KR102571133B1 - 강유전체 소자의 제조방법 및 강유전체 소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 강유전체 소자의 제조방법 및 이를 통해 제조된 강유전체 소자에 대한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 강유전체 소자의 제조방법은, 기판을 준비하는 단계, 기판 상에 박막층을 증착하는 단계 및 상기 박막층을 열처리하는 단계를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 강유전체 소자의 제조방법은, 사방정계 구조를 가지는 박막층을 제조할 수 있어, 강유전체 특성을 통해 메모리 및 에너지 소자에 적용 가능할 수 있다.
Description
본 발명은 강유전체 소자의 제조방법 및 이로 제조된 강유전체 소자에 관한 것이다.
강유전성(ferroelectricity)을 가지는 강유전체는 FRAM(ferroelectric random access memory)에 적용 가능한 소재이다. 차세대 비휘발성 메모리 중 하나인 FRAM은 종래의 flash 메모리와 비교하여 구동 전압이 낮고, 읽기/쓰기 속도가 빠르며, 상대적으로 제조 공정이 간단하다는 장점이 있다.
현재 상용화된 TI(Texas Instrument)의 FRAM에는 Pb(Zr,Ti)O3(PZT)가 이용되고 있다. 그러나 PZT는 수소 분위기 하에서 열처리하는 경우 산소가 손실되고 수소가 결합하는 문제가 발생하여 심각하게 강유전성이 저하될 수 있다..
또한 PZT는 상대적으로 작은 밴드 갭(band gap)을 가지고 있어 누설 전류가 높고 항복 강도가 낮은 특성을 가지고 있으며, 산소와 상대적으로 결합이 약하여 소자의 신뢰성 문제가 발생하고, CMOS 공정에 적합하지 않으며, 납을 사용하기 때문에 유독하며 환경 규제의 적용을 받는 단점이 있다.
전술한 배경기술은 발명자가 본원의 개시 내용을 도출하는 과정에서 보유하거나 습득한 것으로서, 반드시 본 출원 전에 일반 공중에 공개된 공지기술이라고 할 수는 없다.
플루오라이트(fluorite) 구조 박막에서 강유전체 특성이 발현되는 것이 보고된 이후, 강유전체 박막은 다양한 차세대 메모리, 에너지 소자용 재료로서 큰 관심을 받고 있다. 그러나 강유전체 특성을 가지는 강유전체 박막은 사방정계(orthorhombic phase) 구조를 가져야 한다는 특징이 있고, 다른 구조(예: 단사정계(monoclinic phase) 구조)를 가지는 경우 강유전체 특성이 발현되지않는다.
일반적인 반도체 공정 조건인 박막 증착 후 열처리(post deposition annealing, PDA), 즉, 상부 전극 증착 전에 열처리 공정을 수행할 경우, 단사정계가 형성되어 강유전체 특성이 발현되지 않고 유전체 특성이 나타난다. 따라서, 사방정계 형성을 위해서 일반적으로 상부 전극 증착 후 열처리(post metallization annealing, PMA) 공정을 수행하여 결정화를 수행하고 있다. 이를 캡핑층(capping layer) 효과라고 부른다. 이러한 공정 순서(조건)는 플르오라이트 구조 강유전체 박막의 응용에 한계를 가지게 한다. 예를 들어, 플르오라이트 구조 박막 위에 전극(도체)이 아닌 다른 박막(예로, 반도체 또는 절연체)을 증착한 형태의 구조를 제작하기 위해서는 열처리 공정 후에 상부 전극의 식각 공정을 수행해야 한다. 이 과정에서 플루오라이트 구조 박막 내부 혹은 계면에 결함이 추가적으로 발생할 수 있다. 또한, 상부 전극의 재료 선택에도 제약이 발생할 수 있다.
상술한 문제를 해결하기 위해, 본 발명은 사방정계 구조를 가지는 박막층을 포함하는 강유전체 소자 및 강유전체 소자의 제조방법을 제공하고자 한다.
