KR101737173B1 - Anisotropic conductive films, a method for preparing the same, and semiconductive devices comprising the same - Google Patents

Anisotropic conductive films, a method for preparing the same, and semiconductive devices comprising the same Download PDF

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Abstract

본 발명은 도전성 입자를 포함하는 도전층과, 절연성 수지층이 적층된 다층 구조를 가지며,
상기 도전층이, (메트)아크릴레이트계 중합성 물질 및 라디칼 중합 개시제를 포함하고,
상기 도전층의 적외선 분광광도계에서의 식 1의 피크 높이비가 0.15 이하인, 이방 도전성 필름, 상기 이방 도전성 필름의 제조 방법, 및 상기 필름에 의해 접속된 반도체 장치에 관한 것이다.
[식 1]
피크 높이비=A1/A2
상기 식 1에서, A1은 적외선 분광광도계의 810cm-1에서의 피크 높이고, A2는 2930cm-1에서의 피크 높이다.
The present invention has a multilayer structure in which a conductive layer containing conductive particles and an insulating resin layer are laminated,
Wherein the conductive layer comprises a (meth) acrylate-based polymerizable material and a radical polymerization initiator,
An anisotropic conductive film having a peak height ratio of the formula 1 in an infrared spectrophotometer of the conductive layer of 0.15 or less, a process for producing the anisotropic conductive film, and a semiconductor device connected by the film.
[Formula 1]
Peak height ratio = A 1 / A 2
In the above formula 1, A 1 is the peak height at 810 cm -1 of the infrared spectrophotometer, and A 2 is the peak height at 2930 cm -1 .

Description

이방 도전성 필름, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 반도체 장치{Anisotropic conductive films, a method for preparing the same, and semiconductive devices comprising the same}TECHNICAL FIELD The present invention relates to an anisotropic conductive film, an anisotropic conductive film, a method for manufacturing the same, and a semiconductor device including the same.

본 발명은 이방 도전성 필름, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 반도체 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an anisotropic conductive film, a method for producing the same, and a semiconductor device including the same.

이방 도전성 필름이란 일반적으로 니켈이나 금 등의 금속 입자 또는 그와 같은 금속들로 코팅된 고분자 입자 등의 전도성 입자를 분산시킨 필름으로서, z-축으로는 전기를 통하는 도전성을, x-y 평면 방향으로는 절연성을 나타내는 필름을 말한다. The anisotropic conductive film is a film in which conductive particles such as metal particles such as nickel or gold or polymer particles coated with such metals are dispersed. The anisotropic conductive film has conductivity in the z-axis and electrical conductivity in the xy plane direction Refers to a film exhibiting insulation.

이러한 이방 도전성 필름을 접속시키고자 하는 회로 사이에 위치시킨 후 일정 조건의 가열, 가압 공정을 거치면, 회로 단자들 사이는 전도성 입자에 의해 전기적으로 접속되고, 인접 회로와의 사이인 스페이스에는 절연성 접착 수지가 충진되어 전도성 입자가 서로 독립하여 존재하게 됨으로써, 높은 절연성을 부여하게 된다. When the anisotropic conductive film is placed between the circuits to be connected and subjected to a heating and pressing process under a certain condition, the circuit terminals are electrically connected by the conductive particles, and the space between the circuit terminals is connected with the insulating adhesive resin So that the conductive particles exist independently of each other, thereby giving a high insulating property.

최근 디스플레이 매체들의 고화질 구현에 대응하고자 디스플레이 전극 및 회로들 간의 피치가 점차 미세화되고 있어 전극간 쇼트 위험성 혹은 접속저항 증가의 위험성이 높아지고 있다. 이는 도전성 입자를 포함하는 접착층을 압착시 도전성 입자가 회로 단자간에 위치하지 못하고 인접한 스페이스부로 흘러 들어가 쇼트를 유발하거나 접속저항을 증가시키기 때문인 것으로 생각된다.In recent years, the pitch between the display electrodes and the circuits has become finer in order to cope with the realization of high image quality of the display media, and the risk of short circuit between electrodes or increase of connection resistance is increasing. This is believed to be due to the fact that when the adhesive layer containing conductive particles is compressed, the conductive particles can not be positioned between the circuit terminals and flow into the adjacent space portions to cause shorting or increase the connection resistance.

따라서, 도전성 입자를 포함하는 접착층의 유동을 제어하여 전극간 쇼트 위험성을 방지할 수 있으며, 또한 접속 후 전극간의 입자 포착률(접속 전에 전극 사이에 존재하는 입자수와 접속 후 전극 사이에 위치하는 입자수의 비율)을 높여 접속저항을 낮출 수 있는 이방 도전성 필름의 개발이 필요하다.
Therefore, it is possible to prevent the risk of short-circuiting between the electrodes by controlling the flow of the adhesive layer including the conductive particles, and also to improve the particle trapping rate between the electrodes after connection (the number of particles existing between the electrodes before connection and the number of particles Of the anisotropically conductive film is increased to lower the connection resistance.

일본 공개 특허 제2013-125598호Japanese Laid-Open Patent Application No. 2013-125598 대한민국 특허 출원 공개번호 제2011-0130376호Korean Patent Application Publication No. 2011-0130376

없음none

본 발명의 하나의 목적은 전극간 쇼트를 방지할 수 있으며, 접속저항이 낮은 이방 도전성 필름을 제공하는 것이다. It is an object of the present invention to provide an anisotropic conductive film which can prevent short-circuit between electrodes and has a low connection resistance.

본 발명의 다른 목적은 접속 후에 전극과 전극 사이에 위치하는 유효 입자 수를 증가시켜 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이방 도전성 필름, 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
Another object of the present invention is to provide an anisotropic conductive film which can improve the connection reliability by increasing the number of effective particles located between electrodes and electrodes after connection, and a method for manufacturing the same.

본 발명의 일 예는 도전성 입자를 포함하는 도전층과, 절연성 수지층이 적층된 다층 구조를 가지며,One example of the present invention has a multilayer structure in which a conductive layer containing conductive particles and an insulating resin layer are laminated,

상기 도전층이, (메트)아크릴레이트계 중합성 물질 및 라디칼 중합 개시제를 포함하고, Wherein the conductive layer comprises a (meth) acrylate-based polymerizable material and a radical polymerization initiator,

상기 도전층의 적외선 분광광도계에서의 식 1의 피크 높이비가 0.15 이하인, 이방 도전성 필름에 관한 것이다.Wherein the peak height ratio of the formula 1 in the infrared spectrophotometer of the conductive layer is 0.15 or less.

[식 1][Formula 1]

피크 높이비=A1/A2 Peak height ratio = A 1 / A 2

상기 식 1에서, A1은 적외선 분광광도계의 810cm-1에서의 피크 높이고, A2는 2930cm-1에서의 피크 높이다.In the above formula 1, A 1 is the peak height at 810 cm -1 of the infrared spectrophotometer, and A 2 is the peak height at 2930 cm -1 .

본 발명의 다른 예는, 도전성 입자를 포함하는 도전층과, 절연성 수지층이 적층된 다층 구조를 가지며,Another example of the present invention is a multilayer structure having a multilayer structure in which a conductive layer containing conductive particles and an insulating resin layer are laminated,

상기 도전층이, (메트)아크릴레이트계 중합성 물질 및 라디칼 중합 개시제를 포함하고, Wherein the conductive layer comprises a (meth) acrylate-based polymerizable material and a radical polymerization initiator,

상기 도전층의 인덴테이션 탄성률이 50 내지 250 MPa인, 이방 도전성 필름에 관한 것이다.Wherein the conductive layer has an indentation elastic modulus of 50 to 250 MPa.

본 발명의 또 다른 예는, 도전성 입자, (메트)아크릴레이트계 중합성 물질 및 라디칼 중합 개시제를 포함하는 도전층 조성물을 기재 필름 상에 도포하고,Another example of the present invention is a method of forming a conductive layer on a base film by applying a conductive layer composition comprising conductive particles, a (meth) acrylate-based polymerizable substance and a radical polymerization initiator,

상기 도전층 조성물이 도포된 기재 필름을 90 내지 200℃에서 1분 내지 10분간 부분 중합 혹은 완전 중합시키고,The base film coated with the conductive layer composition is partially or fully polymerized at 90 to 200 캜 for 1 to 10 minutes,

상기 선중합된 도전층과 절연성 수지층을 라미네이트하는 것을 포함하는, 도전층과 절연성 수지층이 적층된 다층 구조를 포함하는 이방 도전성 필름의 제조 방법에 관한 것이다.And a multilayer structure in which a conductive layer and an insulating resin layer are laminated, which comprises laminating the pre-polymerized conductive layer and an insulating resin layer.

본 발명의 또 다른 예는 상기 이방 도전성 필름에 의해 접속된 반도체 장치에 관한 것이다.
Another example of the present invention relates to a semiconductor device connected by the anisotropic conductive film.

본 발명의 일 예에 따른 이방 도전성 필름은 도전층을 부분 중합 혹은 완전 중합시킴으로써 도전성 입자의 유동성을 최소화하여 전극 간의 쇼트를 방지할 수 있으며 접속저항을 낮출 수 있다.The anisotropic conductive film according to an exemplary embodiment of the present invention minimizes the fluidity of the conductive particles by partially polymerizing or completely polymerizing the conductive layer, thereby preventing shorting between the electrodes and lowering the connection resistance.

본 발명의 일 예에 따른 이방 도전성 필름은 도전성 입자의 포착률이 40% 이상으로 매우 높아 접속신뢰성이 우수하고 압착시 눌림성 또한 양호한 특징이 있다.
The anisotropic conductive film according to an example of the present invention is characterized in that the adhesion ratio of the conductive particles is as high as 40% or more, so that the connection reliability is excellent and the pressing property at the time of pressing is also good.

도 1은 본 발명의 일 예에 따른 이방 도전성 필름에 의해 접속된 반도체 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a semiconductor device connected by an anisotropic conductive film according to an example of the present invention.

이하에서는 본 발명에 대해 보다 상세히 설명한다. 여기에 기재되지 않은 내용은 본 발명의 기술 분야 또는 유사 분야에서 숙련된 자이면 충분히 인식하고 유추할 수 있는 것이므로 본 명세서에서 그 설명을 생략한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail. Those skilled in the art will appreciate that various modifications, additions, and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. &Quot; comprises, " and / or "comprising" when used in this specification do not exclude the presence of stated elements or steps.

구성(elements) 또는 층이 다른 구성 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 구성 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
It will be understood that when an element or layer is referred to as being "on" or " on "of another configuration or layer, All included.

본 발명의 일 예는, One example of the present invention,

도전성 입자를 포함하는 도전층과, 절연성 수지층이 적층된 다층 구조를 가지며,A conductive layer containing conductive particles, and an insulating resin layer,

상기 도전층이, (메트)아크릴레이트계 중합성 물질 및 라디칼 중합 개시제를 포함하고, Wherein the conductive layer comprises a (meth) acrylate-based polymerizable material and a radical polymerization initiator,

상기 도전층의 적외선 분광광도계에서의 식 1의 피크 높이비가 0.15 이하인, 이방 도전성 필름에 관한 것이다.Wherein the peak height ratio of the formula 1 in the infrared spectrophotometer of the conductive layer is 0.15 or less.

[식 1][Formula 1]

피크 높이비=A1/A2 Peak height ratio = A 1 / A 2

상기 식 1에서, A1은 적외선 분광광도계의 810cm-1에서의 피크 높이고, A2는 2930cm-1에서의 피크 높이다. 여기서, 2930cm-1에서의 피크 높이인 A2는 도전층 내의 메틸기의 C-H 존재 정도를 나타내며 경화 반응과 무관한 기준 피크이며, 810cm-1에서의 피크 높이인 A1은 아크릴레이트계 중합성 물질 내 C=C-H 결합의 존재 정도를 나타내며 경화 시 이중결합이 깨지면 C-C-H 구조가 되기 때문에 피크 높이가 줄어든다. 따라서, 식 1의 피크높이비가 0.15 이하인 것은 도전층 내 아크릴레이트계 중합성 물질 내 이중 결합이 경화가 진행됨에 따라 단일 결합으로 바뀌어 부분중합 혹은 완전중합되는 것과 관련이 있다. 상기 범위이면 도전층을 부분중합 혹은 완전중합시킴으로써 그 유동성이 제어되어 도전성 입자의 포착률을 증가시키고 전극간 쇼트 발생률을 감소시킬 수 있다. 상기 피크 높이비는 구체적으로 0.10 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로는 0.05 내지 0.10, 더욱 구체적으로는 0.06 내지 0.09 이하일 수 있다. In the above formula 1, A 1 is the peak height at 810 cm -1 of the infrared spectrophotometer, and A 2 is the peak height at 2930 cm -1 . Here, A 2, which is the peak height at 2930 cm -1 , represents the degree of CH of the methyl group in the conductive layer and is a reference peak independent of the curing reaction. A 1, which is the peak height at 810 cm -1 , C = CH bonds, and when the double bonds are broken during curing, the peak height is reduced because the structure is CCH. Accordingly, the peak height ratio of the formula 1 is 0.15 or less, which is related to the fact that the double bonds in the acrylate-based polymerizable material in the conductive layer are converted into a single bond and partially or fully polymerized as the curing proceeds. When the conductive layer is in the above range, the fluidity is controlled by partially polymerizing or completely polymerizing the conductive layer, thereby increasing the coverage of the conductive particles and reducing the rate of occurrence of short-circuiting between electrodes. The peak height ratio may be specifically 0.10 or less, more specifically 0.05 to 0.10, and more specifically 0.06 to 0.09 or less.

