KR102570754B1 - 양자점을 포함하는 층의 제조 방법 및 그 장치 - Google Patents

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Abstract

양자점을 포함하는 층을 제조하는 방법으로, 층은 양자점이 활성화된 제1 영역과 양자점이 비활성화된 제2 영역을 구비하고, 방법은: a) 지지 기판 위에 양자점이 포함된 매트릭스의 제1층을 적층하는 단계와; b) 제1층 상에 제2 레지스트 층을 적층하는 단계와; c) 평면에서 보아 제1 영역과 제2 영역을 구획하는 마스크를 통해 제2층을 빛에 노출시켜, 제2 영역에 대향하는 제2층의 수지를 제거하고 제1 영역에 대향하는 제2층의 수지가 잔류하도록 제2 영역에 대향하는 제2층의 수지를 현상하는 단계와; 그리고 d) 제1층을 제거하지 않고 제1 영역에 대향하는 제2층의 수지를 제거하는 단계를 구비한다.

Description

양자점을 포함하는 층의 제조 방법 및 그 장치 {METHOD OF MANUFACTURING A LAYER CONTAINING QUANTUM DOTS}
본원은 그 내용이 법이 허용하는 최대한도까지 전체적으로 본원에 참고로 포함된, 프랑스 특허출원 번호 제15/61047호에 대한 우선권을 주장한다.
본원은 양자점을 포함하는 층의 제조 방법에 관한 것으로, 층은 양자점이 활성화된 제1 영역과 양자점이 비활성화된 제2 영역들을 구비한다.
양자점(quantum dot)이라는 용어는 공간의 3차원 내에 양자 구속(quantum confinement) 특성을 가지는 결정 구조의 3차원 반도체 나노 입자(nanoparticle)를 지칭한다. 양자점은 그 크기(dimension)와 이를 형성하는 재질에 따라 변화되는 물리적 특성, 특히 자기 특성, 전기 특성, 그리고 광학 특성을 가진다. 양자점의 크기는 전형적으로 1 내지 100nm의 범위에 있다.
양자점은 특히 광발광성(photoluminescent), 즉 광원에 의해 조명되었을 때 광원에서 유래하는 광자(photon)를 흡수하고 이 광여기(photoexcitation)에 반응하여 빛을 재방출(reemit)하는 특성을 가진다. 흡수 파장 대역, 즉 양자점이 광자를 흡수하는 조명 파장 대역은 비교적 넓을 수 있는 반면, 방출 파장 대역, 즉 양자점이 빛을 재방출하는 파장 대역은 일반적으로 매우 좁아서, 예를 들어 반치전폭(full width at half maximum)이 50nm보다 작다. 또한 방출 대역의 중심 파장(central wavelength)은 특히 양자점의 크기를 변화시킴으로써 미세하게 조정될 수 있다.
양자점의 광학에서의 응용분야들 중의 하나는 색상 변환이다. 이는 특히 예를 들어 청색광인 제1 색의 빛을 방출하는 복수의 발광 다이오드를 구비하는 발광 표시 화면(luminous display screen)의 구성에 제공될 수 있는데, 다이오드 어셈블리가, 예를 들어 발광 다이오드에서 발광된 빛을 화면의 어떤 영역에 적색 광이고 화면의 다른 영역에서 녹색광으로 변환시키는 등 하나 또는 복수의 다른 색으로 변환시키는 양자점을 포함하는 층이 적층된다.
그러나 이러한 화면의 구성은, 특히 빛이 변환될 화면 영역에서 발광 다이오드가 방출한 모든 또는 거의 모든 빛을 흡수할 수 있도록 양자점이 가져야 하는 특성과 그 두께 및 양자점 농도 때문에 실제적 문제점들이 증가한다. 다른 문제점은 양자점의 다른 방출 영역들을 화면의 화소 또는 방출 영역에 맞는 해상도로 형성할 수 있어야 한다는 점이다.
이에 따라, 한 실시예가 양자점을 포함하는 층을 제조하는 방법을 제공하는데, 층은 양자점이 활성화된 제1 영역과 양자점이 비활성화된 제2 영역을 구비하고, 방법은: a) 지지 기판(suport) 위에 양자점이 포함된 매트릭스의 제1층을 적층(deposit)하는 단계와; b) 제1층 상에 제2 레지스트(resist) 층을 적층하는 단계와; c) 평면에서 보아 제1 영역과 제2 영역을 구획하는 마스크를 통해 제2층을 빛에 노출시켜, 제2 영역에 대향하는 제2층의 수지를 제거하고 제1 영역에 대향하는 제2층의 수지가 잔류(keep)하도록 제2 영역에 대향하는 제2층의 수지를 현상(develope)하는 단계와; 그리고 d) 제1 영역에 대향하는 제1층의 매트릭스를 제거하지 않고 제1 영역에 대향하는 제2층의 수지를 제거하는 단계를 구비한다.
