KR102609436B1 - 화합물, 중합체, 필름, 및 광학 장치 - Google Patents

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Abstract

하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 상기 화합물로부터 제조되는 중합체, 필름, 및 광학 장치에 관한 것이다:
[화학식 1]
Figure 112018011264311-pat00073

상기 화학식 1에서,
R1, R2, o, p,,A1, Ra, m, k및 n은 발명의 상세한 설명에서 정의한 바와 같다.

Description

화합물, 중합체, 필름, 및 광학 장치{COMPOUND, POLYMER, FILM, AND OPTICAL DEVICE}
화합물, 중합체, 필름, 및 표시 장치에 관한 것이다.
무색 투명 재료는 광학 렌즈, 기능성 광학 필름, 디스크 기판 등 다양한 용도에 따라 여러 가지로 연구되고 있지만, 정보기기의 급속한 소형 경량화 또는 표시 소자의 고세밀화에 따라 재료 자체에 요구되는 기능 및 성능도 점점 정밀하고 동시에 고도화하고 있다.
따라서, 투명성, 내열성, 기계적 강도, 유연성, 및 기타 광학적 특성이 우수한 무색 투명 재료에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.
일 구현예는 신규 화합물을 제공한다.
다른 구현예는 상기 신규 화합물을 중합하여 얻어지는 중합체를 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 중합체를 포함하는 필름을 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 필름을 포함하는 광학 장치를 제공한다.
일 구현예는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다:
[화학식 1]
Figure 112018011264311-pat00001
상기 화학식 1에서,
R1 및 R2 는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아실기, 히드록시기, 할로겐기, 니트로기, -NR'R" (여기서, R' 및 R"은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, 또는 C6 내지 C30 아릴기이다), -SiR'R"R"' (여기서 R', R", 및 R"'은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, 또는 C6 내지 C30 아릴기이다), 또는 이들의 조합이고,
o 및 p는 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이고,
A1는 C6 내지 C30 방향족 유기기이고,
Ra는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된C2 내지 C30 헤테로아릴기, 히드록시기, 할로겐기, 니트로기, -NR'R" (여기서, R' 및 R"은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C7 내지 C30 아릴알킬기이다), -CO-NR'R" (여기서, R' 및 R"은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C7 내지 C30 아릴알킬기이다), -SiR'R"R"' (여기서 R', R", 및 R"'은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C7 내지 C30 아릴알킬기이다), 또는 하기 화학식 2로 표시되는 기이다:
[화학식 2]
Figure 112018011264311-pat00002
상기 화학식 2에서,
L2 및 L3은 각각 독립적으로, O, CO, COO, C≡C, 또는 CONRb (여기서, Rb는 수소 또는 C1 내지 C30 알킬기이다)이고,
A2 및 A3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 고리, 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기이고,
q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이되, q+r은 1 이상의 정수이고,
m은 1 이상의 정수이고,
k 및 n 은 각각 독립적으로 0 이상의 정수이다.
상기 화학식 1에서,
o 및 p는 각각 독립적으로 0 또는 1이고,
A1는 C6 내지 C20 방향족 유기기이고,
Ra는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된C2 내지 C20 헤테로아릴기, 할로겐기, -NR'R" (여기서, R' 및 R"은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C7 내지 C30 아릴알킬기이다), 또는 하기 화학식 2로 표시되는 기이고:
[화학식 2]
Figure 112018011264311-pat00003
상기 화학식 2에서,
L2 및 L3은 각각 독립적으로, COO, C≡C, 또는 CONRb (여기서, Rb는 수소 또는 C1 내지 C20 알킬기이다)이고,
A2 및 A3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 방향족 고리, 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리, 치환 또는 비치환된 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기이고,
q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이되, 1≤q+r≤2이고,
m은 1 내지 3이고,
k 및 n은 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수일 수 있다.
상기 화학식 1에서,
A1는 벤젠 고리이고,
Ra는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된C2 내지 C20 헤테로아릴기, 할로겐기, 또는 하기 화학식 2로 표시되는 기이고:
[화학식 2]
Figure 112018011264311-pat00004
상기 화학식 2에서,
L2 및 L3은 각각 독립적으로, COO, C≡C, 또는 CONRb (여기서, Rb는 수소 또는 C1 내지 C20 알킬기이다)이고,
A2 및 A3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 벤젠 고리, 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기이고,
q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이되, 1≤q+r≤2이고,
m은 1 또는 2이고,
k 및 n은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수일 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 3 또는 하기 화학식 4로 표시되는 화합물일 수 있다:
[화학식 3]
Figure 112018011264311-pat00005
[화학식 4]
Figure 112018011264311-pat00006
상기 화학식 3과 화학식 4에서,
R1 및 R2 는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아실기, 히드록시기, 할로겐기, 니트로기, -NR'R" (여기서, R' 및 R"은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, 또는 C6 내지 C30 아릴기이다), -SiR'R"R"' (여기서 R', R", 및 R"'은 각각 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C20 알킬기이다), 또는 이들의 조합이고,
o 및 p는 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이고,
A1는 C6 내지 C30 방향족 유기기이고,
Ra는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 히드록시기, 할로겐기, 니트로기, -NR'R" (여기서, R' 및 R"은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C7 내지 C30 아릴알킬기이다), -CO-NR'R" (여기서, R' 및 R"은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C7 내지 C30 아릴알킬기이다), -SiR'R"R"' (여기서 R', R", 및 R"'은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C7 내지 C30 아릴알킬기이다), 또는 하기 화학식 2로 표시되는 기이다:
[화학식 2]
Figure 112018011264311-pat00007
상기 화학식 2에서,
L2 및 L3은 각각 독립적으로, O, CO, COO, C≡C, 또는 CONRb (여기서, Rb는 수소 또는 C1 내지 C30 알킬기이다)이고,
A2 및 A3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 고리, 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기이고,
q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이되, q+r은 1 이상의 정수이고,
m은 1 이상의 정수이고,
k 및 n은 각각 독립적으로 0 이상의 정수이다.
상기 화학식 3과 화학식 4에서,
o 및 p는 각각 독립적으로 0 또는 1이고,
A1는 C6 내지 C20 방향족 유기기이고 이고,
Ra는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴기, 할로겐기, -NR'R" (여기서, R' 및 R"은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C7 내지 C30 아릴알킬기이다), 또는 하기 화학식 2로 표시되는 기이고:
[화학식 2]
Figure 112018011264311-pat00008
상기 화학식 2에서,
L2 및 L3은 각각 독립적으로, COO, C≡C, 또는 CONRb (여기서, Rb는 수소 또는 C1 내지 C20 알킬기이다)이고,
A2 및 A3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 방향족 고리, 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기이고,
q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이되, 1≤q+r≤2이고,
m은 1 내지 3이고,
k 및 n은 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수일 수 있다.
상기 화학식 3과 화학식 4에서,
o 및 p는 모두 0이고,
A1는 벤젠 고리이고,
Ra는 수소, 치환 또는 비치환된C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 헤테로아릴기, 할로겐기, 또는 하기 화학식 2로 표시되는 기일 수 있다:
[화학식 2]
Figure 112018011264311-pat00009
상기 화학식 2에서,
L2 및 L3은 각각 독립적으로, COO, C≡C, 또는 CONRb (여기서, Rb는 수소 또는 C1 내지 C20 알킬기이다)이고,
A2 및 A3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 벤젠 고리, 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기이고,
q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이되, 1≤q+r≤2이고,
m은 1 또는 2이고,
k 및 n은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수일 수 있다.
다른 구현예에서는, 일 구현예에 따른 화합물을 포함하는 디언하이드라이드와 디아민을 포함하는 혼합물의 반응 생성물인 중합체를 제공한다.
상기 디아민은 하기 화학식 5로 표시될 수 있다:
[화학식 5]
NH2-Rc-NH2
상기 화학식 5에서,
Rc는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기를 포함하고, 상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기는 치환 또는 비치환된 하나의 방향족 고리로 존재하거나; 치환 또는 비치환된 2 이상의 방향족 고리가 서로 접합되어 축합 고리를 형성하거나; 또는 치환 또는 비치환된 상기 하나의 방향족 고리 및/또는 2 이상의 방향족 고리가 접합된 축합고리가 단일결합, 또는 플루오레닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 아릴렌기, -O-, -S-, -C(=O)-, -CH(OH)-, -S(=O)2-, -Si(CH3)2-, -(CH2)p- (여기서, 1≤p≤10), -(CF2)q- (여기서, 1≤q≤10), -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -C(=O)NH-, 또는 이들의 조합인 작용기에 의해 연결될 수 있다.
상기 화학식 5로 표시되는 디아민은 하기 화학식 6 내지 화학식 8 중 하나 이상으로 표시될 수 있다:
[화학식 6]
Figure 112018011264311-pat00010
상기 화학식 6에서,
Rd는 하기 화학식으로 이루어진 군으로부터 선택되고:
,
R7 및 R8은, 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로, 할로겐, 히드록시기, 알콕시기(-OR200, 여기서 R200은 C1 내지 C10 지방족 유기기임), 실릴기(-SiR201R202R203, 여기서 R201, R202 및 R203은 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C10 지방족 유기기임), 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 지방족 유기기, 또는 C6 내지 C20 방향족 유기기이고,
n1 및 n2는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이다;
[화학식 7]
상기 화학식 7에서,
R26 및 R27은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로, -CF3, -CCl3, -CBr3, -CI3, -NO2, -CN, -COCH3 또는 -CO2C2H5로부터 선택되는 전자 흡인기(electron withdrawing group)이고,
R28 및 R29는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로, 할로겐, 히드록시기, 알콕시기(-OR204, 여기서 R204는 C1 내지 C10 지방족 유기기임), 실릴기(-SiR205R206R207, 여기서 R205, R206 및 R207은 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C10 지방족 유기기임), 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 지방족 유기기, 또는 C6 내지 C20 방향족 유기기이고,
n3은 1 내지 4의 정수이고, n5는 0 내지 3의 정수이고, n3+n5는 1 내지 4의 정수이고,
n4는 1 내지 4의 정수이고, n6은 0 내지 3의 정수이고, n4+n6은 1 내지 4의 정수이다;
[화학식 8]
상기 화학식 8에서,
R14는 O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p(여기서, 1≤p≤10), (CF2)q(여기서, 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2, C(=O)NH, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기를 포함하고, 상기 방향족 유기기는 단독으로 존재하거나; 2개 이상이 서로 접합되어 축합 고리를 형성하거나; 2개 이상이 단일결합, 또는 플루오레닐렌기, O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p(여기서, 1≤p≤10), (CF2)q(여기서, 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2 또는 C(=O)NH의 작용기에 의해 연결되어 있고,
R16 및 R17은 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 할로겐, 히드록시기, 알콕시기(-OR212, 여기서 R212는 C1 내지 C10 지방족 유기기임), 실릴기(-SiR213R214R215, 여기서 R213, R214 및 R215는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C10 지방족 유기기임), 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 지방족 유기기, 또는 C6 내지 C20 방향족 유기기이고,
n9 및 n10은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이다.
일 구현예에 따른 중합체는, 상기 화학식 7로 표시되는 디아민과 상기 화학식 8로 표시되는 디아민 중 하나 이상을 포함하는 혼합물의 반응 생성물일 수 있다.
상기 화학식 7로 표시되는 디아민은 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine, TFDB)을 포함하고, 상기 화학식 8로 표시되는 디아민은 4,4'-디아미노디페닐 술폰(4,4'-diaminodiphenyl sulfone, DADPS)을 포함할 수 있다.
일 구현예에 따른 중합체는 상기 디언하이드라이드가 하기 화학식 9로 표시되는 디언하이드라이드를 더 포함하는 혼합물의 반응 생성물일 수 있다:
[화학식 9]
상기 화학식 9에서,
R10은 단일결합, -O-, -S-, -C(=O)-, -CH(OH)-, -C(=O)NH-, -S(=O)2-, -Si(CH3)2-, -(CH2)p- (여기서, 1≤p≤10), -(CF2)q- (여기서, 1≤q≤10), -C(CnH2n+1)2-, -C(CnF2n + 1)2-, -(CH2)p-C(CnH2n + 1)2-(CH2)q-, 또는 -(CH2)p-C(CnF2n + 1)2-(CH2)q- (여기서 1≤n≤10, 1≤p≤10, 및 1≤q≤10) 기이고,
R12 및 R13 는, 각각 독립적으로, 할로겐, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 지방족 유기기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 방향족 유기기, -OR201 기(여기서, R201 은 C1 내지 C10 지방족 유기기), 또는 -SiR210R211R212 (여기서 R210, R211, 및 R212 는 각각 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C10 지방족 유기기) 기이고,
n7 및 n8은, 각각 독립적으로, 0 내지 3의 정수 중 하나이다.
상기 화학식 9로 표시되는 디언하이드라이드는 하기 화학식 10으로 표시되는 디언하이드라이드, 하기 화학식 11로 표시되는 디언하이드라이드, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다:
[화학식 10]
[화학식 11]
상기 화학식 10 및 화학식 11에서,
R12 및 R13은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로, 할로겐, 히드록시기, 알콕시기(-OR208, 여기서 R208은 C1 내지 C10 지방족 유기기임), 실릴기(-SiR209R210R211, 여기서 R209, R210 및 R211은 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C10 지방족 유기기임), 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 지방족 유기기, 또는 C6 내지 C20 방향족 유기기이고,
n7 및 n8은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이다.
상기 디언하이드라이드는 상기 화학식 10으로 표시되는 디언하이드라이드 및 상기 화학식 11로 표시되는 디언하이드라이드 중 하나 이상을 전체 디언하이드라이드의 몰수를 기준으로 약 1 내지 약 99 몰% 포함할 수 있다.
일 구현예에 따른 중합체는, 하기 화학식 12로 표시되는 디카르복실산 유도체를 더 포함하는 혼합물의 반응 생성물일 수 있다:
[화학식 12]
상기 화학식 12에서,
R3은 치환 또는 비치환된 페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기이고, X는 각각 동일하거나 상이한 할로겐 원자이다.
상기 화학식 12에서, R3은 페닐렌기 및 바이페닐렌기 중 하나 이상이고, X는 각각 독립적으로 Cl 또는 Br일 수 있다.
또 다른 일 구현예는, 일 구현예에 따른 중합체를 포함하는 필름을 제공한다.
상기 필름은 보상 필름일 수 있다.
또 다른 일 구현예는, 상기 필름을 포함하는 광학 장치를 제공한다.
상기 광학 장치는 표시 장치일 수 있다.
이하, 상기 구현예들에 대해 자세히 설명한다.
일 구현예에 따른 신규 화합물은 디아민과 반응하여 높은 투과율, 낮은 황색지수, 및 낮은 헤이즈를 가지고, 또한 높은 두께방향 복굴절을 가지는 폴리에스터-이미드 필름을 제조할 수 있다. 상기 신규 화합물은 값싼 원료물질로부터 용이하게 제조 가능하여, 높은 광학적 특성, 기계적 물성, 및 내열성을 요하는 여러 용도, 예를 들어, 광학 필름, 윈도우 필름 등에서 유리하게 사용될 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 광학 필름의 개략적인 단면도이고,
도 2는 광학 필름의 외광 반사 방지 원리를 보여주는 개략도이고,
도 3은 편광 필름의 일 예를 도시한 개략도이고,
도 4는 일 구현예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 5는 일 구현예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 6은 실시예 1에서 제조한 화합물 P-1의 1H NMR 그래프이고,
도 7은 실시예 1에서 제조한 화합물 P-1의 HRMS APCI (High resolution mass spectrometry/Atmospheric-pressure chemical ionization mode) 그래프이고,
도 8은 실시예 1에서 제조한 화합물 P-1의 열분석 그래프이고 (Thermal analysis: TGA),
도 9는 실시예 1에서 제조한 화합물 P-1의 DSC (Differential scanning calorimetry) (heating 10 oC/min, N2 atmosphere): mp=242.3 oC (도 9 참조) 그래프이다.
이하, 구현예들에 대하여 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 구현예들은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '치환된'이란, 화합물 또는 작용기 중의 적어도 하나의 수소 원자가 할로겐 원자, 히드록시기, 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30 아릴알킬기, C1 내지 C30 알콕시기, C1 내지 C20 헤테로알킬기, C3 내지 C20 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C15 사이클로알키닐기, C3 내지 C30 헤테로사이클로알킬기 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '헤테로'란, N, O, S, Se 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유한 것을 의미한다.
광학적으로 투명한 내열성 폴리머는 다양한 광전자 소자, 예컨대 이미지 화상 장치, 액정배향막, 컬러필터, 광학 보상필름, 광 섬유, 도광판, 광학 렌즈 등에 유용하게 적용되고 있는 재료이다. 이와 관련하여 최근 주목되는 연구 주제는 화상 장치 내 깨지기 쉬운 무기 유리 기재 (예컨대, 약 300 nm 내지 700 mm 두께)를 플라스틱 기재 (<50 mm 두께)로 대체하여 현저히 가볍고 유연한 디스플레이 패널을 구현하는 것이다.
그러나 플라스틱 기재의 경우, 광학 투과도, 내열성, 디바이스 조립 공정 중 열 사이클에 대한 치수 안정성 (열적 치수 안정성), 필름 유연성, 및 필름 형성 공정 호환성 (용액 공정)을 높은 수준으로 동시에 달성하기는 어려운 바, 아직까지 신뢰성을 확보하기는 어려운 실정이다. 플라스틱 기재는 유연성 및 박막 형성성 측면에서 무기 유리 기재에 비해 대체로 우수하나, 내열성 및 열적 치수 안정성 측면에서 열세이다.
폴리(에테르 설폰) (PES)은 상용되는 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 중에서 가장 높은 유리전이온도 (Tg, 225 ℃)를 가지는 것으로 알려져 있다. 그러나, PES는 단기 내열성 및 열적 치수 안정성 측면에서 적합하지 않다. 열적 치수 안정성이 좋지 않은 플라스틱 기재는 ITO (Indium Tin Oxide) 전극 및 박막 트랜지스터 형성 과정에서 반복되는 가열/냉각 사이클 동안 상당한 열적 확장/수축을 겪게 되고, 이는 ITO 층이 붕괴되는 것과 같은 심각한 문제의 원인이 될 수 있다.
신뢰성이 가장 높은 고온 폴리머 재료로는 폴리이미드 (Polyimide: PI)를 들 수 있다. 일부 방향족 PI 시스템은, 디바이스 동작 온도보다 훨씬 높은 Tg와 유리질 영역 내 필름 평면 (X-Y) 방향을 따라 낮은 선형 열팽창 계수 (CTE, linear coefficients of thermal expansion)를 동시에 가짐으로 인해 우수한 열적 치수안정성을 가지기도 한다. 그러나, 통상적인 방향족 PI는 전하 전달 (CT, charge transfer) 상호작용으로 인해 야기되는 강력한 착색이 나타나고, 이는 종종 광학 장치를 교란한다. 방향족 PI 필름의 착색/탈색 메커니즘은 학문적, 산업적으로 광범위하게 연구 대상이 되어 왔다. 탈색을 위한 효과적인 접근 중 하나는 디아민 또는 테트라카복실산 이무수물 또는 이들 모두에서 비방향족 (지환족) 모노머를 선택함으로써 CT 상호작용을 막는 것이다. 그러나, 지환족 화합물의 사용은 일부 심각한 문제를 야기한다. 즉, 부분 혹은 전부 지환족인 PI 필름은 유리전이온도 Tg (>300 oC)가 높음에도 불구하고, 유리질 영역 내에서의 높은 선형 열팽창 계수 CTE (>60 ppm K- 1)로 인해 종종 열악한 열적 치수안정성을 갖는다. 이러한 높은 선형 열팽창 계수는 실제로 3 차원으로 무작위하게 배치된 사슬 (chain) 배향으로부터 발생한다. 지환족 모노머의 대부분은 비선형/비평면 입체 구조로 이루어진다. 그 결과 PI 주사슬의 선형도는 완전히 파괴된다. 이러한 뒤틀린 백본 구조는 열적 이미드화 과정에서 X-Y 방향 (이하 "평면 배향")을 따라 사슬 배향이 고도로 정렬될 수 없다. 지환족 모노머 중 1,2,3,4-사이클로부탄테트라카복실산 이무수물 (CBDA, 1,2,3,4- cyclobutanetetracarboxylic dianhydride) 및 trans-1,4-사이클로헥산디아민 (t-CHDA, trans-1,4-cyclohexanediamine)은 강직하고 선형 구조인 드문 케이스이다. 그러나, 이러한 모노머가 사용된 최종 PI는 용액 공정이 불가능하다. 반면, 4,4’-(헥사플루오로이소프로필리덴) (6FDA, 4,4’-(hexafluoroisopropylidene) diphthalic anhydride) 및 2,2’-비스(트리플루오로메틸)벤지딘 (TFMB, bis(trifluoromethyl)benzidine)에서 유래한 전부 방향족인 PI 시스템은 6-FDA 기반 디이미드 단위체의 비선형/비-동일 평면 입체 구조로 인해 낮은 선형 열팽창 계수를 갖지 않음에도 불구하고, 투명성이 높고, 용해도가 우수한 매우 제한적인 케이스이다. 그러나, 상기 TFMB 및 6FDA로부터 제조된 PI는 높은 유리전이온도 (Tg>300 oC), 6FDA-기재 디이미드 구조단위의 비선형/비평면적 입체 구조에 기인한 낮은 두께방향 복굴절 값(△nth), 및 높은 가격이라는 단점을 가진다.
따라서, 목표하는 다양한 특성을 동시에 만족하는 신뢰성이 높은 플라스틱 기재료를 개발하는 것은 매우 어렵다.
본원 발명자들은 열적 안정성 및 광학적 투명성을 동시에 충족하는 폴리이미드를 제조할 수 있는 신규한 화합물을 합성하였으며, 상기 화합물을 사용하여 제조한 중합체가 특정 광학 특성, 예를 들어, 높은 투명성과 함께 높은 두께방향 복굴절(Out-of-plane birefringence)을 가지고, 또한 충분한 내열성을 가지면서도 낮은 유리전이온도 (Tg < 250℃)를 가져 용액 공정이 가능함을 확인하여 본 발명을 완성하였다. 상기 화합물은 하기 화학식 1로 표현될 수 있다:
[화학식 1]
Figure 112018011264311-pat00018
상기 화학식 1에서,
R1 및 R2 는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아실기, 히드록시기, 할로겐기, 니트로기, -NR'R" (여기서, R' 및 R"은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, 또는 C6 내지 C30 아릴기이다), -SiR'R"R"' (여기서 R', R", 및 R"'은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, 또는 C6 내지 C30 아릴기이다), 또는 이들의 조합이고,
o 및 p는 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이고,
A1는 C6 내지 C30 방향족 유기기이고,
Ra는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된C2 내지 C30 헤테로아릴기, 히드록시기, 할로겐기, 니트로기, -NR'R" (여기서, R' 및 R"은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C7 내지 C30 아릴알킬기이다), -CO-NR'R" (여기서, R' 및 R"은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C7 내지 C30 아릴알킬기이다), -SiR'R"R"' (여기서 R', R", 및 R"'은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C7 내지 C30 아릴알킬기이다), 또는 하기 화학식 2로 표시되는 기이다:
[화학식 2]
Figure 112018011264311-pat00019
상기 화학식 2에서,
L2 및 L3은 각각 독립적으로, O, CO, COO, C≡C, 또는 CONRb (여기서, Rb는 수소 또는 C1 내지 C30알킬기이다)이고,
A2 및 A3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 고리, 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기이고,
q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이되, q+r은 1 이상의 정수이고,
m은 1 이상의 정수이고,
k 및 n은 각각 독립적으로 0 이상의 정수이다.
일 구현예에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 코어를 중심으로 양쪽 디언하이드라이드기가 카르보닐기(C=O)로 연결됨으로써 전체적으로 강직한 (rigid) 평면 (planar) 구조를 가지면서도, 코어의 측쇄에 벌키(bulky)한 치환체를 포함함으로써, 보다 높은 분자 부피 및 비대칭 구조를 가져 그로부터 제조되는 중합체의 용해도를 개선시키고, 또한 중합체 사슬간 적층 구조 및 전하이동을 감소시켜 광학적 특성 또한 개선할 수 있다.
강직한 (rigid) 평면 구조는 보다 낮은 선형 열팽창계수, 높은 유리전이온도, 높은 두께방향 위상차, 및 높은 기계적 물성 등을 가짐에 유리하나, 이로 인해 중합체 사슬간 적층 구조를 형성하여 전하이동착체(CTC)를 형성함으로써 그로부터 제조되는 중합체가 노란색을 띄게 하여 광학 특성이 불리하고, 또한, 중합체 사슬간 치밀한 적층 구조는 용액 공정을 불가능하게 할 수 있다. 상기 구현예에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물의 경우, 전체적으로는 강직한 평면 구조를 가지지만, 코어의 측쇄에 벌키한 치환체를 포함함으로써, 분자간 착체 및 전하이동착체의 형성을 감소시키고, 그로 인한 광학 특성의 저하를 감소시키는 반면, 전체적인 평면 구조로 인해 높은 열 안정성, 낮은 선형 열팽창 계수, 높은 두께방향 복굴절 값, 및 우수한 기계적 물성을 유지할 수 있다. 따라서, 일 구현예예 따라 코어에 벌키한 측쇄를 포함하며, 양쪽 디언하이드라이드기가 상기 코어와 카르보닐기에 의해 결합된 에스터 구조를 포함하는 신규한 디언하이드라이드를 방향족 디아민 등과 반응시켜 제조되는 폴리에스터-이미드(PEI) 중합체는 높은 열 안정성과 우수한 광학 특성을 모두 충족할 수 있다. 나아가, 상기 구현예에 따른 화합물은, 후술하는 실시예를 통해 알 수 있는 것처럼, 용이하게 입수 가능한 저렴한 출발 물질로부터 값싸게 제조할 수 있음에 따라, 기존에 우수한 광학 특성 및 기계적 물성을 나타내는 특정 값비싼 방향족 디아민 또는 방향족 디언하이드라이드에 비해 제조 원가를 낮출 수 있는 효과도 있다.
일 실시예에서, 상기 화학식 1의 o 및 p는 각각 독립적으로 0 또는 1일 수 있고, A1는 C6 내지 C30 방향족 유기기, 예를 들어, C6 내지 C20 방향족 유기기, 예를 들어, C6 내지 C12 방향족 유기기, 예를 들어, C6 내지 C10 방향족 유기기, 예를 들어, 벤젠 고리일 수 있고,
Ra는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된C2 내지 C20 헤테로아릴기, 할로겐기, -NR'R" (여기서, R' 및 R"은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C7 내지 C30 아릴알킬기이다), 또는 하기 화학식 2로 표시되는 기일 수 있다:
[화학식 2]
Figure 112018011264311-pat00020
상기 화학식 2에서,
L2 및 L3은 각각 독립적으로, COO, C≡C, 또는 CONRb (여기서, Rb는 수소 또는 C1 내지 C20 알킬기이다), 예를 들어, COO, C≡C, 또는 CONRb (여기서, Rb는 수소 또는 C1 내지 C20 알킬기이다), 예를 들어, COO, C≡C, 또는 CONH일 수 있고,
A2 및 A3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 방향족 고리기, 예를 들어, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C16 방향족 고리, 예를 들어, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 방향족 고리, 예를 들어, 벤젠 고리이거나, 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 예를 들어, 치환 또는 비치환된 페닐알킬기, 예를 들어, 페닐메틸기, 페닐에틸기, 페닐프로필기, 페닐부틸기, 또는 페닐펜틸기일 수 있고,
q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이되, 1≤q+r≤2일 수 있고,
m은 1 내지 3, 예를 들어, 1 또는 2일 수 있고,
k 및 n은 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수, 예를 들어, 0 내지 5의 정수, 예를 들어, 0 내지 3의 정수, 예를 들어, 0 내지 2의 정수, 예를 들어, 0 또는 1, 예를 들어, 모두 0일 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 3 또는 하기 화학식 4로 표시되는 화합물일 수 있다:
[화학식 3]
Figure 112018011264311-pat00021
[화학식 4]
Figure 112018011264311-pat00022
상기 화학식 3과 화학식 4에서,
R1 및 R2 는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아실기, 히드록시기, 할로겐기, 니트로기, -NR'R" (여기서, R' 및 R"은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, 또는 C6 내지 C30 아릴기이다), -SiR'R"R"' (여기서 R', R", 및 R"'은 각각 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C20 알킬기이다), 또는 이들의 조합일 수 있고,
o 및 p는 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수, 예를 들어, 각각 독립적으로 0 또는 1이거나, 또는 예를 들어, o 및 p는 모두 0일 수 있고,
A1는 C6 내지 C30 방향족 유기기, 예를 들어, C6 내지 C20 방향족 유기기, 예를 들어, C6 내지 C16 방향족 유기기, 예를 들어, C6 내지 C12 방향족 유기기, 예를 들어, 벤젠 고리일 수 있고,
Ra는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 히드록시기, 할로겐기, 니트로기, -NR'R" (여기서, R' 및 R"은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C7 내지 C30 아릴알킬기이다), -CO-NR'R" (여기서, R' 및 R"은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C7 내지 C30 아릴알킬기이다), -SiR'R"R"' (여기서 R', R", 및 R"'은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C7 내지 C30 아릴알킬기이다), 또는 하기 화학식 2로 표시되는 기일 수 있다:
[화학식 2]
Figure 112018011264311-pat00023
상기 화학식 2에서,
L2 및 L3은 각각 독립적으로, O, CO, COO, C≡C, 또는 CONRb (여기서, Rb는 수소 또는 C1 내지 C20 알킬기이다), 예를 들어, COO, C≡C, 또는 CONRb (여기서, Rb는 수소 또는 C1 내지 C20 알킬기이다), 예를 들어, COO, C≡C, 또는 CONH일 수 있고,
A2 및 A3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 고리, 예를 들어, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C16 방향족 고리, 예를 들어, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 방향족 고리, 예를 들어, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10 방향족 고리, 예를 들어, 벤젠 고리이거나, 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리, 예를 들어, 비치환된 플루오렌 고리이거나, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 예를 들어, 치환 또는 비치환된 페닐메틸기, 치환 또는 비치환된 페닐에틸기, 치환 또는 비치환된 페닐프로필기, 치환 또는 비치환된 페닐부틸기, 또는 치환 또는 비치환된 페닐팬틸기일 수 있고,
q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이되, q+r은 1 이상의 정수일 수 있거나, 예를 들어, q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이되, 단 1≤q+r≤2일 수 있고,
m은 1 이상의 정수, 예를 들어, 1 내지 3, 예를 들어, 1 또는 2, 예를 들어, 1일 수 있고,
k 및 n은 각각 독립적으로 0 이상의 정수, 예를 들어, 0 내지 10의 정수, 예를 들어, 0 내지 5의 정수, 예를 들어, 0 내지 3의 정수, 예를 들어, 0 내지 2의 정수, 예를 들어, 0 또는 1, 또는 예를 들어, k 및 n이 모두 0일 수 있다.
상기 화학식 3과 화학식 4에서,
o 및 p는 각각 독립적으로 0 또는 1, 예를 들어, o와 p는 모두 0일 수 있고, A1는 C6 내지 C20 방향족 유기기, 예를 들어, 벤젠 고리일 수 있고,
Ra는 수소, 치환 또는 비치환된C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 할로겐기, -NR'R" (여기서, R' 및 R"은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C7 내지 C30 아릴알킬기이다), 또는 하기 화학식 2로 표시되는 기일 수 있다:
[화학식 2]
Figure 112018011264311-pat00024
상기 화학식 2에서,
L2 및 L3은 각각 독립적으로, COO, C≡C, 또는 CONRb (여기서, Rb는 수소 또는 C1 내지 C20 알킬기이다)이고,
A2 및 A3은 각각 독립적으로 벤젠 고리, 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기이고,
q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이되, 1≤q+r≤2이고,
m은 1 내지 3이고,
k 및 n은 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수일 수 있다.
상기 화학식 3과 화학식 4에서,
o 및 p는 모두 0이고,
A1는 벤젠 고리이고,
Ra는 수소, 치환 또는 비치환된C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 헤테로아릴기, 또는 하기 화학식 2로 표시되는 기일 수 있다:
[화학식 2]
Figure 112018011264311-pat00025
상기 화학식 2에서,
L2 및 L3은 각각 독립적으로, COO, C≡C, 또는 CONH이고,
A2 및 A3은 각각 독립적으로 벤젠 고리. 플루오렌 고리, 또는 C7 내지 C20 아릴알킬기이고,
q 및 r은 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이되, 0≤q+r≤1이고,
m은 1이고, k 및 n은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수일 수 있다.
일 구현예에 따른 상기 화합물의 구체예로서 하기 화합물 P-1 내지 P-8로 표시한 화합물들을 들 수 있으나, 이들로 제한되는 것이 아니다:
[화합물 P-1]
Figure 112018011264311-pat00026
[화합물 P-2]
Figure 112018011264311-pat00027
[화합물 P-3]
Figure 112018011264311-pat00028
[화합물 P-4]
Figure 112018011264311-pat00029
[화합물 P-5]
Figure 112018011264311-pat00030
[화합물 P-6]
Figure 112018011264311-pat00031
[화합물 P-7]
Figure 112018011264311-pat00032
[화합물 P-8]
Figure 112018011264311-pat00033
일 구현예에 따른 상기 화학식 1로 표시한 화합물은, 2,3-디카르복실 하이드로퀴논으로부터 제조되거나 또는 상업적으로 구입 가능한 프탈산 무수물을 DMAc (디메틸아세트아마이드) 등의 유기 용매에 녹인 후, 여기에 아민 화합물, 예를 들어, 한 끝단에 아미노기를 갖는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 포함 화합물, 또는 히드록시아민, 할로겐화아민, 니트로아민, 실릴아민 등의 아민 화합물을 첨가하여 반응시킴으로써 프탈산 이미드를 제조한 후, 상기 프탈산 이미드에 치환된 두 하이드록실기를 트리멜리트산 무수물 클로라이드로 에스테르화함으로써 제조될 수 있다.
예를 들어, 상기 화합물 P-1은 하기 반응식 1에 따라 제조할 수 있다:
[반응식 1]
Figure 112018011264311-pat00034
상기 반응식 1에서, "PTSA"는 "파라-톨루엔술폰산"을 의미하고, "DMAC"는 용매 "디메틸아세트아마이드"를 의미하고, "MeCN"은 "메틸 사이어나이드 또는 아세토니트릴"을 의미한다.
상기 반응식 1로 나타낸 것과 같이, 일 구현예에 따른 화합물은 값싸게 구입할 수 있거나, 또는 값싸게 구입할 수 있는 화합물로부터 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 기술자들이 공지된 방법을 통해 용이하게 제조 가능한 프탈산 무수물을 먼저 제조한 후, 이를 원하는 치환기를 가지는 아민 화합물과 반응시켜 프탈산 이미드를 제조하고, 제조된 프탈산 이미드의 벤젠 고리에 결합된 두 개 하이드록시기만을 트리멜리트산 무수물 클로라이드로 에스테르화하는 것만으로 용이하게 제조할 수 있다. 즉, 프탈산 무수물을 원하는 치환기를 가지는 아민 화합물로 이미드화함으로써, 원하는 용도에 따라 다양한 치환기를 가지는 화학식 1로 표시되는 화합물들을 용이하게 제조할 수 있다.
일 구현예에 따른 화합물은 양 말단이 언하이드라이드인 디언하이드라이드 화합물이며, 따라서, 동 몰량의 디아민 화합물과 반응하여 폴리이미드를 형성할 수 있다. 또한, 상기 화합물은 코어와 언하이드라이드기 사이가 에스테르 결합으로 연결됨에 따라, 상기 화합물과 디아민을 반응시켜 제조되는 중합체는 폴리에스테르이미드(PEI)일 수 있다.
따라서, 다른 일 구현예에서는, 일 구현예에 따른 화합물을 포함하는 디언하이드라이드와 디아민을 포함하는 혼합물의 반응 생성물인 중합체를 제공한다.
상기 디아민은 하기 화학식 5로 표시될 수 있다:
[화학식 5]
NH2-Rc-NH2
상기 화학식 5에서,
Rc는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기를 포함하고, 상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기는 치환 또는 비치환된 하나의 방향족 고리로 존재하거나; 치환 또는 비치환된 2 이상의 방향족 고리가 서로 접합되어 축합 고리를 형성하거나; 또는 치환 또는 비치환된 상기 하나의 방향족 고리 및/또는 2 이상의 방향족 고리가 접합된 축합고리가 단일결합, 또는 플루오레닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 아릴렌기, -O-, -S-, -C(=O)-, -CH(OH)-, -S(=O)2-, -Si(CH3)2-, -(CH2)p- (여기서, 1≤p≤10), -(CF2)q- (여기서, 1≤q≤10), -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -C(=O)NH-, 또는 이들의 조합인 작용기에 의해 연결될 수 있다.
일 구현예에 따른 화합물과 상기 화학식 5로 표시되는 디아민을 반응시켜 제조되는 중합체는 하기 화학식 13으로 표시되는 제1 이미드 구조단위를 포함할 수 있다:
[화학식 13]
Figure 112018011264311-pat00035
상기 화학식 13에서, Ra, A1, m, k, n, R1, R2, o, 및 p는 모두 상기 화학식 1에서 정의한 것과 같고, Rc는 상기 화학식 5에서 정의한 것과 같다.
일 구현예에 따른 화합물이 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물인 경우, 상기 제1 이미드 구조단위는 하기 화학식 14로 표시될 수 있다:
[화학식 14]
Figure 112018011264311-pat00036
일 구현예에 따른 화합물이 상기 화학식 4로 표시되는 화합물인 경우, 상기 제1 이미드 구조단위는 하기 화학식 15로 표시될 수 있다:
[화학식 15]
Figure 112018011264311-pat00037
상기 화학식 14 및 화학식 15에서, Ra, A1, m, k, n, R1, R2, o, 및 p는 모두 상기 화학식 1에서 정의한 것과 같고, Rc는 상기 화학식 5에서 정의한 것과 같다.
상기 화학식 5로 표시되는 디아민은 하기 화학식 6 내지 화학식 8 중 하나 이상으로 표시될 수 있다:
[화학식 6]
Figure 112018011264311-pat00038
상기 화학식 6에서,
Rd는 하기 화학식으로 이루어진 군으로부터 선택되고:
,
R7 및 R8은, 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로, 할로겐, 히드록시기, 알콕시기(-OR200, 여기서 R200은 C1 내지 C10 지방족 유기기임), 실릴기(-SiR201R202R203, 여기서 R201, R202 및 R203은 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 수소, 또는 C1 내지 C10 지방족 유기기임), 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 지방족 유기기, 또는 C6 내지 C20 방향족 유기기이고,
n1 및 n2는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이다;
[화학식 7]
상기 화학식 7에서,
R26 및 R27은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로, -CF3, -CCl3, -CBr3, -CI3, -NO2, -CN, -COCH3 또는 -CO2C2H5로부터 선택되는 전자 흡인기(electron withdrawing group)이고,
R28 및 R29는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로, 할로겐, 히드록시기, 알콕시기(-OR204, 여기서 R204는 C1 내지 C10 지방족 유기기임), 실릴기(-SiR205R206R207, 여기서 R205, R206 및 R207은 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 수소, 또는 C1 내지 C10 지방족 유기기임), 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 지방족 유기기, 또는 C6 내지 C20 방향족 유기기이고,
n3은 1 내지 4의 정수이고, n5는 0 내지 3의 정수이고, n3+n5는 1 내지 4의 정수이고,
n4는 1 내지 4의 정수이고, n6은 0 내지 3의 정수이고, n4+n6은 1 내지 4의 정수이다;
[화학식 8]
상기 화학식 8에서,
R14는 O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p(여기서, 1≤p≤10), (CF2)q(여기서, 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2, C(=O)NH, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기를 포함하고, 상기 방향족 유기기는 단독으로 존재하거나; 2개 이상이 서로 접합되어 축합 고리를 형성하거나; 2개 이상이 단일결합, 또는 플루오레닐렌기, O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p(여기서, 1≤p≤10), (CF2)q(여기서, 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2 또는 C(=O)NH의 작용기에 의해 연결되어 있고,
R16 및 R17은 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 할로겐, 히드록시기, 알콕시기(-OR212, 여기서 R212는 C1 내지 C10 지방족 유기기임), 실릴기(-SiR213R214R215, 여기서 R213, R214 및 R215는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C10 지방족 유기기임), 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 지방족 유기기, 또는 C6 내지 C20 방향족 유기기이고,
n9 및 n10은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이다.
일 구현예에 따른 중합체는, 상기 화학식 7로 표시되는 디아민과 상기 화학식 8로 표시되는 디아민 중 하나 이상을 포함하고, 상기 화학식 7로 표시되는 디아민은 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine, TFDB)을 포함하고, 상기 화학식 8로 표시되는 디아민은 4,4'-디아미노디페닐 술폰(4,4'-diaminodiphenyl sulfone, DADPS)을 포함하는 반응물의 생성물일 수 있다.
일 구현예에 따른 중합체가 상기 화학식 1로 표시되는 화합물과 디아민으로서 TFDB를 반응시켜 제조되는 경우, 상기 제1 이미드 구조단위는 하기 화학식 16으로 표시되는 구조단위를 포함할 수 있다:
[화학식 16]
Figure 112018011264311-pat00042
일 구현예에 따른 중합체가 상기 화학식 1로 표시되는 화합물과 디아민으로서 DADPS를 반응시켜 제조되는 경우, 상기 제1 이미드 구조단위는 하기 화학식 17로 표시되는 구조단위를 포함할 수 있다:
[화학식 17]
Figure 112018011264311-pat00043
상기 화학식 16 및 화학식 17에서, Ra, A1, m, k, n, R1, R2, o, 및 p는 모두 상기 화학식 1에서 정의한 것과 같다.
일 구현예에 따른 중합체는 일 구현예에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 외 디언하이드라이드 화합물로서 하기 화학식 9로 표시되는 화합물을 더 포함하는 반응물의 생성물일 수 있다:
[화학식 9]
상기 화학식 9에서,
R10은 단일결합, -O-, -S-, -C(=O)-, -CH(OH)-, -C(=O)NH-, -S(=O)2-, -Si(CH3)2-, -(CH2)p- (여기서, 1≤p≤10), -(CF2)q- (여기서, 1≤q≤10), -C(CnH2n+1)2-, -C(CnF2n + 1)2-, -(CH2)p-C(CnH2n + 1)2-(CH2)q-, 또는 -(CH2)p-C(CnF2n + 1)2-(CH2)q- (여기서 1≤n≤10, 1≤p≤10, 및 1≤q≤10) 기이고,
R12 및 R13 는, 각각 독립적으로, 할로겐, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 지방족 유기기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 방향족 유기기, -OR201 기(여기서, R201 은 C1 내지 C10 지방족 유기기), 또는 -SiR210R211R212 (여기서 R210, R211, 및 R212 는 각각 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C10 지방족 유기기) 기이고,
n7 및 n8은, 각각 독립적으로, 0 내지 3의 정수 중 하나이다.
상기 화학식 9로 표시되는 디언하이드라이드는 하기 화학식 10으로 표시되는 디언하이드라이드, 하기 화학식 11로 표시되는 디언하이드라이드, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다:
[화학식 10]
[화학식 11]
상기 화학식 10 및 화학식 11에서,
R12 및 R13은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로, 할로겐, 히드록시기, 알콕시기(-OR208, 여기서 R208은 C1 내지 C10 지방족 유기기임), 실릴기(-SiR209R210R211, 여기서 R209, R210 및 R211은 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C10 지방족 유기기임), 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 지방족 유기기, 또는 C6 내지 C20 방향족 유기기이고,
n7 및 n8은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이다.
일 구현예에 따른 중합체가 상기 화학식 9로 표시되는 디언하이드라이드를 더 포함하는 반응물의 생성물인 경우, 상기 중합체는 하기 화학식 18로 표시되는 제2 이미드 구조단위를 더 포함할 수 있다:
[화학식 18]
Figure 112018011264311-pat00047
상기 화학식 18에서, R10, R12, R13, n7, 및 n8은 상기 화학식 9에서 정의한 것과 같고, Rc는 상기 화학식 5에서 정의한 것과 같다.
상기 화학식 18로 표시되는 제2 이미드 구조단위는 하기 화학식 19로 표시되는 구조단위, 하기 화학식 20으로 표시되는 구조단위, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다:
[화학식 19]
Figure 112018011264311-pat00048
[화학식 20]
Figure 112018011264311-pat00049
상기 화학식 19 및 화학식 20에서, R12, R13, n7, 및 n8은 모두 상기 화학식 9에서 정의한 것과 같고, 상기 Rc는 상기 화학식 5에서 정의한 것과 같다.
일 구현예에 따른 중합체는, 상기 반응물에 하기 화학식 12로 표시되는 디카르복실산 유도체를 더 포함하는 혼합물의 반응 생성물일 수 있다:
[화학식 12]
상기 화학식 12에서,
R3은 치환 또는 비치환된 페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기이고, X는 각각 동일하거나 상이한 할로겐 원자이다.
상기 화학식 12에서, R3은 페닐렌기 및 바이페닐렌기 중 하나이고, X는 각각 독립적으로 Cl 또는 Br일 수 있다.
일 구현예에 따른 중합체가 상기 화학식12로 표시되는 디카르복실산 유도체를 더 포함하는 반응물의 생성물일 경우, 상기 디카르복실산 유도체는 상기 화학식 5로 표시한 디아민과 반응하여 하기 화학식 21로 표시한 아미드 구조단위를 형성할 수 있다:
[화학식 21]
Figure 112018011264311-pat00051
상기 화학식 21에서, Rc는 상기 화학식 5에서 정의한 것과 같고, R3는 상기 화학식 12에서 정의한 것과 같다.
일 실시예에서, 상기 구현예에 따른 중합체가 디아민으로서 TFDB를 포함하고, 상기 화학식 3으로 표시한 디카르복실산 유도체로서 R3가 페닐렌기이고 X가 Cl인 테레프탈로일 클로라이드 (Terephthaloyl Chloride: TPCl)를 포함하는 반응물의 생성물인 경우, 상기 화학식 21로 표시되는 구조단위는 하기 화학식 22로 표시되는 구조단위를 포함할 수 있다:
[화학식 22]
Figure 112018011264311-pat00052
일 실시예에서, 상기 구현예에 따른 중합체가 디아민으로서 DADPS를 포함하고, 상기 화학식 3으로 표시한 디카르복실산 유도체로서 R3가 페닐렌기이고 X가 Cl인 테레프탈로일 클로라이드 (Terephthaloyl Chloride: TPCl)를 포함하는 반응물의 생성물인 경우, 상기 화학식 21로 표시되는 구조단위는 하기 화학식 23으로 표시되는 구조단위를 포함할 수 있다:
[화학식 23]
Figure 112018011264311-pat00053
일 실시예에서, 상기 중합체는 일 구현예에 따른 화합물, 예를 들어, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물, 상기 화학식 4로 표시되는 화합물, 또는 이들의 조합과, 상기 화학식 9로 표시되는 디언하이드라이드, 예를 들어, 상기 화학식 10으로 표시되는 디언하이드라이드, 상기 화학식 11로 표시되는 디언하이드라이드, 또는 이들의 조합을 약 99:1 내지 약 1:99의 몰비, 예를 들어, 약 90:10 내지 약 10:90의 몰비, 예를 들어, 약 85:15 내지 약 15:85의 몰비, 예를 들어, 약 80:20 내지 약 20:80의 몰비, 예를 들어, 약 75:25 내지 약 25:37의 몰비, 예를 들어, 약 70:30 내지 약 30:70의 몰비, 예를 들어, 약 65:35 내지 약 35:65의 몰비, 예를 들어, 약 60:40 내지 약 40:60 몰비, 예를 들어 약 55:45 내지 약 56:55의 몰비, 예를 들어, 약 50:50로 포함하는 혼합물의 반응 생성물일 수 있다.
상기 범위 내에서 일 구현예에 따른 화합물과 화학식 9로 표시되는 디언하이드라이드의 비율을 적절히 조절함으로써, 원하는 광학 특성 및/또는 높은 내열성을 가지는 폴리이미드계 중합체를 제조할 수 있다.
상기 중합체는, 예컨대 필름 형태로 준비되어 중합체 필름으로 사용될 수 있다. 중합체 필름은 예컨대 투명할 수 있으며, 투명성이 요구되는 어떠한 용도로도 사용될 수 있다. 중합체 필름은 예컨대 기판, 보호 필름, 보상 필름, 광학 필름, 유전층, 절연층, 접착층 등 다양한 용도로 사용될 수 있다.
이하 일 실시예에 따른 보상 필름을 설명한다.
일 실시예에 따른 보상 필름은 전술한 중합체를 포함한다.
일 실시예에 따른 보상 필름은 일 구현예에 따른 화합물, 즉, 화학식 1로 표시되는 화합물과 디아민을 반응시켜 제조되는 상기 화학식 13 내지 17 중 하나 이상으로 표시되는 제1 이미드 구조단위를 포함하는 폴리이미드계 중합체를 포함할 수 있다.
또는, 상기 보상 필름은, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 외에 추가의 디언하이드라이드인 상기 화학식 9로 표시되는 디언하이드를 더 포함하는 혼합물의 반응 생성물인 폴리이미드계 중합체를 포함할 수 있고, 이 중합체는 상기 제1 이미드 구조단위 외에, 추가로 상기 화학식 18 내지 20 중 하나 이상으로 표시되는 제2 이미드 구조단위를 더 포함할 수 있다.
나아가, 상기 보상 필름은, 상기 화학식 12로 표시되는 디카르복실산 유도체를 더 포함하는 혼합물의 반응 생성물인 폴리(아미드-이미드) 중합체를 포함할 수 있고, 이 중합체는 상기 제1 이미드 구조단위 외에, 상기 화학식 21 내지 23 중 하나 이상으로 표시되는 아미드 구조단위를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 보상 필름은, 상기 화학식 13 내지 17 중 하나 이상으로 표시되는 제1 이미드 구조단위와, 상기 화학식 18 내지 20 중 하나 이상으로 표시되는 제2 이미드 구조단위, 및 상기 화학식 21 내지 23 중 하나 이상으로 표시되는 아미드 구조단위를 모두 포함하는 폴리(아미드-이미드) 공중합체를 포함할 수 있다.
상기한 구조단위 외에도, 일 구현예에 따른 중합체는, 필요에 따라, 상기 제1 이미드 구조단위와 함께, 추가의 비제한적인 디언하이드라이드, 디아민, 및/또는 디카르복실산 유도체 혼합물의 반응 생성물인 구조단위를 더 포함할 수 있다. 추가의 디언하이드라이드, 디아민, 및/또는 디카르복실산 유도체인 화합물들은, 그들로부터 제조되는 중합체 및/또는 공중합체로부터 제조되는 성형품, 예를 들어, 광학 필름, 예를 들어 보상 필름의 기능을 강화할 수 있는 것이라면 어떤 종류라도 함께 사용 가능하며, 특별히 제한되지 않는다.
일 구현예에 따른 중합체로부터 제조되는 필름은 높은 열 안정성, 예를 들어, 높은 유리전이온도, 예를 들어, 약 150℃ 이상의 유리전이온도, 예를 들어, 약 160℃ 이상의 유리전이온도, 예를 들어, 약 170℃ 이상의 유리전이온도, 예를 들어, 약 180℃ 이상의 유리전이온도, 예를 들어, 약 190℃ 이상의 유리전이온도, 예를 들어, 약 200℃ 이상의 유리전이온도, 예를 들어, 약 210℃ 이상의 유리전이온도, 예를 들어, 약 220℃ 이상의 유리전이온도, 예를 들어, 약 230℃ 이상의 유리전이온도, 예를 들어, 약 240℃ 이상의 유리전이온도, 예를 들어, 약 250℃ 이상의 유리전이온도를 가질 수 있다.
또한, 일 구현예에 따른 중합체로부터 제조되는 필름은 우수한 광학적 특성, 예를 들어, 450 nm 에서의 높은 광 투과율, 예를 들어, 85% 이상의 투과율, 예를 들어, 86% 이상의 투과율, 예를 들어, 87 % 이상의 투과율, 예를 들어, 88% 이상의 투과율, 예를 들어, 89% 이상의 투과율, 예를 들어, 90% 이상의 높은 투과율을 가질 수 있다.
또한, 일 구현예에 따른 중합체로부터 제조되는 필름은 100 ㎛ 이하, 예를 들어, 100 ㎛ 이하, 예를 들어, 80 ㎛ 이하, 예를 들어, 70 ㎛ 이하, 예를 들어, 60 ㎛ 이하, 예를 들어, 50 ㎛ 이하, 예를 들어, 40 ㎛ 이하, 예를 들어, 30 ㎛ 이하, 예를 들어, 20 ㎛ 이하, 예를 들어, 15 ㎛ 이하, 예를 들어, 10 ㎛ 이하, 예를 들어, 5 ㎛ 이하의 얇은 필름 두께에서 높은 두께방향 복굴절 (△nth), 예를 들어, 약 0.03 이상의 복굴절, 예를 들어, 약 0.04 이상의 복굴절, 예를 들어, 약 0.05 이상의 복굴절, 예를 들어, 약 0.06 이상의 복굴절, 예를 들어, 약 0.07 이상의 복굴절, 예를 들어, 약 0.08 이상의 복굴절, 예를 들어, 약 0.09 이상의 복굴절 값을 가질 수 있다.
즉, 일 구현예에 따른 중합체로부터 제조되는 필름은 높은 열 안정성, 예를 들어, 높은 유리전이온도, 및 우수한 광학적 특성, 예를 들어, 450 nm 에서의 높은 광 투과율 및 높은 두께 방향 위상차, 특히 100 ㎛ 이하의 얇은 필름 두께에서 높은 두께방향 위상차를 나타냄에 따라, 보상 필름 등 광학 필름으로 사용하기에 유용할 수 있다.
상기 필름을 보상 필름으로 사용할 경우, 보상 필름은 굴절률 및 파장에 따른 광 흡수 특성을 변화시켜 소정의 위상차를 가질 수 있다.
보상 필름의 위상차(R)는 면내 위상차(Ro)와 두께방향 위상차(Rth)로 나타낼 수 있다. 보상 필름의 면내 위상차(Ro)는 보상 필름의 면내 방향으로 발생하는 위상차로, Ro=(nx-ny)d 로 표현될 수 있다. 보상 필름의 두께방향 위상차(Rth)는 보상 필름의 두께 방향으로 발생하는 위상차로, Rth={[(nx +ny)/2]-nz}d으로 표현될 수 있다. 여기서 nx은 보상 필름의 면내 굴절률이 가장 큰 방향(이하 '지상축(slow axis)'이라 한다)에서의 굴절률이고, ny은 보상 필름의 면내 굴절률이 가장 작은 방향(이하 '진상축(fast axis)'이라 한다)에서의 굴절률이고, nz은 보상 필름의 지상축 및 진상축에 대한 수직 방향의 굴절률이고, d은 보상 필름의 두께이다.
보상 필름은 nx, ny, nz 및/또는 두께(d)를 변화시켜 소정 범위의 면내 위상차 및 두께방향 위상차를 가지도록 조절할 수 있다.
보상 필름의 위상차는 파장에 따라 같거나 다를 수 있다.
일 예로, 상기 보상 필름은 단파장의 빛에 대한 위상차가 장파장의 빛에 대한 위상차보다 더 큰 정파장 분산 위상 지연을 가질 수 있으며, 550nm 파장이 기준 파장이라 할 때, 예컨대 450nm, 550nm 및 650nm 파장에 대한 보상 필름의 위상차(R)는 하기 관계식 1 또는 2를 만족할 수 있다.
[관계식 1]
R(450nm)≥R(550nm)>R(650nm)
[관계식 2]
R(450nm)>R(550nm)≥R(650nm)
일 예로, 상기 보상 필름은 장파장의 빛에 대한 위상차와 단파장의 빛에 대한 위상차가 실질적으로 동일한 플랫 분산 위상 지연을 가질 수 있으며, 예컨대 450nm, 550nm 및 650nm 파장에 대한 보상 필름의 위상차(R)는 하기 관계식 3을 만족할 수 있다.
[관계식 3]
R(450nm)=R(550nm)=R(650nm)
일 예로, 보상 필름은 장파장의 빛에 대한 위상차가 단파장의 빛에 대한 위상차보다 더 큰 역파장 분산 위상 지연을 가질 수 있으며, 예컨대 450nm, 550nm 및 650nm 파장에 대한 보상 필름의 위상차(R)는 하기 관계식 4 또는 5를 만족할 수 있다.
[관계식 4]
R(450nm)≤R(550nm)<R(650nm)
[관계식 5]
R(450nm)<R(550nm)≤R(650nm)
상기 관계식 1 내지 5에서,
R(450nm)는 450nm 파장에 대한 보상 필름의 면내 위상차 또는 두께 방향 위상차이고,
R(550nm)는 550nm 파장에 대한 보상 필름의 면내 위상차 또는 두께 방향 위상차이고,
R(650nm)는 650nm 파장에 대한 보상 필름의 면내 위상차 또는 두께 방향 위상차이다.
상기 보상 필름은 파장에 따라 원하는 위상차를 가지도록 조절할 수 있다.
상기 보상 필름은 높은 복굴절률을 가질 수 있으므로 비교적 얇은 두께를 가질 수 있다. 상기 보상 필름은 예컨대 약 3㎛ 내지 200㎛의 두께를 가질 수 있으며, 상기 범위 내에서 예컨대 약 5㎛ 내지 150㎛의 두께를 가질 수 있으며, 상기 범위 내에서 예컨대 약 5㎛ 내지 100㎛의 두께를 가질 수 있다.
상기 보상 필름은 실질적으로 투명한 중합체를 포함하므로 기판(substrate)으로 사용될 수도 있으며, 이에 따라 상기 보상 필름 하부에 별도의 기판이 생략될 수 있다. 따라서 더욱더 보상 필름의 두께를 줄일 수 있다. 이에 따라 폴더블(foldable) 표시 장치 또는 벤더블(bendable) 표시장치와 같은 플렉서블 표시 장치에도 효과적으로 적용되어 광학 특성 및 표시 특성을 개선할 수 있다.
상기 보상 필름은, 예컨대, 일 구현예에 따른 화합물을 준비하는 단계, 상기 화합물을 중합하여 중합체를 준비하는 단계, 상기 중합체를 필름으로 준비하는 단계, 및 상기 필름을 연신하는 단계에 의해 제조될 수 있다.
상기 보상 필름은, 예컨대, 50℃ 내지 500℃의 온도에서, 약 110% 내지 약 1,000%의 연신율로 연신될 수 있다. 여기서, 연신율은, 보상 필름의 연신 전 길이와 연신 후 길이의 비율을 말하는 것으로, 일축 연신 후 보상 필름이 늘어난 정도를 의미한다. 예컨대, 상기 보상 필름은 일축 연신되어 있을 수 있다.
전술한 보상 필름은 단독으로 사용되거나 다른 보상 필름과 함께 사용될 수 있다.
상기 보상 필름은 편광자와 함께 사용되어 표시 장치의 외부 광의 반사를 방지하는 광학 필름으로 사용될 수 있다. 광학 필름은, 예컨대, 반사방지 필름일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1은 일 구현예에 따른 광학 필름의 개략적인 단면도이고, 도 2는 광학 필름의 외광 반사 방지 원리를 보여주는 개략도이고, 도 3은 편광 필름의 일 예를 도시한 개략도이다.
도 1을 참고하면, 일 구현예에 따른 광학 필름(100)은 편광자(110)와 보상 필름(120)을 포함한다. 보상 필름(120)은 편광자(110)를 통과한 빛을 원편광시켜 위상차를 발생시킬 수 있으며 빛의 반사 및/또는 흡수에 영향을 미칠 수 있다.
일 예로, 광학 필름(100)은 표시 장치의 일측 또는 양측에 구비될 수 있으며, 특히 표시 장치의 화면부 측에 배치되어 외부로부터 유입되는 광이 반사되는 것(이하 '외광 반사'라 한다)을 방지할 수 있다. 따라서 외광 반사에 의한 시인성 저하를 방지할 수 있다.
도 2는 광학 필름의 외광 반사 방지 원리를 보여주는 개략도이다.
도 2를 참고하면, 입사되는 비편광된 광(incident unpolarized light)은 편광자(110)를 통과하면서 두 개의 편광 직교 성분 중 하나의 편광 직교 성분, 즉 제1 편광 직교 성분만이 투과되고, 편광된 광은 보상 필름(120)을 통과하면서 원편광으로 바뀔 수 있다. 상기 원편광된 광은 기판, 전극 등을 포함한 표시 패널(50)에서 반사되면서 원편광 방향이 바뀌게 되고 상기 원편광된 광이 보상 필름(120)을 다시 통과하면서 두 개의 편광 직교 성분 중 다른 하나의 편광 직교 성분, 즉 제2 편광 직교 성분만이 투과될 수 있다. 상기 제2 편광 직교 성분은 편광자(110)를 통과하지 못하여 외부로 광이 방출되지 않으므로 외광 반사 방지 효과를 가질 수 있다.
편광자(110)는 예컨대 편광판 또는 편광필름일 수 있다.
도 3을 참고하면, 편광자(110)는, 예컨대 고분자 수지(71)와 이색성 염료(72)의 용융 혼합물(melt blend)로 만들어진 일체형 구조의 편광 필름일 수 있다.
고분자 수지(71)는, 예컨대 소수성 고분자 수지일 수 있으며, 예컨대 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP) 및 이들의 공중합체와 같은 폴리올레핀; 나일론 및 방향족 폴리아미드와 같은 폴리아미드; 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌테레프탈레이트글리콜(PETG) 및 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN)와 같은 폴리에스테르; 폴리메틸(메타)아크릴레이트와 같은 폴리아크릴; 폴리스티렌(PS) 및 아크릴로니트릴-스티렌 공중합체와 같은 폴리스티렌; 폴리카보네이트; 염화비닐계 수지; 폴리이미드; 설폰 수지; 폴리에테르설폰; 폴리에테르-에테르케톤; 폴리페닐렌 설파이드; 비닐알코올 수지; 비닐리덴클로라이드 수지; 비닐부티랄 수지; 알릴레이트 수지; 폴리옥시메틸렌; 에폭시, 이들의 공중합체 또는 이들의 조합일 수 있다.
이 중에서, 고분자 수지(71)는, 예컨대 폴리올레핀 수지, 폴리아미드 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리아크릴 수지, 폴리스티렌 수지, 이들의 공중합체 또는 이들의 조합일 수 있고, 예컨대 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌테레프탈레이트글리콜(PETG), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 나일론(nylon), 이들의 공중합체 또는 이들의 조합일 수 있다.
이 중에서, 고분자 수지(71)는 폴리올레핀일 수 있다. 폴리올레핀은 예컨대 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌과 폴리프로필렌의 공중합체(PE-PP)에서 선택된 적어도 둘의 혼합물일 수 있고, 예컨대 폴리프로필렌(PP) 및 폴리에틸렌-폴리프로필렌 공중합체(PE-PP)의 혼합물일 수 있다.
고분자 수지(71)는 약 400 내지 780nm의 파장 영역에서 투과도가 약 85% 이상일 수 있다. 고분자 수지(71)는 일축 방향으로 연신되어 있다. 상기 일축 방향은 후술하는 이색성 염료(72)의 길이 방향과 같을 수 있다.
이색성 염료(72)는 고분자 수지(71)에 분산되어 있으며, 고분자 수지(71)의 연신 방향을 따라 일 방향으로 배열되어 있다. 이색성 염료(72)는 소정 파장 영역에 대하여 두 개의 편광 직교 성분 중 하나의 편광 직교 성분만을 투과시킬 수 있다.
이색성 염료(72)는 고분자 수지(71) 100 중량부에 대하여 약 0.01 내지 5 중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위로 포함됨으로써 편광 필름으로 형성시 투과도를 저하시키지 않으면서도 충분한 편광 특성을 나타낼 수 있다. 상기 범위 내에서 고분자 수지(71) 100 중량부에 대하여 약 0.05 내지 1 중량부로 포함될 수 있다.
편광자(110)는 약 100㎛ 이하의 비교적 얇은 두께를 가질 수 있으며, 예컨대 약 30㎛ 내지 약 95㎛의 두께를 가질 수 있다. 상기 범위의 두께를 가짐으로써 트리아세틸셀룰로오즈(TAC)과 같은 보호층이 요구되는 편광판과 비교하여 두께를 크게 줄일 수 있고 이에 따라 박형 표시 장치를 구현할 수 있다.
보상 필름(120)은 전술한 바와 같다.
광학 필름(100)은 보상 필름(120)의 일면에 위치하는 보정층(도시하지 않음)을 더 포함할 수 있다. 보정층은 예컨대 색 변이 방지층(color shift resistant layer)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
광학 필름(100)은 가장자리를 따라 뻗어 있는 차광층(light blocking layer)(도시하지 않음)을 더 포함할 수 있다. 차광층은 광학 필름(100)의 둘레를 따라 띠의 형태로 형성될 수 있으며, 예컨대 편광자(110)와 보상 필름(120) 사이에 위치할 수 있다. 차광층은 불투명한 물질, 예컨대 검은 색의 물질을 포함할 수 있다. 예컨대 차광층은 검은 색 잉크로 만들어질 수 있다.
광학 필름(100)은 다양한 표시 장치에 적용될 수 있다.
일 구현예에 따른 표시 장치는 표시 패널, 그리고 표시 패널의 일면에 위치하는 광학 필름을 포함한다. 표시 패널은 액정 표시 패널 또는 유기 발광 표시 패널일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이하, 표시 장치의 일 예로 유기 발광 표시 장치에 대하여 설명한다.
도 4는 일 구현예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4를 참고하면, 일 구현예에 따른 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 표시 패널(400), 그리고 유기 발광 표시 패널(400)의 일면에 위치하는 광학 필름(100)을 포함한다.
유기 발광 표시 패널(400)은 베이스 기판(410), 하부 전극(420), 유기 발광층(430), 상부 전극(440) 및 봉지 기판(450)을 포함할 수 있다.
베이스 기판(410)은 유리 또는 플라스틱으로 만들어질 수 있다.
하부 전극(420) 및 상부 전극(440) 중 하나는 애노드(anode)이고 다른 하나는 캐소드(cathode)일 수 있다. 애노드는 정공(hole)이 주입되는 전극으로, 일 함수(work function)가 높고 발광된 빛이 외부로 나올 수 있는 투명 도전 물질로 만들어질 수 있으며 예컨대 ITO 또는 IZO 일 수 있다. 캐소드는 전자(electron)가 주입되는 전극으로, 일 함수가 낮고 유기 물질에 영향을 미치지 않는 도전 물질로 만들어질 수 있으며 예컨대 알루미늄(Al), 칼슘(Ca) 및 바륨(Ba)에서 선택될 수 있다.
유기 발광층(430)은 하부 전극(420)과 상부 전극(440)에 전압이 인가되었을 때 빛을 낼 수 있는 유기 물질을 포함한다.
하부 전극(420)과 유기 발광층(430) 사이 및 상부 전극(440)과 유기 발광층(430) 사이에는 부대층(도시하지 않음)을 더 포함할 수 있다. 부대층은 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 정공 전달층(hole transporting layer), 정공 주입층(hole injecting layer), 전자 주입층(electron injecting layer) 및 전자 전달층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다.
봉지 기판(450)은 유리, 금속 또는 고분자로 만들어질 수 있으며, 하부 전극(420), 유기 발광층(430) 및 상부 전극(440)을 봉지하여 외부로부터 수분 및/또는 산소가 유입되는 것을 방지할 수 있다.
광학 필름(100)은 빛이 나오는 측에 배치될 수 있다. 예컨대 베이스 기판(410) 측으로 빛이 나오는 배면 발광(bottom emission) 구조인 경우 베이스 기판(410)의 외측에 배치될 수 있고, 봉지 기판(450) 측으로 빛이 나오는 전면 발광(top emission) 구조인 경우 봉지 기판(450)의 외측에 배치될 수 있다.
광학 필름(100)은 전술한 일체형의 편광자(110)와 일체형의 보상 필름(120)을 포함한다. 편광자(110)와 보상 필름(120)은 각각 전술한 바와 같으며, 편광자(110)를 통과한 빛이 유기 발광 표시 패널(400)의 전극 등과 같은 금속에 의해 반사되어 표시 장치의 외측으로 나오는 것을 방지하여 외부로부터 유입되는 광에 의한 시인성 저하를 방지할 수 있다. 따라서 유기 발광 표시 장치의 표시 특성을 개선할 수 있다.
이하 표시 장치의 일 예로 액정 표시 장치에 대하여 설명한다.
도 5는 일 구현예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5를 참고하면, 일 구현예에 따른 액정 표시 장치는 액정 표시 패널(500), 그리고 액정 표시 패널(500)의 일면 또는 양면에 위치하는 광학 필름(100)을 포함한다.
액정 표시 패널(500)은 트위스트 네마틱(twist nematic, TN) 모드, 수직 배향(patterned vertical alignment, PVA) 모드, 평면 정렬 스위칭(in plane switching, IPS) 모드, OCB(optically compensated bend) 모드 등일 수 있다.
액정 표시 패널(500)은 제1 표시판(510), 제2 표시판(520) 및 제1 표시판(510)과 제2 표시판(520) 사이에 개재되어 있는 액정층(530)을 포함한다.
제1 표시판(510)은 예컨대 기판(도시하지 않음) 위에 형성되어 있는 박막 트랜지스터(도시하지 않음) 및 이에 연결되어 있는 제1 전기장 생성 전극(도시하지 않음)을 포함할 수 있고, 제2 표시판(520)은 예컨대 기판(도시하지 않음) 위에 형성되어 있는 색 필터(도시하지 않음) 및 제2 전기장 생성 전극(도시하지 않음)을 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 색 필터가 제1 표시판(510)에 포함될 수도 있고, 제1 전기장 생성 전극과 제2 전기장 생성 전극이 제1 표시판(510)에 함께 위치할 수도 있다.
액정층(530)은 복수의 액정 분자를 포함할 수 있다. 액정 분자는 양 또는 음의 유전율 이방성을 가질 수 있다. 액정 분자가 양의 유전율 이방성을 가지는 경우 전기장이 없는 상태에서 그 장축이 제1 표시판(510)과 제2 표시판(520)의 표면에 대하여 거의 평행을 이루도록 배향되고 전기장이 인가된 상태에서 그 장축이 제1 표시판(510)과 제2 표시판(520)의 표면에 대하여 거의 수직을 이루도록 배향될 수 있다. 이와 반대로, 액정 분자가 음의 유전율 이방성을 가지는 경우 전기장이 없는 상태에서 그 장축이 제1 표시판(510)과 제2 표시판(520)의 표면에 대하여 거의 수직하게 배향되고 전기장이 인가된 상태에서 그 장축이 제1 표시판(510)과 제2 표시판(520)의 표면에 대하여 거의 평행하게 배향될 수 있다.
광학 필름(100)는 액정 표시 패널(500)의 외측에 위치하며, 도면에서는 액정 표시 패널(500)의 하부 및 상부에 각각 형성된 것으로 도시하였지만, 이에 한정되지 않고 액정 표시 패널(500)의 하부 및 상부 중 어느 하나에만 형성될 수도 있다.