본 명세서에서 '피크의 높이'는 x축이 파수(wavenumber)(cm-1)이고 y축이 투과율(transmittance)(%)인 적외선 스펙트럼 그래프 결과에서 투과율을 흡광도(absorbance)로 변환시켰을 때, 최고 흡광도가 나타나는 파수에 있어서 기저선으로부터 최고 흡광도까지의 높이를 의미한다
In the present specification, the term 'height of peak' means that when the transmittance is converted into absorbance in the infrared spectrum graph result in which the x-axis is the wavenumber (cm -1 ) and the y-axis is the transmittance (% Means the height from the baseline to the maximum absorbance in the wave number at which the absorbance appears

본 발명의 다른 예는, 도전성 입자를 포함하는 도전층과, 절연성 수지층이 적층된 다층 구조를 가지며,Another example of the present invention is a multilayer structure having a multilayer structure in which a conductive layer containing conductive particles and an insulating resin layer are laminated,

상기 도전층이, (메트)아크릴레이트계 중합성 물질 및 라디칼 중합 개시제를 포함하고, Wherein the conductive layer comprises a (meth) acrylate-based polymerizable material and a radical polymerization initiator,

상기 도전층의 인덴테이션 탄성률이 50 내지 250 MPa인, 이방 도전성 필름이 제공된다.Wherein the conductive layer has an indentation elastic modulus of 50 to 250 MPa.

인덴테이션 탄성률이 상기 범위인 것은 도전층이 부분중합 혹은 완전중합되었음에도 압착시 도전층 눌림성이 충분하여 접속 신뢰성을 발현할 수 있는 것과 관련이 있다. 열경화성 수지 조성물의 경우 도전층의 유동성을 저하시켜 입자의 포착률을 개선시킬 목적으로 도전층을 선경화시키면 경화 후 도전층의 점도가 높아져 압착시 충분히 눌려지지 않게 되며 이로 인해 접속 신뢰성이 저하된다. 본원에서는 열가소성 조성물로서 (메트)아크릴레이트계 중합성 물질 및 라디칼 중합 개시제를 사용하여 도전층이 선중합되더라도 이의 점도가 상대적으로 낮게 유지되어 압착 후 도전층의 눌림성을 개선시킬 수 있다.The reason why the stiffness of the indentation is in the above-mentioned range is that the conductive layer is partially polymerized or completely polymerized, but the conductive layer can be sufficiently pressed so that connection reliability can be exhibited. In the case of the thermosetting resin composition, if the conductive layer is linearly cured for the purpose of reducing the fluidity of the conductive layer and improving the trapping rate of the particles, the viscosity of the conductive layer after curing becomes high, so that the conductive layer is not sufficiently pressed during compression. In the present invention, even when the conductive layer is preliminarily polymerized using the (meth) acrylate-based polymerizable substance and the radical polymerization initiator as the thermoplastic composition, its viscosity is kept relatively low, and the compressibility of the conductive layer after compression can be improved.

본원에서 인덴테이션 탄성률은 구체적으로, 50 내지 250 MPa, 보다 구체적으로, 80 내지 200 MPa의 범위일 수 있다.In the present application, the indentation modulus may be in the range of 50 to 250 MPa, more specifically, 80 to 200 MPa.

본원에서 인덴테이션 탄성률은 예를 들어, 나노 경도계(나노 인덴터)에 의해 탄성률을 측정할 수 있다. 구체적으로, 도전층을 Hysitron TI750 Ubi 장치를 이용하여 Experiment mode는 Indentation mode로, Feedback mode는 Displacement control로 하고, 압자(tip)는 Berkovitz tip, Max. Displacement는 1000 nm로 하여 인덴테이션 탄성률 값을 측정할 수 있다.In the present invention, the elastic modulus can be measured by, for example, a nano hardness meter (nanoindenter). Specifically, the conductive layer is set to an Indentation mode using a Hysitron TI750 Ubi device, the feedback mode is set to Displacement control, and the tip is set to Berkovitz tip, Max. Displacement can be measured at 1000 nm to measure the value of the indentation elastic modulus.

본원에서 도전층을 선중합, 부분중합 혹은 완전중합시킨다는 것은, 도전성 입자, (메트)아크릴레이트계 중합성 물질 및 라디칼 중합 개시제를 포함하는 도전층 조성물을 기재 필름 상에 도포한 후 및 절연성 수지 층에 라미네이트하기 전에 90 내지 200℃에서 1분 내지 10분간 경화시키는 것을 의미한다. 보다 구체적으로 90 내지 180℃에서 1분 내지 10분, 보다 구체적으로, 90℃에서 170℃에서 1분 내지 10분 경화시킬 수 있으나 도전층을 선중합시킬 수 있는 조건이라면 이에 한정되는 것은 아니다. 이는 통상 도전층 조성물을 기재 필름 상에 도포한 후 도전층 조성물 중 용매를 휘발시키는 건조 공정과 구별된다. 통상의 건조 공정은 일반적으로 약 50℃ 내지 약 80℃ 정도의 저온에서 실시되는 반면, 본원에서는 도전층이 전부 혹은 부분적으로 중합될 때까지 상기 선중합 조건에서 경화시킨다. 일 예에서, 본 발명에서 도전층은 부분적 중합 상태이며, 이는 DSC로 측정시 도전층의 전경화 발열량의 20 내지 80%을 말하며, 이는 20 내지 80%의 경화가 된 상태를 말한다. 본원에서 전경화 발열량이란 70℃의 열풍 순환식 오븐에서 5분간 용매를 휘발시킨 후 측정한 도전층의 DSC 곡선 면적(A0)을 의미할 수 있다. 따라서, 일 예에서, 상기 발열량은, 70℃의 열풍 순환식 오븐에서 5분간 용매를 휘발시킨 후 도전층의 DSC 곡선 면적(A0)을 측정하고, 본원의 선중합 후 도전층의 DSC 곡선 면적(A1)을 측정하여 하기 식 2로 구할 수 있다.The pre-polymerization, partial polymerization, or complete polymerization of the conductive layer in the present invention means that after the conductive layer composition containing the conductive particles, the (meth) acrylate-based polymerizable substance and the radical polymerization initiator is applied onto the base film and the insulating resin layer Quot; means curing at 90 to 200 DEG C for 1 minute to 10 minutes before lamination. More specifically, it may be cured at 90 to 180 ° C for 1 minute to 10 minutes, more specifically at 90 ° C to 170 ° C for 1 to 10 minutes, but the present invention is not limited thereto, provided that the conductive layer can be linearly polymerized. This is distinguished from a drying process in which a conductive layer composition is usually applied on a base film and then the solvent in the conductive layer composition is volatilized. Conventional drying processes are generally carried out at low temperatures of about 50 ° C to about 80 ° C, while curing is carried out under the above pre-polymerization conditions until the conductive layer is totally or partially polymerized here. In one example, the conductive layer in the present invention is a partially polymerized state, which refers to 20 to 80% of the pre-cured calorific value of the conductive layer as measured by DSC, which is 20 to 80% cured. In the present invention, the calorific value of the whole surface can be defined as the DSC curve area (A 0 ) of the conductive layer measured after volatilizing the solvent in a hot air circulating oven at 70 ° C for 5 minutes. Therefore, in one example, the calorific value is determined by measuring the DSC curve area (A 0 ) of the conductive layer after the solvent is volatilized in a hot air circulating oven at 70 ° C for 5 minutes, and calculating the DSC curve area (A 1 ) can be measured and found by the following equation (2).

[식 2][Formula 2]

경화율(%) = [(A0- A1) / A0 ] X 100
Curing rate (%) = [(A 0 - A 1 ) / A 0 ] X 100

구체적으로, 상기 면적(A0)은 용매를 휘발시킨 건조 공정만 거친 도전층의 반응이 시작되는 온도와 반응이 끝나는 시점의 온도까지를 x축으로 보았을 때 상기 x축과 DSC 상 heat flow 곡선에 의해 만들어지는 닫힌 공간 내 면적을 말한다. Specifically, the area (A 0 ) is the sum of the temperature at which the reaction of the conductive layer roughening the solvent is started and the temperature at the end of the reaction, on the x-axis and the heat flow curve on the x- It refers to the area within the closed space created by

다른 일 예에서, 도전층은 DSC로 측정시 완전 중합된 상태일 수 있으며, 이는 도전층의 전경화 발열량의 80% 내지 100% 발열을 끝낸 상태를 말한다.  In another example, the conductive layer may be in a fully polymerized state when measured by DSC, which refers to a state in which 80% to 100% of the calorific value of the conductive layer is exothermic.

본원과 같이 선중합 공정에 의해 도전층의 유동성을 저하시킴으로써 전극과 전극 사이에서 압착될 때 도전성 입자가 전극들 사이에 포집되는 포착률이 증가될 수 있다.By lowering the fluidity of the conductive layer by the pre-polymerization process as described herein, the trapping rate at which the conductive particles are trapped between the electrodes when pressed between the electrodes can be increased.

본원에서 이방 도전성 필름은 도전층 상에 절연성 수지층이 적층된 다층 구조일 수 있다. 예를 들어, 도전층과 절연성 수지층이 적층된 2층 구조이거나, 도전층의 양면에 각각 제1 절연성 수지층 및 제2 절연성 수지층이 적층된 3층 구조이거나, 도전층의 양면에 각각 제1 절연성 수지층 및 제2 절연성 수지층이 적층되고, 상기 절연성 수지층 중 어느 하나에 다른 제3 절연성 수지층이 적층된 4층 구조일 수 있다.Herein, the anisotropic conductive film may be a multilayer structure in which an insulating resin layer is laminated on the conductive layer. For example, it may be a two-layer structure in which a conductive layer and an insulating resin layer are laminated, or a three-layer structure in which a first insulating resin layer and a second insulating resin layer are laminated on both surfaces of a conductive layer, 1 structure in which one insulating resin layer and a second insulating resin layer are laminated and a third insulating resin layer is laminated on any one of the insulating resin layers.

2층 구조인 경우 절연성 수지층의 두께가 도전층의 두께보다 클 수 있으며, 구체적으로, 절연성 수지층의 두께가 도전층 두께의 1배 내지 4배의 범위일 수 있다. 상기 범위에서 인접 회로 간에 절연 수지가 충분히 충진되어 양호한 절연성 및 접착성을 나타낼 수 있다. 상기 도전층의 두께는 도전성 입자의 입경의 0.5배 내지 2배의 범위일 수 있다. In the case of a two-layer structure, the thickness of the insulating resin layer may be larger than the thickness of the conductive layer, and specifically, the thickness of the insulating resin layer may be in the range of one to four times the thickness of the conductive layer. In this range, the insulating resin is sufficiently filled between adjacent circuits, so that good insulation and adhesion can be exhibited. The thickness of the conductive layer may be in the range of 0.5 to 2 times the particle diameter of the conductive particles.

3층 구조인 경우, 제1 절연성 수지층의 두께는 2 μm 이하이고, 제2 절연성 수지층의 두께는 7 내지 18 μm 의 범위일 수 있으며, 도전층의 두께는 도전성 입자의 입경의 0.5배 내지 2배일 수 있다. 더 구체적으로, 제1 절연성 수지층의 두께는 1 ? 이하이고, 제2 절연성 수지층의 두께는 7 내지 15 μm 의 범위일 수 있으며, 도전층의 두께는 도전성 입자의 입경의 0.5배 내지 1.5배일 수 있다.In the case of a three-layer structure, the thickness of the first insulating resin layer may be 2 占 퐉 or less, the thickness of the second insulating resin layer may be in a range of 7 to 18 占 퐉, and the thickness of the conductive layer may be 0.5 to Can be doubled. More specifically, the thickness of the first insulating resin layer is 1? And the thickness of the second insulating resin layer may be in the range of 7 to 15 mu m and the thickness of the conductive layer may be 0.5 to 1.5 times the particle diameter of the conductive particles.

본원에서 도전층을 선중합시킴으로써 도전성 입자의 포착률은 40% 이상, 구체적으로 45% 이상, 보다 구체적으로 50% 이상, 보다 더 구체적으로 55% 이상일 수 있다. 특히 바람직한 예에서 도전성 입자의 포착률은 60% 이상일 수 있다.By pre-polymerizing the conductive layer in the present invention, the coverage of the conductive particles can be 40% or more, specifically 45% or more, more specifically 50% or more, and more particularly 55% or more. In a particularly preferred example, the coverage of the conductive particles may be at least 60%.

본원에서 도전층은 선중합되어 도전입자 포착률을 높이면서도 압착시 충분한 눌림성을 발현할 수 있도록 (메트)아크릴레이트계 중합성 물질 및 라디칼 중합 개시제를 포함하는 경화 시스템을 사용할 수 있다. 상기 (메트)아크릴레이트계 중합성 물질은 라디칼에 의해 중합하는 (메트)아크릴레이트를 갖는 물질이면 특별히 제한없이 사용할 수 있으며, 예를 들어, (메타)아크릴레이트 올리고머 또는 (메타)아크릴레이트 모노머가 있다. 일반적으로 유동성을 저하시켜 입자의 포착률을 개선시킬 목적으로 도전층을 선중합시키면 경화 후 도전층의 점도가 높아져 압착시 충분히 눌려지지 않게 되며 이로 인해 접속 신뢰성이 저하되는 경향이 있다. 본원에서는 상기 경화 시스템을 사용함으로써 도전층이 선중합되더라도 이의 점도가 상대적으로 낮게 유지됨으로써 압착 후 도전층의 눌림성이 양호할 뿐 아니라 입자의 포착률을 개선시킬 수 있다.In the present invention, a curing system including a (meth) acrylate-based polymerizable material and a radical polymerization initiator may be used so that the conductive layer is linearly polymerized to increase the coverage of the conductive particles and to exhibit sufficient compressibility upon compression. The (meth) acrylate-based polymerizable material can be used without particular limitation as long as it has a (meth) acrylate polymerized by a radical. For example, a (meth) acrylate oligomer or a (meth) have. Generally, when the conductive layer is linearly polymerized for the purpose of improving the trapping rate of the particles by lowering the fluidity, the viscosity of the conductive layer after curing is increased, so that the conductive layer is not sufficiently pressed at the time of compression, thereby deteriorating the connection reliability. In the present invention, by using the curing system, the viscosity of the conductive layer is kept relatively low even when the conductive layer is preliminarily polymerized, so that not only the compressibility of the conductive layer after compression but also the trapping rate of the particles can be improved.