한 실시예에 의하면, 제1층의 매트릭스는 레지스트 층이다.
한 실시예에 의하면, 제1층의 레지스트는 양의 레지스트 종류(family)와 음의 패밀리 종류를 가지는 그룹(assembly) 중의 하나로부터 선택되고, 제2층의 레지스트는 상기 그룹 중 나머지 종류로 선택된다.
한 실시예에 의하면, 제1층의 매트릭스는 음의 레지스트이고 제2층의 매트릭스는 양의 레지스트이다.
한 실시예에 의하면, 제1층의 매트릭스는 SU8-방식 레지스트이고 제2층의 매트릭스는 TELR-방식 레지스트이다.
한 실시예에 의하면, (본 발명) 방법은 제2층을 적층하기 전에 제1층의 매트릭스를 노출시키는 단계를 구비하지 않는다.
한 실시예에 의하면, 제2층의 수지의 현상 단계는 제2층을 TMAH-기반의 용액에 침지하는 단계를 포함한다,
한 실시예에 의하면, 제1층의 매트릭스에 포함된 양자점은 CdSe/ZnS 방식이다.
한 실시예에 의하면, 단계 d)에서 제2층의 수지는 산소 플라즈마 식각(oxygen plasma etching)으로 제거된다.
한 실시예에 의하면, (본 발명) 방법은 단계 d) 다음에 제1층의 상면부를 식각하는 단계를 더 구비한다.
한 실시예에 의하면, 제1층의 상면부를 식각하는 단계는 산소 및 육불화황(sulfur hexafluoride) 플라즈마 식각으로 수행된다.
한 실시예에 의하면, 단계 a), b), c), 그리고 d)는 제1층 상에 양자점을 포함하는 제3층을 형성하기 위해 두 번째 반복되고, 제3층은 양자점이 활성화된 제1영역과 양자점이 비활성화된 제2 영역을 구비한다.
한 실시예에 의하면, 제3층의 제1 영역은 제1층의 제2 영역에 대향하도록 배열되고, 제3층의 제2 영역은 제1층의 제1 영역에 대향하도록 배열된다.
다른 실시예는 광원(light source)과, 그리고 광원과 대향하며 전술한 방식의 방법에 의해 형성된 양자점을 포함하는 층을 구비하는 장치를 제공한다.
다른 실시예는 광원과, 그리고 광원과 대향하며 전술한 방식의 방법에 의해 형성된, 양자점을 포함하는 제1층과 양자점을 포함하는 제2층의 스택(stack)을 구비한다.
전술한 것 및 다른 특징과 이점들은 첨부된 도면들을 참조한 이하의 특정한 실시예들의 비제한적인 설명을 통해 상세히 논의될 것이다.
도 1a, 1b, 1c, 그리고 1d 양자점이 활성화된 제1 영역과 양자점이 비활성화된 제2 영역을 가지는, 양자점을 가지는 층의 제조 방범의 단계들을 도시한 개략 단면도들; 그리고
도 2는 도 1a 내지 도 1d에 관련하여 설명한 방법의 다른 실시예를 도시한 개략 단면도이다.
동일한 부재들은 여러 도면들에서 동일한 참조번호로 지시되었으며, 도면들은 축척대로 도시되지 않았다. 이하의 설명들에서, “위(above)”, “아래(under)”, “상부(upper)”, “하부(lower)” 등 위치나 방향을 규정하는 용어가 도면의 표현에 참조되어 설명된 구조가 실제로는 다른 방향을 가질 수 있음을 이해해야 할 것이다. 달리 특정되지 않는 한, "거의(substantially)", "거의(almost)", "약(approximately)", 그리고 “정도의(in the order of)"는 10% 이내, 바람직하기로 5% 이내를 의미한다.
