WO2022054198A1 - 表示装置の製造方法、および、表示装置 - Google Patents

表示装置の製造方法、および、表示装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2022054198A1
WO2022054198A1 PCT/JP2020/034280 JP2020034280W WO2022054198A1 WO 2022054198 A1 WO2022054198 A1 WO 2022054198A1 JP 2020034280 W JP2020034280 W JP 2020034280W WO 2022054198 A1 WO2022054198 A1 WO 2022054198A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
light emitting
light
region
emitting element
Prior art date
Application number
PCT/JP2020/034280
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
吉裕 上田
Original Assignee
シャープ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
Priority to PCT/JP2020/034280 priority Critical patent/WO2022054198A1/ja
Priority to US18/025,095 priority patent/US20230329078A1/en
Publication of WO2022054198A1 publication Critical patent/WO2022054198A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/211—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by selective transformation of an existing layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers

Definitions

  • This disclosure relates to a display device manufacturing method and a display device.
  • Patent Document 1 describes an electroluminescence element in which each of a first color light emitting layer, a second color light emitting layer, and a third color light emitting layer containing quantum dots is sequentially patterned by a photolithography method. The manufacturing method is disclosed.
  • One aspect of the present disclosure is to obtain a display device manufacturing method and a display device that suppress the occurrence of light emission unevenness and color mixing.
  • the method for manufacturing a display device includes a step of forming a first layer containing a first quantum dot in each of a first region and a second region in which a light emitting element is formed, and the second region.
  • a step of making the first layer non-luminous, a step of forming a second layer containing a second quantum dot in each of the first region and the second region, and the second layer in the first region. Includes a step of deluminating.
  • the display device includes a first light emitting element and a second light emitting element, and the first light emitting element and the second light emitting element each include a first quantum dot.
  • the first layer in the second light emitting device includes a layer and a second layer laminated on the first layer and containing a second quantum dot, and the first layer in the second light emitting element is non-light emitting, and the said in the first light emitting element.
  • the second layer is non-luminous.
  • the third layer of each of the light emitting element forming region of the light emitting element that emits red light and the light emitting element forming region of the light emitting element that emits green light is made non-light emitting. It is a figure showing. It is a figure which shows the pattern of the combination of the 1st layer, the 2nd layer and the 3rd layer which constitutes each light emitting layer when the light emitting element has a forward structure, the carrier injection efficiency, and the degree of light absorption.
  • FIG. 10 is a diagram showing an energy band in a state in which the first layer, the second layer, and the third layer constituting each light emitting layer shown in FIG. 10 are isolated.
  • FIG. 11 is a diagram showing an energy band in a state in which the first layer, the second layer, and the third layer constituting each light emitting layer shown in FIG. 11 are isolated.
  • FIG. 12 is a diagram showing an energy band in a state where the first layer, the second layer, and the third layer constituting each light emitting layer shown in FIG. 12 are joined.
  • FIG. 10 is a diagram showing an energy band in a state in which the first layer, the second layer, and the third layer constituting each light emitting layer shown in FIG. 10 are isolated.
  • FIG. 13 is a diagram showing an energy band in a state where the first layer, the second layer, and the third layer constituting each light emitting layer shown in FIG. 13 are joined. It is sectional drawing which shows the outline of the light emitting element which emits red light provided in the display device which concerns on modification 1.
  • FIG. It is sectional drawing which shows the outline of the light emitting element which emits green light provided in the display device which concerns on modification 1.
  • FIG. It is sectional drawing which shows the outline of the light emitting element which emits blue light provided in the display device which concerns on modification 1.
  • FIG. It is a figure which shows the flowchart of the process of manufacturing the display device which concerns on modification 1. It is sectional drawing which shows the outline of the light emitting element which emits red light provided in the display device which concerns on modification 2.
  • FIG. It is sectional drawing which shows the outline of the light emitting element which emits green light provided in the display device which concerns on modification 2.
  • FIG. It is sectional drawing which shows the outline of the light emitting element which emit
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a display device 1 according to an embodiment.
  • the display device 1 can be used for various displays such as a display used for a television or a smartphone.
  • the display device 1 has, for example, a plurality of light emitting elements 3R / 3G / 3B and a bank 17 provided on the array substrate 5.
  • the light emitting elements 3R, 3G, and 3B constitute one pixel.
  • the display device 1 is provided with, for example, a display area in which a plurality of pixels are provided in a matrix and displays an image, and a frame area surrounding the periphery of the display area.
  • the display device 1 may have a sealing layer that covers the light emitting elements 3R, 3G, and 3B.
  • the sealing layer can have, for example, a structure in which an inorganic layer formed by using an inorganic insulating material and an organic layer formed by using an organic insulating material such as a resin are laminated.
  • the inorganic insulating material for forming the inorganic layer examples include silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride. Further, as the organic insulating material for forming the organic layer, for example, acrylic or polyimide can be mentioned.
  • the light emitting element (first light emitting element) 3R emits, for example, red light (first color light).
  • the light emitting element (second light emitting element, first light emitting element) 3G emits green light (second color light, first color light) having a peak wavelength shorter than that of red light.
  • the light emitting element (third light emitting element, second light emitting element) 3B emits blue light (third color light, second color light) having a peak wavelength shorter than that of green light.
  • the emission colors of the plurality of light emitting elements included in the display device 1 are not limited to red, green, and blue, and may be any two colors, or may further include other colors such as yellow.
  • the red light is, for example, light having a peak wavelength in a wavelength band larger than 600 nm and 780 nm or less.
  • the green light is, for example, light having a peak wavelength in a wavelength band larger than 500 nm and 600 nm or less.
  • the blue light is, for example, light having a peak wavelength in a wavelength band of 400 nm or more and 500 nm or less.
  • the light emitting elements 3B, 3G, and 3R are formed in the region partitioned by the insulating bank 17 provided on the array substrate 5.
  • the array substrate 5 includes a base material 2, a plurality of thin film transistors 10 provided for each of the plurality of light emitting elements 3B, 3G, and 3R, and an insulating layer 16 covering the plurality of thin film transistors 10.
  • the base material 2 may have flexibility by containing, for example, a resin layer, or may be a hard substrate containing glass or the like.
  • the resin layer of the base material 2 can be formed by using, for example, polyimide.
  • the base material 2 may include an inorganic insulating layer provided on the resin layer or the glass substrate.
  • the inorganic insulating layer is formed by using, for example, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or the like.
  • the plurality of thin film transistors 10 are connected to the light emitting elements 3B, 3G, and 3R, and are switching elements for switching between light emission and non-light emission of the light emitting elements 3B, 3G, and 3R.
  • Each of the plurality of thin film transistors 10 has, for example, a gate electrode 11, a gate insulating layer 12 covering the gate electrode 11, a semiconductor layer 13 provided on the gate insulating layer 12, and a source electrode 14 provided on the semiconductor layer 13. And a drain electrode 15.
  • the gate electrode 11, the source electrode 14, and the drain electrode 15 are formed by using a metal material such as copper or titanium.
  • the gate insulating layer 12 is formed by using an inorganic insulating material such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride.
  • the semiconductor layer 13 includes, for example, IGZO (indium / gallium / zinc oxide), IZO (indium / zinc oxide), GZO (gallium-added zinc oxide), AZO (aluminum-added zinc oxide), ZnO, In 2 O 3 , and the like. It is formed using Ga 2 O 3 or the like.
  • the insulating layer 16 is provided on the base material 2 so as to cover the plurality of thin film transistors 10.
  • the insulating layer 16 is formed by using an insulating resin material such as acrylic or polyimide.
  • the insulating layer 16 may include an inorganic insulating layer.
  • the inorganic insulating layer is formed by using an inorganic insulating material such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride.
  • the light emitting elements 3R, 3G, and 3B are provided on the insulating layer 16.
  • the region forming the light emitting element 3R (the region in which the light emitting element 3R is formed in FIG. 1) is referred to as a light emitting element forming region (first region) ARr.
  • the region forming the light emitting element 3G (the region in which the light emitting element 3G is formed in FIG. 1) is referred to as a light emitting element forming region (second region, first region) ARg.
  • the region forming the light emitting element 3B (the region in which the light emitting element 3B is formed in FIG. 1) is referred to as a light emitting element forming region (third region, second region) ARb.
  • the light emitting element forming region ARr, the light emitting element forming region ARg, and the light emitting element forming region ARb do not overlap each other.
  • the light emitting elements 3R, 3G, and 3B each have a so-called reverse structure. That is, for example, the light emitting element 3R has a cathode 21 provided on the array substrate 5, an electron transport layer 22 that overlaps the cathode 21, a light emitting layer 20R that overlaps the electron transport layer 22, and a hole transport that overlaps the light emitting layer 20R. It has a layer 26 and an anode 27 that overlaps the hole transport layer 26. Further, for example, the light emitting element 3G includes a cathode 21 provided on the array substrate 5, an electron transport layer 22 overlapping the cathode 21, a light emitting layer 20G overlapping the electron transport layer 22, and a hole transport overlapping the light emitting layer 20G.
  • the light emitting element 3B includes a cathode 21 provided on the array substrate 5, an electron transport layer 22 overlapping the cathode 21, a light emitting layer 20B overlapping the electron transport layer 22, and a hole transport overlapping the light emitting layer 20B. It has a layer 26 and an anode 27 that overlaps the hole transport layer 26.
  • the light emitted from the light emitting layer 20R / 20G / 20B is reflected by the cathode 21 and passes through the hole transport layer 26 and the anode 27 to pass through the light emitting element 3R / 3G / 3G. ⁇ It is assumed that it is a so-called top emission that is emitted from 3B to the outside. That is, for example, of the cathode 21 and the anode 27, the cathode 21 is an electrode that reflects the light emitted from the light emitting layer 20R / 20G / 20B, and the anode 27 emits light from the light emitting layer 20R / 20G / 20B.
  • An electrode that extracts light that is, an electrode that transmits visible light.
  • the light emitted from the light emitting layers 20R, 20G, and 20B is reflected by the anode 27 and passes through the electron transport layer 22, the cathode 21, the anode 27, and the array substrate 5. It may be a so-called bottom emission that is emitted from the light emitting elements 3R, 3G, and 3B to the outside.
  • the cathode 21 is an electrode that extracts the light emitted from the light emitting layer 20R / 20G / 20B, and the anode 27 emits light from the light emitting layer 20R / 20G / 20B. It becomes an electrode that reflects light.
  • each of the light emitting elements 3R, 3G, and 3B is not limited to the above-mentioned structure, and may have another layer between the cathode 21 and the anode 27.
  • each of the light emitting devices 3R, 3G, and 3B may have an electron injection layer between the cathode 21 and the electron transport layer 22, and the hole injection layer may be provided between the anode 27 and the hole transport layer 26. May have.
  • the light emitting elements 3R, 3G, and 3B may have a so-called forward structure.
  • the stacking order in the case of the forward structure is opposite to the stacking order in the case of the reverse structure. That is, for example, in the case of a forward structure, in the light emitting element 3R, the anode 27 is laminated on the array substrate 5, the hole transport layer 26 is laminated on the anode 27, and the light emitting layer 20R is laminated on the hole transport layer 26.
  • the electron transport layer 22 is laminated on the light emitting layer 20R, and the cathode 21 is laminated on the electron transport layer 22.
  • the anode 27 is laminated on the array substrate 5, the hole transport layer 26 is laminated on the anode 27, and the light emitting layer 20G is laminated on the hole transport layer 26.
  • the electron transport layer 22 is laminated on the light emitting layer 20G, and the cathode 21 is laminated on the electron transport layer 22.
  • the anode 27 is laminated on the array substrate 5, the hole transport layer 26 is laminated on the anode 27, and the light emitting layer 20B is laminated on the hole transport layer 26.
  • the electron transport layer 22 is laminated on the light emitting layer 20B, and the cathode 21 is laminated on the electron transport layer 22.
  • the cathode 21 is an electrode that extracts the light emitted from the light emitting layer 20R / 20G / 20B, that is, an electrode that transmits visible light
  • the anode 27 is the light emitting layer. It is an electrode that reflects the light emitted from 20R, 20G, and 20B.
  • the bank 17 is provided between each of the light emitting elements 3R, 3G, and 3B, and separates each of the light emitting elements 3R, 3G, and 3B.
  • the bank 17 is formed by using an organic material such as polyimide or acrylic.
  • the bank 17 is formed so as to cover the edge of the cathode 21.
  • the bank 17 also functions as an edge cover of the cathode 21, and can suppress the generation of an excessive electric field at each edge portion of the cathode 21.
  • the cathode 21 is an electrode for supplying electrons to the light emitting layer 20R
  • the anode 27 is an electrode for supplying holes to the light emitting layer 20R
  • the cathode 21 is an electrode for supplying electrons to the light emitting layer 20G
  • the anode 27 is an electrode for supplying holes to the light emitting layer 20G
  • the cathode 21 is an electrode for supplying electrons to the light emitting layer 20B
  • the anode 27 is an electrode for supplying holes to the light emitting layer 20B.
  • the electron transport layer 22 transports electrons to the light emitting layer 20R
  • the hole transport layer 26 transports holes to the light emitting layer 20R
  • the electron transport layer 22 transports electrons to the light emitting layer 20G
  • the hole transport layer 26 transports holes to the light emitting layer 20G
  • the electron transport layer 22 transports electrons to the light emitting layer 20B
  • the hole transport layer 26 transports holes to the light emitting layer 20B.
  • the cathode 21 is formed, for example, by using a metal material or a conductive transparent semiconductor material having a work function as small as possible in order to efficiently supply electrons to the electron transport layer 22.
  • a metal material for forming the cathode 21 include Ag (silver), Al (aluminum) and Mg (magnesium).
  • the transparent semiconductor material for forming the cathode 21 include ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), ZAO (aluminum-added zinc oxide), and IGZO (indium gallium zinc oxide). Can be done.
  • the electron transport layer 22 is formed, for example, by using an inorganic semiconductor material or an organic semiconductor material for transporting electrons.
  • the electron transport layer 22 is preferably transparent.
  • the inorganic semiconductor material include ZnO, a metal oxide such as TIO 2 (titanium oxide), and a II-VI compound-based semiconductor having a band gap wider than that of the light emitting layer 20R / 20G / 20B. ..
  • the hole transport layer 26 is formed, for example, by using an inorganic semiconductor material or an organic semiconductor material for transporting holes.
  • the hole transport layer 26 is preferably transparent.
  • Specific examples of the inorganic semiconductor material used for the hole transport layer 26 include NiO, Cr 2O 3 , MgO, LaNiO 3 , MoO 3 , and WO 3 .
  • the anode 27 is provided so as to face the cathode 21.
  • the anode 27 is made of, for example, a conductive material having conductivity.
  • the anode 27 is preferably transparent. Specific examples of the transparent conductive material include ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), SnO2 (tin oxide), and FTO (fluorine-doped tin oxide). ..
  • the light emitting layers 20R, 20G, and 20B each have a multilayer structure.
  • Each of the light emitting layers 20R, 20G, and 20B has a multilayer structure in which at least one layer emits light.
  • the light emitting layer 20R includes, for example, a first layer 23R laminated on the electron transport layer 22, a second layer 24Gp laminated on the first layer 23R, and a third layer 25Bp laminated on the second layer 24Gp. ..
  • the first layer 23R in the light emitting layer 20R includes a plurality of quantum dots (first quantum dots) 33R such as semiconductor nanoparticles that emit red light.
  • a plurality of quantum dots (first quantum dots, second quantum dots) 34G which are semiconductor nanoparticles that emit green light, are non-emission and the conduction type of the semiconductor is P-type. It contains 34 Gp of a plurality of quantum dots (first quantum dot, second quantum dot).
  • a plurality of quantum dots (second quantum dots, third quantum dots) 35B which are semiconductor nanoparticles that emit blue light, are non-luminous and the conduction type of the semiconductor is P-shaped. Includes a plurality of quantum dots (second quantum dots, third quantum dots) 35 Bp.
  • the light emitting layer 20G includes, for example, a first layer 23Rn laminated on the electron transport layer 22, a second layer 24G laminated on the first layer 23Rn, and a third layer 25Bp laminated on the second layer 24G. ..
  • the first layer 23Rn in the light emitting layer 20G is a plurality of quantum dots (first quantum dots) 33R, which are semiconductor nanoparticles that emit red light, are non-luminous and the conduction type of the semiconductor is N-shaped. Includes dots (first quantum dots) 33Rn.
  • the second layer 24G in the light emitting layer 20G includes a plurality of quantum dots (first quantum dots, second quantum dots) 34G such as semiconductor nanoparticles that emit green light.
  • a plurality of quantum dots (second quantum dots, third quantum dots) 35B which are semiconductor nanoparticles that emit blue light, are non-luminous and the conduction type of the semiconductor is P-type.
  • a plurality of quantum dots (second quantum dots, third quantum dots) 35 Bp is a plurality of quantum dots (second quantum dots, third quantum dots) 35 Bp.
  • the light emitting layer 20B includes, for example, a first layer 23Rn laminated on the electron transport layer 22, a second layer 24Gn laminated on the first layer 23Rn, and a third layer 25B laminated on the second layer 24Gn. ..
  • a plurality of quantum dots (first quantum dots) 33R which are semiconductor nanoparticles that emit red light, are deluminized and the conduction type of the semiconductor is N-shaped. Includes dots (first quantum dots) 33Rn.
  • a plurality of quantum dots (first quantum dots, second quantum dots) 34G which are semiconductor nanoparticles that emit green light, are non-luminous and the conduction type of the semiconductor is N-type. It contains 34 Gn of a plurality of quantum dots (first quantum dot, second quantum dot).
  • the third layer 25B in the light emitting layer 20B includes a plurality of quantum dots (second quantum dots, third quantum dots) 35B such as semiconductor nanoparticles that emit blue light.
  • the quantum dots 33R, 34G, and 35B each have an upper end of the valence band ((VBM: valence band), equal to the ionization potential) and a lower end of the conduction band ((CBM: conduction band), equal to the electron affinity). It is a luminescent material that emits light by recombination of holes in the valence band level and electrons in the conduction band level.
  • the emission from the quantum dots 33R, 34G, and 35B has a narrow spectrum due to the quantum confinement effect.
  • Quantum dots 33R, 34G, and 35B can be made of materials generally used in the art, and can be formed by using, for example, II-VI group compound semiconductors or III-V group compound semiconductors.
  • II-VI group compound semiconductor examples include CdSe, ZnSe and CdZnSe
  • III-V group compound semiconductor examples include InP and InN.
  • the quantum dots 33R, 34G, and 35B may each have a so-called core-shell structure including a core and a shell covering the periphery of the core.
  • the quantum dots 33Rn and 33Rp are formed of the same material as the quantum dots 33R (for example, II-VI group compound semiconductor or III-V group compound semiconductor) and have the same structure (for example, so-called core shell structure).
  • the quantum dot 33Rn is different from the quantum dot 33R in that the quantum dot 33R is non-emission and the conduction type of the semiconductor is N-type.
  • the quantum dot 33Rp is different from the quantum dot 33R in that the quantum dot 33R is non-luminous and the conduction type of the semiconductor is P-shaped.
  • the quantum dots 34Gn and 34Gp are each made of the same material as the quantum dots 34G (for example, II-VI group compound semiconductor or III-V group compound semiconductor) and have the same structure (for example, so-called core shell structure).
  • the quantum dot 34Gn is different from the quantum dot 34G in that the quantum dot 34G is non-luminous and the conduction type of the semiconductor is N-type.
  • the quantum dot 34Gp is different from the quantum dot 34G in that the quantum dot 34G is non-luminous and the conduction type of the semiconductor is P-shaped.
  • the quantum dots 35Bn and 35Bp are each made of the same material as the quantum dots 35B (for example, II-VI group compound semiconductor or III-V group compound semiconductor) and have the same structure (for example, so-called core shell structure).
  • the quantum dot 35Bn is different from the quantum dot 35B in that the quantum dot 35B is non-emission and the conduction type of the semiconductor is N-type.
  • the quantum dot 35Bp is different from the quantum dot 35B in that the quantum dot 35B is non-luminous and the conduction type of the semiconductor is P-shaped.
  • the plurality of quantum dots 33R included in the first layer 23R, the plurality of quantum dots 34Gp contained in the second layer 24Gp, and the plurality of quantum dots 35Bp contained in the third layer 25Bp are respectively. It may be formed by using different kinds of semiconductor materials, or may be formed by using the same kind of semiconductor materials. In the light emitting layer 20R, the plurality of quantum dots 33R included in the first layer 23R, the plurality of quantum dots 34Gp contained in the second layer 24Gp, and the plurality of quantum dots 35Bp contained in the third layer 25Bp are of the same type.
  • the average grain diameter of the plurality of quantum dots 34 Gp contained in the second layer 24 Gp is smaller than the average grain diameter of the plurality of quantum dots 33 R contained in the first layer 23R.
  • the average grain diameter of the plurality of quantum dots 35Bp contained in the third layer 25Bp is smaller than the average grain diameter of the plurality of quantum dots 34Gp contained in the second layer 24Gp.
  • the plurality of quantum dots 33Rn included in the first layer 23Rn, the plurality of quantum dots 34G included in the second layer 24G, and the plurality of quantum dots 35Bp contained in the third layer 25Bp are respectively. It may be formed by using different kinds of semiconductor materials, or may be formed by using the same kind of semiconductor materials. In the light emitting layer 20G, the plurality of quantum dots 33Rn included in the first layer 23Rn, the plurality of quantum dots 34G included in the second layer 24G, and the plurality of quantum dots 35Bp contained in the third layer 25Bp are of the same type.
  • the average grain diameter of the plurality of quantum dots 34G contained in the second layer 24G is smaller than the average grain diameter of the plurality of quantum dots 33Rn contained in the first layer 23Rn.
  • the average grain diameter of the plurality of quantum dots 35Bp contained in the third layer 25Bp is smaller than the average grain diameter of the plurality of quantum dots 34G contained in the second layer 24G.
  • the plurality of quantum dots 33Rn included in the first layer 23Rn, the plurality of quantum dots 34Gn contained in the second layer 24Gn, and the plurality of quantum dots 35B contained in the third layer 25B are respectively. It may be formed by using different kinds of semiconductor materials, or may be formed by using the same kind of semiconductor materials. In the light emitting layer 20B, the plurality of quantum dots 33Rn included in the first layer 23Rn, the plurality of quantum dots 34Gn contained in the second layer 24Gn, and the plurality of quantum dots 35B contained in the third layer 25B are of the same type.
  • the average grain diameter of the plurality of quantum dots 34Gn contained in the second layer 24Gn is smaller than the average grain diameter of the plurality of quantum dots 33Rn contained in the first layer 23Rn.
  • the average grain diameter of the plurality of quantum dots 35B contained in the third layer 25B is smaller than the average grain diameter of the plurality of quantum dots 34Gn contained in the second layer 24Gn.
  • the second layer 24Gp and the third layer 25Bp are closer to the anode 27 than the first layer 23R that emits red light, and are provided between the first layer 23R and the anode 27. Therefore, the second layer 24Gp and the third layer 25Bp need to transport the holes supplied from the anode 27 to the first layer 23R that emits red light. Therefore, in the light emitting layer 20R, the plurality of quantum dots 34Gp contained in the second layer 24Gp and the plurality of quantum dots 34Bp contained in the third layer 25B have semiconductor conduction types of N-type and P-type, respectively. It is P-shaped.
  • the holes supplied from the anode 27 to the light emitting layer 20R via the hole transport layer 26 pass through the third layer 25Bp and the second layer 24Gp, and the first layer emits red light. It is supplied to 24R.
  • the first layer 23Rn is closer to the cathode 21 than the second layer 24G that emits green light, and is provided between the second layer 24G and the cathode 21. Therefore, the first layer 23Rn needs to transport the electrons supplied from the cathode 21 to the second layer 24G that emits green light. Therefore, in the light emitting layer 20G, the conduction type of the semiconductor of the plurality of quantum dots 33Rn included in the first layer 23Rn is N-type among N-type and P-type. As a result, in the light emitting device 3G, the electrons supplied from the cathode 21 to the light emitting layer 20G via the electron transport layer 22 are supplied to the second layer 24G that emits green light via the first layer 23Rn.
  • the third layer 25Bp is closer to the anode 27 than the second layer 24G that emits green light, and is provided between the second layer 24G and the anode 27. Therefore, the third layer 25Bp needs to transport the holes supplied from the anode 27 to the second layer 24G that emits green light. Therefore, in the light emitting layer 20G, the conduction type of the semiconductor of the plurality of quantum dots 35Bp included in the third layer 25Bp is P-type among N-type and P-type. As a result, in the light emitting device 3G, the electrons supplied from the anode 27 to the light emitting layer 20G via the hole transport layer 26 are supplied to the second layer 24G that emits green light via the third layer 25Bp.
  • the first layer 23Rn and the second layer 24Gn are closer to the cathode 21 than the light emitting layer 25B that emits blue light, and are provided between the third layer 25B and the cathode 21. Therefore, the first layer 23Rn and the second layer 24Gn need to transport the electrons supplied from the cathode 21 to the third layer 25B that emits blue light. Therefore, in the light emitting layer 20B, the plurality of quantum dots 33Rn included in the first layer 23Rn and the plurality of quantum dots 34Gn included in the second layer 24Gn have N-type semiconductor conduction types among N-type and P-type semiconductors. It has been transformed. As a result, the electrons supplied from the cathode 21 to the light emitting layer 20B via the electron transport layer 22 are supplied to the third layer 25B that emits blue light via the first layer 23Rn and the second layer 24Gn.
  • FIG. 2 is a diagram showing a flowchart of a process of manufacturing the display device 1 according to the embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram showing a state in which the first layer 23R is formed in each of the light emitting element forming regions ARr, ARg, and ARb in the process of manufacturing the display device 1 according to the embodiment.
  • the thin film transistor 10 is formed on the base material 2.
  • the thin film transistor 10 is covered and the insulating layer 16 is formed on the base material 2.
