KR102599092B1 - 글래스 프릿 및 이를 포함하는 표시장치 - Google Patents
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Abstract
일 실시예의 글래스 프릿은 Bi2O3를 함유하고, 유리전이온도(Tg)는 280℃ 이상 320℃ 이하이고, 이러한 글래스 프릿을 포함하는 표시장치는 우수한 내부신뢰성과 낙하강도를 나타낼 수 있다.
Description
본 발명은 글래스 프릿 및 이를 포함하는 표시장치에 대한 발명이다. 보다 상세하게는 표시장치의 신뢰성 및 내구성을 향상시키기 위한 글래스 프릿 및 이러한 글래스 프릿을 봉지부로 포함하는 표시장치에 관한 것이다.
표시장치는 이미지를 표시하는 장치로서, 최근 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다.
이러한 표시장치는 안정적인 구동과 수명의 확보를 위하여는 외부 오염, 수분 등의 침투로부터 보호가 필요하며, 특히, 자체 발광특성을 갖는 유기 발광 표시장치는 유기층을 포함하므로 표시장치 내부로 침투하는 산소 및 습기 등의 침투를 막기 위한 봉지부가 필수적이다.
봉지부는 글래스 프릿을 포함하여 기판과 봉지 기판을 안정적으로 결합시키고, 또한, 외부의 공기, 습기 기타 이물이 표시부로 침투하지 않도록 한다.
본 발명은 낮은 유리전이온도를 가지고, 낮은 열팽창계수를 가지는 글래스 프릿을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 내구 신뢰성 및 낙하강도가 향상된 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 글래스 프릿은 Bi2O3를 포함하고, 유리전이온도(Tg)는 280℃ 이상 320℃ 이하이다.
글래스 프릿은 결정화 개시온도(Tx)는 360℃ 이상 450℃ 이하일 수 있다.
글래스 프릿은 결정화 개시온도(Tx)와 유리전이온도(Tg)의 차이(Tx-Tg)가 80℃ 이상 160℃ 이하일 수 있다.
글래스 프릿은 열팽창 계수가 45x10-7/℃ 이상 55 x10-7/℃ 이하일 수 있다.
글래스 프릿은 Bi2O3를 1mol% 이상 5mol% 이하로 포함할 수 있다.
글래스 프릿은 V2O5, ZnO, ZrO2, 및 TeO2 를 더 포함할 수 있다.
글래스 프릿은 V2O5를 20mol% 이상 55mol% 이하, ZnO를 20mol% 이상 55mol% 이하, ZrO2를 1mol% 이상 25mol% 이하, TeO2를 1mol% 이상 20mol% 이하 및 Bi2O3를 1mol% 이상 5mol% 이하로 포함할 수 있다.
글래스 프릿은 Fe, Cu, Mn, B, Ti 및 Ca 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
글래스 프릿은 Fe, Cu, Mn, B, Ti 및 Ca 중 적어도 하나를 0.5mol% 이상 25mol% 이하로 포함할 수 있다.
글래스 프릿은 Nb2O5를 더 포함할 수 있다.
글래스 프릿은 Nb2O5를 1mol% 이상 10mol% 이하로 포함할 수 있다.
글래스 프릿은 Al을 포함하지 않을 수 있다.
글래스 프릿은 결정화 온도(Tc)가 420℃ 이상 460℃ 이하일 수 있다.
글래스 프릿은 굴복점 온도(Tdsp)가 330℃ 이상 370℃ 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 베이스층 및 베이스층 상에 배치되는 표시부를 포함하는 제1 기판, 제1 기판과 대향하여 배치된 제2 기판 및 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되고, Bi2O3를 포함하며 유리전이온도(Tg)가 280℃ 이상 320℃ 이하인 글래스 프릿을 포함하는 봉지부를 포함한다.
표시장치의 봉지부는 표시부를 둘러싸고 배치될 수 있다.
표시장치의 제1 기판과 제2 기판은 이격되어 배치될 수 있고, 봉지부는 제1 기판과 제2 기판 각각의 테두리를 따라 배치될 수 있다.
표시장치의 글래스 프릿은 V2O5, ZnO, ZrO2, Nb2O5 및 TeO2 를 더 포함하고, Fe, Cu, Mn, B, Ti 및 Ca 중 적어도 하나를 더 포함하며, V2O5를 20mol% 이상 55mol% 이하, ZnO를 20mol% 이상 55mol% 이하, ZrO2를 1mol% 이상 25mol% 이하, Nb2O5를 1mol% 이상 10mol% 이하, TeO2를 1mol% 이상 20mol% 이하, Bi2O3를 1mol% 이상 5mol% 이하 및 Fe, Cu, Mn, B, Ti 또는 Ca 중 적어도 하나 이상을 0.5mol% 이상 25mol%이하로 포함할 수 있다.
표시장치의 표시부는 유기발광 다이오드를 포함하고, 유기 발광 다이오드는 제1 전극, 제2 전극 및 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치되는 발광층을 포함할 수 있다.
일 실시예의 글래스 프릿은 낮은 유리전이온도를 가져 낙하강도 및 내구신뢰성이 향상된 표시장치를 제공할 수 있다.
일 실시예의 글래스 프릿은 낮은 열팽창계수를 가져 낙하강도 및 내구신뢰성이 향상된 표시장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시부의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 Bi2O3 함량에 따른 글래스 프릿의 열특성을 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시예 및 비교예의 글래스 프릿을 포함하는 표시장치의 낙하강도를측정한 그래프이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시부의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 Bi2O3 함량에 따른 글래스 프릿의 열특성을 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시예 및 비교예의 글래스 프릿을 포함하는 표시장치의 낙하강도를측정한 그래프이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 “상에 있다”, “연결된다”, 또는 “결합된다”고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
“및/또는”은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, “아래에”, “하측에”, “위에”, “상측에” 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의됩니다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 표시장치(DD)는 제1 기판(100), 제2 기판(300) 및 제1 기판(100)과 제2 기판(300) 사이에 배치되는 봉지부(200)를 포함한다. 제1 기판(100) 및 제2 기판(300)은 서로 대향하여 배치될 수 있다.
표시장치(DD)는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시장치(DD)는 표시 영역(DA)을 통해 영상을 표시하고, 표시 영역(DA)은 화소가 각각 배치된 다수의 화소 영역들을 포함할 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 둘러싸고 위치한다.
봉지부(200)는 글래스 프릿(Glass frit)을 포함하며, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 정의된 제1 기판(100) 및 제2 기판(300)의 각각의 테두리를 따라 연장된다. 봉지부(200)는 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다.
도 2를 참조하면, 제1 기판(100)은 제2 기판(300)과 이격되어 배치될 수 있다. 제1 기판(100)은 베이스층(BL) 및 베이스층(BL) 상에 배치되는 표시부(DP)를 포함한다.
일 실시예에서 베이스층(BL)은 표시부(DP)가 배치되는 베이스 면을 제공해주는 부재일 수 있다. 베이스층(BL)은 투명한 절연 층일 수 있고, 붕규산염 글래스, 소다 석회 글래스, 또는 그들의 혼합물인 유리 재질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 베이스층(BL)은 후술하는 레이저 공정에서 열적 스트레스를 받을 수 있으므로, 레이저 파장 대역을 잘 흡수하지 않는 재질로 형성될 수 있다.
봉지부(200)는 상기 표시부(DP)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 봉지부(200)는 소정의 두께를 가지고 제1 기판(100)과 제2 기판(300) 사이에 배치되어 제1 기판(100)과 제2 기판(300)을 접합시킨다. 또한, 봉지부(200)는 제1 기판(100)과 제2 기판(300) 사이의 공간을 밀봉시킬 수 있다. 따라서, 봉지부(200)는 표시부(DP)가 외부의 수분 및 공기 등에 노출되는 것을 차단하여 표시부(DP)가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 밀봉된 공간은 진공으로 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니고, 밀봉된 공간은 질소(N2)로 채워지거나, 절연 물질로 채워질 수 있다.
본 발명에 따른 표시장치(DD)는 봉지부(200)에 본 발명의 일 실시예에 따른 글래스 프릿을 포함함으로써, 낙하강도 및 내구 신뢰성이 향상될 수 있다. 본 발명에서 낙하강도는 표시장치(DD)가 낙하될 때 손상이 발생하기 시작하는 높이를 의미할 수 있으며, 낙하강도가 셀수록 높은 높이에서 표시장치(DD)를 낙하하여도 표시장치(DD)의 손상이 발생하지 않으며, 표시장치(DD)의 내구 신뢰성이 높고, 수명이 향상될 수 있다.
표시장치(DD)가 낙하하는 경우, 제1 기판(100)과 제2 기판(300)을 접착시키는 봉지부에 손상이 발생하는 경우가 많다. 따라서, 이러한 표시장치의 낙하 강도는 봉지부에 포함되는 글래스 프릿의 물성에 크게 영향을 받을 수 있다.
[식 1]
표시장치의 낙하 강도 ∝ 1/(Tfrit l X αfrit m X MGRn)
상기 식 1에서, Tfrit는 글래스 프릿의 유리전이온도(Tg)이고, αfrit은 글래스 프릿의 열팽창계수(CTE)이며, MGR은 모유리비(Mother Glass Ratio)를 나타낸다. 상기 l, m, n은 각각 정수이며, 1.8< l <4.2, 1.25 < m < 1.65, 0.95 < n < 1.32 범위를 가진다.
식 1은 표시장치의 낙하 강도와 글래스 프릿의 물성과의 관계를 나타낸다. 식 1을 살펴보면, 표시장치의 낙하 강도는 글래스 프릿의 유리전이온도(Tg), 글래스 프릿의 열팽창계수(CTE) 및 모유리비에 반비례한다. 따라서, 본 발명은 낮은 유리전이온도(Tg)를 가지며, 동시에 낮은 열팽창계수(CTE)를 가지는 글래스 프릿을 제공하고, 이를 봉지부(200)에 적용하여 낙하 강도가 향상된 표시장치(DD)를 제공할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시부의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 표시부(DP)는 회로층(DP-CL) 및 소자층(DP-OLED)을 포함할 수 있다.
회로층(DP-CL)은 제1 절연층(IL1), 제2 절연층(IL2), 및 제3 절연층(IL3)을 포함할 수 있다. 상기 제1 절연층(IL1) 및 제2 절연층(IL2)은 무기물을 포함할 수 있으며, 그 종류는 특별히 제한되지 않는다. 제3 절연층(IL3)은 유기물을 포함할 수 있으며, 그 종류는 특별히 제한되지 않는다. 도시되지 않았으나, 베이스층(BL) 상에 무기층인 배리어층 및/또는 버퍼층이 추가로 배치될 수 있다. 제1 절연층(IL1), 제2 절연층(IL2), 및 제3 절연층(IL3)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 반도체 패턴(SP), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)을 포함한다. 베이스층(BL) 상에 반도체 패턴(SP)이 배치된다. 반도체 패턴(SP)은 결정질 반도체 물질 또는 비정질 실리콘을 포함할 수 있다.
베이스층(BL) 상에 제1 절연층(IL1)이 배치된다. 제1 절연층(IL1)은 화소 영역(PXA) 및 주변 영역(NPXA)에 공통으로 중첩하며, 반도체 패턴(SP)을 커버한다.
제1 절연층(IL1) 상에 게이트 전극(GE)이 배치된다. 게이트 전극(GE)은 반도체 패턴(SP)과 중첩한다. 게이트 전극(GE2)은 포토리소그래피 공정에 따라 제조될 수 있다.
제1 절연층(IL1) 상에 제2 절연층(IL2)이 배치된다. 제2 절연층(IL2)은 제1 절연층(IL1) 및 게이트 전극(GE)을 커버한다. 제2 절연층(IL2)은 화소 영역(PXA) 및 주변 영역(NPXA)에 공통으로 중첩한다.
제2 절연층 (IL2) 상에는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 배치된다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 각각은 절연층들(IL1, IL2)에 정의된 복수의 컨택홀(CH1, CH2)들을 통해 반도체 패턴(SP)과 접속한다. 한편, 본 발명의 제1 트랜지스터(T1)는 바텀 게이트 구조로 변형될 수 있다.
제2 절연층(IL2) 상에 제1 박막 트랜지스터(T1)을 커버하는 제3 절연층(IL3)이 배치된다. 제3 절연층(IL3)은 평탄면을 제공할 수 있다.
제3 절연층(IS3) 상에는 소자층(DL-OLED)이 배치된다. 소자층(DL-OLED)은 화소 정의막(PDL) 및 유기발광 다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 유기물질을 포함할 수 있다. 화소 정의막(PDL)에는 개구부(OP)가 정의된다. 화소 정의막(PDL)의 개구부(OP)는 제1 전극(AE)의 적어도 일부분을 노출시킨다. 본 발명의 일 실시예에서 화소 정의막(PDL)은 생략될 수도 있다.
표시 영역(DA)은 화소 영역(PXA, 또는 발광영역)과 화소 영역(PXA)에 인접한 주변 영역(NPXA, 또는 비발광 영역)을 포함할 수 있다. 주변 영역(NPXA)은 화소 영역(PXA)을 에워쌀 수 있다. 본 실시예에서 화소 영역(PXA)은 개구부(OP)에 의해 노출된 제1 전극(AE)의 일부 영역에 대응하게 정의되었다.
일 실시예에서 유기발광 다이오드(OLED)는 베이스층(BL) 상에 순차적으로 적층된 제1 전극(AE), 정공 제어층(HCL), 발광층(EML), 전자 제어층(ECL) 및 제2 전극(CE)을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 정공 제어층(HCL)과 전자 제어층(ECL)중 어느 하나 이상은 생략될 수 있다.
제1 전극(AE)은 제3 절연층(IL3) 상에 배치된다. 제1 전극(AE)은 제3 절연층(IL3)을 관통하는 제3 컨택홀(CH3)을 통해서 드레인 전극(DE)에 연결된다. 제1 전극(AE)은 애노드 전극일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 전극(AE)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다.
정공 제어층(HCL)은 제1 전극(AE) 상에 배치된다. 정공 제어층(HCL)은 화소 영역(PXA)과 주변 영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 별도로 도시되지 않았으나, 정공 제어층(HCL)과 같은 공통층은 화소 영역(PXA)과 주변 영역(NPXA)에 공통으로 형성될 수 있다. 정공 제어층(HCL)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 정공 제어층(HCL)은 정공 주입층 또는 정공 수송층의 단일층의 구조를 가질 수도 있고, 정공 주입 물질과 정공 수송 물질로 이루어진 단일층 구조를 가질 수도 있다. 또한, 정공 제어층(HCL)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 제1 전극(AE)으로부터 차례로 적층된 정공 주입층/정공 수송층, 정공 주입층/정공 수송층/정공 버퍼층, 정공 주입층/정공 버퍼층, 정공 수송층/정공 버퍼층, 또는 정공 주입층/정공 수송층/전자 저지층의 구조를 가질 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예의 정공 제어층(HCL)은 정공 주입층 및 정공 수송층 외에, 정공 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
발광층(EML)은 정공 제어층(HCL) 상에 배치된다. 발광층(EML)은 적색광, 녹색광, 청색광, 백색광, 황색광, 시안광 중 하나를 발광하는 것일 수 있다. 발광층(EML)은 형광물질 또는 인광물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. 또한, 발광층(EML)은 텐덤(tandem)이라 지칭되는 다층 구조를 가질 수 있다.
전자 제어층(ECL)은 발광층(EML) 상에 배치된다. 전자 제어층(ECL)은, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 제어층(ECL)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 전자 제어층(ECL)은 전자 주입층 또는 전자 수송층의 단일층의 구조를 가질 수도 있고, 전자 주입 물질과 전자 수송 물질로 이루어진 단일층 구조를 가질 수도 있다. 또한, 전자 제어층(ECL)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 발광층(EML)으로부터 차례로 적층된 전자 수송층/전자 주입층, 정공 저지층/전자 수송층/전자 주입층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 전극(CE)은 전자 제어층(ECL) 상에 배치된다. 제2 전극(CE)은 도전성을 갖는다. 제2 전극(CE)은 금속 합금 또는 도전성 화합물로 형성될 수 있다. 제2 전극(CE)은 캐소드(cathode)일 수 있다. 제2 전극(CE)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다.
일 실시예에서 유기발광 다이오드(OLED)는 발광층(EML)에서 생성된 광의 공진 거리를 제어하기 위한 공진 구조물을 더 포함할 수 있다. 공진 구조물은 제1 전극(AE)과 제2 전극(CE) 사이에 배치되며, 공진 구조물의 두께는 발광층(EML)에서 생성된 광의 파장에 따라 결정될 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 봉지부(200)는 글래스 프릿을 포함하며, 글래스 프릿이 소결되어 형성된 것일 수 있다. 보다 구체적으로, 먼저, 글래스 프릿을 유기 비히클(organic vehicle)과 혼합하여 겔 상태의 페이스트(paste)로 형성할 수 있다. 유기 비히클은 유기 바인더 및 용매를 포함하는 포함하는 것일 수 있다. 유기 바인더는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어, 아크릴 수지일 수 있다. 유기 비히클은 글래스 프릿과 혼합되어 제2 기판(300) 상에 글래스 프릿의 도포가 용이하게 할 수 있다. 유기 비히클은 글래스 프릿 100중량부 대비 5중량부이상 100중량부이하로 함유될 수 있다.
이후, 형성한 페이스트를 제2 기판(300)에 도포하여 봉지부 패턴을 형성한다. 페이스트를 도포하는 방법은 스크린 인쇄 방법일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
봉지부 패턴 형성 후, 가소성(Pre-Sintering) 공정을 수행한다. 가소성 온도는 250℃ 내지 600℃ 범위일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이러한 가소성 과정을 통해 유기물은 공기 중으로 소멸되고, 젤 상태의 페이스트는 경화되어 고체 상태의 글래스 프릿으로 제2 기판(300) 상에 부착된다.
가소성 공정 후, 글래스 프릿 상에 제1 기판(100)을 제2 기판(300)에 대향하게 위치시킨다. 마지막으로, 700nm 내지 900nm의 범위에 속하는 파장을 중심 파장으로 갖는 레이저 광을 조사하는 본소성 공정을 수행하여 글래스 프릿을 소결시켜 봉지부(200)를 형성할 수 있다.
이하에서는 글래스 프릿에 대해 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명의 Bi2O3 함량에 따른 글래스 프릿의 열특성을 나타낸 그래프이다. 일 실시예에 따른 글래스 프릿은 유리전이온도(Tg)가 280℃ 이상 320℃ 이하로 상대적으로 낮은 유리전이온도(Tg)를 가지므로 안정된 소성 온도 구간을 가질 수 있고, 또한, 소성 단계에서 비정질 상태를 유지할 수 있어 글래스 프릿의 수축에 따른 영향을 최소화하여 우수한 낙하강도를 확보할 수 있다.
일 실시예에서 글래스 프릿은 Bi2O3를 포함한다. 상기 글래스 프릿은 Bi2O3를 포함함으로써, 글래스 프릿의 안정성을 향상시켜 소성이 잘 이루어질 수 있게 하여, 접착력을 향상시키고 표시장치(DD)의 내구 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
일 실시예에서 글래스 프릿은 Bi2O3를 1mol% 이상, 5mol% 이하로 포함할 수 있다. 도 4를 참조하면, 글래스 프릿이 Bi2O3를 1% 미만으로 함유할 경우, 유리전이온도(Tg) 및 결정화 개시온도(Tx)가 낮아지게 되고, 특히 결정화 개시온도(Tx)가 지나치게 낮아져, 소성이 잘 이루어지지 않을 수 있다. 또한, 글래스 프릿이 Bi2O3를 5% 이상 함유할 경우에는 유리전이온도(Tg) 및 결정화 개시온도(Tx)가 상승하게 되고, 이에 따라 소성 단계에서 비정질 상태가 유지되지 않아 표시장치(DD)의 낙하강도가 감소하게 된다.
일 실시예에서 글래스 프릿은 V2O5 및 ZnO를 더 포함할 수 있다. 소성 공정에서, V2O5 는 ZnO와 반응하여 V2O5 를 구성하는 V-O-V 결합이 깨어지게 된다. 이에 따라, V2O5 분자 결합 사슬(chain)의 길이가 짧아지게 되며, 상대적으로 낮은 온도에서 V2O5 분자의 반응성이 증가하여 글래스 프릿의 유리전이온도(Tg)가 낮아질 수 있고, 소결 시 결정화율이 높아짐에 따라 표시장치(DD)의 낙하강도를 향상시킬 수 있다. 또한, O의 공유결합 가능 위치가 증가하여 글래스 프릿 내의 다른 분자와 결합이 증가하여 의 접착력이 증가하게 된다.
일 실시예에서, 글래스 프릿은 V2O5을 20mol% 이상 55mol%이하 및 ZnO을 20mol% 이상 55mol%이하로 포함할 수 있다. V2O5 와 ZnO은 유사한 비율로 포함될 수 있다. 구체적으로 V2O5 와 ZnO은 20mol% 이상 포함됨으로써, 상기 언급한 바와 같이 반응하여 글래스 프릿의 유리전이온도(Tg)를 낮추면서, 접착력을 증가시킬 수 있다. 다만, V2O5는 연성특성이 높아 55mol%를 초과하여 함유되는 경우, 글래스 프릿의 접착력 및 강도가 저하될 수 있다. 또 다른 일 실시예에서, 글래스 프릿은 V2O5을 25mol% 이상 35mol%이하 및 ZnO을 25mol% 이상 35mol%이하로 포함할 수 있다.
일 실시예에서 글래스 프릿은 ZrO2를 더 포함할 수 있다. ZrO2는 글래스 프릿의 열팽창계수(CTE)를 낮추고, 글래스 프릿의 레이저광의 흡수율을 높일 수 있다.
일 실시예에서 글래스 프릿은 ZrO2을 1mol% 이상 25mol% 이하로 포함할 수 있다. ZrO2가 1mol% 미만으로 포함될 경우, 글래스 프릿의 내구성이 저하될 수 있고, ZrO2가 25mol% 초과하여 포함될 경우, 열팽창계수(CTE)가 상승하여 후술하는 잔류 응력이 높아질 수 있다. 또 다른 일 실시예에서, 글래스 프릿은 ZrO2을 5mol% 이상 10mol% 이하로 포함할 수 잇다.
일 실시예에서 글래스 프릿은 Nb2O5를 더 포함할 수 있다. Nb2O5는 글래스 프릿의 내구성을 높이고 레이저광의 흡수율을 높일 수 있다. 일 실시예에서 글래스 프릿은 Nb2O5를 1mol% 이상 10mol% 이하로 포함할 수 있다.
일 실시예에서 글래스 프릿은 TeO2를 더 포함할 수 있다. TeO2는 글래스 프릿의 결합력을 높이고 레이저광의 흡수율을 높일 수 있다. 또한, TeO2는 글래스 프릿의 유리전이온도(Tg)를 낮출 수 있다.
일 실시예에서 글래스 프릿은 TeO2을 1mol% 이상 20mol% 이하로 포함할 수 있다. TeO2가 1mol% 미만으로 포함될 경우, 내구성이 저하되고, 용융 시 유동성 및 글래스 프릿의 안정성이 저하될 수 있다. 또한, TeO2가 20mol% 초과하여 포함될 경우, 열팽창계수(CTE)가 상승하여 후술하는 잔류 응력이 높아질 수 있다. 또 다른 일 실시예에서, 글래스 프릿은 TeO2을 5mol% 이상 15mole% 이하로 포함할 수 있다.
일 실시예에서 글래스 프릿은 무기재료를 적어도 하나 이상 더 포함할 수 있다. 상기 무기재료는 특별히 제한되지 않으나, Fe, Cu, Mn, B, Ti 및 Ca 중 적어도 하나일 수 있다. 상기 Fe, Cu, Mn, B, Ti 및 Ca는 글래스 프릿 내에 분산 배치되어 소결된 글래스 프릿의 형태를 유지할 수 있다. 또한, Fe, Cu, Mn, B, Ti 및 Ca는 글래스 프릿의 열팽창계수(CTE) 및 유리전이온도(Tg)를 낮출 수 있다.
일 실시예에서 글래스 프릿은 Fe, Cu, Mn, B, Ti 및 Ca 중 적어도 하나를 0.5mol% 이상 25mol% 이하로 포함할 수 있다. Fe, Cu, Mn, B, Ti 및 Ca 중 적어도 하나를 0.5mol% 미만으로 포함하는 경우, 글래스 프릿의 열팽창계수(CTE) 및 유리전이온도(Tg)가 높아질 수 있고, Te, Nb, Fe, Cu, Mn, B, Ti 및 Ca 중 적어도 하나를 25mol% 초과하여 포함하는 경우, 글래스 프릿의 안정성이 저하되고, 접착력이 저하될 수 있다.
일 실시예에서 글래스 프릿은 Al을 포함하지 않는다. Al을 표시장치(DD)의 봉지부(200) 형성과정에서 레이저광의 흡수율이 높아져 접착력 및 강도가 세질 수 있으나, 글래스 프릿에 Al과 Zn을 함께 포함하는 경우, 소결과정에서 반응하여 결정화되어 Al2ZnO4가 생성될 수 있다. Al2ZnO4는 상대적으로 입자의 크기가 크므로 레이저광을 조사하는 과정에서도 용융되지 않고, 그대로 남아 Al2ZnO4 결정에 의해 표시장치(DD)의 배선이 찍히는 불량을 유발할 우려가 있다.
일 실시예에서 글래스 프릿은 V2O5을 25mol% 이상 35mol%이하, ZnO을 25mol% 이상 35mol%이하, ZrO2을 1mol% 이상 10mol% 이하, Nb2O5를 1mol% 이상 10mol% 이하, TeO2을 1mol% 이상 20mol% 이하, Bi2O3를 1mol% 이상 5mol% 이하 및 Fe, Cu, Mn, B, Ti 및 Ca 중 적어도 하나를 0.5mol% 이상 25mol% 이하로 포함할 수 있다. 글래스 프릿은 상기 성분을 상기의 함량으로 포함하는 경우, 낮은 유리전이온도(Tg)를 가지며, 낮은 열팽창계수(CTE)을 가질 수 있다.
다시 도 4를 참조하면, 글래스 프릿의 유리전이온도(Tg)는 280℃ 이상 320℃ 이하일 수 있다. 상기 식 1에서, Tfrit 의 지수인 l의 값이 가장 크므로, 표시장치의 낙하강도는 글래스 프릿의 유리전이온도(Tg)에 가장 큰 영향을 받게 된다. 본 발명에 따른 글래스 프릿은 320℃ 이하의 낮은 유리전이온도(Tg)를 가짐으로써 안정한 소성 온도 구간을 확보할 수 있고, 봉지부(200)에 적용되어 표시장치(DD)의 낙하강도를 향상시킬 수 있다. 한편, 글래스 프릿이 지나치게 낮은 유리전이온도(Tg)를 가지는 경우, 소성 단계에서 유리화가 제대로 이루어지지 않는 문제가 발생할 수 있으므로 글래스 프릿은 280℃ 이상의 온도를 가진다. 또 다른 실시예에서, 글래스 프릿의 유리전이온도(Tg)는 280℃ 이상 320℃ 이하의 범위에서 285℃ 이상, 또는 290℃이상일 수 있고, 315℃이하, 310℃이하, 또는 305℃이하일 수 있다.
일 실시예에서 글래스 프릿의 결정화 개시온도(Tx)는 360℃ 이상 450℃ 이하일 수 있다. 본 발명에 따른 글래스 프릿은 결정화 개시온도(Tx)가 360℃ 이상이므로 소성 단계에서 결정화가 억제되며, 비정질 상태가 유지될 수 있다. 또한, 글래스 프릿은 결정화 개시온도(Tx)가 450℃ 이하이므로 소성단계에서 적은 레이저광량만으로도 공정이 완료될 수 있으므로 봉지부(200)가 균일하고 신속하게 형성될 수 있어 표시장치(DD)의 강도가 향상될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 글래스 프릿의 결정화 개시온도(Tx)는 370℃ 이상, 또는 380℃이상일 수 있다.
일 실시예에서 글래스 프릿은 결정화 개시온도(Tx)와 유리전이온도(Tg)의 차이(Tx-Tg)가 80℃이상 160℃이하일 수 있다. 글래스 프릿은 결정화 개시온도(Tx)와 유리전이온도(Tg)의 차이(Tx-Tg)를 80℃이상 160℃이하 범위로 제어됨으로써, 넓은 소성 온도 구간을 확보하고, 소성 단계에서 결정화가 억제되어 비정질 상태를 유지할 수 있다. 이에 따라, 글래스 프릿이 봉지부(200)에 적용될 때, 높은 접착력을 가지며, 표시장치(DD)의 낙하강도를 향상시킬 수 있다. 또 다른 실시예에서, 글래스 프릿의 결정화 개시온도(Tx)와 유리전이온도(Tg)의 차이(Tx-Tg)는 80℃이상 160℃이하의 범위에서, 100℃이상, 110℃이상, 또는 120℃이상일 수 있고, 150℃이하, 140℃이하, 또는 130℃이하일 수 있다.
일 실시예에서, 글래스 프릿의 열팽창 계수는 45x10-7/℃ 이상 55 x10-7/℃ 이하일 수 있다. 상기 언급한 바와 같이, 봉지부(200)의 형성 시 글래스 프릿은 레이저를 조사하여 열에너지를 공급받으므로 냉각되는 과정에서 수축하게 된다. 이때, 제2 기판(300)은 글래스 프릿에 비해 상대적으로 열팽창계수(CTE)가 낮으므로 온도 상승량이 작다. 따라서, 글래스 프릿은 제2 기판(300)에 도포된 상태로 레이저 공정을 거치면서, 팽창과 수축이 용이하지 않아 글래스 프릿과 제2 기판(300) 사이에 잔류응력이 존재하게 된다. 표시장치(DD)는 글래스 프릿과 제2 기판(300) 사이에 잔류응력이 클수록 낙하강도가 작아지고, 외부 충격에 쉽게 깨지는 등의 내구 신뢰성이 저하되게 된다. 잔류응력의 크기는 하기의 식 2와 같이 나타낼 수 있다.
[식 2]
식 2에서, Efrit는 영의 모듈러스(Young's Modulus)이고, αfrit은 글래스 프릿의 열팽창계수(CTE)이고, α300은 제2 기판(300)의 열팽창계수(CTE)이고, △T는 글래스 프릿의 온도와 베이스층(BL)의 온도차이고, ν은 푸아송비(Poisson ration)를 나타낸다.
식 2에서 Efrit과 ν는 고정된 값이므로, 글래스 프릿의 열팽창계수(CTE)와 제2 기판(300)의 열팽창계수(CTE)의 차이가 작을수록 글래스 프릿과 제2 기판 사이의 잔류응력을 낮출 수 있다. 표시장치(DD)에 사용되는 제2 기판(300)의 열팽창계수(CTE)는 약 40x10-7/℃ 의 값을 가진다. 본 발명에 따른 글래스 프릿의 열팽창계수(CTE)는 45x10-7/℃ 이상 55 x10-7/℃ 이하이므로 종래 글래스 프릿에 비해 제2 기판(300)의 열팽창계수(CTE)와의 차이가 작아 잔류 응력을 낮출 수 있다. 이에 따라 표시장치(DD)의 낙하강도 및 내구 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
일 실시예에서 글래스 프릿의 결정화 온도(Tc)는 420℃ 이상 460℃ 이하일 수 있다. 글래스 프릿의 결정화 온도(Tc)가 420℃ 이상 460℃ 이하로 제어됨으로써, 소성 단계에서 결정화가 억제되어 비정질 상태를 유지할 수 있다. 이에 따라 표시장치(DD)의 낙하강도를 향상시킬 수 있다.
일 실시예에서 글래스 프릿의 굴복점 온도(Tdsp)는 330℃ 이상 370℃ 이하일 수 있다. 글래스 프릿의 굴복점 온도(Tdsp)가 330℃ 이상 370℃ 이하로 제어됨으로써, 글래스 프릿의 접착력이 향상될 수 있다.
이하에서는, 실시예 및 비교예를 참조하면서, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 글래스 프릿, 및 이를 이용하여 제조된 일 실시예의 표시장치에 대해서 구체적으로 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 일 예시이며, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
1. 글래스 프릿 제조
하기 표 1에 기재된 성분들을 표시된 비율(mol%)의 글래스 프릿을 제조하였다.
| 실시예 1 | 실시예 2 | 비교예 1 | 비교예 2 | |
| V2O5 | 34% | 34% | 34% | 34% |
| ZnO | 25% | 25% | 25% | 25% |
| ZrO2 | 6% | 8% | 8% | 8% |
| Bi2O3 | 3% | 5% | 7% | 9% |
| TeO2 | 10% | 7% | 5% | 3% |
| Nb2O5 | 6% | 5% | 5% | 5% |
| Fe | 3% | 3% | 3% | 3% |
| Cu | 4% | 4% | 4% | 4% |
| Mn | 3% | 3% | 3% | 3% |
| Ba | 3% | 3% | 3% | 3% |
| Ti | 1% | 1% | 1% | 1% |
| Ca | 2% | 2% | 2% | 2% |
2. 글래스 프릿의 물성 평가
실시예 1, 2 및 비교예 1, 2의 글래스 프릿 각각에 대해 열분석 장치(TMA-Q400, TA instrument 제조)를 이용하여, 유리전이온도(Tg), 굴복점 온도(Tdsp), 결정화 개시온도(Tx), 결정화 온도(Tc) 및 열팽창계수(CTE)를 측정하였다. 그 결과는 표 2와 같다.
| 실시예 1 | 실시예 2 | 비교예 1 | 비교예 2 | |
| Tg (℃) | 298 | 307 | 338 | 343 |
| Tdsp (℃) | 337 | 360 | 376 | 389 |
| Tx (℃) | 422 | 446 | 467 | 476 |
| Tc (℃) | 423 | 447 | 468 | 477 |
| CTE (x10-7/℃) | 45 | 51 | 58 | 61 |
표 2를 참조하면, 실시예 1 및 2의 경우, 유리전이온도(Tg)는 280℃ 이상 320℃ 이하, 굴복점 온도(Tdsp)가 330℃ 이상 400℃ 이하, 결정화 개시온도(Tx) 360℃ 이상 450℃ 이하, 결정화 온도(Tc)가 420℃ 이상 500℃ 이하, 열팽창 계수(CTE)가 45x10-7/℃ 이상 55 x10-7/℃ 이하를 만족하였다. 반면, Bi2O3를 높은 함량 포함하는 비교예 1 및 2는 유리전이온도(Tg), 결정화 개시온도(Tx), 및 열팽창 계수(CTE)가 해당 범위를 만족하지 못했다. 따라서, 실시예 1 및 2는 비교예 1 및 2에 비해 안정된 소성 온도 구간을 가지며, 소성 단계에서 비정질 상태를 유지할 수 있으므로 표시장치에 적용될 경우, 표시장치의 낙하강도를 향상시킬 것으로 예상할 수 있다.
3. 표시장치 제조
제조된 실시예 1 의 글래스 프릿을 유기 비히클과 혼합하여, 페이스트를 형성한다. 형성한 페이스트를 제2 기판에 도포하고, 300℃에서 5분간 가소성을 실시한다. 가소성 후 제1 기판을 합착한 후 레이저광을 조사(광량: 10W)하여 봉지부를 형성하였다.
또한, 상기와 동일한 방법으로 실시예 2, 비교예 1 및 2의 글래스 프릿을 포함하는 봉지부를 포함하는 표시장치를 각각 제조하였다.
4. 표시장치 강도비교 실험
제조된 실시예 1, 2, 및 비교예 1, 2의 글래스 프릿을 포함하는 표시장치 각각 20개 이상을 일정한 높이에서 자유낙하시키면서 강도를 비교측정하였다. 낙하 높이를 10cm 단위로 증가시키면서 표시장치에 파손이 발생할 때까지 진행하였으며, 비교예 1의 글래스 프릿을 포함하는 표시장치의 낙하강도 100%로 하고, 이를 기준으로 제조된 표시장치들의 상대적 강도를 측정하였다. 결과는 도 5와 같다. 도 5에서, 평균은 낙하강도를 측정한 전체 표시장치들의 낙하강도 평균값을 의미하며, B10은 최하 10%에 속하는 낙하강도를 가지는 표시장치들의 낙하강도 평균값을 의미한다.
도 5를 참조하면, 실시예 1 및 2의 글래스 프릿을 포함하는 표시장치는 비교예 1 및비교예 2를 포함하는 표시장치에 비해 평균 낙하강도(평균) 및 낙하강도 하위 10%에 속하는 표시장치의 평균 낙하강도(B10)가 모두 향상됨을 확인할 수 있다. 비교예 1에 비해, 실시예 1의 글래스 프릿을 포함하는 표시장치는 평균 낙하강도 및 B10 낙하강도가 약 1.6배 향상되었으며, 실시예 2의 글래스 프릿을 포함하는 표시장치는 평균 낙하강도가 약 1.6배, B10 낙하강도가 약 1.5배 향상되었다. 또한, 비교예 2에 비해, 실시예 1의 글래스 프릿을 포함하는 표시장치는 평균 낙하강도가 약 1.3 배, B10 낙하강도가 약 1.5 배 향상되었으며, 실시예 2의 글래스 프릿을 포함하는 표시장치는 평균 낙하강도가 약 1.3 배, B10 낙하강도가 약 1.4 배 향상됨을 확인할 수 있다. 특히, 표시장치의 B10 낙하강도가 약 1.5 배 향상되었다는 것은 본 발명의 일 실시예의 글래스 프릿을 포함하는 표시장치의 대부분이 비교예에 비해 낙하강도가 향상된 것을 의미하므로 하는 것으로 판단된다.
따라서, 본 발명에 따른 글래스 프릿은 성분, 함량 및 물성이 제어됨으로써, 표시장치의 낙하강도를 향상시키고, 이에 따라 표시장치의 수명 연장 및 신뢰성 향상에 기여할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DD : 표시장치 100 : 제1 기판
200 : 봉지부 300 : 제2 기판
BL : 베이스층 DP : 표시부
200 : 봉지부 300 : 제2 기판
BL : 베이스층 DP : 표시부
Claims (20)
- Bi2O3, V2O5, ZnO, ZrO2, 및 TeO2를 포함하고, 유리전이온도(Tg)는 280℃ 이상 320℃ 이하인 글래스 프릿.
- 제1항에 있어서,
결정화 개시온도(Tx)는 360℃ 이상 450℃ 이하인 글래스 프릿. - 제2항에 있어서,
상기 결정화 개시온도(Tx)와 상기 유리전이온도(Tg)의 차이(Tx-Tg)가 80℃ 이상 160℃ 이하인 글래스 프릿. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 Bi2O3를 1mol% 이상 5mol% 이하로 포함하는 글래스 프릿. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 V2O5를 20mol% 이상 55mol% 이하;
상기 ZnO를 20mol% 이상 55mol% 이하;
상기 ZrO2를 1mol% 이상 25mol% 이하;
상기 TeO2를 1mol% 이상 20mole% 이하; 및
상기 Bi2O3를 1mol% 이상 5mol% 이하로 포함하는 글래스 프릿. - 제1항에 있어서,
Fe, Cu, Mn, B, Ti 및 Ca 중 적어도 하나를 더 포함하는 글래스 프릿. - 제8항에 있어서,
상기 Fe, Cu, Mn, B, Ti 및 Ca 중 적어도 하나를 0.5mol% 이상 25mol% 이하로 포함하는 글래스 프릿. - 제8항에 있어서,
Nb2O5를 더 포함하는 글래스 프릿. - 제10항에 있어서,
상기 Nb2O5를 1mol% 이상 10mol% 이하로 포함하는 글래스 프릿. - 제10항에 있어서,
상기 V2O5를 20mol% 이상 55mol% 이하;
상기 ZnO를 20mol% 이상 55mol% 이하;
상기 ZrO2를 1mol% 이상 25mol% 이하;
상기 Nb2O5를 1mol% 이상 10mol% 이하;
상기 TeO2를 1mol% 이상 20mol% 이하;
상기 Bi2O3를 1mol% 이상 5mol% 이하; 및
상기 Fe, Cu, Mn, B, Ti 또는 Ca 중 적어도 하나 이상을 0.5mol% 이상 25mol% 이하로 포함하는 글래스 프릿. - 제1항에 있어서,
Al을 포함하지 않는 글래스 프릿. - 제1항에 있어서,
결정화 온도(Tc)가 420℃ 이상 460℃ 이하인 글래스 프릿. - 제1항에 있어서,
굴복점 온도(Tdsp)가 330℃ 이상 370℃ 이하인 글래스 프릿. - 베이스층 및 상기 베이스층 상에 배치되는 표시부를 포함하는 제1 기판;
상기 제1 기판과 대향하여 배치된 제2 기판; 및
상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 배치되고, Bi2O3, V2O5, ZnO, ZrO2, 및 TeO2를 포함하며 유리전이온도(Tg)는 280℃ 이상 320℃ 이하인 글래스 프릿을 포함하는 봉지부를 포함하는 표시장치. - 제16 항에 있어서,
상기 봉지부는 상기 표시부를 둘러싸고 배치되는 표시장치. - 제16 항에 있어서,
상기 제1 기판과 상기 제2 기판은 이격되어 배치되고, 상기 봉지부는 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 각각의 테두리를 따라 배치되는 표시장치. - 제16 항에 있어서,
상기 글래스 프릿은 Nb2O5를 더 포함하고,
Fe, Cu, Mn, B, Ti 및 Ca 중 적어도 하나를 더 포함하며,
상기 V2O5를 20mol% 이상 55mol% 이하,
상기 ZnO를 20mol% 이상 55mol% 이하,
상기 ZrO2를 1mol% 이상 25mol% 이하,
상기 Nb2O5를 1mol% 이상 10mol% 이하,
상기 TeO2를 1mol% 이상 20mol% 이하,
상기 Bi2O3를 1mol% 이상 5mol% 이하 및
상기 Te, Nb, Fe, Cu, Mn, B, Ti 또는 Ca 중 적어도 하나 이상을 0.5mol% 이상 25mol%이하로 포함하는 표시장치. - 제16 항에 있어서,
상기 표시부는 유기발광 다이오드를 포함하고,
상기 유기 발광 다이오드는 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되는 발광층을 포함하는 표시장치.
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