도 1a는 예를 들어 실리콘 기판인 지지 기판(support substrate; 101)의 상면에, 양자점이 포함된 투명 레지스트의 매트릭스를 구비하는 층(103)을 적층하는 단계를 도시한다. 이 예에서, 층(103)의 레지스트는 음의 레지스트, 즉 수지 노광(insolation) 단계 동안의 빛 조사에 노출된 부분이 후속 현상(develope) 단계에서 수지에 인가되는 현상액 내에서 용해되지 않고 빛 조사에 노출되지 않는 부분이 용해되는 종류(familly)의 레지스트에 속한다. 층(103)의 레지스트는 예를 들어 음의 SU8-방식 수지, 즉 기본 분자(elementary molecule)가 8개의 폴리에폭사이드 그룹을 구비하는 종류로부터 선택된 수지인 폴리에폭사이드(polyepoxide)에 기반한 수지이다. 예를 들어 층(103)의 레지스트는 GERSELTEC ENGINEERING SOLUTIONS사의 상품명 SU8 1020PI로 지정될 수 있다.
층(103)에 혼합되는 양자점은 예를 들어 셀렌화 카드늄(cadmium selenide; CdSe)에 기반한 양자점, 예를 들어 CdSe/ZnS-방식 코어-쉘 구조(core-shell structure)를 가지는 양자점이다. 그 변형예로, 층(103)의 양자점은 InP/ZnS 또는 CdS/ZnS 또는 CdSe/ZnSe 또는 PbS/CdS 방식의 코어-쉘 구조를 가지는 양자점이다.
예를 들어, 레지스트에 양자점을 포함하는 것은 처음 분말 형태의 양자점을 예를 들어 클로로포름(chloroform) 등의 용제에 혼합하는 단계를 포함할 수 있다. 이에 따라 얻어진 용액은 이어서 수지와 혼합될 수 있다. 예를 들어, 양자점은 용제에 1 내지 100mg/ml의 농도로 혼합될 수 있는데, 그 다음 얻어진 용액은 용적으로 2 대 1 정도의 비율(용액 2용적에 수지 1용적)에 따라 수지와 혼합될 수 있다.
층(103)의 적층에 앞서, 지지 기판(1010)의 상면은 층(103)의 부착성 및/또는 균일성을 향상시키기 위해 산소 플라즈마에 의해 전처리(prepare)된다.
수지층(103)은 예를 들어 스핀 코팅(spin coating)에 의해 기판(101) 상면에 도포(spread)될 수 있다. 예를 들어 80 내지 150°C 범위의 온도에서 30 내지 120초 범위의 시간 동안 구조의 어닐링(annealing)이 수행되어 수지층(103)을 경화시킴으로써 기계적 강도를 강화한다.
예를 들어 층(103)의 두께는 0.5 내지 50μm의 범위로 예를 들어 0.9μm 정도이다. 일례로, 발명자의 연산에 의하면 층(103)의 용적 충전률(volume filling rate) 50% 정도에 대해 1μm 정도의 두께가 질화갈륨 발광다이오드에서 방출된 청색광의 99%를 흡수할 수 있다고 산출되었다.
도 1b는 층(103)의 상면에 대한 레지스트 층(105)의 적층 단계를 도시한다. 이 예에서, 레지스트 층(105)의 레지스트는 양의 레지스트, 즉 수지 노광 단계에서 빛의 조사에 노출된 부분이 후속되는 현상 단계에서 수지에 인가된 현상액에 용해되고 빛 조사에 노출되니 않은 부분이 현상액 내에서 용해되지 않는 종류의 레지스트에 해당한다. 예를 들어, 레지스트 층(105)의 레지스트는 TOK EUROPE사의 상품명 TELR로 지정될 수 있다. 층(103)과 달리 수지층(105)은 양자점을 포함하지 않는다. 또한 층(103)의 노출 단계가 없음에 유의해야 하는데, 즉 그 구조를 변경시킬 수 있는 층(103)의 빛 조사는 층(103)의 형성과 층(105)의 적층 사이에 제공되지 않는다.
수지층(105)은 예를 들어 스핀 코팅으로 기판(101)의 상면에 도포될 수 있다. 예를 들어 80 내지 150°C 범위의 온도에서 30 내지 120초 범위의 시간 동안 구조의 어닐링이 수행되어 수지층(105)을 경화시킴으로써 기계적 강도를 강화한다.
도 1b는 또한 수지층(105)의 적층에 후속되는 단계를 도시하고 있는데, 이 단계에서 수지층(105)은 그 상면 위에 배열된 마스크(107)을 통해 빛에 노출된다. 마스크(107)는 층(105)의 제1 영역(105a)를 덮으며 층(105)의 제2 영역(105b)에 대향하는 개구부(opening)를 구비한다. 노광 단계 동안, 이 어셈블리의 상면은 이 조사에 노출된 층(105)의 영역의 층(105)의 수지가 화학적 구조를 변경시킬 수 있는 광 조사(light radiation; 109)에 노출된다. 층(105)의 수지를 빛에 노출시키도록 인가되는 조사는 예를 들어 350 내지 450nm의 파장을 가지는 예를 들어 자색 또는 자외선 조사이다.
