KR102563022B1 - 유기전기발광소자용 봉지 화합물, 조성물 및 이를 포함하는 봉지화된 장치 - Google Patents
유기전기발광소자용 봉지 화합물, 조성물 및 이를 포함하는 봉지화된 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102563022B1 KR102563022B1 KR1020160040813A KR20160040813A KR102563022B1 KR 102563022 B1 KR102563022 B1 KR 102563022B1 KR 1020160040813 A KR1020160040813 A KR 1020160040813A KR 20160040813 A KR20160040813 A KR 20160040813A KR 102563022 B1 KR102563022 B1 KR 102563022B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- formula
- composition
- light emitting
- organic
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 74
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 61
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 56
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 32
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 24
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 15
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 14
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical group [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims description 13
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 13
- 125000003837 (C1-C20) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000006736 (C6-C20) aryl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- 150000002431 hydrogen Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 10
- 125000003358 C2-C20 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000003860 C1-C20 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 6
- YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N Tritium Chemical group [3H] YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N 0.000 claims description 6
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000005018 aryl alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052722 tritium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000006649 (C2-C20) alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 5
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 5
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000005529 alkyleneoxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 4
- 125000005373 siloxane group Chemical group [SiH2](O*)* 0.000 claims description 4
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000000923 (C1-C30) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 122
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 44
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 description 36
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 21
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 16
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 12
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- -1 AlxOy Chemical class 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 7
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphoryl-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 5
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZJJATABWMGVVRZ-UHFFFAOYSA-N 1,12-dibromododecane Chemical compound BrCCCCCCCCCCCCBr ZJJATABWMGVVRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAVWZUBXDZDHQR-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(2-bromoethoxy)benzene Chemical compound BrCCOC1=CC=CC(OCCBr)=C1 ZAVWZUBXDZDHQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DSNHDGANDCBSAV-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(2-bromoethyl)benzene Chemical compound BrCCC1=CC=CC(CCBr)=C1 DSNHDGANDCBSAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OXHOPZLBSSTTBU-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(bromomethyl)benzene Chemical compound BrCC1=CC=CC(CBr)=C1 OXHOPZLBSSTTBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBODDUNKEPPBKW-UHFFFAOYSA-N 1,5-dibromopentane Chemical compound BrCCCCCBr IBODDUNKEPPBKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VOFLGGXQQXQKRE-UHFFFAOYSA-N 2,6-dibromoheptane Chemical compound CC(Br)CCCC(C)Br VOFLGGXQQXQKRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HAZQZUFYRLFOLC-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine Chemical compound ClC(Cl)(Cl)C1=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 HAZQZUFYRLFOLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Bis(dimethylamino)benzophenone Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 2
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 2
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 2
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 2
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 125000005129 aryl carbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 2
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 2
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 2
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 2
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 2
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004404 heteroalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005562 phenanthrylene group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- WRIQZMMFAMFZSM-UHFFFAOYSA-N prop-2-enethioic s-acid Chemical compound SC(=O)C=C WRIQZMMFAMFZSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 125000006836 terphenylene group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003866 trichloromethyl group Chemical group ClC(Cl)(Cl)* 0.000 description 2
- HJIAMFHSAAEUKR-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxyphenyl)-phenylmethanone Chemical compound OC1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HJIAMFHSAAEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJKOQFIGFHTRRW-UHFFFAOYSA-N (2-methoxy-3-methylphenyl)-(3-methylphenyl)methanone Chemical compound COC1=C(C)C=CC=C1C(=O)C1=CC=CC(C)=C1 FJKOQFIGFHTRRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 1,1'-spirobi[fluorene] Chemical group C1=CC=C2C=C3C4(C=5C(C6=CC=CC=C6C=5)=CC=C4)C=CC=C3C2=C1 ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-2-propan-2-yloxyethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 1,8-dibromooctane Chemical compound BrCCCCCCCCBr DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUZYGTVTZYSBCU-UHFFFAOYSA-N 1-(4-chlorophenyl)ethanone Chemical compound CC(=O)C1=CC=C(Cl)C=C1 BUZYGTVTZYSBCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMDHDEPPVWETOI-UHFFFAOYSA-N 1-(4-tert-butylphenyl)-2,2,2-trichloroethanone Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(C(=O)C(Cl)(Cl)Cl)C=C1 IMDHDEPPVWETOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMCRQYHCDSXNLW-UHFFFAOYSA-N 1-(4-tert-butylphenyl)-2,2-dichloroethanone Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(C(=O)C(Cl)Cl)C=C1 VMCRQYHCDSXNLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLJWIVCYYYWZTR-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-3-[3-(3-bromophenyl)propyl]benzene Chemical compound BrC1=CC=CC(CCCC=2C=C(Br)C=CC=2)=C1 BLJWIVCYYYWZTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIKSHDNOAYSSPX-UHFFFAOYSA-N 1-propan-2-ylthioxanthen-9-one Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2C(C)C YIKSHDNOAYSSPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRKORVYTKKLNKX-UHFFFAOYSA-N 2,4-di(propan-2-yl)thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C(C)C)=CC(C(C)C)=C3SC2=C1 BRKORVYTKKLNKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC(CC)=C3SC2=C1 BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQMOHZLFVGYNAN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylethenyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine Chemical compound ClC(Cl)(Cl)C1=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=NC(C=CC=2C=CC=CC=2)=N1 DQMOHZLFVGYNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVNIIPIYHHEXQA-UHFFFAOYSA-N 2-(4-methoxynaphthalen-1-yl)-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine Chemical compound C12=CC=CC=C2C(OC)=CC=C1C1=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=N1 FVNIIPIYHHEXQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRHHZFRCJDAUNA-UHFFFAOYSA-N 2-(4-methoxyphenyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C1=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=N1 QRHHZFRCJDAUNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPNIGZBDAMWHSX-UHFFFAOYSA-N 2-(4-methylphenyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1C1=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=N1 MPNIGZBDAMWHSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGTYTUFKXYPTML-UHFFFAOYSA-N 2-benzoylbenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 FGTYTUFKXYPTML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 2-benzyl-2-(dimethylamino)-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=CC=C1 UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAXRSWGYLGOFQP-UHFFFAOYSA-N 2-butoxy-1-(2-butoxyphenyl)ethanone Chemical compound CCCCOCC(=O)C1=CC=CC=C1OCCCC AAXRSWGYLGOFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 2-chlorothioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Cl)=CC=C3SC2=C1 ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRDMGGOYEBRLPD-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1-(2-ethoxyphenyl)ethanone Chemical compound CCOCC(=O)C1=CC=CC=C1OCC MRDMGGOYEBRLPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one Chemical compound CC(C)(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(4-methylsulfanylphenyl)-2-morpholin-4-ylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(SC)=CC=C1C(=O)C(C)(C)N1CCOCC1 LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 2-methylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC=C3SC2=C1 MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKISUZLXOYGIFP-UHFFFAOYSA-N 4,4'-dichlorobenzophenone Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(Cl)C=C1 OKISUZLXOYGIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016909 AlxOy Inorganic materials 0.000 description 1
- FASJZBHOIUIZKM-UHFFFAOYSA-N BrC(CC)CCCCCCC(CC)Br Chemical compound BrC(CC)CCCCCCC(CC)Br FASJZBHOIUIZKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPFXCIQJNGADED-UHFFFAOYSA-N BrC(CCC1=CC(=CC=C1)CCC(CCC)Br)CCC Chemical compound BrC(CCC1=CC(=CC=C1)CCC(CCC)Br)CCC OPFXCIQJNGADED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJDQVZIDWVKAMF-UHFFFAOYSA-N BrCC(CBr)OCCC Chemical compound BrCC(CBr)OCCC LJDQVZIDWVKAMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRTDQLJYEDEXFM-UHFFFAOYSA-N BrCCOC1=CC(=CC=C1)OCCOCCOCCBr Chemical compound BrCCOC1=CC(=CC=C1)OCCOCCOCCBr KRTDQLJYEDEXFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNDXKBFWWMXJDV-UHFFFAOYSA-N C1(=CC(=CC=C1)OCCC(CBr)O)OCCC(CBr)O Chemical compound C1(=CC(=CC=C1)OCCC(CBr)O)OCCC(CBr)O QNDXKBFWWMXJDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229910004304 SiNy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000063464 Vitex agnus-castus Species 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003302 alkenyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 125000002102 aryl alkyloxo group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 235000009347 chasteberry Nutrition 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- MGNCLNQXLYJVJD-UHFFFAOYSA-N cyanuric chloride Chemical compound ClC1=NC(Cl)=NC(Cl)=N1 MGNCLNQXLYJVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- XVKKIGYVKWTOKG-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphoryl(phenyl)methanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C(=O)C1=CC=CC=C1 XVKKIGYVKWTOKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- OCVXZQOKBHXGRU-UHFFFAOYSA-N iodine(1+) Chemical compound [I+] OCVXZQOKBHXGRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- LYXOWKPVTCPORE-UHFFFAOYSA-N phenyl-(4-phenylphenyl)methanone Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC=CC=2)C=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 LYXOWKPVTCPORE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 229960005235 piperonyl butoxide Drugs 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- MDDUHVRJJAFRAU-YZNNVMRBSA-N tert-butyl-[(1r,3s,5z)-3-[tert-butyl(dimethyl)silyl]oxy-5-(2-diphenylphosphorylethylidene)-4-methylidenecyclohexyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C1[C@@H](O[Si](C)(C)C(C)(C)C)C[C@H](O[Si](C)(C)C(C)(C)C)C(=C)\C1=C/CP(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MDDUHVRJJAFRAU-YZNNVMRBSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/10—Materials in mouldable or extrudable form for sealing or packing joints or covers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/10—Materials in mouldable or extrudable form for sealing or packing joints or covers
- C09K3/1006—Materials in mouldable or extrudable form for sealing or packing joints or covers characterised by the chemical nature of one of its constituents
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 외부에서 침투되는 수분과 산소를 막아 장치용 부재의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 유기전기발광소자용 봉지용 조성물 및 이를 포함하는 봉지화된 장치를 제공한다.
Description
본 발명은 유기전기발광소자용 봉지 조성물 및 이를 포함하는 봉지화된 장치에 관한 것이다.
유기발광다이오드(OLED, Organic Light Emitting Diode)는 캐소드(cathode)로부터 주입된 전자와 애노드(anode)로부터 주입된 정공이 유기 발광부의 발광층에서 결합하여 전자-정공쌍(Electron-Hole pair)을 형성하고, 그들이 재결합하는 과정에서 자체 발광하는 평판 표시 소자이다.
OLED는 빛의 삼원색인 빨강, 초록, 파란색 및 백색에서 높은 발광효율을 나타내며, 구동전압 및 소비전력이 낮고, 시야각이 넓으며, 화소의 응답속도가 빨라서 고화질의 동영상을 표할 수 있는 장점을 가지고 있다. 또한, OLED 소자는 유리 또는 플라스틱 등의 기판 위에 두께 1mm 이하로 제작할 수 있는 초박형, 초경량 디스플레이 구현이 가능하며, 플렉시블 디스플레이 분야에서 활발하게 연구되고 있다.
그러나 OLED 소자 경우 산소나 수분에 의해 발광재료 및 전극재료가 산화되고 그로 인해 흑점(dark spot) 및 화소 수축(pixel shrinkage) 등과 같은 문제점이 발생하여 결국 수명과 효율의 감소현상이 발생하고 있다.
위와 같이 OLED 소자 내로 유입되는 산소나 수분을 차단하는 봉지(encapsulation)기술은 개발이 필수적인 key technology 중 하나이다.
이러한 봉지기술은 크게 Can(Glass encap), TFE(thin film encap), Hybrid 3가지 방식으로 나눌 수 있으며, 각 방식은 Gas barrier 특성을 갖는 금속 또는 유리재질의 cover plate와 흡습제(getter)를 갖는 Can방식과 소자 상층에 유무기 또는 무기 다층박막으로 장벽특성 (barrier property)을 구현하는 전면봉지 (face sealing)법이라 칭할 수 있는 TFE 방식과 플라스틱 barrier film을 cover plate로 사용하고 passivation 박막과의 사이에 접착층을 위치시키는 하이브리드(Hybrid)방식으로 설명할 수 있다. 실링 방법에 관하여 한국공개특허 제2011-0071039에 개시돼 있다.
현재까지 널리 사용되고 있는 Can(Glass encap) 방식은 기판과 덮개로 구성된 2개의 글라스 사이에 OLED 소자를 두고, 글라스 파우더를 레이저로 녹여 밀봉하거나, UV 접착제를 사용하여 밀봉하는 기술로 가장 좋은 봉지 특성을 보여주고 있으나, 소자내의 비활성 기체로 인해 열전도 특성이 나쁘며, 대면적화에 따른 글라스 가공에 의한 비용이 증가되는 단점이 있으며, 유연성이 요구되는 플렉시블 OLED 패널 제작에도 적용하기에는 어려움을 갖고 있는 상태이다.
이러한 글라스 봉지 기술의 단점을 보완하기 위해서, OLED 소자 전면을 산소나 수분에 높은 차단성을 갖는 Al2O3와 같은 무기층과, 폴리머의 유기층을 박막으로 교대로 적층하여, OLED 유기 소자를 보호하는 다층 박막 봉지 기술인 TFE(Thin film encapsulation)가 활발하게 연구되고 있다. 또한, 수분 차단성을 갖는 필름으로 OLED 소자 전면을 라미네이팅 하는 간단한 봉지 접착 필름 (Hybrid)기술도 활발히 개발되고 있는 현실이다.
따라서, 유기발광소자의 봉지 재료는 유연발광(flexible OLED) 소자에 적용 가능하여야 하며, 또한 Hybrid 방식에서 유기발광소자 상층의 passivation 층과 cover plate 사이에 위치하는 접착층에도 적용이 가능한 물질이어야 한다.
다층구조의 봉지방식인 TFE 방식은 Vitex사의 Barix 공법으로 무기장벽층으로 Al2O3와 유기장벽층을 4~6쌍으로 적용하여 박막다층구조를 구현하였을 때 유기발광소자에 적합한 투습도를 갖는다고 미국특허 7767498호에 개시되어 있다.
TFE 방식에 사용되는 유기장벽층은 무기장벽층 사이에 위치하고, 무기장벽층은 AlxOy, SiOx, SiNy, SiOxNy등의 금속 산화/질화물일 수 있으며, 무기장벽층은 유기장벽층 위에 스퍼터링 증착법 (sputtering deposition) 또는 플라즈마 강화 화학적 증착법(PECVD) 등의 공정을 통해 형성 될 수 있다.
유기장벽층은 무기장벽층 형성을 위한 상기 공정에서 높은 에너지를 가진 입자들에 대해 유기장벽층이 두께손실이나 표면균일도 이상이 없이 평탄도를 유지하면서, 디스플레이 특성에 적합한 투명성을 확보해야 한다. 특히 무기장벽층 형성 시 상기 플라즈마를 이용하는 공정에서 높은 에너지를 갖는 금속산화/질화물 입자가 유기장벽층을 충격하게 되며 이때, 유기장벽층이 금속 산화/질화물 입자에 대해 손실과 결함이 생기지 않도록 플라즈마 저항성을 가져야 한다.
따라서 유기장벽층은 유연발광소자(flexible OLED)에 적합한 유연성 (flexibility)과 플라즈마 공정에 버티는 저항성을 동시에 가져야 한다.
유기장벽층에 대한 플라즈마 저항성은 “Dry etch resistance of organic materials,” Journal of the Electrochemical Society, vol. 130, 143-146 (1983)에서 식1로 표현되는 Ohnishi parameter와 “Limits to etch resistance for 193nm single-layer resists,” Proceedings of SPIE, vol. 2724, 365 (1995)에서 식 2로 표현되는 ring parameter간의 상관관계가 연구되어 왔다.
[식 1]
Ohnishi parameter = NT/(NC-NO)
여기서 NT 는 분자 내 전체 원자의 개수, NC 는 탄소원자의 개수, NO는 산소원자의 개수이며, Ohnishi parameter는 고분자 에칭의 기본경향을 나타내며, 대부분의 고분자는 그 경향을 잘 따르는 것으로 알려져 있다. 이후 연구자들은 Ohnishi 모델에 기초하여 많은 변형을 했고, 예로써 Ring parameter와 탄소와 산소의 함량을 조합하여 예측 정확성을 높이기 위한 노력들을 해 왔다. 이러한 변형들은 수학적보다는 실험적 데이터에 적합하나 물리적 의미의 설명은 부족한 것으로 “Plasma etch properties of organic BARCs” Proc. of SPIE Vol. 6923, 69232G, (2008)에서 밝히고 있다. 여기서, Ring parameter는 방향족 고리를 포함하는 고분자의 경우에 적용되는 점이 제한적인 모델인 것으로 설명하고 있다.
상기 문헌에서 Ohnishi parameter 와 etch rate(식각비) 연구결과에서는 탄소, 산소, 수소로 이루어진 고분자체는 O2, CF4, N2/H2를 이용한 etch rate는 Ohnishi parameter 값이 2~7범위에서 큰 값을 가질수록 빠른 etch rate를 나타내는 선형적인 결과를 얻었다고 보고하고 있다. 즉, 낮은 Ohnishi parameter 값은 상기의 기체를 사용하는 조건에서 높은 플라즈마 저항성을 갖는 것으로 해석할 수 있다.
[식 2]
Ring parameter = M.W. of only aromatic carbon / M.W. total
미국특허 7767498호에서 박막의 유기장벽층과 무기장벽층의 쌍이 많을수록 수분과 산소의 장벽특성(barrier property)에 유리하다고 밝히고 있으나, 진공조건에서 수회의 성막공정을 거치면서 이물혼입에 따른 장벽특성의 저하와 함께 수율의 저하가 단점으로 보고되고 있다.
최근 연구에서는 장벽특성을 유지하면서 수율 저하를 극복하기 위해 박막다층구조에서 유기/무기 장벽층의 두께를 두껍게 하고 층수를 줄이는 방향으로 연구가 진행되고 있으며, 그 이유로는 장벽층의 두께를 높이면서 그 수를 줄이면 공정 수가 줄어들게 되어 이물혼입에 따른 특성저하와 수율저하를 극복하면서 제조경비 절감효과를 볼 수 있기 때문이다.
따라서, 본 발명에서는 rigid display에서 유연발광소자 (flexible OLED)로 변환되는 디스플레이 개발방향에 부합하면서 후막형성이 가능하고 성막 시 유연성과 플라즈마 저항성을 갖는 자외선 경화 가능한 봉지재 조성물을 제공한다.
본 발명의 목적은 플라즈마 저항성을 가지며 증기증착 공정과 잉크젯 공정에 적합한 봉지용 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 후막형성이 가능하며 유연성을 갖는 봉지용 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 환경에 민감한 장치용 부재의 봉지를 위한 장벽층을 형성할 수 있는 봉지용 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 봉지용 조성물은 하기 화학식 1의 광경화 모노머 및 개시제를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 화학식을 가지는 화합물을 이용한 유기전기소자 및 이 유기전기소자를 포함하는 단말을 제공한다.
본 발명의 봉지용 조성물을 이용함으로써, 봉지용 조성물의 경화 후 무기장벽층에 대한 부착력을 높여 외부에서 침투되는 수분과 산소를 막아 장치용 부재의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 일 실시예에 따른 유기전기발광소자에 대한 예시도이다.
도 2는 유기전기발광소자를 포함하는 전자장치의 구조의 일례를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 유기전기발광소자를 포함하는 전자장치의 구조의 일례를 개략적으로 도시한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
본 명세서 및 첨부된 청구의 범위에서 사용된 바와 같이, 달리 언급하지 않는 한, 하기 용어의 의미는 하기와 같다.
본 명세서에서 사용된 용어 "할로" 또는 "할로겐"은 다른 설명이 없는 한 불소(F), 브롬(Br), 염소(Cl) 또는 요오드(I)이다.
본 발명에 사용된 용어 "알킬" 또는 "알킬기"는 다른 설명이 없는 한 1 내지 60의 탄소수의 단일결합을 가지며, 직쇄 알킬기, 분지쇄 알킬기, 사이클로알킬(지환족)기, 알킬-치환된 사이클로알킬기, 시클로알킬-치환된 알킬기를 비롯한 포화 지방족 작용기의 라디칼을 의미한다.
본 발명에 사용된 용어 "할로알킬기" 또는 "할로겐알킬기"는 다른 설명이 없는 한 할로겐으로 치환된 알킬기를 의미한다.
본 발명에 사용된 용어 "헤테로알킬기"는 알킬기를 구성하는 탄소 원자 중 하나 이상이 헤테로원자로 대체된 것을 의미한다.
본 발명에 사용된 용어 "알켄일기" 또는 "알킨일기"는 다른 설명이 없는 한 각각 2 내지 60의 탄소수의 이중결합 또는 삼중결합을 가지며, 직쇄형 또는 측쇄형 사슬기를 포함하며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 사용된 용어 "시클로알킬"은 다른 설명이 없는 한 3 내지 60의 탄소수를 갖는 고리를 형성하는 알킬을 의미하며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 사용된 용어 "알콕실기", "알콕시기", 또는 "알킬옥시기"는 산소 라디칼이 부착된 알킬기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 1 내지 60의 탄소수를 가지며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 사용된 용어 "알켄옥실기", "알켄옥시기", "알켄일옥실기", 또는 "알켄일옥시기"는 산소 라디칼이 부착된 알켄일기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 2 내지 60의 탄소수를 가지며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 사용된 용어 "아릴옥실기" 또는 "아릴옥시기"는 산소 라디칼이 부착된 아릴기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 6 내지 60의 탄소수를 가지며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 사용된 용어 "아릴기" 및 "아릴렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 6 내지 60의 탄소수를 가지며, 이에 제한되는 것은 아니다. 본 발명에서 아릴기 또는 아릴렌기는 단일 고리 또는 다중 고리의 방향족을 의미하며, 이웃한 치환기가 결합 또는 반응에 참여하여 형성된 방향족 고리를 포함한다. 예컨대, 아릴기는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 안트라센일기, 플루오렌기, 스파이로플루오렌기, 스파이로바이플루오렌기일 수 있다.
접두사 "아릴" 또는 "아르"는 아릴기로 치환된 라디칼을 의미한다. 예를 들어 아릴알킬기는 아릴기로 치환된 알킬기이며, 아릴알켄일기는 아릴기로 치환된 알켄일기이며, 아릴기로 치환된 라디칼은 본 명세서에서 설명한 탄소수를 가진다.
또한 접두사가 연속으로 명명되는 경우 먼저 기재된 순서대로 치환기가 나열되는 것을 의미한다. 예를 들어, 아릴알콕시기의 경우 아릴기로 치환된 알콕시기를 의미하며, 알콕실카르보닐기의 경우 알콕실기로 치환된 카르보닐기를 의미하며, 또한 아릴카르보닐알켄일기의 경우 아릴카르보닐기로 치환된 알켄일기를 의미하며 여기서 아릴카르보닐기는 아릴기로 치환된 카르보닐기이다.
본 명세서에서 사용된 용어 "헤테로알킬"은 다른 설명이 없는 한 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 알킬을 의미한다. 본 발명에 사용된 용어 "헤테로아릴기" 또는 "헤테로아릴렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 2 내지 60의 아릴기 또는 아릴렌기를 의미하며, 여기에 제한되는 것은 아니며, 단일 고리 및 다중 고리 중 적어도 하나를 포함하며, 이웃한 작용기기가 결합하여 형성될 수도 있다.
본 발명에 사용된 용어 "헤테로고리기"는 다른 설명이 없는 한 하나 이상의 헤테로원자를 포함하고, 2 내지 60의 탄소수를 가지며, 단일 고리 및 다중 고리 중 적어도 하나를 포함하며, 헤테로지방족 고리 및 헤테로방향족 고리를 포함한다. 이웃한 작용기가 결합하여 형성될 수도 있다.
본 명세서에서 사용된 용어 "헤테로원자"는 다른 설명이 없는 한 N, O, S, P 또는 Si를 나타낸다.
또한 "헤테로고리기"는, 고리를 형성하는 탄소 대신 SO2를 포함하는 고리도 포함할 수 있다. 예컨대, "헤테로고리기"는 다음 화합물을 포함한다.
다른 설명이 없는 한, 본 발명에 사용된 용어 "지방족"은 탄소수 1 내지 60의 지방족 탄화수소를 의미하며, "지방족고리"는 탄소수 3 내지 60의 지방족 탄화수소 고리를 의미한다.
다른 설명이 없는 한, 본 발명에 사용된 용어 "고리"는 탄소수 3 내지 60의 지방족고리 또는 탄소수 6 내지 60의 방향족고리 또는 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리 또는 이들의 조합으로 이루어진 융합 고리를 말하며, 포화 또는 불포화 고리를 포함한다.
전술한 헤테로화합물 이외의 그 밖의 다른 헤테로화합물 또는 헤테로라디칼은 하나 이상의 헤테로원자를 포함하며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
다른 설명이 없는 한, 본 발명에 사용된 용어 "카르보닐"이란 -COR'로 표시되는 것이며, 여기서 R'은 수소, 탄소수 1 내지 20 의 알킬기, 탄소수 6 내지 30 의 아릴기, 탄소수 3 내지 30의 사이클로알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알켄일기, 탄소수 2 내지 20의 알킨일기, 또는 이들의 조합인 것이다.
다른 설명이 없는 한, 본 발명에 사용된 용어 "에테르"란 -R-O-R'로 표시되는 것이며, 여기서 R 또는 R'은 각각 서로 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 3 내지 30의 사이클로알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알켄일기, 탄소수 2 내지 20의 알킨일기, 또는 이들의 조합인 것이다.
또한 명시적인 설명이 없는 한, 본 발명에서 사용된 용어 "치환 또는 비치환된"에서 "치환"은 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕실기, C1~C20의 알킬아민기, C1~C20의 알킬티오펜기, C6~C20의 아릴티오펜기, C2~C20의 알켄일기, C2~C20의 알킨일기, C3~C20의 시클로알킬기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알켄일기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, 및 C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환됨을 의미하며, 이들 치환기에 제한되는 것은 아니다.
또한 명시적인 설명이 없는 한, 본 발명에서 사용되는 화학식은 하기 화학식의 지수 정의에 의한 치환기 정의와 동일하게 적용된다.
여기서, a가 0의 정수인 경우 치환기 R1은 부존재하며, a가 1의 정수인 경우 하나의 치환기 R1은 벤젠 고리를 형성하는 탄소 중 어느 하나의 탄소에 결합하며, a가 2 또는 3의 정수인 경우 각각 다음과 같이 결합하며 이때 R1은 서로 동일하거나 다를 수 있으며, a가 4 내지 6의 정수인 경우 이와 유사한 방식으로 벤젠 고리의 탄소에 결합하며, 한편 벤젠 고리를 형성하는 탄소에 결합된 수소의 표시는 생략한다.
도 1은 본 발명에 일 실시예에 따른 봉지화된 장치에 대한 예시도이다.
도 1을 참조하면, 기판(110) 상에 형성된 제 1전극(120), 제 2전극(180) 및 제 1전극(110)과 제 2전극(180) 사이에 본 발명에 따른 화합물을 포함하는 유기물층을 구비한다. 이때, 제 1전극(120)은 애노드(양극)이고, 제 2전극(180)은 캐소드(음극)일 수 있으며, 인버트형의 경우에는 제 1전극이 캐소드이고 제 2전극이 애노드일 수 있다.
유기물층은 제 1전극(120) 상에 순차적으로 정공주입층(130), 정공수송층(140), 발광층(150), 전자수송층(160) 및 전자주입층(170)을 포함할 수 있다. 이때, 발광층(150)을 제외한 나머지 층들이 형성되지 않을 수 있다. 정공저지층, 전자저지층, 발광보조층(151), 버퍼층(141) 등을 더 포함할 수도 있고, 전자수송층(160) 등이 정공저지층의 역할을 할 수도 있을 것이다.
또한, 미도시하였지만, 본 발명에 따른 유기전기발광소자(200)는 제 1전극(120)과 제 2전극(180) 중 적어도 일면 중 상기 유기물층과 반대되는 일면에 형성된 보호층 또는 광효율 개선층(Capping layer)을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기발광소자(200)는 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여 제조될 수 있다. 예컨대, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 제 1전극(120)을 형성하고, 그 위에 정공주입층(130), 정공수송층(140), 발광층(150), 전자수송층(160) 및 전자주입층(170)을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 제 2전극(180)으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다.
또한, 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용액 공정 또는 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀코팅 공정, 노즐 프린팅 공정, 잉크젯 프린팅 공정, 슬롯코팅 공정, 딥코팅 공정, 롤투롤 공정, 닥터 블레이딩 공정, 스크린 프린팅 공정, 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다. 본 발명에 따른 유기물층은 다양한 방법으로 형성될 수 있으므로, 그 형성방법에 의해 본 발명의 권리범위가 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기전기발광소자(200)는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
WOLED(White Organic Light Emitting Device)는 고해상도 실현이 용이하고 공정성이 우수한 한편, 기존의 LCD의 칼라필터 기술을 이용하여 제조될 수 있는 이점이 있다. 주로 백라이트 장치로 사용되는 백색 유기발광소자에 대한 다양한 구조들이 제안되고 특허화되고 있다. 대표적으로, R(Red), G(Green), B(Blue) 발광부들을 상호평면적으로 병렬배치(side-by-side) 방식, R, G, B 발광층이 상하로 적층되는 적층(stacking) 방식이 있고, 청색(B) 유기발광층에 의한 전계발광과 이로부터의 광을 이용하여 무기형광체의 자발광(photo-luminescence)을 이용하는 색변환물질(color conversion material, CCM) 방식 등이 있는데, 본 발명은 이러한 WOLED에도 적용될 수 있을 것이다.
또한, 본 발명에 따른 유기전기발광소자(200)는 유기발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기감광체(OPC), 유기트랜지스터(유기 TFT), 단색 또는 백색 조명용 소자 중 하나일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는 상술한 본 발명의 유기전기발광소자(200)를 포함하는 디스플레이장치와, 이 디스플레이장치를 제어하는 제어부를 포함하는 전자장치를 포함할 수 있다. 이때, 전자장치는 현재 또는 장래의 유무선 통신단말일 수 있으며, 휴대폰 등의 이동 통신 단말기, PDA, 전자사전, PMP, 리모콘, 네비게이션, 게임기, 각종 TV, 각종 컴퓨터 등 모든 전자장치를 포함한다.
또한, 본 발명에서는 유기전기발광소자(200)를 보호하기 위한 봉지층(300)을 더 포함할 수 있다. 도 1에서는 봉지층(300)이 단일층인 구성을 개시하고 있으나, 본 발명은 이에 국한되지 않으며, 봉지층(300)이 다중층으로 이루어질 수도 있다. 이러한 구성을 도 2를 참조하여 검토하면 다음과 같다.
도 2는 유기전기발광소자를 포함하는 전자장치의 구조의 일례를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 2에 개시된 전자장치는 기판(110), 기판(110)상에 배치된 유기전기발광소자(200) 및 유기전기발광소자(200) 상에 배치된 봉지층(300)을 포함한다. 일례에 따른 전자장치에서는 봉지층(300)을 이용하여 유기전기발광소자(200)를 보호할 수 있다.
한편, 도 2에서는 본 발명에 따른 봉지층(300)이 제 1봉지층(310) 및 제 2 봉지층(320)으로 구성되는 다중층으로 구성된 실시예를 개시한다. 도 2에서는 봉지층(300)이 2층인 구성을 개시하고 있으나, 본 발명은 봉지층(300)이 2층 이상인 구성을 모두 포함할 수 있다. 봉지층(300)이 2층 이상의 다중층으로 구성될 경우, 무기장벽층과 유기장벽층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제 1봉지층(310)이 무기장벽층일 경우, 제 2봉지층(320)은 유기장벽층일 수 있으며, 제 1봉지층(310)이 유기장벽층일 경우, 제 2봉지층(320)은 무기장벽층일 수 있다.
또한, 도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 봉지층(300)은 장치용 부재 상에 배치될 수 있다. 구체적으로는 봉지층(300)은 유기전기발광소자(200) 상에 배치될 수 있고, 더욱 구체적으로는, 봉지층(300)은 유기전기발광소자(200)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 즉, 봉지층(300)은 유기전기발광소자(200)를 효과적으로 보호할 수 있는 구조로 배치될 수 있다. 이때, 봉지층(300)은 유기전기발광소자(200)에 수분과 산소를 막아 전자장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 이러한 봉지층(300)을 구성하는 봉지용 조성물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함함으로써, 상술한 효과를 나타낼 수 있다.
이하, 본 발명의 일 측면에 따른 화합물에 대하여 설명한다. 본 발명의 일 측면에 따른 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
상기 화학식 1에서,
1) l, m, n, o 은 0 내지 10의 정수이고;
(여기서 l, m, n, o 는 서로 같거나 상이할 수 있으며, 단 l+m+n+o≥1이다.)
2) R1, R2는 서로 독립적으로 수소, 중수소, 삼중수소, C1-C20의 알킬기, C2-C20의 알케닐기, C1-C20의 알콕시기, 하이드록시기 중 하나이며,
3) R1'~R8' 는 서로 독립적으로 수소, 중수소, 삼중수소, C1-C20의 알킬기, C1-C20의 알콕시기, 하이드록시기 중 하나이며;
4) X1, X2는 각각 서로 같거나 상이하고, O, S, NR' 중 하나이며;
(가장 바람직하게는 O임)
5) R'은 수소, 중수소, C1-C10의 알킬기, C6-C24의 아릴기, C2-C20의 알케닐기 중 하나이며;
6) Y1, Y2는 각각 서로 같거나 상이하고, C1-C20의 알킬렌기, C6-C24의 아릴렌기, C7-C24의 아릴알킬렌기, C1-C20의 알킬렌옥시기 중 하나일 수 있다.
상기 R1, R2, R1'~R8', X1, X2, R', Y1, Y2가 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 하이드록시기, 아릴기, 알케닐기, 알킬렌기, 아릴렌기, 아릴알킬렌기, 알킬렌옥시기인 경우, 이들 각각은 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알킬싸이오기; C1-C20의 알콕실기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; 중수소로 치환된 C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; C3-C20의 시클로알킬기; C7-C20의 아릴알킬기; 및 C8-C20의 아릴알켄일기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더욱 치환될 수 있으며, 이들 각 치환기가 인접한 경우 이들은 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
여기서, 상기 아릴기인 경우 탄소수는 6~60, 바람직하게는 탄소수 6~40, 보다 바람직하게는 탄소수 6~30의 아릴기일 수 있으며, 상기 헤테로고리기인 경우 탄소수는 2~60, 바람직하게는 탄소수 2~30, 보다 바람직하게는 탄소수 2~20의 헤테로고리일 수 있으며, 상기 알킬기인 경우 탄소수는 1~50, 바람직하게는 탄소수 1~30, 보다 바람직하게는 탄소수 1~20, 특히 바람직하게는 탄소수 1~10의 알킬기일 수 있다.
상기 전술한 아릴기 또는 아릴렌기일 경우, 구체적으로 아릴기 또는 아릴렌기는 서로 독립적으로 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트릴기 또는 페닐렌기, 비페닐렌기, 터페닐렌기, 나프틸렌기 또는 페난트릴렌기 등일 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물들 중 어느 하나일 수 있으나, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 하기 화합물에만 국한되는 것은 아니다.
상기 화학식 2 내지 화학식 7에서,
l, m, n, o, R1, R2, R1'~R8', X1, X2, R', Y1, Y2는 상기 화학식 1에서 정의된 것과 동일하다.
보다 구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물들 중 어느 하나일 수 있으며, 화학식 1로 표시되는 화합물이 하기 화합물에만 국한되는 것은 아니다.
한편, 본 발명의 화학식 1를 이용한 봉지용 조성물은 유연(flexible) 디스플레이 장치의 봉지 또는 캡슐화 용도로써 무기장벽층 사이에 위치하는 유기장벽층을 형성 할 수 있으며, 보다 구체적으로, 유기장벽층에 상기 개별 화학식 P1-1 내지 P1-40으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 그리고, 유기장벽층은 봉지용 조성물을 광경화시켜 형성할 수 있다. 상기 봉지용 조성물(유기장벽층 물질)은 증착, 스핀도포, 슬릿도포 등의 방법을 사용하여 도포할 수 있으며, 광경화 시 개시제를 사용할 수 있다.
개시제는 광경화성 반응을 수행할 수 있는 통상의 광중합 개시제를 제한 없이 포함할 수 있다. 예를 들면 광중합 개시제는 트리아진계, 아세토페논계, 벤조페논계, 티오크산톤계, 벤조인계, 인계, 옥심계 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.
트리아진계로는 2,4,6-트리클로로-s-트리아진, 2-페닐-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2-(3',4'-디메톡시 스티릴)-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2-(4'-메톡시 나프틸)-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2-(p-메톡시 페닐)-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2-(p-톨릴)-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2-비페닐-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 비스(트리클로로 메틸)-6-스티릴-s-트리아진, 2-(나프토-1-일)-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시 나프토-1-일)-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2,4-트리클로로 메틸(피페로닐)-6-트리아진, 2,4-(트리클로로 메틸(4'-메톡시 스티릴)-6-트리아진 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
아세토페논계로는, 2,2'-디에톡시 아세토페논, 2,2'-디부톡시 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸 프로피오페논, p-t-부틸 트리클로로 아세토페논, p-t-부틸 디클로로 아세토페논, 4-클로로아세토페논, 2,2'-디클로로-4-페녹시 아세토페논, 2-메틸-1-(4-(메틸티오)페닐)-2-모폴리노 프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸 아미노-1-(4-모폴리노 페닐)-부탄-1-온, 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
벤조페논계로는 벤조페논, 벤조일 안식향산, 벤조일 안식향산 메틸, 4-페닐 벤조페논, 히드록시 벤조페논, 아크릴화 벤조페논, 4,4'-비스(디메틸 아미노)벤조페논, 4,4'-디클로로 벤조페논, 3,3'-디메틸-2-메톡시 벤조페논 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
티오크산톤계로는 티오크산톤, 2-메틸 티오크산톤, 이소프로필 티오크산톤, 2,4-디에틸 티오크산톤, 2,4-디이소프로필 티오크산톤, 2-클로로 티오크산톤 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
벤조인계로는 벤조인, 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 이소프로필 에테르, 벤조인 이소부틸에테르, 벤질 디메틸 케탈 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
인계로는 비스벤조일페닐 포스핀옥시드, 벤조일디페닐 포스핀옥시드 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
옥심계로는 2-(o-벤조일옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온 및 1-(o-아세틸옥심)-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]에탄온, 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
개시제는 고형분 기준으로 상기 조성물 중 0.1-20중량%, 바람직하게는 0.5-20중량%, 더 바람직하게는 0.5-10중량%, 가장 바람직하게는 0.5-7중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 노광시 광중합이 충분히 일어날 수 있고, 광중합 후 남은 미반응 개시제로 인하여 투과율이 저하되는 것을 막을 수 있다.
상기 광투과율의 경우 가시광선 영역(380 내지 780nm)에서의 광투과율이 85% 이상 일 수 있으며, 바람직하게는 90% 이상일 수 있고 더 바람직하게는 94% 이상 일 수 있다. 광경화를 이용한 유기장벽층 형성은 봉지용 조성물을 0.1~20 ㎛ 바람직하게는 1~15 ㎛ 가장 바람직하게는 1~10 ㎛ 로 코팅하고 10~500 ㎽/㎠에서 1초~60 초 동안 조사하여 경화시킬 수 있다. 이때 경화율은 90%이상 일수 있고, 바람직하게는 93% 이상일 수 있다. 이때 유기장벽층 내의 광경화 반응에 참여하지 못한 조성물과 개시제가 최소화되며 수분 및/또는 산소의 침투경로(pass-way)가 억제되어 양호한 장벽특성을 가질 수 있다.
또한, 상기 봉지용 조성물을 경화시킬 때(유기장벽층을 형성시킬 때), 코팅이 된 봉지용 조성물은 수축이 일어날 수 있으며, 상기 수축율은 1~20% 정도이며, 더 바람직하게는 1~15% 일수 있다. 상기 유기장벽층의 수축율이 20% 이상일 경우, 무기장벽층에 산소 및/또는 수분 침투로 인하여 흑점 (dark spot) 및 화소 수축(pixel shrinkage) 이 발생하게 되며, 또한 2개 이상의 층을 이루는 유무기 다층장벽층 형성 시 휨 발생으로 발광소자의 결합으로 이어질 수 있다.
상기 무기장벽층과 유기장벽층은 스퍼터링, 화학기상증착(CVD), 플라즈마 화학기상증착(PECVD), 증발, 승화, 잉크젯 및 이의 조합으로 증착 될 수 있다. 다층장벽층은 상기 유기장벽층과 무기장벽층을 포함하되, 교대로 증착 될 수 있고, 장벽층의 수는 제한되지 않으며 장벽층의 수는 산소 및/또는 수분 및/또는 화학물질에 대한 투과성의 수준에 따라 변경할 수 있다. 유기장벽층과 무기장벽층은 각각 2층이상, 10층 이하로 교대로 증착될 수 있으며, 바람직하게는 2층 이상 7층 이하로 구성될 수 있다.
즉, 본 발명에 따른 봉지층은 유기전기발광소자를 포함하는 전자장치의 장치용 부재 상에 배치될 수 있으며, 무기장벽층과 유기장벽층을 포함하는 다층장벽층으로 이루어질 수 있다. 여기서, 무기장벽층은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물, 금속 산소질화물, 금속산소붕소화물, 또는 이들의 혼합물을 포함하고, 상기 금속은 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 셀레늄(Se), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 인듐(In), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 비스무트(Bi), 전이금속, 란탄족 금속 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 본 발명의 봉지 조성물에 상기 화합물이 단독으로 함유되거나, 상기 화합물이 서로 다른 2종 이상의 조합으로 함유되거나, 상기 화합물이 다른 화합물과 2종 이상의 조합으로 함유될 수 있다. 다시 말해서, 봉지 조성물에는 화학식 1에 해당하는 화합물이 단독으로 포함될 수 있고, 2종 이상의 화학식 1의 화합물들의 혼합물이 포함될 수 있으며, 청구항 1항 내지 청구항 3항 및 청구항 9항 내지 청구항 10항의 화합물과, 본 발명에 해당하지 않는 화합물과의 혼합물이 포함될 수 있다. 여기서 본 발명에 해당하지 않는 화합물은 단일의 화합물일 수 있고, 2종 이상의 화합물들일 수도 있다. 이때 상기 화합물이 다른 화합물과 2종 이상의 조합으로 함유될 경우 다른 화합물은 각 유기물층의 이미 알려진 화합물일 수도 있고, 앞으로 개발될 화합물 등일 수 있다. 이때 상기 유기물층에 함유된 화합물은 동종의 화합물로만 이루어질 수도 있지만, 화학식 1로 표시되는 이종의 화합물이 2종 이상 혼합된 혼합물일 수도 있다.
한편, 봉지 조성물이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 중 서로 상이한 화합물 2종 이상을 포함할 경우, 화학식 1의 서로 상이한 화합물 2종 이상 중 적어도 하나는 l, m=0 이며 o, n=1 이상 이거나, 또는 l, m=1 이상 이고, n, o=0일 수 있다.
또한, 봉지 조성물이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 중 서로 상이한 화합물 2종 이상을 포함할 경우, 화학식 1의 서로 상이한 화합물 2종 이상 중 적어도 하나는 l, m , o, n=1 이상일 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 봉지 조성물은 상기 화학식 1의 1종 이상의 화합물과 화학식 8로 표시되는 화합물이 서로 혼합될 수 있으며, 화학식 8은 하기와 같다.
상기 화학식 8에서,
1) P는 1 내지 20의 정수이고;
2) R5', R6', R7'은 수소, 중수소, 삼중수소, C1-C30의 알킬기, C1-C20의 알콕시기, 하이드록시기 중 어느 하나이고,
3) Y1, Y2, X1, X2, R1, R2는 화학식 1과 동일하다.
상기 R1, R2, R5'~R7', X1, X2, Y1, Y2가 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 하이드록시기, 알케닐기, 알킬렌기, 아릴렌기, 아릴알킬렌기, 알킬렌옥시기인 경우, 이들 각각은 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알킬싸이오기; C1-C20의 알콕실기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; 중수소로 치환된 C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; C3-C20의 시클로알킬기; C7-C20의 아릴알킬기; 및 C8-C20의 아릴알켄일기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더욱 치환될 수 있으며, 이들 각 치환기가 인접한 경우 이들은 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
여기서, 상기 아릴기인 경우 탄소수는 6~60, 바람직하게는 탄소수 6~40, 보다 바람직하게는 탄소수 6~30의 아릴기일 수 있으며, 상기 헤테로고리기인 경우 탄소수는 2~60, 바람직하게는 탄소수 2~30, 보다 바람직하게는 탄소수 2~20의 헤테로고리일 수 있으며, 상기 알킬기인 경우 탄소수는 1~50, 바람직하게는 탄소수 1~30, 보다 바람직하게는 탄소수 1~20, 특히 바람직하게는 탄소수 1~10의 알킬기일 수 있다.
상기 전술한 아릴기 또는 아릴렌기일 경우, 구체적으로 아릴기 또는 아릴렌기는 서로 독립적으로 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트릴기 또는 페닐렌기, 비페닐렌기, 터페닐렌기, 나프틸렌기 또는 페난트릴렌기 등일 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 화학식 8로 표시되는 화합물은 하기 화합물들 중 어느 하나일 수 있으나, 상기 화학식 8로 표시되는 화합물이 하기 화합물에만 국한되는 것은 아니다.
이하에서, 본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물의 합성예 및 유기전기발광소자의 제조예에 관하여 실시예를 들어 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
[
합성예
]
본 발명에 따른 화합물 (final products)은 하기 반응식으로 합성되며, 이에 한정되는 것은 아니다.
구체적 화합물의 합성예는 다음과 같다.
1. P1-14
합성예
출발 물질인 1,3-bis(2-bromoethoxy)benzene (84.92g, 262.10 mmol)과 Acrylic acid (37.77g, 524.20 mmol)을 둥근바닥 플라스크에 Acetonitrile (900ml)에 녹인 후, Triethylamine (79.57g, 786.30 mmol) 을 첨가하고 80°C에 교반하였다. 반응이 완료되면 Ethyl acetate와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4 로 건조하고 농축한다. 농축된 화합물을 Silicagel column하여 생성물 6g (수율:64%)를 얻었다. 상기 출발 물질은 상업적으로 입수할 수 있으며, CAS 넘버(number)는 58929-74-1이다.
2, P2-17
합성예
출발 물질인 1-(2-bromoethoxy)-3-(2-(2-(2-bromoethoxy)ethoxy)ethoxy)benzene (10.00g, 24.26 mmol)과 acrylic acid (3.49g, 48.52mmol)을 둥근바닥 플라스크에 Acetonitrile (120ml)에 녹인 후, Triethylamine (7.36g, 72.78 mmol) 을 상기 P1-14 합성법을 사용하여 생성물 4.97g (수율 52%)를 얻었다.
3. P1-22
합성예
출발 물질인 1,3-bis(bromomethyl)benzene (10.00g, 37.89 mmol)과 acrylic acid (5.46g, 75.77mmol)을 둥근바닥 플라스크에 Acetonitrile (190ml)에 녹인 후, Triethylamine (11.50g, 113.66 mmol) 을 상기 P1-14 합성법을 사용하여 생성물 6g (수율 64%)를 얻었다. 상기 출발 물질은 상업적으로 입수할 수 있으며, CAS 넘버(number)는 626-15-3이다.
4. P1-23
합성예
출발 물질인 1,3-bis(2-bromoethyl)benzene (10.00g, 34.48 mmol)과 acrylic acid (4.96, 68.96mmol)을 둥근바닥 플라스크에 Acetonitrile (170ml)에 녹인 후, Triethylamine (10.45g, 103.44 mmol) 을 상기 P1-14 합성법을 사용하여 생성물 6.56g (수율 70%)를 얻었다. 상기 출발 물질은 상업적으로 입수할 수 있으며, CAS 넘버(number)는 103199-07-1이다.
5. P1-25
합성예
출발 물질인 1,3-bis(3-bromohexyl)benzene (10.00g, 24.73 mmol)과 acrylic acid (3.56g, 49.46mmol)을 둥근바닥 플라스크에 Acetonitrile (120ml)에 녹인 후, Triethylamine (7.49g, 74.19 mmol) 을 상기 P1-14 합성법을 사용하여 생성물 6.78g (수율 71%)를 얻었다.
6. P1-37
합성예
출발 물질인 4,4'-(1,3-phenylenebis(oxy))bis(1-bromobutan-2-ol) (10.00g, 24.26 mmol)과 acrylic acid (3.49g, 48.52mmol)을 둥근바닥 플라스크에 Acetonitrile (120ml)에 녹인 후, Triethylamine (7.35g, 72.78 mmol) 을 상기 P1-14 합성법을 사용하여 생성물 8.50g (수율 89%)를 얻었다.
7. P1-39
합성예
출발 물질인 1,3-bis(2-(6-bromonaphthalen-2-yl)ethyl)benzene (10.00g, 18.37 mmol)과 prop-2-enethioic S-acid (3.23g, 36.74 mmol)을 둥근바닥 플라스크에 Acetonitrile (100ml)에 녹인 후, Triethylamine (5.56g, 55.11 mmol) 을 상기 P1-14 합성법을 사용하여 생성물 6.67g (수율 65%)를 얻었다.
8. P2-3
합성예
출발 물질인 1,5-dibromopentane (10.00g, 43.48 mmol)과 acrylic acid (6.26g, 86.96mmol)을 둥근바닥 플라스크에 Acetonitrile (220ml)에 녹인 후, Triethylamine (13.19g, 130.44 mmol) 을 상기 P1-14합성법을 사용하여 생성물 5.62g (수율 61%)를 얻었다. 상기 출발 물질은 상업적으로 입수할 수 있으며, CAS 넘버(number)는 111-24-0이다.
9. P2-6
합성예
출발 물질인 1,12-dibromododecane (10.00g, 30.47 mmol)과 acrylic acid (4.39g, 60.94mmol)을 둥근바닥 플라스크에 Acetonitrile (150ml)에 녹인 후, Triethylamine (9.24g, 91.41 mmol) 을 상기 P1-14 합성법을 사용하여 생성물 8.04g (수율 85%)를 얻었다. 상기 출발 물질은 상업적으로 입수할 수 있으며, CAS 넘버(number)는 3344-70-5이다.
10. P2-8
합성예
출발 물질인 3,10-dibromododecane (10.00g, 30.47 mmol)과 acrylic acid (4.39g, 60.94mmol)을 둥근바닥 플라스크에 Acetonitrile (150ml)에 녹인 후, Triethylamine (9.24g, 91.41 mmol) 을 상기 P1-14 합성법을 사용하여 생성물 4.81g (수율51%)를 얻었다.
11. P2-9
합성예
출발 물질인 2,6-dibromoheptane (10.00g, 38.75 mmol)과 prop-2-enethioic S-acid (6.82g, 77.50mmol)을 둥근바닥 플라스크에 Acetonitrile (190ml)에 녹인 후, Triethylamine (11.74g, 116.25 mmol) 을 상기 P1-14 합성법을 사용하여 생성물 7.70g (수율 73%)를 얻었다. 상기 출발 물질은 상업적으로 입수할 수 있으며, CAS 넘버(number)는 61485-85-6이다.
12. P2-16
합성예
출발 물질인 1,3-dibromo-2-propoxypropane (10.00g, 38.46 mmol)과 acrylic acid (5.54g, 76.93mmol)을 둥근바닥 플라스크에 Acetonitrile (190ml)에 녹인 후, Triethylamine (11.65g, 115.38 mmol) 을 상기 P1-14 합성법을 사용하여 생성물 6.52g (수율 70%)를 얻었다. 상기 출발 물질은 상업적으로 입수할 수 있으며, CAS 넘버(number)는 859775-70-5이다.
13. P2-17
합성예
출발 물질인 1,3-bis(3-bromophenyl)propane (10.00g, 28.24 mmol)과 acrylic acid (4.06g, 56.48mmol)을 둥근바닥 플라스크에 Acetonitrile (140ml)에 녹인 후, Triethylamine (8.57g, 84.72 mmol) 을 상기 P1-14 합성법을 사용하여 생성물 6.64g (수율 70%)를 얻었다. 상기 출발 물질은 상업적으로 입수할 수 있으며, CAS 넘버(number)는 121733-14-0이다.
한편, 상기에서는 화학식 1 및 화학식 8로 표시되는 본 발명의 합성예는 Org.Lett., 2009, 11(20), 4708-4711, J. Org . Chem ., 2001, 66(7), 2291-2295, Org . Lett ., 2005, 7(7), 1295-1298, J. Org . Chem ., 2008, 73(19), 7772-7774, Organometallics 2002, 21(26), 5713-5725, J. Org . Chem ., 2011, 76(7), 2187-2194, J. Am. Chem . Soc ., 2009, 131(5), 1766-1774 등에 기초한 것으로 구체적 합성예에 명시된 치환기 이외에 화학식 1 및 화학식 8에 정의된 다른 치환기 ( R1, R2, R1' 내지 R7', R', X1, X2, Y1, Y2)가 결합되더라도 상기 반응이 진행된다는 것을 당업자라면 쉽게 이해할 수 있을 것이다.
봉지 조성물의 제조평가
[
실시예
] 혼합 조성물의 제조
본 발명의 화합물인 화학식 1 (P1-1~P1-40) 및 화학식 8(P2-1~P2-21)의 혼합물과 개시제인 Darocur TPO를 하기 표 1과 같이 혼합하여 조성물을 제조하였다. 이때 개시제인 Darocur TPO는 중량 기준으로 3%를 사용한다. (전체 혼합물 조성물의 총 중량합계는 100%로 한다.) 상기 개시제는 Diphenyl(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphine oxide (디페닐 (2, 4, 6-트리메틸벤조일)포스핀옥시드, Darocur TPO)으로 하기 화학식을 갖는 물질이다.
비교예는 하기 표 1과 같이 본 발명 화합물과 비교화합물의 혼합물 또는 비교화합물 간의 혼합물에 개시제인 Darocur TPO를 혼합하여 조성물을 제조하였다. 이때 개시제인 Darocur TPO는 중량 기준으로 3%를 사용한다. (전체 혼합물 조성물의 총 중량합계는 100%로 한다.) 구체적으로, 비교예에 사용된 화합물은 비교화합물 1 내지 비교화합물 3이며, 비교화합물 1 내지 비교화합물 3은 각각 Trimethylolpropane triacrylate(트리메티롤프로판 트리아크릴레이트), Dipentaerythritol Hexaacrylate (디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트, Miramer M600), Poly(ethylene glycol) diacrylate(폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트, Miramer M284)으로 하기 화학식을 갖는 물질이다.
[비교화합물 1] [비교화합물 2] [비교화합물 3]
상기 혼합 조성물은 하기 표 1에 기재된 함량(중량 기준)으로 혼합하고, 3시간 교반하여 봉지용 조성물로 제조하였다.
P1-4 | P1-22 | P2-5 | P2-11 | P2-20 | P2-21 | 비교 화합물 1 |
비교 화합물 2 |
비교 화합물 3 |
|
실시예 1 | 80% | 17% | |||||||
실시예 2 | 80% | 17% | |||||||
실시예 3 | 80% | 17% | |||||||
실시예 4 | 80% | 17% | |||||||
실시예 5 | 80% | 10% | 7% | ||||||
비교예 1 | 80% | 17% | |||||||
비교예 2 | 80% | 17% | |||||||
비교예 3 | 80% | 17% | |||||||
비교예 4 | 17% | 80% | |||||||
비교예 5 | 80% | 10% | 7% |
상기 표 1의 함량에 따라 혼합된 조성물의 경화 수축율 및 광경화율, 광투과율을 하기 방법과 같이 진행하여 측정하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
1. 경화 수축율
디지털 고체비중계 DME-220E(Shinko사, 일본)로 광 경화전 액체 조성물의 비중, 경화 후 고체의 비중을 측정하여 경화 수축율을 계산하였다. 조성물을 10um±2um 내외로 코팅 후 UV 경화(100mW/㎠ x 10초) 시켜 필름(두께: 8-12um, 가로 1.5-2.5cm, 세로 1.5-2.5cm)을 제조하여 수행. 경화 수축율은 하기 식 3에 따라 계산하였다.
[식 3]
경화 수축율(%)=(경화후 고체 비중 - 경화전 액체 조성물의 비중)/경화전 액체 조성물의 비중 x 100
2. 광경화율
광경화 조성물에 대하여 FT-IR(FT/IR-6600, Jasco사)을 사용하여 1635cm-1 부근(C=C), 1720cm- 1부근(C=O)에서의 흡수 피크의 강도를 측정하였다. 유리 기판 위에 광경화 조성물을 스프레이로 도포하고 100J/cm2으로 10초동안 조사하여 UV 경화시켜, 20cm x 20cm x 3㎛(가로 x 세로 x 두께)의 시편을 얻어 FT-IR(NICOLET 4700, Thermo사)를 이용하여 1635cm-1 부근 (C=C), 1720cm-1 부근(C=O)에서의 흡수 피크의 강도를 측정. 광경화율은 하기 식 4에 따라 계산하였다.
[식 4]
광경화율(%)= |1-(A/B)| x 100
(상기에서, A는 경화된 필름에 대해 1720cm-1 부근에서의 흡수 피크의 강도에 대한 1635cm-1 부근에서의 흡수 피크의 강도의 비이고, B는 광경화 조성물에 대해 1720cm-1 부근에서의 흡수 피크의 강도에 대한 1635cm-1 부근에서의 흡수 피크의 강도의 비율)
3. 광투과율
봉지용 조성물을 UV 경화시켜 두께 10μm의 필름을 제조하고, 필름에 대해 Lambda950(Perkin Elmer사)로 가시광 영역 파장 550nm에서 광투과율을 측정하였다.
경화 수축률(%) | 광경화율(%) | 광투과율(%) | Ohnishi parameter | |
실시예 1 | 12.1 | 96 | 94.5 | 3.47 |
실시예 2 | 14.8 | 91 | 94.7 | 3.21 |
실시예 3 | 9.8 | 95 | 93.5 | 3.44 |
실시예 4 | 13.4 | 93 | 94.1 | 3.18 |
실시예 5 | 9.7 | 97 | 96.2 | 3.41 |
비교예 1 | 21.4 | 88 | 89.5 | 4.17 |
비교예 2 | 22.2 | 79 | 90.7 | 3.97 |
비교예 3 | 19.9 | 83 | 90.1 | 4.25 |
비교예 4 | 18.7 | 86 | 91.2 | 5.69 |
비교예 5 | 23.2 | 91 | 91.5 | 4.21 |
상기 표2를 확인해본 결과 본 발명의 화합물을 혼합한 조성물인 실시예 1 내지 실시예 5는 낮은 수축율과 높은 광경화율을 가지며, 광투과율에서도 우수한 결과를 확인하였다. 또한 계산된 Ohnishi parameter 값을 통해 높은 플라즈마 저항성을 나타내는 것을 확인할 수 있었다.
이는 each rate(식각비)와 Ohnishi parameter 상관관계로 설명이 가능한데, Ohnishi parameter 값이 2 내지 7 범위에서 큰 값을 가질수록 빠른 etch rate를 갖으며, 빠른 etch rate 값을 가질수록 기체를 사용하는 조건에서 플라즈마 저항성이 낮아지기 때문이다.
본 발명의 화합물을 혼합한 조성물을 사용한 실시예 1 내지 실시예 5의 경우 비교예 1 내지 비교예 5보다 작은 Ohnishi parameter 값을 보여주고 있으며, 이는 비교예보다 본 발명의 화합물을 혼합한 조성물이 더 높은 플라즈마 저항성을 갖는 것을 보여주고 있다.
110: 기판
200: 유기전기발광소자
300: 봉지층
200: 유기전기발광소자
300: 봉지층
Claims (14)
- 하기 화학식 1로 나타내는 1종 이상의 화합물을 포함하고,
화학식 1의 서로 상이한 화합물 2종 이상 중 적어도 하나는 하기 l, m, o, n=1 이상인 유기전기발광소자용 봉지용 조성물.
상기 화학식 1에서,
1) l, m, n, o 은 0 내지 10의 정수이고;
(여기서 l, m, n, o 는 서로 같거나 상이할 수 있으며, 단 l+m+n+o≥1이다.)
2) R1, R2는 서로 독립적으로 수소, 중수소, 삼중수소, C1-C20의 알킬기, C2-C20의 알케닐기, C1-C20의 알콕시기, 하이드록시기 중 하나이며,
3) R1'~R8' 는 서로 독립적으로 수소, 중수소, 삼중수소, C1-C20의 알킬기, C1-C20의 알콕시기, 하이드록시기 중 하나이며;
4) X1, X2는 각각 서로 같거나 상이하고, O, S, NR' 중 하나이며;
5) R'은 수소, 중수소, C1-C10의 알킬기, C6-C24의 아릴기, C2-C20의 알케닐기 중 하나이며;
6) Y1, Y2는 각각 서로 같거나 상이하고, C1-C20의 알킬렌기, C6-C24의 아릴렌기, C7-C24의 아릴알킬렌기, C1-C20의 알킬렌옥시기 중 하나일 수 있다.
상기 R1, R2, R1'~R6', X1, X2, R', Y1, Y2가 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 하이드록시기, 아릴기, 알케닐기, 알킬렌기, 아릴렌기, 아릴알킬렌기, 알킬렌옥시기인 경우, 이들 각각은 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알킬싸이오기; C1-C20의 알콕실기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; 중수소로 치환된 C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; C3-C20의 시클로알킬기; C7-C20의 아릴알킬기; 및 C8-C20의 아릴알켄일기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더욱 치환될 수 있다. - 제 1 항에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화합물 중 하나인 유기전기발광 소자용 봉지용 조성물.
- 제 1항에 있어서,
상기 봉지용 조성물은 개시제를 더 포함하는 유기전기발광 소자용 봉지용 조성물. - 제 4항에 있어서,
화학식 1로 표시되는 화합물 중 서로 상이한 화합물 2종 이상이 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 유기전기발광소자용 봉지용 조성물. - 삭제
- 삭제
- 제 4항에 있어서,
상기 유기전기발광소자용 봉지용 조성물은 고형분 기준으로 화학식 1의 화합물이 70~80 중량%이고, 개시제가 0.1~20 중량%를 포함하는 유기전기발광소자용 봉지용 조성물. - 제 4항에 있어서,
상기 화학식 1의 1종 이상의 화합물과 하기 화학식 8의 화합물이 서로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 유기전기발광소자용 봉지용 조성물.
상기 화학식 8에서,
1) P는 1 내지 20의 정수이고;
2) R5', R6', R7'은 수소, 중수소, 삼중수소, C1-C30의 알킬기, C1-C20의 알콕시기, 하이드록시기 중 어느 하나이고,
3) Y1, Y2, X1, X2, R1, R2는 화학식 1과 동일하다.
상기 R1, R2, R5'~R7', X1, X2, Y1, Y2가 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 하이드록시기, 알케닐기, 알킬렌기, 아릴렌기, 아릴알킬렌기, 알킬렌옥시기인 경우, 이들 각각은 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알킬싸이오기; C1-C20의 알콕실기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; 중수소로 치환된 C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; C3-C20의 시클로알킬기; C7-C20의 아릴알킬기; 및 C8-C20의 아릴알켄일기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더욱 치환될 수 있다. - 제 9항에 있어서,
상기 화학식 1이 2종 이상일 경우 상기 조성물 중 상기 화학식 1의 화합물은 고형분 기준으로 50~95중량%(2종 이상의 화합물의 중량 합계 %), 화학식 8은 1~40중량%, 개시제는 0.1~20중량%를 포함하는 유기전기발광소자용 봉지용 조성물. - 장치용 부재; 및
상기 장치용 부재 상에 배치되고, 제 1항 내지 제 5항, 제 8항 내지 제 11항 중 어느 한 항의 봉지용 조성물로 형성되는 적어도 1층의 유기장벽층을 포함하는 봉지화된 장치. - 제 12항에 있어서,
상기 장치용 부재 상에 배치되는 적어도 1층의 무기장벽층을 더 포함하고,
상기 무기장벽층은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물, 금속 산소질화물, 금속산소붕소화물, 또는 이들의 혼합물을 포함하고, 상기 금속은 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 셀레늄(Se), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 인듐(In), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 비스무트(Bi), 전이금속, 란탄족 금속 중 하나 이상을 포함하는 봉지화된 장치. - 제 12항에 있어서,
상기 봉지화된 장치는 유기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터, 및 단색 또는 백색 조명용 소자 중 하나인 유기전기소자를 포함하는 봉지화된 장치.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160040813A KR102563022B1 (ko) | 2016-04-04 | 2016-04-04 | 유기전기발광소자용 봉지 화합물, 조성물 및 이를 포함하는 봉지화된 장치 |
PCT/KR2017/003584 WO2017176011A1 (ko) | 2016-04-04 | 2017-03-31 | 유기전기발광소자용 봉지 화합물, 조성물 및 이를 포함하는 봉지화된 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160040813A KR102563022B1 (ko) | 2016-04-04 | 2016-04-04 | 유기전기발광소자용 봉지 화합물, 조성물 및 이를 포함하는 봉지화된 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170115118A KR20170115118A (ko) | 2017-10-17 |
KR102563022B1 true KR102563022B1 (ko) | 2023-08-07 |
Family
ID=60000565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160040813A KR102563022B1 (ko) | 2016-04-04 | 2016-04-04 | 유기전기발광소자용 봉지 화합물, 조성물 및 이를 포함하는 봉지화된 장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102563022B1 (ko) |
WO (1) | WO2017176011A1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7493058B2 (ja) * | 2020-11-18 | 2024-05-30 | 三井化学株式会社 | 有機el表示素子用封止材、その硬化物および有機el表示装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050245711A1 (en) | 2004-04-29 | 2005-11-03 | Ashland Inc. | Self-photoinitiating water-dispersible acrylate ionomers and synthetic methods |
KR101015722B1 (ko) | 2005-12-02 | 2011-02-22 | 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 | 단층막 및 이것으로 이루어지는 친수성 재료 |
KR101481417B1 (ko) * | 2014-03-28 | 2015-01-14 | (주)휴넷플러스 | 가스차단성 조성물, 이를 이용한 봉지막 및 유기발광소자 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070017395A (ko) * | 2004-04-29 | 2007-02-09 | 앳슈랜드 라이센싱 앤드 인텔렉츄얼 프라퍼티 엘엘씨 | 자가-광개시 수분산성 아크릴레이트 이오노머 및 합성법 |
EP1803759B1 (en) * | 2004-10-20 | 2013-05-22 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Radiation curable resin, liquid crystal sealing material, and liquid crystal display cell using same |
CN102076803B (zh) * | 2008-06-02 | 2014-11-12 | 3M创新有限公司 | 粘合剂封装组合物以及用其制备的电子器件 |
WO2011021522A1 (ja) * | 2009-08-19 | 2011-02-24 | 積水化学工業株式会社 | 硬化性組成物、接続構造体及びメルカプト基含有(メタ)アクリレート化合物 |
CN103261957B (zh) * | 2010-12-09 | 2015-04-29 | 积水化学工业株式会社 | 液晶滴下工艺用密封剂、上下导通材料以及液晶显示元件 |
KR20140066748A (ko) * | 2011-09-26 | 2014-06-02 | 후지필름 가부시키가이샤 | 배리어성 적층체 및 신규 중합성 화합물 |
KR101726917B1 (ko) * | 2014-06-20 | 2017-04-14 | 제일모직주식회사 | 유기발광소자 봉지용 조성물 및 이를 사용하여 제조된 유기발광소자 표시장치 |
-
2016
- 2016-04-04 KR KR1020160040813A patent/KR102563022B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-03-31 WO PCT/KR2017/003584 patent/WO2017176011A1/ko active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050245711A1 (en) | 2004-04-29 | 2005-11-03 | Ashland Inc. | Self-photoinitiating water-dispersible acrylate ionomers and synthetic methods |
KR101015722B1 (ko) | 2005-12-02 | 2011-02-22 | 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 | 단층막 및 이것으로 이루어지는 친수성 재료 |
KR101481417B1 (ko) * | 2014-03-28 | 2015-01-14 | (주)휴넷플러스 | 가스차단성 조성물, 이를 이용한 봉지막 및 유기발광소자 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20170115118A (ko) | 2017-10-17 |
WO2017176011A1 (ko) | 2017-10-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7203903B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用封止剤 | |
US9837633B2 (en) | Organic light emitting diode display apparatus | |
KR101600653B1 (ko) | 봉지용 조성물, 이를 포함하는 장벽층 및 이를 포함하는 봉지화된 장치 | |
US10700133B2 (en) | Organic light emitting display | |
KR102072799B1 (ko) | 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR101943687B1 (ko) | 유기발광표시장치 | |
CN105601810B (zh) | 用于制造有机膜的组合物、使用该有机膜制造的有机发光显示设备以及该设备的制造方法 | |
KR101943689B1 (ko) | 유기발광표시장치 | |
JP4155733B2 (ja) | 電荷供給均衡性を高めた電界発光高分子及びそれを用いた電界発光素子 | |
KR102008177B1 (ko) | 유기발광소자 봉지용 조성물 및 이로부터 제조된 유기발광소자 표시장치 | |
KR20130101990A (ko) | 광경화 조성물, 이를 포함하는 장벽층 및 이를 포함하는 봉지화된 장치 | |
KR20180102038A (ko) | 광경화 조성물, 이를 포함하는 유기보호층, 및 이를 포함하는 장치 | |
US9587046B2 (en) | Photocurable composition, protective layer including the same, and encapsulated apparatus including the same | |
KR102329621B1 (ko) | 유기발광소자 봉지용 조성물 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치 | |
KR20180002093A (ko) | 유기전기발광소자용 봉지 화합물, 조성물 및 이를 포함하는 봉지화된 장치 | |
US9847510B2 (en) | Organic light emitting diode display apparatus | |
KR101542622B1 (ko) | 광경화 조성물, 이를 포함하는 장벽층, 및 이를 포함하는 봉지화된 장치 | |
KR20140004906A (ko) | 광경화 조성물 및 상기 조성물로 형성된 보호층을 포함하는 광학 부재 | |
KR102563022B1 (ko) | 유기전기발광소자용 봉지 화합물, 조성물 및 이를 포함하는 봉지화된 장치 | |
KR102105825B1 (ko) | 유기전기발광소자용 봉지 화합물, 조성물 및 이를 포함하는 봉지화된 장치 | |
US10840461B2 (en) | Organic electroluminescent element material, organic electroluminescent element and production method for organic electroluminescent element | |
KR102392802B1 (ko) | 유기발광소자 봉지용 조성물 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치 | |
KR20200115813A (ko) | 유기발광소자 봉지용 조성물 및 전자장치 | |
KR20200115815A (ko) | 유기발광소자 봉지용 조성물 및 전자장치 | |
KR20150042642A (ko) | 광경화 조성물 및 이를 사용하여 제조된 봉지화된 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |