KR102584123B1 - Anisotropic conductive film and display device comprising the same - Google Patents

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Abstract

비표면적이 150m2/g 내지 300m2/g인 무기 필러 및 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지를 포함하는 이방 도전성 필름으로서, 상기 이방 도전성 필름은 50℃ 내지 120℃에서 용융점도의 최대값과 용융점도의 최소값의 차이가 500Pa.s 내지 3000Pa.s인 것인, 이방 도전성 필름 및 이를 포함하는 디스플레이 장치가 제공된다.An anisotropic conductive film comprising an inorganic filler and a hydrogenated bisphenol epoxy resin having a specific surface area of 150 m 2 /g to 300 m 2 /g, wherein the anisotropic conductive film has a maximum melt viscosity and a melt viscosity of 50° C. to 120° C. An anisotropic conductive film, wherein the minimum value difference is 500 Pa.s to 3000 Pa.s, and a display device including the same are provided.

Description

이방 도전성 필름 및 이를 포함하는 디스플레이 장치{ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM AND DISPLAY DEVICE COMPRISING THE SAME}Anisotropic conductive film and display device comprising the same {ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM AND DISPLAY DEVICE COMPRISING THE SAME}

본 발명은 이방 도전성 필름 및 이를 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an anisotropic conductive film and a display device including the same.

이방 도전성 필름은 접속시키고자 하는 회로 단자 사이에 위치된 후 일정 조건의 가열 및 가압을 처리하면, 회로 단자들 사이에는 도전성 입자에 의해 전기적으로 접속되고 인접하는 전극 사이에는 절연성 접착 수지가 충진되어 도전성 입자가 서로 독립적으로 존재함으로써 절연성을 부여하게 된다.When the anisotropic conductive film is placed between circuit terminals to be connected and subjected to heating and pressurization under certain conditions, the circuit terminals are electrically connected by conductive particles, and adjacent electrodes are filled with insulating adhesive resin to become conductive. Insulation is provided by the particles existing independently of each other.

디스플레이 패널의 박형화 및 고해상도화가 진행됨에 따라, 최소 접속 면적에 최대의 도전성 입자를 포착시키는 기술이 연구되어 왔다. 도전성 입자 포착율을 향상시키기 위해서는, 이방 도전성 필름 중 도전성 입자의 밀도를 증가시키거나 무기 필러를 과량 포함함으로써 수지의 흐름을 억제하는 방법이 연구되어 왔다. 하지만, 이 방법은 수지의 흐름이 없게 되어 쇼트를 발생시킬 수 있다는 문제점이 있다.As display panels become thinner and have higher resolution, research has been conducted on techniques to capture the maximum amount of conductive particles in the minimum connection area. In order to improve the capture rate of conductive particles, methods of suppressing the flow of resin by increasing the density of conductive particles in an anisotropic conductive film or including an excessive amount of inorganic filler have been studied. However, this method has a problem in that there is no flow of resin and a short circuit may occur.

한편, 최근 디스플레이 패널을 플렉서블화함에 따라 플렉서블 패널에 적용될 수 있는 이방 도전성 필름이 연구되고 있다. 플렉서블 패널은 폴리머 필름으로 이루어져 있다. 그런데 폴리머 필름은 종래 금속이나 유리판과는 달리 열에 약하고 소프트하며 유연성이 있다. 따라서, 폴리머 필름을 피착체로 하여 이방 도전성 필름을 접속시키는 경우, 폴리머 필름의 열적 응력을 최소화하기 위해서는 저온에서 압착시킬 필요가 있다. 또한, 폴리머 필름에 이방 도전성 필름을 압착시 동일한 온도와 압력으로 압착시키더라도, 폴리머 필름에서의 압착 위치에 따라 이방 도전성 필름에서의 실제 압착 온도의 차이가 있게 된다. 이러한 압착 온도의 차이는 이방 도전성 필름의 압착 정도를 달리하게 되어 압착 불균일을 발생시킬 수 있다. 따라서, 저온에서도 압착이 가능하고, 폴리머 필름을 피착체로 하는 경우에도 압착 불균일이 없게 할 수 있는 이방 도전성 필름이 요구된다.Meanwhile, as display panels have recently become flexible, anisotropic conductive films that can be applied to flexible panels are being studied. Flexible panels are made of polymer film. However, unlike conventional metal or glass plates, polymer films are weak to heat, soft, and flexible. Therefore, when connecting an anisotropic conductive film using a polymer film as an adherend, it is necessary to press at a low temperature in order to minimize the thermal stress of the polymer film. In addition, even when the anisotropic conductive film is pressed to the polymer film at the same temperature and pressure, there is a difference in the actual pressing temperature of the anisotropic conductive film depending on the pressing position in the polymer film. This difference in pressing temperature may cause the degree of pressing of the anisotropic conductive film to vary, resulting in non-uniform pressing. Therefore, there is a need for an anisotropic conductive film that can be compressed even at low temperatures and can prevent uneven compression even when a polymer film is used as the adherend.

본 발명의 배경기술은 일본공개특허 제2014-031444호 등에 개시되어 있다.The background technology of the present invention is disclosed in Japanese Patent Publication No. 2014-031444, etc.

본 발명의 목적은 저온에서 압착 가능하여 폴리머 필름 피착체에 적용 가능한 이방 도전성 필름을 제공하는 것이다.The purpose of the present invention is to provide an anisotropic conductive film that can be compressed at low temperature and can be applied to a polymer film adherend.

본 발명의 다른 목적은 이방 도전성 필름의 용융 개시 온도와 경화 개시 온도 사이의 구간에서 용융점도의 최대값과 최소값의 차이가 낮은 이방 도전성 필름을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an anisotropic conductive film having a low difference between the maximum and minimum melt viscosity in the section between the melting start temperature and the curing start temperature of the anisotropic conductive film.

본 발명의 또 다른 목적은 폴리머 필름 피착체에 적용시 압착 불균일을 해소할 수 있는 이방 도전성 필름을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an anisotropic conductive film that can eliminate uneven compression when applied to a polymer film adherend.

본 발명의 또 다른 목적은 도전성 입자의 입자 포착율이 높고 도전성 입자의 단분산율이 높은 이방 도전성 필름을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an anisotropic conductive film with a high particle capture rate of conductive particles and a high monodisperse rate of conductive particles.

본 발명의 또 다른 목적은 접속 저항이 낮고 접속 저항 신뢰성이 우수하며, 절연 저항이 낮은 이방 도전성 필름을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an anisotropic conductive film with low connection resistance, excellent connection resistance reliability, and low insulation resistance.

본 발명의 일 관점은 이방 도전성 필름이다.One aspect of the present invention is an anisotropic conductive film.

1.이방 도전성 필름은 비표면적이 150m2/g 내지 300m2/g인 무기 필러 및 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지를 포함하고, 상기 이방 도전성 필름은 50℃ 내지 120℃에서 용융점도의 최대값과 용융점도의 최소값의 차이가 500Pa.s 내지 3000Pa.s이다.1. The anisotropic conductive film includes an inorganic filler and a hydrogenated bisphenol epoxy resin with a specific surface area of 150 m 2 /g to 300 m 2 /g, and the anisotropic conductive film has a maximum melt viscosity and a melting point of 50° C. to 120° C. The difference in the minimum value of degrees is 500Pa.s to 3000Pa.s.

2.1에서, 상기 이방 도전성 필름은 도전층과 절연층을 포함할 수 있다.In 2.1, the anisotropic conductive film may include a conductive layer and an insulating layer.

3.1-2에서, 상기 무기 필러는 상기 이방 도전성 필름 중 1중량% 내지 20중량%로 포함될 수 있다.In 3.1-2, the inorganic filler may be included in 1% to 20% by weight of the anisotropic conductive film.

4.1-3에서, 상기 무기 필러는 평균 입경이 5nm 내지 20nm일 수 있다.In 4.1-3, the inorganic filler may have an average particle diameter of 5 nm to 20 nm.

5.1-4에서, 상기 무기 필러는 실리카, 알루미나, 티타니아, 지르코니아, 마그네시아, 세리아, 산화아연, 산화철, 질화규소, 질화티탄, 질화붕소, 탄산칼슘, 황산알루미늄, 수산화알루미늄, 티탄산칼슘, 탈크, 규산칼슘, 규산마그네슘 중 1종 이상을 포함할 수 있다.5.1-4, the inorganic filler is silica, alumina, titania, zirconia, magnesia, ceria, zinc oxide, iron oxide, silicon nitride, titanium nitride, boron nitride, calcium carbonate, aluminum sulfate, aluminum hydroxide, calcium titanate, talc, calcium silicate. , and may contain one or more types of magnesium silicate.

6.1-5에서, 상기 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지는 상기 이방 도전성 필름 중 5중량% 내지 40중량%로 포함될 수 있다.In 6.1-5, the hydrogenated bisphenol epoxy resin may be included in an amount of 5% to 40% by weight of the anisotropic conductive film.

7.1-6에서, 상기 이방 도전성 필름은 도전성 입자 단분산율이 90% 이상일 수 있다.In 7.1-6, the anisotropic conductive film may have a conductive particle monodispersion rate of 90% or more.

8.1-7에서, 상기 이방 도전성 필름은 도전성 입자 포착율이 80% 이상일 수 있다.In 8.1-7, the anisotropic conductive film may have a conductive particle capture rate of 80% or more.

9.1-8에서, 상기 이방 도전성 필름은 제1 피접속 부재와 제2 피접속 부재 사이에 위치시키고, 60℃ 내지 80℃, 0.5초 내지 1초 및 0.5 내지 1.0MPa 압력 조건 하의 가압착; 및 140℃ 내지 160℃, 5초 내지 7초 및 50 내지 90MPa 압력 조건 하의 본압착하였을 때, 접속 저항은 3Ω 이하일 수 있다.In 9.1-8, the anisotropic conductive film is placed between the first connected member and the second connected member, and temporarily pressed under the conditions of 60°C to 80°C, 0.5 second to 1 second, and 0.5 to 1.0 MPa pressure; And when main compression is performed under conditions of 140°C to 160°C, 5 to 7 seconds, and 50 to 90 MPa pressure, the connection resistance may be 3Ω or less.

10.1-9에서, 상기 이방 도전성 필름은 제1 피접속 부재와 제2 피접속 부재 사이에 위치시키고, 60℃ 내지 80℃, 0.5초 내지 1초간 및 0.5 내지 1.0MPa 압력 조건 하의 가압착; 및 140℃ 내지 160℃, 5초 내지 7초 및 50 내지 90MPa 압력 조건 하의 본압착한 후, 85℃ 및 상대 습도 85%의 조건하에서 100시간 동안 방치한 후에 측정한 신뢰성 후의 접속 저항은 6Ω 이하일 수 있다.In 10.1-9, the anisotropic conductive film is placed between the first connected member and the second connected member, and is temporarily pressed under the conditions of 60°C to 80°C, 0.5 second to 1 second, and 0.5 to 1.0 MPa pressure; and after main compression under conditions of 140°C to 160°C, 5 to 7 seconds and 50 to 90 MPa pressure, and then left for 100 hours under conditions of 85°C and 85% relative humidity, the connection resistance after reliability measured may be 6Ω or less. there is.

11.1-10에서, 상기 이방 도전성 필름은 30℃에서 모듈러스가 2.0GPa 이상일 수 있다.11.1-10, the anisotropic conductive film may have a modulus of 2.0 GPa or more at 30°C.

12.2-11에서, 상기 절연층은 상기 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지, 상기 비표면적이 150m2/g 내지 300m2/g인 무기 필러, 바인더 수지 및 경화제를 포함할 수 있다.12.2-11, the insulating layer may include the hydrogenated bisphenol epoxy resin, an inorganic filler having a specific surface area of 150 m 2 /g to 300 m 2 /g, a binder resin, and a curing agent.

13.12에서, 상기 바인더 수지는 바이페닐 플루오렌형 페녹시 수지를 포함할 수 있다.In 13.12, the binder resin may include a biphenyl fluorene type phenoxy resin.

14.12에서, 상기 절연층 중 상기 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지 20중량% 내지 40중량%, 상기 비표면적이 150m2/g 내지 300m2/g인 무기 필러 10중량% 내지 40중량%, 상기 바인더 수지 20중량% 내지 55중량% 및 상기 경화제 1중량% 내지 5중량%를 포함할 수 있다.In 14.12, in the insulating layer, 20% to 40% by weight of the hydrogenated bisphenol epoxy resin, 10% to 40% by weight of the inorganic filler having a specific surface area of 150 m 2 /g to 300 m 2 /g, and the binder resin 20 It may contain % to 55% by weight and 1% to 5% by weight of the curing agent.

15.2-14에서, 상기 도전층은 바인더 수지, 에폭시 수지, 경화제 및 도전성 입자를 포함할 수 있다.15.2-14, the conductive layer may include a binder resin, an epoxy resin, a curing agent, and conductive particles.

16.15에서, 상기 바인더 수지는 바이페닐 플루오렌형 페녹시 수지를 포함할 수 있다.In 16.15, the binder resin may include a biphenyl fluorene type phenoxy resin.

17.15에서, 상기 도전층 중 상기 바인더 수지 20중량% 내지 55중량%, 상기 에폭시 수지 20중량% 내지 40중량%, 상기 경화제 1중량% 내지 5중량%, 및 상기 도전성 입자 20중량% 내지 50중량%를 포함할 수 있다.In 17.15, in the conductive layer, 20% to 55% by weight of the binder resin, 20% to 40% by weight of the epoxy resin, 1% to 5% by weight of the curing agent, and 20% to 50% by weight of the conductive particles. may include.

본 발명의 디스플레이 장치는 본 발명의 이방 도전성 필름을 포함한다.The display device of the present invention includes the anisotropic conductive film of the present invention.

본 발명의 디스플레이 장치는 본 발명의 이방 도전성 필름에 의해 접속된다.The display device of the present invention is connected by the anisotropic conductive film of the present invention.

본 발명은 저온에서 압착 가능하여 폴리머 필름 피착체에 적용 가능한 이방 도전성 필름을 제공하였다.The present invention provides an anisotropic conductive film that can be compressed at low temperatures and can be applied to a polymer film adherend.

본 발명은 이방 도전성 필름의 용융 개시 온도와 경화 개시 온도 사이의 구간에서 용융점도의 최대값과 최소값의 차이가 낮은 이방 도전성 필름을 제공하였다. The present invention provides an anisotropic conductive film with a low difference between the maximum and minimum melt viscosity in the section between the melting start temperature and the curing start temperature of the anisotropic conductive film.

본 발명은 폴리머 필름 피착체에 적용시 압착 불균일을 해소할 수 있는 이방 도전성 필름을 제공하였다.The present invention provides an anisotropic conductive film that can eliminate uneven compression when applied to a polymer film adherend.

본 발명은 도전성 입자의 입자 포착율이 높고 도전성 입자의 단분산율이 높은 이방 도전성 필름을 제공하였다.The present invention provides an anisotropic conductive film with a high particle capture rate of conductive particles and a high monodisperse rate of conductive particles.

본 발명은 접속 저항이 낮고 접속 저항 신뢰성이 우수하며, 절연 저항이 낮은 이방 도전성 필름을 제공하였다.The present invention provides an anisotropic conductive film with low connection resistance, excellent connection resistance reliability, and low insulation resistance.

도 1은 실시예 2(도 1에서 적색 ○ 표시)와 비교예 1(도 1에서 청색 □ 표시)의 이방 도전성 필름 압착시 온도에 따른 용융점도를 나타낸 것이다.Figure 1 shows the melt viscosity according to temperature when compressing the anisotropic conductive film of Example 2 (marked with red ○ in Fig. 1) and Comparative Example 1 (marked with blue □ in Fig. 1).

본 발명을 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 출원에 개시된 기술은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 단지, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록, 그리고 당업자에게 본 출원의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.The present invention will be described in more detail by way of exemplary embodiments of the present invention. However, the technology disclosed in this application is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. However, the embodiments introduced here are provided to ensure that the disclosed content is thorough and complete and that the spirit of the present application can be sufficiently conveyed to those skilled in the art.

본 명세서에서 무기 필러의 "비표면적"은 BET(Brunauer Emmett Teller) 표면적 분석 방법으로 측정한 값이다. 비표면적은 무기 필러의 단위 부피 당 면적을 의미한다.In this specification, the “specific surface area” of the inorganic filler is a value measured by the BET (Brunauer Emmett Teller) surface area analysis method. Specific surface area refers to the area per unit volume of the inorganic filler.

본 명세서에서 "평균 입경"은 D50을 의미한다. D50은 입자의 입경을 측정하고 입경에 따른 질량의 누적 곡선을 그렸을 때 통과 질량 백분율이 50중량%에 해당되는 입경을 의미한다. 입자의 입경은 입도 분석계를 사용하여 측정할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.In this specification, “average particle diameter” means D50. D50 measures the particle size of particles and When a cumulative mass curve is drawn, the passing mass percentage refers to the particle size corresponding to 50% by weight. The particle size of the particles can be measured using a particle size analyzer, but is not limited thereto.

본 명세서에서 "모듈러스"는 저장 탄성율을 의미한다.As used herein, “modulus” means storage modulus.

본 명세서에서 수치 범위 기재시 X 내지 Y는 X 이상 Y 이하(X≤ 그리고 ≤Y)를 의미한다.In this specification, when describing a numerical range, X to Y means more than X and less than Y (X≤ and ≤Y).

본 발명의 발명자는 특정 비표면적을 갖는 무기 필러를 포함하고 에폭시 수지로서 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지를 포함시킴으로써, 이방 도전성 필름이 저온에서 압착 가능하고, 이방 도전성 필름의 용융 개시 온도와 경화 개시 온도의 구간에서 용융점도의 편차가 낮아져 폴리머 필름에서 압착시 압착 불균일을 해소할 수 있으며, 도전성 입자의 포착율과 단분산율을 높일 수 있음을 확인하고 본 발명을 완성하였다.The inventor of the present invention found that by including an inorganic filler having a specific specific surface area and hydrogenated bisphenol epoxy resin as the epoxy resin, the anisotropic conductive film can be compressed at low temperature, and the melting start temperature and the curing start temperature of the anisotropic conductive film are The present invention was completed after confirming that the deviation of melt viscosity in the section was lowered, thereby eliminating the unevenness of compression during compression in the polymer film, and increasing the capture rate and monodisperse rate of conductive particles.

이하, 본 발명 일 실시예의 이방 도전성 필름을 설명한다.Hereinafter, an anisotropic conductive film of an embodiment of the present invention will be described.

이방 도전성 필름은 비표면적이 150m2/g 내지 300m2/g인 무기 필러 및 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지를 포함하고, 상기 이방 도전성 필름은 50℃ 내지 120℃에서 용융점도의 최대값과 용융점도의 최소값의 차이가 500Pa.s 내지 3000Pa.s이다. 상기 비표면적 범위에서, 용융 개시 온도와 경화 개시 온도의 구간에서 용융점도의 편차가 낮아져 폴리머 필름에서 압착시 압착 불균일을 해소할 수 있으며, 도전성 입자의 포착율과 단분산율을 높일 수 있다. 바람직하게는, 비표면적은 180m2/g 내지 290m2/g, 190m2/g 내지 290m2/g, 200m2/g 내지 290m2/g이 될 수 있다. 상기 "50℃"는 용융 개시 온도가 될 수 있다. 상기 "120℃"는 경화 개시 온도가 될 수 있다.The anisotropic conductive film includes an inorganic filler and a hydrogenated bisphenol epoxy resin with a specific surface area of 150 m 2 /g to 300 m 2 /g, and the anisotropic conductive film has a maximum melt viscosity and a melt viscosity of 50° C. to 120° C. The difference in minimum value is 500Pa.s to 3000Pa.s. In the above specific surface area range, the deviation of melt viscosity between the melting start temperature and the curing start temperature is lowered, so that compression unevenness during compression in the polymer film can be resolved, and the capture rate and monodisperse rate of conductive particles can be increased. Preferably, the specific surface area may be 180m 2 /g to 290m 2 /g, 190m 2 /g to 290m 2 /g, or 200m 2 /g to 290m 2 /g. The “50°C” may be the melting onset temperature. The “120°C” may be the curing start temperature.

50℃ 내지 120℃에서 용융점도의 최대값과 용융점도의 최소값의 차이가 500Pa.s 내지 3000Pa.s가 됨으로써 폴리머 필름에서 압착시 압착 불균일을 해소할 수 있다. 바람직하게는, 50℃ 내지 120℃에서 용융점도의 차이는 500Pa.s 내지 2500Pa.s가 될 수 있다. 더 바람직하게는, 50℃ 내지 120℃에서 용융점도의 차이는 500Pa.s 내지 1000Pa.s가 될 수 있다.The difference between the maximum value of melt viscosity and the minimum value of melt viscosity at 50°C to 120°C is 500 Pa.s to 3000 Pa.s, thereby eliminating compression unevenness during compression in the polymer film. Preferably, the difference in melt viscosity at 50°C to 120°C may be 500 Pa.s to 2500 Pa.s. More preferably, the difference in melt viscosity at 50°C to 120°C may be 500 Pa.s to 1000 Pa.s.

이방 도전성 필름은 50℃ 내지 120℃에서 용융점도는 200Pa.s 내지 10000Pa.s, 바람직하게는 200Pa.s 내지 5000Pa.s, 200Pa.s 내지 1500Pa.s, 바람직하게는 300Pa.s 내지 1000Pa.s이 될 수 있다. 상기 범위에서, 고포착율과 고단분산율 효과가 있을 수 있다. 무기 필러는 이방 도전성 필름에 포함되어 압착시 이방 도전성 필름의 용융점도를 조절할 수 있다. 무기 필러는 비표면적이 150m2/g 내지 300m2/g이 됨으로써 상기 용융점도의 차이 500Pa.s 내지 3000Pa.s를 확보하도록 할 수 있다. 이방 도전성 필름 중 에폭시 수지로서 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지를 포함하더라도 상술한 비표면적 범위 이외의 범위의 비표면적을 갖는 무기 필러를 포함하는 경우 상기 용융점도 차이 500Pa.s 내지 3000Pa.s를 확보할 수 없다. 본 발명에서는 무기 필러의 비표면적을 조절하고 에폭시 수지로 수소 첨가된 에폭시 수지를 사용함으로써 이방 도전성 필름의 용융 개시 온도와 경화 개시 온도의 구간에서 이방 도전성 필름의 용융점도의 차이를 낮출 수 있었다.The anisotropic conductive film has a melt viscosity at 50°C to 120°C of 200Pa.s to 10000Pa.s, preferably 200Pa.s to 5000Pa.s, 200Pa.s to 1500Pa.s, preferably 300Pa.s to 1000Pa.s. This can be. In the above range, there may be a high capture rate and high dispersion rate effect. The inorganic filler is included in the anisotropic conductive film and can control the melt viscosity of the anisotropic conductive film when compressed. The inorganic filler can ensure a difference in melt viscosity of 500 Pa.s to 3000 Pa.s by having a specific surface area of 150 m 2 /g to 300 m 2 /g. Even if an anisotropic conductive film includes hydrogenated bisphenol epoxy resin as an epoxy resin, if it contains an inorganic filler having a specific surface area other than the above-mentioned specific surface area range, the melt viscosity difference of 500 Pa.s to 3000 Pa.s can be secured. does not exist. In the present invention, by controlling the specific surface area of the inorganic filler and using hydrogenated epoxy resin, it was possible to reduce the difference in melt viscosity of the anisotropic conductive film in the range between the melting start temperature and the curing start temperature of the anisotropic conductive film.

무기 필러는 이방 도전성 필름 중 1중량% 내지 20중량%, 바람직하게는 5중량% 내지 10중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 이방 도전성 필름의 적정 용융점도를 확보하여 압착시 면 방향에서 절연성을 확보하고, 이방 도전성 필름의 압착시 흐름성이 너무 낮아져서 쇼트가 발생되는 문제점이 없을 수 있다.The inorganic filler may be included in an amount of 1% to 20% by weight, preferably 5% to 10% by weight, in the anisotropic conductive film. Within the above range, an appropriate melt viscosity of the anisotropic conductive film is secured to ensure insulation in the surface direction when compressed, and there may be no problem of short circuit occurring due to too low flowability when compressed of the anisotropic conductive film.

무기 필러는 평균입경이 5nm 내지 20nm, 바람직하게는 7nm 내지 15nm가 될 수 있다. 상기 범위에서, 이방 도전성 필름용 조성물의 코팅성이 잘 되도록 하여 필름 형성성을 높일 수 있고, 도전성 입자의 입자 포착율과 단분산성을 높일 수 있다. 이방 도전성 필름은 평균입경이 동일한 무기 필러를 포함할 수도 있고, 평균입경이 서로 다른 2종 이상의 무기 필러를 포함할 수도 있다.The inorganic filler may have an average particle diameter of 5 nm to 20 nm, preferably 7 nm to 15 nm. Within the above range, the coating properties of the composition for an anisotropic conductive film can be improved to improve film formability, and the particle capture rate and monodispersity of the conductive particles can be improved. The anisotropic conductive film may include inorganic fillers having the same average particle diameter, or may include two or more types of inorganic fillers having different average particle diameters.

무기 필러는 특별히 제한되지 않으며, 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용되는 무기 필러를 포함할 수 있다. 예를 들면, 무기 필러는 실리카, 알루미나, 티타니아, 지르코니아, 마그네시아, 세리아, 산화아연, 산화철, 질화규소, 질화티탄, 질화붕소, 탄산칼슘, 황산알루미늄, 수산화알루미늄, 티탄산칼슘, 탈크, 규산칼슘, 규산마그네슘 중 1종 이상을 사용할 수 있다. 구체적으로, 무기 필러는 실리카를 포함할 수 있다.The inorganic filler is not particularly limited and may include inorganic fillers commonly used in the art. For example, inorganic fillers include silica, alumina, titania, zirconia, magnesia, ceria, zinc oxide, iron oxide, silicon nitride, titanium nitride, boron nitride, calcium carbonate, aluminum sulfate, aluminum hydroxide, calcium titanate, talc, calcium silicate, and silicic acid. One or more types of magnesium may be used. Specifically, the inorganic filler may include silica.

무기 필러는 표면 처리되지 않은 무기 필러를 사용할 수도 있으나, 표면 처리된 무기 필러를 사용함으로써 이방 도전성 필름 중 무기 필러의 분산성을 개선할 수 있다. 표면 처리는 페닐아미노기, 페닐기, 메타크릴기, 비닐기, 에폭시 등의 화합물로 표면 처리를 의미할 수 있다. 무기 필러를 표면 처리하는 방법은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 무기 필러와 표면 처리 물질을 혼합하거나 경우에 따라서는 건식 방법 등으로 표면 처리할 수 있다.The inorganic filler may be an inorganic filler that is not surface treated, but the dispersibility of the inorganic filler in the anisotropic conductive film can be improved by using a surface treated inorganic filler. Surface treatment may mean surface treatment with compounds such as phenylamino group, phenyl group, methacryl group, vinyl group, and epoxy. The method of surface treating the inorganic filler is not particularly limited. For example, the surface can be treated by mixing an inorganic filler and a surface treatment material, or in some cases, by a dry method.

일 구체예에서, 무기 필러는 기공이 없는 무기 필러를 포함할 수 있다.In one embodiment, the inorganic filler may include a non-porous inorganic filler.

수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지는 이방 도전성 필름에 포함되어 상기 비표면적 범위를 갖는 무기 필러를 혼합하였을 때 이방 도전성 필름의 용융점도 조절을 용이하게 할 수 있고 저온에서 경화 가능하도록 할 수 있으며 상기 용융점도의 차이를 확보하도록 할 수 있다. 상술한 비표면적 범위를 갖는 무기 필러를 이방 도전성 필름에 포함하더라도 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지 이외의 에폭시 수지를 포함하는 경우 본 발명의 용융점도의 차이를 확보할 수 없다.The hydrogenated bisphenol epoxy resin is included in the anisotropic conductive film and can facilitate control of the melt viscosity of the anisotropic conductive film when mixed with an inorganic filler having the above specific surface area range and can be cured at low temperatures. You can ensure the difference. Even if an inorganic filler having the above-described specific surface area range is included in the anisotropic conductive film, if an epoxy resin other than hydrogenated bisphenol epoxy resin is included, the difference in melt viscosity of the present invention cannot be secured.

수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지는 비스페놀 에폭시 수지에 수소 첨가 반응하여 제조된 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 수소 첨가에 사용되는 비스페놀 에폭시 수지는 비스페놀 A 에폭시 수지, 비스페놀 F 에폭시 수지, 비스페놀 S 에폭시 수지 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 바람직하게는 수소 첨가된 비스페놀 에이 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지는 상업적으로 시판되는 제품 예를 들면 YX8000(미츠비시 케미칼, 수소 첨가된 비스페놀 A 에폭시 수지) 등을 사용할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.The hydrogenated bisphenol epoxy resin may include an epoxy resin prepared by hydrogenating a bisphenol epoxy resin. Bisphenol epoxy resins used for hydrogenation may include, but are not limited to, bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, bisphenol S epoxy resin, etc. Preferably, hydrogenated bisphenol A epoxy resin can be used. The hydrogenated bisphenol epoxy resin may be a commercially available product, such as YX8000 (Mitsubishi Chemical, hydrogenated bisphenol A epoxy resin), but is not limited thereto.

수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지는 이방 도전성 필름 중 5중량% 내지 40중량%, 바람직하게는 10중량% 내지 15중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 본 발명의 용융점도의 차이를 확보할 수 있고, 고포착율과 고단분산율 효과를 낼 수 있다.The hydrogenated bisphenol epoxy resin may be included in an amount of 5% to 40% by weight, preferably 10% to 15% by weight, in the anisotropic conductive film. Within the above range, the difference in melt viscosity of the present invention can be secured, and the effects of high capture rate and high dispersion rate can be achieved.

이방 도전성 필름은 도전성 입자를 20중량% 내지 50중량%, 바람직하게는 25중량% 내지 35중량%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서, 도전성 입자가 단자 간에 용이하게 압착되어 안정적인 접속 신뢰성을 확보할 수 있고, 통전성 향상으로 접속 저항을 감소시킬 수 있다.The anisotropic conductive film may contain conductive particles in an amount of 20% to 50% by weight, preferably 25% to 35% by weight. Within the above range, conductive particles can be easily compressed between terminals to ensure stable connection reliability, and connection resistance can be reduced by improving conductivity.

이방 도전성 필름은 두께가 5㎛ 내지 25㎛, 바람직하게는 5㎛ 내지 20㎛가 될 수 있다. 상기 범위에서, 접속에 사용될 수 있고, 디스플레이 장치에 사용될 수 있다.The anisotropic conductive film may have a thickness of 5㎛ to 25㎛, preferably 5㎛ to 20㎛. Within the above range, it can be used for connections and can be used for display devices.

이방 도전성 필름은 도전성 입자 단분산율이 90% 이상, 바람직하게는 90% 내지 100%가 될 수 있다. 상기 범위에서, 이방 도전성 필름의 압착시 유동성이 저하되어 접속 신뢰성이 우수할 수 있다. 단분산은 이방 도전성 필름 중 도전성 입자가 인접하는 다른 도전성 입자와 서로 이격된 상태로 정의한다. 도전성 입자 단분산율은 Image Analysis 방법으로 측정될 수 있지만 이에 제한되지 않는다. The anisotropic conductive film may have a conductive particle monodispersion ratio of 90% or more, preferably 90% to 100%. In the above range, the fluidity of the anisotropic conductive film may decrease when compressed, and connection reliability may be excellent. Monodisperse is defined as a state in which conductive particles in an anisotropic conductive film are spaced apart from other adjacent conductive particles. The conductive particle monodispersity rate can be measured using an Image Analysis method, but is not limited thereto.

이방 도전성 필름은 도전성 입자 포착률이 80% 이상, 바람직하게는 84% 내지 100%가 될 수 있다. 상기 범위에서, 고해상도 장치에 적용시 접속 저항 신뢰성이 우수하고 절연 저항에 문제가 없을 수 있다.The anisotropic conductive film may have a conductive particle capture rate of 80% or more, preferably 84% to 100%. Within the above range, when applied to a high-resolution device, connection resistance reliability is excellent and there may be no problem with insulation resistance.

도전성 입자의 포착률은 압착 전후의 단자 상에 있는 도전성 입자의 수를 백분율로 나타낸 것이며, 이를 측정하는 비제한적인 예는 다음과 같다: 압착 전 단자 상에 있는 도전성 입자의 개수(압착 전 도전성 입자의 개수)를 하기 수학식 1에 의해 산출한다.The capture rate of conductive particles is expressed as a percentage of the number of conductive particles on the terminal before and after compression, and non-limiting examples of measuring this are as follows: the number of conductive particles on the terminal before compression (the number of conductive particles before compression) number) is calculated by equation 1 below.

[수학식 1][Equation 1]

압착 전 도전성 입자의 개수 = 도전층의 도전성 입자의 입자 밀도(개/mm2) Х 단자의 면적(mm2)Number of conductive particles before compression = Particle density of conductive particles in the conductive layer (piece/mm 2 ) Area of Х terminal (mm 2 )

또한, 압착 후 단자 상에 있는 도전성 입자의 개수(압착 후 도전성 입자의 개수)를 금속 현미경으로 카운트하여 측정한 후, 하기의 수학식 2에 의해 도전성 입자의 입자 포착률을 산출한다.Additionally, the number of conductive particles on the terminal after compression (the number of conductive particles after compression) is counted and measured using a metallographic microscope, and then the particle capture rate of the conductive particles is calculated using Equation 2 below.

[수학식 2][Equation 2]

입자 포착률 = (압착 후 도전성 입자의 개수/압착 전 도전성 입자의 개수) Х 100(%)Particle capture rate = (Number of conductive particles after compression/Number of conductive particles before compression) Х 100(%)

상기 가압착 및 본압착 조건은 하기와 같다:The conditions for the temporary compression and main compression are as follows:

1) 가압착 조건: 60℃, 1초, 1.0MPa1) Temporary compression conditions: 60℃, 1 second, 1.0MPa

2) 본압착 조건: 150℃, 5초, 70MPa2) Main compression conditions: 150℃, 5 seconds, 70MPa

이방 도전성 필름은 도전성 입자의 단분산율이 90% 이상, 바람직하게는 95% 내지 100%가 될 수 있다. 상기 범위에서, 고포착율과 고단분산율 효과가 있을 수 있다.The anisotropic conductive film may have a monodisperse rate of conductive particles of 90% or more, preferably 95% to 100%. In the above range, there may be a high capture rate and high dispersion rate effect.

이방 도전성 필름은 제1 피접속 부재와 제2 피접속 부재 사이에 위치시키고, 60℃ 내지 80℃, 0.5초 내지 1초 및 0.5MPa 내지 1.0MPa 압력 조건 하의 가압착; 및 140℃ 내지 160℃, 5초 내지 7초 및 50MPa 내지 90MPa 압력 조건 하의 본압착하였을 때, 접속 저항은 3Ω 이하, 바람직하게는 0Ω 이상 3Ω 미만이 될 수 있다. 상기 범위에서, 접속 신뢰성을 개선할 수 있다.The anisotropic conductive film is placed between the first connected member and the second connected member, and is temporarily pressed under the conditions of 60°C to 80°C, 0.5 second to 1 second, and 0.5 MPa to 1.0 MPa pressure; And when main compression is performed under conditions of 140°C to 160°C, 5 to 7 seconds, and 50MPa to 90MPa pressure, the connection resistance may be 3Ω or less, preferably 0Ω or more and less than 3Ω. Within the above range, connection reliability can be improved.

이방 도전성 필름은 제1 피접속 부재와 제2 피접속 부재 사이에 위치시키고, 60℃ 내지 80℃, 0.5초 내지 1초 및 0.5MPa 내지 1.0MPa 압력 조건 하의 가압착; 및 140℃ 내지 160℃, 5초 내지 7초 및 50MPa 내지 90MPa 압력 조건 하의 본압착한 후, 85℃ 및 상대 습도 85%의 조건 하에서 100시간 동안 방치한 후에 측정한 신뢰성 후의 접속 저항은 6Ω 이하, 바람직하게는 0Ω 이상 6Ω 미만일 수 있다. 상기 범위 내에서 고온 고습 조건 하에서도 낮은 접속 저항을 유지할 수 있어 접속 신뢰성을 개선시킬 수 있다. The anisotropic conductive film is placed between the first connected member and the second connected member, and is temporarily pressed under the conditions of 60°C to 80°C, 0.5 second to 1 second, and 0.5 MPa to 1.0 MPa pressure; and after main compression under conditions of 140°C to 160°C, 5 to 7 seconds and 50MPa to 90MPa pressure, and then left for 100 hours under conditions of 85°C and 85% relative humidity, the connection resistance after reliability measured is 6Ω or less, Preferably, it may be 0Ω or more and less than 6Ω. Within the above range, low connection resistance can be maintained even under high temperature and high humidity conditions, thereby improving connection reliability.

상기 신뢰성 후의 접속 저항이란, 전술한 가압착 및 본압착 후, 85℃ 및 상대 습도 85%의 조건하에서 100시간 동안 방치한 후의 접속 저항을 말한다. 상기 신뢰성 후의 접속 저항의 측정 방법은 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 방법에 따라 측정될 수 있다. 신뢰성 후의 접속 저항을 측정하는 방법의 비제한적인 예는 다음과 같다: 복수 개의 필름 시편을 가압착 및 본압착시킨 후, 온도 85℃ 및 상대 습도 85%의 조건하에서 100시간 동안 방치한 후, 시험 전류 1mA를 인가하여 각각의 접속 저항을 측정(Keithley社 2000 Multimeter 이용, 4-probe 방식)한 후에 그 평균값을 계산하는 방식으로 측정한다.The connection resistance after reliability refers to the connection resistance after being left for 100 hours under conditions of 85°C and 85% relative humidity after the above-mentioned temporary compression and main compression. The method of measuring the connection resistance after the reliability is not particularly limited and can be measured according to a method commonly used in the technical field. A non-limiting example of a method for measuring connection resistance after reliability is as follows: After pre-pressing and main-pressing a plurality of film specimens, leaving them for 100 hours under conditions of a temperature of 85°C and a relative humidity of 85%, and then testing Measure each connection resistance by applying a current of 1 mA (using Keithley 2000 Multimeter, 4-probe method) and then calculating the average value.

상기 가압착 및 본압착 조건은 하기와 같다:The conditions for the temporary compression and main compression are as follows:

1) 가압착 조건: 60℃, 1초, 1.0MPa1) Temporary compression conditions: 60℃, 1 second, 1.0MPa

2) 본압착 조건: 150℃, 5초, 70MPa2) Main compression conditions: 150℃, 5 seconds, 70MPa

상기 범위에서 단자 상에 도전 입자가 충분히 위치하여 통전성이 개선되고 스페이스 부로의 도전 입자 유출을 감소시켜 단자 간 쇼트를 감소시킬 수 있다.In the above range, conductive particles are sufficiently located on the terminals, thereby improving conductivity and reducing leakage of conductive particles into the space, thereby reducing short circuits between terminals.

이방 도전성 필름은 경화율이 85% 이상, 바람직하게는 85% 내지 100%가 될 수 있다. 상기 범위에서, 이방 도전성 필름의 압착시 유동성이 저하되어 접속 신뢰성이 우수할 수 있다.The anisotropic conductive film may have a cure rate of 85% or more, preferably 85% to 100%. In the above range, the fluidity of the anisotropic conductive film may decrease when compressed, and connection reliability may be excellent.

이방 도전성 필름의 경화율은 하기 수학식 3으로 측정한다. The curing rate of the anisotropic conductive film is measured using Equation 3 below.

[수학식 3][Equation 3]

경화율(%) = [(H0-H1)/H0]Х100Hardening rate (%) = [(H 0 -H 1 )/H 0 ]Х100

상기 수학식 3에서, H0는 이방 도전성 필름을 DSC(열시차주사열량계, TA instruments, Q20)를 이용하여 질소 가스 분위기 하에서 10℃/min, -50℃ 내지 250℃ 온도 구간에서 곡선 아래 면적으로 측정한 초기 발열량이고, H1은 핫플레이트(hot plate) 상에 130℃에서 5초간 방치한 후 동일한 방법으로 측정한 발열량을 나타낸다).In Equation 3, H 0 is the area under the curve of an anisotropic conductive film in a temperature range of -50°C to 250°C at 10°C/min under a nitrogen gas atmosphere using DSC (thermal differential scanning calorimeter, TA instruments, Q20). This is the measured initial calorific value, and H 1 represents the calorific value measured in the same manner after leaving the plate on a hot plate at 130°C for 5 seconds).

이방 도전성 필름을 2mm*25mm로 잘라서 절연 저항 평가 자재에 각각 본딩하여 평가하였다. 이때, 0.5㎜ 두께의 유리 기판 상에 60℃, 1MPa, 1sec 조건으로 가열/가압해 이방 도전성 필름과 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 필름의 적층체를 가압착하고 PET 필름을 벗겨 유리 기판 상에 이방 도전성 필름을 배치했다. 그 다음 칩(칩 길이 19.5㎜, 칩 폭 1.5㎜, 범프 간격 8㎛)를 얼라인하여 배치한 후, 150℃, 70MPa, 5sec 조건으로 본압착을 실시하였다. 여기에 50V를 인가하며 2 단자법으로 총 38포인트에서 쇼트 발생 여부를 검사하였다. 이에 의한 이방 도전성 필름은 절연 저항이 발생하지 않았다.The anisotropic conductive film was cut into 2mm*25mm and bonded to each insulation resistance evaluation material for evaluation. At this time, 60℃, 1MPa, The laminate of the anisotropic conductive film and PET (polyethylene terephthalate) film was pressurized by heating/pressing under 1 sec conditions, the PET film was peeled off, and the anisotropic conductive film was placed on the glass substrate. Next, the chips (chip length 19.5 mm, chip width 1.5 mm, bump spacing 8 μm) were aligned and placed, and then main compression was performed under the conditions of 150°C, 70 MPa, and 5 sec. Here, 50V was applied and a total of 38 points were tested for short circuits using the two-terminal method. As a result, the anisotropic conductive film did not generate insulation resistance.

이방 도전성 필름은 30℃에서 모듈러스가 2.0GPa 이상, 예를 들면 2.0GPa 내지 4.0GPa, 2.5GPa 내지 3.5GPa가 될 수 있다. 상기 범위에서, 이방 도전성 필름의 입자 포착율이 우수할 수 있다.The anisotropic conductive film may have a modulus of 2.0 GPa or more at 30°C, for example, 2.0 GPa to 4.0 GPa, or 2.5 GPa to 3.5 GPa. Within the above range, the particle capture rate of the anisotropic conductive film may be excellent.

이방 도전성 필름은 도전성 입자를 포함하는 도전층만으로 이루어질 수도 있으나, 접속시 도전층이 찢어지거나 흐름성이 좋지 않게 되는 문제점을 해소하기 위하여, 절연층을 더 포함할 수도 있다.The anisotropic conductive film may be composed of only a conductive layer containing conductive particles, but may further include an insulating layer to solve problems such as tearing of the conductive layer or poor flow during connection.

일 구체예에서, 이방 도전성 필름은 도전층 및 도전층의 일면에 형성된 절연층을 포함할 수 있다. 절연층은 비표면적이 150m2/g 내지 300m2/g인 무기 필러 및 에폭시 수지로서 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 따라서, 이방 도전성 필름은 상기 용융점도 차이를 확보하고 도전성 입자의 포착율과 단분산율을 높일 수 있다. 절연층은 에폭시 수지로서 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지만 포함하고 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지 이외의 다른 에폭시 수지는 포함하지 않는다.In one embodiment, the anisotropic conductive film may include a conductive layer and an insulating layer formed on one surface of the conductive layer. The insulating layer may include an inorganic filler having a specific surface area of 150 m 2 /g to 300 m 2 /g and a hydrogenated bisphenol epoxy resin as an epoxy resin. Therefore, the anisotropic conductive film can secure the difference in melt viscosity and increase the capture rate and monodisperse rate of conductive particles. The insulating layer contains only hydrogenated bisphenol epoxy resin as an epoxy resin and does not contain any other epoxy resin other than hydrogenated bisphenol epoxy resin.

다른 구체예에서, 이방 도전성 필름은 도전층 및 도전층의 양면에 형성된 절연층을 포함할 수 있다. 절연층 중 1종 이상은 비표면적이 150m2/g 내지 300m2/g인 무기 필러 및 에폭시 수지로서 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 따라서, 이방 도전성 필름은 상기 용융점도 차이를 확보하고 도전성 입자의 포착율과 단분산율을 높일 수 있다. 절연층은 에폭시 수지로서 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지만 포함하고 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지 이외의 다른 에폭시 수지는 포함하지 않는다.In another embodiment, the anisotropic conductive film may include a conductive layer and an insulating layer formed on both sides of the conductive layer. One or more of the insulating layers may include an inorganic filler having a specific surface area of 150 m 2 /g to 300 m 2 /g and a hydrogenated bisphenol epoxy resin as an epoxy resin. Therefore, the anisotropic conductive film can secure the difference in melt viscosity and increase the capture rate and monodisperse rate of conductive particles. The insulating layer contains only hydrogenated bisphenol epoxy resin as an epoxy resin and does not contain any other epoxy resin other than hydrogenated bisphenol epoxy resin.

이하, 절연층과 도전층에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the insulating layer and the conductive layer will be described in detail.

절연층은 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지, 비표면적이 150m2/g 내지 300m2/g인 무기 필러, 바인더 수지 및 경화제를 포함할 수 있다.The insulating layer may include a hydrogenated bisphenol epoxy resin, an inorganic filler with a specific surface area of 150 m 2 /g to 300 m 2 /g, a binder resin, and a curing agent.

수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지와 비표면적이 150m2/g 내지 300m2/g인 무기 필러는 상기에서 설명한 바와 같다. 일 구체예에서, 절연층은 에폭시 수지로서 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지만 포함하고 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지 이외의 에폭시 수지는 포함하지 않는다.The hydrogenated bisphenol epoxy resin and the inorganic filler having a specific surface area of 150 m 2 /g to 300 m 2 /g are as described above. In one embodiment, the insulating layer includes only hydrogenated bisphenol epoxy resin as the epoxy resin and does not include any epoxy resin other than the hydrogenated bisphenol epoxy resin.

수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지는 절연층 중 20중량% 내지 40중량%, 바람직하게는 25중량% 내지 35중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 도전성 입자의 포착율과 고단분산율 효과가 있을 수 있다.The hydrogenated bisphenol epoxy resin may be included in an amount of 20% to 40% by weight, preferably 25% to 35% by weight, in the insulating layer. Within the above range, there may be an effect of capturing rate of conductive particles and high dispersion rate.

비표면적이 150m2/g 내지 300m2/g인 무기 필러는 절연층 중 10중량% 내지 40중량%, 바람직하게는 15중량% 내지 25중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 입자의 포착율과 고단분산율 효과가 있을 수 있다.The inorganic filler having a specific surface area of 150 m 2 /g to 300 m 2 /g may be included in the insulating layer in an amount of 10% to 40% by weight, preferably 15% to 25% by weight. In the above range, there may be an effect of particle capture rate and high single dispersion rate.

바인더 수지는 페녹시 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리메타크릴레이트 수지, 폴리아크릴레이트 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에스테르우레탄 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 스타이렌-부티렌-스타이렌 수지, 스타이렌-부티렌-스타이렌 수지의 에폭시 변성체, 스타이렌-에틸렌-부틸렌-스타이렌 수지, 스타이렌-에틸렌-부틸렌-스타이렌 수지의 에폭시 변성체, 아크릴로니트릴 부타디엔 고무, 아크릴로니트릴 부타디엔 고무의 수소화체 중 1종 이상을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 바인더 수지로 페녹시 수지, 더 바람직하게는 플루오렌형 페녹시 수지, 더 바람직하게는 바이페닐 플루오렌형 페녹시 수지를 사용할 수 있다. 바이페닐 플루오렌형 페녹시 수지를 바인더 수지로 사용함으로써 입자의 포착율과 고단분산율 효과가 더 있을 수 있다.Binder resins include phenoxy resin, polyimide resin, polyamide resin, polymethacrylate resin, polyacrylate resin, polyurethane resin, polyester resin, polyester urethane resin, polyvinyl butyral resin, and styrene-butyrene. -Styrene resin, epoxy modified product of styrene-butylene-styrene resin, styrene-ethylene-butylene-styrene resin, epoxy modified product of styrene-ethylene-butylene-styrene resin, acrylonitrile It may contain one or more types of hydrogenated forms of butadiene rubber and acrylonitrile butadiene rubber. Preferably, a phenoxy resin can be used as the binder resin, more preferably a fluorene-type phenoxy resin, and even more preferably a biphenyl fluorene-type phenoxy resin. By using biphenyl fluorene type phenoxy resin as a binder resin, the particle capture rate and high monodispersion rate effects can be further improved.

바인더 수지는 절연층 중 20중량% 내지 55중량%, 바람직하게는 30중량% 내지 50중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 입자의 포착율과 고단분산율 효과를 얻을 수 있다.The binder resin may be included in an amount of 20% to 55% by weight, preferably 30% to 50% by weight, in the insulating layer. Within the above range, particle capture rate and high dispersion rate effects can be obtained.

