KR102583549B1 - 전원 전압의 레벨 변동에 대하여 안정적으로 음 전압의 레벨을 감지하는 반도체 메모리 장치의 음 전압 감지 회로 - Google Patents

전원 전압의 레벨 변동에 대하여 안정적으로 음 전압의 레벨을 감지하는 반도체 메모리 장치의 음 전압 감지 회로 Download PDF

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Abstract

전원 전압의 레벨 변동에 대하여 안정적으로 음 전압의 레벨을 감지하는 반도체 메모리 장치의 음 전압 감지 회로가 게시된다. 본 발명의 음 전압 감지 회로는 외부 전원 전압과 상기 음 전압이 인가되고, 피드백 전압을 발생하며, 제1 피드백 저항과 제2 피드백 저항을 포함하는 음 전압 감지부; 상기 외부 전원 전압과 접지 전압이 인가되고, 비교 기준 전압을 발생하며, 제1 비교 예비 저항과 제2 비교 예비 저항을 포함하는 비교 기준 발생부; 및 상기 피드백 전압과 상기 비교 기준 전압을 비교하여 상기 감지 신호를 발생하는 감지 신호 발생부를 구비한다. 본 발명의 음 전압 감지 회로에 의하면, 음 전압의 레벨이 외부 전원 전압의 레벨 변동에 무관하게 안정적으로 감지될 수 있다.

Description

전원 전압의 레벨 변동에 대하여 안정적으로 음 전압의 레벨을 감지하는 반도체 메모리 장치의 음 전압 감지 회로{CIRCUIT FOR DETECTING NEGATIVE VOLTAGE OF SEMICONDUCETOR MEMORY DEVICE FOR SAFELY DETECTING LEVEL IN NEGATIVE VOLTAGE AGAINST TO CHANGE IN POWER VOLTAGE}
본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로서, 특히 음 전압 감지 회로에 관한 것이다.
반도체 메모리 장치는 외부에서 인가되는 전원 전압을 인가받아, 반도체 메모리 장치의 동작 수행에 필요한 전압을 생성하는 내부 전압 발생기들을 내장한다. 음 전압(negative voltage) 발생기도 이러한 내부 전압 발생기들 중의 하나이다.
일반적으로, 음 전압 발생기는 음 전압 감지 회로와 음 전압 발생 회로를 포함하여 구성된다. 음 전압 감지 회로는 음 전압의 레벨을 감지하여 감지 신호를 발생한다. 그리고, 음 전압 발생 회로는 감지 신호에 응답하여 오실레이팅 신호를 발생하고, 오실레이팅 신호에 따라 펌핑 동작을 수행하여 음 전압을 생성하도록 구동된다.
한편, 반도체 메모리 장치에서는, 동작 사양에 따라 다양한 레벨의 외부 전원 전압이 제공될 수 있다. 이때, 음 전압은 외부 전원 전압의 레벨 변동에 무관하게 일정한 레벨로 유지되는 것을 필요로 하는 경우도 종종 발생한다. 이 경우, 음 전압 감지 회로 또한 외부 전원 전압의 레벨 변동에 대하여 안정적으로 음 전압의 레벨을 감지하는 것이 요구된다.
본 발명의 목적은 외부 전원 전압의 레벨 변동에 무관하게 안정적으로 음 전압의 레벨을 감지하는 반도체 메모리 장치의 음 전압 감지 회로를 제공하는 데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일면은 음 전압의 레벨을 감지하여 감지 신호를 발생하는 음 전압 감지 회로에 관한 것이다. 본 발명의 음 전압 감지 회로는 외부 전원 전압과 상기 음 전압이 인가되고, 피드백 전압을 발생하며, 제1 피드백 저항과 제2 피드백 저항을 포함하는 음 전압 감지부로서, 상기 피드백 전압은 상기 외부 전원 전압과 상기 음 전압 사이의 분압 저항비에 의존되는 레벨을 가지며, 상기 제1 피드백 저항의 저항값에 대한 상기 제2 피드백 저항의 저항값의 비는 상기 분압 저항비에 상응하는 상기 음 전압 감지부; 상기 외부 전원 전압과 접지 전압이 인가되고, 비교 기준 전압을 발생하며, 제1 비교 예비 저항과 제2 비교 예비 저항을 포함하는 비교 기준 발생부로서, 상기 비교 기준 전압은 상기 외부 전원 전압과 상기 접지 전압 사이의 상기 분압 저항비에 의존되는 레벨을 가지되, 상기 제1 비교 예비 저항의 저항값에 대한 상기 제2 비교 예비 저항의 저항값의 비는 상기 분압 저항비에 상응하는 상기 비교 기준 발생부; 및 상기 피드백 전압과 상기 비교 기준 전압을 비교하여 상기 감지 신호를 발생하는 감지 신호 발생부로서, 상기 감지 신호는 상기 피드백 전압과 상기 비교 기준 전압의 대소관계에 따른 논리 상태를 가지는 상기 감지 신호 발생부를 구비한다.
