KR102564487B1 - 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 결함분류 장비 및 그를 이용한 결함분류 방법 - Google Patents

단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 결함분류 장비 및 그를 이용한 결함분류 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102564487B1
KR102564487B1 KR1020210133957A KR20210133957A KR102564487B1 KR 102564487 B1 KR102564487 B1 KR 102564487B1 KR 1020210133957 A KR1020210133957 A KR 1020210133957A KR 20210133957 A KR20210133957 A KR 20210133957A KR 102564487 B1 KR102564487 B1 KR 102564487B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
stacking
photoluminescence
substrate
wavelength
incident light
Prior art date
Application number
KR1020210133957A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20230050760A (ko
Inventor
정현돈
이민정
Original Assignee
주식회사 에타맥스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에타맥스 filed Critical 주식회사 에타맥스
Priority to KR1020210133957A priority Critical patent/KR102564487B1/ko
Priority to US17/659,957 priority patent/US20230109887A1/en
Priority to JP2022069997A priority patent/JP7329278B2/ja
Priority to US17/660,770 priority patent/US20230113093A1/en
Publication of KR20230050760A publication Critical patent/KR20230050760A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102564487B1 publication Critical patent/KR102564487B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
    • G01N21/6489—Photoluminescence of semiconductors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/314—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry with comparison of measurements at specific and non-specific wavelengths
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G01N21/9505—Wafer internal defects, e.g. microcracks
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
    • G01N21/645—Specially adapted constructive features of fluorimeters
    • G01N21/6456—Spatial resolved fluorescence measurements; Imaging
    • G01N2021/646—Detecting fluorescent inhomogeneities at a position, e.g. for detecting defects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N2021/8477—Investigating crystals, e.g. liquid crystals
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • G01N2021/8845—Multiple wavelengths of illumination or detection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G01N2021/8854—Grading and classifying of flaws
    • G01N2021/8874—Taking dimensions of defect into account
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/02—Mechanical
    • G01N2201/021—Special mounting in general
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2218/00—Aspects of pattern recognition specially adapted for signal processing
    • G06F2218/12—Classification; Matching
    • G06F2218/14—Classification; Matching by matching peak patterns
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)

Abstract

본 발명은 하나의 입사광을 SiC 기판에 조사하여 발생하는 SiC의 특성(band gap) 광루미네선스를 맵핑하여 적층 결함(stacking fault)을 포함한 여러 결함의 위치를 확인한 뒤, 각 적층결함 위치별로 분광분석을 진행하여 신속하게 적층결함의 위치 및 종류를 분류할 수 있는 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 결함분류 장비 및 그를 이용한 결함분류 방법에 관한 것으로, 본 발명은 매핑기능과 분광기능을 구비한 하나의 장비로 광루미네선스 영상을 매핑하여 결함의 위치정보를 구한 뒤 적층결함의 위치에서만 분광분석을 진행하므로, 종래 기술이 채택하던 복수개의 대역통과필터방식으로 광루미네선스를 분리하여 측정하는 방식에 비해 신속하면서도 정확한 SiC 기판 결함분류가 가능하다.

Description

단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 결함분류 장비 및 그를 이용한 결함분류 방법{Defect Classification Equipment for Silicon Carbide Substrate using Single Incident Light-based PhotoLuminescence and Defect Classification Method using The Same}
본 발명은 광루미네선스(Photoluminescence)를 이용한 SiC 기판의 결함분류 장비 및 결함분류 방법에 관한 것으로, 특히 상세하게는 하나의 입사광을 SiC 기판에 조사하여 발생하는 SiC의 특성(band gap) 광루미네선스를 맵핑하여 적층 결함(stacking fault)을 포함한 여러 결함의 위치를 확인한 뒤, 각 적층결함 위치별로 분광분석을 진행하여 신속하게 적층결함의 위치 및 종류를 분류할 수 있는 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 결함분류 장비 및 그를 이용한 결함분류 방법에 관한 것이다.
광발광 또는 광루미네선스(Photoluminescence)는 시료물질의 밴드갭보다 큰 에너지를 가진 광을 시료에 조사해 전자를 가전자대(Valence band)에서 전도대(Conduction band)로 여기 시키면, 여기된 전자가 가전자대로 되돌아오는 과정에서 발생한다. 광루미네선스는 입사광을 조사하기 때문에 시료에 특별한 처리가 필요 없고 손상도 일으키지 않아서 비파괴적으로 반도체 등의 물성을 분석하는데 유용한 방법이다.
