KR102570428B1 - 검사소켓 및 그의 제조방법 - Google Patents

Abstract

길이방향으로 신축 가능한 프로브를 지지하는 검사소켓을 제조하는 방법이 개시된다. 검사소켓의 제조방법은, 도전성 재질의 베이스부재에 상기 프로브를 수용하는 프로브공을 형성하는 단계, 상기 베이스부재의 상면으로부터 상기 프로브공에 소정 깊이로 절연재를 채워 프로브지지부재를 형성하는 단계 및 상기 프로브공 내의 프로브지지부재에 상기 프로브의 일단부가 노출되도록 지지하는 제1지지공을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

검사소켓 및 그의 제조방법{Test socket and method fabricating method of the same}

본 발명은 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 검사소켓 및 그의의 제조방법에 관한 것이다.

고주파 또는 고속 반도체 테스트용 검사소켓은 도전성 블록에 신호용 프로브들을 비접촉 상태로 장착함으로써 인접하는 신호용 프로브들 간의 간섭이나 노이즈를 차폐한다. 신호용 프로브를 도전성 블록에 비접촉 상태로 지지하는 방식은 도전성 블록의 양면에 절연성 지지플레이트를 배치하여 신호용 프로브의 양단부를 지지하였다. 이때, 도전성 블록에는 프로브의 배럴을 수용하는 프로브수용공을 형성하고, 절연성 지지플레이트에 배럴의 단부를 지지하기 위한 프로브지지공을 형성한 후, 프로브수용공과 프로브지지공이 정렬되도록 도전성 블록과 절연성 지지플레이트를 볼트를 이용하여 결합하였다. 종래의 검사소켓을 제조하는 방식은 프로브수용공 제조공정과 프로브지지공 제조공정이 각각 개별적으로 수행되기 때문에 프로브들의 수가 증가하면 할수록 공정오차와 정렬 오차도 커진다. 따라서, 다수의 프로브수용공과 프로브지지공에 수용되어 지지되는 신호용 프로브는 프로브수용공의 중심축으로부터 벗어나게 되고, 그 결과 삽입손실(Insertion Loss) 특성, 반사손실(Return Loss) 특성, 크로스토크(Crosstalk) 특성이나 격리(Isolation) 특성, Z-임피던스(Z-Impedance) 특성, 인덕턴스 특성이 나빠질 수 있다.

본 발명의 목적은 특성이 우수한 고주파 또는 고속 반도체 테스트용 검사소켓 및 그의 제조방법을 제공하는데에 있다.

상술한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 제1실시예에 따른 검사소켓의 제조방법이 제공된다. 길이방향으로 신축 가능한 프로브를 지지하는 검사소켓을 제조하는 방법은, 도전성 재질의 베이스부재에 상기 프로브를 수용하는 프로브공을 형성하는 단계, 상기 베이스부재의 상면으로부터 상기 프로브공에 소정 깊이로 절연재를 채워 프로브지지부재를 형성하는 단계 및 상기 프로브공 내의 프로브지지부재에 상기 프로브의 일단부를 지지하는 제1지지공을 형성하는 단계를 포함한다.

상기 절연재를 채우는 단계는, 상기 베이스부재의 일면으로부터 소정 간격을 두고 이격되게 금형커버를 배치하는 단계 및 상기 이격된 간격 및 상기 프로브공에 절연재를 채우는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 방법은 상기 베이스부재의 일면에 상기 프로브공을 둘러싸는 결합홈을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 결합홈은 상기 일면으로부터 깊이 방향으로 단면적이 넓어질 수 있다.

제1실시예에 따른 검사소켓의 제조방법은, 절연재질의 커버부재에 상기 프로브의 타단부를 지지하는 제2지지공을 형성하는 단계, 상기 프로브공에 상기 프로브를 비접촉 상태로 삽입하고 상기 프로브의 양단부를 상기 제1 및 제2지지공에 각각 지지하는 단계 및 상기 커버부재를 상기 베이스부재의 하면에 결합하는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 베이스부재와 상기 커버부재 사이에 갭플레이트를 개재시키는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 프로브공은 상기 프로브지지부가 형성되는 위치에 내부를 향해 돌출하는 돌기를 포함할 수 있다.

본 발명의 제2실시예에 따른 검사소켓의 제조방법이 제공된다. 길이방향으로 신축 가능한 프로브를 지지하는 검사소켓을 제조하는 방법은 도전성 재질의 제1베이스부재의 일면에 상기 프로브가 배치되는 위치에 소정 깊이로 제1함몰부를 형성하는 단계, 상기 제1함몰부에 절연재를 채워 제1프로브지지부를 형성하는 단계 및 상기 제1함몰부에 대응하는 위치의 상기 제1베이스부재에 상기 프로브를 수용하는 프로브수용공을 형성하고, 상기 프로브지지부에 상기 프로브의 일단부가 지지되는 제1지지공을 형성하는 단계를 포함한다.

본 발명의 제2실시예에 따른 검사소켓의 제조방법은, 절연재질의 커버부재에 상기 프로브의 타단부를 지지하는 제2지지공을 형성하는 단계, 상기 제1프로브수용공에 상기 프로브를 삽입하고 상기 프로브의 일단부와 타단부를 상기 제1 및 제2지지공에 각각 지지하는 단계 및 상기 제1베이스부재의 타면에 상기 커버부재를 결합하는 단계를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 제2실시예에 따른 검사소켓의 제조방법은, 도전성 재질의 제2베이스부재의 일면에 상기 프로브가 배치되는 위치에 소정 깊이로 제2함몰부를 형성하는 단계, 상기 제2함몰부에 절연재를 채워 제2프로브지지부를 형성하는 단계 및 상기 제2함몰부에 대응하는 위치의 상기 제2베이스부재에 상기 프로브를 수용하는 제2프로브수용공을 형성하고, 상기 제2프로브지지부에 상기 프로브의 타단부가 지지되는 제2지지공을 형성하는 단계, 상기 제1프로브수용공과 상기 제2프로브수용공에 상기 프로브를 삽입하고 상기 프로브의 일단부와 타단부를 상기 제1지지공 및 상기 제2지지공에 각각 지지하는 단계 및 상기 제1베이스부재의 타면에 상기 제2베이스부재의 타면을 결합하는 단계를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 제3실시예에 따른 검사소켓의 제조방법이 제공된다. 길이방향으로 신축 가능한 프로브를 지지하는 검사소켓을 제조하는 방법은, 도전성 재질의 베이스블록에 상기 프로브를 수용하는 프로브수용공을 형성하는 단계, 도전성재질의 제1베이스부재와 제2베이스부재에 각각 상기 프로브수용공에 대응하는 위치에 제1 및 제2관통공을 형성하는 단계, 상기 제1 및 제2관통공에 절연재를 채워 넣어 제1 및 제2프로브지지부를 형성하는 단계, 상기 제1 및 제2프로브지지부에 상기 프로브의 양단을 지지하는 제1 및 제2지지공을 형성하는 단계 및 상기 프로브를 상기 프로브수용공에 삽입하고 상기 프로브의 양단을 상기 제1 및 제2지지공에 지지하고, 상기 베이스블록의 상하면에 상기 제1베이스부재와 제2베이스부재를 각각 결합하는 단계를 포함한다.

본 발명의 제4실시예에 따른 검사소켓의 제조방법이 제공된다. 길이방향으로 신축 가능한 복수의 프로브를 지지하는 검사소켓을 제조하는 방법은 도전성 재질의 제1베이스블록에 두께 방향으로 관통하는 복수의 관통공을 형성하는 단계, 상기 복수의 관통공에 각각 절연재를 채워넣는 단계, 상기 복수의 관통공의 절연재에 상기 복수의 프로브를 수용하는 제1프로브수용공을 형성하는 단계, 상기 제1프로브수용공에 상기 복수의 프로브를 삽입하는 단계를 포함한다. 상기 복수의 프로브 중 일부 프로브의 외면과 상기 관통공의 내벽 사이에 공기층이 형성되도록 절연재가 제거되고, 상기 복수의 프로브 중 나머지 프로브의 외면과 상기 관통공의 내벽 사이에 절연재가 개재된다.

상기 일부 프로브는 검사신호를 인가하는 신호프로브를 포함할 수 있다.

상기 나머지 프로브는 파워를 인가하는 파워프로브를 포함할 수 있다.