상기 (메타)아크릴레이트 올리고머로는 종래 알려진 (메타)아크릴레이트 올리고머군으로부터 선택된 1종 이상의 올리고머를 제한없이 사용할 수 있으며, 바람직하게는 우레탄계 (메타)아크릴레이트, 에폭시계 (메타)아크릴레이트, 폴리에스테르계 (메타)아크릴레이트, 불소계 (메타)아크릴레이트, 플루오렌계 (메타)아크릴레이트, 실리콘계 (메타)아크릴레이트, 인산계 (메타)아크릴레이트, 말레이미드 개질 (메타)아크릴레이트, 아크릴레이트(메타크릴레이트) 등의 올리고머를 각각 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.As the (meth) acrylate oligomer, one or more kinds of oligomers selected from the group of (meth) acrylate oligomers known in the prior art may be used without limitation, preferably urethane (meth) acrylate, epoxy (Meth) acrylate, maleimide-modified (meth) acrylate, maleimide-modified (meth) acrylate, fluorine-based (meth) (Methacrylate) may be used alone or in combination of two or more.

구체적으로, 상기 우레탄계 (메타)아크릴레이트들은 분자의 중간 구조들이 폴리에스테르 폴리올(polyesterpolyol), 폴리에테르 폴리올(polyether polyol), 폴리카보네이트 폴리올(polycarbonate polyol), 폴리카프로락톤 폴리올(polycarprolactone polyol), 링 개환 테트라하이드로퓨란 프로필렌옥사이드 공중합체(tetrahydrofurane-propyleneoxide ring opening copolymer), 폴리부타디엔 디올(polybutadiene diol), 폴리디메틸실록산디올(polydimethylsiloxane diol), 에틸렌 글리콜(ethylene glycol), 프로필렌 글리콜(propyleneglycol), 1,4-부탄디올(1,4-butanediol), 1,5-펜탄디올(1,5-pentanediol), 1,6-헥산디올(1,6-hexanediol), 네오펜틸 글리콜(neopentyl glycol), 1,4-시클로헥산 디메탄올(1,4-cyclohexane dimethanol), 비스페놀-에이 (bisphenol A), 수소화 비스페놀-에이 (hydrogenated bisphenol A), 2,4-톨루엔 디이소시아네이트(2,4-toluenediisocyanate), 1,3-자일렌 디이소시아네이트(1,3-xylene diisocyanate), 1,4-자일렌 디이소시아네이트(1,4-xylene diisocyanate), 1,5-나프탈렌 디이소시아네이트 (1,5-napthalene diisocyanate), 1,6-헥산 디이소시아네이트(1,6-hexan diisocyanate), 이소포론 디이소시아네이트(isophorone diisocyanate)로부터 합성되어지는 것을 사용할 수 있다.Specifically, the urethane-based (meth) acrylates have a structure in which the intermediate structures of the molecules are composed of a polyester polyol, a polyether polyol, a polycarbonate polyol, a polycarprolactone polyol, Polybutadiene diol, polydimethylsiloxane diol, ethylene glycol, propyleneglycol, 1,4-butanediol, and the like. Butanediol, 1,5-pentanediol, 1,6-hexanediol, neopentyl glycol, 1,4-cyclohexanediol, But are not limited to, 1,4-cyclohexane dimethanol, bisphenol A, hydrogenated bisphenol A, 2,4-toluenediisocyanate, 1,3-xylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, 1,6-hexane diisocyanate, Diisocyanate, 1,6-hexan diisocyanate, and isophorone diisocyanate can be used.

상기 에폭시 (메타)아크릴레이트계로는 중간의 분자구조가 2-브로모히드로퀴논, 레졸시놀, 카테콜, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 AD, 비스페놀 S 등의 비스페놀류, 4,4'-디히드록시비페닐, 비스(4-히드록시페닐)에테르 등의 골격으로 되어진 것과 알킬기, 아릴기, 메틸올기, 알릴기, 환상 지방족기, 할로겐(테트라브로모비스페놀 A 등), 니트로기 등으로 이루어진 (메타)아크릴레이트 올리고머군으로부터 선택되는 것을 사용할 수 있으며, 그 외에 본 발명의 (메타)아크릴레이트 올리고머로서 분자 중에 말레이미드기를 적어도 2개 이상 함유하는, 예를 들면, 1-메틸-2,4-비스말레이미드벤젠, N, N'-m-페닐렌비스말레이미드, N, N'-p-페닐렌비스말레이미드,N, N'-m-토일렌비스말레이미드, N, N'-4,4-비페닐렌비스말레이미드, N, N'-4,4-(3,3'-디메틸비페닐렌)비스말레이미드, N, N'-4,4-(3,3'-디메틸 디페닐 메탄) 비스말레이미드, N, N'-4,4-(3,3'-디에틸 디페닐메탄) 비스말레이미드, N, N'-4,4-디페닐메탄비스말레이미드, N, N'-4,4-디페닐프로판비스말레이미드, N,N'-4,4-디페닐에테르비스말레이미드, N, N'-3,3'-디페닐스르혼비스말레이미드, 2,2-비스(4-(4-말레이미드페녹시) 페닐) 프로판, 2,2-비스(3-s-부틸-4-8(4-말레이미드페녹시) 페닐) 프로판, 1,1-비스(4-(4-말레이미드페녹시) 페닐) 데칸, 4,4'-시크로헤키시리덴비스(1-(4 말레이미드페노키시)-2-시클로 헥실 벤젠, 2,2-비스(4-(4 말레이미드페녹시) 페닐) 헥사 플루오르 프로판 등을 각각 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the epoxy (meth) acrylate-based resin include bisphenols such as 2-bromohydroquinone, resorcinol, catechol, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol AD and bisphenol S, (Tetrabromobisphenol A), a nitro group, and the like, which are constituted of a skeleton such as an alkyl group, a cyclohexylphenyl group, a cyclohexylphenyl group, (Meth) acrylate oligomer. In addition, the (meth) acrylate oligomer of the present invention may contain at least two maleimide groups in the molecule, for example, 1-methyl-2,4- N, N'-m-tolylene bismaleimide, N, N'-m-phenylene bismaleimide, N, , 4-biphenylene bismaleimide, N, N'-4,4- (3,3'-dimethylbiphe N, N'-4,4- (3,3'-dimethyldiphenylmethane) bismaleimide, N, N'- ) Bismaleimide, N, N'-4,4-diphenylmethane bismaleimide, N, N'-4,4-diphenylpropanebismaleimide, N, N'- Maleimide, N, N'-3,3'-diphenylsulfonylbismaleimide, 2,2-bis (4- (4-maleimidophenoxy) phenyl) propane, 2,2- (4-methylphenoxy) phenyl) decane, 4,4'-cyclohexylidenebis (1 Bis (4- (4-maleimidophenoxy) phenyl) hexafluoropropane, etc. may be used alone or in combination of two or more.

본원에서 사용될 수 있는 (메타)아크릴레이트 모노머로는 종래 알려진 (메타)아크릴레이트 모노머군으로부터 선택된 1종 이상의 모노머를 제한없이 사용할 수 있다. 바람직하게는 1,6-헥산디올 모노(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시 에틸 (메타)아크릴레이트, 2-하이드록시 프로필 (메타)아크릴레이트, 2-하이드록시 부틸 (메타)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페닐 옥시프로필 (메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 (메타)아크릴레이트, 2-하이드록시알킬 (메타)아크릴로일 포스페이트, 4-하이드록시 사이클로헥실 (메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 모노(메타)아크릴레이트, 트리메틸올에판 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 펜타(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 글리세린 디(메타)아크릴레이트, t-하이드로퍼퓨릴 (메타)아크릴레이트, 이소-데실 (메타)아크릴레이트, 2-(2-에톡시에톡시) 에틸 (메타)아크릴레이트, 스테아릴 (메타)아크릴레이트, 라우릴( 메타)아크릴레이트, 2-페녹시에틸 (메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트, 트리데실 (메타)아크릴레이트, 에톡시부가형 노닐페놀 (메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, t-에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 에톡시 부가형 비스페놀-A 디(메타)아크릴레이트, 사이클로헥산디메탄올 디(메타)아크릴레이트, 페녹시-t-글리콜 (메타)아크릴레이트, 2-메타아크릴로일록시에틸포스페이트, 트리사이클로 데칸 디메탄올 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판벤조에이트 아크릴레이트, 플루오렌계 (메타)아크릴레이트 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.As the (meth) acrylate monomers that can be used herein, at least one monomer selected from the (meth) acrylate monomer group known in the prior art can be used without limitation. (Meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, 2-hydroxyalkyl (meth) acryloylphosphate, 4-hydroxycyclohexyl (meth) acrylate, , Neopentyl glycol mono (meth) acrylate, trimethylol propanedi (meth) acrylate, trimethylol propane di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) (Meth) acrylate, pentaerythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (metha) acrylate, glycerin di (meth) acrylate, t- (Meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, 2-phenoxyethyl (meth) acrylate, isobonyl Acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, tridecyl (meth) acrylate, ethoxy adduct nonylphenol (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (Meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, ethoxy addition type bisphenol (Meth) acrylate, cyclohexanedimethanol di (meth) acrylate, phenoxy-t-glycol (meth) acrylate, 2-methacryloyloxyethyl phosphate, tricyclodecanedimethanol di )Ah Relate, trimethylol may be propane benzoate acrylate, fluorene-based (meth) acrylate and at least one selected from the group consisting of a mixture thereof.

상기 (메트)아크릴레이트계 중합성 물질은 도전층의 전체 중량을 기준으로 약 10 내지 약 40 중량%로 사용될 수 있으며, 예를 들어, 약 15 내지 약 35 중량%, 또는 약 15 내지 약 30 중량%의 범위로 사용될 수 있다. The (meth) acrylate-based polymeric material may be used in an amount of about 10 to about 40 wt%, for example, about 15 to about 35 wt%, or about 15 to about 30 wt%, based on the total weight of the conductive layer % ≪ / RTI >

본원에서 사용될 수 있는 라디칼 중합 개시제로는, 예를 들어, 퍼옥사이드계 혹은 아조계를 사용할 수 있다. 상기 퍼옥사이드계 개시제의 구체적인 예로는 t-부틸 퍼옥시라우레이트, 1,1,3,3-t-메틸부틸퍼옥시-2-에틸 헥사노네이트, 2,5-디메틸-2,5-디(2-에틸헥사노일 퍼옥시) 헥산, 1-사이클로헥실-1-메틸에틸 퍼옥시-2-에틸 헥사노네이트, 2,5-디메틸-2,5-디(m-톨루오일 퍼옥시) 헥산, t-부틸 퍼옥시 이소프로필 모노카보네이트, t-부틸 퍼옥시-2-에틸헥실 모노카보네이트, t-헥실 퍼옥시 벤조에이트, t-부틸 퍼옥시 아세테이트, 디큐밀 퍼옥사이드, 2,5,-디메틸-2,5-디(t-부틸 퍼옥시) 헥산, t-부틸 큐밀 퍼옥사이드, t-헥실 퍼옥시 네오데카노에이트, t-헥실 퍼옥시-2-에틸 헥사노네이트, t-부틸 퍼옥시-2-2-에틸헥사노네이트, t-부틸 퍼옥시 이소부틸레이트, 1,1-비스(t-부틸 퍼옥시)사이클로헥산, t-헥실 퍼옥시이소프로필 모노카보네이트, t-부틸 퍼옥시-3,5,5-트리메틸 헥사노네이트, t-부틸 퍼옥시 피발레이트, 큐밀 퍼옥시 네오데카노에이트, 디-이소프로필 벤젠 하이드로퍼옥사이드, 큐멘 하이드로퍼옥사이드, 이소부틸 퍼옥사이드, 2,4-디클로로 벤조일 퍼옥사이드, 3,5,5-트리메틸 헥사노일 퍼옥사이드, 옥타노일 퍼옥사이드, 라우릴 퍼옥사이드, 스테아로일 퍼옥사이드, 숙신 퍼옥사이드, 벤조일 퍼옥사이드, 3,5,5-트리메틸 헥사노일 퍼옥사이드, 벤조일 퍼옥시 톨루엔, 1,1,3,3-테트라메틸 부틸 퍼옥시 네오데카노에이트, 1-사이클로헥실-1-메틸 에틸 퍼옥시 노에데카노에이트, 디-n-프로필 퍼옥시 디카보네이트, 디-이소프로필 퍼옥시 카보네이트, 비스(4-t-부틸 사이클로헥실) 퍼옥시 디카보네이트, 디-2-에톡시 메톡시 퍼옥시 디카보네이트, 디(2-에틸 헥실 퍼옥시) 디카보네이트, 디메톡시 부틸 퍼옥시 디카보네이트, 디(3-메틸-3-메톡시 부틸 퍼옥시) 디카보네이트, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)-3,3,5-트리메틸 사이클로헥산, 1,1-비스(t-헥실 퍼옥시) 사이클로헥산, 1,1-비스(t-부틸 퍼옥시)-3,3,5-트리메틸 사이클로헥산, 1,1-(t-부틸 퍼옥시) 사이클로도데칸, 2,2-비스(t-부틸 퍼옥시)데칸, t-부틸 트리메틸 실릴 퍼옥사이드, 비스(t-부틸) 디메틸 실릴 퍼옥사이드, t-부틸 트리알릴 실릴 퍼옥사이드, 비스(t-부틸) 디알릴 실릴 퍼옥사이드, 트리스(t-부틸) 아릴 실릴 퍼옥사이드 등이 있다.As the radical polymerization initiator that can be used in the present invention, for example, peroxide type or azo type can be used. Specific examples of the peroxide initiator include t-butyl peroxylaurate, 1,1,3,3-t-methylbutylperoxy-2-ethylhexanoate, 2,5-dimethyl- (2-ethylhexanoylperoxy) hexane, 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxy-2-ethylhexanoate, 2,5-dimethyl- butyl peroxyisopropyl monocarbonate, t-butyl peroxy-2-ethylhexyl monocarbonate, t-hexyl peroxybenzoate, t-butyl peroxyacetate, dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl T-butyl peroxyneodecanoate, t-hexyl peroxy-2-ethylhexanoate, t-butyl peroxy (t-butylperoxy) T-butylperoxyisobutyrate, 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclohexane, t-hexylperoxyisopropylmonocarbonate, t-butylperoxy- 3,5,5-trimethylhexanonate, t- Butyl peroxypivalate, cumyl peroxyneodecanoate, di-isopropylbenzene hydroperoxide, cumene hydroperoxide, isobutyl peroxide, 2,4-dichlorobenzoyl peroxide, 3,5,5-trimethylhexa Butanol peroxide, octanolate peroxide, lauryl peroxide, stearoyl peroxide, succin peroxide, benzoyl peroxide, 3,5,5-trimethylhexanoyl peroxide, benzoyl peroxytoluene, 1,1,3 , 3-tetramethylbutyl peroxyneodecanoate, 1-cyclohexyl-1-methylethyl peroxynoedecanoate, di-n-propyl peroxydicarbonate, di-isopropyl peroxycarbonate, bis Di (2-ethylhexyl peroxy) dicarbonate, dimethoxybutyl peroxy dicarbonate, di (3-t-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, Methyl-3-methoxybu Peroxy) dicarbonate, 1,1-bis (t-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-bis (t-hexylperoxy) cyclohexane, t-butylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1- (t-butylperoxy) cyclododecane, 2,2- (T-butyl) dimethylsilyl peroxide, t-butyltriallylsilyl peroxide, bis (t-butyl) diallylsilyl peroxide, tris (t-butyl) arylsilyl peroxide and the like.

상기 아조계 개시제의 구체적인 예로는 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸 발레로니트릴), 디메틸 2,2'-아조비스(2-메틸 프로피오네이트), 2,2'-아조비스(N-사이클로헥실-2-메틸 프로피오네미드), 2,2-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2-메틸 부틸로니트릴), 2,2'-아조비스[N-(2-프로페닐)-2-메틸프로피오네미드], 2,2'-아조비스(N-부틸-2-메틸 프로피오네미드), 2,2'-아조비스[N-(2-프로페닐)-2-메틸 프로피오네미드], 1,1'-아조비스(사이클로헥산-1-카보니트릴), 1-[(시아노-1-메틸에틸)아조] 포름아미드 등이 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the azo-based initiator include 2,2'-azobis (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), dimethyl 2,2'-azobis (2-methylpropionate) Azobis (N-cyclohexyl-2-methylpropionimide), 2,2-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2'-azobis Azobis [N-butyl-2-methylpropionimide], 2,2'-azobis [N- (2-propenyl) Azobis [cyclohexane-1-carbonitrile], 1 - [(cyano-1-methylethyl) ) ≪ / RTI > azo] formamide, and the like.

상기 라디칼 중합 개시제는 도전층의 전체 중량을 기준으로 약 0.5 내지 약 10 중량%로 사용될 수 있으며, 예를 들어, 약 1 내지 약 8 중량%, 또는 약 1 내지 약 6 중량%의 범위로 사용될 수 있다.
The radical polymerization initiator may be used in an amount of about 0.5 to about 10 wt% based on the total weight of the conductive layer, and may be used in the range of about 1 to about 8 wt%, or about 1 to about 6 wt%, for example. have.

본원에서 사용될 수 있는 도전성 입자는 예를 들어, Au, Ag, Ni, Cu, Pb 등을 포함하는 금속 입자, 탄소 입자, 고분자 수지에 금속이 코팅된 입자 또는 고분자 수지에 금속이 코팅된 입자 표면에 절연화 처리된 입자 등을 사용할 수 있다. 상기 고분자 수지로는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리스타이렌, 폴리비닐알코올 등을 사용할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 고분자 수지를 코팅하는 금속으로는 Au, Ag, Ni, Cu, Pb 등을 들 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 구체적으로 살펴보면, OLB(Outer Lead Bonding)의 경우에는 피착제가 ITO(Indium Tin Oxide) 글래스면이므로 이방성 도전 필름의 접속공정에서 발생하는 압력에 의해 ITO에 손상을 입히지 않도록 코어 부분이 플라스틱 성분으로 된 도전성 입자를 사용할 수 있으며, PCB 기판을 접속하는 경우에는 Ni 등의 금속 입자를 사용할 수 있고, PDP(Plasma Display Panel)의 경우에는 회로에 가해지는 전압이 매우 높으므로 Ni 등의 금속 입자에 금(Au)이 도금된 도전성 입자를 사용할 수 있고, COG(Chip On Glass) 또는 피치가 좁은 COF(Chip On Film)의 경우에는 도전성 입자 표면에 열가소성 수지가 피복된 절연 도전성 입자를 사용할 수 있다. 상기 도전성 입자의 크기는, 적용되는 회로의 피치(pitch)에 의해 1 내지 30 ㎛, 바람직하게는 1 내지 10 ㎛ 범위에서 용도에 따라 선택하여 사용할 수 있다. The conductive particles that can be used in the present invention include, for example, metal particles including Au, Ag, Ni, Cu, and Pb, carbon particles, particles coated with a metal on a polymer resin, or particles coated with a metal on a polymer resin Insulated particles or the like can be used. As the polymer resin, polyethylene, polypropylene, polyester, polystyrene, polyvinyl alcohol and the like can be used, but the present invention is not limited thereto. Examples of the metal coating the polymer resin include, but are not limited to, Au, Ag, Ni, Cu, and Pb. Specifically, in the case of OLB (Outer Lead Bonding), since the adherend is an ITO (Indium Tin Oxide) glass surface, the core portion is made of a plastic material so that the ITO is not damaged by the pressure generated in the connection process of the anisotropic conductive film Metal particles such as Ni can be used to connect a PCB substrate. In the case of a PDP (Plasma Display Panel), a voltage applied to a circuit is very high, so that gold (Au) ). In the case of COG (Chip On Glass) or COF (Chip On Film) having a narrow pitch, insulated conductive particles coated with a thermoplastic resin on the surface of the conductive particles can be used. The size of the conductive particles may be selected depending on the application in the range of 1 to 30 μm, preferably 1 to 10 μm, depending on the pitch of the applied circuit.

상기 도전성 입자는 이방성 도전 필름의 도전층 전체 중량을 기준으로 1 내지 40 중량%로 포함될 수 있고 보다 구체적으로 15 내지 40 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서 안정적인 접속 신뢰성을 확보할 수 있으며, 열압착시 도전성 입자들이 피치 사이에 뭉쳐서 발생하는 전기적인 쇼트를 방지할 수 있다. The conductive particles may be contained in an amount of 1 to 40% by weight, more specifically 15 to 40% by weight, based on the total weight of the conductive layer of the anisotropic conductive film. Stable connection reliability can be ensured within the above range, and electrical short-circuiting caused by the accumulation of conductive particles in the pitch during the thermocompression bonding can be prevented.

본원에서 도전층은 상기 성분들 외에 바인더 수지를 포함할 있다. 상기 바인더 수지는 필름의 매트릭스 역할을 하며, 열가소성 수지를 사용할 수 있다. 상기 열가소성 수지로는 폴리우레탄계 수지, 아크릴로니트릴계, 아크릴계, 부타디엔계, 폴리아미드계, 올레핀계 및 실리콘계 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. 열가소성 수지는 보다 바람직하게는 폴리우레탄계 수지, 아크릴계 및 부타디엔계 수지 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 보다 특히 바람직하게는 아크릴레이트 변성 우레탄 수지, 에틸렌-비닐아세테이트 공중합체, 아크릴로니트릴 부타디엔 공중합체 및 아크릴 공중합체 중 1종 이상을 선택하여 사용할 수 있다.Herein, the conductive layer includes a binder resin in addition to the above components. The binder resin serves as a matrix of the film, and a thermoplastic resin can be used. The thermoplastic resin may include at least one selected from the group consisting of a polyurethane resin, an acrylonitrile resin, an acrylic resin, a butadiene resin, a polyamide resin, an olefin resin, and a silicone resin. The thermoplastic resin may more preferably contain at least one of a polyurethane resin, an acrylic resin and a butadiene resin. More particularly, at least one of an acrylate modified urethane resin, an ethylene-vinyl acetate copolymer, an acrylonitrile-butadiene copolymer and an acrylic copolymer may be selected and used.

특히, 본 발명의 도전층은 열가소성 수지 성분으로 흐름성 및 접착력 측면에서 아크릴레이트 변성 우레탄 수지를 포함할 수 있다. 아크릴레이트 변성 우레탄 수지는 아크릴레이트 변성 우레탄 수지가 나타내는 두 개의 유리전이온도(Tg) 중 최소 하나가 0℃ 이상일 수 있다. 즉, 아크릴레이트 변성 우레탄 수지는 소프트 세그먼트인 폴리올과 하드 세그먼트인 디이소시아네이트의 상 혼합(phase mixing)에 의해 0℃ 이상의 단일 유리전이온도 또는 최소한 한 개 이상이 0℃ 이상에서 유리전이온도를 나타내어 상온에서 필름 형성 역할을 하는 바인더로서의 기능을 나타내게 되고, 또한 말단 관능기에 존재하는 아크릴레이트기를 통하여 경화부의 아크릴들과 함께 경화 반응이 진행되어 경화부로서의 역할도 수행하게 되어 우수한 접착력과 높은 접속 신뢰성을 나타내게 된다. 아크릴레이트 변성 우레탄 수지의 중량평균분자량은 1000 내지 100000g/mol, 바람직하게는 10000-50000g/mol이 될 수 있다. In particular, the conductive layer of the present invention is a thermoplastic resin component and may include an acrylate modified urethane resin in terms of flowability and adhesion. The acrylate modified urethane resin may have at least one of the two glass transition temperatures (Tg) represented by the acrylate modified urethane resin of 0 캜 or higher. That is, the acrylate-modified urethane resin has a single glass transition temperature of 0 ° C or higher or a glass transition temperature of 0 ° C or higher due to phase mixing of a soft segment polyol and a hard segment diisocyanate, The curing reaction proceeds together with the acrylates in the cured portion through the acrylate group present in the terminal functional group, thereby performing a function as a curing portion, thereby exhibiting excellent adhesion and high connection reliability do. The weight average molecular weight of the acrylate modified urethane resin may be 1000 to 100000 g / mol, preferably 10000 to 50000 g / mol.

본원에서 바인더 수지는 도전층의 전체 중량 기준으로 10-60 중량% 포함될 수 있다. 구체적으로, 15 내지 50 중량%로 포함될 수 있다.In the present invention, the binder resin may be contained in an amount of 10 to 60% by weight based on the total weight of the conductive layer. Specifically, it may be contained in an amount of 15 to 50% by weight.

본원에서 도전층은 추가로 절연성 입자를 포함하거나 포함하지 않을 수 있다. 상기 절연성 입자는 무기 입자, 유기 입자 또는 유/무기 혼합형 입자일 수 있고, 상기 무기 입자는 실리카(SiO2), Al2O3, TiO2, ZnO, MgO, ZrO2, PbO, Bi2O3, MoO3, V2O5, Nb2O5, Ta2O5, WO3 또는 In2O3 중 어느 하나 이상 선택된 무기 입자일 수 있고, 상기 유기 입자는 아크릴 코폴리머, 벤조구아닌, 폴리에틸렌, 폴리에스테르, 폴리스티렌, 폴리비닐 알코올 및 폴리우레탄 중 하나 이상을 포함하는 수지 또는 이들의 변성 수지로 된 유기 입자일 수 있다. 상기 절연성 입자는 도전층 조성물의 전체 고형 중량을 기준으로 0.1 내지 25 중량%로 포함될 수 있다. 상기 함량 범위에서 수지배제율 조절이 양호하고 탄성율을 일정 이상으로 올려 신뢰성 개선이 가능하다. 또한, 초기 압흔이 양호하여 전기적 특성이 발현될 수 있다. 또한, 절연성 입자의 크기가 직경 1nm 내지 30nm의 범위일 때 필름에 칙소성을 부여하여 가압착 및 본압착시 유동성을 제어할 수 있다. 바람직하게는 상기 절연성 입자로 fumed 실리카 혹은 폴리스티렌 디비닐벤젠 공중합체 입자가 사용될 수 있다.Herein, the conductive layer may or may not further include insulating particles. The insulating particles may be inorganic particles, organic particles or organic / inorganic hybrid particles, the inorganic particles include silica (SiO 2), Al 2 O 3, TiO 2, ZnO, MgO, ZrO 2, PbO, Bi 2 O 3 , MoO 3 , V 2 O 5 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , WO 3 Or In 2 O 3 , and the organic particles may be a resin containing at least one of acrylic copolymer, benzoguanamine, polyethylene, polyester, polystyrene, polyvinyl alcohol and polyurethane, It may be an organic particle made of a modified resin. The insulating particles may be contained in an amount of 0.1 to 25% by weight based on the total solid weight of the conductive layer composition. It is possible to improve the reliability by adjusting the resin rejection ratio within the above content range and raising the elastic modulus to a certain level or more. In addition, the initial indentation is good and electrical characteristics can be expressed. When the size of the insulating particles is in the range of 1 nm to 30 nm in diameter, the film is given ricketts and the fluidity can be controlled during the pressure-bonding and main-pressing. Preferably, fumed silica or polystyrene divinylbenzene copolymer particles may be used as the insulating particles.