경화제는 바인더 수지, 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지를 경화시켜 절연층을 형성할 수 있는 것이라면 특별한 제한이 없다. 경화제는 예를 들면 산무수물계, 아민계, 이미다졸계, 이소시아네이트계, 아미드계, 히드라지드계, 페놀계, 설포늄계 등의 양이온계 등을 사용할 수 있다.The curing agent is not particularly limited as long as it can form an insulating layer by curing the binder resin or hydrogenated bisphenol epoxy resin. The curing agent may be, for example, an acid anhydride-based, amine-based, imidazole-based, isocyanate-based, amide-based, hydrazide-based, phenol-based, sulfonium-based or other cationic type.

경화제는 절연층 중 1중량% 내지 5중량%, 바람직하게는 2중량% 내지 4중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 경화에 필요한 충분한 반응이 일어나게 하고, 본딩 후 접착력과 신뢰성 등에서 우수할 수 있다.The curing agent may be included in 1% to 5% by weight of the insulating layer, preferably 2% to 4% by weight. Within the above range, sufficient reaction required for curing can occur and excellent adhesion and reliability after bonding can be achieved.

절연층은 상기 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지, 비표면적이 150m2/g 내지 300m2/g인 무기 필러, 바인더 수지 및 경화제 이외에 실란커플링제, 첨가제 등을 더 포함할 수 있다.The insulating layer may further include a silane coupling agent, additives, etc. in addition to the hydrogenated bisphenol epoxy resin, an inorganic filler having a specific surface area of 150 m 2 /g to 300 m 2 /g, a binder resin, and a curing agent.

실란커플링제는 이방 도전성 필름의 접착력을 높일 수 있다. 실란커플링제는 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, (메타)아크릴옥시프로필트리메톡시실란 등의 중합성 불포화기 함유 규소 화합물; 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등의 에폭시기 함유 규소 화합물; -아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란 등의 아미노기 함유 규소 화합물; 3-클로로프로필트리메톡시실란 중 1종 이상을 포함할 수 있다.Silane coupling agents can increase the adhesion of anisotropic conductive films. Silane coupling agents include silicon compounds containing polymerizable unsaturated groups such as vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, and (meth)acryloxypropyltrimethoxysilane; epoxy group-containing silicon compounds such as 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, and 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane; -Amino group-containing silicon compounds such as aminopropyltrimethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane, and N-(2-aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane; It may contain one or more types of 3-chloropropyltrimethoxysilane.

실란커플링제는 절연층 중 0.5중량% 내지 5중량%, 바람직하게는 1중량% 내지 3중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 이방 도전성 필름의 접착력 개선 효과가 있을 수 있다.The silane coupling agent may be included in an amount of 0.5% to 5% by weight, preferably 1% to 3% by weight, in the insulating layer. Within the above range, there may be an effect of improving the adhesion of the anisotropic conductive film.

첨가제는 중합방지제, 산화방지제, 열안정제 등 당업자에게 알려진 통상의 첨가제를 포함할 수 있다. 첨가제는 절연층 중 0.5중량% 내지 5중량%, 바람직하게는 1중량% 내지 3중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 본 발명의 이방 도전성 필름의 효과에 영향을 주지 않으면서 첨가제로서의 효과를 얻을 수 있다.Additives may include conventional additives known to those skilled in the art, such as polymerization inhibitors, antioxidants, and heat stabilizers. The additive may be included in an amount of 0.5% to 5% by weight, preferably 1% to 3% by weight, in the insulating layer. Within the above range, the effect as an additive can be obtained without affecting the effect of the anisotropic conductive film of the present invention.

절연층은 두께가 5㎛ 내지 20㎛, 바람직하게는 5㎛ 내지 15㎛가 될 수 있다. 상기 범위에서, 접속에 사용될 수 있고, 디스플레이 장치에 사용될 수 있다.The insulating layer may have a thickness of 5㎛ to 20㎛, preferably 5㎛ to 15㎛. Within the above range, it can be used for connections and can be used for display devices.

도전층은 바인더 수지, 에폭시 수지, 경화제 및 도전성 입자를 포함할 수 있다.The conductive layer may include a binder resin, epoxy resin, hardener, and conductive particles.

바인더 수지는 도전층의 매트릭스를 형성한다. 바인더 수지는 페녹시 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리메타크릴레이트 수지, 폴리아크릴레이트 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에스테르우레탄 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 스타이렌-부티렌-스타이렌 수지, 스타이렌-부티렌-스타이렌 수지의 에폭시 변성체, 스타이렌-에틸렌-부틸렌-스타이렌 수지, 스타이렌-에틸렌-부틸렌-스타이렌 수지의 에폭시 변성체, 아크릴로니트릴 부타디엔 고무, 아크릴로니트릴 부타디엔 고무의 수소화체 중 1종 이상을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 바인더 수지로 페녹시 수지를 사용할 수 있다. 더 바람직하게는 바인더 수지는 플루오렌형 페녹시 수지와 비-플루오렌형 페녹시 수지의 혼합물을 사용할 수 있다. 가장 바람직하게는 바인더 수지는 비-플루오렌형 페녹시 수지와 바이페닐 플루오렌형 페녹시 수지의 혼합물을 사용할 수 있다. 바인더 수지로서 상기 혼합물을 사용함으로써 입자의 포착율과 고단분산율 효과가 있을 수 있다.The binder resin forms the matrix of the conductive layer. Binder resins include phenoxy resin, polyimide resin, polyamide resin, polymethacrylate resin, polyacrylate resin, polyurethane resin, polyester resin, polyester urethane resin, polyvinyl butyral resin, and styrene-butyrene. -Styrene resin, epoxy modified product of styrene-butylene-styrene resin, styrene-ethylene-butylene-styrene resin, epoxy modified product of styrene-ethylene-butylene-styrene resin, acrylonitrile It may contain one or more types of hydrogenated forms of butadiene rubber and acrylonitrile butadiene rubber. Preferably, phenoxy resin can be used as the binder resin. More preferably, the binder resin may be a mixture of fluorene type phenoxy resin and non-fluorene type phenoxy resin. Most preferably, the binder resin may be a mixture of a non-fluorene type phenoxy resin and a biphenyl fluorene type phenoxy resin. By using the above mixture as a binder resin, particle capture rate and high dispersion rate effects can be achieved.

바인더 수지는 도전층 중 20중량% 내지 55중량%, 바람직하게는 30중량% 내지 50중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 입자의 포착율과 고단분산율 효과를 얻을 수 있다.The binder resin may be included in an amount of 20% to 55% by weight, preferably 30% to 50% by weight, of the conductive layer. Within the above range, particle capture rate and high dispersion rate effects can be obtained.

일 구체예에서, 이방 도전성 필름은 절연층과 도전층 중 1종 이상, 바람직하게는 절연층과 도전층 양자에 바이페닐 플루오렌형 페녹시 수지를 포함할 수 있다. 바이페닐 플루오렌형 페녹시 수지는 이방 도전성 필름 중 20중량% 내지 55중량%, 바람직하게는 30중량% 내지 50중량%로 포함될 수 있다.In one embodiment, the anisotropic conductive film may include a biphenyl fluorene-type phenoxy resin in at least one of the insulating layer and the conductive layer, preferably in both the insulating layer and the conductive layer. The biphenyl fluorene type phenoxy resin may be included in an amount of 20% to 55% by weight, preferably 30% to 50% by weight, in the anisotropic conductive film.

에폭시 수지는 도전층의 접착력을 높일 수 있다. 에폭시 수지는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 아크릴레이트 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AD형 에폭시 수지, 비스페놀 E형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지 등의 비스페놀형 에폭시 수지; 폴리글리시딜 에테르 에폭시 수지, 폴리글리시딜 에스테르 에폭시 수지, 나프탈렌 에폭시 수지 등의 방향족 에폭시 수지; 지환족 에폭시 수지; 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지; 글리시딜 아민계 에폭시 수지; 글리시딜 에스테르계 에폭시 수지; 비페닐 디글리시딜 에폭시 수지 등의 에폭시 수지를 사용할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 바람직하게는 에폭시 수지는 디사이클로 펜타디엔 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 디사이클로 펜타디엔 에폭시 수지는 입자의 포착율과 고단분산율 효과를 제공할 수 있다.Epoxy resin can increase the adhesion of the conductive layer. Epoxy resins include bisphenol-type epoxy resins such as bisphenol A-type epoxy resin, bisphenol A-type epoxy acrylate resin, bisphenol F-type epoxy resin, bisphenol AD-type epoxy resin, bisphenol E-type epoxy resin, and bisphenol S-type epoxy resin; Aromatic epoxy resins such as polyglycidyl ether epoxy resin, polyglycidyl ester epoxy resin, and naphthalene epoxy resin; Alicyclic epoxy resin; Novolak-type epoxy resins such as cresol novolak-type epoxy resins and phenol novolak-type epoxy resins; Glycidyl amine-based epoxy resin; Glycidyl ester-based epoxy resin; Epoxy resins such as biphenyl diglycidyl epoxy resin can be used, but are not limited thereto. Preferably, the epoxy resin may include dicyclopentadiene epoxy resin. Dicyclopentadiene epoxy resin can provide particle capture rate and high dispersion rate effects.

일 구체예에서, 도전층은 에폭시 수지로서 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지는 포함하지 않을 수 있다.In one embodiment, the conductive layer is an epoxy resin and may not include hydrogenated bisphenol epoxy resin.

에폭시 수지는 도전층 중 20중량% 내지 40중량%, 바람직하게는 20중량% 내지 35중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 입자의 포착율과 고단분산율 효과를 얻을 수 있다.The epoxy resin may be included in 20% to 40% by weight of the conductive layer, preferably 20% to 35% by weight. Within the above range, particle capture rate and high dispersion rate effects can be obtained.

도전성 입자는 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 도전성 입자를 사용할 수 있다. 도전성 입자의 비제한적인 예로는 Au, Ag, Ni, Cu, 땜납 등을 포함하는 금속 입자; 탄소; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리스타이렌, 폴리비닐알코올 등을 포함하는 수지 및 그 변성 수지를 입자로 하여 Au, Ag, Ni 등을 포함하는 금속으로 도금 코팅한 입자; 그 위에 절연 입자를 추가로 코팅한 절연화 처리된 도전성 입자 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용되거나 2종 이상 혼합하여 사용될 수 있다.The conductive particles may be conductive particles commonly used in the technical field. Non-limiting examples of conductive particles include metal particles including Au, Ag, Ni, Cu, solder, etc.; carbon; Particles made by plating and coating a resin containing polyethylene, polypropylene, polyester, polystyrene, polyvinyl alcohol, etc. and a modified resin thereof with a metal containing Au, Ag, Ni, etc.; Examples include insulating conductive particles coated with insulating particles additionally thereon. These may be used alone or in combination of two or more types.

도전성 입자는 평균 입경이 2.5㎛ 내지 5.5㎛, 바람직하게는 3.0㎛ 내지 3.5㎛가 될 수 있다. 상기 범위에서, 접속에 사용될 수 있고, 디스플레이 장치에 사용될 수 있다.The conductive particles may have an average particle diameter of 2.5 ㎛ to 5.5 ㎛, preferably 3.0 ㎛ to 3.5 ㎛. Within the above range, it can be used for connections and can be used for display devices.

도전성 입자는 도전층 중 20중량% 내지 50중량%, 바람직하게는 20중량% 내지 35중량%, 더 바람직하게는 25중량% 내지 35중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 도전성 입자가 단자 간에 용이하게 압착되어 안정적인 접속 신뢰성을 확보할 수 있고, 통전성 향상으로 접속 저항을 감소시킬 수 있다.Conductive particles may be included in 20% to 50% by weight of the conductive layer, preferably 20% to 35% by weight, and more preferably 25% to 35% by weight. Within the above range, conductive particles can be easily compressed between terminals to ensure stable connection reliability, and connection resistance can be reduced by improving conductivity.

경화제는 바인더 수지, 에폭시 수지를 경화시켜 절연층을 형성할 수 있는 것이라면 특별한 제한이 없다. 경화제는 예를 들면 산무수물계, 아민계, 이미다졸계, 이소시아네이트계, 아미드계, 히드라지드계, 페놀계, 설포늄계 등의 양이온계 등을 사용할 수 있다.The curing agent is not particularly limited as long as it can form an insulating layer by curing the binder resin or epoxy resin. The curing agent may be, for example, an acid anhydride-based, amine-based, imidazole-based, isocyanate-based, amide-based, hydrazide-based, phenol-based, sulfonium-based or other cationic type.

경화제는 도전층 중 1중량% 내지 5중량%, 바람직하게는 1중량% 내지 4중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 경화에 필요한 충분한 반응이 일어나게 하고, 본딩 후 접착력과 신뢰성 등에서 우수할 수 있다.The curing agent may be included in an amount of 1% to 5% by weight, preferably 1% to 4% by weight, in the conductive layer. Within the above range, sufficient reaction required for curing can occur and excellent adhesion and reliability after bonding can be achieved.

일 구체예에서, 도전층은 무기 필러를 포함하지 않을 수 있다.In one embodiment, the conductive layer may not include an inorganic filler.

다른 구체예에서, 도전층은 무기 필러를 더 포함할 수도 있다. 도전층에 무기 필러를 더 포함함으로써 고포착율 효과를 제공할 수도 있다. 무기 필러는 도전층 중 3중량% 이하, 바람직하게는 0중량% 이상 1중량% 이하로 포함될 수 있다. 무기 필러는 상술한 비표면적 범위를 갖거나 상술한 비표면적 범위 이외의 범위를 갖는 무기 필러를 포함할 수 있다. 무기 필러에 대한 상술 내용은 상기에서 상술한 바와 가다.In other embodiments, the conductive layer may further include an inorganic filler. A high capture rate effect can also be provided by further including an inorganic filler in the conductive layer. The inorganic filler may be included in an amount of 3% by weight or less, preferably 0% by weight or more and 1% by weight or less, in the conductive layer. The inorganic filler may have the above-described specific surface area range or may include an inorganic filler having a specific surface area range other than the above-described specific surface area range. The details of the inorganic filler are the same as those described above.

도전층은 상술한 실란커플링제, 첨가제 등을 더 포함할 수도 있다.The conductive layer may further include the silane coupling agent and additives described above.

도전층은 두께가 0.5㎛ 내지 5㎛, 바람직하게는 1㎛ 내지 4㎛가 될 수 있다. 상기 범위에서, 접속에 사용될 수 있고, 디스플레이 장치에 사용될 수 있다.The conductive layer may have a thickness of 0.5 μm to 5 μm, preferably 1 μm to 4 μm. Within the above range, it can be used for connections and can be used for display devices.

본 발명의 이방 도전성 필름은 제1 피접속 부재가 형성된 제1 기판과 제2 피접속 부재가 형성된 제2 기판 사이에 이방 도전성 필름을 배치시키고, 가열 압착될 수 있다. 제1 기판은 LCD, PD 패널 등의 유리 기판이고, 전자 부품과 접속하기 위한 단자로서 제1 피접속 부재가 형성되어 있을 수 있다. 제2 피접속 부재는 예를 들어 COP(chip on plastic), FPC(flexible printed circuits), COF(chip on film), TCP(tape carrier package) 등이 될 수 있다. 예를 들면, 피접속부재는 폴리이미드 필름 등이 될 수 있다.The anisotropic conductive film of the present invention can be heat-pressed by placing the anisotropic conductive film between a first substrate on which the first connected member is formed and a second substrate on which the second connected member is formed. The first substrate may be a glass substrate such as an LCD or PD panel, and a first connected member may be formed as a terminal for connection to an electronic component. 2nd connected The members may be, for example, chip on plastic (COP), flexible printed circuits (FPC), chip on film (COF), tape carrier package (TCP), etc. For example, the connected member may be a polyimide film or the like.

본 발명의 이방 도전성 필름을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 방법을 사용할 수 있다. 이방 도전 필름을 형성하는 방법은 특별한 장치나 설비가 필요하지 아니하며, 바인더 수지를 유기 용제에 용해시켜 액상화한 후 나머지 성분을 첨가하여 일정 시간 교반하여 도전층용 조성물을 제공하고, 도전층용 조성물을 이형 필름 위에 소정의 두께로 도포한 다음, 80℃ 내지 130℃에서 5분 내지 10분 동안 경화시켜 도전층을 얻을 수 있다. 얻은 도전층 일면에 절연층용 조성물을 소정의 두께로 도포한 다음 건조하여 유기 용제를 휘발시킴으로써 이방 도전성 필름을 얻을 수 있다. The method of forming the anisotropic conductive film of the present invention is not particularly limited, and methods commonly used in the art can be used. The method of forming an anisotropic conductive film does not require any special devices or equipment. The binder resin is dissolved in an organic solvent to liquefy, the remaining ingredients are added and stirred for a certain period of time to provide a conductive layer composition, and the conductive layer composition is formed into a release film. A conductive layer can be obtained by applying it to a predetermined thickness and then curing it at 80°C to 130°C for 5 to 10 minutes. An anisotropic conductive film can be obtained by applying the composition for an insulating layer to a predetermined thickness on one side of the obtained conductive layer and then drying it to volatilize the organic solvent.

본 발명의 디스플레이 장치는 드라이버 회로; 패널; 및 본 발명의 일 예에 따른 이방 도전성 필름을 포함하고, 구체적으로 상기 패널은 액정표시(LCD) 패널인 액정디스플레이(LCD) 장치일 수 있다. 또한, 상기 패널은 유기발광다이오드(OLED) 패널인 유기발광다이오드 디스플레이(OLED) 장치일 수 있다.The display device of the present invention includes a driver circuit; panel; and an anisotropic conductive film according to an example of the present invention. Specifically, the panel may be a liquid crystal display (LCD) device, which is a liquid crystal display (LCD) panel. Additionally, the panel may be an organic light emitting diode (OLED) display (OLED) device.

본 발명의 디스플레이 장치를 제조하는 방법은 특별히 한정되지 아니하며, 당해 기술 분야에서 알려진 방법으로 수행될 수 있다.The method of manufacturing the display device of the present invention is not particularly limited and can be performed by methods known in the art.

이하, 본 발명의 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되지는 않는다.Hereinafter, the configuration and operation of the present invention will be described in more detail through examples of the present invention. However, the following examples are intended to aid understanding of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to the following examples.

실시예Example 1 One

절연층의of insulating layer 제조 manufacturing

용제(PGMEA, Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate)에 하기 표 1의 구성 성분을 하기 표 1의 함량(단위:중량부)으로 배합하여 절연층용 조성물을 제조하였다. 상기 제조된 절연층용 조성물을 이형 필름인 PET 필름 상에 도포하고 건조기에서 70℃에서 5분 동안 용제를 휘발시켜 두께 5㎛의 절연층을 제조하였다. 하기 표 1에서 각 성분의 함량은 고형분에 기초한 함량이다.A composition for an insulating layer was prepared by mixing the components shown in Table 1 below in a solvent (PGMEA, Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate) in the amounts (unit: parts by weight) shown in Table 1 below. The composition for an insulating layer prepared above was applied on a PET film, a release film, and the solvent was volatilized in a dryer at 70°C for 5 minutes to prepare an insulating layer with a thickness of 5 μm. In Table 1 below, the content of each component is based on solid content.

도전층의conductive layer 제조 manufacturing

용제(PGMEA)에 하기 표 1의 구성 성분을 하기 표 1의 함량으로 배합하여 도전층용 조성물을 제조하였다. 상기 제조된 도전층용 조성물을 이형 필름인 PET 필름 상에 도포하고 건조기에서 70℃에서 5분 동안 용제를 휘발시켜 두께 1㎛의 도전층을 제조하였다.A composition for a conductive layer was prepared by mixing the components shown in Table 1 below in a solvent (PGMEA) in the amounts shown in Table 1 below. The composition for a conductive layer prepared above was applied on a PET film, a release film, and the solvent was volatilized in a dryer at 70° C. for 5 minutes to prepare a conductive layer with a thickness of 1 μm.

이방 도전성 필름의 제조Manufacturing of anisotropic conductive film

제조한 도전층과 절연층을 40℃, 1MPa에서 라미네이팅하여, PET 필름 - 도전층과 절연층이 적층된 2층 구조의 두께 6㎛의 이방 도전성 필름 - PET 필름의 적층체를 제조하였다.The prepared conductive layer and insulating layer were laminated at 40°C and 1 MPa to prepare a laminate of PET film - an anisotropic conductive film with a thickness of 6 μm having a two-layer structure in which a conductive layer and an insulating layer were laminated - PET film.

실시예Example 2 내지 2 to 실시예Example 3 3

실시예 1에서, 절연층용 조성물의 구성 성분을 하기 표 1과 같이 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 이방 도전성 필름을 구비한 적층체를 제조하였다.In Example 1, a laminate with an anisotropic conductive film was manufactured in the same manner as Example 1, except that the components of the composition for the insulating layer were changed as shown in Table 1 below.

비교예Comparative example 1 내지 1 to 비교예Comparative example 3 3

실시예 1에서, 절연층용 조성물의 구성 성분을 하기 표 1과 같이 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 이방 도전성 필름을 구비한 적층체를 제조하였다.In Example 1, a laminate with an anisotropic conductive film was manufactured in the same manner as Example 1, except that the components of the composition for the insulating layer were changed as shown in Table 1 below.

실시예Example 비교예Comparative example 1One 22 33 1One 22 33 절연층insulating layer FX293FX293 4040 4040 4040 4040 4040 4040 YX8000YX8000 3030 3030 3030 00 3030 3030 EPICLON830EPICLON830 00 00 00 3030 00 00 R812SR812S 1515 2020 00 1515 00 00 K-T30K-T30 00 00 1515 00 00 00 UFP30UFP30 00 00 00 00 1515 00 SSP07SSP07 00 00 00 00 00 1515 B2AB2A 22 22 22 22 22 22 도전층conductive layer FX293FX293 5050 5050 5050 5050 5050 5050 YP50YP50 1010 1010 1010 1010 1010 1010 XD1000XD1000 3030 3030 3030 3030 3030 3030 N2EHHB4003S N2EHHB4003S 4040 4040 4040 4040 4040 4040 B2AB2A 22 22 22 22 22 22 이방 도전성 필름 중 무기 필러(중량%)Inorganic filler in anisotropic conductive film (% by weight) 6.86.8 8.98.9 6.86.8 6.86.8 6.86.8 6.86.8 이방 도전성 필름 중 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지
(중량%)
Hydrogenated bisphenol epoxy resin in anisotropic conductive film
(weight%)
13.713.7 13.413.4 13.713.7 00 13.713.7 13.713.7

*FX293: 바이페닐 플루오렌형 페녹시 수지(신일철社)*FX293: Biphenyl fluorene type phenoxy resin (Shinilcheol Co., Ltd.)

*YX8000: 수소 첨가된 비스페놀 A형 에폭시 수지(미츠비시케미칼社)*YX8000: Hydrogenated bisphenol A type epoxy resin (Mitsubishi Chemical)

*EPICLON830: 수소 첨가된 비스페놀 A형 에폭시 수지가 아닌 에폭시 수지(DIC Coporation)*EPICLON830: Epoxy resin other than hydrogenated bisphenol A type epoxy resin (DIC Coporation)

*R812S: 비표면적이 195m2/g 내지 245m2/g인 나노 실리카(EVONIK社)*R812S: Nano silica with a specific surface area of 195 m 2 /g to 245 m 2 /g (EVONIK)

*K-T30 비표면적이 230m2/g 내지 260m2/g인 나노 실리카(OCI社)*K-T30 Nano silica with a specific surface area of 230 m 2 /g to 260 m 2 /g (OCI)

*UFP30: 비표면적이 20m2/g 내지 80m2/g인 실리카(Denka社)*UFP30: Silica with a specific surface area of 20m 2 /g to 80m 2 /g (Denka)

*SSP07: 비표면적이 1m2/g 내지 10m2/g인 실리카(Tokuyama社)*SSP07: Silica with a specific surface area of 1 m 2 /g to 10 m 2 /g (Tokuyama)

*B2A: 설포늄계 양이온 잠재성 경화제(삼신화학社)*B2A: Sulfonium-based cationic latent hardener (Samshin Chemical Co., Ltd.)

*YP50: 페녹시 수지(비-플루오렌형 페녹시 수지, 신일본제철社)*YP50: Phenoxy resin (non-fluorene type phenoxy resin, Nippon Steel Company)

*XD1000: 디시클로펜타디엔 에폭시 수지(일본 화약社)*XD1000: Dicyclopentadiene epoxy resin (Japan Gunpowder Co., Ltd.)

*N2EHHB4003S: 도전성 입자(SEKISUI社, 평균입경:3㎛)*N2EHHB4003S: Conductive particles (SEKISUI company, average particle diameter: 3㎛)

실시예와 비교예에서 제조한 이방 도전성 필름에 대하여 하기 물성을 평가하고 그 결과를 하기 표 2 및 도 1에 나타내었다.The following physical properties were evaluated for the anisotropic conductive films prepared in Examples and Comparative Examples, and the results are shown in Table 2 and Figure 1.

(1)절연층 반응 개시 온도와 절연층 반응 피크 온도(단위:℃): 이방 도전성 필름 중 절연층에 대해 반응 개시 온도와 반응 피크 온도를 산출하였다. 절연층에 대하여 열시차주사열량계(DSC, TA Instrument사, Q20)을 이용해서 질소 가스 분위기 하에서 10℃/분의 속도로 0℃ 내지 250℃에서 열량을 측정하여 열시차주사열량계의 반응 개시 온도와 반응 피크 온도를 산출하였다.(1) Insulating layer reaction start temperature and insulating layer reaction peak temperature (unit: ℃): The reaction start temperature and reaction peak temperature were calculated for the insulating layer in the anisotropic conductive film. For the insulating layer, the heat content was measured at 0°C to 250°C at a rate of 10°C/min under a nitrogen gas atmosphere using a thermal differential scanning calorimeter (DSC, TA Instrument, Q20) to determine the reaction start temperature and temperature of the thermal differential scanning calorimeter. The reaction peak temperature was calculated.

(2)이방 도전성 필름 반응열(단위:J/mg): 열시차주사열량계(DSC, TA Instrument사, Q20)을 이용해서 질소 가스 분위기 하에서 10℃/분의 속도로 0℃ 내지 250℃에서 열량을 측정하여 발생 열량의 면적으로 반응열을 산출하였다.(2) Heat of reaction for anisotropic conductive film (unit: J/mg): heat amount was measured at 0°C to 250°C at a rate of 10°C/min under a nitrogen gas atmosphere using a thermal differential scanning calorimeter (DSC, TA Instrument, Q20). The heat of reaction was calculated by measuring the area of the heat generated.

(3)용융점도 차이(단위:Pa.s): 용융점도는 ARES G2 레오미터(TA Instruments)를 사용해서 측정하였다. 두께가 6㎛인 이방 도전성 필름을 길이 x 폭 10cm x 10cm으로 절단하고 절단된 이방 도전성 필름을 복수 회 접어 두께 150㎛의 샘플을 제조하였다. 제조한 샘플을 ARES G2 레오미터에 구비되어 있는 직경 8mm 원형의 패러럴 플레이트(parallel plate) 대비 동일 크기로 절단하였다. 절단한 샘플을 ARES G2 레오미터에 구비되어 있는 직경 8mm의 원형의 패러럴 플레이트(상부 플레이트)와 직경 8mm 원형의 패러럴 플레이트(하부 플레이트) 사이에 장착하고, 승온 속도 10℃/분, 스트레인(strain) 5%, 각속도 1.0rad/sec로 20℃ 내지 200℃에서 용융점도를 측정하였다. 50℃ 내지 120℃에서 용융점도의 최대값과 용융점도의 최소값을 구하여 용융점도 차이를 계산하였다.(3) Melt viscosity difference (unit: Pa.s): Melt viscosity was measured using an ARES G2 rheometer (TA Instruments). An anisotropic conductive film with a thickness of 6 ㎛ was cut into length x 10 cm x 10 cm width, and the cut anisotropic conductive film was folded multiple times to prepare a sample with a thickness of 150 ㎛. The prepared sample was cut to the same size as the 8 mm diameter circular parallel plate provided in the ARES G2 rheometer. The cut sample was mounted between a circular parallel plate (upper plate) with a diameter of 8 mm and a circular parallel plate (lower plate) with a diameter of 8 mm provided on the ARES G2 rheometer, and the temperature was increased at a rate of 10°C/min and strain. Melt viscosity was measured from 20°C to 200°C at 5% and an angular velocity of 1.0 rad/sec. The difference in melt viscosity was calculated by obtaining the maximum and minimum melt viscosity values at 50°C to 120°C.

(4)도전성 입자 단분산율(단위:%): 단분산율은 Image Analysis 방법으로 측정하였다. 이방 도전성 필름 중 (이방 도전성 필름의 단위 면적 1mm2상의 단분산 상태의 도전성 입자의 개수)/(이방 도전성 필름의 단위 면적 1mm2 상의 도전성 입자의 개수) × 100(%)로 단분산율을 구한다.(4) Conductive particle monodisperse rate (unit: %): Monodisperse rate was measured by Image Analysis method. In the anisotropic conductive film, the monodisperse rate is calculated as (the number of monodisperse conductive particles on a unit area of 1 mm 2 of the anisotropic conductive film)/(the number of conductive particles on a unit area of 1 mm 2 of the anisotropic conductive film) × 100 (%).

(5)경화율(단위:%): 경화율을 하기 수학식 3에 의해 측정한다.(5) Curing rate (unit: %): The curing rate is measured according to equation 3 below.

[수학식 3][Equation 3]

경화율(%) = [(H0-H1)/H0]Х100Hardening rate (%) = [(H 0 -H 1 )/H 0 ]Х100

상기 식 3에서, H0는 이방 도전성 필름을 DSC(열시차주사열량계, TA instruments, Q20)를 이용하여 질소 가스 분위기 하에서 10℃/min, -50℃ 내지 250℃ 온도 구간에서 곡선아래 면적으로 측정한 초기 발열량이고, H1은 핫플레이트(hot plate) 상에 130℃에서 5초간 방치한 후 동일한 방법으로 측정한 발열량을 나타낸다).In Equation 3, H 0 is measured as the area under the curve of an anisotropic conductive film using a DSC (thermal differential scanning calorimeter, TA instruments, Q20) at 10°C/min in a temperature range of -50°C to 250°C under a nitrogen gas atmosphere. This is the initial calorific value, and H 1 represents the calorific value measured in the same manner after leaving it on a hot plate at 130°C for 5 seconds).

(6)도전성 입자 포착률(단위:%): 상기 실시예 및 비교예들에서 제조된 이방 도전성 필름의 도전성 입자 포착률을 측정하기 위하여 하기의 방법을 수행하였다.(6) Conductive particle capture rate (unit: %): The following method was performed to measure the conductive particle capture rate of the anisotropic conductive films prepared in the above Examples and Comparative Examples.

이방 도전성 필름 압착 전 단자 상에 있는 도전성 입자의 개수(압착 전 입자 수)를 하기 수학식 1에 의해 산출한다.The number of conductive particles on the terminal before compression of the anisotropic conductive film (number of particles before compression) is calculated using Equation 1 below.

[수학식 1][Equation 1]

압착 전 도전성 입자의 개수 = 도전층의 도전성 입자의 입자 밀도(개/mm2) * 단자의 면적(mm2)Number of conductive particles before compression = Particle density of conductive particles in the conductive layer (piece/mm 2 ) * Area of terminal (mm 2 )

또한, 압착 후 단자 상에 있는 도전성 입자의 개수(압착 후 도전성 입자의 개수)를 금속 현미경으로 카운트하여 측정한 후, 하기의 수학식 2에 의해 도전성 입자의 입자 포착률을 산출한다.Additionally, the number of conductive particles on the terminal after compression (the number of conductive particles after compression) is counted and measured using a metallographic microscope, and then the particle capture rate of the conductive particles is calculated using Equation 2 below.

[수학식 2][Equation 2]

입자 포착률 = (압착 후 도전성 입자의 개수/압착 전 도전성 입자의 개수) * 100(%)Particle capture rate = (Number of conductive particles after compression/Number of conductive particles before compression) * 100(%)

상기 가압착 및 본압착 조건은 하기와 같다.The conditions for the temporary compression and main compression are as follows.

1) 가압착 조건: 60℃, 1초, 1.0MPa1) Temporary compression conditions: 60℃, 1 second, 1.0MPa

2) 본압착 조건: 150℃, 5초, 70MPa2) Main compression conditions: 150℃, 5 seconds, 70MPa

(7)초기 접속 저항(단위:Ω): 상기 실시예 및 비교예들에서 제조된 이방 도전성 필름의 초기 접속 저항을 측정하기 위하여 하기의 방법을 수행하였다.(7) Initial connection resistance (unit: Ω): The following method was performed to measure the initial connection resistance of the anisotropic conductive films prepared in the above examples and comparative examples.

상기 실시예 및 비교예들에서 제조한 이방 도전 필름을 하기 조건에서 가압착 및 본압착 후, 측정기(Keithley社 2000 Multimeter)를 이용하여 4-probe 방식으로 시험 전류 1mA를 인가하여 초기 접속 저항을 측정하여 그 평균값을 계산하였다. After provisional compression and main compression of the anisotropic conductive films prepared in the above examples and comparative examples under the following conditions, the initial connection resistance was measured by applying a test current of 1 mA using a 4-probe method using a measuring instrument (Keithley 2000 Multimeter). Then, the average value was calculated.

1) 가압착 조건: 60℃, 1초, 1.0MPa1) Temporary compression conditions: 60℃, 1 second, 1.0MPa

2) 본압착 조건: 150℃, 5초, 70MPa2) Main compression conditions: 150℃, 5 seconds, 70MPa

(8)신뢰성 후 접속 저항(단위:Ω): 상기 실시예 및 비교예들에서 제조된 이방 도전성 필름의 신뢰성 후의 접속 저항을 측정하기 위하여 하기의 방법을 수행하였다. 초기 접속 저항 측정과 동일한 방법으로, 가압착 및 본압착한 후, 온도 85℃ 및 상대 습도 85%의 조건 하에서 100시간 동안 방치하여 고온ㆍ고습 신뢰성 평가를 진행한 후, 이들 각각의 신뢰성 후의 접속 저항을 초기 접속 저항과 동일한 방법으로 측정하였다.(8)Reliability Post-connection resistance (unit: Ω): The following method was performed to measure the connection resistance after reliability of the anisotropic conductive films prepared in the above examples and comparative examples. Using the same method as the initial connection resistance measurement, temporary compression and main compression were performed, and the high-temperature and high-humidity reliability was evaluated by leaving it for 100 hours under the conditions of a temperature of 85°C and a relative humidity of 85%, and then measuring the connection resistance after each reliability. was measured in the same manner as the initial connection resistance.

(9)절연 저항(단위:%): 상기 형성된 이방 도전성 필름을 2mm*25mm로 잘라서 절연 저항 평가 자재에 각각 본딩하여 평가하였다. 이때, 0.5㎜ 두께 유리기판 상에 60℃, 1MPa, 1sec 조건으로 가열, 가압해 이방 도전성 필름을 가압착하고 PET 필름을 벗겨 유리기판 상에 이방 도전성 필름을 배치했다. 그 다음 칩(칩 길이 19.5㎜, 칩 폭 1.5㎜, 범프 간격 8㎛)를 얼라인하여 배치한 후, 150℃, 70MPa, 5sec 조건으로 본압착을 실시하였다. 여기에 50V를 인가하며 2 단자법으로 총 38포인트에서 쇼트 발생 여부를 검사하였다. (9) Insulation resistance (unit: %): The anisotropic conductive film formed above was cut into 2 mm * 25 mm and bonded to each insulation resistance evaluation material for evaluation. At this time, the anisotropic conductive film was pressure-bonded on a 0.5 mm thick glass substrate by heating and pressing under the conditions of 60°C, 1 MPa, and 1 sec. The PET film was peeled off, and the anisotropic conductive film was placed on the glass substrate. Next, the chips (chip length 19.5 mm, chip width 1.5 mm, bump spacing 8 μm) were aligned and placed, and then main compression was performed under the conditions of 150°C, 70 MPa, and 5 sec. Here, 50V was applied and a total of 38 points were tested for short circuits using the two-terminal method.

(10)모듈러스(단위: GPa): 이방 도전성 필름을 150℃ 열풍 오븐에서 2시간 동안 방치한 다음, DMA(Dynamic Mechanical Analyzer, TA사의 Q800)를 이용해서 0℃부터 100℃까지 승온 속도 5℃/분으로 승온하면서 30℃에서의 모듈러스를 측정하였다.(10) Modulus (unit: GPa): An anisotropic conductive film was left in a hot air oven at 150°C for 2 hours, and then the temperature was increased from 0°C to 100°C using a DMA (Dynamic Mechanical Analyzer, TA's Q800) at a temperature increase rate of 5°C/ The modulus at 30°C was measured while increasing the temperature in minutes.

실시예Example 비교예Comparative example 1One 22 33 1One 22 33 절연층 반응 개시 온도Insulating layer reaction start temperature 110110 110110 110110 110110 110110 110110 절연층 반응 피크 온도Insulating layer reaction peak temperature 120120 120120 120120 120120 120120 120120 이방 도전성 필름 반응열Anisotropic conductive film reaction heat 22 22 22 22 22 22 용융점도 차이Melt viscosity difference 2,5002,500 500500 2,5002,500 20,00020,000 5,6005,600 7,2007,200 도전성 입자 단분산율Conductive particle monodisperse rate 9595 9595 9696 3535 2727 4848 경화율cure rate 8686 8888 8989 8686 8686 8686 도전성 입자 포착율Conductive particle capture rate 8585 9292 8484 6565 4343 5252 초기 접속저항Initial connection resistance 1.51.5 2.52.5 1.51.5 4.54.5 7.57.5 8.68.6 신뢰성 후 접속저항Connection resistance after reliability 1.81.8 4.54.5 1.91.9 12.512.5 21.121.1 26.726.7 절연저항Insulation Resistance 00 00 00 1212 1010 1414 모듈러스modulus 2.52.5 2.82.8 2.72.7 1.51.5 2.82.8 2.92.9

상기 표 2에서 나타난 바와 같이, 본 발명의 이방 도전성 필름은 이방 도전성 필름의 용융 개시 온도와 경화 개시 온도 사이의 구간에서 용융점도의 최대값과 최소값의 차이가 낮아 폴리머 필름 피착체에 적용시 압착 불균일을 해소할 수 있다. 또한, 본 발명의 이방 도전성 필름은 도전성 입자의 입자 포착율이 높고 도전성 입자의 단분산율이 높았으며, 접속 저항이 낮고 접속 저항 신뢰성이 우수하며, 절연 저항이 낮았다. 또한, 도 1에서와 같이 실시예 2는 50℃ 내지 120℃에서 용융점도의 최대값과 용융점도의 최소값의 차이가 매우 500Pa.s로 매우 낮았다.As shown in Table 2, the anisotropic conductive film of the present invention has a low difference between the maximum and minimum melt viscosity in the section between the melting start temperature and the curing start temperature of the anisotropic conductive film, resulting in uneven compression when applied to a polymer film adherend. can be resolved. In addition, the anisotropic conductive film of the present invention had a high particle capture rate of conductive particles, a high monodisperse rate of conductive particles, low connection resistance, excellent connection resistance reliability, and low insulation resistance. Additionally, as shown in Figure 1, in Example 2, the difference between the maximum and minimum melt viscosity values at 50°C to 120°C was very low at 500 Pa.s.

반면에, 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지를 포함하지 않거나 비표면적이 150m2/g 내지 300m2/g인 무기 필러를 포함하지 않는 비교예는 본 발명의 모든 효과를 얻을 수 없었다. 또한, 도 1에서와 같이 비교예 1은 50℃ 내지 120℃에서 용융점도의 최대값과 용융점도의 최소값의 차이가 매우 높았다.On the other hand, the comparative example that did not contain hydrogenated bisphenol epoxy resin or did not contain an inorganic filler with a specific surface area of 150 m 2 /g to 300 m 2 /g could not obtain all the effects of the present invention. Additionally, as shown in Figure 1, in Comparative Example 1, the difference between the maximum and minimum melt viscosity values was very high at 50°C to 120°C.

본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.Simple modifications or changes to the present invention can be easily implemented by those skilled in the art, and all such modifications or changes can be considered to be included in the scope of the present invention.

Claims (20)

비표면적이 150m2/g 내지 300m2/g인 무기 필러 및 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지를 포함하는 이방 도전성 필름이고,
상기 이방 도전성 필름은 50℃ 내지 120℃에서 용융점도의 최대값과 용융점도의 최소값의 차이는 500Pa.s 내지 3000Pa.s인 것인, 이방 도전성 필름.
It is an anisotropic conductive film containing an inorganic filler having a specific surface area of 150 m 2 /g to 300 m 2 /g and a hydrogenated bisphenol epoxy resin,
The anisotropic conductive film is an anisotropic conductive film in which the difference between the maximum value of melt viscosity and the minimum value of melt viscosity is 500 Pa.s to 3000 Pa.s at 50°C to 120°C.
제1항에 있어서, 상기 이방 도전성 필름은 도전층과 절연층을 포함하는 것인, 이방 도전성 필름.
The anisotropic conductive film of claim 1, wherein the anisotropic conductive film includes a conductive layer and an insulating layer.
제1항에 있어서, 상기 무기 필러는 상기 이방 도전성 필름 중 1중량% 내지 20중량%로 포함되는 것인, 이방 도전성 필름.
The anisotropic conductive film of claim 1, wherein the inorganic filler is included in an amount of 1% to 20% by weight of the anisotropic conductive film.
제1항에 있어서, 상기 무기 필러는 평균 입경이 5nm 내지 20nm인 것인, 이방 도전성 필름.
The anisotropic conductive film of claim 1, wherein the inorganic filler has an average particle diameter of 5 nm to 20 nm.
제1항에 있어서, 상기 무기 필러는 실리카, 알루미나, 티타니아, 지르코니아, 마그네시아, 세리아, 산화아연, 산화철, 질화규소, 질화티탄, 질화붕소, 탄산칼슘, 황산알루미늄, 수산화알루미늄, 티탄산칼슘, 탈크, 규산칼슘, 규산마그네슘 중 1종 이상을 포함하는 것인, 이방 도전성 필름.
The method of claim 1, wherein the inorganic filler is silica, alumina, titania, zirconia, magnesia, ceria, zinc oxide, iron oxide, silicon nitride, titanium nitride, boron nitride, calcium carbonate, aluminum sulfate, aluminum hydroxide, calcium titanate, talc, and silicic acid. An anisotropic conductive film containing at least one of calcium and magnesium silicate.
제1항에 있어서, 상기 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지는 상기 이방 도전성 필름 중 5중량% 내지 40중량%로 포함되는 것인, 이방 도전성 필름.
The anisotropic conductive film of claim 1, wherein the hydrogenated bisphenol epoxy resin is contained in an amount of 5% to 40% by weight of the anisotropic conductive film.
제1항에 있어서, 상기 이방 도전성 필름은 도전성 입자 단분산율이 90% 이상인 것인, 이방 도전성 필름.
The anisotropic conductive film of claim 1, wherein the anisotropic conductive film has a conductive particle monodispersion rate of 90% or more.
제1항에 있어서, 상기 이방 도전성 필름은 도전성 입자 포착율이 80% 이상인 것인, 이방 도전성 필름.
The anisotropic conductive film of claim 1, wherein the anisotropic conductive film has a conductive particle capture rate of 80% or more.
제1항에 있어서, 상기 이방 도전성 필름은 제1 피접속 부재와 제2 피접속 부재 사이에 위치시키고, 60℃ 내지 80℃, 0.5초 내지 1초 및 0.5 내지 1.0MPa 압력 조건 하의 가압착; 및 140℃ 내지 160℃, 5초 내지 7초간 및 50 내지 90MPa 압력 조건 하의 본압착하였을 때, 접속 저항은 3Ω 이하인 것인, 이방 도전성 필름.
The method of claim 1, wherein the anisotropic conductive film is placed between the first connected member and the second connected member, and temporarily compressed under conditions of 60°C to 80°C, 0.5 second to 1 second, and 0.5 to 1.0 MPa pressure; And when the anisotropic conductive film is subjected to main compression under conditions of 140°C to 160°C, 5 seconds to 7 seconds, and 50 to 90 MPa pressure, the connection resistance is 3Ω or less.
제1항에 있어서, 상기 이방 도전성 필름은 제1 피접속 부재와 제2 피접속 부재 사이에 위치시키고, 60℃ 내지 80℃, 0.5초 내지 1초간 및 0.5 내지 1.0MPa 압력 조건 하의 가압착; 및 140℃ 내지 160℃, 5초 내지 7초간 및 50 내지 90MPa 압력 조건 하의 본압착한 후, 85℃ 및 상대 습도 85%의 조건 하에서 100시간 동안 방치한 후에 측정한 신뢰성 후의 접속 저항은 6Ω 이하인 것인, 이방 도전성 필름.
The method of claim 1, wherein the anisotropic conductive film is placed between the first connected member and the second connected member, and temporarily compressed under conditions of 60°C to 80°C, 0.5 seconds to 1 second, and 0.5 to 1.0 MPa pressure; and after main compression at 140°C to 160°C for 5 to 7 seconds and 50 to 90 MPa pressure, and then left for 100 hours under conditions of 85°C and 85% relative humidity, the connection resistance after reliability measured is 6Ω or less. Phosphorus, anisotropic conductive film.
제1항에 있어서, 상기 이방 도전성 필름은 30℃에서 모듈러스가 2.0GPa 이상인 것인, 이방 도전성 필름.
The anisotropic conductive film of claim 1, wherein the anisotropic conductive film has a modulus of 2.0 GPa or more at 30°C.
제2항에 있어서, 상기 절연층은 상기 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지, 상기 비표면적이 150m2/g 내지 300m2/g인 무기 필러, 바인더 수지 및 경화제를 포함하는 것인, 이방 도전성 필름.
The anisotropic conductive film of claim 2, wherein the insulating layer includes the hydrogenated bisphenol epoxy resin, an inorganic filler having a specific surface area of 150 m 2 /g to 300 m 2 /g, a binder resin, and a curing agent.
제12항에 있어서, 상기 바인더 수지는 바이페닐 플루오렌형 페녹시 수지를 포함하는 것인, 이방 도전성 필름.
The anisotropic conductive film of claim 12, wherein the binder resin includes a biphenyl fluorene type phenoxy resin.
제12항에 있어서, 상기 절연층 중 상기 수소 첨가된 비스페놀 에폭시 수지 20중량% 내지 40중량%, 상기 비표면적이 150m2/g 내지 300m2/g인 무기 필러 10중량% 내지 40중량%, 상기 바인더 수지 20중량% 내지 55중량% 및 상기 경화제 1중량% 내지 5중량%를 포함하는 것인, 이방 도전성 필름.
The method of claim 12, wherein the insulating layer comprises 20% to 40% by weight of the hydrogenated bisphenol epoxy resin, and 10% to 40% by weight of an inorganic filler having a specific surface area of 150 m 2 /g to 300 m 2 /g. An anisotropic conductive film comprising 20% to 55% by weight of binder resin and 1% to 5% by weight of the curing agent.
제2항에 있어서, 상기 도전층은 바인더 수지, 에폭시 수지, 경화제 및 도전성 입자를 포함하는 것인, 이방 도전성 필름.
The anisotropic conductive film of claim 2, wherein the conductive layer includes a binder resin, an epoxy resin, a curing agent, and conductive particles.
제15항에 있어서, 상기 바인더 수지는 바이페닐 플루오렌형 페녹시 수지를 포함하는 것인, 이방 도전성 필름.
The anisotropic conductive film of claim 15, wherein the binder resin includes a biphenyl fluorene type phenoxy resin.
제15항에 있어서, 상기 도전층 중 상기 바인더 수지 20중량% 내지 55중량%, 상기 에폭시 수지 20중량% 내지 40중량%, 상기 경화제 1중량% 내지 5중량%, 및 상기 도전성 입자 20중량% 내지 50중량%를 포함하는 것인, 이방 도전성 필름.
The method of claim 15, wherein in the conductive layer, 20% to 55% by weight of the binder resin, 20% to 40% by weight of the epoxy resin, 1% to 5% by weight of the curing agent, and 20% to 5% by weight of the conductive particles. An anisotropic conductive film containing 50% by weight.
제1항 내지 제17항 중 어느 한 항의 이방 도전성 필름을 포함하는 디스플레이 장치.
A display device comprising the anisotropic conductive film of any one of claims 1 to 17.
제18항에 있어서, 상기 디스플레이 장치는 COP(chip on plastic), FPC(flexible printed circuits), COF(chip on film) 또는 TCP(tape carrier package)를 포함하는 것인 디스플레이 장치.
The display device of claim 18, wherein the display device includes chip on plastic (COP), flexible printed circuits (FPC), chip on film (COF), or tape carrier package (TCP).
제18항에 있어서, 상기 디스플레이 장치는 폴리이미드 필름을 포함하는 것인 디스플레이 장치.

The display device of claim 18, wherein the display device includes a polyimide film.

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