상기와 같은 구성의 본 발명의 음 전압 감지 회로에 의하면, 음 전압의 레벨이 외부 전원 전압의 레벨 변동에 무관하게 안정적으로 감지될 수 있다.
본 발명에서 사용되는 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 음 전압 감지 회로를 나타내는 도면으로서, 음 전압 발생 회로와 함께 도시된다.
도 2는 도 1의 비교 기준 발생부를 구체적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2의 제어 구동 발생 수단을 더욱 구체적으로 나타내는 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 각각 도 2의 비교 구동 발생 수단의 예들을 나타내는 도면이다.
도 5는 도 2의 비교 기준 발생 수단을 자세히 나타내는 도면이다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다.
그리고, 각 도면을 이해함에 있어서, 동일한 부재는 가능한 한 동일한 참조부호로 도시하고자 함에 유의해야 한다. 그리고, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
한편, 각 구성요소에 대한 복수의 표현도 생략될 수도 있다. 예컨대 복수개의 신호선으로 이루어진 구성일지라도 '신호선들'과 같이 표현할 수도 있고, '신호선'과 같이 단수로 표현할 수도 있다. 이는 신호선이 동일한 속성을 가지는 여러 신호선들, 예컨대 데이터 신호들과 같이 다발로 이루어진 경우에 이를 굳이 단수와 복수로 구분할 필요가 없기 때문이기도 하다. 이런 점에서 이러한 기재는 타당하다. 따라서 이와 유사한 표현들 역시 명세서 전반에 걸쳐 모두 이와 같은 의미로 해석되어야 한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 음 전압 감지 회로(CIRDT)를 나타내는 도면으로서, 음 전압 발생 회로(CIRGN)와 함께 도시된다.
도 1에서, 본 발명의 음 전압 감지 회로(CIRDT)는 음 전압(VNEG)의 레벨을 감지하여 감지 신호(XDET)를 발생한다.
상기 음 전압 발생 회로(CIRGN)는 상기 감지 신호(XDET)가 "H"의 논리 상태일때 인에이블되어 음 전압(VNEG)을 펌핑하여 발생한다. 이러한 음 전압 발생 회로(CIRGN)의 구현 및 작용 효과는 당업자에게는 자명하다. 그러므로, 본 명세서에서는, 설명의 간략화를 위하여, 이에 대한 구체적인 기술은 생략된다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 음 전압 감지 회로(CIRDT)는 음 전압 감지부(100), 비교 기준 발생부(200) 및 감지 신호 발생부(300)를 구비한다.
상기 음 전압 감지부(100)는 외부 전원 전압(VDE)과 상기 음 전압(VNEG)이 인가되며, 피드백 전압(VFDB)을 발생한다. 이때, 상기 외부 전원 전압(VDE)은 외부로부터 공급되는 전압으로서, 본 발명의 음 전압 감지 회로(CIRDT)가 채용되는 반도체 메모리 장치의 동작 사양에 따라 변동될 수 있다.
상기 피드백 전압(VFDB)은 상기 외부 전원 전압(VDE)과 상기 음 전압(VNEG) 사이의 분압 저항비(RAT)에 상응하는 레벨을 가진다.
상기 음 전압 감지부(100)는 구체적으로 제1 피드백 저항(RFB1) 및 제2 피드백 저항(RFB2)을 구비한다.
상기 제1 피드백 저항(RFB1)은 상기 외부 전원 전압(VDE)과 상기 피드백 전압(VFDB) 사이에 형성되며, 상기 제2 피드백 저항(RFB2)은 상기 피드백 전압(VFDB)과 상기 음 전압(VNEG) 사이에 형성된다.
여기서, 상기 제1 피드백 저항(RFB1)의 저항값은 'R1*a'이며, 상기 제2 피드백 저항(RFB2)의 저항값은 'R2*a'이다.
이에 따라, 상기 피드백 전압(VFDB)의 레벨(Vfdb)은 (수학식 1)과 같다.
(수학식 1)
Vfdb=(Vde-Vneg)*(R2/(R1+R2))+Vneg
=Vde*(R2/(R1+R2))+Vneg*(R1/(R1+R2))
여기서, Vde는 상기 외부 전원 전압(VDE)의 레벨이며, Vneg는 상기 음 전압(VNEG)의 레벨이다.
즉, 상기 피드백 전압(VFDB)의 레벨(Vfdb)은 상기 외부 전원 전압(VDE)과 상기 음 전압(VNEG) 사이의 상기 분압 저항비(R2/R1)에 의존되는 레벨을 가진다.
계속 도 1을 참조하면, 상기 비교 기준 발생부(200)는 상기 외부 전원 전압(VDE)과 접지 전압(VSS)이 인가되며, 비교 기준 전압(VRFC)을 발생하며, 제1 비교 예비 저항(RCP1)과 제2 비교 예비 저항(RCP2)을 구비한다.
여기서, 제1 비교 예비 저항(RCP1)의 저항값은 'R1*b'이며, 상기 제2 비교 예비 저항(RCP2)의 저항값은 'R2*b'이다. 즉, 상기 제1 비교 예비 저항(RCP1)의 저항값에 대한 상기 제2 비교 예비 저항(RCP2)의 저항값의 비는 상기 분압 저항비(R2/R1)에 상응한다.
도 2는 도 1의 비교 기준 발생부(200)를 구체적으로 나타내는 도면이다. 도 2를 참조하면, 상기 비교 기준 발생부(200)는 제어 구동 발생 수단(210), 상기 비교 구동 발생 수단(220) 및 비교 기준 발생 수단(230)을 구비한다.
상기 제어 구동 발생 수단(210)은 상기 외부 전원 전압(VDE)에 변동에 대하여 일정한 레벨을 가지는 타켓 전압(VTAG)을 생성하고, 상기 타켓 전압(VTAG)에 상응하는 제어 구동 전압(VCTD)을 발생하며, 제1 제어 구동 저항(RCD1)과 제2 제어 구동 저항(RCD2)을 포함한다.
이때, 상기 제1 제어 구동 저항(RCD1)의 저항값에 대한 상기 제2 제어 구동 저항(RCD2)의 저항값의 비는 상기 분압 저항비(R2/R1)에 의존된다. 그리고, 상기 제어 구동 전압(VCTD)은 상기 분압 저항비(R2/R1)에 의존되는 레벨을 가진다.
도 3은 도 2의 제어 구동 발생 수단(210)을 더욱 구체적으로 나타내는 도면이다. 도 3을 참조하면, 제어 구동 발생 수단(210)은 더욱 구체적으로 제어 예비 발생 유닛(211) 및 제어 구동 발생 유닛(212)을 구비한다.
상기 제어 예비 발생 유닛(211)은 바이어스 전압(VBIA)에 상응하는 제어 예비 전압(VCPR)를 발생한다.
상기 제어 예비 발생 유닛(211)은 제어 연산 증폭기(211a), 제1 제어 분배 저항(211b) 및 제2 제어 분배 저항(211c)을 구비한다.
상기 제어 연산 증폭기(211a)는 양(+)의 입력단에 상기 바이어스 전압(VBIA)이 인가되고, 음(-)의 입력단에 제어 분배 전압(VCDV)이 인가되며, 출력단으로 제어 예비 전압(VCPR)을 발생한다.
상기 제1 제어 분배 저항(211b)은 상기 제어 예비 전압(VCPR)과 상기 제어 분배 전압(VCDV) 사이에 형성되며, 상기 제2 제어 분배 저항(211c)은 상기 제어 분배 전압(VCDV)과 상기 접지 전압(VSS) 사이에 형성된다.