구체적으로, 본 발명에 따른 강유전체 소자의 제조방법은, 증착된 박막층을 직접적으로 열처리하여 사방정계 구조를 가지는 박막층을 제조하고자 한다.
그러나, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 해당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 강유전체 소자의 제조방법은, 기판을 준비하는 단계, 기판 상에 박막층을 증착하는 단계 및 박막층을 열처리하는 단계를 포함하고, 박막층은, 열처리하는 단계를 통해 사방정계(orthorhombic phase) 구조를 가지는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 증착하는 단계는, 원자층 증착(ALD, atomic layer deposition)을 통해 수행되는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 박막층은, HfO2 및 ZrO2 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 박막층은, Al, Gd, Si, Y, Zr, Sr, Sc, Ge, Ce, Ca, La, Sn, Dy 및 Er 중 적어도 하나의 도펀트로 도핑된 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 증착하는 단계는, H2O 및 D2O 중 적어도 하나의 산화제를 이용하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 열처리하는 단계는, 상기 박막층에 직접 수행되는 것(PDA 공정)으로서 상기 박막층을 보호하는 상부보호층(capping layer) 없이 수행되는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 열처리하는 단계 이후에, 박막층을 덮는 상부보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것이고, 상부보호층은, 금속 박막, 반도체 박막 또는 절연 박막인 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 금속 박막은, Au, Pt, Ti, TiN, Ta, TaN 및 W 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 열처리하는 단계는, 400 ℃ 내지 1000 ℃의 온도 및 N2 분위기에서 수행되는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 강유전체 소자는, 기판, 기판 상에 형성된 박막층 및 박막층 상에 형성된 상부보호층을 포함하고, 일 실시예에 따른 방법에 따라 제조되는 것일 수 있다.
본 발명은 사방정계 구조를 가지는 박막층을 포함하는 강유전체 소자 및 강유전체 소자의 제조방법을 제공할 수 있다.
구체적으로, 본 발명에 따른 강유전체 소자의 제조방법은, 증착된 박막층을 직접적으로 열처리하여 사방정계 구조를 가지는 박막층을 제공할 수 있다.
본 발명에 따라 제조되는 강유전체 소자는, BEOL 집적을 통해 기존 FEOL 설계를 그대로 이용하거나 적용될 수 있고, 임베디드 스마트 메모리(embedded smart memory) 또는 다기능성 소자로의 활용이 가능하며, 다양한 기판 상에 집적되어 디스플레이 또는 웨어러블 기기에 응용이 가능할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 강유전체 소자의 제조를 위한 공정 흐름도이다.
도 2는 실시예 1에 따른 강유전체 소자의 자기 이력 곡선을 도시한 것이다.
도 3은 실시예 2에 따른 강유전체 소자의 자기 이력 곡선을 도시한 것이다.
도 4는 비교예에 따른 강유전체 소자의 자기 이력 곡선을 도시한 것이다.
도 5는 실시예 및 비교예에 따른 강유전체 소자의 XRD 분석 그래프이다.
도 6은 실시예에 따른 강유전체 소자의 DSIMS 분석 그래프이다.
도 2는 실시예 1에 따른 강유전체 소자의 자기 이력 곡선을 도시한 것이다.
도 3은 실시예 2에 따른 강유전체 소자의 자기 이력 곡선을 도시한 것이다.
도 4는 비교예에 따른 강유전체 소자의 자기 이력 곡선을 도시한 것이다.
도 5는 실시예 및 비교예에 따른 강유전체 소자의 XRD 분석 그래프이다.
도 6은 실시예에 따른 강유전체 소자의 DSIMS 분석 그래프이다.
이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들을 상세하게 설명한다. 그러나, 실시예들에는 다양한 변경이 가해질 수 있어서 특허출원의 권리 범위가 이러한 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 실시예들에 대한 모든 변경, 균등물 내지 대체물이 권리 범위에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.
