호를 의미하며, 'COL'은 컬럼 신호의 입력단을 통해 입력된 컬럼 신호를 의미하고, 'CTRL'은 NAND 게이트(예컨대, 도 3의 NAND 게이트(320))에서 출력된 신호를 의미한다.
먼저 로우 신호는 로직 하이에서 로직 로우로 변화하고, 미리 설정된 시간동안 로직 로우를 유지한 후 다시 로직 하이로 변화하는 특성을 가질 수 있다. 컬럼 신호 역시, 로직 하이에서 로직 로우로 변화하고, 미리 설정된 시간동안 로직 로우를 유지한 후 다시 로직 하이로 변화하는 특성을 가질 수 있다. 이때, 컬럼 신호는 로우 신호가 로직 로우로 되기 전에 약간 앞서서 먼저 로직 하이에서 로직 로우로 변화할 수 있다. 또한, 컬럼 신호는 메모리에 입력하고자 하는 데이터가 로직 로우인 경우와 로직 하이인 경우, 로직 로우를 유지하는 시간 차이가 있을 수 있다. 로직 로우 데이터에 해당할 경우, 컬럼 신호는 로우 신호가 로직 하이로 변화된 후에 로직 로우에서 로직 하이로 변화할 수 있다(도 4의 (a) 참조). 로직 하이 데이터에 해당할 경우, 컬럼 신호는 로우 신호가 로직 하이로 변화되기 전에 로직 로우에서 로직 하이로 변화할 수 있다(도 4의 (b) 참조).
지연된 로우 신호와 컬럼 신호의 타이밍에 따라 NAND 게이트에서는 로직 로우에서 로직 하이, 다시 로직 로우로 변화될 수 있다. 전술한 바와 같이, 트랜지스터(예컨대, 도 3의 트랜지스터(310), PMOSFET)는 로직 로우 신호에 의해 온(On)되고, 로직 하이 신호에 의해 오프(Off)되었다가, 다시 로직 로우 신호에 의해 온(On)될 수 있다.
도 4의 (c)를 참조하면, 로우 신호(ROW)가 로직 하이일 때, 트랜지스터가 온(On) 상태이므로, 기준 전압의 출력단에 기준 전압(VDD_INT)를 출력할 수 있다. 반면, 로우 신호(ROW)가 로직 로우일 때, 트랜지스터가 오프(Off) 상태이므로, 기준 전압의 출력단의 기준 전압(VDD_INT)을 유지할 수 있다. 이를 위해, 전력 생성부(예컨대, 도 3의 전력 생성부(300))는 기준 전압의 출력단과 회로 접지 사이에 배치된 캐패시터(예컨대, 도 3의 캐패시터(340))를 더 포함할 수 있다. 캐패시터는 트랜지스터가 오프(Off) 상태이므로 기준 전압의 출력단의 기준 전압(VDD_INT)을 유지하는 역할을 할 수 있다.
도 5은 입력되는 데이터를 저장하는 레지스터 또는 픽셀 내장 메모리에 포함될 수 있는 플립플롭의 구성을 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 5을 참조하면, 컬럼 신호는 플립플롭(FF)의 데이터 신호 입력단(D)으로 입력되고, 로우 신호는 클럭 신호 입력단(CLK)로 입력될 수 있다. 도 4의 (a)를 참조하면, 로우 신호가 로직 로우에서 로직 하이로 변화되는 순간(상승 에지, rising edge)에 컬럼 신호가 로직 로우이면, 로직 로우 데이터가 플립플롭(FF)에 입력될 수 있다. 또한, 도 4의 (b)를 참조하면, 로우 신호가 로직 로우에서 로직 하이로 변화되는 순간에 컬럼 신호가 로직 하이이면, 로직 하이 데이터가 플립플롭(FF)에 입력될 수 있다. 즉, 본 개시에서는 로우 신호와 컬럼 신호의 타이밍을 통해 전력 생성부에서 기준 전력을 출력하면서도, 동시에 같은 신호를 이용하여 캐패시터 데이터 또는 비디오 데이터를 입력할 수 있다. 본 개시에서는 본 개시의 메모리가 다수의 플립플롭으로 구성되는 예시로써 설명하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
이하에서, 기존에 사용되는 신호를 사용하여 픽셀 구동 회로가 검사 모드로 진입할 수 있도록 하는 검사 제어부의 여러 실시예에 관하여 설명한다.
본 개시의 여러 실시예에 따른 검사 제어부는 기존에 데이터를 메모리에 저장하는 데 사용되는 신호에 기초하여 작동될 수 있다. 구체적으로, 예를 들어, 로우 신호 및 컬럼 신호 중 로우 신호가 데이터를 메모리부에 저장하기 위해 클럭 신호로 사용된다면, 검사 제어부는 컬럼 신호를 클럭 신호로 하여 검사 모드 진입 여부를 제어할 수 있다.
도 6는 본 개시의 일 실시예에 따른 검사 제어부의 구성을 도시한다.
도 6을 참조하면, 일 실시예에 따른 검사 제어부(600)는 디플립플롭을 포함할 수 있다. 검사 제어부(600)는 데이터 신호 입력단(D), 클럭 신호 입력단(CLK), 신호 출력단(Q) 및 반전 신호 출력단(QB)을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 데이터 신호 입력단에는 로우 신호가 입력될 수 있고, 로우 신호는 전술한 바와 같이, 발광소자의 구동을 제어하기 위한 클럭 신호로, 메모리부에 데이터를 저장하기 위한 클럭 신호에 대응될 수 있다. 일 실시예에서, 클럭 신호 입력단에는 컬럼 신호가 입력될 수 있고, 컬럼 신호는 전술한 바와 같이, 메모리부에 저장되는 발광소자의 계조와 관련된 데이터 신호로, 영상 데이터의 비트 값에 대응될 수 있다. 일 실시예에서, 반전 신호 출력단에서 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)가 출력될 수 있다.
도 7은 본 개시의 일 실시예에 따른 검사 제어부의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 7에 도시된 타이밍도는 도 6에 도시된 검사 제어부(600)의 동작에 따라 생성되는 신호에 관한 것이다.
도 7에서, 검사 모드 진입을 위해, 스캔 구동 회로는 기준 간격보다 더 긴 시간동안 로직 로우를 유지하는 로우 신호(ROW)를 출력할 수 있다. 검사 모드 진입을 위해, 데이터 구동 회로는 로우 신호가 로직 로우인 동안 로직 하이에서 로직 로우로 변화하는 컬럼 신호를 출력할 수 있다.
본 실시예에서, 로우 신호가 로직 로우를 유지하는 동안, 컬럼 신호의 로직 하이에서 로직 로우로 변화하는 에지(이하, 하강 에지(falling edge))에서 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)는 로직 하이로 변화할 수 있다. 한편, 로우 신호가 로직 하이로 변화한 후에는 컬럼 신호의 하강 에지에서 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)는 로직 로우로 변화할 수 있다.
본 개시에서, 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)는 로직 하이('1')일 때 픽셀 구동 회로를 검사 모드로 진입하게 할 수 있다.
도 8은 본 개시의 다른 실시예에 따른 검사 제어부의 구성을 도시한다.
도 8을 참조하면, 본 개시의 다른 실시예에 따른 검사 제어부(800)는 복수의 디플립플롭을 포함할 수 잇다. 도 8에 도시된 예시는 3개의 디플립플롭을 포함하지만, 검사 제어부(800)는 임의의 적합한 수의 디플립플롭을 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 제1 디플립플롭(810)의 데이터 신호 입력단에는 로우 신호가 입력될 수 있고, 제1 디플립플롭(810)의 클럭 신호 입력단에는 컬럼 신호가 입력될 수 있다. 전술한 바와 같이, 로우 신호는 메모리부에 데이터를 저장하기 위한 클럭 신호에 대응될 수 있고, 컬럼 신호는 메모리부에 저장되는 발광소자의 계조와 관련된 데이터 신호에 대응될 수 있다.
본 실시예에서, 제1 디플립플롭(810)의 신호 출력단에서 제1 임시 신호(T1)가 출력될 수 있다.
본 실시예에서, 제2 디플립플롭(820)의 데이터 신호 입력단에 제1 디플립플롭(810)의 신호 출력단으로부터 출력된 제1 임시 신호(T1)가 입력될 수 있다. 제2 디플립플롭(820)의 클럭 신호 입력단에는 컬럼 신호가 입력될 수 있다.
본 실시예에서, 제2 디플립플롭(820)의 신호 출력단에서 제2 임시 신호(T2)가 출력될 수 있다.
본 실시예에서, 제3 디플립플롭(830)의 데이터 신호 입력단에 제2 디플립플롭(820)의 신호 출력단으로부터 출력된 제2 임시 신호(T2)가 입력될 수 있다. 제3 디플립플롭(830)의 클럭 신호 입력단에는 컬럼 신호가 입력될 수 있다.
본 실시예에서, 제3 디플립플롭(830)의 반전 신호 출력단에서 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)가 출력될 수 있다. 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)는 픽셀 구동 회로의 검사 모드 진입 여부를 제어하는 신호일 수 있다.
본 실시예에 따른 검사 제어부(800)에 의하면, 기존의 픽셀 구동 회로에서 사용되는 신호, 즉 로우 신호 및 컬럼 신호를 사용하여, 픽셀 구동 회로의 검사 모드 진입 여부를 제어할 수 있다.
도 9는 본 개시의 다른 실시예에 따른 검사 제어부의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 9에 도시된 타이밍도는 도 8에 도시된 검사 제어부(800)의 동작에 따라 생성되는 신호에 관한 것이다.
도 9에서, 제1 임시 신호(T1)는 도 8의 제1 디플립플롭(810)의 출력인 제1 임시 신호(T1)에 대응되고, 제2 임시 신호(T2)는 도 8의 제2 디플립플롭(820)의 출력인 제2 임시 신호(T2)에 대응되며, 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)는 도 8의 제3 디플립플롭(830)의 출력인 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)에 대응될 수 있다.
본 실시예에 따른 검사 제어부는 컬럼 신호의 하강 에지를 클럭 신호로 사용하여 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)를 생성할 수 있다.
구체적으로, 본 실시예에서, 검사 모드 진입을 위해, 스캔 구동 회로는 기준 간격보다 더 긴 시간동안 로직 로우를 유지하는 로우 신호(ROW)를 출력할 수 있다. 로우 신호(ROW)가 로직 로우일 때, 컬럼 신호(COL)의 제1 하강 에지(1st)에서 제1 임시 신호(T1)는 로직 로우로 변화할 수 있다.
제1 임시 신호(T1)가 로직 로우로 변화하는 것에 응답하여, 제2 임시 신호(T2)는 컬럼 신호(COL)의 제1 하강 에지(1st)의 다음 하강 에지인 제2 하강 에지(2nd)에서 로직 로우로 변화할 수 있다.
제2 임시 신호(T2)가 로직 로우로 변화하는 것에 응답하여, 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)는 컬럼 신호(COL)의 제2 하강 에지(2nd)의 다음 하강 에지인 제3 하강 에지(3rd)에서 로직 하이로 변화할 수 있다. 즉, 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)는 로우 신호(ROW)가 로직 로우로 변화하는 것이 제1 임시 신호(T1)에 반영된 후 두번의 하강 에지가 반복되는 간격만큼 후에 로직 하이로 변화할 수 있고, 이는 도 8의 검사 제어부(800)의 구성에 따른 결과일 수 있다.
한편, 본 실시예에서, 로우 신호(ROW)는 일정 시간 후 로직 로우에서 로직 하이로 변화할 수 있다. 로우 신호(ROW)가 로직 하이일 때, 컬럼 신호(COL)의 제N-2 하강 에지((N-2)th)에서 제1 임시 신호(T1)는 로직 하이로 변화할 수 있다.
제1 임시 신호(T1)가 로직 하이로 변화하는 것에 응답하여, 제2 임시 신호(T2)는 컬럼 신호(COL)의 제N-2 하강 에지((N-2)th)의 다음 하강 에지인 제N-1 하강 에지((N-1)th)에서 로직 하이로 변화할 수 있다.
제2 임시 신호(T2)가 로직 하이로 변화하는 것에 응답하여, 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)는 컬럼 신호(COL)의 제N-1 하강 에지((N-1)th)의 다음 하강 에지인 제N 하강 에지(Nth)에서 로직 로우로 변화할 수 있다.
본 개시에서, 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)는 로직 하이일 때, 픽셀 구동 회로가 검사 모드에 진입하도록 할 수 있다. 다시 말해, 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)가 로직 하이인 구간인 Test Function Enable 구간에서 픽셀 구동 회로가 검사 모드에 진입할 수 있다.
본 실시예에 따른 검사 제어부에 의하면, 픽셀 구동 회로가 로우 신호 또는 컬럼 신호의 노이즈나 글리치(glitch)에 의하여 의도치 않게 검사 모드에 진입하게 되는 것이 방지될 수 있다.
도 10은 본 개시의 또 다른 실시예에 따른 검사 제어부의 구성을 도시한다.
도 10을 참조하면, 본 개시의 또 다른 실시예에 따른 검사 제어부(1000)는 복수의 디플립플롭과 논리 소자를 포함할 수 있다. 도 10에 도시된 예시는 3개의 디플립플롭을 포함하지만, 검사 제어부(1000)는 임의의 적합한 수의 디플립플롭을 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 제1 디플립플롭(1010)의 데이터 신호 입력단에는 로우 신호가 입력될 수 있고, 제1 디플립플롭(1010)의 클럽 신호 입력단에는 컬럼 신호가 입력될 수 있다. 전술한 바와 같이, 로우 신호는 메모리부에 데이터를 저장하기 위한 클럭 신호에 대응될 수 있고, 컬럼 신호는 메모리부에 저장되는 발광소자의 계조와 관련된 데이터 신호에 대응될 수 있다.
본 실시예에서, 제1 디플립플롭(1010)의 신호 출력단에서 제1 임시 신호(T1)가 출력될 수 있다.
본 실시예에서, 제2 디플립플롭(1020)의 데이터 신호 입력단에 제1 디플립플롭(1010)의 신호 출력단으로부터 출력된 제1 임시 신호(T1)가 입력될 수 있다. 제2 디플립플롭(1020)의 클럭 신호 입력단에는 컬럼 신호가 입력될 수 있다.
본 실시예에서, 제2 디플립플롭(1020)의 신호 출력단에서 제2 임시 신호(T2)가 출력될 수 있다.
본 실시예에서, 제3 디플립플롭(1030)의 데이터 신호 입력단에 제2 디플립플롭(1020)의 신호 출력단으로부터 출력된 제2 임시 신호(T2)가 입력될 수 있다. 제3 디플립플롭(1030)의 클럭 신호 입력단에는 컬럼 신호가 입력될 수 있다.
본 실시예에서, 제3 디플립플롭(1030)의 신호 출력단에서 제3 임시 신호(T3)가 출력될 수 있다.
본 실시예에서, 제1 디플립플롭(1010)에서 출력된 제1 임시 신호(T1)와 제3 디플립플롭(1030)의 신호 출력단으로부터 출력된 제3 임시 신호(T3)는 OR 게이트(1040)에 입력될 수 있다.
OR 게이트(1040)는 논리 회로 소자로서, 2개의 입력단과 1개의 출력단을 가질 수 있다. OR 게이트(1040)의 2개의 입력단에 입력되는 신호 중 어느 하나라도 로직 하이인 경우, OR 게이트(1040)는 출력단으로 로직 하이의 신호를 출력한다. 다시 말해, 본 실시에에서, 제1 임시 신호(T1) 및 제3 임시 신호(T3) 중 어느 하나가 로직 하이이면, OR 게이트(1040)는 출력단으로 로직 하이인 신호를 출력할 수 있다. 반면, 제1 임시 신호(T1) 및 제3 임시 신호(T3) 모두가 로직 로우이면, OR 게이트(1040)는 출력단으로 로직 로우인 신호를 출력할 수 있다.
본 실시예에서, OR 게이트(1040)의 출력단에서 반전된 검사 모드 활성화 신호(TM_ENB)가 출력될 수 있다. 반전된 검사 모드 활성화 신호(TM_ENB)가 신호 반전기를 통과하여 반전된 신호는 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)일 수 있다. 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)는 픽셀 구동 회로의 검사 모드 진입 여부를 제어하는 신호일 수 있다.
본 실시예에 따른 검사 제어부(1000)에 의하면, 기존의 픽셀 구동 회로에서 사용되는 신호, 즉 로우 신호 및 컬럼 신호를 사용하여, 픽셀 구동 회로의 검사 모드 진입 여부를 제어할 수 있다.
도 11은 본 개시의 또 다른 실시예에 따른 검사 제어부의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 11에 도시된 타이밍도는 도 10에 도시된 검사 제어부(1000)의 동작에 따라 생성되는 신호에 관한 것이다.
도 11에서, 제1 임시 신호(T1)는 도 10의 제1 디플립플롭(1010)의 출력인 제1 임시 신호(T1)에 대응되고, 제3 임시 신호(T3)는 도 10의 제3 디플립플롭(1030)의 출력인 제3 임시 신호(T3)에 대응되며, 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)는 도 10의 OR 게이트(1040)의 출력인 반전된 검사 모드 활성화 신호(TM_ENB)가 반전된 신호인 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)에 대응될 수 있다.
본 실시예에 따른 검사 제어부는 컬럼 신호의 하강 에지를 클럭 신호로 사용하여 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)를 생성할 수 있다.
구체적으로, 본 실시예에서, 검사 모드 진입을 위해, 스캔 구동 회로는 기준 간격보다 더 긴 시간동안 로직 로우를 유지하는 로우 신호(ROW)를 출력할 수 있다. 로우 신호(ROW)가 로직 로우일 때, 컬럼 신호(COL)의 제1 하강 에지(1st)에서 제1 임시 신호(T1)는 로직 로우로 변화할 수 있다.
도 11에서 생략되었지만, 제1 임시 신호(T1)가 로직 로우로 변화하는 것에 응답하여, 제2 임시 신호는 컬럼 신호(COL)의 제1 하강 에지(1st)의 다음 하강 에지인 제2 하강 에지(2nd)에서 로직 로우로 변화할 수 있다.
제2 임시 신호가 로직 로우로 변화하는 것에 응답하여, 제3 임시 신호(T3)는 컬럼 신호(COL)의 제2 하강 에지(2nd)의 다음 하강 에지인 제3 하강 에지(3rd)에서 로직 로우로 변화할 수 있다. 즉, 제3 임시 신호(T3)는 로우 신호(ROW)가 로직 로우로 변화하는 것이 제1 임시 신호(T1)에 반영된 후 두번의 하강 에지가 반복되는 간격만큼 후에 로직 로우로 변화할 수 있고, 이는 도 10의 검사 제어부(1000)의 구성에 따른 결과일 수 있다.
도 10을 참조하여 전술한 바와 같이, 반전된 검사 모드 활성화 신호(TM_ENB)가 OR 게이트의 출력이고, 이에 따라 OR 게이트의 입력 즉, 제1 임시 신호(T1) 및 제3 임시 신호(T3) 중 어느 하나라도 로직 하이인 경우, 반전된 검사 모드 활성화 신호(TM_ENB)는 로직 하이이고, 제1 임시 신호(T1) 및 제3 임시 신호(T3) 모두가 로직 로우인 경우, 반전된 검사 모드 활성화 신호(TM_ENB)는 로직 로우이다.
이에 따라, 반전된 검사 모드 활성화 신호(TM_ENB)는 제3 임시 신호(T3)가 컬럼 신호(COL)의 제3 하강 에지에서 로직 로우로 변화하는 것에 응답하여, 제1 임시 신호(T1) 또한 로직 로우이므로, 로직 로우로 변화한다. 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)는 반전된 검사 모드 활성화 신호(TM_ENB)가 반전된 신호이므로, 제3 임시 신호(T3)가 컬럼 신호(COL)의 제3 하강 에지에서 로직 로우로 변화하는 것에 응답하여, 로직 하이로 변화한다.
한편, 본 실시예에서, 로우 신호(ROW)는 일정 시간 후 로직 로우에서 로직 하이로 변화할 수 있다. 로우 신호(ROW)가 로직 하이일 때, 컬럼 신호(COL)의 제N 하강 에지(Nth)에서 제1 임시 신호(T1)는 로직 하이로 변화할 수 있다.
이때, 제1 임시 신호(T1)가 로직 하이로 변화하는 것에 응답하여, OR 게이트의 출력인 반전된 검사 모드 활성화 신호(TM_ENB) 및 검사 모드 활성화 신호(EM_EN) 또한 변화할 수 있다. 즉, 제N 하강 에지에서, OR 게이트의 입력 중 하나인 제1 임시 신호(T1)가 로직 하이로 변화하므로, OR 게이트의 출력인 반전된 검사 모드 활성화 신호(TM_ENB)가 로직 하이로 변화할 수 있고, 이에 따라 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)은 로직 로우로 변화할 수 있다.
본 개시에서, 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)가 로직 하이인 구간인 Test Function Enable 구간에서 픽셀 구동 회로가 검사 모드에 진입할 수 있다.
본 실시예에 따른 검사 제어부에 의하면, 픽셀 구동 회로가 로우 신호 또는 컬럼 신호의 노이즈나 글리치(glitch)에 의하여 의도치 않게 검사 모드에 진입하게 되는 것이 방지될 수 있다.
이하에서, 전술한 검사 제어부에 기초한 검사 모드 제어 방식의 여러 실시예에 관하여 설명한다.
전술한 바와 같이, 검사 제어부는 검사 모드 활성화 신호를 생성할 수 있다. 일 실시예에서, 검사 모드 활성화 신호는 제어부로 입력될 수 있다. 제어부는 구동부를 포함하여 픽셀 구동 회로에 포함된 구성요소의 동작을 제어하는 역할을 수행하며, 도 2에서 전술한 제어부(230)에 대응될 수 있다.
일 실시예에서, 구동부는 검사 제어부로부터 수신된 검사 모드 활성화 신호에 기초하여 검사 제어 신호를 생성할 수 있다. 예를 들어, 검사 제어 신호는 검사 모드 활성화 신호가 로직 하이인 것에 응답하여 로직 하이로 변화하고, 검사 모드 활성화 신호가 로직 로우인 것에 응답하여 로직 로우로 변화하는 신호일 수 있다. 또는, 예를 들어, 검사 제어 신호는 검사 모드 활성화 신호가 로직 하이일 때만 생성되는 신호일 수 있다.
도 12는 본 개시의 일 실시예에 따른 검사 모드 제어 방식을 설명하기 위한 블록도이다.
도 12를 참조하면, 검사 제어부(1210), 제어부(1220) 및 구동부(1230)를 포함하는 픽셀 구동 회로(1200)가 도시된다.
일 실시예에서, 픽셀 구동 회로(1200)는 검사 모드에서 발광소자뿐만 아니라 구동부를 포함한 픽셀 구동 회로의 결함이 검사되도록 구성될 수 있다.
구체적으로, 검사 제어부(1210)는 전술한 바와 같이, 로우 신호(ROW) 및 컬럼 신호(COL)에 기초하여 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)를 생성할 수 있다.
일 실시예에서, 픽셀 구동 회로는 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)가 로직 하이인 경우, 메모리부에 데이터가 입력되는 것을 차단할 수 있다. 구체적으로, 검사 모드 활성화 신호(TM_EN) 또는 반전된 검사 모드 활성화 신호(TM_ENB)는 로우 신호(ROW) 및 컬럼 신호(COL)가 메모리부에 입력되는 것을 차단할 수 있다. 도 12에서는 반전된 검사 모드 활성화 신호(TM_ENB)가 로우 신호(ROW) 및 컬럼 신호(COL)가 메모리부에 입력되는 것을 차단하는 것으로 도시되었으나, 구동 모드에 영향을 주지 않게 하기 위해 임의로 적합하게 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)는 제어부(1220)에 입력될 수 있다. 일 실시예에서, 전술한 바와 같이, 제어부(1220)는 검사 제어부(1210)로부터 수신된 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)에 기초하여 검사 제어 신호(TM_CTRL)를 생성할 수 있다.
일 실시예에서, 검사 제어 신호(TM_CTRL)는 구동부(1230)에 작용하여 구동부(1230)의 회로 연결을 변화시킬 수 있다. 예를 들어, 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)가 로직 하이인 것에 응답하여, 검사 제어 신호(TM_CTRL)는 로직 하이로 변화할 수 있고, 검사 제어 신호(TM_CTRL)가 로직 하이인 경우, 구동부(1230)의 회로 연결을 검사 모드를 위해 변화시킬 수 있다.
일 실시예에서, 도 12에 도시된 바와 같이, 검사 모드에서 검사 제어 신호(TM_CTRL)는 바이어스부(미도시), 구동부(1230) 등을 포함하는 아날로그 회로와 출력단을 모두 활성화시킬 수 있고, 이로 인해 발광소자의 정상 유무뿐만 아니라 집적 회로에 대한 검증이 함께 이루어지도록 픽셀 구동 회로가 구성될 수 있다.
도 13은 본 개시의 다른 실시예에 따른 검사 모드 제어 방식을 설명하기 위한 블록도이다.
도 13을 참조하면, 검사 제어부(1310), 제어부(1320) 및 구동부(1330)를 포함하는 픽셀 구동 회로(1300)가 도시된다.
일 실시예에서, 픽셀 구동 회로(1300)는 검사 모드에서 구동부에는 전류가 흐르지 않고 발광소자의 결함이 검사되도록 구성될 수 있다.
구체적으로, 검사 제어부(1310)는 전술한 바와 같이, 로우 신호(ROW) 및 컬럼 신호(COL)에 기초하여 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)를 생성할 수 있다.
일 실시예에서, 픽셀 구동 회로는 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)가 로직 하이인 경우, 메모리부에 데이터가 입력되는 것을 차단할 수 있다. 구체적으로, 검사 모드 활성화 신호(TM_EN) 또는 반전된 검사 모드 활성화 신호(TM_ENB)는 로우 신호(ROW) 및 컬럼 신호(COL)가 메모리부에 입력되는 것을 차단할 수 있다. 도 13에서는 반전된 검사 모드 활성화 신호(TM_ENB)가 로우 신호(ROW) 및 컬럼 신호(COL)가 메모리부에 입력되는 것을 차단하는 것으로 도시되었으나, 구동 모드에 영향을 주지 않게 하기 위해 임의로 적합하게 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)는 제어부(1320)에 입력될 수 있다. 일 실시예에서, 전술한 바와 같이, 제어부(1320)는 검사 제어부(1310)로부터 수신된 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)에 기초하여 검사 제어 신호(TM_CTRL)를 생성할 수 있다.
일 실시예에서, 검사 제어 신호(TM_CTRL)는 구동부(1330) 외부에 작용하여 구동부(1330)로의 회로 연결을 변화시킬 수 있다. 예를 들어, 검사 모드 활성화 신호(TM_EN)가 로직 하이인 것에 응답하여, 검사 제어 신호(TM_CTRL)는 로직 하이로 변화할 수 있고, 검사 제어 신호(TM_CTRL)가 로직 하이인 경우, 구동부(1330)로의 회로 연결을 검사 모드를 위해 변화시킬 수 있다.
일 실시예에서, 도 13에 도시된 바와 같이, 검사 제어 신호(TM_CTRL)는 출력단만 활성화시키고, 출력 저항을 통해 특정 전류를 할 수 있고, 이로 인해 발광소자의 정상 유무만이 검증되도록 픽셀 구동 회로가 구성될 수 있다.
전술한 스캔 구동 회로, 데이터 구동 회로는, 전술한 다양한 제어 로직을 실행하기 위해 본 발명이 속한 기술분야에서 알려진 프로세서, ASIC(application-specific integrated circuit), 다른 칩셋, 논리 회로, 레지스터, 통신 모뎀, 데이터 처리 장치 등을 포함할 수 있다. 또한, 전술한 제어 로직이 소프트웨어로 구현될 때, 스캔 구동 회로, 데이터 구동 회로는 프로그램 모듈의 집합으로 구현될 수 있다. 이때, 프로그램 모듈은 메모리 장치에 저장되고, 프로세서에 의해 실행될 수 있다.
프로그램은 컴퓨터가 프로그램을 읽어 들여 프로그램으로 구현된 방법들을 실행시키기 위하여, 컴퓨터의 프로세서(CPU)가 컴퓨터의 장치 인터페이스를 통해 읽을 수 있는 C/C++, C#, JAVA, Python, 기계어 등의 컴퓨터 언어로 코드화된 코드(Code)를 포함할 수 있다. 이러한 코드는 방법들을 실행하는 필요한 기능들을 정의한 함수 등과 관련된 기능적인 코드(functional code)를 포함할 수 있고, 기능들을 컴퓨터의 프로세서가 소정의 절차대로 실행시키는 데 필요한 실행 절차 관련 제어 코드를 포함할 수 있다. 또한, 이러한 코드는 기능들을 컴퓨터의 프로세서가 실행시키는 데 필요한 추가 정보나 미디어가 컴퓨터의 내부 또는 외부 메모리의 어느 위치(주소 번지)에서 참조되어야 하는지에 대한 메모리 참조관련 코드를 더 포함할 수 있다. 또한, 컴퓨터의 프로세서가 기능들을 실행시키기 위하여 원격(remote)에 있는 어떠한 다른 컴퓨터나 서버 등과 통신이 필요한 경우, 코드는 컴퓨터의 통신 모듈을 이용하여 원격에 있는 어떠한 다른 컴퓨터나 서버 등과 어떻게 통신해야 하는지, 통신 시 어떠한 정보나 미디어를 송수신해야 하는지 등에 대한 통신 관련 코드를 더 포함할 수 있다.
프로그램이 저장되는 저장 매체는 레지스터, 캐쉬 메모리 등과 같이 짧은 순간 동안 데이터를 저장하는 매체가 아니라 반영구적으로 데이터를 저장하며, 기기에 의해 판독이 가능한 매체를 의미한다. 구체적으로, 저장 매체의 예로는 ROM, RAM, CD-ROM, 자기 테이프, 플로피디스크, 광 데이터 저장장치 등이 있지만, 이에 제한되지 않는다. 즉, 프로그램은 컴퓨터가 접속할 수 있는 다양한 서버 상의 다양한 기록매체 또는 사용자의 컴퓨터상의 다양한 기록매체에 저장될 수 있다. 또한, 저장 매체는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템에 분산되어, 분산 방식으로 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드가 저장될 수 있다.