상기 제어 구동 발생 유닛(212)은 상기 제어 예비 전압(VCPR)과 상기 접지 전압(VSS) 사이에 형성되어, 상기 제어 구동 전압(VCTD)을 발생한다.
상기 제어 구동 발생 유닛(212)은 제어 가변 저항(212a), 상기 제1 제어 구동 저항(RCD1) 및 상기 제2 제어 구동 저항(RCD2)을 구비한다.
상기 제어 가변 저항(212a)은 상기 제어 예비 전압(VCPR)과 상기 타켓 전압(VTAG) 사이에 형성되며, 외부에서 저항값이 조절 가능하다. 즉, 상기 타켓 전압(VTAG)의 레벨은 외부에서 조절하다.
상기 제1 제어 구동 저항(RCD1)은 상기 제어 구동 전압(VCTD)과 상기 접지 전압(VSS) 사이에 형성되며, 상기 제2 제어 구동 저항(RCD2)은 상기 타켓 전압(VTAG)과 상기 제어 구동 전압(VCTD) 사이에 형성된다.
여기서, 상기 제1 제어 구동 저항(RCD1)의 저항값은 'R1*c'이며, 상기 제2 제어 구동 저항(RCD2)의 저항값은 'R2*c'이다. 즉, 상기 제1 제어 구동 저항(RCD1)의 저항값에 대한 상기 제2 제어 구동 저항(RCD2)의 저항값의 비는 상기 분압 저항비(R2/R1)에 상응한다.
이에 따라, 상기 제어 구동 전압(VCTD)의 레벨(Vctd)은 (수학식 2)와 같다.
(수학식 2)
Vctd=Vtag*(R1/(R1+R2))
여기서, Vctd는 상기 제어 구동 전압(VCTD)의 레벨이며, Vtag는 상기 타켓 전압(VTAG)의 레벨이다.
다시 도 2를 참조하면, 상기 비교 구동 발생 수단(220)은 상기 외부 전원 전압(VDE)과 상기 접지 전압(VSS)이 인가되고, 비교 구동 전압(VCDR)을 발생하며, 상기 제1 비교 예비 저항(RCP1)과 상기 제2 비교 예비 저항(RCP2)을 포함한다. 이때, 상기 비교 구동 전압(VCDR)은 상기 분압 저항비(R2/R1)에 의존되는 레벨을 가진다.
도 4a는 도 2의 비교 구동 발생 수단(220)의 일예를 나타내는 도면이다. 도 4a를 참조하면, 상기 비교 구동 발생 수단(220)은 비교 예비 발생 유닛(221)을 구비하며, 바람직하기로는 비교 구동 발생 유닛(223)을 더 구비한다.
상기 비교 예비 발생 유닛(221)은 상기 외부 전원 전압(VDE)과 상기 접지 전압(VSS) 사이에 형성되어, 비교 예비 전압(VCPM)을 발생하며, 상기 제1 비교 예비 저항(RCP1)과 상기 제2 비교 예비 저항(RCP2)을 포함한다.
이때, 상기 비교 예비 전압(VCPM)은 상기 외부 전원 전압(VDE)과 상기 접지 전압(VSS) 사이의 상기 '분압 저항비(R2/R1)'에 의존되는 레벨을 가지며, 상기 비교 기준 전압(VRFC)은 상기 비교 예비 전압(VCPM)에 의존되는 레벨을 가진다.
상기 비교 예비 발생 유닛(221)은 구체적으로 제1 비교 예비 저항(RCP1) 및 제2 비교 예비 저항(RCP2)을 구비한다.
상기 제1 비교 예비 저항(RCP1)은 상기 외부 전원 전압(VDE)과 상기 비교 예비 전압(VCPM) 사이에 형성되며, 상기 제2 비교 예비 저항(RCP2)은 상기 비교 예비 전압(VCPM)과 상기 접지 전압(VSS) 사이에 형성된다.
상기 비교 구동 발생 유닛(230)은 상기 비교 예비 전압(VCPM)과 상기 접지 전압(VSS) 사이에 형성되어, 상기 비교 구동 전압(VCDR)을 발생한다.
상기 비교 구동 전압 유닛(230)은 제1 비교 저항 소자(RCE1) 및 제2 비교 저항 소자(RCE2)를 구비한다.