노광 단계 후, 마스크(107)가 제거되고, 예를 들어 80 내지 150°C 범위의 온도에서 30 내지 120초 범위의 시간 동안 구조의 안정을 위한 어닐링이 수행될 수 있다.
도 1c는 도 1b와 관련하여 설명한 노광 단계에 후속하는 수지층(105)의 현상 단계를 도시한다. 이 단계 동안, 기판(101)과 층(103, 105)들의 어셈블리는 노광 단계에서 마스크(107)을 통해 노출된 수지층(105) 내의 패턴을 현상시킬 수 있는 현상조(development bath) 내에 침지된다. 현상조는 예를 들어 MICROCHEMICALS사의 상품명 TMAH238으로 지정되는 용액 등의 예를 들어 수산화테트라메틸암모늄(tetramethylammonium hydroxide; TMAH) 기반의 용액으로 구성된다. 이 단계 동안, 이전의 노광 단계 동안 노출되었던 수지층(105)의 영역(105b)이 현상액 내의 용해에 의해 제거된다. 이에 따라, 현상 단계의 종료시에는 노광 단계에서 차폐(mask)되었던 수지층(105)의 영역(105a)만이 잔류하게 된다.
예를 들어, 현상 단계 동안 층(105)에 명확한 패턴을 얻기 위해 구조는 30 내지 120초 동안 현상조에 침지되고, 이어서 물로 세척되어 건조된다.
놀랍게도, 발명자들은 도 1c의 현상 단계의 종료시, 그 위의 층(105)의 수지가 현상 단계 동안 완전히 제거된 층(103)의 영역(103b)에 포함된 양자점은 비활성인 반면, 그 위의 층(105)의 수지가 현상 단계 동안 제거되지 않은 층(103)의 영역(103a)에 포함된 양자점은 활성임을 파악하였다. 여기서“비활성(inactive)"은 층(103)의 영역(103b)에 포함된 양자점이 광발광성을 상실하여, 층(103)의 영역(103b)가 이제 가시광에 대해 거의 투명, 즉 수신한 빛에 대해 특히 색상의 현저한 변경 없이 투과시킨다는 것을 의미한다. 또한 ”활성(active)"은 층(103)의 영역(103a)의 양자점이 초기의 광발광성을 유지함을 의미한다.
도 1d는 도 1c의 현상 단계에 후속하는 단계를 도시하는데, 이 단계 동안 이전에 제거된 부분을 제거하거나 층(103)의 영역(103b)을 제거함이 없이 수지층(105)의 잔여 영역(105a)이 제거된다. 달리 말해, 수지층(105)의 잔여 영역(105a)의 제거는 층(103)의 수지 위에서 선택적이다. 예를 들어, 수지층(105)의 영역(105a)은 산소 플라즈마에 의한 건식 식각(dry etching)으로 제거된다.
층(105)의 수지층(105a) 제거 후에 수행된 측정은 층(103)의 영역(103a)에 포함된 양자점은 여전히 활성이고 층(103)의 영역(103b)에 포함된 양자점은 비활성임을 나타냈다.
이에 따라, 본 발명 방법은 양자점을 포함하는 거의 일정한 두께의 층(103)을 제공하고, 이 층은 양자점이 활성인 제1 영역(103a)과 양자점이 비활성인 제2 영역(103b)을 구비한다.
층(105)의 영역(105a)을 제거하는 단계 이후, 예를 들어 산소 및 육불화황(SF6) 플라즈마에 의해 층(103)의 상면부를 물리적으로 식각하는 추가적인 단계가 실시될 수 있다. 이 추가적인 식각 단계는 층(103)에 형성된 광발광 패턴의 콘트라스트(contrast)를 향상시킬 수 있다.
후속적 단계에서, 광발광 패턴이 형성된 층(103)은 예를 들어 발광 다이오드의 행렬인 조명 장치와 예를 들어 대향하도록 위치할 수 있는데, 그 다음 지지 기판(1010이 제거될 수 있다. 변형예로, 지지 기판(101)이 예를 들어 유리 등의 투명 재질로 구성될 수 있는데, 이 경우 어셈블리는 지지 기판(101)을 포함하고 층(103)은 조명 장치에 대향할 수 있다. 다른 변형예로, 지지 기판(101)은 바로 발광 다이오드가 미리 형성된 반도체 기판이 될 수 있고, 그러면 층(103)은 발광 다이오드 상에 바로 형성될 수 있다.
본 발명 방법의 이점은 특히 얻어진 색변환 층(103)이 일정하거나 거의 일정한 두께를 가져, 비교적 높은 견고성(robustness)을 제공하고 추가적 광학 장치와의 어셈블리를 용이하게 한다는 점이다.
본 발명 방법의 다른 이점은 그 형태(morphology)와 안정성 때문에 마이크로일렉트로닉스(microelectronics)의 표준적 설치(placing), 접합(bonding), 정렬(alignment) 기술들과 호환될(compatible with) 수 있다는 점이다.
본 발명 방법의 다른 이점은 수지층 내의 양자점 포함이 비교적 두꺼운 층(103)을 제공하기 때문에 발광 표시 화면 내의 색변환 응용분야에 특히 적합하다는 점이다.
본 발명 방법의 다른 이점은 층(103) 내에 광발광 패턴이 비교적 높은 해상도로 형성(define)될 수 있다는 점이다. 예를 들어, 본 발명 방법은 층(103) 내에 측방향 크기 1 내지 10μm 범위의 광발광 패드(pad)를 1 내지 10μm 범위의 간격으로 형성할 수 있는데, 이는 발광 다이오드에 기반한 발광 표시 화면의 구성과 호환성이 있다.
도 2는 도 1a 내지 1d와 관련하여 설명된 방법의 대체적인 실시예를 도시한 개략 단면도이다.
도 2의 예에서, 도 1a 내지 1d에 관련하여 설명된 방법이 2회째 반복되어 층(103)의 상면 위에 양자점을 포함하는 수지층(103')를 형성하는데, 이 층은 양자점이 활성인 영역(103a')과 양자점이 비활성인 영역(103b')을 구비한다.
예를 들어, 층(103)의 활성 양자점은 발광 여기원(luminous excitation source)의 빛을 제1 색의 빛, 예를 들어 적색광으로 변환시킬 수 있고, 층(103')의 활성 양자점은 발광 여기원의 빛을 제2색의 빛, 예를 들어 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 층(103')의 양자점은 층(103)의 양자점과 예를 들어 같은 성질을 가지지만 다른 크기(dimension)을 가진다.
층(103')의 활성 영역(103a')은 예를 들어 층(103)의 비활성 영역(103b)과 대향한다. 도 2에 도시되지 않았지만, 층(103')의 비활성 영역(103b')은 층(103)의 비활성 영역(103b)에 대향하여 발광 원에서 방출된 빛의 현저한 변경 없이 투과시키도록 할 수 있다.
이상에서 특정한 실시예들을 설명하였다. 당업계에 통상의 지식을 가진 자라면 여러 가지 변형, 변경, 개선이 가능할 것이다. 특히 설명된 실시예들은 전술한 특정한 크기나 재질로 제한되지 않는다.
또한, 층(103)의 매트릭스가 음의 레지스트이고 층(105)의 수지가 양의 레지스트인 방법이 예시되었지만, 두 종류의 수지는 역전, 즉 층(103)의 매트릭스가 양의 레지스트 종류로부터 선택되고 층(105)의 수지가 음의 레지스트 종류로부터 선택될 수 있다.
더 일반적으로, 층(103)의 매트릭스는 예를 들어 비 감광성 수지, 실리콘, 또는 다른 적합한 폴리머 재질 등 레지스트 이외의 재질로 구성될 수도 있다.
또한, 기재된 실시예들은 전술한 발광 표시 화면의 색변환의 예와 같은 특정한 응용분야에 제한되지 않는다. 더 일반적으로, 양자점을 포함하는 매트릭스 층에 활성 및 비활성 영역을 구획하는 본 발명 방법은 다른 분야에 사용될 수도 있다.
이러한 변형, 변경, 개선들은 본원의 일부로 의도된 것이며 본 발명의 정신과 범위 내에 포함될 것을 의도한 것이다. 이에 따라, 전술한 설명들은 예시일 뿐이며 제한을 의도한 것이 아니다. 본 발명은 다음 청구항들에 정의된 것과 그 등가물에 의해서만 제한된다.