또한, 본 발명의 도전층 조성물은 기본 물성을 저해하지 않으면서 부가적인 물성을 제공하기 위해, 중합방지제, 산화방지제, 열안정제 등의 첨가제를 추가로 포함할 수 있다. 첨가제는 특별히 제한되지 않지만, 고형분 기준으로 도전층 중 0.01-10중량%로 포함될 수 있다.In addition, the conductive layer composition of the present invention may further include additives such as a polymerization inhibitor, an antioxidant, and a heat stabilizer in order to provide additional physical properties without impairing the basic physical properties. The additive is not particularly limited, but may be contained in an amount of 0.01 to 10% by weight based on the solid content of the conductive layer.

중합방지제는 히드로퀴논, 히드로퀴논 모노메틸에테르, p-벤조퀴논, 페노티아진 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 산화방지제는 페놀릭계 또는 히드록시 신나메이트계 물질 등을 사용할 수 있다. 예로 테트라키스-(메틸렌-(3,5-디-t-부틸-4-히드록신나메이트)메탄, 3,5-비스(1,1-디메틸에틸)-4-히드록시 벤젠 프로판산 티올 디-2,1-에탄다일 에스테르 등을 사용할 수 있다.The polymerization inhibitor may be selected from the group consisting of hydroquinone, hydroquinone monomethyl ether, p-benzoquinone, phenothiazine, and mixtures thereof. As the antioxidant, a phenolic or hydroxycinnamate-based material can be used. For example, tetrakis- (methylene- (3,5-di-t-butyl-4-hydoxinnamate) methane, 3,5-bis (1,1-dimethylethyl) -4- -2,1-ethanediyl ester and the like can be used.

본원에서 절연성 수지층, 구체적으로 제1 절연성 수지층 혹은 제2 절연성 수지층은 상기 도전층에서 도전성 입자를 제외한 나머지 조성과 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에서, 절연성 수지층은 도전층과 동일하게 (메트)아크릴레이트계 라디칼 중합성 물질 및 라디칼 중합 개시제를 포함하는 경화 시스템을 사용할 수 있다. 따라서, 앞에서 도전층의 조성 및 함량에 대한 설명은 절연성 수지층에 적용될 수 있다. 예컨데, 상기 도전층에 사용될 수 있는 (메트)아크릴레이트계 라디칼 중합성 물질, 라디칼 중합 개시제, 바인더 수지, 절연성 입자 및 첨가제 등은 절연성 수지층에 사용될 수 있다. 다른 예에서, 절연성 수지층은 도전층과는 상이한 경화 시스템을 사용할 수 있다. 상기 다른 경화 시스템으로, 에폭시 수지 및 에폭시 수지의 경화제를 포함하는 경화 시스템을 들 수 있다. 상기 에폭시 수지로는 예를 들면 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 F 노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 히단토인형 에폭시 수지, 이소시아누레이트형 에폭시 수지, 지방족 쇄상 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들 에폭시 수지는 할로겐화되어 있을 수도 있고, 수소 첨가되어 있을 수도 있다. In the present invention, the insulating resin layer, specifically, the first insulating resin layer or the second insulating resin layer may be the same as or different from the remaining composition except for the conductive particles in the conductive layer. In one example, the insulating resin layer may use a curing system including a (meth) acrylate-based radical polymerizable material and a radical polymerization initiator in the same manner as the conductive layer. Therefore, the description of the composition and the content of the conductive layer can be applied to the insulating resin layer. For example, a (meth) acrylate-based radical polymerizable material, a radical polymerization initiator, a binder resin, insulating particles and additives which can be used for the conductive layer can be used for the insulating resin layer. In another example, the insulating resin layer may use a curing system different from the conductive layer. Examples of the other curing system include a curing system comprising a curing agent of an epoxy resin and an epoxy resin. Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, bisphenol F Novolak type epoxy resins, alicyclic epoxy resins, glycidyl ester type epoxy resins, glycidylamine type epoxy resins, hydantoin type epoxy resins, isocyanurate type epoxy resins and aliphatic chain epoxy resins. . These epoxy resins may be halogenated or hydrogenated.

구체적으로, 수소화 에폭시 수지를 사용할 수 있으며, 예를 들어, 하기 화학식 1의 수소화 비스페놀 A(Hydrogenated Bisphenol A)형 에폭시 모노머, 또는 하기 화학식 2의 수소화 비스페놀 A형 에폭시 올리고머를 사용할 수 있다.Specifically, a hydrogenated epoxy resin can be used. For example, a hydrogenated bisphenol A type epoxy monomer of the following formula (1) or a hydrogenated bisphenol A type epoxy oligomer of the following formula (2) can be used.

[화학식 1] [Chemical Formula 1]

Figure 112014069931210-pat00001
Figure 112014069931210-pat00001

[화학식 2](2)

Figure 112014069931210-pat00002
Figure 112014069931210-pat00002

상기 화학식 2에서,In Formula 2,

n은 1 내지 50이다.n is from 1 to 50;

상기 화학식 1의 수소화 비스페놀 A형 에폭시 모노머 또는 상기 화학식 2의 수소화 비스페놀 A형 에폭시 올리고머는, 비스페놀 A형 에폭시를 사용할 때 보다 치밀한 구조를 형성함으로써 내습성 및 내열성이 뛰어나 접속 신뢰성이 향상된 이방성 도전 필름 조성물을 제공할 수있다. The hydrogenated bisphenol A-type epoxy monomer of Formula 1 or the hydrogenated bisphenol A-type epoxy oligomer of Formula 2 is more densely structured than the bisphenol A-type epoxy, so that the anisotropic conductive film composition having improved moisture resistance and heat resistance and improved connection reliability Can be provided.

또한, 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 에폭시 수지의 측쇄에 부가시킬 수도 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다. 상기 에폭시 수지의 경화제로서는, 에폭시 수지를 경화시킬 수 있는 것이면 특별히 제한은 없고, 예를 들면 음이온 중합성 촉매형 경화제, 양이온 중합성 촉매형 경화제, 중부가형(重付加型) 경화제 등을 들 수 있다. 이들 중, 속경화성에 있어서 우수하고, 화학당량적인 고려가 불필요한 점에서는 음이온 또는 양이온 중합성 촉매형 경화제가 바람직하다. 상기 음이온 또는 양이온 중합성 촉매형 경화제로서는, 예를 들면 이미다졸계, 히드라지드계, 3불화붕소-아민착체, 술포늄염, 아민이미드, 디아미노말레오니트릴, 멜라민 및 그의 유도체, 폴리아민의 염, 디시안디아미드 등을 들 수 있고, 이들의 변성물 등도 사용할 수 있다. 특히, 양이온 중합 촉매의 예로, 설포늄계, 이소시아네이트계, 아민계, 아미드계, 페놀계 또는 산무수물계 경화제 등을 사용할 수 있으며, 이들은 단독 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.Further, an acryloyl group or a methacryloyl group may be added to the side chain of the epoxy resin. These may be used alone or in combination of two or more. The curing agent of the epoxy resin is not particularly limited as long as it can cure the epoxy resin, and examples thereof include an anion polymerizable catalyst type curing agent, a cationic polymerizable catalyst type curing agent and a middle type curing agent . Of these, anionic or cationic polymerizable catalyst type curing agents are preferable in that they are excellent in fast curability and do not require chemical equivalent considerations. Examples of the anionic or cationic polymerizable catalyst type curing agent include imidazole type, hydrazide type, boron trifluoride-amine complex, sulfonium salt, amine imide, diaminomalonitrile, melamine and derivatives thereof, salts of polyamines , Dicyandiamide, and the like, and modified products thereof can also be used. In particular, examples of the cationic polymerization catalyst include a sulfonium-based, isocyanate-based, amine-based, amide-based, phenol-based or acid anhydride-based curing agent, and these may be used singly or in combination.

상기 중부가형 경화제로서는, 예를 들면 폴리아민류, 폴리머캅탄, 폴리페놀, 산무수물 등을 들 수 있다.Examples of the above-mentioned middle part type curing agent include polyamines, polymercaptans, polyphenols, acid anhydrides and the like.

음이온 중합형의 촉매형 경화제로서, 예를 들면 제3급 아민류나 이미다졸류를 배합한 경우, 에폭시 수지는 160℃ 내지 200 ℃ 정도의 중온에서 수 10 초 내지 수 시간 정도의 가열에 의해 경화시킨다. 이 때문에, 가사 시간(pot life)이 비교적 길어지기 때문에 바람직하다.
When an anionic polymerization type catalyst-type curing agent, for example, tertiary amines or imidazoles, is blended, the epoxy resin is cured by heating at a middle temperature of about 160 ° C to 200 ° C for several seconds to several hours . This is preferable because the pot life is relatively long.

본 발명의 또 따른 일 예는, 도전성 입자, (메트)아크릴레이트계 중합성 물질 및 라디칼 중합 개시제를 포함하는 도전층 조성물을 기재 필름 상에 도포하고,Another example of the present invention relates to a method for producing a conductive film, which comprises applying a conductive layer composition comprising conductive particles, a (meth) acrylate-based polymerizable substance and a radical polymerization initiator on a base film,

상기 도전층 조성물이 도포된 기재 필름을 90 내지 200℃에서 1분 내지 10분간 선중합시키고,The base film coated with the conductive layer composition is pre-polymerized at 90 to 200 DEG C for 1 to 10 minutes,

상기 선중합된 도전층과 절연성 수지층을 라미네이트하는 것을 포함하는, 도전층과 절연성 수지층이 적층된 다층 구조를 포함하는 이방 도전성 필름의 제조 방법에 관한 것이다.And a multilayer structure in which a conductive layer and an insulating resin layer are laminated, which comprises laminating the pre-polymerized conductive layer and an insulating resin layer.

상기 선중합 과정은 도전층을 부분 중합 혹은 완전 중합 반응시키기 위한 것으로, 90 내지 200℃에서 1분 내지 10분간 오븐에서 경화, 예를 들어 열풍 순환식 오븐에서 경화시키는 것을 의미한다. 상기 선중합 조건은 구체적으로 90 내지 180℃에서 1분 내지 10분, 보다 구체적으로, 90℃에서 170℃에서 1분 내지 10분 경화시키는 것일 수 있다. The pre-polymerization process is for partially or completely polymerizing the conductive layer and means curing in an oven at 90 to 200 ° C for 1 minute to 10 minutes, for example, curing in a hot air circulating oven. Specifically, the pre-polymerization may be performed at 90 to 180 ° C for 1 to 10 minutes, more specifically at 90 ° C to 170 ° C for 1 to 10 minutes.

상기와 같은 조건에서 선중합된 도전층의 적외선 분광광도계에서의 식 1의 피크 높이비가 0.15 이하일 수 있다.The peak height ratio of the formula 1 in the infrared spectrophotometer of the pre-polymerized conductive layer under the above conditions may be 0.15 or less.

[식 1][Formula 1]

피크 높이비=A1/A2 Peak height ratio = A 1 / A 2

상기 식 1에서, A1은 적외선 분광광도계의 810cm-1에서의 피크 높이고, A2는 2930cm-1에서의 피크 높이다.In the above formula 1, A 1 is the peak height at 810 cm -1 of the infrared spectrophotometer, and A 2 is the peak height at 2930 cm -1 .

본 발명의 또 다른 일 예에 따르면, 전술한 본 발명의 이방성 도전 필름으로 접속된 반도체 장치를 제공한다.According to still another embodiment of the present invention, there is provided a semiconductor device connected with the above-described anisotropic conductive film of the present invention.

