KR102624404B1 - 소리 발생 패키지 구조체 및 그의 제조 방법 - Google Patents

소리 발생 패키지 구조체 및 그의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

소리 발생 패키지 구조체는 제1 서브-패키지 구조체와 제2 서브-패키지 구조체를 포함한다. 제1 서브-패키지 구조체는 제1 개구를 갖는 제1 기판, 및 제1 막을 포함하는 제1 칩을 포함하고, 제1 공동부가 제1 막과 제1 기판 사이에 형성된다. 제1 서브-패키지 구조체와 제2 서브-패키지 구조체는 적층되며, 제2 서브-패키지 구조체는 제2 기판과 제2 칩을 포함한다. 제2 기판은 제1 기판에 연결되고 제2 개구를 갖는다. 제2 칩은 제2 막을 포함하고, 제2 공동부가 제2 막과 제2 기판 사이에 형성된다. 제1 개구와 제2 개구에 연결되는 틈이 제1 기판과 제2 기판 사이에 형성되며, 그래서 소리 발생 패키지 구조체의 주변, 제1 공동부 및 제2 공동부는 연결된다.

Description

소리 발생 패키지 구조체 및 그의 제조 방법{SOUND PRODUCING PACKAGE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 출원은 2021년 6월 1일에 출원된 미국 가출원 제63/195,695호의 이익을 주장한다. 이 가출원의 내용은 본원에 참조로 포함된다.
본 발명은 소리 발생 패키지 구조체 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 음파를 발생시키도록 구성된 막을 갖는 칩을 보호하기 위한 소리 발생 패키지 구조체 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
MEMS(Micro Electro Mechanical System) 마이크로스피커와 같은 마이크로 소리 발생 장치는 그의 작은 크기로 인해 다양한 전자 장치에서 널리 사용될 수 있기 때문에, 최근 몇 년간 마이크로 소리 발생 장치가 빠르게 발전되었다. 예를 들어, MEMS 마이크로스피커는 액츄에이터로서 박막 압전 재료를 사용하고 또한 막으로서 얇은 단결정 실리콘 층을 사용할 수 있으며, 이것들은 적어도 하나의 반도체 공정으로 형성된다.
그러나, 마이크로 소리 발생 장치는 그의 작은 크기 및 취약한 구조로 인해 보호될 필요가 있다. 따라서, 마이크로 소리 발생 장치를 보호하기 위해 패키지 구조체를 제공할 필요가 있다.
그러므로, 본 발명의 주 목적은, 소리를 발생시키도록 구성된 막을 갖는 칩을 보호하기 위한 소리 발생 패키지 구조체 및 이 소리 발생 패키지 구조체의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예는, 제1 서브-패키지 구조체와 제2 서브-패키지 구조체를 포함하는 소리 발생 패키지 구조체를 제공한다. 제1 서브-패키지 구조체는 제1 개구를 갖는 제1 기판, 및 제1 막을 포함하는 제1 칩을 포함하고, 제1 칩은 제1 기판에 연결되며, 제1 공동부가 제1 막과 제1 기판 사이에 형성된다. 제2 서브-패키지 구조체는 제1 서브-패키지 구조체 상에 배치되며, 제1 서브-패키지 구조체와 제2 서브-패키지 구조체는 적층되며, 제2 서브-패키지 구조체는 제2 기판과 제2 칩을 포함한다. 제2 기판은 제1 기판에 연결되고 제2 개구를 가지며, 제2 개구와 제1 개구는 연결된다. 제2 칩은 제2 막을 포함하고 제2 기판에 연결되며, 제2 공동부가 제2 막과 제2 기판 사이에 형성된다. 제1 개구와 제2 개구에 연결되는 틈이 제1 기판과 제2 기판 사이에 형성되며, 그래서 소리 발생 패키지 구조체의 주변, 제1 공동부 및 제2 공동부는 연결된다.
본 발명의 일 실시예는 소리 발생 패키지 구조체의 제조 방법을 더 제공한다. 본 제조 방법은 제1 서브-패키지 구조체를 제조하는 단계 - 제1 서브-패키지 구조체를 제조하는 단계는 제1 기판 상에 제1 칩을 배치하는 것을 포함하고, 제1 개구가 제1 기판 내에 형성되며, 제1 공동부가 제1 칩의 제1 막과 제1 기판 사이에 형성됨 -; 제2 서브-패키지 구조체를 제조하는 단계 - 제2 서브-패키지 구조체를 제조하는 단계는 제2 기판 상에 제2 칩을 배치하는 것을 포함하고, 제2 개구가 제2 기판 내에 형성되며, 제2 공동부가 제2 칩의 제2 막과 제2 기판 사이에 형성됨 -; 제2 서브-패키지 구조체를 제1 서브-패키지 구조체에 연결하는 단계 - 제1 기판은 제2 기판에 연결되며, 제1 기판과 제2 기판은 제1 칩과 제2 칩 사이에 있음 -; 및 제1 기판과 제2 기판 사이에 틈을 형성하는 단계를 포함한다. 틈은 제1 개구 및 제2 개구에 연결되며, 그래서 소리 발생 패키지 구조체의 주변, 제1 공동부 및 제2 공동부는 연결된다.
본 발명에 따르면, 소리 발생 패키지 구조체의 수율 및 신뢰성이 향상되고, 그 소리 발생 패키지 구조체에 의해 발생되는 음파의 SPL이 증가된다.
본 발명의 이들 및 다른 목적은, 다양한 도 및 도면에 도시되어 있는 바람직한 실시예에 대한 이하의 상세한 설명을 읽은 후 당업자에게 의심의 여지 없이 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 소리 발생 패키지 구조체를 도시하는 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 소리 발생 패키지 구조체의 제1 기판을 도시하는 개략적인 상면도이다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 소리 발생 패키지 구조체의 제조 공정의 서로 다른 단계에서의 구조체를 도시하는 개략도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 소리 발생 패키지 구조체를 도시하는 개략적인 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 소리 발생 패키지 구조체를 도시하는 개략적인 단면도다.
도 9는 본 발명의 제4 실시예에 따른 소리 발생 패키지 구조체를 도시하는 개략적인 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제5 실시예에 따른 소리 발생 패키지 구조체를 도시하는 개략적인 단면도이다.
당업자에게 본 발명의 더 나은 이해를 제공하기 위해, 바람직한 실시예 및 주요 구성품에 대한 전형적인 재료 또는 범위 파라미터가 다음 설명에서 상세히 설명될 것이다. 본 발명의 이들 바람직한 실시예는 달성될 내용 및 효과를 상세히 설명하기 위해 번호가 매겨진 요소를 갖는 첨부된 도면에 도시되어 있다. 도면은 단순화된 개략도이며 주요 구성품의 재료 및 파라미터 범위는 현재 기술을 기반으로 한 예시이며, 그래서 본 발명의 기본 구조, 구현 또는 작동 방법에 대한 더 명확한 설명을 제공하기 위해 본 발명과 관련된 구성품 및 조합만 나타냄을 유의해야 한다. 구성품은 실제로는 더 복잡할 것이고, 사용되는 파라미터 또는 재료의 범위는 미래에 기술이 발전함에 따라 진보할 수 있다. 또한, 설명의 편의를 위해, 도면에 나타나 있는 구성품은 그것의 실제 개수, 형상 및 치수를 나타내지 않을 수 있으며, 세부 사항은 설계에 대한 요구 사항에 따라 조정될 수 있다.
이하의 설명 및 청구범위에서, "포괄한다", "포함한다" 및 "갖는다" 라는 말은 개방형 방식으로 사용되며, 따라서 "...을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다"를 의미하는 것으로 해석되어야 한다. 따라서, "포괄한다", "포함한다" 및/또는 "갖는다"라는 말이 본 발명의 설명에서 사용될 때, 대응하는 특징, 영역, 단계, 작동 및/또는 구성품은 존재를 가리킬 것이지만, 하나 또는 복수의 대응하는 특징, 영역, 단계, 동작 및/또는 구성품의 존재에 한정되지 않는다.
이하의 설명 및 청구 범위에서, "B1 구성품 C1에 의해/으로 형성된다"고 할 때, C1은 B1 구성품의 형성에 존재 하거나 C1은 B1 구성품의 형성에 사용되며, 그리고 다른 특징(들), 영역(들), 단계(들), 작동(들) 및/또는 구성품(들)의 존재 또는 사용이 B1 구성품의 형성에서 배제되지 않는다.
이하, "수평 방향" 이라는 용어는 일반적으로 수평면에 평행한 방향을 의미하며, " 수평면" 이라는 용어는 일반적으로 도면에서 X 방향 및 Y 방향에 평행한 면을 의미하며, "수직 방향" 이라는 용어는 일반적으로 도면에서 Z 방향에 평행한 방향을 의미하며, X, Y 및 Z 방향은 서로 수직이다. 이하에서, "상면도" 라는 용어는 일반적으로 수직 방향을 따라 본 결과를 의미하며, "측면도" 라는 용어는 일반적으로 수평 방향을 따라 본 결과를 의미한다.
이하의 설명 및 청구범위에서, "실질적으로"라는 용어는, 일반적으로, 작은 편차가 존재하거나 존재하지 않을 수 있음을 의미한다. 예를 들어, "실질적으로 평행한" 및 "실질적으로 따라" 라는 용어는, 두 구성품 사이의 각도가 특정 각도 임계값, 예를 들어 10도, 5도, 3도 또는 1도 이하일 수 있음을 의미한다. 예를 들어, "실질적으로 정렬된"이라는 용어는, 두 구성품 사이의 편차가 특정한 차이 임계값(예컨대, 2μm 또는 1μm) 이하일 수 있음을 의미한다. 예를 들어, "실질적으로 동일한" 이라는 용어는, 편차가 예를 들어 주어진 값 또는 범위의 10% 이내이거나 주어진 값 또는 범위의 5%, 3%, 2%, 1% 또는 0.5% 이내임을 의미한다.
제1, 제2, 제3 등과 같은 용어는 다양한 구성 요소를 설명하기 위해 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소는 그 용어에 의해 한정되는 것은 아니다. 그 용어는 명세서에서 한 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위해 사용되는 것 뿐이며, 그 용어는, 명세서에 기재되어 있지 않다면, 제조 순서와는 관련이 없다. 청구 범위는 동일한 용어를 사용하지 않을 수 있지만, 대신에, 요소가 청구되는 순서와 관련하여 제1, 제2, 제3 등의 용어를 사용할 수 있습니다. 따라서, 이하의 설명에서, 제1 구성 요소는 어떤 청구항에서는 제2 구성 요소가 될 수 있다.
이하에서 설명하는 서로 다른 실시예들의 기술적 특징은 본 발명의 사상을 벗어나지 않고 다른 실시예를 구성하기 위해 서로 대체되거나 재조합되거나 또는 혼합될 수 있음에 유의해야 한다.
본 발명에서, 소리 발생 패키지 구조체는 신호(예를 들어, 전기 신호 또는 다른 적절한 유형의 신호)를 음파로 변환시키는 음향 변환을 수행할 수 있다. 일부 실시예에서, 소리 발생 패키지 구조체는 전기 신호를 음파로 변환시키기 위해 소리 발생 장치, 스피커, 마이크로스피커 또는 다른 적절한 장치의 구성품일 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 소리 발생 패키지 구조체의 작동은 음향 변환이 소리 발생 패키지 구조체에 의해 수행됨을 의미한다는 것을 유의해야 한다(예를 들어, 음파는 소리 발생 패키지 구조체의 소리 발생 구성품을 전기적 구동 신호로 작동시킴으로써 발생됨).
도 1 및 2를 참조하면, 도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 소리 발생 패키지 구조체를 도시하는 개략적인 단면도이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 소리 발생 패키지 구조체의 제1 기판을 도시하는 개략적인 상면도이고, 여기서 A-A' 단면선을 따라 취해진 제1 기판의 단면도가 도 1에 나타나 있다. 도 1에 나타나 있는 바와 같이, 소리 발생 패키지 구조체(PKG1)는 적층된 복수의 서브-패키지 구조체를 포함할 수 있고, 각 서브-패키지 구조체는 패키징 구성품일 수 있고, 음향 변환을 수행하도록 구성된 적어도 하나의 소리 발생 구성품(예컨대, 막을 갖는 적어도 하나의 칩)을 갖는다. 예를 들어, 도 1에서, 소리 발생 패키지 구조체(PKG1)는 2개의 적층된 서브-패키지 구조체 (즉, 제1 서브-패키지 구조체(100) 및 제1 서브-패키지 구조체(100) 상에 배치되는 제2 서브-패키지 구조체(200)를 포함할 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 소리 발생 패키지 구조체(PKG1)에 포함되는 서브-패키지 구조체의 수는 요구 사항(들)에 따라 설계될 수 있다.
도 1에 나타나 있는 바와 같이, 제1 서브-패키지 구조체(100)는 제1 기판(110)을 포함하고, 제2 서브-패키지 구조체(200)는 제2 기판(220)을 포함할 수 있다. 선택적으로, 도 1에 나타나 있는 바와 같이, 제1 서브-패키지 구조체(100)는 제1 기판(110)과 대향하는 제3 기판(130)을 더 포함할 수 있고, 제2 서브-패키지 구조체(200)는 제2 기판(220)과 대향하는 제4 기판(240)을 더 포함할 수 있다. 제1 기판(110), 제2 기판(220), 제3 기판(130) 및 제4 기판(240)은 개별적으로 경질이거나 또는 가요적일 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(110), 제2 기판(220), 제3 기판(130) 및 제4 기판(240)은 개별적으로 규소, 게르마늄, 유리, 플라스틱, 석영, 사파이어, 폴리머, 수지, 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 다른 적절한 재료 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 선택적으로, 적어도 하나의 전도성 층(예컨대, 적어도 하나의 금속층), 적어도 하나의 절연층, 적어도 하나의 반도체층 또는 이들의 조합이 제1 기판(110), 제2 기판(220), 제3 기판(130) 및/또는 제4 기판(240)에 포함될 수 있다. 예를 들어, 이들 기판 중의 적어도 하나는 전도성 구성품(들)(예컨대, 연결 트레이스(들) 및/또는 결합 패드(들))을 포함하도록 라미네이트(예컨대, 구리 클래드 라미네이트, CCL), 랜드 그리드 어레이(LGA) 기판 또는 전도성 재료를 포함하는 임의의 다른 적절한 기판을 포함하는 회로 기판일 수 있다.
도 1에서, 제1 서브-패키지 구조체(100)와 제2 서브-패키지 구조체(200)가 서로에 연결되도록 제2 기판(220)은 제1 기판(110)에 연결될 수 있다. 따라서, 제1 기판(110)과 제 2 기판(220)은 제3 기판(130)과 제4 기판(240) 사이에 있을 수 있다.
음향 변환을 수행하도록 구성된 복수의 칩(CP)이 소리 발생 패키지 구조(PKG1)에 포함될 수 있다. 이 실시예에서, 제1 서브-패키지 구조체(100) 및 제2 서브-패키지 구조체(200)는 개별적으로 적어도 하나의 칩(CP)을 포함할 수 있다. 도 1에서, 제1 서브-패키지 구조체(100)는 제1 칩(CP1)을 포함할 수 있고, 제2 서브-패키지 구조체(200)는 제2 칩(CP2)을 포함할 수 있다. 선택적으로, 제1 서브-패키지 구조체(100)는 제3 칩(CP3)을 더 포함할 수 있고, 제2 서브-패키지 구조체(200)는 제4 칩(CP4)을 더 포함할 수 있다. 도 1에 나타나 있는 바와 같이, 제1 칩(CP1)과 제3 칩(CP3)은 제1 기판(110)과 제3 기판(130) 사이에 배치될 수 있고, 제2 칩(CP2)과 제4 칩(CP4)은 제2 기판(220)과 제4 기판(240) 사이에 배치될 수 있다.
도 1에 나타나 있는 바와 같이, 제1 칩(CP1)은 제1 기판(110)에 연결될 수 있고, 제2 칩(CP2)은 제2 기판(220)에 연결될 수 있으며, 제3 칩(CP3)은 제3 기판(130)에 연결될 수 있고, 그리고 제4 칩(CP4)은 제4 기판(240)에 연결될 수 있다. 칩(CP)은 임의의 적절한 구성품을 통해 기판에 연결될 수 있다. 예를 들어, 도 1에서, 칩(CP)이 기판에 연결되도록 이 칩(CP)은 연결 구성품(CNT)을 통해 기판에 부착될 수 있고, 전도성 와이어(WI)(즉, 전도성 와이어(WI)는 와이어 결합 공정에 의해 형성됨)를 통해 기판의 내부 결합 패드(INP)에 전기적으로 연결될 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 연결 구성품(CNT)은 절연성 접착 재료 및/또는 전도성 접착 재료, 예를 들어, 접착제, 에폭시, 다이 부착 필름(DAF), 건조 필름 및/ 또는 땜납을 포함할 수 있지만, 이에 한정되지 않음을 유의해야 한다. 연결 구성품(CNT)이 전도성 접착 재료를 포함하는 경우, 칩(CP)은 연결 구성품(CNT)에 의해 기판의 전도 구성품(예컨대, 내부 결합 패드(INP))에 전기적으로 연결될 수 있다. 일부 실시예(도에는 나타나 있지 않음)에서, 전도성 와이어(WI)는 존재하지 않을 수 있고, 칩(CP)은 연결 구성품(CNT)(예를 들어, 플립 칩 패키지)에 의해 기판의 내부 결합 패드(INP)에 전기적으로 연결될 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.
도 1에서, 제1 칩(CP1)은 제1 기판(110)의 법선 방향으로 제3 칩(CP3)과 겹치며, 제2 칩(CP2)은 제1 기판(110)의 법선 방향으로 제4 칩(CP4)과 겹칠 수 있어, 제1 서브-패키지 구조체(100)와 제2 서브-패키지 구조체(200)의 횡방향 크기를 줄일 수 있다. 도면에서 제1 기판(110)의 법선 방향은 Z 방향에 평행할 수 있음에 유의한다.
칩(CP)은 음파를 발생시키기 위해 작동되도록 구성된 적어도 하나의 막을 포함할 수 있다. 도 1에서, 제1 칩(CP1)은 제1 막(MB1)을 포함하고, 제2 칩(CP2)은 제2 막(MB2)을 포함하며, 제3 칩(CP3)은 제3 막(MB3)을 포함하고, 제4 칩(CP4)은 제4 막(MB4)을 포함할 수 있다. 소리 발생 패키지 구조체(PKG1)의 작동시에, 막은 움직이도록 작동될 수 있다. 이 실시예에서, 막은 위쪽 및 아래쪽으로 움직이도록 작동될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 본 발명에서 "위쪽으로 움직인다" 및 "아래쪽으로 움직인다" 라는 말은, 막이 실질적으로 Z 방향을 따라 움직인다라는 것을 나타낸다.
칩(CP)은 막 외부에 있는 앵커 구조체를 포함할 수 있으며, 막이 그 앵커 구조체에 연결되어 앵커 구조체에 의해 정착된다. 예를 들어, 막은 앵커 구조체 의해 둘러싸여 있을 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 소리 발생 패키지 구조체(PKG1)의 작동 중에, 앵커 구조체는 움직이지 않을 수 있다. 즉, 앵커 구조체는 소리 발생 패키지 구조체(PKG1)의 작동 중에 막에 대해 고정된 단부(또는 고정된 가장자리)일 수 있다.
막 및 앵커 구조체는 어떤 적절한 재료(들)라도 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 막 및 앵커 구조체는 개별적으로 규소(예컨대, 단결정 규소 또는 다결정 규소), 규소 화합물(예컨대, 탄화규소, 산화규소), 게르마늄, 게르마늄 화합물(예컨대, 질화갈륨 또는 비화갈륨), 갈륨, 갈륨 화합물 또는 이들의 조합물을 포함할 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 막 및 앵커 구조체는 동일한 재료 또는 다른 재료를 가질 수 있다.
칩(CP)은, 막 상에 배치되고 그 막을 작동시키도록 구성된 액츄에이터를 포함할 수 있다. 따라서, 막은 그 액츄에이터에 의해 Z 방향을 따라 움직이도록 작동되어 음향 변환을 수행할 수 있다. 음파는 액츄에이터에 의해 작동되는 막의 움직임으로 인해 발생되고 막의 움직임은 음향파의 음압 레벨(SPL)과 관련이 있음을 유의해야 한다.
액츄에이터는 Z 방향을 따른 막의 움직임에 대해 단조로운 전기기계적 변환 기능을 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 액츄에이터는 압전 액츄에이터, 정전 액츄에이터, 나노스코픽-정전-구동(nanoscopic-electrostatic-drive)(NED) 액츄에이터, 전자기 액츄에이터 또는 임의의 다른 적절한 액츄에이터일 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 일 실시예에서, 액츄에이터는 압전 액츄에이터일 수 있고, 이 압전 액츄에이터는 2개의 전극 및 이들 전극 사이에 배치되는 압전 재료 층(예를 들어, 티탄지르콘산납, PZT)을 포함할 수 있고, 압전 재료 층은 전극에 의해 수신되는 구동 신호(예를 들어, 구동 전압)에 근거하여 막을 작동시킬 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 다른 실시예에서, 액츄에이터는 전자기 액츄에이터(예컨대, 평면 코일)일 수 있으며, 전자기 액츄에이터는 수신된 구동 신호(예컨대, 구동 전류) 및 자기장에 근거하여 막을 작동시킬 수 있지만(즉, 막은 전자기력에 의해 작동될 수 있음), 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 또 다른 실시예에서, 액츄에이터는 정전 액츄에이터(예컨대, 전도성 판) 또는 NED 액츄에이터일 수 있고, 정전 액츄에이터 또는 NED 액츄에이터는 수신된 구동 신호(예를 들어, 구동 전압)자기장에 근거하여 막을 작동시킬 수 있지만(즉, 막은 정전기력에 의해 작동될 수 있음), 이에 한정되지 않는다.
액츄에이터는 수신된 구동 신호(들)에 근거하여 음파를 발생시키기 위해 막을 작동시킬 수 있다. 음파는 입력 오디오 신호에 대응하고, 액츄에이터에 가해지는 구동 신호는 그 입력 오디오 신호에 대응(관련)된다.
일부 실시예에서, 음파, 입력 오디오 신호 및 구동 신호는 동일한 주파수를 갖지만, 이에 한정되지 않는다. 즉, 소리 발생 패키지 구조체(PKG1)는 소리의 주파수에서 소리를 발생시키지만(즉, 소리 발생 패키지 구조체(PKG1)는 고전적인 음파 이론의 정리의 제로 평균 흐름 가정을 따르는 음파를 발생시킴), 이에 한정되지 않는다.
각 막에 의해 발생되는 음파의 주파수 범위는 요구 사항(들)에 따라 설계될 수 있음을 유의해야 한다. 예를 들어, 막의 일 실시예는 인간의 가청 주파수 범위(예를 들어, 20Hz 내지 20kHz)를 커버하는 주파수 범위를 갖는 음파를 발생시킬수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 막의 다른 실시예는 특정 주파수 보다 높은 주파수를 갖는 음파를 발생시킬 수 있으며, 그래서 이 막을 포함하는 칩(CP)은 고주파수 소리 유닛(트위터(tweeter)) 일 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 막의 다른 실시예는 특정 주파수 보다 낮은 주파수를 갖는 음파 를 발생시킬 수 있으며, 그래서 이 막을 포함하는 칩(CP)은 저주파수 소리 유닛 (우퍼(woofer))일 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 특정 주파수는 800Hz 내지 4kHz의 값(예를 들어, 1.44kHz)일 수 있지만, 이에 한정되지 않음을 유의해야 한다.
대안적으로, 일부 실시예에서, 구동 신호는 막이 복수의 공기 펄스를 발생시키게 할 수 있으며, 각 공기 펄스는 음파의 주기 및 입력 오디오 신호의 주기보다 작은 펄스 주기를 가지며, 음파의 한 파는 복수의 공기 펄스에 의해 재생되고, 공기 펄스의 펄스 주기는 공기 펄스의 펄스율의 반대/역이고, 음파의 주기와 입력 오디오 신호의 주기는 각각 음파의 주파수와 입력 오디오 신호의 주파수의 반대/역이다. 이 경우, 공기 펄스의 펄스 주기의 길이가 동일하면, 음파의 오디오 주파수가 증가함에 따라 음파의 한 파를 재생하는 공기 펄스의 수는 감소된다. 충분한 수를 갖는 공기 펄스로 음파의 한 파를 재생하기 위해 공기 펄스의 펄스율은 인간의 최대 가청 주파수보다 높거나 인간의 최대 가청 주파수의 2배 보다 높지만(인간의 최대 가청 주파수는 일반적으로 20 kHz로 생각됨), 이에 한정되지 않는다. 더욱이, 일부 실시예에서, 나이퀴스트(Nyquist) 법칙에 따르면, 주파수 스펙트럼 앨리어싱(aliasing)을 피하기 위해 공기 펄스의 펄스율은 음파의 최대 주파수보다 적어도 2배 높을 필요가 있다.
소리 발생 패키지 구조체(PKG1)의 칩(CP)은 요구 사항(들)에 따라 동일하거나 다를 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 칩(CP1) 및 제2 칩(CP2)은 동일할 수 있고, 제3 칩(CP3) 및 제4 칩(CP4)은 제1 칩(CP1)과 동일하고 다를 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제1 칩(CP1) 및 제2 칩(CP2)은 저주파수 소리 유닛(우퍼)이 되도록, 제1 칩(CP1)에 포함되는 제1 막(MB1) 및 제2 칩(CP2)에 포함되는 제2 막(MB2)은 더 낮은 주파수를 갖는 음파를 발생시킬 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제3 칩(CP3)은 2개의 제3 막(MB3)을 포함할 수 있고, 제4 칩(CP4)은 2개의 제4 막(MB4)을 포함할 수 있고, 제3 막(MB3) 중의 하나와 제4 막(MB4) 중의 하나는 더 낮은 주파수를 갖는 음파를 발생시킬 수 있으며, 제3 막(MB3) 중의 다른 하나와 제4 막(MB4) 중의 다른 하나는 더 높은 주파수를 갖는 음파를 발생시킬 수 있으며, 그래서 제3 막(MB3)과 제4 막(MB4) 둘 모두는 고주파수 소리 유닛(트위터) 및 저주파수 소리 유닛(우퍼)를 포함할 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.
일부 실시예에서, 제1 칩(CP1) 및 제3 칩(CP3)은 동일할 수 있고, 제2 칩(CP2) 및 제4 칩(CP4)은 제1 칩(CP1)과 동일하고 다를 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 일부 실시예에서, 모든 칩(CP)은 동일하거나 다를 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
칩(CP)은 어떤 적절한 제조 공정에 의해서도 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 칩(CP)은 적어도 하나의 반도체 공정에 의해 형성될 수 있고, 반도체 공정(들)은 칩(CP)을 형성하기 위해 웨이퍼 상에서 수행될 수 있고, 웨이퍼는 규소(예를 들어, 단결정 규소 또는 다결정 규소), 규소 화합물(예컨대, 탄화규소, 산화규소), 게르마늄, 게르마늄 화합물(예컨대, 질화갈륨 또는 비화갈륨), 갈륨, 갈륨 화합물, 다른 적절한 재료 또는 이들의 조합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼, 실리콘 온 인슐레이터(silicon on insulator; SOI) 웨이퍼, 폴리실리콘 온 인슐레이터(POI) 웨이퍼, 에피택시얼 실리콘 온 인슐레이터 웨이퍼, 또는 게르마늄 온 인슐레이터(GOI) 웨이퍼일 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 일부 실시예에서, 칩(CP)은 미소 전기 기계적 시스템(MEMS) 구조일 수 있으며, 그래서 소리 발생패키지 구조체(PKG1) 및 서브-패키지 구조체는 MEMS 구조의 패키지 구조체일 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.
더욱이, 제1 서브-패키지 구조체(100)는, 제1 기판(110)과 제3 기판(130) 사이에 수직으로 배치되어 연결되는 적어도 하나의 제1 벽(150)을 더 포함할 수 있고, 제2 서브-패키지 구조체(200)는, 제2 기판(220)과 제4 기판(240) 사이에 수직으로 배치되어 연결되는 적어도 하나의 제2 벽(250)을 더 포함할 수 있다(즉, 제1 벽(150)의 길이 방향과 제2 벽(250)의 길이 방향은 Z 방향에 수직일 수 있음). 따라서, 제1 서브-패키지 구조체(100)에는, 제1 기판(110), 제3 기판(130) 및 제1 벽(150)으로 둘러싸인 공동부가 존재할 수 있고, 제2 서브-패키지 구조체(200)에는 제2 기판(220), 제4 기판(240) 및 제2 벽(250)으로 둘러싸인 공동부가 존재할 수 있다.
제 1 벽(150) 및 제 2 벽(250)은 개별적으로 경질 기판 또는 가요성 기판일 수 있다. 예를 들어, 제 1 벽(150) 및 제 2 벽(250)은 개별적으로 규소, 게르마늄, 유리, 플라스틱, 석영, 사파이어, 폴리머, 수지, 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 다른 적절한 재료 또는 이들의 조합물을 포함할 수 있다. 선택적으로, 적어도 하나의 전도성 층(예를 들어, 적어도 하나의 금속 층), 적어도 하나의 절연층, 적어도 하나의 반도체 층 또는 이들의 조합이 제1 벽(150) 및/또는 제 2 벽(250)에 포함될 수 있다 . 예를 들어, 이들 기판 중의 적어도 하나는, 전도성 구성품(들)(예컨대, 연결 트레이스(들) 및/또는 결합 패드(들))을 포함하도록 전도성 재료를 포함하는 라미네이트, 랜드 그리드 어레이 보드 또는 임의의 다른 적절 보드를 포함하는 회로 기판일 수 있다.
도 1에 나타나 있는 바와 같이, 공동부(V1)가 제1 칩(CP1)의 제1 막(MB1)과 제1 기판(110) 사이에 형성되고 이들과 직접 접촉할 수 있고, 공동부(V2)가 제2 칩(CP2)의 제2 막(MB2)과 제2 기판(220) 사이에 형성되고 이들과 직접 접촉할 수 있으며, 공동부(V3)가 제3 칩(CP3)의 제3 막(MB3)과 제3 기판(130) 사이에 형성되고 이들과 직접 접촉할 수 있으며, 그리고 공동부(V4)가 제4 칩(CP4)의 제4 막(MB4)과 제4 기판(240) 사이에 형성되고 이들과 직접 접촉할 수 있다. 더욱이, 공동부(V5)가 제1 막(MB1)과 제3 막(MB3) 사이에 형성되고 이들과 직접 접촉할 수 있으며(즉, 공동부(V5)는 제1 막(MB1)과 제3 기판(130) 사이에 형성될 수 있음), 그리고 공동부(V6)가 제2 막(MB2)과 제4 막(MB4) 사이에 형성되고 이들과 직접 접촉할 수 있다(즉, 공동부(V6)는 제2 막(MB2)과 제4 기판(240) 사이에 형성될 수 있음),
예를 들어, 도 1에서, 공동부(V5)는 제1 칩(CP1) 때문에 공동부(V1)로부터 격리되고 또한 제3 칩(CP3) 때문에 공동부(V3)로부터 격리될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 1에서, 공동부(V6)는 제2 칩(CP2)에 때문에 공동부(V2)로부터 격리되며 또한 제4 칩(CP4) 때문에 공동부(V4)로부터 격리되지만, 이에 한정되지 않는다.
도 1에 나타나 있는 바와 같이, 제1 기판(110)은 공동부(V1)에 연결되는 제1 개구(OP1)를 가질 수 있고, 제2 기판(220)은 공동부(V2)에 연결되는 제2 개구(OP2)를 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 개구(OP1)는 Z 방향으로 제2 개구(OP2)에 대응할 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.
제1 개구(OP1)와 제2 개구(OP2)에 연결되는 틈(AG)이 제1 기판(110)과 제2 기판(220) 사이에 형성될 수 있고(즉, 제1 개구(OP1)와 제2 개구(OP2)는 틈(AG)을 통해 연결될 수 있음), 그래서 소리 발생 패키지 구조체(PKG1)의 주변이 틈(AG), 제1 개구(OP1) 및 제2 개구(OP2)를 통해 공동부(V1) 및 공동부(V2)에 연결될 수 있다. 즉, 제1 기판(110)과 제2 기판(220) 사이에 존재하는 틈(AG)은 제1 개구(OP1) 및 제2 개구(OP2)로부터 제1 기판(110)의 측면 가장자리 및 제2 기판(220)의 측면 가장자리까지 이르는 공기 채널을 형성할 수 있으며, 그래서 소리 발생 패키지 구조체(PKG1)의 주변, 공동부(V1) 및 공동부(V2)는 틈(AG)을 통해 연결될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 나타나 있는 바와 같이. 틈(AG)에서, 제1 기판(110)과 제2 기판(220) 사이의 거리(SD)는 300㎛ 보다 클 수 있으며, 그리하여 공동부(V1)와 공동부(V2)로부터 소리 발생 패키지 구조체(PKG1)의 주변까지 이르는 공기 채널의 영향을 증가시킬 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.
도 1 및 도 2에 나타나 있는 바와 같이, 틈(AG)을 형성하기 위해, 제1 기판(110)은 제1 개구(OP1)에 인접하는 제1 얇은 부분(112)을 가질 수 있으며(즉, 제1 개구(OP1)의 가장자리의 적어도 일부분은 제1 얇은 부분(112)에 속할 수 있음), 그래서 틈(AG)은 제1 얇은 부분(112) 때문에 형성될 수 있다. 선택적으로, 도 1에 나타나 있는 바와 같이, 제2 기판(220)은 또한 제2 개구(OP2)에 인접하는 제2 얇은 부분(222)을 가질 수 있고(즉, 제2 개구(OP2)의 가장자리의 적어도 일부분은 제2 얇은 부분(222)에 속할 수 있음), 틈(AG)은 제1 얇은 부분(112) 및 제2 얇은 부분(222) 때문에 형성될 수 있다. 도 1에서, 제1 얇은 부분(112)의 두께는 제1 기판(110)의 다른 부분보다 작을 수 있고, 제2 얇은 부분(222)의 두께는 제2 기판(220)의 다른 부분 보다 작을 수 있다. 예컨대, 제1 얇은 부분(112)은 제1 기판(110)의 적어도 하나의 층의 일부분을 엣칭하여 형성될 수 있고, 제2 얇은 부분(222)은 제2 기판(220)의 적어도 하나의 층의 일부분을 엣칭하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 일부 실시예에서(도 1에 나타나 있는 바와 같은), 제1 얇은 부분(112)은 Z 방향으로 제2 얇은 부분(222)에 대응할 수 있으며, 그래서 틈(AG)은 제1 얇은 부분(112)과 제2 얇은 부분(222) 사이에 형성될 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.
도 1에 나타나 있는 바와 같이, 제3 기판(130)은 공동부(V3)에 연결되는 제3 개구(OP3)를 가질 수 있고, 제4 기판(240)은 공동부(V4)에 연결되는 제4 개구(OP4)를 가질 수 있으며, 그래서 공동부(V3)는 제3 개구(OP3)를 통해 소리 발생 패키지 구조체(PKG1)의 주변에 연결될 수 있고, 공동부(V4)는 제4 개구(OP4)를 통해 소리 발생 패키지 구조체(PKG1)의 주변에 연결될 수 있다. 더욱이, 도 1에 나타나 있는 바와 같이, 공동부(V5)에 연결되는 제1 벽 개구(152)가 제1 벽(150) 내에 형성될 수 있고, 공동부(V6)에 연결되는 제2 벽 개구(252)가 제2 벽(250) 내에 형성될 수 있으며, 그래서 공동부(V5)는 제1 벽 개구(152)를 통해 소리 발생 패키지 구조(PKG1)의 주변에 연결될 수 있고, 공동부(V6)는 제2 벽 개구(252)를 통해 소리 발생 패키지 구조체(PKG1)의 주변에 연결될 수 있다.
소리 발생 패키지 구조체(PKG1)는 적어도 하나의 전방 개구 및 적어도 하나의 후방 개구를 가질 수 있으며, 칩(CP)에 의해 발생되는 음파는 전방 개구를 통해 바깥쪽으로 청취자에 전파할 수 있고(즉, 전방 개구는 소리 출구로서 역할함), 후방 개구는 음향 강성을 감소시키도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 벽 개구(152) 및 제2 벽 개구(252)는 2개의 전방 개구일 수 있고, 제3 개구(OP3), 제4 개구(OP4) 및 제1 개구(OP1)와 제2 개구(OP2)에 연결되는 틈(AG)은 3개의 후방 개구일 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.
이 실시예의 제 1 서브-패키지 구조체(100)(도 1에 나타나 있는 바와 같은)에서, 제1 막(MB1) 및 제3 막(MB3)은 공동부(V5) 내에서 제1 음파를 발생시키도록 구성될 수 있고, 그 제1 음파는 제1 벽 개구(152)를 통해 제1 방향(D1)을 향해 바깥쪽으로 전파될 수 있으며, 제1 서브-패키지 구조체(100)의 제1 벽(150) 내에 형성되는 제1 벽 개구(152)는 제1 서브-패키지 구조체(100)의 소리 출구로서 역할 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.
이 실시예의 제 1 서브-패키지 구조체(100)(도 1에 나타나 있는 바와 같은)에서, 제1 막(MB1)이 작동될 때 공기파가 공동부(V1) 내에서 형성될 수 있고, 공동부(V1) 내의 공기파는 제1 개구(OP1) 및 틈(AG)을 통해 제2 방향(D2)을 향해 전파될 수 있고, 제2 방향(D2)은 제1 방향(D1)과 반대일 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 또한, 제3 막(MB3)이 작동될 때 공기파가 공동부(V3) 내에서 형성될 수 있고, 공동부(V3) 내의 공기파는 제3 개구(OP3)를 통해 제3 방향(D3)을 향해 전파될 수 있고, 제3 방향(D3)은 제1 방향(D1)에 실질적으로 수직일 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.
이 실시예의 제2 서브-패키지 구조체(200)(도 1에 나타나 있는 바와 같은)에서, 제2 막(MB2) 및 제4 막(MB4)은 공동부(V6) 내에서 제2 음파를 발생시키도록 구성될 수 있고, 그 제2 음파는 제2 벽 개구(252)를 통해 제1 방향(D1')을 향해 바깥쪽으로 전파될 수 있으며, 제2 서브-패키지 구조체(200)의 제2 벽(250) 내에 형성되는 제2 벽 개구(252)는 제2 서브-패키지 구조체(200)의 소리 출구로서 역할을 할 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 제1 방향(D1')은 제1 방향(D1)에 평행할 수 있지만, 이에 한정되지 않음을 유의해야 한다.
이 실시예의 제2 서브-패키지 구조체(200)(도 1에 나타나 있는 바와 같은)에서, 제2 막(MB2)이 작동될 때 공기파가 공동부(V2) 내에서 형성될 수 있고, 공동부(V2) 내의 공기파는 제2 개구(OP2) 및 틈(AG)을 통해 제2 방향(D2)을 향해 전파될 수 있고, 제2 방향(D2)은 제1 방향(D1')과 반대일 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 또한, 제4 막(MB4)이 작동될 때 공기파가 공동부(V4) 내에서 형성될 수 있고, 공동부(V4) 내의 공기파는 제4 개구(OP4)를 통해 제4 방향(D4)을 향해 전파될 수 있고, 제4 방향(D4)은 제1 방향(D1')(및 제1 방향(D1))에 실질적으로 수직일 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 제4 방향(D4)은 제3 방향(D3)과 반대일 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.
도 1에서, 복수의 외부 연결 패드(132)가 제3 기판(130) 내에 형성될 수 있고, 외부 연결 패드(132)는 제1 기판(110)의 반대편에 있는 제3 기판(130)의 측면에 위치될 수 있고, 제1 기판(110), 제2 기판(220), 제4 기판(240), 제1 벽(150) 및 제2 벽(250)은 외부 연결 패드(132)를 갖지 않을 수 있으며, 소리 발생 패키지 구조체(PKG1) 외부의 외부 장치가 신호(들)를 외부 연결 패드(132)를 통해 소리 발생 패키지 구조체(PKG1) 안으로 전달할 수 있다.
모든 칩(CP)은 기판(들) 내의 적어도 하나의 전도성 트레이스/라인을 통해 제3 기판(130)의 외부 연결 패드(132)에 전기적으로 연결될 수 있다.
일부 실시예에서, 제3 칩(CP3)은 제3 기판(130)의 내부 결합 패드(INP) 및 제3 기판(130)의 적어도 하나의 트레이스(도면에는 나타나 있지 않음)를 통해 외부 연결 패드(132)에 전기적으로 연결될 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.
도 1에 나타나 있는 바와 같이. 제1 벽(150)은 제1 기판(110)의 내부 결합 패드(INP)와 제3 기판(130)의 내부 결합 패드(INP) 사이에 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 제1 연결 라인(154t)을 포함할 수 있으며, 제1 연결 라인(154t)이 두 내부 결합 패드(INP) 사이에 전기적으로 연결되도록 제1 벽(150)은 전도성 구성품(예컨대, 땜납)을 통해 제1 기판(110) 및 제3 기판(130)에 연결될 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 칩(CP1)은 제1 기판(110)의 내부 결합 패드(들)(INP), 제1 기판(110)의 적어도 하나의 트레이스(도면에는 나타나 있지 않음), 제1 연결 라인(들)(154t) 및 제3 기판(130)의 적어도 하나의 트레이스(도면에 나타나 있지 않음)를 통해 외부 연결 패드(132)에 전기적으로 연결될 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.
도 1에 나타나 있는 바와 같이, 제1 기판(110)은 제2 기판(220)에 가까운 제1 기판(110)의 측면에 위치되는 제1 패키지 연결 패드(114)를 포함할 수 있고, 제2 기판(220)은 제1 기판(110)에 가까운 제2 기판(220)의 측면에 위치되는 제2 패키지 연결 패드(224)를 포함할 수 있고, 제1 패키지 연결 패드(114)와 제2 패키지 연결 패드(224)는 제1 기판(110)과 제2 기판(220) 사이에 배치된 적어도 하나의 전도성 구성품(예를 들어, 땜납)을 통해 서로에 전기적으로 연결될 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 칩(CP2)은 제2 기판(220)의 내부 결합 패드(INP), 제2 기판(220)의 적어도 하나의 트레이스(도에는 나타나 있지 않음), 제2 기판(220)의 제2 패키지 연결 패드(224), 제1 기판(110)과 제2 기판(220) 사이의 전도성 구성품, 제1 기판(110)의 제1 패키지 연결 패드(114), 제1 기판(110)의 적어도 하나의 트레이스(도에는 나타나 있지 않음), 제1 기판(110)의 내부 결합 패드(들)(INP), 제1 연결 라인(들)(154t) 및 제3 기판(130)의 적어도 하나의 트레이스(도에는 나타나 있지 않음)을 통해 외부 연결 패드(132)에 전기적으로 연결될 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.
도 1에 나타나 있는 바와 같이, 제2 벽(250)은 제2 기판(220)의 내부 결합 패드(INP)와 제4 기판(240)의 내부 결합 패드(INP) 사이에 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 제2 연결 라인(254t)을 포함할 수 있고, 제2 연결 라인(254t)이 2개의내부 결합 패드(INP) 사이에 전기적으로 연결되도록 제2 벽(250)은 전도성 구성품(예컨대, 땜납)을 통해 제2 기판(220)과 제4 기판(240)에 연결될 수 있다. 일부 실시예에서, 제4 칩(CP4)은 제4 기판(240)의 내부 결합 패드(들)(INP), 제4 기판(240)의 적어도 하나의 트레이스(도에는 나타나 있지 않음), 제 2 연결 라인(들)(254t), 제2 기판(220)의 내부 결합 패드(INP), 제2 기판(220)의 적어도 하나의 트레이스(도에는 나타나 있지 않음), 제2 기판(220)의 제2 패키지 연결 패드(224), 제1 기판(110)과 제2 기판(220) 사이의 전도성 구성품, 제1 기판(110)의 제1 패키지 연결 패드(114), 제1 기판(110)의 적어도 하나의 트레이스(도에는 나타나 있지 않음), 제1 기판(110)의 내부 결합 패드(들)(INP), 제1 연결 라인(들)(154t), 및 제3 기판(130)의 적어도 하나의 트레이스(도에는 나타나 있지 않음)를 통해 외부 연결 패드(132)에 전기적으로 연결될 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.
도 1에 나타나 있는 바와 같이, 소리 발생 패키지 구조체(PKG1)는 음향 변환 을 수행하도록 구성된 복수의 칩(CP)을 가지므로, 음파의 SPL이 향상될 수 있다. 더욱이, 칩(CP)과 기판 사이의 연결의 어려움은 칩(CP)과 다른 베이스 사이의 연결의 어려움보다 작기 때문에, 도 1에 나타나 있는 소리 발생 패키지 구조체(PKG1) 의 수율이 증가된다.
이하에서는, 소리 발생 패키지 구조체(PKG1)의 제조 방법의 세부 사항을 예시적으로 더 설명한다. 다음 방법은 예시적인 것이다. 일부 실시예에서, 다음 단계 중의 일부는 동시에 또는 다른 순서로 수행될 수 있다. 일부 실시예에서, 다음 단계 중의 하나 전 또는 후에, 어떤 다른 적절한 단계라도 추가될 수 있다.
도 1 및 도 3 내지 도 6을 참조하면, 도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 소리 발생 패키지 구조체의 제조 공정의 서로 다른 단계에서의 구조체를 도시하는 개략도이고, 도 1은 이 제조 방법으로 제조되어 얻어진 소리 발생 패키지 구조체(PKG1)를 도시한다.
소리 발생 패키지 구조체(PKG1)의 제조 방법에서, 제1 서브-패키지 구조체(100)를 형성/제조하기 위해 제1 패키징 방법이 수행되고, 제2 서브-패키지 구조체(200)를 형성/제조하기 위해 제2 패키징 방법이 수행된다. 도 3에 나타나 있는 바와 같이, 제1 패키징 방법에서, 제1 칩(CP1)은 제1 기판(110) 상에 배치되고 연결된다. 예를 들어(도 3에 나타나 있는 바와 같이), 제1 칩(CP1)은 연결 구성품(CNT)을 통해 제1 기판(110)에 부착될 수 있고, 와이어 결합 공정에 의해 형성된 전도성 와이어(WI)를 통해 제1 기판(110)의 내부 결합 패드(INP)에 전기적으로 연결되지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어(도면에는 나타나 있지 않음), 전도성 와이어(WI)는 존재하지 않을 수 있고, 제1 칩(CP1)은, 전도성 접착 재료(예를 들어, 플립 칩 CP 패키지)를 포함하는 연결 구성품(CNT)에 의해 기판의 내부 결합 패드(INP)에 전기적으로 연결될 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 유사하게, 제2 패키징 방법에서, 제2 칩(CP2)은 제2 기판(220) 상에 배치되어 연결된다.
제1 기판(110)의 제1 개구(OP1) 및 제2 기판(220)의 제2 개구(OP2)는 어떤 적절한 단계에서도 형성될 수 있음을 유의해야 한다. 예를 들어, 제1 개구(OP1)는, 제1 기판(110) 상에 제1 칩(CP1)을 배치하기 전에 제1 기판(110) 내에 형성될 수 있고, 제2 개구(OP2)는, 제2 기판(220) 상에 제2 칩(CP2)을 배치하기 전에 제2 기판(220) 내에 형성될 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.
도 4에 나타나 있는 바와 같이, 제1 패키징 방법에서, 제1 벽(150)은 제1 기판(110) 상에 배치되고 연결된다. 유사하게, 제2 패키징 방법에서, 제2 벽(250)이 제2 기판(220) 상에 배치되고 연결된다.
도 5에 나타나 있는 바와 같이, 제1 패키징 방법에서, 제3 개구(OP3)를 갖는 제3 기판(130)에 제3 칩(CP3)이 연결되고, 그런 다음에, 제3 기판(130)이 제1 벽(150) 상에 배치되고 연결되며, 그래서 제1 칩(CP1)과 제3 칩(CP3)은 제1 기판(110)과 제3 기판(130) 사이에 있다. 유사하게, 제2 패키징 방법에서, 제4 칩(CP4)은 제4 개구(OP4)를 갖는 제4 기판(240)에 연결되고, 그런 다음에 제4 기판(240)이 제2 벽(250)에 배치되고 연결되며, 그래서 제2 칩(CP2)과 제4 칩(CP4)은 제2 기판(220)과 제4 기판(240) 사이에 있다.
도 6에 나타나 있는 바와 같이, 제2 서브-패키지 구조체(200)는 제1 서브-패키지 구조체(100) 상에 배치되고 연결되며, 제1 기판(110)은 전도성 구성품(예를 들어, 땜납)을 통해 제2 기판(220)에 연결되고, 제1 기판(110)과 제2 기판(220)은 제1 칩(CP1)과 제2 칩(CP2) 사이에 있다.
도 6에 나타나 있는 바와 같이, 제1 기판(110)과 제2 기판(220) 사이에 틈(AG)이 형성된다. 이 실시예에서, 그 틈(AG)은 제1 얇은 부분(112) 및 제2 얇은 부분(220) 때문에 형성된다. 제 1 기판(110)의 제1 얇은 부분(112) 및 제2 기판(220)의 제2 얇은 부분(222)은 어떤 적절한 단계에서도 형성될 수 있음을 유의해야 한다. 예 를 들어, 제1 기판(110) 상에 제1 칩(CP1)을 배치하기 전에 제1 기판(110)을 엣칭하여 제1 얇은 부분(112)을 얻을 수 있고 , 제2 기판(220) 상에 제2 칩(CP2)을 배치하기 전에 제2 기판(220)을 엣칭하여 제2 얇은 부분(222)을 얻을 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.
도 1에 나타나 있는 바와 같이, 하나의 제1 벽(150)을 절단하여 공동부(V5)에 연결되는 제1 벽 개구(152)를 형성하고 또한 하나의 제2 벽(250)을 절단하여 공동부(V6)에 연결되는 제2 벽 개구(252)를 형성하기 위한 절단 공정이 수행된다. 이 실시예에서, 그 절단 공정은 제2 서브-패키지 구조체(200)가 제1 서브-패키지 구조체(100)에 연결된 후에 수행될 수 있다.
다른 실시예에서, 제1 벽 개구(152) 및 제2 벽 개구(252)는, 제2 서브-패키지 구조체(200)가 제1 서브-패키지 구조체(100)에 연결되기 전에 형성된다. 제1 패키징 방법에서, 제3 기판(130)이 제1 벽(150)(예컨대, 도 5에 있는 구조체) 상에 배치되고 연결된 후에, 공동부(V5)에 연결되는 제1 벽 개구(152)를 형성하기 위해 하나의 제1 벽(150)을 절단하기 위한 제1 절단 공정이 수행된다. 유사하게, 제2 패키징 방법에서, 제4 기판(240)이 제2 벽(250) 상에 배치되고 연결된 후에, 공동부(V6)에 연결되는 제2 벽 개구(252)를 형성하기 위해 하나의 제2 벽(250)을 절단하기 위한 제2 절단 공정이 수행된다.
본 발명의 소리 발생 패키지 구조체 및 그 제조 방법은 위의 실시예에 의해 한정되지 않는다. 이하, 본 발명의 다른 실시예를 설명한다. 비교의 편의를 위해 이하에서 동일한 구성품에는 동일한 부호가 붙을 것이다. 이하의 설명은 각 실시예 간의 차이점에 관한 것이며, 반복되는 부분은 중복적으로 설명되지 않을 것이다.
도 7을 참조하면, 도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 소리 발생 패키지 구조체를 도시하는 개략적인 단면도이다. 도 7에 나타나 있는 바와 같이, 제1 실시예와 이 실시예 간의 차이점은 틈(AG)의 형성이다. 도 7에서, 소리 발생 패키지 구조체(PKG2)는 제1 기판(110)과 제2 기판(220) 사이에 배치되는 스페이서(SPR)를 더 포함할 수 있으며, 제1 기판(110)은 스페이서(SPR)를 통해 제2 기판(220)에 연결될 수 있고, 제1 기판(110)의 제1 패키지 연결 패드(114)는 스페이서(SPR)를 통해 제2 패키지 연결 패드(224)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 틈(AG)은 스페이서(SPR) 때문에 형성된다. 스페이서(SPR)는 전도성 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 스페이서(SPR)는 전도성 구성품(예를 들어, 땜납), 적어도 하나의 전도성 층(예를 들어, 회로 기판)을 포함하는 기판 또는 다른 적절한 스페이서일 수 있다. 예컨대, 도 7에서, 스페이서(SPR)는 적어도 하나의 스페이서 트레이스(SPRt)를 포함하는 기판일 수 있고, 제1 패키지 연결 패드(114)는 제1 기판(110)과 스페이서(SPR) 사이에 배치되는 전도성 구성품(예컨대, 땜납)을 통해 스페이서 트레이스(SPRt)에 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 패키지 연결 패드(224)는 제2 기판(220)과 스페이서(SPR) 사이에 배치되는 전도성 구성품(예컨대, 땜납)을 통해 스페이서 트레이스(SPRt)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 그래서 제1 패키지 연결 패드(114) 및 제2 패키지 연결 패드(224)는 전도성 구성품과 스페이서 트레이스(SPRt)를 통해 전기적으로 연결될 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.
스페이서(SPR)의 존재로 인해, 제1 기판(110)과 제2 기판(220) 사이의 거리(SD)는 특정 값(예를 들어, 300㎛) 보다 클 수 있어, 제1 개구(OP1)와 제2 개구(OP2)에 연결되는 틈(AG)을 형성할 수 있다. 예컨대, 도 7에서, 기판인 스페이서(SPR)는 400㎛ 보다 큰 두께를 가질 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.
소리 발생 패키지 구조체(PKG2)의 제조 방법에 관하여, 제2 서브-패키지 구조체(200)와 제1 서브-패키지 구조체(100)를 연결하는 단계에서, 스페이서(SPR)는 제1 서브-패키지 구조체(100)에 연결될 수 있고, 그런 다음에, 스페이서(SPR)는 제2 서브-패키지 구조체(200)에 연결될 수 있다. 즉, 스페이서(SPR)는 제1 서브-패키지 구조체(100)의 제 1 기판(110)과 제2 서브-패키지 구조체(200)의 제2 기판(220) 사이에 배치될 수 있다.
더욱이, 도 7에서, 소리 발생 패키지 구조체(PKG2)는 제1 기판(110)과 제3 기판(130) 사이에 배치되는 전자 부품(EC)을 더 포함할 수 있고(즉, 전자 부품(EC)은 제1 서브-패키지 구조체(100) 내에 배치됨), 그 전자 부품(EC)은 제1 기판(110)의 법선 방향(즉, Z 방향)으로 제1 막(MB1)과 겹칠 수 있다. 전자 부품(EC)은 수동 부품, 집적 회로 칩(예를 들어, 주문형 집적 회로(ASIC) 칩) 또는 다른 적절한 전자 부품을 포함할 수 있다.
도 8을 참조하면, 도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 소리 발생 패키지 구조체를 도시하는 개략적인 단면도이다. 도 8에 나타나 있는 바와 같이, 제1 실시예와 이 실시예 간의 차이점은 틈(AG)의 형성이다. 도 8에서, 소리 발생 패키지 구조체(PKG3)는 제1 기판(110)과 제2 기판(220) 사이에 배치되는 스페이서(SPR)를 포함할 수 있고, 제1 기판(110)은 제1 얇은 부분(112)을 가질 수 있고, 제2 기판(220)은 제2 얇은 부분(222)을 가질 수 있으며, 그래서 틈(AG)은 스페이서(SPR), 제1 얇은 부분(112) 및 제2 얇은 부분(222) 때문에 형성될 수 있다.
도 9를 참조하면, 도 9는 본 발명의 제4 실시예에 따른 소리 발생 패키지 구조체를 도시하는 개략적인 단면도이다. 도 9에 나타나 있는 바와 같이, 제1 실시예와 이 실시예 간의 차이점은 전기적 연결의 설계이다. 소리 발생 패키지 구조체( PKG4)에서, 제1 기판(110)의 한 트레이스(110t) 및 제3 기판(130)의 한 트레이스(130t)는 제1 벽(150)의 제1 연결 라인(154t)에 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 기판(220)의 한 트레이스(220t)와 제4 기판(240)의 한 트레이스(240t)는 제2 벽(250)의 제2 연결 라인(254t)에 전기적으로 연결될 수 있다. 더욱이, 제1 기판(110)의 다른 트레이스(110t)는 제2 기판(220)의 다른 트레이스(220t)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 트레이스(110t)는 제1 기판(110)을 통과할 수 있고, 트레이스(220t)는 제2 기판(220)을 통과할 수 있고, 트레이스(130t)는 제3 기판(130)을 통과할 수 있으며, 그리고 트레이스(240t)는 제4 기판(240)을 통과할 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 이들 트레이스와 이들 연결 라인은 전도성 구성품(예컨대, 땜납)을 통해 서로에 전기적으로 연결될 수 있지만, 이에 한정되지 않음을 유의해야 한다.
일 실시예에서, 모든 칩(CP)은 기판(들)의 트레이스(들) 및/또는 벽의 연결 라인(들)을 통해 제3 기판(130)의 외부 연결 패드(132)에 전기적으로 연결될 수 있다.
도 10을 참조하면, 도 10은 본 발명의 제5 실시예에 따른 소리 발생 패키지 구조체를 도시하는 개략적인 단면도이다. 도 10에 나타나 있는 바와 같이, 제1 실시예와 이 실시예 간의 차이점은 서브-패키지 구조체의 개수이다. 이 실시예의 소리 발생 패키지 구조체(PKG5)에서, 적층되는 서브-패키지 구조체의 개수는 2보다 클 수 있고, 소리 발생 패키지 구조체(PKG5)의 주변에 연결되는 복수의 틈(AG)이 서브-패키지 구조체들 사이에 형성될 수 있고, 서브-패키지 구조체의 설계 및 틈AG)의 설계는 위의 실시예(들)와 동일하거나 유사할 수 있다.
예를 들어, 서브-패키지 구조체는 하나의 제1 서브-패키지 구조체(100), 하나의 제2 서브-패키지 구조체(200) 및 적어도 하나의 제3 서브-패키지 구조체(300)를 포함할 수 있으며, 제3 서브-패키지 구조체(들)(300)는 제1 서브-패키지 구조체(100)와 제2 서브-패키지 구조체(200) 사이에 배치될 수 있고, 각 틈(AG)이 2개의 인접하는 서브-패키지 구조체 사이에 형성될 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제3 서브-패키지 구조체(300)는 제5 기판(310), 제6 기판(320) 및 제5 기판(310)과 제6 기판(320) 사이에 배치되는 복수의 칩(CP)(예를 들어, 2개의 칩(CP))을 포함할 수 있다. 소리 발생 패키지 구조체(PKG5)에 있는 모든 칩(CP)은 기판(들)의 적어도 하나의 트레이스 및/또는 벽(들)의 적어도 하나의 전도성 라인을 통해 제3 기판(130)의 외부 연결 패드(132)에 전기적으로 연결될 수 있다.
예를 들어, 도 10에서, 기판(들)의 얇은 부분(들) 때문에 틈(AG)이 형성될 수 있다. 도 10에 나타나 있는 바와 같이. 제1 서브-패키지 구조체(100)의 제1 기판(110)의 제1 얇은 부분(112)과 제3 서브-패키지 구조체(300)의 제5 기판(310)의 제3 얇은 부분(312) 사이에 하나의 틈(AG)이 형성될 수 있고, 다른 틈(AG)이 제2 서브-패키지 구조체(200)의 제2 기판(220)의 제2 얇은 부분(222)과 제3 서브-패키지 구조체(300)의 제6 기판(320)의 제4 얇은 부분(322) 사이에 형성될 수 있다. 도 10에서, 제3 서브-패키지 구조체(300)의 제5 기판(310)의 제3 얇은 부분(312)과 제3 서브-패키지 구조체(300)의 제6 기판(320)의 제4 얇은 부분(322) 사이에 적어도 하나의 틈(AG)이 형성될 수 있다.
요컨대, 본 발명에 따르면, 소리 발생 패키지 구조체의 수율 및 신뢰성이 향상되고, 그 소리 발생 패키지 구조체에 의해 발생되는 음파의 SPL이 증가된다.
당업자는 본 발명의 교시를 유지하면서 장치 및 방법의 많은 수정 및 변경이 이루어질 수 있음을 쉽게 알 것이다. 따라서, 위의 개시 내용은 첨부된 청구의 경계 및 범위에 의해서만 한정되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (26)

  1. 소리 발생 패키지 구조체로서,
    제1 서브-패키지 구조체, 및 상기 제1 서브-패키지 상에 배치되는 제2 서브-패키지 구조체를 포함하고,
    상기 제1 서브-패키지 구조체는,
    제1 개구를 갖는 제1 기판; 및
    제1 막을 포함하고 상기 제1 기판에 연결되는 제1 칩을 포함하고,
    제1 공동부가 상기 제1 막과 제1 기판 사이에 형성되며,
    상기 제1 서브-패키지 구조체와 제2 서브-패키지 구조체는 적층되며, 상기 제2 서브-패키지 구조체는,
    상기 제1 기판에 연결되고 제2 개구를 갖는 제2 기판 - 상기 제2 개구와 제1 개구는 연결됨 -; 및
    제2 막을 포함하고 상기 제2 기판에 연결되는 제 2 칩을 포함하고,
    제2 공동부가 상기 제2 막과 제2 기판 사이에 형성되며,
    상기 소리 발생 패키지 구조체의 주변, 상기 제1 공동부 및 제2 공동부가 연결되도록, 상기 제1 개구와 제2 개구에 연결되는 틈이 상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 형성되는, 소리 발생 패키지 구조체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판은 상기 제1 개구에 인접하는 제1 얇은 부분을 가지며, 상기 틈은 상기 제1 얇은 부분 때문에 형성되는, 소리 발생 패키지 구조체.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 기판은 상기 제2 개구에 인접하는 제2 얇은 부분을 가지며, 상기 틈은 상기 제1 얇은 부분과 제2 얇은 부분 사이에 형성되는, 소리 발생 패키지 구조체.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되는 스페이서를 더 포함하고, 상기 틈은 상기 스페이서 때문에 형성되는, 소리 발생 패키지 구조체.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 서브-패키지 구조체는,
    제3 개구를 갖는 제3 기판; 및
    제3 막을 포함하고 상기 제3 기판에 연결되는 제3 칩을 더 포함하며,
    제3 공동부가 상기 제3 막과 상기 제3 기판 사이에 형성되며, 상기 제3 개구는 상기 제3 공동부에 연결되는, 소리 발생 패키지 구조체.