실시예에서 사용한 용어는 단지 설명을 목적으로 사용된 것으로, 한정하려는 의도로 해석되어서는 안된다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
또한, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 실시예의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
또한, 실시예의 구성요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
어느 하나의 실시예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시 예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시 예에 기재한 설명은 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 강유전체 소자의 제조방법을 도 1을 통해 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 강유전체 소자의 제조를 위한 공정 흐름도이다.
도 1을 참조하면, 강유전체 소자의 제조방법은, 기판을 준비하는 단계(101), 기판에 박막층을 증착하는 단계(102) 및 박막층을 열처리하는 단계(103)를 포함할 수 있다. 도 1에 따르면, 박막층은, 열처리하는 단계(103)를 통해 사방정계(orthorhombic phase) 구조로 결정화(crystallization)될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 박막층은 강유전체 특성을 가지는 것으로서, 외부에서 전기장이 가해지지 않아도 전기적 분극을 유지할 수 있고, 얇은 두께에서도 강유전체 특성을 보이기 때문에 전자 소자의 제조 시 고집적이 가능할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 기판과 박막층 사이에는 하부전극층이 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 기판 상에 하부전극층을 형성한 뒤 하부전극층 상에 박막층이 증착될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 하부전극층은, Au, Pt, Ti, TiN, Ta, TaN 및 W로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 증착하는 단계(102)는, 원자층 증착(ALD, atomic layer deposition)을 통해 수행될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 원자층 증착 공정은 기판의 반응 물질과 반응하는 박막 전구체를 반응시켜 단층 또는 복수층의 박막층을 제조할 수 있다. 이 때, 박막 전구체는 금속 산화물로서, 예를 들어 HfO2 및 ZrO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 박막층은, HfO2 및 ZrO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 원자층 증착 공정의 특성 상 한 층씩 적층되는데, 복수개의 하프니아층, 또는 복수개의 지르코니아층 또는 하프니아 및 지르코니아가 교대로 적층된 구조 등이 가능할 수 있다. 강유전성은 도핑된 HfO2 기반 박막에서 발현되는 것이고, 다른 도펀트들이 10 중량% 이내의 도핑 농도에서 강유전성을 나타내는데 반하여, Zr의 경우에는 약 50 중량% 도핑 농도에서 강유전성이 발현되므로, 약 50 중량% 도핑을 위해 ALD 공정에서 HfO2와 ZrO2를 교대로 증착하는 것일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 증착하는 단계(102)는, HfO2 및 ZrO2 중 적어도 하나의 전구체를 기판에 공급하는 단계, 및 산화제를 기판에 공급하는 단계를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전구체를 기판에 공급하는 단계 및 산화제를 기판에 공급하는 단계를 1회의 사이클로 할 때, 복수 회의 사이클이 반복 수행될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 산화제를 기판에 공급하는 단계를 통해 기판 상에 형성된 전구체 단층 레이어의 표면을 반응시킬 수 있다. 일 실시예에 따르면, 산화제는, H2O 및 D2O 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, H2O 및 D2O 중 적어도 하나의 산화제를 이용하여 증착된 박막층에 산소를 공급함으로써 수소 또는 탄소와 같은 디펙트(defect)가 박막층 내 다수 존재할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 박막층은, Al, Gd, Si, Y, Zr, Sr, Sc, Ge, Ce, Ca, La, Sn, Dy 및 Er 중 적어도 하나의 도펀트로 도핑된 것일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 열처리하는 단계(103)는, 박막층에 직접 가해지는 것으로서, 박막층을 보호하는 상부보호층 없이 수행되는 것일 수 있다. 종래의 강유전체 박막의 제조과정은, 상부보호층(예: 상부 전극(top electrode))의 증착 후에 열처리 공정(PMA 공정)을 통해 박막을 결정화하였다. 그러나 상부보호층 이외의 별도의 상부층을 형성하고자 하는 경우 상부 전극을 식각한 뒤 다시 상부층을 형성하여야 하는 문제점이 있었다.
