CN112750936B - 一种显示面板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例涉及半导体技术领域，公开了一种显示面板的制备方法。本发明中，显示面板的制备方法包括：提供透明基板；在透明基板上形成量子点光转换层，量子点光转换层具有朝向透明基板的第一面以及与第一面相对的第二面；沿自第二面指向第一面的方向，对量子点光转换层进行第一曝光处理；沿自第一面指向第二面的方向，对量子点光转换层进行第二曝光处理；其中，第一曝光处理的区域在透明基板上的正投影，与第二曝光处理的区域在透明基板上的正投影至少部分重叠；对第一曝光处理和第二曝光处理后的量子点光转换层进行显影处理，以形成图形化的量子点光转换层。本发明提供的显示面板的制备方法，能够提高量子点光转换层的制作精度不高，改善显示面板的显示效果。
Description
技术领域
本发明实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种显示面板的制备方法。
背景技术
微发光二极管(Micro-LED或u-LED)由于使用无机发光材料，因此具有更好的材料稳定性、更长的寿命、更高的亮度等优点，应用前景非常巨大。目前，微发光二极管可以通过激发光源和量子点(quantum dot，QD)光转换层组成的发光子像素来实现彩色化。但此种显示面板的量子点光转换层的制作精度不高，导致显示面板的显示效果不佳。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种显示面板的制备方法，能够提高量子点光转换层的制作精度不高，改善显示面板的显示效果。
为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种显示面板的制备方法，包括：提供透明基板；在所述透明基板上形成量子点光转换层，所述量子点光转换层具有朝向所述透明基板的第一面以及与所述第一面相对的第二面；沿自所述第二面指向所述第一面的方向，对所述量子点光转换层进行第一曝光处理；沿自所述第一面指向所述第二面的方向，对所述量子点光转换层进行第二曝光处理；其中，所述第一曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影，与所述第二曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影至少部分重叠；对所述第一曝光处理和所述第二曝光处理后的所述量子点光转换层进行显影处理，以形成图形化的量子点光转换层。
本发明实施方式相对于现有技术而言，提供了一种显示面板的制备方法，包括：提供透明基板；在所述透明基板上形成量子点光转换层，所述量子点光转换层具有朝向所述透明基板的第一面以及与所述第一面相对的第二面；沿自所述第二面指向所述第一面的方向，对所述量子点光转换层进行第一曝光处理；沿自所述第一面指向所述第二面的方向，对所述量子点光转换层进行第二曝光处理；其中，所述第一曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影，与所述第二曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影至少部分重叠，即，通过分别对所述量子点光转换层相对设置的第一面和第二面进行第一曝光处理和第二曝光处理，从而在所述第一曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影、与所述第二曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影重叠部分，所述量子点光转换层分别接受了来自相对设置的第一面和第二面的曝光，使得量子点光转换层被曝光得更加充分，提高了量子点光转换层的交联程度，进而使得在对所述第一曝光处理和所述第二曝光处理后的所述量子点光转换层进行显影处理、以形成图形化的量子点光转换层的过程中，避免了因交联程度不足、导致量子点光转换层本应保留的区域在显影过程中被去除的问题，提高了量子点光转换层的制作精度不高，改善了显示面板的显示效果。
另外，所述在所述透明基板上形成量子点光转换层之前，还包括：在所述透明基板上形成像素阻挡层，且所述像素阻挡层内具有若干凹槽，形成的所述量子点光转化层覆盖在所述像素阻挡层上且填充所述凹槽，所述第一曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影，以及所述第二曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影，均位于所述凹槽在所述透明基板上的正投影内；所述对所述第一曝光处理和所述第二曝光处理后的所述量子点光转换层进行显影处理，以形成图形化的量子点光转换层，具体为：去除未曝光部分的所述量子点光转换层，以形成图形化的量子点光转换层。