상기 제1 비교 저항 소자(RCE1)는 상기 비교 예비 전압(VCPM)과 상기 비교 구동 전압(VCDR) 사이에 형성되며, 상기 제2 비교 저항 소자(RCE2)는 상기 비교 구동 전압(VRFC)과 상기 접지 전압(VSS) 사이에 형성된다.
도 4b는 도 2의 비교 구동 발생 수단(220)의 다른 일예를 나타내는 도면이다. 도 4b를 참조하면, 상기 비교 구동 발생 수단(220)은 비교 예비 발생 유닛(226)을 구비한다.
상기 비교 예비 발생 유닛(226)은 상기 외부 전원 전압(VDE)과 상기 접지 전압(VSS) 사이에 형성되어, 비교 예비 전압(VCPM)을 발생하며, 상기 제1 비교 예비 저항(RCP1)과 상기 제2 비교 예비 저항(RCP2)을 포함한다.
이때, 상기 비교 예비 전압(VCPM)은 상기 외부 전원 전압(VDE)과 상기 접지 전압(VSS) 사이의 상기 '분압 저항비(R2/R1)'에 의존되는 레벨을 가지며, 상기 비교 기준 전압(VRFC)은 상기 비교 예비 전압(VCPM)에 의존되는 레벨을 가진다.
상기 비교 예비 발생 유닛(226)은 구체적으로 제1 비교 예비 저항(RCP1) 및 제2 비교 예비 저항(RCP2)을 구비한다.
상기 제1 비교 예비 저항(RCP1)은 상기 외부 전원 전압(VDE)과 상기 비교 예비 전압(VCPM) 사이에 형성되며, 상기 제2 비교 예비 저항(RCP2)은 상기 비교 예비 전압(VCPM)과 상기 접지 전압(VSS) 사이에 형성된다.
이때, 상기 제2 비교 예비 저항(RCP2)은 제1 비교 저항 소자(RCE1) 및 제2 비교 저항 소자(RCE2)를 구비한다.
상기 제1 비교 저항 소자(RCE1)는 상기 비교 예비 전압(VCPM)과 상기 비교 구동 전압(VCDR) 사이에 형성되며, 상기 제2 비교 저항 소자(RCE2)는 상기 비교 구동 전압(VCDR)과 상기 접지 전압(VSS) 사이에 형성된다.
도 4a 및 도 4b의 예에서, 상기 비교 예비 전압(VCPM)의 레벨(Vcpm)은 (수학식 3)과 같다.
(수학식 3)
Vcpm=Vde(R2/(R1+R2))
즉, 상기 비교 예비 전압(VCPM)은 상기 외부 전원 전압(VDE)과 상기 접지 전압(VSS) 사이의 상기 비교 분압비(R2/R1)에 의존되는 레벨을 가진다.
그리고, 상기 제1 비교 저항 소자(RCE1)의 저항값과 상기 제2 비교 저항 소자(RCE2)의 저항값은 동일하다.
이에 따라, 상기 비교 구동 전압(VCDR)의 레벨(Vcdr)은 (수학식 4)와 같다.
(수학식 4)
Vcdr=Vcpm*(1/2)
=Vde*(R2/(R1+R2))*(1/2)
정리하면, 상기와 같은 비교 구동 발생 수단(220)에 의하면, 상기 비교 구동 전압(VCDR)은 상기 외부 전원 전압(VDE)과 상기 접지 전압(VSS) 사이의 상기 분압 저항비(R2/R1)에 상응하는 레벨을 가진다.
다시 도 2를 참조하면, 상기 비교 기준 발생 수단(230)은 상기 제어 구동 전압(VCTD)과 상기 비교 구동 전압(VCDR)을 수신하여, 상기 비교 기준 전압(VRFC)을 발생한다. 이때, 상기 비교 기준 전압(VRFC)은 상기 제어 구동 전압(VCTD)과 상기 비교 구동 전압(VCDR)의 차이에 따른 레벨을 가진다.
도 5는 도 2의 비교 기준 발생 수단(230)을 자세히 나타내는 도면이다. 도 5를 참조하면, 상기 비교 기준 발생 수단(230)은 비교 연산 증폭기(231), 제1 차동 저항(RDF1) 및 제2 차동 저항(RDF2)을 구비한다.
