KR102612732B1 - Liquid Crystal Display - Google Patents

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KR102612732B1
KR102612732B1 KR1020160089339A KR20160089339A KR102612732B1 KR 102612732 B1 KR102612732 B1 KR 102612732B1 KR 1020160089339 A KR1020160089339 A KR 1020160089339A KR 20160089339 A KR20160089339 A KR 20160089339A KR 102612732 B1 KR102612732 B1 KR 102612732B1
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Abstract

본 발명에 의한 액정 표시장치는, 제1 기판, 제2 기판, 액정층, 컬럼 스페이서, 및 돌출 패턴을 포함한다. 제1 기판 및 제2 기판에는, 개구 영역 및 비 개구 영역이 정의된다. 액정층은 제1 기판과 제2 기판 사이에 개재된다. 컬럼 스페이서는 비 개구 영역 내에서, 제1 및 제2 기판 중 어느 하나에 구비된다. 돌출 패턴은 비 개구 영역 내에서, 컬럼 스페이서가 구비된 기판과 대향하는 다른 기판 상에 구비된다. 컬럼 스페이서의 상면은 돌출 패턴과 맞닿는다. The liquid crystal display device according to the present invention includes a first substrate, a second substrate, a liquid crystal layer, a column spacer, and a protruding pattern. Open areas and non-open areas are defined in the first and second substrates. The liquid crystal layer is interposed between the first and second substrates. The column spacer is provided on either the first or second substrate within the non-opening area. The protruding pattern is provided in the non-opening area on another substrate opposite to the substrate provided with the column spacer. The upper surface of the column spacer is in contact with the protruding pattern.

Description

액정 표시장치{Liquid Crystal Display}Liquid Crystal Display

본 발명은 셀 갭을 유지하기 위한 컬럼 스페이서를 갖는 액정 표시장치에 관한 것이다. The present invention relates to a liquid crystal display device having a column spacer for maintaining a cell gap.

액정 표시장치는 전계를 이용하여 액정의 광 투과율을 조절함으로써 화상을 표시한다. 이러한 액정 표시장치는 액정을 구동하는 전계의 방향에 따라 수직 전계형과 수평 전계형으로 대별될 수 있다.Liquid crystal displays display images by adjusting the light transmittance of liquid crystals using an electric field. These liquid crystal display devices can be roughly divided into vertical electric field type and horizontal electric field type depending on the direction of the electric field driving the liquid crystal.

수직 전계형 액정 표시장치는 상부 기판 상에 형성된 공통 전극과 하부 기판 상에 형성된 화소 전극이 서로 대향 하도록 배치되어 이들 사이에 형성되는 수직 전계에 의해 TN(Twisted Nematic) 모드의 액정을 구동한다. 이러한 수직 전계형 액정 표시장치는 개구율이 큰 장점을 갖는다. In a vertical electric field type liquid crystal display device, the common electrode formed on the upper substrate and the pixel electrode formed on the lower substrate are arranged to face each other, and the liquid crystal in TN (Twisted Nematic) mode is driven by the vertical electric field formed between them. This vertical electric field type liquid crystal display device has the advantage of a large aperture ratio.

수평 전계형 액정 표시장치는 하부 기판에 나란하게 배치된 화소 전극과 공통 전극 간의 수평 전계에 의해 IPS(In Plane Switching) 모드 또는 FFS(Fringe Field Swiching) 모드로 액정을 구동한다. 이러한 수평 전계형 액정 표시장치는 시야각이 넓은 장점을 갖는다. The horizontal electric field type liquid crystal display device drives the liquid crystal in IPS (In Plane Switching) mode or FFS (Fringe Field Switching) mode by the horizontal electric field between the pixel electrode and the common electrode arranged in parallel on the lower substrate. This horizontal electric field type liquid crystal display device has the advantage of a wide viewing angle.

이하, 도 1 및 도 2를 참조하여, 종래 기술에 의한 액정 표시장치 및 그 문제점을 설명한다. 도 1은 종래 기술에 의한 액정 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 2는 도 1에 도시한 액정 표시장치를 절취선 I-I'을 따라 자른 단면도이다. Hereinafter, with reference to FIGS. 1 and 2, a liquid crystal display device according to the prior art and its problems will be described. 1 is a plan view showing the structure of a liquid crystal display device according to the prior art. FIG. 2 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device shown in FIG. 1 taken along line II'.

도 1 및 도 2를 참조하면, 종래 기술에 의한 액정 표시장치는 하부 기판(SL), 상부 기판(SU), 및 하부 기판(SL)과 상부 기판(SU) 사이에 개재된 액정층(LC)을 포함한다. 하부 기판(SL)과 상부 기판(SU)은 매트릭스 방식으로 배열된 화소 영역들을 포함한다. 화소 영역은 개구 영역, 및 개구 영역을 둘러싸는 비 개구 영역을 포함한다. Referring to Figures 1 and 2, the liquid crystal display device according to the prior art includes a lower substrate (SL), an upper substrate (SU), and a liquid crystal layer (LC) interposed between the lower substrate (SL) and the upper substrate (SU). Includes. The lower substrate SL and the upper substrate SU include pixel areas arranged in a matrix manner. The pixel area includes an aperture area and a non-aperture area surrounding the aperture area.

하부 기판(SL) 상에는, 서로 교차하는 게이트 배선(GL) 및 데이터 배선(DL), 그 교차부에 형성된 박막 트랜지스터(T), 그 교차 구조로 마련된 화소 영역에 수평 전계를 이루도록 형성된 화소 전극(PXL) 및 공통 전극(COM), 그리고 공통 전극(COM)과 접속되며 게이트 배선(GL)과 나란하게 진행하는 공통 배선(CL)이 형성된다. On the lower substrate (SL), the gate wire (GL) and the data wire (DL) cross each other, a thin film transistor (T) formed at the intersection, and a pixel electrode (PXL) formed to form a horizontal electric field in the pixel area provided with the intersection structure. ) and the common electrode (COM), and a common wiring (CL) that is connected to the common electrode (COM) and runs parallel to the gate wiring (GL) is formed.

게이트 배선(GL)은 박막 트랜지스터(T)의 게이트 전극(G)에 게이트 신호를 공급한다. 데이터 배선(DL)은 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(D)을 통해 화소전극(PXL)에 화소 신호를 공급한다. 게이트 배선(GL)과 데이터 배선(DL)은 교차구조로 형성되어 화소 영역을 정의한다. 공통 배선(CL)은 게이트 배선(GL)과 나란하게 형성되며 액정 구동을 위한 공통 전압을 공통 전극(COM)에 공급한다.The gate wiring (GL) supplies a gate signal to the gate electrode (G) of the thin film transistor (T). The data line DL supplies a pixel signal to the pixel electrode PXL through the drain electrode D of the thin film transistor T. The gate wire (GL) and the data wire (DL) are formed in a cross structure to define the pixel area. The common wiring (CL) is formed in parallel with the gate wiring (GL) and supplies a common voltage for driving the liquid crystal to the common electrode (COM).

박막 트랜지스터(T)는 게이트 배선(GL)의 게이트 신호에 응답하여 데이터 배선(DL)의 화소 신호를 화소 전극(PXL)에 공급 한다. 이를 위하여, 박막 트랜지스터(T)는 게이트 배선(GL)에 접속된 게이트 전극(G)과, 데이터 배선(DL)에 접속된 소스 전극(S)과, 화소 전극(PXL)에 접속된 드레인 전극(D)을 포함한다. 또한, 박막 트랜지스터(T)는 반도체층을 포함한다. 반도체층의 일측은 소스 전극(S)과 접속되고, 반도체층의 타측은 드레인 전극(D)과 접속된다. 반도체층 중 게이트 전극(G)과 중첩된 영역은 채널 영역으로 정의된다.The thin film transistor T supplies the pixel signal of the data line DL to the pixel electrode PXL in response to the gate signal of the gate line GL. For this purpose, the thin film transistor T has a gate electrode (G) connected to the gate wire (GL), a source electrode (S) connected to the data wire (DL), and a drain electrode ( D) includes. Additionally, the thin film transistor T includes a semiconductor layer. One side of the semiconductor layer is connected to the source electrode (S), and the other side of the semiconductor layer is connected to the drain electrode (D). The area of the semiconductor layer that overlaps the gate electrode (G) is defined as a channel area.

화소 전극(PXL)은 보호막(PAS) 및 평탄화막(PAC)을 관통하는 화소 콘택홀(PH)을 통해 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(D)과 접속된다. 화소 전극(PXL)은 드레인 전극(D)과 접속되고 인접한 게이트 라인(GL)과 나란하게 형성된 수평 화소 전극(PXLh)과, 수평 화소 전극(PXLh)에서 수직 방향으로 분기된 다수 개의 수직 화소 전극(PXLv)을 포함한다.The pixel electrode (PXL) is connected to the drain electrode (D) of the thin film transistor (T) through the pixel contact hole (PH) penetrating the protective film (PAS) and the planarization film (PAC). The pixel electrode (PXL) includes a horizontal pixel electrode (PXLh) connected to the drain electrode (D) and formed parallel to the adjacent gate line (GL), and a plurality of vertical pixel electrodes branched in the vertical direction from the horizontal pixel electrode (PXLh) ( PXLv).

공통 전극(COM)은 게이트 절연막(GI), 보호막(PAS) 및 평탄화막(PAC)을 관통하는 공통 콘택홀(CH)을 통해 공통 배선(CL)과 접속된다. 공통 전극(COM)은 수평 방향으로 형성된 수평 공통 전극(COMh)과, 수평 공통 전극(COMh)에서 수직 방향으로 분기된 다수 개의 수직 공통 전극(COMv)을 포함한다. 수직 공통 전극(COMv)은 화소 영역 내에서 수직 화소 전극(PXLv)과 나란하게 배치된다. The common electrode (COM) is connected to the common wiring (CL) through the common contact hole (CH) penetrating the gate insulating film (GI), the protective film (PAS), and the planarization film (PAC). The common electrode COM includes a horizontal common electrode COMh formed in the horizontal direction and a plurality of vertical common electrodes COMv branched from the horizontal common electrode COMh in the vertical direction. The vertical common electrode (COMv) is arranged in parallel with the vertical pixel electrode (PXLv) within the pixel area.

상부 기판(SU)은 블랙 매트릭스(BMh, BMv)와 컬러 필터(CF)를 포함한다. 컬러 필터(CF)는 적색, 녹색, 청색 컬러 필터(CF)들을 포함한다. 컬러 필터(CF)는 R-G-B 방식으로 교대로 배치될 수 있다. 또한, 컬러 필터(CF)는 백색의 컬러 필터(CF)를 더 포함할 수도 있다. 각각의 컬러 필터(CF)는 각 화소 영역에 대응되도록 형성된다. 이웃하는 컬러 필터(CF)는 블랙 매트릭스(BMh, BMv)의 일부를 덮도록 형성된다. The upper substrate (SU) includes a black matrix (BMh, BMv) and a color filter (CF). The color filter (CF) includes red, green, and blue color filters (CF). Color filters (CF) may be arranged alternately in an R-G-B manner. Additionally, the color filter (CF) may further include a white color filter (CF). Each color filter CF is formed to correspond to each pixel area. Neighboring color filters CF are formed to cover a portion of the black matrices BMh and BMv.

하부 기판(SL)과 액정층(LC) 사이 및 상부 기판(SU)과 액정층(LC) 사이에는, 각각 액정셀(LC)과 접하는 내면에 액정의 프리틸트각을 설정하기 위한 배향막(ALL, ALU)이 형성된다. 하부 기판(SL)은 액정층(LC)을 사이에 두고 상부 기판(SU)과 합착된다. 이때, 하부 기판(SL)과 상부 기판(SU) 사이의 셀 갭(Cell Gap)을 일정하게 유지하기 위해, 상부 기판(SU)의 내측면에는 컬럼 스페이서(CS)가 형성된다. Between the lower substrate (SL) and the liquid crystal layer (LC) and between the upper substrate (SU) and the liquid crystal layer (LC), an alignment film (ALL, ALU) is formed. The lower substrate (SL) is bonded to the upper substrate (SU) with the liquid crystal layer (LC) interposed therebetween. At this time, in order to maintain a constant cell gap between the lower substrate SL and the upper substrate SU, a column spacer CS is formed on the inner surface of the upper substrate SU.

박막 트랜지스터(T)를 통해 화소 신호가 공급된 수직 화소 전극(PXLv)과 공통 배선(CL)을 통해 공통 전압이 공급된 수직 공통 전극(COMv) 사이에서 수평 전계가 형성된다. 이러한 수평 전계에 의해, 액정 분자들이 유전 이방성에 의해 회전하게 된다. 액정 분자들의 회전 정도에 따라 화소 영역을 투과하는 광 투과율이 달라지게 됨으로써 영상을 구현한다. A horizontal electric field is formed between the vertical pixel electrode (PXLv) to which the pixel signal is supplied through the thin film transistor (T) and the vertical common electrode (COMv) to which the common voltage is supplied through the common wiring (CL). This horizontal electric field causes the liquid crystal molecules to rotate due to dielectric anisotropy. Images are created by varying the light transmittance passing through the pixel area depending on the degree of rotation of the liquid crystal molecules.

블랙 매트릭스(BMh, BMv)는 비 개구 영역과 대응되도록 형성된다. 구체적으로, 블랙 매트릭스(BMh, BMv)는, 박막 트랜지스터(T) 및 각종 배선(GL, DL, CL)을 덮되, 액정 구동 시 수직 화소 전극(PXLv)의 끝단 및/또는 수직 공통 전극(COMv)의 끝단에서 발생할 수 있는 디스클리네이션(disclination)이나 배향막(ALL, ALU) 러빙 공정 시 발생할 수 있는 디스클리네이션에 의한 빛 샘을 차단할 수 있는 수준으로 형성된다.Black matrices (BMh, BMv) are formed to correspond to the non-opening areas. Specifically, the black matrix (BMh, BMv) covers the thin film transistor (T) and various wiring (GL, DL, CL), and when driving the liquid crystal, the end of the vertical pixel electrode (PXLv) and/or the vertical common electrode (COMv) It is formed at a level that can block light leakage due to disclination that may occur at the ends of the device or during the rubbing process of the alignment layer (ALL, ALU).

특히, 수평 블랙 매트릭스(BMh)는 액정의 배열이 흐트러져 발생할 수 있는 빛 샘 불량을 방지할 수 있도록 충분히 넓은 면적으로 형성되어야 한다. 자세하게는, 액정 표시장치에 외력이 제공되는 경우, 상부 기판(SU)상에 형성된 컬럼 스페이서(CS)의 움직임에 따라 하부 배향막(ALL)의 표면에 데미지(Damage)가 발생한다. 이때, 하부 배향막(ALL)의 표면에 데미지가 발생함으로써 액정의 배열이 흐트러진다. 액정의 기본 배향이 변화된 영역(DA1)에서는 빛 샘 불량이 발생한다. 도 2의 (a)는 액정 표시장치에 외력이 작용하기 전의 모습을 나타낸 것이고, 도 2의 (b)는 액정 표시장치에 외력이 작용하여 컬럼 스페이서(CS)가 형성된 상부 기판(SU)이 일정 간격 시프트된 모습을 나타낸 것이다. In particular, the horizontal black matrix (BMh) must be formed with a sufficiently large area to prevent light leakage defects that may occur due to the alignment of liquid crystals being disturbed. In detail, when an external force is applied to the liquid crystal display device, damage occurs on the surface of the lower alignment layer ALL according to the movement of the column spacer CS formed on the upper substrate SU. At this time, damage occurs on the surface of the lower alignment layer ALL, thereby disrupting the alignment of the liquid crystal. Light leakage defects occur in the area (DA1) where the basic orientation of the liquid crystal has changed. Figure 2(a) shows a state before an external force acts on the liquid crystal display device, and Figure 2(b) shows the upper substrate SU on which the column spacer CS is formed due to an external force acting on the liquid crystal display device. This shows the interval shifted.

종래 기술에 의한 액정 표시장치에서는, 컬럼 스페이서(CS)의 이동에 기인한 빛 샘 불량을 방지하기 위해 컬럼 스페이서(CS)가 이동할 수 있는 마진 영역(M1)을 고려하여 블랙 매트릭스(BMh, BMv)의 면적을 크게 형성하고 있다. 특히, 수평 블랙 매트릭스(BMh)의 수직 방향으로의 폭(W1)을 넓게 형성하고 있다. 블랙 매트릭스(BMh, BMv) 면적의 증가는 개구율의 감소와 휘도 감소 문제를 발생시킨다. 이러한 문제는 고 해상도의 액정 표시장치를 구현함에 있어서 더욱 문제된다. 즉, 고 해상도의 액정표시장치는 단일 패널에 상대적으로 많은 수의 화소 영역을 포함하게 된다. 제한된 패널의 면적에서 다수의 화소 영역들을 확보하기 위해, 각 화소 영역들의 면적은 작아질 수밖에 없다. 작은 면적을 갖는 화소 영역들에서 넓은 면적의 블랙 매트릭스(BMh, BMv)를 형성하는 경우, 제품 구현을 위한 개구율 확보가 어려워지는 문제점이 있다. In the liquid crystal display device according to the prior art, in order to prevent light leakage defects caused by movement of the column spacer (CS), a black matrix (BMh, BMv) is used in consideration of the margin area (M1) where the column spacer (CS) can move. It forms a large area. In particular, the vertical width W1 of the horizontal black matrix BMh is formed to be wide. An increase in the black matrix (BMh, BMv) area causes problems with a decrease in aperture ratio and luminance. This problem becomes more problematic when implementing a high-resolution liquid crystal display device. In other words, a high-resolution liquid crystal display device includes a relatively large number of pixel areas in a single panel. In order to secure a large number of pixel areas in a limited panel area, the area of each pixel area has no choice but to become small. When forming a large-area black matrix (BMh, BMv) in pixel areas with a small area, there is a problem in that it becomes difficult to secure an aperture ratio for product implementation.

본 발명의 목적은 컬럼 스페이서와 중첩 배치되는 돌출 패턴을 구비함으로써, 빛 샘 불량을 방지하면서도 개구율을 확보할 수 있는 액정 표시장치를 제공하는 데 있다. 본 발명의 또 다른 목적은 블랙 매트릭스의 배치 등을 변경함으로써, 혼색 불량을 줄인 액정 표시장치를 제공하는 데 있다. The purpose of the present invention is to provide a liquid crystal display device that can secure an aperture ratio while preventing light leakage by providing a protruding pattern that overlaps a column spacer. Another object of the present invention is to provide a liquid crystal display device in which color mixing defects are reduced by changing the arrangement of the black matrix.

본 발명에 의한 액정 표시장치는, 제1 기판, 제2 기판, 액정층, 컬럼 스페이서, 및 돌출 패턴을 포함한다. 제1 기판 및 제2 기판에는, 개구 영역 및 비 개구 영역이 정의된다. 액정층은 제1 기판과 제2 기판 사이에 개재된다. 컬럼 스페이서는 비 개구 영역 내에서, 제1 및 제2 기판 중 어느 하나에 구비된다. 돌출 패턴은 비 개구 영역 내에서, 컬럼 스페이서가 구비된 기판과 대향하는 다른 기판 상에 구비된다. 컬럼 스페이서의 상면은 돌출 패턴과 맞닿는다. The liquid crystal display device according to the present invention includes a first substrate, a second substrate, a liquid crystal layer, a column spacer, and a protruding pattern. Open areas and non-open areas are defined in the first and second substrates. The liquid crystal layer is interposed between the first and second substrates. The column spacer is provided on either the first or second substrate within the non-opening area. The protruding pattern is provided in the non-opening area on another substrate opposite to the substrate provided with the column spacer. The upper surface of the column spacer is in contact with the protruding pattern.

돌출 패턴은 상부 기판상에서, 수평 방향으로 구비된 수평 돌출 패턴, 및 수직 방향으로 구비된 수직 돌출 패턴을 포함할 수 있다. 컬럼 스페이서는 하부 기판상에서, 수평 돌출 패턴과 수직 돌출 패턴이 교차하는 영역에 중첩 배치될 수 있다. The protrusion pattern may include a horizontal protrusion pattern provided in a horizontal direction and a vertical protrusion pattern provided in a vertical direction on the upper substrate. The column spacer may be disposed on the lower substrate to overlap an area where a horizontal protrusion pattern and a vertical protrusion pattern intersect.

돌출 패턴은 하부 기판상에서, 수직 방향으로 구비된 수직 돌출 패턴을 포함할 수 있다. 컬럼 스페이서는 상부 기판상에서, 수직 돌출 패턴과 중첩 배치될 수 있다. The protrusion pattern may include a vertical protrusion pattern provided in a vertical direction on the lower substrate. The column spacer may be arranged to overlap the vertical protrusion pattern on the upper substrate.

본 발명은 컬럼 스페이서와 중첩 배치되는 돌출 패턴을 구비함으로써 빛 샘 불량을 방지한 액정 표시장치를 제공할 수 있다. 아울러, 고 해상도의 액정 표시장치에서도 충분한 개구율을 확보할 수 있는 이점이 있다. The present invention can provide a liquid crystal display device that prevents light leakage defects by providing a protruding pattern that overlaps a column spacer. In addition, there is an advantage of securing a sufficient aperture ratio even in high-resolution liquid crystal displays.

본 발명은 블랙 매트릭스의 배치 등을 변경함으로써 혼색 불량을 현저하게 줄일 수 있다. 본 발명은 혼색 불량을 방지하기 위해 블랙 매트릭스의 폭을 넓힐 필요가 없어, 개구율의 저하를 방지할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 표시 품질이 향상된 액정 표시장치를 제공할 수 있다. The present invention can significantly reduce color mixing defects by changing the arrangement of the black matrix. In the present invention, there is no need to expand the width of the black matrix to prevent color mixing defects, thereby preventing a decrease in the aperture ratio. Accordingly, the present invention can provide a liquid crystal display device with improved display quality.

도 1은 종래 기술에 의한 액정 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시한 액정 표시장치를 절취선 I-I'을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 의한 액정 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3에 도시한 액정 표시장치를 절취선 Ⅱ-Ⅱ'을 따라 자른 단면도이다.
도 5는 돌출 패턴의 다양한 구조 예를 설명하기 위한 도면들이다.
도 6은 본 발명에 의한 액정 표시장치의 효과를 설명하기 위한 도면들이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 의한 액정 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다.
도 8은 도 7에서 돌출 패턴과 컬럼 스페이서만을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 의한 액정 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다.
도 10은 도 9에서 돌출 패턴과 컬럼 스페이서만을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 11은 본 발명의 제4 실시예에 의한 액정 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다.
도 12는 도 11에 도시한 액정 표시장치를 절취선 Ⅲ-Ⅲ'을 따라 자른 단면도이다.
도 13은 도 11에 도시한 액정 표시장치를 절취선 Ⅳ-Ⅳ'을 따라 자른 것으로, 수직 돌출 패턴의 다양한 구조 예를 설명하기 위한 도면들이다.
도 14 및 도 15는 제1 보조 패턴의 배치를 설명하기 위한 도면들이다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 제5 실시예에 의한 액정 표시장치의 구조를 나타낸 것으로, 수직 돌출 패턴과 컬럼 스페이서만을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
1 is a plan view showing the structure of a liquid crystal display device according to the prior art.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device shown in FIG. 1 taken along line II'.
Figure 3 is a plan view showing the structure of a liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device shown in FIG. 3 taken along the line II-II'.
Figure 5 is a diagram for explaining various examples of structures of protrusion patterns.
Figure 6 is a drawing for explaining the effect of the liquid crystal display device according to the present invention.
Figure 7 is a plan view showing the structure of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a plan view schematically showing only the protrusion pattern and column spacer in FIG. 7.
Figure 9 is a plan view showing the structure of a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a plan view schematically showing only the protrusion pattern and column spacer in FIG. 9.
Figure 11 is a plan view showing the structure of a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device shown in FIG. 11 taken along line III-III'.
FIG. 13 is a diagram of the liquid crystal display device shown in FIG. 11 cut along the perforated lines IV-IV', and is a diagram for explaining various structural examples of vertical protrusion patterns.
Figures 14 and 15 are diagrams for explaining the arrangement of the first auxiliary pattern.
Figures 16 and 17 show the structure of a liquid crystal display device according to a fifth embodiment of the present invention, and are plan views schematically showing only the vertical protrusion pattern and column spacer.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 여러 실시예들을 설명함에 있어서, 동일한 구성요소에 대하여는 서두에서 대표적으로 설명하고 다른 실시예에서는 생략될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the attached drawings. Like reference numerals refer to substantially the same elements throughout the specification. In the following description, if it is determined that a detailed description of a known technology or configuration related to the present invention may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. In describing various embodiments, the same components may be representatively described at the beginning and omitted in other embodiments.

<제1 실시예><First embodiment>

이하, 도 3 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 의한 액정 표시장치를 설명한다. 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 의한 액정 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 3에 도시한 액정 표시장치를 절취선 Ⅱ-Ⅱ'을 따라 자른 단면도이다. 도 5는 돌출 패턴의 다양한 구조 예를 설명하기 위한 도면들이다. Hereinafter, a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 5. Figure 3 is a plan view showing the structure of a liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device shown in FIG. 3 taken along the line II-II'. Figure 5 is a diagram for explaining various examples of structures of protrusion patterns.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 의한 액정 표시장치는 제1 기판(이하, "하부 기판"이라 함)(SL), 제2 기판(이하, "상부 기판"이라 함)(SU), 및 하부 기판(SL)과 상부 기판(SU) 사이에 개재된 액정층(LC)을 포함한다. 하부 기판(SL)과 상부 기판(SU)은 매트릭스 방식으로 배열된 화소 영역들을 포함한다. 화소 영역은 개구 영역, 및 개구 영역을 둘러싸는 비 개구 영역을 포함한다. 개구 영역은 블랙 매트릭스(BM)에 의해 정의될 수 있다. 비 개구 영역은 블랙 매트릭스(BM)에 의해 가려지는 영역으로 정의될 수 있다. Referring to FIGS. 3 and 4, the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention includes a first substrate (hereinafter referred to as “lower substrate”) (SL) and a second substrate (hereinafter referred to as “upper substrate”). ) (SU), and a liquid crystal layer (LC) interposed between the lower substrate (SL) and the upper substrate (SU). The lower substrate SL and the upper substrate SU include pixel areas arranged in a matrix manner. The pixel area includes an aperture area and a non-aperture area surrounding the aperture area. The aperture area may be defined by a black matrix (BM). The non-aperture area may be defined as an area obscured by the black matrix (BM).

하부 기판(SL) 상에는, 서로 교차하는 게이트 배선(GL) 및 데이터 배선(DL), 그 교차부에 형성된 박막 트랜지스터(T), 그 교차 구조로 마련된 화소 영역에 수평 전계를 이루도록 형성된 화소 전극(PXL) 및 공통 전극(COM), 그리고 공통 전극(COM)과 접속되며 게이트 배선(GL)과 나란하게 진행하는 공통 배선(CL)이 형성된다. On the lower substrate (SL), the gate wire (GL) and the data wire (DL) cross each other, a thin film transistor (T) formed at the intersection, and a pixel electrode (PXL) formed to form a horizontal electric field in the pixel area provided with the intersection structure. ) and the common electrode (COM), and a common wiring (CL) that is connected to the common electrode (COM) and runs parallel to the gate wiring (GL) is formed.

박막 트랜지스터(T)는 각 화소 영역에 적어도 하나씩 배치된다. 박막 트랜지스터(T)는 게이트 배선(GL)에 접속된 게이트 전극(G)과, 데이터 배선(DL)에 접속된 소스 전극(S)과, 화소 전극(PXL)에 접속된 드레인 전극(D)을 포함한다. 또한, 박막 트랜지스터(T)는 반도체층을 포함한다. 반도체층의 일측은 소스 전극(S)과 접속되고, 반도체층의 타측은 드레인 전극(D)과 접속된다. 반도체층 중 게이트 전극(G)과 중첩된 영역은 채널 영역으로 정의된다. 박막 트랜지스터(T)는 액정 표시장치를 구동할 수 있는 것이라면 공지된 어떤 구조로도 구현될 수 있다. 예를 들어, 탑 게이트(top gate) 구조, 바텀 게이트(bottom gate) 구조, 더블 게이트(double gate) 구조 등을 포함할 수 있다.At least one thin film transistor T is disposed in each pixel area. The thin film transistor (T) has a gate electrode (G) connected to the gate wire (GL), a source electrode (S) connected to the data wire (DL), and a drain electrode (D) connected to the pixel electrode (PXL). Includes. Additionally, the thin film transistor T includes a semiconductor layer. One side of the semiconductor layer is connected to the source electrode (S), and the other side of the semiconductor layer is connected to the drain electrode (D). The area of the semiconductor layer that overlaps the gate electrode (G) is defined as a channel area. The thin film transistor (T) can be implemented in any known structure as long as it can drive a liquid crystal display device. For example, it may include a top gate structure, a bottom gate structure, a double gate structure, etc.

박막 트랜지스터(T)는 게이트 배선(GL)의 게이트 신호에 응답하여 데이터 배선(DL)의 화소 신호를 화소 전극(PXL)에 공급한다. 공통 배선(CL)은 게이트 배선(GL)과 나란하게 형성되며 액정 구동을 위한 공통 전압을 공통 전극(COM)에 공급한다. 스토리지 커패시터(STG)는 박막 트랜지스터(T)와 접속되며, 화소 신호와 공통 전압과의 차전압을 충전한다. The thin film transistor T supplies the pixel signal of the data line DL to the pixel electrode PXL in response to the gate signal of the gate line GL. The common wiring (CL) is formed in parallel with the gate wiring (GL) and supplies a common voltage for driving the liquid crystal to the common electrode (COM). The storage capacitor (STG) is connected to the thin film transistor (T) and charges the difference voltage between the pixel signal and the common voltage.

화소 전극(PXL)은 보호막(PAS) 및 평탄화막(PAC)을 관통하는 화소 콘택홀(PH)을 통해 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(D)과 접속된다. 화소 전극(PXL)은 드레인 전극(D)과 접속되고 인접한 게이트 라인(GL)과 나란하게 형성된 수평 화소 전극(PXLh)과, 수평 화소 전극(PXLh)에서 수직 방향으로 분기된 다수 개의 수직 화소 전극(PXLv)을 포함한다.The pixel electrode (PXL) is connected to the drain electrode (D) of the thin film transistor (T) through the pixel contact hole (PH) penetrating the protective film (PAS) and the planarization film (PAC). The pixel electrode (PXL) includes a horizontal pixel electrode (PXLh) connected to the drain electrode (D) and formed parallel to the adjacent gate line (GL), and a plurality of vertical pixel electrodes branched in the vertical direction from the horizontal pixel electrode (PXLh) ( PXLv).

공통 전극(COM)은 게이트 절연막(GI), 보호막(PAS) 및 평탄화막(PAC)을 관통하는 공통 콘택홀(CH)을 통해 공통 배선(CL)과 접속될 수 있다. 공통 전극(COM)은 수평 방향으로 형성된 수평 공통 전극(COMh)과, 수평 공통 전극(COMh)에서 수직 방향으로 분기된 다수 개의 수직 공통 전극(COMv)을 포함한다. The common electrode COM may be connected to the common wiring CL through the common contact hole CH passing through the gate insulating film GI, the protective film PAS, and the planarization film PAC. The common electrode COM includes a horizontal common electrode COMh formed in the horizontal direction and a plurality of vertical common electrodes COMv branched from the horizontal common electrode COMh in the vertical direction.

화소 전극(PXL)과 공통 전극(COM)은 동일한 물질로 동일한 층에 형성될 수 있다. 수직 공통 전극(COMv)과 수직 화소 전극(PXLv)은 화소 영역 내에서 다수 개의 선분 모양이 일정 간격으로 평행하게 배열된 빗살 구조를 가질 수 있다. 수직 공통 전극(COMv)과 수직 화소 전극(PXLv)은 서로 맞물리도록 배치되되, 서로 접촉되지 않도록 나란하게 배치된다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. The pixel electrode (PXL) and the common electrode (COM) may be formed of the same material and on the same layer. The vertical common electrode (COMv) and the vertical pixel electrode (PXLv) may have a comb-tooth structure in which a plurality of line segments are arranged in parallel at regular intervals within the pixel area. The vertical common electrode (COMv) and the vertical pixel electrode (PXLv) are arranged to engage each other, but are arranged side by side so as not to contact each other. However, it is not limited to this.

즉, 화소 전극(PXL)과 공통 전극(COM)의 위치와 모양은 설계 환경과 목적에 맞게 선택될 수 있다. 일 예로, 화소 전극(PXL)과 공통 전극(COM)은 절연막을 사이에 두고 서로 다른 층에 구비될 수 있다. 즉, 평탄화막(PAC) 위에는, 화소 전극(PXL)과, 화소 전극(PXL)을 덮는 절연막이 차례로 형성될 수 있고, 공통 전극(COM)은 절연막 위에 형성되어 화소 전극(PXL)과 수평 전계를 형성할 수 있다. 또는, 평탄화막(PAC) 위에는, 공통 전극(COM)과, 공통 전극(COM)을 덮는 절연막이 차례로 형성될 수 있고, 화소 전극(PXL)은 절연막 위에 형성되어 공통 전극(COM)과 수평 전계를 형성할 수 있다.In other words, the location and shape of the pixel electrode (PXL) and common electrode (COM) can be selected to suit the design environment and purpose. For example, the pixel electrode (PXL) and the common electrode (COM) may be provided in different layers with an insulating film interposed therebetween. That is, on the planarization film (PAC), the pixel electrode (PXL) and an insulating film covering the pixel electrode (PXL) may be sequentially formed, and the common electrode (COM) may be formed on the insulating film to maintain a horizontal electric field with the pixel electrode (PXL). can be formed. Alternatively, a common electrode (COM) and an insulating film covering the common electrode (COM) may be sequentially formed on the planarization film (PAC), and the pixel electrode (PXL) may be formed on the insulating film to maintain a horizontal electric field with the common electrode (COM). can be formed.

이 경우, 절연막 아래에 위치하는 화소 전극(PXL)(또는, 공통 전극(COM))은 기 설정된 면적을 갖는 플레이트(plate) 형태를 가질 수 있고, 절연막 위에 위치하는 공통 전극(COM)(또는, 화소 전극(PXL))은, 화소 영역 내에서 다수 개의 선분 모양이 일정 간격으로 평행하게 배열된 빗살 구조를 가질 수 있다. In this case, the pixel electrode (PXL) (or common electrode (COM)) located below the insulating film may have a plate shape with a preset area, and the common electrode (COM) (or, The pixel electrode (PXL) may have a comb-tooth structure in which a plurality of line segments are arranged in parallel at regular intervals within the pixel area.

상부 기판(SU)은 컬러 필터(CF)를 포함한다. 컬러 필터(CF)는 적색, 녹색, 청색 컬러 필터(CF)들을 포함한다. 컬러 필터(CF)는 R-G-B 방식으로 교대로 배치될 수 있다. 또한, 컬러 필터(CF)는 백색의 컬러 필터(CF)를 더 포함할 수도 있다. 각각의 컬러 필터(CF)는 각 화소 영역에 대응되도록 하나씩 형성될 수 있다. The upper substrate (SU) includes a color filter (CF). The color filter (CF) includes red, green, and blue color filters (CF). Color filters (CF) may be arranged alternately in an R-G-B manner. Additionally, the color filter (CF) may further include a white color filter (CF). Each color filter CF may be formed one by one to correspond to each pixel area.

상부 기판(SU)의 비 개구 영역은 돌출 패턴(또는, 단차부)(SGh, SGv)를 포함한다. 상부 기판(SU)에서는 개구 영역에 배치된 구조물과 비 개구 영역에 배치된 구조물들과의 높이 차에 의한 단차가 발생한다. 상기 높이 차에 의해 개구 영역보다 돌출된 비 개구 영역 부분을 돌출 패턴(SGh, SGv)이라 정의한다. The non-opening area of the upper substrate SU includes protruding patterns (or steps) SGh and SGv. In the upper substrate SU, a step occurs due to a height difference between the structures placed in the open area and the structures placed in the non-open area. The portion of the non-opening area that protrudes from the opening area due to the height difference is defined as a protruding pattern (SGh, SGv).

돌출 패턴(SGh, SGv)은 컬러 필터(CF)와 블랙 매트릭스(BM)를 포함할 수 있다. 일 예로, 비 개구 영역까지 연장된 이웃하는 컬러 필터(CF)들 상에 블랙 매트릭스(BM)가 배치되어 단차를 형성할 수 있다. 상부 기판(SU)의 개구 영역에는 컬러 필터(CF)가 배치되고 상부 기판(SU)의 비 개구 영역에는 이웃하는 컬러 필터(CF)와 블랙 매트릭스(BM)가 적층되어 배치됨으로써, 개구 영역과 비 개구 영역 사이의 높이 차에 의한 돌출 패턴(SGh, SGv)이 형성된다. The protruding patterns (SGh, SGv) may include a color filter (CF) and a black matrix (BM). For example, the black matrix BM may be disposed on neighboring color filters CF extending to the non-aperture area to form a step. A color filter (CF) is disposed in the opening area of the upper substrate (SU), and a neighboring color filter (CF) and a black matrix (BM) are stacked and disposed in the non-opening area of the upper substrate (SU), so that the ratio between the opening area and the Protrusion patterns (SGh, SGv) are formed due to the height difference between the opening areas.

돌출 패턴(SGh, SGv)은 수직 돌출 패턴(SGv)과 수평 돌출 패턴(SGh)을 포함한다. 수직 돌출 패턴(SGv)은 돌출 패턴(SGh, SGv) 중 수직 방향으로 연장된 수직 성분을 의미하며, 수평 돌출 패턴(SGh)은 돌출 패턴(SGh, SGv) 중 수평 방향으로 연장된 수평 성분을 의미한다. 수직 돌출 패턴(SGv)은 하부 기판(SL)의 데이터 배선(DL)과 나란하게 배열되며, 데이터 배선(DL)을 완전히 덮도록 데이터 배선(DL)과 중첩되어 배치된다. 수평 돌출 패턴(SGh)은, 하부 기판(SL)의 박막 트랜지스터 및 각종 배선(GL, DL, CL)과 중첩되며, 액정 구동 시 수직 화소 전극(PXLv)의 끝단 및/또는 수직 공통 전극(COMv)의 끝단에서 발생할 수 있는 디스클리네이션(disclination)이나, 배향막(ALL, ALU) 러빙 공정 시 발생할 수 있는 디스클리네이션에 의한 빛 샘을 차단할 수 있는 수준으로 형성될 수 있다. 돌출 패턴(SGh, SGv)은 상부 기판(SU)을 평면 상에서 바라볼 때, 매트릭스 형태로 배열된 개구 영역들을 둘러싸는 메시(mesh) 형태로 배치될 수 있다. The protrusion patterns (SGh, SGv) include a vertical protrusion pattern (SGv) and a horizontal protrusion pattern (SGh). The vertical protrusion pattern (SGv) refers to the vertical component extending in the vertical direction among the protrusion patterns (SGh, SGv), and the horizontal protrusion pattern (SGh) refers to the horizontal component extending in the horizontal direction among the protrusion patterns (SGh, SGv). do. The vertical protrusion pattern SGv is arranged in parallel with the data line DL of the lower substrate SL and overlaps the data line DL so as to completely cover the data line DL. The horizontal protrusion pattern (SGh) overlaps the thin film transistor and various wiring (GL, DL, CL) of the lower substrate (SL), and when driving the liquid crystal, the end of the vertical pixel electrode (PXLv) and/or the vertical common electrode (COMv) It can be formed at a level that can block light leakage due to disclination that may occur at the ends of the , or disclination that may occur during the rubbing process of the alignment layer (ALL, ALU). When the upper substrate SU is viewed from a plane, the protruding patterns SGh and SGv may be arranged in a mesh shape surrounding the opening areas arranged in a matrix.

돌출 패턴(SGh, SGv)은 전술한 바와 같이, 비 개구 영역에서 이웃하는 컬러 필터(CF) 상에 블랙 매트릭스(BM)를 적층하여 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 도 5의 (a)를 참조하면, 돌출 패턴(SGh, SGv)은 블랙 매트릭스(BM)만으로 형성될 수 있다. 즉, 상부 기판(SU)은 개구 영역에 배치된 컬러 필터(CF), 및 비 개구 영역에 배치된 블랙 매트릭스(BM)를 포함한다. 이때, 블랙 매트릭스(BM)는 상부 기판(SU)상에 형성되며, 상부 기판(SU)으로부터 기 설정된 높이만큼 연장됨으로써 이웃하는 개구 영역에 각각 배치된 컬러 필터(CF)들을 구획한다. 블랙 매트릭스(BM)는 이웃하는 컬러 필터(CF)보다 높은 높이를 갖도록 형성된다. 이에 따라, 블랙 매트릭스(BM)와, 이웃하는 컬러 필터(CF)들의 높이 차에 의해 돌출 패턴(SGh, SGv)이 형성된다. As described above, the protruding patterns SGh and SGv may be formed by stacking the black matrix BM on the color filter CF adjacent to the non-aperture area, but are not limited thereto. Referring to (a) of FIG. 5, the protruding patterns SGh and SGv may be formed using only the black matrix BM. That is, the upper substrate SU includes a color filter CF disposed in the opening area, and a black matrix BM disposed in the non-opening area. At this time, the black matrix BM is formed on the upper substrate SU, and extends from the upper substrate SU to a preset height to partition the color filters CF disposed in neighboring opening areas. The black matrix BM is formed to have a higher height than the neighboring color filter CF. Accordingly, the protruding patterns SGh and SGv are formed by the height difference between the black matrix BM and the neighboring color filters CF.

도 5 (b)를 참조하면, 돌출 패턴(SGh, SGv)은 컬러 필터(CF)들로 형성될 수 있다. 즉, 상부 기판(SU)은 각 화소 영역에 대응되도록 구비된 컬러 필터(CF)들을 포함한다. 이때, 컬러 필터(CF)들은 각 화소 영역의 개구 영역에 배치되되, 비 개구 영역에도 연장되어 배치된다. 비 개구 영역에서 이웃하는 컬러 필터(CF)들은 서로 적층된다. 개구 영역에는 단일층의 컬러 필터(CF)가 배치되고 비 개구 영역에는 적층된 컬러 필터(CF)들이 배치되어, 개구 영역과 비 개구 영역 사이에 높이 차가 발생한다. 이러한 높이 차에 의해 돌출 패턴(SGh, SGv)이 형성된다. 비 개구 영역에서, 서로 적층된 컬러 필터(CF)들은 블랙 매트릭스(BM)로 기능할 수 있다. Referring to FIG. 5 (b), the protruding patterns SGh and SGv may be formed of color filters CF. That is, the upper substrate SU includes color filters CF provided to correspond to each pixel area. At this time, the color filters CF are arranged in the aperture area of each pixel area, but are also arranged to extend to the non-aperture area. Neighboring color filters CF in the non-aperture area are stacked on each other. A single-layer color filter (CF) is disposed in the aperture area and stacked color filters (CF) are disposed in the non-aperture area, resulting in a height difference between the aperture area and the non-aperture area. Protrusion patterns (SGh, SGv) are formed by this height difference. In the non-aperture area, color filters (CF) stacked on each other may function as a black matrix (BM).

도 5 (c)를 참조하면, 돌출 패턴(SGh, SGv)은 컬러 필터(CF)와 블랙 매트릭스(BM)로 형성될 수 있다. 즉, 상부 기판(SU)은 각 화소 영역에 대응되도록 구비된 컬러 필터(CF)들을 포함한다. 컬러 필터(CF)들은 각 화소 영역의 개구 영역에 배치되되, 비 개구 영역에도 연장되어 배치된다. 비 개구 영역에서 이웃하는 컬러 필터(CF)들은 서로 적층된다. 이때, 비 개구 영역에서 적층된 컬러 필터(CF) 상에는 블랙 매트릭스(BM)가 더 배치될 수 있다. 개구 영역에는 단일층의 컬러 필터(CF)가 배치되고 비 개구 영역에는 적층된 컬러 필터(CF)들 및 블랙 매트릭스(BM)가 배치되어, 개구 영역과 비 개구 영역 사이에 높이 차가 발생한다. 이러한 높이 차에 의해 돌출 패턴(SGh, SGv)이 형성된다. Referring to FIG. 5 (c), the protruding patterns SGh and SGv may be formed of a color filter CF and a black matrix BM. That is, the upper substrate SU includes color filters CF provided to correspond to each pixel area. Color filters (CF) are disposed in the aperture area of each pixel area and extend to the non-aperture area. Neighboring color filters CF in the non-aperture area are stacked on each other. At this time, a black matrix BM may be further disposed on the color filter CF stacked in the non-aperture area. A single-layer color filter (CF) is disposed in the opening area, and stacked color filters (CF) and a black matrix (BM) are disposed in the non-opening area, resulting in a height difference between the open area and the non-opening area. Protrusion patterns (SGh, SGv) are formed by this height difference.

도시하지는 않았으나, 돌출 패턴(SGh, SGv)이 형성된 상부 기판(SU) 전면에는 오버 코트 층이 더 형성될 수 있다. 전술한 돌출 패턴(SGh, SGv)을 구성함에 있어서 컬러 필터(CF) 상에 블랙 매트릭스(BM)를 형성하는 경우, 오버 코트층은 컬러 필터(CF)와 블랙 매트릭스(BM) 사이에 개재될 수 있다.Although not shown, an overcoat layer may be further formed on the entire surface of the upper substrate SU on which the protruding patterns SGh and SGv are formed. When forming the black matrix (BM) on the color filter (CF) in configuring the above-described protrusion patterns (SGh, SGv), the overcoat layer may be interposed between the color filter (CF) and the black matrix (BM). there is.

하부 기판(SL)과 액정층(LC) 사이 및 상부 기판(SU)과 액정층(LC) 사이에는, 각각 액정셀(LC)과 접하는 내면에 액정의 프리 틸트각을 설정하기 위한 배향막(ALL, ALU)이 형성된다. 하부 기판(SL)은 액정층(LC)을 사이에 두고 상부 기판(SU)과 합착된다. 박막 트랜지스터(T)를 통해 화소 신호가 공급된 수직 화소 전극(PXLv)과 공통 배선(CL)을 통해 공통 전압이 공급된 수직 공통 전극(COMv) 사이에서 수평 전계가 형성된다. 이러한 수평 전계에 의해, 액정 분자들이 유전 이방성에 의해 회전하게 된다. 액정 분자들의 회전 정도에 따라 화소 영역을 투과하는 광 투과율이 달라지게 됨으로써 영상을 구현한다. Between the lower substrate (SL) and the liquid crystal layer (LC) and between the upper substrate (SU) and the liquid crystal layer (LC), an alignment film (ALL, ALU) is formed. The lower substrate (SL) is bonded to the upper substrate (SU) with the liquid crystal layer (LC) interposed therebetween. A horizontal electric field is formed between the vertical pixel electrode (PXLv) to which the pixel signal is supplied through the thin film transistor (T) and the vertical common electrode (COMv) to which the common voltage is supplied through the common wiring (CL). This horizontal electric field causes the liquid crystal molecules to rotate due to dielectric anisotropy. Images are created by varying the light transmittance passing through the pixel area depending on the degree of rotation of the liquid crystal molecules.

본 발명은 돌출 패턴(SGh, SGv)을 구비하여, 상부 배향막(ALU) 및/또는 오버 코트층이 개구 영역과 비 개구 영역 사이에서 높이 차를 갖도록 한다. 일 예로 오버 코트 층이 형성되는 경우, 오버 코트 층은 컬러 필터(CF) 등에 기인하여 발생할 수 있는 단차를 줄이기 위한 것이나, 본 발명에서는 오버 코트 층이 형성되더라도 개구 영역과 비 개구 영역 사이에서 단차가 형성되는 것을 특징으로 한다. 이를 위하여, 돌출 패턴(SGh, SGv)을 형성하는 구조체들이 기 설정된 높이를 갖도록 형성된다. 돌출 패턴(SGh, SGv)의 기 설정된 높이는 이웃하는 컬러 필터(CF)들의 높이, 배향막(ALL, ALU)을 구성하는 물질의 물성, 및 오버 코트 층을 구성하는 물질의 물성 등을 고려하여 적절히 선택되어 질 수 있다. The present invention provides protruding patterns (SGh, SGv) so that the upper alignment layer (ALU) and/or the overcoat layer have a height difference between the open area and the non-open area. For example, when an overcoat layer is formed, the overcoat layer is intended to reduce a step that may occur due to a color filter (CF), etc. However, in the present invention, even if the overcoat layer is formed, a step is maintained between the open area and the non-open area. It is characterized by being formed. To this end, the structures forming the protruding patterns SGh and SGv are formed to have a preset height. The preset height of the protruding pattern (SGh, SGv) is appropriately selected in consideration of the height of the neighboring color filters (CF), the physical properties of the material constituting the alignment layer (ALL, ALU), and the physical properties of the material constituting the overcoat layer. It can be done.

하부 기판(SL)과 상부 기판(SU) 사이의 셀 갭(Cell Gap)을 일정하게 유지하기 위해, 컬럼 스페이서(CS)가 형성된다. 컬럼 스페이서(CS)는 하부 기판(SL)의 하부 배향막(ALL) 상에 배치된다. 하부 기판(SL) 상에 형성된 컬럼 스페이서(CS)는 상부 기판(SU)에 배치된 돌출 패턴(SGh, SGv)과 중첩되도록 형성된다. 컬럼 스페이서(CS)의 상부면은 상부 기판(SU)에 배치된 상부 배향막(ALU)과 맞닿는다. 도면에서는, 컬럼 스페이서(CS)의 횡단면 형상이 원형인 경우를 예로 들어 도시하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 컬럼 스페이서(CS)의 횡단면 형상은 원형, 다각형을 포함한 다양한 평면 도형 형상을 가질 수 있다. In order to maintain a constant cell gap between the lower substrate SL and the upper substrate SU, a column spacer CS is formed. The column spacer CS is disposed on the lower alignment layer ALL of the lower substrate SL. The column spacer CS formed on the lower substrate SL is formed to overlap the protruding patterns SGh and SGv disposed on the upper substrate SU. The upper surface of the column spacer (CS) contacts the upper alignment layer (ALU) disposed on the upper substrate (SU). In the drawing, an example is shown where the cross-sectional shape of the column spacer CS is circular, but the present invention is not limited thereto. The cross-sectional shape of the column spacer (CS) may have various planar shapes, including circular and polygonal shapes.

수평 돌출 패턴(SGh)은 액정의 배열이 흐트러져 발생할 수 있는 빛 샘을 차단할 수 있는 면적으로 형성되어야 한다. 자세하게는, 액정 표시장치에 외력이 제공되는 경우, 상부 기판(SU)의 움직임에 따라, 컬럼 스페이서(CS)의 상부면에 접촉하는 상부 배향막(ALU) 표면에 데미지(Damage)가 발생한다. 이때, 상부 배향막(ALU)의 표면에 데미지가 발생함으로써 액정의 배열이 흐트러진다. 액정의 기본 배향이 변화된 영역(DA2)에서는 빛 샘 불량이 발생한다. 도 4(a)는 액정 표시장치에 외력이 작용하기 전의 모습을 나타낸 것이고, 도 4의 (b)는 액정 표시장치에 외력이 작용하여 상부 기판(SU)이 일정 간격 시프트된 모습을 나타낸 것이다. 본 발명은 빛 샘 불량을 방지하기 위해 컬럼 스페이서(CS)가 이동할 수 있는 마진 영역(M2)을 고려하여 수평 돌출 패턴(SGh)의 수직 방향으로의 폭(W2)을 설정한다. The horizontal protrusion pattern (SGh) must be formed with an area that can block light leakage that may occur when the liquid crystal arrangement is disturbed. In detail, when an external force is applied to the liquid crystal display device, damage occurs on the surface of the upper alignment layer (ALU) in contact with the upper surface of the column spacer (CS) according to the movement of the upper substrate (SU). At this time, damage occurs on the surface of the upper alignment layer (ALU), thereby disrupting the alignment of the liquid crystal. Light leakage defects occur in the area (DA2) where the basic orientation of the liquid crystal has changed. FIG. 4(a) shows a state before an external force acts on the liquid crystal display device, and FIG. 4(b) shows a state in which the upper substrate SU is shifted at a certain interval due to an external force acting on the liquid crystal display device. In order to prevent light leakage, the present invention sets the vertical width W2 of the horizontal protrusion pattern SGh in consideration of the margin area M2 where the column spacer CS can move.

이하, 도 2와 도 4의 비교 설명을 통해, 본 발명에 의한 액정 표시 장치의 효과를 설명하기로 한다. 본 발명에서, 컬럼 스페이서(CS)는 하부 기판(SL)에 형성되며, 컬럼 스페이서의 상부면은 상부 기판(SU)에 형성된 상부 배향막(ALU)과 접촉된다. 이때, 컬럼 스페이서(CS)는 상부 기판(SU)의 돌출 패턴(SGh, SGv)과 중첩되기 때문에, 컬럼 스페이서와 접촉하는 상부 배향막(ALU)의 영역은, 상부 배향막(ALU)의 다른 영역에 비해 하부 기판(SL) 방향으로 돌출되어 있다. 돌출된 상부 배향막(ALU) 영역은 비 개구 영역과 대응되며, 상부 배향막(ALU)의 다른 영역은 개구 영역과 대응된다. Hereinafter, the effect of the liquid crystal display device according to the present invention will be explained through comparative description of FIGS. 2 and 4. In the present invention, the column spacer (CS) is formed on the lower substrate (SL), and the upper surface of the column spacer is in contact with the upper alignment layer (ALU) formed on the upper substrate (SU). At this time, because the column spacer (CS) overlaps the protruding patterns (SGh, SGv) of the upper substrate (SU), the area of the upper alignment layer (ALU) in contact with the column spacer is smaller than other areas of the upper alignment layer (ALU). It protrudes in the direction of the lower substrate SL. A protruding area of the upper alignment layer (ALU) corresponds to a non-opening area, and another area of the upper alignment layer (ALU) corresponds to an opening area.

액정 표시장치에 외력이 제공되어 상부 기판(SU)이 일정 간격 시프트 되는 경우, 컬럼 스페이서(CS)는 돌출된 상부 배향막(ALU) 영역상에서만 접촉된다. 액정 표시장치에 동일한 외력이 작용하여 상부 기판(SU)이 동일한 간격으로 시프트 된다고 가정하였을 때, 배향막에 데미지가 발생하여 빛 샘이 발생하는 영역은 본 발명과 종래 기술에서 서로 상이하다. 즉, 종래 기술에서는 컬럼 스페이서(CS)가 이동하는 만큼, 이와 대응되는 하부 배향막(ALL)의 영역(DA1)에 데미지가 발생한다. 이에 비하여, 본 발명에서는 상부 기판(SU)이 시프트 되더라도 돌출된 상부 배향막(ALU) 영역의 끝단에서 컬럼 스페이서(CS)가 걸쳐질 수 있기 때문에 상부 기판(SU)이 시프트된 간격에 비해 상부 배향막(ALU)에 손상이 발생하는 영역(DA2)은 줄어든다. 도 2의 (b)와 도 4의 (b)는, 액정 표시장치에 동일한 외력이 작용하여 상부 기판(SU)이 동일 간격으로 시프트된 경우를 도시한 것이다. When an external force is applied to the liquid crystal display device and the upper substrate SU is shifted at a certain interval, the column spacer CS is contacted only on the protruding upper alignment layer ALU area. Assuming that the same external force acts on the liquid crystal display device and the upper substrate SU is shifted at equal intervals, the area where damage to the alignment layer occurs and light leakage occurs is different between the present invention and the prior art. That is, in the prior art, as the column spacer CS moves, damage occurs in the corresponding area DA1 of the lower alignment layer ALL. In contrast, in the present invention, even if the upper substrate (SU) is shifted, the column spacer (CS) can span the end of the protruding upper alignment layer (ALU) area, so the upper alignment layer (CS) is larger than the distance at which the upper substrate (SU) is shifted. The area (DA2) where damage occurs in the ALU is reduced. FIG. 2 (b) and FIG. 4 (b) illustrate a case where the same external force acts on the liquid crystal display device and the upper substrate SU is shifted at equal intervals.

본 발명에 의한 액정 표시장치는, 종래 기술 대비 외력의 제공에 기인한 빛 샘 영역(DA2)을 줄일 수 있다. 이에 따라, 본 발명에서 빛 샘 영역(DA2)을 커버 하기 위한 수평 돌출 패턴(SGh)의 폭(W2)은, 종래 빛 샘 영역(DA1)을 커버하기 위한 수평 블랙 매트릭스(BMh)의 폭(W1)보다 좁게 설정될 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 종래 기술 대비 개구율을 향상시킨 액정 표시장치를 제공할 수 있다. 아울러, 본 발명에 의하는 경우, 고 해상도의 액정 표시장치에서도 충분한 개구율을 확보할 수 있다. The liquid crystal display device according to the present invention can reduce the light leakage area DA2 due to the provision of external force compared to the prior art. Accordingly, in the present invention, the width (W2) of the horizontal protruding pattern (SGh) to cover the light leakage area (DA2) is the width (W1) of the horizontal black matrix (BMh) to cover the conventional light leakage area (DA1). ) can be set narrower than that. Accordingly, the present invention can provide a liquid crystal display device with an improved aperture ratio compared to the prior art. In addition, according to the present invention, a sufficient aperture ratio can be secured even in a high-resolution liquid crystal display device.

이하, 도 6을 더 참조하여 본 발명에 의한 액정 표시장치의 다른 효과를 설명한다. 도 6은 본 발명에 의한 액정 표시장치의 효과를 설명하기 위한 도면들이다. 도 6의 (a)는 종래 기술에 의한 액정 표시장치를 도시한 것이며, 도 6의 (b)는 본 발명에 의한 액정 표시장치의 일 예를 도시한 것이다. Hereinafter, other effects of the liquid crystal display device according to the present invention will be described with further reference to FIG. 6. Figure 6 is a drawing for explaining the effect of the liquid crystal display device according to the present invention. Figure 6(a) shows a liquid crystal display device according to the prior art, and Figure 6(b) shows an example of a liquid crystal display device according to the present invention.

액정 표시장치는 자체 발광할 수 없기 때문에, 영상을 구현하기 위한 별도의 광원이 필요하다. 따라서, 도시하지는 않았으나, 하부 기판(SL)의 배면에는 백라이트 유닛이 더 배치될 수 있다.Since liquid crystal displays cannot emit their own light, a separate light source is needed to produce images. Accordingly, although not shown, an additional backlight unit may be disposed on the rear surface of the lower substrate SL.

백라이트 유닛으로부터 하부 기판(SL)으로 조사된 광은 각 화소 영역들에 입사되고, 각 화소 영역들에 대응되는 컬러 필터들을 통과하면서 표시 영상을 구현한다. 이때, 인접하는 화소 영역들 사이에서 혼색 불량이 발생할 수 있다. 이러한 혼색 불량은 사용자가 액정표시장치를 측면에서 바라볼 때, 더욱 문제될 수 있다. Light irradiated from the backlight unit to the lower substrate SL is incident on each pixel area and passes through color filters corresponding to each pixel area to create a display image. At this time, color mixing defects may occur between adjacent pixel areas. This color mixing defect may become more problematic when the user views the liquid crystal display device from the side.

예를 들어, 도 6의 (a)를 참조하면 제1 화소 영역(PA1)을 통과하는 광(①, ②, ③) 중 제1 화소 영역(PA1)에 배치된 제1 컬러 필터(CF1)를 통과하는 광(①)과, 인접하는 제2 화소 영역(PA2)에 배치된 제2 컬러 필터(CF2)를 통과하는 광(③)이 동시에 인지되는 혼색 불량이 발생할 수 있다. 이러한 혼색 불량은 액정표시장치의 표시 품질을 저하시킨다. For example, referring to (a) of FIG. 6, the first color filter (CF1) disposed in the first pixel area (PA1) among the light (①, ②, ③) passing through the first pixel area (PA1) A color mixing defect may occur in which the light ① passing through and the light ③ passing through the second color filter CF2 disposed in the adjacent second pixel area PA2 are perceived at the same time. This color mixing defect deteriorates the display quality of the liquid crystal display device.

혼색 불량을 방지하기 위해, 상부 기판(SU) 상에는 블랙 매트릭스(BM)가 형성된다. 블랙 매트릭스(BM)는 화소 영역에서 측면 방향으로 입사하는 광(②)을 차단한다. 따라서, 블랙 매트릭스(BM)는 인접하는 화소 영역에서 원하지 않는 색이 혼합되어 발생하는 불량을 감소시킨다. 블랙 매트릭스(BM)를 형성함에도 불구하고, 혼색 불량을 방지하는 데 한계가 있다. 즉, 블랙 매트릭스(BM)를 이용하여 혼색 불량을 효과적으로 방지하기 위해서, 넓은 폭을 갖는 블랙 매트릭스(BM)가 요구된다. 예를 들어, 인접한 화소 영역 사이에서 혼색 불량을 야기하는 광(이하, '혼색 광'이라 함)(③)을 차단하기 위해, 블랙 매트릭스(BM)의 폭을 더 넓게 형성할 수 있다. 다만, 넓은 폭을 갖는 블랙 매트릭스(BM)를 형성하는 경우, 측면으로부터 입사되는 광을 효과적으로 차단할 수 있지만, 정면에서 나오는 광도 차단하여 개구율을 저하시키는 문제점이 있다. To prevent color mixing defects, a black matrix BM is formed on the upper substrate SU. The black matrix (BM) blocks light (②) incident from the pixel area in the lateral direction. Accordingly, the black matrix BM reduces defects that occur due to mixing of unwanted colors in adjacent pixel areas. Despite forming a black matrix (BM), there are limitations in preventing color mixing defects. That is, in order to effectively prevent color mixing defects using the black matrix (BM), a black matrix (BM) having a wide width is required. For example, in order to block light (hereinafter referred to as 'mixed light') (③) that causes color mixing defects between adjacent pixel areas, the width of the black matrix BM may be formed wider. However, when forming a black matrix (BM) with a wide width, light incident from the side can be effectively blocked, but there is a problem in that it also blocks light coming from the front, reducing the aperture ratio.

본 발명은 돌출 패턴(SGh, SGv)을 형성하기 위해, 비 개구 영역에 구비되는 블랙 매트릭스(BM)가 컬러 필터(CF)에 비해 돌출되도록 형성한다. 도 6의 (b)는 그 일 예를 나타내고 있다. 이에 따라, 본 발명에 의한 액정 표시장치는 종래 기술에 비하여, 블랙 매트릭스(BM)와 하부 배향막(ALL) 사이의 간격을 좁게 형성함으로써, 블랙 매트릭스(BM)가 혼색 광(③)을 차단할 수 있는 범위를 증가시킬 수 있다. In the present invention, in order to form the protruding patterns SGh and SGv, the black matrix BM provided in the non-opening area is formed to protrude compared to the color filter CF. Figure 6(b) shows an example. Accordingly, compared to the prior art, the liquid crystal display device according to the present invention forms a narrower gap between the black matrix (BM) and the lower alignment layer (ALL), so that the black matrix (BM) can block the mixed color light (③). The range can be increased.

예를 들어, 종래 기술에서는 제1 화소 영역(PA1)을 통과하는 광들(①, ②, ③) 중 제2 화소 영역(PA2)에 배치된 제2 컬러 필터(CF2)를 통과하는 광(③)이 사용자에게 인지된다. 이는 제1 화소 영역(PA1)을 통과하는 광들(①, ②, ③) 중 제1 화소 영역(PA1)에 배치된 제1 컬러 필터(CF1)를 통과하는 광(①, ②)과 사용자에게 동시에 인지되어 혼색 불량을 야기한다(도 6의 (a)). For example, in the prior art, among the lights (①, ②, ③) passing through the first pixel area (PA1), the light (③) passing through the second color filter (CF2) disposed in the second pixel area (PA2) This is recognized by the user. This means that among the lights (①, ②, ③) passing through the first pixel area (PA1), the light (①, ②) passing through the first color filter (CF1) disposed in the first pixel area (PA1) is transmitted simultaneously to the user. It is recognized and causes color mixing defects (Figure 6(a)).

이에 반하여, 본 발명에서는 제1 화소 영역(PA1)을 통과하는 광(①, ②, ③) 중 제2 화소 영역(PA2)에 배치된 제2 컬러 필터(B)를 향하는 광(③)이 블랙 매트릭스(BM)에 의해 차단되어 혼색 불량을 방지할 수 있다. 즉, 본 발명에 의한 액정표시장치는 종래 기술에 비해 블랙 매트릭스(BM)에 의해 차단되는 혼색 광의 범위가 증가하여 혼색 불량을 효과적으로 방지할 수 있다(도 6의 (b)). In contrast, in the present invention, among the lights ①, ②, ③ passing through the first pixel area PA1, the light ③ directed to the second color filter B disposed in the second pixel area PA2 is black. It is blocked by the matrix (BM) to prevent color mixing defects. That is, compared to the prior art, the liquid crystal display device according to the present invention can effectively prevent color mixing defects by increasing the range of color mixing light blocked by the black matrix (BM) (FIG. 6(b)).

본 발명에 의한 액정 표시장치는 종래 기술에 비해 블랙 매트릭스(BM)의 배치 및/또는 두께 등을 변경함으로써, 혼색 불량을 현저하게 줄일 수 있다. 또한, 혼색 불량을 방지하기 위해 블랙 매트릭스(BM)의 폭을 넓힐 필요가 없어, 개구율의 저하를 방지할 수 있다. 이에 따라, 혼색 불량을 줄인 본 발명은 표시 품질이 향상된 액정 표시장치를 제공할 수 있다. Compared to the prior art, the liquid crystal display device according to the present invention can significantly reduce color mixing defects by changing the arrangement and/or thickness of the black matrix (BM). Additionally, there is no need to expand the width of the black matrix BM to prevent color mixing defects, thereby preventing a decrease in the aperture ratio. Accordingly, the present invention, which reduces color mixing defects, can provide a liquid crystal display device with improved display quality.

<제2 실시예><Second Embodiment>

이하, 도 7 및 도 8을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 의한 액정 표시장치를 설명한다. 제2 실시예를 설명함에 있어서, 제1 실시예와 실질적으로 동일한 부분에 대한 설명은 생략하기로 한다. 도 7은 본 발명의 제2 실시예에 의한 액정 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 8은 도 7에서 돌출 패턴과 컬럼 스페이서만을 개략적으로 나타낸 평면도이다. Hereinafter, a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 and 8. In describing the second embodiment, descriptions of parts that are substantially the same as those of the first embodiment will be omitted. Figure 7 is a plan view showing the structure of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention. FIG. 8 is a plan view schematically showing only the protrusion pattern and column spacer in FIG. 7.

본 발명에 의한 제2 실시예는 하부 기판(SL)에 형성된 컬럼 스페이서(CS)를 상부 기판(SU)에 형성된 돌출 패턴(SGh, SGv)과 중첩되도록 배치한다. 돌출 패턴(SGh, SGv)은 수평 돌출 패턴(SGh)과 수직 돌출 패턴(SGv)을 포함한다. 이때, 컬럼 스페이서(CS)는 수평 돌출 패턴(SGh)과 수직 돌출 패턴(SGv)이 서로 교차하는 영역에 형성되는 것이 바람직할 수 있다. In the second embodiment of the present invention, the column spacer CS formed on the lower substrate SL is arranged to overlap the protruding patterns SGh and SGv formed on the upper substrate SU. The protrusion patterns (SGh, SGv) include a horizontal protrusion pattern (SGh) and a vertical protrusion pattern (SGv). At this time, the column spacer CS may be preferably formed in an area where the horizontal protrusion pattern SGh and the vertical protrusion pattern SGv intersect each other.

전술한 바와 같이, 외력이 액정 표시장치에 작용하여 상부 기판(SU)이 시프트 되는 경우 상부 배향막(ALU)의 손상에 의한 빛 샘(이하 '빛 샘'이라 함) 현상이 발생하며, 이를 커버 하기 위해 본 발명은 일정 면적을 갖는 돌출 패턴(SGh, SGv)을 형성한다. 이때, 수평 돌출 패턴(SGh)은 수평 방향을 따라 연장되어 배치되어 있기 때문에, 외력이 작용하여 상부 기판(SU)이 수평 방향으로 시프트 되는 경우의 빛 샘 현상을 충분히 커버할 수 있다. 수평 돌출 패턴(SGh)은 박막 트랜지스터(T) 및 각종 배선(GL, CL)을 덮기 위해 반드시 수평 방향으로 연장되어 배치될 필요가 있다. 따라서, 빛 샘을 차단하기 위해 별도로 수평 돌출 패턴(SGh)의 수평 방향으로의 길이를 늘일 필요는 없다. As mentioned above, when an external force acts on the liquid crystal display device and the upper substrate (SU) shifts, a phenomenon of light leakage (hereinafter referred to as 'light leakage') occurs due to damage to the upper alignment layer (ALU), and it is necessary to cover it. For this purpose, the present invention forms protrusion patterns (SGh, SGv) having a certain area. At this time, since the horizontal protrusion pattern SGh is arranged to extend along the horizontal direction, it can sufficiently cover the light leakage phenomenon when the upper substrate SU is shifted in the horizontal direction due to an external force. The horizontal protruding pattern SGh must be arranged to extend in the horizontal direction to cover the thin film transistor T and various wiring lines GL and CL. Therefore, there is no need to separately increase the length of the horizontal protruding pattern SGh in the horizontal direction to block light leakage.

다만, 상부 기판(SU)이 수직 방향으로 시프트 되는 경우에 발생하는 빛 샘 현상을 커버하기 위해서는, 컬럼 스페이서(CS)가 이동할 수 있는 마진 영역(M2)을 충분히 확보하여야 한다. 즉, 빛 샘을 차단하기 위해, 수평 돌출 패턴(SGh)은 마진 영역(M2)과 대응되는 만큼의 수직 방향으로의 폭(W2)을 확보하여야 한다. 따라서, 수평 돌출 패턴(SGh)의 폭(W2)이 넓어질 것이 요구된다. However, in order to cover the light leakage phenomenon that occurs when the upper substrate (SU) is shifted in the vertical direction, a sufficient margin area (M2) where the column spacer (CS) can move must be secured. That is, in order to block light leakage, the horizontal protrusion pattern SGh must secure a width W2 in the vertical direction corresponding to the margin area M2. Therefore, the width W2 of the horizontal protrusion pattern SGh is required to be widened.

본 발명에 의한 제2 실시예는, 수평 돌출 패턴(SGh)의 폭(W2)이 지나치게 길어지는 것을 방지하기 위해, 컬럼 스페이서(CS)를 수평 돌출 패턴(SGh)과 수직 돌출 패턴(SGv)이 교차하는 영역에 중첩 배치하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 외력이 작용하여 상부 기판(SU)이 수직 방향으로 시프트 되는 경우에도, 컬럼 스페이서(CS)는 수직 돌출 패턴(SGv)을 따라 이동(RT)할 수 있게 된다. 컬럼 스페이서(CS)가 수직 돌출 패턴(SGv)을 따라 이동(RT)하는 경우, 개구 영역에 대응되는 상부 배향막(ALU) 영역에는 데미지가 발생하지 않는다. In the second embodiment of the present invention, in order to prevent the width W2 of the horizontal protrusion pattern SGh from becoming too long, the column spacer CS is formed into a horizontal protrusion pattern SGh and a vertical protrusion pattern SGv. It is characterized by overlapping arrangement in the intersecting area. Accordingly, even when the upper substrate SU is shifted in the vertical direction due to an external force, the column spacer CS can move (RT) along the vertical protrusion pattern SGv. When the column spacer CS moves (RT) along the vertical protrusion pattern SGv, no damage occurs in the upper alignment layer (ALU) area corresponding to the opening area.

본 발명에 의한 제2 실시예는, 컬럼 스페이서(CS)를 수평 돌출 패턴(SGh)과 수직 돌출 패턴(SGv)이 교차하는 영역에 중첩 배치함으로써, 빛 샘을 차단하기 위해 수평 돌출 패턴(SGh)의 수직 방향으로의 폭(W2)을 지나치게 넓게 형성해야 하는 문제를 방지할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 제2 실시예는 충분한 개구율을 확보하면서도, 배향막의 손상에 의한 빛 샘을 차단할 수 있는 액정 표시장치를 제공할 수 있다. In the second embodiment of the present invention, the column spacer (CS) is overlapped in the area where the horizontal protrusion pattern (SGh) and the vertical protrusion pattern (SGv) intersect to block light leakage. It is possible to prevent the problem of having to make the width (W2) in the vertical direction too wide. Accordingly, the second embodiment of the present invention can provide a liquid crystal display device that can block light leakage due to damage to the alignment film while securing a sufficient aperture ratio.

<제3 실시예> <Third Embodiment>

이하, 도 9 및 도 10을 참조하여 본 발명의 제3 실시예에 의한 액정 표시장치를 설명한다. 제3 실시예를 설명함에 있어서, 제1 실시예와 실질적으로 동일한 부분에 대한 설명은 생략하기로 한다. 도 9는 본 발명의 제3 실시예에 의한 액정 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 10은 도 9에서 돌출 패턴과 컬럼 스페이서만을 개략적으로 나타낸 평면도이다. Hereinafter, a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 9 and 10. In describing the third embodiment, descriptions of parts that are substantially the same as those of the first embodiment will be omitted. Figure 9 is a plan view showing the structure of a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention. FIG. 10 is a plan view schematically showing only the protrusion pattern and column spacer in FIG. 9.

본 발명의 제3 실시예에 의한 액정 표시장치는, 상부 기판(SU)의 비 개구 영역에서 수평 방향으로 배열된 수평 돌출 패턴(SGh) 및 수직 방향으로 배열된 수직 돌출 패턴(SGv)을 포함하며, 하부 기판(SL)의 비 개구 영역에서 수평 돌출 패턴(SGh)과 수직 돌출 패턴(SGv)이 교차하는 영역에 중첩 배치된 컬럼 스페이서(CS)를 포함한다. The liquid crystal display device according to the third embodiment of the present invention includes a horizontal protrusion pattern (SGh) arranged in a horizontal direction and a vertical protrusion pattern (SGv) arranged in a vertical direction in a non-opening area of the upper substrate (SU), , and includes a column spacer (CS) disposed to overlap the area where the horizontal protrusion pattern (SGh) and the vertical protrusion pattern (SGv) intersect in the non-opening area of the lower substrate (SL).

컬럼 스페이서(CS)의 횡단면 형상은 타원형, 및 다각형 등을 포함하는 평면 도형일 수 있다. 이때, 컬럼 스페이서(CS)는 수평 방향으로의 기 설정된 길이를 갖는다. 예를 들어, 수평 방향으로의 기 설정된 길이는, 컬럼 스페이서(CS)의 횡단면 형상이 타원형인 경우 장축의 길이일 수 있고, 컬럼 스페이서(CS)의 횡단면 형상이 정방형인 경우 일 변의 길이일 수 있다. 이하, 컬럼 스페이서(CS)가 장방형인 경우를 예로 들어 설명한다. 일 예로, 컬럼 스페이서(CS)는 횡단면 형상이 수평 방향으로 기 설정된 길이(LE1)를 갖고, 수직 방향으로 기 설정된 폭(WI1)을 갖는 막대 형상일 수 있다. The cross-sectional shape of the column spacer CS may be a planar shape including an oval or a polygon. At this time, the column spacer CS has a preset length in the horizontal direction. For example, the preset length in the horizontal direction may be the length of the long axis when the cross-sectional shape of the column spacer (CS) is oval, and may be the length of one side when the cross-sectional shape of the column spacer (CS) is square. . Hereinafter, the case where the column spacer CS is rectangular will be described as an example. As an example, the column spacer CS may have a bar shape with a cross-sectional shape having a preset length LE1 in the horizontal direction and a preset width WI1 in the vertical direction.

컬럼 스페이서(CS)의 수평 방향으로의 길이(LE1)는 수직 돌출 패턴(SGv)의 폭(LE2)보다 긴 것이 바람직하다. 컬럼 스페이서(CS)의 수평 방향으로의 길이(LE1)를 수직 돌출 패턴(SGv)의 폭(LE2)보다 길게 형성함으로써, 컬럼 스페이서(CS)가 수직 돌출 패턴(SGv)을 따라 이동하는 경우에 수직 돌출 패턴(SGv)과 중첩될 수 있는 충분한 면적을 확보할 수 있다. 컬럼 스페이서(CS)가 이동 시에 수직 돌출 패턴(SGv)과 중첩되는 충분한 면적이 확보되는 경우, 수평 돌출 패턴(SGh)의 수직 방향으로의 폭(W3)을 더 줄일 수 있다. The horizontal length LE1 of the column spacer CS is preferably longer than the width LE2 of the vertical protrusion pattern SGv. By forming the horizontal length (LE1) of the column spacer (CS) to be longer than the width (LE2) of the vertical protrusion pattern (SGv), when the column spacer (CS) moves along the vertical protrusion pattern (SGv), the vertical Sufficient area to overlap with the protrusion pattern (SGv) can be secured. When a sufficient area overlapping with the vertical protrusion pattern SGv is secured when the column spacer CS is moved, the vertical width W3 of the horizontal protrusion pattern SGh can be further reduced.

구체적으로는, 외력에 의해 상부 기판(SU)이 수직 방향으로 시프트 되는 경우, 컬럼 스페이서(CS)는 수직 돌출 패턴(SGv)을 따라 이동(RT)할 수 있어, 개구 영역에 구비된 상부 배향막(ALU)의 손상을 방지할 수 있다. 또한, 컬럼 스페이서(CS)의 수평 방향으로의 길이(LE1)를 수직 돌출 패턴(SGv)의 폭(LE2)보다 충분히 길게 형성함으로써, 외력에 의해 상부 기판(SU)이 사선 방향으로 시프트 되는 경우에도, 컬럼 스페이서(CS)는 수직 돌출 패턴(SGv)을 따라 이동(TT)할 수 있어, 개구 영역에 구비된 상부 배향막(ALU)의 손상을 방지할 수 있다. Specifically, when the upper substrate (SU) is shifted in the vertical direction by an external force, the column spacer (CS) can move (RT) along the vertical protrusion pattern (SGv), so that the upper alignment film (RT) provided in the opening area ALU) damage can be prevented. In addition, by forming the horizontal length LE1 of the column spacer CS to be sufficiently longer than the width LE2 of the vertical protruding pattern SGv, even when the upper substrate SU is shifted in the diagonal direction due to an external force, , the column spacer (CS) can move (TT) along the vertical protrusion pattern (SGv), thereby preventing damage to the upper alignment layer (ALU) provided in the opening area.

본 발명에 의한 제3 실시예는 사선 방향으로 상부 기판(SU)이 시프트 되는 경우를 고려하여, 컬럼 스페이서(CS)의 사선 방향으로의 이동 마진 만큼 수평 돌출 패턴(SGh)의 수직 방향의 폭(W3)을 늘일 필요가 없다. 본 발명에 의한 제3 실시예는 제3 실시예에 비해서도 수평 돌출 패턴(SGh)의 폭(W3)을 줄일 수 있다. 따라서, 본 발명의 제3 실시예는 충분한 개구율을 확보하면서도, 배향막의 손상에 의한 빛 샘을 차단할 수 있는 액정 표시장치를 제공할 수 있다. In the third embodiment according to the present invention, considering the case where the upper substrate SU is shifted in the diagonal direction, the vertical width of the horizontal protruding pattern SGh is equal to the movement margin in the diagonal direction of the column spacer CS There is no need to increase W3). The third embodiment according to the present invention can reduce the width W3 of the horizontal protruding pattern SGh compared to the third embodiment. Accordingly, the third embodiment of the present invention can provide a liquid crystal display device that can block light leakage due to damage to the alignment film while securing a sufficient aperture ratio.

