TWI613769B - 晶圓級ｍｅｍｓ傳感器封裝 - Google Patents

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Abstract

提供一種具有一半導體晶粒部分(3)之MEMS傳感器封裝(1)，該半導體晶粒部分具有由一第一表面(9)以及一相對的第二表面(11)定界之一厚度。該封裝進一步具有併入該第二表面(11)中之一傳感器元件(13)以及在該第一表面(9)與該傳感器元件(13)之間延伸穿過該半導體晶粒部分(3)之該厚度的一晶粒後體積(7)。該封裝由在該第一表面(9)處鄰接該半導體晶粒部分(3)之一頂蓋部分(23)完成。

Description

晶圓級MEMS傳感器封裝
本發明係關於一種微機電系統(MEMS)傳感器封裝，例如一種MEMS麥克風封裝(包括一電容式MEMS傳感器、一壓電式MEMS傳感器、或一光學式麥克風)，並關於一種用於MEMS傳感器封裝中的半導體晶粒部分與覆蓋部分。
消費型電子裝置持續小型化，且隨著科技的進步，在功效與功能上也日益增進。這明顯見於消費型電子產品所使用的技術中，尤其是但不限於，如行動電話、聲音播放器、影像播放器、個人數位助理(PDA)、各種穿戴型裝置、膝上型電腦或平板等行動計算平台、及/或遊戲機等攜帶型產品。例如對於行動電話產業的需求驅使組件變得愈來愈小，功能愈來愈高，價格愈來愈低。因此，需要將電子電路的功能整合在一起，並將之與麥克風和揚聲器等傳感器結合。
微機電系統(MEMS)傳感器，如MEMS麥克風，在很多這些裝置中都可發現其應用。因此對於降低MEMS裝置的尺寸與成本也有持續的驅動力。
利用MEMS製程形成的麥克風裝置基本上包括一或多個膜，以及位在膜及/或基板或背板上或內的讀出/驅動用電極。在MEMS壓力感測器與麥克風的例子中，該電輸出信號通常藉由量測與電極間電容相關 的信號而得到。然而，在某些例子中，該輸出信號可藉由監測壓阻式(piezo-resistive)或壓電式(piezo-electric)元件而衍生出。在電容輸出傳感器的例子中，該膜係以電極間電位變化所產生的靜電力移動，雖然在某些其它輸出傳感器中，壓電式元件可利用MEMS技術加以製造，並可刺激以造成可撓部件的動作。
為了提供保護，該MEMS傳感器可被包含於一封裝中。該封裝有效將該MEMS傳感器包在裡面，並可提供環境保護，同時允許有形輸入信號到達該傳感器，且利於該電輸出信號提供外部連接。
圖1a繪示一種傳統MEMS傳感器封裝100a。將一MEMS傳感器101附裝至一封裝基板102的第一表面上。該MEMS傳感器101典型上可藉由已知的MEMS製程技術形成於一半導體晶粒上。該封裝基板102可為矽或一印刷電路板(PCB)或一陶瓷層合板或任何其它適合的材料。一上蓋103位在附裝於該封裝基板102的第一表面上的傳感器101上方。該上蓋103可為一金屬蓋。在上蓋103中的一孔隙，即洞，104提供一聲音埠，並允許聲學信號進入該封裝。在此實例中，該傳感器101從傳感器上的接合墊105打線接合至封裝基板102上的接合墊105a。在基板內或上的電通道連接於該基板內表面上的接合墊與基板外表面上的導線，即焊錫，墊108之間，以提供與該傳感器間的外部電連接。
該聲音埠，或聲學埠，104允許送往/來自該封裝內的傳感器的聲波傳送。該傳感器可架構以使該彈性膜位於第一和第二體積，即可充滿空氣(或其它適於傳送聲波的氣體)的空間/孔穴，之間，且其大小足以讓該傳感器提供所欲的聲音應答。該聲音埠104與位於該傳感器膜的一側的第 一區域聲音耦合，其有時可稱為一前方體積。位於多個膜的其中一個膜的另一側的該第二體積，有時可稱為一後方體積，通常有其需求，以允許膜因應入射的聲音或壓力波而自由移動，而此後體積域為實質上密封(雖然熟習此技藝之人士可知，對於MEMS麥克風或類似物而言，該第一與第二體積可透過一或多個如排氣孔，亦即膜中的小洞，的流體通道相連，其架構可在所欲的聲波頻率下呈現出較高的聲音阻抗，而允許兩區域間的低頻壓力等化，以解決因溫度變化等等所造成的壓力差)。