  • the insulating layer 16 can be formed by applying a solution in which an insulating material such as polyimide is dissolved and baking the insulating layer 16. As a result, the array substrate 5 is formed.
  • the cathode 21 is formed on the insulating layer 16. Specifically, for example, a part of the drain electrode 15 is exposed by removing the insulating layer 16 covering a part of the drain electrode 15 in the thin film transistor 10 by ashing or the like. Then, the cathode 21 is formed in a predetermined shape in each of the light emitting element forming regions ARr, ARg, and ARb on the insulating layer 16. As a result, the cathode 21 formed in each of the light emitting element forming regions ARr, ARg, and ARb is electrically connected to the partially exposed drain electrode 15 through the contact hole.
  • the cathode 21 is formed by, for example, a vapor deposition method or a sputtering method.
  • the cathode 21 includes, for example, a metal layer containing Al, Cu, Au, or Ag having a high visible light reflectance, and a conductive layer such as ITO, IZO, ZnO, AZO, BZO, or GZO, which are transparent materials. It can be laminated and structured.
  • the bank 17 is formed on the insulating layer 16.
  • the banks 17 are formed in a grid pattern in the display region so as to expose the surface of the cathode 21 and partition each of the light emitting element forming regions ARr, ARg, and ARb. Further, the bank 17 may be formed so as to cover the edge of the cathode 21 as shown in FIG.
  • the bank 17 is formed by applying an organic material such as polyimide or acrylic on the array substrate 5 and then patterning the bank 17 by a photolithography method.
  • the electron transport layer 22 is formed in the region on the cathode 21 and surrounded by the bank 17 in each of the light emitting device forming regions ARr, ARg, and ARb. do.
  • the electron transport layer 22 may be formed, for example, by applying and baking an inorganic material containing nanoparticles on the cathode 21, or by applying and baking a precursor solution. Further, the electron transport layer 22 can be formed by various methods such as a sputtering method other than coating and baking.
  • the light emitting element forming region ARr, the light emitting element forming region ARg, and the light emitting element forming region ARb are formed.
  • the first layer 23R containing the quantum dots 33R is formed in each (step of forming the first layer).
  • the first layer 23R is formed, but instead of the second layer 23R, a first layer containing quantum dots that emit green light may be formed, or blue light may be emitted.
  • the first layer containing the quantum dots may be formed.
  • a colloidal solution containing quantum dots 33R is applied onto the electron transport layers 22 of each of the light emitting element forming region ARr, the light emitting element forming region ARg, and the light emitting element forming region ARb by an inkjet method or the like. do.
  • the solvent is removed from the applied colloidal solution by baking at about 150 ° C. or lower for about 10 minutes.
  • the first layer 23R containing the quantum dots 33R is formed on the electron transport layer 22 of each of the light emitting element forming region ARr, the light emitting element forming region ARg, and the light emitting element forming region ARb.
  • patterning the first layer 23R by an inkjet method or the like patterning using a photolithography or a thin film deposition method is unnecessary.
  • FIG. 4 shows that in the process of manufacturing the display device 1 according to the embodiment, the first layer of each of the light emitting element forming region of the light emitting element that emits green light and the light emitting element forming region of the light emitting element that emits blue light is not formed. It is a figure which shows the state of luminescence.
  • the first layer 23R in the light emitting element forming region ARg is made non-luminous, and the first layer 23R in the light emitting element forming region ARb is made non-luminous (first layer). Step to make it non-luminous). In the step of making the first layer non-light emitting, the first layer 23R in the light emitting element forming region ARr is not made non-light emitting.
  • a mask 50 formed of a metal material or the like is arranged so as to face the array substrate 5.
  • the mask 50 has an opening formed in a region of the array substrate 5 facing the light emitting element forming region ARg and the light emitting element forming region ARb.
  • the array substrate 5 and the mask 50 arranged so as to face the array substrate 5 may or may not be in contact with each other.
  • by arranging the mask 50 so as not to come into contact with the array substrate 5 damage to the array substrate 5 due to the mask 50 coming into contact with the array substrate 5 and unintended contamination of foreign substances such as metal impurities can be suppressed. Can be done.
  • the mask 50 arranged to face the array substrate 5 and the array substrate 5 is inserted into the chamber of the plasma processing apparatus. Then, the inside of the chamber is evacuated, and a gas that induces plasma is supplied into the chamber.
  • the first layer 23R of the light emitting element forming region ARg and the first layer 23R of the light emitting element forming region ARb which are layers for non-light emitting, are among the layers constituting the light emitting layers 20G / 20B (see FIG. 1).
  • a layer closer to the cathode 21 than a layer that emits light (as shown in FIG. 1, the second layer 24G in the case of the light emitting layer 20G, and the third layer 25B in the case of the light emitting layer 20B). Therefore, it is necessary not only to make the light emission non-luminous, but also to efficiently transport the electrons supplied from the cathode 21 to the light emitting layer among the layers constituting the light emitting layers 20G / 20B (see FIG. 1). ..
  • plasma serving as a donor for the material of the shell of the quantum dot 33R is applied to the quantum dot 33R contained in the first layer 23R of each of the light emitting element forming regions ARg and ARb.
  • the shell material of the quantum dot 33R is a II-VI group compound semiconductor
  • Cl 2 plasma which is a donor to the II-VI group compound semiconductor, is applied to the first layer 23R of each of the light emitting element forming regions ARg and ARb. Irradiate.
  • a gas in which Ar, O 2 and Cl 2 are mixed can be used.
  • a gas of the type used in plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) or RIE (Reactive Ion Etching) such as SiCl 4 may be used.
  • the first layer 23R in the light emitting element forming region ARg is subjected to Cl 2 plasma treatment through the opening of the mask 50 to make it non-luminous, and becomes the first layer 23Rn. That is, by Cl 2 plasma treatment, the quantum dots 33R contained in the first layer 23R in the light emitting device forming region ARg were made non-luminous, and the conduction type of the semiconductor was changed to N-type among N-type and P-type. It becomes a quantum dot 33Rn.
  • the first layer 23R in the light emitting element forming region ARb is subjected to Cl 2 plasma treatment through the opening of the mask 50 to make it non-luminous, and becomes the first layer 23Rn. That is, by Cl 2 plasma treatment, the quantum dots 33R contained in the first layer 23R in the light emitting device forming region ARb were made non-luminous, and the conduction type of the semiconductor was changed to N-type among N-type and P-type. It becomes a quantum dot 33Rn.
  • the first layer 23R of the light emitting element forming region ARg becomes the first layer 23Rn containing the quantum dots 33Rn
  • the first layer 23R of the light emitting element forming region ARb becomes the first layer 23Rn containing the quantum dots 33Rn. ..
  • the first layer 23Rn of the light emitting element forming region ARg can be deluminized and the electrons supplied from the cathode 21 can be efficiently transported to the second layer 24G which is a light emitting layer. Further, the first layer 23Rn of the light emitting element forming region ARb can be deluminized and the electrons supplied from the cathode 21 can be transported to the laminated second layer 24Gn.
  • the thickness of the first layer 23Rn of each of the light emitting element forming regions ARg and ARb is on the order of several tens of nm, it is desirable that the discharge power during Cl 2 plasma treatment is low, and the discharge time is also long. It only takes a short time.
  • the first layer 23Rn of each of the light emitting element forming region ARg and the light emitting element forming region ARb containing the quantum dots 33Rn may contain Cl used for the plasma treatment. Further, the first layer 23R in the light emitting element forming region ARr is not treated with Cl 2 plasma by the mask 50 and is not made non-light emitting.
  • the anode 27 is provided in the lower layer of the first layer of the light emitting element forming region ARg and the first layer of each of the light emitting element forming region ARb, the first layer of the light emitting element forming region ARg and the first layer of the light emitting element forming region ARb and the anode 27 are provided.
  • the conduction type of the semiconductor of the quantum dots included in the first layer of each of the light emitting device forming regions ARb is P-shaped.
  • the first layer of the light emitting element forming region ARg and the first layer of each of the light emitting element forming region ARb can transport holes to the layer that emits light.
  • O 2 plasma treatment or N 2 plasma treatment is used as the plasma treatment for P-type, and O or O or each of the first layer of the light emitting element forming region ARg and the first layer of each of the light emitting element forming region ARb. N may be included.
  • FIG. 5 is a diagram showing a state in which up to the second layer of the light emitting layer is laminated in the process of manufacturing the display device 1 according to the embodiment.
  • the first layer 23Rn in the light emitting element forming region ARr is on the first layer 23R in the light emitting element forming region ARr.
  • the second layer 24G is formed on the first layer 23Rn in the upper layer and the light emitting element forming region ARb (step of forming the second layer).
  • the second layer 24G is formed, but when the first layer contains quantum dots that emit green light, the second layer 24G includes quantum dots that emit red light.
  • a second layer may be formed, or a second layer containing quantum dots that emit blue light may be formed.
  • the array substrate 5 and the mask 50 are taken out from the chamber of the plasma processing apparatus, and the mask 50 arranged to face the array substrate 5 is removed.
  • a colloid containing quantum dots 34G is placed on the first layer 23R of the light emitting element forming region ARr, on the first layer 23Rn of the light emitting element forming region ARg, and on the first layer 23Rn of the light emitting element forming region ARb.
  • the solution is applied by an inkjet method or the like.
  • the solvent is removed from the applied colloidal solution by baking at about 150 ° C. or lower for about 10 minutes.
  • the second layer containing the quantum dots 34G is on the first layer 23R of the light emitting element forming region ARr, on the first layer 23Rn of the light emitting element forming region ARg, and on the first layer 23Rn of the light emitting element forming region ARb.
  • Layer 24G is formed. As described above, by patterning the second layer 24G by an inkjet method or the like, patterning using a photolithography or a thin film deposition method is unnecessary.
  • the second layer 24G in the light emitting element forming region ARb is made non-luminous, and the second layer 24G in the light emitting element forming region ARr is made non-luminous (light emitting). Step of making the second layer non-luminous). In the step of making the second layer non-light emitting, the second layer 24G in the light emitting element forming region ARg is not made non-light emitting.
  • FIG. 6 is a diagram showing a state in which the second layer in the light emitting element forming region of the light emitting element that emits blue light is made non-light emitting in the manufacturing process for manufacturing the display device according to the embodiment.
  • the mask 51 formed of a metal material or the like is arranged so as to face the array substrate 5.
  • the mask 51 has an opening formed in a region of the array substrate 5 facing the light emitting element forming region ARb.
  • the array substrate 5 and the mask 51 arranged so as to face the array substrate 5 may be brought into contact with each other, but may not be brought into contact with each other.
  • the mask 51 arranged to face the array substrate 5 and the array substrate 5 is inserted into the chamber of the plasma processing apparatus. Then, the inside of the chamber is evacuated, and a gas that induces plasma is supplied into the chamber.
  • the second layer 24G of the light emitting element forming region ARb which is a layer that does not emit light
  • the third layer 25B (see FIG. 1), which is a layer that emits light among the layers constituting the light emitting layer 20B (see FIG. 1). It is a layer closer to the cathode 21 than. Therefore, it is necessary not only to make the light non-luminous, but also to efficiently transport the electrons supplied from the cathode 21 to the third layer 25B.
  • plasma serving as a donor to the material of the shell of the quantum dot 34G is applied to the quantum dot 34G contained in the second layer 24G of the light emitting device forming region ARb.
  • the shell material of the quantum dot 34G is a II-VI group compound semiconductor
  • Cl 2 plasma which is a donor to the II-VI group compound semiconductor, is applied to the second layer 24G of the light emitting device forming region ARb.
  • a gas in which Ar, O 2 and Cl 2 are mixed can be used.
  • a gas of the type used in plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) or RIE (Reactive Ion Etching) such as SiCl 4 may be used.
  • the second layer 24G in the light emitting element forming region ARb is subjected to Cl 2 plasma treatment through the opening of the mask 51 to make it non-luminous, and becomes the second layer 24Gn. That is, the quantum dots 34G contained in the second layer 24G in the light emitting device forming region ARb were made non-luminous by Cl 2 plasma treatment, and the conduction type of the semiconductor was changed to N-type among N-type and P-type. It becomes a quantum dot 34Gn. That is, the second layer 24G of the light emitting element forming region ARb becomes the second layer 24Gn containing the quantum dots 34Gn.
  • the second layer 24Gn of the light emitting element forming region ARb can be deluminized and the electrons supplied from the cathode 21 can be efficiently transported to the third layer 25B which is a light emitting layer.
  • the second layer 23G in the light emitting element forming region ARr and the second layer 23G in the light emitting element forming region ARg are not treated with Cl 2 plasma by the mask 51 and are not made non-luminous.
  • the type of gas supplied into the chamber, the conditions for performing Cl 2 plasma treatment, and the like may be the same as the steps for deluminalizing the first layer described with reference to FIG.
  • the second layer 24Gn of the light emitting element forming region ARb may contain Cl used for Cl 2 plasma treatment.
  • the conduction type of the semiconductor of the quantum dot included in the second layer of the light emitting element forming region ARb is made P type.
  • O 2 plasma treatment or N 2 plasma treatment is used as the plasma treatment for P-type formation, and O or N may be contained in the second layer of the light emitting element forming region ARb.
  • FIG. 7 is a diagram showing a state in which the second layer in the light emitting element forming region of the light emitting element that emits red light is made non-light emitting in the process of manufacturing the display device according to the embodiment.
  • the mask 51 and the array substrate 5 are taken out from the chamber of the plasma processing apparatus, replaced with the mask 51, and the mask 52 formed of, for example, a metal material is arranged so as to face the array substrate 5.
  • the mask 52 has an opening formed in a region of the array substrate 5 facing the light emitting element forming region ARr.
  • the array substrate 5 and the mask 51 arranged so as to face the array substrate 5 may or may not be in contact with each other.
  • the mask 52 arranged to face the array substrate 5 and the array substrate 5 is inserted into the chamber of the plasma processing apparatus. Then, the inside of the chamber is evacuated, and a gas that induces plasma is supplied into the chamber.
  • the second layer 24G of the light emitting element forming region ARr which is a non-light emitting layer, has an anode 27 (more than the first layer 23R, which is a light emitting layer among the layers constituting the light emitting layer 20R (see FIG. 1)). It is a layer close to (see FIG. 1). Therefore, it is necessary not only to make the light non-luminous, but also to efficiently transport the holes supplied from the anode 27 to the first layer 23R.
  • the quantum dots 34G contained in the second layer 24G of the light emitting element forming region ARr are the quantum dots 33Rn contained in the first layer 23Rn of the light emitting element forming region ARg, and the first layer 23Rn of the light emitting element forming region ARb.
  • the quantum dots 33Rn contained in the semiconductor and the quantum dots 34Gn contained in the second layer 24Gn of the light emitting device forming region ARb are different from the P type and the N type in the conduction type of the semiconductor. It is made non-luminous.
  • plasma serving as an acceptor for the material of the shell of the quantum dot 34G is applied to the quantum dot 34G contained in the second layer 24G of the light emitting device forming region ARr.
  • the material of the shell of the quantum dot 34G is a II-VI group compound semiconductor
  • N2 plasma serving as an acceptor for the II-VI group compound semiconductor is applied to the second layer 24G of the light emitting device forming region ARr.
  • a gas in which Ar and N 2 are mixed can be used.
  • a gas of the type used in plasma CVD, RIE, etc., such as NH 3 may be used.
  • the second layer 24G in the light emitting element forming region ARr is subjected to N2 plasma treatment through the opening of the mask 52 to make it non-luminous, and becomes the second layer 24Gp. That is, by Cl 2 plasma treatment, the quantum dots 34G contained in the second layer 24G in the light emitting device forming region ARr were made non-luminous, and the conduction type of the semiconductor was made P-type among N-type and P-type. Quantum dots are 34 Gp.
  • the second layer 24G of the light emitting element forming region ARr is the second layer 24Gp containing the quantum dots 34Gp.
  • the second layer 24Gp of the light emitting element forming region ARr can be deluminized and the holes supplied from the anode 27 can be efficiently transported to the first layer 23R, which is a layer that emits light.
  • the second layer 24G in the light emitting element forming region ARg is not subjected to N2 plasma treatment by the mask 52 and is not made non-light emitting.
  • the quantum dots 34G contained in the second layer 24G in the light emitting device forming region ARr can be obtained.
  • Quantum dots 34 Gp that are non-luminous and have a P-type semiconductor conduction type may be used.
  • O 2 plasma treatment for example, instead of a gas in which Ar and N 2 are mixed, a gas in which Ar and O 2 are mixed may be supplied into the chamber.
  • the second layer 24G in the light emitting element forming region ARr may contain N or O used in the N 2 plasma treatment or the O 2 plasma treatment.
  • the conduction type of the semiconductor of the quantum dot included in the second layer of the light emitting device forming region ARr is made N-type.
  • Cl 2 plasma treatment is used as the plasma treatment for N-type formation, and Cl may be contained in the second layer of the light emitting device forming region ARr.
  • FIG. 8 is a diagram showing a state in which up to the third layer of the light emitting layer is laminated in the process of manufacturing the display device 1 according to the embodiment.
  • the second layer 24G in the light emitting element forming region ARr is on the second layer 24Gp, and the second layer 24G in the light emitting element forming region ARg.
  • a third layer 25B containing the quantum dots 35B is formed on the second layer 24Gn in the upper layer and the light emitting element forming region ARb (step of forming the third layer).
  • the third layer 25B is formed, but instead of the third layer 25B, a third layer including quantum dots that emit red light may be formed, or green light may be emitted.
  • a third layer containing quantum dots may be formed.
  • the array substrate 5 and the mask 52 are taken out from the chamber of the plasma processing apparatus, and the mask 52 arranged to face the array substrate 5 is removed.
  • a colloid containing quantum dots 35B is placed on the second layer 24Gp of the light emitting element forming region ARr, on the second layer 24G of the light emitting element forming region ARg, and on the second layer 24Gn of the light emitting element forming region ARb.
  • the solution is applied by an inkjet method or the like.
  • the solvent is removed from the applied colloidal solution by baking at about 150 ° C. or lower for about 10 minutes.
  • the third layer containing the quantum dots 35B is on the second layer 24Gp of the light emitting element forming region ARr, on the second layer 24G of the light emitting element forming region ARg, and on the second layer 24Gn of the light emitting element forming region ARb.
  • Layer 25B is formed. As described above, by patterning the third layer 25B by an inkjet method or the like, patterning using a photolithography or a thin film deposition method is unnecessary.
  • FIG. 9 shows that, in the process of manufacturing the display device according to the embodiment, the third layer of each of the light emitting element forming region of the light emitting element that emits red light and the light emitting element forming region of the light emitting element that emits green light is not emitted. It is a figure which shows the state of becoming.
  • the third layer 25B in the light emitting element forming region ARr is made non-luminous, and the third layer 25G in the light emitting element forming region ARg is made non-luminous (third layer). Step to make it non-luminous).
  • the third layer 25B in the light emitting element forming region ARb is not made non-light emitting.
  • the mask 53 formed of a metal material or the like is arranged so as to face the array substrate 5.
  • an opening is formed in a region facing each of the light emitting element forming region ARr and the light emitting element forming region ARg in the array substrate 5.
  • the array substrate 5 and the mask 53 arranged to face the array substrate 5 may or may not be in contact with each other.
  • the mask 53 arranged to face the array substrate 5 and the array substrate 5 is inserted into the chamber of the plasma processing apparatus. Then, the inside of the chamber is evacuated, and a gas that induces plasma is supplied into the chamber.
  • the third layer 25B of the light emitting element forming region ARr and the third layer 25B of the light emitting element forming region ARg which are layers for non-light emitting, are among the layers constituting the light emitting layers 20R / 20G (see FIG. 1). It is a layer closer to the anode 27 than the light emitting layer (the first layer 23R in the case of the light emitting layer 20R and the second layer 24G in the case of the light emitting layer 20G, as shown in FIG. 1 and the like). Therefore, it is necessary not only to make the light non-luminous, but also to efficiently transport the holes supplied from the anode 27 to the light emitting layer among the layers constituting the light emitting layers 20R / 20G (see FIG. 1). be.
  • plasma serving as an acceptor for the material of the shell of the quantum dot 35B is applied to the quantum dot 35B contained in the third layer 25B of each of the light emitting element forming regions ARr and ARg.
  • the material of the shell of the quantum dot 35B is a II-VI group compound semiconductor
  • N2 plasma serving as an acceptor for the II-VI group compound semiconductor is applied to the third layer 25B of each of the light emitting element forming regions ARr and ARg. Irradiate.
  • the third layer 25B in the light emitting element forming region ARr and the third layer 25B in the light emitting element forming region ARg are each subjected to N2 plasma treatment through the opening of the mask 53 to make them non-luminous, and become the third layer 25Bp.
  • the quantum dots 35B contained in the third layer 25B in the light emitting element forming region ARr and the quantum dots 35B contained in the third layer 25B in the light emitting element forming region ARg by the N2 plasma treatment are respectively.
  • the quantum dot 35Bp is non-luminous and the conduction type of the semiconductor is P-type among N-type and P-type.
  • the third layer 25B of the light emitting element forming region ARr and the third layer 25B of the light emitting element forming region ARg are each the third layer 25Bp containing the quantum dots 35Bp.
  • the third layer 25Bp of the light emitting element forming region ARr and the third layer 25Bp of the light emitting element forming region ARg are each deluminized and emit light from the holes supplied from the anode 27. It can be efficiently transported to the first layer 23R.
  • the third layer 25Bp of each of the light emitting element forming region ARr and the light emitting element forming region ARg may contain N or O used for the N 2 plasma treatment or the O 2 plasma treatment.
  • the conduction type of the quantum dots included in the third layer of the light emitting element forming region ARr and the conduction type of the quantum dots included in the third layer of the light emitting element forming region ARg are each N-shaped. ..
  • Cl 2 plasma treatment is used to make each of the conduction types of the quantum dots N-type, and Cl may be contained in the third layer of each of the light emitting element forming region ARr and the light emitting element forming region ARg. ..
  • the light emitting layer 20R including the first layer 23R, the second layer 24Gp laminated on the first layer 23R, and the third layer 25Bp laminated on the second layer 23Gp. Is completed.
  • a light emitting layer 20G including a first layer 23Rn, a second layer 24G laminated on the first layer 23Rn, and a third layer 25Bp laminated on the second layer 23G is completed. ..
  • a light emitting layer 20B including a first layer 23Rn, a second layer 24Gn laminated on the first layer 23Rn, and a third layer 25B laminated on the second layer 23Gn is completed. ..
  • the hole transport layer 26 may be formed, for example, by applying and baking an inorganic material containing nanoparticles on the third layer 25Bp / 25Bp / 25B, or by applying and baking a precursor solution. May be formed with. Further, the hole transport layer 26 can be formed by various methods such as a sputtering method other than coating and baking.
  • the anode 27 is formed on the bank 17 and as a continuous layer covering each of the hole transport layers 26 by a vapor deposition method, a sputtering method, or the like.
  • the anode 27 is formed, for example, by using a conductive material.
  • the anode 27 is an electrode on the side from which the light emitted from the light emitting layers 20R, 20G, and 20B is taken out, so that it is preferably formed of a transparent material.
  • the material forming the anode 27 include ITO, IZO, ZnO, AZO, BZO, GZO and the like.
  • a light emitting layer 20R in which the first layer 23R, the second layer 24Gp, and the third layer 25Bp are laminated which are a plurality of layers containing a plurality of quantum dots having different average grain diameters
  • a light emitting layer 20G in which the first layer 23Rn, the second layer 24G, and the third layer 25Bp are laminated which are a plurality of layers containing a plurality of quantum dots having different average grain diameters
  • a light emitting layer 20B in which the first layer 23Rn, the second layer 24Gn, and the third layer 25B, which are a plurality of layers having different average grain diameters and containing a plurality of quantum dots, is formed is formed.
  • the second layer 24Gp and the third layer 25Bp other than the first layer 23R that emits red light are non-light emitting, so that the light emitting element 3R including the light emitting layer 20R is red. Light, green light and blue light are not mixed and red light can be emitted.
  • the first layer 23Rn and the third layer 25Bp other than the second layer 24G that emits green light are non-light emitting, so that the light emitting element 3G including the light emitting layer 20G is red. Light, green light and blue light are not mixed and green light can be emitted.
  • the first layer 23Rn and the second layer 24Gn other than the third layer 25B that emits blue light are non-light emitting, so that the light emitting element 3B including the light emitting layer 20B is red. Light, green light and blue light are not mixed and blue light can be emitted.
  • the steps for manufacturing the display device 1 include the step S15 for forming the first layer 23R containing the quantum dots 33R in the light emitting element forming region ARr and the light emitting element forming region ARg, and the light emitting element forming region ARg.
  • a step S16 for forming the first layer 23Rn by non-luminousizing the first layer 23R a step S17 for forming a second layer 24G containing quantum dots 34G in each of the light emitting element forming region ARr and the light emitting element forming region ARg, and light emission. It has a step S18 in which the second layer 24G in the element forming region ARr is made non-luminous to form the second layer 24Gp.
  • the second layer 24Gp does not emit light because it is non-light emitting, and red light is emitted from the first layer 23R. Can be made to emit light. Further, in the light emitting layer 20G formed in the light emitting element forming region ARg, since the first layer 23Rn is non-light emitting, it does not emit light, and green light can be emitted from the second layer 24G.
  • the light emitting layer that emits red light is patterned only on the light emitting element that emits red light, or the light emitting layer that emits green light emits green light by using, for example, separate coating vapor deposition or photolitho. It is possible to simplify the control of the manufacturing process of patterning the light emitting layer as compared with the case of patterning only the light emitting element. As a result, it is possible to obtain a display device 1 in which light emission unevenness and color mixing are suppressed.
  • the first layer 23Rn in the light emitting element forming region ARg is closer to the cathode 21 than the light emitting second layer 24G, so that the light emitting element forming region.
  • the conduction type of the semiconductor of the quantum dot 33Rn contained in the first layer 23Rn in ARg is converted into an N type.