시료물질에 불순물이 섞여 있는 등의 결함이 있을 때는 밴드갭 내에 에너지 준위를 형성할 수 있어서, 가전자대에 위치한 전자가 여기될 때 전도대 아래 위치한 불순물이 형성하는 에너지 준위로 여기될 수도 있고 전도대로 여기된 전자가 천이할 때 가전자대 위에 있는 불순물이 만드는 에너지 준위로 내려올 수도 있는가 하면, 전도대 아래 위치한 불순물이 만드는 에너지 준위에서 가전자대 위에 있는 불순물이 만드는 에너지 준위로 내려올 수도 있다. 따라서 광루미네선스 분석을 하면 원료물질과 불순물이 이루는 여러 에너지 준위 사이에서 일어나는 전자 천이에 각각 대응하는 에너지에 해당하는 광루미네선스를 관찰할 수 있다.
기판 표면에 발생하는 적층 결함(stacking fault)도 종류별로 각각 서로 다른 파장을 가지는 광루미네선스를 생성한다. 그런데 종래기술의 광루미네선스를 이용한 분류방식은 광전 증폭관(Photo Multiplier Tube: PMT)을 이용하여 적층결함이 나타나는 모든 파장별로 대역통과필터(band pass filter)를 설치하여 적층결함을 분류하거나, 선형 빔(Line beam) 등을 사용하여 시간지연적분(Time delay and integration: TDI) 카메라로 발광 영상을 취득하여 파장별로 대역통과필터(bandpass filter)를 통과하도록 하여 적층결함의 종류를 분리하거나, 또는 기판 전면의 모든 점에서 분광분석기(spectrometer)를 이용한 분석을 진행해서 결함을 파악해야 했다. 그러나 파장별 대역통과필터 분류는 실제 결함의 파장이 서로 겹치는 문제로 인해서 정확한 분류가 어렵고, 파장별 분류를 위해 여러 개의 통과경로(port)에 대한 동시측정이 이루어져야 해서 데이터가 지나치게 커지는 문제점이 있다. 기판 표면의 모든 점에서 분광분석을 진행할 경우에는 분광기의 신호분류를 위한 최소노출시간이 각 점별로 수 밀리초(msec) 이상 소요되므로 역시 측정시간이 지나치게 길어지는 문제점을 보인다.
대한민국 공개특허 2016-0024968호는 ‘샘플의 결함 검출 및 광루미네선스 측정을 위한 시스템 및 방법’에 관한 것으로, 시료로부터 결함 산란된 방사선 또는 광루미네선스 방사선을 수집하고 대역통과필터를 통해 파장별로 분리하여 광루미네선스 특성을 분류하는 기술을 개시한다. 그러나 상기 기술은 수직입사 방사선 소스와 경사입사 방사선 소스가 필요하고 분광계의 구조가 복잡할 뿐 아니라 검출과 분류를 위한 데이터의 과다로 분석시간이 지나치게 길어진다는 단점이 있다. 일본 등록특허 제6758197호는 '와이드 갭 반도체 기판의 결함 검사 방법 및 결함 검사 장치'에 관한 것으로, 와이드 갭 반도체 기판의 결함이 없는 부위에서 방출되는 빛의 강도와 당해 와이드 갭 반도체 기판의 결함 부위에서 방출되는 빛의 강도와 차이에 기초하여 당해 와이드 갭 반도체 기판에 발생한 결함 검사를 하는 기술을 개시한다. 그러나 상기 기술은 광루미네선스 중 장파장광을 흑백 화상으로 촬상하고 단파장광을 컬러 화상으로 촬상하여, 촬상된 화상의 농담정보와 색 정보 조합으로 결함분류를 하므로, 그 종류를 구분하기 곤란하고 이를 해결하기 위해서 대역통과필터를 설치해도 측정속도가 느리고 여전히 분류가 정확하지 않다는 문제를 가진다.
한국 공개특허 2016-0024968호 일본 등록특허 제6758197호
본 발명은 SiC 기판 상의 적층결함의 위치와 각 위치별 결함의 분류를 신속히 진행하기 위해 안출된 것으로, 매핑기능과 분광기능을 구비한 하나의 장비로 광루미네선스 영상을 매핑하여 결함의 위치정보를 구한 뒤 결함의 위치에서만 분광분석을 진행하여 신속하면서도 정확한 SiC 기판 결함분류를 할 수 있도록 한다.
본 발명은 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 방법으로: 상기 방법은, 상기 기판의 표면에 대해 실질적인 수직방향을 따라 상기 기판 및 상기 기판의 표면결함이 광루미네선스를 방출하도록 상기 기판의 밴드갭 에너지보다 큰 에너지에 해당하는 파장을 가지는 수직 조명광을 상기 기판의 표면 각 부분 상으로 보내는 단계; 상기 기판 표면으로부터 상기 기판의 밴드갭 에너지에 해당하는 파장을 가지는 광루미네선스 매핑 영상(image)을 광전 증폭관(Photo Multiplier Tube: PMT)을 이용하여 획득하는 단계; 상기 광전 증폭관에서 획득한 상기 기판의 광루미네선스 매핑 영상에 표시되는 식별가능한 결함을 형상과 크기로 분류하고 위치데이터를 확보하는 단계; 상기 분류된 결함에서 적층결함을 선별하고, 상기 위치데이터를 이용해 상기 선별된 적층결함의 각 중심위치에 좌표를 부여하는 단계; 상기 좌표가 부여된 적층결함에 대해 순차적으로 상기 수직 조명광을 조사하는 단계; 분광분석기(spectrometer)로 상기 수직 조명광이 조사되는 각각의 적층결함에서 방출되는 광루미네선스 스펙트럼을 획득하는 단계; 및 상기 각각의 적층결함에서 획득한 광루미네선스 스펙트럼의 400nm 이상의 영역에서 피크파장을 결함 데이터베이스의 적층결함 중심파장과 비교하여 적층결함별 특성을 분류하는 단계를 포함하는, 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 방법을 제공한다.
본 발명은 또한, 상기 적층결함 선별은, 상기 형상과 크기로 분류한 상기 식별가능한 결함을 1SSF, 2SSF, 3SSF, 4SSF 및 3C의 적층결함(stacking fault)을 포함하는 상기 결함 데이터베이스의 형상 및 크기와 비교하는 프로그램을 내장한 컴퓨터로 수행하는, 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 방법을 제공한다.
본 발명은 또한, 상기 기판의 밴드갭 에너지에 해당하는 파장은 390nm이고, 상기 기판의 밴드갭 에너지보다 큰 에너지에 해당하는 파장을 가지는 수직 조명광의 파장은 355nm인, 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 방법을 제공한다.
본 발명은 또한, 상기 결함 데이터베이스의 1SSF, 2SSF, 3SSF, 4SSF 및 3C의 적층결함(stacking fault) 중심파장은 각각 420nm, 500nm, 480nm, 455nm 및 540nm이며, 상기 광루미네선스 스펙트럼의 400nm 이상의 영역에서 피크파장을 상기 결함 데이터베이스의 적층결함 중심파장과 비교하여 적층결함별 특성을 분류하는 단계에서는, 상기 피크파장이 상기 각 적층결함의 중심파장을 중심으로 상하 5nm범위 이내이면 해당 적층결함으로 분류하는, 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 방법을 제공한다.
본 발명은 또한, 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 장비로: 상기 장비는, 상기 실리콘카바이드 기판을 고정하고, 입사광이 기판 표면을 스캔할 수 있도록 위치이동이 가능한 시료 스테이지 어셈블리; 상기 실리콘카바이드 기판 표면에 실질적인 수직방향을 따라 상기 기판 및 상기 기판의 표면결함이 광루미네선스를 방출하도록 상기 기판의 밴드갭 에너지보다 큰 에너지에 해당하는 파장을 가지는 수직 조명광을 기판의 표면 각 부분으로 보내는 입사광원부; 상기 기판 표면으로부터 상기 기판의 밴드갭 에너지에 해당하는 파장을 가지는 광루미네선스 매핑 영상(image)을 획득하는 광전 증폭관(Photo Multiplier Tube: PMT); 상기 광전 증폭관에서 획득한 상기 기판의 광루미네선스 매핑 영상에 표시되는 식별가능한 적층결함을 형상과 크기로 분류하고 위치데이터를 확보하는 형상 분류부, 상기 분류된 결함에서 적층결함을 선별하고 상기 위치데이터를 이용해 상기 선별된 적층결함의 각 중심위치에 좌표를 부여하는 좌표부여부, 및 상기 좌표가 부여된 적층결함에 대해 순차적으로 상기 수직 조명광을 조사하도록 상기 스테이지 어셈블리와 상기 입사광원부를 조정하는 조정부를 포함하는 제어부; 상기 수직 조명광이 조사되는 각각의 적층결함에서 방출되는 광루미네선스 스펙트럼을 획득하는 분광분석기(spectrometer); 상기 각각의 적층결함에서 획득한 광루미네선스 스펙트럼의 400nm 이상의 영역에서 피크파장을 상기 결함 데이터베이스의 적층결함 중심파장과 비교하여 적층결함별 특성을 분류하는 특성분류부를 포함하고, 상기 제어부 및 상기 특성분류부는 컴퓨터를 포함하는, 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 장비를 제공한다.
본 발명은 또한, 상기 적층결함 선별은, 상기 형상과 크기로 분류한 상기 식별가능한 결함을 1SSF, 2SSF, 3SSF, 4SSF 및 3C의 적층결함(stacking fault)을 포함하는 상기 결함 데이터베이스의 형상 및 크기와 비교하는 프로그램을 내장한 컴퓨터로 수행하는, 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 장비를 제공한다.
본 발명은 또한, 상기 기판의 밴드갭 에너지에 해당하는 파장은 390nm이고, 상기 기판의 밴드갭 에너지보다 큰 에너지에 해당하는 파장을 가지는 수직 조명광의 파장은 355nm인, 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 장비를 제공한다.
본 발명은 또한, 상기 결함 데이터베이스의 1SSF, 2SSF, 3SSF, 4SSF 및 3C의 적층결함(stacking fault) 중심파장은 각각 420nm, 500nm, 480nm, 455nm 및 540nm이며, 상기 광루미네선스 스펙트럼의 400nm 이상의 영역에서 피크파장을 상기 결함 데이터베이스의 적층결함 중심파장과 비교하여 적층결함별 특성을 분류하는 단계에서는, 상기 피크파장이 상기 각 적층결함의 중심파장을 중심으로 상하 5nm범위 이내이면 해당 적층결함으로 분류하는, 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 장비를 제공한다.
본 발명은 매핑기능과 분광기능을 구비한 하나의 장비로 광루미네선스 영상을 매핑하여 결함의 위치정보를 구한 뒤 적층결함의 위치에서만 분광분석을 진행하므로, 종래 기술이 채택하던 복수개의 대역통과필터방식으로 광루미네선스를 분리하여 측정하는 방식에 비해 신속하면서도 정확한 SiC 기판 결함분류가 가능하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른, 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 장비의 개념도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른, 광전 증폭관(Photo Multiplier Tube: PMT)의 의한 매핑을 통한 적층결합의 모양(왼쪽)과 특정 위치에서 광루미네선스 강도(intensity)에 관한 선형 분석표(line profile)이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른, SiC 기판의 밴드갭 에너지에 해당하는 광루미네선스 파장(390nm)의 매핑 영상과 표면 적층결함별 광루미네선스 파장의 중앙값 범위를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른, 상기 도 3의 매핑영상에 나타난 각 표면 적층결함별 좌표 및 분광분석된 중심파장을 기준으로 적층결함종류를 분류한 것이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른, 상기 도 4의 적층결함의 분광자료를 표시한 그래프이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른, 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 방법의 순서를 나타내는 개념도이다.
본 발명의 상세한 설명에 앞서, 이하에서 설명하는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 안 된다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이를 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해해야 한다. 이하 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른, 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 장비의 개념도이다. 본 발명의 일 구현예에 따른 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 장비는, 상기 실리콘카바이드 기판을 고정하고, 입사광이 기판 표면을 스캔할 수 있도록 위치이동이 가능한 시료 스테이지 어셈블리(20); 상기 실리콘카바이드 기판 표면에 실질적인 수직방향을 따라 상기 기판 및 상기 기판의 표면결함이 광루미네선스를 방출하도록 상기 기판의 밴드갭 에너지보다 큰 에너지에 해당하는 파장을 가지는 수직 조명광을 기판의 표면 각 부분으로 보내는 입사광원부(10); 상기 기판 표면으로부터 상기 기판의 밴드갭 에너지에 해당하는 파장을 가지는 광루미네선스 매핑 영상(image)을 획득하는 광전 증폭관(Photo Multiplier Tube: PMT)(30); 상기 광전 증폭관에서 획득한 상기 기판의 광루미네선스 매핑 영상에 표시되는 식별가능한 적층결함을 형상과 크기로 분류하고 위치데이터를 확보하는 형상 분류부, 상기 분류된 결함에서 적층결함을 선별하고 상기 위치데이터를 이용해 상기 선별된 적층결함의 각 중심위치에 좌표를 부여하는 좌표부여부, 및 상기 좌표가 부여된 적층결함에 대해 순차적으로 상기 수직 조명광을 조사하도록 상기 스테이지 어셈블리와 상기 입사광원부를 조정하는 조정부를 포함하는 제어부(미도시); 상기 수직 조명광이 조사되는 각각의 적층결함에서 방출되는 광루미네선스 스펙트럼을 획득하는 분광분석기(spectrometer)(50); 상기 각각의 적층결함에서 획득한 광루미네선스 스펙트럼의 400nm 이상의 영역에서 피크파장을 상기 결함 데이터베이스의 적층결함 중심파장과 비교하여 적층결함별 특성을 분류하는 특성분류부(미도시)를 포함한다. 본 발명의 일 구현예에서 상기 결함 데이터베이스(미도시)는 적층결함의 크기와 모양 등 다양한 관련 정보를 포함한다.
본 발명의 일 구현예에서 상기 제어부 및 상기 특성분류부는 중앙처리장치, 연산장치 등으로 표현되는 컴퓨터를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 구현예에서 상기 시료 스테이지 어셈블리 상부의 입사광 입사경로 및 상기 입사광에 의한 기판표면 방출 광루미네선스 통과 경로에는 집광기(25)가 위치할 수 있다. 본 발명의 일 구현예에서 상기 입사광원부에서 입사광(100)이 향하는 경로, 및 상기 광전 증폭관 및 상기 분광기로 기판에서 방출된 광루미네선스(200)가 향하는 경로에는 전반사 또는 부분반사 거울이 위치할 수 있다. 본 발명의 일 구현예에서 상기 입사광(100)은 거울(15)에 반사하여 상기 시료 스테이지 어셈블리(20)를 향하며, 상기 방출된 광루미네선스(200)는 상기 거울(15)을 통과하여 진행한 뒤 밴드갭 에너지에 해당하는 파장(390nm)의 광루미네선스(300)를 반사하는 거울(35)에서 반사되어 광전 증폭관(30)을 향할 수 있다. 본 발명의 일 구현예에서 상기 적층결함에서 방출된 광루미네선스(200)는 상기 거울(15)을 통과하여 진행한 뒤 거울(55)에서 반사(500)되어 분광분석기(50)를 향할 수 있다. 본 발명의 일 구현예에서 상기 적층결함 선별은, 상기 형상과 크기로 분류한 상기 식별가능한 결함을 1SSF, 2SSF, 3SSF, 4SSF 및 3C의 적층결함(stacking fault)을 포함하는 상기 결함 데이터베이스의 형상 및 크기와 비교하는 프로그램을 내장한 컴퓨터로 수행할 수 있다. 또한 상기 기판의 밴드갭 에너지에 해당하는 파장은 390nm이고, 상기 기판의 밴드갭 에너지보다 큰 에너지에 해당하는 파장을 가지는 수직 조명광의 파장은 355nm로 선택될 수 있다. 본 발명의 일 구현예에서 상기 장비는 상기 거울(35)을 통과하는 광루미네선스(400)를 검출하기 위한 여분의 검출기(40)를 더 설치할 수 있다. 본 발명의 일 구현예에서 상기 기계학습은 공지된 방법이면 어느 것이든 사용 가능하다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른, 광전 증폭관(Photo Multiplier Tube: PMT)의 의한 매핑을 통한 적층결합의 모양(왼쪽)과 특정 위치에서 광루미네선스 강도(intensity)에 관한 선형 분석표(line profile)이다. 4H-SiC에서 쇼클리형 결함(Shockley type stacking faults)은 대부분 3각형 또는 4각형 모양의 판상형 결함을 가지고 있어서 기판의 에너지 밴드갭에 해당하는 파장(390nm)을 가지는 광루미네선스 영상에서 명확히 관찰되는 특징이 있다. 도 2에서 확인할 수 있듯이, 표면적층결함 위치에서 광루미네선스의 강도가 낮아짐을 확인할 수 있다. 이를 통해 광루미네선스 매핑을 통해 적층결함의 위치를 용이하게 파악하는 것이 가능하다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른, SiC 기판의 밴드갭 에너지에 해당하는 광루미네선스 파장(390nm)의 매핑 영상과 표면 적층결함별 광루미네선스 파장의 중앙값 범위를 나타내고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른, 상기 도 3의 매핑영상에 나타난 각 표면 적층결함별 좌표 및 분광분석된 중심파장을 기준으로 적층결함종류를 분류한 것이다. 본 발명의 일 구현예에서 상기 결함 데이터베이스의 1SSF, 2SSF, 3SSF, 4SSF 및 3C의 적층결함(stacking fault) 중심파장은 각각 420nm, 500nm, 480nm, 455nm 및 540nm이며, 상기 광루미네선스 스펙트럼의 400nm 이상의 영역에서 피크파장을 상기 결함 데이터베이스의 적층결함 중심파장과 비교하여 적층결함별 특성을 분류하는 단계에서는, 상기 피크파장이 상기 각 적층결함의 중심파장을 중심으로 상하 5nm범위 이내이면 해당 적층결함으로 분류할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른, 상기 도 4의 적층결함의 분광자료를 표시한 그래프이다. 도 5의 (a)는 적층결함 번호 1~3에 대한 분광자료로, 상기 적층결함 1~3은 기판에서 방출되는 390nm파장을 공유하며 각각 541nm, 483nm 및 483nm의 피크파장을 가짐을 확인할 수 있다. 따라서 적층결함 1은 3C형 적층결함이고, 적층결함 2와 3은 3SSF 적층결함임을 알 수 있다. 도 5의 (b)는 적층결함 4~6 및 11에 대한 분광자료로, 적층결함 4는 3C형, 적층결함 5는 3SSF, 적층결함 11은 4SSF 적층결함임을 알 수 있다. 그러나 적층결함 6의 피크파장은 463nm로 이는 지금까지 파악된 결함 데이터베이스에 없는 값이다. 이와 같은 값은 알수없음(unknown)으로 분류되고, 추후 연구결과에 따라 특성이 분류되면 결함 데이터베이스에 추가할 수 있다. 이와 같은 피크파장 비교를 통한 분류 및 추가기능이 기계학습(Machine learning)기능에 포함될 수 있다. 도 5의 (c)는 적층결함 7~10에 대한 분광자료로, 적층결함 7은 3SSF, 적층결함 8은 4SSF, 적층결함 9와 10은 3C형 적층결함임을 파악할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른, 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 방법의 순서를 나타내는 개념도이다. 본 발명의 일 구현예에 따른 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 방법(600)은, 상기 기판의 표면에 대해 실질적인 수직방향을 따라 상기 기판 및 상기 기판의 표면결함이 광루미네선스를 방출하도록 상기 기판의 밴드갭 에너지보다 큰 에너지에 해당하는 파장을 가지는 수직 조명광을 상기 기판의 표면 각 부분 상으로 보내는 단계(601); 상기 기판 표면으로부터 상기 기판의 밴드갭 에너지에 해당하는 파장을 가지는 광루미네선스 매핑 영상(image)을 광전 증폭관(Photo Multiplier Tube: PMT)을 이용하여 획득하는 단계(602); 상기 광전 증폭관에서 획득한 상기 기판의 광루미네선스 매핑 영상에 표시되는 식별가능한 적층결함을 형상과 크기로 분류하되, 1SSF, 2SSF, 3SSF, 4SSF 및 3C의 적층결함(stacking fault)을 포함하는 결함 데이터베이스의 형상 및 크기와 비교하여 각각의 적층결함을 형상과 크기로 분류하는 단계(603); 상기 매핑 영상의 상기 식별가능한 적층결함의 각 중심위치에 좌표를 부여하는 단계(604); 상기 좌표가 부여된 적층결함에 대해 순차적으로 상기 수직 조명광을 조사하는 단계(605); 분광분석기(spectrometer)로 상기 수직 조명광이 조사되는 각각의 적층결함에서 방출되는 광루미네선스 스펙트럼을 획득하는 단계(606); 및 상기 각각의 적층결함에서 획득한 광루미네선스 스펙트럼의 400nm 이상의 영역에서 피크파장을 상기 결함 데이터베이스의 적층결함 중심파장과 비교하여 적층결함별 특성을 분류하는 단계(607)를 포함한다.
본 발명의 일 구현예에서 상기 적층결함 선별은, 상기 형상과 크기로 분류한 상기 식별가능한 결함을 1SSF, 2SSF, 3SSF, 4SSF 및 3C의 적층결함(stacking fault)을 포함하는 상기 결함 데이터베이스의 형상 및 크기와 비교하는 프로그램을 내장한 컴퓨터로 수행할 수 있으며, 상기 기판의 밴드갭 에너지에 해당하는 파장은 390nm이고, 상기 기판의 밴드갭 에너지보다 큰 에너지에 해당하는 파장을 가지는 수직 조명광의 파장은 355nm이다. 본 발명의 일 구현예에서 상기 결함 데이터베이스의 1SSF, 2SSF, 3SSF, 4SSF 및 3C의 적층결함(stacking fault) 중심파장은 각각 420nm, 500nm, 480nm, 455nm 및 540nm이며, 상기 광루미네선스 스펙트럼의 400nm 이상의 영역에서 피크파장을 상기 결함 데이터베이스의 적층결함 중심파장과 비교하여 적층결함별 특성을 분류하는 단계에서는, 상기 피크파장이 상기 각 적층결함의 중심파장을 중심으로 상하 5nm범위 이내이면 해당 적층결함으로 분류할 수 있다.
이상에서 본원의 예시적인 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본원의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본원의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본원의 권리범위에 속하는 것이다.
본 발명에서 사용되는 모든 기술용어는, 달리 정의되지 않는 이상, 본 발명의 관련 분야에서 통상의 당업자가 일반적으로 이해하는 바와 같은 의미로 사용된다. 본 명세서에 참고문헌으로 기재되는 모든 간행물의 내용은 본 발명에 도입된다.
10. 입사광원부
15, 35, 55. 섹션별 거울
20. 시료 스테이지 어셈블리
25. 집광기
30. 광전 증폭관
40. 검출기
50. 분광분석기
100. 입사광
200, 300, 400, 500. 광루미네선스
600. 적층결함분류 방법
601~607. 단계 1~단계 7

Claims (8)

  1. 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 방법으로:
    상기 방법은, 상기 기판의 표면에 대해 실질적인 수직방향을 따라 상기 기판 및 상기 기판의 표면결함이 광루미네선스를 방출하도록 상기 기판의 밴드갭 에너지보다 큰 에너지에 해당하는 파장을 가지는 수직 조명광을 상기 기판의 표면 각 부분 상으로 보내는 단계;
    상기 기판 표면으로부터 상기 기판의 밴드갭 에너지에 해당하는 파장인 390nm 대역을 가지는 광루미네선스 매핑 영상(image)을 광전 증폭관(Photo Multiplier Tube: PMT)을 이용하여 획득하는 단계;
    상기 광전 증폭관에서 획득한 상기 기판의 390nm 대역을 가지는 광루미네선스 매핑 영상에 표시되는 식별가능한 결함을 형상과 크기로 분류하고 위치데이터를 확보하는 단계;
    상기 분류된 결함에서 적층결함을 선별하고, 상기 위치데이터를 이용해 상기 선별된 적층결함의 각 중심위치에 좌표를 부여하는 단계;
    상기 좌표가 부여된 적층결함에 대해 순차적으로 상기 수직 조명광을 조사하는 단계;
    분광분석기(spectrometer)로 상기 수직 조명광이 조사되는 각각의 적층결함에서 방출되는 결함 데이터베이스의 파장 전 범위에 걸친 광루미네선스 스펙트럼을 획득하는 단계; 및
    상기 각각의 적층결함에서 획득한 광루미네선스 스펙트럼의 400nm 이상의 영역에서 피크파장을 결함 데이터베이스의 적층결함 중심파장과 비교하여 적층결함별 특성을 분류하는 단계를 포함하는,
    단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 적층결함 선별은, 상기 형상과 크기로 분류한 상기 식별가능한 결함을 1SSF, 2SSF, 3SSF, 4SSF 및 3C의 적층결함(stacking fault)을 포함하는 상기 결함 데이터베이스의 형상 및 크기와 비교하는 프로그램을 내장한 컴퓨터로 수행하는,
    단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 기판의 밴드갭 에너지보다 큰 에너지에 해당하는 파장을 가지는 수직 조명광의 파장은 355nm인,
    단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 결함 데이터베이스의 1SSF, 2SSF, 3SSF, 4SSF 및 3C의 적층결함(stacking fault) 중심파장은 각각 420nm, 500nm, 480nm, 455nm 및 540nm이며,
    상기 광루미네선스 스펙트럼의 400nm 이상의 영역에서 피크파장을 상기 결함 데이터베이스의 적층결함 중심파장과 비교하여 적층결함별 특성을 분류하는 단계에서는, 상기 피크파장이 상기 각 적층결함의 중심파장을 중심으로 상하 5nm범위 이내이면 해당 적층결함으로 분류하는,
    단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 방법.
  5. 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 장비로:
    상기 장비는, 상기 실리콘카바이드 기판을 고정하고, 입사광이 기판 표면을 스캔할 수 있도록 위치이동이 가능한 시료 스테이지 어셈블리;
    상기 실리콘카바이드 기판 표면에 실질적인 수직방향을 따라 상기 기판 및 상기 기판의 표면결함이 광루미네선스를 방출하도록 상기 기판의 밴드갭 에너지보다 큰 에너지에 해당하는 파장을 가지는 수직 조명광을 기판의 표면 각 부분으로 보내는 입사광원부;
    상기 기판 표면으로부터 상기 기판의 밴드갭 에너지에 해당하는 파장인 390nm 대역을 가지는 광루미네선스 매핑 영상(image)을 획득하는 광전 증폭관(Photo Multiplier Tube: PMT);
    상기 광전 증폭관에서 획득한 상기 기판의 390nm 대역을 가지는 광루미네선스 매핑 영상에 표시되는 식별가능한 적층결함을 형상과 크기로 분류하고 위치데이터를 확보하는 형상 분류부, 상기 분류된 결함에서 적층결함을 선별하고 상기 위치데이터를 이용해 상기 선별된 적층결함의 각 중심위치에 좌표를 부여하는 좌표부여부, 및 상기 좌표가 부여된 적층결함에 대해 순차적으로 상기 수직 조명광을 조사하도록 상기 스테이지 어셈블리와 상기 입사광원부를 조정하는 조정부를 포함하는 제어부;
    상기 수직 조명광이 조사되는 각각의 적층결함에서 방출되는 결함 데이터베이스의 파장 전 범위에 걸친 광루미네선스 스펙트럼을 획득하는 분광분석기(spectrometer);
    상기 각각의 적층결함에서 획득한 광루미네선스 스펙트럼의 400nm 이상의 영역에서 피크파장을 상기 결함 데이터베이스의 적층결함 중심파장과 비교하여 적층결함별 특성을 분류하는 특성분류부를 포함하고,
    상기 제어부 및 상기 특성분류부는 컴퓨터를 포함하는,
    단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 장비.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 적층결함 선별은, 상기 형상과 크기로 분류한 상기 식별가능한 결함을 1SSF, 2SSF, 3SSF, 4SSF 및 3C의 적층결함(stacking fault)을 포함하는 상기 결함 데이터베이스의 형상 및 크기와 비교하는 프로그램을 내장한 컴퓨터로 수행하는,
    단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 장비.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 기판의 밴드갭 에너지보다 큰 에너지에 해당하는 파장을 가지는 수직 조명광의 파장은 355nm인,
    단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 장비.
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 결함 데이터베이스의 1SSF, 2SSF, 3SSF, 4SSF 및 3C의 적층결함(stacking fault) 중심파장은 각각 420nm, 500nm, 480nm, 455nm 및 540nm이며,
    상기 광루미네선스 스펙트럼의 400nm 이상의 영역에서 피크파장을 상기 결함 데이터베이스의 적층결함 중심파장과 비교하여 적층결함별 특성을 분류하는 단계에서는, 상기 피크파장이 상기 각 적층결함의 중심파장을 중심으로 상하 5nm범위 이내이면 해당 적층결함으로 분류하는,
    단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 적층결함분류 장비.
KR1020210133957A 2021-10-08 2021-10-08 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 결함분류 장비 및 그를 이용한 결함분류 방법 KR102564487B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210133957A KR102564487B1 (ko) 2021-10-08 2021-10-08 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 결함분류 장비 및 그를 이용한 결함분류 방법
US17/659,957 US20230109887A1 (en) 2021-10-08 2022-04-20 Defect classification equipment for silicon carbide substrate using single incident light-based photoluminescence and defect classification method using the same
JP2022069997A JP7329278B2 (ja) 2021-10-08 2022-04-21 単一入射光ベース光ルミネッセンスを用いた炭化珪素基板の欠陥分類装置及びそれを用いた欠陥分類方法
US17/660,770 US20230113093A1 (en) 2021-10-08 2022-04-26 Defect classification equipment for silicon carbide substrate using single incident light-based photoluminescence and defect classification method using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210133957A KR102564487B1 (ko) 2021-10-08 2021-10-08 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 결함분류 장비 및 그를 이용한 결함분류 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20230050760A KR20230050760A (ko) 2023-04-17
KR102564487B1 true KR102564487B1 (ko) 2023-08-07

Family

ID=85797856

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210133957A KR102564487B1 (ko) 2021-10-08 2021-10-08 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 결함분류 장비 및 그를 이용한 결함분류 방법

Country Status (3)

Country Link
US (2) US20230109887A1 (ko)
JP (1) JP7329278B2 (ko)
KR (1) KR102564487B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005085816A (ja) 2003-09-04 2005-03-31 Oki Electric Ind Co Ltd 基板検査方法、基板検査装置、窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子の製造装置
JP2011258904A (ja) * 2010-06-11 2011-12-22 Sharp Corp 欠陥検出装置および欠陥検出方法、制御プログラム、可読記憶媒体
JP2016025241A (ja) 2014-07-22 2016-02-08 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法
JP6758197B2 (ja) * 2015-01-28 2020-09-23 東レエンジニアリング株式会社 ワイドギャップ半導体基板の欠陥検査方法及び欠陥検査装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9354177B2 (en) 2013-06-26 2016-05-31 Kla-Tencor Corporation System and method for defect detection and photoluminescence measurement of a sample
JP5633099B1 (ja) 2013-12-18 2014-12-03 レーザーテック株式会社 欠陥分類方法及び検査装置
JP2021118352A (ja) 2020-01-24 2021-08-10 住友電気工業株式会社 炭化珪素基板の欠陥評価方法および炭化珪素基板の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005085816A (ja) 2003-09-04 2005-03-31 Oki Electric Ind Co Ltd 基板検査方法、基板検査装置、窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子の製造装置
JP2011258904A (ja) * 2010-06-11 2011-12-22 Sharp Corp 欠陥検出装置および欠陥検出方法、制御プログラム、可読記憶媒体
JP2016025241A (ja) 2014-07-22 2016-02-08 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法
JP6758197B2 (ja) * 2015-01-28 2020-09-23 東レエンジニアリング株式会社 ワイドギャップ半導体基板の欠陥検査方法及び欠陥検査装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20230113093A1 (en) 2023-04-13
JP2023057010A (ja) 2023-04-20
US20230109887A1 (en) 2023-04-13
KR20230050760A (ko) 2023-04-17
JP7329278B2 (ja) 2023-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7160496B2 (ja) 試料の欠陥検出及び光ルミネセンス測定のためのシステム及び方法
TWI634323B (zh) 使用光致發光成像檢驗發光半導體裝置之方法及設備
TWI391645B (zh) 晶圓或其他工作表面下污染物及缺陷非接觸測量之差分波長光致發光
KR20130138214A (ko) 결함 검사 및 광발광 측정 시스템
KR102564487B1 (ko) 단일 입사광 기반 광루미네선스를 이용한 실리콘카바이드 기판의 결함분류 장비 및 그를 이용한 결함분류 방법
JP2009008396A (ja) 検査装置及び検査方法
KR102459337B1 (ko) 실리콘 카바이드 웨이퍼의 결함을 회피하는 다이 구획방법 및 검사장치
JPH0518901A (ja) ウエーハ表面検査装置
JPH0643110A (ja) レジストパターン欠陥の検出方法
WO2024030457A1 (en) Photoluminescence for semiconductor yield related applications
JP2004117016A (ja) 半導体ウェーハ欠陥検査装置
JP2004279071A (ja) 外観検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant