CN117915240A - 封装结构、设备以及其形成方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种封装结构、设备以及其形成方法。封装结构包括壳盖以及设置在壳盖内的单元。单元包括振膜、致动层与锚定结构。振膜包括第一振膜子部与第二振膜子部，其中第一振膜子部与第二振膜子部在俯视上彼此相对。致动层在俯视方向上设置在第一振膜子部与第二振膜子部上。振膜锚定于锚定结构。第一振膜子部包括第一锚定边缘，第一锚定边缘被完全锚定或部分锚定，且在第一振膜子部中除了第一锚定边缘之外的边缘都是非锚定的。第二振膜子部包括第二锚定边缘，第二锚定边缘被完全锚定或部分锚定，且在第二振膜子部中除了第二锚定边缘之外的边缘都是非锚定的。

Description

封装结构、设备以及其形成方法

技术领域

本发明涉及封装结构、设备以及其形成方法，尤其涉及包含具有高良率及/或高性能的发声单元的封装结构、包含此封装结构的设备、此封装结构的形成方法以及此设备的形成方法。

背景技术

由于诸如微机电系统(Micro Electro Mechanical System,MEMS)微型扬声器等的微型声音产生装置由于其尺寸小而可用于各种电子装置，因此微型声音产生装置近年来发展迅速。举例而言，MEMS微型扬声器可使用薄膜压电材料作为致动件以及含硅层作为振膜，而它们由至少一半导体工艺所形成。为了使微型扬声器得到更广泛的应用，业界致力于设计高良率与高性能的微型扬声器。

发明内容

因此，本发明的主要目的是提供一种包含具有特定狭缝设计及/或特定凹槽设计的发声单元的封装结构，以提高其良率与性能，并提供一种此封装结构的形成方法。本发明也提供一种包含此封装结构的设备，并提供一种此设备的形成方法。

本发明的一实施例提供了一种封装结构，其包括壳盖以及设置在壳盖内的单元。单元包括振膜、致动层与锚定结构。振膜包括第一振膜子部与第二振膜子部，其中第一振膜子部与第二振膜子部在沿着俯视方向的俯视上彼此相对，使得第一振膜子部与第二振膜子部在垂直于俯视方向的第一方向上彼此相对。致动层在俯视方向上设置在第一振膜子部与第二振膜子部上。振膜锚定于锚定结构。第一振膜子部包括第一锚定边缘，第一锚定边缘完全连接或部分连接锚定结构以被锚定结构完全锚定或部分锚定，且在第一振膜子部中除了第一锚定边缘之外的边缘都是非锚定的。第二振膜子部包括第二锚定边缘，第二锚定边缘完全连接或部分连接锚定结构以被锚定结构完全锚定或部分锚定，且在第二振膜子部中除了第二锚定边缘之外的边缘都是非锚定的。

本发明的另一实施例提供了一种设备，其包括外壳以及上述的封装结构。

本发明的另一实施例提供了一种封装结构的形成方法，此形成方法包括：进行制造方法以制造单元；以及设置单元在壳盖内。单元的制造方法包括：提供晶圆，其中晶圆包括第一层与第二层；以及图案化晶圆的第一层，以形成至少一沟道线。第一层包括振膜，振膜锚定于单元的锚定结构，至少一狭缝是因为沟道线而形成在振膜中并贯穿振膜。振膜包括第一振膜子部与第二振膜子部，第一振膜子部与第二振膜子部在沿着俯视方向的俯视上彼此相对，使得第一振膜子部与第二振膜子部在垂直于俯视方向的第一方向上彼此相对。第一振膜子部包括第一锚定边缘，第一锚定边缘完全连接或部分连接锚定结构以被锚定结构完全锚定或部分锚定，且在第一振膜子部中除了第一锚定边缘之外的边缘都是非锚定的。第二振膜子部包括第二锚定边缘，第二锚定边缘完全连接或部分连接锚定结构以被锚定结构完全锚定或部分锚定，且在第二振膜子部中除了第二锚定边缘之外的边缘都是非锚定的。

本发明的另一实施例提供了一种设备的形成方法，此形成方法包括：根据上述的形成方法形成封装结构；以及通过表面贴装技术(surface mount technology)将封装结构组装在包括外壳的设备中。

在阅读了下文示出有各种附图的实施例的详细描述之后，对于所属领域的通常知识者来说，应可清楚明了本发明的目的。

附图说明

图1所示为本发明第一实施例的发声单元的俯视示意图。

图2所示为图1的区域R1中的结构的放大示意图。

图3至图8所示为本发明一实施例的发声单元的制造方法在不同阶段时的结构的示意图。

图9所示为本发明第二实施例的发声单元的俯视示意图。

图10所示为图9的区域R2中的结构的放大示意图。

图11所示为本发明第三实施例的发声单元的俯视示意图。

图12所示为本发明第四实施例的发声单元的俯视示意图。

图13所示为本发明第五实施例的发声单元的俯视示意图。

图14所示为本发明第六实施例的发声单元的俯视示意图。

图15所示为图14的区域R3中的结构的放大示意图。

图16所示为本发明第七实施例的发声单元的俯视示意图。

图17所示为本发明第八实施例的发声单元的俯视示意图。

图18所示为本发明第九实施例的发声单元的俯视示意图。

图19所示为本发明第九实施例的发声单元的侧视示意图。

图20所示为本发明第十实施例的发声单元的俯视示意图。

图21所示为本发明一实施例的封装结构的示意图。

图22所示为图21示出的封装结构的底视示意图。

图23所示为图21示出的封装结构的剖面示意图。

图24所示为本发明一实施例的封装结构的示意图。

图25所示为本发明一实施例的封装结构的示意图。

图26所示为图25示出的封装结构的剖面示意图。

图27所示为本发明一实施例的封装结构的示意图。

图28所示为图27示出的封装结构的剖面示意图。

图29所示为本发明一实施例的设备的剖面示意图。

图30所示为本发明一实施例的设备的示意图。

附图标记如下：

100、200、300、400、500、600、700、800、900、900’、SPC发声单元

110 振膜

112 第一振膜子部

112a 第一锚定边缘

112n1第一非锚定边缘

112n2第二非锚定边缘

114 第二振膜子部

114a 第二锚定边缘

114n3第三非锚定边缘

114n4第四非锚定边缘

116第三振膜子部

116a第三锚定边缘

116n5第五非锚定边缘

118第四振膜子部

118a第四锚定边缘

118n6第六非锚定边缘

120锚定结构

130致动层

310闩锁结构

312第一闩锁元件

314第二闩锁元件

912p1、912p2、912p3部分

AL 黏着层

AM 致动材料

AP 锚定部

APT 设备

BS 基底

BS_AS设备基底

BS_ASc、CPC导电垫

BS_Asp设备基底开口

CAL 导电黏着层

CDB 导电层

CPS 补偿氧化物层

CR 角落区

CRC 导电环

CS_V覆盖结构

CT1 第一导电层

CT2 第二导电层

CV 腔体

CV1 第一子腔体

CV2 第二子腔体

CVi 内腔体

HS 壳盖

NP 非锚定部

OC 外壳

OCp 流出开口

OP1 第一壳盖开口

OP2 第二壳盖开口

OPV 基板开口

PKG 封装结构

R1、R2、R3区域

RS 凹槽结构

SB 基板

SIL 隔离绝缘层

SL 狭缝

SL1 第一狭缝

SL2 第二狭缝

SL3 第三狭缝

SL4、SL4’第四狭缝

SL5 第五狭缝

SL6 第六狭缝

SLi 侧狭缝

SLn1 第一内部狭缝

SLn2 第二内部狭缝

SLs 狭缝段

SPR1 第一弹簧

SPR2 第二弹簧

SPR3 第三弹簧

ST_V通气基板

SW侧壁

TF_V膜结构

TL 沟道线

TS 顶部结构

VD 通气装置

WF 晶圆

WL1 第一层

WL1a上表面

WL2 第二层

WL3 绝缘层

X、Y、Z方向

具体实施方式

为使本领域的通常知识者能更进一步了解本发明，下文将详细说明所列举的本发明的优选实施例、关键元件的典型材料或参数范围，并配合具有标记的附图说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。须注意的是，附图均为简化的示意图，且基于目前技术说明了关键元件的材料和参数范围，因此，仅显示与本发明有关的元件与组合关系，以对本发明的基本架构、实施方法或操作提供更清楚的描述。实际的元件与布局可能更为复杂，且所使用的材料或参数范围可能会随着未来技术的发展而变化。另外，为了方便说明，本发明的各附图中所示的元件可非以实际数目、形状、尺寸做等比例绘制，其详细情况可依照设计的需求进行调整。

在下文说明书与权利要求书中，“包括”、“含有”、“具有”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。因此，当本发明的描述中使用术语“包括”、“含有”及/或“具有”时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在。

在下文说明书与权利要求书中，当“B1构件由C1所形成”时，C1存在于B1构件的形成或C1使用在B1构件的形成，并且，B1构件的形成中不排除一个或多个其他的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在与使用。

在下文说明书与权利要求书中，术语“水平方向”表示为平行水平面的方向，术语“水平面”表示平行于附图中方向X与方向Y的表面，术语“铅直方向”、“俯视方向”表示平行于附图中方向Z的方向，其中方向X、Y、Z彼此垂直。在下文说明书与权利要求书中，术语“俯视”、“底视”表示沿着铅直方向的观看结果，术语“侧视”表示沿着水平方向的观看结果。

在下文说明书与权利要求书中，术语“实质上”是指可存在或不存在微小偏差。举例来说，术语“实质上平行”、“实质上沿着”是指两构件之间的夹角可小于或等于特定角度阀值，例如10度、5度、3度或1度。举例来说，术语“实质上对齐”是指两构件之间的偏差可小于或等于特定差异阀值，例如2μm(微米)或1μm。举例来说，术语“实质上相同”是指偏差在给定值或给定范围内，例如在10％、5％、3％、2％、1％或0.5％内。

说明书与权利要求书中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词用以修饰元件，其本身并不意含及代表该(或多个所述)元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，多个序数的使用仅用来使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。权利要求书与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。

须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。

在本发明中，发声单元可执行声学转换(acoustic transformation)，其中声学转换可将信号(例如，电信号或其他适合类型的信号)转换为声波。在一些实施例中，发声单元可为声音产生装置、扬声器、微型扬声器或其他适合的装置，以将电信号转换成声波，但不以此为限。需注意的是，发声单元的操作是指由发声单元执行声学转换(例如，声波是通过电性驱动信号致动发声单元来产生)。

在发声单元的使用上，发声单元可设置在一基底上。基底可为硬质基底或可挠基底，其中基底可包括硅(silicon)、锗(germanium)、玻璃、塑胶、石英、蓝宝石、金属、聚合物(例如，聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET))、任何适合的材料或其组合。在一范例中，基底可为包括积层板(laminate)(例如铜箔基板(copper clad laminate,CCL))、平面网格阵列板(land grid array board,LGAboard)或任何其他适合的包含导电材料的板的电路板，但不以此为限。须说明的是，基底的法线方向可平行附图中的方向Z。

请参考图1与图2，图1所示为本发明第一实施例的发声单元的俯视示意图，图2所示为图1的区域R1中的结构的放大示意图。如图1所示，发声单元100包括振膜110以及振膜110外的至少一锚定结构120，其中振膜110连接于锚定结构120，以被锚定结构120锚定。举例而言，振膜110可被锚定结构120所环绕，但不以此为限。

在发声单元100的操作中，振膜110可被致动以移动。在本实施例中，振膜110可被致动以向上移动与向下移动，但不以此为限。须说明的是，在本发明中，术语“向上移动”与“向下移动”表示振膜110实质上沿着方向Z移动。在发声单元100的操作期间中，锚定结构120可为固定不动。换句话说，在发声单元100的操作期间中，锚定结构120可为相对于振膜110的固定端(或固定边缘)。

振膜110的形状可依据需求而设计。在一些实施例中，振膜110的形状可为多边形(如，矩形或具有倒角的矩形)、具有曲线边缘的形状或其他适合的形状，但不以此为限。举例来说，图1所示的振膜110的形状可为具有倒角的矩形，但不以此为限。

振膜110与锚定结构120可包括任何适合的材料。在一些实施例中，振膜110与锚定结构120可各自包括硅(例如，单晶硅或多晶硅)、硅化合物(例如，碳化硅、氧化硅)、锗、锗化合物、镓、镓化合物(例如，氮化镓、砷化镓)或其组合，但不以此为限。振膜110与锚定结构120可具有相同或不同的材料。

在本发明中，振膜110可包括多个子部。如图1所示，振膜110包括第一振膜子部112与第二振膜子部114，其中第一振膜子部112与第二振膜子部114在俯视上彼此相对(即，第一振膜子部112与第二振膜子部114在垂直于俯视方向(即，方向Z)的水平方向(如，方向Y)上彼此相对)，第一振膜子部112中仅有一个边缘通过连接到锚定结构120而被锚定，第二振膜子部114中仅有一个边缘通过连接到锚定结构120而被锚定，第一振膜子部112的其他边缘与第二振膜子部114的其他边缘都是非锚定且未连接锚定结构120(以下将这些边缘称为“非锚定边缘”)。换句话说，在图1中，第一振膜子部112的第一锚定边缘112a是第一振膜子部112中唯一被锚定的边缘，第二振膜子部114的第二锚定边缘114a是第二振膜子部114中唯一被锚定的边缘，其中第一振膜子部112仅通过第一锚定边缘112a直接连接锚定结构120，第二振膜子部114仅通过第二锚定边缘114a直接连接锚定结构120。在本发明中，第一锚定边缘112a与第二锚定边缘114a可被完全锚定或部分锚定。举例而言，在图1所示的实施例中，第一锚定边缘112a与第二锚定边缘114a被完全锚定。

如图1所示，振膜110具有多个狭缝SL，其中振膜110可通过狭缝SL而区分为多个子部。在本发明中，狭缝SL可具有至少一直线图案、至少一曲线图案或其组合，而狭缝SL的宽度应足够小。举例而言，狭缝SL的宽度可为1μm(微米)至5μm，但不以此为限。

在图1与图2中，振膜110可具有第一狭缝SL1、至少一第二狭缝SL2与至少一第三狭缝SL3，其中第一狭缝SL1可形成在第一振膜子部112与第二振膜子部114之间，第二狭缝SL2可形成在第一振膜子部112与锚定结构120之间，第三狭缝SL3可形成在第二振膜子部114与锚定结构120之间，第二狭缝SL2的一端可位于振膜110的角落区CR中(如图2所示)，第三狭缝SL3的一端可位于振膜110的另一个角落区CR中。举例而言，在图1中，振膜110可具有一个第一狭缝SL1、两个第二狭缝SL2与两个第三狭缝SL3，其都具有直线图案，第一振膜子部112在俯视上可在两个第二狭缝SL2之间，第二振膜子部114在俯视上可在两个第三狭缝SL3之间，但不以此为限。

在图1中，各子部的非锚定边缘可由狭缝SL来实现。关于第一振膜子部112，在俯视上相对于第一锚定边缘112a的第一非锚定边缘112n1可由第一狭缝SL1所定义，相邻于第一锚定边缘112a的第二非锚定边缘112n2可由第二狭缝SL2所定义。关于第二振膜子部114，在俯视上相对于第二锚定边缘114a的第三非锚定边缘114n3可由第一狭缝SL1所定义，相邻于第二锚定边缘114a的第四非锚定边缘114n4可由第三狭缝SL3所定义。

在本发明中，振膜110的子部的形状可依据需求而设计，其中振膜110的子部的形状可为多边形(如，矩形)、具有曲线边缘的形状或其他适合的形状。举例来说，在图1中，第一振膜子部112的形状与第二振膜子部114的形状可实质上为矩形，且第一振膜子部112与第二振膜子部114可实质上全等，但不以此为限。因此，在图1中，第二非锚定边缘112n2可相邻于并位于第一非锚定边缘112n1与第一锚定边缘112a之间，第四非锚定边缘114n4可相邻于并位于第三非锚定边缘114n3与第二锚定边缘114a之间，但不以此为限。在图1中，第二狭缝SL2与第三狭缝SL3连接于第一狭缝SL1。举例来说，第一狭缝SL1可连接在两个第二狭缝SL2之间与连接在两个第三狭缝SL3之间，但不以此为限。

由于第一振膜子部112的形状与第二振膜子部114的形状可实质上为矩形，第一锚定边缘112a、第一非锚定边缘112n1、第二锚定边缘114a与第三非锚定边缘114n3实质上彼此平行并具有实质上相同的长度，第二非锚定边缘112n2与第四非锚定边缘114n4实质上彼此平行(即，平行方向X)并具有实质上相同的长度。也就是说，定义第一非锚定边缘112n1与第三非锚定边缘114n3的第一狭缝SL1平行于第一锚定边缘112a与第二锚定边缘114a。

在一些实施例中，在图1中，第二狭缝SL2与第三狭缝SL3可彼此连接，使得第二狭缝SL2与第三狭缝SL3可结合而形成一长直线狭缝，但不以此为限。

如图1所示，第一振膜子部112的第一锚定边缘112a为振膜110的一边缘，第二振膜子部114的第二锚定边缘114a为振膜110的另一边缘。第一振膜子部112的第二非锚定边缘112n2可为或可不为振膜110的边缘，第二振膜子部114的第四非锚定边缘114n4可为或可不为振膜110的边缘。举例而言，在图1中，第一振膜子部112的第二非锚定边缘112n2可不为振膜110的边缘，第二振膜子部114的第四非锚定边缘114n4可不为振膜110的边缘，使得第二狭缝SL2在俯视上可位于第一振膜子部112与振膜110的一边缘之间，第三狭缝SL3在俯视上可位于第二振膜子部114与振膜110的一边缘之间，但不以此为限。

须说明的是，狭缝SL可释放振膜110的残余应力(residual stress)，其中残余应力是在振膜110的制造过程中产生或是原本就存在于振膜110中。

发声单元100可包括在方向Z上设置在振膜110上的致动层130，致动层130用以致动振膜110。在一些实施例中，如图1所示，致动层130在俯视上可不完全重叠于振膜110。举例而言，在图1中，致动层130可设置在第一振膜子部112与第二振膜子部114上，致动层130可在俯视上重叠于第一振膜子部112的一部分与第二振膜子部114的一部分。可选择地，在图1中，致动层130可设置在锚定结构120上并重叠于锚定结构120，且致动层130可重叠于振膜110的子部的锚定边缘，但不以此为限。

如图1所示，在俯视上，致动层130与狭缝SL之间存在有一距离，以提升狭缝SL与致动层130的可靠度，但不以此为限。

致动层130可包括对于振膜110沿方向Z上的运动具有单调的机电转换功能的致动件。在一些实施例中，致动层130可包括压电式致动件、静电式致动件、纳米静电致动式(nanoscopic-electrostatic-drive,NED)致动件、电磁式致动件或任何其他适合的致动件，但不以此为限。举例而言，在一实施例中，致动层130可包括压电式致动件，压电式致动件可包含例如两电极与设置在两电极之间的压电材料层(例如，锆钛酸铅(lead zirconatetitanate,PZT))，其中压电材料层可依据电极所接收到的驱动信号(例如，驱动电压)来致动振膜110，但不以此为限。举例而言，在另一实施例中，致动层130可包括电磁式致动件(如平面式线圈(planar coil))，其中电磁式致动件可依据所接收到的驱动信号(例如，驱动电流)与磁场来致动振膜110(即，振膜110可由电磁力所致动)，但不以此为限。举例而言，在另一实施例中，致动层130可包括静电式致动件(如，导电板)或NED致动件，其中静电式致动件或NED致动件可依据所接收到的驱动信号(例如，驱动电压)与电场来致动振膜110(即，振膜110可由静电力所致动)，但不以此为限。

振膜110通过致动层130致动，以沿着方向Z移动，进而执行声学转换。换句话说，振膜110的子部可被致动以进行上下移动，以执行声学转换。须注意的是，声波是因为由致动层130致动而造成的振膜110的移动而产生，且振膜110的移动相关于声波的声压位准(sound pressure level,SPL)。

当子部进行上下移动时，会形成在方向Z上的开口，而这些开口相邻于子部的所有非锚定边缘。举例而言，在发声单元100的操作中，中央开口可形成在第一振膜子部112的第一非锚定边缘112n1与第二振膜子部114的第三非锚定边缘114n3之间，而多个侧开口可分别形成在第一振膜子部112的第二非锚定边缘112n2与锚定结构120之间以及在第二振膜子部114的第四非锚定边缘114n4与锚定结构120之间。

振膜110的多个子部可依据需求而沿相同方向或不同方向移动。在一些实施例中，第一振膜子部112与第二振膜子部114可以在方向Z上同步地上下移动(即，第一振膜子部112与第二振膜子部114可被致动而朝向相同方向移动)，以避免在第一振膜子部112和第二振膜子部114之间形成大的中央开口，但不以此为限。

致动层130可基于所接收到的驱动信号而致动振膜110以产生声波。声波对应于输入音频信号，而施加在致动层130上的驱动信号对应于(相关于)输入音频信号。

须注意的是，发声单元100(或振膜110)的短侧可能有利于获得更高的共振频率，发声单元100(或振膜110)的长侧可能有利于扩大声压位准。换句话说，具有大的纵横比(aspect ratio)(即，长侧的长度相对于短侧的长度的比率)的发声单元100(或振膜110)相较于小的纵横比的单元可达到较高共振频率与较大声压位准。发声单元100(或振膜110)的纵横比可取决于实际需求。举例而言，发声单元100(或振膜110)的纵横比可大于2，以提升发声单元100的性能，但不以此为限。

在下文中，将进一步示例性地说明发声单元100的制造方法的细节。须说明的是，在下述的制造方法中，发声单元100中的致动层130举例可包括压电式致动件，但不以此为限。发声单元100的致动层130可使用任何适合的种类的致动件。

在下述制造方法中，形成工艺可包括原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)、化学气相沈积(chemical vapor deposition,CVD)、其他适合的工艺或其组合。图案化工艺可例如包括光刻(photolithography)、蚀刻工艺(etching process)、任何其他适合的工艺或其组合。

请参考图3至图8，图3至图8所示为本发明一实施例的发声单元的制造方法在不同阶段时的结构的示意图。在本实施例中，发声单元100可由至少一半导体工艺所制造，以形成MEMS晶片，但不以此为限。如图3所示，提供一晶圆WF，其中晶圆WF可包括第一层WL1与第二层WL2，并可选择性地包括在第一层WL1与第二层WL2之间的绝缘层WL3。

第一层WL1、绝缘层WL3与第二层WL2可各自包括任何适合的材料，使得晶圆WF可为任何适合的种类。举例来说，第一层WL1与第二层WL2可各自包括硅(例如单晶硅或多晶硅)、硅化合物(如，碳化硅、氧化硅)、锗、锗化合物、镓、镓化合物(如，氮化镓、砷化镓)或其组合，但不以此为限。在一些实施例中，第一层WL1可包括单晶硅，使得晶圆WF可为硅覆绝缘体(SOI)晶圆，但不以此为限。举例来说，绝缘层WL3可包括氧化物，如氧化硅(例如二氧化硅)，但不以此为限。第一层WL1、绝缘层WL3与第二层WL2的厚度可各自依据需求而调整。

在图3中，补偿氧化物层CPS可选择性地形成在晶圆WF的上侧，其中上侧比第一层WL1中相反于第二层WL2的上表面WL1a还高，使得第一层WL1位于补偿氧化物层CPS与第二层WL2之间。补偿氧化物层CPS中包含的氧化物的材料与补偿氧化物层CPS的厚度可依照需求而设计。

在图3中，第一导电层CT1与致动材料AM可依序形成在晶圆WF的上侧上(形成在第一层WL1上)，使得第一导电层CT1可位于致动材料AM与第一层WL1之间。在一些实施例中，第一导电层CT1与致动材料AM可彼此接触。

第一导电层CT1可包括任何适合的导电材料，致动材料AM可包括任何适合的材料。在一些实施例中，第一导电层CT1可包括金属(例如铂(platinum))，而致动材料AM可包括压电材料，但不以此为限。举例来说，压电材料可例如包括锆钛酸铅(lead-zirconate-titanate,PZT)材料，但不以此为限。此外，第一导电层CT1的厚度与致动材料AM的厚度可各自依照需求而调整。

然后，在图3中，致动材料AM、第一导电层CT1与补偿氧化物层CPS可被依序图案化。

如图4所示，隔离绝缘层SIL可形成在致动材料AM上并被图案化，而隔离绝缘层SIL的厚度和材料可依照需求进行设计。举例来说，隔离绝缘层SIL的材料可为氧化物，但不以此为限。

如图4所示，第二导电层CT2可形成在致动材料AM与隔离绝缘层SIL上，接着，可图案化第二导电层CT2。第二导电层CT2的厚度和材料可依照需求进行设计。举例来说，第二导电层CT2可包括金属(例如铂)，但不以此为限。举例来说，第二导电层CT2可接触致动材料AM。

致动材料AM、第一导电层CT1与第二导电层CT2可为发声单元100的致动层130中的子层，以使致动层130具有包含两电极与位于两电极之间的致动材料AM的压电式致动件(如，第一导电层CT1与第二导电层CT2分别作为致动层130中的第一电极与第二电极)。

在图4中，隔离绝缘层SIL可用于隔开第一导电层CT1的至少一部分与第二导电层CT2的至少一部分。

如图5所示，晶圆WF的第一层WL1可被图案化以形成沟道线TL。在图5中，沟道线TL为第一层WL1中被移除的一部分。也就是说，沟道线TL位于第一层WL1的两个部之间。

如图6所示，将晶圆WF设置在基板SB与黏着层AL上，其中黏着层AL黏着在基板SB与晶圆WF的第一层WL1之间。在图6中，致动层130位于晶圆WF与基板SB之间。由于此步骤，晶圆WF的第一层WL1与设置在晶圆WF的上侧上的结构(即，位于晶圆WF的上表面WL1a上的结构)可在后续步骤中被保护。

如图7所示，可对晶圆WF的第二层WL2进行图案化，以使第二层WL2形成锚定结构120，并使第一层WL1形成被锚定结构120锚定的振膜110。详细而言，晶圆WF的第二层WL2可具有第一部和第二部，第二层WL2的第一部可被移除，而第二层WL2的第二部可形成锚定结构120。由于第二层WL2的第一部被移除，因此第一层WL1形成振膜110，其中振膜110在俯视上对应于第二层WL2中被移除的第一部。举例而言，第二层WL2的第一部可通过深反应性离子蚀刻(deep reactive ion etching,DRIE)工艺来移除，但不以此为限。需注意的是，当晶圆WF的第一层WL1被图案化而形成沟道线TL时，可决定出振膜110的子部(如，第一振膜子部112与第二振膜子部114)的设计。

可选择地，在图7中，由于晶圆WF的绝缘层WL3存在，因此在晶圆WF的第二层WL2被图案化之后，也可移除对应于第二层WL2的第一部的绝缘层WL3的部分，以使得第一层WL1形成振膜110，但不以此为限。

另外，在图7中，第二层WL2的第二部、绝缘层WL3中重叠于第二层WL2的第二部的部分与第一层WL1中重叠于第二层WL2的第二部的部分可结合而作为锚定结构120。

如图8所示，基板SB与黏着层AL可通过适合的工艺来移除，以完成发声单元100的制造。举例而言，基板SB与黏着层AL可通过剥离工艺(peel-off process)来移除，但不以此为限。

在图8中，由于第二层WL2的第一部被移除以使得第一层WL1形成振膜110，因此狭缝SL是因为沟道线TL而形成在振膜110内并贯穿振膜110。由于狭缝SL可因沟道线TL而形成，沟道线TL的宽度可依据狭缝SL的需求进行设计。举例而言，沟道线TL的宽度可小于或等于5μm、小于或等于3μm、小于或等于2μm，使得狭缝SL可具有期望的宽度，但不以此为限。

本发明的发声单元以及其制造方法不以上述实施例为限，下文将继续公开其它实施例，然为了简化说明并突显各实施例与上述实施例之间的差异，下文中使用相同标号标注相同元件，并不再对重复部分作赘述。

请参考图9与图10，图9所示为本发明第二实施例的发声单元的俯视示意图，图10所示为图9的区域R2中的结构的放大示意图。如图9与图10所示，本实施例与第一实施例的差异在于本实施例的发声单元200包括设置在振膜110外且在发声单元200的角落的凹槽结构RS，其中凹槽结构RS直接连接于振膜110的角落区CR中的狭缝段SLs。在图9所示的实施例中，发声单元200可包括四个凹槽结构RS，设置在振膜110外且在发声单元200的四个角落，但不以此为限。

角落区CR中的狭缝段SLs可为连接于第二狭缝SL2或第三狭缝SL3的狭缝SL，或者，角落区CR中的狭缝段SLs可为第二狭缝SL2的一部分或第三狭缝SL3的一部分。狭缝段SLs可具有曲线图案、直线图案或其组合。举例而言，在图10中，狭缝段SLs可连接在第二狭缝SL2位于角落区CR中的一端与凹槽结构RS之间，而狭缝段SLs可具有曲线图案，但不以此为限。

如图9与图10所示，凹槽结构RS可形成在锚定结构120上并位于发声单元200的角落。举例来说，发声单元200可具有第一层WL1与设置在第一层WL1下的第二层WL2(如，图8)，其中第一层WL1的一部分可用以作为振膜110(即，第一层WL1可包括振膜110)，第一层WL1的另一部分可环绕振膜110并与第二层WL2结合而成为锚定结构120，振膜110的角落区CR中的狭缝段SLs可穿过第一层WL1，凹槽结构RS可穿过第一层WL1并具有属于锚定结构120(如，第二层WL2)的底部，但不以此为限。在此情况下，关于发声单元200的制造方法，振膜110的狭缝SL与凹槽结构RS可在相同工艺(相同蚀刻工艺)中被图案化(蚀刻)。

如图9与图10所示，凹槽结构RS可具有曲线图案，而凹槽结构RS的曲线图案可依据需求而设计。举例而言，在图10中，角落区CR的狭缝段SLs与凹槽结构RS可结合而形成半圆弧图案，但不以此为限。

连接位于角落区CR中的狭缝段SLs的弯曲凹槽结构RS的存在可提高发声单元200的制造过程的成功率，进而提高发声单元200的良率。详细而言，在移除基板SB与黏着层AL的步骤(如，剥离工艺)中，由于连接位于角落区CR中的狭缝段SLs的弯曲凹槽结构RS的存在，因此，应力集中位置可从振膜110的角落区CR(如，狭缝SL的一端)改变为凹槽结构RS，且施加在凹槽结构RS上的应力可被分散，以减少振膜110在此工艺中的损伤。另外，由于凹槽结构RS具有曲线图案，在此工艺中施加在凹槽结构RS上的应力可被更有效地分散，以减少凹槽结构RS的损伤，进而提高发声单元200的制造过程的成功率。

请参考图11，图11所示为本发明第三实施例的发声单元的俯视示意图。如图11所示，本实施例与第一实施例的差异在于本实施例的发声单元300的振膜110包括闩锁结构(latch structure)310。在第一振膜子部112与第二振膜子部114沿方向Z(即，设置有振膜110的基底的法线方向)移动的情况下，当第一振膜子部112在方向Z上的移动距离与第二振膜子部114在方向Z上的移动距离大于阀值时，闩锁结构310可锁住第一振膜子部112与第二振膜子部114。换句话说，闩锁结构310用以限制第一振膜子部112与第二振膜子部114的移动距离。

因为振膜110的子部仅具有一个锚定边缘，因此振膜110的子部可能脆弱且可能在制造过程中受损。在本实施例中，闩锁结构310的存在可提升制造振膜110的成功率，进而提高发声单元300的良率。详细而言，在移除基板SB与黏着层AL的步骤(如，剥离工艺)中，第一振膜子部112沿方向Z的位移与第二振膜子部114沿方向Z的位移是由黏着层AL的黏着力所造成。在此情况下，当第一振膜子部112与第二振膜子部114在方向Z上的位移量大于阀值时，闩锁结构310可锁住第一振膜子部112与第二振膜子部114，以限制第一振膜子部112与第二振膜子部114的移动，并提供对于第一振膜子部112与第二振膜子部114的恢复力，进而减少振膜110的损伤。

闩锁结构310可依据需求而有任何适合的设计。在本实施例中，图11所示的闩锁结构310可由于狭缝SL而形成。举例而言，在图11中，闩锁结构310可由于两个第一狭缝SL1与三个第四狭缝SL4、SL4’而形成，其中第一狭缝SL1与第四狭缝SL4、SL4’可在第一振膜子部112与第二振膜子部114之间，三个第四狭缝SL4、SL4’可连接在两个第一狭缝SL1之间。在图11中，第一狭缝SL1可彼此平行，但不以此为限。在图11中，沿着方向X延伸的第四狭缝SL4’可连接在沿着方向Y延伸的两个第四狭缝SL4之间，而沿着方向Y延伸的第四狭缝SL4可连接在沿着方向X延伸的第四狭缝SL4’与沿着方向X延伸的第一狭缝SL1之间，但不以此为限。

如图11所示，闩锁结构310可包括第一闩锁元件312与第二闩锁元件314，第一闩锁元件312可为第一振膜子部112的一部分(等同地，第一闩锁元件312可属于第一振膜子部112)，第二闩锁元件314可为第二振膜子部114的一部分(等同地，第二闩锁元件314可属于第二振膜子部114)。在图11中，第一闩锁元件312可设置在第二振膜子部114的第二闩锁元件314与第二振膜子部114的另一部分之间，第二闩锁元件314可设置在第一振膜子部112的第一闩锁元件312与第一振膜子部112的另一部分之间。举例而言，在图11中，第一闩锁元件312的长方向与第二闩锁元件314的长方向可实质上平行于方向X，但不以此为限。

当第一振膜子部112与第二振膜子部114沿着方向Z移动且其位移量大于阀值时，第一闩锁元件312与第二闩锁元件314相扣，以锁住第一振膜子部112与第二振膜子部114。须注意的是，狭缝SL的宽度与闩锁元件的尺寸相关于闩锁结构310的扣接效果。

请参考图12，图12所示为本发明第四实施例的发声单元的俯视示意图。如图12所示，本实施例与第一实施例的差异在于本实施例的发声单元400的振膜110包括至少一弹簧，连接在振膜110的子部之间，其中弹簧的数量可依据需求而设计。在图12中，振膜110可包括直接连接在第一振膜子部112与第二振膜子部114之间的第一弹簧SPR1。

由于第一弹簧SPR1的存在，可提升制造振膜110的成功率，进而提高发声单元400的良率。详细而言，在移除基板SB与黏着层AL的步骤中，第一振膜子部112沿方向Z的位移与第二振膜子部114沿方向Z的位移是由黏着层AL的黏着力所造成。当第一振膜子部112与第二振膜子部114沿着方向Z移动且具有大的位移量时，第一弹簧SPR1可限制第一振膜子部112与第二振膜子部114的移动，并提供对于第一振膜子部112与第二振膜子部114的恢复力，进而减少振膜110的损伤。

弹簧可依据需求而有任何适合的设计。如图12所示，第一弹簧SPR1可由于狭缝SL而形成。在本实施例中，图12所示的第一弹簧SPR1可由于两个第一狭缝SL1与两个第五狭缝SL5而形成，其中第五狭缝SL5可连接于第一狭缝SL1，且第五狭缝SL5可具有曲线图案。举例而言，第五狭缝SL5可包括钩型曲线图案，且第五狭缝SL5的一端并未连接其他狭缝SL，但不以此为限。举例来说，两个第一狭缝SL1可彼此平行，但不以此为限。

当振膜110移动时，由振膜110的变形引起的应力可能施加在弹簧上。在图12中，由于第五狭缝SL5包括曲线图案(即，钩型曲线图案)，可减少应力集中的效应，使得减少振膜110与第一弹簧SPR1上的损伤，进而提升发声单元400的良率。

另外，如图12所示，从第一弹簧SPR1至第一振膜子部112的连接方向可不同于从第一弹簧SPR1至第二振膜子部114的连接方向。举例而言，在图12中，从第一弹簧SPR1至第一振膜子部112的连接方向可相反于从第一弹簧SPR1至第二振膜子部114的连接方向，但不以此为限。举例而言，在图12中，第一弹簧SPR1可实质上为一字形，但不以此为限。

请参考图13，图13所示为本发明第五实施例的发声单元的俯视示意图。如图13所示，本实施例与第四实施例的差异在于第一弹簧SPR1的设计。在图13中，发声单元500的振膜110的第一弹簧SPR1可由于两个第一狭缝SL1、两个第五狭缝SL5与第六狭缝SL6而形成，其中两个第五狭缝SL5可连接于同一个第一狭缝SL1，第六狭缝SL6可连接另一个第一狭缝SL1，第五狭缝SL5可具有两个曲线图案与一个直线图案，而第六狭缝SL6可在两个第五狭缝SL5之间并具有曲线图案。举例而言，第五狭缝SL5可包括钩型曲线图案，且第五狭缝SL5的一端并未连接其他狭缝SL，但不以此为限。

另外，在图13所示的第一弹簧SPR1中，从第一弹簧SPR1至第一振膜子部112的连接方向可相同于从第一弹簧SPR1至第二振膜子部114的连接方向，但不以此为限。举例而言，在图13中，第一弹簧SPR1可实质上为U字形，但不以此为限。由于此设计，在第一振膜子部112与第二振膜子部114之间的中央开口的尺寸可被缩小，以降低发声单元500在操作中的空气泄漏。

当振膜110移动时，由振膜110的变形引起的应力可能施加在弹簧上。在图13中，因为有具有弯曲狭缝SL的U字形第一弹簧SPR1的设计，可减少应力集中的效应，使得减少振膜110与第一弹簧SPR1上的损伤，进而提升发声单元500的良率。

请参考图14与图15，图14所示为本发明第六实施例的发声单元的俯视示意图，图15所示为图14的区域R3中的结构的放大示意图。如图14与图15所示，本实施例与第一实施例的差异在于本实施例的发声单元600的振膜110还包括第三振膜子部116与第四振膜子部118。第三振膜子部116与第四振膜子部118在俯视上可设置在第一振膜子部112与第二振膜子部114之间，而第三振膜子部116与第四振膜子部118在俯视上可彼此相对。换句话说，第三振膜子部116在俯视上可设置在发声单元600中位于第一振膜子部112与第二振膜子部114之间的第一侧(如，左侧)，第四振膜子部118在俯视上可设置在发声单元600中位于第一振膜子部112与第二振膜子部114之间的第二侧(如，右侧)，而发声单元600的第一侧与第二侧在俯视上可彼此相对。

在图14中，第三振膜子部116中仅有一个边缘可通过连接到锚定结构120而被锚定，第四振膜子部118中仅有一个边缘可通过连接到锚定结构120而被锚定，第三振膜子部116的其他边缘与第四振膜子部118的其他边缘都是非锚定且未连接锚定结构120。换言之，第三振膜子部116的第三锚定边缘116a可为第三振膜子部116中唯一被锚定的边缘，第四振膜子部118的第四锚定边缘118a可为第四振膜子部118中唯一被锚定的边缘，其中第三振膜子部116可仅通过第三锚定边缘116a直接连接锚定结构120，第四振膜子部118可仅通过第四锚定边缘118a直接连接锚定结构120。

在图14中，一个第二狭缝SL2可位于第一振膜子部112与第三振膜子部116之间，以定义第一振膜子部112的一个第二非锚定边缘112n2与第三振膜子部116的一个第五非锚定边缘116n5，另一个第二狭缝SL2可位于第一振膜子部112与第四振膜子部118之间，以定义第一振膜子部112的另一个第二非锚定边缘112n2与第四振膜子部118的一个第六非锚定边缘118n6，一个第三狭缝SL3可位于第二振膜子部114与第三振膜子部116之间，以定义第二振膜子部114的一个第四非锚定边缘114n4与第三振膜子部116的另一个第五非锚定边缘116n5，另一个第三狭缝SL3可位于第二振膜子部114与第四振膜子部118之间，以定义第二振膜子部114的另一个第四非锚定边缘114n4与第四振膜子部118的另一个第六非锚定边缘118n6。在一些实施例中，第三振膜子部116的第五非锚定边缘116n5可相邻于第三振膜子部116的第三锚定边缘116a，第四振膜子部118的第六非锚定边缘118n6可相邻于第四振膜子部118的第四锚定边缘118a，但不以此为限。

如图14所示，第一振膜子部112的形状与第二振膜子部114的形状可实质上为梯形，第三振膜子部116的形状与第四振膜子部118的形状可实质上为三角形，第一振膜子部112与第二振膜子部114可实质上全等，第三振膜子部116与第四振膜子部118可实质上全等，但不以此为限。

在发声单元600的操作期间中，侧开口分别位在第一振膜子部112与第三振膜子部116之间、第二振膜子部114与第三振膜子部116之间、第一振膜子部112与第四振膜子部118之间、第二振膜子部114与第四振膜子部118之间。侧开口的尺寸相关于发声单元600的频率响应中的低频滚降(low frequency roll-off,LFRO)效应，其中强的低频滚降效应可能造成声波在低频时的声压位准的明显下降。

详细而言，关于发声单元600的侧开口，低频时的声阻可依据公式：R∝L/(b×d³)，其中R为低频时的声阻，L为振膜110的厚度，b为第一振膜子部112的第二非锚定边缘112n2的长度或第二振膜子部114的第四非锚定边缘114n4的长度，d为侧开口在方向Z上的最大尺寸。若低频时的声阻提高，发声单元600在操作中的空气泄漏(如，声学泄漏(acousticleakage))可降低，以降低发声单元600的频率响应中的低频滚降效应。

根据上述公式，当d(即，侧开口在方向Z上的最大尺寸)缩小，低频时的声阻可被提升。在图1所示的第一实施例中，关于第一振膜子部112，侧开口在方向Z上的最大尺寸为第二非锚定边缘112n2与锚定结构120之间在方向Z上的最大距离。在图14所示的第六实施例中，关于第一振膜子部112，侧开口在方向Z上的最大尺寸为第一振膜子部112的第二非锚定边缘112n2与第三振膜子部116的第五非锚定边缘116n5(或第四振膜子部118的第六非锚定边缘118n6)之间在方向Z上的最大距离。在图14所示的第六实施例中，由于第三振膜子部116与第四振膜子部118存在，因此，在发声单元600的操作期间，可通过控制第三振膜子部116与第四振膜子部118在方向Z上靠近第一振膜子部112与第二振膜子部114来减小公式中的d。也就是说，在图14中，第三振膜子部116可用以减少在发声单元600的第一侧(左侧)的声学泄漏，第四振膜子部118可用以减少在发声单元600的第二侧(右侧)的声学泄漏。

发声单元600可包括至少一适合的结构，以减小d(即，侧开口在方向Z上的最大尺寸)，进而提升低频时的声阻。在本实施例中，由于此适合的结构，在发声单元600的操作期间中，第三振膜子部116的第五非锚定边缘116n5可在方向Z上分别靠近第一振膜子部112的第二非锚定边缘112n2与第二振膜子部114的第四非锚定边缘114n4，第四振膜子部118的第六非锚定边缘118n6可在方向Z上分别靠近第一振膜子部112的第二非锚定边缘112n2与第二振膜子部114的第四非锚定边缘114n4。据此，在发声单元600的操作期间中，侧开口的尺寸可被缩小，以提升低频时的声阻，进而降低发声单元600的频率响应中的低频滚降效应。

举例而言，为了使d降低，振膜110可包括至少一弹簧，连接在振膜110的子部之间，使得在发声单元600的操作期间中，这些子部的非锚定边缘在方向Z上可彼此靠近。如图14所示，振膜110可包括至少一第二弹簧SPR2与至少一第三弹簧SPR3，第二弹簧SPR2可直接连接在第一振膜子部112与第三振膜子部116之间或直接连接在第一振膜子部112与第四振膜子部118之间，第三弹簧SPR3可直接连接在第二振膜子部114与第三振膜子部116之间或直接连接在第二振膜子部114与第四振膜子部118之间。在图14中，振膜110可包括两个第二弹簧SPR2与两个第三弹簧SPR3，两个第二弹簧SPR2可分别连接在第一振膜子部112与第三振膜子部116之间、第一振膜子部112与第四振膜子部118之间，两个第三弹簧SPR3可分别连接在第二振膜子部114与第三振膜子部116之间、第二振膜子部114与第四振膜子部118之间，但不以此为限。需注意的是，第二弹簧SPR2与第三弹簧SPR3是由于狭缝SL(如，除了第一狭缝SL1、第二狭缝SL2与第三狭缝SL3之外的狭缝SL)而形成。

另外，在图14所示的一个弹簧中，从此弹簧至一个子部的连接方向可相同于从此弹簧至另一个子部的连接方向，但不以此为限。举例而言，在图14中，弹簧可实质上为U字形，但不以此为限。举例而言，U字形的弹簧可具有很大的曲率，但不以此为限。由于此设计，两子部之间的侧开口的尺寸可被缩小(即，d被缩小)，以降低发声单元600在操作中的空气泄漏，进而降低发声单元600的频率响应中的低频滚降效应。

举例而言，为了使d降低，致动层130可设置在第一振膜子部112、第二振膜子部114、第三振膜子部116与第四振膜子部118上。在发声单元600的操作期间中，致动层130可致动这些子部而使其沿着方向Z移动，使得这些子部的非锚定边缘可在方向Z上彼此靠近。

此外，在图15所示的区域R3中，发声单元600可包括振膜110外的凹槽结构RS，其中凹槽结构RS可直接连接振膜110的角落区CR中的狭缝段SLs，而凹槽结构RS可具有曲线图案(如，凹槽结构RS可具有半圆弧图案)。举例而言，在图15中，狭缝段SLs可连接在第二狭缝SL2位在角落区CR中的一端与凹槽结构RS之间，而狭缝段SLs可具有直线图案，但不以此为限。连接位于角落区CR中的狭缝段SLs的弯曲凹槽结构RS的存在可提高发声单元600的制造过程的成功率，进而提高发声单元600的良率。

请参考图16，图16所示为本发明第七实施例的发声单元的俯视示意图。如图16所示，本实施例与第六实施例的差异在于弹簧的设计。在图16所示的发声单元700中，包括钩型曲线图案与直线图案的第五狭缝SL5可各自连接第一狭缝SL1、第二狭缝SL2或第三狭缝SL3，而第二弹簧SPR2与第三弹簧SPR3可由于第一狭缝SL1、第二狭缝SL2、第三狭缝SL3与第五狭缝SL5而形成，但不以此为限。另外，在图16中，弹簧可实质上为V字形，但不以此为限。

请参考图17，图17所示为本发明第八实施例的发声单元的俯视示意图。如图17所示，本实施例与第六实施例的差异在于发声单元800的振膜110的狭缝SL还包括至少一侧狭缝SLi，形成在第三振膜子部116及/或第四振膜子部118上。

由于侧狭缝SLi的存在，第三振膜子部116与第四振膜子部118的结构强度会被弱化，使得在发声单元800的操作期间中，第二弹簧SPR2与第三弹簧SPR3可拉起第三振膜子部116与第四振膜子部118，以使其非锚定边缘在方向Z上靠近第一振膜子部112与第二振膜子部114的非锚定边缘。

另一方面，相较于不存在有侧狭缝SLi的结构，本实施例的振膜110可在发声单元800的操作期间形成多个较小开口来代替位于两子部的两个非锚定边缘之间的一个原始的较大开口，其中较小开口的至少一个可形成在两非锚定边缘之间，且较小开口的至少一个可通过侧狭缝SLi来形成。换言之，一个原始的较大开口的d变换为多个较小开口的多个d’，而d’小于d。举例来说，根据上述公式，假设一个原始的较大开口被三个较小开口取代，且原始的较大开口的d是较小开口的d’的三倍，则三个较小开口的声阻为一个原始的较大开口的声阻的九倍。因此，可通过此设计来提升低频时的声阻。

如图17所示，第二弹簧SPR2可由于第一狭缝SL1、第二狭缝SL2、第五狭缝SL5与侧狭缝SLi而形成，第三弹簧SPR3可由于第一狭缝SL1、第三狭缝SL3、第五狭缝SL5与侧狭缝SLi而形成，但不以此为限。

在一些实施例中，如图17所示，致动层130可设置在第一振膜子部112与第二振膜子部114上，但致动层130可不设置在第三振膜子部116与第四振膜子部118上(即，没有致动层设置在第三振膜子部116与第四振膜子部118上)，但不以此为限。

此外，在图17中，振膜110可选择性地包括第一弹簧SPR1，直接连接在第一振膜子部112与第二振膜子部114之间。举例而言，图17所示的第一弹簧SPR1可由于两个第一狭缝SL1与两个第五狭缝SL5而形成，但不以此为限。

请参考图18与图19，图18所示为本发明第九实施例的发声单元的俯视示意图，图19所示为本发明第九实施例的发声单元的侧视示意图，其中图18与图19仅示出第一振膜子部112，且第二振膜子部114的设计可类似于第一振膜子部112的设计。如图18所示，本实施例与第一实施例的差异在于振膜110的子部的锚定边缘的设计。在本实施例的发声单元900中，振膜110的子部的锚定边缘被部分锚定，使得锚定边缘包括至少一锚定部与至少一非锚定部，其中锚定边缘的锚定部被锚定，锚定边缘的非锚定部是非锚定的。举例而言，在图18中，第一振膜子部112中被部分锚定的第一锚定边缘112a可包括两个锚定部AP以及位于两个锚定部AP之间的一个非锚定部NP，但不以此为限。当发声单元900操作时(即，第一振膜子部112被致动)，第一锚定边缘112a的非锚定部NP可朝着方向Z移动，以提升振膜110的形变量，进而提高发声单元900所产生的声波的声压位准。

为了使锚定边缘具有锚定部AP与非锚定部NP，振膜110的狭缝SL可包括至少一内部狭缝。在本实施例中，第一振膜子部112可具有至少一第一内部狭缝SLn1与至少一第二内部狭缝SLn2，其中第一锚定边缘112a的非锚定部NP可由第一内部狭缝SLn1所定义，第二内部狭缝SLn2连接于第一内部狭缝SLn1，以使第一锚定边缘112a具有锚定部AP与非锚定部NP。换句话说，第一内部狭缝SLn1可平行于第一锚定边缘112a并位于第一振膜子部112与锚定结构120之间，第二内部狭缝SLn2可不平行于第一锚定边缘112a。举例而言，在图18中，第一振膜子部112可具有一个第一狭缝SL1与两个第二狭缝SL2，第二内部狭缝SLn2可为垂直于第一锚定边缘112a的直线狭缝，但不以此为限。举例而言，第二内部狭缝SLn2可从第一锚定边缘112a向第一狭缝SL1延伸，且第二内部狭缝SLn2可不连接于第一狭缝SL1。

定义第一锚定边缘112a的非锚定部NP的第一内部狭缝SLn1可连接在两个狭缝SL之间。举例而言，在图18中，第一内部狭缝SLn1可连接在两个第二内部狭缝SLn2之间，使得第一锚定边缘112a的锚定部AP与非锚定部NP可通过第二内部狭缝SLn2而划分，但不以此为限。

可选择地，在图18中，第一内部狭缝SLn1与第二内部狭缝SLn2可分离于第一狭缝SL1、第二狭缝SL2与第三狭缝SL3，但不以此为限。

如图18所示，第一振膜子部112可通过内部狭缝SL而划分为多个部分。举例而言，在图18中，第一振膜子部112可被划分为三个部分912p1、912p2、912p3，部分912p1与部分912p3可位于第二狭缝SL2与第二内部狭缝SLn2之间，部分912p2可位于两个第二内部狭缝SLn2之间。举例而言，在图18中，部分912p1与部分912p3可具有第一锚定边缘112a的锚定部AP，以锚定于锚定结构120。举例而言，在图18中，部分912p2可具有第一锚定边缘112a的非锚定部NP，使得部分912p2在发声单元900的操作期间可沿方向Z移动并具有大的位移量(相较于部分912p1、912p3)，进而提升发声单元900所产生的声波的声压位准。

如图18所示，致动层130可包括三个部，分别设置在第一振膜子部112的三个部分912p1、912p2、912p3，以致动第一振膜子部112。

在示出了发声单元900于操作过程中的侧视图的图19中，部分912p2在发声单元900的操作期间可沿着方向Z移动而具有大的位移量(相较于部分912p1、912p3)，且第一锚定边缘112a的非锚定部NP在方向Z上可高于锚定部AP。

请参考图20，图20所示为本发明第十实施例的发声单元的俯视示意图。如图20所示，实施例与第九实施例的差异在于振膜110的子部的锚定边缘的设计。在图20所示的发声单元900’中，第一振膜子部112的第一锚定边缘112a可包括两个非锚定部NP以及位于两个非锚定部NP之间的一个锚定部AP，但不以此为限。在图20中，第一振膜子部112可具有两个第一内部狭缝SLn1与两个第二内部狭缝SLn2，第一内部狭缝SLn1可连接在第二内部狭缝SLn2与第二狭缝SL2之间，但不以此为限。

在图20中，部分912p2可具有第一锚定边缘112a的锚定部AP，以锚定于锚定结构120。在图20中，部分912p1与部分912p3可具有第一锚定边缘112a的非锚定部NP，使得部分912p1与部分912p3在发声单元900’的操作期间可沿方向Z移动并具有大的位移量(相较于部分912p2)，进而提升发声单元900’所产生的声波的声压位准。

在下文中，发声单元SPC的封装结构PKG的详细内容将进一步示例性说明。须说明的是，封装结构PKG不限于以下示例性提供的实施例，且封装结构PKG可具有不违背本发明的发明精神的实施例的发声单元SPC(如，上述实施例的其中之一或上述实施例的组合)。

请参考图21至图23，图21所示为本发明一实施例的封装结构的示意图，图22所示为图21示出的封装结构的底视示意图，图23所示为图21示出的封装结构的剖面示意图。如图21至图23所示，本发明的发声单元SPC的封装结构PKG包括基底BS、设置在基底BS上的壳盖HS以及设置在壳盖HS内的上述发声单元SPC，其中发声单元SPC位于基底BS与壳盖HS之间。

基底BS可为硬质基底或可挠基底，并可包括任何适合的材料。举例而言，基底BS可包括硅、锗、玻璃、塑胶、石英、蓝宝石、金属、聚合物(如，聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯)、任何适合的材料或其组合。在图21至图23所示的一范例中，基底BS可为包括积层板(例如铜箔基板)、平面网格阵列板或任何其他适合的包含导电材料的板的电路板，使得基底BS可包括一个或多个导电元件(如，连接走线、有源元件、无源元件及/或连接垫)，但不以此为限。举例来说，在图22中，基底BS具有至少一导电层CDB，且发声单元SPC与导电层CDB设置在基底BS的相对侧，其中导电层CDB包括多个导电垫CPC与导电环CRC，导电垫CPC用以电连接在发声单元SPC与封装结构PKG外的外部装置之间。

基底BS可实质上平行于方向X与方向Y(即，基底BS的法线方向可实质上平行于方向Z)，但不以此为限。举例来说，在图21至图23中，基底BS可实质上平行于发声单元SPC的振膜110，但不以此为限。

壳盖HS可包括顶部结构TS与至少一侧壁SW，其中侧壁SW位于基底BS与顶部结构TS之间。在一些实施例中，基底BS与顶部结构TS可实质上彼此平行。举例来说，在图21至图23中，顶部结构TS可实质上平行于方向X与方向Y(即，顶部结构TS的法线方向可实质上平行于方向Z)，侧壁SW可实质上平行于方向Z，但不以此为限。举例来说，在图21至图23中，顶部结构TS可实质上平行于发声单元SPC的振膜110，而侧壁SW可环绕发声单元SPC，但不以此为限。

顶部结构TS与侧壁SW可为硬质或可挠，并可包括任何适合的材料。举例而言，顶部结构TS与侧壁SW可各自包括硅、锗、玻璃、塑胶、石英、蓝宝石、金属、聚合物(如，聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯)、任何适合的材料或其组合。在图21至图23所示的一范例中，顶部结构TS与侧壁SW可包括金属并形成为一体成形的结构(如，盖子)，但不以此为限。

如图21至图23所示，发声单元SPC设置在基底BS上，壳盖HS内的腔体CV可被发声单元SPC的振膜110区分为两个子腔体(即，第一子腔体CV1与第二子腔体CV2)，其中振膜110位于两个子腔体之间。第一子腔体CV1可在振膜110与顶部结构TS之间，第二子腔体CV2可在振膜110与基底BS之间。

此外，在图21至图23中，至少一第一壳盖开口OP1与至少一第二壳盖开口OP2可各自形成在壳盖HS或基底BS上，其中第一壳盖开口OP1可连接第一子腔体CV1，第二壳盖开口OP2可连接第二子腔体CV2。举例来说，第一壳盖开口OP1可为声音出口，但不以此为限。举例来说，如图21至图23所示，第一壳盖开口OP1可形成在顶部结构TS上，第二壳盖开口OP2可形成在基底BS上，但不以此为限。

第一壳盖开口OP1的数量与排列以及第二壳盖开口OP2的数量与排列可依据需求而设计。

在一些实施例中，一个第一壳盖开口OP1及/或一个第二壳盖开口OP2可对应封装结构PKG中从发声单元SPC产生具有最高SPL的声波的区域。举例而言(如图21至图23)，一个第一壳盖开口OP1可在俯视上位于顶部结构TS的中心(或可在侧视上位于侧壁SW的中心)，及/或一个第二壳盖开口OP2可在俯视上位于基底BS的中心，但不以此为限。举例来说，一个第一壳盖开口OP1及/或一个第二壳盖开口OP2可在基底BS的法线方向(即，方向Z)上对应振膜110的中心，但不以此为限。举例来说，各振膜110可对应至少一第一壳盖开口OP1及/或至少一第二壳盖开口OP2。

举例而言(如，图27)，若壳盖HS包括多个第一壳盖开口OP1(或多个第二壳盖开口OP2)，第一壳盖开口OP1(或第二壳盖开口OP2)可排列成沿一方向(如，方向X)延伸的多个行及/或排列成沿另一方向(如，方向Y)延伸的多个列，但不以此为限。举例来说，若壳盖HS包括多个第一壳盖开口OP1(或多个第二壳盖开口OP2)，第一壳盖开口OP1(或第二壳盖开口OP2)可排列成矩阵，但不以此为限。

第一壳盖开口OP1的俯视图案与第二壳盖开口OP2的俯视图案可依据需求而设计。举例来说，壳盖开口的俯视图案可为多边形(如，矩形、六边形等)、圆形或其他适合的形状。

第一壳盖开口OP1的尺寸与第二壳盖开口OP2的尺寸可依据需求而设计，其中壳盖HS的保护效果随着声音出口(如，第一壳盖开口OP1)的尺寸的下降而提升，而壳盖HS的声阻随着声音出口(如，第一壳盖开口OP1)的总面积的提升而下降。因此，在一些实施例中，声音出口(如，第一壳盖开口OP1)的尺寸可随着声音出口的数量的提升而下降，以使壳盖HS具有高保护效果与低声阻。

发声单元SPC可以任何适合的方式电连接外部装置。举例来说，在图21至图23中，发声单元SPC可通过基底BS的导电元件(如，导电垫CPC)而电连接外部装置，但不以此为限。

在本发明中，发声单元SPC可电连接控制器，其中控制器可用以产生驱动信号，而驱动信号可施加在致动层130上以致动振膜110。控制器可设置在封装结构PKG内或封装结构PKG外。

形成封装结构PKG的方法可为任何适合的形成方法。在一些实施例的形成方法中，可提供壳盖HS与基底BS，而发声单元SPC可由上文所述的方法制造。然后，将发声单元SPC设置在基底BS上并设置在壳盖HS内。举例来说，在壳盖HS设置在基底BS上之前，将发声单元SPC设置在基底BS上，但不以此为限。举例来说，在发声单元SPC设置在基底BS上之前，将第二壳盖开口OP2形成在基底BS上；在发声单元SPC设置在壳盖HS内之前，将第一壳盖开口OP1形成在壳盖HS上，但不以此为限。

请参考图24，图24所示为本发明一实施例的封装结构的示意图。如图24所示，第一壳盖开口OP1可在俯视上不位于顶部结构TS的中心，但不以此为限。如图24所示，第一壳盖开口OP1可在基底BS的法线方向(即，方向Z)上对应振膜110的中心，但不以此为限。

请参考图25与图26，图25所示为本发明一实施例的封装结构的示意图，图26所示为图25示出的封装结构的剖面示意图。如图25与图26所示，第一壳盖开口OP1可形成在壳盖HS的侧壁SW上，但不以此为限。

请参考图27与图28，图27所示为本发明一实施例的封装结构的示意图，图28所示为图27示出的封装结构的剖面示意图。如图27与图28所示，封装结构PKG的壳盖HS的顶部结构TS(或侧壁SW)可具有多个第一壳盖开口OP1，且第一壳盖开口OP1可为小的或相当小的。举例来说，第一壳盖开口OP1的尺寸可小于或等于壳盖HS的顶部结构TS的10％、5％、3％或1％，但不以此为限。

由于顶部结构TS具有小尺寸的多个第一壳盖开口OP1，本发明的顶部结构TS可在具有低声阻的情况下对发声单元SPC提供高物理保护效果。举例来说，本发明的顶部结构TS可在封装结构PKG后续的使用中(如，发声单元SPC的操作中、将封装结构PKG设置在设备中的过程中)保护发声单元SPC，以提升封装结构PKG的良率与设备的良率，但不以此为限。另外，由于含有多个第一壳盖开口OP1的顶部结构TS的存在，外部物体(如，灰尘、颗粒、尖锐物体等)难以进入封装结构PKG。

在将发声单元SPC设置在封装结构PKG内之前，发声单元SPC的振膜110具有第一频率响应，其中振膜110的最小共振峰产生在第一频率(即，第一频率为振膜110的最小共振频率)并具有第一峰值(即，SPL)。在将发声单元SPC设置在封装结构PKG内之后，发声单元SPC的振膜110具有第二频率响应，其中振膜110的最小共振峰产生在第二频率(即，第二频率为振膜110的最小共振频率)并具有第二峰值(即，SPL)。在一些实施例中，第一频率大于第二频率，及/或第一峰值大于第二峰值。

在振膜110的第二频率响应中，第二频率(即，最小共振频率)与第二峰值(即，最小共振峰的峰值)随着第一壳盖开口OP1的总面积的下降而下降。在一些实施例中，第一频率与第二频率之间的差可大于或等于1000赫兹(Hz)、2000赫兹、5000赫兹或其他适合的值。因此，在封装结构PKG中，振膜110的最小共振频率与最小共振峰的峰值可通过调整第一壳盖开口OP1的总面积而改变。

在下文中，包含前述发声单元SPC的设备APT的详细内容将进一步示例性说明，其中设备APT可为耳机(earphone)、头戴式耳机(headphone)、耳塞式耳机(earbud)或其他适合的声音产生设备。须说明的是，设备APT不限于以下示例性提供的实施例，且设备APT可具有不违背本发明的发明精神的实施例的发声单元SPC(如，上述实施例的其中之一或上述实施例的组合)。

请参考图29，图29所示为本发明一实施例的设备的剖面示意图。如图29所示，设备APT可包括外壳OC、发声单元SPC的封装结构PKG以及设备基底BS_AS，其中封装结构PKG可设置在设备基底BS_AS上并位于外壳OC内。须说明的是，发声单元SPC的封装结构PKG可为上述实施例的其中之一或上述实施例的组合。

设备基底BS_AS可包括硅、锗、玻璃、塑胶、石英、蓝宝石、金属、聚合物(如，聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯)、任何适合的材料或其组合。在图29所示的一范例中，设备基底BS_AS可为包括积层板(例如铜箔基板)、平面网格阵列板或任何其他适合的包含导电材料的板的电路板，使得设备基底BS_AS可包括一个或多个导电元件(如，连接走线、有源元件、无源元件及/或连接垫)，但不以此为限。

如图29所示，设备基底BS_AS可具有至少一设备基底开口BS_Asp，封装结构PKG的第二子腔体CV2可通过封装结构PKG的第二壳盖开口OP2而连接设备基底BS_AS的设备基底开口BS_Asp。

如图29所示，外壳OC可具有至少一流出开口OCp，封装结构PKG的第一子腔体CV1可通过封装结构PKG的第一壳盖开口OP1与外壳OC的流出开口OCp而连接设备APT的前侧的外部。

可选择地，本实施例的外壳OC可夹住设备基底BS_AS与封装结构PKG(如，外壳OC可接触设备基底BS_AS的侧壁与封装结构PKG的侧壁)，以固定设备基底BS_AS与封装结构PKG，并在设备APT中将第一子腔体CV1与第二子腔体CV2彼此分隔，但不以此为限。可选择地，设备APT还可包括垫片，其中垫片可设置在封装结构PKG与外壳OC之间，且垫片可围绕流出开口OCp，但不以此为限。

在图29中，封装结构PKG可通过表面贴装技术组装到设备APT中，其中导电黏着层CAL(如，包含焊料)通过表面贴装技术设置在设备基底BS_AS与封装结构PKG的基底BS之间，以使得封装结构PKG设置在设备基底BS_AS上。

在本发明中，由于使用了表面贴装技术，包括发声单元SPC的封装结构PKG可需要经过设计以能承受表面贴装技术的最高工艺温度。因此，封装结构PKG具有上限高于表面贴装技术的最高工艺温度的耐热温度，使得在执行表面贴装技术之后，封装结构PKG不会发生故障，且封装结构PKG可维持正常操作(即，可正常地产生声波)。在一些实施例中，表面贴装技术的最高工艺温度的范围可从240℃到250℃，因此，封装结构PKG的耐热温度的上限可大于240℃或大于250℃，但不以此为限。此外，在一些实施例中，封装结构PKG中含有的每个材料具有上限高于表面贴装技术的最高工艺温度的耐热温度，以确保封装结构PKG在表面贴装技术进行期间不会被损坏。举例来说，封装结构PKG中含有的每个材料可具有上限大于240℃或大于250℃的耐热温度，但不以此为限。

下文将说明表面贴装技术的内容，且下文所述的表面贴装技术仅为一范例，且为了使表面贴装技术更加清楚，部分步骤则被省略。

在表面贴装技术的工艺中，首先提供具有至少一导电垫BS_ASc、至少一导电走线与设备基底开口BS_Asp的设备基底BS_AS，其中导电垫BS_ASc与设备基底开口BS_ASp可在执行表面贴装技术之前形成。接着，将导电黏着层CAL设置在设备基底BS_AS的导电垫BS_ASc上。举例来说，导电黏着层CAL可印在设备基底BS_AS上，但不以此为限。接着，将电子元件，例如发声单元SPC的封装结构PKG，放置在导电黏着层CAL上并与导电黏着层CAL接触，其中封装结构PKG的导电垫CPC接触于导电黏着层CAL。接着，执行一升温步骤(如，回流焊步骤)以提升工艺温度，使得导电黏着层CAL熔化并黏着到设备基底BS_AS的导电垫BS_ASc与封装结构PKG的导电垫CPC。因此，通过使用表面贴装技术，封装结构PKG可设置在设备基底BS_AS上并通过导电黏着层CAL电连接到导电垫BS_ASc。

在传统的扬声器或传统的发声装置中，由于一些元件(例如橡皮悬承(rubbersuspension)及/或贴合到线圈的黏着材料)无法承受表面贴装技术的高工艺温度，因此表面贴装技术无法使用于传统的扬声器(或传统的发声装置)。相较之下，在本发明中，由于封装结构PKG被设计为可承受表面贴装技术的最高工艺温度，因此在执行表面贴装技术之后，封装结构PKG不会发生故障，且封装结构PKG可正常操作。此外，由于本发明使用了表面贴装技术，因此可不需执行引线接合方法/工艺(一种使用导线电连接于电子元件与设备基底BS_AS之间的方法/工艺)，使得设备APT的横向尺寸显著地下降。

形成设备APT的方法可为任何适合的形成方法。在一些实施例的设备APT的形成方法中，封装结构PKG可通过上述方法形成。然后，封装结构PKG可通过表面贴装技术组装到包括外壳OC的设备APT中。举例来说，封装结构PKG可通过表面贴装技术设置在设备APT的设备基底BS_AS上。

请参考图30，图30所示为本发明一实施例的设备的示意图。如图30所示，本实施例的设备APT可包括发声单元SPC的封装结构PKG与两个通气装置VD，这些元件都设置在外壳OC内。

通气装置VD用以形成或关闭通气口，其中当通气口形成时，设备APT的内腔体CVi通过通气口连接设备APT外的环境。如图30所示，通气装置VD可包括通气基板ST_V、覆盖结构CS_V与膜结构TF_V，通气基板ST_V具有至少一基板开口OPV，覆盖结构CS_V设置在通气基板ST_V上，膜结构TF_V设置在通气基板ST_V与覆盖结构CS_V之间，其中膜结构TF_V用以被致动以形成或关闭通气口，覆盖结构CS_V用以覆盖并保护膜结构TF_V，且覆盖结构CS_V具有至少一盖子开口(图未示)。当通气口由膜结构TF_V形成时，气流可通过覆盖结构CS_V的盖子开口、通气口以及通气基板ST_V的基板开口OPV，以使设备APT的内腔体CVi连接设备APT外的环境。

通气装置VD可用以在发声单元SPC的操作期间抑制闭锁效应(occlusioneffect)。闭锁效应是由于耳道的密封容积以引起使用者(即，聆听者)的较大可感知声压。在一些情况下，当使用者在使用塞入耳道中的设备APT的情况下做特定运动(例如走路、跑步、说话、咀嚼、触碰声能转换器等)以产生骨头传导声音时，会发生闭锁效应，而闭锁效应造成使用者听到闭锁噪音(occlusion noise)，进而降低使用者的聆听品质。在本实施例中，通气装置VD可基于闭锁效应的发生与消失而对应形成或关闭通气口。当闭锁效应发生时，通气装置VD的通气口可被形成，以使耳道的容积不被密封，以抑制闭锁效应。当闭锁效应不发生时，通气装置VD的通气口被关闭，以提升设备APT所产生的声波的品质。因此，由于通气装置VD的存在，设备APT的性能以及使用者使用设备APT的体验可被提升。

在图30所示的实施例中，两个通气装置VD可对称地设置，但不以此为限。在一实施例中，通气装置VD可为MEMS装置或含有MEMS结构的封装结构。

在一实施例中，设备APT还可包括感测装置，通气装置VD的通气口可基于感测装置所产生的感测结果而对应形成或关闭。举例来说，感测装置可包括动作感测器、力感测器、光感测器、加速度计、压力感测器、高度感测器、距离感测器或其组合。

通气装置VD、封装结构PKG与感测装置可耦接控制器，控制器可产生信号以控制通气装置VD、封装结构PKG与感测装置。

通气装置、控制器与感测装置的详细内容与变化记载于美国专利申请号17/344,980、17/344,983、17/842,810与18/172,346等专利申请案，其公开的完整内容通过引用而并入本文并成为本发明说明书的一部分。

在本发明中，与发声单元功能不同的单元也可具有上述实施例的其中一者或上述实施例的组合的发声单元的结构。因此，此单元的制造方法可参考上述发声单元的制造方法，包含此单元的封装结构的结构与形成方法可参考上述发声单元的封装结构的结构与形成方法，包含此单元(或包含含有此单元的封装结构)的设备的结构与形成方法可参考上述包含发声单元(或包含含有发声单元的封装结构)的设备的结构与形成方法。

在一些实施例中，设置在本发明的封装结构内的单元可具有与发声单元不同的声学功能。在一些实施例中，设置在本发明的封装结构内的单元可为通气装置中的通气单元，其通过使其通气口形成或关闭而在发声单元的操作期间抑制闭锁效应。举例来说，在图30所示的设备APT的一变化实施例中，作为封装结构的通气装置VD可包括具有上述结构(即，图1至图20所示的实施例的其中一者的结构或组合的结构)的通气单元，使得通气单元的设计或膜结构TF_V的设计可参考图1至图20(如，图11)所示的实施例的其中一者或组合，而覆盖结构CS_V的设计可参考图21至图28(如，图21至图23)所示的实施例的其中一者或组合。须说明的是，在此变化实施例中，发声单元SPC可包括本发明所述的结构或其他适合的结构。

综上所述，根据本发明的发声单元与通气单元的设计，发声单元与通气单元可实现更高的共振频率、更大的声压位准、高良率及/或低空气泄漏。并且，与发声单元功能不同的一些单元可参考本发明的发声单元。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (24)

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

一壳盖；以及

一单元，设置在所述壳盖内，所述单元包括：

一振膜，包括一第一振膜子部与一第二振膜子部，其中所述第一振膜子部与所述第二振膜子部在沿着一俯视方向的俯视上彼此相对，使得所述第一振膜子部与所述第二振膜子部在垂直于所述俯视方向的一第一方向上彼此相对；

一致动层，在所述俯视方向上设置在所述第一振膜子部与所述第二振膜子部上；以及

一锚定结构，其中所述振膜锚定于所述锚定结构；

其中所述第一振膜子部包括一第一锚定边缘，所述第一锚定边缘完全连接或部分连接所述锚定结构以被所述锚定结构完全锚定或部分锚定，且在所述第一振膜子部中除了所述第一锚定边缘之外的边缘都是非锚定的；

其中所述第二振膜子部包括一第二锚定边缘，所述第二锚定边缘完全连接或部分连接所述锚定结构以被所述锚定结构完全锚定或部分锚定，且在所述第二振膜子部中除了所述第二锚定边缘之外的边缘都是非锚定的。

2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述壳盖包括一顶部结构与一侧壁，所述顶部结构实质上平行于所述振膜，且一第一壳盖开口形成在所述顶部结构上。

3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述壳盖包括一顶部结构与一侧壁，且一第一壳盖开口形成在所述侧壁上。

4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述壳盖包括一顶部结构与一侧壁，所述顶部结构实质上平行于所述振膜，且多个第一壳盖开口形成在所述顶部结构上。

5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述振膜的一第一比值大于2，所述振膜的所述第一比值为所述振膜在俯视上的一第一侧的一第一长度对于所述振膜在俯视上的一第二侧的一第二长度的比值。

6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述振膜包括：

一第一狭缝，在所述第一方向上形成在所述第一振膜子部与所述第二振膜子部之间，其中所述第一振膜子部的一第一非锚定边缘由所述第一狭缝所定义，且所述第一非锚定边缘在所述第一方向上相对于所述第一锚定边缘；以及

一第二狭缝，其中所述第一振膜子部的一第二非锚定边缘由所述第二狭缝所定义，且所述第二非锚定边缘相邻于所述第一锚定边缘。

7.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括一凹槽结构，设置在所述单元的一角落，所述凹槽结构用以在一剥离工艺中分散施加在所述凹槽结构上的应力。

8.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括四个凹槽结构，分别设置在所述单元的四个角落，所述凹槽结构用以在一剥离工艺中分散施加在所述凹槽结构上的应力。

9.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，

其中所述振膜包括一闩锁结构，用以限制所述第一振膜子部与所述第二振膜子部的移动距离；

其中所述移动距离为沿着设置有所述单元的一基底的一法线方向的距离。

10.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述振膜还包括一第一弹簧，直接连接在所述第一振膜子部与所述第二振膜子部之间。

11.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述振膜包括：

一第三振膜子部，在俯视上设置在所述单元中位于所述第一振膜子部与所述第二振膜子部之间的一第一侧；

其中所述第三振膜子部用以减少在所述单元的所述第一侧的声学泄漏；

其中所述第三振膜子部包括一第三锚定边缘，所述第三锚定边缘被锚定，且在所述第三振膜子部中除了所述第三锚定边缘之外的边缘都是非锚定的。

12.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，

其中所述第一锚定边缘被部分锚定；

其中所述第一锚定边缘包括至少一锚定部与至少一非锚定部，所述至少一锚定部被锚定，所述至少一非锚定部是非锚定的；

其中当所述第一振膜子部被致动时，所述第一锚定边缘的所述至少一非锚定部朝着设置有所述单元的一基底的一法线方向移动。

13.一种设备，其特征在于，包括：

一外壳；以及

如权利要求1所述的封装结构。

14.如权利要求13所述的设备，其特征在于，所述设备为一耳机、一头戴式耳机或一耳塞式耳机。

15.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：

进行一制造方法以制造一单元，所述制造方法包括：

提供一晶圆，其中所述晶圆包括一第一层与一第二层；以及

图案化所述晶圆的所述第一层，以形成至少一沟道线；以及

设置所述单元在一壳盖内；

其中所述第一层包括一振膜，所述振膜锚定于所述单元的一锚定结构，至少一狭缝是因为所述至少一沟道线而形成在所述振膜中并贯穿所述振膜；

其中所述振膜包括一第一振膜子部与一第二振膜子部，所述第一振膜子部与所述第二振膜子部在沿着一俯视方向的俯视上彼此相对，使得所述第一振膜子部与所述第二振膜子部在垂直于所述俯视方向的一第一方向上彼此相对；

其中所述第一振膜子部包括一第一锚定边缘，所述第一锚定边缘完全连接或部分连接所述锚定结构以被所述锚定结构完全锚定或部分锚定，且在所述第一振膜子部中除了所述第一锚定边缘之外的边缘都是非锚定的；

其中所述第二振膜子部包括一第二锚定边缘，所述第二锚定边缘完全连接或部分连接所述锚定结构以被所述锚定结构完全锚定或部分锚定，且在所述第二振膜子部中除了所述第二锚定边缘之外的边缘都是非锚定的。

16.如权利要求15的形成方法，其特征在于，还包括：

在设置所述单元于所述壳盖内之前，形成一第一壳盖开口在所述壳盖上；

其中所述壳盖包括一顶部结构与一侧壁，所述顶部结构实质上平行于所述振膜，且所述第一壳盖开口形成在所述顶部结构上。

17.如权利要求15的形成方法，其特征在于，还包括：

在设置所述单元于所述壳盖内之前，形成一第一壳盖开口在所述壳盖上；

其中所述壳盖包括一顶部结构与一侧壁，且所述第一壳盖开口形成在所述侧壁上。

18.如权利要求15的形成方法，其特征在于，还包括：

在设置所述单元于所述壳盖内之前，形成多个第一壳盖开口在所述壳盖上；

其中所述壳盖包括一顶部结构与一侧壁，所述顶部结构实质上平行于所述振膜，且所述第一壳盖开口形成在所述顶部结构上。

19.如权利要求15的形成方法，其特征在于，所述单元的所述制造方法还包括：

形成一凹槽结构在所述单元的一角落。

20.如权利要求15的形成方法，其特征在于，所述单元的所述制造方法还包括：

形成一闩锁结构，用以限制所述第一振膜子部与所述第二振膜子部的移动距离；

其中所述移动距离为沿着设置有所述单元的一基底的一法线方向的距离。

21.如权利要求15的形成方法，其特征在于，所述单元的所述制造方法还包括：

形成一弹簧在所述第一振膜子部与所述第二振膜子部之间。

22.如权利要求15的形成方法，其特征在于，所述单元的所述制造方法还包括：

图案化所述晶圆的所述第一层，使得所述振膜还包括一第三振膜子部与一第四振膜子部；

其中所述第三振膜子部用以减少在所述单元的一第一侧的声学泄漏；

其中所述第四振膜子部用以减少在所述单元的一第二侧的声学泄漏。

23.如权利要求15的形成方法，其特征在于，所述单元的所述制造方法还包括：

在所述第一振膜子部上形成至少一第一内部狭缝与至少一第二内部狭缝；

其中所述第一锚定边缘被部分锚定；

其中所述第一锚定边缘包括至少一锚定部与至少一非锚定部；

其中所述第一锚定边缘的所述至少一非锚定部是由所述至少一第一内部狭缝所定义；

其中所述至少一锚定部与所述至少一非锚定部根据所述至少一第二内部狭缝而划分。

24.一种设备的形成方法，其特征在于，包括：

根据权利要求15的形成方法形成一封装结构；以及

通过一表面贴装技术将所述封装结构组装在包括一外壳的所述设备中。