另外，所述沿自所述第一面指向所述第二面的方向，对所述量子点光转换层进行第二曝光处理，具体包括：利用曝光处理的光线照射整个所述透明基板远离所述量子点光转换层一侧。通过利用曝光处理的光线照射整个所述透明基板远离所述量子点光转换层一侧，即，利用所述像素阻挡层对所述量子点光转换层的遮挡代替光罩，避免位于所述像素阻挡层上的部分所述量子点光转换层被曝光，从而减少一次光罩对准时间，提高显示面板的制备效率。
另外，所述沿自所述第一面指向所述第二面的方向，对所述量子点光转换层进行第二曝光处理，具体包括：将第一光罩覆盖于所述透明基板远离所述量子点光转换层一侧，并利用曝光处理的光线照射所述第一光罩远离所述透明基板一侧。
另外，所述沿自所述第二面指向所述第一面的方向，对所述量子点光转换层进行第一曝光处理，具体包括：将第二光罩覆盖于所述量子点光转换层远离所述透明基板一侧，并利用曝光处理的光线照射所述第二光罩远离所述所述量子点光转换层一侧。
另外，所述对所述第一曝光处理和所述第二曝光处理后的所述量子点光转换层进行显影处理，以形成图形化的量子点光转换层之后，还包括：在所述图形化的量子点光转换层的间隙形成像素阻挡层。
另外，所述第一曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影，位于所述第二曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影内。
另外，所述第一曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影，与所述第二曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影完全重叠。
另外，先执行所述第一曝光处理，再执行所述第二曝光处理；或者，先执行所述第二曝光处理，再执行所述第一曝光处理；或者，同时执行所述第一曝光处理和所述第二曝光处理。
另外，所述在所述透明基板上形成量子点光转换层之后，还包括：对所述量子点光转换层进行预固化处理。如此设置，能够避免所述量子点光转换层的材料流动而导致厚度不均匀的问题，提高了所述量子点光转换层厚度的均一性。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1是根据本发明第一实施方式中显示面板的制备方法的流程图；
图1a、图1b、图1c、图1d、图1e、图1f分别是根据本发明第一实施方式中各步骤对应的结构示意图；
图2是根据本发明第二实施方式中显示面板的制备方法的流程图；
图2a是根据本发明第二实施方式中步骤S26的结构示意图；
图3是根据本发明第三实施方式中显示面板的制备方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
目前显示面板主要有两种模式：一种是电致发光，另一种是光致发光；电致发光是利用电子、空穴对结合后，放出相应能量波长的光；而光致发光主要是利用量子点的下光转换性能，将低波长的激发光吸收后转换成高波长的发射光，故又称为光转换。光致发光量子点材料由于更窄的半峰宽(FWHM)，呈现更广的色域，因此，利用光致发光量子点材料制作的光转换层，其显示效果更好。
发明人发现现有技术中，光转化层通常采用光刻方式制作，但由于量子点材料本身会吸收紫外光，所以制作高膜厚的光转化层时，容易出现底层材料交联不足的情况，导致量子点光转换层本应保留的区域在显影过程中被去除，进而影响光转换层的制作精度，使得显示面板的显示效果不佳。
针对与此，本发明的第一实施方式涉及一种显示面板的制备方法，本实施方式的核心在于，显示面板的制备方法包括：提供透明基板；在所述透明基板上形成量子点光转换层，所述量子点光转换层具有朝向所述透明基板的第一面以及与所述第一面相对的第二面；沿自所述第二面指向所述第一面的方向，对所述量子点光转换层进行第一曝光处理；沿自所述第一面指向所述第二面的方向，对所述量子点光转换层进行第二曝光处理；其中，所述第一曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影，与所述第二曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影至少部分重叠；对所述第一曝光处理和所述第二曝光处理后的所述量子点光转换层进行显影处理，以形成图形化的量子点光转换层。
下面对本实施方式的显示面板的制备方法的实现细节进行具体的说明，以下内容仅为方便理解提供的实现细节，并非实施本方案的必须。
本实施方式中的显示面板的制备方法，如图1所示，具体包括以下步骤：
S11：提供透明基板。
如图1a所示，具体的，透明基板可以为玻璃基板、透明塑料基板或对紫外线影响较小的具有颜色的基板均可，只要能被曝光处理的光线(可以为紫外线)透过即可，此处不做限定。
S12：在透明基板上形成像素阻挡层。
如图1b所示，本步骤中，在透明基板上形成整层的像素阻挡层，通过光刻等方式形成具有若干凹槽的像素阻挡层，凹槽用于容纳图形化后的量子点光转换层，其中，像素阻挡层的材质可以为黑色光阻材料或灰色光阻材料等。
S13：在透明基板上形成量子点光转换层。
如图1c所示，具体的，可以通过涂布、旋涂等方式在所述像素阻挡层上形成量子点光转换层，并且，形成的所述量子点光转化层覆盖在所述像素阻挡层上且填充所述凹槽，本实施方式中，所述凹槽贯穿所述像素阻挡层以暴露出所述透明基板，从而位于凹槽内的所述量子点光转换层直接设置于透明基板上，使得在对所述量子点光转换层进行曝光的过程中，当曝光处理的光线沿自所述第一面指向所述第二面的方向时，位于凹槽内的所述量子点光转换层不会被像素阻挡层遮挡，从而提高了量子点光转换层被曝光的充分性，提高了量子点光转换层的交联程度。当然，若凹槽底部的厚度很薄，对曝光效果的影响很小的话，也能实现类似的技术效果，此处不再赘述。
由于所述量子点光转换层需要保留的部分必须位于凹槽内，而像素阻挡层会阻挡沿自所述第一面指向所述第二面的方向的曝光光线、以使其不能照射到位于像素阻挡层上方的量子点光转换层，因此，当量子点光转换层使用光照后形成不可溶物质的材料时，能够保证被曝光的部分不被像素阻挡层遮挡，进而提高交联程度。本实施方式中，所述量子点光转化层的材料可以为不同颜色的量子点材料分散于负性光刻胶中形成，其中，量子点材料可以为含镉的硫化镉/硒化镉(CdS/CdSe)、不含镉的磷化铟(InP)等，由于负性光刻胶在光照后形成不可溶物质，因此，在对所述量子点光转换层进行显影处理的过程中，会溶解掉未曝光部分的所述量子点光转换层，从而去除未曝光部分的所述量子点光转换层、保留曝光部分的所述量子点光转换层，以形成图形化的量子点光转换层。
S14：沿自第二面指向第一面的方向，对量子点光转换层进行第一曝光处理。
所述量子点光转换层具有朝向所述透明基板的第一面以及与所述第一面相对的第二面，如图1d所示，本步骤中，曝光处理的光线(可以为紫外线)沿自所述第二面指向所述第一面的方向，对所述量子点光转换层进行第一曝光处理，具体的，将第二光罩覆盖于所述量子点光转换层远离所述透明基板一侧，并利用曝光处理的光线(可以为紫外线)照射所述第二光罩远离所述所述量子点光转换层一侧。
S15：沿自第一面指向第二面的方向，对量子点光转换层进行第二曝光处理。
如图1e所示，本步骤中，曝光处理的光线(可以为紫外线)沿自所述第一面指向所述第二面的方向，对所述量子点光转换层进行第二曝光处理，具体的，将第一光罩覆盖于所述透明基板远离所述量子点光转换层一侧，并利用曝光处理的光线(可以为紫外线)照射所述第一光罩远离所述透明基板一侧。
本实施方式中，所述第一曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影，与所述第二曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影至少部分重叠；并且，所述第一曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影，以及所述第二曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影，均位于所述凹槽在所述透明基板上的正投影内，又由于所述量子点光转化层的材料为不同颜色的量子点材料分散于负性光刻胶中形成，从而图形化的量子点光转换层分布于凹槽内，即，像素阻挡层可以界定图形化的量子点光转换层，从而最终得到由激发光源和量子点光转换层组成的发光子像素。
优选的，所述第一曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影，与所述第二曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影内，本实施方式中，所述第一曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影，与所述第二曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影完全重叠(即，第一光罩和第二光罩的开口相同，在实际应用中可以采用同一个光罩)，从而形成的图形化的量子点光转换层的断面上下平齐，提高了显示面板的显示效果。
可以理解的是，所述第一曝光处理的区域的面积也可以小于所述第二曝光处理的区域的面积(即，第一光罩的开口大于第二光罩的开口)，从而形成的图形化的量子点光转换层的断面上窄下宽，即图形化的量子点光转换层靠近透明基板一侧的面积大于远离透明基板一侧的面积，使得图形化的量子点光转换层不易脱落。当然，由于工艺误差的存在，也可以是所述第一曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影，与所述第二曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影外，此处不做限定。
值得一提的是，步骤S14与步骤S15之间的先后顺序关系不做限定，换句话说，可以先执行所述第一曝光处理，再执行所述第二曝光处理，或者，先执行所述第二曝光处理，再执行所述第一曝光处理，或者，同时执行所述第一曝光处理和所述第二曝光处理。
具体的，可以利用单侧曝光的装置，先对所述量子点光转换层的第二面进行曝光处理，然后翻转180度(本领域技术人员可以理解，也可以翻转其他度数，只要保证翻转之后所述量子点光转换层的第一面能够被曝光即可)，对所述量子点光转换层的第一面进行曝光处理；或者，先对所述量子点光转换层的第一面进行曝光处理，然后翻转180度(本领域技术人员可以理解，也可以翻转其他度数，只要保证翻转之后所述量子点光转换层的第二面能够被曝光即可)，对所述量子点光转换层的第二面进行曝光处理。当然，也可以利用单侧曝光的装置，同时对所述量子点光转换层的第二面和第一面进行曝光处理，从而缩短曝光处理花费的时间，提高显示面板的制备效率。
优选的，在所述透明基板上形成量子点光转换层时，在竖直方向，(即，与水平方向垂直的方向)上，所述量子点光转换层位于所述透明基板上方，并且，同时执行所述第一曝光处理和所述第二曝光处理，或者，先执行所述第一曝光处理，再执行所述第二曝光处理，从而能够利用曝光处理先将量子点光转换层进行一定程度的固化，再进行后续的翻转动作，避免了因翻转导致量子点光转换层的厚度不均匀的问题。
S16：去除未曝光部分的量子点光转换层，以形成图形化的量子点光转换层。
如图1f所示，本步骤中，将所述量子点光转换层放置于显影液中，由于所述量子点光转化层的材料为量子点材料分散于负性光刻胶中，因此，未被曝光部分溶解于显影液中，从而去除未曝光部分的所述量子点光转换层，以形成图形化的量子点光转换层。
本发明实施方式相对于现有技术而言，提供了一种显示面板的制备方法，包括：提供透明基板；在所述透明基板上形成量子点光转换层，所述量子点光转换层具有朝向所述透明基板的第一面以及与所述第一面相对的第二面；沿自所述第二面指向所述第一面的方向，对所述量子点光转换层进行第一曝光处理；沿自所述第一面指向所述第二面的方向，对所述量子点光转换层进行第二曝光处理；其中，所述第一曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影，与所述第二曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影至少部分重叠，即，通过分别对所述量子点光转换层相对设置的第一面和第二面进行第一曝光处理和第二曝光处理，从而在所述第一曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影、与所述第二曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影重叠部分，所述量子点光转换层分别接受了来自相对设置的第一面和第二面的曝光，使得量子点光转换层被曝光得更加充分，提高了量子点光转换层的交联程度，进而使得在对所述第一曝光处理和所述第二曝光处理后的所述量子点光转换层进行显影处理、以形成图形化的量子点光转换层的过程中，避免了因交联程度不足、导致量子点光转换层本应保留的区域在显影过程中被去除的问题，提高了量子点光转换层的制作精度不高，改善了显示面板的显示效果。
本发明的第二实施方式涉及一种显示面板的制备方法。第二实施方式与第一实施方式大致相同，主要区别之处在于：在第一实施方式中，将第一光罩覆盖于所述透明基板远离所述量子点光转换层一侧，并利用曝光处理的光线照射所述第一光罩远离所述透明基板一侧。而在本发明第二实施方式中，利用曝光处理的光线照射整个所述透明基板远离所述量子点光转换层一侧，即，利用所述像素阻挡层对所述量子点光转换层的遮挡代替光罩，避免位于所述像素阻挡层上的部分所述量子点光转换层被曝光，从而减少一次光罩对准时间，提高显示面板的制备效率。