상기 제4실시예에 따른 검사소켓의 제조방법은 상기 제1베이스블록의 일면에서 상기 관통공 주위에 상기 절연재가 채워지는 소정 깊이의 제1 및 제2함몰부를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 제5실시예에 따른, 길이방향으로 신축 가능한 복수의 프로브를 지지하는 검사소켓을 제조하는 방법이 제공된다. 검사소켓의 제조방법은 도전성 재질의 제1베이스블록과 제2베이스블록에 두께 방향으로 관통하는 복수의 관통공을 형성하는 단계, 상기 복수의 관통공에 절연재를 채워 넣는 단계, 상기 복수의 관통공의 절연재에 상기 복수의 프로브를 수용하는 제1프로브수용공과 제2프로브수용공을 형성하는 단계 및 상기 제1프로브수용공과 제2프로브수용공에 상기 복수의 프로브를 삽입하는 단계를 포함한다. 상기 복수의 프로브 중 일부 프로브의 외면과 상기 관통공의 내벽 사이에 공기층이 형성되도록 절연재가 제거되고, 상기 복수의 프로브 중 나머지 프로브의 외면과 상기 관통공의 내벽 사이에 절연재가 개재된다.

본 발명의 실시예에 따른 검사소켓이 제공된다. 검사소켓은 검사신호를 인가하는 신호프로브, 파워를 인가하는 파워프로브 및 상기 신호프로브와 상기 파워프로브를 각각 수용하는 신호프로브공과 파워프로브공을 가진 도전성재질의 소켓블록을 포함한다. 상기 신호프로브의 외주면과 상기 신호프로브공의 내벽 사이의 일부구간에는 공기층을 포함한다. 상기 파워프로브의 외주면과 상기 파워프로브공의 내벽 사이에는 절연재를 포함한다.

본 발명의 실시예에 따른 검사소켓의 제조방법은 도전성 재질의 베이스부재에 관통공을 형성한 후에 절연재를 채워 넣고 드릴링에 의해 절연재에 프로브를 수용 및 지지하는 프로브수용공과 프로브지지공을 형성한다. 이때, 프로브수용공과 프로브지지공을 단일 공정으로 형성하기 때문에 신호용 프로브가 프로브수용공의 중심축에 위치하도록 할 수 있고, 그 결과 삽입손실(Insertion Loss), 반사손실(Return Loss), 크로스토크(Crosstalk)나 격리(Isolation), Z-임피던스(Z-Impedance), 인덕턴스(Inductance) 특성들을 향상시킬 수 있다.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 검사소켓을 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 소켓블록을 나타낸 단면도이다.
도 3a 내지 3d는 도 1의 검사소켓을 제조하는 방법을 나타내는 도면이다.
도 4는 도 2의 갭플레이트를 나타내는 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 제1실시예에 따른 제1접합블록을 제조하는 방법을 나타내는 도면이다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 제1실시예에 따른 제2접합블록을 제조하는 방법을 나타내는 도면이다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 제2실시예에 따른 검사소켓을 제조하는 방법을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 제3실시예에 따른 소켓블록을 나타낸 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제4실시예에 따른 소켓블록을 나타낸 단면도이다.
도 10는 본 발명의 제5실시예에 따른 소켓블록을 나타낸 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제6실시예에 따른 소켓블록을 나타낸 단면도이다.
도 12a 내지 12f는 도 11의 소켓블록을 제조하는 방법을 나타낸 도면이다.
도 13 내지 도 16은 각각 종래기술과 본 발명의 실시에에 따른 검사소켓의 삽입손실, 반사손실, 격리 및 Z-임피던스 특성을 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 17은 본 발명의 제7실시예에 따른 검사소켓을 나타내는 도면이다.
도 18은 도 17의 A-A선따라 절취한 단면을 나타내는 도면이다.
도 19는 도 18의 소켓블록을 나타내는 도면이다.
도 20은 도 17의 B-B선따라 절취한 단면을 나타내는 도면이다.
도 21은 도 17의 C-C선따라 절취한 단면을 나타내는 도면이다.
도 22는 신호프로브의 삽입손실(Insertion Loss)을 나타낸 그래프이다.
도 23은 신호프로브의 리턴손실(Return Loss)을 나타낸 그래프이다.
도 24는 신호프로브의 임피던스를 나타낸 그래프이다.
도 25는 파워프로브의 Z-임피던스를 나타낸 그래프이다.
도 26A 내지 26D은 도 17의 검사소켓을 제조하는 방법을 나타내는 도면이다.

이하 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세하게 설명한다.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 검사소켓(1)을 나타내는 단면도이다.

도 1을 참조하면, 검사소켓(1)은 소켓블록(2)과 다수의 프로브들, 예를 들면 파워프로브(5), 접지프로브(6), 신호프로브 또는 RF프로브(이하, '신호프로브'로 칭함)(7)를 포함할 수 있다. 검사소켓(1)은 파워프로브(5), 접지프로브(6), 및 신호프로브(7) 중 어느 하나 또는 두개만을 포함할 수도 있다.

소켓블록(2)은 제1접합블록(3)과 제2접합블록(4)을 포함할 수 있다.

제1접합블록(3)은 일체로 형성된 제1베이스부재(31)와 제1프로브지지부재(32)를 포함할 수 있다.

제1베이스부재(31)는 도전성 재질, 예를 들면 황동 등으로 이루어질 수 있다. 제1베이스부재(31)는 절연재질의 부재에 도전성 재료로 도포하여 형성할 수도 있다.

제1프로브지지부재(32)는 제1베이스부재에서 파워프로브(5) 및 신호프로브(7)를 각각 수용하는 제1파워프로브공(21-1) 및 제1신호프로브공(23-1) 내에 일체로 형성될 수 있다. 제1프로브지지부재(32)는 파워프로브(5) 및 신호프로브(7)의 일단부를 지지할 수 있다. 제1프로브지지부재(32)는 절연재질, 예를 들면 엔지니어링 플라스틱 등으로 이루어질 수 있다.

제2접합블록(4)은 일체로 형성된 제2베이스부재(41)와 제2프로브지지부재(42)를 일체로 접합하여 형성할 수 있다. 이때, 접합은 사출재를 제2베이스부재(42)에 인서트 사출하여 구현될 수 있다.

제2베이스부재(41)는 도전성 재질, 예를 들면 황동 등으로 이루어질 수 있다. 제2베이스부재(41)는 절연재질의 부재에 도전성 재료를 도포하여 형성할 수도 있다. 제2베이스부재(41)는 제1베이스부재(31)보다 작은 두께로 이루어질 수 있다.

제2프로브지지부재(42)는 파워프로브(5) 및 신호프로브(7)의 타단부를 지지할 수 있다. 제2프로브지지부재(42)는 절연재질, 예를 들면 엔지니어링 플라스틱 등으로 이루어질 수 있다.

제2프로브지지부재(42)는 제2파워프로브공(21-2) 내에 삽입되는 제1지지부(421), 함몰부에 삽입되는 제2지지부(422) 및 제2베이스부재(41)의 표면을 커버하는 커버판(423)을 포함할 수 있다.

파워프로브(5)는 제1 및 제2베이스부재(31,41)에 비접촉 상태로 수용되고 일단부가 제1프로브지지부재(32)에 지지되고 타단부가 제2프로브지지부재(42)에 지지될 수 있다. 파워프로브(5)는 배럴(51), 제1플런저(52), 제2플런저(53) 및 스프링(미도시)을 포함할 수 있다. 제1플런저(52)와 제2플런저(53)는 스프링을 사이에 두고 길이방향을 따라 신축 가능하며, 소켓블록(2)의 상하면에 부분 돌출하여 피검사체의 파워접점과 검사회로의 파워접점 사이를 전기적으로 연결할 수 있다.

접지프로브(6)는 제1 및 제2베이스부재(31,41)에 접촉 상태로 지지되고 양단부가 제1 및 제2프로브지지부재(32,42)를 통과하도록 지지될 수 있다. 접지프로브(6)는 배럴(61), 제1플런저(62), 제2플런저(63) 및 스프링(미도시)을 포함할 수 있다. 제1플런저(62)와 제2플런저(63)는 스프링을 사이에 두고 길이방향을 따라 신축 가능하며, 소켓블록(2)의 상하면에 부분 돌출하여 피검사체의 접지접점과 검사회로의 접지접점 사이를 전기적으로 연결할 수 있다.

신호프로브(7)는 제1 및 제2베이스부재(31,41)에 비접촉 상태로 수용되고 일단부가 제1프로브지지부재(32)에 지지되고 타단부가 제2프로브지지부재(42)에 지지될 수 있다. 신호프로브(7)는 배럴(71), 제1플런저(72), 제2플런저(73) 및 스프링(미도시)을 포함할 수 있다. 제1플런저(72)와 제2플런저(73)는 스프링을 사이에 두고 길이방향을 따라 신축 가능하며, 소켓블록(2)의 상하면에 부분 돌출하여 피검사체의 신호접점과 검사회로의 신호접점 사이를 전기적으로 연결할 수 있다.

