KR102556597B1 - Substrate processing device - Google Patents

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KR102556597B1
KR102556597B1 KR1020217013058A KR20217013058A KR102556597B1 KR 102556597 B1 KR102556597 B1 KR 102556597B1 KR 1020217013058 A KR1020217013058 A KR 1020217013058A KR 20217013058 A KR20217013058 A KR 20217013058A KR 102556597 B1 KR102556597 B1 KR 102556597B1
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

기판의 회전을 억제한다. 기판 처리 장치의 내조 (501) 의 처리 위치에 배치된 리프터 (13) 의 유지 봉 (132) 에 형성된 유지 홈 (1321) 에 하방으로부터 유지된 기판 (W) 에 대하여, 상방으로부터 유지하는 유지부 (52a) 를 형성하였다.The rotation of the substrate is suppressed. A holding part ( 52a) was formed.

Description

기판 처리 장치Substrate processing device

본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 기판에 대하여, 에칭 처리나 세정 처리를 실시하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs an etching process or a cleaning process on a substrate such as a semiconductor wafer.

반도체 장치의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리조에 침지시킴으로써, 당해 기판 반도체에 에칭 처리나 세정 처리를 실시한다. 이와 같은 처리조로서, 처리조의 저부 (底部) 의 양측에 처리액을 처리조의 바닥면 중앙을 향해서 분출시키는 분출관과, 처리조의 저부로부터 기포를 공급하는 복수의 기포 공급관을 각 분출관의 사이에 구비하는 구성이 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).BACKGROUND OF THE INVENTION In a semiconductor device manufacturing process, a substrate such as a semiconductor wafer is immersed in a treatment tank to perform an etching process or a cleaning process on the substrate semiconductor. In such a treatment tank, a blower pipe for ejecting the treatment liquid toward the center of the bottom of the treatment tank is provided on both sides of the bottom of the treatment tank, and a plurality of bubble supply pipes for supplying bubbles from the bottom of the treatment tank are interposed between the blower pipes. The structure provided is known (for example, refer patent document 1).

이와 같은 처리조에는, 또한, 저류된 처리액에 기판을 침지시키기 위한 리프터가 형성된다. 리프터는, 3 개의 유지 봉에 의해, 복수의 기판을 기립 자세로 일괄하여 유지한다. 또, 리프터는, 상하 방향 및 수평 방향으로 이동 가능하게 형성되고, 유지하는 복수의 기판을 처리조 내의 처리액 중에 침지하는 처리 위치와, 처리액으로부터 상방으로 끌어올린 수수 위치의 사이에서 승강시킴과 함께, 옆의 처리조로 이동시킬 수 있도록 되어 있다.In such a processing tank, a lifter for immersing the substrate in the stored processing liquid is further provided. The lifter collectively holds a plurality of substrates in a standing posture by means of three holding rods. In addition, the lifter is formed to be movable in the vertical and horizontal directions, and raises and lowers the plurality of substrates held between a treatment position in which a plurality of substrates are immersed in the treatment liquid in the treatment tank and a delivery position in which the treatment liquid is raised upward. Together, they can be moved to the adjacent treatment tank.

일본 특허공보 제6356727호Japanese Patent Publication No. 6356727

기판에 대하여 처리를 실시할 때에는, 유지 봉에 유지되고, 처리조에 침지 된 기판에 대하여, 처리액과 기포의 저부로부터 상방으로의 흐름이 작용한다. 이 작용을 받아, 기판이 둘레 방향으로 회전하는 경우가 있다. 그러나, 기판의 회전은, 리프터에 유지된 복수의 기판에 대하여 반드시 똑같이 발생하는 것은 아니기 때문에, 처리의 효과에 편차가 생겨 버릴 우려가 있었다.When processing is performed on a substrate, the flow of the processing liquid and bubbles from the bottom to the upper side acts on the substrate held by the holding rod and immersed in the processing tank. Under this action, the substrate may rotate in the circumferential direction. However, since the rotation of the substrate does not necessarily occur equally for a plurality of substrates held by the lifter, there is a concern that variation may occur in the processing effect.

그래서, 개시된 기술의 하나의 측면은, 기판에 발생하는 회전을 억제하는 것을 과제로 한다.Thus, one aspect of the disclosed technique is to suppress the rotation occurring in the substrate.

개시된 기술의 하나의 측면은, 다음과 같은 기판 처리 장치에 의해 예시된다. One aspect of the disclosed technology is exemplified by the following substrate processing apparatus.

본 기판 처리 장치는, This substrate processing apparatus,

기판을 처리하는 처리액을 저류하고, 그 기판을 침지시키는 조 (槽) 와,a tank for storing a processing liquid for treating a substrate and immersing the substrate;

상기 기판을 기립 자세로 유지하고, 상기 조에 대하여 상기 기판의 수수 위치와 처리 위치의 사이에서 승강 가능하게 형성된 유지 부재, a holding member formed to hold the substrate in a standing position and to be able to move up and down between a delivery position and a processing position of the substrate with respect to the jaw;

를 구비하고, to provide,

상기 유지 부재는, 상기 기판을 하방으로부터 유지하는 유지 홈을 갖고, The holding member has a holding groove for holding the substrate from below,

상기 처리 위치에 있어서 상기 유지 부재가 상기 기판을 유지한 상태에서, 상기 유지 홈보다 상방, 또한, 상기 기판의 표면의 법선을 포함하는 연직 방향의 가상의 수평 방향의 양측의 위치에 있어서 상기 기판에 맞닿고, 상기 기판의 회전을 억제하는 유지부를, 상기 조에 형성한 것을 특징으로 한다.In a state where the holding member holds the substrate at the processing position, the substrate is at a position above the holding groove and at a position on both sides of a virtual horizontal direction in a vertical direction including a normal line of the surface of the substrate. It is characterized in that a holding part for contacting and suppressing rotation of the substrate is formed in the jaw.

이와 같은 발명에 의하면, 기판이 처리액에 침지되는 처리 위치에 있어서, 기판에 대하여 조의 저부로부터 액체나 기포의 업 스트림이 공급되었을 경우에, 하방을 유지 부재의 유지 홈에 의해 유지된 기판에 발생하는 회전을, 유지 홈보다 상방에 있어서 기판에 맞닿는 유지부에 의해 억제할 수 있다.According to the present invention, when liquid or air bubbles are supplied upstream from the bottom of the tank to the substrate at a processing position where the substrate is immersed in the processing liquid, a downward flow is generated in the substrate held by the holding groove of the holding member. Rotation can be suppressed by the holding portion that abuts against the substrate above the holding groove.

또한, 본 발명은, In addition, the present invention,

상기 유지 부재에 유지되어 배열되는 복수의 상기 기판의 각각에 대응하여,상기 유지 홈 및 상기 유지부가 상기 배열 방향으로 형성되고, Corresponding to each of the plurality of substrates held and arranged by the holding member, the holding groove and the holding portion are formed in the arrangement direction;

상기 배열 방향으로 형성된 복수의 상기 유지 홈의 위상으로부터, 인접하는 그 유지 홈 사이의 피치의 2 분의 1 만큼 어긋난 위상에 대하여, 상기 배열 방향으로 형성된 복수의 유지부의 위상은, 더욱 어긋나서 설정되도록 해도 된다.The phases of the plurality of retaining grooves formed in the array direction are set to be further shifted from the phases of the plurality of retaining grooves formed in the array direction to the phases shifted by half the pitch between adjacent retaining grooves. You can do it.

또한, 본 발명에 있어서는, Also, in the present invention,

상기 유지부는, 상기 유지 부재에 유지된 상기 기판의 중심을 지나는 수평면보다 하방의 위치에 형성되어 있도록 해도 된다.The holding portion may be formed at a position below a horizontal plane passing through the center of the substrate held by the holding member.

또한, 본 발명에 있어서는, Also, in the present invention,

상기 유지 홈은, 상기 기판의 법선을 포함하는 연직면에 평행한 단면 (斷面) 에 있어서의 형상이, 쐐기 형상이도록 해도 된다.The holding groove may have a wedge shape in a cross section parallel to a vertical plane including a normal line of the substrate.

또한, 본 발명에 있어서는, Also, in the present invention,

상기 유지 홈은, 상기 기판의 법선을 포함하는 연직면에 평행한 단면에 있어서의 형상이, 그 기판의 베벨부의 상기 단면에 있어서의 형상을 모방한 형상이도록 해도 된다.The holding groove may have a shape in a cross section parallel to a vertical plane including a normal line of the substrate mimicking a shape in the cross section of a bevel portion of the substrate.

또한, 본 발명에 있어서는, Also, in the present invention,

상기 유지 부재가 상기 조 내에 하강한 위치에서, 상기 유지부와, 상기 유지 부재에 유지된 상기 기판의 표면과의 간격을 수평 방향으로 변경 가능한 반송 기구를 갖도록 해도 된다.A conveyance mechanism capable of horizontally changing a distance between the holding member and the surface of the substrate held by the holding member may be provided at a position where the holding member is lowered into the tank.

또한, 본 발명에 있어서는, Also, in the present invention,

상기 유지부는, 대략 원추 형상의 돌기 또는 홈 형상이도록 해도 된다.The holding portion may have a substantially conical protrusion or groove shape.

또한, 본 발명에 있어서는, Also, in the present invention,

상기 처리 위치에 있어서 상기 유지 부재가 상기 기판을 유지한 상태에서, 상기 유지 홈보다 상방, 또한, 상기 기판의 표면의 법선을 포함하는 연직 방향의 가상면의 수평 방향의 양측의 위치에 있어서 상기 기판에 맞닿고, 상기 기판의 회전을 억제하는 제 2 유지부를, 상기 유지부의 하측에 구비하도록 해도 된다.In the state in which the holding member holds the substrate at the processing position, the substrate is located above the holding groove and at a position on both sides of a virtual plane in the vertical direction including a normal line of the surface of the substrate in the horizontal direction. A second holding portion that abuts against and suppresses rotation of the substrate may be provided below the holding portion.

이와 같이 하면, 기판에 발생하는 회전을, 유지부와, 그 하측에 형성되는 제 2 유지부에 의해, 보다 확실하게 억제할 수 있다. In this way, rotation occurring in the substrate can be more reliably suppressed by the holding portion and the second holding portion formed below the holding portion.

유지부의 수는, 상하 방향으로 2 개 형성하는 경우에 한정되지 않고, 3 이상의 적절히 선택된 수의 유지부를 형성할 수 있다.The number of holding portions is not limited to the case of forming two in the vertical direction, and an appropriately selected number of three or more can be formed.

또한, 본 발명에 있어서는, Also, in the present invention,

상기 조에, In the above article,

상기 처리액을 분출시키는 분출관과, a discharge pipe for discharging the treatment liquid;

상기 조의 저부로부터 기포를 공급하는 기포 공급관,a bubble supply pipe for supplying bubbles from the bottom of the tank;

을 구비하도록 해도 된다.may be provided.

이와 같이, 분출관이나 기포 공급관에 의해, 조의 저부로부터 상방으로의 업 스트림이 발생하는 기판 처리 장치에 있어서도, 기판의 회전을 효과적으로 억제할 수 있다.In this way, rotation of the substrate can be effectively suppressed even in a substrate processing apparatus in which an upstream is generated from the bottom of the tank upward through the ejection pipe or the bubble supply pipe.

또, 개시된 기술의 다른 측면은, 다음과 같은 기판 처리 장치에 의해 예시된다. In addition, another aspect of the disclosed technology is exemplified by the following substrate processing apparatus.

본 기판 처리 장치는, This substrate processing apparatus,

처리액을 저류하고, 평판의 기판을 기립 자세로 침지하여 처리하는 조와,A tank for storing a treatment liquid and immersing and treating a substrate of a flat plate in a standing position;

상기 조에 대하여, 상기 기판의 수수 위치와 그 조 내의 처리 위치의 사이에서 승강 가능하게 형성되고, 상기 기판을 기립 자세의 하방으로부터 유지하여 재치 (載置) 하는 오목 형상의 복수의 유지 홈을 갖는 유지 부재와,Relative to the tank, the holder having a plurality of concave holding grooves formed so as to be able to move up and down between a receiving position of the substrate and a processing position in the tank, and holding and placing the substrate from a lower position in an upright position. absence and

상기 처리 위치에 있는 상기 유지 부재의 상기 유지 홈보다 상방 또한 상기 조의 깊이의 중심보다 하측에서, 인접하는 상기 유지 홈의 간격에 동등한 간격으로 이간한 정점을 갖고, 그 정점의 방향이 상기 유지 홈의 길이 방향에 평행한 방향으로 연장되는 첨예 형상의 본체를 갖는 맞닿음부,Above the holding groove of the holding member in the processing position and below the center of the depth of the nail, have apex spaced apart at intervals equal to the intervals of the adjacent holding grooves, and the direction of the apex is the direction of the holding groove. An abutting portion having a sharp body extending in a direction parallel to the longitudinal direction;

를 구비한다.to provide

이와 같은 발명에 의하면, 하방으로부터 기판을 유지하여 재치하는 오목 형상의 복수의 유지 홈을 갖는 유지 부재와, 유지 홈보다 상방 또한 조의 깊이의 중심보다 하측에, 인접하는 유지 홈의 간격에 동등한 간격으로 이간한 정점을 갖고, 이 정점의 방향이 상기 유지 홈의 길이 방향에 평행한 방향으로 연장되는 첨예 형상의 본체를 갖는 맞닿음부를 형성함으로써, 기판의 회전을 억제할 수 있다. 유지 홈보다 상방 또한 조의 깊이의 중심보다 하측에, 인접하는 유지 홈의 간격에 동등한 간격으로 이간하는 정점은, 각 맞닿음부의 본체에 형성된다.According to such an invention, a holding member having a plurality of concave holding grooves for holding and placing a substrate from below, and at intervals equal to the intervals between the holding grooves adjacent above the holding grooves and below the center of the depth of the nail. Rotation of the substrate can be suppressed by forming an abutting portion having a pointed main body having spaced vertices and extending in a direction parallel to the longitudinal direction of the holding groove. Tops above the holding groove and below the center of the depth of the nail are formed in the main body of each abutting portion with vertices spaced apart at intervals equal to the spacing between adjacent holding grooves.

또한, 본 발명에 있어서는, Also, in the present invention,

상기 첨예 형상이 원추 형상 또는 니들 형상이도록 해도 된다.You may make it the said pointed shape to be a conical shape or a needle shape.

또한, 본 발명에 있어서는, Also, in the present invention,

상기 맞닿음부보다 하측에, 인접하는 유지 홈의 간격에 동등한 간격으로 이간한 정점을 갖는 첨예 형상의 본체를 갖는 제 2 맞닿음부를 추가로 구비하도록 해도 된다.A second abutting portion may be further provided below the abutting portion and includes a main body having an acute shape having vertices spaced apart at intervals equal to the intervals between adjacent holding grooves.

이와 같이 하면, 기판에 발생하는 회전을, 유지부와, 그 하측에 형성되는 제 2 유지부에 의해, 보다 확실하게 억제할 수 있다. In this way, rotation occurring in the substrate can be more reliably suppressed by the holding portion and the second holding portion formed below the holding portion.

맞닿음부의 수는, 상하 방향으로 2 개 형성하는 경우에 한정되지 않고, 3 개 이상의 적절히 선택된 수의 맞닿음부를 형성할 수 있다.The number of abutting portions is not limited to the case of forming two in the vertical direction, and an appropriately selected number of abutting portions of three or more can be formed.

본 발명에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 기판에 발생하는 회전을 억제할 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to the present invention, rotation occurring in the substrate can be suppressed.

도 1 은, 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 일례를 나타내는 도면이다.
도 2 는, 기판 처리 장치의 기능 블록의 일례를 나타내는 블록도이다.
도 3 은, 내조 (內槽) 에 있어서의 기판과 유지부의 위치 관계를 나타내는 도면이다.
도 4 는, 지지구의 전체 사시도이다.
도 5 는, 내조에 있어서 유지 홈에 유지된 기판과 유지부의 위치 관계를 나타내는 도면이다.
도 6 은, 유지 홈에 유지된 기판과 유지부의 위치 관계를 나타내는 확대도이다.
도 7 은, 유지 홈에 대한 유지부의 위치를 변경하여 처리를 실시했을 경우의 회전 억제 효과를 나타내는 도면이다.
도 8 은, 실시예 2 의 기판 및 유지 홈의 단면 형상을 나타내는 도면이다.
도 9 는, 실시예 4 의 유지부의 단면 형상을 나타내는 도면이다.
도 10 은, 실시예 5 의, 내조에 있어서 유지 홈에 유지된 기판과 유지부의 위치 관계를 나타내는 도면이다.
1 is a diagram showing an example of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
2 is a block diagram showing an example of functional blocks of the substrate processing apparatus.
3 : is a figure which shows the positional relationship of a board|substrate and a holding part in an inner tank.
Fig. 4 is an overall perspective view of the support.
Fig. 5 is a diagram showing the positional relationship between a substrate held in a holding groove and a holding part in an inner tank.
6 is an enlarged view showing the positional relationship between the substrate held in the holding groove and the holding part.
Fig. 7 is a diagram showing the effect of suppressing rotation when processing is performed by changing the position of the holding part relative to the holding groove.
Fig. 8 is a diagram showing cross-sectional shapes of the substrate and holding grooves in Example 2;
Fig. 9 is a diagram showing the cross-sectional shape of the holder in Example 4;
Fig. 10 is a diagram showing the positional relationship between the substrate held in the holding groove and the holding part in the inner tank in Example 5;

<실시예 1> <Example 1>

이하, 본 발명의 실시예에 대해서 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시예는, 본원 발명의 일 양태이며, 본원 발명의 기술적 범위를 한정하는 것은 아니다. 도 1 은 실시예 1 에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 개략 구성을 나타내는 사시도이다. 이 기판 처리 장치 (1) 는, 주로 평판의 기판 (W) 에 대하여 에칭 처리나 세정 처리 (이하, 간단히 "처리" 라고도 한다) 를 실시하는 것이다. 기판 처리 장치 (1) 에 있어서는, 도 1 에 있어서 오른쪽 안쪽에, 기판 (W) 을 스톡하는 버퍼부 (2) 가 배치되고, 버퍼부 (2) 의 더욱 오른쪽 안쪽에는, 기판 처리 장치 (1) 를 조작하기 위한 정면 패널 (도시하지 않음) 이 형성되어 있다. 또, 버퍼부 (2) 에 있어서의 정면 패널과 반대측에는, 기판 반출입구 (3) 가 형성되어 있다. 또, 기판 처리 장치 (1) 의 길이 방향에 있어서의, 버퍼부 (2) 의 반대측 (도 1 에 있어서 왼쪽 앞쪽) 으로부터, 기판 (W) 에 대하여 처리를 실시하는 처리부 (5, 7 및 9) 가 병설되어 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the Example shown below is one aspect of this invention, and does not limit the technical scope of this invention. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus 1 according to Example 1. FIG. This substrate processing apparatus 1 mainly performs an etching process or a cleaning process (hereinafter, simply referred to as "process") with respect to a flat substrate W. In the substrate processing apparatus 1, in FIG. 1, a buffer unit 2 for stocking the substrate W is disposed on the right side, and further on the right side of the buffer unit 2, the substrate processing apparatus 1 A front panel (not shown) for manipulating is formed. Further, on the side opposite to the front panel in the buffer section 2, a substrate loading/unloading port 3 is formed. In addition, processing units 5, 7, and 9 that perform processing on the substrate W from the opposite side of the buffer unit 2 in the longitudinal direction of the substrate processing apparatus 1 (front left in FIG. 1). is attached.

각 처리부 (5, 7 및 9) 는, 각각 2 개의 처리조 (5a 및 5b, 7a 및 7b, 9a 및 9b) 를 가지고 있다. 또, 기판 처리 장치 (1) 에는, 복수 매의 기판 (W) 을 각 처리부 (5, 7 및 9) 에 있어서의 각 처리조 (5a 및 5b, 7a 및 7b, 또는 9a 및 9b) 의 사이에서만 도 1 중의 짧은 화살표의 방향 및 범위에서 이동시키기 위한 부반송 기구 (43) 가 구비되어 있다. 또, 이 부반송 기구 (43) 는, 복수 매의 기판 (W) 을 처리조 (5a 및 5b, 7a 및 7b, 9a 및 9b) 에 침지하고, 또는, 이들 처리조로부터 끌어올리기 위해서, 복수 매의 기판 (W) 을 상하로도 이동시킨다. 각각의 부반송 기구 (43) 에는, 복수 매의 기판 (W) 을 유지하는 승강 가능한 리프터 (11, 13 및 15) 가 형성되어 있다. 또한 기판 처리 장치 (1) 에는, 복수 매의 기판 (W) 을 각 처리부 (5, 7 및 9) 의 각각으로 반송하기 위해서, 도 1 중의 긴 화살표의 방향 및 범위에서 이동 가능한 주반송 기구 (17) 가 구비되어 있다.Each processing part 5, 7, and 9 has two processing tanks 5a and 5b, 7a and 7b, and 9a and 9b, respectively. Further, in the substrate processing apparatus 1, a plurality of substrates W are only placed between the processing tanks 5a and 5b, 7a and 7b, or 9a and 9b in the respective processing units 5, 7, and 9. A sub-transport mechanism 43 for moving in the direction and range of the short arrow in Fig. 1 is provided. In addition, this sub-transport mechanism 43 immerses the plurality of substrates W in the treatment tanks 5a and 5b, 7a and 7b, and 9a and 9b, or to lift the plurality of substrates W from these treatment tanks, The substrate W is also moved up and down. Each sub-transport mechanism 43 is provided with lifters 11, 13 and 15 capable of moving up and down to hold a plurality of substrates W. In addition, the substrate processing apparatus 1 includes a main transport mechanism 17 that is movable in the direction and range of the long arrow in FIG. ) is provided.