일 실시예에 따른 강유전체 소자의 제조방법은, 상부보호층을 증착하지 않은 채 열처리하는 단계(103)를 수행할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상부보호층 없이 열처리하는 단계(103)가 박막층에 직접 수행됨으로써 별도의 상부보호층 식각 공정의 필요없이 박막층 상에 다양한 박막(예: 반도체 또는 절연체)을 증착할 수 있다. 다시 말해, 상부보호층의 재료 선택에 전혀 제약받지 않고 열처리하는 단계(103)가 수행될 수 있다.
일 실시예에 따른 강유전체 소자의 제조방법은, 열처리하는 단계(103) 이후에, 박막층을 덮는 상부보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상부보호층은, 금속 박막, 반도체 박막 또는 절연 박막인 것일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 금속 박막은, Au, Pt, TiN, Ti, TaN, Ta 및 W 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 것일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 열처리하는 단계(103)는, 400 ℃ 내지 1000 ℃의 온도 및 N2 분위기에서 수행될 수 있다. 상기 열처리하는 단계는 400 ℃ 내지 700 ℃에서 수행될 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 강유전체 소자는, 기판, 기판 상에 형성된 박막층 및 박막층 상에 형성된 상부보호층을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 강유전체 소자는, 일 실시예에 따른 강유전체 소자의 제조방법에 따라 제조될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 강유전체 소자를 이용하여 차세대 메모리 전자 소자인 FRAM(FeRAM), steep-slope 소자 및 synaptic 소자를 제조할 수 있다. 또한, 강유전체 소자는 에너지 관련 분야(예: 정전기적 커패시터(electrostatic capacitor))에도 활용 가능할 수 있다.
이하, 실시예 및 비교예에 의하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다.
단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
산화규소(SiO2)층이 표면에 형성된 실리콘 기판을 준비하였다. 산화규소층 상에 질화티타늄(TiN) 하부전극층을 증착한 뒤, 하프니아(HfO2) 및 지르코니아(ZrO2)를 번갈아가며 원자층 증착(ALD)을 통해 하부전극층 상에 증착하였다. 이 때, 하프니아층 및 지르코니아층을 교대로 적층하여 총 25회를 반복하였고, 산소 공급원(산화제)으로는 물(H2O)을 이용하였으며, 이를 통해 하프니아층과 지르코니아층이 교대로 적층된 박막층을 증착하였다. 이후 400 ℃에서 질소 분위기 하에서 60초동안 어닐링하여 강유전체 소자를 제조하였다 (Rapid thermal annealing (RTA) 공정).
실시예 2
상기 실시예 1에서 증착 시 산소 공급원으로 물 대신 중수(D2O)를 이용하는 것을 제외하고 나머지는 동일하게 강유전체 소자를 제조하였다.
비교예
상기 실시예 1에서 증착 시 산소 공급원으로 물 대신 오존(O3)을 이용하는 것을 제외하고 나머지는 동일하게 강유전체 소자를 제조하였다.
실험예
실시예 및 비교예의 강유전체 소자의 박막층 상에 IGZO를 포함하는 산화물 반도체층을 형성한 이후, 산화물 반도체층 상에 Al 금속 전극을 형성하였다.
각 강유전체 소자의 자기 이력 곡선(hysteresis curve)을 측정하였다.
도 2는 실시예 1에 따른 강유전체 소자의 자기 이력 곡선을 도시한 것이다.
도 3은 실시예 2에 따른 강유전체 소자의 자기 이력 곡선을 도시한 것이다.
도 4는 비교예에 따른 강유전체 소자의 자기 이력 곡선을 도시한 것이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 물 또는 중수를 이용하여 증착된 박막층을 열처리하는 경우(실시예 1, 실시예 2) 오존을 이용하여 증착된 박막층을 열처리하는 경우(비교예)에 비해 강유전체 특성이 뚜렷한 것을 확인할 수 있다.