  • the step S18 for making the second layer 24Gp non-luminous since the second layer 24Gp in the light emitting element forming region ARr is closer to the anode 27 than the light emitting first layer 23R, the second layer in the light emitting element forming region ARr.
  • the conduction type of the semiconductor of the quantum dot 34Gp included in 24Gp is P-typed, which is a conduction type different from the N-type quantum dot 33Rn contained in the first layer 23Rn in the light emitting device forming region ARg.
  • the first layer 23Rn can be supplied to the second layer 24G that emits electrons.
  • the second layer 24Gp can be supplied to the first layer 23R that emits holes. As a result, the first layer 23R and the second layer 24G can be efficiently emitted.
  • the first layer 23Rn in the light emitting element forming region ARg is closer to the anode 27 than the light emitting second layer 24G, so that the light emitting element is formed.
  • the conduction type of the semiconductor of the quantum dot included in the first layer in the region ARg is P-shaped.
  • the step S18 for making the second layer non-luminous since the second layer in the light emitting element forming region ARr is closer to the cathode 21 than the first layer that emits light, it is included in the second layer in the light emitting element forming region ARr.
  • the conduction type of the semiconductor of the quantum dot is N-shaped, which is a conduction type different from the P-shaped quantum dot included in the first layer in the light emitting device forming region ARg.
  • the first layer 23R is also formed in the light emitting element forming region ARb
  • the first layer 23R of the light emitting element forming region ARb is also formed. It is deluminized to form the first layer Rn.
  • the second layer 24G is also formed in the light emitting element forming region ARb
  • the step S18 of making the second layer non-light emitting the second layer 24G of the light emitting element forming region ARb is also formed. It is deluminized to form the second layer 24Gn.
  • the manufacturing method of the display device 1 includes a step S19 for forming the third layer 25B including the quantum dots 35B in each of the light emitting element forming regions ARr, ARg, and ARb, and a first step in each of the light emitting element forming regions ARr, ARg, and ARg. It has a step S20 in which the third layer 25B is made non-luminous to form the third layer 35Bp. Thereby, the light emitting layer 20B that emits blue light can be further formed by a simple manufacturing process.
  • the quantum dots contained in the third layer in the light emitting element forming region ARr are N-shaped and included in the third layer in the light emitting element forming region ARg. Quantum dots may be N-shaped.
  • the light emitting layers 20R, 20G, and 20B each have a configuration in which the first layer, the second layer, and the third layer are laminated, including quantum dots having different average grain diameters.
  • the position of the light emitting layer, the position of the layer containing the quantum dot in which the conduction type of the semiconductor of the quantum dot is N-shaped, and the conduction type of the semiconductor of the quantum dot are The pattern of combination with the position of the layer containing the P-shaped quantum dots is whether the light emitted from the emitting layer is absorbed by another layer, to the layer where the carriers (electrons and holes) emit light.
  • the carriers electros and holes
  • FIGS. 10 to 15 the pattern of the combination of the first layer, the second layer, and the third layer of the light emitting layers 20R, 20G, and 20B, respectively, and the carrier injection efficiency and the degree of light absorption will be described.
  • FIG. 10 shows the pattern of the combination of the first layer, the second layer, and the third layer constituting the light emitting layers 20R, 20G, and 20B, respectively, when the light emitting elements 3R, 3G, and 3B have a forward structure, the carrier injection efficiency, and the carrier injection efficiency. It is a figure which shows the degree of light absorption.
  • FIG. 11 shows variations of the first layer, the second layer, and the third layer constituting each of the light emitting layers 20R, 20G, and 20B when the light emitting elements 3R, 3G, and 3B have an inverted structure, carrier injection efficiency, and light absorption. It is a figure showing the degree of.
  • the light emitting elements 3R, 3G, and 3B shown in FIG. 10 have a forward structure
  • the light emitting element 3R for example, the anode 27, the hole transport layer 26, and the first layer of the light emitting layer 20R are arranged in this order on the array substrate 5.
  • the second layer of the light emitting layer 20R, the third layer of the light emitting layer 20R, the electron transport layer 22, and the cathode 21 are laminated.
  • the light emitting element 3G for example, the anode 27, the hole transport layer 26, the first layer of the light emitting layer 20G, the second layer of the light emitting layer 20G, and the third layer of the light emitting layer 20G are placed on the array substrate 5 in this order.
  • the electron transport layer 22 and the cathode 21 are laminated.
  • the anode 27 the hole transport layer 26, the first layer of the light emitting layer 20B, the second layer of the light emitting layer 20B, the third layer of the light emitting layer 20B, and the electron transport are performed on the array substrate 5 in this order.
  • the layer 22 and the cathode 21 are laminated.
  • the light emitting elements 3R, 3G, and 3B have top emissions.
  • the light emitting elements 3R, 3G, and 3B are electrodes in which the cathode 21 takes out light and the anode 27 reflects light among the cathode 21 and the anode 27.
  • the upper layer is closer to the cathode 21 than the light emitting layer (that is, emits electrons).
  • the layer below the light emitting layer is a layer closer to the anode 27 than the light emitting layer (that is, a layer that supplies holes to the light emitting layer).
  • the light emitting elements 3R, 3G, and 3B shown in FIG. 11 have an inverted structure
  • the cathode 21, the electron transport layer 22, and the first layer of the light emitting layer 20R are placed on the array substrate 5 in this order.
  • the second layer of the light emitting layer 20R, the third layer of the light emitting layer 20R, the hole transport layer 26, and the anode 27 are laminated.
  • the light emitting element 3G for example, the cathode 21, the electron transport layer 22, the first layer of the light emitting layer 20G, the second layer of the light emitting layer 20G, and the third layer of the light emitting layer 20G are positive on the array substrate 5, in that order.
  • the hole transport layer 26 and the anode 27 are laminated.
  • the cathode 21, the electron transport layer 22, the first layer of the light emitting layer 20B, the second layer of the light emitting layer 20B, the third layer of the light emitting layer 20B, and the hole transport are performed on the array substrate 5 in this order.
  • the layer 26 and the anode 27 are laminated.
  • the light emitting elements 3R, 3G, and 3B have top emissions.
  • the light emitting elements 3R, 3G, and 3B are electrodes in which the cathode 27 takes out light and the cathode 21 reflects light among the cathode 21 and the anode 27.
  • the upper layer is closer to the anode 27 than the light emitting layer (that is, holes).
  • the layer that supplies the light emitting layer), and the lower layer is a layer closer to the cathode 21 than the light emitting layer (that is, a layer that supplies electrons to the light emitting layer).
  • each of the light emitting layers 20R, 20G, and 20B shows the emission color and conduction type pattern of each of the first layer, the second layer, and the third layer in order from the lower layer to the upper layer.
  • the number “23” represents the first layer
  • the number “24” represents the second layer
  • the number “25” represents the third layer.
  • R means that it contains multiple quantum dots that emit red light if not deluminized
  • G is non-emission. If it is not luminescent, it means that it contains a plurality of quantum dots that emit green light, and "B” means that it contains a plurality of quantum dots that emit blue light if it is not luminescent.
  • n described next to “R", “G” or “B” indicates that a plurality of quantum dots are non-emission and the conduction type of the semiconductor is N-type
  • p Indicates that a plurality of quantum dots are non-emission and the conduction type of the semiconductor is P-type. If “n” or "p” is not described, the plurality of quantum dots are not non-emission. Indicates that it emits light.
  • each of the rows (i) to (xii) constitutes the light emitting layer 20R, 20G, and 20B, respectively.
  • the first layer, the second layer, and the third layer contains a plurality of quantum dots that emit light of the same color if they are not deluminized
  • the first layer, the second layer, and the third layer It represents a variation of the conduction type of a plurality of quantum dots contained in each of the first layer, the second layer, and the third layer in the combination.
  • Column A in FIG. 10 and column D in FIG. 11 represent conduction type variations of a plurality of quantum dots contained in each of the first layer, the second layer, and the third layer constituting the light emitting layer 20R.
  • Column B in FIG. 10 and column E in FIG. 11 represent conduction type variations of a plurality of quantum dots contained in each of the first layer, the second layer, and the third layer constituting the light emitting layer 20G.
  • Column C in FIG. 10 and column F in FIG. 11 represent conduction type variations of a plurality of quantum dots contained in each of the first layer, the second layer, and the third layer constituting the light emitting layer 20B.
  • the first layer 23R of the light emitting layer 20R shown in row A column contains a plurality of quantum dots that emit red light and are not made non-light emitting.
  • the second layer 23Rp of the light emitting layer 20G shown in row B emits red light if it is not non-luminous, but a plurality of non-luminous and P-shaped semiconductor conduction types. Includes quantum dots.
  • the first layer 23Rp of the light emitting layer 20B shown in (i) row C column emits red light if it is not non-luminous, but a plurality of non-luminous and P-shaped semiconductor conduction types. Includes quantum dots.
  • the second layer 24Gn of the light emitting layer 20R shown in row A and column A emits green light if it is not non-emission, but a plurality of non-emission and N-type semiconductor conduction types. Includes quantum dots.
  • the second layer 24G of the light emitting layer 20G shown in (i) row B contains a plurality of quantum dots that emit green light and are not made non-light emitting.
  • the second layer 24Gp of the light emitting layer 20B shown in (i) row C column emits green light if it is not non-emission, but a plurality of non-emission and P-type semiconductor conduction types. Includes quantum dots.
  • the third layer 25Bn of the light emitting layer 20R shown in row A and column A emits blue light if it is not non-emission, but a plurality of non-emission and N-type semiconductor conduction types. Includes quantum dots. Further, (i) the third layer 25Bn of the light emitting layer 20G shown in row B emits blue light if it is not non-emission, but a plurality of non-emission and N-type semiconductor conduction types. Includes quantum dots. Further, the third layer 25B of the light emitting layer 20B shown in (i) row C contains a plurality of quantum dots that emit blue light and are not made non-light emitting.
  • the first layer 23R of the light emitting layer 20R shown in (ii) row A column contains a plurality of non-emission quantum dots that emit red light.
  • the first layer 23Rp of the light emitting layer 20G shown in (ii) row B emits red light if it is not non-luminous, but a plurality of non-luminous and P-shaped semiconductor conduction types. Includes quantum dots.
  • the first layer 23Rp of the light emitting layer 20B shown in (ii) row C column emits red light if it is not non-luminous, but a plurality of non-luminous and P-shaped semiconductor conduction types. Includes quantum dots.
  • the second layer 24Bn of the light emitting layer 20R shown in (ii) row A column emits blue light if it is not non-emission, but a plurality of non-emission and N-type semiconductor conduction types. Includes quantum dots.
  • the second layer 24Bp of the light emitting layer 20G shown in (ii) row B emits blue light if it is not non-luminous, but a plurality of non-luminous and P-shaped semiconductor conduction types. Includes quantum dots.
  • the second layer 24B of the light emitting layer 20B shown in (ii) row C contains a plurality of quantum dots that emit blue light and are not made non-light emitting.
  • the third layer 25Gn of the light emitting layer 20R shown in (ii) row A column emits green light if it is not non-emission, but a plurality of non-emission and N-type semiconductor conduction types. Includes quantum dots.
  • the third layer 25G of the light emitting layer 20G shown in (ii) row B contains a plurality of quantum dots that emit green light and are not made non-light emitting.
  • the third layer 25Gn of the light emitting layer 20B shown in (ii) row C column emits green light if it is not non-emission, but a plurality of non-emission and N-type semiconductor conduction types. Includes quantum dots.
  • the first layer 23 Gp of the light emitting layer 20R shown in row A (iii) emits green light if it is not non-emission, but is non-emission and is a semiconductor.
  • the conduction type contains a plurality of P-shaped quantum dots.
  • the first layer 23G of the light emitting layer 20G shown in row B (iii) includes a plurality of quantum dots that emit green light and are not made non-light emitting.
  • the first layer 23Gp of the light emitting layer 20B shown in row C (iii) emits green light if it is not non-emission, but a plurality of non-emission and P-type semiconductor conduction types. Includes quantum dots.
  • the second layer 24R of the light emitting layer 20R shown in row A (iii) includes a plurality of quantum dots that emit red light and are not made non-light emitting.
  • the second layer 24Rn of the light emitting layer 20G shown in (iii) row B emits red light if it is not non-emission, but a plurality of non-emission and N-type semiconductor conduction types. Includes quantum dots.
  • the second layer 24Rp of the light emitting layer 20B shown in row C (iii) emits red light if it is not non-luminous, but a plurality of non-luminous semiconductor conduction types are P-shaped. Includes quantum dots.
  • the third layer 25Bn of the light emitting layer 20R shown in row A (iii) emits blue light if it is not non-emission, but a plurality of non-emission and N-type semiconductor conduction types. Includes quantum dots. Further, the third layer 25Bn of the light emitting layer 20G shown in row B (iii) emits blue light if it is not non-emission, but a plurality of non-emission and N-type semiconductor conduction types. Includes quantum dots. Further, the third layer 25B of the light emitting layer 20B shown in row C (iii) includes a plurality of quantum dots that emit blue light and are not made non-light emitting.
  • the first layer 23 Gp of the light emitting layer 20R shown in row A (iv) emits green light if it is not non-emission, but is deluminized and is a semiconductor. Contains a plurality of P-shaped quantum dots. Further, the first layer 23G of the light emitting layer 20G shown in row B (iv) includes a plurality of quantum dots that emit green light and are not made non-light emitting. Further, the first layer 23Gp of the light emitting layer 20B shown in row C (iv) emits green light if it is not non-emission, but a plurality of non-emission and P-type semiconductor conduction types. Includes quantum dots.
  • the second layer 24Bp of the light emitting layer 20R shown in row A (iv) emits blue light if it is not non-luminous, but a plurality of non-luminous and P-shaped semiconductor conduction types. Includes quantum dots.
  • the second layer 24Bn of the light emitting layer 20G shown in row B (iv) emits blue light if it is not non-emission, but a plurality of non-emission and N-type semiconductor conduction types. Includes quantum dots.
  • the second layer 24B of the light emitting layer 20B shown in row C (iv) includes a plurality of quantum dots that emit blue light and are not made non-light emitting.
  • the third layer 25R of the light emitting layer 20R shown in row A (iv) includes a plurality of quantum dots that emit red light and are not made non-light emitting.
  • the third layer 25Rn of the light emitting layer 20G shown in (iv) row B emits red light if it is not non-emission, but a plurality of non-emission and N-type semiconductor conduction types. Includes quantum dots.
  • the third layer 25Rn of the light emitting layer 20B shown in row C (iv) emits red light if it is not non-emission, but a plurality of non-emission and N-type semiconductor conduction types. Includes quantum dots.
  • the first layer 23R of the light emitting layer 20R shown in row D (vii) contains a plurality of quantum dots that emit red light and are not deluminized.
  • the first layer 23Rn of the light emitting layer 20G shown in the (vii) row E column emits red light if it is not non-emission, but a plurality of non-emission and N-type semiconductor conduction types. Includes quantum dots.
  • the first layer 23Rn of the light emitting layer 20B shown in the (vii) row F column emits red light if it is not non-emission, but a plurality of non-emission and N-type semiconductor conduction types. Includes quantum dots.
  • the second layer 24Gp of the light emitting layer 20R shown in the (vii) row D column emits green light if it is not non-emission, but a plurality of non-emission and P-type semiconductor conduction types. Includes quantum dots.
  • the second layer 24G of the light emitting layer 20G shown in the (vii) row E column contains a plurality of quantum dots that emit green light and are not made non-light emitting.
  • the second layer 24Gn of the light emitting layer 20B shown in the (vii) row F column emits green light if it is not non-emission, but a plurality of non-emission and N-type semiconductor conduction types. Includes quantum dots.
  • the third layer 25Bp of the light emitting layer 20R shown in the (vii) row D column emits blue light if it is not non-luminous, but is non-luminous, and the conduction type of the semiconductor is P-shaped. Includes quantum dots. Further, the third layer 25Bp of the light emitting layer 20G shown in the (vii) row E column emits blue light if it is not non-emission, but a plurality of non-emission and P-type semiconductor conduction types. Includes quantum dots. Further, the third layer 25B of the light emitting layer 20B shown in row F (vii) includes a plurality of quantum dots that emit blue light and are not made non-light emitting.
  • the first layer 23R of the light emitting layer 20R shown in the (viii) row D column contains a plurality of quantum dots that emit red light and are not made non-light emitting.
  • the first layer 23Rn of the light emitting layer 20G shown in the (viii) row E column emits red light if it is not non-emission, but a plurality of non-emission and N-type semiconductor conduction types. Includes quantum dots.
  • the first layer 23Rn of the light emitting layer 20B shown in the (viii) row F column emits red light if it is not non-emission, but a plurality of non-emission and N-type semiconductor conduction types. Includes quantum dots.
  • the second layer 24Bp of the light emitting layer 20R shown in the (viii) row D column emits blue light if it is not non-emission, but a plurality of non-emission and P-type semiconductor conduction types. Includes quantum dots.
  • the second layer 24Bn of the light emitting layer 20G shown in the (viii) row E column emits blue light if it is not non-emission, but a plurality of non-emission and N-type semiconductor conduction types. Includes quantum dots.
  • the second layer 24B of the light emitting layer 20B shown in the (viii) row F column contains a plurality of quantum dots that emit blue light and are not made non-light emitting.
  • the third layer 25Gp of the light emitting layer 20R shown in the (viii) row D column emits green light if it is not non-emission, but is non-emission, and the conduction type of the semiconductor is P-shaped. Includes quantum dots.
  • the third layer 25G of the light emitting layer 20G shown in the (viii) row E column contains a plurality of quantum dots that emit green light and are not made non-light emitting.
  • the third layer 25Gp of the light emitting layer 20B shown in the (viii) row F column emits green light if it is not non-luminous, but a plurality of non-luminous semiconductor conduction types are P-shaped. Includes quantum dots.
  • FIGS. 10 and 11 the degree of injection efficiency of carriers (electrons and holes) injected into the light emitting layer is shown in the “Injection” column, and “ ⁇ ” is displayed in order from the case where the degree of injection efficiency is good to the case where the degree of injection efficiency is bad. (Injection efficiency is good), " ⁇ " (injection efficiency is next to ⁇ ), and " ⁇ " (injection efficiency is next to ⁇ ).
  • the light emitted from the light emitting layer is difficult to be absorbed by the other layer.
  • the degree of light is " ⁇ " (light is difficult to be absorbed), “ ⁇ ” ( ⁇ is followed by light) in order from the case where light is difficult to be absorbed to the case where light is easily absorbed. (Difficult), " ⁇ " (light is hard to be absorbed next to ⁇ ).
  • the conduction type of the quantum dots contained in the non-luminous layers of the first layer, the second layer, and the third layer of the light emitting layers 20R, 20G, and 20B, respectively, is aligned with the arrangement positions of the cathode 21 and the anode 27, the light emitting layer All 36 types of combinations of the first layer, the second layer, and the third layer of 20R, 20G, and 20B can be adopted.
  • the first layer and the second layer are more suitable. And some variations of the combination of the third layer can be selected.
  • whether or not light is difficult to be absorbed can be determined by the stacking position of the light emitting layer among the first layer, the second layer, and the third layer and the direction of light extraction.
  • the layer that emits red light, the layer that emits green light, and the layer that emits blue light are in that order.
  • the first layer, the second layer, and the third layer constituting the light emitting layer are laminated and light is taken out to the outside of the light emitting element through the electrode on the upper layer, the light is emitted from the layer that emits red light in the lower layer.
  • the energy of red light is smaller than the band gap of the quantum dots contained in each of the layer that emits green light and the layer that emits blue light above the layer that emits red light.
  • the red light can be taken out to the outside of the light emitting element without being absorbed by the quantum dots included in each of the layer that emits green light and the layer that emits blue light.
  • the green light emitted from the layer that emits green light is hardly absorbed by the quantum dots contained in the layer that emits blue light laminated on the layer that emits green light, and the light emitting element. Light can be taken out to the outside of.
  • a layer that emits blue light, a layer that emits green light, and a layer that emits red light are emitted.
  • the first layer, the second layer, and the third layer constituting the light emitting layer are laminated in this order and the light is taken out to the outside of the light emitting element by transmitting the electrode on the upper layer, the blue light of the lower layer is emitted.
  • the energy of the blue light emitted from the layer can be slightly absorbed by the quantum dots contained in each of the layer that emits green light and the layer that emits red light above the layer that emits blue light. There is a possibility that the amount of light when light is taken out to the outside of the light emitting element is slightly reduced.
  • the light absorption is " ⁇ ". Is.
  • the light absorption of the light emitting layer 20R shown in (ii) row A column is " ⁇ "
  • the light absorption of the light emitting layer 20G shown in (ii) row B column is " ⁇ ”
  • (ii) row C column is “ ⁇ ”.
  • the light absorption of the light emitting layer 20B shown in 1 is “ ⁇ ”.
  • the light absorption of the light emitting layer 20R shown in the (iii) row A column is “ ⁇ ”
  • the light absorption of the light emitting layer 20G shown in the (iii) row B column is “ ⁇ ”
  • the light absorption of the light emitting layer 20G is “ ⁇ ”
  • the light absorption of the light emitting layer 20G is “ ⁇ ”
  • the light absorption of the light emitting layer 20G is “ ⁇ ”
  • the light absorption of the light emitting layer 20G is “ ⁇ ”
  • the light absorption of the light emitting layer 20G is “ ⁇ ”
  • the light absorption of the light emitting layer 20G is “ ⁇ ”
  • the (iv) row C column is “ ⁇ ”.
  • the light absorption of the light emitting layer 20B shown in 1 is “ ⁇ ”.
  • the light emitting layers 20R, 20G, and 20B having the laminated structure of any of the following ⁇ Pattern 1> to ⁇ Pattern 4> suppress light absorption.
  • the emitted light can be efficiently taken out to the outside of the light emitting elements 3R, 3G, and 3B.
  • the first layer is the layer containing the quantum dots that emit red light if it is not deluminized, and emits green light if it is not deluminized.
  • the layer containing the quantum dots is the second layer, and the layer containing the quantum dots that emit blue light if it is not deluminized is the third layer.
  • the first layer is a layer containing quantum dots that emit red light if it is not deluminized, and emits blue light if it is not deluminized.
  • the layer containing the quantum dots is the second layer, and the layer containing the quantum dots that emit green light if it is not deluminized is the third layer.
  • the first layer is a layer containing quantum dots that emit green light if it is not deluminized, and emits red light if it is not deluminized.
  • the layer containing the quantum dots is the second layer, and the layer containing the quantum dots that emit blue light if it is not deluminized is the third layer.
  • the first layer is a layer containing quantum dots that emit green light if it is not deluminized, and emits blue light if it is not deluminized.
  • the layer containing the quantum dots is the second layer, and the layer containing the quantum dots that emit red light if it is not deluminized is the third layer.
  • the light absorption is " ⁇ ".
  • the light absorption of the light emitting layer 20R shown in the (viii) row D column is " ⁇ "
  • the light absorption of the light emitting layer 20G shown in the (viii) row E column is " ⁇
  • the light absorption of the light emitting layer 20G is " ⁇ ”.
  • the light absorption of the light emitting layer 20B shown in 1 is “ ⁇ ”.
  • the light emitting layers 20R, 20G, and 20B having a laminated structure of either ⁇ Pattern 5> or ⁇ Pattern 6> below suppress light absorption.
  • the emitted light can be efficiently taken out to the outside of the light emitting elements 3R, 3G, and 3B.
  • the first layer is the layer containing the quantum dots that emit red light if it is not deluminized, and emits green light if it is not deluminized.
  • the layer containing the quantum dots is the second layer, and the layer containing the quantum dots that emit blue light if it is not deluminized is the third layer.
  • the first layer is the layer containing the quantum dots that emit red light if it is not deluminized, and emits blue light if it is not deluminized.
  • the layer containing the quantum dots is the second layer, and the layer containing the quantum dots that emit green light if it is not deluminized is the third layer.
  • FIG. 12 is a diagram showing an energy band in a state in which the first layer, the second layer, and the third layer constituting the light emitting layers 20R, 20G, and 20B shown in FIG. 10 are isolated.
  • FIG. 13 is a diagram showing an energy band in a state in which the first layer, the second layer, and the third layer constituting the light emitting layers 20R, 20G, and 20B shown in FIG. 11 are isolated.
  • the 12 and 13 show the energy bands of the first layer, the second layer, and the third layer, respectively, in a state where the first layer, the second layer, and the third layer are not joined.
  • the upper end represents the conduction band level (CBM)
  • the lower end represents the valence band level (VBM)
  • the broken line represents the Fermi level.
  • the energy bands of the first layer, the second layer, and the third layer in the light emitting layers 20R, 20G, and 20B of each matrix in FIG. 10 are arranged in each matrix from left to right toward the paper.
  • the energy bands of the first layer, the second layer, and the third layer in the light emitting layers 20R, 20G, and 20B of each matrix in FIG. 11 are arranged in each matrix from left to right toward the paper.
  • the energy bands of the first layer 23R, the second layer 24Gn, and the third layer 25Bn of the light emitting layer 20R shown in row A of FIG. 10 are set. , Arranged from left to right toward the paper.
  • the energy bands of the first layer 23Rp, the second layer 24G, and the third layer 25Bn of the light emitting layer 20G described in row B of FIG. 10 are set.
  • the energy bands of the first layer 23Rp, the second layer 24G, and the third layer 25Bn of the light emitting layer 20G shown in row B of FIG. 10 are set.
  • the other matrices in FIG. 12 represent the energy bands of the first layer, the second layer, and the third layer constituting the light emitting layer shown in the corresponding matrix of FIG. 10.
  • the energy bands of the first layer 23R, the second layer 24 Gp, and the third layer 25 Bp of the light emitting layer 20R shown in the (vi) row D column of FIG. 11 are respectively. , Arranged from left to right toward the paper.