상기 반도체 장치는, 제1 전극을 함유하는 제1 피접속부재; 제2 전극을 함유하는 제2 피접속부재; 상기 제1 피접속부재와 상기 제2 피접속부재 사이에 위치하여 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 접속시키는 본 발명에 따른 이방 도전성 필름을 포함한다. 일 양태에서, 상기 제1 피접속부재 및 상기 제2 피접속부재는 재료, 두께, 치수 및 물리적 상호연결성 면에서 구조적으로 유사할 수 있다. 상기 제1 피접속부재와 제2 피접속부재의 두께는 약 20 내지 100μm이다. 다른 양태에서, 상기 제1 피접속부재 및 상기 제2 피접속부재는 재료, 두께, 치수 및 물리적 상호연결성 면에서 구조적으로 및 기능적으로 유사하지 않을 수 있다. 상기 제1 피접속부재 또는 상기 제2 피접속부재의 예로는 글래스, PCB(Printed Circuit Board), fPCB, COF, TCP, ITO 글래스 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 전극 혹은 상기 제2 전극은 돌출 전극 혹은 평면 전극의 형태일 수 있다. 돌출 전극의 경우 전극의 높이(H), 폭(W) 및 전극과 전극 사이의 간격(G)이 존재하며, 전극의 높이(H)는 약 2.50 μm 내지 10 μm, 전극의 폭(W)은 약 5 내지 90μm, 전극과 전극 사이의 간격(G)은 약 5 내지 90 μm의 범위일 수 있다. 바람직하게는, 전극의 높이(H)는 약 2.50 내지 9 μm, 전극의 폭(W)은 약 5 내지 80μm, 전극과 전극 사이의 간격(G)은 약 5 내지 80 μm의 범위일 수 있다. The semiconductor device includes: a first connected member containing a first electrode; A second connected member containing a second electrode; And an anisotropic conductive film according to the present invention, which is located between the first connected member and the second connected member and connects the first electrode and the second electrode. In one aspect, the first and second connected members may be structurally similar in terms of material, thickness, dimension, and physical interconnectivity. The thickness of the first and second connected members is about 20 to 100 탆. In another aspect, the first connected member and the second connected member may not be structurally and functionally similar in terms of material, thickness, dimension, and physical interconnectivity. Examples of the first member to be connected and the second member to be connected include glass, printed circuit board (PCB), fPCB, COF, TCP, ITO glass, and the like. The first electrode or the second electrode may be in the form of a protruding electrode or a planar electrode. In the case of the protruding electrode, the height H of the electrode, the width W, and the gap G between the electrode and the electrode exist, the height H of the electrode is about 2.50 μm to 10 μm, About 5 to 90 占 퐉, and the gap G between the electrode and the electrode may be in a range of about 5 to 90 占 퐉. Preferably, the height H of the electrode is about 2.50 to 9 占 퐉, the width W of the electrode is about 5 to 80 占 퐉, and the gap G between the electrode and the electrode is about 5 to 80 占 퐉.

평면 전극의 경우 두께는 500 내지 1200Å의 범위일 수 있다. For planar electrodes, the thickness may range from 500 to 1200 angstroms.

상기 제1 전극 또는 제2 전극으로는 ITO, 구리, 실리콘, IZO 등이 사용될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. As the first electrode or the second electrode, ITO, copper, silicon, IZO, or the like may be used, but the present invention is not limited thereto.

바람직하게는 평면전극의 두께는 800 내지 1200Å, 돌출전극의 높이는 6 내지 10㎛이다. 이때, 절연층의 두께가 4 내지 12㎛이면 충분한 접착력을 나타낼 수 있다. 보다 바람직하게는 평면전극의 높이는 1000Å, 돌출전극의 높이는 8㎛이고, 이 때 절연층의 두께는 6 내지 12㎛이다.Preferably, the thickness of the planar electrode is 800 to 1200 ANGSTROM, and the height of the protruding electrode is 6 to 10 mu m. At this time, if the thickness of the insulating layer is 4 to 12 占 퐉, sufficient adhesion can be exhibited. More preferably, the height of the planar electrode is 1000 占 and the height of the protruding electrode is 8 占 퐉, wherein the thickness of the insulating layer is 6-12 占 퐉.

도 1에 따르면 본 발명의 일 예에 따른 이방 도전성 필름으로 서로 접속된 제1 전극(70) 및 제2 전극(80)을 포함하는 제1 피접속부재(50)와 제2 피접속부재(60)를 포함하는 반도체 장치를 도시한다. 상기 이방 도전성 필름은 도전성 입자(40)를 포함하는 도전층(10)과 절연성 수지층(20)으로 구성된다. 제1 전극(70)이 형성된 제1 피접속부재(50)와 제2 전극(80)이 형성된 제2 피접속부재(60) 사이에 이방 도전성 필름을 위치시키고 압착시키면 제1 전극(70)와 제2 전극(80)이 도전성 입자(40)를 통해 서로 접속된다.
1, first and second connected members 50 and 60 including a first electrode 70 and a second electrode 80 connected to each other with an anisotropic conductive film according to an exemplary embodiment of the present invention, ). ≪ / RTI > The anisotropic conductive film is composed of the conductive layer 10 including the conductive particles 40 and the insulating resin layer 20. When the anisotropic conductive film is placed between the first and second connected members 50 and 60 where the first electrode 70 is formed and the second connected member 60 is formed and the first electrode 70 and the second electrode 80 are formed, And the second electrodes 80 are connected to each other through the conductive particles 40. [

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
Hereinafter, the configuration and operation of the present invention will be described in more detail with reference to preferred embodiments of the present invention. It is to be understood, however, that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed in a limiting sense.

실시예Example 1: 이방 도전성 필름의 제조 1: Preparation of anisotropic conductive film

(1) 우레탄 수지의 제조(1) Production of urethane resin

폴리올(폴리테트라메틸렌글리콜)을 60중량%, 1,4-부탄디올 13.53 중량%, 톨루엔디이소시아네이트 26.14 중량, 히드록시에틸메타크릴레이트의 0.3중량% 및 촉매로 사용되는 디부틸틴디라우레이트 0.03중량%를 사용하여 합성한다. 먼저 폴리올과 1,4-부타디올 그리고 톨루엔디이소시아네이트를 반응시켜 이소시아네이트 말단의 프리폴리머를 합성한다. 이렇게 합성한 이소시아네이트 말단의 프리폴리머와 히드록시에틸메타크릴레이트를 추가로 반응시켜 폴리우레탄 아크릴레이트 수지를 제조하였으며, 이때 히드록시에틸 메타아크릴레이트/프리폴리머 말단 이소시아네이트 몰비 = 0.5로 진행하였다. 온도 90℃, 압력 1기압, 반응 시간 5시간, 디부틸틴디라우릴레이트를 촉매로 사용하여 중부가 중합 반응시켜 합성한, 중량 평균 분자량 25,000인 폴리 우레탄 아크릴레이트를 제조하였다.
60 wt% of polyol (polytetramethylene glycol), 13.53 wt% of 1,4-butanediol, 26.14 wt% of toluene diisocyanate, 0.3 wt% of hydroxyethyl methacrylate and 0.03 wt% of dibutyltin dilaurate used as a catalyst, Lt; / RTI > First, a polyol, 1,4-butadiol, and toluene diisocyanate are reacted to synthesize a prepolymer at the isocyanate end. The thus synthesized isocyanate-terminated prepolymer was further reacted with hydroxyethyl methacrylate to prepare a polyurethane acrylate resin, wherein the molar ratio of the hydroxyethyl methacrylate / prepolymer terminal isocyanate was 0.5. A polyurethane acrylate having a weight average molecular weight of 25,000, which was synthesized by a polymerization reaction at a temperature of 90 ° C, a pressure of 1 atm, and a reaction time of 5 hours using dibutyl tin dilaurate as a catalyst, was prepared.

(2) 유기 입자의 제조(2) Production of organic particles

냉각기가 달려있는 3구 둥근 플라스크 반응기에 용매로 아세토니트릴 100 ㎖를 질소분위기 하에 넣고, 메틸메타크릴레이트, 스티렌단량체, 디비닐벤젠을 상기 용매에 대하여 2 중량%가 되도록 고정시켰다. 상기 가교제인 디비닐벤젠의 농도는 스티렌단량체 농도에 대하여 50중량%가 되도록 첨가한 혼합물의 반응기를 70 ℃ 로 유지시켰다. 상기 혼합물에 개시제인 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 0.04 g을 넣은 뒤 30 rpm으로 교반하면서 24시간동안 침전중합하여 평균입경 3~4㎛의 폴리스티렌 디비닐벤젠 공중합체를 얻었다.
In a three-neck round flask reactor equipped with a condenser, 100 ml of acetonitrile as a solvent was placed in a nitrogen atmosphere, and methyl methacrylate, styrene monomer, and divinylbenzene were fixed so as to be 2% by weight based on the solvent. The concentration of the crosslinking agent divinylbenzene was adjusted to 50 wt% based on the styrene monomer concentration, and the reactor of the mixture was kept at 70 캜. To the mixture was added 0.04 g of 2,2'-azobisisobutyronitrile as an initiator, followed by precipitation with stirring at 30 rpm for 24 hours to obtain a polystyrene divinylbenzene copolymer having an average particle size of 3 to 4 탆.

(3) 도전층의 제조(3) Production of conductive layer

상기 우레탄 수지 35중량%, 상기 유기 입자 11중량%, 에틸렌-비닐아세테이트 공중합체(이는 비닐아세테이트함유량이 33%인 EVA 공중합체 80g을 중량비로 톨루엔/메틸에틸케톤 2:1의 혼합 용제에 용해하여 고형분 35%의 용액으로 하여 제조되었다[미쓰비시·듀퐁 폴리케미컬(주) 제조, 에바후렉스EV180]) 8중량%, 트리사이클로데칸디메탄올 디아크릴레이트 (TCDDMA)( KARAYAD R-684, 일본화약) 14중량%, 벤조일 퍼옥사이드(한솔) 2 중량%, 도전성 입자(입경 3 ㎛, 세끼수이화학) 30중량% 를 유기용제에 자전공전식 믹서를 사용해 용해, 분산 후 박리 처리된 PET 필름위에 코팅하고 150℃로 가열한 열풍 순환식 오븐에서 5분간 선중합시켜 도전층을 제조하였다. 상기 도전층은 상술한 식 2로 계산한 발열량이 75%이었으며, 이는 75%의 경화가 된 상태를 의미한다.
A solution prepared by dissolving 35% by weight of the urethane resin, 11% by weight of the organic particles, and 80% by weight of an ethylene-vinyl acetate copolymer (the EVA copolymer having a vinyl acetate content of 33% by weight) in a mixed solvent of toluene / methyl ethyl ketone 2: 8% by weight of tricyclodecane dimethanol diacrylate (TCDDMA) (KARAYAD R-684, Japanese explosive) as a solution having a solid content of 35% (Ebafurex EV180 manufactured by Mitsubishi DuPont Polychemical Co., 14% by weight of benzoyl peroxide, 2% by weight of benzoyl peroxide (Hansol) and 30% by weight of conductive particles (particle diameter 3 占 퐉, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) were dissolved and dispersed in an organic solvent using a rotary- Lt; 0 > C for 5 minutes in a hot-air circulating oven to prepare a conductive layer. The conductive layer has a calorific value of 75% as calculated by the above-described formula 2, which means that the conductive layer is cured by 75%.

(4) 제1 절연성 수지층의 제조(4) Production of first insulating resin layer

바인더 수지(제조원: 오사카 가스(Osaka gas), 제품명: EG200) 35 중량%, 제1 에폭시 수지(제조원: 미쓰비시, 제품명: JER-8404) 15중량%, 제2 에폭시 수지(하기 화학식 1의 수소화 에폭시 수지) 45 중량%, 배합하여 C-믹서를 이용해 5 분간 교반하고, 이후 양이온 경화제(제조원: 삼신화학, 제품명: SI-60L)를 5 중량%로 투입한 후 C-믹서를 이용해 1 분간 교반하여(단, 교반액 내 온도가 60 ℃를 넘지 않도록 한다), 제1 절연층 조성물을 형성하였다. 교반이 완성된 조성물을 이형 필름인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 코팅하고 70℃에서 5분동안 열풍 건조시켜 두께 12 ㎛인 제1절연성 수지층을 제조하였다. , 15 wt% of a first epoxy resin (Mitsubishi, product name: JER-8404), 35 wt% of a binder resin (manufactured by Osaka gas, product name: EG200) The mixture was stirred for 5 minutes using a C-mixer, and then 5 wt% of a cationic curing agent (manufactured by Samsin Chemical Co., Ltd., product name: SI-60L) was added thereto and stirred for 1 minute using a C-mixer (Provided that the temperature in the solution was not more than 60 占 폚) to form a first insulating layer composition. The composition with stirring was coated on a polyethylene terephthalate film as a release film and hot-air dried at 70 캜 for 5 minutes to prepare a first insulating resin layer having a thickness of 12 탆.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure 112014069931210-pat00003

Figure 112014069931210-pat00003

(5) 2층의 이방 도전성 필름의 제조(5) Production of two-layered anisotropic conductive film

상기 도전층과 상기 제1 절연성 수지층을 합지하여 2층 구조를 갖는 이방 도전성 필름을 제조하였다.
The conductive layer and the first insulating resin layer were laminated together to produce an anisotropic conductive film having a two-layer structure.

실시예Example 2: 이방 도전성 필름의 제조 2: Preparation of anisotropic conductive film

(1) 제2 절연층의 제조
(1) Fabrication of Second Insulating Layer

실시예 1의 상기 제1 절연층의 제조에서, 바인더 수지(제조원: 오사카 가스(Osaka gas), 제품명: EG200) 40 중량%, 제1 에폭시 수지(제조원: 미쓰비시, 제품명: JER-8404) 23중량%, 제2 에폭시 수지(아래 화학식 1의 수소화 에폭시 수지) 35 중량%, 양이온 경화제(제조원: 삼신화학, 제품명: SI-60L)를 2 중량%로 조정하고, 제2 절연층의 두께를 0.5 ㎛가 되도록 한 것을 제외하고는 상기 제1 절연층에서와 같이 동일하게 실시하여 제2 절연층을 제조하였다.40 weight% of a binder resin (Osaka gas, product name: EG200) and 23 weight% of a first epoxy resin (manufactured by Mitsubishi, product name: JER-8404) in the production of the first insulating layer of Example 1 , 35 wt% of a second epoxy resin (hydrogenated epoxy resin of the following formula 1) and 2 wt% of a cation curing agent (manufactured by Samsin Chemical Co., Ltd., product name: SI-60L) The second insulating layer was formed in the same manner as in the first insulating layer.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure 112014069931210-pat00004
Figure 112014069931210-pat00004

(2) 3층 구조의 이방 도전성 필름의 제조(2) Production of anisotropically conductive film having a three-layer structure

상기 실시예 1의 (5) 이방 도전성 필름의 제조에서 도전층을 제1 절연성 수지층 및 상기 제조된 제2 절연층 사이에 위치시키고 이를 합지시켜 3층 구조를 갖는 이방 도전성 필름을 제조하였다.
In the production of the (5) anisotropic conductive film of Example 1, an anisotropic conductive film having a three-layer structure was prepared by positioning the conductive layer between the first insulating resin layer and the second insulating layer and laminating them.