상기 비교 연산 증폭기(231)는 양(+)의 입력단에 상기 비교 구동 전압(VCDR)이 인가되고, 음(-)의 입력단에 차동 분배 전압(VDFD)이 인가되며, 출력단으로 비교 기준 전압(VRFC)을 발생한다.
상기 제1 차동 저항(RDF1)은 상기 비교 기준 전압(VRFC)과 상기 차동 분배 전압(VDFD) 사이에 형성되며, 상기 제2 차동 저항(RDF2)은 상기 차동 분배 전압(VDFD)과 상기 제어 구동 전압(VCTD) 사이에 형성된다.
여기서, 상기 제1 차동 저항(RDF1)과 상기 제2 차동 저항(RDF2)은 동일한 저항값을 가진다.
상기와 같은 비교 기준 발생 수단(230)에 의하면, (수학식 5)의 관계가 성립된다.
(수학식 5)
(Vrfc-Vcdr)=(Vcdr-Vctd)
여기서, Vrfc는 상기 비교 기준 전압(VRFC)의 레벨이다.
(수학식 5)에 (수학식 2) 및 (수학식 4)를 대입하며, 상기 비교 기준 전압(VRFC)의 레벨(Vrfc)은 (수학식 6)과 같다.
(수학식 6)
Vrfc=Vde*(R2/(R1+R2))-Vtag*(R1/(R1+R2))
다시 도 1을 참조하면, 상기 감지 신호 발생부(300)는 상기 피드백 전압(VFDB)과 상기 비교 기준 전압(VRFC)을 비교하여 상기 감지 신호(XDET)를 발생한다.
상기 감지 신호 발생부(300)는 구체적으로 감지 연산 증폭기(310)와 인버터(320)를 구비한다.
상기 감지 연산 증폭기(310)는 양(+)의 입력단에 상기 비교 기준 전압(VRFC)이 인가되고, 음(-)의 입력단에 상기 피드백 전압(VFDB)이 인가된다. 그리고, 상기 인버터(320)는 상기 감지 연산 증폭기(310)의 출력 신호를 반전하여 상기 감지 신호(XDET)를 발생한다.
상기와 같은 감지 신호 발생부(300)에 의하면, 상기 감지 신호(XDET)는 상기 피드백 전압(VFDB)과 상기 비교 기준 전압(VRFC)의 대소관계에 따른 논리 상태를 가진다.
다시 기술하자면, 상기 감지 신호(XDET)는 상기 피드백 전압(VFDB)의 레벨과 상기 비교 기준 전압(VRFC)의 레벨이 동일할 때, (수학식 7)의 관계가 성립될 때, 논리상태의 천이가 발생된다.
(수학식 7)
Vfdb=Vrfc
(수학식 7)에 (수학식 1) 및 (수학식 6)를 대입하며, (수학식 8)과 같다.
(수학식 8)
Vde*(R2/(R1+R2))-Vneg*(R1/(R1+R2))=Vde*(R2/(R1+R2))+Vtag*(R1/(R1+R2))
(수학식 8)로부터, 상기 감지 신호(XDET)의 논리 상태의 천이가 발생되는 상기 음 전압(VNEG)의 레벨(Vneg)는 (수학식 9)과 같음을 알 수 있다.
(수학식 9)
Vneg=-Vtag
(수학식 9)에서 알 수 있듯이, 상기 감지 신호(XDET)의 논리 상태의 천이가 발생되는 상기 음 전압(VNEG)의 레벨(Vneg)는, 상기 외부 전원 전압(VDE)의 레벨에 무관하게 된다.
정리하면, 본 발명의 음 전압 감지 회로에 의하면, 음 전압의 레벨이 외부 전원 전압의 레벨 변동에 무관하게 안정적으로 감지될 수 있다.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

Claims (12)

  1. 음 전압의 레벨을 감지하여 감지 신호를 발생하는 음 전압 감지 회로에 있어서,
    외부 전원 전압과 상기 음 전압이 인가되고, 피드백 전압을 발생하며, 제1 피드백 저항과 제2 피드백 저항을 포함하는 음 전압 감지부로서, 상기 피드백 전압은 상기 외부 전원 전압과 상기 음 전압 사이의 분압 저항비에 의존되는 레벨을 가지며, 상기 제1 피드백 저항의 저항값에 대한 상기 제2 피드백 저항의 저항값의 비는 상기 분압 저항비에 상응하는 상기 음 전압 감지부;
    상기 외부 전원 전압과 접지 전압이 인가되고, 비교 기준 전압을 발생하며, 제1 비교 예비 저항과 제2 비교 예비 저항을 포함하는 비교 기준 발생부로서, 상기 비교 기준 전압은 상기 외부 전원 전압과 상기 접지 전압 사이의 상기 분압 저항비에 의존되는 레벨을 가지되, 상기 제1 비교 예비 저항의 저항값에 대한 상기 제2 비교 예비 저항의 저항값의 비는 상기 분압 저항비에 상응하는 상기 비교 기준 발생부; 및
    상기 피드백 전압과 상기 비교 기준 전압을 비교하여 상기 감지 신호를 발생하는 감지 신호 발생부로서, 상기 감지 신호는 상기 피드백 전압과 상기 비교 기준 전압의 대소관계에 따른 논리 상태를 가지는 상기 감지 신호 발생부를 구비하며,
    상기 비교 기준 발생부는
    상기 외부 전원 전압에 변동에 대하여 일정한 레벨을 가지는 타켓 전압을 생성하고, 상기 타켓 전압에 상응하는 제어 구동 전압을 발생하며, 제1 제어 구동 저항과 제2 제어 구동 저항을 포함하는 제어 구동 발생 수단으로서, 상기 제1 제어 구동 저항의 저항값에 대한 상기 제2 제어 구동 저항의 저항값의 비는 상기 분압 저항비에 상응하며, 상기 제어 구동 전압은 상기 분압 저항비에 의존되는 레벨을 가지는 상기 제어 구동 발생 수단;
    상기 외부 전원 전압과 상기 접지 전압이 인가되며, 비교 구동 전압을 발생하며, 상기 제1 비교 예비 저항과 상기 제2 비교 예비 저항을 포함하는 비교 구동 발생 수단으로서, 상기 비교 구동 전압은 상기 분압 저항비에 의존되는 레벨을 가지는 상기 비교 구동 발생 수단; 및
    상기 제어 구동 전압과 상기 비교 구동 전압을 수신하여, 상기 비교 기준 전압을 발생하는 비교 기준 발생 수단으로서, 상기 비교 기준 전압은 상기 제어 구동 전압과 상기 비교 구동 전압의 차이에 따른 레벨을 가지는 상기 비교 기준 발생 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 음 전압 감지 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 음 전압 감지부는
    상기 외부 전원 전압과 상기 피드백 전압 사이에 형성되는 상기 제1 피드백 저항; 및
    상기 피드백 전압과 상기 음 전압 사이에 형성되는 상기 제2 피드백 저항을 구비하는 것을 특징으로 하는 음 전압 감지 회로.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 제어 구동 발생 수단은
    바이어스 전압에 상응하는 제어 예비 전압을 발생하는 제어 예비 발생 유닛; 및
    상기 제어 예비 전압과 상기 접지 전압 사이에 형성되어, 상기 제어 구동 전압을 발생하며, 상기 제1 제어 구동 저항과 상기 제2 제어 구동 저항을 포함하는 제어 구동 발생 유닛으로서, 상기 제어 구동 전압은 상기 분압 저항비에 의존되는 레벨을 가지는 상기 제어 구동 발생 유닛을 구비하는 것을 특징으로 하는 음 전압 감지 회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제어 예비 발생 유닛은
    양(+)의 입력단에 상기 바이어스 전압이 인가되고, 음(-)의 입력단에 제어 분배 전압이 인가되며, 출력단으로 상기 제어 예비 전압을 발생하는 제어 연산 증폭기;
    상기 제어 예비 전압과 상기 제어 분배 전압 사이에 형성되는 제1 제어 분배 저항; 및
    상기 제어 분배 전압과 상기 접지 전압 사이에 형성되는 제2 제어 분배 저항을 구비하는 것을 특징으로 하는 음 전압 감지 회로.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제어 구동 발생 유닛은
    상기 제어 예비 전압과 상기 타켓 전압 사이에 형성되며, 저항값이 조절되는 제어 가변 저항;
    상기 제어 구동 전압과 상기 접지 전압 사이에 형성되는 상기 제1 제어 구동 저항; 및
    상기 타켓 전압과 상기 제어 구동 전압 사이에 형성되는 상기 제2 제어 구동 저항을 구비하는 것을 특징으로 하는 음 전압 감지 회로.