이하 실시예를 통하여 상술한 본 발명의 구현예를 보다 상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
( 실시예 )
실시예 1: 화합물 P-1의 합성
단계 1: 중간체 3,6- 디아세톡시 -N- 벤질프탈이미드 (I- 1)의 합성
3,6-디하이드록시프탈산 (mw=198.13g/mol, 75.7 mmol, m=15g)을 싸이오닐 클로라이드 (mw mw=118.97 g/mol, d=1.64 gr/cm3, 0.76 mol, m=90.4 gr, V=55 mL)에 분산시키고, 상기 혼합물을 8 시간 동안 교반하면서 환류시킨다. 과량의 싸이오닐 클로라이드를 감압 하에 증발시키고, 잔여 용매는 100 mL의 톨루엔을 첨가하고 추가로 증발시켜 제거한다. 결과 고체를 100 mL의 디메틸아세트아미드 (DMAc) 100 mL에 녹이고, 벤질아민(mw=107.16 g/mol, 75.7 mmol, m=8.11 gr)을 첨가하여 결과 혼합물을 100 도씨에서 30 분간 교반한다. 그 후, 아세트산 무수물(mw=102.1 g/mol, 0.75 mol, m=76.6 gr)과 피리딘 (mw=79.1 g/mol, 0.75 mol, m=59.3 gr)을 첨가하여 그 혼합물을 120 도씨에서 30 분간 교반한다. 결과물을 상온으로 냉각시킨 후, 상기 용액에 1L의 물을 첨가하여 희석하면 침전물이 형성된다. 고형물을 여과하여 디클로로메탄을 혼합한 메탄올로 두 번 결정화한다. 결과, 중간체 I-1을 흰색 고체로서 수득한다 (질량 16 gr (mw=353.33 g/mol, 45.4 mol)).
R f = 0.48 (eluent ethylacetate:hexane= 1:2, TLC silica gel 60 F254);
mp=146-147 oC, 이론적 수율 60%,
1H NMR (DMSO-d6) 300 MHz, δ, ppm: 2.36 (s, 6H), 4.68 (s, 2H), 7.25-7.38 (m, 5H), 7.66 (s, 2H).
단계 2: 3 ,6- 디하이드록시 -N- 벤질프탈이미드(I-2)의 합성
단계 1에서 제조된 중간체 I-1 (3,6-디아세톡시-N-벤질프탈이미드) (mw=353.33 g/mol, 22.1 mmol, m=7.8 gr)를 메탄올과 클로로폼을 1:1로 혼합한 혼합물 0.4 리터에 녹인다. 상기 용액에 파라-톨루엔술폰산 모노하이드레이트 (mw=190.22 g/mol, 66.3 mmol, m=12.6 gr)를 첨가하고, 이 혼합물을 60 도씨에서 12 시간 교반한다. 용매를 감압 하에 증발시키고, 잔여 용매는 0.5 리터의 물로 처리한다. 노란색 고체를 여과하고, 물로 깨끗이 세정한 후, 100 도씨에서 12 시간 동안 건조시킨다. 중간체 I-2가 5.8gr의 노란색 결정성 고체로 수득된다 (mw=269.26 g/mol, 21.5mol) (이론적 수율 97.3%).
R f =0.31 (eluent ethylacetate:hexane= 1:2, TLC silica gel 60 F254), mp=202.1 oC,
1H NMR (DMSO-d6) 300 MHz, δ, ppm: 4.65 (s, 2H), 7.08 (s, 2H), 7.24-7.35 (m, 5H), 10.25 (s, 2H, OH).
단계 3: 3 ,6- 디하이드록시프탈이미드 비스 ( 트리멜리트산 에스테르) 디언하이드라이드 화합물 (P- 1)의 제조
단계 2에서 제조된 중간체 I-2 (3,6-디하이드록시-N-벤질프탈이미드) (mw=269.26 g/mol, 21.2mol, m = 5.7 gr)를 트리에틸아민 (mw=101.19 g/mol, 46.6 mol, m = 4.7 gr)과 30 mL의 아세토니트릴의 혼합물에 용해시킨다. 결과 용액을 100 도씨 오일 배쓰에 있는 0.3 리터의 아세토니트릴 내 트리멜리트산 무수물 클로라이드 ((mw=210.57 g/mol, 46.6 mol, m=9.8 gr)의 교반 용액 내에 10 분 내에 적하한다. 결과 혼합물을 4 시간 동안 환류시킨 후, 용해되지 않은 물질들을 제거하기 위해 뜨거운 상태로 여과한다. 나머지 용액을 상온으로 냉각시킨 후 흰색 결정성 물질이 침전된다. 이를 여과하고 소량의 아세토니트릴로 세정한다. 결과 백색 고체를 아세트산 무수물(mw=102.09 g/mol, 0.15 mol, m=15.3 gr)을 첨가한 0.3 L의 아세토니트릴로 두 번 재결정한다. 두 번째 결정화 동안 화합물 용액은 3 시간 동안 환류시킨다.
결정화 후의 고체를 소량의 아세토니트릴로 세정한 후, 90 도씨의 컨벡션 오븐 내에서 12 시간 동안 건조한다. 최종 생성물은 흰색 결정성 고체 10 gr으로 얻어졌다 (mw=617.49 g/mol, 16.2 mmol), (이론적 수율 76,4%).
1H NMR (DMSO-d6) 300 MHz, δ, ppm: 4.67 (s, 2H), 7.23-7.33 (m, 5H), 8.04 (s, 2H), 8.34 (dd, 2H, J12=7.8 Hz, J13=0.3 Hz), 8.68 (d, 2H, J13=0.3 Hz), 8.70 (dd, 2H, J12=7.8 Hz, J13=0.3 Hz)(도 6 참조).
HRMS APCI (m/z) for C33H15NO12: 618.06884 (measured mass), 618.06725 (calculated mass) for [M+H]+ (도. 7 참조).
Thermal analysis: TGA (heating 10 oC/min, N2 atmosphere): 1wt% loss (353 oC) (도 8 참조).
DSC (heating 10 oC/min, N2 atmosphere): mp=242.3 oC (도 9 참조).
실시예 2 내지 6: 폴리에스터 -이미드 합성 및 필름 제조
실시예 1에서 제조된 화합물 P-1을 단독 (실시예 5) 또는 하기 표 1에 기재한 것과 같은 비율로 (실시예 2 내지 4 및 실시예 6) 추가의 디언하이드라이드인 6FDA와 함께 포함하고, 디아민으로서 TFDB 또는 TFDB와 DADPS의 혼합물을 포함하는 반응물로부터 폴리에스터-아믹산을 제조한다.
구체적으로, 디아민인 TFDB 또는 TFDB와 DADPS의 혼합물 1 당량을 건조 용매 DAMc에 녹인 후, 이 용액에, 디언하이드라이드로서 실시예 1에서 제조된 화합물 P-1 1 당량 또는 하기 표 1에 기재된 비율로 추가의 디언하이드라이드인 6FDA와 혼합한 혼합물의 총 합 1 당량을 추가한 후, 25℃에서 24 시간 동안 교반하면서 반응시켜 실시예 2 내지 6에 따른 폴리에스터-아믹산 용액을 얻는다. 얻어진 폴리아믹산 용액을, 3 당량의 아세트산 무수물과 3 당량의 피리딘을 추가하여 25℃에서 12 시간 동안 교반함으로써, 화학적으로 일부 이미드화한 폴리에스터-이미드 용액을 얻는다.
제조된 폴리에스터-이미드 용액을 1,000 rpm 내지 3,000 rpm의 속도로 50 x 50 mm 유리 기판 상에 스핀 코팅한다. 코팅된 필름을 80℃로 세팅된 핫 플레이트(hot plate) 위에서 30 분 동안 건조한 후, 가열로(furnace)에서 10℃/분의 승온 속도로, 약 25℃부터 약 230℃까지 가열하고, 230℃에서 30 분 동안 등온 처리하여 필름을 제조한다.
비교예 1 내지 3: 폴리이미드 또는 폴리에스터 -이미드의 합성 및 필름 제조
실시예 1에서 제조한 화합물 P-1을 사용하지 않고, 디언하이드라이드로서 6FDA 단독, 그리고 디아민으로서 TFDB를 단독 사용하여 1:1로 반응시켜 폴리이미드를 제조한 것을 제외하고, 상기 실시예 2 내지 6에서와 동일한 방법으로 필름을 제조한 것을 비교예 1로 한다.
또한, 디언하이드라이드로서 실시예 1에서 제조한 화합물 P-1을 사용하지 않고, 하기 화학식으로 나타낸 공지의 화합물 TAHQ (hydroquinone bis(trimellitate dianhydride)와 6FDA를 하기 표 1에 기재한 비율로 혼합 사용하고, 디아민으로서 TFDB를 단독 사용하여 1:1로 반응시켜 폴리에스터-이미드를 제조한 것을 제외하고, 상기 실시예 2 내지 6에서와 동일한 방법으로 필름을 제조한 것을 비교예 2로 한다.
또한, 디언하이드라이드로서 실시예 1에서 제조한 화합물 P-1을 사용하지 않고, 대한민국 특허출원 제10-2017-0096550에 개시된 하기 화합물 M-1과 6FDA를 하기 표 1에 기재한 비율로 혼합 사용하고, 디아민으로서 TFDB를 단독 사용하여 1:1로 반응시켜 폴리에스터-이미드를 제조한 것을 제외하고, 상기 실시예 2 내지 6에서와 동일한 방법으로 필름을 제조한 것을 비교예 3으로 한다.
[화합물 TAHQ]
Figure 112018011264311-pat00054
[화합물 M-1]
평가
실시예 2 내지 실시예 6, 및 비교예 1 내지 3에서 제조된 필름 각각의 조성 (composition), 고유 점도(Inherent viscosity: η), 두께, 투과도 (%), 황색지수 (YI), 두께방향 복굴절(out-of-plane birefringence Δnth), 유리전이온도(Glass transition temperature: Tg), 및 필름 1 중량% 분해온도 (Td 1%)를 각각 하기 표 1 에 나타낸다. 상기 필름의 두께, 두께방향 복굴절, 투과도 및 황색지수, 그리고 유리전이온도의 측정 방법은 각각 다음과 같다:
(1) 필름 두께는 Filmetrics F20 (Filmetrics, Inc., Kanagawa, Japan)을 사용하여 측정하였다.
(2) 필름의 두께방향 복굴절(Out-of-plane birefringence Δnth)은 450 nm 파장에서 prism coupler (Metricon MODEL 2010/M)를 사용하여 측정한다.
(3) 필름의 광학적 특성(투과도 및 황색지수)은 "Konica Minolta CM3600d" 스펙트로포토미터를 transmittance opacity/haze 모드로 사용하여 측정한다.
(4) 고유 점도는 DMAc 내 0.5 g/dL의 폴리머 용액에 대해 Cannon PolyVisc Automated Viscosimeter를 사용하여 측정한다.
(5) 유리전이온도(Glass transition temperature (Tg))는 thermal mechanical analyzer (TMA Q400, TA Instruments)를 사용하여 0.05 N의 고정 인장력(fixed tension force), 및 5℃/min의 승온 속도로 50℃ 내지 400℃의 온도 범위에서 측정한다.
Example Composition Ratio,
mol part		 ηinh , dL/g 필름 두께,
μm		 T450,
%		 Y.I.,
%		 Haze,
%		 Δnth Tg,
oC		 Tg,
oC
실시예2 P-1:6-FDA/TFDB 2:8/10 0.63 6.9 90.3 0.43 0.14 0.05193 293 461
실시예3 P-1:6-FDA/TFDB 5:5/10 0.71 4.8 89.9 0.50 0.17 0.06866 259 447
실시예4 P-1:6-FDA/TFDB 8:2/10 0.69 6.3 89.3 0.72 0.29 0.08936 227 420
실시예5 P-1/TFDB 1/1 0.91 4.9 88.9 1.05 0.50 0.1073 201 411
실시예6 P-1:6-FDA/TFDB:DADPS 8:2/2:8 0.54 6.5 89.3 0.57 0.14 0.07445 245 425
비교예1 6-FDA/TFDB 1/1 0.73 5.0 90.6 0.31 0.21 0.0429 320 495
비교예2 TAHQ:6-FDA/TFDB 8:2/10 1.07 5.6 87.5 1.71 0.44 0.1304 244 456
비교예3 M-1:6-FDA/TFDB 8:2/10 0.88 6.1 89.5 0.54 0.24 0.0781 221 372
표 1로부터 알 수 있는 것처럼, 일 구현예에 따른 화합물 P-1을 포함하는 디언하이드라이드를 포함하여 제조되는 폴리에스터-이미드로부터 제조되는 필름은 450 nm 에서 88% 이상의 높은 투과율을 나타내고, 약 1 이하의 낮은 황색지수, 및 낮은 헤이즈를 나타내고, 또한 두께방향 복굴절이 최소 0.05193부터 높게는 약 0.10738까지 매우 높은 값을 나타낸다. 즉, 일 구현예에 따른 화합물을 포함하는 디언하이드로부터 제조되는 폴리에스터-이미드 필름은 광학적 특성이 우수하다. 또한, 유리전이온도도 200℃ 이상으로 높은 값을 가지며, 필름 1 중량%가 분해되는 온도인 Td 1%가 400 ℃ 이상 높음으로써, 충분한 열 안정성을 가짐을 알 수 있다.
한편, 표 1로부터 알 수 있는 것처럼, 디언하이드로서 일 구현예에 따른 화합물 P-1의 함량이 증가할수록 450 nm에서의 투과율, YI, 헤이즈 등의 광학 특성이 조금씩 감소하는 경향이 있으나 크게 불리한 정도는 아닌 반면, 두께방향 복굴절 값은 화합물 P-1의 함량의 증가할수록 현저히 높아져, 디언하이드라이드로서 6-FDA를 사용하지 않고 화합물 P-1만 사용한 경우, 화합물 P-1을 6-FDA 대비 1/4 수준으로 포함한 실시예 2에 비해 2 배로 증가함을 알 수 있다. 즉, 일 구현예예 따른 화합물 P-1은 평면성과 함께 코어에 결합된 입체 장애를 가지는 치환체로 인해 두께방향 복굴절의 증가에 큰 역할을 함을 알 수 있다.
비교예 1은 기존에 높은 열 안정성 및 우수한 광학 특성을 가지는 것으로 알려진 방향족 디언하이드라이드인 6-FDA와 방향족 디아민 TFDB만을 1:1로 반응시켜 제조된 폴리이미드 필름으로서, 이 필름 역시 우수한 광학 특성과 높은 열 안정성을 가짐을 알 수 있으나, 두께방향 복굴절의 경우, 일 구현예에 따른 화합물 P-1을 포함하는 디언하이드라이드로부터 제조된 실시예 2 내지 실시예 6의 필름보다 낮은 값을 나타냄을 알 수 있다.
비교예 2는 상업적으로 구입할 수 있는 공지의 에스터기 포함 디언하이드라이드인 TAHQ를 6-FDA와 8:2로 혼합한 디언하이드라이드와 TFDB를 반응시켜 제조한 폴리에스터-이미드 필름으로서, 두께 방향 복굴절이 0.1304로, 모든 실시예와 비교예에 따른 필름 중 가장 높은 값을 나타낸다. 그러나, 비교예 2에 따른 필름은 450 nm에서의 투과율이 87.5%이고, YI가 1을 초과하여 1.71로, 광학 특성이 실시예 2 내지 6에 따른 필름에 비해 낮음을 알 수 있다. 또한, 상기 표 1에 나타내지는 않았으나, 비교예 2에 따른 필름 제조시, 중합체를 포함하는 용액 내 고형분 함량이 9 중량%로, 다른 모든 실시예(15 내지 20 중량%)와 비교예(15 중량%)에 비해 낮았다. 즉, 비교예 2의 경우, 상기 화학식으로 나타낸 바와 같이, 디언하이드라이드 화합물 코어에 치환기가 치환되지 않음으로써, 그로부터 중합체 중합체 사슬간 패킹이 더욱 높게 나타날 것으로 예상되고, 이는 용액 공정에 불리하기 때문으로 생각된다. 또한, 중합체 사슬간 패킹이 더욱 높게 나타난 결과, 상기 살펴본 바와 같이 광학 특성이 실시예 2 내지 6에 따른 필름보다 낮게 나타난 것으로 생각된다.
비교예 3은, 본원 발명자의 선행 특허출원인 대한민국 특허출원 제10-2017-0096550에 개시된 화합물 M-1을 디언하이드라이드로서 6-FDA와 8:@의 비율로 포함한 혼합물로부터 제조된 폴리에스터-이미드 필름으로서, 이는 상기 화합물 M-1 대신 본원 발명의 구현예에 따른 화합물 P-1을 동일 함량으로 포함하여 제조한 실시예 4에 따른 필름에 대응된다. 이에, 실시예 4와 비교예 3을 비교하면, 비교예 3에 따른 필름이 450 nm에서의 투과율, YI 및 헤이즈는 거의 동등하거나 약간 더 우수하나, 두께방향 복굴절은 실시예 4에 따른 필름이 더 큼을 알 수 있다.
즉, 일 구현예에 따른 에스터기 포함 신규 방향족 디언하이드라이드와 방향족 디아민으로부터 제조되는 폴리에스터-이미드 필름은, 비교예 1에 따른 필름과 같이, 기존에 높은 열 안정성 및 우수한 광학 특성을 가지는 것으로 알려진 특정 방향족 디언하이드라이드 및 방향족 디아민을 반응시켜 제조되는 폴리이미드 필름과 비교하여 동등 또는 보다 우수한 광학 특성을 가지면서도, 충분한 열안정성을 유지하고, 나아가 두께방향 복굴절이 현저히 높게 나타남으로써, 우수한 광학 특성 및 높은 열안정성과 함께 높은 두께방향 복굴절이 요구되는 보상 필름의 제조에 유리하게 사용될 수 있음을 알 수 있다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
100: 광학 필름 110: 편광자
120: 보상 필름 50: 표시 패널
400: 유기 발광 표시 패널
410: 베이스 기판 420: 하부 전극
430: 유기 발광층 440: 상부 전극
450: 봉지 기판 500: 액정 표시 패널
510: 제1 표시판 520: 제2 표시판
530: 액정층

Claims (20)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure 112018011264311-pat00056

    상기 화학식 1에서,
    R1 및 R2 는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아실기, 히드록시기, 할로겐기, 니트로기, -NR'R" (여기서, R' 및 R"은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, 또는 C6 내지 C30 아릴기이다), -SiR'R"R"' (여기서 R', R", 및 R"'은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, 또는 C6 내지 C30 아릴기이다), 또는 이들의 조합이고,
    o 및 p는 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이고,
    A1는 C6 내지 C30 방향족 유기기이고,
    Ra는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된C2 내지 C30 헤테로아릴기, 히드록시기, 할로겐기, 니트로기, -NR'R" (여기서, R' 및 R"은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C7 내지 C30 아릴알킬기이다), -CO-NR'R" (여기서, R' 및 R"은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C7 내지 C30 아릴알킬기이다), -SiR'R"R"' (여기서 R', R", 및 R"'은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C7 내지 C30 아릴알킬기이다), 또는 하기 화학식 2로 표시되는 기이다:
    [화학식 2]
    Figure 112018011264311-pat00057

    상기 화학식 2에서,
    L2 및 L3은 각각 독립적으로, O, CO, COO, C≡C, 또는 CONRb (여기서, Rb는 수소 또는 C1 내지 C30 알킬기이다)이고,
    A2 및 A3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 고리, 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기이고,
    q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이되, q+r은 1 이상의 정수이고,
    m은 1 이상의 정수이고,
    k 및 n 은 각각 독립적으로 0 이상의 정수이다.
  2. 제1항에서,
    상기 화학식 1의 o 및 p는 각각 독립적으로 0 또는 1이고,
    A1는 C6 내지 C20 방향족 유기기이고,
    Ra는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된C2 내지 C20 헤테로아릴기, 할로겐기, -NR'R" (여기서, R' 및 R"은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C7 내지 C30 아릴알킬기이다), 또는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물:
    [화학식 2]
    Figure 112018011264311-pat00058

    상기 화학식 2에서,
    L2 및 L3은 각각 독립적으로, COO, C≡C, 또는 CONRb (여기서, Rb는 수소 또는 C1 내지 C20 알킬기이다)이고,
    A2 및 A3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 방향족 고리, 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리, 치환 또는 비치환된 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기이고,
    q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이되, 1≤q+r≤2이고,
    m은 1 내지 3이고,
    k 및 n은 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수이다.
  3. 제1항에서,
    상기 화학식 1에서, o 및 p는 모두 0이고, A1는 벤젠 고리이고,
    Ra는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된C2 내지 C20 헤테로아릴기, 할로겐기, 또는 하기 화학식 2로 표시되는 기인 화합물:
    [화학식 2]
    Figure 112018011264311-pat00059

    상기 화학식 2에서,
    L2 및 L3은 각각 독립적으로, COO, C≡C, 또는 CONRb (여기서, Rb는 수소 또는 C1 내지 C20 알킬기이다)이고,
    A2 및 A3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 벤젠 고리, 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기이고,
    q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이되, 1≤q+r≤2이고,
    m은 1 또는 2이고,
    k 및 n은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이다.
  4. 제1항에서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물 또는 하기 화학식 4로 표시되는 화합물인 화합물:
    [화학식 3]
    Figure 112018011264311-pat00060

    [화학식 4]
    Figure 112018011264311-pat00061

    상기 화학식 3과 화학식 4에서,
    R1 및 R2 는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아실기, 히드록시기, 할로겐기, 니트로기, -NR'R" (여기서, R' 및 R"은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, 또는 C6 내지 C30 아릴기이다), -SiR'R"R"' (여기서 R', R", 및 R"'은 각각 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C20 알킬기이다), 또는 이들의 조합이고,
    o 및 p는 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이고,
    A1는 C6 내지 C30 방향족 유기기이고,
    Ra는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 히드록시기, 할로겐기, 니트로기, -NR'R" (여기서, R' 및 R"은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C7 내지 C30 아릴알킬기이다), -CO-NR'R" (여기서, R' 및 R"은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C7 내지 C30 아릴알킬기이다), -SiR'R"R"' (여기서 R', R", 및 R"'은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C7 내지 C30 아릴알킬기이다), 또는 하기 화학식 2로 표시되는 기이다:
    [화학식 2]
    Figure 112018011264311-pat00062

    상기 화학식 2에서,
    L2 및 L3은 각각 독립적으로, O, CO, COO, C≡C, 또는 CONRb (여기서, Rb는 수소 또는 C1 내지 C30 알킬기이다)이고,
    A2 및 A3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 고리, 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기이고,
    q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이되, q+r은 1 이상의 정수이고,
    m은 1 이상의 정수이고,
    k 및 n은 각각 독립적으로 0 이상의 정수이다.
  5. 제4항에서,
    상기 화학식 3과 화학식 4의 o 및 p는 각각 독립적으로 0 또는 1이고,
    A1는 C6 내지 C20 방향족 유기기이고,
    Ra는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴기, 할로겐기, -NR'R" (여기서, R' 및 R"은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C7 내지 C30 아릴알킬기이다), 또는 하기 화학식 2로 표시되는 기인 화합물:
    [화학식 2]
    Figure 112018011264311-pat00063

    상기 화학식 2에서,
    L2 및 L3은 각각 독립적으로, COO, C≡C, 또는 CONRb (여기서, Rb는 수소 또는 C1 내지 C20 알킬기이다)이고,
    A2 및 A3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 방향족 고리, 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기이고,
    q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이되, 1≤q+r≤2이고,
    m은 1 내지 3이고,
    k 및 n은 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수이다.
  6. 제4항에서,
    상기 화학식 3과 화학식 4의 o 및 p는 모두 0이고,
    A1는 벤젠 고리이고,
    Ra는 수소, 치환 또는 비치환된C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 헤테로아릴기, 할로겐기, 또는 하기 화학식 2로 표시되는 기인 화합물:
    [화학식 2]
    Figure 112018011264311-pat00064

    상기 화학식 2에서,
    L2 및 L3은 각각 독립적으로, COO, C≡C, 또는 CONRb (여기서, Rb는 수소 또는 C1 내지 C20 알킬기이다)이고,
    A2 및 A3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 벤젠 고리, 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기이고,
    q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이되, 1≤q+r≤2이고,
    m은 1 또는 2이고,
    k 및 n은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이다.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 디언하이드라이드와 하기 화학식 5로 표시되는 디아민을 포함하는 혼합물의 반응 생성물인 중합체:
    [화학식 5]
    NH2-Rc-NH2
    상기 화학식 5에서,
    Rc는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기를 포함하고, 상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기는 치환 또는 비치환된 하나의 방향족 고리로 존재하거나; 치환 또는 비치환된 2 이상의 방향족 고리가 서로 접합되어 축합 고리를 형성하거나; 또는 치환 또는 비치환된 상기 하나의 방향족 고리 및/또는 2 이상의 방향족 고리가 접합된 축합고리가 단일결합, 또는 플루오레닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C15 아릴렌기, -O-, -S-, -C(=O)-, -CH(OH)-, -S(=O)2-, -Si(CH3)2-, -(CH2)p- (여기서, 1≤p≤10), -(CF2)q- (여기서, 1≤q≤10), -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -C(=O)NH-, 또는 이들의 조합인 작용기에 의해 연결되다.
  8. 삭제
  9. 제7항에서, 상기 화학식 5로 표시되는 디아민은 하기 화학식 6 내지 화학식 8 중 하나 이상으로 표시되는 것인 중합체:
    [화학식 6]
    Figure 112022140834952-pat00065

    상기 화학식 6에서,
    Rd는 하기 화학식으로 이루어진 군으로부터 선택되고:
    ,
    R7 및 R8은, 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로, 할로겐, 히드록시기, 알콕시기(-OR200, 여기서 R200은 C1 내지 C10 지방족 유기기임), 실릴기(-SiR201R202R203, 여기서 R201, R202 및 R203은 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C10 지방족 유기기임), 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 지방족 유기기, 또는 C6 내지 C20 방향족 유기기이고,
    n1 및 n2는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이다;
    [화학식 7]

    상기 화학식 7에서,
    R26 및 R27은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로, -CF3, -CCl3, -CBr3, -CI3, -NO2, -CN, -COCH3 또는 -CO2C2H5로부터 선택되는 전자 흡인기(electron withdrawing group)이고,
    R28 및 R29는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로, 할로겐, 히드록시기, 알콕시기(-OR204, 여기서 R204는 C1 내지 C10 지방족 유기기임), 실릴기(-SiR205R206R207, 여기서 R205, R206 및 R207은 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C10 지방족 유기기임), 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 지방족 유기기, 또는 C6 내지 C20 방향족 유기기이고,
    n3은 1 내지 4의 정수이고, n5는 0 내지 3의 정수이고, n3+n5는 1 내지 4의 정수이고,
    n4는 1 내지 4의 정수이고, n6은 0 내지 3의 정수이고, n4+n6은 1 내지 4의 정수이다;
    [화학식 8]

    상기 화학식 8에서,
    R14는 O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p(여기서, 1≤p≤10), (CF2)q(여기서, 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2, C(=O)NH, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기를 포함하고, 상기 방향족 유기기는 단독으로 존재하거나; 2개 이상이 서로 접합되어 축합 고리를 형성하거나; 2개 이상이 단일결합, 또는 플루오레닐렌기, O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p(여기서, 1≤p≤10), (CF2)q(여기서, 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2 또는 C(=O)NH의 작용기에 의해 연결되어 있고,
    R16 및 R17은 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 할로겐, 히드록시기, 알콕시기(-OR212, 여기서 R212는 C1 내지 C10 지방족 유기기임), 실릴기(-SiR213R214R215, 여기서 R213, R214 및 R215는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C10 지방족 유기기임), 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 지방족 유기기, 또는 C6 내지 C20 방향족 유기기이고,
    n9 및 n10은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이다.
  10. 제9항에서, 상기 화학식 5로 표시되는 디아민은 상기 화학식 7로 표시되는 디아민과 상기 화학식 8로 표시되는 디아민 중 하나 이상을 포함하는 혼합물의 반응 생성물인 중합체.
  11. 제10항에서, 상기 화학식 7로 표시되는 디아민은 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine, TFDB)을 포함하고, 상기 화학식 8로 표시되는 디아민은 4,4'-디아미노디페닐 술폰(4,4'-diaminodiphenyl sulfone, DADPS)을 포함하는 혼합물의 반응 생성물인 중합체.
  12. 제7항에서, 상기 디언하이드라이드는 하기 화학식 9로 표시되는 디언하이드라이드를 더 포함하는 혼합물의 반응 생성물인 중합체:
    [화학식 9]

    상기 화학식 9에서,
    R10은 단일결합, -O-, -S-, -C(=O)-, -CH(OH)-, -C(=O)NH-, -S(=O)2-, -Si(CH3)2-, -(CH2)p- (여기서, 1≤p≤10), -(CF2)q- (여기서, 1≤q≤10), -C(CnH2n+1)2-, -C(CnF2n + 1)2-, -(CH2)p-C(CnH2n + 1)2-(CH2)q-, 또는 -(CH2)p-C(CnF2n + 1)2-(CH2)q- (여기서 1≤n≤10, 1≤p≤10, 및 1≤q≤10) 기이고,
    R12 및 R13 는, 각각 독립적으로, 할로겐, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 지방족 유기기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 방향족 유기기, -OR201 기(여기서, R201 은 C1 내지 C10 지방족 유기기), 또는 -SiR210R211R212 (여기서 R210, R211, 및 R212 는 각각 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C10 지방족 유기기) 기이고,
    n7 및 n8은, 각각 독립적으로, 0 내지 3의 정수 중 하나이다.
  13. 제12항에서, 상기 화학식 9로 표시되는 디언하이드라이드는 하기 화학식 10으로 표시되는 디언하이드라이드, 하기 화학식 11로 표시되는 디언하이드라이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 혼합물의 반응 생성물인 중합체:
    [화학식 10]

    [화학식 11]

    상기 화학식 10 및 화학식 11에서,
    R12 및 R13은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로, 할로겐, 히드록시기, 알콕시기(-OR208, 여기서 R208은 C1 내지 C10 지방족 유기기임), 실릴기(-SiR209R210R211, 여기서 R209, R210 및 R211은 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C10 지방족 유기기임), 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 지방족 유기기, 또는 C6 내지 C20 방향족 유기기이고,
    n7 및 n8은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이다.
  14. 제13항에서, 상기 디언하이드라이드는 상기 화학식 10으로 표시되는 디언하이드라이드 및 상기 화학식 11로 표시되는 디언하이드라이드 중 하나 이상을 전체 디언하이드라이드의 몰수를 기준으로 1 내지 80 몰% 포함하는 혼합물의 반응 생성물인 중합체.
  15. 제7항에서, 하기 화학식 12로 표시되는 디카르복실산 유도체를 더 포함하는 혼합물의 반응 생성물인 중합체:
    [화학식 12]

    상기 화학식 12에서,
    R3은 치환 또는 비치환된 페닐렌기 또는 바이페닐렌기이고, X는 각각 동일하거나 상이한 할로겐 원자이다.
  16. 제15항에서, 상기 화학식 12의 R3은 페닐렌기 및 바이페닐렌기 중 하나 이상이고, X는 각각 독립적으로 Cl 또는 Br인 중합체.
  17. 제7항에 따른 중합체를 포함하는 필름.
  18. 제17항에 따른 필름은 보상 필름인 필름.
  19. 제17항에 따른 필름을 포함하는 광학 장치.
  20. 제19항에 따른 광학 장치는 표시 장치인 광학 장치.
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