  • the energy bands of the first layer 23Rn, the second layer 24G, and the third layer 25Bp of the light emitting layer 20G shown in the (vi) row E column of FIG. 11 are respectively. , Arranged from left to right toward the paper.
  • the energy bands of the first layer 23Rn, the second layer 24Gn, and the third layer 25B of the light emitting layer 20B shown in the (vi) row F column of FIG. 11 are respectively. , Arranged from left to right toward the paper. Similarly, the other matrices in FIG. 13 represent the energy bands of the first layer, the second layer, and the third layer constituting the light emitting layer shown in the corresponding matrix of FIG. 11.
  • FIG. 14 is a diagram showing an energy band in a state where the first layer, the second layer, and the third layer constituting the light emitting layers 20R, 20G, and 20B shown in FIG. 12 are joined.
  • FIG. 15 is a diagram showing an energy band in a state where the first layer, the second layer, and the third layer constituting the light emitting layers 20R, 20G, and 20B shown in FIG. 13 are joined.
  • “ ⁇ ”, “ ⁇ ”, and “ ⁇ ” in the “injection” column shown for each matrix in FIG. 10 are described.
  • FIG. 15 “ ⁇ ”, “ ⁇ ”, and “ ⁇ ” in the “injection” column shown for each matrix in FIG. 11 are described.
  • the energy bands of the first layer, the second layer and the third layer are set to the Fermi level due to thermal equilibrium. Let's get it. As a result, the conduction band and the valence band shift in each energy band.
  • the carrier injection efficiency is determined by the height of the injection barrier when electrons and holes are injected into the light emitting layer of the first layer, the second layer, and the third layer constituting the light emitting layer 20R, 20G, and 20B.
  • a more suitable structure can be determined based on the two points of whether a potential well is formed at the interface between the light emitting layer and the adjacent layer. The lower the injection barrier, the more suitable, and the structure in which no potential well is formed is more suitable.
  • the first layer, the second layer, and the third layer constituting the light emitting layers 20R, 20G, and 20B according to the present embodiment each include quantum dots, and the quantum contained in the layer other than the light emitting layer and the light emitting layer.
  • the dots are non-luminous, and the conduction type of the semiconductor is N-type or P-type.
  • a barrier for confining electrons or holes can be formed in each of the first layer, the second layer, and the third layer constituting the light emitting layers 20R, 20G, and 20B, respectively.
  • This barrier indicates that electrons or holes injected into the light emitting layer from the electrodes facing each other via the light emitting layer are effectively trapped in the layer.
  • the barrier that traps electrons and holes is also formed by the CBM difference, VBM difference, and Fermi level difference between the electron transport layer 22 and the hole transport layer 26 that sandwich the light emitting layer 20R, 20G, and 20B.
  • carriers can be doubly confined in each narrow region of the light emitting layers 20R / 20G / 20B, and the carrier recombination efficiency is enhanced. Is possible.
  • a layer containing quantum dots was formed with a film thickness of 40 nm and inserted into the chamber of the plasma processing apparatus. Then, the discharge electrode is set to 50 W, Cl 2 plasma is generated by supplying a gas in which Ar and Cl 2 are mixed into the chamber, and plasma irradiation is performed for 20 seconds to obtain quantum dots contained in the first layer 23R. 33R was deluminized, and at the same time, an N-type conduction type was obtained.
  • the electron density of the N-shaped quantum dots was about 10 16 cm -3 , and the mobility was about 10 cm 2 / V ⁇ sec. there were.
  • the layer containing the quantum dots was made non-emission by coating a large number of times and plasma treatment, and the thickness was adjusted to about 500 nm.
  • the first layer, the second layer, and the third layer constituting the light emitting layers 20R, 20G, and 20B can be formed.
  • the hole concentration was 7 ⁇ 10 15 to 10 16 cm -3 , and the mobility was 1 cm 2 / V ⁇ sec or less.
  • the carrier concentration is an order of magnitude lower than that of electrons because the impurity levels of nitrogen and oxygen, which are acceptors, are deeper than the energy equivalent to room temperature, and the same tendency was obtained.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing an outline of the light emitting element 3R included in the display device 1 according to the modified example 1.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view showing an outline of the light emitting element 3G included in the display device 1 according to the modified example 1.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing an outline of the light emitting element 3B included in the display device 1 according to the modified example 1.
  • the light emitting layer 20R included in the light emitting element 3R includes a first protective layer 61 provided between the first layer 23R and the second layer 24Gp, and the second layer 24Gp and the third layer 25Bp.
  • a second protective layer 62 provided between the two may be provided.
  • the light emitting layer 20G included in the light emitting element 3G includes a first protective layer 61 provided between the first layer 23Rn and the second layer 24G, and the second layer 24G and the third layer 25Bp.
  • a second protective layer 62 provided between the two may be provided.
  • the light emitting layer 20B included in the light emitting element 3B includes a first protective layer 61 provided between the first layer 23Rn and the second layer 24G, and the second layer 24G and the third layer 25Bp.
  • a second protective layer 62 provided between the two may be provided.
  • the non-luminescence and conduction type control (N-type or P-type) of the quantum dots in the light emitting layers 20R, 20G, and 20B are performed by plasma processing. Therefore, the thickness of the layer that makes the quantum dots non-luminous is determined by the depth at which the charged particles constituting the plasma penetrate into the layer that performs non-luminescence and conduction type control.
  • the protective layer 61 is provided.
  • the protective layer 62 is provided.
  • the first protective layer 61 and the second protective layer 62 can be formed as a continuous layer on the entire surface of the display area by, for example, coating.
  • the first protective layer 61 between the first layer 23Rn and the second layer 24G in the light emitting layer 20G shown in FIG. 16 and the first layer 23Rn and the second layer in the light emitting layer 20B shown in FIG. 17 The first protective layer 61 between 24 Gn may not be formed, but it may be formed depending on the manufacturing process, such as when it is formed on the entire surface of the display area as a continuous layer by coating or the like. Further, for example, the second protective layer 62 between the second layer 23Gp and the third layer 25Bp in the light emitting layer 20R shown in FIG. 15, and the second layer 24Gn and the third layer 25B in the light emitting layer 20B shown in FIG. 17 The second protective layer 62 may not be formed between the two, but may be formed depending on the manufacturing process, such as when the second protective layer 62 is formed as a continuous layer on the entire surface of the display area by coating or the like.
  • the first protective layer 61 and the second protective layer 62 may have a film thickness of, for example, about 5 nm or less. Since the first protective layer 61 and the second protective layer 62 each need to transport electrons or holes, it is preferable that the upper limit of the film thickness is 5 nm, which can be tunneled.
  • the lower limit of the film thickness of the first protective layer 61 and the second protective layer 62 is about 2 nm, which protects the lower layer from plasma irradiation and can be formed as a continuous layer. Therefore, the film thickness of each of the first protective layer 61 and the second protective increase 52 is preferably 2 nm or more and 5 nm or less, respectively. This allows the underlying layer to be adequately protected from plasma treatment and to transport electrons or holes.
  • the first protective layer 61 and the second protective layer 62 are formed by using a material having plasma resistance in order to protect the lower layer from plasma treatment.
  • a material having plasma resistance for example, a resin material such as PVC (polyvinyl chloride), PVP (polyvinylpyrrolidone), (p-) TPD (triphenyldiamine) can be used.
  • FIG. 19 is a diagram showing a flowchart of a process of manufacturing the display device 1 according to the modified example 1.
  • the flowchart shown in FIG. 19 is the same as the flowchart shown in FIG. 2, except that the step S31 for forming the first protective layer and the step S32 for forming the second protective layer are added to the flowchart shown in FIG. The same is true.
  • a method of manufacturing the display device according to the first modification will be described with reference to FIGS. 16 to 19.
  • step S16 in which the first layer 33Rn of each of the light emitting element forming region ARg and the light emitting element forming region ARb is made non-luminous by proceeding from the step S11 to the step S16, and before the step S17 of forming the second layer 24G, for example, for example.
  • 1 Protective layer 61 is formed (step S31).
  • the second layer 24G is formed on the first protective layer 61 in each of the light emitting element forming regions ARr, ARg, and ARb.
  • step S18 the second layer 24G in the light emitting element forming region ARb is made non-luminous by plasma treatment to form the second layer 24Gn, and the second layer 24G in the light emitting element forming region ARr is plasma treated.
  • the second layer 24 Gp is formed by making it non-luminous.
  • the second layer 24G in the light emitting element forming region ARr is not subjected to plasma treatment.
  • the second layer 24 Gp is formed by emitting light, it is possible to prevent the quantum dots 33R contained in the first layer 23R, which is lower than the first protective layer 61, from being plasma-processed and made non-luminous. Can be done.
  • step S18 the second layer 24G in the light emitting element forming region ARb is made non-emission by plasma treatment to form the second layer 24Gn, and the second layer 24G in the light emitting element forming region ARr is not emitted by plasma treatment.
  • the second layer 24Gp in the light emitting element forming region ARr and the second layer 24Gp in the light emitting element forming region ARg are formed.
  • a second protective layer 62 having plasma resistance is formed so as to be laminated on each of the two layers 24G and the second layer 24Gn in the light emitting element forming region ARb (step S32).
  • the third layer 25B is formed on the second protective layer 62 in each of the light emitting element forming regions ARr, ARg, and ARb.
  • step S20 the third layer 25B in the light emitting element forming region ARr is made non-luminous to form the third layer 25Bp, and the third layer 25G in the light emitting element forming region ARg is made non-light emitting.
  • the third layer 25Bp is formed.
  • the third layer 25B in the light emitting element forming region ARg is not formed by plasma treatment.
  • the display device 1 is completed by going through the steps S21 and S22.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view showing an outline of the light emitting element 3R included in the display device 1 according to the modified example 2.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view showing an outline of the light emitting element 3G included in the display device 1 according to the modification 2.
  • the light emitting element 3B included in the display device 1 according to the modification 2 may have the same configuration as the light emitting element 3B described with reference to FIG.
  • the first layer 23R which is a light emitting layer and is not subjected to plasma treatment, may be formed of a film thickness T12 thicker than a predetermined design film thickness T11.
  • the light emitting layer 20R may be formed so that the film thickness of the first layer 23R in the light emitting element forming region ARr is thicker than the predetermined design film thickness T11 in the step of forming the first layer in the step S15 shown in FIG. ..
  • the thick portion 23Ra of the first layer 23R passes through the second layer 24Gp of the upper layer by plasma treatment and is a thick portion. It acts as a sacrificial layer for charged particles that have invaded 23Ra. According to this, it is possible to make it easier for the first layer 23R to emit light with the brightness as designed.
  • the second layer 24G which is a light emitting layer and is not subjected to plasma treatment, may be formed with a film thickness T22 thicker than the predetermined design film thickness T21.
  • the light emitting layer 20G may be formed so that the film thickness of the second layer 24G in the light emitting element forming region ARg is thicker than the predetermined design film thickness T21 in the step of forming the second layer in the step S17 shown in FIG. ..
  • the thick portion 24Ga of the second layer 24G passes through the third layer 25Bp of the upper layer by plasma treatment and is a thick portion. It acts as a sacrificial layer for charged particles that have invaded 24Ga.
  • the film thickness T12 with respect to the design film thickness T11 and the film thickness T22 with respect to the design film thickness T21 are preferably about 1.2 times (1.1 to 1.4 times). In this way, by intentionally making the film thickness 20% thicker than the design film thicknesses T11 and T21, it is possible to absorb fluctuations in which the irradiation conditions of the plasma treatment cannot be controlled. That is, the first layer 23R and the second layer 24G can be made to emit light more stably and with the brightness as designed.
  • the film thicknesses of the thick portion 23Ra and the thick portion 24Ga are thicker than those of the first protective layer 61 and the second protective layer 62 shown in FIGS. 16 to 18. This is because the thick portion 23Ra is a part of the first layer 23R including the quantum dots 33R, so that there is a gap between the quantum dots 33R, and the thick portion 24Ga is a part of the second layer 24G including the quantum dots 34G. There is a gap between the quantum dots 34G. Therefore, by making the film thicknesses of the thick portion 23Ra and the thick portion 24Ga thicker than those of the first protective layer 61 and the second protective layer 62 shown in FIGS. 16 to 18, the charged particles when plasma-treated can be obtained. It is possible to suppress intrusion through the gaps between the quantum dots 33R or the quantum dots 34G.
  • the first protective layer 61 and the second protective layer 62 shown in FIGS. 16 to 18 are dense polymers containing no quantum dots. Therefore, the first protective layer 61 and the second protective layer 62 more reliably suppress the invasion of charged particles during plasma treatment even if the film thickness is thinner than that of the thick portion 23Ra and the thick portion 24Ga. be able to. As a result, for this reason, the first protective layer 61 and the second protective layer 62 can more reliably protect the lower layer from the plasma treatment even if the film thickness is thinner than that of the thick portion 23Ra and the thick portion 24Ga. ..

Abstract

表示装置の製造方法は、発光素子を形成領域である第１領域および第２領域それぞれに、第１量子ドットを含む第１層を形成する工程と、前記第２領域における前記第１層を非発光化する工程と、前記第１領域および前記第２領域それぞれに、第２量子ドットを含む第２層を形成する工程と、前記第１領域における前記第２層を非発光化する工程と、を含む。

Description

表示装置の製造方法、および、表示装置
　本開示は、表示装置の製造方法、および、表示装置に関する。
　特許文献１には、量子ドットが含有された、第１色発光層、第２色発光層および第３色発光層それぞれを、フォトリソグラフィ法を用いて、順に、パターニングしていくエレクトロルミネッセンス素子の製造方法が開示されている。
特開２００９－８７７６０号公報
　量子ドットを含む複数種類の色の光を発光する発光層を、発光色毎に、画素にパターニングする場合、パターニングするプロセス制御が難しく、発光ムラが発生したり、混色が発生したりしやすい。本開示の一態様は、発光ムラおよび混色の発生を抑制した、表示装置の製造方法、および、表示装置を得る。
　本開示の一態様に係る表示装置の製造方法は、発光素子を形成領域である第１領域および第２領域それぞれに、第１量子ドットを含む第１層を形成する工程と、前記第２領域における前記第１層を非発光化する工程と、前記第１領域および前記第２領域それぞれに、第２量子ドットを含む第２層を形成する工程と、前記第１領域における前記第２層を非発光化する工程と、を含む。
　本開示の一態様に係る表示装置は、第１発光素子、および、第２発光素子を備え、前記第１発光素子、および、前記第２発光素子は、それぞれ、第１量子ドットを含む第１層と、前記第１層に積層され、第２量子ドットを含む第２層と、を含み、前記第２発光素子における前記第１層は非発光化されており、前記第１発光素子における前記第２層は非発光化されている。
実施形態に係る表示装置１の概略構成を表す断面図である。 実施形態に係る表示装置を製造する工程のフローチャートを表す図である。 実施形態に係る表示装置を製造する工程のうち、各発光素子形成領域それぞれに第１層を形成した様子を表す図である。 実施形態に係る表示装置を製造する工程のうち、緑色光を発光する発光素子の発光素子形成領域および青色光を発光する発光素子の発光素子形成領域それぞれの第１層を非発光化している様子を表す図である。 実施形態に係る表示装置を製造する工程のうち、発光層における第２層までを積層した様子を表す図である。 実施形態に係る表示装置を製造する製造工程のうち、青色光を発光する発光素子の発光素子形成領域における第２層を非発光化している様子を表す図である。 実施形態に係る表示装置を製造する工程のうち、赤色光を発光する発光素子の発光素子形成領域における第２層を非発光化している様子を表す図である。 実施形態に係る表示装置を製造する工程のうち、発光層における第３層までを積層した様子を表す図である。 実施形態に係る表示装置を製造する工程のうち、赤色光を発光する発光素子の発光素子形成領域および緑色光を発光する発光素子の発光素子形成領域それぞれの第３層を非発光化している様子を表す図である。 発光素子が順構造の場合の各発光層それぞれを構成する第１層、第２層および第３層の組み合わせのパターンと、キャリア注入効率と、光吸収の程度とを表す図である。 発光素子が逆構造の場合の各発光層それぞれを構成する第１層、第２層および第３層のバリエーションと、キャリア注入効率と、光吸収の程度とを表す図である。 図１０に示した各発光層それぞれを構成する第１層、第２層および第３層を孤立させた状態のエネルギーバンドを表す図である。 図１１に示した各発光層それぞれを構成する第１層、第２層および第３層を孤立させた状態のエネルギーバンドを表す図である。 図１２に示す各発光層それぞれを構成する第１層、第２層および第３層を接合させた状態のエネルギーバンドを表す図である。 図１３に示す各発光層それぞれを構成する第１層、第２層および第３層を接合させた状態のエネルギーバンドを表す図である。 変形例１に係る表示装置が備える赤色光を出射する発光素子の概略を表す断面図である。 変形例１に係る表示装置が備える緑色光を出射する発光素子の概略を表す断面図である。 変形例１に係る表示装置が備える青色光を出射する発光素子の概略を表す断面図である。 変形例１に係る表示装置を製造する工程のフローチャートを表す図である。 変形例２に係る表示装置が備える赤色光を出射する発光素子の概略を表す断面図である。 変形例２に係る表示装置が備える緑色光を出射する発光素子の概略を表す断面図である。
　〔実施形態〕
　図１は、実施形態に係る表示装置１の概略構成を表す断面図である。表示装置１は、例えば、テレビまたはスマートフォンに用いられているディスプレイなど、各種のディスプレイに用いることができる。
　表示装置１は、例えば、アレイ基板５上に設けられた複数の発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂおよびバンク１７を有する。例えば、発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂは、１つの画素を構成している。なお、表示装置１には、例えば、複数の画素がマトリクス状に設けられ画像を表示する表示領域と、表示領域の周囲を囲む額縁領域とが設けられている。なお、表示装置１は、発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂを覆う封止層を有していてもよい。封止層は、例えば、無機絶縁材料を用いて形成される無機層と、樹脂などの有機絶縁材料を用いて形成される有機層とが積層された構造とすることができる。無機層を形成するための無機絶縁材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、または酸窒化シリコンなどを挙げることができる。また、有機層を形成するための有機絶縁材料としては、例えば、アクリルまたはポリイミドなどを挙げることができる。
　発光素子（第１発光素子）３Ｒは、例えば、赤色光（第１色光）を出射する。発光素子（第２発光素子、第１発光素子）３Ｇは、赤色光よりもピーク波長が短い緑色光（第２色光、第１色光）を出射する。発光素子（第３発光素子、第２発光素子）３Ｂは、緑色光よりもピーク波長が短い青色光（第３色光、第２色光）を出射する。なお、表示装置１が有する複数の発光素子の発光色は、赤色、緑色、および青色に限定されず、何れか２色であってもよいし、黄色など他の色をさらに含んでもよい。
　なお、赤色光とは、例えば、６００ｎｍより大きく７８０ｎｍ以下の波長帯域にピーク波長を有する光である。また、緑色光とは、例えば、５００ｎｍより大きく６００ｎｍ以下の波長帯域にピーク波長を有する光である。また、青色光とは、例えば、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長帯域にピーク波長を有する光である。
　また、アレイ基板５上に設けられた絶縁性のバンク１７により区画された領域に、発光素子３Ｂ・３Ｇ・３Ｒが形成されている。
　アレイ基板５は、基材２と、複数の発光素子３Ｂ・３Ｇ・３Ｒ毎に設けられた複数の薄膜トランジスタ１０と、複数の薄膜トランジスタ１０を覆う絶縁層１６とを含む。
　基材２は、例えば、樹脂層を含むことで柔軟性を有していてもよいし、ガラスなどを含む硬質な基板であってもよい。基材２が有する樹脂層は、例えば、ポリイミドなどを用いて形成することができる。また、基材２は、樹脂層上またはガラス基板上に設けられた無機絶縁層を含んでもよい。無機絶縁層は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、または酸窒化シリコンなどを用いて形成される。
　複数の薄膜トランジスタ１０は、発光素子３Ｂ・３Ｇ・３Ｒと接続されており、発光素子３Ｂ・３Ｇ・３Ｒの発光と非発光とを切り換えるスイッチング素子である。複数の薄膜トランジスタ１０それぞれは、例えば、ゲート電極１１と、ゲート電極１１を覆うゲート絶縁層１２と、ゲート絶縁層１２上に設けられた半導体層１３と、半導体層１３上に設けられたソース電極１４およびドレイン電極１５とを有する。
　ゲート電極１１、ソース電極１４およびドレイン電極１５は、例えば、銅またはチタンなどの金属材料を用いて形成される。ゲート絶縁層１２は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、または酸窒化シリコンなどの無機絶縁材料を用いて形成される。半導体層１３は、例えば、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム添加酸化亜鉛）、ＡＺＯ（アルミニウム添加酸化亜鉛）、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３などを用いて形成される。
　絶縁層１６は、複数の薄膜トランジスタ１０を覆って基材２上に設けられている。絶縁層１６は、例えば、アクリルまたはポリイミドなどの絶縁性の樹脂材料を用いて形成される。なお、絶縁層１６は、無機絶縁層を含んでもよい。無機絶縁層は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、または酸窒化シリコンなどの無機絶縁材料を用いて形成される。
　発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂは、絶縁層１６上に設けられている。なお、発光素子３Ｒを形成する領域（図１では発光素子３Ｒが形成されている領域）を発光素子形成領域（第１領域）ＡＲｒと称する。また、発光素子３Ｇを形成する領域（図１では発光素子３Ｇが形成されている領域）を発光素子形成領域（第２領域、第１領域）ＡＲｇと称する。また、発光素子３Ｂを形成する領域（図１では発光素子３Ｂが形成されている領域）を発光素子形成領域（第３領域、第２領域）ＡＲｂと称する。なお、発光素子形成領域ＡＲｒ、発光素子形成領域ＡＲｇ、および、発光素子形成領域ＡＲｂは、それぞれ互いに重畳しない。
　例えば、発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂは、それぞれ、いわゆる逆構造である。すなわち、例えば、発光素子３Ｒは、アレイ基板５上に設けられた陰極２１と、陰極２１と重なる電子輸送層２２と、電子輸送層２２と重なる発光層２０Ｒと、発光層２０Ｒと重なる正孔輸送層２６と、正孔輸送層２６と重なる陽極２７とを有する。また、例えば、発光素子３Ｇは、アレイ基板５上に設けられた陰極２１と、陰極２１と重なる電子輸送層２２と、電子輸送層２２と重なる発光層２０Ｇと、発光層２０Ｇと重なる正孔輸送層２６と、正孔輸送層２６と重なる陽極２７とを有する。また、例えば、発光素子３Ｂは、アレイ基板５上に設けられた陰極２１と、陰極２１と重なる電子輸送層２２と、電子輸送層２２と重なる発光層２０Ｂと、発光層２０Ｂと重なる正孔輸送層２６と、正孔輸送層２６と重なる陽極２７とを有する。
　一例として、発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂは、発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂから発光された光が、陰極２１で反射し、正孔輸送層２６および陽極２７を透過して、発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂから外部へ出射する、いわゆるトップエミッションであるものとする。すなわち、例えば、陰極２１および陽極２７のうち、陰極２１は、発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂから発光された光を反射する電極であり、陽極２７は、発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂから発光された光を取り出す電極、すなわち可視光を透過する電極である。
　なお、発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂは、発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂから発光された光が、陽極２７で反射し、電子輸送層２２、陰極２１、陽極２７およびアレイ基板５を透過して、発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂから外部へ出射する、いわゆるボトムエミッションであってもよい。ボトムエミッションの場合、陰極２１および陽極２７のうち、陰極２１は、発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂから発光された光を取り出す電極であり、陽極２７は、発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂから発光された光を反射する電極となる。
　また、発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂそれぞれの積層構造は上述した構造に限定されず、陰極２１と陽極２７との間に他の層を有していてもよい。例えば、発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂそれぞれは、陰極２１と電子輸送層２２との間に電子注入層を有していてもよく、陽極２７と正孔輸送層２６との間に正孔注入層を有していてもよい。
　また、発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂは、いわゆる順構造であってもよい。順構造の場合の積層順は逆構造の場合の積層順とは逆になる。すなわち、例えば、順構造の場合、発光素子３Ｒは、アレイ基板５上に陽極２７が積層され、陽極２７上に正孔輸送層２６が積層され、正孔輸送層２６上に発光層２０Ｒが積層され、発光層２０Ｒ上に電子輸送層２２が積層され、電子輸送層２２上に陰極２１が積層される。また、例えば、順構造の場合、発光素子３Ｇは、アレイ基板５上に陽極２７が積層され、陽極２７上に正孔輸送層２６が積層され、正孔輸送層２６上に発光層２０Ｇが積層され、発光層２０Ｇ上に電子輸送層２２が積層され、電子輸送層２２上に陰極２１が積層される。また、例えば、順構造の場合、発光素子３Ｂは、アレイ基板５上に陽極２７が積層され、陽極２７上に正孔輸送層２６が積層され、正孔輸送層２６上に発光層２０Ｂが積層され、発光層２０Ｂ上に電子輸送層２２が積層され、電子輸送層２２上に陰極２１が積層される。
　順構造の場合、陰極２１および陽極２７のうち、陰極２１は、発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂから発光された光を取り出す電極、すなわち、可視光を透過する電極であり、陽極２７は、発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂから発光された光を反射する電極である。
　バンク１７は、発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂそれぞれの間に設けられており、発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂそれぞれを分離する。バンク１７は、例えば、ポリイミド、アクリルなどの有機材料を用いて形成される。例えば、バンク１７は、陰極２１のエッジを覆うように形成される。これにより、例えば、バンク１７は、陰極２１のエッジカバーとしても機能し、陰極２１それぞれのエッジ部分で過度な電界が生じることを抑制できる。
　発光素子３Ｒにおいて、陰極２１は、発光層２０Ｒに電子を供給するための電極であり、陽極２７は、正孔を発光層２０Ｒに供給するための電極である。発光素子３Ｇにおいて、陰極２１は、発光層２０Ｇに電子を供給するための電極であり、陽極２７は、正孔を発光層２０Ｇに供給するための電極である。発光素子３Ｂにおいて、陰極２１は、発光層２０Ｂに電子を供給するための電極であり、陽極２７は、正孔を発光層２０Ｂに供給するための電極である。
　また、発光素子３Ｒにおいて、電子輸送層２２は発光層２０Ｒへ電子を輸送し、正孔輸送層２６は発光層２０Ｒへ正孔を輸送する。発光素子３Ｇにおいて、電子輸送層２２は発光層２０Ｇへ電子を輸送し、正孔輸送層２６は発光層２０Ｇへ正孔を輸送する。発光素子３Ｂにおいて、電子輸送層２２は発光層２０Ｂへ電子を輸送し、正孔輸送層２６は発光層２０Ｂへ正孔を輸送する。
　陰極２１は、例えば、効率よく電子輸送層２２へ電子を供給するために、なるべく小さい仕事関数を有する、金属材料または導電性の透明半導体材料を用いて形成される。陰極２１を形成するための金属材料としてはＡｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）Ｍｇ（マグネシウム）などを挙げることができる。陰極２１を形成するための透明半導体材料としてはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＺＡＯ（アルミニウム添加酸化亜鉛）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）などを挙げることができる。
　電子輸送層２２は、例えば、電子を輸送するため無機半導体材料または有機半導体材料を用いて形成される。電子輸送層２２は、透明であることが好ましい。無機半導体材料としては、例えば、ＺｎＯ、または、ＴｉＯ２（酸化チタン）などの金属酸化物、または、発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂより広いバンドギャップを持つＩＩ－ＶＩ化合物系半導体を挙げることができる。
　正孔輸送層２６は、例えば、正孔を輸送するための無機半導体材料または有機半導体材料を用いて形成される。正孔輸送層２６は、透明であることが好ましい。正孔輸送層２６に使用される無機半導体材料の具体例としては、例えば、ＮｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＬａＮｉＯ３、ＭｏＯ３、ＷＯ３などが挙げられる。
　陽極２７は、陰極２１と対向するように設けられている。陽極２７は、例えば、導電性を有する導電性材料からなる。そして、陽極２７は、透明であることが好ましい。透明な導電性材料としては、具体的には、例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＳｎＯ２（酸化スズ）、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化スズ）などを挙げることができる。
　発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂはそれぞれ、多層構造である。発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂはそれぞれ、多層構造のうち、少なくとも１層は発光する層である。
　発光層２０Ｒは、例えば、電子輸送層２２に積層された第１層２３Ｒと、第１層２３Ｒに積層された第２層２４Ｇｐと、第２層２４Ｇｐに積層された第３層２５Ｂｐとを含む。
　発光層２０Ｒにおける１層２３Ｒは、赤色光を発光する半導体ナノ粒子などである複数の量子ドット（第１量子ドット）３３Ｒを含む。発光層２０Ｒにおける第２層２４Ｇｐは、緑色光を発光する半導体ナノ粒子などである複数の量子ドット（第１量子ドット、第２量子ドット）３４Ｇが非発光化され半導体の伝導型がＰ型化された複数の量子ドット（第１量子ドット、第２量子ドット）３４Ｇｐを含む。発光層２０Ｒにおける第３層２５Ｂｐは、青色光を発光する半導体ナノ粒子などである複数の量子ドット（第２量子ドット、第３量子ドット）３５Ｂが非発光化され半導体の伝導型がＰ型化された複数の量子ドット（第２量子ドット、第３量子ドット）３５Ｂｐを含む。
　発光層２０Ｇは、例えば、電子輸送層２２に積層された第１層２３Ｒｎと、第１層２３Ｒｎに積層された第２層２４Ｇと、第２層２４Ｇに積層された第３層２５Ｂｐとを含む。
　発光層２０Ｇにおける第１層２３Ｒｎは、赤色光を発光する半導体ナノ粒子などである複数の量子ドット（第１量子ドット）３３Ｒが非発光化され半導体の伝導型がＮ型化された複数の量子ドット（第１量子ドット）３３Ｒｎを含む。発光層２０Ｇにおける第２層２４Ｇは、緑色光を発光する半導体ナノ粒子などである複数の量子ドット（第１量子ドット、第２量子ドット）３４Ｇを含む。発光層２０Ｇにおける第３層２５Ｂｐは、青色光を発光する半導体ナノ粒子などである複数の量子ドット（第２量子ドット、第３量子ドット）３５Ｂが非発光化され半導体の伝導型がＰ型化された複数の量子ドット（第２量子ドット、第３量子ドット）３５Ｂｐを含む。
　発光層２０Ｂは、例えば、電子輸送層２２に積層された第１層２３Ｒｎと、第１層２３Ｒｎに積層された第２層２４Ｇｎと、第２層２４Ｇｎに積層された第３層２５Ｂとを含む。
　発光層２０Ｂにおける第１層２３Ｒｎは、赤色光を発光する半導体ナノ粒子などである複数の量子ドット（第１量子ドット）３３Ｒが非発光化され半導体の伝導型がＮ型化された複数の量子ドット（第１量子ドット）３３Ｒｎを含む。発光層２０Ｂにおける第２層２４Ｇｎは、緑色光を発光する半導体ナノ粒子などである複数の量子ドット（第１量子ドット、第２量子ドット）３４Ｇが非発光化され半導体の伝導型がＮ型化された複数の量子ドット（第１量子ドット、第２量子ドット）３４Ｇｎを含む。発光層２０Ｂにおける第３層２５Ｂは、青色光を発光する半導体ナノ粒子などである複数の量子ドット（第２量子ドット、第３量子ドット）３５Ｂを含む。
　量子ドット３３Ｒ・３４Ｇ・３５Ｂは、それぞれ、価電子帯上端（（ＶＢＭ：valence band）、イオン化ポテンシャルに等しい）と伝導帯下端（（ＣＢＭ：conduction band）、電子親和力に等しい）とを有し、価電子帯準位の正孔と伝導帯準位の電子との再結合により発光する発光材料である。量子ドット３３Ｒ・３４Ｇ・３５Ｂからの発光は、量子閉じ込め効果によって狭いスペクトルを有する。
　量子ドット３３Ｒ・３４Ｇ・３５Ｂは、当該技術分野で一般的に用いられる材料を採用することができ、例えば、ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体またはＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体を用いて形成することができる。ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体としては、例えば、ＣｄＳｅ、ＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＳｅ、ＩＩＩ―Ｖ族化合物半導体としては、例えば、ＩｎＰやＩｎＮなどを挙げることができる。量子ドット３３Ｒ・３４Ｇ・３５Ｂは、それぞれ、コアとコアの周囲を覆うシェルとを備えた、いわゆるコアシェル構造であってもよい。
　量子ドット３３Ｒｎ・３３Ｒｐは、量子ドット３３Ｒと、同じ材料（例えば、ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体またはＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体）で形成され、同じ構造（例えば、いわゆるコアシェル構造）を有する。ただし、量子ドット３３Ｒｎは、量子ドット３３Ｒが非発光化され半導体の伝導型がＮ型化されている点が量子ドット３３Ｒとは異なる。また、量子ドット３３Ｒｐは、量子ドット３３Ｒが非発光化され半導体の伝導型がＰ型化されている点が量子ドット３３Ｒとは異なる。
　量子ドット３４Ｇｎ・３４Ｇｐは、それぞれ、量子ドット３４Ｇと、同じ材料（例えば、ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体またはＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体）で形成され、同じ構造（例えば、いわゆるコアシェル構造）を有する。ただし、量子ドット３４Ｇｎは、量子ドット３４Ｇが非発光化され半導体の伝導型がＮ型化されている点が量子ドット３４Ｇとは異なる。また、量子ドット３４Ｇｐは、量子ドット３４Ｇが非発光化され半導体の伝導型がＰ型化されている点が量子ドット３４Ｇとは異なる。
　量子ドット３５Ｂｎ・３５Ｂｐは、それぞれ、量子ドット３５Ｂと、同じ材料（例えば、ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体またはＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体）で形成され、同じ構造（例えば、いわゆるコアシェル構造）を有する。ただし、量子ドット３５Ｂｎは、量子ドット３５Ｂが非発光化され半導体の伝導型がＮ型化されている点が量子ドット３５Ｂとは異なる。また、量子ドット３５Ｂｐは、量子ドット３５Ｂが非発光化され半導体の伝導型がＰ型化されている点が量子ドット３５Ｂとは異なる。
　発光層２０Ｒにおいて、第１層２３Ｒに含まれる複数の量子ドット３３Ｒと、第２層２４Ｇｐに含まれる複数の量子ドット３４Ｇｐと、第３層２５Ｂｐに含まれる複数の量子ドット３５Ｂｐとは、それぞれ、異なる種類の半導体材料を用いて形成されてもよいし、同じ種類の半導体材料を用いて形成されてもよい。発光層２０Ｒにおいて、第１層２３Ｒに含まれる複数の量子ドット３３Ｒと、第２層２４Ｇｐに含まれる複数の量子ドット３４Ｇｐと、第３層２５Ｂｐに含まれる複数の量子ドット３５Ｂｐとが同じ種類の半導体材料を用いて形成されている場合、第１層２３Ｒに含まれる複数の量子ドット３３Ｒの平均粒経よりも、第２層２４Ｇｐに含まれる複数の量子ドット３４Ｇｐの平均粒経の方が小さく、第２層２４Ｇｐに含まれる複数の量子ドット３４Ｇｐの平均粒経よりも、第３層２５Ｂｐに含まれる複数の量子ドット３５Ｂｐの平均粒経の方が小さい。
　発光層２０Ｇにおいて、第１層２３Ｒｎに含まれる複数の量子ドット３３Ｒｎと、第２層２４Ｇに含まれる複数の量子ドット３４Ｇと、第３層２５Ｂｐに含まれる複数の量子ドット３５Ｂｐとは、それぞれ、異なる種類の半導体材料を用いて形成されてもよいし、同じ種類の半導体材料を用いて形成されてもよい。発光層２０Ｇにおいて、第１層２３Ｒｎに含まれる複数の量子ドット３３Ｒｎと、第２層２４Ｇに含まれる複数の量子ドット３４Ｇと、第３層２５Ｂｐに含まれる複数の量子ドット３５Ｂｐとが同じ種類の半導体材料を用いて形成されている場合、第１層２３Ｒｎに含まれる複数の量子ドット３３Ｒｎの平均粒経よりも、第２層２４Ｇに含まれる複数の量子ドット３４Ｇの平均粒経の方が小さく、第２層２４Ｇに含まれる複数の量子ドット３４Ｇの平均粒経よりも、第３層２５Ｂｐに含まれる複数の量子ドット３５Ｂｐの平均粒経の方が小さい。
　発光層２０Ｂにおいて、第１層２３Ｒｎに含まれる複数の量子ドット３３Ｒｎと、第２層２４Ｇｎに含まれる複数の量子ドット３４Ｇｎと、第３層２５Ｂに含まれる複数の量子ドット３５Ｂとは、それぞれ、異なる種類の半導体材料を用いて形成されてもよいし、同じ種類の半導体材料を用いて形成されてもよい。発光層２０Ｂにおいて、第１層２３Ｒｎに含まれる複数の量子ドット３３Ｒｎと、第２層２４Ｇｎに含まれる複数の量子ドット３４Ｇｎと、第３層２５Ｂに含まれる複数の量子ドット３５Ｂとが同じ種類の半導体材料を用いて形成されている場合、第１層２３Ｒｎに含まれる複数の量子ドット３３Ｒｎの平均粒経よりも、第２層２４Ｇｎに含まれる複数の量子ドット３４Ｇｎの平均粒経の方が小さく、第２層２４Ｇｎに含まれる複数の量子ドット３４Ｇｎの平均粒経よりも、第３層２５Ｂに含まれる複数の量子ドット３５Ｂの平均粒経の方が小さい。
　発光層２０Ｒにおいて、第２層２４Ｇｐおよび第３層２５Ｂｐは、赤色光を発光する第１層２３Ｒよりも陽極２７に近く、第１層２３Ｒと陽極２７との間に設けられている。このため、第２層２４Ｇｐおよび第３層２５Ｂｐは、陽極２７から供給された正孔を、赤色光を発光する第１層２３Ｒへ輸送する必要がある。このため、発光層２０Ｒにおいて、第２層２４Ｇｐに含まれる複数の量子ドット３４Ｇｐおよび第３層２５Ｂに含まれる複数の量子ドット３４Ｂｐは、それぞれ、半導体の伝導型が、Ｎ型およびＰ型のうちＰ型化されている。これにより、発光素子３Ｒにおいて、陽極２７から正孔輸送層２６を介して発光層２０Ｒへ供給された正孔は、第３層２５Ｂｐおよび第２層２４Ｇｐを経て、赤色光を発光する第１層２４Ｒへ供給される。
　発光層２０Ｇにおいて、第１層２３Ｒｎは、緑色光を発光する第２層２４Ｇよりも陰極２１に近く、第２層２４Ｇと陰極２１との間に設けられている。このため、第１層２３Ｒｎは、陰極２１から供給された電子を、緑色光を発光する第２層２４Ｇへ輸送する必要がある。このため、発光層２０Ｇにおいて、第１層２３Ｒｎに含まれる複数の量子ドット３３Ｒｎは、半導体の伝導型が、Ｎ型およびＰ型のうちＮ型化されている。これにより、発光素子３Ｇにおいて、陰極２１から電子輸送層２２を介して発光層２０Ｇへ供給された電子は、第１層２３Ｒｎを経て、緑色光を発光する第２層２４Ｇへ供給される。