  7. 제1항에 있어서, 상기 비교 구동 발생 수단은
    상기 외부 전원 전압과 상기 접지 전압 사이에 형성되어, 비교 예비 전압을 발생하며, 상기 제1 비교 예비 저항과 상기 제2 비교 예비 저항을 포함하는 비교 예비 발생 유닛으로서, 상기 비교 예비 전압은 상기 외부 전원 전압과 상기 접지 전압 사이의 상기 분압 저항비에 의존되는 레벨을 가지며, 상기 비교 기준 전압은 상기 비교 예비 전압에 의존되는 레벨을 가지는 상기 비교 예비 발생 유닛을 구비하는 것을 구비하는 것을 특징으로 하는 음 전압 감지 회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 비교 예비 발생 유닛은
    상기 외부 전원 전압과 상기 비교 예비 전압 사이에 형성되는 상기 제1 비교 예비 저항; 및
    상기 비교 예비 전압과 상기 접지 전압 사이에 형성되는 상기 제2 비교 예비 저항을 구비하는 것을 특징으로 하는 음 전압 감지 회로.
  9. 제8항에 있어서, 상기 비교 기준 발생 수단은
    상기 비교 예비 전압과 상기 접지 전압 사이에 형성되어, 상기 비교 구동 전압을 발생하는 비교 구동 발생 유닛을 더 구비하며,
    상기 비교 구동 전압 유닛은
    상기 비교 예비 전압과 상기 비교 구동 전압 사이에 형성되는 제1 비교 저항 소자; 및
    상기 비교 기준 전압과 상기 접지 전압 사이에 형성되는 제2 비교 저항 소자를 구비하며,
    상기 제1 비교 저항 소자 및 상기 제2 비교 저항 소자는
    동일한 저항값을 가지는 것을 특징으로 하는 음 전압 감지 회로.
  10. 제8항에 있어서, 상기 제2 비교 예비 저항은
    상기 비교 예비 전압과 상기 비교 구동 전압 사이에 형성되는 제1 비교 저항 소자; 및
    상기 비교 구동 전압과 상기 접지 전압 사이에 형성되는 제2 비교 저항 소자를 구비하며,
    상기 제1 비교 저항 소자 및 상기 제2 비교 저항 소자는
    동일한 저항값을 가지는 것을 특징으로 하는 음 전압 감지 회로.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 비교 기준 발생 수단은
    양(+)의 입력단으로 상기 구동 전압이 인가되고, 음(-)의 입력단에 차동 분배 전압이 인가되며, 출력단으로 상기 비교 기준 전압을 발생하는 비교 연산 증폭기;
    상기 비교 기준 전압과 상기 차동 분배 전압 사이에 형성되는 제1 차동 저항; 및
    상기 제어 구동 전압과 상기 차동 분배 전압 사이에 형성되는 제2 차동 저항을 구비하며,
    상기 제1 차동 저항 및 상기 제2 차동 저항은
    동일한 저항값을 가지는 것을 특징으로 하는 음 전압 감지 회로.
  12. 제1항에 있어서, 상기 감지 신호 발생부는
    양(+)의 입력단에 상기 비교 기준 전압이 인가되고, 음(-)의 입력단에 상기 피드백 전압이 인가되는 감지 연산 증폭기; 및
    상기 감지 연산 증폭기의 출력 신호를 반전하여 상기 감지 신호로 발생하는 인버터를 구비하는 것을 특징으로 하는 음 전압 감지 회로.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100295806B1 (ko) * 1996-10-21 2001-10-24 윤종용 불휘발성 반도체 메모리장치의 음의 전압발생회로
KR100684472B1 (ko) * 2005-02-18 2007-02-22 한국전자통신연구원 네거티브 전압 레벨 감지기

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Title
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