优选的，所述在所述透明基板上形成量子点光转换层之后，还包括：对所述量子点光转换层进行预固化处理，从而能够避免所述量子点光转换层的材料流动而导致厚度不均匀的问题，提高了所述量子点光转换层厚度的均一性。
本实施方式中的显示面板的制备方法，如图2所示，具体包括以下步骤：
S21：提供透明基板。
S22：在透明基板上形成像素阻挡层。
S23：在透明基板上形成量子点光转换层。
S24：对量子点光转换层进行预固化处理。
本步骤中，可以通过前烘考对量子点光转换层进行预固化处理，使得量子点光转换层的形状基本固定，避免所述量子点光转换层的材料流动而导致厚度不均匀的问题，提高了所述量子点光转换层厚度的均一性。
S25：沿自第二面指向第一面的方向，对量子点光转换层进行第一曝光处理。
S26：利用曝光处理的光线照射整个透明基板远离量子点光转换层一侧。
如图2a所示，具体的，不使用光罩，曝光处理的光线(可以为紫外线)沿自所述第一面指向所述第二面的方向，直接照射在所述量子点光转换层靠近所述透明基板一侧，利用所述像素阻挡层对所述量子点光转换层的遮挡代替光罩，曝光位于所述像素阻挡层的凹槽内的量子点光转换层，同时避免位于所述像素阻挡层上的部分所述量子点光转换层被曝光，从而减少一次光罩对准时间，提高显示面板的制备效率。
S27：去除未曝光部分的量子点光转换层，以形成图形化的量子点光转换层。
本实施方式中的步骤S21、S22、S23、S25、S27与第二实施方式中的步骤S11、S12、S13、S14、S16类似，此处不再赘述。
本发明实施方式相对于现有技术而言，提供了一种显示面板的制备方法，包括：提供透明基板；在所述透明基板上形成量子点光转换层，所述量子点光转换层具有朝向所述透明基板的第一面以及与所述第一面相对的第二面；沿自所述第二面指向所述第一面的方向，对所述量子点光转换层进行第一曝光处理；沿自所述第一面指向所述第二面的方向，对所述量子点光转换层进行第二曝光处理；其中，所述第一曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影，与所述第二曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影至少部分重叠，即，通过分别对所述量子点光转换层相对设置的第一面和第二面进行第一曝光处理和第二曝光处理，从而在所述第一曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影、与所述第二曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影重叠部分，所述量子点光转换层分别接受了来自相对设置的第一面和第二面的曝光，使得量子点光转换层被曝光得更加充分，提高了量子点光转换层的交联程度，进而使得在对所述第一曝光处理和所述第二曝光处理后的所述量子点光转换层进行显影处理、以形成图形化的量子点光转换层的过程中，避免了因交联程度不足、导致量子点光转换层本应保留的区域在显影过程中被去除的问题，提高了量子点光转换层的制作精度不高，改善了显示面板的显示效果；同时，利用曝光处理的光线照射整个所述透明基板远离所述量子点光转换层一侧，即，利用所述像素阻挡层对所述量子点光转换层的遮挡代替光罩，避免位于所述像素阻挡层上的部分所述量子点光转换层被曝光，从而减少一次光罩对准时间，提高显示面板的制备效率。
本发明的第三实施方式涉及一种显示面板的制备方法。第三实施方式与第一实施方式大致相同，主要区别之处在于：在第一实施方式中，所述在所述透明基板上形成量子点光转换层之前，还包括：在所述透明基板上形成像素阻挡层，且所述像素阻挡层内具有若干凹槽，形成的所述量子点光转化层覆盖在所述像素阻挡层上且填充所述凹槽。而在本发明第三实施方式中，所述对所述第一曝光处理和所述第二曝光处理后的所述量子点光转换层进行显影处理，以形成图形化的量子点光转换层之后，还包括：在所述图形化的量子点光转换层的间隙形成像素阻挡层。
也就是说，在第一实施方式中，先形成具有若干凹槽的像素阻挡层，然后在像素阻挡层上形成在量子点光转换层，并且，形成的所述量子点光转化层覆盖在所述像素阻挡层上且填充所述凹槽，然后再通过曝光、显影形成图形化的量子点光转换层，而本实施方式中，先形成图形化的量子点光转换层，然后再在所述图形化的量子点光转换层的间隙形成像素阻挡层(可以是先形成整层的像素阻挡层的材料，再进行图形化)，此外，本领域技术人员可以理解，本实施方式能达到与第一实施方式类似的技术效果，此处不再赘述。
本实施方式中的显示面板的制备方法，如图3所示，具体包括以下步骤：
S31：提供透明基板。
S32：在透明基板上形成量子点光转换层。
S23：沿自第二面指向第一面的方向，对量子点光转换层进行第一曝光处理。
S34：沿自第一面指向第二面的方向，对量子点光转换层进行第二曝光处理。
S35：去除未曝光部分的量子点光转换层，以形成图形化的量子点光转换层。
S36：在图形化的量子点光转换层的间隙形成像素阻挡层。
具体的，在图形化的量子点光转换层和透明基板上形成整层的像素阻挡层，通过光刻等方式形成具有若干凹槽的的像素阻挡层，并且，图形化的量子点光转换层位于凹槽内，其中，像素阻挡层的材质可以为黑色光阻材料或灰色光阻材料等。
本实施方式中的步骤S31、S32、S33、S34、S35与第二实施方式中的步骤S11、S13、S14、S15、S16类似，此处不再赘述。
值得一提的是，本实施方式中在进行第一曝光处理和第二曝光处理的过程中，均需要使用光罩，具体的曝光处理的方式与第一实施方式类似，此处不再赘述。
本实施方式中，由于先形成图形化的量子点光转换层，然后再在所述图形化的量子点光转换层的间隙形成像素阻挡层，从而，在对所述量子点光转换层进行两次曝光处理的过程中，不存在像素阻挡层对位于其上方的量子点光转换层的遮挡，因此，所述量子点光转化层的材料可以为不同颜色的量子点材料分散于负性光刻胶中，也可以为不同颜色的量子点材料分散于正性光刻胶中。
本发明实施方式相对于现有技术而言，提供了一种显示面板的制备方法，包括：提供透明基板；在所述透明基板上形成量子点光转换层，所述量子点光转换层具有朝向所述透明基板的第一面以及与所述第一面相对的第二面；沿自所述第二面指向所述第一面的方向，对所述量子点光转换层进行第一曝光处理；沿自所述第一面指向所述第二面的方向，对所述量子点光转换层进行第二曝光处理；其中，所述第一曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影，与所述第二曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影至少部分重叠，即，通过分别对所述量子点光转换层相对设置的第一面和第二面进行第一曝光处理和第二曝光处理，从而在所述第一曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影、与所述第二曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影重叠部分，所述量子点光转换层分别接受了来自相对设置的第一面和第二面的曝光，使得量子点光转换层被曝光得更加充分，提高了量子点光转换层的交联程度，进而使得在对所述第一曝光处理和所述第二曝光处理后的所述量子点光转换层进行显影处理、以形成图形化的量子点光转换层的过程中，避免了因交联程度不足、导致量子点光转换层本应保留的区域在显影过程中被去除的问题，提高了量子点光转换层的制作精度不高，改善了显示面板的显示效果。
上面各种方法的步骤划分，只是为了描述清楚，实现时可以合并为一个步骤或者对某些步骤进行拆分，分解为多个步骤，只要包括相同的逻辑关系，都在本专利的保护范围内；对算法中或者流程中添加无关紧要的修改或者引入无关紧要的设计，但不改变其算法和流程的核心设计都在该专利的保护范围内。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。
Claims (9)
1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供透明基板；
在所述透明基板上形成量子点光转换层，所述量子点光转换层具有朝向所述透明基板的第一面以及与所述第一面相对的第二面；
沿自所述第二面指向所述第一面的方向，对所述量子点光转换层进行第一曝光处理；
沿自所述第一面指向所述第二面的方向，对所述量子点光转换层进行第二曝光处理；
其中，所述第一曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影，与所述第二曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影至少部分重叠；
对所述第一曝光处理和所述第二曝光处理后的所述量子点光转换层进行显影处理，以形成图形化的量子点光转换层；
所述第一曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影，位于所述第二曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影内。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述透明基板上形成量子点光转换层之前，还包括：
在所述透明基板上形成像素阻挡层，且所述像素阻挡层内具有若干凹槽，形成的所述量子点光转化层覆盖在所述像素阻挡层上且填充所述凹槽，所述第一曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影，以及所述第二曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影，均位于所述凹槽在所述透明基板上的正投影内；
所述对所述第一曝光处理和所述第二曝光处理后的所述量子点光转换层进行显影处理，以形成图形化的量子点光转换层，具体为：
去除未曝光部分的所述量子点光转换层，以形成图形化的量子点光转换层。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述沿自所述第一面指向所述第二面的方向，对所述量子点光转换层进行第二曝光处理，具体包括：
利用曝光处理的光线照射整个所述透明基板远离所述量子点光转换层一侧。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述沿自所述第一面指向所述第二面的方向，对所述量子点光转换层进行第二曝光处理，具体包括：
将第一光罩覆盖于所述透明基板远离所述量子点光转换层一侧，并利用曝光处理的光线照射所述第一光罩远离所述透明基板一侧。
5.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述沿自所述第二面指向所述第一面的方向，对所述量子点光转换层进行第一曝光处理，具体包括：
将第二光罩覆盖于所述量子点光转换层远离所述透明基板一侧，并利用曝光处理的光线照射所述第二光罩远离所述量子点光转换层一侧。
6.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述对所述第一曝光处理和所述第二曝光处理后的所述量子点光转换层进行显影处理，以形成图形化的量子点光转换层之后，还包括：
在所述图形化的量子点光转换层的间隙形成像素阻挡层。
7.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影，与所述第二曝光处理的区域在所述透明基板上的正投影完全重叠。
8.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，先执行所述第一曝光处理，再执行所述第二曝光处理；
或者，先执行所述第二曝光处理，再执行所述第一曝光处理；
或者，同时执行所述第一曝光处理和所述第二曝光处理。
9.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述透明基板上形成量子点光转换层之后，还包括：
对所述量子点光转换层进行预固化处理。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200638085A (en) * | 2005-04-27 | 2006-11-01 | Allied Material Technology Corp | Method and apparatus for improving adhesion between resin black matrix and glass substrate |
| CN101116186A (zh) * | 2005-02-10 | 2008-01-30 | 凸版印刷株式会社 | 固体摄像元件及其制造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101116186A (zh) * | 2005-02-10 | 2008-01-30 | 凸版印刷株式会社 | 固体摄像元件及其制造方法 |
| TW200638085A (en) * | 2005-04-27 | 2006-11-01 | Allied Material Technology Corp | Method and apparatus for improving adhesion between resin black matrix and glass substrate |
| KR20120130514A (ko) * | 2011-05-23 | 2012-12-03 | 삼성전자주식회사 | 박막 패터닝 방법, 이를 이용한 나노구조체의 형성방법 및 나노구조체를 포함하는 소자 |
| CN103033993A (zh) * | 2011-09-29 | 2013-04-10 | 纬创资通股份有限公司 | 感光性间隙物及液晶显示器的制作方法与阵列基板 |
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