圖1b繪示另一已知的MEMS傳感器封裝100b。同樣地，將一MEMS傳感器101，其可為一MEMS麥克風，附裝至一封裝基板102的第一表面上。在此實例中，該封裝亦包含一積體電路106，雖然沒有舉例說明亦可存在於圖1a中。該積體電路106可提供以為傳感器所用，例如亦可為一低雜訊放大器，用以放大來自一MEMS麥克風的信號。該積體電路106電連接傳感器101的電極，亦可附裝至該封裝基板102的該第一表面上。該積體電路106透過打線接合電連接至該傳感器101。一上蓋107位在該封裝基板上，把該傳感器101和該積體電路106包在裡面。在此封裝中，該上蓋107係為一兩片式上蓋，包括一上部或掀蓋部107a，以及一包圍該傳感器101與該積體電路106所在孔穴的間隔片或框部107b。該封裝基板102、上蓋與框部可以都由PCB或陶瓷材料形成，其可為多層層合結構。該上蓋107在其上部107a具有一聲音埠104，其可使聲音信號進入該封裝。圖1a與1b的每一基板均具有外部導線墊，即焊錫墊，108，用以例如透過焊錫迴流方法外部連接至一末端使用者的PCB。
為了緩衝一般而言較弱的傳感器輸出信號，亦可類似圖1a 所示，於該封裝中使用積體電路放大器電路，並以圖1b所示類似方式進行內部連接。在某些實例中，該聲音埠可提供穿過該基板102，而非該上蓋，或有時兩者均有，以提供不同或方向性的麥克風。
各種其它型式MEMS麥克風或其它MEMS傳感器的封裝也有，但可能是複雜的多元件組合及/或在傳感器周圍需要連接所需的有形間距，因而對材料、製造成本、以及有形尺寸造成衝擊。
此處所述實施例係關於改良的MEMS傳感器封裝。
根據本發明之第一態樣，提供一種MEMS傳感器封裝，其包含：一半導體晶粒部分，其具有由第一表面以及相對的第二表面定界之一厚度；一傳感器元件，其併入第二表面中；以及一晶粒後體積，其在第一表面與傳感器元件之間延伸穿過半導體晶粒部分之厚度。MEMS傳感器封裝進一步包含在第一表面處鄰接半導體晶粒部分之一頂蓋部分。
在一個實施例中，頂蓋部分可包含由第一表面以及相對的第二表面定界之一厚度。
半導體晶粒部分之第一表面與頂蓋部分之第二表面的大小可相等。
在一個實施例中，頂蓋部分之第二表面包含一頂蓋後體積，頂蓋後體積自頂蓋部分之第二表面部分延伸至頂蓋部分之厚度中。晶粒後體積與頂蓋後體積可聲學連接。
在一個實施例中，MEMS傳感器封裝在傳感器元件之附近包含一電路部分，該電路部分具有在半導體晶粒部分中分配之電路厚度。電路部分可包含用於操作MEMS傳感器元件之一積體電子電路。
在一個實施例中，晶粒後體積包含第一子體積以及第二子體積，該第一子體積具有在橫向於半導體晶粒部分之厚度的平面上之第一橫截面，該第二子體積具有在橫向於半導體晶粒部分之厚度的平面上之第二橫截面，其中第一橫截面大於第二橫截面，且其中第二子體積的厚度等於或大於電路厚度。
第一子體積之第一橫截面可在傳感器元件以及電路部分之上延伸。
根據另一態樣，晶粒後體積可包含一階梯式後體積。階梯式後體積可包含在半導體晶粒部分之第一表面與第二表面之間的沿著晶粒後體積之側壁的至少一不連續部。
階梯式後體積可包含鄰近於半導體晶粒部分之第一表面的第一子體積以及鄰近於半導體晶粒部分之第二表面的第二子體積。第一子體積之側向尺寸可大於第二子體積之側向尺寸。
在一個實施例中，電路厚度可由階梯式晶粒後體積之第一子體積的至少部分以及半導體晶粒部分之第二表面定界。
晶粒後體積之側向尺寸與頂蓋後體積之側向尺寸可在其會合之平面處為相同大小。
根據本發明之另一態樣，提供一種MEMS傳感器裝置，其包含：如上文所描述之一MEMS傳感器封裝，且包含一基板，該基板包含一底部埠，其中MEMS傳感器封裝安裝於基板上，且聲學連接至底部埠。