　また、発光層２０Ｇにおいて、第３層２５Ｂｐは、緑色光を発光する第２層２４Ｇよりも陽極２７に近く、第２層２４Ｇと陽極２７との間に設けられている。このため、第３層２５Ｂｐは、陽極２７から供給された正孔を、緑色光を発光する第２層２４Ｇへ輸送する必要がある。このため、発光層２０Ｇにおいて、第３層２５Ｂｐに含まれる複数の量子ドット３５Ｂｐは、半導体の伝導型が、Ｎ型およびＰ型のうちＰ型化されている。これにより、発光素子３Ｇにおいて、陽極２７から正孔輸送層２６を介して発光層２０Ｇへ供給された電子は、第３層２５Ｂｐを経て、緑色光を発光する第２層２４Ｇへ供給される。
　発光層２０Ｂにおいて、第１層２３Ｒｎおよび第２層２４Ｇｎは、青色光を発光する発光層２５Ｂよりも陰極２１に近く、第３層２５Ｂと陰極２１との間に設けられている。このため、第１層２３Ｒｎおよび第２層２４Ｇｎは、陰極２１から供給された電子を、青色光を発光する第３層２５Ｂへ輸送する必要がある。このため、発光層２０Ｂにおいて、第１層２３Ｒｎに含まれる複数の量子ドット３３Ｒｎおよび第２層２４Ｇｎに含まれる複数の量子ドット３４Ｇｎは、半導体の伝導型が、Ｎ型およびＰ型のうちＮ型化されている。これにより、陰極２１から電子輸送層２２を介して発光層２０Ｂへ供給された電子は、第１層２３Ｒｎおよび第２層２４Ｇｎを経て、青色光を発光する第３層２５Ｂへ供給される。
　次に、図１～図８を用いて、表示装置１を製造する工程について説明する。図２は、実施形態に係る表示装置１を製造する工程のフローチャートを表す図である。図３は、実施形態に係る表示装置１を製造する工程のうち、発光素子形成領域ＡＲｒ・ＡＲｇ・ＡＲｂそれぞれに第１層２３Ｒを形成した様子を表す図である。
　図２の工程Ｓ１１、および、図３に示すように、基材２上に薄膜トランジスタ１０を形成する。次いで、薄膜トランジスタ１０を覆って、基材２上に絶縁層１６を形成する。絶縁層１６は、例えば、ポリイミドなどの絶縁材料を溶解した溶液を塗布して、ベークすることにより形成することができる。これにより、アレイ基板５が形成される。
　そして、図２の工程Ｓ１２および図３に示すように、絶縁層１６上に陰極２１を形成する。具体的には、例えば、薄膜トランジスタ１０におけるドレイン電極１５の一部を覆う絶縁層１６をアッシングなどにより除去することで、ドレイン電極１５の一部を露出させる。そして、絶縁層１６上における、発光素子形成領域ＡＲｒ・ＡＲｇ・ＡＲｂそれぞれに、所定の形状に陰極２１を形成する。これにより、発光素子形成領域ＡＲｒ・ＡＲｇ・ＡＲｂそれぞれに形成された陰極２１は、一部が露出していたドレイン電極１５とコンタクトホールを通して電気的に接続される。陰極２１は、例えば、蒸着法またはスパッタ法などを用いて形成される。
　陰極２１は、例えば、可視光の反射率の高いＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ、またはＡｇ等を含む金属層と、透明材料であるＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＡＺＯ、ＢＺＯ、またはＧＺＯ等の導電層とを積層して構造することができる。
　次に、図２の工程Ｓ１３および図３に示すように、バンク１７を、絶縁層１６上に形成する。バンク１７は、陰極２１の表面を露出させ、発光素子形成領域ＡＲｒ・ＡＲｇ・ＡＲｂそれぞれを区画するように、表示領域に格子状に形成される。また、バンク１７は、図３に示すように、陰極２１のエッジを覆うように形成されてもよい。バンク１７は、例えば、ポリイミド、または、アクリルなどの有機材料をアレイ基板５上に塗布した後に、フォトリソグラフィ法によってパターニングすることにより形成される。
　次に、図２の工程Ｓ１４および図３に示すように、発光素子形成領域ＡＲｒ・ＡＲｇ・ＡＲｂそれぞれにおける、陰極２１上であってバンク１７に囲まれた領域内に、電子輸送層２２を形成する。電子輸送層２２は、例えば、陰極２１上に、ナノ粒子を含有する無機材料を塗布およびベークすることで形成してもよいし、前駆体溶液を塗布およびベークすることで形成してもよい。また、電子輸送層２２は、塗布およびベーク以外にも、スパッタ法など種々の方法を用いて形成することができる。
　そして、図２の工程Ｓ１５および図３に示すように、電子輸送層２２上のバンク１７に囲まれた領域内であって、発光素子形成領域ＡＲｒ、発光素子形成領域ＡＲｇおよび発光素子形成領域ＡＲｂそれぞれに、量子ドット３３Ｒを含有する第１層２３Ｒを形成する（第１層を形成する工程）。本実施形態では、一例として、第１層２３Ｒを形成するが、第２層２３Ｒに換えて、緑色光を発光する量子ドットを含む第１層を形成してもよいし、青色光を発光する量子ドットを含む第１層を形成してもよい。
　具体的には、例えば、発光素子形成領域ＡＲｒ、発光素子形成領域ＡＲｇ、および、発光素子形成領域ＡＲｂそれぞれの電子輸送層２２上に、量子ドット３３Ｒを含有するコロイド溶液を、インクジェット法などにより塗布する。
　そして、コロイド溶液を塗布した後、例えば、１５０℃以下程度で１０分ほどベークすることで、塗布したコロイド溶液から溶媒を除去する。これにより、発光素子形成領域ＡＲｒ、発光素子形成領域ＡＲｇ、および、発光素子形成領域ＡＲｂそれぞれの電子輸送層２２上に、量子ドット３３Ｒを含有する第１層２３Ｒが形成される。このように、第１層２３Ｒをインクジェット法などによりパターニングすることで、フォトリソグラフィまたは蒸着法などを用いたパターニングは不要である。
　図４は、実施形態に係る表示装置１を製造する工程のうち、緑色光を発光する発光素子の発光素子形成領域および青色光を発光する発光素子の発光素子形成領域それぞれの第１層を非発光化している様子を表す図である。
　次に、図２の工程Ｓ１６および図４に示すように、発光素子形成領域ＡＲｇにおける第１層２３Ｒを非発光化し、発光素子形成領域ＡＲｂにおける第１層２３Ｒを非発光化する（第１層を非発光化する工程）。なお、第１層を非発光化する工程においては、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第１層２３Ｒは非発光化しない。
　具体的には、例えば金属材料などにより形成されたマスク５０を、アレイ基板５に対向させて配置する。マスク５０には、アレイ基板５における発光素子形成領域ＡＲｇおよび発光素子形成領域ＡＲｂに対向する領域に開口部が形成されている。なお、アレイ基板５と、アレイ基板５に対向させて配置されたマスク５０とは、接触してもしなくてもよい。ただし、マスク５０をアレイ基板５に接触しないように配置することで、マスク５０がアレイ基板５へ接触することによるアレイ基板５の損傷、および、金属不純物などの意図しない異物の混入を抑制することができる。
　そして、アレイ基板５およびアレイ基板５に対向して配置されたマスク５０を、プラズマ処理装置のチャンバー内に挿入する。そして、チャンバー内を真空引きし、チャンバー内にプラズマを誘起するガスを供給する。
　ここで、非発光化する層である、発光素子形成領域ＡＲｇの第１層２３Ｒおよび発光素子形成領域ＡＲｂの第１層２３Ｒは、発光層２０Ｇ・２０Ｂ（図１参照）を構成する各層のうち、発光する層（図１などに示すように、発光層２０Ｇの場合は第２層２４Ｇ、発光層２０Ｂの場合は第３層２５Ｂ）よりも陰極２１に近い層である。このため、非発光化されるだけではなく、陰極２１から供給された電子を、発光層２０Ｇ・２０Ｂ（図１参照）を構成する各層のうち、発光する層へ、効率よく輸送する必要がある。
　そこで、例えば、量子ドット３３Ｒのシェルの材料に対してドナーとなるプラズマを、発光素子形成領域ＡＲｇ・ＡＲｂそれぞれの第１層２３Ｒに含有された量子ドット３３Ｒに照射する。例えば、量子ドット３３Ｒのシェルの材料がＩＩ－ＶＩ族化合物半導体の場合、ＩＩ‐ＶＩ族化合物半導体に対してドナーとなるＣｌ２プラズマを、発光素子形成領域ＡＲｇ・ＡＲｂそれぞれの第１層２３Ｒに照射する。
　真空引きされたチャンバー内に供給するガスとしては、例えばＡｒとＯ２およびＣｌ２を混合させたガスを用いることができる。また、Ｃｌ２源として、ＳｉＣｌ４など、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）またはＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等で使用される種類のガスを用いてもよい。
　これにより、発光素子形成領域ＡＲｇにおける第１層２３Ｒは、マスク５０の開口部を通してＣｌ２プラズマ処理がされて非発光化し、第１層２３Ｒｎとなる。すなわち、Ｃｌ２プラズマ処理により、発光素子形成領域ＡＲｇにおける第１層２３Ｒに含有されていた量子ドット３３Ｒは、非発光化し、かつ、半導体の伝導型がＮ型およびＰ型のうちＮ型化した量子ドット３３Ｒｎとなる。
　また、発光素子形成領域ＡＲｂにおける第１層２３Ｒは、マスク５０の開口部を通してＣｌ２プラズマ処理がされて非発光化し、第１層２３Ｒｎとなる。すなわち、Ｃｌ２プラズマ処理により、発光素子形成領域ＡＲｂにおける第１層２３Ｒに含有されていた量子ドット３３Ｒは、非発光化し、かつ、半導体の伝導型がＮ型およびＰ型のうちＮ型化した量子ドット３３Ｒｎとなる。
　すなわち、発光素子形成領域ＡＲｇの第１層２３Ｒは、量子ドット３３Ｒｎを含有する第１層２３Ｒｎとなり、発光素子形成領域ＡＲｂの第１層２３Ｒは、量子ドット３３Ｒｎを含有する第１層２３Ｒｎとなる。
　これにより、発光素子形成領域ＡＲｇの第１層２３Ｒｎは、非発光化され、かつ、陰極２１から供給される電子を、発光する層である第２層２４Ｇへ効率よく輸送することができる。また、発光素子形成領域ＡＲｂの第１層２３Ｒｎは、非発光化され、かつ、陰極２１から供給される電子を、積層される第２層２４Ｇｎへ輸送することができる。
　なお、例えば、発光素子形成領域ＡＲｇ・ＡＲｂそれぞれの第１層２３Ｒｎの厚さは、数十ｎｍのオーダーであることから、Ｃｌ２プラズマ処理の際の放電電力は低いことが望ましく、放電時間も短時間でよい。なお、量子ドット３３Ｒｎを含有する発光素子形成領域ＡＲｇおよび発光素子形成領域ＡＲｂそれぞれの第１層２３Ｒｎには、プラズマ処理に用いられたＣｌが含まれてもよい。また、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第１層２３Ｒはマスク５０によりＣｌ２プラズマ処理がされずに非発光化しない。
　また、順構造の場合は、発光素子形成領域ＡＲｇの第１層および発光素子形成領域ＡＲｂそれぞれの第１層の下層に陽極２７が設けられているため、発光素子形成領域ＡＲｇの第１層および発光素子形成領域ＡＲｂそれぞれの第１層に含まれる量子ドットの半導体の伝導型をＰ型化する。これにより、発光素子形成領域ＡＲｇの第１層および発光素子形成領域ＡＲｂそれぞれの第１層は、正孔を、発光する層へ輸送することができる。なお、この場合、Ｐ型化するためのプラズマ処理としてＯ２プラズマ処理またはＮ２プラズマ処理が用いられ、発光素子形成領域ＡＲｇの第１層および発光素子形成領域ＡＲｂそれぞれの第１層にＯまたはＮが含まれていてもよい。
　図５は、実施形態に係る表示装置１を製造する工程のうち、発光層における第２層までを積層した様子を表す図である。
　次に、図２の工程Ｓ１７および図５に示すように、バンク１７に囲まれた領域内であって、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第１層２３Ｒ上、発光素子形成領域ＡＲｇにおける第１層２３Ｒｎ上および発光素子形成領域ＡＲｂにおける第１層２３Ｒｎ上に、第２層２４Ｇを形成する（第２層を形成する工程）。本実施形態では、一例として、第２層２４Ｇを形成するが、第１層に緑色光を発光する量子ドットを含む場合では、第２層２４Ｇに換えて、赤色光を発光する量子ドットを含む第２層を形成してもよいし、青色光を発光する量子ドットを含む第２層を形成してもよい。
　具体的には、アレイ基板５およびマスク５０をプラズマ処理装置のチャンバーから取り出し、アレイ基板５と対向して配置されたマスク５０を取り外す。
　そして、例えば、発光素子形成領域ＡＲｒの第１層２３Ｒ上、発光素子形成領域ＡＲｇの第１層２３Ｒｎ上、および、発光素子形成領域ＡＲｂの第１層２３Ｒｎ上に、量子ドット３４Ｇを含有するコロイド溶液を、インクジェット法などにより塗布する。
　そして、コロイド溶液を塗布した後、例えば、１５０℃以下程度で１０分ほどベークすることで、塗布したコロイド溶液から溶媒を除去する。これにより、発光素子形成領域ＡＲｒの第１層２３Ｒ上、発光素子形成領域ＡＲｇの第１層２３Ｒｎ上、および、発光素子形成領域ＡＲｂの第１層２３Ｒｎ上に、量子ドット３４Ｇを含有する第２層２４Ｇが形成される。このように、第２層２４Ｇをインクジェット法などによりパターニングすることで、フォトリソグラフィまたは蒸着法などを用いたパターニングは不要である。
　次に、図２の工程Ｓ１８、図６および図７に示すように、発光素子形成領域ＡＲｂにおける第２層２４Ｇを非発光化し、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第２層２４Ｇを非発光化する（第２層を非発光化する工程）。なお、第２層を非発光化する工程においては、発光素子形成領域ＡＲｇにおける第２層２４Ｇは非発光化しない。
　まず、図６を用いて、第２層を非発光化する工程のうち、発光素子形成領域ＡＲｂにおける第２層２４Ｇを非発光化する工程について説明する。図６は、実施形態に係る表示装置を製造する製造工程のうち、青色光を発光する発光素子の発光素子形成領域における第２層を非発光化している様子を表す図である。
　例えば、金属材料などにより形成されたマスク５１を、アレイ基板５に対向させて配置する。マスク５１には、アレイ基板５における発光素子形成領域ＡＲｂに対向する領域に開口部が形成されている。なお、アレイ基板５と、アレイ基板５に対向させて配置されたマスク５１とは、接触させてもよいが、接触させなくてもよい。
　そして、アレイ基板５およびアレイ基板５に対向して配置されたマスク５１を、プラズマ処理装置のチャンバー内に挿入する。そして、チャンバー内を真空引きし、チャンバー内にプラズマを誘起するガスを供給する。
　ここで、非発光化する層である発光素子形成領域ＡＲｂの第２層２４Ｇは、発光層２０Ｂ（図１参照）を構成する各層のうち発光する層である第３層２５Ｂ（図１参照）よりも陰極２１に近い層である。このため、非発光化されるだけではなく、陰極２１から供給された電子を、第３層２５Ｂへ、効率よく輸送する必要がある。
　そこで、例えば、量子ドット３４Ｇのシェルの材料に対してドナーとなるプラズマを、発光素子形成領域ＡＲｂの第２層２４Ｇに含有された量子ドット３４Ｇに照射する。例えば、量子ドット３４Ｇのシェルの材料がＩＩ－ＶＩ族化合物半導体の場合、ＩＩ‐ＶＩ族化合物半導体に対してドナーとなるＣｌ２プラズマを、発光素子形成領域ＡＲｂの第２層２４Ｇに照射する。
　真空引きされたチャンバー内に供給するガスとしては、例えばＡｒとＯ２およびＣｌ２を混合させたガスを用いることができる。また、Ｃｌ２源として、ＳｉＣｌ４など、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）またはＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等で使用される種類のガスを用いてもよい。
　これにより、発光素子形成領域ＡＲｂにおける第２層２４Ｇは、マスク５１の開口部を通してＣｌ２プラズマ処理がされて非発光化し、第２層２４Ｇｎとなる。すなわち、Ｃｌ２プラズマ処理により、発光素子形成領域ＡＲｂにおける第２層２４Ｇに含有されていた量子ドット３４Ｇは、非発光化し、かつ、半導体の伝導型がＮ型およびＰ型のうちＮ型化した量子ドット３４Ｇｎとなる。すなわち、発光素子形成領域ＡＲｂの第２層２４Ｇは、量子ドット３４Ｇｎを含有する第２層２４Ｇｎとなる。
　これにより、発光素子形成領域ＡＲｂの第２層２４Ｇｎは、非発光化され、かつ、陰極２１から供給される電子を、発光する層である第３層２５Ｂへ効率よく輸送することができる。
　なお、本工程では、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第２層２３Ｇおよび発光素子形成領域ＡＲｇにおける第２層２３Ｇは、マスク５１によりＣｌ２プラズマ処理がされずに非発光化しない。
　また、チャンバー内に供給するガスの種類およびＣｌ２プラズマ処理を行う条件などは、図４を用いて説明した、第１層を非発光化する工程と同じであってもよい。なお、発光素子形成領域ＡＲｂの第２層２４Ｇｎには、Ｃｌ２プラズマ処理に用いられたＣｌが含まれていてもよい。
　なお、順構造の場合は、発光素子形成領域ＡＲｂの第２層に含まれる量子ドットの半導体の伝導型をＰ型化する。この場合、Ｐ型化するためのプラズマ処理としてＯ２プラズマ処理またはＮ２プラズマ処理が用いられ、発光素子形成領域ＡＲｂの第２層にＯまたはＮが含まれていてもよい。
　次に、図７を用いて、第２層を非発光化する工程のうち、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第２層２４Ｇを非発光化する工程について説明する。図７は、実施形態に係る表示装置を製造する工程のうち、赤色光を発光する発光素子の発光素子形成領域における第２層を非発光化している様子を表す図である。
　次に、マスク５１およびアレイ基板５をプラズマ処理装置のチャンバーから取り出し、マスク５１に換えて、例えば金属材料などにより形成されたマスク５２を、アレイ基板５に対向させて配置する。マスク５２には、アレイ基板５における発光素子形成領域ＡＲｒに対向する領域に開口部が形成されている。なお、アレイ基板５と、アレイ基板５に対向させて配置されたマスク５１とは、接触してもしなくてもよい。
　そして、アレイ基板５およびアレイ基板５に対向して配置されたマスク５２を、プラズマ処理装置のチャンバー内に挿入する。そして、チャンバー内を真空引きし、チャンバー内にプラズマを誘起するガスを供給する。
　ここで、非発光化する層である発光素子形成領域ＡＲｒの第２層２４Ｇは、発光層２０Ｒ（図１参照）を構成する各層のうち発光する層である第１層２３Ｒよりも陽極２７（図１参照）に近い層である。このため、非発光化されるだけではなく、陽極２７から供給された正孔を、第１層２３Ｒへ、効率よく輸送する必要がある。
　このため、発光素子形成領域ＡＲｒの第２層２４Ｇに含有される量子ドット３４Ｇは、発光素子形成領域ＡＲｇの第１層２３Ｒｎに含有される量子ドット３３Ｒｎ、発光素子形成領域ＡＲｂの第１層２３Ｒｎに含有される量子ドット３３Ｒｎ、および、発光素子形成領域ＡＲｂの第２層２４Ｇｎに含有される量子ドット３４Ｇｎとは、半導体の伝導型が、Ｐ型およびＮ型のうち異なる型となるように、非発光化される。
　例えば、量子ドット３４Ｇのシェルの材料に対してアクセプタとなるプラズマを、発光素子形成領域ＡＲｒの第２層２４Ｇに含有された量子ドット３４Ｇに照射する。例えば、量子ドット３４Ｇのシェルの材料がＩＩ－ＶＩ族化合物半導体の場合、ＩＩ‐ＶＩ族化合物半導体に対してアクセプタとなるＮ２プラズマを、発光素子形成領域ＡＲｒの第２層２４Ｇに照射する。
　真空引きされたチャンバー内に供給するガスとしては、例えば、例えばＡｒとＮ２を混合させたガスを用いることができる。また、Ｎ２源として、ＮＨ３など、プラズマＣＶＤまたはＲＩＥ等で使用される種類のガスを用いてもよい。
　これにより、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第２層２４Ｇは、マスク５２の開口部を通してＮ２プラズマ処理がされて非発光化し、第２層２４Ｇｐとなる。すなわち、Ｃｌ２プラズマ処理により、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第２層２４Ｇに含有されていた量子ドット３４Ｇは、非発光化し、かつ、半導体の伝導型がＮ型およびＰ型のうちＰ型化した量子ドット３４Ｇｐとなる。
　すなわち、発光素子形成領域ＡＲｒの第２層２４Ｇは、量子ドット３４Ｇｐを含有する第２層２４Ｇｐとなる。
　これにより、発光素子形成領域ＡＲｒの第２層２４Ｇｐは、非発光化され、かつ、陽極２７から供給される正孔を、発光する層である第１層２３Ｒへ効率よく輸送することができる。
　なお、発光素子形成領域ＡＲｇにおける第２層２４Ｇはマスク５２によりＮ２プラズマ処理がされずに非発光化しない。
　また、Ｎ２プラズマ処理に換えて、ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体に対してアクセプタとなるＯ２プラズマ処理を行うことで、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第２層２４Ｇに含有されていた量子ドット３４Ｇを、非発光化しかつ半導体の伝導型がＰ型化した量子ドット３４Ｇｐとしてもよい。Ｏ２プラズマ処理を行う場合、例えば、ＡｒとＮ２を混合させたガスに換えて、例えばＡｒとＯ２を混合させたガスをチャンバー内に供給すればよい。なお、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第２層２４Ｇに、Ｎ２プラズマ処理またはＯ２プラズマ処理で用いられたＮまたはＯが含まれていてもよい。
　なお、順構造の場合は、発光素子形成領域ＡＲｒの第２層に含まれる量子ドットの半導体の伝導型をＮ型化する。この場合、Ｎ型化するためのプラズマ処理としてＣｌ２プラズマ処理が用いられ、発光素子形成領域ＡＲｒの第２層にＣｌが含まれていてもよい。
　図８は、実施形態に係る表示装置１を製造する工程のうち、発光層における第３層までを積層した様子を表す図である。
　次に、図２の工程Ｓ１９および図８に示すように、バンク１７に囲まれた領域内であって、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第２層２４Ｇｐ上、発光素子形成領域ＡＲｇにおける第２層２４Ｇ上および発光素子形成領域ＡＲｂにおける第２層２４Ｇｎ上に、量子ドット３５Ｂを含有する第３層２５Ｂを形成する（第３層を形成する工程）。本実施形態では、一例として、第３層２５Ｂを形成するが、第３層２５Ｂに換えて、赤色光を発光する量子ドットを含む第３層を形成してもよいし、緑色光を発光する量子ドットを含む第３層を形成してもよい。
　具体的には、アレイ基板５およびマスク５２をプラズマ処理装置のチャンバーから取り出し、アレイ基板５と対向して配置されたマスク５２を取り外す。
　そして、例えば、発光素子形成領域ＡＲｒの第２層２４Ｇｐ上、発光素子形成領域ＡＲｇの第２層２４Ｇ上、および、発光素子形成領域ＡＲｂの第２層２４Ｇｎ上に、量子ドット３５Ｂを含有するコロイド溶液を、インクジェット法などにより塗布する。
　そして、コロイド溶液を塗布した後、例えば、１５０℃以下程度で１０分ほどベークすることで、塗布したコロイド溶液から溶媒を除去する。これにより、発光素子形成領域ＡＲｒの第２層２４Ｇｐ上、発光素子形成領域ＡＲｇの第２層２４Ｇ上、および、発光素子形成領域ＡＲｂの第２層２４Ｇｎ上に、量子ドット３５Ｂを含有する第３層２５Ｂが形成される。このように、第３層２５Ｂをインクジェット法などによりパターニングすることで、フォトリソグラフィまたは蒸着法などを用いたパターニングは不要である。
　図９は、実施形態に係る表示装置を製造する工程のうち、赤色光を発光する発光素子の発光素子形成領域および緑色光を発光する発光素子の発光素子形成領域それぞれの第３層を非発光化している様子を表す図である。
　次に、図２の工程Ｓ２０および図９に示すように、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第３層２５Ｂを非発光化し、発光素子形成領域ＡＲｇにおける第３層２５Ｇを非発光化する（第３層を非発光化する工程）。なお、発光素子形成領域ＡＲｂにおける第３層２５Ｂは非発光化しない。
　例えば、金属材料などにより形成されたマスク５３を、アレイ基板５に対向させて配置する。マスク５３には、アレイ基板５における発光素子形成領域ＡＲｒおよび発光素子形成領域ＡＲｇそれぞれに対向する領域に開口部が形成されている。なお、アレイ基板５と、アレイ基板５に対向させて配置されたマスク５３とは、接触してもしなくてもよい。
　そして、アレイ基板５およびアレイ基板５に対向して配置されたマスク５３を、プラズマ処理装置のチャンバー内に挿入する。そして、チャンバー内を真空引きし、チャンバー内にプラズマを誘起するガスを供給する。
　ここで、非発光化する層である、発光素子形成領域ＡＲｒの第３層２５Ｂおよび発光素子形成領域ＡＲｇの第３層２５Ｂは、発光層２０Ｒ・２０Ｇ（図１参照）を構成する各層のうち、発光する層（図１などに示すように、発光層２０Ｒの場合は第１層２３Ｒ、発光層２０Ｇの場合は第２層２４Ｇ）よりも陽極２７に近い層である。このため、非発光化されるだけではなく、陽極２７から供給された正孔を、発光層２０Ｒ・２０Ｇ（図１参照）を構成する各層のうち、発光する層へ、効率よく輸送する必要がある。
　そこで、例えば、量子ドット３５Ｂのシェルの材料に対してアクセプタとなるプラズマを、発光素子形成領域ＡＲｒ・ＡＲｇそれぞれの第３層２５Ｂに含有された量子ドット３５Ｂに照射する。例えば、量子ドット３５Ｂのシェルの材料がＩＩ－ＶＩ族化合物半導体の場合、ＩＩ‐ＶＩ族化合物半導体に対してアクセプタとなるＮ２プラズマを、発光素子形成領域ＡＲｒ・ＡＲｇそれぞれの第３層２５Ｂに照射する。
　これにより、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第３層２５Ｂおよび発光素子形成領域ＡＲｇにおける第３層２５Ｂは、それぞれ、マスク５３の開口部を通してＮ２プラズマ処理がされて非発光化し、第３層２５Ｂｐとなる。すなわち、Ｎ２プラズマ処理により、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第３層２５Ｂに含有されていた量子ドット３５Ｂ、および、発光素子形成領域ＡＲｇにおける第３層２５Ｂに含有されていた量子ドット３５Ｂは、それぞれ、非発光化し、かつ、半導体の伝導型がＮ型およびＰ型のうちＰ型化した量子ドット３５Ｂｐとなる。
　すなわち、発光素子形成領域ＡＲｒの第３層２５Ｂ、および、発光素子形成領域ＡＲｇの第３層２５Ｂは、それぞれ、量子ドット３５Ｂｐを含有する第３層２５Ｂｐとなる。
　これにより、発光素子形成領域ＡＲｒの第３層２５Ｂｐ、および、発光素子形成領域ＡＲｇの第３層２５Ｂｐは、それぞれ、非発光化され、かつ、陽極２７から供給される正孔を、発光する層である第１層２３Ｒへ効率よく輸送することができる。なお、発光素子形成領域ＡＲｒおよび発光素子形成領域ＡＲｇそれぞれの第３層２５Ｂｐに、Ｎ２プラズマ処理またはＯ２プラズマ処理に用いられたＮまたはＯが含まれていてもよい。
　なお、順構造の場合、発光素子形成領域ＡＲｒの第３層に含まれる量子ドットの伝導型、および、発光素子形成領域ＡＲｇの第３層に含まれる量子ドットの伝導型それぞれをＮ型化する。この場合、量子ドットの伝導型それぞれをＮ型化するためにＣｌ２プラズマ処理が用いられ、発光素子形成領域ＡＲｒおよび発光素子形成領域ＡＲｇそれぞれの第３層に、Ｃｌが含まれていてもよい。
　このようにして、発光素子形成領域ＡＲｒにおいて、第１層２３Ｒと、第１層２３Ｒに積層された第２層２４Ｇｐと、第２層２３Ｇｐに積層された第３層２５Ｂｐとを含む発光層２０Ｒが完成する。また、発光素子形成領域ＡＲｇにおいて、第１層２３Ｒｎと、第１層２３Ｒｎに積層された第２層２４Ｇと、第２層２３Ｇに積層された第３層２５Ｂｐとを含む発光層２０Ｇが完成する。また、発光素子形成領域ＡＲｂにおいて、第１層２３Ｒｎと、第１層２３Ｒｎに積層された第２層２４Ｇｎと、第２層２３Ｇｎに積層された第３層２５Ｂとを含む発光層２０Ｂが完成する。
　次に、図２の工程Ｓ２１および図１に示すように、発光素子形成領域ＡＲｒの第３層２５Ｂｐ上、発光素子形成領域ＡＲｇの第３層２５Ｂｐ上および発光素子形成領域ＡＲｂの第３層２５Ｂ上であってバンク１７に囲まれた領域内に、正孔輸送層２６を形成する。
　正孔輸送層２６は、例えば、第３層２５Ｂｐ・２５Ｂｐ・２５Ｂ上に、ナノ粒子を含有する無機材料を塗布およびベークすることで形成してもよいし、前駆体溶液を塗布およびベークすることで形成してもよい。また、正孔輸送層２６は、塗布およびベーク以外にも、スパッタ法など種々の方法を用いて形成することができる。
　次に、図２の工程Ｓ２２および図１に示すように、バンク１７上および、正孔輸送層２６それぞれを覆う連続する層として、蒸着法またはスパッタリング法などにより、陽極２７を形成する。陽極２７は、例えば、導電材料を用いて形成される。また、陽極２７および陰極２１のうち、陽極２７は、発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂから発光された光を取り出す側の電極であるため、透明な材料により形成されていることが好ましい。陽極２７を形成する材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＡＺＯ、ＢＺＯ、またはＧＺＯ等が挙げられる。
　以上の工程により、平均粒経が互いに異なる複数の量子ドットを含有する複数の層である、第１層２３Ｒ、第２層２４Ｇｐおよび第３層２５Ｂｐが積層された発光層２０Ｒが形成される。また、平均粒経が互いに異なる複数の量子ドットを含有する複数の層である、第１層２３Ｒｎ、第２層２４Ｇおよび第３層２５Ｂｐが積層された発光層２０Ｇが形成される。また、平均粒経が互いに異なる、複数の量子ドットを含有する複数の層である、第１層２３Ｒｎ、第２層２４Ｇｎおよび第３層２５Ｂが積層された発光層２０Ｂが形成される。
　発光層２０Ｒを構成する層のうち、赤色光を発光する第１層２３Ｒ以外の第２層２４Ｇｐおよび第３層２５Ｂｐは非発光化されているため、発光層２０Ｒを含む発光素子３Ｒは、赤色光、緑色光および青色光が混色せず、赤色光を出射することができる。発光層２０Ｇを構成する層のうち、緑色光を発光する第２層２４Ｇ以外の第１層２３Ｒｎおよび第３層２５Ｂｐは非発光化されているため、発光層２０Ｇを含む発光素子３Ｇは、赤色光、緑色光および青色光が混色せず、緑色光を出射することができる。発光層２０Ｂを構成する層のうち、青色光を発光する第３層２５Ｂ以外の第１層２３Ｒｎおよび第２層２４Ｇｎは非発光化されているため、発光層２０Ｂを含む発光素子３Ｂは、赤色光、緑色光および青色光が混色せず、青色光を出射することができる。
　なお、発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂが順構造の場合、図２に示した工程Ｓ１２、工程Ｓ１４、工程Ｓ２１と、工程Ｓ２２との順番を逆にすればよい。
　以上のように、表示装置１を製造する工程は、発光素子形成領域ＡＲｒ、発光素子形成領域ＡＲｇに、量子ドット３３Ｒを含有する第１層２３Ｒを形成する工程Ｓ１５と、発光素子形成領域ＡＲｇにおける第１層２３Ｒを非発光化して第１層２３Ｒｎを形成する工程Ｓ１６と、発光素子形成領域ＡＲｒおよび発光素子形成領域ＡＲｇそれぞれに量子ドット３４Ｇを含む第２層２４Ｇを形成する工程Ｓ１７と、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第２層２４Ｇを非発光化して第２層２４Ｇｐを形成する工程Ｓ１８とを有する。
　このように製造された表示装置１によると、発光素子形成領域ＡＲｒに形成される発光層２０Ｒにおいては、第２層２４Ｇｐは非発光化されているため発光せず、第１層２３Ｒから赤色光を発光させることができる。また、発光素子形成領域ＡＲｇに形成される発光層２０Ｇにおいては、第１層２３Ｒｎは非発光化されているため発光せず、第２層２４Ｇから緑色光を発光させることができる。
　これにより、例えば、塗分け蒸着、フォトリソなどを用いて、赤色光を発光する発光層を、赤色光を出射する発光素子にのみパターニングしたり、緑色光を発光する発光層を、緑色光を出射する発光素子にのみパターニングしたりする場合と比べて、発光する層をパターニングする製造プロセスの制御を簡単にすることができる。これにより、発光ムラが発生したり混色が発生したりすることを抑制した表示装置１を得ることができる。