제1접합블록(3)과 제2접합블록(4) 사이에는 다수 프로브들(5,6,7)의 위치를 정렬하기 위한 갭플레이트(8)를 포함할 수도 있다.

갭플레이트(8)에는 도 4에 나타낸 바와 같이 파워프로브(5), 접지프로브(6), 신호프로브(7)의 배럴(51,61,71) 외경에 대응하는 파워홀(81), 접지홀(82) 및 신호홀(83)이 형성되어 있다.

갭플레이트(8)는 절연성의 재질, 예를 들면 엔지니어링 플라스틱으로 이루어질 수 있다. 갭플레이트(8)는 제1접합블록(3)과 제2접합블록(4)을 결합할 때 정렬 오차를 보정할 수 있다.

파워프로브(5), 접지프로브(6) 및 신호프로브(7)는 전술한 포고타입으로만 한정되지 않고 신축 가능한 프로브라면 어느 것이든 적용할 수 있다.

도 2는 도 1의 소켓블록(2)을 나타낸 단면도이다.

도 2를 참조하면, 소켓블록(2)은 제1 및 제2접합블록(3,4)을 포함할 수 있다. 소켓블록(2)은 파워프로브(5)를 비접촉 상태로 수용하는 파워프로브공(21), 접지프로브(6)를 접촉 상태로 수용하는 접지프로브공(22), 신호프로브(7)를 비접촉 상태로 수용하는 신호프로브공(23)을 포함할 수 있다.

제1접합블록(3)은 서로 접합된 제1베이스부재(31)와 제1프로브지지부재(32)를 포함할 수 있다. 제2접합블록(4)은 서로 접합된 제2베이스부재(41)와 제2프로브지지부재(42)를 포함할 수 있다.

파워프로브공(21)은 제1 및 제2접합블록(3,4)에 각각 형성되는 제1 및 제2파워프로브공(21-1,21-2)를 포함할 수 있다.

제1파워프로브공(21-1)은 파워프로브(5)의 일부를 비접촉 상태로 수용하도록 제1베이스부재(31)에 형성되는 제1파워프로브 수용공(211), 파워프로브(5)의 일단부를 지지하도록 제1프로브지지부재(32)에 형성되는 제1파워프로브 지지공(212)을 포함할 수 있다.

제2파워프로브공(21-2)은 파워프로브(5)의 나머지 일부를 비접촉 상태로 수용하도록 제2베이스부재(41)에 형성되는 제2파워프로브 수용공(213), 파워프로브(5)의 타단부를 지지하도록 제2프로브지지부재(42)에 형성되는 제2파워프로브 지지공(214)을 포함할 수 있다.

제1 및 제2파워프로브 수용공(211, 213)은 제1 및 제2베이스부재(31, 41)를 파워프로브(5)의 배럴(51)의 외경보다 큰 직경으로 일정하게 상하 관통하도록 형성될 수 있다.

제1파워프로브 지지공(212)은 파워프로브(5)의 배럴(51)의 일단부에 대응하는 형상으로 제1프로브지지부재(32)에 형성되는 제1배럴지지홈(2121)과, 제1배럴지지홈(2121)에 연통하고 제1플런저(52)가 통과하도록 제1프로브지지부재(32)에 형성되는 제1플런저통과공(2122)을 포함할 수 있다.

제2파워프로브 지지공(214)은 파워프로브(5)의 배럴(51)의 타단부에 대응하는 형상으로 제2프로브지지부재(42)에 형성되는 제2배럴지지홈(2141)과, 제2배럴지지홈(2141)에 연통하고 제2플런저(53)가 통과하도록 제2프로브지지부재(42)에 형성되는 제2플런저통과공(2142)을 포함할 수 있다.

접지프로브공(22)은 제1 및 제2접합블록(3,4)에 각각 형성되는 제1 및 제2접지프로브공(22-1,22-2)을 포함할 수 있다.

제1접지프로브공(22-1)은 접지프로브(6)의 일부를 접촉 상태로 수용하도록 제1베이스부재(31)에 형성되는 제1접지프로브 수용공(221) 및 접지프로브(6)의 제1플런저(62)가 통과하도록 제1프로브지지부재(32)에 형성되는 제1접지프로브 통과공(222)을 포함할 수 있다.

제2접지프로브공(22-2)은 접지프로브(6)의 나머지 일부를 접촉 상태로 수용하도록 제2베이스부재(41)에 형성되는 제2접지프로브 수용공(223), 및 접지프로브(6)의 제2플런저(63)가 통과하도록 제2프로브지지부재(42)에 형성되는 제2접지프로브 통과공(224)을 포함할 수 있다.

제1 및 제2접지프로브 수용공(221,223)은 접지프로브(6)의 배럴(61)의 외경과 동일한 직경으로 일정하게 연장하도록 제1 및 제2베이스부재(31,41)에 각각 형성되는 제1 및 제2배럴수용공(2211,2231), 접지프로브(6)의 배럴(61)의 양단부를 수용하도록 제1 및 제2베이스부재(31,41)에 각각 형성되는 제1 및 제2배럴단부수용홈(2212,2232)을 포함할 수 있다.

신호프로브공(23)은 제1 및 제2접합블록(3,4)에 각각 형성되는 제1 및 제2신호프로브공(23-1,23-2)를 포함할 수 있다.

삭제

제1신호프로브공(23-1)은 신호프로브(7)의 일부를 비접촉 상태로 수용하도록 제1베이스부재(31)에 형성되는 제1신호프로브 수용공(231), 신호프로브(7)의 일단부를 지지하도록 제1프로브지지부재(32)에 형성되는 제1신호프로브 지지공(232)을 포함할 수 있다.

제2신호프로브공(23-2)은 신호프로브(7)의 나머지 일부를 비접촉 상태로 수용하도록 제2베이스부재(41)에 형성되는 제2신호프로브 수용공(233), 신호프로브(7)의 타단부를 지지하도록 제2프로브지지부재(42)에 형성되는 제2신호프로브 지지공(234)을 포함할 수 있다.

제1 및 제2신호프로브 수용공(231, 233)은 제1 및 제2베이스부재(31, 41)를 신호프로브(7)의 배럴(71)의 외경보다 큰 직경으로 일정하게 상하 관통하도록 형성될 수 있다.

제1신호프로브 지지공(232)은 신호프로브(7)의 배럴(71)의 일단부에 대응하는 형상으로 제1프로브지지부재(32)에 형성되는 제1배럴지지홈(2321)과, 제1배럴지지홈(2321)에 연통하고 제1플런저(72)가 통과하도록 제1프로브지지부재(32)에 형성되는 제1플런저통과공(2322)를 포함할 수 있다.

제2신호프로브 지지공(234)은 신호프로브(7)의 배럴(71)의 타단부에 대응하는 형상으로 제2프로브지지부재(42)에 형성되는 제2배럴지지홈(2341)과, 제2배럴지지홈(2341)에 연통하고 제2플런저(73)가 통과하도록 제2프로브지지부재(42)에 형성되는 제2플런저통과공(2342)를 포함할 수 있다.

도 3a 내지 3d는 도 1의 검사소켓(1)을 제조하는 방법을 나타내는 도면이다.

도 3a에 나타낸 바와 같이, 제1베이스부재(31)는 상면과 하면 사이를 나란하게 연장하는 제1파워프로브공(21-1), 제1접지프로브공(22-1) 및 제1신호프로브공(23-1)을 예를 들면 드릴(100)을 이용하여 형성할 수 있다. 마찬가지로, 제2베이스부재(41)는 상면과 하면 사이를 나란하게 연장하는 제2파워프로브공(21-2), 제2접지프로브공(22-2) 및 제2신호프로브공(23-2)을 예를 들면 드릴(100)을 이용하여 형성할 수 있다. 제1 및 제2베이스부재(31,41)는 도전성 재질, 예를 들면 황동으로 이루어질 수 있다.
제2베이스부재(41)에는 하부면에서 제2파워프로브공(21-2), 및 제2신호프로브공(23-2)을 둘러싸면서 파여진 함몰부(21-3,23-3)를 포함할 수 있다.

도 3b에 나타낸 바와 같이, 예를 들면 사출재를 이용한 인서트 사출금형에 의해, 제1베이스부재(31)의 제1파워프로브공(21-1) 및 제1신호프로브공(23-1)의 일면으로부터 소정 깊이에 제1프로브지지부재(32)를 형성할 수 있다. 마찬가지로, 예를 들면 사출재를 이용한 인서트 사출금형에 의해, 제2베이스부재(41)의 제2파워프로브공(21-2) 및 제2신호프로브공(23-2)의 일면으로부터 소정 깊이에 제2프로브지지부재(42)를 형성할 수 있다. 제1 및 제2프로브지지부재(32,42)는 절연성의 재질, 예를 들면 엔지니어링 플라스틱으로 이루질 수 있다.

도 3c에 나타낸 바와 같이, 제1프로브지지부재(32)에 각각 파워프로브(5)와 신호프로브(7)의 일단부가 외부로 부분 노출되도록 지지하기 위한 제 1파워프로브 지지공(212) 및 제1신호프로브 지지공(232)을 형성할 수 있다. 마찬가지로, 제2프로브지지부재(42)에 파워프로브(5)와 신호프로브(7)의 타단부가 외부로 부분 노출되도록 지지하기 위한 제 2파워프로브 지지공(214) 및 제2신호프로브 지지공(234)을 형성할 수 있다.

도 3d에 나타낸 바와 같이, 제1 및 제2파워프로브공(21-1,21-2), 제1 및 제2접지프로브공(22-1,22-2), 및 제1 및 제2신호프로브공(23-1,23-2)에 각각 파워프로브(5), 접지프로브(6) 및 신호프로브(7)를 삽입한 후에 제1접합블록(3)과 제2접합블록(4)을 예를 들면, 볼트 또는 나사(미도시)로 결합할 수 있다.

상술한 바와 같이, 제1 및 제2접합블록(3,4)에서 제1 및 제2파워프로브공(21-1,21-2)과 제1 및 제2신호프로브 수용공(23-1,23-2)을 통하여 제1 및 제2파워프로브 지지공(212,214)과 제1 및 제2신호프로브 지지공(232,234)을 각각 한번의 공정으로 드릴링하기 때문에, 검사소켓(1)에 많은 수의 파워프로브공(21) 및/또는 신호프로브공(23)을 형성하더라도 정렬에 따른 오차를 줄일 수 있다. 따라서, 파워프로브(5) 및 신호프로브(7)는 파워프로브공(21) 및 신호프로브공(23)의 중심축에 맞게 지지될 수 있고, 그 결과 삽입손실(Insertion Loss), 반사손실(Return Loss), 크로스토크(Crosstalk)나 격리(Isolation), Z-임피던스(Z-Impedance), 인덕턴스(Inductance) 특성들이 향상될 수 있다.

도 4는 도 2의 갭플레이트(8)를 나타내는 단면도이다.

도 4에 나타낸 바와 같이, 절연재질로 이루어진 갭플레이트(8)에는 파워프로브(5)의 배럴(51), 접지프로브(6)의 배럴(61) 및 신호프로브(7)의 배럴(71)의 각 외경에 대응하는 파워홀(81), 접지홀(82) 및 신호홀(83)이 예를 들면, 드릴(100)에 의해 형성될 수 있다. 이와 같이, 형성된 갭플레이트(8)는 도 2에 나타낸 바와 같이, 제1접합블록(3)과 제2접합블록(4) 사이에 개재될 수 있다.

이하, 제1 및 제2접합블록(3,4)을 제조하는 방법을 상세하게 설명한다.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 제1실시예에 따른 제1접합블록(3)을 제조하는 방법을 나타내는 도면이다.

도 5a에 나타낸 바와 같이, 예를 들면 황동으로 이루어진 제1베이스부재(31)에 제1파워프로브공(21-1), 제1접지프로브공(22-1) 및 제1신호프로브공(23-1)을 드릴링하여 형성할 수 있다.

도 5b에 나타낸 바와 같이, 예를 들면 제1베이스부재(31)의 하면으로부터 제1파워프로브공(21-1), 제1접지프로브공(22-1) 및 제1신호프로브공(23-1)을 금형부재(34)를 삽입할 수 있다. 이때, 제1베이스부재(31)의 제1파워프로브공(21-1) 및 제1신호프로브공(23-1)은 제1프로브지지부재(32)가 채워지는 소정 깊이를 비워 놓고, 제1접지프로브공(22-1)는 전체를 금형부재(34)로 막을 수 있다. 이후, 예를 들면 절연재질의 수지를 빈 부분에 채워 넣고 예를 들면 430℃, 3.5초 동안, 160kf/cm2의 압력을 가하여, 제1베이스부재(31)에 제1프로브지지부재(32)를 형성할 수 있다.

도 5c에 나타낸 바와 같이, 제1프로브지지부재(32)에 제 1파워프로브 지지공(212) 및 제1신호프로브 지지공(232)을 드릴링 할 수 있다.

도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 제1실시예에 따른 제2접합블록(4)을 제조하는 방법을 나타내는 도면이다.

도 6a에 나타낸 바와 같이, 예를 들면 황동으로 이루어진 제2베이스부재(41)에 제2파워프로브공(21-2), 제2접지프로브공(22-2) 및 제2신호프로브공(23-2)을 드릴링하여 형성할 수 있다. 또한, 제2베이스부재(41)의 하면에는 제2파워프로브공(21-2) 및 제2신호프로브공(23-2)을 둘러싸면서 파여진 함몰부(21-3, 23-3)를 형성할 수 있다. 함몰부(21-3, 23-3)는 제2베이스부재(41)의 하면에서 점차적으로 단면적이 넓어지는 형상을 가질 수 있다.

도 6b에 나타낸 바와 같이, 제2베이스부재(41)의 상면으로부터 제2파워프로브공(21-2), 제2접지프로브공(22-2) 및 제2신호프로브공(23-2)을 채우는 금형부재(34)로 채울 수 있다. 이때, 제2베이스부재(41)의 제2파워프로브공(21-2) 및 제2신호프로브공(23-2)는 제2프로브지지부재(42)가 채워지는 부분을 소정 깊이로 비워 놓고, 제2접지프로브공(22-2)는 전체를 금형부재(34)로 막을 수 있다. 또한, 제2베이스부재(41)의 하면으로부터 일정 간격으로 이격된 금형커버(35)를 씌울 수 있다. 이후, 예를 들면 절연재질의 수지를 빈 부분 및 금형커버(35) 내의 공간에 채워 넣고, 예를 들면 430℃, 3.5초 동안, 160kf/cm2의 압력을 가하여, 제1베이스부재(31)에 제2프로브지지부재(42)를 형성할 수 있다.

도 6c에 나타낸 바와 같이, 제2프로브지지부재(42)에 제2파워프로브 지지공(214), 접지프로브 통과공(224) 및 제2신호프로브 지지공(234)을 드릴링 한다.

도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 제2실시예에 따른 검사소켓(1)을 제조하는 방법을 나타내는 도면이다.

도 7a에 나타낸 바와 같이, 제1베이스부재(31)의 상면에서 파워프로브(5) 및 신호프로브(7)의 일단부가 위치하는 부분에 소정 깊이로 제1함몰부(317)를 형성할 수 있다. 마찬가지로, 제2베이스부재(41)의 하면에서 파워프로브(5) 및 신호프로브(7)의 타단부가 위치하는 부분에 소정 깊이로 제2함몰부(318)를 예를 들면 드릴(100)을 이용하여 형성할 수 있다. 여기서, 제1 및 제2함몰부(317,318)는 바닥을 향해 점차 좁아지는 형상을 가질 수 있다.

도 7b에 나타낸 바와 같이, 제1 및 제2함몰부(317,318)에 절연재질, 예를 들면 엔지니어링 플라스틱을 인서트 사출 금형에 의해 채워 넣어 제1 및 제2프로브지지부재(32,42)를 형성한다.

도 7c에 나타낸 바와 같이, 제1 및 제2베이스부재(31,41)와 제1 및 제2프로브지지부재(32,42)에 각각 제1 및 제2파워프로브공(21-1,21-2), 제1 및 제2접지프로브공(22-1,22-2) 및 제1 및 제2신호프로브공(23-1,23-2)을 형성한다.

도 7d에 나타낸 바와 같이, 파워프로브(5), 접지프로브(6) 및 신호프로브(7)를 각각 파워프로브공(21), 접지프로브공(22) 및 신호프로브공(23)에 삽입한다. 이후, 소켓블록(2)은 제1합블록(3)과 제2접합블록(4)을 결합함으로써 형성될 수 있다. 제1합블록(3)과 제2접합블록(4) 사이에는 갭플레이트(8)가 개재될 수 있다.

도 8은 본 발명의 제3실시예에 따른 소켓블록(2)을 나타낸 단면도이다.

도 8을 참조하면, 소켓블록(2)은 서로 결합된 제1접합블록(3)과 제2접합블록(4)을 포함할 수 있다.

제1접합블록(3)은 도전성 재질의 제1베이스부재(31)와 절연재질의 제1프로브지지부재(32)를 일체로 접합하여 형성할 수 있다. 제1프로브지지부재(32)는 예를 들면 인서트 사출 성형에 의해, 제1베이스부재(31)의 일면에서 제1파워프로브공(21-1)과 제1신호프로브공(23-1) 내부에 소정 깊이로 형성될 수 있다.

제1프로브지지부재(32)는 파워프로브(5) 및 신호프로브(7)의 일단부가 외부로 부분 돌출되도록 지지할 수 있다.

제2접합블록(4)은 도전성 재질의 제2베이스부재(41)와 절연재질의 제2프로브지지부재(42)를 일체로 접합하여 형성할 수 있다. 제2프로브지지부재(42)는 예를 들면 인서트 사출 성형에 의해, 제2베이스부재(41)의 일면에서 제2파워프로브공(21-2)과 제2신호프로브공(23-2) 내부에 소정 깊이로 접합될 수 있다.

제2프로브지지부재(42)는 파워프로브(5) 및 신호프로브(7)의 타단부를 외부로 부분 돌출되도록 지지할 수 있다.

제1접합블록(3)과 제2접합블록(4) 사이에는 파워프로브(5), 접지프로브(6), 및 신호프로브(7)의 위치를 정렬하기 위한 갭플레이트(8)를 포함할 수도 있다.

도 9는 본 발명의 제4실시예에 따른 소켓블록(2)을 나타낸 단면도이다.

도 9를 참조하면, 소켓블록(2)은 서로 결합된 제1접합블록(3)과 제2접합블록(4)을 포함할 수 있다.

제1접합블록(3)은 제1베이스부재(31)와 제1프로브지지부재(32)를 일체로 접합하여 형성할 수 있다. 여기서, 접합은 예를 들면 접착시트, 인서트 사출성형 등으로 구현될 수 있다.

마찬가지로, 제2접합블록(4)은 제2베이스부재(41)와 제2프로브지지부재(42)를 일체로 접합하여 형성할 수 있다. 여기서, 접합은 접착시트, 인서트 사출 성형 등으로 구현될 수 있다.

제1 및 제2베이스부재(31,41)는 파워프로브(5) 및 신호프로브(7)를 비접촉 상태로 수용하고, 접지프로브(6)를 접촉 상태로 수용할 수 있다.

제1 및 제2베이스부재(31,41)는 도전성 재질, 예를 들면 황동 등으로 이루어질 수 있다. 제2베이스부재(41)는 제1베이스부재(31)보다 작은 두께로 이루어질 수 있다.

제1 및 제2프로브지지부재(32,42)는 파워프로브(5), 접지프로브(6) 및 신호프로브(7)의 양단부가 소켓블록(2)의 상하면에 부분 돌출되도록 지지할 수 있다.

제1 및 제2프로브지지부재(32,42)는 절연재질, 예를 들면 엔지니어링 플라스틱 등으로 이루어질 수 있다.

제1 및 제2프로브지지부재(32,42)는 파워프로브공(21)의 양측 단부 내에 삽입되는 제1지지부(321,421), 제1지지부(321,421)로부터 반경방향으로 확장하는 제2지지부(322,422) 및 제1 및 제2베이스부재(31,41)의 표면을 커버하는 커버판(323,423)을 포함할 수 있다. 제2지지부(322,422)는 커버판(323,423)을 향해 단면적이 점차 작아짐으로써, 커버판(323,423)이 제1 및 제2베이스부재(31,41)에 견고하게 접합될 수 있다.

제1접합블록(3)과 제2접합블록(4) 사이에는 파워프로브(5), 접지프로브(6), 및 신호프로브(7)의 위치를 정렬하기 위한 갭플레이트(8)를 포함할 수도 있다.

도 10는 본 발명의 제5실시예에 따른 소켓블록(2)을 나타낸 단면도이다.

도 10을 참조하면, 소켓블록(2)은 접합블록(3)과 커버부재(9)를 포함할 수 있다.

접합블록(3)은 예를 들면 황동과 같은 도전성 재질의 베이스부재(31)와 예를 들면 엔지니어링 플라스틱과 같은 절연재질의 프로브지지부재(32)를 일체로 접합하여 형성할 수 있다. 프로브지지부재(32)는 예를 들면 인서트 사출금형에 의해, 베이스부재(31)의 일면에서 파워프로브공(21)과 신호프로브공(23) 내부에 소정 깊이로 형성될 수 있다.

프로브지지부재(32)는 파워프로브(5) 및 신호프로브(7)의 일단부가 외부로 부분 돌출되도록 지지할 수 있다.

커버부재(9)는 나사, 볼트 등을 이용하여 베이스부재(31)의 이면에 결합될 수 있다. 커버부재(9)는 예를 들면 엔지니어링 플라스틱 등으로 이루어질 수 있다.

커버부재(9)는 파워프로브(5) 및 신호프로브(7)의 타단부가 외부로 부분 돌출되도록 지지할 수 있다.

접합블록(3)과 커버부재(9) 사이에는 파워프로브(5), 접지프로브(6), 및 신호프로브(7)의 위치를 정렬하기 위한 갭플레이트(8)를 포함할 수도 있다.

도 11은 본 발명의 제6실시예에 따른 소켓블록(2)을 나타낸 단면도이다.

도 11을 참조하면, 소켓블록(2)은 베이스블록(2-1), 제1접합블록(2-2), 및 제2접합블록(2-3)을 포함할 수 있다.

베이스블록(2-1)은 도전성 재질, 예를 들면 황동으로 이루어질 수 있다. 베이스블록(2-1)은 파워프로브(5), 접지프로브(6), 및 신호프로브(7)를 각각 수용하는 파워프로브 수용공(211), 접지프로브 수용공(221) 및 신호프로브 수용공(231)을 포함할 수 있다.

제1접합블록(2-2)은 일체로 형성된 제1베이스부재(31)와 제1프로브지지부재(32)를 포함할 수 있다. 제1접합블록(2-2)은 파워프로브(5)와 신호프로브(7)의 일단부가 외부로 부분 돌출되도록 지지할 수 있다.

제1베이스부재(31)는 도전성 재질, 예를 들면 황동으로 이루어질 수 있다. 제1베이스부재(31)는 제1프로브지지부재(32)가 일체로 삽입되어 접합되는 제1프로브지지공(311)과 접지프로브(6)의 제1플런저(62)가 통과하는 제1플런저통과공(312)이 형성될 수 있다.

제1프로브지지부재(32)는 절연재질, 예를 들면 엔지니어링 플라스틱으로 이루어질 수 있다. 제1프로브지지부재(32)는 제1파워프로브 지지공(212)과 제1신호프로브 지지공(232)이 형성될 수 있다.

제2접합블록(2-3)은 일체로 형성된 제2베이스부재(41)와 제2프로브지지부재(42)를 포함할 수 있다. 제2접합블록(2-3)은 파워프로브(5)와 신호프로브(7)의 타단부가 외부로 부분 돌출되도록 지지할 수 있다.

제2베이스부재(41)는 도전성 재질, 예를 들면 황동으로 이루어질 수 있다. 제2베이스부재(41)는 제2프로브지지부재(42)가 일체로 삽입되어 접합되는 제2프로브지지공(313)과 접지프로브(6)의 제2플런저(63)가 통과하는 제2플런저통과공(314)이 형성될 수 있다.

제2프로브지지부재(42)는 절연재질, 예를 들면 엔지니어링 플라스틱으로 이루어질 수 있다. 제2프로브지지부재(42)는 제2파워프로브 지지공(213)과 제2신호프로브 지지공(233)이 형성될 수 있다.

도 12a 내지 12f는 도 11의 소켓블록(2)을 제조하는 방법을 나타낸 도면이다.

도 12a에 나타낸 바와 같이, 도전성 재질의 베이스블록(2-1) 상하면을 관통하는 파워프로브 수용공(211), 접지프로브 수용공(221) 및 신호프로브 수용공(231)을 드릴링 할 수 있다.

도 12b에 나타낸 바와 같이, 도전성 재질의 제1베이스부재(31) 상하면을 관통하는 제1프로브지지공(311)과 제1플런저통과공(312)을 드릴링 할 수 있다. 마찬가지로, 도전성 재질의 제2베이스부재(41) 상하면을 관통하는 제2프로브지지공(313)과 제2플런저통과공(314)을 드릴링 할 수 있다.

도 12c에 나타낸 바와 같이, 제1프로브지지공(311) 내에 절연재질의 사출재로 인서트 사출에 의해 삽입하여 제1프로브지지부재(32)를 형성할 수 있다. 마찬가지로, 제2프로브지지공(313) 내에 절연재질의 사출재로 인서트 사출에 의해 삽입하여 제2프로브지지부재(42)를 형성할 수 있다.

도 12d에 나타낸 바와 같이, 제1프로브지지부재(32)에 제1파워프로브 지지공(212)과 제1신호프로브 지지공(232)을 드릴링 할 수 있다. 이때, 제1파워프로브 지지공(212)과 제1신호프로브 지지공(232)의 드릴링은 예를 들면 볼트(111)에 의해 베이스블록(2-1)과 제1베이스부재(31)를 견고하게 결합한 상태에서, 파워프로브 수용공(211), 접지프로브 수용공(221) 및 신호프로브 수용공(231)를 통하여 수행할 수 있다.

도 12e에 나타낸 바와 같이, 제2프로브지지부재(42)에 제2파워프로브 지지공(213)과 제2신호프로브 지지공(233)을 드릴링 할 수 있다. 이때, 제2파워프로브 지지공(213)과 제2신호프로브 지지공(233)의 드릴링은 예를 들면 볼트(111)에 의해 베이스블록(2-1)과 제2베이스부재(41)를 견고하게 결합한 상태에서, 파워프로브 수용공(211), 접지프로브 수용공(221) 및 신호프로브 수용공(231)를 통하여 수행할 수 있다.

도 12f에 나타낸 바와 같이, 파워프로브 수용공(211), 접지프로브 수용공(221) 및 신호프로브 수용공(231)에 파워프로브(5), 접지프로브(6) 및 신호프로브(7)를 각각 삽입한 후에 베이스블록(2-1)의 상하면에 제1접합블록(2-2)과 제2접합블록(2-3)을 볼트(111)를 이용하여 결합할 수 있다.

도 13 내지 도 16은 각각 종래기술과 본 발명의 실시예에 따른 검사소켓(1)의 삽입손실(Insertion Loss) 특성, 반사손실(Return Loss) 특성, 격리(Isolation) 특성, Z-임피던스(Z-Impedance) 특성을 비교하여 나타낸 그래프이다.

삽입손실은 이상적으로 제로인 것이 바람직하다. 도 13을 참조하면, 허용 삽입손실(-1.0dB)를 기준으로 볼 때, 종래기술은 약 22.0GHz에서 기준을 넘어가는 반면에, 본 발명은 약 45.2GHz로 매우 우수한 삽입손실 특성을 나타냄을 알 수 있다.

반사손실은 가능한 한 작은 것이 바람직하다. 도 14를 참조하면, 허용 반사손실(-10dB)을 기준으로, 종래기술은 약 17.1GHz에서 기준을 넘어가는 반면에, 본 발명은 약 46.5GHz로 매우 우수한 반사손실 특성을 나타냄을 알 수 있다.

격리특성은 가능한 한 작은 것이 바람직하다. 도 15를 참조하면, 허용 격리특성(-40dB)을 기준으로, 종래기술은 약 24.4GHz에서 허용 격리특성(-40dB)를 기준을 넘어가는 반면에, 본 발명은 약 27.0GHz로 다소 우수하고 변화가 적음을 알 수 있다.

Z-임피던스(Z-Impedance)는 가능한 한 작은 것이 바람직하다. 도 16를 참조하면, 허용 Z-임피던스(1GHz)을 기준으로, 종래기술은 약 0.9Ω을 나타내는 반면에, 본 발명은 약 0.65Ω으로 더 우수함을 알 수 있다.

도 17은 본 발명의 제7실시예에 따른 검사소켓(1)을 나타내는 도면이고, 도 18은 도 17의 A-A선따라 절취한 단면을 나타내는 도면이고, 도 19는 도 18의 소켓블록(2)을 나타내는 도면이고, 도 20은 도 17의 B-B선따라 절취한 단면을 나타내는 도면이고, 도 21은 도 17의 C-C선따라 절취한 단면을 나타내는 도면이다.

도 17을 참조하면, 검사소켓(1)은 도전성재질의 소켓블록(2)과 소켓블록(2)에 지지된 파워프로브(5), 접지프로브(6), 및 신호프로브(7)를 포함할 수 있다.

도 18 및 도 19를 참조하면, 소켓블록(2)은 제1베이스블록(31)과 제2베이스블록(41)을 포함할 수 있다.

소켓블록(2)은 파워프로브공(21), 접지프로브공(22) 및 신호프로브공(23)이 형성될 수 있다.

파워프로브공(21)은 제1베이스블록(31)과 제2베이스블록(41)에 각각 형성된 제1 및 제2파워프로브공(21-1,21-2)을 포함할 수 있다.

접지프로브공(22)은 제1베이스블록(31)과 제2베이스블록(41)에 각각 형성된 제1 및 제2접지프로브공(22-1,22-2)을 포함할 수 있다.

신호프로브공(23)은 제1베이스블록(31)과 제2베이스블록(41)에 각각 형성된 제1 및 제2신호프로브공(23-1,23-2)을 포함할 수 있다.

소켓블록(2)은 상하면에 파워프로브(도 18의 5)가 돌출하는 주위에 제1 및 제2함몰부(211-1,211-2), 그리고 신호프로브(7)가 돌출하는 제3 및 제4함몰부(231-1,231-2)를 포함할 수 있다.

제1 및 제2함몰부(211-1,211-2)는 수평방향 단면적이 제1 및 제2파워프로브공(21-1,21-2)의 수평방향 단면적보다 크게 형성될 수 있다. 결과적으로, 제1함몰부(211-1)와 제1파워프로브공(21-1) 사이에는 제1걸림턱(212-1)이 형성되어 제1파워프로브지지부(31-2)가 제1베이스블록(31)의 제1파워프로브공(21-1)에 견고하게 지지될 수 있다. 또한, 제2함몰부(211-2)와 제2파워프로브공(21-2) 사이에는 제2걸림턱(212-2)이 형성되어 제2파워프로브지지부(41-2)가 제2베이스블록(41)의 제2파워프로브공(21-2)에 견고하게 지지될 수 있다.

마찬가지로, 제3 및 제4함몰부(231-1,231-2)는 수평방향 단면적이 제1 및 제2신호프로브공(23-1,23-2)의 수평방향 단면적보다 크게 형성될 수 있다. 결과적으로, 제3함몰부(231-1)와 제1신호프로브공(23-1) 사이에는 제3걸림턱(232-1)이 형성되어 제1신호프로브지지부(31-1)가 제1베이스블록(31)의 제1신호프로브공(23-1)에 견고하게 지지될 수 있다. 또한, 제4함몰부(231-2)와 제2신호프로브공(23-2) 사이에는 제4걸림턱(232-2)이 형성되어 제2신호프로브지지부(41-1)가 제2베이스블록(41)의 제2신호프로브공(23-2)에 견고하게 지지될 수 있다.

소켓블록(2)은 제1베이스블록(31)과 제2베이스블록(41)에 형성된 제1 및 제2신호프로브지지부(31-1,41-1) 및 제1 및 제2파워프로브지지부(31-2,41-2)를 포함할 수 있다.

제1 및 제2함몰부(211-1,211-2)는 각각 인접하는 2 이상의 제1 및 제2파워프로브공(21-1,21-2)의 주위에 하나로 통합되게 형성될 수 있다. 따라서, 하나로 통합된 제1 및 제2함몰부(211-1,211-2)에 각각 채워진 제1 및 제2파워프로브지지부(31-2,41-2)는 도 17 및 도 21에 나타낸 바와 같이, 인접하게 배열된 2 이상의 파워프로브(5) 주위를 하나로 통합되게 형성될 수 있다. 결과적으로, 절연성의 파워프로브지지부(31-2,41-2)는 검사 시에 피검사체에 마련된 파워단자가 도전성 소켓블록(2)에 접촉하지 않도록 하여 쇼트를 방지할 수 있다. 마찬가지로, 제3 및 제4함몰부(231-1,231-2)는 각각 인접하는 2 이상의 제1 및 제2신호프로브공(23-1,23-2)의 주위에 하나로 통합되게 형성될 수 있다. 따라서, 하나로 통합된 제1 및 제2함몰부(231-1,231-2)에 각각 채워진 제1 및 제2신호프로브지지부(31-1,41-1)는 도 17 및 도 20에 나타낸 바와 같이, 인접하게 배열된 2 이상의 신호프로브로들(7) 주위를 하나로 통합되게 형성될 수 있다. 결과적으로, 절연성의 신호프로브지지부(31-1)는 검사 시에 피검사체에 마련된 신호단자가 도전성 소켓블록(2)에 접촉하지 않도록 하여 쇼트를 방지할 수 있다.

제1 및 제2신호프로브지지부(31-1,41-1)는 도 18 및 도 20에 나타낸 바와 같이 제1베이스블록(31)과 제2베이스블록(41)에 각각 형성된 제1 및 제2신호프로브공(23-1,23-2) 내의 상단 및 하단에 형성될 수 있다. 이와 같이, 신호프로브(7)의 외면과 소켓블록(2)의 신호프로브공(23) 내벽면 사이에는 에어(Air)층이 마련될 수 있다.

제1 및 제2파워프로브지지부(31-2,41-2)는 도 18 및 도 21에 나타낸 바와 같이 제1베이스블록(31)과 제2베이스블록(41)에 각각 형성된 제1 및 제2파워프로브공(21-1,21-2) 내에 형성될 수 있다. 이와 같이, 파워프로브(5)의 외면과 소켓블록(2)의 파워프로브공(21) 내벽면 사이에는 절연재질, 예를 들면 폴리머층이 마련될 수 있다.

도 22는 신호프로브(7)의 삽입손실(Insertion Loss)을 나타낸 그래프이다.

도 22를 참조하면, 신호프로브(7)와 소켓블록(2)의 신호프로브공(23) 내벽면 사이에, 에어층이 배치될 때의 삽입손실은 20GHz에서 -0.09(dB)이고, 폴리머층이 배치될 때의 삽입손실은 20GHz에서 -0.91(dB)이다. 삽입손실은 0(dB)에 가깝게 설계하는 것이 바람직하므로, 신호프로브(7)와 소켓블록(2)의 신호프로브공(23) 내벽면 사이에는 에어층이 마련되는 것이 좋다.

도 23은 신호프로브(7)의 리턴손실(Return Loss)을 나타낸 그래프이다.

도 23을 참조하면, 신호프로브(7)와 소켓블록(2)의 신호프로브공(23) 내벽면 사이에, 에어층이 배치될 때의 리턴손실은 20GHz에서 -20(dB)이고, 폴리층이 배치될 때의 삽입손실은 20GHz에서 -7.5(dB)이다. 리턴손실은 작을수록 바람직하므로, 신호프로브(7)와 소켓블록(2)의 신호프로브공(23) 내벽면 사이에 에어층이 마련되는 것이 좋다.

도 24는 신호프로브(7)의 임피던스를 나타낸 그래프이다.

도 24를 참조하면, 신호프로브(7)와 소켓블록(2)의 신호프로브공(23) 내벽면 사이에, 에어층이 배치될 때의 200ps 동안의 최소 임피던스는 48.3Ω이고, 폴리머층이 배치될 때의 200ps 동안의 최소 임피던스는 40.1Ω이다. 임피던스는 50Ω을 일정하게 유지하는 것이 바람직하므로, 신호프로브(7)와 소켓블록(2)의 신호프로브공(23) 내벽면 사이에 에어층이 마련되는 것이 좋다.

이상과 같이, 신호프로브(7)와 소켓블록(2)의 신호프로브공(23) 내벽면 사이에는 에어층이 마련되는 것이 폴리머층을 배치하는 것보다 삽입손실, 리턴손실 및 임피던스 측면에서 우수하다.

따라서, 검사소켓의 제조 시에, 소켓블록(2)의 신호프로브공(23) 내에 채워진 폴리머층을 신호프로브(7)의 양단을 지지하는 부분을 제외하고 모두 제거할 수 있다.

도 25는 파워프로브(5)의 Z-임피던스를 나타낸 그래프이다.

도 25를 참조하면, 파워프로브(5)와 소켓블록(2)의 파워프로브공(21) 내벽면 사이에, 에어층이 배치될 때의 Z-임피던스는 1[GHz)에서 0.71Ω이고, 폴리머층이 배치될 때의 Z-임피던스는 1[GHz)에서 0.64Ω이다. Z-임피던스는 작을수록 바람직하므로, 파워프로브(5)와 소켓블록(2)의 파워프로브공(21) 내벽면 사이에 폴리머층이 마련되는 것이 좋다.

따라서, 검사소켓의 제조 시에, 소켓블록(2)의 파워프로브공(21) 내에 채워진 폴리머 수지는 파워프로브(5)의 외면에 대응하는 부분만, 즉 파워프로브(5)를 수용할 있는 공간만을 제거하여 파워프로브(5)가 폴리머층에 접촉하도록 할 수 있다.

도 26A 내지 26D은 도 17의 검사소켓(1)을 제조하는 방법을 나타내는 도면이다.

도 26A에서, 예를 들면 황동과 같은 도전성 재질의 제1베이스블록(31)과 제2베이스블록(41)을 마련할 수 있다.

도 26B에서, 제1베이스블록(31)과 제2베이스블록(41)에 각각 접지프로브(6)의 외형에 대응하는 제1 및 제2접지프로브공(22-1,22-2), 파워프로브(5)의 외경보다 큰 내경의 제1 및 제2관통공(210-1,210-2), 및 신호프로브(7)의 외경보다 큰 내경의 제3 및 제4관통공(230-1,230-2)을 예를 들면 드릴링에 의해 형성할 수 있다.

제1 내지 제4관통공(210-1,210-2,230-1,230-2)은 제1베이스블록(31)의 상면과 제2베이스블록(41)의 하면에 각각 제1 내지 제4함몰부(211-1, 211-2, 231-1,231-2)를 포함할 수 있다. 또한, 제1관통공(210-1)과 제1함몰부(211-1) 사이, 제2관통공(210-2)과 제2함몰부(211-2) 사이, 제3관통공(230-1)과 제3함몰부(231-1) 사이 및 제4관통공(230-2)과 제4함몰부(231-2) 사이에는 제1 내지 제4관통공(210-1,210-2,230-1,230-2) 보다 작은 내경의 병목부(212-1,212-2, 232-1, 232-2)를 포함할 수 있다.

도 26C에서, 도 26B의 제1 내지 제4관통공(210-1,210-2,230-1,230-2) 내에 절연재, 예를 들면 폴리머층이 채워질 수 있다. 절연재(폴리머층)은 예를 들면 사출재로 인서트 사출하거나 또는 액상 에폭시 수지를 주입하여 형성할 수 있다.

도 26D에서, 제1 및 제2관통공(210-1,210-2) 내의 폴리머층은 파워프로브(5)의 외형에 대응하는 형상으로 가공, 예를 들면 드릴링 될 수 있다.

또한, 제3 및 제4관통공(230-1,230-2) 내에 폴리머 수지는 신호프로브(7)의 외주면(배럴(71)의 외주면)과 제3 및 제4관통공(230-1,230-2) 내면 사이를 모두 제거할 수 있다.

마지막으로, 파워프로브(5), 접지프로브(6) 및 신호프로브(7)가 제1 및 제2베이스블록(31,41)의 제1 및 제2파워프로브공(21-1,21-2), 제1 및 제2접지프로브공(22-1,22-2), 및 제1 및 제2신호프로브공(23-1,23-2)에 각각 삽입된 후에, 제1 및 제2베이스블록(31,41)이 결합될 수 있다.

본 발명의 다양한 실시예에 따르면, 도 26B와 도 26C의 공정을 생략하고 26D에 나타낸 형상으로 직접 인서트 사출할 수도 있다.

앞서 설명한 명세서에서, 본 발명 및 그 장점들이 특정 실시예들을 참조하여 설명되었다. 그러나, 아래의 청구항에서 설명하는 바와 같은 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변경이 가능함은 이 기술 분야에서 보통의 기술을 가진 자에게 명백할 것이다. 이에 따라, 명세서와 도면은 한정 보다는 본 발명의 예시로서 간주되어야 한다. 모든 이러한 가능한 수정들은 본 발명의 범위 내에서 이루어져야 한다.

1: 검사소켓
2: 소켓블록
21, 21-1,21-2: 파워프로브공
212,213: 파워프로브지지공
22, 22-1,22-2: 접지프로브공
222,224: 접지프로브 통과공
23, 23-1,23-2: 신호프로브공
232,234: 신호프로브 지지공
3: 제1접합블록
31: 베이스부재
312: 커버
313, 314, 315: 접합홈
316: 접합공
32: 제1절연부재
33: 접착시트
34: 금형부재
35: 금형커버
4: 제2접합블록
41: 제2베이스블록
42: 제2절연부재
5: 파워프로브
6: 접지프로브
7: 신호프로브
8: 갭플레이트
9: 커버부재
100: 드릴

Claims (20)

1. 길이방향으로 신축 가능한 프로브를 지지하는 검사소켓을 제조하는 방법에 있어서,
   도전성 재질의 베이스부재에 상기 프로브를 수용하는 프로브공을 형성하는 단계;
   상기 베이스부재의 상면으로부터 상기 프로브공에 소정 깊이로 절연재를 채워 프로브지지부재를 형성하는 단계: 및
   상기 프로브공 내의 프로브지지부재에 상기 프로브의 일단부를 지지하는 제1지지공을 형성하는 단계를 포함하며,
   상기 베이스부재의 일면에서 인접하는 2 이상의 프로브공 주위에 하나로 통합되게 두께 방향으로 파여진 함몰부를 형성하는 단계를 더 포함하는 검사소켓의 제조방법.
2. 제 1항에 있어서,
   상기 절연재를 채우는 단계는,
   상기 베이스부재의 일면으로부터 소정 간격을 두고 이격되게 금형커버를 배치하는 단계; 및
   상기 이격된 간격 및 상기 프로브공에 절연재를 채우는 단계를 포함하는 검사소켓의 제조방법.
3. 제 1항에 있어서,
   상기 베이스부재의 일면에 상기 프로브공을 둘러싸는 결합홈을 형성하는 단계를 더 포함하는 검사소켓의 제조방법.
4. 제 3항에 있어서,
   상기 결합홈은 상기 일면으로부터 깊이 방향으로 단면적이 넓어지는 검사소켓의 제조방법.
5. 제 1항에 있어서,
   절연성 재질의 커버부재에 상기 프로브의 타단부를 지지하는 제2지지공을 형성하는 단계;
   상기 프로브공에 상기 프로브를 비접촉 상태로 삽입하고 상기 프로브의 양단부를 상기 제1 및 제2지지공에 각각 지지하는 단계; 및
   상기 커버부재를 상기 베이스부재의 하면에 결합하는 단계를 더 포함하는 검사소켓의 제조방법.
6. 제 5항에 있어서,
   상기 베이스부재와 상기 커버부재 사이에 갭플레이트를 개재시키는 단계를 더 포함하는 검사소켓의 제조방법.
7. 제 1항에 있어서,
   상기 프로브공은 상기 프로브지지부가 형성되는 위치에 내부를 향해 돌출하는 돌기를 포함하는 검사소켓의 제조방법.
8. 길이방향으로 신축 가능한 프로브를 지지하는 검사소켓을 제조하는 방법에 있어서,
   도전성 재질의 제1베이스부재의 일면에 상기 프로브가 배치되는 위치에 소정 깊이로 제1함몰부를 형성하는 단계;
   상기 제1함몰부에 절연재를 채워 제1프로브지지부를 형성하는 단계; 및
   상기 제1함몰부에 대응하는 위치의 상기 제1베이스부재에 상기 프로브를 수용하는 제1프로브수용공을 형성하고, 상기 제1프로브지지부에 상기 프로브의 일단부가 지지되는 제1지지공을 형성하는 단계를 포함하는 검사소켓의 제조방법.
9. 제 8항에 있어서,
   절연재질의 커버부재에 상기 프로브의 타단부를 지지하는 제2지지공을 형성하는 단계;
   상기 제1프로브수용공에 상기 프로브를 삽입하고 상기 프로브의 일단부와 타단부를 상기 제1 및 제2지지공에 각각 지지하는 단계; 및
   상기 제1베이스부재의 타면에 상기 커버부재를 결합하는 단계를 더 포함하는 검사소켓의 제조방법.
10. 제 8항에 있어서,
    도전성 재질의 제2베이스부재 일면에 상기 프로브가 배치되는 위치에 소정 깊이로 제2함몰부를 형성하는 단계;
    상기 제2함몰부에 절연재를 채워 제2프로브지지부를 형성하는 단계; 및
    상기 제2함몰부에 대응하는 위치의 상기 제2베이스부재에 상기 프로브를 수용하는 제2프로브수용공을 형성하고, 상기 제2프로브지지부에 상기 프로브의 타단부가 지지되는 제2지지공을 형성하는 단계;
    상기 제1프로브수용공과 상기 제2프로브수용공에 상기 프로브를 삽입하고 상기 프로브의 일단부와 타단부를 상기 제1지지공 및 제2지지공에 각각 지지하는 단계; 및
    상기 제1베이스부재의 타면에 상기 제2베이스부재의 타면을 결합하는 단계를 포함하는 검사소켓의 제조방법.
11. 길이방향으로 신축 가능한 프로브를 지지하는 검사소켓을 제조하는 방법에 있어서,
    도전성 재질의 베이스블록에 상기 프로브를 수용하는 프로브수용공을 형성하는 단계;
    도전성재질의 제1베이스부재와 제2베이스부재에 각각 상기 프로브수용공에 대응하는 위치에 제1 및 제2관통공을 형성하는 단계;
    상기 제1 및 제2관통공 내에 절연재를 채워 넣어 제1 및 제2프로브지지부를 형성하는 단계;
    상기 제1 및 제2프로브지지부에 상기 프로브의 양단를 지지하는 제1 및 제2지지공을 형성하는 단계; 및
    상기 프로브를 상기 프로브수용공에 삽입하고 상기 프로브의 양단을 상기 제1 및 제2지지공에 지지하고, 상기 베이스블록의 상하면에 상기 제1베이스부재와 제2베이스부재를 각각 결합하는 단계를 포함하며,
    상기 제1베이스부재의 일면에서 인접하는 2 이상의 프로브수용공 주위에 하나로 통합되게 두께방향으로 파여진 제1함몰부를 형성하는 단계, 및
    상기 제2베이스부재의 일면에서 인접하는 2 이상의 프로브수용공 주위에 하나로 통합되게 두께방향으로 파여진 제2함몰부를 형성하는 단계를 더 포함하는 검사소켓의 제조방법.
12. 길이방향으로 신축 가능한 복수의 프로브를 지지하는 검사소켓을 제조하는 방법에 있어서,
    도전성 재질의 제1베이스블록에 두께 방향으로 관통하는 복수의 관통공을 형성하는 단계;
    상기 복수의 관통공 내에 절연재를 채워넣는 단계;
    상기 복수의 관통공 내의 절연재에 상기 복수의 프로브를 수용하는 제1프로브수용공을 형성하는 단계;
    상기 제1프로브수용공에 상기 복수의 프로브를 삽입하는 단계를 포함하며,
    상기 제1베이스블록의 일면에서 인접하는 2 이상의 제1프로브수용공 주위에 하나로 통합되게 두께방향으로 파여진 함몰부를 형성하는 단계를 더 포함하는 검사소켓의 제조방법.
13. 제 12항에 있어서,
    상기 복수의 프로브 중 일부 프로브는 검사신호를 인가하는 신호프로브를 포함하는 검사소켓의 제조방법.
14. 제 12항에 있어서,
    상기 복수의 프로브 중 일부 프로브는 파워를 인가하는 파워프로브를 포함하는 검사소켓의 제조방법.
15. 삭제
16. 길이방향으로 신축 가능한 복수의 프로브를 지지하는 검사소켓을 제조하는 방법에 있어서,
    도전성 재질의 제1베이스블록과 제2베이스블록에 두께 방향으로 관통하는 복수의 관통공을 형성하는 단계;
    상기 복수의 관통공 내에 절연재를 채워 넣는 단계;
    상기 복수의 관통공 내의 절연재에 상기 복수의 프로브를 수용하는 제1프로브수용공과 제2프로브수용공을 형성하는 단계; 및
    상기 제1프로브수용공과 제2프로브수용공에 상기 복수의 프로브를 삽입하는 단계를 포함하며,
    상기 제1베이스블록의 일면에서 인접하는 2 이상의 제1프로브수용공 주위에 하나로 통합되게 두께방향으로 파여진 함몰부를 형성하는 단계를 더 포함하는 검사소켓의 제조방법.
17. 검사소켓에 있어서,
    검사신호를 인가하는 신호프로브;
    파워를 인가하는 파워프로브; 및
    상기 신호프로브와 상기 파워프로브를 각각 수용하는 신호프로브공과 파워프로브공을 가진 도전성재질의 소켓블록을 포함하며,
    상기 소켓블록은 일면에서 인접하는 2 이상의 신호프로브공 주위에 하나로 통합되게 두께방향으로 파여진 제1함몰부와 인접하는 2이상의 파워프로브공 주위에 하나로 통합되게 파여진 제2함몰부를 포함하는 검사소켓.
18. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 프로브 중 일부 프로브의 외면과 상기 관통공의 내벽 사이에 공기층이 형성되도록 절연재가 제거되고,
    상기 복수의 프로브 중 나머지 프로브의 외면과 상기 관통공의 내벽 사이에 절연재가 개재되는 검사소켓의 제조방법.
19. 제16항에 있어서,
    상기 복수의 프로브 중 일부 프로브의 외면과 상기 관통공의 내벽 사이에 공기층이 형성되도록 절연층이 제거되고,
    상기 복수의 프로브 중 나머지 프로브의 외면과 상기 관통공의 내벽 사이에 절연층이 개재되는 검사소켓의 제조방법.
20. 제17항에 있어서,
    상기 신호프로브의 외주면과 상기 신호프로브공의 내벽 사이의 적어도 일부구간에 공기층을 포함하고,
    상기 파워프로브의 외주면과 상기 파워프로브공의 내벽 사이에 절연재가 개재되는 검사소켓.

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