KR102623771B1 - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

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Abstract

본 개시는 에너지선의 조사에 의한 처리 진행도의 균일성을 더욱 높일 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
기판 처리 장치는, 웨이퍼(W)를 수용하는 처리실(PR)과, 처리실(PR) 내의 웨이퍼(W)를 가열하는 열판(41)과, 처리실(PR) 내의 웨이퍼(W)에 처리용 에너지선을 조사하는 광원(31)과, 처리실(PR) 내의 웨이퍼(W)에 교차하는 축선 둘레로 그 웨이퍼(W) 또는 광원(31)을 회전시키는 회전 구동부(60)와, 처리실(PR) 밖으로부터 처리실(PR) 내로 그리고 처리실(PR) 내로부터 처리실(PR) 밖으로 기류를 통과시키는 개방 상태와, 그 기류를 차단하는 폐쇄 상태를 전환하는 개폐 기구(70)와, 개방 상태 및 폐쇄 상태를 전환하도록 개폐 기구(70)를 제어하는 것과, 개폐 기구(70)가 개방 상태를 폐쇄 상태로 전환하는 것에 동기하여 광원(31)의 출사광량을 증가시키는 것과, 개폐 기구(70)가 폐쇄 상태를 개방 상태로 전환하는 것에 동기하여 광원(31)의 출사광량을 감소시키는 것을 실행하도록 구성된 제어부(100)를 구비한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND STORAGE MEDIUM}
본 개시는, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 피처리막이 형성된 기판을, 기체의 유속이 10 cm/초 이하인 산소 함유 분위기의 처리실 내에 배치하고, 그 기판에 자외선을 조사하여 피처리막의 일부를 제거하는 기판 처리 방법이 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제2016-27617호 공보
전술한 기판 처리 방법에 의하면, 처리실 내의 기류에서 기인하는 처리 불균일(자외선의 조사에 의한 처리 진행도의 불균일)이 저감되기 때문에, 자외선(에너지선)의 조사에 의한 처리 진행도의 균일성을 높일 수 있다. 본 개시는, 에너지선의 조사에 의한 처리 진행도의 균일성을 더욱 높일 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시의 일측면에 관한 기판 처리 장치는, 기판을 수용하는 처리실과, 처리실 내의 기판에 처리용 에너지선을 조사하는 광원과, 처리실 내의 기판에 교차하는 축선 둘레로 상기 기판 및 광원 중 적어도 한쪽을 회전시키는 회전 구동부와, 처리실 밖으로부터 처리실 내로 그리고 처리실 내로부터 처리실 밖으로 기류를 통과시키는 개방 상태와, 그 기류를 차단하는 폐쇄 상태를 전환하는 개폐 기구와, 개방 상태 및 폐쇄 상태를 전환하도록 개폐 기구를 제어하는 것과, 개폐 기구가 개방 상태를 폐쇄 상태로 전환하는 것에 동기하여 광원의 출사광량을 증가시키는 것과, 개폐 기구가 폐쇄 상태를 개방 상태로 전환하는 것에 동기하여 광원의 출사광량을 감소시키는 것을 실행하도록 구성된 제어부를 구비한다.
이 기판 처리 장치에 의하면, 처리실 내의 기판 및 광원 중 적어도 한쪽을 회전 구동부가 회전시키는 것에 의해, 광원으로부터 기판의 각 부에 도달하는 에너지선의 강도의 불균일(이하, 「조도 불균일」이라고 함)에서 기인하는 처리 불균일이 저감된다. 여기서, 기판 및 광원 중 적어도 한쪽의 회전에 의해, 기류에서 기인하는 처리 불균일(처리실 내의 기류에서 기인하는 처리 불균일)도 저감되는 것이 기대된다. 그러나, 본원 발명자들은, 기판 및 광원 중 적어도 한쪽을 회전시킨다 하더라도, 처리실 내의 환기용 기류에서 기인하는 처리 불균일을 충분히 저감할 수 없는 경우가 있는 것을 발견했다. 따라서, 본 기판 처리 장치는, 개폐 기구와, 제어부를 더 구비하고, 제어부는, 개방 상태 및 폐쇄 상태를 전환하도록 개폐 기구를 제어하는 것과, 개폐 기구가 개방 상태를 폐쇄 상태로 전환하는 것에 동기하여 광원의 출사광량을 증가시키고, 개폐 기구가 폐쇄 상태를 개방 상태로 전환하는 것에 동기하여 광원의 출사광량을 감소시키는 것을 실행하도록 구성되어 있다. 이에 따라, 기판의 회전에 의해서도 저감시킬 수 없는 기류에서 기인하는 처리 불균일을 저감할 수 있다. 따라서, 에너지선의 조사에 의한 처리 진행도의 균일성을 더욱 높일 수 있다.
처리실 내의 기판을 가열하는 열판을 더 구비하고, 회전 구동부는 기판 및 열판을 함께 회전시키도록 구성되어 있고, 제어부는 또한, 광원의 출사광량의 증가에 동기하여 기판 및 열판의 회전 속도를 상승시키도록 회전 구동부를 제어하는 것과, 광원의 출사광량의 감소에 동기하여 기판 및 열판의 회전 속도를 저하시키도록 회전 구동부를 제어하는 것을 실행하도록 구성되어 있어도 좋다.
이 경우, 광원의 출사광량의 감소 시에는 기판 및 열판의 회전 속도를 저하시킴으로써, 기판 및 열판의 총회전 각도를 작게 할 수 있다. 이에 따라, 회전 중에 열판에 대한 에너지 공급을 계속하기 위한 구성을 단순화할 수 있다.
제어부는 또한, 광원의 출사광량의 증가에 동기하여 기판 및 열판의 회전 속도를 상승시킬 때에, 광원의 출사광량의 증가에 앞서서 기판 및 열판의 회전 속도를 상승시키도록 회전 구동부를 제어하고, 광원의 출사광량의 감소에 동기하여 기판 및 열판의 회전 속도를 저하시킬 때에, 광원의 출사광량의 감소 후에 기판 및 열판의 회전 속도를 저하시키도록 회전 구동부를 제어하고, 기판 및 열판의 회전 속도가 저하한 후, 기판 및 열판의 회전 속도가 상승하기 전에, 기판이 광원의 출사광량의 감소 전의 위치로 되돌아갈 때까지 기판 및 열판을 역회전시키도록 회전 구동부를 제어하는 것을 실행하도록 구성되어 있어도 좋다.
이 경우, 광원의 출사광량의 증가에 앞서서 기판 및 열판의 회전 속도를 상승시키고, 광원의 출사광량의 감소 후에 기판 및 열판의 회전 속도를 저하시킴으로써, 기판의 회전 속도가 안정되지 않는 가감속 중에서의 처리의 진행이 작아진다. 기판 및 열판의 회전 속도가 저하한 후, 기판 및 열판의 회전 속도가 상승하기 전에, 기판이 광원의 출사광량의 감소 전의 위치로 되돌아갈 때까지 기판 및 열판을 역회전시킴으로써, 광원의 출사광량의 감소 시의 기판의 위치와, 광원의 출사광량의 증가 시의 기판의 위치의 차이가 작아진다. 따라서, 기판의 회전의 가감속에서 기인하는 조도 불균일이 저감되기 때문에, 에너지선의 조사에 의한 처리 진행도의 균일성을 더욱 높일 수 있다.
제어부는, 광원의 출사광량의 감소에 동기하여 기판 및 열판의 회전 속도를 저하시킬 때에, 광원의 출사광량의 감소 시에 또는 감소 후에 기판 및 열판의 회전 속도의 저하를 시작하도록 회전 구동부를 제어하고, 광원의 출사광량의 증가에 동기하여 기판 및 열판의 회전 속도를 상승시킬 때에, 광원의 출사광량의 증가 시에 또는 증가 전에 기판 및 열판의 회전 속도의 상승이 완료하고, 광원의 출사광량의 증가 시의 기판의 위치 및 광원의 출사광량의 감소 시의 기판의 위치가 일치하는 조건으로 기판 및 열판의 회전 속도를 상승시키도록 회전 구동부를 제어해도 좋다.
이 경우, 회전 속도의 상승 및 저하 동안의 처리의 진행이 더욱 작아지고, 광원의 출사광량의 감소 시의 기판의 위치와, 광원의 출사광량의 증가 시의 기판의 위치의 차이가 더욱 작아진다. 따라서, 기판의 회전 속도의 상승 및 저하에서 기인하는 조도 불균일이 더욱 저감되기 때문에, 에너지선의 조사에 의한 처리 진행도의 균일성을 더욱 높일 수 있다.
제어부는, 기판 및 열판을 함께 제1 방향으로 회전시키고, 광원의 출사광량의 감소에 동기하여 기판 및 열판의 제1 방향으로의 회전 속도를 저하시키고, 광원의 출사광량의 증가에 동기하여 기판 및 열판의 제1 방향으로의 회전 속도를 상승시키도록 회전 구동부를 제어하는 제1 회전 제어와, 기판 및 열판을 함께 제1 방향과는 반대인 제2 방향으로 회전시키고, 광원의 출사광량의 감소에 동기하여 기판 및 열판의 제2 방향으로의 회전 속도를 저하시키고, 광원의 출사광량의 증가에 동기하여 기판 및 열판의 제2 방향으로의 회전 속도를 상승시키도록 회전 구동부를 제어하는 제2 회전 제어를, 제1 회전 제어에 있어서 회전 속도의 저하가 완료될 때의 기판의 위치(이하, 「제1 위치」라고 함)와 제2 회전 제어에 있어서 회전 속도의 저하가 완료될 때의 기판의 위치(이하, 「제2 위치」라고 함)가 상이한 조건으로 실행하도록 구성되어 있어도 좋다.
이 경우, 제1 위치 및 제2 위치를 다르게 함으로써, 기판의 회전 속도의 상승 및 저하에서 기인하는 조도 불균일이 저감되기 때문에, 에너지선의 조사에 의한 처리 진행도의 균일성을 더욱 높일 수 있다.
제어부는, 제1 회전 제어에서의 회전 속도의 상승 및 저하 동안의 기판의 회전 범위(이하, 「제1 회전 범위」라고 함)와, 제2 회전 제어에서의 회전 속도의 상승 및 저하 동안의 기판의 회전 범위(이하, 「제2 회전 범위」라고 함)가 중복되지 않도록, 제1 회전 제어 및 제2 회전 제어를 실행하도록 구성되어 있어도 좋다.
이 경우, 제1 회전 범위 및 제2 회전 범위를 중복시키지 않음으로써, 기판의 회전 속도의 상승 및 저하에서 기인하는 조도 불균일이 더욱 저감되기 때문에, 에너지선의 조사에 의한 처리 진행도의 균일성을 더욱 높일 수 있다.
제어부는, 제1 방향으로의 기판 및 열판의 회전 속도의 상승 및 저하를 일정 주기로 반복하도록 제1 회전 제어를 실행하고, 제2 방향으로의 기판 및 열판의 회전 속도의 상승 및 저하를 일정 주기로 반복하도록 제2 회전 제어를 실행하도록 구성되어 있어도 좋다.
이 경우, 광원의 출사광량의 증가 및 감소를 일정 주기로 반복하고, 개폐 기구에 의한 폐쇄 상태 및 개방 상태의 전환을 일정 주기로 반복하는 것이 가능해지기 때문에, 환기 주기의 변동에서 기인하는 처리 불균일을 저감할 수 있다. 따라서, 에너지선의 조사에 의한 처리 진행도의 균일성을 더욱 높일 수 있다.
본 개시의 다른 측면에 관한 기판 처리 방법은, 기판을 처리실 내에 수용하는 것과, 처리실 내의 기판을 열판에 의해 가열하는 것과, 처리실 내의 기판에 처리용 에너지선을 조사하는 것과, 처리실 내의 기판에 교차하는 축선 둘레로 상기 기판 또는 에너지선의 광원을 회전시키는 것과, 처리실 밖으로부터 처리실 내로 그리고 처리실 내로부터 처리실 밖으로 기류를 통과시키는 개방 상태와, 그 기류를 차단하는 폐쇄 상태를 전환하는 것과, 개방 상태를 폐쇄 상태로 전환하는 것에 동기하여 광원의 출사광량을 증가시키는 것과, 폐쇄 상태를 개방 상태로 전환하는 것에 동기하여 광원의 출사광량을 감소시키는 것을 포함한다.
처리실 내의 기판을 열판에 의해 가열하는 것을 더 포함하고, 기판 및 열판을 함께 회전시키고, 광원의 출사광량의 증가에 동기하여 기판 및 열판의 회전 속도를 상승시키는 것과, 광원의 출사광량의 감소에 동기하여 기판 및 열판의 회전 속도를 저하시키는 것을 더 포함해도 좋다.
광원의 출사광량의 증가에 동기하여 기판 및 열판의 회전 속도를 상승시킬 때에, 광원의 출사광량의 증가에 앞서서 기판 및 열판의 회전 속도를 상승시키고, 광원의 출사광량의 감소에 동기하여 기판 및 열판의 회전 속도를 저하시킬 때에, 광원의 출사광량의 감소 후에 기판 및 열판의 회전 속도를 저하시키고, 기판 및 열판의 회전 속도가 저하한 후, 기판 및 열판의 회전 속도가 상승하기 전에, 기판이 광원의 출사광량의 감소 전의 위치로 되돌아갈 때까지 기판 및 열판을 역회전시키는 것을 더 포함해도 좋다.
광원의 출사광량의 감소에 동기하여 기판 및 열판의 회전 속도를 저하시킬 때에, 광원의 출사광량의 감소 시에 또는 광원의 출사광량의 감소 후에 기판 및 열판의 회전 속도의 저하를 시작하고, 광원의 출사광량의 증가에 동기하여 기판 및 열판의 회전 속도를 상승시킬 때에, 광원의 출사광량의 증가 시에 또는 광원의 출사광량의 증가 전에 기판 및 열판의 회전 속도의 상승이 완료하고, 광원의 출사광량의 증가 시의 기판의 위치 및 광원의 출사광량의 감소 시의 기판의 위치가 일치하는 조건으로 기판 및 열판의 회전 속도를 상승시켜도 좋다.
기판 및 열판을 함께 제1 방향으로 회전시키고, 광원의 출사광량의 감소에 동기하여 기판 및 열판의 제1 방향으로의 회전 속도를 저하시키고, 광원의 출사광량의 증가에 동기하여 기판 및 열판의 제1 방향으로의 회전 속도를 상승시키는 제1 회전 제어와, 기판 및 열판을 함께 제1 방향과는 반대인 제2 방향으로 회전시키고, 광원의 출사광량의 감소에 동기하여 기판 및 열판의 제2 방향으로의 회전 속도를 저하시키고, 광원의 출사광량의 증가에 동기하여 기판 및 열판의 제2 방향으로의 회전 속도를 상승시키는 제2 회전 제어를, 제1 회전 제어에 있어서 회전 속도의 저하가 완료될 때의 기판의 위치와 제2 회전 제어에 있어서 회전 속도의 저하가 완료될 때의 기판의 위치가 상이한 조건으로 실행해도 좋다.
제1 회전 제어에서의 회전 속도의 상승 및 저하 동안의 기판의 회전 범위와, 제2 회전 제어에서의 회전 속도의 상승 및 저하 동안의 기판의 회전 범위가 중복되지 않도록, 제1 회전 제어 및 제2 회전 제어를 실행해도 좋다.
제1 방향으로의 기판 및 열판의 회전 속도의 상승 및 저하를 일정 주기로 반복하도록 제1 회전 제어를 실행하고, 제2 방향으로의 기판 및 열판의 회전 속도의 상승 및 저하를 일정 주기로 반복하도록 제2 회전 제어를 실행해도 좋다.
본 개시의 다른 측면에 관한 기억 매체는, 상기 기판 처리 방법을 장치에 실행시키기 위한 프로그램이 기록되어 있는, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체이다.
본 개시에 의하면, 에너지선의 조사에 의한 처리 진행도의 균일성을 더욱 높일 수 있다.
도 1은 기판 처리 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1 중의 II-II선을 따르는 단면도이다.
도 3은 에칭 유닛의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 조사부의 사시도이다.
도 5는 제어부의 하드웨어 구성을 예시하는 블록도이다.
도 6은 에칭 유닛에 의한 처리 순서를 나타내는 플로우차트이다.
도 7은 기판의 반입으로부터 열처리 시작까지의 에칭 유닛의 동작을 나타내는 도면이다.
도 8은 에칭 처리 순서를 나타내는 플로우차트이다.
도 9는 에칭 처리에서의 에칭 유닛의 동작을 나타내는 도면이다.
도 10은 에칭 처리 순서의 변형예를 나타내는 플로우차트이다.
도 11은 도 10의 순서에서의 기판의 회전 각도를 예시하는 도면이다.
도 12는 에칭 처리 순서의 변형예를 나타내는 플로우차트이다.
도 13은 도 12에 이어지는 순서를 나타내는 플로우차트이다.
도 14는 도 12 및 13의 순서에서의 기판의 회전 각도를 예시하는 도면이다.
이하, 도면을 참조하면서 실시형태에 관해 상세히 설명한다. 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 갖는 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략한다.
〔기판 처리 장치〕
본 실시형태에 관한 기판 처리 장치(1)는, 기판에 대하여, 보호막의 형성과, 에칭에 의한 보호막 표면의 평활화를 행하는 장치이다. 처리 대상 기판은, 예컨대 반도체의 웨이퍼(W)이다. 보호막은, 예컨대 스핀 온 카본(SOC) 등의 소위 하드마스크이다.
도 1 및 2에 나타낸 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 서로 인접하는 캐리어 블록(2) 및 처리 블록(3)과, 제어부(100)를 구비한다.
캐리어 블록(2)은, 기판 처리 장치(1) 내로의 웨이퍼(W)의 도입 및 기판 처리 장치(1) 내로부터의 웨이퍼(W)의 도출을 행한다. 예컨대 캐리어 블록(2)은, 웨이퍼(W)용의 복수의 캐리어(11)를 지지 가능하며, 전달 아암(A1)을 내장하고 있다. 캐리어(11)는, 예컨대 원형의 복수매의 웨이퍼(W)를 수용한다. 전달 아암(A1)은, 캐리어(11)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(3)에 전달하고, 처리 블록(3)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(11) 내로 복귀시킨다.
처리 블록(3)은, 복수의 액처리 유닛(U1)과, 복수의 에칭 유닛(U2)과, 이들 유닛에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A2)을 갖는다. 액처리 유닛(U1)은, 하드마스크 형성용 처리액을 웨이퍼(W)의 표면에 공급하여 피막을 형성하는 처리(이하, 「도포 처리」라고 함)를 행한다. 에칭 유닛(U2)은, 상기 피막을 하드마스크화하기 위한 열처리와, 에칭에 의해 하드마스크의 표면을 평활화하는 처리(이하, 「에칭 처리」라고 함)를 행한다. 처리 블록(3) 내에서의 캐리어 블록(2)측에는 선반부(U10)가 설치되어 있다. 선반부(U10)는, 상하 방향으로 나열된 복수의 셀로 구획되어 있다.
제어부(100)는, 웨이퍼(W)에 대한 도포 처리, 열처리 및 에칭 처리를 실행하도록 캐리어 블록(2) 및 처리 블록(3)을 제어한다. 예컨대 제어부(100)는, 우선 캐리어(11) 내의 웨이퍼(W)를 선반부(U10)에 반송하도록 전달 아암(A1)을 제어한다. 다음으로, 제어부(100)는, 선반부(U10)의 웨이퍼(W)를 액처리 유닛(U1)에 반송하도록 반송 아암(A2)을 제어하고, 그 웨이퍼(W)에 도포 처리를 실시하도록 액처리 유닛(U1)을 제어한다. 다음으로, 제어부(100)는, 웨이퍼(W)를 액처리 유닛(U1)으로부터 에칭 유닛(U2)에 반송하도록 반송 아암(A2)을 제어하고, 그 웨이퍼(W)에 열처리 및 에칭 처리를 실시하도록 에칭 유닛(U2)을 제어한다. 다음으로, 제어부(100)는, 웨이퍼(W)를 에칭 유닛(U2)으로부터 선반부(U10)에 반송하도록 반송 아암(A2)을 제어하고, 그 웨이퍼(W)를 선반부(U10)로부터 캐리어(11) 내로 복귀시키도록 전달 아암(A1)을 제어한다. 이상으로 1장의 웨이퍼(W)에 대한 도포 처리, 열처리 및 에칭 처리가 완료한다.
〔에칭 유닛〕
계속해서, 에칭 유닛(U2)에 관해 상세히 설명한다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 에칭 유닛(U2)은, 웨이퍼(W)를 수용하는 처리실(PR)과, 처리실(PR) 내의 웨이퍼(W)를 가열하는 열판(41)과, 처리실(PR) 내의 웨이퍼(W)에 처리용 에너지선을 조사하는 광원(31)과, 처리실(PR) 내의 웨이퍼(W)에 교차(예컨대 직교)하는 축선 둘레로 그 웨이퍼(W) 또는 광원(31)을 회전시키는 회전 구동부(60)와, 처리실(PR) 밖으로부터 처리실(PR) 내로 그리고 처리실(PR) 내로부터 처리실(PR) 밖으로 기류를 통과시키는 개방 상태와, 그 기류를 차단하는 폐쇄 상태를 전환하는 개폐 기구(70)를 갖는다.
예컨대 에칭 유닛(U2)은, 케이스(20)와, 조사부(30)와, 제1 지지부(40)와, 제2 지지부(50)와, 회전 구동부(60)와, 개폐 기구(70)를 갖는다.
케이스(20)는 에칭 유닛(U2)의 각 구성 요소를 수용한다. 케이스(20)는, 격벽(23)과, 출입구(25)와, 셔터(26)와, 배기구(27)를 포함한다. 격벽(23)은, 케이스(20)의 내부를 상측의 제1 공간(21) 및 하측의 제2 공간(22)으로 구획한다. 제1 공간(21)은, 후술하는 광원(31)을 수용하고, 제2 공간(22)은, 후술하는 제1 지지부(40), 제2 지지부(50), 회전 구동부(60) 및 개폐 기구(70)를 수용한다.
출입구(25)는, 제2 공간(22)의 측벽에 설치되어 있고, 제2 공간(22) 내로의 웨이퍼(W)의 반입 및 제2 공간(22) 내로부터의 웨이퍼(W)의 반출에 이용된다. 셔터(26)는, 예컨대 전동 모터 또는 에어 실린더 등을 동력원으로 하여, 출입구(25)의 상태를 개방 상태 또는 폐쇄 상태로 전환한다. 개방 상태는, 출입구(25)를 통과한 웨이퍼(W)의 반입ㆍ반출이 가능한 상태이고, 폐쇄 상태는, 출입구(25)를 통과한 웨이퍼(W)의 반입ㆍ반출이 불가능해지는 상태이다. 셔터(26)는, 폐쇄 상태에 있어서도, 출입구(25)를 통과한 통기를 가능하게 한다. 즉 셔터(26)는, 통기용 개구를 남긴 상태로 출입구(25)를 폐쇄한다.
배기구(27)는, 제2 공간(22)의 측벽에 있어서, 출입구(25)의 반대쪽에 설치되어 있다. 배기구(27)는, 배기용 덕트(28)에 접속되어 있고, 제2 공간(22) 내로부터 제2 공간(22) 밖으로 배기를 유도한다. 이에 따라, 제2 공간(22) 내에는, 출입구(25)측으로부터 배기구(27)측으로 기류가 형성된다. 전술한 바와 같이, 셔터(26)는, 통기용 간극을 남긴 상태로 출입구(25)를 폐쇄한다. 이 때문에, 상기 기류는 셔터(26)가 출입구(25)를 폐쇄한 상태에서도 형성된다.
제1 지지부(40)는 제2 공간(22) 내에 설치되어 있다. 제1 지지부(40)는, 열판(41)과, 측벽(42)과, 패킹(43)을 포함한다. 열판(41)은, 수평인 상면을 가지며, 예컨대 전열선 등의 히터를 열원으로 하여 발열한다. 측벽(42)은, 열판(41)의 상면을 둘러싸도록 설치되고, 열판(41) 상에 처리실(PR)을 형성한다. 처리실(PR)은 웨이퍼(W)를 수용한다. 열판(41)은, 처리실(PR) 내의 웨이퍼(W)를 수평으로 지지하고, 그 웨이퍼(W)를 가열한다. 패킹(43)은, 측벽(42)과 격벽(23) 사이를 밀봉하기 위해, 측벽(42)의 상측 단부면을 따라서 설치되어 있다.
제2 지지부(50)는, 제2 공간(22) 내에서 제1 지지부(40)의 아래쪽에 설치되어 있다. 제2 지지부(50)는, 위쪽으로 돌출되어 열판(41)을 관통하는 복수의 지지핀(51)을 포함한다.
회전 구동부(60)는, 처리실(PR) 내의 웨이퍼(W), 및 열판(41)을, 웨이퍼(W)에 교차하는 축선 둘레로 함께 회전시킨다. 예컨대 회전 구동부(60)는, 전동 모터 등을 동력원으로 하여, 수직인 축선 둘레로 제1 지지부(40)를 회전시킨다.
개폐 기구(70)는, 처리실(PR)의 상태를 개방 상태 또는 폐쇄 상태로 전환한다. 개방 상태는, 처리실(PR) 밖으로부터 처리실(PR) 내로 그리고 처리실(PR) 내로부터 처리실(PR) 밖으로 기류를 통과시키는 상태이며, 폐쇄 상태는, 그 기류를 차단하는 상태이다. 예컨대 개폐 기구(70)는, 전동 모터 또는 에어 실린더 등을 동력원으로 하여 제1 지지부(40)를 승강시킨다. 개폐 기구(70)가 제1 지지부(40)를 상승시키면, 측벽(42)의 상측 단부면이 격벽(23)에 접근하고, 패킹(43)이 격벽(23)에 밀착된다. 이에 따라, 개방 상태가 폐쇄 상태로 전환된다. 개폐 기구(70)가 제1 지지부(40)를 하강시키면, 패킹(43)이 격벽(23)으로부터 멀어지고, 측벽(42)의 상측 단부면이 격벽(23)으로부터 멀어진다. 이에 따라, 폐쇄 상태가 개방 상태로 전환된다.
또, 폐쇄 상태에서는, 개방 상태에서의 기류(처리실(PR) 밖으로부터 처리실(PR) 내로 그리고 처리실(PR) 내로부터 처리실(PR) 밖으로 통과하는 기류)의 적어도 일부가 차단되면 되며, 반드시 개방 상태에서의 기류 전부가 차단되지 않아도 된다. 예컨대 제1 지지부(40)는 패킹(43)을 갖지 않고, 폐쇄 상태에 있어서 측벽(42)의 상측 단부면과 격벽(23) 사이에 간극이 형성되어 있어도 좋다.
조사부(30)는, 광원(31)과 창부(32)를 갖는다. 광원(31)은, 처리실(PR) 내의 웨이퍼(W)에 처리용 에너지선을 조사한다. 에너지선은, 예컨대 파장 10∼300 nm의 자외선이다. 광원(31)은, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 있어서, 적어도 둘레 방향으로 조도 불균일이 생기도록 배치되어 있다. 예컨대 조사부(30)는, 처리실(PR) 내의 웨이퍼(W)에 대향하는 면을 따르는 적어도 1개의 직관형의 광원(31)을 갖는다. 조사부(30)는, 서로 평행하게 나열된 복수개의 광원(31)을 가져도 좋다(도 4 참조). 창부(32)는 격벽(23)에 있어서 처리실(PR)에 대응하는 위치에 설치되어 있고, 광원(31)으로부터의 에너지선을 처리실(PR)측에 투과시킨다.
이와 같이 구성된 에칭 유닛(U2)은, 전술한 제어부(100)에 의해 제어된다. 제어부(100)는, 개방 상태 및 폐쇄 상태를 전환하도록 개폐 기구(70)를 제어하는 것과, 개폐 기구(70)가 개방 상태를 폐쇄 상태로 전환하는 것에 동기하여 광원(31)의 출사광량을 증가시키는 것과, 개폐 기구(70)가 폐쇄 상태를 개방 상태로 전환하는 것에 동기하여 광원(31)의 출사광량을 감소시키는 것을 실행하도록 구성되어 있다.
또, 「동기」란, 2개의 타이밍이 관련된 것을 의미하고 있고, 반드시 2개의 타이밍이 동시인 것을 의미하는 것은 아니다. 이하에 있어서도 마찬가지이다. 예컨대, 2개의 타이밍이 서로 다른 경우라 하더라도, 이들이 동일한 순서 및 동일한 시간차로 반복되는 경우, 이들은 동기하고 있다. 출사광량을 증가시키는 것은, 소등 상태의 광원(31)을 점등하는 것을 포함하고, 출사광량을 감소시키는 것은, 점등 상태의 광원(31)을 소등시키는 것을 포함한다.
제어부(100)는 또한, 광원(31)의 출사광량의 증가에 동기하여 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도를 상승시키도록 회전 구동부(60)를 제어하는 것과, 광원(31)의 출사광량의 감소에 동기하여 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도를 저하시키도록 회전 구동부(60)를 제어하는 것을 실행하도록 구성되어 있어도 좋다.
또, 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도를 상승시키는 것은, 정지해 있는 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전을 시작하는 것을 포함하고, 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도를 저하시키는 것은, 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전을 정지시키는 것을 포함한다.
예컨대 제어부(100)는, 기능상의 구성(이하, 「기능 블록」이라고 함)으로서, 열판 제어부(111)와, 반입ㆍ반출 제어부(112)와, 환기 제어부(113)와, 조사 제어부(114)와, 회전 제어부(115)를 갖는다.
열판 제어부(111)는, 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 온도를 조절하도록 열판(41)을 제어한다. 반입ㆍ반출 제어부(112)는, 제2 공간(22) 내로의 웨이퍼(W)의 반입 및 반출을 행하도록 셔터(26), 개폐 기구(70) 및 반송 아암(A2)을 제어한다. 환기 제어부(113)는, 처리실(PR)을 개방 상태 또는 폐쇄 상태로 전환하도록 개폐 기구(70)를 제어한다. 조사 제어부(114)는, 광원(31)을 점등 또는 소등시키도록 조사부(30)를 제어한다. 회전 제어부(115)는, 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도 및 회전 각도를 목표치에 추종시키도록 회전 구동부(60)를 제어한다.
제어부(100)는, 하나 또는 복수의 제어용 컴퓨터에 의해 구성된다. 예컨대 제어부(100)는, 도 5에 나타내는 회로(120)를 갖는다. 회로(120)는, 하나 또는 복수의 프로세서(121)와, 메모리(122)와, 스토리지(123)와, 입출력 포트(124)와, 타이머(125)를 갖는다.
스토리지(123)는, 후술하는 기판 처리 방법을 에칭 유닛(U2)에 실행시키기 위한 프로그램이 기록된 기억 매체이다. 예컨대 스토리지(123)는, 상기 각 기능 블록을 구성하기 위한 프로그램이 기록되어 있다. 스토리지(123)는, 컴퓨터 판독 가능하다면 어떠한 것이어도 좋다. 구체예로서, 하드디스크, 비휘발성 반도체 메모리, 자기 디스크 및 광디스크 등을 들 수 있다. 메모리(122)는, 스토리지(123)로부터 로딩한 프로그램 및 프로세서(121)의 연산 결과 등을 일시적으로 기억한다. 프로세서(121)는, 메모리(122)와 협동하여 프로그램을 실행함으로써, 각 기능 블록을 구성한다.
입출력 포트(124)는, 프로세서(121)로부터의 지령에 따라서, 셔터(26), 회전 구동부(60), 개폐 기구(70) 및 조사부(30)와의 사이에서 전기 신호의 입출력을 행한다. 타이머(125)는, 예컨대 일정 주기의 기준 펄스를 카운트함으로써 경과 시간을 계측한다.
또, 제어부(100)의 하드웨어 구성은, 반드시 프로그램에 의해 각 기능 블록을 구성하는 것에 한정되지 않는다. 예컨대 제어부(100)의 상기 기능 블록의 적어도 일부는, 전용 논리 회로 또는 이것을 집적한 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)에 의해 구성되어 있어도 좋다.
〔기판 처리 방법〕
계속해서, 기판 처리 방법의 일례로서, 제어부(100)에 의한 에칭 유닛(U2)의 제어 순서를 설명한다. 본 순서의 시작에 앞서서, 에칭 유닛(U2)은, 셔터(26)가 출입구(25)를 폐쇄 상태로 하고, 개폐 기구(70)가 처리실(PR)을 폐쇄 상태로 한 상태로 되어 있다(도 7의 (a) 참조).
도 6은, 제어부(100)에 의한 에칭 유닛(U2)의 제어 순서를 예시하는 플로우차트이다. 우선, 제어부(100)는 단계 S01을 실행한다. 단계 S01에서는, 열판 제어부(111)가, 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 온도 조절을 시작하도록 열판(41)을 제어한다.
다음으로, 제어부(100)는 단계 S02를 실행한다. 단계 S02에서는, 환기 제어부(113)가, 처리실(PR)의 상태를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 전환하도록 개폐 기구(70)를 제어한다. 예컨대 반입ㆍ반출 제어부(112)는, 패킹(43)이 격벽(23)에 접하는 제1 위치로부터, 패킹(43)이 격벽(23)으로부터 멀어지는 제2 위치까지 제1 지지부(40)를 하강시키도록 개폐 기구(70)를 제어한다(도 7의 (b) 참조). 이에 따라, 처리실(PR) 밖으로부터 처리실(PR) 내로 그리고 처리실(PR) 내로부터 처리실(PR) 밖으로 기류가 통과한다. 구체적으로는, 출입구(25)로부터 배기구(27)로 향하는 기류의 적어도 일부가 처리실(PR) 내부를 통과한다.
다음으로, 제어부(100)는 단계 S03을 실행한다. 단계 S03에서는, 반입ㆍ반출 제어부(112)가, 웨이퍼(W)를 제2 공간(22) 내에 반입하기 위한 제어를 실행한다. 예컨대, 반입ㆍ반출 제어부(112)는, 출입구(25)의 상태를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 전환하도록 셔터(26)를 제어하고, 상기 제2 위치보다 더욱 낮은 제3 위치까지 제1 지지부(40)를 하강시키도록 개폐 기구(70)를 제어한다. 제3 위치는, 지지핀(51)의 선단부가 열판(41)의 상면으로부터 돌출되도록 설정되어 있다. 그 후, 반입ㆍ반출 제어부(112)는, 출입구(25)를 통해서 웨이퍼(W)를 제2 공간(22) 내에 반입하고, 지지핀(51)의 위에 수평으로 배치하도록 반송 아암(A2)을 제어한다(도 7의 (c) 참조). 그 후, 반입ㆍ반출 제어부(112)는, 출입구(25)의 상태를 개방 상태로부터 폐쇄 상태로 전환하도록 셔터(26)를 제어한다(도 7의 (d) 참조).
다음으로, 제어부(100)는 단계 S04를 실행한다. 단계 S04에서는, 열판 제어부(111)가, 웨이퍼(W)를 처리실(PR) 내에 수용 가능한 제4 위치까지 제1 지지부(40)를 상승시킨다(도 7의 (d) 참조). 처리실(PR) 내에 수용된 웨이퍼(W)는 열판(41)에 의해 가열된다. 제4 위치는, 처리실(PR)이 개방 상태가 되도록 설정되어 있다. 이 때문에, 단계 S04의 실행 중에는, 출입구(25)로부터 배기구(27)로 향하는 기류의 적어도 일부가 처리실(PR) 내부를 통과하기 때문에, 처리실(PR) 내부가 계속적으로 환기된다. 제4 위치는 상기 제2 위치와 동일해도 좋다. 그 후, 열판 제어부(111)는 소정 시간의 경과를 대기한다. 소정 시간은, 상기 피막의 하드마스크화를 충분히 진행시키는 관점에서, 사전의 실기(實機) 시험 또는 시뮬레이션 등에 의해 미리 설정되어 있다.
다음으로, 제어부(100)는 단계 S05를 실행한다. 단계 S05에서는, 환기 제어부(113), 조사 제어부(114) 및 회전 제어부(115)가, 에칭 처리를 실행하도록 개폐 기구(70), 조사부(30) 및 회전 구동부(60)를 각각 제어한다. 단계 S05의 구체적 내용은 후술한다.
다음으로, 제어부(100)는 단계 S06을 실행한다. 단계 S06에서는, 처리 대상인 전체 웨이퍼(W)의 처리가 완료했는지 아닌지를 반입ㆍ반출 제어부(112)가 확인한다.
단계 S06에 있어서, 전체 웨이퍼(W)의 처리가 완료하지 않았다고 판정한 경우, 제어부(100)는 단계 S07을 실행한다. 단계 S07에서는, 반입ㆍ반출 제어부(112)가, 웨이퍼(W)를 제2 공간(22) 내로부터 반출하고, 다음 웨이퍼(W)를 제2 공간(22) 내에 반입하기 위한 제어를 실행한다. 예컨대, 반입ㆍ반출 제어부(112)는, 출입구(25)의 상태를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 전환하도록 셔터(26)를 제어하고, 상기 제3 위치까지 제1 지지부(40)를 하강시키도록 개폐 기구(70)를 제어한다. 그 후, 반입ㆍ반출 제어부(112)는, 출입구(25)를 통해서 웨이퍼(W)를 제2 공간(22) 내로부터 반출하고, 출입구(25)를 통해서 다음 웨이퍼(W)를 제2 공간(22) 내에 반입하고, 그 다음 웨이퍼(W)를 지지핀(51) 상에 수평으로 배치하도록 반송 아암(A2)을 제어한다. 그 후, 반입ㆍ반출 제어부(112)는, 출입구(25)의 상태를 개방 상태로부터 폐쇄 상태로 전환하도록 셔터(26)를 제어한다.
단계 S07의 실행후, 제어부(100)는 처리를 단계 S04로 되돌린다. 이후, 전체 웨이퍼(W)의 처리가 완료할 때까지, 열처리 및 에칭 처리가 반복된다.
단계 S06에 있어서, 전체 웨이퍼(W)의 처리가 완료했다고 판정한 경우, 제어부(100)는 단계 S08을 실행한다. 단계 S08에서는, 반입ㆍ반출 제어부(112)가, 웨이퍼(W)를 제2 공간(22) 내로부터 반출하기 위한 제어를 실행한다. 예컨대, 반입ㆍ반출 제어부(112)는, 출입구(25)의 상태를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 전환하도록 셔터(26)를 제어하고, 상기 제3 위치까지 제1 지지부(40)를 하강시키도록 개폐 기구(70)를 제어한다. 그 후, 반입ㆍ반출 제어부(112)는, 출입구(25)를 통해서 웨이퍼(W)를 제2 공간(22) 내로부터 반출하도록 반송 아암(A2)을 제어한다. 그 후, 반입ㆍ반출 제어부(112)는, 출입구(25)를 개방 상태로 유지한다.
다음으로, 제어부(100)는 단계 S09를 실행한다. 단계 S09에서는, 환기 제어부(113)가, 처리실(PR)의 상태를 개방 상태로부터 폐쇄 상태로 전환하도록 개폐 기구(70)를 제어한다. 예컨대 환기 제어부(113)는, 상기 제1 위치까지 제1 지지부(40)를 상승시키도록 개폐 기구(70)를 제어한다.
다음으로, 제어부(100)는 단계 S10을 실행한다. 단계 S10에서는, 열판 제어부(111)가, 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 온도 조절을 정지하도록 열판(41)을 제어한다. 이상으로, 제어부(100)에 의한 에칭 유닛(U2)의 제어 순서가 완료한다.
계속해서, 단계 S05에서의 에칭 처리의 순서를 설명한다. 도 8은, 에칭 처리에 있어서 제어부(100)가 실행하는 제어 순서(이하, 「에칭 제어 순서」라고 함)를 예시하는 플로우차트이다.
제어부(100)는, 우선 단계 S21을 실행한다. 단계 S21에서는, 환기 제어부(113)가, 처리실(PR)의 상태를 개방 상태로부터 폐쇄 상태로 전환하도록 개폐 기구(70)를 제어한다. 예컨대 환기 제어부(113)는, 상기 제1 위치까지 제1 지지부(40)를 상승시키도록 개폐 기구(70)를 제어한다(도 9의 (a) 참조).
다음으로, 제어부(100)는 단계 S22를 실행한다. 단계 S22에서는, 조사 제어부(114)가, 광원(31)을 점등시키도록 조사부(30)를 제어한다(도 9의 (b) 참조).
다음으로, 제어부(100)는 단계 S23을 실행한다. 단계 S23에서는, 회전 제어부(115)가, 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전을 시작하고, 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도를 소정 속도까지 가속하도록 회전 구동부(60)를 제어한다. 소정 속도는, 그 속도로 회전시키는 후술하는 제1 각도와, 그 속도에서의 회전 중에 웨이퍼(W)에 에너지선을 조사해야 할 시간(이하, 「요(要)조사 시간」이라고 함)에 따라서 미리 설정되어 있다. 예컨대 소정 속도는, 제1 각도를 요조사 시간으로 나눈 값으로 되어 있다.
다음으로, 제어부(100)는 단계 S24를 실행한다. 단계 S24에서는, 상기 소정 속도에서의 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 각도가 제1 각도에 도달하는 것을 회전 제어부(115)가 대기한다. 제1 각도는, 웨이퍼(W)의 합계 회전 각도가 후술하는 제2 각도에 도달하기까지의 동안에, 처리실(PR) 내부를 환기해야 할 횟수(이하, 「요(要)환기 횟수」라고 함)에 따라서 미리 설정되어 있다. 예컨대 제1 각도는, 제2 각도를 요환기 횟수로 나눈 값으로부터, 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 가속ㆍ감속 중의 회전 각도를 감산한 값으로 되어 있다.
다음으로, 제어부(100)는 단계 S25를 실행한다. 단계 S25에서는, 회전 제어부(115)가, 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도를 감속하고, 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전을 정지시키도록 회전 구동부(60)를 제어한다.
다음으로, 제어부(100)는 단계 S26을 실행한다. 단계 S26에서는, 조사 제어부(114)가, 광원(31)을 소등시키도록 조사부(30)를 제어한다.
다음으로, 제어부(100)는 단계 S27을 실행한다. 단계 S27에서는, 환기 제어부(113)가, 처리실(PR)의 상태를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 전환하도록 개폐 기구(70)를 제어한다. 예컨대 환기 제어부(113)는, 상기 제4 위치까지 제1 지지부(40)를 하강시키도록 개폐 기구(70)를 제어한다(도 9의 (c) 참조). 이에 따라, 제2 공간(22) 내부를 통과하여 출입구(25)로부터 배기구(27)로 향하는 기류의 적어도 일부가 처리실(PR) 내부를 통과하기 때문에, 처리실(PR) 내부가 환기된다.
다음으로, 제어부(100)는 단계 S28을 실행한다. 단계 S28에서는, 웨이퍼(W)의 합계 회전 각도가 제2 각도에 도달했는지 아닌지를 회전 제어부(115)가 확인한다. 제2 각도는, 구조상의 제약 조건에 따라서 설정되어 있다. 상기 제약 조건은, 예컨대 열판(41)에 전력을 공급하기 위한 케이블의 길이를 포함한다.
단계 S28에 있어서, 합계 회전 각도가 제2 각도에 도달하지 않았다고 판정한 경우, 제어부(100)는 단계 S29를 실행한다. 단계 S29에서는, 환기 제어부(113)가 소정의 환기 시간의 경과를 대기한다. 환기 시간은, 처리실(PR) 내의 환기를 충분히 행하는 관점에서, 이론식(式), 시뮬레이션 또는 실기 시험에 의해 미리 설정되어 있다. 처리실(PR)의 환기가 충분히 행해진 상태는, 예컨대, 처리실(PR) 내의 기체의 조성이, 광원(31)의 점등(단계 S22) 전의 처리실(PR) 내의 기체의 조성과 실질적으로 동등해진 상태이다.
단계 S29의 실행후, 제어부(100)는 처리를 단계 S21로 되돌린다. 이후, 웨이퍼(W)의 합계 회전 각도가 제2 각도에 도달할 때까지는, 처리실(PR) 내의 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 광원(31)으로부터 그 웨이퍼(W)에 에너지선을 조사하는 것과, 광원(31)을 소등시킨 상태에서 처리실(PR) 내부를 환기하는 것이 일정 주기로 반복된다.
단계 S28에 있어서, 웨이퍼(W)의 합계 회전 각도가 제2 각도에 도달했다고 판정한 경우, 제어부(100)는 단계 S30을 실행한다.
단계 S30에서는, 회전 제어부(115)가, 단계 S23을 최초로 실행하기 전의 상태까지, 웨이퍼(W) 및 열판(41)을 역회전시키도록 회전 구동부(60)를 제어한다. 예컨대 회전 제어부(115)는, 상기 합계 회전 각도와 동일한 회전 각도로 웨이퍼(W) 및 열판(41)을 역회전시키도록 회전 구동부(60)를 제어한다. 이상으로 에칭 처리가 완료한다.
〔변형예 1〕
제어부(100)는, 광원(31)의 점등에 동기하여 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전을 시작할 때에, 광원(31)의 점등에 앞서서 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전을 시작하도록 회전 구동부(60)를 제어하고, 광원(31)의 소등에 동기하여 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전을 정지할 때에, 광원(31)의 소등 후에 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전을 정지시키도록 회전 구동부(60)를 제어해도 좋다. 예컨대 제어부(100)는, 단계 S22에서의 광원(31)의 점등에 앞서서 단계 S23에서의 웨이퍼(W)의 가속을 시작하고, 단계 S25에서의 웨이퍼(W)의 정지에 앞서서 단계 S26을 실행하도록 구성되어 있어도 좋다.
이 경우, 제어부(100)는 또한, 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전이 정지한 후, 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전이 시작하기 전에, 웨이퍼(W)가 광원(31)의 소등 전의 위치로 되돌아갈 때까지 웨이퍼(W) 및 열판(41)을 역회전시키도록 회전 구동부(60)를 제어하는 것을 실행하도록 구성되어 있어도 좋다.
제어부(100)는, 광원(31)의 소등에 동기하여 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전을 정지할 때에, 광원(31)의 소등 시에 또는 소등 후에 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 감속을 시작하도록 회전 구동부(60)를 제어하고, 광원(31)의 점등에 동기하여 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전을 시작할 때에, 광원(31)의 점등 시에 또는 점등 전에 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 가속이 완료하고, 광원(31)의 점등 시의 웨이퍼(W)의 위치 및 광원(31)의 소등 시의 웨이퍼(W)의 위치가 일치하는 조건으로 웨이퍼(W) 및 열판(41)을 가속하도록 회전 구동부(60)를 제어해도 좋다.
도 10은, 이들 변형예를 구체적으로 나타내는 플로우차트이다. 도 10에서의 단계 S41∼S47은, 이하의 점을 제외하고 전술한 단계 S21∼S27과 동일하다.
i) 단계 S23에 해당하는 단계 S42(웨이퍼(W) 및 열판(41)의 가속), 및 단계 S22에 해당하는 단계 S43(광원(31)의 점등)의 실행 순서가, 단계 S22, S23의 실행 순서와 역전되어 있다. 즉, 제어부(100)는, 광원(31)의 점등 직전에 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 가속이 완료하도록 회전 구동부(60)를 제어한다.
ii) 단계 S26에 해당하는 단계 S45(광원(31)의 소등), 및 단계 S25에 해당하는 단계 S46(웨이퍼(W) 및 열판(41)의 감속)의 실행 순서가, 단계 S25, S26의 실행 순서와 역전되어 있다. 즉, 제어부(100)는, 광원(31)의 소등 직후에 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 감속을 시작하도록 회전 구동부(60)를 제어한다.
도 11의 (a)는, 단계 S41∼S47에서의 웨이퍼(W)의 움직임을 모식적으로 나타내고 있다. 각도 θ1은, 단계 S42에서의 가속 중의 회전 각도이고, 각도 θ2는, 단계 S44에서의 회전 각도(제1 각도)이고, 각도 θ3은, 단계 S46에서의 감속 중의 회전 각도이다.
도 10으로 되돌아가, 제어부(100)는, 다음으로 단계 S28과 동일한 단계 S48을 실행한다. 단계 S48에서는, 단계 S28과 마찬가지로, 웨이퍼(W)의 합계 회전 각도가 제2 각도에 도달했는지 아닌지를 회전 제어부(115)가 확인한다.
단계 S48에 있어서, 합계 회전 각도가 제2 각도에 도달하지 않았다고 판정한 경우, 제어부(100)는 단계 S49를 실행한다. 단계 S49에서는, 웨이퍼(W)가 광원(31)의 소등(단계 S45) 전의 위치로 되돌아갈 때까지 웨이퍼(W) 및 열판(41)을 역회전시키도록, 회전 제어부(115)가 회전 구동부(60)를 제어한다.
도 11의 (b)는, 단계 S49에서의 웨이퍼(W)의 움직임을 모식적으로 나타내고 있고, 각도 θ4는 단계 S49에서의 역회전의 각도이다. 각도 θ4는, 예컨대 각도 θ1, θ2의 합과 동등하다.
도 10으로 되돌아가, 제어부(100)는, 다음으로 단계 S29와 동일한 단계 S50을 실행한다. 단계 S50에서는, 환기 제어부(113)가 상기 환기 시간의 경과를 대기한다.
단계 S50의 실행후, 제어부(100)는 처리를 단계 S41로 되돌린다. 이후, 웨이퍼(W)의 합계 회전 각도가 제2 각도에 도달할 때까지는, 웨이퍼(W)의 가속 완료 후에, 처리실(PR) 내의 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 광원(31)으로부터 그 웨이퍼(W)에 에너지선을 조사하는 것과, 광원(31)의 소등 후에, 웨이퍼(W)를 감속ㆍ정지시키는 것과, 광원(31)의 소등 전의 위치까지 웨이퍼(W)를 역회전시키는 것과, 처리실(PR) 내부를 환기하는 것이 일정 주기로 반복된다.
도 11의 (c)는, 도 11의 (b)의 상태 후, 단계 S41∼S47을 실행할 때의 웨이퍼(W)의 움직임을 모식적으로 나타내고 있다. 전술한 바와 같이, 역회전의 각도 θ4는, 각도 θ1, θ2의 합과 동등하다. 이 때문에, 광원(31)의 점등(단계 S43) 시의 웨이퍼(W)의 위치(P2)와, 전회의 광원(31)의 소등(단계 S45) 시의 웨이퍼(W)의 위치(P1)가 일치한다. 즉, 제어부(100)는, 광원(31)의 점등 시의 웨이퍼(W)의 위치 및 광원(31)의 소등 시의 웨이퍼(W)의 위치가 일치하는 조건으로 웨이퍼(W) 및 열판(41)을 가속하도록 회전 구동부(60)를 제어한다.
단계 S48에 있어서, 웨이퍼(W)의 합계 회전 각도가 제2 각도에 도달했다고 판정한 경우, 제어부(100)는 단계 S51을 실행한다. 단계 S51에서는, 회전 제어부(115)가, 단계 S42를 최초로 실행하기 전의 상태까지, 웨이퍼(W) 및 열판(41)을 역회전시키도록 회전 구동부(60)를 제어한다. 예컨대 회전 제어부(115)는, 상기 합계 회전 각도와 동일한 회전 각도로 웨이퍼(W) 및 열판(41)을 역회전시키도록 회전 구동부(60)를 제어한다. 이상으로 도 10의 에칭 처리가 완료한다.
〔변형예 2〕
제어부(100)는, 웨이퍼(W) 및 열판(41)을 함께 제1 방향으로 회전시키고, 광원(31)의 소등에 동기하여 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 제1 방향으로의 회전을 정지시키고, 광원(31)의 점등에 동기하여 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 제1 방향으로의 회전을 재개시키도록 회전 구동부(60)를 제어하는 제1 회전 제어와, 웨이퍼(W) 및 열판(41)을 함께 제1 방향과는 반대인 제2 방향으로 회전시키고, 광원(31)의 소등에 동기하여 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 제2 방향으로의 회전을 정지시키고, 광원(31)의 점등에 동기하여 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 제2 방향으로의 회전을 재개시키도록 회전 구동부(60)를 제어하는 제2 회전 제어를, 제1 회전 제어에서의 웨이퍼(W)의 정지 위치와 제2 회전 제어에서의 웨이퍼(W)의 정지 위치가 상이한 조건으로 실행하도록 구성되어 있어도 좋다.
또한, 제어부(100)는, 제1 회전 제어에서의 가속 및 감속 중의 웨이퍼(W)의 회전 범위와, 제2 회전 제어에서의 가속 및 감속 중의 웨이퍼(W)의 회전 범위가 중복되지 않도록, 제1 회전 제어 및 제2 회전 제어를 실행하도록 구성되어 있어도 좋다.
또한, 제어부(100)는, 제1 회전 제어에 있어서, 제1 방향으로의 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 및 그 회전의 정지를 일정 주기로 반복하도록 회전 구동부(60)를 제어하고, 제2 회전 제어에 있어서, 제2 방향으로의 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 및 그 회전의 정지를 상기 일정 주기로 반복하도록 회전 구동부(60)를 제어하도록 구성되어 있어도 좋다.
도 12 및 도 13은, 이들 변형예를 구체적으로 나타내는 플로우차트이다. 도 12의 단계 S61∼S69는 제1 회전 제어의 일례이며, 실질적으로 상기 단계 S21∼S29와 동일하다. 편의상, 단계 S61∼S69에서의 웨이퍼(W)의 회전 방향을 상기 제1 방향으로 한다.
단계 S68에서는, 제1 방향으로의 웨이퍼(W)의 합계 회전 각도가 제2 각도에 도달했는지 아닌지를 회전 제어부(115)가 확인한다. 제어부(100)는, 상기 합계 회전 각도가 제2 각도에 도달할 때까지, 단계 S61∼S69를 일정 주기로 반복한다.
단계 S68에 있어서, 제1 방향으로의 웨이퍼(W)의 합계 회전 각도가 제2 각도에 도달했다고 판정한 경우, 제어부(100)는 단계 S70을 실행한다. 단계 S70에서는, 광원(31)이 소등한 상태에서, 제1 방향으로 더욱 웨이퍼(W)를 회전시키도록 회전 제어부(115)가 회전 구동부(60)를 제어한다. 단계 S70에서의 웨이퍼(W)의 회전 각도에 관해서는 후술한다.
다음으로, 제어부(100)는, 웨이퍼(W)의 회전 방향을 제1 방향과는 반대인 제2 방향으로 변경하여 단계 S71∼S80을 실행한다. 단계 S71∼S79는, 제2 회전 제어의 일례이며, 웨이퍼(W)의 회전 방향이 제2 방향인 점을 제외하고 단계 S61∼S69와 동일하다.
단계 S78에서는, 제2 방향으로의 웨이퍼(W)의 합계 회전 각도가 제2 각도에 도달했는지 아닌지를 회전 제어부(115)가 확인한다. 제어부(100)는, 상기 합계 회전 각도가 제2 각도에 도달할 때까지, 단계 S71∼S79를 일정 주기로 반복한다.
단계 S78에 있어서, 제2 방향으로의 웨이퍼(W)의 합계 회전 각도가 제2 각도에 도달했다고 판정한 경우, 제어부(100)는 단계 S80을 실행한다. 단계 S80에서는, 광원(31)이 소등한 상태에서, 제2 방향으로 더욱 웨이퍼(W)를 회전시키도록 회전 제어부(115)가 회전 구동부(60)를 제어한다. 단계 S80에서의 웨이퍼(W)의 회전 각도는, 단계 S70에서의 웨이퍼(W)의 회전 각도와 동일하다. 이상으로 도 12 및 도 13의 에칭 처리가 완료한다.
도 14의 (a)는, 단계 S61∼S69에서의 웨이퍼(W)의 움직임을 모식적으로 나타내고 있다. 단계 S61∼S69에 있어서, 웨이퍼(W)는 제1 방향(D1)으로 회전한다. 각도 θ11은, 단계 S63에서의 가속 중의 회전 각도이고, 각도 θ12는, 단계 S64에서의 회전 각도(제1 각도)이고, 각도 θ13은, 단계 S65에서의 감속 중의 회전 각도이다. 도 14의 (b)는, 단계 S70에서의 웨이퍼(W)의 움직임을 모식적으로 나타내고 있다. 단계 S70에 있어서, 웨이퍼(W)는 제1 방향(D1)으로 더욱 회전한다. 각도 θ14는, 단계 S70에서의 웨이퍼(W)의 회전 각도이다. 도 14의 (c)는, 단계 S71∼S79에서의 웨이퍼(W)의 움직임을 모식적으로 나타내고 있다. 단계 S71∼S79에 있어서, 웨이퍼(W)는 제2 방향(D2)으로 회전한다.
단계 S65에서의 웨이퍼(W)의 정지 위치(P11)와, 단계 S75에서의 웨이퍼(W)의 정지 위치(P12)의 관계는, 각도 θ14의 설정에 의해 조절 가능하다. 또한, 단계 S63에서의 가속 및 단계 S65에서의 감속 중의 웨이퍼(W)의 회전 범위(RA1)와, 단계 S73에서의 가속 및 단계 S75에서의 감속 중의 웨이퍼(W)의 회전 범위(RA2)의 관계도, 각도 θ14의 설정에 의해 조절 가능하다. 각도 θ14는, 정지 위치(P11)와 정지 위치(P12)가 상이하게 설정되어 있고, 회전 범위(RA1)와 회전 범위(RA2)도 중복되지 않도록 설정되어 있다.
또, 제어부(100)는, 정지 위치(P11)와 정지 위치(P12)가 상이한 조건으로 제1 회전 제어 및 제2 회전 제어를 실행하도록 구성되어 있으면 되기 때문에, 그 구체적 방식은 전술한 것에 한정되지 않는다. 또한, 회전 범위(RA1)와 회전 범위(RA2)가 중복되지 않도록 하는 방식도 전술한 것에 한정되지 않는다. 예컨대 제어부(100)는, 단계 S70을 행하지 않고, 도 14의 각도 θ11, θ12, θ13을 적절하게 변화시킴으로써, 정지 위치(P11)와 정지 위치(P12)를 다르게 하고, 회전 범위(RA1)와 회전 범위(RA2)의 중복을 회피하도록 구성되어 있어도 좋다.
〔본 실시형태의 효과〕
기판 처리 장치(1)는, 웨이퍼(W)를 수용하는 처리실(PR)과, 처리실(PR) 내의 웨이퍼(W)에 처리용 에너지선을 조사하는 광원(31)과, 처리실(PR) 내의 웨이퍼(W)에 교차하는 축선 둘레로 그 웨이퍼(W) 및 광원(31) 중 적어도 한쪽을 회전시키는 회전 구동부(60)와, 처리실(PR) 밖으로부터 처리실(PR) 내로 그리고 처리실(PR) 내로부터 처리실(PR) 밖으로 기류를 통과시키는 개방 상태와, 그 기류를 차단하는 폐쇄 상태를 전환하는 개폐 기구(70)와, 개방 상태 및 폐쇄 상태를 전환하도록 개폐 기구(70)를 제어하는 것과, 개폐 기구(70)가 개방 상태를 폐쇄 상태로 전환하는 것에 동기하여 광원(31)의 출사광량을 증가시키는 것과, 개폐 기구(70)가 폐쇄 상태를 개방 상태로 전환하는 것에 동기하여 광원(31)의 출사광량을 감소시키는 것을 실행하도록 구성된 제어부(100)를 구비한다.
이 기판 처리 장치(1)에 의하면, 처리실(PR) 내의 웨이퍼(W) 및 광원(31) 중 적어도 한쪽을 회전 구동부(60)가 회전시키는 것에 의해, 광원(31)으로부터 웨이퍼(W)의 각 부에 도달하는 에너지선의 강도의 불균일(이하, 「조도 불균일」이라고 함)에서 기인하는 처리 불균일이 저감된다. 여기서, 웨이퍼(W) 및 광원(31) 중 적어도 한쪽의 회전에 의해, 기류에서 기인하는 처리 불균일(처리실(PR) 내의 기류에서 기인하는 처리 불균일)도 저감되는 것이 기대된다. 그러나, 본원 발명자들은, 웨이퍼(W) 및 광원(31) 중 적어도 한쪽을 회전시킨다 하더라도, 처리실(PR) 내의 환기용 기류에서 기인하는 처리 불균일을 충분히 저감할 수 없는 경우가 있는 것을 발견했다. 따라서, 기판 처리 장치(1)는, 개폐 기구(70)와, 제어부(100)를 더 구비하고, 제어부(100)는, 개방 상태 및 폐쇄 상태를 전환하도록 개폐 기구(70)를 제어하는 것과, 개폐 기구(70)가 개방 상태를 폐쇄 상태로 전환하는 것에 동기하여 광원(31)의 출사광량을 증가시키고, 개폐 기구(70)가 폐쇄 상태를 개방 상태로 전환하는 것에 동기하여 광원(31)의 출사광량을 감소시키는 것을 실행하도록 구성되어 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 회전에 의해서도 저감시킬 수 없는 기류에서 기인하는 처리 불균일을 저감할 수 있다. 따라서, 에너지선의 조사에 의한 처리 진행도의 균일성을 더욱 높일 수 있다.
기판 처리 장치(1)는, 처리실(PR) 내의 웨이퍼(W)를 가열하는 열판(41)을 더 구비하고, 회전 구동부(60)는 웨이퍼(W) 및 열판(41)을 함께 회전시키도록 구성되어 있고, 제어부(100)는 또한, 광원(31)의 출사광량의 증가에 동기하여 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도를 상승시키도록 회전 구동부(60)를 제어하는 것과, 광원(31)의 출사광량의 감소에 동기하여 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도를 저하시키도록 회전 구동부(60)를 제어하는 것을 실행하도록 구성되어 있어도 좋다.
이 경우, 광원(31)의 출사광량의 감소 시에는 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도를 저하시킴으로써, 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 총회전 각도를 작게 할 수 있다. 이에 따라, 회전 중에 열판(41)에 대한 에너지 공급을 계속하기 위한 구성을 단순화할 수 있다. 예컨대, 브러시 등의 가동 접점을 이용하지 않고, 열판(41)에 유선으로 전력 공급을 계속할 수 있다.
제어부(100)는 또한, 광원(31)의 출사광량의 증가에 동기하여 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도를 상승시킬 때에, 광원(31)의 출사광량의 증가에 앞서서 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도를 상승시키도록 회전 구동부(60)를 제어하고, 광원(31)의 출사광량의 감소에 동기하여 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도를 저하시킬 때에, 광원(31)의 출사광량의 감소 후에 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도를 저하시키도록 회전 구동부(60)를 제어하고, 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도가 저하한 후, 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도가 상승하기 전에, 웨이퍼(W)가 광원(31)의 출사광량의 감소 전의 위치로 되돌아갈 때까지 웨이퍼(W) 및 열판(41)을 역회전시키도록 회전 구동부(60)를 제어하는 것을 실행하도록 구성되어 있어도 좋다.
이 경우, 광원(31)의 출사광량의 증가에 앞서서 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도를 상승시키고, 광원(31)의 출사광량의 감소 후에 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도를 저하시킴으로써, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 안정되지 않는 가감속 동안의 처리의 진행이 작아진다. 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도가 저하한 후, 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도가 상승하기 전에, 웨이퍼(W)가 광원의 출사광량의 감소 전의 위치로 되돌아갈 때까지 웨이퍼(W) 및 열판(41)을 역회전시킴으로써, 광원(31)의 출사광량의 감소 시의 웨이퍼(W)의 위치와, 광원(31)의 출사광량의 증가 시의 웨이퍼(W)의 위치의 차이가 작아진다. 따라서, 웨이퍼(W)의 회전의 가감속에서 기인하는 조도 불균일이 저감되기 때문에, 에너지선의 조사에 의한 처리 진행도의 균일성을 더욱 높일 수 있다.
제어부(100)는, 광원(31)의 출사광량의 감소에 동기하여 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도를 저하시킬 때에, 광원(31)의 출사광량의 감소 시에 또는 감소 후에 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도의 저하를 시작하도록 회전 구동부(60)를 제어하고, 광원(31)의 출사광량의 증가에 동기하여 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도를 상승시킬 때에, 광원(31)의 출사광량의 증가 시에 또는 증가 전에 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도의 상승이 완료하고, 광원(31)의 출사광량의 증가 시의 웨이퍼(W)의 위치 및 광원(31)의 출사광량의 감소 시의 웨이퍼(W)의 위치가 일치하는 조건으로 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도를 상승시키도록 회전 구동부(60)를 제어해도 좋다.
이 경우, 회전 속도의 상승 및 저하 동안의 처리의 진행이 더욱 작아지고, 광원(31)의 출사광량의 감소 시의 웨이퍼(W)의 위치와, 광원(31)의 출사광량의 증가 시의 웨이퍼(W)의 위치의 차이가 더욱 작아진다. 따라서, 웨이퍼(W)의 회전 속도의 상승 및 저하에서 기인하는 조도 불균일이 더욱 저감되기 때문에, 에너지선의 조사에 의한 처리 진행도의 균일성을 더욱 높일 수 있다.
제어부(100)는, 웨이퍼(W) 및 열판(41)을 함께 제1 방향(D1)으로 회전시키고, 광원(31)의 출사광량의 감소에 동기하여 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 제1 방향(D1)으로의 회전 속도를 저하시키고, 광원(31)의 출사광량의 증가에 동기하여 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 제1 방향(D1)으로의 회전 속도를 상승시키도록 회전 구동부(60)를 제어하는 제1 회전 제어와, 웨이퍼(W) 및 열판(41)을 함께 제1 방향(D1)과는 반대인 제2 방향(D2)으로 회전시키고, 광원(31)의 출사광량의 감소에 동기하여 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 제2 방향(D2)으로의 회전 속도를 저하시키고, 광원(31)의 출사광량의 증가에 동기하여 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 제2 방향(D2)으로의 회전 속도를 상승시키도록 회전 구동부(60)를 제어하는 제2 회전 제어를, 제1 회전 제어에 있어서 회전 속도의 저하가 완료될 때의 웨이퍼(W)의 위치(P11)와 제2 회전 제어에 있어서 회전 속도의 저하가 완료될 때의 웨이퍼(W)의 위치(P12)가 상이한 조건으로 실행하도록 구성되어 있어도 좋다.
이 경우, 위치(P11) 및 위치(P12)를 다르게 함으로써, 기판의 회전 속도의 상승 및 저하에서 기인하는 조도 불균일이 저감되기 때문에, 에너지선의 조사에 의한 처리 진행도의 균일성을 더욱 높일 수 있다.
제어부(100)는, 제1 회전 제어에서의 회전 속도의 상승 및 저하 중의 웨이퍼(W)의 회전 범위(RA1)와, 제2 회전 제어에서의 회전 속도의 상승 및 저하 중의 웨이퍼(W)의 회전 범위(RA2)가 중복되지 않도록, 제1 회전 제어 및 제2 회전 제어를 실행하도록 구성되어 있어도 좋다.
이 경우, 회전 범위(RA1, RA2)를 중복시키지 않음으로써, 기판의 회전 속도의 상승 및 저하에서 기인하는 조도 불균일이 더욱 저감되기 때문에, 에너지선의 조사에 의한 처리 진행도의 균일성을 더욱 높일 수 있다.
제어부(100)는, 제1 방향(D1)으로의 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도의 상승 및 저하를 일정 주기로 반복하도록 제1 회전 제어를 실행하고, 제2 방향(D2)으로의 웨이퍼(W) 및 열판(41)의 회전 속도의 상승 및 저하를 일정 주기로 반복하도록 제2 회전 제어를 실행하도록 구성되어 있어도 좋다.
이 경우, 광원(31)의 출사광량의 증가 및 감소를 일정 주기로 반복하고, 개폐 기구(70)에 의한 폐쇄 상태 및 개방 상태의 전환을 일정 주기로 반복하는 것이 가능해지기 때문에, 처리실(PR) 내의 환기 주기의 변동에서 기인하는 처리 불균일을 저감할 수 있다. 따라서, 에너지선의 조사에 의한 처리 진행도의 균일성을 더욱 높일 수 있다.
이상, 실시형태에 관해 설명했지만, 본 개시는 반드시 전술한 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러가지 변경이 가능하다. 예컨대, 회전 구동부(60)는, 웨이퍼(W) 및 열판(41) 대신에 광원(31)을 회전시켜도 좋다. 전술한 구성은, 레지스트막 등의 유기막에 대한 에너지선의 조사에도 적용 가능하다. 처리 대상 기판은 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고, 예컨대 유리 기판, 마스크 기판, FPD(Flat Panel Display) 등이어도 좋다.
1 : 기판 처리 장치, W : 웨이퍼(기판), 100 : 제어부, PR : 처리실, 41 : 열판, 31 : 광원, 60 : 회전 구동부, 70 : 개폐 기구.

Claims (12)

  1. 기판을 수용하는 처리실과,
    상기 처리실 내의 상기 기판에 처리용 에너지선을 조사하는 광원과,
    상기 처리실 내의 상기 기판에 교차하는 축선 둘레로 상기 기판 및 상기 광원 중 적어도 한쪽을 회전시키는 회전 구동부와,
    상기 광원의 출사광량의 변화와, 상기 회전 구동부에 의한 상기 기판과 상기 광원의 상대적인 회전 속도의 변화를 동기시키는 동기 제어를 실행하도록 구성된 제어부
    를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 동기 제어로서 상기 출사광량의 증가와 상기 회전 속도의 상승과의 동기와, 상기 출사광량의 감소와 상기 회전 속도의 저하와의 동기를 수행하도록 구성되어 있으며,
    상기 제어부는,
    상기 광원의 출사광량의 증가에 동기하여 상기 회전 속도를 상승시킬 때에, 상기 광원의 출사광량의 증가에 앞서서 상기 회전 속도를 상승시키도록 상기 회전 구동부를 제어하고,
    상기 광원의 출사광량의 감소에 동기하여 상기 회전 속도를 저하시킬 때에, 상기 광원의 출사광량의 감소 후에 상기 회전 속도를 저하시키도록 상기 회전 구동부를 제어하며,
    상기 회전 속도가 저하한 후, 상기 회전 속도가 상승하기 전에, 상기 기판이 상기 광원의 출사광량의 감소 전의 위치로 되돌아갈 때까지 상기 기판을 역회전시키도록 상기 회전 구동부를 제어하는 것을 실행하도록 구성되어 있는 것인 기판 처리 장치.
  2. 기판을 수용하는 처리실과,
    상기 처리실 내의 상기 기판에 처리용 에너지선을 조사하는 광원과,
    상기 처리실 내의 상기 기판에 교차하는 축선 둘레로 상기 기판 및 상기 광원 중 적어도 한쪽을 회전시키는 회전 구동부와,
    상기 광원의 출사광량의 변화와, 상기 회전 구동부에 의한 상기 기판과 상기 광원의 상대적인 회전 속도의 변화를 동기시키는 동기 제어를 실행하도록 구성된 제어부
    를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 동기 제어로서 상기 출사광량의 증가와 상기 회전 속도의 상승과의 동기와, 상기 출사광량의 감소와 상기 회전 속도의 저하와의 동기를 수행하도록 구성되어 있으며,
    상기 제어부는,
    상기 광원의 출사광량의 감소에 동기하여 상기 회전 속도를 저하시킬 때에, 상기 광원의 출사광량의 감소 시에 또는 감소 후에 상기 회전 속도의 저하를 시작하도록 상기 회전 구동부를 제어하고,
    상기 광원의 출사광량의 증가에 동기하여 상기 회전 속도를 상승시킬 때에, 상기 광원의 출사광량의 증가 시에 또는 증가 전에 상기 회전 속도의 상승이 완료하고, 상기 광원의 출사광량의 증가 시의 상기 기판의 위치 및 상기 광원의 출사광량의 감소 시의 상기 기판의 위치가 일치하는 조건으로 상기 회전 속도를 상승시키도록 상기 회전 구동부를 제어하는 것인 기판 처리 장치.
  3. 기판을 수용하는 처리실과,
    상기 처리실 내의 상기 기판에 처리용 에너지선을 조사하는 광원과,
    상기 처리실 내의 상기 기판에 교차하는 축선 둘레로 상기 기판 및 상기 광원 중 적어도 한쪽을 회전시키는 회전 구동부와,
    상기 광원의 출사광량의 변화와, 상기 회전 구동부에 의한 상기 기판과 상기 광원의 상대적인 회전 속도의 변화를 동기시키는 동기 제어를 실행하도록 구성된 제어부
    를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 기판을 제1 방향으로 회전시키고, 상기 광원의 출사광량의 감소에 동기하여 상기 기판의 상기 제1 방향으로의 회전 속도를 저하시키고, 상기 광원의 출사광량의 증가에 동기하여 상기 기판의 상기 제1 방향으로의 회전 속도를 상승시키도록 상기 회전 구동부를 제어하는 제1 회전 제어와,
    상기 기판을 상기 제1 방향과는 반대인 제2 방향으로 회전시키고, 상기 광원의 출사광량의 감소에 동기하여 상기 기판의 상기 제2 방향으로의 회전 속도를 저하시키고, 상기 광원의 출사광량의 증가에 동기하여 상기 기판의 상기 제2 방향으로의 회전 속도를 상승시키도록 상기 회전 구동부를 제어하는 제2 회전 제어를,
    상기 제1 회전 제어에 있어서 회전 속도의 저하가 완료될 때의 상기 기판의 위치와 상기 제2 회전 제어에 있어서 회전 속도의 저하가 완료될 때의 상기 기판의 위치가 상이한 조건으로 실행하도록 구성되어 있는 것인 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 제1 회전 제어에서의 회전 속도의 상승 및 저하 동안의 상기 기판의 회전 범위와, 상기 제2 회전 제어에서의 회전 속도의 상승 및 저하 동안의 상기 기판의 회전 범위가 중복되지 않도록, 상기 제1 회전 제어 및 상기 제2 회전 제어를 실행하도록 구성되어 있는 것인 기판 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 제1 방향으로의 상기 회전 속도의 상승 및 저하를 일정 주기로 반복하도록 상기 제1 회전 제어를 실행하고,
    상기 제2 방향으로의 상기 회전 속도의 상승 및 저하를 상기 일정 주기로 반복하도록 상기 제2 회전 제어를 실행하도록 구성되어 있는 것인 기판 처리 장치.
  6. 기판을 처리실 내에 수용하는 단계와,
    상기 처리실 내의 상기 기판에 처리용 에너지선을 조사하는 단계와,
    상기 처리실 내의 상기 기판에 교차하는 축선 둘레로 상기 기판 및 상기 에너지선의 광원 중 적어도 한쪽을 회전시키는 단계와,
    상기 광원의 출사광량의 변화와, 상기 기판과 상기 광원의 상대적인 회전 속도의 변화를 동기시키는 동기 제어를 행하는 단계
    를 포함하고,
    상기 동기 제어는, 상기 출사광량의 증가와 상기 회전 속도의 상승을 동기시키는 단계와, 상기 출사광량의 감소와 상기 회전 속도의 저하를 동기시키는 단계를 포함하며,
    상기 광원의 출사광량의 증가에 동기하여 상기 회전 속도를 상승시킬 때에, 상기 광원의 출사광량의 증가에 앞서서 상기 회전 속도를 상승시키고,
    상기 광원의 출사광량의 감소에 동기하여 상기 회전 속도를 저하시킬 때에, 상기 광원의 출사광량의 감소 후에 상기 회전 속도를 저하시키며,
    상기 회전 속도가 저하한 후, 상기 회전 속도가 상승하기 전에, 상기 기판이 상기 광원의 출사광량의 감소 전의 위치로 되돌아갈 때까지 상기 기판을 역회전시키는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  7. 기판을 처리실 내에 수용하는 단계와,
    상기 처리실 내의 상기 기판에 처리용 에너지선을 조사하는 단계와,
    상기 처리실 내의 상기 기판에 교차하는 축선 둘레로 상기 기판 및 상기 에너지선의 광원 중 적어도 한쪽을 회전시키는 단계와,
    상기 광원의 출사광량의 변화와, 상기 기판과 상기 광원의 상대적인 회전 속도의 변화를 동기시키는 동기 제어를 행하는 단계
    를 포함하고,
    상기 동기 제어는, 상기 출사광량의 증가와 상기 회전 속도의 상승을 동기시키는 단계와, 상기 출사광량의 감소와 상기 회전 속도의 저하를 동기시키는 단계를 포함하며,
    상기 기판을 제1 방향으로 회전시키고, 상기 광원의 출사광량의 감소에 동기하여 상기 기판의 상기 제1 방향으로의 회전 속도를 저하시키고, 상기 광원의 출사광량의 증가에 동기하여 상기 기판의 상기 제1 방향으로의 회전 속도를 상승시키는 제1 회전 제어와,
    상기 기판을 상기 제1 방향과는 반대인 제2 방향으로 회전시키고, 상기 광원의 출사광량의 감소에 동기하여 상기 기판의 상기 제2 방향으로의 회전 속도를 저하시키고, 상기 광원의 출사광량의 증가에 동기하여 상기 기판의 상기 제2 방향으로의 회전 속도를 상승시키는 제2 회전 제어를,
    상기 제1 회전 제어에 있어서 회전 속도의 저하가 완료될 때의 상기 기판의 위치와 상기 제2 회전 제어에 있어서 회전 속도의 저하가 완료될 때의 상기 기판의 위치가 상이한 조건으로 실행하는 기판 처리 방법.
  8. 제6항 또는 제7항에 기재된 기판 처리 방법을 장치에 실행시키기 위한 프로그램이 기록되어 있는, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
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