　また、逆構造の場合、第１層２３Ｒｎを非発光化する工程Ｓ１６では、発光素子形成領域ＡＲｇにおける第１層２３Ｒｎは、発光する第２層２４Ｇよりも陰極２１に近いため、発光素子形成領域ＡＲｇにおける第１層２３Ｒｎに含まれる量子ドット３３Ｒｎの半導体の伝導型を、Ｎ型化する。また、第２層２４Ｇｐを非発光化する工程Ｓ１８では、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第２層２４Ｇｐは、発光する第１層２３Ｒよりも陽極２７に近いため、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第２層２４Ｇｐに含まれる量子ドット３４Ｇｐの半導体の伝導型を、発光素子形成領域ＡＲｇにおける第１層２３Ｒｎに含まれるＮ型化された量子ドット３３Ｒｎとは異なる伝導型であるＰ型化する。
　これにより、発光素子形成領域ＡＲｇに形成される発光素子３Ｇにおいては、第１層２３Ｒｎは電子を発光する第２層２４Ｇに供給することができる。また、発光素子形成領域ＡＲｒに形成される発光素子３Ｒにおいては、第２層２４Ｇｐは正孔を発光する第１層２３Ｒに供給することができる。これにより、第１層２３Ｒおよび第２層２４Ｇを効率よく発光させることができる。
　なお、順構造の場合は、第１層２３Ｒｎを非発光化する工程Ｓ１６では、発光素子形成領域ＡＲｇにおける第１層２３Ｒｎは、発光する第２層２４Ｇよりも陽極２７に近いため、発光素子形成領域ＡＲｇにおける第１層に含まれる量子ドットの半導体の伝導型を、Ｐ型化する。また、第２層を非発光化する工程Ｓ１８では、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第２層は、発光する第１層よりも陰極２１に近いため、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第２層に含まれる量子ドットの半導体の伝導型を、発光素子形成領域ＡＲｇにおける第１層に含まれるＰ型化された量子ドットとは異なる伝導型であるＮ型化する。
　また、第１層を形成する工程Ｓ１５では、発光素子形成領域ＡＲｂにも第１層２３Ｒを形成し、第１層を非発光化する工程Ｓ１６では、発光素子形成領域ＡＲｂの第１層２３Ｒも非発光化して第１層Ｒｎを形成する。また、第２層を形成する工程Ｓ１７では、発光素子形成領域ＡＲｂにも第２層２４Ｇを形成し、第２層を非発光化する工程Ｓ１８では、発光素子形成領域ＡＲｂの第２層２４Ｇも非発光化して第２層２４Ｇｎを形成する。
　そして、表示装置１の製造方法は、さらに、発光素子形成領域ＡＲｒ・ＡＲｇ・ＡＲｂそれぞれに、量子ドット３５Ｂを含む第３層２５Ｂを形成する工程Ｓ１９と、発光素子形成領域ＡＲｒ・ＡＲｇそれぞれにおける第３層２５Ｂを非発光化して、第３層３５Ｂｐを形成する工程Ｓ２０とを有する。これによって、さらに、簡単な製造プロセスによって、青色光を発光する発光層２０Ｂを形成することができる。
　なお、順構造の場合は、第３層を非発光化する工程では、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第３層に含まれる量子ドットをＮ型化し、発光素子形成領域ＡＲｇにおける第３層に含まれる量子ドットをＮ型化すればよい。
　図１に示したように、発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂは、それぞれ、平均粒経が異なる量子ドットを含む、第１層、第２層および第３層が積層された構成である。
　第１層、第２層および第３層において、発光する層の位置と、量子ドットの半導体の伝導型がＮ型化された量子ドットを含む層の位置と、量子ドットの半導体の伝導型がＰ型化された量子ドットを含む層の位置との組み合わせのパターンは、発光する層から発光された光が他の層に吸収されるかどうか、キャリア（電子および正孔）が発光する層へ供給されるかどうか、順構造または逆構造であるかどうかなどを考慮し、３６種類存在する。
　図１０～図１５を用いて、発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂそれぞれの第１層、第２層および第３層の組み合わせのパターンと、キャリア注入効率および光吸収の程度とについて説明する。
　図１０は、発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂが順構造の場合の発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂそれぞれを構成する第１層、第２層および第３層の組み合わせのパターンと、キャリア注入効率と、光吸収の程度とを表す図である。図１１は、発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂが逆構造の場合の発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂそれぞれを構成する第１層、第２層および第３層のバリエーションと、キャリア注入効率と、光吸収の程度とを表す図である。
　図１０に示す、発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂが順構造の場合、発光素子３Ｒにおいては、例えば、アレイ基板５上に順に、陽極２７、正孔輸送層２６、発光層２０Ｒの第１層、発光層２０Ｒの第２層、発光層２０Ｒの第３層、電子輸送層２２および陰極２１が積層される。また、発光素子３Ｇにおいては、例えば、アレイ基板５上に順に、陽極２７、正孔輸送層２６、発光層２０Ｇの第１層、発光層２０Ｇの第２層、発光層２０Ｇの第３層、電子輸送層２２および陰極２１が積層される。発光素子３Ｂにおいては、例えば、アレイ基板５上に順に、陽極２７、正孔輸送層２６、発光層２０Ｂの第１層、発光層２０Ｂの第２層、発光層２０Ｂの第３層、電子輸送層２２および陰極２１が積層される。
　また、ここでは、発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂはトップエミッションであるものとする。発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂは、順構造の場合、陰極２１と陽極２７のうち、陰極２１が光を取り出す電極であり、陽極２７が光を反射する電極である。また、発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂそれぞれを構成する第１層、第２層および第３層のうち、発光する層よりも、上層は発光する層よりも陰極２１に近い層（すなわち電子を発光する層に供給する層）であり、発光する層よりも、下層は発光する層よりも陽極２７に近い層（すなわち正孔を発光する層に供給する層）である。
　また、図１１に示す、発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂが逆構造の場合、発光素子３Ｒにおいては、例えば、アレイ基板５上に順に、陰極２１、電子輸送層２２、発光層２０Ｒの第１層、発光層２０Ｒの第２層、発光層２０Ｒの第３層、正孔輸送層２６および陽極２７が積層される。また、発光素子３Ｇにおいては、例えば、アレイ基板５上に順に、陰極２１、電子輸送層２２、発光層２０Ｇの第１層、発光層２０Ｇの第２層、発光層２０Ｇの第３層、正孔輸送層２６および陽極２７が積層される。発光素子３Ｂにおいては、例えば、アレイ基板５上に順に、陰極２１、電子輸送層２２、発光層２０Ｂの第１層、発光層２０Ｂの第２層、発光層２０Ｂの第３層、正孔輸送層２６および陽極２７が積層される。
　また、ここでは、発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂはトップエミッションであるものとする。発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂは、逆構造の場合、陰極２１と陽極２７のうち、陽極２７が光を取り出す電極であり、陰極２１が光を反射する電極である。また、発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂそれぞれを構成する第１層、第２層および第３層のうち、発光する層よりも、上層は発光する層よりも陽極２７に近い層（すなわち正孔を発光する層に供給する層）であり、発光する層よりも、下層は発光する層よりも陰極２１に近い層（すなわち電子を発光する層に供給する層）である。
　図１０および図１１では、発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂそれぞれを、下層から上層に向けて順に、第１層、第２層および第３層それぞれの発光色および伝導型のパターンを表している。
　すなわち、図１０および図１１に示す表において、数字「２３」は第１層を表し、数字「２４」は第２層を表し、数字「２５」は第３層を表す。数字「２３」「２４」または「２５」の横に記載された、「Ｒ」は非発光化されていなければ赤色光を発光する複数の量子ドットを含有することを表し、「Ｇ」は非発光化されていなければ緑色光を発光する複数の量子ドットを含有することを表し、「Ｂ」は非発光化されていなければ青色光を発光する複数の量子ドットを含有することを表す。また、「Ｒ」「Ｇ」または「Ｂ」の横に記載された、「ｎ」は複数の量子ドットが非発光化され半導体の伝導型がＮ型化されていることを表し、「ｐ」は複数の量子ドットが非発光化され半導体の伝導型がＰ型化されていることを表し、「ｎ」または「ｐ」が記載されていなければ複数の量子ドットが非発光化されておらず発光することを表す。
　図１０および図１１において、各欄の、横方向の並びを行、縦方向の並びを列とすると、（ｉ）行から（ｘｉｉ）行それぞれは、発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂそれぞれを構成する第１層、第２層および第３層それぞれに、非発光化されていなければ同じ色の光を発光する複数の量子ドットが含有された場合の第１層、第２層および第３層の組み合わせにおける、第１層、第２層および第３層それぞれに含有された複数の量子ドットの伝導型のバリエーションを表している。
　図１０におけるＡ列および図１１におけるＤ列は、発光層２０Ｒを構成する第１層、第２層および第３層それぞれに含有される複数の量子ドットの伝導型のバリエーションを表している。図１０におけるＢ列および図１１におけるＥ列は、発光層２０Ｇを構成する第１層、第２層および第３層それぞれに含有される複数の量子ドットの伝導型のバリエーションを表している。図１０におけるＣ列および図１１におけるＦ列は、発光層２０Ｂを構成する第１層、第２層および第３層それぞれに含有される複数の量子ドットの伝導型のバリエーションを表している。
　例えば、順光層を示す図１０において、（ｉ）行Ａ列に示す発光層２０Ｒの第１層２３Ｒは、赤色光を発光し非発光化されていない複数の量子ドットを含む。また、（ｉ）行Ｂ列に示す発光層２０Ｇの第２層２３Ｒｐは、非発光化されていなければ赤色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＰ型化された複数の量子ドットを含む。また、（ｉ）行Ｃ列に示す発光層２０Ｂの第１層２３Ｒｐは、非発光化されていなければ赤色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＰ型化された複数の量子ドットを含む。
　また、（ｉ）行Ａ列に示す発光層２０Ｒの第２層２４Ｇｎは、非発光化されていなければ緑色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＮ型化された複数の量子ドットを含む。また、（ｉ）行Ｂ列に示す発光層２０Ｇの第２層２４Ｇは、緑色光を発光し非発光化されていない複数の量子ドットを含む。また、（ｉ）行Ｃ列に示す発光層２０Ｂの第２層２４Ｇｐは、非発光化されていなければ緑色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＰ型化された複数の量子ドットを含む。
　また、（ｉ）行Ａ列に示す発光層２０Ｒの第３層２５Ｂｎは、非発光化されていなければ青色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＮ型化された複数の量子ドットを含む。また、（ｉ）行Ｂ列に示す発光層２０Ｇの第３層２５Ｂｎは、非発光化されていなければ青色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＮ型化された複数の量子ドットを含む。また、（ｉ）行Ｃ列に示す発光層２０Ｂの第３層２５Ｂは、青色光を発光し非発光化されていない複数の量子ドットを含む。
　例えば、順光層を示す図１０において、（ｉｉ）行Ａ列に示す発光層２０Ｒの第１層２３Ｒは、赤色光を発光する非発光化されていない複数の量子ドットを含有する。また、（ｉｉ）行Ｂ列に示す発光層２０Ｇの第１層２３Ｒｐは、非発光化されていなければ赤色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＰ型化された複数の量子ドットを含む。また、（ｉｉ）行Ｃ列に示す発光層２０Ｂの第１層２３Ｒｐは、非発光化されていなければ赤色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＰ型化された複数の量子ドットを含む。
　また、（ｉｉ）行Ａ列に示す発光層２０Ｒの第２層２４Ｂｎは、非発光化されていなければ青色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＮ型化された複数の量子ドットを含む。また、（ｉｉ）行Ｂ列に示す発光層２０Ｇの第２層２４Ｂｐは、非発光化されていなければ青色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＰ型化された複数の量子ドットを含む。また、（ｉｉ）行Ｃ列に示す発光層２０Ｂの第２層２４Ｂは、青色光を発光し非発光化されていない複数の量子ドットを含む。
　また、（ｉｉ）行Ａ列に示す発光層２０Ｒの第３層２５Ｇｎは、非発光化されていなければ緑色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＮ型化された複数の量子ドットを含む。また、（ｉｉ）行Ｂ列に示す発光層２０Ｇの第３層２５Ｇは、緑色光を発光し非発光化されていない複数の量子ドットを含む。また、（ｉｉ）行Ｃ列に示す発光層２０Ｂの第３層２５Ｇｎは、非発光化されていなければ緑色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＮ型化された複数の量子ドットを含む。
　例えば、順光層を示す図１０において、（ｉｉｉ）行Ａ列に示す発光層２０Ｒの第１層２３Ｇｐは、非発光化されていなければ緑色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＰ型化された複数の量子ドットを含有する。また、（ｉｉｉ）行Ｂ列に示す発光層２０Ｇの第１層２３Ｇは、緑色光を発光し非発光化されていない複数の量子ドットを含む。また、（ｉｉｉ）行Ｃ列に示す発光層２０Ｂの第１層２３Ｇｐは、非発光化されていなければ緑色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＰ型化された複数の量子ドットを含む。
　また、（ｉｉｉ）行Ａ列に示す発光層２０Ｒの第２層２４Ｒは、赤色光を発光し非発光化されていない複数の量子ドットを含む。また、（ｉｉｉ）行Ｂ列に示す発光層２０Ｇの第２層２４Ｒｎは、非発光化されていなければ赤色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＮ型化された複数の量子ドットを含む。また、（ｉｉｉ）行Ｃ列に示す発光層２０Ｂの第２層２４Ｒｐは、非発光化されていなければ赤色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＰ型化された複数の量子ドットを含む。
　また、（ｉｉｉ）行Ａ列に示す発光層２０Ｒの第３層２５Ｂｎは、非発光化されていなければ青色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＮ型化された複数の量子ドットを含む。また、（ｉｉｉ）行Ｂ列に示す発光層２０Ｇの第３層２５Ｂｎは、非発光化されていなければ青色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＮ型化された複数の量子ドットを含む。また、（ｉｉｉ）行Ｃ列に示す発光層２０Ｂの第３層２５Ｂは、青色光を発光し非発光化されていない複数の量子ドットを含む。
　また、例えば、順構造を示す図１０において、（ｉｖ）行Ａ列に示す発光層２０Ｒの第１層２３Ｇｐは、非発光化されていなければ緑色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＰ型化された複数の量子ドットを含有する。また、（ｉｖ）行Ｂ列に示す発光層２０Ｇの第１層２３Ｇは、緑色光を発光し非発光化されていない複数の量子ドットを含む。また、（ｉｖ）行Ｃ列に示す発光層２０Ｂの第１層２３Ｇｐは、非発光化されていなければ緑色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＰ型化された複数の量子ドットを含む。
　また、（ｉｖ）行Ａ列に示す発光層２０Ｒの第２層２４Ｂｐは、非発光化されていなければ青色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＰ型化された複数の量子ドットを含む。また、（ｉｖ）行Ｂ列に示す発光層２０Ｇの第２層２４Ｂｎは、非発光化されていなければ青色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＮ型化された複数の量子ドットを含む。また、（ｉｖ）行Ｃ列に示す発光層２０Ｂの第２層２４Ｂは、青色光を発光し非発光化されていない複数の量子ドットを含む。
　また、（ｉｖ）行Ａ列に示す発光層２０Ｒの第３層２５Ｒは、赤色光を発光し非発光化されていない複数の量子ドットを含む。また、（ｉｖ）行Ｂ列に示す発光層２０Ｇの第３層２５Ｒｎは、非発光化されていなければ赤色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＮ型化された複数の量子ドットを含む。また、（ｉｖ）行Ｃ列に示す発光層２０Ｂの第３層２５Ｒｎは、非発光化されていなければ赤色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＮ型化された複数の量子ドットを含む。
　また、例えば、逆構造を示す図１１において、（ｖｉｉ）行Ｄ列に示す発光層２０Ｒの第１層２３Ｒは、赤色光を発光し非発光化されていない複数の量子ドットを含む。また、（ｖｉｉ）行Ｅ列に示す発光層２０Ｇの第１層２３Ｒｎは、非発光化されていなければ赤色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＮ型化された複数の量子ドットを含む。また、（ｖｉｉ）行Ｆ列に示す発光層２０Ｂの第１層２３Ｒｎは、非発光化されていなければ赤色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＮ型化された複数の量子ドットを含む。
　また、（ｖｉｉ）行Ｄ列に示す発光層２０Ｒの第２層２４Ｇｐは、非発光化されていなければ緑色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＰ型化された複数の量子ドットを含む。また、（ｖｉｉ）行Ｅ列に示す発光層２０Ｇの第２層２４Ｇは、緑色光を発光し非発光化されていない複数の量子ドットを含む。また、（ｖｉｉ）行Ｆ列に示す発光層２０Ｂの第２層２４Ｇｎは、非発光化されていなければ緑色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＮ型化された複数の量子ドットを含む。
　また、（ｖｉｉ）行Ｄ列に示す発光層２０Ｒの第３層２５Ｂｐは、非発光化されていなければ青色光を発光するが非発光化され、半導体の伝導型がＰ型化された複数の量子ドットを含む。また、（ｖｉｉ）行Ｅ列に示す発光層２０Ｇの第３層２５Ｂｐは、非発光化されていなければ青色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＰ型化された複数の量子ドットを含む。また、（ｖｉｉ）行Ｆ列に示す発光層２０Ｂの第３層２５Ｂは、青色光を発光し非発光化されていない複数の量子ドットを含む。
　また、例えば、逆構造を示す図１１において、（ｖｉｉｉ）行Ｄ列に示す発光層２０Ｒの第１層２３Ｒは、赤色光を発光し非発光化されていない複数の量子ドットを含む。また、（ｖｉｉｉ）行Ｅ列に示す発光層２０Ｇの第１層２３Ｒｎは、非発光化されていなければ赤色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＮ型化された複数の量子ドットを含む。また、（ｖｉｉｉ）行Ｆ列に示す発光層２０Ｂの第１層２３Ｒｎは、非発光化されていなければ赤色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＮ型化された複数の量子ドットを含む。
　また、（ｖｉｉｉ）行Ｄ列に示す発光層２０Ｒの第２層２４Ｂｐは、非発光化されていなければ青色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＰ型化された複数の量子ドットを含む。また、（ｖｉｉｉ）行Ｅ列に示す発光層２０Ｇの第２層２４Ｂｎは、非発光化されていなければ青色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＮ型化された複数の量子ドットを含む。また、（ｖｉｉｉ）行Ｆ列に示す発光層２０Ｂの第２層２４Ｂは、青色光を発光し非発光化されていない複数の量子ドットを含む。
　また、（ｖｉｉｉ）行Ｄ列に示す発光層２０Ｒの第３層２５Ｇｐは、非発光化されていなければ緑色光を発光するが非発光化され、半導体の伝導型がＰ型化された複数の量子ドットを含む。また、（ｖｉｉｉ）行Ｅ列に示す発光層２０Ｇの第３層２５Ｇは、緑色光を発光し非発光化されていない複数の量子ドットを含む。また、（ｖｉｉｉ）行Ｆ列に示す発光層２０Ｂの第３層２５Ｇｐは、非発光化されていなければ緑色光を発光するが、非発光化されて半導体の伝導型がＰ型化された複数の量子ドットを含む。
　また、図１０および図１１において、発光する層に注入されるキャリア（電子および正孔）の注入効率の程度を「注入」欄に、注入効率の程度が良い場合から悪い場合にかけて、順に「◎」（注入効率が良い）、「〇」（注入効率が◎の次に良い）、「△」（注入効率が〇の次に良い）で表している。
　また、図１０および図１１において、発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂを構成する第１層、第２層および第３層のうち、発光する層から発光された光が、他の層に吸収され難さの程度を「光吸収」欄に、光が吸収され難い場合から光が吸収されやすい場合にかけて、順に「◎」（光が吸収され難い）、「〇」（◎の次に光が吸収され難い）、「△」（〇の次に光が吸収され難い）で表している。
　発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂそれぞれの第１層、第２層および第３層のうち非発光化した層に含まれる量子ドットの伝導型を陰極２１および陽極２７の配置位置に合わせれば、発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂそれぞれの第１層、第２層および第３層の組み合わせは３６種類ともすべて採りえる。
　ただし、第１層、第２層および第３層のうち発光する層への電子及び正孔の注入のしやすさと、光吸収の程度とを考慮すれば、より適する第１層、第２層および第３層の組み合わせのバリエーションをいくつか選択することができる。
　ここで、光が吸収され難いか否かについては、第１層、第２層および第３層のうちの発光する層の積層位置と光取り出しの方向で判断することができる。
　例えば、下層（光取り出しから遠い側の層）から上層（光取り出し側の層）へかけて、赤色光を発光する層、緑色光を発光する層、および、青色光を発光する層の順に、発光層を構成する第１層、第２層および第３層を積層し、上層上の電極を透過させて発光素子の外部へ光を取り出す場合、下層の赤色光を発光する層から発光された赤色光のエネルギーは、赤色光を発光する層より上層の緑色光を発光する層および青色光を発光する層それぞれに含まれる量子ドットのバンドギャップより小さい。このため赤色光は、緑色光を発光する層および青色光を発光する層それぞれに含まれる量子ドットにほぼ吸収されずに、発光素子の外部へ光を取り出すことができる。この積層順によると、緑色光を発光する層から発光された緑色光も、緑色光を発光する層に積層された青色光を発光する層に含まれる量子ドットにほぼ吸収されずに、発光素子の外部へ光を取り出すことができる。
　しかし、逆に、例えば、下層（光取り出しから遠い側の層）から上層（光取り出し側の層）へかけて、青色光を発光する層、緑色光を発光する層、および、赤色光を発光する層の順に、発光層を構成する第１層、第２層および第３層を積層し、上層上の電極を透過させて発光素子の外部へ光を取り出す場合、下層の青色光を発光する層から発光された青色光のエネルギーは、青色光を発光する層より上層の緑色光を発光する層および赤色光を発光する層それぞれに含まれる量子ドットに、わずかであるが吸収されてしまう可能性があり、発光素子の外部へ光を取り出したときの光量が、わずかながら減少する可能性がある。
　このため、図１０に示すように、例えば、（ｉ）行のＡ列からＣ列に示す、発光層２０Ｒ、発光層２０Ｇ、発光層２０Ｂそれぞれの積層構造によると光吸収は何れも「◎」である。例えば、（ｉｉ）行Ａ列に示す発光層２０Ｒの光吸収は「◎」であり、（ｉｉ）行Ｂ列に示す発光層２０Ｇの光吸収は「◎」であり、（ｉｉ）行Ｃ列に示す発光層２０Ｂの光吸収は「〇」である。例えば、（ｉｉｉ）行Ａ列に示す発光層２０Ｒの光吸収は「◎」であり、（ｉｉｉ）行Ｂ列に示す発光層２０Ｇの光吸収は「〇」であり、（ｉｉｉ）行Ｃ列に示す発光層２０Ｂの光吸収は「◎」である。例えば、（ｉｖ）行Ａ列に示す発光層２０Ｒの光吸収は「◎」であり、（ｉｖ）行Ｂ列に示す発光層２０Ｇの光吸収は「〇」であり、（ｉｖ）行Ｃ列に示す発光層２０Ｂの光吸収は「〇」である。
　以上より、図１０に示す結果から、順構造においては、以下の＜パターン１＞から＜パターン４＞の何れかの積層構造を有する発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂが、光吸収を抑制して、発光した光を発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂの外部へ、効率よく取り出すことができる。
　＜パターン１＞
　（ｉ）行Ａ列からＣ列に示すように、非発光化されていなければ赤色光を発光する量子ドットを含む層が第１層であり、非発光化されていなければ緑色光を発光する量子ドットを含む層が第２層であり、非発光化されていなければ青色光を発光する量子ドットを含む層が第３層である。
　＜パターン２＞
　（ｉｉ）行Ａ列からＣ列に示すように、非発光化されていなければ赤色光を発光する量子ドットを含む層が第１層であり、非発光化されていなければ青色光を発光する量子ドットを含む層が第２層であり、非発光化されていなければ緑色光を発光する量子ドットを含む層が第３層である。
　＜パターン３＞
　（ｉｉｉ）行Ａ列からＣ列に示すように、非発光化されていなければ緑色光を発光する量子ドットを含む層が第１層であり、非発光化されていなければ赤色光を発光する量子ドットを含む層が第２層であり、非発光化されていなければ青色光を発光する量子ドットを含む層が第３層である。
　＜パターン４＞
　（ｉｖ）行Ａ列からＣ列に示すように、非発光化されていなければ緑色光を発光する量子ドットを含む層が第１層であり、非発光化されていなければ青色光を発光する量子ドットを含む層が第２層であり、非発光化されていなければ赤色光を発光する量子ドットを含む層が第３層である。
　また、図１１に示すように、例えば、（ｖｉｉ）行のＤ列からＦ列に示す、発光層２０Ｒ、発光層２０Ｇ、発光層２０Ｂそれぞれの積層構造によると光吸収は何れも「◎」である。例えば、（ｖｉｉｉ）行Ｄ列に示す発光層２０Ｒの光吸収は「◎」であり、（ｖｉｉｉ）行Ｅ列に示す発光層２０Ｇの光吸収は「◎」であり、（ｖｉｉｉ）行Ｆ列に示す発光層２０Ｂの光吸収は「〇」である。
　以上より、図１１に示す結果から、逆構造においては、以下の＜パターン５＞から＜パターン６＞のどちらかの積層構造を有する発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂが、光吸収を抑制して、発光した光を発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂの外部へ、効率よく取り出すことができる。
　＜パターン５＞
　（ｖｉｉ）行Ｄ列からＦ列に示すように、非発光化されていなければ赤色光を発光する量子ドットを含む層が第１層であり、非発光化されていなければ緑色光を発光する量子ドットを含む層が第２層であり、非発光化されていなければ青色光を発光する量子ドットを含む層が第３層である。
　＜パターン６＞
　（ｖｉｉｉ）行Ｄ列からＦ列に示すように、非発光化されていなければ赤色光を発光する量子ドットを含む層が第１層であり、非発光化されていなければ青色光を発光する量子ドットを含む層が第２層であり、非発光化されていなければ緑色光を発光する量子ドットを含む層が第３層である。
　図１２は、図１０に示した発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂそれぞれを構成する第１層、第２層および第３層を孤立させた状態のエネルギーバンドを表す図である。図１３は、図１１に示した発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂそれぞれを構成する第１層、第２層および第３層を孤立させた状態のエネルギーバンドを表す図である。
　図１２および図１３では、第１層、第２層および第３層が接合されていない状態の、第１層、第２層および第３層それぞれのエネルギーバンドを表している。各エネルギーバンドのうち、上端は伝導帯準位（ＣＢＭ）を表し、下端は価電子帯準位（ＶＢＭ）を表し、破線はフェルミ準位を表している。
　図１２では、図１０における各行列の発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂにおける第１層、第２層および第３層それぞれのエネルギーバンドを、各行列に、紙面向かって左から右へ並べている。図１３では、図１１における各行列の発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂにおける第１層、第２層および第３層それぞれのエネルギーバンドを、各行列に、紙面向かって左から右へ並べている。
　例えば、図１２の（ｉ）行Ａ列においては、図１０の（ｉ）行Ａ列に記載された発光層２０Ｒの第１層２３Ｒ、第２層２４Ｇｎおよび第３層２５Ｂｎそれぞれのエネルギーバンドを、紙面向かって左から右へ並べている。例えば、図１２の（ｉ）行Ｂ列においては、図１０の（ｉ）行Ｂ列に記載された発光層２０Ｇの第１層２３Ｒｐ、第２層２４Ｇおよび第３層２５Ｂｎそれぞれのエネルギーバンドを、紙面向かって左から右へ並べている。例えば、図１２の（ｉ）行Ｃ列においては、図１０の（ｉ）行Ｂ列に記載された発光層２０Ｇの第１層２３Ｒｐ、第２層２４Ｇおよび第３層２５Ｂｎそれぞれのエネルギーバンドを、紙面向かって左から右へ並べている。図１２における他の行列も同様に、対応する図１０の行列に示された発光層を構成する第１層、第２層および第３層それぞれのエネルギーバンドを表している。
　例えば、図１３の（ｖｉ）行Ｄ列においては、図１１の（ｖｉ）行Ｄ列に記載された発光層２０Ｒの第１層２３Ｒ、第２層２４Ｇｐおよび第３層２５Ｂｐそれぞれのエネルギーバンドを、紙面向かって左から右へ並べている。例えば、図１３の（ｖｉ）行Ｅ列においては、図１１の（ｖｉ）行Ｅ列に記載された発光層２０Ｇの第１層２３Ｒｎ、第２層２４Ｇおよび第３層２５Ｂｐそれぞれのエネルギーバンドを、紙面向かって左から右へ並べている。例えば、図１３の（ｖｉ）行Ｆ列においては、図１１の（ｖｉ）行Ｆ列に記載された発光層２０Ｂの第１層２３Ｒｎ、第２層２４Ｇｎおよび第３層２５Ｂそれぞれのエネルギーバンドを、紙面向かって左から右へ並べている。図１３における他の行列も同様に、対応する図１１の行列に示された発光層を構成する第１層、第２層および第３層それぞれのエネルギーバンドを表している。
　図１４は、図１２に示す発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂそれぞれを構成する第１層、第２層および第３層を接合させた状態のエネルギーバンドを表す図である。図１５は、図１３に示す発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂそれぞれを構成する第１層、第２層および第３層を接合させた状態のエネルギーバンドを表す図である。なお、図１４において行列毎に、図１０の行列毎に示した「注入」欄の「◎」「〇」「△」を記載している。図１５において行列毎に、図１１の行列毎に示した「注入」欄の「◎」「〇」「△」を記載している。
　図１４および図１５に示すように、第１層、第２層および第３層それぞれを接合すると、熱平衡により、第１層、第２層および第３層それぞれのエネルギーバンドは、フェルミ準位がそろう。これにより、それぞれのエネルギーバンドは、伝導帯と価電子帯とがシフトする。
　キャリアの注入効率は、発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂを構成する第１層、第２層および第３層のうち発光する層への電子および正孔が注入されるときの注入障壁の高さと、発光する層と隣接する層との界面にポテンシャル井戸が形成されるか、の２点を基準に、より適した構造を判断することができる。注入障壁は低い程適しており、ポテンシャル井戸は形成されない構造がより適している。
　上記基準を基にキャリア注入について検討したところ、光取り出しに適した積層順と一致する結果が得られた。
　すなわち、図１０および図１４に示すように、発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂが順構造の場合、（ｉｉ）行Ａ列からＣ列の組み合わせと、（ｉｖ）行Ａ列からＣ列の組み合わせとが、キャリアの注入効率が最もよく、その次に、（ｉ）行Ａ列からＣ列の組み合わせと、（ｉｉｉ）行Ａ列からＣ列の組み合わせとがキャリアの注入効率が良い。
　本実施形態に係る発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂそれぞれを構成する第１層、第２層および第３層は、それぞれ量子ドットを含み、発光する層と、発光する層以外の層に含まれる量子ドットは非発光化され、かつ、半導体の伝導型がＮ型化またはＰ型化されている。これにより、発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂそれぞれを構成する第１層、第２層および第３層それぞれに、電子または正孔を閉じ込める障壁を形成することができる。
　特に、順構造の場合、図１４の（ｉｉ）行Ａ列からＣ列、および、（ｉｖ）行Ａ列からＣ列のように、また、逆構造の場合、図１５の（ｖｉｉｉ）列Ｄ列からＦ列のように、発光する層の両側の層または片側の層に、高い障壁を形成できることが示されている。
　この障壁は、発光層を介して対向する電極から、発光する層に注入された電子または正孔が、層中に効果的に閉じ込められることを示している。電子及び正孔を閉じ込める障壁は、発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂを挟む電子輸送層２２及び正孔輸送層２６とのＣＢＭ差とＶＢＭ差及びフェルミ準位差によっても形成されるが、本実施形態に係る発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂの構成によれば、上記障壁にさらに加えて発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂそれぞれの狭い領域に二重にキャリアを閉じ込めることができ、キャリアの再結合効率を高めることが可能となる。
　〔実施例〕
　ここで、量子ドットを含む層を膜厚４０ｎｍで成膜し、プラズマ処理装置のチャンバー内に挿入した。そして、放電電極を５０Ｗとし、ＡｒおよびＣｌ２を混合させたガスをチャンバー内に供給することでＣｌ２プラズマを発生させ、２０秒間プラズマ照射をすることで、第１層２３Ｒに含まれる量子ドット３３Ｒが非発光化し、同時にＮ型の伝導型が得られた。
　Ｎ型化した量子ドットを含む層の電気特性を評価する別実験を行ったところ、Ｎ型化した量子ドットの電子密度は１０１６ｃｍ－３程度、移動度は１０ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ程度であった。その際、評価のため量子ドットを含む層は多数回塗布とプラズマ処理により、非発光化をし、５００ｎｍ程度の厚さに調整した。以上の手順により、発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂそれぞれを構成する第１層、第２層および第３層を形成することができる。
　また、Ｐ型の伝導型を得る場合も、Ｎ型の伝導型を得た場合と同様に、所定の膜厚の量子ドットを含む層を成膜し、プラズマ処理を行った。そして、別実験にて電気特性を確認したところ、正孔濃度が７×１０１５から１０１６ｃｍ－３、移動度は１ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ以下であった。一般に、半導体中の正孔は有効質量が大きく電子より低い移動度を示し、特にＩＩ－ＶＩ族化合物のようなワイドギャップ材料では顕著であり、同じ傾向を示している。正孔濃度については、アクセプタである窒素及び酸素の不純物準位が室温相当のエネルギーより深いため、キャリア濃度としては電子より桁で低いことが知られており、やはり同じ傾向が得られた。
　〔変形例１〕
　図１６から図１９を用いて、実施形態の変形例１に係る表示装置１が備える発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂについて説明する。図１６は、変形例１に係る表示装置１が備える発光素子３Ｒの概略を表す断面図である。図１７は、変形例１に係る表示装置１が備える発光素子３Ｇの概略を表す断面図である。図１８は、変形例１に係る表示装置１が備える発光素子３Ｂの概略を表す断面図である。
　図１６に示すように、発光素子３Ｒが備える発光層２０Ｒは、第１層２３Ｒと第２層２４Ｇｐとの間に設けられた第１保護層６１を備え、第２層２４Ｇｐと第３層２５Ｂｐとの間に設けられた第２保護層６２を備えていてもよい。
　図１７に示すように、発光素子３Ｇが備える発光層２０Ｇは、第１層２３Ｒｎと第２層２４Ｇとの間に設けられた第１保護層６１を備え、第２層２４Ｇと第３層２５Ｂｐとの間に設けられた第２保護層６２を備えていてもよい。
　図１８に示すように、発光素子３Ｂが備える発光層２０Ｂは、第１層２３Ｒｎと第２層２４Ｇとの間に設けられた第１保護層６１を備え、第２層２４Ｇと第３層２５Ｂｐとの間に設けられた第２保護層６２を備えていてもよい。
　上述のように、発光層２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂにおける量子ドットの非発光化及び伝導型の制御（Ｎ型化またはＰ型化）は、プラズマ処理によって行っている。このため、プラズマを構成する荷電粒子が、非発光化及び伝導型の制御を行う層に侵入する深さによって、量子ドットを非発光化する層の厚さが決まる。
　しかし、プラズマを構成する荷電粒子が、非発光化及び伝導型の制御を行う層へ侵入する深さをｎｍのオーダーで制御しきれない場合がある。
　そこで、少なくとも、発光層２０Ｒのうち、発光する層でありプラズマ処理をしない第１層２３Ｒと、プラズマ処理がされる第２層２４Ｇｐとの間に、プラズマ処理から第１層２３Ｒを保護する第１保護層６１を設ける。これにより、第２層２４Ｇｐをプラズマ処理によって非発光化する工程において、下層である第１層２３Ｒに含まれる量子ドット３３Ｒまでプラズマ処理されて非発光化されてしまうことを抑制することができる。
　また、少なくとも、発光層２０Ｇのうち、発光する層でありプラズマ処理をしない第２層２３Ｇと、プラズマ処理がされる第３層２５Ｂｐとの間に、プラズマ処理から第２層２４Ｇを保護する第２保護層６２を設ける。これにより、第３層２５Ｂをプラズマ処理によって非発光化する工程において、下層である第２層２４Ｇに含まれる量子ドット３４Ｇまでプラズマ処理されて非発光化されてしまうことを抑制することができる。
　第１保護層６１および第２保護層６２は、例えば、塗布などによって、表示領域の全面に連続した層として形成することができる。
　このため、例えば、図１６に示す発光層２０Ｇにおける第１層２３Ｒｎと第２層２４Ｇとの間の第１保護層６１、および、図１７に示す発光層２０Ｂにおける第１層２３Ｒｎと第２層２４Ｇｎとの間の第１保護層６１は形成されていなくてもよいが、塗布などによって連続した層として表示領域の全面に形成される場合など製造プロセスによっては形成されていてもよい。また、例えば、図１５に示す発光層２０Ｒにおける第２層２３Ｇｐと第３層２５Ｂｐとの間の第２保護層６２、および、図１７に示す発光層２０Ｂにおける第２層２４Ｇｎと第３層２５Ｂとの間の第２保護層６２は形成されていなくてもよいが、塗布などによって連続した層として表示領域の全面に形成される場合など製造プロセスによっては形成されていてもよい。
　第１保護層６１および第２保護層６２は、例えば、膜厚を約５ｎｍ以下程度であってもよい。第１保護層６１および第２保護層６２は、それぞれ、電子または正孔を輸送する必要があることから、トンネル可能な５ｎｍを膜厚の上限とすることが好ましい。第１保護層６１および第２保護層６２の膜厚の下限は、プラズマ照射から下層を保護し、連続した層として形成可能な２ｎｍ程度である。よって、第１保護層６１および第２保護増５２それぞれの膜厚は、それぞれ、２ｎｍ以上５ｎｍ以下であることが好ましい。これにより、下層を十分にプラズマ処理から保護し、かつ、電子または正孔を輸送することができる。
　第１保護層６１および第２保護層６２は、プラズマ処理から下層を保護するためにプラズマ耐性を有する材料を用いて形成される。プラズマ耐性を有する材料としては、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）、ＰＶＰ（ポリビニルピロリドン）、（ｐ-）ＴＰＤ（triphenyldiamine）などの樹脂材料を用いることができる。
　図１９は、変形例１に係る表示装置１を製造する工程のフローチャートを表す図である。図１９に示すフローチャートは、図２に示したフローチャートに、第１保護層を形成する工程Ｓ３１と、第２保護層を形成する工程Ｓ３２とを追加した点以外は、図２に示したフローチャートと同様である。図１６から図１９を用いて、変形例１に係る表示装置の製造方法について説明する。
　工程Ｓ１１から工程Ｓ１６まで進み、発光素子形成領域ＡＲｇおよび発光素子形成領域ＡＲｂそれぞれの第１層３３Ｒｎを非発光化する工程Ｓ１６の後、第２層２４Ｇを形成する工程Ｓ１７の前に、例えば、塗布などにより、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第１層２３Ｒ、発光素子形成領域ＡＲｇにおける第１層２３Ｒｎ、および、発光素子形成領域ＡＲｂにおける第１層２３Ｒｎそれぞれに積層するように、プラズマ耐性を有する第１保護層６１を形成する（工程Ｓ３１）。
　そして、次の工程Ｓ１７において、発光素子形成領域ＡＲｒ・ＡＲｇ・ＡＲｂそれぞれにおける第１保護層６１上に、第２層２４Ｇを形成する。
　次で、次に工程Ｓ１８において、発光素子形成領域ＡＲｂにおける第２層２４Ｇをプラズマ処理により非発光化することで第２層２４Ｇｎを形成し、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第２層２４Ｇをプラズマ処理により非発光化することで第２層２４Ｇｐを形成する。
　ここで、少なくとも、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第１層２３Ｒ上には、プラズマ耐性を有する第１保護層６１が形成されているため、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第２層２４Ｇをプラズマ処理により非発光化することで第２層２４Ｇｐを形成する際に、第１保護層６１よりも下層の第１層２３Ｒに含まれる量子ドット３３Ｒまでプラズマ処理されて非発光化されてしまうことを抑制することができる。
　そして、工程Ｓ１８において、発光素子形成領域ＡＲｂにおける第２層２４Ｇをプラズマ処理により非発光化することで第２層２４Ｇｎを形成し、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第２層２４Ｇをプラズマ処理により非発光化することで第２層２４Ｇｐを形成した後、第３層２５Ｂを形成する工程Ｓ１９の前に、例えば、塗布などにより、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第２層２４Ｇｐ、発光素子形成領域ＡＲｇにおける第２層２４Ｇ、および、発光素子形成領域ＡＲｂにおける第２層２４Ｇｎそれぞれに積層するように、プラズマ耐性を有する第２保護層６２を形成する（工程Ｓ３２）。
　そして、次の工程Ｓ１９において、発光素子形成領域ＡＲｒ・ＡＲｇ・ＡＲｂそれぞれにおける第２保護層６２上に、第３層２５Ｂを形成する。
　次で、次に工程Ｓ２０において、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第３層２５Ｂを非発光化することで第３層２５Ｂｐを形成し、発光素子形成領域ＡＲｇにおける第３層２５Ｇを非発光化することで第３層２５Ｂｐを形成する。
　ここで、少なくとも、発光素子形成領域ＡＲｇにおける第２層２４Ｇ上には、プラズマ耐性を有する第２保護層６２が形成されているため、発光素子形成領域ＡＲｇにおける第３層２５Ｂをプラズマ処理により非発光化することで第３層２５Ｂｐを形成する際に、第２保護層６２よりも下層の第２層２４Ｇに含まれる量子ドット３４Ｇまでプラズマ処理されて非発光化されてしまうことを抑制することができる。
　この後、工程Ｓ２１、工程Ｓ２２を経ることで、表示装置１が完成する。
　〔変形例２〕
　図２０および図２１を用いて、実施形態の変形例２に係る表示装置１が備える発光素子３Ｒ・３Ｇについて説明する。図２０は、変形例２に係る表示装置１が備える発光素子３Ｒの概略を表す断面図である。図２１は、変形例２に係る表示装置１が備える発光素子３Ｇの概略を表す断面図である。なお、変形例２に係る表示装置１が備える発光素子３Ｂは、図１などを用いて説明した発光素子３Ｂと同じ構成であってもよい。
　図２０に示すように、発光層２０Ｒのうち、発光する層でありプラズマ処理をしない第１層２３Ｒは、所定の設計膜厚Ｔ１１よりも厚い膜厚Ｔ１２で形成されていてもよい。発光層２０Ｒは、図２に示した工程Ｓ１５の第１層を形成する工程において、発光素子形成領域ＡＲｒにおける第１層２３Ｒの膜厚を、所定の設計膜厚Ｔ１１よりも厚く形成すればよい。
　これにより、第１層２３Ｒ上の第２層２４Ｇｐをプラズマ処理によって非発光化する工程において、第１層２３Ｒのうち厚い部分２３Ｒａは、プラズマ処理によって上層の第２層２４Ｇｐを通過して厚い部分２３Ｒａに侵入した荷電粒子に対する犠牲層として働く。これによると、より、第１層２３Ｒを設計通りの明るさで発光させやすくすることができる。
　また、図２１に示すように、発光層２０Ｇのうち、発光する層でありプラズマ処理をしない第２層２４Ｇは、所定の設計膜厚Ｔ２１よりも厚い膜厚Ｔ２２で形成されていてもよい。発光層２０Ｇは、図２に示した工程Ｓ１７の第２層を形成する工程において、発光素子形成領域ＡＲｇにおける第２層２４Ｇの膜厚を、所定の設計膜厚Ｔ２１よりも厚く形成すればよい。
　これにより、第１層２４Ｇ上の第３層２５Ｂｐをプラズマ処理によって非発光化する工程において、第２層２４Ｇのうち厚い部分２４Ｇａは、プラズマ処理によって上層の第３層２５Ｂｐを通過して厚い部分２４Ｇａに侵入した荷電粒子に対する犠牲層として働く。
　これによると、より、第２層２４Ｇを設計通りの明るさで発光させやすくすることができる。
　設計膜厚Ｔ１１に対する膜厚Ｔ１２、および、設計膜厚Ｔ２１に対する膜厚Ｔ２２は、約１．２倍程度(１．１倍から１．４倍)であることが好ましい。このように、設計膜厚Ｔ１１・Ｔ２１よりも意図的に２０％厚くすることで、プラズマ処理の照射条件をコントロールできない変動を吸収することができる。つまり、より、安定して、設計通りの明るさで第１層２３Ｒおよび第２層２４Ｇを発光させることができる。
　ここで、厚い部分２３Ｒａおよび厚い部分２４Ｇａそれぞれの膜厚は、図１６から図１８に示す第１保護層６１および第２保護層６２よりも厚いことが好ましい。これは、厚い部分２３Ｒａは量子ドット３３Ｒを含む第１層２３Ｒの一部であるため量子ドット３３Ｒ間に隙間があり、厚い部分２４Ｇａは量子ドット３４Ｇを含む第２層２４Ｇの一部であるため量子ドット３４Ｇ間に隙間がある。このため、厚い部分２３Ｒａおよび厚い部分２４Ｇａそれぞれの膜厚を、図１６から図１８に示す第１保護層６１および第２保護層６２よりも厚くすることで、プラズマ処理した際の荷電粒子が、量子ドット３３Ｒ間、または、量子ドット３４Ｇ間の隙間を通過して侵入することを抑制することができる。
　一方、図１６から図１８に示す第１保護層６１および第２保護層６２は、量子ドットを含まず緻密な高分子である。このため、第１保護層６１および第２保護層６２は、厚い部分２３Ｒａおよび厚い部分２４Ｇａよりも膜厚が薄くても、より確実に、プラズマ処理した際の荷電粒子が侵入することを抑制することができる。この結果、このため、第１保護層６１および第２保護層６２は、厚い部分２３Ｒａおよび厚い部分２４Ｇａよりも膜厚が薄くても、より確実に、下層を、プラズマ処理から保護することができる。
　なお、上記実施形態や変形例に登場した各要素を、矛盾が生じない範囲で、適宜に組み合わせてもよい。

Claims (15)

  1. 　発光素子を形成する領域である第１領域および第２領域それぞれに、第１量子ドットを含む第１層を形成する工程と、
    　前記第２領域における前記第１層を非発光化する工程と、
    　前記第１領域および前記第２領域それぞれに、第２量子ドットを含む第２層を形成する工程と、
    　前記第１領域における前記第２層を非発光化する工程と、を含む表示装置の製造方法。
  2. 　前記第１層を非発光化する工程では、前記第２領域における前記第１層に含まれる前記第１量子ドットの半導体の伝導型を、Ｐ型化、または、Ｎ型化し、
    　前記第２層を非発光化する工程では、前記第１領域における前記第２層に含まれる前記第２量子ドットの半導体の伝導型を、Ｐ型、および、Ｎ型のうち、前記第１量子ドットとは異なる伝導型にする、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
  3. 　前記第１層を形成する工程では、発光素子を形成領域である第３領域にも前記第１層を形成し、
    　前記第１層を非発光化する工程では、前記第３領域における前記第１層も非発光化し、
    　前記第２層を形成する工程では、前記第３領域にも前記第２層を形成し、
    　前記第２層を非発光化する工程では、前記第３領域における前記第２層も非発光化し、
    　さらに、前記第１領域、前記第２領域、および、前記第３領域それぞれに、第３量子ドットを含む第３層を形成する工程と、
    　前記第１領域および前記第２領域それぞれにおける前記第３層を非発光化する工程と、を含む、請求項１または２に記載の表示装置の製造方法。
  4. 　前記第１層を形成する工程の前に、前記第１領域、前記第２領域、および、前記第３領域それぞれに、可視光を反射する陽極を形成する工程と、
    　前記第３層を非発光化する工程の後、前記第１領域、前記第２領域、および、前記第３領域それぞれに、可視光を透過する陰極を形成する工程と、を含み、
    　前記第１層を非発光化する工程では、前記第２領域における前記第１層に含まれる前記第１量子ドットをＰ型化し、前記第３領域における前記第１層に含まれる前記第１量子ドットをＰ型化し、
    　前記第２層を非発光化する工程では、前記第１領域における前記第２層に含まれる前記第２量子ドットをＮ型化し、前記第３領域における前記第２層に含まれる前記第２量子ドットをＰ型化し、
    　前記第３層を非発光化する工程では、前記第１領域における前記第３層に含まれる前記第３量子ドットをＮ型化し、前記第２領域における前記第３層に含まれる前記第３量子ドットをＮ型化する、請求項３に記載の表示装置の製造方法。
  5. 　前記第１層を形成する工程の前に、前記第１領域、前記第２領域、および、前記第３領域それぞれに、可視光を反射する陰極を形成する工程と、
    　前記第３層を非発光化する工程の後、前記第１領域、前記第２領域、および、前記第３領域それぞれに、可視光を透過する陽極を形成する工程と、を含み、
    　前記第１層を非発光化する工程では、前記第２領域における前記第１層に含まれる前記第１量子ドットをＮ型化し、前記第３領域における前記第１層に含まれる前記第１量子ドットをＮ型化し、
    　前記第２層を非発光化する工程では、前記第１領域における前記第２層に含まれる前記第２量子ドットをＰ型化し、前記第３領域における前記第２層に含まれる第２量子ドットをＮ型化し、
    　前記第３層を非発光化する工程では、前記第１領域における前記第３層に含まれる前記第３量子ドットをＰ型化し、前記第２領域における前記第３層に含まれる前記第３量子ドットをＰ型化する、請求項３に記載の表示装置の製造方法。
  6. 　前記第１量子ドットは、赤色光、または、緑色光を発光し、
    　前記第２量子ドットは、青色光を発光し、
    　前記第３量子ドットは、赤色光、および、緑色光のうち、前記第１量子ドットとは異なる色の光を発光する、請求項４に記載の表示装置の製造方法。
  7. 　前記第１量子ドットは、赤色光、または、緑色光を発光し、
    　前記第２量子ドットは、赤色光、および、緑色光のうち、前記第１量子ドットとは異なる色の光を発光し、
    　前記第３量子ドットは、青色光を発光する、請求項４に記載の表示装置の製造方法。
  8. 　前記第１量子ドットは、赤色光を発光し、
    　前記第２量子ドットは、緑色光、または、青色光を発光し、
    　前記第３量子ドットは、緑色光、および、青色光のうち、前記第２量子ドットとは異なる色の光を発光する、請求項５に記載の表示装置の製造方法。
  9. 　さらに、前記第１層を非発光化する工程の後、前記第２層を形成する工程の前に、前記第１領域における前記第１層に積層するように、プラズマ耐性を有する第１保護層を形成する工程と、
    　前記第２層を非発光化する工程の後、前記第３層を形成する工程の前に、前記第２領域における前記第２層に積層するように、プラズマ耐性を有する第２保護層を形成する工程と、を含む請求項３から８の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
  10. 　前記第１層を形成する工程では、前記第１領域における前記第１層の膜厚を、所定の設計膜厚よりも厚く形成し、
    　前記第２層を形成する工程では、前記第２領域における前記第２層の膜厚を、所定の設計膜厚よりも厚く形成する、請求項３から８の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
  11. 　前記第１層を非発光化する工程では、前記第１層をプラズマ処理することで前記第１層を非発光化し、
    　前記第２層を非発光化する工程では、前記第２層をプラズマ処理することで前記第２層を非発光化し、
    　前記第３層を非発光化する工程では、前記第２層をプラズマ処理することで前記第３層を非発光化する、請求項３から１０の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
  12. 　前記第１量子ドットの平均粒経よりも、前記第２量子ドットの平均粒経の方が小さく、
    　前記第２量子ドットの平均粒経よりも、前記第３量子ドットの平均粒経の方が小さい、請求項１から１１の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
  13. 　第１発光素子、および、第２発光素子を備え、
    　前記第１発光素子、および、前記第２発光素子は、それぞれ、
    　第１量子ドットを含む第１層と、
    　前記第１層に積層され、第２量子ドットを含む第２層と、を含み、
    　前記第２発光素子における前記第１層は非発光化されており、
    　前記第１発光素子における前記第２層は非発光化されている、表示装置。
  14. 　前記第２発光素子における、前記第１層に含まれる前記第１量子ドットの半導体の伝導型は、Ｐ型、または、Ｎ型であり、
    　前記第１発光素子における、前記第２層に含まれる前記第２量子ドットの半導体の伝導型は、Ｐ型、および、Ｎ型のうち、前記第１量子ドットとは異なる型である、請求項１３に記載の表示装置。
  15. 　前記第２発光素子における前記１層を形成する材料、および、前記第１発光素子における前記第２層を形成する材料は、それぞれ、Ｏ、Ｎ、および、Ｃｌのうち何れかを含有する請求項１４に記載の表示装置。
PCT/JP2020/034280 2020-09-10 2020-09-10 表示装置の製造方法、および、表示装置 WO2022054198A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2020/034280 WO2022054198A1 (ja) 2020-09-10 2020-09-10 表示装置の製造方法、および、表示装置
US18/025,095 US20230329078A1 (en) 2020-09-10 2020-09-10 Method for manufacturing display device, and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2020/034280 WO2022054198A1 (ja) 2020-09-10 2020-09-10 表示装置の製造方法、および、表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022054198A1 true WO2022054198A1 (ja) 2022-03-17

Family

ID=80631848

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2020/034280 WO2022054198A1 (ja) 2020-09-10 2020-09-10 表示装置の製造方法、および、表示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20230329078A1 (ja)
WO (1) WO2022054198A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024079906A1 (ja) * 2022-10-14 2024-04-18 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置の製造方法および表示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011148791A1 (ja) * 2010-05-24 2011-12-01 株式会社 村田製作所 発光素子、及び発光素子の製造方法、並びに表示装置
JP2017097348A (ja) * 2015-11-17 2017-06-01 コミサリア ア エナジー アトミック エ オックス エナジーズ オルタネティヴ 量子ドットを含む層を製造する方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011148791A1 (ja) * 2010-05-24 2011-12-01 株式会社 村田製作所 発光素子、及び発光素子の製造方法、並びに表示装置
JP2017097348A (ja) * 2015-11-17 2017-06-01 コミサリア ア エナジー アトミック エ オックス エナジーズ オルタネティヴ 量子ドットを含む層を製造する方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024079906A1 (ja) * 2022-10-14 2024-04-18 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置の製造方法および表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20230329078A1 (en) 2023-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10096662B2 (en) Organic light emitting display device including a tandem structure and method of manufacturing the organic light emitting display device including the tandem structure
US10096671B2 (en) Organic light emitting display device and method for manufacturing same
KR102079251B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101699093B1 (ko) 유기 ｅｌ 표시 패널과 그 제조 방법
WO2021044558A1 (ja) 発光素子、発光デバイス、発光素子の製造方法
JP4545780B2 (ja) 有機発光表示装置の製造方法
KR102584253B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US20050242712A1 (en) Multicolor electroluminescent display
JP5094477B2 (ja) 有機発光表示装置及びその製造方法
JP2020035942A (ja) キャリア注入量制御電極を有する有機エレクトロルミネセンス素子
KR101789058B1 (ko) 유기 발광장치 및 그 제조방법
US11769788B2 (en) High-resolution display device
US20170098793A1 (en) Organic el element and method for manufacturing same
KR101254746B1 (ko) 유기전계발광표시장치의 제조방법과 유기전계발광표시장치
JP5478954B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
WO2022054198A1 (ja) 表示装置の製造方法、および、表示装置
KR102147843B1 (ko) 플렉시블 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR20170106560A (ko) 조명장치에 포함되는 전계 발광소자 및 이를 제조하는 방법
JP2019192448A (ja) 表示装置
JP2019016496A (ja) 有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法
JP4532892B2 (ja) 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ表示装置
KR20160034807A (ko) 표시 장치
JP4603775B2 (ja) 有機ｅｌ発光素子の製造方法、有機ｅｌ素子を用いる表示装置の製造方法
JP2010199079A (ja) 有機ｅｌ素子および表示装置
KR20160027429A (ko) 유기발광표시장치의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 20953263

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 20953263

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP