KR102610201B1 - 전자 장치의 케이스 및 그 제조 방법 - Google Patents

전자 장치의 케이스 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 케이스는, 적어도 하나의 단차 영역을 포함하는 금속 모재; 상기 금속 모재의 제1 표면에 형성되는 제1 산화층; 및 상기 금속 모재의 제2 표면에 형성되는 제2 산화층을 포함하고, 상기 제1 산화층은 비정질로 이루어지고, 상기 제2 산화층은 결정질로 이루어지고, 상기 적어도 하나의 단차 영역은, 상기 제1 산화층과 상기 제2 산화층으로 적층되어, 전파를 투과하는 전파 투과 영역일 수 있다. 이외에 다양한 실시 예들이 가능할 수 있다.

Description

전자 장치의 케이스 및 그 제조 방법 {CASE OF ELECTRONIC DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF}
본 발명의 다양한 실시 예는 전자 장치의 케이스 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 예를 들면, 무선 통신 또는 무선 충전을 위한 전파가 투과되는 전자 장치의 케이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
전자 장치라 함은, 가전제품으로부터, 전자 수첩, 휴대용 멀티미디어 재생기, 이동통신 단말기, 태블릿 PC, 영상/음향 장치, 데스크톱/랩톱 컴퓨터, 차량용 내비게이션 등, 탑재된 프로그램에 따라 특정 기능을 수행하는 장치를 의미할 수 있다. 예를 들면, 이러한 전자 장치들은 저장된 정보를 음향이나 영상으로 출력할 수 있다. 전자 장치의 집적도가 높아지고, 초고속, 대용량 무선통신이 보편화되면서, 최근에는, 이동통신 단말기와 같은 하나의 전자 장치에 다양한 기능이 탑재될 수 있다. 예를 들면, 통신 기능뿐만 아니라, 게임과 같은 엔터테인먼트 기능, 음악/동영상 재생과 같은 멀티미디어 기능, 모바일 뱅킹 등을 위한 통신 및 보안 기능, 일정 관리나 전자 지갑 등의 기능이 하나의 전자 장치에 집약되고 있는 것이다.
전자 장치는 외관을 형성하면서 전자 장치의 내부를 보호하는 케이스를 포함할 수 있다. 전자 장치의 케이스는 디자인의 고급화 및 강도의 향상을 위해 금속으로 이루어질 수 있다.
금속 재질의 케이스는 전파를 반사/차단하는 특성을 가지므로, 케이스의 일부분이 수지로 형성하여, 케이스의 일부분을 통해 전자 장치의 무선통신 기능 또는 무선 충전 기능을 수행할 수 있다. 케이스의 일부분이 수지로 이루어지는 경우, 케이스의 디자인에 문제가 발생할 수 있다.
금속 재질의 케이스의 광택 및 질감을 구현하기 위해, 케이스를 산화법을 통해 비금속화하여 금속 재질의 케이스의 전파 투과를 가능하게 하는 시도가 진행되고 있다. 케이스에 산화법 중 하나인 양극 산화법을 적용한 경우, 산화층이 형성되면서 크랙이 발생하며, 전기 저항이 높아지기 때문에 산화층의 생성 속도가 느려지면서 일정한 두께 이상의 산화층을 성장시키기 어려울 수 있다. 케이스에 산화법 중 다른 하나인 플라즈마 전해 산화법(Plasma Electrolytic Oxidation)을 적용한 경우, 표면 조도(Surface Roughness)가 크고, 도장 등의 장식 가공이 곤란할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 케이스는, 적어도 하나의 단차 영역을 포함하는 금속 모재; 상기 금속 모재의 제1 표면에 형성되는 제1 산화층; 및 상기 금속 모재의 제2 표면에 형성되는 제2 산화층을 포함하고, 상기 제1 산화층은 비정질로 이루어지고, 상기 제2 산화층은 결정질로 이루어지고, 상기 적어도 하나의 단차 영역은, 상기 제1 산화층과 상기 제2 산화층으로 적층되어, 전파를 투과하는 전파 투과 영역을 포함일 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법은, 금속 모재의 일부분을 기계 가공 또는 레이저 또는 에칭 등에 의해 식각 또는 제거하여 적어도 하나의 단차 영역을 포함하는 금속 모재를 형성하는 동작; 상기 금속 모재의 제1 표면을 마스킹하는 동작; 상기 금속 모재의 제2 표면을 제2 산화법에 의해 산화시켜 제2 산화층을 형성하는 동작; 상기 금속 모재의 제1 표면을 제1 산화법에 의해 산화시켜 제1 산화층을 형성하는 동작; 및 상기 단차 영역 중 적어도 하나에 상기 제1 산화층과 상기 제2 산화층으로 적층하여 전파 투과 영역을 형성하는 동작을 포함할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 케이스는, 적어도 하나의 단차 영역을 포함하는 금속 모재; 상기 금속 모재의 제1 표면에 형성되는 제1 산화층; 상기 금속 모재의 제2 표면에 형성되는 제2 산화층; 및 상기 제2 산화층의 표면에 형성되는 레진층을 포함하고, 상기 적어도 하나의 단차 영역은, 상기 제1, 제2 산화층과 상기 레진층으로 적층되어, 전파를 투과하는 전파 투과 영역을 포함할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법은, 금속 모재의 일부분을 기계 가공 또는 레이저 또는 에칭 등에 의해 식각 또는 제거하여 적어도 하나의 단차 영역을 포함하는 금속 모재를 형성하는 동작; 상기 금속 모재의 제1 표면을 마스킹하는 동작; 상기 금속 모재의 제2 표면을 제2 산화법에 의해 산화시켜 제2 산화층을 형성하는 동작; 상기 제2 산화층의 표면에 레진층을 형성하는 동작; 상기 금속 모재의 제1 표면을 제1 산화법에 의해 산화시켜 제1 산화층을 형성하는 동작; 및 상기 단차 영역 중 적어도 하나에 상기 제1, 제2 산화층과 상기 레진층으로 적층하여 전파 투과 영역을 형성하는 동작을 포함할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 케이스는, 적어도 하나의 단차 영역을 포함하는 금속 모재; 상기 금속 모재의 제1 표면에 형성되는 제1 산화층; 상기 금속 모재의 제2 표면에 형성되는 제2 산화층; 및 상기 제1 산화층의 표면에 형성되는 금속 코팅층을 포함하고, 상기 적어도 하나의 단차 영역은, 상기 금속 코팅층 및 상기 제1, 제2 산화층으로 적층되어, 전파를 투과하는 전파 투과 영역을 포함할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법은, 금속 모재의 일부분을 기계 가공 또는 레이저 또는 에칭 등에 의해 식각 또는 제거하여 적어도 하나의 단차 영역을 포함하는 금속 모재를 형성하는 동작; 상기 금속 모재의 제1 표면을 마스킹하는 동작; 상기 금속 모재의 제2 표면을 제2 산화법에 의해 산화시켜 제2 산화층을 형성하는 동작; 상기 금속 모재의 제1 표면을 제1 산화법에 의해 산화시켜 제1 산화층을 형성하는 동작; 상기 제1 산화층의 표면에 금속 코팅층을 형성하는 동작; 및 상기 단차 영역 중 적어도 하나에 상기 금속 코팅층 및 상기 제1, 제2 산화층으로 적층하여 전파 투과 영역을 형성하는 동작을 포함할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 케이스는, 적어도 하나의 단차 영역을 포함하는 금속 모재; 상기 금속 모재의 제1 표면에 형성되는 제1 산화층; 상기 금속 모재의 제2 표면에 형성되는 제2 산화층; 상기 제2 산화층의 표면에 형성되는 레진층; 및 상기 제1 산화층의 표면에 형성되는 금속 코팅층을 포함하고, 상기 적어도 하나의 단차 영역은, 상기 금속 코팅층, 상기 제1, 제2 산화층 및 상기 레진층으로 적층되어, 전파를 투과하는 전파 투과 영역을 포함할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법은, 금속 모재의 일부분을 기계 가공 또는 레이저 또는 에칭 등에 의해 식각 또는 제거하여 적어도 하나의 단차 영역을 포함하는 금속 모재를 형성하는 동작; 상기 금속 모재의 제1 표면을 마스킹하는 동작; 상기 금속 모재의 제2 표면을 제2 산화법에 의해 산화시켜 제2 산화층을 형성하는 동작; 상기 제2 산화층의 표면에 레진층을 형성하는 동작; 상기 금속 모재의 제1 표면을 제1 산화법에 의해 산화시켜 제1 산화층을 형성하는 동작; 상기 제1 산화층의 표면에 금속 코팅층을 형성하는 동작; 및 상기 단차 영역 중 적어도 하나에 상기 금속 코팅층, 상기 제1, 제2 산화층 및 상기 레진층으로 적층하여 전파 투과 영역을 형성하는 동작을 포함할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 케이스의 외측면은 제1 산화층으로 형성됨에 따라, 전체적으로 금속 광택 및 질감을 구현할 수 있고, 제1 층의 전파 투과 영역에 제1, 제2 산화층이 존재하게 됨에 따라, 전파를 투과할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법은, 제1 산화법에 의해 제1 산화층을 형성함에 따라, 케이스의 외측면을 형성하는 제1 산화층에 도장 등의 장식 가공이 용이하면서도, 제2 산화법에 의해 제2 산화층을 형성함에 따라, 제2 산화층에 크랙이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 다양한 실시 예 중 하나에 따른 전자 장치의 케이스를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A'부분을 절단된 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다양한 실시 예 중 하나에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 다양한 실시 예 중 하나에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법에 적용되는 제1, 제2 산화법을 나타내는 도면이다
도 5는 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 케이스의 금속 모재의 제1 표면을 마스킹하는 지그를 사시도이다.
도 6은 본 발명의 다양한 실시 예 중 또 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 다양한 실시 예 중 또 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 다양한 실시 예 중 또 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 9는 본 발명의 다양한 실시 예 중 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 다양한 실시 예 중 또 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 다양한 실시 예 중 또 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 12는 본 발명의 다양한 실시 예 중 또 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스를 나타내는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 다양한 실시 예 중 또 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 14는 본 발명의 다양한 실시 예 중 또 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 15는 본 발명의 다양한 실시 예 중 또 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 16은 본 발명의 다양한 실시 예 중 또 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 17은 본 발명의 다양한 실시 예 중 또 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 18은 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
이하, 본 발명의 다양한 실시 예들이 첨부된 도면을 참조하여 기재된다. 실시 예 및 이에 사용된 용어들은 본 발명에 기재된 기술을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시 예의 다양한 변경, 균등물, 및/또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다. 본 발명에서, "A 또는 B" 또는 "A 및/또는 B 중 적어도 하나" 등의 표현은 함께 나열된 항목들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1," "제 2," "첫째," 또는 "둘째,"등의 표현들은 해당 구성요소들을, 순서 또는 중요도에 상관없이 수식할 수 있고, 한 구성요소를 다른 구성요소와 구분하기 위해 사용될 뿐 해당 구성요소들을 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에 "(기능적으로 또는 통신적으로) 연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나, 다른 구성요소(예: 제 3 구성요소)를 통하여 연결될 수 있다.
본 발명에서, "~하도록 구성된(또는 설정된)(configured to)"은 상황에 따라, 예를 들면, 하드웨어적 또는 소프트웨어적으로 "~에 적합한," "~하는 능력을 가지는," "~하도록 변경된," "~하도록 만들어진," "~를 할 수 있는," 또는 "~하도록 설계된"과 상호 호환적으로(interchangeably) 사용될 수 있다. 어떤 상황에서는, "~하도록 구성된 장치"라는 표현은, 그 장치가 다른 장치 또는 부품들과 함께 "~할 수 있는" 것을 의미할 수 있다. 예를 들면, 문구 "A, B, 및 C를 수행하도록 구성된(또는 설정된) 프로세서"는 해당 동작을 수행하기 위한 전용 프로세서(예: 임베디드 프로세서), 또는 메모리 장치에 저장된 하나 이상의 소프트웨어 프로그램들을 실행함으로써, 해당 동작들을 수행할 수 있는 범용 프로세서(예: CPU 또는 application processor)를 의미할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는, 예를 들면, 스마트폰, 태블릿 PC, 이동 전화기, 영상 전화기, 전자책 리더기, 데스크탑 PC, 랩탑 PC, 넷북 컴퓨터, 워크스테이션, 서버, PDA, PMP(portable multimedia player), MP3 플레이어, 의료기기, 카메라, 또는 웨어러블 장치 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 웨어러블 장치는 액세서리형(예: 시계, 반지, 팔찌, 발찌, 목걸이, 안경, 콘택트 렌즈, 또는 머리 착용형 장치(head-mounted-device(HMD)), 직물 또는 의류 일체형(예: 전자 의복), 신체 부착형(예: 스킨 패드 또는 문신), 또는 생체 이식형 회로 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 어떤 실시 예들에서, 전자 장치는, 예를 들면, 텔레비전, DVD(digital video disk) 플레이어, 오디오, 냉장고, 에어컨, 청소기, 오븐, 전자레인지, 세탁기, 공기 청정기, 셋톱 박스, 홈 오토매이션 컨트롤 패널, 보안 컨트롤 패널, 미디어 박스(예: 삼성 HomeSyncTM, 애플TVTM, 또는 구글 TVTM), 게임 콘솔(예: XboxTM, PlayStationTM), 전자 사전, 전자 키, 캠코더, 또는 전자 액자 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
다른 실시 예에서, 전자 장치는, 각종 의료기기(예: 각종 휴대용 의료측정기기(혈당 측정기, 심박 측정기, 혈압 측정기, 또는 체온 측정기 등), MRA(magnetic resonance angiography), MRI(magnetic resonance imaging), CT(computed tomography), 촬영기, 또는 초음파기 등), 네비게이션 장치, 위성 항법 시스템(GNSS(global navigation satellite system)), EDR(event data recorder), FDR(flight data recorder), 자동차 인포테인먼트 장치, 선박용 전자 장비(예: 선박용 항법 장치, 자이로 콤파스 등), 항공 전자기기(avionics), 보안 기기, 차량용 헤드 유닛(head unit), 산업용 또는 가정용 로봇, 드론(drone), 금융 기관의 ATM, 상점의 POS(point of sales), 또는 사물 인터넷 장치 (예: 전구, 각종 센서, 스프링클러 장치, 화재 경보기, 온도조절기, 가로등, 토스터, 운동기구, 온수탱크, 히터, 보일러 등) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에 따르면, 전자 장치는 가구, 건물/구조물 또는 자동차의 일부, 전자 보드(electronic board), 전자 사인 수신 장치(electronic signature receiving device), 프로젝터, 또는 각종 계측 기기(예: 수도, 전기, 가스, 또는 전파 계측 기기 등) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에서, 전자 장치는 플렉서블하거나, 또는 전술한 다양한 장치들 중 둘 이상의 조합일 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다. 본 발명에서, 사용자라는 용어는 전자 장치를 사용하는 사람 또는 전자 장치를 사용하는 장치(예: 인공지능 전자 장치)를 지칭할 수 있다.
도 1은 본 발명의 다양한 실시 예 중 하나에 따른 전자 장치의 케이스를 나타내는 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 다양한 실시 예 중 하나에 따른 전자 장치(100)는 케이스(101), 무선 통신 모듈(미도시) 및 무선 충전 모듈(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 케이스(101)는 상기 전자 장치(100)의 외형을 형성하면서 상기 전자 장치(100)의 내부를 보호할 수 있다. 상기 무선 통신 모듈은 상기 케이스(101)의 내부에 구비되어 무선 통신 기능을 수행할 수 있다. 상기 무선 충전 모듈은 상기 케이스(101)의 내부에 구비되어 외부 충전기의 무선 전파에 의해 전류를 발생시킬 수 있다.
도 2는 도 1의 A-A'부분을 절단된 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 다양한 실시 예 중 하나에 따른 전자 장치의 케이스(101)는 금속 모재(103), 제1 산화층(104) 및 제2 산화층(105)를 포함할 수 있다.
상기 금속 모재(103)는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어질 수 있다. 본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 상기 금속 모재(103)는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지는 것에 한정되지 않고, 마그네슘 또는 마그네슘 합금 등 다양한 금속 또는 다양한 합금일 수 있다. 상기 금속 모재(103)는 적어도 하나의 단차 영역을 포함할 수 있다. 상기 적어도 단차 영역 중 하나(T)는, 전파를 투과하는 전파 투과 영역(T)일 수 있다. 상기 전파 투과 영역(T)은 상기 금속 모재(103)에 형성된 단차홈(131)을 포함할 수 있다.
상기 제1 산화층(104)은 상기 금속 모재(103)의 제1 표면에 형성될 수 있다. 상기 제1 산화층(104)은 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 상기 금속 모재(103)의 제1 표면이 산화되는 경우, 산화알루미늄일 수 있다. 상기 제1 산화층(104)은 비정질로 이루어질 수 있다. 본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 산화층(104)은 케이스(101)의 외측면을 형성하면서 장식 가공될 수 있다.
상기 제2 산화층(105)은 상기 금속 모재(103)의 제2 표면에 형성될 수 있다. 상기 제2 산화층(105)은 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 상기 금속 모재(103)의 제2 표면이 산화되는 경우, 산화알루미늄일 수 있다. 상기 제2 산화층(105)은 결정질로 이루어질 수 있다. 상기 제2 산화층(105)의 표면은 상기 제1 산화층(104)의 표면보다 거칠 수 있다.
상기 제2 산화층(105)은 상기 전파 투과 영역(T)에서 상기 제1 산화층(104)과 결합될 수 있다. 상기 전파 투과 영역(T)은 상기 제1, 제2 산화층(104, 105)으로 적층되어, 무선 통신 또는 무선 충전을 위한 전파를 투과할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 상기 전자 장치는 전파를 방사하는 방사체를 포함할 수 있다. 상기 방사체는 상기 전파 투과 영역에 인접하게 배치될 수 있다. 본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 상기 전파 투과 영역(T)이 일면에 인접한 상기 금속 모재(103)는 전파를 방사하는 방사체로 사용될 수 있다.
도 3은 본 발명의 다양한 실시 예 중 하나에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 3을 참조하여, 본 발명의 다양한 실시 예 중 하나에 따른 전자 장치의 케이스(100)의 제조 방법을 살펴보기로 한다.
금속 모재(103)의 제2 표면(133)의 일부분은 기계적 가공 또는 화학적 가공에 의해 식각 또는 제거되어, 상기 금속 모재(103)에는 단차홈(131)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 금속 모재(103)는 적어도 하나의 단차 영역을 포함할 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제1 표면은 마스킹될 수 있다. 예를 들면, 상기 금속 모재(103)의 제1 표면에는 테이프가 부착되거나 마스크(107)가 도장 될 수 있다.상기 금속 모재(103)의 제2 표면(133)은 제2 산화법에 의해 산화되어, 제2 산화층(105)으로 형성될 수 있다. 상기 제2 산화법은 플라즈마 전해 산화법(PEO; Plasma Electrolytic Oxidation)일 수 있다. 상기 제2 산화법이 플라즈마 전화 산화법인 경우, 상기 제2 산화층(105)의 두께는 50μm 이상일 수 있다. 상기 마스크(107)는 상기 금속 모재(103)의 제1 표면에서 제거될 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제1 표면(135)은 제1 산화법에 의해 산화되어, 제1 산화층(104)으로 형성될 수 있다. 상기 제1 산화법은 양극 산화법(Anodizing)일 수 있다. 상기 제1 산화법이 양극 산화법인 경우, 상기 제1 산화층(104)의 두께는 대략 150μm 이하일 수 있다. 상기 플라즈마 전화 산화법은 상기 양극 산화법에 비해 크랙(Crack) 발생 빈도를 줄일 수 있다.
상기 제1 산화층(104)은, 상기 전파 투과 영역(T)에서 상기 제2 산화층(105)과 접할 수 있다. 예를 들면, 상기 전파 투과 영역(T)에서는, 상기 제1 산화층(104)의 두께가 50 μm이면서 상기 제2 산화층(105)의 두께가 100 μm로, 상기 전파 투과 영역(T)의 총 두께가 150 μm일 수 있다. 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 케이스(100)는 상기 제1 산화층(104)과 상기 제2 산화층(105)을 형성하는 제1, 제2 산화법을 달리하면서 두께를 적절히 조절함에 따라, 상기 케이스의 표면의 금속 질감을 유지하면서도 상기 제1, 제2 산화층(104, 105)에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다양한 실시 예 중 하나에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법에 적용되는 제1, 제2 산화법을 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 케이스(101)의 금속 모재는, 적어도 하나의 단차 영역을 포함할 수 있다. 상기 케이스(101)의 금속 모재는 제1 전극(11)과 결합될 수 있다. 상기 제1 전극(11)은 산화 영역, 예를 들면, 상기 금속 모재의 제1, 제2 표면을 벗어난 상기 금속 모재에 결합되어, 제1 산화층의 또는 제2 산화층의 성장시, 전기 저항이 증가되는 것을 방지하면서 제1 산화층의 또는 제2 산화층의 성장속도가 감소되는 방지할 수 있다. 본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 상기 케이스(101)의 금속 모재는 제1 전극(11)과 일체로 제작될 수 있다.
상기 케이스(101)의 금속 모재는 음극(Cathode)와 도선(15)을 통해 연결된 후, 반응기(13)에 수용될 수 있다. 제1, 제2 산화법이 양극 산화법인 경우, 상기 반응기(13)는 황산, 옥살산 등 산성 용액을 포함할 수 있다. 본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1, 제2 산화법이 플라즈마 전해 산화법(PEO)인 경우, 상기 반응기(13)는 수산화나트륨(NaOH), 인산플루오르화나트륨(Na3PO4) 등 알카리성 용액을 포함할 수 있다.
상기 케이스(101)의 금속 모재의 제1 표면 또는 제2 표면은 반응기(13)에서 양극 산화법 또는 플라즈마 전해 산화법(PEO)을 적용하여 제1 산화층 또는 제2 산화층으로 형성될 수 있다.
상기 케이스(101)의 금속 모재의 제1 표면 또는 제2 표면이 상기 제1 산화층 또는 상기 제2 산화층으로 형성된 후, 상기 전극(11)을 상기 케이스의 금속 모재와 분리될 수 있다.
도 5는 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 케이스의 금속 모재의 제1 표면을 마스킹하는 지그를 사시도이다.
도 5를 참조하면, 금속 모재(103)의 제1 표면(135)은 지그(20)에 의해 밀봉될 수 있다. 상기 금속 모재(103)의 제1 표면(135)는 상기 지그(20)에 의해 밀봉 상태에서, 도 4에 도시된 반응기(13) 내에 수용될 수 있다. 상기 지그(20)는 금속 모재(103)를 양극 산화법(Anodizing) 또는 플라즈마 전해 산화법(PEO)에 의해 산화시킬 때, 금속 모재(103)의 제1 표면(135)을 마스킹하는 수단으로 활용될 수 있다.
도 6은 본 발명의 다양한 실시 예 중 또 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 6을 참조하여, 본 발명의 다양한 실시 예 중 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스(101b)의 제조 방법을 살펴보기로 한다.
금속 모재(103)의 제2 표면(133)의 일부분은 기계적 가공 또는 화학적 가공에 의해 식각 또는 제거되어, 상기 금속 모재(103)에는 단차홈(131)을 형성할 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제1 표면은 마스킹될 수 있다. 예를 들면, 상기 금속 모재(103)의 제1 표면에는 테이프가 부착되거나 마스크(107)가 도장될 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제2 표면(133)은 제2 산화법에 의해 산화되어, 제2 산화층(105)으로 형성될 수 있다. 상기 제2 산화법은 플라즈마 전해 산화법(PEO; Plasma Electrolytic Oxidation)일 수 있다.
상기 마스크(107)는 상기 금속 모재(103)의 제1 표면(135)에서 제거될 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제1 표면(135)은 기계적 연마 또는 화학적 연마에 의해 식각 또는 제거될 수 있다. 예를 들면, 상기 금속 모재(103)는 상기 금속 모재의 제1 표면(135)으로부터 상기 제2 산화층(103)의 내측면 사이의 제1 두께(d1)를 가질 수 있다. 상기 금속 모재(103)는 기계적 연마 또는 화학적 연마에 의해 상기 금속 모재의 제1 표면(135a)으로 상기 제2 산화층(103)의 내측면 사이의 제2 두께(d2)를 가지게 되어, 상기 제1 두께(d1)와 상기 제2 두께(d2)의 차이에 해당되는 부분이 제거될 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제1 표면(135)은 제1 산화법에 의해 산화되어, 제1 산화층(104)으로 형성될 수 있다. 상기 제1 산화법은 양극 산화법(Anodizing)일 수 있다. 상기 제1 산화법이 양극 산화법인 경우, 상기 제1 산화층(104)의 두께는 대략 150μm 이하일 수 있다. 본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 산화법은 양극 산화법에 한정되지 않고, 상기 제1 산화층(104)의 표면에 장식 가공이 용이하도록 처리되는 플라즈마 전해 산화법(PEO)일 수 있다. 상기 플라즈마 전화 산화법은 상기 양극 산화법에 비해 크랙(Crack) 발생 빈도를 줄일 수 있다.
상기 제1 산화층(104)은, 상기 전파 투과 영역(T)에서 상기 제2 산화층(105)과 접할 수 있다.
도 7은 본 발명의 다양한 실시 예 중 또 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 7을 참조하여, 본 발명의 다양한 실시 예 중 하나에 따른 전자 장치의 케이스(100i)의 제조 방법을 살펴보기로 한다.
금속 모재(103)의 제2 표면의 일부분은 기계적 가공 또는 화학적 가공에 의해 식각 또는 제거됨에 따라, 상기 금속 모재(103a)는 복수의 단차홈(131a, 131b 131c)들을 형성할 수 있다. 상기 금속 모재(103)의 제2 표면은 복수의 단차 영역들을 포함하고, 복수의 단차 영역들 중에 단차홈(131a, 131b, 131c)이 형성된 영역은 전파가 투과되는 전파 투과 영역일 수 있다.
상기 금속 모재(103a)의 제1 표면은 마스킹될 수 있다. 예를 들면, 상기 금속 모재(103a)의 제1 표면에는 테이프 또는 도장된 마스크가 부착될 수 있다.
상기 금속 모재(103a)의 제2 표면은 제2 산화법에 의해 산화되어, 제2 산화층(105a)으로 형성될 수 있다. 상기 제2 산화법은 양극 산화법(Anodizing) 또는 플라즈마 전해 산화법(PEO; Plasma Electrolytic Oxidation) 중 하나일 수 있다. 상기 제2 산화법이 플라즈마 전화 산화법인 경우, 상기 제2 산화층(105a)의 두께는 50μm 이상일 수 있다. 상기 플라즈마 전화 산화법은 상기 제2 산화층(105a)에 크랙(crack)이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제2 산화법이 양극 산화법인 경우, 상기 제2 산화층(105a)은 대략 50μm의 두께로 제작되어, 크랙이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
상기 마스크는 상기 금속 모재(103a)의 제1 표면에서 제거될 수 있다.
상기 금속 모재(103a)의 제1 표면은 제1 산화법에 의해 산화되어, 제1 산화층(104a)으로 형성될 수 있다. 상기 제1 산화법은 양극 산화법(Anodizing)일 수 있다. 상기 제1 산화법이 양극 산화법인 경우, 상기 제1 산화층(104a)의 두께는 대략 150μm 이하일 수 있다. 본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 산화법은 양극 산화법에 한정되지 않고, 상기 제1 산화층(104a)의 표면에 장식 가공이 용이하도록 처리되는 플라즈마 전해 산화법(PEO)일 수 있다. 상기 플라즈마 전화 산화법은 상기 양극 산화법에 비해 크랙(Crack) 발생 빈도를 줄일 수 있다.
상기 제1 산화층(104a)은, 상기 복수의 전파 투과 영역에서 상기 제2 산화층(105a)과 접할 수 있다.
도 8은 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법은 금속 모재의 일부분을 CNC(computer numerical control) 공작기계 가공 또는 레이저 또는 에칭 등에 의해 식각 또는 제거하여 적어도 하나의 단차 영역을 포함하는 금속 모재를 형성하는 동작(S11), 상기 금속 모재의 제1 표면을 마스킹하는 동작(S13), 금속 모재의 제2 표면을 제2 산화법에 의해 산화시켜 제2 산화층을 형성하는 동작(S15), 상기 금속 모재의 제1 표면을 제1 산화법에 의해 산화시켜 제1 산화층을 형성하는 동작(S17) 및 상기 단차 영역 중 적어도 하나에 상기 제1 산화층과 상기 제2 산화층을 적층하여 전파 투과 영역을 형성하는 동작(S19)을 포함할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 상기 케이스의 제조 방법은, 상기 금속 모재의 제1 표면을 식각 또는 제거하여 상기 금속 모재의 두께를 감소하는 동작(S21) 및 상기 제1 산화층의 표면을 착색하는 동작(S23)을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 산화층의 표면을 착색하는 동작(S23)은, 상기 금속 모재의 제1 표면을 제1 산화법에 의해 산화시켜 제1 산화층을 형성하는 동작(S17) 이후에, 염색법이나 전해착색법 등에 의해 상기 제1 산화층의 표면을 착색할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 상기 케이스의 제조 방법은, 상기 제1 산화층을 형성하는 동작(S17) 이전에, 상기 제1 산화층을 형성하는 동작 이전에, 상기 제2 산화층의 표면에 마스킹을 하는 동작을 더 포함할 수 있다. 상기 제2 산화층이 마스킹됨에 따라, 상기 제1 산화층을 제1 산화법에 의해 산화시, 상기 제2 산화층이 산화되는 것을 방지할 수 있다.
도 9는 본 발명의 다양한 실시 예 중 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 9를 참조하여, 본 발명의 다양한 실시 예 중 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스(101a)의 제조 방법을 살펴보기로 한다.
금속 모재(103)의 제2 표면(133)의 일부분은 기계적 가공 또는 화학적 가공에 의해 식각 또는 제거되어, 상기 금속 모재(103)에는 단차홈(131)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 금속 모재(103)는 적어도 하나의 단차 영역을 포함할 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제1 표면은 마스킹될 수 있다. 예를 들면, 상기 금속 모재(103)의 제1 표면에는 테이프가 부착되거나 마스크(107)가 도장될 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제2 표면(133)은 제2 산화법에 의해 산화되어, 제2 산화층(105)으로 형성될 수 있다. 상기 제2 산화법은 양극 산화법(Anodizing) 또는 플라즈마 전해 산화법(PEO; Plasma Electrolytic Oxidation) 중 하나일 수 있다. 상기 제2 산화법이 플라즈마 전화 산화법인 경우, 상기 제2 산화층(105)의 두께는 50μm 이상일 수 있다. 상기 플라즈마 전화 산화법은 상기 제2 산화층(105)에 크랙(crack)이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제2 산화법이 양극 산화법인 경우, 상기 제2 산화층(105)은 대략 50μm의 두께로 제작되어, 크랙이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제2 산화층(105)의 표면에는, 레진층(Resin)(106)이 형성될 수 있다. 상기 레진층(106)은 상기 제2 산화층(105)을 보호하여 상기 제2 산화층(105)에서 크랙이 발생되는 것을 방지할 수 있고, 상기 케이스(101a)의 강도를 향상시킬 수 있다.
상기 마스크(107)는 상기 금속 모재(103)의 제1 표면에서 제거될 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제1 표면(135)은 제1 산화법에 의해 산화되어, 제1 산화층(104)으로 형성될 수 있다. 상기 제1 산화법은 양극 산화법(Anodizing)일 수 있다.
상기 제1 산화층(104)은, 상기 전파 투과 영역(T)에서 상기 제2 산화층(105)과 접할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 다양한 실시 예 중 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스(101a)는 상기 전파 투과 영역(T)에 상기 제1 산화층(104), 상기 제2 산화층(105) 및 레진층(106)이 적층되는 구조를 가지게 되어, 전파가 상기 전파 투과 영역(T)을 통해 투과될 수 있다.
도 10은 본 발명의 다양한 실시 예 중 또 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 10을 참조하여, 본 발명의 다양한 실시 예 중 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스(101c)의 제조 방법을 살펴보기로 한다.
금속 모재(103)의 제2 표면(133)의 일부분은 기계적 가공 또는 화학적 가공에 의해 식각 또는 제거되어, 상기 금속 모재(103)에는 단차홈(131)을 형성할 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제1 표면은 마스킹될 수 있다. 예를 들면, 상기 금속 모재(103)의 제1 표면에는 테이프가 부착되거나 마스크(107)가 도장될 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제2 표면(133)은 제2 산화법에 의해 산화되어, 제2 산화층(105)으로 형성될 수 있다. 상기 제2 산화법은 양극 산화법(Anodizing) 또는 플라즈마 전해 산화법(PEO; Plasma Electrolytic Oxidation) 중 하나일 수 있다. 상기 제2 산화법이 플라즈마 전화 산화법인 경우, 상기 제2 산화층(105)의 두께는 50μm 이상일 수 있다. 상기 플라즈마 전화 산화법은 상기 제2 산화층(105)에 크랙(crack)이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제2 산화법이 양극 산화법인 경우, 상기 제2 산화층(105)은 대략 50μm의 두께로 제작되어, 크랙이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제2 산화층(105)의 표면에는, 레진층(Resin)(106)이 형성될 수 있다.
상기 마스크(107)는 상기 금속 모재(103)의 제1 표면(135)에서 제거될 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제1 표면(135)은 기계적 연마 또는 화학적 연마에 의해 식각 또는 제거될 수 있다. 예를 들면, 상기 금속 모재(103)는 상기 금속 모재의 제1 표면(135)으로부터 상기 제2 산화층(103)의 내측면 사이의 제1 두께(d1)를 가질 수 있다. 상기 금속 모재(103)는 기계적 연마 또는 화학적 연마에 의해 상기 금속 모재의 제1 표면(135a)으로 상기 제2 산화층(103)의 내측면 사이의 제2 두께(d2)를 가지게 되어, 상기 제1 두께(d1)와 상기 제2 두께(d2)의 차이에 해당되는 부분이 제거될 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제1 표면(135)은 제1 산화법에 의해 산화되어, 제1 산화층(104)으로 형성될 수 있다. 상기 제1 산화법은 양극 산화법(Anodizing)일 수 있다. 상기 제1 산화법이 양극 산화법인 경우, 상기 제1 산화층(104)의 두께는 대략 150μm 이하일 수 있다. 본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 산화법은 양극 산화법에 한정되지 않고, 상기 제1 산화층(104)의 표면에 장식 가공이 용이하도록 처리되는 플라즈마 전해 산화법(PEO)일 수 있다. 상기 플라즈마 전화 산화법은 상기 양극 산화법에 비해 크랙(Crack) 발생 빈도를 줄일 수 있다.
상기 제1 산화층(104)은, 상기 전파 투과 영역(T)에서 상기 제2 산화층(105)과 접할 수 있다.
도 11은 본 발명의 다양한 실시 예 중 또 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 11을 참조하여, 본 발명의 다양한 실시 예 중 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스(101d)의 제조 방법을 살펴보기로 한다.
금속 모재(103)의 제2 표면(133)의 일부분은 기계적 가공 또는 화학적 가공에 의해 식각 또는 제거되어, 상기 금속 모재(103)에는 단차홈(131)을 형성할 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제1 표면은 마스킹될 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제2 표면(133)은 제2 산화법에 의해 산화되어, 제2 산화층(105)으로 형성될 수 있다. 상기 제2 산화법은 양극 산화법(Anodizing) 또는 플라즈마 전해 산화법(PEO; Plasma Electrolytic Oxidation) 중 하나일 수 있다. 상기 제2 산화법이 플라즈마 전화 산화법인 경우, 상기 제2 산화층(105)의 두께는 50μm 이상일 수 있다. 상기 플라즈마 전화 산화법은 상기 제2 산화층(105)에 크랙(crack)이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제2 산화법이 양극 산화법인 경우, 상기 제2 산화층(105)은 대략 50μm의 두께로 제작되어, 크랙이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
상기 마스크(107)는 상기 금속 모재(103)의 제1 표면(135)에서 제거될 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제1 표면(135)은 기계적 연마 또는 화학적 연마에 의해 식각 또는 제거될 수 있다. 예를 들면, 상기 금속 모재(103)는 상기 금속 모재의 제1 표면(135)으로부터 상기 제2 산화층(103)의 내측면 사이의 제1 두께(d1)를 가질 수 있다. 상기 금속 모재(103)는 기계적 연마 또는 화학적 연마에 의해 상기 금속 모재의 제1 표면(135a)으로 상기 제2 산화층(103)의 내측면 사이의 제2 두께(d2)를 가지게 되어, 상기 제1 두께(d1)와 상기 제2 두께(d2)의 차이에 해당되는 부분이 제거될 수 있다.
상기 제2 산화층(105)의 표면에는, 레진층(Resin)(106)이 형성될 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제1 표면(135)은 제1 산화법에 의해 산화되어, 제1 산화층(104)으로 형성될 수 있다. 상기 제1 산화법은 양극 산화법(Anodizing)일 수 있다. 상기 제1 산화법이 양극 산화법인 경우, 상기 제1 산화층(104)의 두께는 대략 150μm 이하일 수 있다. 본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 산화법은 양극 산화법에 한정되지 않고, 상기 제1 산화층(104)의 표면에 장식 가공이 용이하도록 처리되는 플라즈마 전해 산화법(PEO)일 수 있다. 상기 플라즈마 전화 산화법은 상기 양극 산화법에 비해 크랙(Crack) 발생 빈도를 줄일 수 있다.
상기 제1 산화층(104)은, 상기 전파 투과 영역(T)에서 상기 제2 산화층(105)과 접할 수 있다.
도 12은 본 발명의 다양한 실시 예 중 또 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스를 나타내는 단면도이다.
도 12을 참조하면, 본 발명의 다양한 실시 예 중 또 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스(101h)는 금속 모재(103), 제1 산화층(104), 제2 산화층(105) 및 레진층(106a)을 포함할 수 있고, 선행 실시예와 동일하거나 유사한 구성요소에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
상기 단차 영역들 중 하나는 전파 투과 영역을 포함하고, 상기 전파 투과 영역에서는, 제1 산화층(104)과 제2 산화층(105) 사이에 금속층(139)이 구비될 수 있다. 상기 금속층(139)은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어질 수 있다. 본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 상기 금속층(139)은 알루미늄 또는 알루미늄 합금에 한정되지 않고, 마그네슘 또는 마그네슘 합금 등 다양한 금속 또는 합금일 수 있다. 본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 상기 전파 투과 영역(T)에 형성된 상기 제2 산화층(105)은 상기 제1 산화층(104) 사이에 단차부 두께보다 얇은 금속 모재(예: 상기 금속층(139))가 배치될 수 있다.
상기 금속층(139)의 두께는 대략 1 μm 이하일 수 있다. 예를 들면, 상기 금속층(139)의 두께가 1 μm인 경우, 대략 100 MHz대역의 전파를 대략 90% 투과시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 금속층(139)의 두께가 1 nm인 경우, 100 MHz대역보다 높은 고주파 대역의 전파를 투과시킬 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예 중 하나에 따른 전자 장치의 케이스(101h)는 전파 투과 영역에 상기 금속층(139)을 포함하여, 케이스의 디자인의 금속 질감을 향상시킬 수 있다.
도 13은 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 13을 참조하면, 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법은 금속 모재의 일부분을 CNC(computer numerical control) 공작기계 가공, 레이저 또는 에칭 등에 의해 식각 또는 제거하여 적어도 하나의 단차 영역을 포함하는 금속 모재를 형성하는 동작(S31), 상기 금속 모재의 제1 표면을 마스킹하는 동작(S33), 금속 모재의 제2 표면을 제2 산화법에 의해 산화시켜 제2 산화층을 형성하는 동작(S35), 상기 제2 산화층의 표면에 레진층을 형성하는 동작(S37), 상기 금속 모재의 제1 표면을 제1 산화법에 의해 산화시켜 제1 산화층을 형성하는 동작(S39) 및 상기 단차 영역 중 적어도 하나에 상기 제1, 제2 산화층과 상기 레진층으로 적층하여 전파 투과 영역을 형성하는 동작(S41)을 포함할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 상기 케이스의 제조 방법은, 상기 금속 모재의 제1 표면을 식각 또는 제거하여 상기 금속 모재의 두께를 감소하는 동작(S43) 및 상기 제1 산화층의 표면을 착색하는 동작(S45)을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 산화층의 표면을 착색하는 동작(S45)은, 상기 금속 모재의 제1 표면을 제1 산화법에 의해 산화시켜 제1 산화층을 형성하는 동작 이후에, 염색법이나 전해착색법 등에 의해 상기 제1 산화층의 표면을 착색할 수 있다.
도 14는 본 발명의 다양한 실시 예 중 또 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 14를 참조하여, 본 발명의 다양한 실시 예 중 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스(101f)의 제조 방법을 살펴보기로 한다.
금속 모재(103)의 제2 표면(133)의 일부분은 기계적 가공 또는 화학적 가공에 의해 식각 또는 제거되어, 상기 금속 모재(103)에는 단차홈(131)을 형성할 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제1 표면은 마스킹될 수 있다. 예를 들면, 상기 금속 모재(103)의 제1 표면에는 테이프가 부착되거나 마스크(107)가 도장될 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제2 표면(133)은 제2 산화법에 의해 산화되어, 제2 산화층(105)으로 형성될 수 있다. 상기 제2 산화법은 양극 산화법(Anodizing) 또는 플라즈마 전해 산화법(PEO; Plasma Electrolytic Oxidation) 중 하나일 수 있다. 상기 제2 산화법이 플라즈마 전화 산화법인 경우, 상기 제2 산화층(105)의 두께는 50μm 이상일 수 있다. 상기 플라즈마 전화 산화법은 상기 제2 산화층(105)에 크랙(crack)이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제2 산화법이 양극 산화법인 경우, 상기 제2 산화층(105)은 대략 50μm의 두께로 제작되어, 크랙이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
상기 마스크(107)는 상기 금속 모재(103)의 제1 표면에서 제거될 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제1 표면(135)은 제1 산화법에 의해 산화되어, 제1 산화층(104)으로 형성될 수 있다. 상기 제1 산화법은 양극 산화법(Anodizing)일 수 있다.
상기 제1 산화층(104)은, 상기 전파 투과 영역(T)에서 상기 제2 산화층(105)과 접할 수 있다.
상기 제1 산화층(104)의 표면에는, 금속 코팅층(108)이 형성될 수 있다. 상기 금속 코팅층(108)은 PVD(Physical Vapor Deposition), CVD(Chemical Vapor Deposition) 또는 금속 용사법(metal spraying) 등에 의해 상기 제1 산화층(104)의 표면에 형성될 수 있다.
상기 금속 코팅층(108)은 상기 케이스(101f)의 외측면에 금속 질감을 향상시킬 수 있다. 상기 금속 코팅층(108)는 전파가 상기 전파 투과 영역(T)에서 투과되는 간섭하지 않는 두께를 가질 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예 중 또 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스(101f)는 상기 전파 투과 영역(T)에서 상기 금속 코팅층(108), 상기 제1 산화층(104) 및 상기 제2 산화층(106)으로 적층되어, 전파를 투과시킬 수 있다.
도 15는 본 발명의 다양한 실시 예 중 또 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 15를 참조하여, 본 발명의 다양한 실시 예 중 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스(101g)의 제조 방법을 살펴보기로 한다.
금속 모재(103)의 제2 표면(133)의 일부분은 기계적 가공 또는 화학적 가공에 의해 식각 또는 제거되어, 상기 금속 모재(103)에는 단차홈(131)을 형성할 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제1 표면은 마스킹될 수 있다. 예를 들면, 상기 금속 모재(103)의 제1 표면에는 테이프가 부착되거나 마스크(107)가 도장될 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제2 표면(133)은 제2 산화법에 의해 산화되어, 제2 산화층(105)으로 형성될 수 있다. 상기 제2 산화법은 양극 산화법(Anodizing) 또는 플라즈마 전해 산화법(PEO; Plasma Electrolytic Oxidation) 중 하나일 수 있다. 상기 제2 산화법이 플라즈마 전화 산화법인 경우, 상기 제2 산화층(105)의 두께는 50μm 이상일 수 있다. 상기 플라즈마 전화 산화법은 상기 제2 산화층(105)에 크랙(crack)이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제2 산화법이 양극 산화법인 경우, 상기 제2 산화층(105)은 대략 50μm의 두께로 제작되어, 크랙이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
상기 마스크(107)는 상기 금속 모재(103)의 제1 표면에서 제거될 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제1 표면(135)은 제1 산화법에 의해 산화되어, 제1 산화층(104)으로 형성될 수 있다. 상기 제1 산화법은 양극 산화법(Anodizing)일 수 있다.
상기 제1 산화층(104)은, 상기 전파 투과 영역(T)에서 상기 제2 산화층(105)과 접할 수 있다.
상기 제1 산화층(104)의 표면에는, 금속 코팅층(108)이 형성될 수 있다.
상기 금속 코팅층(108)은 양극 산화법(Anodizing) 또는 플라즈마 전해 산화법(PEO)을 통해 제3 산화층(108a)으로 형성될 수 있다.
상기 전파 투과 영역은 상기 제3 산화층(108a), 상기 제1 산화층(104) 및 상기 제2 산화층(106)으로 적층되어, 전파를 투과시킬 수 있다.
도 16은 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 16을 참조하면, 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법은 금속 모재의 일부분을 CNC(computer numerical control) 공작기계 가공 또는 레이저 또는 에칭 등에 의해 식각 또는 제거하여 적어도 하나의 단차 영역을 포함하는 금속 모재를 형성하는 동작(S51), 상기 금속 모재의 제1 표면을 마스킹하는 동작(S55), 금속 모재의 제2 표면을 제2 산화법에 의해 산화시켜 제2 산화층을 형성하는 동작(S55), 상기 금속 모재의 제1 표면을 제1 산화법에 의해 산화시켜 제1 산화층을 형성하는 동작(S57), 상기 제1 산화층의 표면에 금속 코팅층을 형성하는 동작(S59) 및 상기 단차 영역 중 적어도 하나에 상기 금속 코팅층 및 상기 제1, 제2 산화층으로 적층하여 전파 투과 영역을 형성하는 동작(S61)을 포함할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 상기 케이스의 제조 방법은, 상기 제1 산화층의 표면을 착색하는 동작을 더 포함할 수 있고, 상기 제1 산화층의 표면을 착색하는 동작은 상기 금속 모재의 제1 표면을 제1 산화법에 의해 산화시켜 제1 산화층을 형성하는 동작 이후에, 염색법이나 전해착색법 등에 의해 상기 제1 산화층의 표면을 착색할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 상기 케이스의 제조 방법은, 상기 금속 코팅층을 상기 제1 산화법 또는 상기 제2 산화법 중 하나에 의해 산화시켜, 제3 산화층을 형성하는 동작을 더 포함할 수 있다.
도 17은 본 발명의 다양한 실시 예 중 또 다른 하나에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 17을 참조하여, 본 발명의 다양한 실시 예 중 하나에 따른 전자 장치의 케이스(100j)의 제조 방법을 살펴보기로 한다.
금속 모재(103)의 제2 표면(133)의 일부분은 기계적 가공 또는 화학적 가공에 의해 식각 또는 제거되어, 상기 금속 모재(103)에는 단차홈(131)을 형성할 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제1 표면은 마스킹될 수 있다. 예를 들면, 상기 금속 모재(103)의 제1 표면에는 테이프가 부착되거나 마스크(107)가 도장될 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제2 표면(133)은 제2 산화법에 의해 산화되어, 제2 산화층(105)으로 형성될 수 있다. 상기 제2 산화법은 양극 산화법(Anodizing) 또는 플라즈마 전해 산화법(PEO; Plasma Electrolytic Oxidation) 중 하나일 수 있다. 상기 제2 산화법이 플라즈마 전화 산화법인 경우, 상기 제2 산화층(105)의 두께는 50μm 이상일 수 있다. 상기 플라즈마 전화 산화법은 상기 제2 산화층(105)에 크랙(crack)이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제2 산화법이 양극 산화법인 경우, 상기 제2 산화층(105)은 대략 50μm의 두께로 제작되어, 크랙이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제2 산화층(105)의 표면에는, 레진층(Resin)(106)이 형성될 수 있다. 상기 레진층(106)은 상기 제2 산화층(105)을 보호하여 상기 제2 산화층(105)에서 크랙이 발생되는 것을 방지할 수 있고, 상기 케이스(101a)의 강도를 향상시킬 수 있다.
상기 마스크(107)는 상기 금속 모재(103)의 제1 표면에서 제거될 수 있다.
상기 금속 모재(103)의 제1 표면(135)은 제1 산화법에 의해 산화되어, 제1 산화층(104)으로 형성될 수 있다. 상기 제1 산화법은 양극 산화법(Anodizing)일 수 있다.
상기 제1 산화층(104)은, 상기 전파 투과 영역(T)에서 상기 제2 산화층(105)과 접할 수 있다.
상기 제1 산화층(104)의 표면에는, 금속 코팅층(108)이 형성될 수 있다.
상기 전파 투과 영역은 상기 금속 코팅층(108), 상기 제1 산화층(104), 상기 제2 산화층(106) 및 레진층(106)으로 적층되어, 전파를 투과시킬 수 있다.
도 18은 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 18을 참조하면, 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 케이스의 제조 방법은 금속 모재의 일부분을 CNC(computer numerical control) 공작기계 가공 또는 레이저 또는 에칭 등에 의해 식각 또는 제거하여 적어도 하나의 단차 영역을 포함하는 금속 모재를 형성하는 동작(S71), 상기 금속 모재의 제1 표면을 마스킹하는 동작(S73), 금속 모재의 제2 표면을 제2 산화법에 의해 산화시켜 제2 산화층을 형성하는 동작(S75), 상기 제2 산화층의 표면에 레진층을 형성하는 동작(S77), 상기 금속 모재의 제1 표면을 제1 산화법에 의해 산화시켜 제1 산화층을 형성하는 동작(S79), 상기 제1 산화층의 표면에 금속 코팅층을 형성하는 동작(S81) 및 상기 단차 영역 중 적어도 하나에 상기 금속 코팅층 및 상기 제1, 제2 산화층으로 적층하여 전파 투과 영역을 형성하는 동작(S83)을 포함할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 상기 케이스의 제조 방법은, 상기 제1 산화층의 표면을 착색하는 동작을 더 포함할 수 있고, 상기 제1 산화층의 표면을 착색하는 동작은 상기 금속 모재의 제1 표면을 제1 산화법에 의해 산화시켜 제1 산화층을 형성하는 동작 이후에, 염색법이나 전해착색법 등에 의해 상기 제1 산화층의 표면을 착색할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 상기 케이스의 제조 방법은, 상기 금속 코팅층을 상기 제1 산화법 또는 상기 제2 산화법 중 하나에 의해 산화시켜, 제3 산화층을 형성하는 동작을 더 포함할 수 있다.
이상, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해서 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명하다 할 것이다.
100: 전자 장치 101: 케이스
103: 금속 모재 104: 제1 산화층
105: 제2 산화층 106: 레진층
108: 금속 코팅층 T: 전파 투과 영역

Claims (28)

  1. 전자 장치의 케이스에 있어서,
    제1 방향을 향하는 제1 표면, 및 상기 제1 방향과 반대인 제2 방향을 향하는 제2 표면을 포함하고, 상기 제2 표면에 상기 제1 방향으로 리세스된 단차 홈이 형성된 적어도 하나의 단차 영역을 포함하는 금속 모재;
    상기 금속 모재의 상기 제1 표면에 형성되는 제1 산화층; 및
    상기 금속 모재의 상기 제2 표면에 형성되는 제2 산화층;을 포함하고,
    상기 제1 산화층은 비정질로 이루어지고,
    상기 제2 산화층은 결정질로 이루어지고,
    상기 적어도 하나의 단차 영역은, 상기 제1 산화층과 상기 제2 산화층으로 적층되어, 전파를 투과하는 전파 투과 영역을 포함하고,
    상기 전파 투과 영역에서 상기 제1 산화층과 상기 제2 산화층은 접하도록 형성된 전자 장치의 케이스.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 제2 산화층의 표면은 상기 제1 산화층의 표면보다 거친 전자 장치의 케이스.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 전파 투과 영역에 전파를 방사하는 방사체가 상기 전파 투과영역의 적어도 일부와 접하도록 배치된 전자 장치의 케이스.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 금속 모재는, 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지고,
    상기 제1, 제2 산화층은 산화알루미늄으로 이루어지는 전자 장치의 케이스.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 전파 투과 영역의 적어도 일부와 접하는 상기 금속 모재는 전파를 방사하는 방사체로 사용되는 전자장치의 케이스.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 전파 투과 영역에 형성된 상기 제2 산화층은, 상기 제1 산화층 사이에 단차부 두께보다 얇은 금속 모재가 배치되는 전자 장치의 케이스.
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  13. 전자 장치의 케이스에 있어서,
    제1 방향을 향하는 제1 표면, 및 상기 제1 방향과 반대인 제2 방향을 향하는 제2 표면을 포함하고, 상기 제2 표면에 상기 제1 방향으로 리세스된 단차 홈이 형성된 적어도 하나의 단차 영역을 포함하는 금속 모재;
    상기 금속 모재의 상기 제1 표면에 형성되는 제1 산화층;
    상기 금속 모재의 상기 제2 표면에 형성되는 제2 산화층; 및
    상기 제2 산화층의 표면에 형성되는 레진층을 포함하고,
    상기 제1 산화층은 비정질로 이루어지고,
    상기 제2 산화층은 결정질로 이루어지고,
    상기 적어도 하나의 단차 영역은, 상기 제1, 제2 산화층과 상기 레진층으로 적층되어, 전파를 투과하는 전파 투과 영역을 포함하고,
    상기 전파 투과 영역에서 상기 제1 산화층과 상기 제2 산화층은 접하도록 형성된 전자 장치의 케이스.
  14. 제13 항에 있어서, 상기 전파 투과 영역은, 상기 금속 모재에 형성되는 상기 단차홈을 포함하는 전자 장치의 케이스.
  15. 제13 항에 있어서, 상기 전파 투과 영역은, 상기 제1 산화층과 상기 제2 산화층 사이에 금속을 포함하는 전자 장치의 케이스.
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  24. 전자 장치의 케이스에 있어서,
    제1 방향을 향하는 제1 표면, 및 상기 제1 방향과 반대인 제2 방향을 향하는 제2 표면을 포함하고, 상기 제2 표면에 상기 제1 방향으로 리세스된 단차 홈이 형성된 적어도 하나의 단차 영역을 포함하는 금속 모재;
    상기 금속 모재의 상기 제1 표면에 형성되는 제1 산화층;
    상기 금속 모재의 상기 제2 표면에 형성되는 제2 산화층;
    상기 제2 산화층의 표면에 형성되는 레진층; 및
    상기 제1 산화층의 표면에 형성되는 금속 코팅층을 포함하고,
    상기 제1 산화층은 비정질로 이루어지고,
    상기 제2 산화층은 결정질로 이루어지고,
    상기 적어도 하나의 단차 영역은, 상기 금속 코팅층, 상기 제1, 제2 산화층 및 상기 레진층으로 적층되어, 전파를 투과하는 전파 투과 영역을 포함하고,
    상기 전파 투과 영역에서 상기 제1 산화층과 상기 제2 산화층은 접하도록 형성된 전자 장치의 케이스.
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