실시예Example 3: 이방 도전성 필름의 제조 3: Preparation of anisotropic conductive film

실시예 1에서 도전층의 선중합 온도 및 시간을 110℃에서 1분으로 한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 2층 구조의 이방 도전성 필름을 제조하였다.
An anisotropic conductive film having a two-layer structure was produced in the same manner as in Example 1, except that the linear polymerization temperature and time of the conductive layer in Example 1 were changed to 110 占 폚 for 1 minute.

실시예Example 4: 이방 도전성 필름의 제조 4: Preparation of anisotropic conductive film

실시예 2에서 도전층의 선중합 온도 및 시간을 110℃에서 5분으로 한 것을 제외하고는 실시예 1와 동일하게 실시하여 2층 구조의 이방 도전성 필름을 제조하였다.
An anisotropic conductive film having a two-layer structure was prepared in the same manner as in Example 1 except that the linear polymerization temperature and time of the conductive layer in Example 2 were changed to 110 캜 and 5 minutes.

실시예Example 5: 이방 도전성 필름의 제조 5: Preparation of anisotropic conductive film

실시예 1에서 도전층의 선중합 온도 및 시간을 170℃에서 3분으로 한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 2층 구조의 이방 도전성 필름을 제조하였다.
An anisotropic conductive film having a two-layer structure was produced in the same manner as in Example 1, except that the linear polymerization temperature and time of the conductive layer in Example 1 were changed to 170 占 폚 for 3 minutes.

실시예Example 6: 이방 도전성 필름의 제조 6: Preparation of anisotropic conductive film

실시예 1에서 도전층의 라디칼 중합성 물질로 에폭시 아크릴레이트 폴리머(SP1509, 쇼와폴리머)를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실시하여 2층 구조의 이방 도전성 필름을 제조하였다.
An anisotropic conductive film having a two-layer structure was produced in the same manner as in Example 1 except that an epoxy acrylate polymer (SP1509, Showa Polymer) was used as a radical polymerizing material for the conductive layer.

실시예Example 7: 이방 도전성 필름의 제조 7: Preparation of anisotropic conductive film

실시예 2에서 도전층의 라디칼 중합성 물질로 아크릴레이트 모노머(4-HBA, OSAKA)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일하게 실시하여 3층 구조의 이방 도전성 필름을 제조하였다.
An anisotropic conductive film having a three-layer structure was produced in the same manner as in Example 2, except that an acrylate monomer (4-HBA, OSAKA) was used as a radically polymerizable substance in the conductive layer in Example 2.

실시예Example 8: 이방 도전성 필름의 제조 8: Preparation of anisotropic conductive film

실시예 2에서 도전층의 라디칼 중합성 물질로 아크릴레이트 모노머(4-HBA, OSAKA)를 사용하고, 라디칼 경화 개시제로 라우로일 퍼옥시드(Peroyl-L, 일본유지)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일하게 실시하여 3층 구조의 이방 도전성 필름을 제조하였다.
Except that the acrylate monomer (4-HBA, OSAKA) was used as the radical polymerizing material of the conductive layer in Example 2 and lauroyl peroxide (Peroyl-L, Nippon Kayaku) was used as the radical curing initiator The anisotropic conductive film having a three-layer structure was produced in the same manner as in Example 2.

비교예Comparative Example 1: 이방 도전성 필름의 제조 1: Preparation of anisotropic conductive film

실시예 1에서 도전층 조성물을 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름위에 코팅하고 70℃의 열풍 순환식 오븐에서 5분간 용제를 휘발시켜 도전층을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 2층 구조의 이방 도전성 필름을 제조하였다.
A conductive layer composition was coated on a polyethylene terephthalate film in Example 1, and a conductive layer was produced by volatilizing the solvent in a hot-air circulating oven at 70 ° C for 5 minutes, to obtain a two-layer structure To prepare an anisotropic conductive film.

비교예Comparative Example 2: 이방 도전성 필름의 제조 2: Preparation of anisotropic conductive film

(1) 도전층 조성물의 제조(1) Preparation of conductive layer composition

제1 절연층 제조에서 바인더 수지(제조원: 오사카 가스(Osaka gas), 제품명: EG200) 40 중량%, 제1 에폭시 수지(제조원: 미쓰비시, 제품명: JER-8404) 13 중량%, 제2 에폭시 수지(아래 화학식 1의 수소화 에폭시 수지) 15 중량%, 양이온 경화제(제조원: 삼신화학, 제품명: SI-60L)를 2 중량%로 조정하고, 추가로 3 ㎛의 도전입자(AUL704, 세끼수이화학)를 30 중량%를 첨가하여 도전층 선경화 온도 및 시간을 150℃에서 5분간 건조하여 도전층을 제조하였다. 상기 도전층은 상술한 식 2로 계산한 발열량이 68%이었으며, 이는 68%의 경화가 된 상태를 의미한다., 40 wt% of a binder resin (manufactured by Osaka Gas Co., Ltd., product name: EG200), 13 wt% of a first epoxy resin (Mitsubishi, product name: JER-8404) (AUL704, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) was adjusted to 30% by weight, and the amount of the cationic curing agent (product name: SI-60L) By weight, and the conductive layer pre-curing temperature and time were dried at 150 캜 for 5 minutes to prepare a conductive layer. The conductive layer had a calorific value of 68% as calculated by the above-described Formula 2, which means that the cured state was 68%.

[화학식 1] [Chemical Formula 1]

Figure 112014069931210-pat00005
Figure 112014069931210-pat00005

(2) 이방 도전성 필름의 제조(2) Preparation of anisotropic conductive film

상기 실시예 1에 있어서, 도전층 조성물로 상기 제조된 에폭시계 도전층 조성물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 이방 도전성 필름을 제조하였다.
An anisotropic conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the epoxy-based conductive layer composition prepared above was used as the conductive layer composition.

상기 제조된 실시예 및 비교예의 이방 도전성 필름의 구조, 층 두께 및 선중합 조건은 아래 표 1에서와 같이 정리될 수 있다. The structures, layer thicknesses, and pre-polymerization conditions of the anisotropic conductive films of the prepared examples and comparative examples can be summarized as shown in Table 1 below.

실시예1Example 1 실시예2Example 2 실시예3Example 3 실시예4Example 4 실시예5Example 5 실시예6Example 6 실시예7Example 7 실시예8Example 8 비교예1Comparative Example 1 비교예2Comparative Example 2 구조rescue 2층Second floor 3층3rd Floor 2층Second floor 2층Second floor 2층Second floor 2층Second floor 3층3rd Floor 3층3rd Floor 2층Second floor 2층Second floor 도전층 두께Conductive layer thickness 44 44 44 44 44 44 44 44 44 44 제1 절연층 두께The thickness of the first insulating layer 1212 1212 1212 1212 1212 1212 1212 1212 1212 1212 제2 절연층 두께The thickness of the second insulating layer -- 0.50.5 -- -- -- -- 0.50.5 0.50.5 -- -- 선중합 온도 및 시간Pre-polymerization temperature and time 150℃, 5분150 ° C, 5 minutes 150℃, 5분150 ° C, 5 minutes 110℃, 1분110 ° C, 1 minute 110℃, 5분110 ° C, 5 minutes 170℃, 3분170 ° C, 3 minutes 150℃, 5분150 ° C, 5 minutes 150℃, 5분150 ° C, 5 minutes 150℃, 5분150 ° C, 5 minutes 70℃, 5분70 ° C, 5 minutes 150℃, 5분150 ° C, 5 minutes

실험예Experimental Example : 이방 도전성 필름의 물성 평가: Evaluation of Physical Properties of Anisotropically Conductive Film

상기 실시예 1-8 및 비교예 1-2에서 제조된 이방 도전성 필름에 대해 도전층 적외선 분광광도계 피크 높이, 접속저항, 절연저항, 입자 포착률 및 인덴테이션 탄성률을 아래와 같은 방법으로 측정하고 그 결과를 아래 표 2에 나타내었다. The peak height, the connection resistance, the insulation resistance, the particle trapping rate and the indentation elastic modulus of the conductive layer infrared spectrophotometer were measured for the anisotropic conductive films prepared in Examples 1-8 and Comparative Example 1-2 by the following method, The results are shown in Table 2 below.

실시예1Example 1 실시예2Example 2 실시예3Example 3 실시예4Example 4 실시예5Example 5 실시예6Example 6 실시예7Example 7 실시예8Example 8 비교예1Comparative Example 1 비교예2Comparative Example 2 IR 810cm-1
피크 높이(A1)
IR 810 cm -1
Peak height (A 1 )
0.0014 0.0014 0.0020 0.0020 0.0017 0.0017 0.0046 0.0046 0.0025 0.0025 0.0015 0.0015 0.0009 0.0009 0.0035 0.0035 0.0059 0.0059 --
IR 2930cm-1
피크 높이(A2)
IR 2930 cm -1
Peak height (A 2 )
0.01950.0195 0.02910.0291 0.01860.0186 0.0660.066 0.0410.041 0.02490.0249 0.01510.0151 0.0580.058 0.03460.0346 --
피크 높이비
(A1/A2)
Peak height ratio
(A 1 / A 2 )
0.07 0.07 0.07 0.07 0.09 0.09 0.07 0.07 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.17 0.17 --
접속 저항(Ω)Connection resistance (Ω) 1.341.34 1.251.25 1.411.41 1.371.37 1.441.44 1.431.43 1.391.39 1.511.51 4.124.12 102.3102.3 절연 저항
(쇼트 발생 포인트)
Insulation Resistance
(Short shot occurrence point)
0/380/38 0/380/38 0/380/38 0/380/38 0/380/38 0/380/38 0/380/38 0/380/38 21/3821/38 0/380/38
입자 포착률(%)Particle picking rate (%) 7575 7878 6666 6868 8282 7373 7878 7777 1212 8585 인덴테이션 탄성률
(MPa)
Elasticity of indentation
(MPa)
175175 178178 151151 149149 181181 169169 183183 175175 1.431.43 550.1550.1

상기 표 2의 결과로부터 확인할 수 있는 바와 같이, 도전층 조성이 (메트)아크릴레이트계 중합성 물질 및 라디칼 중합 개시제를 포함하고, 90 내지 200℃에서 1분 내지 10분간의 조건으로 선중합된 실시예 1 내지 8의 이방 도전성 필름은 도전입자 포착률이 70 내지 90%의 범위이고, 접속저항이 2 Ω이하로 낮고 전기적 쇼트가 발생하지 않은 반면, 실시예 1과 조성이 동일하되 선중합 공정을 거치지 않은 비교예 1의 경우 도전층의 유동 성향으로 인해 입자 포착률이 매우 낮을 뿐 아니라 접속저항이 높고 전기적 쇼트가 발생하였다. 또한, 도전층 조성이 라디칼 중합 반응계가 아닌 에폭시 경화 반응계인 비교예 2의 경우 선경화에 의해 입자 포착률은 양호하나, 도전층의 점도가 지나치게 높아져 인덴테이션 탄성율이 250 MPa를 훨씬 초과하였고, 그 결과 압착시 도전층 눌림성이 불충분하여 접속 저항이 크게 증가하였다.
As can be seen from the results of the above Table 2, the conductive layer composition contains the (meth) acrylate-based polymerizable material and the radical polymerization initiator and is preliminarily polymerized at 90 to 200 ° C for 1 minute to 10 minutes The anisotropic conductive films of Examples 1 to 8 had a conductive particle capture ratio in the range of 70 to 90%, a connection resistance as low as 2 Ω or less and no electrical short-circuit, while the composition was the same as in Example 1, In Comparative Example 1 in which Comparative Example 1 was used, not only the particle capture rate was extremely low due to the flow propensity of the conductive layer, but also the connection resistance was high and electrical short was generated. In the case of Comparative Example 2, in which the conductive layer composition was not a radical polymerization reaction system, the particle capture ratio was good due to the pre-curing, but the viscosity of the conductive layer was too high and the indentation elastic modulus exceeded 250 MPa. The press resistance of the conductive layer was insufficient during the pressing, and the connection resistance was greatly increased.

1) 적외선 분광광도계 피크 높이1) Infrared spectrophotometer peak height

제조된 ACF 필름을 FT-IR 장비를 이용하여 ATR(with Diamond)로 초당 32회 스캔 하여 측정 후 얻어지는 스펙트럼에 대해 IR peak 분석 프로그램을 이용하여 2930 cm-1 peak 및 810 cm-1 peak 에서의 높이를 측정한다. 조성에 따라 peak 위치는 ±5 cm-1 차이가 날 수 있다.
The prepared ACF film was scanned 32 times with ATR (with Diamond) using FT-IR equipment, and the spectrum obtained after measurement was measured at 2930 cm-1 peak and 810 cm-1 peak using an IR peak analysis program . Depending on the composition, the peak position may differ by ± 5 cm -1 .

2) 접속저항2) Connection resistance

제조된 이방 도전성 필름을 ITO 유리(인듐틴옥사이드 유리)와 COF, TCP(Tape Carrier Package)를 이용하여 70℃, 1초의 가압착 조건과 150℃, 5초, 70 MPa의 본압착 조건으로 접속하였다. 각각의 시편은 10개씩 준비하였고, 이와 같이 제조된 시편을 이용하여 4 point 프로브(probe) 방법으로 접속저항을 측정(ASTM F43-64T 방법에 준함)하였다. 초기 접속저항 측정에서 저항이 5Ω 이상이면, N.G.로 판단한다. 또한 온도 85 ℃, 상대습도 85%에서 500 시간 조건으로 고온 고습 신뢰성 평가를 진행한 후, 이들 각각의 신뢰성 후 접속 저항을 측정(ASTM D177에 준함)하였다.
The prepared anisotropic conductive film was connected to ITO glass (indium tin oxide glass), COF and TCP (Tape Carrier Package) under the conditions of pressurization at 70 ° C for 1 second and final compression at 150 ° C for 5 seconds and 70 MPa . Each of the ten specimens was prepared, and the connection resistance was measured (according to ASTM F43-64T method) using the 4-point probe method using the thus-prepared specimen. If the resistance is 5? Or more in the initial connection resistance measurement, it is determined as NG. After conducting a high-temperature and high-humidity reliability evaluation under the conditions of a temperature of 85 ° C and a relative humidity of 85% for 500 hours, each of the reliability-after-connection resistances was measured (according to ASTM D177).

3) 절연저항3) Insulation resistance

상기 형성된 이방 도전성 필름을 2mmX25mm로 잘라서 절연저항 평가 자재에 각각 본딩하여 평가하였다. 이때, 0.5㎜두께 유리기판상에 70℃-1MPa-1sec 조건으로 가열/가압해 이방 도전성 필름을 가압착하고 PET필름을 벗겨 유리기판상에 ACF를 배치했다. 그 다음 칩(칩 길이 19.5㎜, 칩 폭 1.5㎜, 범프 간격 8㎛)를 얼라인하여 배치한 후, 150℃, 70MPa, 5sec 조건으로 본압착을 실시하였다. 여기에 50V를 인가하며 2 단자법으로 총 38포인트에서 쇼트 발생 여부를 검사하였다. 쇼트가 한 포인트라도 발생하면 N.G.로 판단한다.
The formed anisotropic conductive film was cut into 2 mm x 25 mm and bonded to each of the insulation resistance evaluation materials for evaluation. At this time, the anisotropic conductive film was heated / pressured on a glass substrate having a thickness of 0.5 mm at 70 DEG C for 1 MPa for 1 sec, peeling the PET film, and placing the ACF on the glass substrate. Next, chips (chip length 19.5 mm, chip width 1.5 mm, bump spacing 8 탆) were aligned and then subjected to final compression at 150 캜, 70 MPa, and 5 sec. 50V was applied thereto, and the occurrence of a short circuit was checked at a total of 38 points by the two-terminal method. If a short shot occurs, it is judged as NG.

4) 입자 포착율 측정4) Measurement of particle capture rate

상기 실시예 및 비교예들에서 제조된 이방성 도전 필름의 입자포착율을 측정 하기 위하여 하기의 방법을 수행하였다. The following methods were performed to measure the particle capture rate of the anisotropic conductive film produced in the Examples and Comparative Examples.

가압착 전 단자 상에 있는 도전입자의 개수(압착 전 입자수) 및 본압착 후 단자 상에 있는 도전입자의 개수(압착 후 입자 수)를 금속 현미경으로 카운트하여 측정한 후, 하기의 식 3에 의해 도전입자의 입자 포착율을 산출한다. The number of conductive particles (number of particles before pressing) on the pressing and adhering terminals and the number of conductive particles (number of particles after pressing) on the terminal after the main pressing were counted by a metallurgical microscope and measured, Thereby calculating the particle capture rate of the conductive particles.

[식 3][Formula 3]

입자 포착율(%) = (본압착 후 접속 부위의 단위높이당(mm2 ) 도전입자 개수)/ (가압착 전 이방 도전 필름의 단위높이당(mm2) 도전입자 개수) x 100(%) = (Number of conductive particles per unit height (mm 2 ) of connecting portion after main compression) / (per unit height of anisotropically conductive film before pressing) (mm 2 ) Number of conductive particles x 100

상기 가압착 및 본압착 조건은 하기와 같다.The conditions of pressurization and final pressing are as follows.

1) 가압착 조건: 70℃, 1MPa, 1sec1) Pressure-bonding condition: 70 DEG C, 1 MPa, 1 sec

2) 본압착 조건: 150℃, 70MPa, 5sec
2) Conditions of this pressing: 150 DEG C, 70 MPa, 5 sec

5) 인덴테이션 탄성률5) Indentation modulus

상기 실시예 1 내지 8 혹은 비교예 1 및 2의 도전층을 Hysitron TI750 Ubi 장치를 이용하여 Experiment mode는 Indentation mode로, Feedback mode는 Displacement control로 하고, 압자(tip)는 Berkovitz tip, Max. Displacement는 1000nm로 인덴테이션 탄성률 값을 측정하였다.The conductive layers of Examples 1 to 8 or Comparative Examples 1 and 2 were subjected to an Hensitron TI750 Ubi apparatus in an Experiment mode as Indentation mode and a Feedback mode as Displacement control, and the tip was a Berkovitz type, Max. Displacement was measured for the value of the indentation elastic modulus at 1000 nm.

실험은 PC, Hysitron TI750 Ubi 장치, 광원의 power on 후, tranducer calibration을 거쳐 실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 2에서의 도전층 샘플의 초점을 맞추고, 표면을 scanning하여 측정 위치를 설정하고, 5초 동안 max force loading → 2초 동안 holding → 5초 동안 unloading 후 샘플 표면을 scanning하여 압흔 자국을 확인하여 수행되었다. 하중과 변위를 이용하여 탄성률을 산출하였다.
Experiments were performed by focusing the conductive layer samples in Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 and 2 through a PC, a Hysitron TI750 Ubi device, power on of a light source, and tranducer calibration, scanning the surface to set measurement positions, Max force loading for 5 seconds → holding for 2 seconds → unloading for 5 seconds and scanning the sample surface to confirm indentation marks. The elastic modulus was calculated using load and displacement.

50 제1 피접속부재
60 제2 피접속부재
70 제1 전극
80 제2 전극
40 도전성 입자
10 도전층
20 절연성 수지층
50 first connected member
60 second connected member
70 first electrode
80 second electrode
40 conductive particles
10 conductive layer
20 insulating resin layer

Claims (20)

도전성 입자를 포함하는 도전층과, 절연성 수지층이 적층된 다층 구조를 가지며,
상기 도전층이, 열가소성 수지, 도전성 입자, (메트)아크릴레이트계 중합성 물질 및 라디칼 중합 개시제를 포함하고,
상기 도전층의 적외선 분광광도계에서의 식 1의 피크 높이비가 0.15 이하이고,
상기 도전층의 인덴테이션 탄성율이 50 내지 250MPa인, 이방 도전성 필름:
[식 1]
피크 높이비=A1/A2
상기 식 1에서, A1은 적외선 분광광도계의 810cm-1에서의 피크 높이고, A2는 2930cm-1에서의 피크 높이다.
A conductive layer containing conductive particles, and an insulating resin layer,
Wherein the conductive layer comprises a thermoplastic resin, a conductive particle, a (meth) acrylate-based polymerizable substance, and a radical polymerization initiator,
The peak height ratio of the formula 1 in the infrared spectrophotometer of the conductive layer is 0.15 or less,
An anisotropic conductive film having an indentation elastic modulus of 50 to 250 MPa of the conductive layer;
[Formula 1]
Peak height ratio = A 1 / A 2
In the above formula 1, A 1 is the peak height at 810 cm -1 of the infrared spectrophotometer, and A 2 is the peak height at 2930 cm -1 .
제1항에 있어서, 상기 도전층이 90 내지 200℃에서 1분 내지 10분간 선중합된 것인, 이방 도전성 필름. The anisotropic conductive film according to claim 1, wherein the conductive layer is pre-polymerized at 90 to 200 DEG C for 1 to 10 minutes. 제1항에 있어서, 상기 도전층의 하기 식 2의 경화율이 20% 내지 100%인, 이방 도전성 필름.
[식 2]
경화율(%) = [(A0- A1) / A0 ] X 100
상기 식 2에서, A0는 도전층을 선중합하기 전, 70℃의 열풍 순환식 오븐에서 5분간 용매를 휘발시킨 후 DSC 상 곡선 면적을 의미하며, A1은 선중합된 도전층의 DSC 상 곡선 면적을 의미한다.
The anisotropic conductive film according to claim 1, wherein the curing rate of the conductive layer of the following formula (2) is 20% to 100%.
[Formula 2]
Curing rate (%) = [(A 0 - A 1 ) / A 0 ] X 100
A 0 represents the curve area of the DSC phase after the solvent is volatilized in a hot-air circulating oven at 70 ° C for 5 minutes before linearly polymerizing the conductive layer, A 1 represents the DSC phase of the pre-polymerized conductive layer Curve area.
삭제delete 제1항에 있어서, 상기 도전층 및 상기 절연성 수지층이 2층 구조 혹은 3층 구조인 이방 도전성 필름. The anisotropic conductive film according to claim 1, wherein the conductive layer and the insulating resin layer have a two-layer structure or a three-layer structure. 제1항에 있어서, 상기 (메타)아크릴레이트계 중합성 물질이 (메타)아크릴레이트계 올리고머 또는 (메타)아크릴레이트계 모노머 중 하나 이상인, 이방 도전성 필름.The anisotropic conductive film according to claim 1, wherein the (meth) acrylate-based polymerizable substance is at least one of a (meth) acrylate oligomer or a (meth) acrylate monomer. 제1항에 있어서, 상기 절연성 수지층이 (메트)아크릴레이트계 중합성 물질 및 라디칼 중합 개시제를 포함하는, 이방 도전성 필름.The anisotropic conductive film according to claim 1, wherein the insulating resin layer comprises a (meth) acrylate-based polymerizable substance and a radical polymerization initiator. 제1항에 있어서, 상기 절연성 수지층이 에폭시 수지 및 상기 에폭시 수지의 경화제를 포함하는, 이방 도전성 필름.The anisotropic conductive film according to claim 1, wherein the insulating resin layer comprises an epoxy resin and a curing agent of the epoxy resin. 제1항에 있어서, 상기 이방 도전성 필름의 도전성 입자 포착률이 40% 이상인, 이방 도전성 필름.The anisotropic conductive film according to claim 1, wherein the anisotropic conductive film has a conductive particle capture ratio of 40% or more. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 도전성 입자, (메트)아크릴레이트계 중합성 물질 및 라디칼 중합 개시제를 포함하는 도전층 조성물을 기재 필름 상에 도포하고,
상기 도전층 조성물이 도포된 기재 필름을 90 내지 200℃에서 1분 내지 10분간 선중합시키고,
상기 선중합된 도전층과 절연성 수지층을 라미네이트하여 적층된 다층 구조를 포함하는 이방 도전성 필름의 제조 방법이고,
상기 선중합된 도전층의 인덴테이션 탄성율이 50 내지 250MPa인, 이방 도전성 필름의 제조방법.
A conductive layer composition comprising conductive particles, a (meth) acrylate-based polymerizable substance and a radical polymerization initiator is applied on a substrate film,
The base film coated with the conductive layer composition is pre-polymerized at 90 to 200 DEG C for 1 to 10 minutes,
Layered structure in which the pre-polymerized conductive layer and the insulating resin layer are laminated and laminated, the method comprising:
Wherein the pre-polymerized conductive layer has an indentation elastic modulus of 50 to 250 MPa.
제17항에 있어서, 상기 선중합된 도전층의 하기 식 2의 경화율이 20% 내지 100%인, 이방 도전성 필름의 제조 방법.
[식 2]
경화율(%) = [(A0- A1) / A0 ] X 100
상기 식 2에서, A0는 도전층을 선중합하기 전, 70℃의 열풍 순환식 오븐에서 5분간 용매를 휘발시킨 후 DSC 상 곡선 면적을 의미하며, A1은 선중합된 도전층의 DSC 상 곡선 면적을 의미한다.
The method for producing an anisotropic conductive film according to claim 17, wherein the pre-polymerized conductive layer has a curing rate of 20% to 100% in the following formula (2).
[Formula 2]
Curing rate (%) = [(A 0 - A 1 ) / A 0 ] X 100
A 0 represents the curve area of the DSC phase after the solvent is volatilized in a hot-air circulating oven at 70 ° C for 5 minutes before linearly polymerizing the conductive layer, A 1 represents the DSC phase of the pre-polymerized conductive layer Curve area.
제17항에 있어서, 상기 다층 구조가 2층 혹은 3층 구조인, 이방 도전성 필름의 제조 방법.The method for producing an anisotropic conductive film according to claim 17, wherein the multilayer structure is a two-layer or three-layer structure. 제1 전극을 함유하는 제1 피접속부재;
제2 전극을 함유하는 제2 피접속부재; 및
상기 제1 피접속부재와 상기 제2 피접속부재 사이에 위치하여 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 접속시키는 제1항 내지 제3항, 제5항 내지 제9항 중 어느 하나의 항에 따른 이방 도전성 필름을 포함하는, 반도체 장치.
A first connected member containing a first electrode;
A second connected member containing a second electrode; And
The method according to any one of claims 1 to 3, 5 to 9, wherein the first electrode and the second electrode are located between the first connected member and the second connected member And an anisotropic conductive film according to the present invention.
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