다만, 컬럼 스페이서(CS)가 사선 방향으로 이동시, 컬럼 스페이서(CS)의 끝단이 개구 영역의 상부 배향막(ALU)과 맞닿아 배향막 손상이 발생할 수 있다. 이를 방지하기 위해, 컬럼 스페이서(CS)의 수평 방향으로의 길이(LE1)는 이웃하는 수직 돌출 패턴(SGv) 사이의 이격 거리(LE3)보다 길 수 있다. 외력에 의해 상부 기판(SU)이 사선 방향으로 시프트 되는 경우, 컬럼 스페이서(CS)는 그 양단이 이웃하는 수직 돌출 패턴(SGv)에 각각 중첩되어 이웃하는 수직 돌출 패턴(SGv)을 따라 이동할 수 있다. 컬럼 스페이서(CS)의 수평 방향으로의 길이(LE1)를 이웃하는 수직 돌출 패턴(SGv) 사이의 이격 거리(LE3)보다 충분히 길게 형성함으로써, 상부 기판(SU)이 사선 방향으로 시프트 되는 경우, 컬럼 스페이서(CS)의 끝단이 개구 영역의 상부 배향막(ALU)에 직접 접촉하는 것을 방지할 수 있다. However, when the column spacer (CS) moves in a diagonal direction, the end of the column spacer (CS) may come into contact with the upper alignment layer (ALU) of the opening area, causing damage to the alignment layer. To prevent this, the horizontal length LE1 of the column spacer CS may be longer than the separation distance LE3 between adjacent vertical protrusion patterns SGv. When the upper substrate (SU) is shifted in the diagonal direction due to an external force, the column spacer (CS) can move along the neighboring vertical protrusion patterns (SGv) with both ends overlapped with the neighboring vertical protrusion patterns (SGv). . By forming the horizontal length LE1 of the column spacer CS to be sufficiently longer than the separation distance LE3 between neighboring vertical protruding patterns SGv, when the upper substrate SU is shifted in the diagonal direction, the column It is possible to prevent the end of the spacer (CS) from directly contacting the upper alignment layer (ALU) of the opening area.

컬럼 스페이서(CS)의 수평 방향으로의 길이(LE1)와 수직 방향으로의 폭(WI1)은, 컬럼 스페이서(CS)의 분포 밀도를 고려하여 설정될 수 있다. 즉, 컬럼 스페이서(CS)의 길이(LE1)와 폭(WI1)은, 상부 기판(SU)과 하부 기판(SL) 사이의 셀 갭을 유지하기 위해 필요한 정도의 분포 밀도를 고려하여 설정될 수 있다. 분포 밀도를 맞추기 위해 컬럼 스페이서(CS)가 특정 면적을 가질 것이 요구되는 경우, 본 발명은 컬럼 스페이서(CS)의 길이(LE1)를 충분히 길게 확보하고 폭(WI1)을 줄일 수 있다. 즉, 전술한 바와 같이 본 발명에서의 컬럼 스페이서(CS)는 수평 방향으로 일정 길이(LE1)를 확보할 필요가 있다. 따라서, 본 발명은 요구되는 분포 밀도를 고려하여 컬럼 스페이서(CS)의 면적을 설정하되, 컬럼 스페이서(CS)의 수평 방향으로의 길이(LE1)를 수직 방향으로의 폭(WI1)보다 길게 형성할 수 있다. The horizontal length LE1 and the vertical width WI1 of the column spacer CS may be set in consideration of the distribution density of the column spacer CS. That is, the length LE1 and width WI1 of the column spacer CS may be set in consideration of the distribution density necessary to maintain the cell gap between the upper substrate SU and the lower substrate SL. . When the column spacer (CS) is required to have a specific area to match the distribution density, the present invention can secure the length (LE1) of the column spacer (CS) sufficiently long and reduce the width (WI1). That is, as described above, the column spacer CS in the present invention needs to secure a certain length LE1 in the horizontal direction. Therefore, the present invention sets the area of the column spacer (CS) in consideration of the required distribution density, but forms the horizontal length (LE1) of the column spacer (CS) to be longer than the vertical width (WI1). You can.

컬럼 스페이서(CS)는 비 개구 영역에 배치된 콘택홀 중 적어도 어느 하나 이상과 중첩되도록 형성될 수 있다. 비 개구 영역에 배치된 콘택홀은 화소 콘택홀(PH), 공통 콘택홀(CH)을 포함할 수 있다. 콘택홀들이 형성된 영역의 상부에 하부 배향막(ALL)을 도포하는 경우, 배향막 미퍼짐 현상이 발생할 수 있다. 즉, 하부 배향막(ALL) 도포 공정 시, 표면 장력으로 인해 하부 배향막(ALL)이 콘택홀 영역까지 충분히 도포되지 않는 배향막 미퍼짐 현상이 발생할 수 있다. 배향막 미퍼짐 현상은 얼룩 불량을 발생시켜 표시 품질을 저하시킨다. 본 발명은 콘택홀 영역을 덮도록 컬럼 스페이서(CS)를 형성 한 후에 배향막을 도포함으로써, 배향막 미퍼짐 현상을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명에 의한 제 3 실시예는 얼룩 불량을 방지하여 제품 신뢰성 및 제품 수율을 향상시킨 액정 표시장치를 제공할 수 있다.The column spacer CS may be formed to overlap at least one of the contact holes arranged in the non-opening area. Contact holes disposed in the non-opening area may include a pixel contact hole (PH) and a common contact hole (CH). When the lower alignment film (ALL) is applied on top of the area where the contact holes are formed, the alignment film may not spread. That is, during the lower alignment film (ALL) application process, the alignment film non-spreading phenomenon in which the lower alignment film (ALL) is not sufficiently applied to the contact hole area may occur due to surface tension. Non-spreading of the alignment film causes spotting defects and deteriorates display quality. The present invention can prevent the alignment film from spreading by applying an alignment film after forming a column spacer (CS) to cover the contact hole area. Therefore, the third embodiment of the present invention can provide a liquid crystal display device that improves product reliability and product yield by preventing stain defects.

<제4 실시예><Example 4>

이하, 도 11 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 제4 실시예에 의한 액정 표시장치를 설명한다. 도 11은 본 발명의 제4 실시예에 의한 액정 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 12는 도 11에 도시한 액정 표시장치를 절취선 Ⅲ-Ⅲ'을 따라 자른 단면도이다. 도 13은 도 11에 도시한 액정 표시장치를 절취선 Ⅳ-Ⅳ'을 따라 자른 것으로, 수직 돌출 패턴의 다양한 구조 예를 설명하기 위한 도면들이다. 도 14 및 도 15는 제1 보조 패턴의 배치를 설명하기 위한 도면들이다. Hereinafter, a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 11 to 13. Figure 11 is a plan view showing the structure of a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 12 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device shown in FIG. 11 taken along line III-III'. FIG. 13 is a diagram of the liquid crystal display device shown in FIG. 11 cut along the perforated lines IV-IV', and is a diagram for explaining various structural examples of vertical protrusion patterns. Figures 14 and 15 are diagrams for explaining the arrangement of the first auxiliary pattern.

도 11 및 도 12를 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 의한 액정 표시장치는 하부 기판(SL), 상부 기판(SU), 및 하부 기판(SL)과 상부 기판(SU) 사이에 개재된 액정층(LC)을 포함한다. 하부 기판(SL)과 상부 기판(SU)은 매트릭스 방식으로 배열된 화소 영역들을 포함한다. 화소 영역은 개구 영역, 및 개구 영역을 둘러싸는 비 개구 영역을 포함한다. 개구 영역은 블랙 매트릭스(BM)에 의해 정의될 수 있다. 비 개구 영역은 블랙 매트릭스(BM)에 의해 가려지는 영역으로 정의될 수 있다.11 and 12, the liquid crystal display device according to the fourth embodiment of the present invention includes a lower substrate (SL), an upper substrate (SU), and a liquid crystal display device disposed between the lower substrate (SL) and the upper substrate (SU). It includes a liquid crystal layer (LC). The lower substrate SL and the upper substrate SU include pixel areas arranged in a matrix manner. The pixel area includes an aperture area and a non-aperture area surrounding the aperture area. The aperture area may be defined by a black matrix (BM). The non-aperture area may be defined as an area obscured by the black matrix (BM).

하부 기판(SL) 상에는, 서로 교차하는 게이트 배선(GL) 및 데이터 배선(DL), 그 교차부에 형성된 박막 트랜지스터(T), 그 교차 구조로 마련된 화소 영역에 수평 전계를 이루도록 형성된 화소 전극(PXL) 및 공통 전극(COM)이 형성된다. On the lower substrate (SL), the gate wire (GL) and the data wire (DL) cross each other, a thin film transistor (T) formed at the intersection, and a pixel electrode (PXL) formed to form a horizontal electric field in the pixel area provided with the intersection structure. ) and a common electrode (COM) are formed.

박막 트랜지스터(T)는 각 화소 영역에 적어도 하나씩 배치된다. 박막 트랜지스터(T)는 게이트 배선(GL)에 접속된 게이트 전극(G)과, 데이터 배선(DL)에 접속된 소스 전극(S)과, 화소 전극(PXL)에 접속된 드레인 전극(D)을 포함한다. 또한, 박막 트랜지스터(T)는 반도체층을 포함한다. 반도체층의 일측은 소스 전극(S)과 접속되고, 반도체층의 타측은 드레인 전극(D)과 접속된다. 반도체층 중 게이트 전극(G)과 중첩된 영역은 채널 영역으로 정의된다. At least one thin film transistor T is disposed in each pixel area. The thin film transistor (T) has a gate electrode (G) connected to the gate wire (GL), a source electrode (S) connected to the data wire (DL), and a drain electrode (D) connected to the pixel electrode (PXL). Includes. Additionally, the thin film transistor T includes a semiconductor layer. One side of the semiconductor layer is connected to the source electrode (S), and the other side of the semiconductor layer is connected to the drain electrode (D). The area of the semiconductor layer that overlaps the gate electrode (G) is defined as a channel area.

박막 트랜지스터(T)는 게이트 배선(GL)의 게이트 신호에 응답하여 데이터 배선(DL)의 화소 신호를 화소 전극(PXL)에 공급한다. 공통 전극(COM)은 공통 전압원(미도시)에 전기적으로 연결되어 공통 전압을 공급받는다. 스토리지 커패시터는 박막 트랜지스터(T)와 접속되며, 화소 신호와 공통 전압과의 차전압을 충전한다. The thin film transistor T supplies the pixel signal of the data line DL to the pixel electrode PXL in response to the gate signal of the gate line GL. The common electrode (COM) is electrically connected to a common voltage source (not shown) and receives a common voltage. The storage capacitor is connected to the thin film transistor (T) and charges the differential voltage between the pixel signal and the common voltage.

박막 트랜지스터를 덮는 보호막(PAS) 및 평탄화막(PAC) 위에는, 공통 전극(COM), 및 화소 전극(PXL)이 구비되어 수평 전계를 형성한다. 화소 전극(PXL)과 공통 전극(COM)의 위치와 모양은 설계 환경과 목적에 맞게 선택될 수 있다. A common electrode (COM) and a pixel electrode (PXL) are provided on the protective film (PAS) and the planarization film (PAC) covering the thin film transistor to form a horizontal electric field. The location and shape of the pixel electrode (PXL) and common electrode (COM) can be selected to suit the design environment and purpose.

예를 들어, 평탄화막(PAC) 위에는, 공통 전극(COM)과, 공통 전극(COM)을 덮는 절연막이 차례로 형성될 수 있고, 화소 전극(PXL)은 절연막 위에 형성되어 공통 전극(COM)과 수평 전계를 형성할 수 있다. 또한, 도시하지는 않았으나, 평탄화막(PAC) 위에는, 화소 전극(PXL)과, 화소 전극(PXL)을 덮는 절연막이 차례로 형성될 수 있고, 공통 전극(COM)은 절연막 위에 형성되어 화소 전극(PXL)과 수평 전계를 형성할 수도 있다. For example, a common electrode (COM) and an insulating film covering the common electrode (COM) may be formed sequentially on the planarization film (PAC), and the pixel electrode (PXL) may be formed on the insulating film and be horizontal to the common electrode (COM). An electric field can be formed. In addition, although not shown, a pixel electrode (PXL) and an insulating film covering the pixel electrode (PXL) may be sequentially formed on the planarization film (PAC), and a common electrode (COM) may be formed on the insulating film to cover the pixel electrode (PXL). and may form a horizontal electric field.

이 경우, 절연막 아래에 위치하는 공통 전극(COM)(또는, 화소 전극(PXL))은 기 설정된 면적을 갖는 플레이트 형태를 가질 수 있고, 절연막 위에 위치하는 화소 전극(PXL)(또는, 공통 전극(COM))은, 화소 영역 내에서 다수 개의 선분 모양이 일정 간격으로 평행하게 배열된 빗살 구조를 가질 수 있다. In this case, the common electrode (COM) (or pixel electrode (PXL)) located below the insulating film may have a plate shape with a preset area, and the pixel electrode (PXL) (or common electrode () located above the insulating film. COM)) may have a comb-tooth structure in which a plurality of line segments are arranged in parallel at regular intervals within the pixel area.

하부 기판(SL)의 비 개구 영역은 수직 돌출 패턴(SGv)을 포함한다. 하부 기판(SL)에서는 개구 영역에 배치된 구조물과 비 개구 영역에 배치된 구조물들과의 높이 차에 의한 단차가 발생한다. 상기 높이 차에 의해 개구 영역보다 돌출된 비 개구 영역 부분을 수직 돌출 패턴(SGv)이라 정의한다. The non-opening area of the lower substrate SL includes a vertical protrusion pattern SGv. In the lower substrate SL, a step occurs due to a height difference between the structures placed in the open area and the structures placed in the non-open area. The portion of the non-opening area that protrudes from the opening area due to the height difference is defined as a vertical protruding pattern (SGv).

수직 돌출 패턴(SGv)은 비 개구 영역에서, 수직 방향으로 연장되는 데이터 배선과 중첩되도록 배치된 제1 보조 패턴(ME)을 포함한다. 제1 보조 패턴(ME)은 기 설정된 두께를 갖도록 구비된다. 따라서, 제1 보조 패턴(ME)을 포함하는 수직 돌출 패턴(SGv)은, 주변 영역(예를 들어, 개구 영역) 대비 상부 기판(SU) 방향으로 더 돌출된 형상을 갖는다. The vertical protruding pattern SGv includes a first auxiliary pattern ME arranged to overlap a data line extending in the vertical direction in the non-opening area. The first auxiliary pattern ME is provided to have a preset thickness. Accordingly, the vertical protrusion pattern SGv including the first auxiliary pattern ME has a shape that protrudes more in the direction of the upper substrate SU compared to the peripheral area (eg, the opening area).

도 12에 도시된 바와 같이, 제1 보조 패턴(ME)은 데이터 배선(DL)과 중첩되되, 하부 배향막(ALL)을 제외한 가장 상층에 위치하는 것이 바람직할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 달리 표현하면, 하부 기판(SL) 상에는 여러 물질들이 차례로 적층되어 소자들을 형성한다. 이때, 제1 보조 패턴(ME)이 가장 늦은 적층 순서를 가질 필요는 없다. 즉, 제1 보조 패턴(ME) 이후에 다른 층이 형성되더라도, 제1 보조 패턴(ME)이 기 설정된 두께로 구비되어 충분한 높이를 갖는 수직 돌출 패턴(SGv)을 형성할 수 있다면 충분하다. As shown in FIG. 12 , it may be preferable that the first auxiliary pattern ME overlaps the data line DL and is located on the uppermost layer excluding the lower alignment layer ALL, but is not limited to this. In other words, various materials are sequentially stacked on the lower substrate SL to form devices. At this time, the first auxiliary pattern ME does not need to have the latest stacking order. That is, even if another layer is formed after the first auxiliary pattern ME, it is sufficient as long as the first auxiliary pattern ME is provided with a preset thickness to form the vertical protruding pattern SGv with a sufficient height.

제1 보조 패턴(ME)은 다른 전극과 접촉되어 특정 전압(또는, 신호)를 인가받을 수 있고, 독립적으로 구비될 수도 있다. 다만, 불필요한 기생 커패시터가 형성되는 것을 방지하기 위해, 제1 보조 패턴(ME)은 특정 신호가 인가되는 전극과 전기적으로 연결되는 것이 바람직할 수 있다. The first auxiliary pattern ME may be in contact with another electrode to receive a specific voltage (or signal), or may be provided independently. However, in order to prevent unnecessary parasitic capacitors from being formed, it may be desirable for the first auxiliary pattern ME to be electrically connected to an electrode to which a specific signal is applied.

일 예로, 도 13의 (a)를 참조하면, 화소 전극(PXL)과 공통 전극(COM)은 제1 절연막(IN1) 및 제2 절연막(IN2)을 사이에 두고 서로 다른 층에 구비될 수 있다. 즉, 평탄화막(PAC) 위에는, 공통 전극(COM)이 기 설정된 면적을 갖는 플레이트 형상을 갖도록 구비될 수 있다. 공통 전극(COM) 위에는, 공통 전극(COM)을 덮는 제1 절연막(IN1)이 구비될 수 있다. 제1 보조 패턴(ME)은 제1 절연막(IN1) 위에서 데이터 배선(DL)과 중첩되도록 구비될 수 있다. 제1 보조 패턴(ME)은 기 설정된 영역에서 제1 절연막(IN1)을 관통하는 제1 콘택홀(INH)을 통해 공통 전극(COM)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 보조 패턴(ME) 위에는, 제1 보조 패턴(ME)을 덮는 제2 절연막(IN2)이 구비되고, 제2 절연막(IN2) 위에는 화소 전극(PXL)이 구비될 수 있다. 화소 전극(PXL)은 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(D)과 연결된다. 화소 전극(PXL)은 화소 영역 내에서 다수 개의 선분 모양이 일정 간격으로 평행하게 배열된 빗살 구조를 가질 수 있다. 이때, 제1 보조 패턴(ME)에 의해 형성된 수직 돌출 패턴(SGv)은 화소 전극(PXL)이 형성된 영역에 비해 충분한 높이를 갖도록 구비되어, 상부 기판(SU) 방향으로 돌출된다.For example, referring to (a) of FIG. 13, the pixel electrode PXL and the common electrode COM may be provided in different layers with the first insulating film IN1 and the second insulating film IN2 interposed therebetween. . That is, the common electrode COM may be provided on the planarization film PAC to have a plate shape with a preset area. A first insulating film IN1 may be provided on the common electrode COM to cover the common electrode COM. The first auxiliary pattern ME may be provided on the first insulating layer IN1 to overlap the data line DL. The first auxiliary pattern ME may be electrically connected to the common electrode COM through the first contact hole INH penetrating the first insulating film IN1 in a preset area. A second insulating film IN2 may be provided on the first auxiliary pattern ME, and a pixel electrode PXL may be provided on the second insulating film IN2. The pixel electrode (PXL) is connected to the drain electrode (D) of the thin film transistor (T). The pixel electrode PXL may have a comb-tooth structure in which a plurality of line segments are arranged in parallel at regular intervals within the pixel area. At this time, the vertical protruding pattern SGv formed by the first auxiliary pattern ME is provided to have a sufficient height compared to the area where the pixel electrode PXL is formed, and protrudes in the direction of the upper substrate SU.

다른 예로, 도 13의 (b)를 참조하면, 화소 전극(PXL)과 공통 전극(COM)은 제1 절연막(IN1)을 사이에 두고 서로 다른 층에 구비될 수 있다. 즉, 평탄화막(PAC) 위에는, 공통 전극(COM)이 기 설정된 면적을 갖는 플레이트 형상을 갖도록 구비될 수 있다. 제1 보조 패턴(ME)은 공통 전극(COM) 위에서 데이터 배선(DL)과 중첩되도록 구비될 수 있다. 제1 보조 패턴(ME)은 공통 전극(COM)과 직접 연결된다. 제1 보조 패턴(ME) 위에는, 제1 보조 패턴(ME)을 덮는 제1 절연막(IN1)이 구비되고, 제1 절연막(IN1) 위에는 화소 전극(PXL)이 구비될 수 있다. 화소 전극(PXL)은 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(D)과 연결된다. 화소 전극(PXL)은 화소 영역 내에서 다수 개의 선분 모양이 일정 간격으로 평행하게 배열된 빗살 구조를 가질 수 있다. 이때, 제1 보조 패턴(ME)에 의해 형성된 수직 돌출 패턴(SGv)은 화소 전극(PXL)이 형성된 영역에 비해 충분한 높이를 갖도록 구비되어, 상부 기판(SU) 방향으로 돌출된다.As another example, referring to (b) of FIG. 13, the pixel electrode PXL and the common electrode COM may be provided in different layers with the first insulating film IN1 interposed therebetween. That is, the common electrode COM may be provided on the planarization film PAC to have a plate shape with a preset area. The first auxiliary pattern ME may be provided to overlap the data line DL on the common electrode COM. The first auxiliary pattern (ME) is directly connected to the common electrode (COM). A first insulating film IN1 may be provided on the first auxiliary pattern ME, and a pixel electrode PXL may be provided on the first insulating film IN1. The pixel electrode (PXL) is connected to the drain electrode (D) of the thin film transistor (T). The pixel electrode PXL may have a comb-tooth structure in which a plurality of line segments are arranged in parallel at regular intervals within the pixel area. At this time, the vertical protruding pattern SGv formed by the first auxiliary pattern ME is provided to have a sufficient height compared to the area where the pixel electrode PXL is formed, and protrudes in the direction of the upper substrate SU.

액정 표시장치는 자체 발광할 수 없기 때문에, 영상을 구현하기 위한 별도의 광원이 필요하다. 따라서, 하부 기판(SL)의 배면에는 백라이트 유닛이 더 배치될 수 있다. 백라이트 유닛으로부터 하부 기판(SL) 및 상부 기판(SU)을 통과하여 사용자에게 인지된다. 이때, 기 설정된 면적의 플레이트 형상을 갖는 공통 전극(COM)은, 백라이트 유닛으로부터 출사된 광을 통과시키기 위하여, ITO(Idium Tin Oxide)와 같은 투명 도전 물질로 형성될 필요가 있다. 이러한 투명 도전 물질의 경우 비저항 값이 높기 때문에 공통 전극(COM)의 전체 면적에 걸쳐 일정한 전압 값을 갖지 못하는 문제가 발생할 수 있다. 이러한 문제는, 대면적 액정 표시장치의 경우 더욱 문제되며, 화질 저하 문제를 야기할 수 있다. Since liquid crystal displays cannot emit their own light, a separate light source is needed to produce images. Accordingly, an additional backlight unit may be disposed on the rear surface of the lower substrate SL. It passes from the backlight unit through the lower substrate (SL) and upper substrate (SU) and is recognized by the user. At this time, the common electrode COM, which has a plate shape with a preset area, needs to be formed of a transparent conductive material such as ITO (Idium Tin Oxide) in order to pass the light emitted from the backlight unit. In the case of such transparent conductive materials, the specific resistance value is high, so a problem may occur in which a constant voltage value is not maintained over the entire area of the common electrode (COM). This problem is even more problematic in the case of large-area liquid crystal displays and may cause image quality deterioration problems.

제1 보조 패턴(ME)은 비 저항값이 낮은 도전 물질로 형성되고, 공통 전극(COM)과 직접, 혹은 콘택홀을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 이 경우, 제1 보조 패턴(ME)은 공통 전극(COM)의 저항을 낮출 수 있다. 따라서, 공통 전극(COM)은 위치에 따른 편차 없이 각 화소마다 균일한 공통 전압을 공급할 수 있다. 제1 보조 패턴(ME)은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 이들의 조합으로부터 형성되는 합금 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. The first auxiliary pattern (ME) is formed of a conductive material with a low specific resistance value, and may be electrically connected to the common electrode (COM) directly or through a contact hole. In this case, the first auxiliary pattern ME can lower the resistance of the common electrode COM. Accordingly, the common electrode COM can supply a uniform common voltage to each pixel without deviation depending on position. The first auxiliary pattern (ME) is an alloy formed from molybdenum (Mo), titanium (Ti), tantalum (Ta), tungsten (W), copper (Cu), chromium (Cr), aluminum (Al), and combinations thereof. It may include any one of the following. However, it is not limited to this.

상부 기판(SU)은 컬러 필터(CF)를 포함한다. 컬러 필터(CF)는 적색, 녹색, 청색 컬러 필터(CF)들을 포함한다. 컬러 필터(CF)는 R-G-B 방식으로 교대로 배치될 수 있다. 또한, 컬러 필터(CF)는 백색의 컬러 필터(CF)를 더 포함할 수도 있다. 각각의 컬러 필터(CF)는 각 화소 영역에 대응되도록 하나씩 형성될 수 있다. The upper substrate (SU) includes a color filter (CF). The color filter (CF) includes red, green, and blue color filters (CF). Color filters (CF) may be arranged alternately in an R-G-B manner. Additionally, the color filter (CF) may further include a white color filter (CF). Each color filter CF may be formed one by one to correspond to each pixel area.

이웃하는 컬러 필터(CF) 사이에는, 블랙 매트릭스(BM)가 더 구비될 수 있다. 블랙 매트릭스(BM)는 상부 기판(SU) 상에 직접 형성될 수 있고, 이웃하는 컬러 필터(CF) 상에 형성될 수도 있다. 블랙 매트릭스(BM)는 이웃하는 컬러 필터(CF)가 적층된 형태로 구현될 수 있다.A black matrix BM may be further provided between neighboring color filters CF. The black matrix BM may be formed directly on the upper substrate SU or on the adjacent color filter CF. The black matrix (BM) may be implemented in a form in which neighboring color filters (CF) are stacked.

블랙 매트릭스는 수직 블랙 매트릭스(BMv)와 수평 블랙 매트릭스(BMh)를 포함한다. 수직 블랙 매트릭스(BMv)는 블랙 매트릭스 중 수직 방향으로 연장된 수직 성분을 의미하며, 수평 블랙 매트릭스(BMh)는 블랙 매트릭스 중 수평 방향으로 연장된 수평 성분을 의미한다. 수직 블랙 매트릭스(BMv)는 하부 기판(SL)의 데이터 배선(DL)과 나란하게 배열되며, 데이터 배선(DL)을 완전히 덮도록 데이터 배선(DL)과 중첩되어 배치된다. 수평 블랙 매트릭스(BMh)는, 하부 기판(SL)의 박막 트랜지스터 및 각종 배선(GL, DL)과 중첩되어 배치된다. 수직 블랙 매트릭스(BMv)와 수평 블랙 매트릭스(BMh)는 액정의 배열이 흐트러져 발생할 수 있는 빛 샘을 차단할 수 있는 수준으로 형성된다. 블랙 매트릭스는 상부 기판(SU)을 평면 상에서 바라볼 때, 매트릭스 형태로 배열된 개구 영역들을 둘러싸는 메시(mesh) 형태로 배치될 수 있다.The black matrix includes a vertical black matrix (BMv) and a horizontal black matrix (BMh). The vertical black matrix (BMv) refers to the vertical component of the black matrix extending in the vertical direction, and the horizontal black matrix (BMh) refers to the horizontal component of the black matrix extending in the horizontal direction. The vertical black matrix BMv is arranged in parallel with the data line DL of the lower substrate SL and overlaps the data line DL so as to completely cover the data line DL. The horizontal black matrix BMh is disposed to overlap the thin film transistor and various wiring lines GL and DL of the lower substrate SL. The vertical black matrix (BMv) and horizontal black matrix (BMh) are formed at a level that can block light leakage that may occur due to the alignment of the liquid crystals being disturbed. When the upper substrate SU is viewed on a plane, the black matrix may be arranged in a mesh shape surrounding the opening areas arranged in a matrix shape.

하부 기판(SL)과 상부 기판(SU)은 액정층(LC)을 사이에 두고 합착된다. 하부 기판(SL)과 액정층(LC) 사이 및 상부 기판(SU)과 액정층(LC) 사이에는, 각각 액정셀(LC)과 접하는 내면에 액정의 프리 틸트각을 설정하기 위한 배향막(ALL, ALU)이 형성된다. 액정층(LC)는 화소 전극(PXL)과 공통 전극(COM) 사이에 형성된 전계에 의해 구동된다. The lower substrate (SL) and the upper substrate (SU) are bonded with the liquid crystal layer (LC) interposed therebetween. Between the lower substrate (SL) and the liquid crystal layer (LC) and between the upper substrate (SU) and the liquid crystal layer (LC), an alignment film (ALL, ALU) is formed. The liquid crystal layer (LC) is driven by an electric field formed between the pixel electrode (PXL) and the common electrode (COM).

하부 기판(SL)과 상부 기판(SU) 사이의 셀 갭을 일정하게 유지하기 위해, 컬럼 스페이서(CS)가 형성된다. 컬럼 스페이서(CS)는 상부 기판(SU)의 상부 배향막(ALU) 상에 형성된다. 상부 기판(SU) 상에 형성된 컬럼 스페이서(CS)는 하부 기판(SL)에 형성된 수직 돌출 패턴(SGv)과 중첩되도록 배치된다. 컬럼 스페이서(CS)의 상부면은 하부 기판(SL)에 구비된 수직 돌출 패턴(SGv) 상의 하부 배향막(ALL)과 맞닿는다. 컬럼 스페이서(CS)가 배치되는 영역은 수직 블랙 매트릭스(BMv)와 수평 블랙 매트릭스(BMh)가 교차되는 영역과 중첩되는 영역일 수 있다. In order to keep the cell gap between the lower substrate SL and the upper substrate SU constant, a column spacer CS is formed. The column spacer (CS) is formed on the upper alignment layer (ALU) of the upper substrate (SU). The column spacer CS formed on the upper substrate SU is disposed to overlap the vertical protrusion pattern SGv formed on the lower substrate SL. The upper surface of the column spacer (CS) contacts the lower alignment layer (ALL) on the vertical protrusion pattern (SGv) provided on the lower substrate (SL). The area where the column spacer (CS) is disposed may be an area that overlaps with the area where the vertical black matrix (BMv) and the horizontal black matrix (BMh) intersect.

외력에 의해 상부 기판(SU)이 수직 방향으로 시프트 되는 경우, 컬럼 스페이서(CS)는 수직 돌출 패턴(SGv)을 따라 이동할 수 있어, 개구 영역에 구비된 하부 배향막(ALL)의 손상을 방지할 수 있다. 또한, 컬럼 스페이서(CS)의 수평 방향으로의 길이를 수직 돌출 패턴(SGv)의 폭보다 충분히 길게 형성함으로써, 외력에 의해 상부 기판(SU)이 사선 방향으로 시프트 되는 경우에도, 컬럼 스페이서(CS)는 수직 돌출 패턴(SGv)을 따라 그 상부에서 이동할 수 있어, 개구 영역에 구비된 하부 배향막(ALL)의 손상을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다. When the upper substrate (SU) is shifted in the vertical direction by an external force, the column spacer (CS) can move along the vertical protrusion pattern (SGv), preventing damage to the lower alignment film (ALL) provided in the opening area. there is. In addition, by forming the horizontal length of the column spacer (CS) to be sufficiently longer than the width of the vertical protruding pattern (SGv), even when the upper substrate (SU) is shifted in the diagonal direction due to an external force, the column spacer (CS) can move at the top along the vertical protrusion pattern (SGv), thereby more effectively preventing damage to the lower alignment layer (ALL) provided in the opening area.

도 14를 더 참조하면, 제1 보조 패턴(ME)은 수직 방향(또는, 상하 방향)으로 길게 연장될 수 있다. 이때, 제1 보조 패턴(ME)은 저 저항의 도전 물질로 형성될 수 있고, 공통 전압원으로부터 공통 전압을 공급받아, 공통 전극(COM)에 전달할 수 있다. 이에 따라, 공통 전압은 위치에 따른 편차 없이 각 화소에 균일하게 공급될 수 있다. Referring further to FIG. 14 , the first auxiliary pattern ME may extend long in the vertical direction (or vertical direction). At this time, the first auxiliary pattern ME may be formed of a low-resistance conductive material, and may receive a common voltage from a common voltage source and transmit it to the common electrode COM. Accordingly, the common voltage can be uniformly supplied to each pixel without deviation depending on location.

도 15를 더 참조하면, 제1 보조 패턴(ME)은 수직 방향으로 연장되되, 독립된 섬(Island) 패턴을 가질 수 있다. 즉, 제1 보조 패턴(ME)은, 외력이 제공될 경우의 컬럼 스페이서(CS) 움직임을 고려하여, 일정 영역에만 한정적으로 구비될 수 있다. 상기 일정 영역은 비 개구 영역(NA)의 적어도 일부와 개구 영역(AA)의 적어도 일부를 포함한다. Referring further to FIG. 15 , the first auxiliary pattern ME extends in the vertical direction and may have an independent island pattern. That is, the first auxiliary pattern ME may be provided limited to a certain area in consideration of the movement of the column spacer CS when an external force is applied. The certain area includes at least a part of the non-open area (NA) and at least a part of the open area (AA).

제1 보조 패턴(ME)은 데이터 배선(DL)이 형성된 모든 영역에 구비되는 것은 아니며, 컬럼 스페이서(CS)가 형성되는 영역에만 국부적으로 구비될 수 있다. 달리 표현하면, 수직 돌출 패턴(SGv)은 컬럼 스페이서(CS)가 형성되는 영역에만 구비될 수 있다. 따라서, 액정 표시장치 내에서 컬럼 스페이서(CS)의 분포 밀도와 제1 보조 패턴(ME)의 분포 밀도는 대응될 수 있다.The first auxiliary pattern ME is not provided in all areas where the data line DL is formed, and may be provided locally only in the area where the column spacer CS is formed. In other words, the vertical protrusion pattern SGv may be provided only in the area where the column spacer CS is formed. Accordingly, in the liquid crystal display, the distribution density of the column spacer (CS) and the distribution density of the first auxiliary pattern (ME) may correspond.

<제5 실시예><Embodiment 5>

이하, 도 16 및 도 17을 참조하여 본 발명의 제5 실시예에 의한 액정 표시장치를 설명한다. 제5 실시예를 설명함에 있어서, 제4 실시예와 실질적으로 동일한 부분에 대한 설명은 생략하기로 한다. 도 16 및 도 17은 본 발명의 제5 실시예에 의한 액정 표시장치의 구조를 나타낸 것으로, 수직 돌출 패턴과 컬럼 스페이서만을 개략적으로 나타낸 평면도이다. Hereinafter, a liquid crystal display device according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 16 and 17. In describing the fifth embodiment, descriptions of parts that are substantially the same as those of the fourth embodiment will be omitted. Figures 16 and 17 show the structure of a liquid crystal display device according to a fifth embodiment of the present invention, and are plan views schematically showing only the vertical protrusion pattern and column spacer.

본 발명의 제5 실시예에 의한 액정 표시장치는, 하부 기판(SL)의 비 개구 영역(NA)에서 수직 방향으로 연장된 수직 돌출 패턴(SGv), 및 상부 기판(SU)의 비 개구 영역(NA)에서 수직 돌출 패턴(SGv)과 중첩 배치된 컬럼 스페이서(CS)를 포함한다. The liquid crystal display device according to the fifth embodiment of the present invention includes a vertical protrusion pattern (SGv) extending in the vertical direction from the non-opening area (NA) of the lower substrate (SL), and a non-opening area ( NA) includes a column spacer (CS) disposed overlapping with a vertical protrusion pattern (SGv).

도 16을 참조하면, 컬럼 스페이서(CS)의 횡단면 형상은 타원형, 및 다각형 등을 포함하는 평면 도형일 수 있다. 이때, 컬럼 스페이서(CS)는 수평 방향으로의 기 설정된 길이(LE)를 갖는다. 예를 들어, 수평 방향으로의 기 설정된 길이(LE)는, 컬럼 스페이서(CS)의 횡단면 형상이 타원형인 경우 장축의 길이일 수 있고, 컬럼 스페이서(CS)의 횡단면 형상이 정방형인 경우 일 변의 길이일 수 있다. 이하, 컬럼 스페이서(CS)가 장방형인 경우를 예로 들어 설명한다. Referring to FIG. 16, the cross-sectional shape of the column spacer CS may be a planar shape including an oval or a polygon. At this time, the column spacer CS has a preset length LE in the horizontal direction. For example, the preset length (LE) in the horizontal direction may be the length of the long axis when the cross-sectional shape of the column spacer (CS) is oval, and the length of one side when the cross-sectional shape of the column spacer (CS) is square. It can be. Hereinafter, the case where the column spacer CS is rectangular will be described as an example.

컬럼 스페이서(CS)의 수평 방향으로의 길이(LE)는, 수평 방향으로 이웃하는 수직 돌출 패턴(SGv) 사이의 간격(GAP)보다 길 수 있다. 즉, 컬럼 스페이서(CS)의 양단은 각각 수평 방향으로 이웃하는 수직 돌출 패턴(SGv)들 상부에 위치할 수 있다. 이는, 컬럼 스페이서(CS)가 이웃하는 수직 돌출 패턴(SGv)들 상부에서 시프트되도록 유도할 수 있음을 의미한다. The horizontal length (LE) of the column spacer (CS) may be longer than the gap (GAP) between vertical protruding patterns (SGv) that are adjacent in the horizontal direction. That is, both ends of the column spacer CS may be positioned above the vertical protrusion patterns SGv that are adjacent to each other in the horizontal direction. This means that the column spacer CS can be induced to shift on top of the neighboring vertical protrusion patterns SGv.

본 발명의 제5 실시예에서는, 외력이 제공된 경우, 컬럼 스페이서(CS)가 수평 방향으로 이웃하는 수직 돌출 패턴(SGv)들 상부에 맞닿아 이동한다. 따라서, 본 발명의 제5 실시예는, 컬럼 스페이서(CS)가 개구 영역(AA)에 구비된 하부 배향막(ALL)에 접촉하여 데미지를 발생시키는 것을 최소화할 수 있다.In the fifth embodiment of the present invention, when an external force is provided, the column spacer CS moves in contact with the top of the vertical protruding patterns SGv adjacent to the horizontal direction. Accordingly, the fifth embodiment of the present invention can minimize damage caused by the column spacer CS contacting the lower alignment layer ALL provided in the opening area AA.

또한, 이 경우, 컬럼 스페이서(CS)가 이동할 수 있는 수직 돌출 패턴(SGv)의 폭(W)을 넓게 확보할 필요가 없다. 다시 말해, 어느 하나의 수직 돌출 패턴(SGv)과 이를 따라 이동하는 컬럼 스페이서(CS)의 충분한 접촉 면적을 확보할 필요가 없기 때문에, 비 개구 영역(NA)인 수직 돌출 패턴(SGv)의 폭(W)을 상대적으로 줄일 수 있다. 따라서, 본 발명의 제5 실시예는 충분한 개구율을 확보하면서도, 배향막의 손상에 의한 빛 샘을 차단할 수 있는 액정 표시장치를 제공할 수 있다. Additionally, in this case, there is no need to secure a wide width (W) of the vertical protrusion pattern (SGv) over which the column spacer (CS) can move. In other words, since there is no need to secure a sufficient contact area between any one vertical protrusion pattern (SGv) and the column spacer (CS) moving along it, the width ( W) can be relatively reduced. Accordingly, the fifth embodiment of the present invention can provide a liquid crystal display device that can block light leakage due to damage to the alignment film while securing a sufficient aperture ratio.

도 17을 더 참조하면, 수평 방향으로 이웃하는 수직 돌출 패턴(SGv)들 사이의 간격(GAP)이 넓은 경우, 수직 돌출 패턴(SGv)들 상부에 위치하는 컬럼 스페이서(CS)는 제공된 외력에 의해 처짐이 발생할 수 있다. 이 경우, 컬럼 스페이서(CS)와 개구 영역(AA)의 하부 배향막(ALL)이 접촉될 수 있고, 하부 배향막(ALL)에 손상이 발생할 수 있다. Referring further to FIG. 17, when the gap (GAP) between vertical protruding patterns (SGv) neighboring in the horizontal direction is wide, the column spacer (CS) located on top of the vertical protruding patterns (SGv) is moved by the provided external force. Sagging may occur. In this case, the column spacer CS and the lower alignment layer ALL of the opening area AA may come into contact, and damage may occur in the lower alignment layer ALL.

이를 방지하기 위해, 수평 방향으로 이웃하는 수직 돌출 패턴(SGv)들 사이에는 적어도 하나의 제2 보조 패턴(AME)이 더 형성될 수 있다. 제2 보조 패턴(AME)은, 컬럼 스페이서(CS)가 개구 영역(AA)으로 시프트된 경우에 컬럼 스페이서(CS)의 하부에 위치하여 이를 지지할 수 있다. 제2 보조 패턴(AME)은 고립된 섬 패턴을 가질 수 있다. 제2 보조 패턴(AME)은 이웃하는 제1 보조 패턴(ME)과 소정 간격 이격 배치된다. 제2 보조 패턴(AME)들 중 어느 하나와 다른 하나는 소정 간격 이격 배치된다.To prevent this, at least one second auxiliary pattern AME may be further formed between vertical protruding patterns SGv that are adjacent in the horizontal direction. The second auxiliary pattern AME may be located below the column spacer CS and support it when the column spacer CS is shifted to the opening area AA. The second auxiliary pattern (AME) may have an isolated island pattern. The second auxiliary pattern (AME) is disposed at a predetermined distance from the neighboring first auxiliary pattern (ME). One of the second auxiliary patterns AME is spaced apart from the other by a predetermined distance.

제2 보조 패턴(AME)은 화소 영역의 일부 영역에만 국부적으로 배치될 수 있다. 상기 일부 영역은 개구 영역(AA)의 일부와, 이로 부터 연장된 비 개구 영역(NA)의 일부일 수 있다. 또는, 상기 일부 영역은 개구 영역(AA)의 일부 일 수 있다.The second auxiliary pattern AME may be placed locally only in a portion of the pixel area. The partial area may be a part of the open area (AA) and a part of the non-open area (NA) extending therefrom. Alternatively, the partial area may be part of the opening area AA.

제2 보조 패턴(AME)은 제1 보조 패턴(ME)과 동일 공정 중에 동일 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 다만, 제1 보조 패턴(ME)과 제2 보조 패턴(AME)은, 서로 다른 전극(또는, 배선)에 각각 접속되어 서로 다른 신호가 인가될 수 있다. The second auxiliary pattern (AME) is preferably formed of the same material as the first auxiliary pattern (ME) during the same process. However, the first auxiliary pattern (ME) and the second auxiliary pattern (AME) may be respectively connected to different electrodes (or wires) so that different signals may be applied.

제2 보조 패턴(AME)의 형상, 크기 및 개수 등은 개구율을 고려하여 적절히 선택될 수 있다. 본 발명의 제5 실시예는 제2 보조 패턴(AME)을 더 구비함으로써, 컬럼 스페이서(CS)의 처짐에 의한 배향막 손상을 최소화할 수 있다. The shape, size, and number of the second auxiliary patterns AME may be appropriately selected in consideration of the aperture ratio. The fifth embodiment of the present invention further includes a second auxiliary pattern (AME), thereby minimizing damage to the alignment film due to sagging of the column spacer (CS).

본 발명의 기술적 사상이 전술한 액정 표시장치의 구조에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 기술적 사상은 셀 갭을 유지하기 위한 컬럼 스페이서를 갖는 액정 표시장치라면 그 구동 방식에 관계 없이 모두 적용될 수 있다. 이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.The technical idea of the present invention is not limited to the structure of the liquid crystal display device described above. In other words, the technical idea of the present invention can be applied to any liquid crystal display device that has a column spacer to maintain a cell gap, regardless of its driving method. Through the above-described content, those skilled in the art will be able to see that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Accordingly, the present invention should not be limited to what is described in the detailed description, but should be defined by the scope of the patent claims.

SU : 상부 기판 SL : 하부 기판
CS : 컬럼 스페이서 LC : 액정층
SGh : 수평 돌출 패턴 SGv : 수직 돌출 패턴
SU: Upper substrate SL: Lower substrate
CS: Column spacer LC: Liquid crystal layer
SGh: Horizontal extrusion pattern SGv: Vertical extrusion pattern

Claims (15)

개구 영역 및 비 개구 영역이 정의된 상부 기판 및 하부 기판;
상기 상부 기판과 상기 하부 기판 사이에 개재된 액정층;
상기 비 개구 영역 내에서, 상기 상부 및 하부 기판 중 어느 하나에 구비된 컬럼 스페이서; 및
상기 비 개구 영역 내에서, 상기 컬럼 스페이서가 구비된 기판과 대향하는 다른 기판 상에 구비된 돌출 패턴을 포함하고,
상기 돌출 패턴은,
수직 방향으로 구비된 제1 보조 패턴을 포함하고,
상기 컬럼 스페이서는,
상기 상부 기판상에서, 상기 제1 보조 패턴과 중첩 배치되고,
상기 하부 기판은,
상기 비 개구 영역에서, 수평 방향으로 나란하게 구비된 게이트 배선들, 및 수직 방향으로 나란하게 구비된 데이터 배선들을 포함하고,
상기 하부 기판은,
상기 개구 영역 및 상기 비 개구 영역을 포함하는 화소 영역에 구비된 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극; 및
상기 화소 전극과 전계를 형성하는 공통 전극을 포함하고,
상기 컬럼 스페이서와 중첩하는 상기 제1 보조 패턴은,
상기 공통 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 컬럼 스페이서가 형성되는 영역에만 국부적으로 형성되는 액정 표시장치.
an upper substrate and a lower substrate with defined open and non-open areas;
a liquid crystal layer interposed between the upper substrate and the lower substrate;
a column spacer provided on any one of the upper and lower substrates within the non-opening area; and
In the non-opening area, a protruding pattern provided on another substrate facing the substrate provided with the column spacer,
The protruding pattern is,
It includes a first auxiliary pattern provided in a vertical direction,
The column spacer is,
On the upper substrate, it is arranged to overlap the first auxiliary pattern,
The lower substrate is,
In the non-opening area, gate wires are provided in parallel in the horizontal direction, and data wires are provided in parallel in the vertical direction,
The lower substrate is,
a thin film transistor provided in a pixel area including the opening area and the non-opening area;
a pixel electrode connected to the thin film transistor; and
It includes a common electrode that forms an electric field with the pixel electrode,
The first auxiliary pattern overlapping the column spacer is,
A liquid crystal display device electrically connected to the common electrode and formed locally only in an area where the column spacer is formed.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 공통 전압을 발생시키는 공통 전압원을 더 포함하고,
상기 제1 보조 패턴은,
상기 공통 전압원으로부터 상기 공통 전압을 공급받아 상기 공통 전극에 전달하는 액정 표시장치.
According to claim 1,
Further comprising a common voltage source that generates the common voltage,
The first auxiliary pattern is,
A liquid crystal display device that receives the common voltage from the common voltage source and transmits it to the common electrode.
제 1 항에 있어서,
수평 방향으로 이웃하는 상기 제1 보조 패턴 사이에 구비된 적어도 하나의 제2 보조 패턴을 더 포함하고,
상기 제2 보조 패턴은,
상기 개구 영역의 적어도 일부에 중첩된 액정 표시장치.
According to claim 1,
It further includes at least one second auxiliary pattern provided between the first auxiliary patterns that are adjacent in the horizontal direction,
The second auxiliary pattern is,
A liquid crystal display device overlapping at least a portion of the opening area.
삭제delete 삭제delete 삭제delete
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