根據本發明之另一態樣，提供一種晶圓級封裝，其包含：一半導體基板，其包含一MEMS麥克風以及在傳感器元件附近之一電路部分；以及一頂蓋部分；其中電路部分包含用於操作MEMS傳感器元件之積體電子電路。
根據本發明之另一態樣，提供一種晶圓級封裝，其包含：一半導體晶粒基板，其包含一MEMS麥克風傳感器元件、一後體積以及用於操作MEMS傳感器元件之積體電子電路；以及一頂蓋部分，其附接至該基板；其中該後體積具有一第一子體積，該第一子體積具有在側向尺寸上覆蓋傳感器元件且至少部分覆蓋積體電子電路之一橫截面。
1‧‧‧MEMS傳感器封裝
3‧‧‧半導體晶粒部分
7‧‧‧晶粒後體積
7a‧‧‧階梯式後體積/第一子體積
7b‧‧‧階梯式後體積/第二子體積
9‧‧‧第一表面
11‧‧‧第二表面
13‧‧‧傳感器元件
14‧‧‧積體電子電路
21‧‧‧第二表面
23‧‧‧頂蓋部分
27‧‧‧頂蓋後體積
29‧‧‧第一表面
30‧‧‧基板/電路部分
31‧‧‧基板
32‧‧‧底部埠
33‧‧‧聲音路徑
100a‧‧‧習知MEMS麥克風封裝
100b‧‧‧已知MEMS傳感器封裝
101‧‧‧MEMS傳感器
102‧‧‧封裝基板
103‧‧‧蓋
104‧‧‧孔隙/聲音埠或聲埠
105‧‧‧結合接墊
105a‧‧‧結合接墊
106‧‧‧積體電路
107‧‧‧蓋
107a‧‧‧上部或蓋部分
107b‧‧‧間隔物或框架部分
108‧‧‧外部引線接墊
為了較佳地理解本發明，且為了更清楚地展示其可以實行之方式，現將借助於實例參考隨附圖式，其中：圖1a以及圖1b說明先前技術MEMS傳感器封裝；圖1c說明根據本發明之一實施例的MEMS傳感器封裝；圖2說明根據本發明之一實施例的MEMS傳感器封裝；圖3說明根據本發明之一實施例的MEMS傳感器封裝；以及圖4說明根據本發明之一實施例的MEMS傳感器封裝。
本發明之實施例提供改良的MEMS傳感器封裝，其中包含一MEMS傳感器且在一些實施例中包含一頂蓋部分之晶粒部分包含一或多個聲道，且因此使一MEMS傳感器能夠被更有效率地封裝。在一些實施例中，晶粒部分可包含用於操作MEMS傳感器之共積體電子電路。在一些實施例中，如與習知封裝相比較，MEMS傳感器封裝之大小可相對較小及/或減小，且在一些實施例中，封裝之佔據面積的大小可與包含MEMS傳感器之晶粒部分的佔據面積實質上相同，而非因某一環繞結構而增大。
貫穿此描述，類似於其他圖中的特徵之任何特徵被給予相同的參考編號。
X2 ICP底部埠實施例
圖1c展示由半導體晶粒部分3組成之MEMS傳感器封裝1，該半導體晶粒部分具有由第一表面9以及相對的第二表面11定界之厚度，該相對的第二表面具有併入其中之傳感器元件13。MEMS傳感器封裝進一步由晶粒後體積7以及頂蓋部分23組成，該晶粒後體積在第一表面9與傳感器元件13之間延伸穿過半導體晶粒部分3之厚度，該頂蓋部分在第一表面(9)處鄰接半導體晶粒部分(3)。頂蓋部分23具有由第一表面29以及相對的第二表面21定界之厚度。
圖2展示另一MEMS傳感器封裝1，其中頂蓋部分23之第二表面21具有頂蓋後體積27，該頂蓋後體積自頂蓋部分23之第二表面21部分延伸至頂蓋部分23之厚度中。且晶粒後體積(7)與頂蓋後體積(27)聲學連接。
如圖1c以及圖2兩者中所見，半導體晶粒部分之第一表面(9)與頂蓋部分(23)之第二表面(21)的大小相等。除了圖1c之傳感器封裝之外，圖2之傳感器封裝在傳感器元件13附近亦具有電路部分30，該電路部分具有在半導體晶粒部分3中分配之一電路厚度。電路部分30包含用於操作MEMS傳感器元件13之一積體電子電路14。