본 실시예와 관련된 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 전술한 기재의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 또는 이로부터 등가적으로 변경된 모든 범위는 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.

Claims (11)

  1. 제1 신호 및 제2 신호에 기초하여 데이터가 저장되되, 상기 제1 신호를 클럭 신호로 하여 상기 데이터가 저장되는 메모리부;
    발광 소자와 연결되고, 상기 메모리부에 저장된 데이터에 기초하여 상기 발광 소자에 전력을 공급하는 구동부; 및
    픽셀 구동 회로의 결함을 검사하는 검사 모드 진입을 제어하는 검사 제어부;를 포함하되,
    상기 검사 제어부는 상기 제1 신호 및 상기 제2 신호에 기초하여 검사 모드 활성화 신호를 생성하되, 상기 제2 신호를 클럭 신호로 하여 상기 검사 모드 활성화 신호를 생성하는,
    픽셀 구동 회로.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 검사 제어부는 상기 제2 신호의 하강 에지(falling edge)를 기초로 하여 상기 검사 모드 활성화 신호를 생성하는,
    픽셀 구동 회로.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 검사 제어부는,
    데이터 신호 입력단(D)에 상기 제1 신호가 입력되고, 클럭 신호 입력단(CLK)에 상기 제2 신호의 반전된 신호가 입력되는 D플립플롭을 포함하는,
    픽셀 구동 회로.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 검사 제어부는,
    서로 직렬로 연결된 복수의 D플립플롭을 포함하되,
    상기 복수의 D플립플롭 각각의 클럭 신호 입력단(CLK)에 상기 제2 신호의 반전된 신호가 입력되고,
    상기 복수의 D플립플롭 중 최전단의 D플립플롭의 데이터 신호 입력단(D)에 상기 제1 신호가 입력되며,
    상기 복수의 D플립플롭 중 최전단의 D플립플롭이 아닌 D플립플롭의 데이터 신호 입력단(D)에는 인접한 D플립플롭의 출력이 입력되는,
    픽셀 구동 회로.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 검사 제어부는,
    상기 복수의 D플립플롭 중 최전단의 D플립플롭의 출력 및 상기 복수의 D플립플롭 중 최후단의 D플립플롭의 출력을 입력으로 하는 OR 게이트를 더 포함하는,
    픽셀 구동 회로.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 검사 모드 활성화 신호가 로직 하이(high)인 경우, 상기 제1 신호 및 상기 제2 신호에 기초하여 상기 메모리부에 데이터가 입력되는 것을 차단하는,
    픽셀 구동 회로.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 구동부의 동작을 제어하는 제어부를 더 포함하되,
    상기 제어부는 상기 검사 제어부로부터 상기 검사 모드 활성화 신호에 기초하여, 검사 제어 신호를 생성하는,
    픽셀 구동 회로.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 검사 제어 신호가 로직 하이인 경우,
    상기 구동부 및 상기 발광소자의 결함이 검사되는,
    픽셀 구동 회로.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 검사 제어 신호가 로직 하이인 경우,
    상기 구동부에 전류가 흐르지 않고, 상기 발광소자의 결함이 검사되는,
    픽셀 구동 회로.
  11. 행과 열을 형성하는 복수의 픽셀 구동 회로의 배열을 포함하는 디스플레이 패널;
    상기 디스플레이 패널에 포함된 복수의 픽셀 구동 회로 중 행 방향으로 배열된 픽셀 구동 회로들에 순차적으로 제1 신호를 출력하는 스캔 구동 회로; 및
    상기 디스플레이 패널에 포함된 복수의 픽셀 구동 회로 중 종 방향으로 배열된 픽셀 구동 회로들에 상기 복수의 픽셀 구동 회로의 각각에 대응하는 발광소자들의 구동과 관련된 제2 신호를 출력하는 데이터 구동 회로;
    를 포함하되,
    상기 복수의 픽셀 구동 회로의 각각은 제1 항 및 제3 항 내지 제10 항 중 어느 한 항에 따른 픽셀 구동 회로인,
    디스플레이 장치.
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