  6. 제5항에 있어서,
    제4 공동부가 상기 제1 막과 제3 막 사이에 형성되며,
    제4 공동부는 상기 제1 칩 때문에 상기 제1 공동부로부터 격리되어 있고,
    상기 제4 공동부는 상기 제3 칩 때문에 상기 제3 공동부로부터 격리되어 있는, 소리 발생 패키지 구조체.
  7. 제6항에 있어서,
    제1 벽 개구가 상기 제1 서브-패키지 구조체 내에 형성되어 있고 상기 제1 서브-패키지 구조체의 소리 출구로서의 역할을 하며,
    상기 제1 벽 개구와 제4 공동부는 연결되어 있는, 소리 발생 패키지 구조체.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 서브-패키지 구조체는, 상기 제1 기판과 제3 기판 사이에 배치되는 적어도 하나의 제1 벽을 포함하고,
    상기 제1 벽 개구는 상기 적어도 하나의 제1 벽 중 하나의 내부에 형성되어 있는, 소리 발생 패키지 구조체.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제1 막과 제3 막은 상기 제4 공동부 내에서 제1 음파를 발생시키도록 구성되어 있고,
    상기 제1 음파는 상기 제1 벽 개구를 통해 제1 방향을 향해 전파되는, 소리 발생 패키지 구조체.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 공동부 내의 공기파가 상기 제1 개구 및 틈을 통해 제2 방향을 향해 전파되고,
    상기 제2 방향은 제1 방향과 반대인, 소리 발생 패키지 구조체.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제3 공동부 내의 공기파가 상기 제3 개구를 통해 제3 방향을 향해 전파되며,
    상기 제3 방향은 제1 방향에 수직인, 소리 발생 패키지 구조체.
  12. 제5항에 있어서,
    상기 제2 서브-패키지 구조체는,
    제4 개구를 갖는 제4 기판; 및
    제4 막을 포함하고 상기 제4 기판에 연결되는 제4 칩을 더 포함하며,
    제5 공동부가 상기 제4 막과 제4 기판 사이에 형성되며,
    상기 제4 개구는 상기 제5 공동부에 연결되는, 소리 발생 패키지 구조체.
  13. 제12항에 있어서,
    제6 공동부가 상기 제2 막과 상기 제4 막 사이에 형성되며,
    상기 제6 공동부는 상기 제2 칩 때문에 상기 제2 공동부로부터 격리되고,
    상기 제6 공동부는 상기 제4 칩 때문에 상기 제5 공동부로부터 격리되는, 소리 발생 패키지 구조체.
  14. 제13항에 있어서,
    제2 벽 개구가 상기 제2 서브-패키지 구조체 내에 형성되어 있고 제2 서브-패키지 구조체의 소리 출구로서의 역할을 하며,
    상기 제2 벽 개구와 상기 제6 공동부는 연결되어 있는, 소리 발생 패키지 구조체.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제2 서브-패키지 구조체는, 상기 제2 기판과 제4 기판 사이에 배치되는 적어도 하나의 제2 벽을 포함하고,
    상기 제2 벽 개구는 상기 적어도 하나의 제2 벽 중 하나의 내부에 형성되어 있는, 소리 발생 패키지 구조체.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 제2 막과 제4 막은 상기 제6 공동부 내에서 제2 음파를 발생시키도록 구성되어 있고,
    상기 제2 음파는 상기 제2 벽 개구를 통해 제1 방향을 향해 전파되는, 소리 발생 패키지 구조체.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제2 공동부 내의 공기파가 상기 제2 개구 및 틈을 통해 제2 방향을 향해 전파되고,
    상기 제2 방향은 제1 방향과 반대인, 소리 발생 패키지 구조체.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 제5 공동부 내의 공기파가 상기 제4 개구를 통해 제4 방향을 향해 전파되며,
    상기 제4 방향은 제1 방향에 수직인, 소리 발생 패키지 구조체.
  19. 제12항에 있어서,
    음파가 상기 소리 발생 패키지 구조체 내에서 발생되며, 그 음파는 벽 개구를 통해 제1 방향을 향해 전파되며,
    상기 제3 공동부 내의 제1 공기파가 상기 제3 개구를 통해 제3 방향을 향해 전파되며,
    상기 제5 공동부 내의 제2 공기파가 제4 개구를 통해 제4 방향을 향해 전파되며,
    상기 제4 방향은 제3 방향과 반대이며,
    상기 제3 방향과 제4 방향은 상기 제1 방향에 수직인, 소리 발생 패키지 구조체.
  20. 제1항에 있어서,
    복수의 서브-패키지 구조체를 포함하고,
    상기 복수의 서브-패키지 구조체는 상기 제1 서브-패키지 구조체와 제2 서브-패키지 구조체를 포함하며,
    상기 서브-패키지 구조체들은 적층되며,
    복수의 틈이 상기 복수의 서브-패키지 구조체 사이에 형성되며, 상기 주변과 복수의 틈이 연결되어 있는, 소리 발생 패키지 구조체.
  21. 제1항에 있어서,
    복수의 칩을 포함하고,
    상기 복수의 칩은 상기 제1 칩과 제2 칩을 포함하며,
    상기 제1 서브-패키지 구조체는 제3 기판 및 외부 연결 패드를 포함하고,
    상기 외부 연결 패드는 상기 제3 기판 내부에 형성되며,
    상기 복수의 칩은 외부 연결 패드에 전기적으로 연결되는, 소리 발생 패키지 구조체.
  22. 제1항에 있어서,
    상기 제1 서브-패키지 구조체 내부에 배치되는 전자 부품을 포함하는 소리 발생 패키지 구조체.
  23. 소리 발생 패키지 구조체의 제조 방법으로서,
    제1 서브-패키지 구조체를 제조하는 단계 - 상기 제1 서브-패키지 구조체를 제조하는 단계는 제1 기판 상에 제1 칩을 배치하는 것을 포함하고, 제1 개구가 상기 제1 기판 내에 형성되며, 제1 공동부가 상기 제1 칩의 제1 막과 제1 기판 사이에 형성됨 -;
    제2 서브-패키지 구조체를 제조하는 단계 - 상기 제2 서브-패키지 구조체를 제조하는 단계는 제2 기판 상에 제2 칩을 배치하는 것을 포함하고, 제2 개구가 상기 제2 기판 내에 형성되며, 제2 공동부가 상기 제2 칩의 제2 막과 제2 기판 사이에 형성됨 -;
    상기 제2 서브-패키지 구조체를 제1 서브-패키지 구조체에 연결하는 단계 - 상기 제1 기판은 제2 기판에 연결되며, 제1 기판과 제2 기판은 제1 칩과 제2 칩 사이에 있음 -; 및
    상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 틈을 형성하는 단계를 포함하고,
    기 소리 발생 패키지 구조체의 주변, 제1 공동부 및 제2 공동부가 연결되도록, 상기 틈은 상기 제1 개구 및 제2 개구에 연결되는,
    소리 발생 패키지 구조체의 제조 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 틈을 형성하는 단계는, 제1 얇은 부분을 얻기 위해 상기 제1 기판을 엣칭하는 것을 포함하고,
    상기 틈은 상기 제1 얇은 부분 때문에 형성되는, 소리 발생 패키지 구조체의 제조 방법.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 틈을 형성하는 단계는, 제2 얇은 부분을 얻기 위해 상기 제2 기판을 엣칭하는 것을 포함하고,
    상기 틈은 상기 제1 얇은 부분과 제2 얇은 부분 사이에 형성되는, 소리 발생 패키지 구조체의 제조 방법.
  26. 제23항에 있어서,
    상기 틈을 형성하는 단계는, 상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 스페이서를 배치하는 것을 포함하고,
    상기 틈은 상기 제1 기판과 제2 기판 사이의 스페이서 때문에 형성되는, 소리 발생 패키지 구조체의 제조 방법.
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