此外，在圖2中，晶粒後體積7由第一子體積7a以及第二子體積7b構成，該第一子體積具有在橫向於半導體晶粒部分3之厚度的平面上之第一橫截面，該第二子體積具有在橫向於半導體晶粒部分3之厚度的平面上之第二橫截面。第一橫截面大於第二橫截面，且第二子體積7b之厚度等於或大於電路厚度。第一子體積7a之第一橫截面在傳感器元件13以及電路部分30之上延伸。
半導體晶粒部分之第二表面11可包含引線(亦即，焊料)接墊32a，該等引線接墊用於經由(例如)焊料32b電連接至基板30上之電導 體。各別焊料接墊32a可經由諸如通孔以及導電跡線(未說明)之電路徑連接，以便將電力(V+以及接地電位)提供給傳感器，且自傳感器輸出信號，舉例而言：根據需要且熟習此項技術者將理解，可能需要其他焊料接墊以及操作性連接。有利地，焊料接墊32a可由與MEMS背板以及膜片金屬電極之形成相關聯的金屬層或如與同積體電子電路之處理相關聯的金屬層對置的某一其他MEMS金屬處理層形成。因此，焊料接墊32b以及至/自傳感器之相關聯的金屬(亦即，導電)軌跡(包括任何電子電路(若存在))可被視為重新分佈層。因此，如本文中所描述具有在MEMS傳感器金屬形成期間形成的焊料接墊32a之金屬層之MEMS封裝在將焊料接墊重新分佈至MEMS傳感器之各種區域的過程中係有利的，該等區域可在形成電路(若存在)的區域之上。
在圖3中，展示半導體晶粒部分3之兩個不同實施例，其類似於圖1c以及圖2之實施例。其進一步展示可分別與半導體部分3中的每一者接合之頂蓋部分23之三個不同實施例。
亦應注意，在本文中所描述之實例中，頂蓋部分23可包含(例如)半導體或矽頂蓋部分，或非矽層壓晶圓，或經模製頂蓋晶圓，或塑膠頂蓋部分，或膜或帶層，或任何其他形式之材料。由半導體或矽製成的頂蓋部分具有允許使用類似於用於製造半導體晶粒部分之技術的晶圓級處理技術來形成頂蓋部分的優勢，此意謂可在同一處理位點製造以及組裝整個MEMS傳感器封裝，其具有晶圓級批量處理之成本優勢以以及其他優勢，諸如，使熱膨脹係數匹配，以避免熱誘發之應力。
階梯式後體積
參考圖1c以及圖2，根據一個實施例，晶粒後體積7包含階梯式後體積7a/7b。舉例而言，階梯式後體積可包含在半導體晶粒部分3 之第一表面9與第二表面11之間的沿著階梯式後體積之側壁的至少一不連續部。
在一個實例中，階梯式後體積包含鄰近於半導體晶粒部分3之第一表面9的第一子體積7a以及鄰近於傳感器13之第二子體積7b。如圖所示，第一子體積7a與第二子體積7b可鄰接(亦即，以形成單一後體積)。第一子體積7a之側向尺寸可大於第二子體積7b之對應側向尺寸。第二子體積之側向尺寸可對應於傳感器13之側向尺寸，而第一子體積之側向尺寸不受此約束。
在一個實例中，晶粒後體積7之橫截面積與頂蓋後體積27之橫截面積在其會合的平面處實質上相同。在其他實例中，晶粒後體積7之橫截面積在其會合的平面處小於頂蓋後體積27之橫截面積。在其他實例中，晶粒後體積7之橫截面積在其會合的平面處大於頂蓋後體積27之橫截面積。
儘管圖2之實施例展示在一個側向方向上延伸之階梯式側壁，但應注意，階梯式側壁亦可在另一側向方向上延伸。
此外，儘管各別子體積經展示為包含實質上正交於半導體晶粒部分3之第一表面9的側壁，但應注意，任何子體積部分之側壁可相對於半導體晶粒部分3之第一表面9傾斜。
使用階梯式後體積因此具有對於給定大小之傳感器的第一表面9與第二表面11之間的給定厚度使後體積之總體積能夠增大之優勢。應注意，可提供一或多個另外階梯式部分。
應注意，頂蓋部分23在包含一頂蓋後體積27時亦可包含一階梯式頂蓋後體積27。頂蓋部分23之階梯式頂蓋後體積27可包含上文所註明的與階梯式晶粒後體積7之子體積7a以及7b有關之特性中之任一者。 在具有經模製頂蓋部分之實施例中，此可提供較大的設計自由度(與矽頂蓋部分相比較)。
應注意，可在包含一後體積的本文中所描述之實施例中的任一者中使用階梯式晶粒後體積以及階梯式頂蓋後體積。