주반송 기구 (17) 는, 2 개의 가동식 아암 (17a) 을 가지고 있다. 이들 아암 (17a) 에는, 기판 (W) 을 재치하기 위한 복수의 유지 홈 (도시생략) 이 형성되어 있고, 도 1 에 나타내는 상태로, 각 기판 (W) 을 기립 자세로 유지한다. 기립 자세란, 기판 (W) 의 표면 (Wf) (도 3 및 도 5 참조) 에 직교하는 법선이 수평 방향을 따르는 자세이다. 또, 주반송 기구 (17) 에 있어서의 2 개의 아암 (17a) 은, 도 1 중의 오른쪽 비스듬한 하방향에서 보아, 「V」 자 형상에서 역 「V」 자 형상으로 요동함으로써, 각 기판 (W) 을 개방한다. 그리고, 이 동작에 의해, 기판 (W) 은, 주반송 기구 (17) 와 리프터 (11, 13 및 15) 의 사이에서 수수되는 것이 가능하게 되어 있다.The main transport mechanism 17 has two movable arms 17a. A plurality of holding grooves (not shown) for mounting the substrate W are formed in these arms 17a, and each substrate W is held in a standing posture in a state shown in FIG. 1 . The standing posture is a posture in which a normal line orthogonal to the surface Wf of the substrate W (see Figs. 3 and 5) follows a horizontal direction. In addition, the two arms 17a in the main transport mechanism 17 swing from a "V" shape to an inverse "V" shape when viewed from the right oblique downward direction in FIG. 1, so that each substrate W open the By this operation, the substrate W can be transferred between the main transport mechanism 17 and the lifters 11, 13 and 15.

도 2 에는, 기판 처리 장치 (1) 의 기능 블록도를 나타낸다. 상기 서술한 주반송 기구 (17), 부반송 기구 (43), 처리부 (5, 7, 9) 는, 제어부 (55) 에 의해 통괄적으로 제어되고 있다. 제어부 (55) 의 하드웨어로서의 구성은 일반적인 컴퓨터와 동일하다. 즉, 제어부 (55) 는, 각종 연산 처리를 실시하는 CPU, 기본 프로그램을 기억하는 읽어내기 전용 메모리인 ROM, 각종 정보를 기억하는 자유롭게 읽고 쓸 수 있는 메모리인 RAM 및 제어용 어플리케이션이나 데이터 등을 기억해 두는 자기 디스크 등을 구비하고 있다. 본 실시예에 있어서는, 제어부 (55) 의 CPU 가 소정의 프로그램을 실행함으로써, 기판 (W) 을 각 처리부 (5, 7, 9) 에 반송하고, 프로그램에 따른 처리를 실시하도록 각 부를 제어한다. 상기 프로그램은, 기억부 (57) 에 기억되어 있다.2, a functional block diagram of the substrate processing apparatus 1 is shown. The main transport mechanism 17, the sub transport mechanism 43, and the processing units 5, 7, and 9 described above are collectively controlled by the control unit 55. The hardware configuration of the control unit 55 is the same as that of a general computer. That is, the control unit 55 includes a CPU for performing various arithmetic processes, a read-only memory for storing basic programs, a ROM that is a read-only memory, a RAM that is a freely readable and writable memory for storing various information, and a control application or data for storing them. A magnetic disk and the like are provided. In this embodiment, when the CPU of the control unit 55 executes a predetermined program, the substrate W is conveyed to the processing units 5, 7, and 9, and the units are controlled to perform processing according to the program. The program is stored in the storage unit 57.

도 3 에 있어서, 처리부 (5, 7, 9) 에 있어서의 각 처리조 (5a, 7a, 9a) 중, 처리조 (5a) 를 예로 들어 설명한다. 이하의 설명은, 다른 처리조 (7a, 9a) 에 대해서도 적용된다. In FIG. 3 , among the treatment tanks 5a, 7a, and 9a in the treatment units 5, 7, and 9, treatment tank 5a is described as an example. The following description is also applied to the other treatment tanks 7a and 9a.

여기서, 반도체 웨이퍼의 제조 공정에 있어서는, 예를 들어 실리콘 등의 단결정 잉곳을 그 봉축 방향으로 슬라이스하고, 얻어진 것에 대하여 모따기, 랩핑, 에칭 처리, 폴리싱 등의 처리가 순차 실시된다. 그 결과, 기판 표면 상에는 상이한 재료에 의한 복수의 층, 구조, 회로가 형성된다. 그리고, 처리조 (5a) 에 있어서 실시되는 기판 (W) 의 에칭 처리는, 예를 들어, 기판 (W) 에 남은 텅스텐 등의 메탈을 제거하는 목적으로 실시되고, 기판 (W) 을 처리액으로서의 인산 수용액 등에 소정 시간 침지함으로써 실시된다.Here, in the manufacturing process of a semiconductor wafer, for example, a single crystal ingot of silicon or the like is sliced in the direction of its peak axis, and processing such as chamfering, lapping, etching, and polishing is sequentially performed on the obtained product. As a result, a plurality of layers, structures, and circuits made of different materials are formed on the surface of the substrate. Then, the etching treatment of the substrate W performed in the treatment tank 5a is performed for the purpose of, for example, removing metal such as tungsten remaining on the substrate W, and the substrate W as a treatment liquid. It is carried out by immersing in a phosphoric acid aqueous solution or the like for a predetermined time.

처리조 (5a) 는, 인산 수용액 중에 기판 (W) 을 침지시키는 내조 (501) 및 내조 (501) 의 상부로부터 오버플로한 인산 수용액을 회수하는 외조 (도시하지 않음) 에 의해 구성되는 이중조 구조를 가지고 있다. 내조 (501) 는, 인산 수용액에 대한 내식성이 우수한 석영 또는 불소 수지 재료로 형성된 평면에서 봤을 때 사각형의 박스형 형상 부재이다. 내조 (501) 에는, 전술한 바와 같이, 저류된 인산 수용액에 기판 (W) 을 침지시키기 위한 리프터 (13) 가 형성되어 있다. 리프터 (13) 는, 반송 기구측의 배판 (背板) (131) 과, 배판 (131) 의 하부에서 수평 방향으로 연장되고, 서로 평행하게 형성된 3 개의 유지 봉 (132, 133, 134) 을 갖는다. 복수의 기판 (W) 은, 유지 봉 (132, 133, 134) 에 형성된 유지 홈 (후술한다) 에 의해, 기립 자세로 상호 평행하게 일괄하여 유지된다. 리프터 (13) 는, 부반송 기구 (43) 에 의해 상하 좌우의 방향으로 이동 가능하게 형성되어 있고, 유지하는 복수 매의 기판 (W) 을 내조 (501) 내의 인산 수용액 중에 침지하는 처리 위치와 인산 수용액으로부터 끌어올린 수수 위치의 사이에서 승강시킴과 함께, 옆의 처리조 (5b) 로 이동시키는 것이 가능하게 되어 있다. 여기서는, 리프터 (13) 가 유지 부재에 대응한다.The treatment tank 5a has a double tank structure composed of an inner tank 501 in which the substrate W is immersed in an aqueous phosphoric acid solution and an outer tank (not shown) in which the aqueous phosphoric acid solution overflowing from the top of the inner tank 501 is recovered. Have. The inner tank 501 is a rectangular box-shaped member in plan view made of quartz or a fluororesin material excellent in corrosion resistance to aqueous phosphoric acid. As described above, the inner tank 501 is provided with a lifter 13 for immersing the substrate W in the stored phosphoric acid aqueous solution. The lifter 13 has a back plate 131 on the transport mechanism side, and three holding rods 132, 133, 134 extending horizontally from the bottom of the back plate 131 and formed parallel to each other. . The plurality of substrates W are collectively held parallel to each other in an upright posture by means of holding grooves (to be described later) formed in the holding rods 132, 133, and 134. The lifter 13 is formed to be movable in the up, down, left, and right directions by the sub-transport mechanism 43, and has a processing position in which a plurality of substrates W held are immersed in an aqueous phosphoric acid solution in the inner tub 501 and a phosphoric acid solution. It is possible to move it to the processing tank 5b next to it while raising it between the delivery positions raised from the aqueous solution. Here, the lifter 13 corresponds to the holding member.

내조 (501) 의 저부에 배치 형성된 배관 (20a, 20b) 으로부터, 인산 수용액이 공급된다. 이에 따라 내조 (501) 의 내부에는 저부로부터 상방으로 향하는 인산 수용액의 업 플로가 발생한다. 또, 내조 (501) 의 저부에 배치 형성된 기포 배관 (30a, 30b, 30c, 30d) 으로부터, 질소 가스의 기포가 공급된다. 이에 따라, 내조 (501) 의 내부에는 저부로부터 상방으로 향하는 질소 가스의 업 플로도 발생한다. 여기서는, 배관 (20a, 20b) 이 본 발명의 분출관에 대응하고, 기포 배관 (30a, 30b, 30c, 30d) 이 본 발명의 기포 공급관에 대응한다.An aqueous phosphoric acid solution is supplied from pipes 20a and 20b disposed at the bottom of the inner tank 501 . As a result, an upflow of the aqueous phosphoric acid solution from the bottom to the top of the inner tub 501 occurs. Also, bubbles of nitrogen gas are supplied from bubble pipes 30a, 30b, 30c, and 30d disposed at the bottom of the inner tank 501. As a result, an upflow of nitrogen gas from the bottom to the top of the inner tub 501 also occurs. Here, the pipe 20a, 20b corresponds to the blowing pipe of the present invention, and the bubble pipe 30a, 30b, 30c, 30d corresponds to the bubble supply pipe of the present invention.

도 3 은, 내조 (501) 의 반송 기구측의 측벽 (501a) 에 직교하는 방향 (도 1 의 오른쪽 아래로부터 왼쪽 위의 방향) 에서 본 도면이다. 기판 (W) 은, 도 3 의 안쪽에서 앞쪽 방향으로 유지 봉 (132, 133, 134) 에, 기립 자세로 유지되고, 배열되어 있다. 내조 (501) 의, 기판 (W) 의 표면을 따라 양측에 위치하는 측벽 (501b, 501c) 에는, 측벽 (501b, 501c) 에 직교하고, 기판 (W) 의 표면을 따른 방향으로 돌출하는 대략 원추 형상의 유지부 (52a, 53a) 가 형성되어 있다. 유지부 (52a) (유지부 (53a) 도 동일하다) 는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 정점 (52ap) 과 측면 (52as) 을 갖는 첨예 형상이다. 유지부 (52a) (유지부 (53a) 도 동일하다) 의 정점 (52ap) 의 방향은 유지 홈 (1321) 의 길이 방향에 평행한 방향 (도 3 의 지면에 평행한 방향) 으로 연장된다. 유지부 (52a, 53a) 는, 기판 (W) 의 표면 (Wf) 의 법선을 포함하는 연직 방향의 가상면 (연직면) (Vp) (도 3 에서는 중심 (Wc) 을 지나 지면에 직교하는 상하 방향의 면에 상당한다.) 에 대하여 수평 방향의 양측의 위치에 있어서, 기판 (W) 표면의 둘레가장자리부 (Wfp, Wfp) 에 맞닿는다. 유지부 (52a, 53a) 의 맞닿음 위치는, 예를 들어, 기판 (W) 의 직경을 300 ㎜ 로 했을 때, 기판 (W) 의 중심 (Wc) 을 지나는 수평면으로부터 13 ㎜ 하방의 위치로 할 수 있다. 여기서, 유지부 (52a, 53a) 는, 본 발명의 유지부에 대응함과 함께, 본 발명의 맞닿음부에 대응한다. 여기서는, 내조 (501) 의 깊이의 중심은, 기판 (W) 의 중심 (Wc) 의 위치에 일치하는 것으로서 설명하지만, 이것에 한정되지 않는다.FIG. 3 is a view when viewed from the direction orthogonal to the side wall 501a on the transport mechanism side of the inner tub 501 (from the lower right to the upper left in FIG. 1 ). The substrate W is held in an upright position by the holding rods 132, 133, and 134 in the forward direction from the inner side in FIG. 3 and is arranged. In the side walls 501b and 501c of the inner tub 501 located on both sides along the surface of the substrate W, substantially cones orthogonal to the side walls 501b and 501c and protruding in a direction along the surface of the substrate W are formed. Shape holding portions 52a and 53a are formed. As shown in FIG. 4, the holding part 52a (the holding part 53a is also the same) is a sharp shape which has the vertex 52ap and the side surface 52as. The direction of the apex 52ap of the holding portion 52a (the holding portion 53a is the same) extends in a direction parallel to the longitudinal direction of the holding groove 1321 (a direction parallel to the paper plane in FIG. 3). The holding portions 52a and 53a are provided with a virtual plane (vertical plane) Vp in the vertical direction including the normal of the surface Wf of the substrate W (in the vertical direction passing through the center Wc in FIG. 3 and perpendicular to the paper surface). Corresponds to the plane of), at positions on both sides in the horizontal direction with respect to the surface of the substrate W, it comes into contact with the peripheral edge portions Wfp, Wfp of the surface of the substrate W. The contact position of the holding portions 52a and 53a is, for example, a position 13 mm below the horizontal plane passing through the center Wc of the substrate W, when the diameter of the substrate W is 300 mm. can Here, the holding parts 52a and 53a correspond to the holding parts of the present invention and the abutting parts of the present invention. Here, the center of the depth of the inner tub 501 is described as coincident with the position of the center Wc of the substrate W, but it is not limited thereto.

유지부 (52a, 53a) 는, 측벽 (501b, 501c) 을 따라 수평 방향으로, 즉, 복수의 기판 (W) 의 배열 방향을 따라, 리프터 (13) 에 유지 가능한 기판 (W) 의 매수에 대응한 복수 개 형성되어 있다. 이들 유지부 (52a, 53a) 는, 내조 (501) 에 설치되는 지지구 (52, 53) 의 소정 위치에 형성되어 있다. 도 4 에 지지구 (52) 의 사시도를 나타낸다. 지지구 (52) 는, 측벽 (501b) 을 따라 수평 방향으로 연장되고, 유지부 (52a) 가 형성되는 판상부 (521) 와, 판상부 (521) 의 양단부로부터 상방으로 연장되고, 측벽 (501b) 의 상측 가장자리부에서 굴곡하여 측벽 (501b) 의 외방으로 늘어지는 판상의 걸어맞춤부 (522, 523) 와, 판상부 (521) 의 양단측으로부터 내조 (501) 의 내방으로 연장되는 기둥 형상의 위치 결정부 (524, 525) 를 갖는다. 유지부 (53a) 가 형성되는 지지구 (53) 에 대해서도 동일하게 구성되므로 설명은 생략한다. 지지구 (52) 의 걸어맞춤부 (522, 523) 는, 내조 (501) 의 측벽 (501b) 의 상측 가장자리와 걸어맞춰짐으로써, 내조 (501) 에 걸린다. 또, 지지구 (52) 의 위치 결정부 (524, 525) 에는, 내조 (501) 의 반송 기구측의 측벽 (501a), 스텝측의 측벽 (501d) 에 각각 세워져 형성된 위치 조정용 볼트 (5012a, 5013a) 가 삽입 통과되는 구멍 (524a, 525a) 이 형성되어 있다. 위치 결정부 (524, 525) 를 사이에 두고, 측벽 (501a, 501d) 과 반대측의, 위치 조정용 볼트 (5012a, 5013a) 의 단부 (端部) 로부터 너트 (5012b, 5013b) 를 나사 결합시킨다 (도 5 참조). 위치 조정용 볼트 (5012a, 5013a) 에 대하여 너트 (5012b, 5013b) 를 나사 결합시키는 위치를 수평 방향에서 조정함으로써, 걸어맞춤부 (522, 523) 에 의해 내조 (501) 에 걸린 지지구 (52) 및 이것에 지지된 유지부 (52a) 의 수평 방향의 위치를 조정할 수 있다. 지지구 (52, 53) 의 본체는, 석영 등의 내열성 재료로 형성하고, 유지부 (52a, 53a) 는 PFA (퍼플루오로알콕시알칸) 로 형성할 수 있지만, 지지구 (52, 53) 를 형성하는 재료는 이것에 한정되지 않는다.The holding portions 52a and 53a correspond to the number of substrates W that can be held by the lifter 13 in the horizontal direction along the side walls 501b and 501c, that is, along the direction in which the plurality of substrates W are arranged. A plurality is formed. These holding parts 52a and 53a are formed at predetermined positions of the supports 52 and 53 attached to the inner tub 501 . 4 shows a perspective view of the support 52 . The support tool 52 extends in the horizontal direction along the side wall 501b, extends upward from the plate-shaped portion 521 where the holding portion 52a is formed, and both ends of the plate-shaped portion 521, and extends upward from the side wall 501b. ), plate-shaped engaging portions 522 and 523 bent at the upper edge portion and extending outwardly of the side wall 501b and extending inwardly of the inner tub 501 from both ends of the plate-shaped portion 521 It has positioning parts 524 and 525. Since the support 53 on which the holding portion 53a is formed is configured in the same manner, description thereof is omitted. Engaging portions 522 and 523 of the support tool 52 are engaged with the upper edge of the side wall 501b of the inner tub 501, thereby engaging the inner tub 501. Further, in the positioning portions 524 and 525 of the support tool 52, there are position adjustment bolts 5012a and 5013a formed by standing on the side wall 501a on the transport mechanism side of the inner tub 501 and the side wall 501d on the step side, respectively. ) through which holes 524a and 525a are inserted. The nuts 5012b and 5013b are screwed from the ends of the positioning bolts 5012a and 5013a on the side opposite to the side walls 501a and 501d with the positioning portions 524 and 525 interposed therebetween (Fig. see 5). By horizontally adjusting the position at which the nuts 5012b and 5013b are screwed to the positioning bolts 5012a and 5013a, the support 52 caught on the inner tub 501 by the engaging portions 522 and 523 and The horizontal position of the holding part 52a supported by this can be adjusted. The main bodies of the supports 52 and 53 are made of a heat-resistant material such as quartz, and the holding portions 52a and 53a can be made of PFA (perfluoroalkoxyalkane). The material to form is not limited to this.

도 5 는, 내조 (501) 에 있어서의, 리프터 (13), 기판 (W), 지지구 (52) 및 유지부 (52a) 와의 위치 관계를 나타내는 도면이다. 도 5 에서는, 측벽 (501b) 에 직교하는 방향에서 본 도면이고, 리프터 (13) 및 유지 봉 (132) 은, 기판 (W) 의 중심을 지나는 연직면과의 단면을 파선으로 나타내고 있다. 도 5 에서는, 유지 봉 (132) 에는, 단면 쐐기 형상의 유지 홈 (1321) 이 복수 (도면 상에서는 12 개만 나타내고 있다.) 형성되어 있다 (도 5 에서는, 우단의 기판 (W) 에 관계하는 각 부에만 부호를 붙이고, 다른 기판 (W) 에 관계하는 각 부는 동일한 구성을 갖기 때문에 부호는 생략하고 있다.).FIG. 5 is a diagram showing the positional relationship between the lifter 13, the substrate W, the support 52, and the holder 52a in the inner tub 501. As shown in FIG. In FIG. 5 , a view viewed from a direction orthogonal to the side wall 501b , a cross section of the lifter 13 and the holding bar 132 with a vertical plane passing through the center of the substrate W is indicated by a broken line. In FIG. 5 , a plurality of wedge-shaped holding grooves 1321 (only 12 are shown on the drawing) are formed in the holding rod 132 (in FIG. 5 , each part related to the substrate W at the right end) is formed. Only the numerals are given, and the numerals are omitted because each part related to the other substrate W has the same configuration.).

유지 홈 (1321) 을 확대하여 나타내는 도면 6 을 참조하여, 기판 (W) 과 유지 홈 (1321) 의 위치 관계를 설명한다. 기판 (W) 표면의 단 가장자리부 (We, We) (도 6 참조) 가, 유지 홈 (1321) 의 스텝측의 사면 (1321a) (도 6 참조) 과, 유지 홈 (1321) 의 반송 기구측의 사면 (1321b) (도 6 참조) 에 각각 맞닿음으로써, 기판 (W) 의 하단부가 유지 홈 (1321) 에 걸어맞춰져, 유지되고 있다. 한편, 상기 서술한 바와 같이, 기판 (W) 의 표면의 둘레가장자리부 (Wfp) (도 3 참조) 에는, 유지부 (52a) 가 맞닿아 있다. 기판 (W) 은, 도 5 의 지면에 직교하는 방향에서 보았을 때, 유지 홈 (1321) 에 의해 하방으로부터 유지되고, 유지부 (52a) 에 의해 상방으로부터 유지된다. 유지 봉 (132) 의 유지 홈 (1321) 은, 도면 앞쪽에서 안쪽을 향해 기판 (W) 의 외주를 따라 형성되어 있으므로, 실제로는, 기판 (W) 의 단 가장자리부 (We) 는, 유지 홈 (1321) 의 사면 (1321a, 1321b)의 각각과 곡선적 영역에 의해 맞닿아 있다. 도 5 에서는 생략하고 있지만, 유지 봉 (132) 과 측벽 (501b) 의 사이에서, 유지 봉 (133) 의, 마찬가지로 단면 쐐기 형상의 유지 홈 (1331) 의 스텝측 및 반송 기구측의 사면에 의해 유지되고 있다. 또, 도 5 의 지면 앞쪽에서는, 유지 봉 (132) 과 측벽 (501c)의 사이에서, 유지 봉 (134) 의, 마찬가지로 단면 쐐기 형상의 유지 홈 (1341) 의 스텝측 및 반송 기구측의 사면에 의해 유지되고 있다. 그리고, 도 5 의 앞쪽에 있어서도, 측벽 (501c) 에 형성된 지지구 (53) 에 의해, 기판 (W) 의 표면을 따라, 기판 (W) 의 중심을 상하 방향으로 지나는 직선에 대하여 선대칭인 위치에서, 기판 (W) 의 표면의 둘레가장자리부 (Wfp) 에, 유지부 (53a) 가 맞닿아 있다.Referring to Fig. 6 showing the holding groove 1321 in an enlarged manner, the positional relationship between the substrate W and the holding groove 1321 will be described. The edge portions We, We (see FIG. 6) of the surface of the substrate W are separated from the inclined surface 1321a (see FIG. 6) on the step side of the holding groove 1321 and the conveying mechanism side of the holding groove 1321. By contacting each of the slopes 1321b (see FIG. 6 ) of the substrate W, the lower end of the substrate W engages with the holding groove 1321 and is held. On the other hand, as described above, the holding portion 52a is in contact with the peripheral portion Wfp (see FIG. 3 ) on the surface of the substrate W. The substrate W is held from below by the holding groove 1321 and held from above by the holding portion 52a when viewed from a direction orthogonal to the paper surface of FIG. 5 . Since the holding groove 1321 of the holding rod 132 is formed along the outer circumference of the substrate W from the front side of the drawing toward the inside, in reality, the edge portion We of the board W is the holding groove ( 1321) is in contact with each of the slopes 1321a and 1321b by a curved area. Although omitted in FIG. 5 , between the holding rod 132 and the side wall 501b, the holding rod 133 is held by the step side of the holding groove 1331 having a wedge shape in cross section and the slope on the conveying mechanism side. It is becoming. 5, between the holding rod 132 and the side wall 501c, on the step side of the holding groove 1341 having a wedge shape in cross section and on the slope on the conveying mechanism side of the holding rod 134 is maintained by And, also in the front side of FIG. 5, by means of the support 53 formed on the side wall 501c, along the surface of the substrate W, at a position that is line symmetric with respect to a straight line passing through the center of the substrate W in the vertical direction. , the holding portion 53a is in contact with the peripheral portion Wfp of the surface of the substrate W.

도 6 은, 리프터 (13) 의 유지 봉 (132) 의 유지 홈 (1321) 과 유지부 (52a) 의 위치의 관계를 설명하는 도면이다. 도 6 은, 기판 (W) 의 중심을 지나는 연직면에 평행한 단면에 있어서의 단면도이다. 유지 봉 (132) 의 연장 방향, 즉, 기판 (W) 의 배열 방향에 있어서, 유지 홈 (1321) 의 중심 (1321c) 과 인접하는 유지 홈 (1321) 의 중심 (1321c) 의 간격 (유지 홈 (1321) 의 피치) 을 L1 로 했을 때, 유지 홈 (1321) 의 중심 (1321c) 으로부터 L1/2 의 거리에 있는 위치를 기준 위치 (132S) 로 한다. 바꾸어 말하면, 기준 위치 (132S) 는, 인접하는 유지 홈 (1321) 의 중심 (1321c) 끼리의 중앙 위치이다. 본 실시예에서는, 기판 (W) 이 반송 기구측 (도면에서는 좌측) 으로 경사지는 것으로서, 유지부 (52a) 를 기준 위치 (132S) 의 연직 상방의 위치로부터, 수평 방향으로 기판 (W) 이 경사지는 측으로 소정 거리 (L2) (L2 > 0) 를 둔 위치, 즉 L2 만큼 어긋난 위치에 유지부 (52a) 를 형성하고 있다. 본 실시예에서는, L1 은 5 ㎜ 로 설정하고 있다. 도 3 에 나타내는 바와 같이 유지 봉 (132) 에 유지된 직경 300 ㎜ 의 기판 (W) 의 중심 (Wc) 에 대하여, 유지부 (52a) 가 연직 방향으로 L0 (여기서는 13 ㎜ 로 설정하고 있지만, 기판 (W) 의 크기로 적절히 설정할 수 있다.) 하방에 위치하도록, 지지구 (52) 가 내조 (501) 의 측벽 (501b) 에 대하여 위치 결정된다. 도 6 에 나타내는 바와 같이, 피치 (L1) 와 기판 (W) 의 배열 방향으로 형성된 복수의 유지 홈 (1321) 의 각각에 대응하는 유지부 (52a) 도, 기판 (W) 의 배열 방향으로 피치 (L1) 로 형성되어 있다. 즉, 인접하는 유지 홈 (1321) 의 간격인, 유지 홈 (1321) 의 중심 (1321c) 과, 인접하는 유지 홈 (1321) 의 중심 (1321c) 의 간격에 동등한 간격으로 이간하여 유지부 (52a) (정점 (52ap)) 가 배치되어 있다. 이 때, 도 6 에서 분명한 바와 같이, 복수의 유지 홈 (1321) 의 위상과, 대응하는 복수의 유지부 (52a) 의 위상은 어긋나 있다. 즉, 등간격으로 배치된 복수의 유지 홈 (1321) 의 중심 (1321c) 상호의 위치 관계와, 대응하여 등간격으로 배치된 복수의 유지부 (52a) 의 상호의 위치 관계는 어긋나 있다. 복수의 유지부 (52a) 는, 유지 홈 (1321) 에 대하여 피치 (L1) 의 2 분의 1 만큼 위상이 어긋난 기준 위치 (132S) 에 대하여, 좌측으로 거리 (L2) 에 대응하는 분만큼 더욱 위상이 어긋나 있다. 도 6 에서는, 복수의 유지부 (52a) 가, 유지 홈 (1321) 에 대하여 피치 (L1) 의 2 분의 1 만큼 위상이 어긋난 기준 위치 (132S) 에 대하여, 좌측으로 위상이 어긋나 있지만, 우측으로 어긋나도록 구성해도 된다.FIG. 6 is a diagram explaining the relationship between the holding groove 1321 of the holding rod 132 of the lifter 13 and the position of the holding portion 52a. 6 is a sectional view in a cross section parallel to a vertical plane passing through the center of the substrate W. The distance between the center 1321c of the holding groove 1321 and the center 1321c of the adjacent holding groove 1321 (the holding groove ( 1321) is L1, a position at a distance of L1/2 from the center 1321c of the holding groove 1321 is taken as the reference position 132S. In other words, the reference position 132S is the center position between the centers 1321c of adjacent holding grooves 1321 . In the present embodiment, the substrate W is inclined toward the transport mechanism side (left side in the drawing), and the substrate W is tilted horizontally from a position vertically above the reference position 132S with the holder 52a. The holding portion 52a is formed at a position at a predetermined distance L2 (L2 > 0) to the side, that is, at a position shifted by L2. In this embodiment, L1 is set to 5 mm. As shown in FIG. 3 , with respect to the center Wc of the substrate W with a diameter of 300 mm held by the holding rod 132, the holding portion 52a is vertically L0 (here set to 13 mm, but the substrate (W) can be appropriately set.) The support 52 is positioned relative to the side wall 501b of the inner tub 501 so as to be positioned downward. As shown in FIG. 6 , the holding portions 52a corresponding to each of the plurality of holding grooves 1321 formed in the pitch L1 and the arrangement direction of the substrate W also have a pitch ( L1) is formed. That is, the holding part 52a is spaced apart at an interval equal to the distance between the center 1321c of the holding groove 1321, which is the distance between the adjacent holding grooves 1321, and the center 1321c of the adjacent holding groove 1321. (vertex 52ap) is arranged. At this time, as is clear from Fig. 6, the phases of the plurality of holding grooves 1321 and the phases of the corresponding plurality of holding portions 52a are shifted. That is, the positional relationship between the centers 1321c of the plurality of holding grooves 1321 arranged at equal intervals and the positional relationship of the plurality of holding portions 52a arranged at equal intervals correspondingly deviate from each other. The plurality of holding portions 52a are further out of phase with respect to the holding groove 1321 by an amount corresponding to the distance L2 to the left with respect to the reference position 132S out of phase by half the pitch L1. this is out of sync In FIG. 6 , the plurality of holding portions 52a are out of phase with respect to the holding groove 1321 to the left by one-half of the pitch L1, but out of phase with respect to the reference position 132S, to the right. It may be configured so as to be out of sync.

내조 (501) 의 측벽 (501b) 에 직교하는 방향에서 보았을 때에, 유지 봉 (132) 의 유지 홈 (1321) 의 중심 (1321c) 간의 중심인 기준 위치 (132S) 의 연직 방향 상방의 위치를 기준으로 하여 거리 (L2) 를 변화시켜 유지부 (52a) 를 배치했을 경우에, 기판 (W) 의 회전 각도를 계측한 바 도 7 에 나타내는 결과를 얻었다. 이 때, 처리 온도는 160.3 ℃, 처리 시간은 120 분, 처리 플로로는, 인산 처리-세정-건조를 실시하고, 질소 가스에 의한 버블링에 대해서는 1 분당 13 리터로 하고, 기포 배관 4 개 중 앞쪽의 1 개를 닫고, 3 개로부터 토출시키는 조건으로 하였다. 유지부의 위치에 대해서는, 기준 위치 (132S) 의 연직 상방으로부터 어긋남 없음, 기준 위치 (132S) 의 연직 상방으로부터, 0.5 ㎜, 0.8 ㎜, 1.0 ㎜ 어긋난 경우에 대해 계측하였다. 유지부 (52a) 를 기준 위치 (132S) 의 연직 상방에 배치했을 경우의 기판 (W) 의 회전 각도는 -19 도 내지 -39 도의 범위에 분포하였다. 이에 대하여, 유지부 (52a) 를 기준 위치 (132S) 의 연직 상방으로부터 0.5 ㎜, 0.8 ㎜, 1.0 ㎜ 어긋나게 배치한 경우에는, 기판 (W) 의 회전 각도는 각각, -5 도 내지 -10 도, -2 도 내지 -8 도, -6 도 내지 -10 도의 범위에 분포하였다. 이와 같이, 유지 홈 (1321) 의 중심 (1321c) 간의 중심인 기준 위치 (132S) 의 연직 방향 상방의 위치로부터 유지부 (52a) 를 어긋나게 배치함으로써, 기판 (W) 의 회전을 억제할 수 있는 것을 알 수 있었다. 리프터 (13) 를 하강시켜, 처리 위치에까지 하강시킨 상태에서, 유지부와 유지 홈으로 기판 (W) 의 회전을 억제할 수 있다.When viewed from a direction orthogonal to the side wall 501b of the inner tub 501, based on a position vertically upward of the reference position 132S, which is the center between the centers 1321c of the holding grooves 1321 of the holding bar 132 When the holding part 52a was arranged by changing the distance L2, the rotation angle of the substrate W was measured, and the result shown in FIG. 7 was obtained. At this time, the treatment temperature was 160.3 ° C., the treatment time was 120 minutes, the treatment flow was phosphoric acid treatment-washing-drying, and the bubbling with nitrogen gas was set at 13 liters per minute, among the four bubble pipes. It was set as the condition that one of the front side was closed and discharged from three. About the position of the holding part, it measured about the case where there was no shift|deviation from the vertical direction above the reference position 132S, and the case where it shifted vertically above the reference position 132S by 0.5 mm, 0.8 mm, and 1.0 mm. The rotation angle of the substrate W when the holder 52a was placed vertically above the reference position 132S was distributed in the range of -19 degrees to -39 degrees. In contrast, when the holding portion 52a is displaced by 0.5 mm, 0.8 mm, or 1.0 mm vertically above the reference position 132S, the rotation angles of the substrate W are -5 degrees to -10 degrees, respectively; It was distributed in the range of -2 degrees to -8 degrees and -6 degrees to -10 degrees. In this way, the rotation of the substrate W can be suppressed by displacing the holding portion 52a from a position above the reference position 132S, which is the center between the centers 1321c of the holding groove 1321, in the vertical direction. Could know. When the lifter 13 is lowered to the processing position, rotation of the substrate W can be suppressed by the holding portion and the holding groove.

<실시예 2> <Example 2>

이하, 본 발명의 실시예 2 에 대해서 설명한다. 실시예 1 과 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 상세한 설명을 생략한다. Hereinafter, Example 2 of the present invention will be described. The same reference numerals are used for components identical to those in Example 1, and detailed descriptions are omitted.

실시예 1 에서는, 도 5 및 도 6 에 나타내는 바와 같이, 유지 봉 (132) (유지 봉 (133, 134) 도 동일) 의 유지 홈 (1321) 의 형상은, 단면 쐐기 형상이었지만, 실시예 2 에서는, 유지 홈 (1322) 의 단면 형상이 상이하다. In Example 1, as shown in FIGS. 5 and 6 , the shape of the holding groove 1321 of the holding rod 132 (the holding rods 133 and 134 are the same) was wedge-shaped in cross section, but in Example 2 , the cross-sectional shape of the retaining groove 1322 is different.

도 8(a) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 의 둘레가장자리부 (베벨부) (Wp) 는, 둘레단면 (V) 이 외경측으로 볼록해지는 곡면 형상으로 되어 있는 경우도 있다. 이와 같은 경우에는, 도 8(b) 에 나타내는 바와 같이, 유지 봉 (132) 의 유지 홈 (1322) 의 단면 형상을, 기판 (W) 의 둘레가장자리부 (Wp) 의 단면 형상을 모방하여, 홈 저부 (1322a) 를 곡선 형상으로 하고, 개구를 향해서, 평행한 직선 형상으로 함으로써, 기판 (W) 과 유지 홈 (1322) 의 접촉 면적이 증가하여, 기판 (W) 을 보다 안정적으로 유지할 수 있다. 또, 도 8(b) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 의 처리면의 방향에 따라 경사지게 유지할 수 있도록, 유지 홈 (1322) 을 기판 (W) 의 배열 방향으로 경사시켜 형성해도 되고, 경사시키지 않고 유지 홈 (1322) 을 연직 방향으로 형성해도 된다. As shown in Fig. 8(a), the circumferential edge portion (bevel portion) Wp of the substrate W may have a curved surface shape in which the circumferential end surface V is convex to the outer diameter side. In such a case, as shown in FIG. 8(b), the cross-sectional shape of the holding groove 1322 of the holding rod 132 is copied from the cross-sectional shape of the peripheral portion Wp of the substrate W, and the groove By making the bottom portion 1322a curved and straight toward the opening, the contact area between the substrate W and the holding groove 1322 increases, and the substrate W can be held more stably. Further, as shown in Fig. 8(b), the holding groove 1322 may be formed inclined in the arrangement direction of the substrate W so as to be inclined along the direction of the processing surface of the substrate W, or not inclined. You may form the holding groove 1322 in the vertical direction without it.

또, 실시예 1 에서는, 유지부 (52a, 53a) 는, 기판 (W) 표면의 둘레가장자리부 (Wfp) 에 맞닿는 구성으로 하고 있지만, 유지부 (52a, 53a) 가 기판 (W) 의 곡면 형상을 이루는 둘레단면 (V) 에 맞닿도록 할 수도 있다. 이와 같이 하면, 유지부 (52a, 53a) 가 기판 (W) 의 표면에 접촉하는 일 없이, 기판 (W) 을 유지할 수 있다.Further, in Example 1, the holding portions 52a and 53a are configured to come into contact with the peripheral portion Wfp of the surface of the substrate W, but the holding portions 52a and 53a have a curved surface shape of the substrate W It may be made to come into contact with the circumferential section (V) forming the. In this way, the substrate W can be held without the holding portions 52a and 53a contacting the surface of the substrate W.

<실시예 3> <Example 3>

이하, 본 발명의 실시예 3 에 대해서 설명한다. 실시예 1 및 2 와 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 설명을 생략한다. Hereinafter, Example 3 of the present invention will be described. The same reference numerals are used for components identical to those of Embodiments 1 and 2, and descriptions thereof are omitted.

실시예 3 에서는, 리프터 (11, 13, 15) 가 상하 좌우 뿐만 아니라, 주반송 기구 방향 및 스텝 방향, 즉, 리프터 (13) 의 배판 (131) 측을 후방, 배판 (131) 에 대하여 유지 봉 (132, 133, 134) 이 연장되는 방향을 전방으로 했을 때, 전후로도 이동할 수 있도록 구성되어 있다. In Example 3, the lifters 11, 13, and 15 move not only up and down, left and right, but also in the direction of the main transport mechanism and in the step direction, that is, the rear plate 131 side of the lifter 13 is rearward and the holding rod is moved relative to the back plate 131. When the direction in which (132, 133, 134) extends is made forward, it is comprised so that it can also move back and forth.

리프터 (13) 를 전후로 이동시킴으로써, 리프터 (13) 를 하강시켜, 기판 (W) 을 처리액에 침지할 때의 처리조 (5, 7, 9)에 대한 리프터 (13) 의 상대 위치로부터, 리프터 (13) 를 처리 위치에까지 하강시킨 상태에서, 전후 방향으로 이동시킬 수 있다. 설정된 유지부 (52a, 53a) 와 간섭하지 않는 위치에서, 리프터 (13) 를 하강시키고, 기판 (W) 에 대하여, 유지부 (52a, 53a) 가 최적인 위치가 되도록 리프터 (13) 를 전후 방향으로 이동시킬 수 있다. 즉, 유지부 (52a, 53a) 와 기판 (W) 의 간격을 수평 방향 변경 가능하게 하도록 반송 기구를 구성하고 있다. 그리고, 리프터 (13) 를 상승시킬 때에는, 재차, 기판 (W) 이 유지부 (52a, 53a) 에 간섭하지 않는 위치까지 전후 방향으로 이동시킨 후에, 리프터 (13) 를 상승시킬 수 있다. 실시예 1 및 실시예 2 에서는, 유지부 (52a, 53a) 내조 (501) 에 위치 조정 가능하게 설치되어 있었지만, 유지부 (52a, 53a) 의 내조 (501) 에 대한 전후 방향의 상대 위치를 고정시킨 상태로 설치하고, 리프터 (13) 를 전후 방향으로 이동시킴으로써, 기판 (W) 과 유지부 (52a, 53a) 의 상대 위치를 적절한 위치로 조정하도록 해도 된다. 또한, 실시예 1 및 실시예 2 와 마찬가지로, 유지부 (52a, 53a) 를 지지구 (52, 53) 에 의해 내조 (501) 에 설치해 두고, 리프터 (13) 의 전후 이동에 의해, 기판 (W) 과 유지부 (52a, 53a) 의 상대 위치를 미세 조정할 수도 있다.By moving the lifter 13 back and forth, the lifter 13 is lowered, and from the relative position of the lifter 13 with respect to the treatment tanks 5, 7, and 9 when the substrate W is immersed in the treatment liquid, (13) can be moved in the forward and backward directions in a state where it is lowered to the treatment position. The lifter 13 is lowered at a position where it does not interfere with the set holders 52a and 53a, and the lifter 13 is moved forward and backward so that the holders 52a and 53a are at an optimal position with respect to the substrate W. can be moved to That is, the conveying mechanism is configured such that the horizontal direction of the interval between the holding portions 52a and 53a and the substrate W can be changed. Then, when the lifter 13 is raised, the lifter 13 can be raised again after the substrate W is moved in the front-back direction to a position where it does not interfere with the holding portions 52a and 53a. In Examples 1 and 2, the holding portions 52a and 53a are attached to the inner tub 501 so that their positions can be adjusted, but the relative positions of the holding portions 52a and 53a with respect to the inner tub 501 in the front-back direction are fixed. It may be installed in such a way that the relative position of the substrate W and the holders 52a and 53a is adjusted to an appropriate position by moving the lifter 13 in the forward and backward directions. Further, as in Examples 1 and 2, the holding portions 52a and 53a are attached to the inner tub 501 by the supports 52 and 53, and by the forward and backward movement of the lifter 13, the substrate (W ) and the relative positions of the holding portions 52a and 53a may be finely adjusted.

<실시예 4> <Example 4>

이하, 본 발명의 실시예 4 에 대해서 설명한다. 실시예 1 과 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 상세한 설명을 생략한다. 도 9(a) 는, 실시예 4 의 유지부 (52a, 53a) 의 형상 및 기판 (W) 과의 관계를, 유지부 (52a, 53a) 의 중심축을 지나는 단면으로 나타낸 도면이다. 도 9(b) 는 실시예 4 의 변형예에 관련된 유지부 (52a, 53a) 의 형상 및 기판 (W) 과의 관계를, 유지부 (52a, 53a) 의 중심축을 지나는 단면으로 나타낸 도면이다. Hereinafter, Example 4 of the present invention will be described. The same reference numerals are used for components identical to those in Example 1, and detailed descriptions are omitted. Fig. 9(a) is a diagram showing the shape of the holding parts 52a, 53a and the relationship with the substrate W in Example 4 in a cross section passing through the central axis of the holding parts 52a, 53a. Fig. 9(b) is a cross-section showing the shape of the holders 52a and 53a and their relationship with the substrate W according to the modified example of Example 4, in a cross-section through the central axis of the holders 52a and 53a.

실시예 1 에서는, 유지부 (52a, 53a) 를 대략 원추 형상의 돌기로서 형성하고 있지만, 실시예 4 에서는, 유지부 (52a, 53a) 의 형상이 상이하다. 여기서는, 유지부 (52a) 는, 정점 (52a1p) 을 갖는 대략 원추 형상부와 원기둥 형상부로 이루어지는 니들 형상의 본체 (52a1) 와, 정점 (52a2p) 을 갖는 대략 원추 형상부와 원기둥 형상부로 이루어지는 니들 형상의 본체 (52a2) 를 포함한다. 유지부 (53a) 는, 정점 (53a1p) 을 갖는 대략 원추 형상부와 원기둥 형상부로 이루어지는 니들 형상의 본체 (53a1) 와, 정점 (53a2p) 을 갖는 대략 원추 형상부와 원기둥 형상부로 이루어지는 니들 형상의 본체 (53a2) 를 포함한다. 이 때, 정점 (52a1p), 정점 (52a2p), 정점 (53a1p), 정점 (53a2p) 의 방향은 모두 유지 홈 (1321) 의 길이 방향에 평행한 방향으로 연장되어 있다. In Example 1, the holding portions 52a and 53a are formed as substantially conical projections, but in Example 4, the shapes of the holding portions 52a and 53a are different. Here, the holding portion 52a includes a needle-shaped main body 52a1 composed of a substantially conical portion having an apex 52a1p and a cylindrical portion, and a needle-shaped body composed of a substantially conical portion having an apex 52a2p and a cylindrical portion. It includes a body (52a2) of. The holding portion 53a includes a needle-shaped main body 53a1 composed of a substantially conical portion having an apex 53a1p and a cylindrical portion, and a needle-shaped main body composed of a substantially conical portion having an apex 53a2p and a cylindrical portion. Includes (53a2). At this time, the directions of the apex 52a1p, the apex 52a2p, the apex 53a1p, and the apex 53a2p all extend in a direction parallel to the longitudinal direction of the retaining groove 1321 .

도 9(a) 에 나타내는 바와 같이, 유지부 (52a, 53a) 의 단면 형상을, 기판 (W) 의 두께 방향으로 사이에 끼우는 쐐기 형상으로 함으로써, 기판 (W) 의 둘레가장자리부와의 접촉 면적이 증가하여, 기판 (W) 을 보다 안정적으로 유지할 수 있다. 유지부 (52a) 의 본체 (52a1) 는, 정점 (52a1p) 및 측면 (52a1s) 을 갖는 첨예 형상이다. 또, 유지부 (52a) 의 본체 (52a2) 도, 정점 (52a2p) 및 측면 (52a2s) 을 갖는 첨예 형상이다. 유지부 (53a) 의 본체 (53a1) 는, 정점 (53a1p) 및 측면 (53a1s) 을 갖는 첨예 형상이다. 또, 유지부 (53a) 의 본체 (53a2) 도, 정점 (53a2p) 및 측면 (53a2s) 을 갖는 첨예 형상이다.As shown in Fig. 9(a), by making the cross-sectional shape of the holding portions 52a and 53a wedge-shaped sandwiched in the thickness direction of the substrate W, the contact area with the peripheral edge of the substrate W This increases, and the substrate W can be held more stably. The main body 52a1 of the holding portion 52a has a pointed shape having an apex 52a1p and a side surface 52a1s. Moreover, the main body 52a2 of the holding part 52a also has a pointed shape having an apex 52a2p and a side surface 52a2s. The main body 53a1 of the holding portion 53a has a pointed shape having an apex 53a1p and a side surface 53a1s. Moreover, the main body 53a2 of the holding part 53a also has a pointed shape having an apex 53a2p and a side surface 53a2s.

또, 도 9(b) 에 나타내는 바와 같이, 유지부 (52a, 53a) 의 단면 형상을, 기판 (W) 의 두께 방향의 양면측으로부터 끼워 넣는 형상이어도 된다. 기판 (W) 의 둘레가장자리부를 기판 (W) 의 두께 방향의 양면으로부터 사이에 끼움으로써, 기판 (W) 의 둘레가장자리부가 외경측으로 볼록해지는 곡선 형상인 경우나, 도 9(a) 의 쐐기 형상에 적합하지 않는 경우이더라도, 기판 (W) 의 둘레가장자리부를 양면으로부터 끼워 넣음으로써, 기판 (W) 을 더욱 안정적으로 유지할 수 있다. 여기서, 유지부 (52a) 는, 52a1 및 52a2 에 의해 오목 형상의 홈 형상으로 구성되어 있다. 유지부 (53a) 도, 53a1 및 53a2 에 의해서는 오목 형상의 홈 형상으로 구성되어 있다. 유지부 (52a) 의 본체 (52a1) 는, 정점 (52a1p) 및 측면 (52a1s) 을 갖는 첨예 형상이다. 또, 유지부 (52a) 의 본체 (52a2) 도, 정점 (52a2p) 및 측면 (52a2s) 을 갖는 첨예 형상이다. 유지부 (53a) 의 본체 (53a1) 는, 정점 (53a1p) 및 측면 (53a1s) 을 갖는 첨예 형상이다. 또, 유지부 (53a) 의 본체 (53a2) 도, 정점 (53a2p) 및 측면 (53a2s) 을 갖는 첨예 형상이다.Moreover, as shown in FIG.9(b), the cross-sectional shape of holding part 52a, 53a may be a shape in which the both sides of the thickness direction of the board|substrate W are inserted. By sandwiching the circumferential edge of the substrate W from both sides in the thickness direction of the substrate W, the circumferential edge of the substrate W has a curved shape convex to the outer diameter side, or a wedge shape in FIG. 9(a) Even if it is not suitable, the substrate W can be held more stably by sandwiching the periphery of the substrate W from both sides. Here, the holding part 52a is configured in a concave groove shape by 52a1 and 52a2. The holding portion 53a is also configured in a concave groove shape by 53a1 and 53a2. The main body 52a1 of the holding portion 52a has a pointed shape having an apex 52a1p and a side surface 52a1s. Moreover, the main body 52a2 of the holding part 52a also has a pointed shape having an apex 52a2p and a side surface 52a2s. The main body 53a1 of the holding portion 53a has a pointed shape having an apex 53a1p and a side surface 53a1s. Moreover, the main body 53a2 of the holding part 53a also has a pointed shape having an apex 53a2p and a side surface 53a2s.

<실시예 5> <Example 5>

이하, 본 발명의 실시예 5 에 대해서 설명한다. 실시예 1 과 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 상세한 설명을 생략한다. 도 10(a) 는, 도 5 와 마찬가지로, 내조 (501) 에 있어서의 리프터 (13), 기판 (W), 지지구 (52) 및 유지부 (52a, 52b) 와의 위치 관계를 나타내는 도면이다. 도 10(b) 는, 도 10(a) 중, 기판 (W) 의 일부와 유지부 (52a, 52b) 의 위치 관계를 확대하여 나타내는 도면이다. Hereinafter, Example 5 of the present invention will be described. The same reference numerals are used for components identical to those in Example 1, and detailed descriptions are omitted. FIG. 10(a) is a diagram showing the positional relationship of the lifter 13, the substrate W, the support tool 52, and the holders 52a and 52b in the inner tub 501, as in FIG. 5 . Fig. 10(b) is an enlarged view showing the positional relationship between a part of the substrate W and the holding portions 52a and 52b in Fig. 10(a).

실시예 1 에서는, 도 4 및 도 5 에 나타내는 바와 같이, 지지구 (52, 53) 에, 유지부 (52a, 53a) 를, 기판 (W) 의 표면 (Wf) 의 법선을 포함하는 연직 방향의 가상면 (Vp) 에 대하여 수평 방향의 양측에 기판 (W) 마다 각 1 개 형성하고 있지만, 실시예 5 에서는, 지지구 (52, 53) 에, 유지부 (52a, 53a) 와 그 하측에 유지부 (52b, 53b) 를 기판 (W) 마다 각 1 개씩 형성하고 있다. 유지부 (52b) 의 정점은, 52a 의 정점과 유지 홈 (1321) 의 단부를 묶는 대략 직선 상에 배치된다 (유지부 53b 의 정점과, 53a 의 정점 및 유지 홈 (1321) 의 단부의 위치 관계도 동일하다.). 유지부 (52b, 53b) 는, 대응하는 유지부 (52a, 53a) 에 대하여 지지구 (52) 의 위치 결정부 (524) 측으로 어긋난 위치에 형성되고, 유지부 (52a, 53a) 와, 대응하는 기판 (W) 을 유지하는 유지 홈과의 사이에 위치한다. 여기서는, 유지부 (52b, 53b) 가 본 발명의 제 2 유지부 및 제 2 맞닿음부에 대응한다.In Example 1, as shown in FIGS. 4 and 5 , holding portions 52a and 53a are attached to the supports 52 and 53 in the vertical direction including the normal line of the surface Wf of the substrate W. One each is formed for each substrate W on both sides of the virtual plane Vp in the horizontal direction, but in Example 5, the supports 52 and 53 hold the holding portions 52a and 53a and the lower side thereof. Each of the portions 52b and 53b is formed for each substrate W. The apex of the holding portion 52b is arranged on a substantially straight line tying the apex of the holding portion 52a and the end of the holding groove 1321 (positional relationship between the apex of the holding portion 53b, the apex of the holding portion 53a, and the end of the holding groove 1321 is also the same). The holding portions 52b and 53b are formed at positions shifted toward the positioning portion 524 side of the support tool 52 with respect to the corresponding holding portions 52a and 53a, and hold portions 52a and 53a and the corresponding holding portions 52a and 53a. It is located between the holding groove which holds the board|substrate W. Here, the holding portions 52b and 53b correspond to the second holding portion and the second abutting portion of the present invention.

유지부는, 상기 서술한 연직 방향으로 L0 과 유지 홈 (1321) 의 중심 (1321c) 의 사이에 복수 개 있어도 되고, 그 개수, 위치는, 처리액과 기포의 저부로부터 상방으로의 흐름의 강도나 리프터의 승강에 의한 기판의 승강 속도 등에 맞추어 기판에 발생하는 회전을 억제하도록 조정할 수 있다.There may be a plurality of holding units between L0 and the center 1321c of the holding groove 1321 in the above-described vertical direction, and the number and position thereof depend on the strength of the flow of the treatment liquid and bubbles upward from the bottom and the lifter It can be adjusted to suppress the rotation occurring in the substrate according to the elevation speed of the substrate due to the elevation of the substrate.

<변형예> <Example of modification>

상기 서술한 실시예에 있어서는, 유지부 (52a, 53a) 를 대략 원추 형상의 돌기, 니들 형상의 돌기 또는 홈 형상으로서 형성하고 있지만, 유지부 (52a, 53a) 의 형상은 이것에 한정되지 않는다. In the embodiment described above, the holding portions 52a and 53a are formed in substantially conical protrusions, needle-shaped protrusions, or grooves, but the shape of the holding portions 52a and 53a is not limited to this.

또, 상기 서술한 실시예에서는, 처리액으로서 인산 수용액을 사용하는 경우에 대해서 설명했지만, 처리액은 이것에 한정되지 않고, 혼산 (인산, 질산, 아세트산, 순수) 수용액 등의 다른 처리액을 사용하는 경우에 대해서도 동일하게 적용할 수 있다. Further, in the above-described embodiment, the case where an aqueous phosphoric acid solution was used as the treatment liquid was described, but the treatment liquid is not limited to this, and other treatment liquids such as mixed acid (phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, pure water) aqueous solution are used. The same can be applied to the case of

이상으로 개시한 실시형태나 변형예는 각각 조합할 수 있다.The embodiments and modified examples disclosed above can be combined respectively.

1 : 기판 처리 장치
13 : 리프터
1321, 1322, 1331, 1341 : 유지 홈
43 : 부반송 기구
52a, 52b, 53a, 53b : 유지부
501 : 내조
W : 기판
Wp : 베벨부
1: substrate processing device
13 : Lifter
1321, 1322, 1331, 1341: retaining groove
43: sub-transport mechanism
52a, 52b, 53a, 53b: holding part
501: domestic help
W: Substrate
Wp: bevel part

Claims (23)

기판을 처리하는 처리액을 저류하고, 그 기판을 침지시키는 조 (槽) 와,
상기 기판을 기립 자세로 유지하고, 상기 조에 대하여 상기 기판의 수수 위치와 처리 위치의 사이에서 승강 가능하게 형성된 유지 부재를 구비하고,
상기 유지 부재는, 상기 기판을 하방으로부터 유지하는 유지 홈을 갖고,
상기 처리 위치에 있어서 상기 유지 부재가 상기 기판을 유지한 상태에서, 상기 유지 홈보다 상방, 또한, 상기 기판의 표면의 법선을 포함하는 연직 방향의 가상면의 수평 방향의 양측의 위치에 있어서 상기 기판에 맞닿고, 상기 기판의 회전을 억제하는 유지부를, 상기 조에 형성한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
a tank for storing a processing liquid for treating a substrate and immersing the substrate;
a holding member formed to hold the substrate in a standing position and to be able to move up and down between a delivery position and a processing position of the substrate with respect to the tank;
The holding member has a holding groove for holding the substrate from below,
In the state in which the holding member holds the substrate at the processing position, the substrate is located above the holding groove and at a position on both sides of a virtual plane in the vertical direction including a normal line of the surface of the substrate in the horizontal direction. A substrate processing apparatus characterized in that a holding portion for contacting with and suppressing rotation of the substrate is formed in the tank.
제 1 항에 있어서,
상기 유지 부재에 유지되어 배열되는 복수의 상기 기판의 각각에 대응하여,상기 유지 홈 및 상기 유지부가 상기 기판의 배열 방향으로 형성되고,
상기 배열 방향으로 형성된 복수의 상기 유지 홈의 위상으로부터, 인접하는 그 유지 홈 사이의 피치의 2 분의 1 만큼 어긋난 위상에 대하여, 상기 배열 방향으로 형성된 복수의 유지부의 위상은, 더욱 어긋나서 설정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 1,
Corresponding to each of the plurality of substrates held and arranged by the holding member, the holding groove and the holding portion are formed in the arrangement direction of the substrate,
With respect to a phase shifted from the phase of the plurality of holding grooves formed in the arrangement direction by half the pitch between adjacent holding grooves, the phases of the plurality of holding portions formed in the arrangement direction are set to be further shifted. A substrate processing apparatus characterized in that.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 유지부는, 상기 유지 부재에 유지된 상기 기판의 중심을 지나는 수평면보다 하방의 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 1 or 2,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the holding portion is formed at a position below a horizontal plane passing through the center of the substrate held by the holding member.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 유지 홈은, 상기 기판의 표면의 법선을 포함하는 연직면에 평행한 단면 (斷面) 에 있어서의 형상이, 쐐기 형상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 1 or 2,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the holding groove has a wedge shape in a cross section parallel to a vertical plane including a normal to the surface of the substrate.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 유지 홈은, 상기 기판의 표면의 법선을 포함하는 연직면에 평행한 단면에 있어서의 형상이, 그 기판의 베벨부의 상기 단면에 있어서의 형상을 모방한 형상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 1 or 2,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the holding groove has a shape in a cross section parallel to a vertical plane including a normal line of the surface of the substrate mimicking a shape in the cross section of a bevel portion of the substrate.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 유지 부재가 상기 조 내에 하강한 위치에서, 상기 유지부와, 상기 유지 부재에 유지된 상기 기판의 표면과의 간격을 수평 방향으로 변경 가능한 반송 기구를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 1 or 2,
A substrate processing apparatus comprising: a transport mechanism capable of horizontally changing a distance between the holding member and a surface of the substrate held by the holding member at a position where the holding member is lowered into the tank.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 유지부는, 원추 형상의 돌기 또는 홈 형상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 1 or 2,
The substrate processing apparatus, characterized in that the holding portion has a conical protrusion or groove shape.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 처리 위치에 있어서 상기 유지 부재가 상기 기판을 유지한 상태에서, 상기 유지 홈보다 상방, 또한, 상기 기판의 표면의 법선을 포함하는 연직 방향의 가상면의 수평 방향의 양측의 위치에 있어서 상기 기판에 맞닿고, 상기 기판의 회전을 억제하는 제 2 유지부를, 상기 유지부의 하측에 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 1 or 2,
In the state in which the holding member holds the substrate at the processing position, the substrate is located above the holding groove and at a position on both sides of a virtual plane in the vertical direction including a normal line of the surface of the substrate in the horizontal direction. A substrate processing apparatus comprising: a second holding portion that abuts against and suppresses rotation of the substrate, provided below the holding portion.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 조에,
상기 처리액을 분출시키는 분출관과,
상기 조의 저부 (底部) 로부터 기포를 공급하는 기포 공급관을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 1 or 2,
In the above article,
a discharge pipe for discharging the treatment liquid;
A substrate processing apparatus comprising a bubble supply pipe for supplying bubbles from the bottom of the tank.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 유지부는, 상기 처리 위치에 있는 상기 유지 부재의 상기 유지 홈보다 상방 또한 상기 조의 깊이의 중심보다 하측에서, 인접하는 상기 유지 홈의 간격에 동등한 간격으로 이간한 정점을 갖고, 그 정점의 방향이 상기 유지 홈의 길이 방향에 평행한 방향으로 연장되는 첨예 형상의 본체를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 1 or 2,
The holding portion has vertices spaced apart at intervals equal to intervals of the adjacent holding grooves above the holding groove of the holding member in the processing position and below the center of the depth of the nail, and the direction of the apex is A substrate processing apparatus characterized in that it has a sharp body extending in a direction parallel to the longitudinal direction of the holding groove.
제 10 항에 있어서,
상기 첨예 형상이 원추 형상 또는 니들 형상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 10,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the pointed shape is a conical shape or a needle shape.
제 10 항에 있어서,
상기 유지부보다 하측에, 인접하는 유지 홈의 간격에 동등한 간격으로 이간한 정점을 갖는 첨예 형상의 본체를 갖는 제 2 유지부를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 10,
A substrate processing apparatus further comprising a second holding portion below the holding portion and having a main body having an acute shape having apex spaced apart at an interval equal to an interval between adjacent holding grooves.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 유지부는, 첨예 형상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 1 or 2,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the holding portion has a pointed shape.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 유지부는, 상기 기판의 두께 방향의 양측으로부터 끼우도록 형성된 2 개의 본체를 포함하고,
상기 2 개의 본체 중 적어도 일방이 상기 기판에 맞닿는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 1 or 2,
The holding part includes two main bodies formed to be sandwiched from both sides in the thickness direction of the substrate,
A substrate processing apparatus characterized in that at least one of the two main bodies abuts against the substrate.
제 14 항에 있어서,
상기 2 개의 본체는, 각각이 원추 형상의 원추 형상부와, 원기둥 형상의 원기둥 형상부를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
15. The method of claim 14,
The two main bodies each have a conical conical portion and a columnar cylindrical portion.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 유지부는, 상기 기판의 표면의 둘레가장자리부에 맞닿는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 1 or 2,
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the holding portion abuts against a circumferential edge portion of a surface of the substrate.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 유지 부재에 유지되어 배열되는 복수의 상기 기판의 각각에 대응하여, 복수의 상기 유지 홈 및 복수의 상기 유지부가 상기 기판의 배열 방향으로 등간격으로 형성되고,
복수의 상기 유지 홈의 중심 상호의 위치 관계와, 대응하여 등간격으로 배치된 복수의 상기 유지부의 상호의 위치 관계는, 상기 기판의 배열 방향에 있어서 어긋나 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 1 or 2,
Corresponding to each of the plurality of substrates held and arranged by the holding member, a plurality of the holding grooves and a plurality of the holding portions are formed at equal intervals in the arrangement direction of the substrates;
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein a positional relationship between the centers of the plurality of holding grooves and a positional relationship between the plurality of holding portions arranged at equal intervals are shifted in the arrangement direction of the substrates.
처리액을 저류하고, 평판의 기판을 기립 자세로 침지하여 처리하는 조와,
상기 조에 대하여, 상기 기판의 수수 위치와 그 조 내의 처리 위치의 사이에서 승강 가능하게 형성되고, 상기 기판을 기립 자세의 하방으로부터 유지하여 재치하는 오목 형상의 복수의 유지 홈을 갖는 유지 부재와,
상기 처리 위치에 있는 상기 유지 부재의 상기 유지 홈보다 상방 또한 상기 조의 깊이의 중심보다 하측에서, 인접하는 상기 유지 홈의 간격에 동등한 간격으로 이간한 정점을 갖고, 그 정점의 방향이 상기 유지 홈의 길이 방향에 평행한 방향으로 연장되는 첨예 형상의 본체를 갖고, 상기 유지 홈에 유지된 상기 기판에 맞닿는 맞닿음부를 구비하고,
상기 맞닿음부를 상기 조에 형성한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
A tank for storing a treatment liquid and immersing and treating a substrate of a flat plate in a standing position;
a holding member having a plurality of concave holding grooves formed to be able to move up and down between the transfer position of the substrate and a processing position in the tank with respect to the tank, and holding and placing the board from below an upright position;
Above the holding groove of the holding member in the processing position and below the center of the depth of the nail, have apex spaced apart at intervals equal to the intervals of the adjacent holding grooves, and the direction of the apex is the direction of the holding groove. a main body having an acute shape extending in a direction parallel to the longitudinal direction, and having an abutting portion that abuts against the substrate held in the holding groove;
The substrate processing apparatus characterized in that the abutting portion is formed in the tank.
제 18 항에 있어서,
상기 첨예 형상이 원추 형상 또는 니들 형상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 18,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the pointed shape is a conical shape or a needle shape.
제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,
상기 맞닿음부보다 하측에, 인접하는 유지 홈의 간격에 동등한 간격으로 이간한 정점을 갖는 첨예 형상의 본체를 갖는 제 2 맞닿음부를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 18 or 19,
A substrate processing apparatus further comprising a second abutting portion below the abutting portion and having a main body having an acute shape having apex spaced apart at an interval equal to an interval between adjacent holding grooves.
제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,
상기 맞닿음부는, 상기 기판의 표면의 둘레가장자리부에 맞닿는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 18 or 19,
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the abutting portion abuts on a circumferential edge portion of a surface of the substrate.
제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,
상기 유지 부재에 유지되어 배열되는 복수의 상기 기판의 각각에 대응하여, 복수의 상기 유지 홈 및 복수의 상기 맞닿음부가 상기 기판의 배열 방향으로 등간격으로 형성되고,
복수의 상기 유지 홈의 중심 상호의 위치 관계와, 대응하여 등간격으로 배치된 복수의 상기 맞닿음부의 상호의 위치 관계는, 상기 기판의 배열 방향에 있어서 어긋나 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 18 or 19,
Corresponding to each of the plurality of substrates held and arranged by the holding member, a plurality of the holding grooves and a plurality of the abutting portions are formed at equal intervals in the arrangement direction of the substrates;
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a positional relationship between the centers of the plurality of holding grooves and a positional relationship between the plurality of contact portions disposed at equal intervals are displaced in the arrangement direction of the substrates.
제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,
상기 맞닿음부는, 상기 기판의 회전을 억제하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 18 or 19,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the abutting portion suppresses rotation of the substrate.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000012672A (en) * 1998-06-22 2000-01-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate holding structure, substrate processor, substrate transfer apparatus and substrate housing

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0423922Y2 (en) 1986-09-29 1992-06-04
US6068002A (en) * 1997-04-02 2000-05-30 Tokyo Electron Limited Cleaning and drying apparatus, wafer processing system and wafer processing method
KR19990025132U (en) * 1997-12-16 1999-07-05 구본준 Uniform Cleaning Structure of Cassette for Semiconductor Cleaning Equipment
US6318389B1 (en) * 1999-10-29 2001-11-20 Memc Electronic Materials, Inc. Apparatus for cleaning semiconductor wafers
JP2005225577A (en) * 2004-02-10 2005-08-25 Toshiba Ceramics Co Ltd Substrate processing device
JP5450309B2 (en) * 2009-10-05 2014-03-26 東京エレクトロン株式会社 Ultrasonic cleaning apparatus, ultrasonic cleaning method, and recording medium on which a computer program for executing the ultrasonic cleaning method is recorded
KR101501362B1 (en) * 2012-08-09 2015-03-10 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI653701B (en) * 2014-06-09 2019-03-11 日商荏原製作所股份有限公司 Substrate attaching and detaching portion for substrate holder, wet substrate processing device including the substrate attaching and detaching portion, substrate processing device, and substrate transfer method
US10276425B2 (en) * 2014-11-21 2019-04-30 Tokyo Electron Limited Substrate processing system

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000012672A (en) * 1998-06-22 2000-01-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate holding structure, substrate processor, substrate transfer apparatus and substrate housing

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