Claims (15)

  1. 양자점을 포함하는 층(103)을 제조하는 방법에 있어서, 층이 양자점이 활성인 제1 영역(103a)과 양자점이 비활성인 제2 영역(103b)을 구비하며, 이 방법이:
    a) 지지 기판(101) 상에 양자점을 포함하는 매트릭스의 제1층(103)을 적층하는 단계와;
    b) 제1층(103) 상에 제2층(105)을 적층하는 단계와;
    c) 제2층(105)을 평면에서 보아 제1 영역(103a)와 제2 영역(103b)을 구획하는 마스크(107)를 통해 빛에 노출시키고, 이어서 제2 영역(103b)에 대향하는 제2층(105)의 수지를 제거하고 제1 영역(103a)에 대향하는 제2층(105)의 수지가 잔류하도록 제2층(105)의 수지를 현상하는 단계와; 그리고
    d) 제1 영역(103a)에 대향하는 제1층(103)의 매트릭스를 제거하지 않고 제1층(103a)에 대향하는 제2층(105)의 수지를 제거하는 단계를
    구비하는 것을 특징으로 하는 양자점을 포함하는 층의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    제1층(103)의 매트릭스가 레지스트인 것을
    특징으로 하는 양자점을 포함하는 층의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    제1층(103)의 레지스트가 양의 레지스트 종류와 음의 레지스트 종류를 포함하는 그룹의 종류 중의 하나로부터 선택되고, 제2층(105)의 레지스트가 상기 그룹 중의 나머지 종류로부터 선택되는 것을
    특징으로 하는 양자점을 포함하는 층의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    제1층(103)의 매트릭스가 음의 레지스트이고 제2층(105)의 수지가 양의 레지스트인 것을
    특징으로 하는 양자점을 포함하는 층의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    제1층(103)의 매트릭스가 SU8-방식의 레지스트이고 제2층(105)의 수지가 TELR-방식의 레지스트인 것을
    특징으로 하는 양자점을 포함하는 층의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    제2층(105)의 적층 전에 제1층(103)의 매트릭스를 빛에 노출시키는 단계를 구비하지 않는 것을
    특징으로 하는 양자점을 포함하는 층의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    제2층(105)의 수지의 현상 단계가 제2층(105)을 TMAH 기반 용액에 침지시키는 것을 포함하는 것을
    특징으로 하는 양자점을 포함하는 층의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    제1층(103)의 매트릭스에 포함된 양자점이 CdSe/ZnS 방식 양자점인 것을
    특징으로 하는 양자점을 포함하는 층의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    단계 d)에서 제2층(105)의 수지가 산소 플라즈마 식각으로 제거되는 것을
    특징으로 하는 양자점을 포함하는 층의 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    단계 d) 다음에 제1층(103)의 상면부를 식각하는 단계를 더 구비하는 것을
    특징으로 하는 양자점을 포함하는 층의 제조 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    제1층(103)의 상면부의 식각이 산소 및 육불화황 플라즈마 식각으로 수행되는 것을
    특징으로 하는 양자점을 포함하는 층의 제조 방법.
  12. 제1항 내지 제11항 중의 어느 한 항에 있어서,
    단계 a), b), c), 그리고 d)가 2회째 반복되어 제1층(103) 상에 양자점이 활성인 제1 영역(103a')과 양자점이 비활성인 제2 영역(103b')을 구비하는 제3층(103')을 형성하는 것을
    특징으로 하는 양자점을 포함하는 층의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    제3층(103')의 제1 영역(103a')이 제1층(103)의 제2 영역(103b)에 대향하고, 제3층(103')의 제2 영역(103b')이 제1층(103)의 제1 영역(103a)에 대향하는 것을
    특징으로 하는 양자점을 포함하는 층의 제조 방법.
  14. 광원과,
    상기 광원에 대향하며, 양자점을 포함하는 매트릭스의 층(103)
    을 구비하고,
    상기 층(103)은 상기 양자점이 활성인 제1 영역(103a)과 상기 양자점이 비활성인 제2 영역(103b)을 구비하는 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 광원과,
    상기 광원에 대향하는 스택으로서,
    양자점을 포함하는 매트릭스의 제1층(103)-상기 제1층(103)은 상기 양자점이 활성인 제1 영역(103a)과 상기 양자점이 비활성인 제2 영역(103b)을 구비함-; 및
    양자점을 포함하는 매트릭스의 제2층(103')-상기 제2층(103')은 상기 양자점이 활성인 제1 영역(103a')과 상기 양자점이 비활성인 제2 영역(103b')을 구비함-
    을 포함하는, 스택
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 장치.
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