圖4展示MEMS傳感器裝置，其包含如上文所描述之一MEMS傳感器封裝1以及具備一底部埠32之一基板31。在此實施例中，MEMS傳感器封裝1安裝於基板31上，且聲學連接至底部埠32。底部埠32提供允許聲音行進至並撞擊傳感器元件13的聲音路徑33。
在單一晶粒晶圓上一次製造數千個MEMS傳感器封裝。此晶圓可直接由頂蓋部分封端。藉此獲得晶圓級封裝，其包含：一半導體基板3，其包含一MEMS麥克風以及在傳感器元件13附近之一電路部分；以及一頂蓋部分23，其附接至該基板。電路部分包含用於操作MEMS傳感器元件13之一積體電子電路14。
在另一實施例中，半導體晶粒基板3可包含一MEMS麥克風傳感器元件13、一後體積7、用於操作MEMS傳感器元件13之積體電子電路14以及附接至該基板(3)之一頂蓋部分(23)。在此實施例中，後體積7具有第一子體積7a，其具有在側向尺寸上覆蓋傳感器元件13且至少部分覆蓋積體電子電路14之橫截面。
在上文所描述的實施例該，應注意，對傳感器元件之參考可包含各種形式之傳感器元件。舉例而言，傳感器元件可包含單一膜片與背板組合。在另一實例中，傳感器元件包含複數個個別傳感器，例如，多個膜片/背板組合。傳感器元件之個別傳感器可為類似的，或不同地組態以使得其不同地回應聲信號。傳感器元件亦可包含不同的個別傳感器，該等傳感器經定位以自不同聲道接收聲信號。
應注意，在本文中所描述之實施例中，傳感器元件可包含(例如)一麥克風裝置，該麥克風裝置包含一或多個膜片，該等膜片具有沈積於膜片及/或基板或背板上之用於讀出/驅動的電極。在MEMS壓力感測器以及麥克風之狀況下，可藉由量測與電極之間的電容有關的信號來獲得電輸出信號。然而，應注意，該等實施例亦意欲涵蓋藉由監視壓阻或壓電元件而導出之輸出信號。該等實施例亦意欲涵蓋為電容式輸出傳感器之傳感器元件，其中由藉由變化施加在電極上之電位差而產生之靜電力移動膜片，該傳感器元件包括輸出傳感器之實例，其中使用MEMS技術製造壓電元件且激勵該等元件以引起可撓性部件之運動。
亦應注意，可將一或多個其他部分(亦即，除晶粒部分3以及頂蓋部分23外)添加至上文所描述之實施例。此部分(若存在)可包含聲道，其與晶粒部分及/或頂蓋部分中之聲道協作以提供所要聲音埠。舉例而言，在提供用以併有傳感器元件之晶粒部分、用以併有積體電路之積體電路部分以及用以形成頂蓋之頂蓋部分的實例中，此等部分中之一或多者可包含聲道以提供如本文所描述之聲音埠。
應注意，上文所提及之實施例說明而非限制本發明，且熟習此項技術者將能夠在不脫離隨附申請專利範圍之範疇的情況下設計許多替代實施例。詞語「包含」並不排除不同於在申請專利範圍中所列出之元件或步驟的元件或步驟的存在，「一(a或an)」並不排除複數個，「或」並不排除「以及」，且單一處理器或其他單元可滿足在申請專利範圍中所敍述之若干單元的功能。申請專利範圍中之任何參考記號均不應視為限制其範疇。
1‧‧‧MEMS傳感器封裝
3‧‧‧半導體晶粒部分
7‧‧‧晶粒後體積
9‧‧‧第一表面
11‧‧‧第二表面
13‧‧‧傳感器元件
21‧‧‧第二表面
23‧‧‧頂蓋部分
29‧‧‧第一表面

Claims (16)

  1. 一種晶圓級MEMS傳感器封裝(1)，其包含：一半導體晶粒部分(3)，其具有由一第一表面(9)以及一相對的第二表面(11)定界之一厚度；一傳感器元件(13)，其併入該第二表面(11)中；一晶粒後體積(7)，其在該第一表面(9)與該傳感器元件(13)之間延伸穿過該半導體晶粒部分(3)之該厚度；以及一頂蓋部分(23)，其在該第一表面(9)處鄰接該半導體晶粒部分(3)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓級MEMS傳感器封裝，該頂蓋部分(23)包含由一第一表面(29)以及一相對的第二表面(21)定界之一厚度。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之晶圓級MEMS傳感器封裝，其中該半導體晶粒部分之該第一表面(9)與該頂蓋部分(23)之該第二表面(21)的大小相等。