실험예 2
실시예 및 비교예에 따른 강유전체 소자를 XRD 분석을 통해 구조를 분석하였다.
도 5는 실시예 및 비교예에 따른 강유전체 소자의 XRD 분석 그래프이다.
도 5를 참조하면, 실시예 1 및 2에 따른 강유전체 소자의 박막층은 사방정계(orthorhombic phase) 구조가 뚜렷하여 강유전체 특성이 발현되나, 비교예에 따른 강유전체 소자의 박막층은 사방정계 구조 이외에도 단사정계(monoclinic phase) 구조가 다수 형성되어 강유전체 특성이 발현되기 어려운 것을 확인할 수 있다.
실험예 3
실시예 및 비교예에 따른 강유전체 소자를 dynamic SIMS 분석법을 통해 박막층의 원자 구성을 확인하였다.
도 6은 실시예에 따른 강유전체 소자의 DSIMS 분석 그래프이다.
도 6을 참조하면, 실시예 1에 따른 강유전체 소자의 박막층(약 320초~ 약 520초)은 탄소 및 수소의 양이 비교예에 따른 강유전체 소자의 박막층에 비해 많아 디펙트가 많은 것을 확인할 수 있다. 다시 말해, 실시예 1에 따른 강유전체 소자의 박막층은, 박막층 내 디펙트에 의해 열처리 과정 중 준안정 사방정계(metastable orthorhombic phase) 구조를 안정화하여 상대적으로 단사정계 구조가 아닌 사방정계 구조의 박막층을 형성하는 것을 확인할 수 있었다.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기를 기초로 다양한 기술적 수정 및 변형을 적용할 수 있다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 청구범위의 범위에 속한다.
Claims (10)
- 기판을 준비하는 단계;
상기 기판 상에 박막층을 증착하는 단계; 및
상기 박막층을 열처리하는 단계;를 포함하고,
상기 박막층은, 상기 열처리하는 단계를 통해 사방정계(orthorhombic phase) 구조를 가지는 것이고,
상기 박막층은, HfO2 및 ZrO2 중 적어도 하나를 포함하는 것이고,
상기 증착하는 단계는, H2O 및 D2O 중 적어도 하나의 산화제를 이용하는 것이고,
상기 열처리하는 단계는, 상기 박막층에 직접 수행되는 것으로서 상기 박막층을 보호하는 상부보호층 없이 수행되는 것이고,
상기 열처리하는 단계 이후에, 상기 박막층을 덮는 상부보호층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것이고,
상기 상부보호층은, 금속 박막, 반도체 박막 또는 절연 박막인 것인,
강유전체 소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 증착하는 단계는, 원자층 증착(ALD, atomic layer deposition)을 통해 수행되는 것인,
강유전체 소자의 제조방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 박막층은, Al, Gd, Si, Y, Zr, Sr, Sc, Ge, Ce, Ca, La, Sn, Dy 및 Er 중 적어도 하나의 도펀트로 도핑된 것인,
강유전체 소자의 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 금속 박막은, Au, Pt, Ti, TiN, Ta, TaN 및 W 중 적어도 하나를 포함하는 것인,
강유전체 소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 열처리하는 단계는, 400 ℃ 내지 1000 ℃의 온도 및 N2 분위기에서 수행되는 것인,
강유전체 소자의 제조방법.
- 기판;
상기 기판 상에 형성된 박막층; 및
상기 박막층 상에 형성된 상부보호층;을 포함하고,
제1항의 방법에 따라 제조되는 것인,
강유전체 소자.
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| JP2017518639A (ja) * | 2014-05-20 | 2017-07-06 | マイクロン テクノロジー， インク． | 有極性、カイラル、非中心対称性強誘電体材料、その材料を含むメモリセルおよび関連するデバイスと方法。 |
| KR20210036714A (ko) * | 2019-09-26 | 2021-04-05 | 삼성전자주식회사 | 강유전 박막 구조체 및 그 제조방법과, 강유전 박막 구조체를 포함하는 전자 소자 |
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