  4. 如申請專利範圍第2項或第3項所述之晶圓級MEMS傳感器封裝，其中該頂蓋部分(23)之該第二表面(21)包含一頂蓋後體積(27)，該頂蓋後體積(27)自該頂蓋部分(23)之該第二表面(21)部分延伸至該頂蓋部分(23)之該厚度中。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之晶圓級MEMS傳感器封裝，其中該晶粒後體積(7)與該頂蓋後體積(27)聲學連接。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓級MEMS傳感器封裝，其在該傳感器元件(13)附近包含一電路部分30，該電路部分具有在該半導體晶粒部分(3)中分配之一電路厚度。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓級MEMS傳感器封裝，其中該電路部分30包含用於操作該MEMS傳感器元件(13)之一積體電子電路(14)。
  8. 如申請專利範圍第4項所述之晶圓級MEMS傳感器封裝，其中該晶粒後體積(7)包含：一第一子體積(7a)，其具有在橫向於該半導體晶粒部分(3)之該厚度的一平面上之一第一橫截面；以及一第二子體積(7b)，其具有在橫向於該半導體晶粒部分(3)之該厚度的一平面上之一第二橫截面；其中該第一橫截面大於該第二橫截面；且其中該第二子體積(7b)之一厚度等於或大於該電路厚度。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之晶圓級MEMS傳感器封裝，其中該第一子體積(7a)之該第一橫截面在該傳感器元件13以及該電路部分30之上延伸。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓級MEMS傳感器封裝，其中該晶粒後體積(7)包含一階梯式後體積。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之晶圓級MEMS傳感器封裝，其中該階梯式後體積包含在該半導體晶粒部分(3)之該第一表面(9)與該第二表面(11)之間的沿著該晶粒後體積之一側壁的至少一不連續部。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之晶圓級MEMS傳感器封裝，其中該階梯式後體積包含鄰近於該半導體晶粒部分(3)之該第一表面(9)的一第一子體積(7a)以及鄰近於該半導體晶粒部分(3)之該第二表面(11)的一第二子體積(7b)。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之晶圓級MEMS傳感器封裝，其中該第一子體積(7a)之一側向尺寸大於該第二子體積(7b)之該側向尺寸。
  14. 如申請專利範圍第9項所述之晶圓級MEMS傳感器封裝，其中該電路厚度由一階梯式晶粒後體積之一第一子體積(7a)的至少部分以及該半 導體晶粒部分(3)之該第二表面(11)定界。
  15. 如申請專利範圍第9項所述之晶圓級MEMS傳感器封裝，其中該晶粒後體積(7)之一側向尺寸與該頂蓋後體積(27)之一側向尺寸在其會合之一平面處為相同大小。
  16. 一種MEMS傳感器裝置，其包含：如申請專利範圍第1項所述之一晶圓級MEMS傳感器封裝；以及一基板(31)，其包含一底部埠(32)；其中該晶圓級MEMS傳感器封裝安裝於該基板(31)上，且聲學連接至該底部埠(32)。
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