KR102550287B1 - 표면 처리 피막을 갖는 외과용 전극 - Google Patents

표면 처리 피막을 갖는 외과용 전극 Download PDF

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료코 가츠라야
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Abstract

외과용 전극으로서, 고주파를 방출할 수 있는 선단부는, 제 1 피막과 제 2 피막을 이 순서로 포함하는 표면 처리 피막을 갖고, 상기 제 1 피막은, 표면 처리제 (X) 를, 적어도, 상기 선단부의 전부 또는 일부의 표면 또는 표면 상과 접촉시켜 형성되고, 상기 표면 처리제가, 적어도 아미노기를 갖는 화합물을 함유하고, 상기 제 2 피막은, 표면 처리제 (Y) 를 상기 제 1 피막에 있어서의 전부 또는 일부의 표면과 접촉시켜 형성되고, 상기 표면 처리제가, 실리콘 수지 (A) 와, 티탄, 백금, 로듐 및 팔라듐에서 선택되는 금속 원소를 함유하는 화합물 (B) 과, 방향족 탄화수소계 용제 (C) 를 함유하고,
(I) 상기 실리콘 수지의 함유량이, 당해 실리콘 수지와 상기 화합물의 전체 고형분 질량에 대해 90 질량％ 이상 99.9 질량％ 이하의 범위 내이고,
(II) 상기 실리콘 수지의 질량 (AM) 과 상기 화합물의 질량 (BM) 의 비 (BM/AM) 가 0.001 이상 0.111 이하의 범위 내로 한다.

Description

표면 처리 피막을 갖는 외과용 전극
본 발명은, 의료 기기로서 사용되고, 생체 조직의 수술에 사용되는 전기 외과용 기구에 대해 바람직하게 사용할 수 있는 표면 처리 피막을 갖는 외과용 전극에 관한 것이다.
외과 수술에서는, 본체로부터 발생시킨 고주파 전류를 외과용 전극으로부터 생체 조직으로 방전시킴으로써, 지혈 (응고) 하거나, 절개하거나 할 수 있는 전기 외과용 기구 (이른바 전기 메스) 가 필요 불가결하게 되어 있다. 전기 메스의 사용에 의해 발생하는 문제로는, 전기 메스의 선단에 생체 조직 등의 탄화물이 부착되는 「딱지」의 문제가 알려져 있고, 당해 문제에 대해서, 각 전극이 외과 수술용의 적당한 전원에 접속할 수 있는 복수의 전극을 대량 생산하는 방법으로서, 도전성의 스톡 재료를 준비하는 공정을 포함하고, 상기 스톡 재료는 복수의 전극 블랭크를 형성할 수 있는 형상 및 치수를 갖고, 상기 스톡 재료의 적어도 일부에 비부착성층을 코팅하는 공정과, 코팅된 복수의 전극 블랭크를 형성하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법이 제안되어 있다 (특허문헌 1 참조).
일본 공개특허공보 2000-333968호
그러나, 특허문헌 1 에 기재된 기술에서는, 전기 메스의 선단으로부터 방출되는 고주파 전류에 의한 주울 열이나 방전압에 의해, 코팅된 비부착성층이 데미지를 입고, 그 비부착성층이 박리, 소실된다는 문제가 발견되었다.
본 발명은 이와 같은 문제를 해결하는 것으로, 생체 조직의 수술에 사용되는 전기 외과용 기구의 외과용 전극으로서, 생체 조직 등의 탄화물이 부착되기 어렵고, 또한 외과용 전극과의 밀착성이 우수한 피막을 갖는 외과용 전극을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 검토를 거듭하여, 실리콘 수지계의 피막과 외과용 전극의 사이에 적어도 아미노기를 갖는 화합물을 함유하는 표면 처리제로 형성되는 하지 피막을 구비함으로써, 생체 조직 등의 탄화물이 부착되기 어렵고, 또한 외과용 전극과의 밀착성이 우수한 피막을 제공할 수 있음을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은, 이하의 것을 포함할 수 있다.
<1> 생체 조직의 수술에 사용되는 전기 외과용 기구의 외과용 전극으로서,
상기 외과용 전극은, 고주파를 방출할 수 있는 선단부를 갖고,
상기 선단부는, 제 1 피막과 제 2 피막을 이 순서로 포함하는 표면 처리 피막을 갖고,
상기 제 1 피막은, 표면 처리제 (X) 를, 적어도, 상기 선단부의 전부 또는 일부의 표면 또는 표면 상과 접촉시킴으로써 형성되고, 상기 표면 처리제 (X) 가, 적어도 아미노기를 갖는 화합물을 함유하고,
상기 제 2 피막은, 표면 처리제 (Y) 를 상기 제 1 피막에 있어서의 전부 또는 일부의 표면과 접촉시킴으로써 형성되고, 상기 표면 처리제 (Y) 가, 실리콘 수지 (A) 와, 티탄, 백금, 로듐 및 팔라듐에서 선택되는 금속 원소를 함유하는 화합물 (B) 과, 방향족 탄화수소계 용제 (C) 를 함유하고,
(I) 상기 실리콘 수지 (A) 의 함유량이, 당해 실리콘 수지 (A) 와 상기 화합물 (B) 의 전체 고형분 질량에 대해 90 질량％ 이상 99.9 질량％ 이하의 범위 내이고,
(II) 상기 실리콘 수지 (A) 의 질량 (AM) 과 상기 화합물 (B) 의 질량 (BM) 의 비 (BM/AM) 가 0.001 이상 0.111 이하의 범위 내인, 외과용 전극.
<2> 상기 표면 처리제 (Y) 는, 추가로, 비닐기를 갖는 실란 커플링제 및/또는 에폭시기를 갖는 실란 커플링제를 함유하고, 상기 질량 (AM) 과, 비닐기를 갖는 실란 커플링제 및 에폭시기를 갖는 실란 커플링제의 총 질량 (DM) 의 비 (DM/AM) 가 0.005 이상 0.251 이하의 범위 내인, <1> 에 기재된 외과용 전극.
본 발명에 의해, 생체 조직의 수술에 사용되는 전기 외과용 기구의 외과용 전극으로서, 생체 조직 등의 탄화물이 부착되기 어렵고, 또한 외과용 전극과의 밀착성이 우수한 피막을 갖는 외과용 전극을 제공할 수 있다.
도 1 은, 외과용 전극 (전기 메스) 의 일례 (블레이드 전극) 를 나타내는 모식도이다.
도 2 는, 외과용 전극 (전기 메스) 의 일례 (루프형 전극) 를 나타내는 모식도이다.
도 3 은, 외과용 전극 (전기 메스) 의 일례 (볼형 전극) 를 나타내는 모식도이다.
도 4 는, 외과용 전극 (전기 메스) 의 일례 (니들형 전극) 를 나타내는 모식도이다.
도 5 는, 외과용 전극 (복강경) 의 일례를 나타내는 모식도이다. (a) 는 와이어 L 자 훅형, (b) 는 스트레이트 스패츌러형, (c) 는 와이어 J 자 훅형, (d) 는 시린지형을 나타낸다.
도 6 은, 외과용 전극 (전기 메스) 의 일례 (바이폴라) 를 나타내는 모식도이다.
도 7 은, 외과용 전극에 대한 제 1 피막의 형성예를 나타내는 모식도이다.
도 8 은, 외과용 전극에 대한 제 1 피막 및 제 2 피막의 형성예를 나타내는 모식도이다.
본 발명의 실시형태에 관련된 표면 처리 피막을 갖는 외과용 전극은, 생체 조직의 수술에 사용되는 전기 외과용 기구의 외과용 전극과, 그 외과용 전극의 표면 또는 표면 상에 제 1 피막과 제 2 피막을 이 순서로 포함하는 표면 처리 피막을 갖는다. 또한, 외과용 전극과 제 1 피막의 사이에 부동태막이나 외과용 전극에 포함되는 금속의 산화물막을 가지고 있어도 되지만, 이들 막을 갖고 있지 않아도 된다.
<외과용 전극>
외과용 전극은, 이른바 전기 메스 등의 전기 외과용 기구의 선단에 착탈 가능하게 장착되는 전극으로, 전극의 선단부로부터 생체 조직으로 고주파를 방출시킴으로써, 지혈 (응고) 하거나, 생체 조직을 절개하거나 할 수 있다. 외과용 전극은, 도전성 재료로 구성된다. 보다 구체적으로는, 철계 금속 재료, 아연 도금계 금속 재료, 알루미늄계 금속 재료, 마그네슘계 금속 재료, 니켈계 금속 재료, 티탄계 금속 재료, 지르코늄계 금속 재료, 구리계 금속 재료, 주석계 금속 재료, 텅스텐계 금속 재료, 크롬계 금속 재료, 망간계 금속 재료, 몰리브덴계 금속 재료, 코발트계 금속 재료 등을 들 수 있지만, 스테인리스강인 것이 보다 바람직하다. 외과용 전극이 장착되는 전기 외과용 기구는, 전형적으로는, 모노폴라 메스나 바이폴라 메스 등의 전기 메스, 복강경 등을 들 수 있다. 외과용 전극의 일례의 개략도를 도 1 에 나타낸다.
도 1 은, 선단 부분이 판상인, 블레이드형 외과용 전극의 예이다.
외과용 전극 (10) 은, 도시되지 않은 전기 외과용 기구 본체와 착탈 가능한 부재이다. 외과용 전극 (10) 은, 전기 외과용 기구 본체와 전기적으로 접속되는 전기적 접속부 (13) 와, 생체 조직에 근접시켜 고주파를 방출하는 선단부 (11) 와, 그 전기적 접속부 (13) 와 선단부 (11) 를 연결하는 중간부 (12) 로 구성된다.
<선단부>
선단부 (11) 는, 생체 조직에 근접시켜 고주파를 방출하는 부위이다. 선단부의 형상은 특별히 한정되지 않고, 도 1 에 나타내는 블레이드형 외과용 전극 (10) 의 선단부 (11) 외에, 도 2 에 나타내는 루프형 외과용 전극 (20) 의 선단부 (21), 도 3 에 나타내는 볼형 외과용 전극 (30) 의 선단부 (31), 도 4 에 나타내는 니들형 외과용 전극 (40) 의 선단부 (41), 등이 존재하고, 이것들은 전기 메스의 메스끝 전극으로서 사용되는 외과용 전극이다. 이것 외에, 도 5 에 나타내는 와이어 L 자 훅형 (a), 도 5 에 나타내는 스트레이트 스패츌러형 (b), 도 5 에 나타내는 와이어 J 자 훅형 (c), 도 5 에 나타내는 시린지형 (d) 등, 복강경에 장착되는 외과용 전극이 존재한다. 지금까지 나타낸 선단부는 모노폴라형 외과용 전극의 선단부이지만, 바이폴라형 외과용 전극의 선단부여도 된다. 바이폴라형 외과용 전극 (60) 의 선단부 (61) 의 예를 도 6 에 나타낸다.
선단부 (11) 는, 도전성 재료의 적어도 일부 (예를 들어, 후술하는 제 1 피막을 형성하는 부분, 후술하는 제 2 피막을 형성하는 부분 등) 의 표면에 대해, 조면화 (粗面化) 처리를 실시한 것이어도 되지만, 조면화 처리를 실시하지 않은 것이어도 된다. 조면화 처리를 실시하는 방법으로는, 예를 들어, 숏 블라스트법, 용액 (산성 용액, 알칼리성 용액 등) 에 의한 에칭법, 연마 처리법, 플라즈마 처리법, 코로나 방전 처리법 등을 들 수 있지만 이것들로 제한되는 것은 아니다. 이들 처리는 단독으로 실시해도 되고, 2 개 이상을 조합하여 실시해도 된다. 또한, 선단부 (11) 의 표면 조도는 산술 평균 조도 (Ra) 로 0.05 ㎛ 이상 0.39 ㎛ 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 0.08 ㎛ 이상 0.25 ㎛ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하고, 0.10 ㎛ 이상 0.18 ㎛ 이하의 범위 내인 것이 특히 바람직하다. 여기서, 본 명세서에 있어서 「표면 조도」란, 선 조도를 의미하고, 상기 Ra 는, 접촉식 표면 조도계로 측정한 값이다.
<전기적 접속부>
전기적 접속부 (13) 는, 외과용 전극 (10) 에 있어서, 전기 외과용 기구 본체와 전기적으로 접속되는 부위이다. 전기적 접속부 (13) 는 전기 외과용 기구 본체에 착탈 가능하고, 통상, 전기적 접속부 (13) 와 전기 외과용 기구 본체가 끼워 맞춤 구조 등에 의해 끼워 맞출 수 있도록, 구성된다. 또한, 전기적 접속부도 또한 도전성 재료로 구성되며, 구성 재료는 상기 선단부 (11) 와 동일해도 되고, 달라도 된다.
<중간부>
중간부 (12) 는, 선단부 (11) 와 전기적 접속부 (13) 를 접속하는 부재이다. 선단부 (11) 에 통전시키기 위해서 도전성 재료로 구성될 필요가 있지만, 그 형상, 길이 등은 특별히 한정되지 않는다.
중간부 (12) 는, 피복물 (14) 을 가져도 된다. 피복물 (14) 은, 절연성을 갖는 수지를 포함하는 조성물의 경화물이다. 또, 중간부 (12) 와 피복물 (14) 이 접하고 있으면, 피복물 (14) 의 크기, 두께, 형상 등도 특별히 한정되지 않는다.
<표면 처리 피막>
본 실시형태에 관련된 표면 처리 피막은, 제 1 피막과 제 2 피막을 포함한다. 제 1 피막은, 표면 처리제 (X) 를 상기 외과용 전극 (적어도 선단부의 일부 또는 전부) 의 표면 또는 표면 상과 접촉시킴으로써 형성되고, 제 2 피막은, 표면 처리제 (Y) 를 제 1 피막에 있어서의 전체면 또는 일부의 표면과 접촉시킴으로써 형성된다.
표면 처리 피막은, 적어도, 선단부의 전체면에 형성되어 있어도 되고, 또는 그 일부에 형성되어 있어도 된다. 블레이드형 외과용 전극의 경우, 일부로는, 예를 들어, 선단부의 블레이드 부분, 선단부의 평면부 등을 들 수 있다. 또한, 평면부란, 본원 명세서에서는, 도 7 의 선단부 (11) 에서의 블레이드 부분에 있어서, 가장 면적이 넓은 부분을 말한다.
표면 처리 피막이 형성되어 있지 않은 부분에 있어서는, 제 1 피막만이 형성되어 있어도 된다. 예를 들어, 블레이드형 외과용 전극의 경우, 블레이드 부분의 전체면에 제 1 피막이 형성되고, 그 중 일부에 제 2 피막이 형성되어 있어도 된다. 또, 선단부 (11) 에 있어서, 중간부 (12) 측의 단부 (이하, 「중간 접속부」라고 한다) 의 전체면 또는 일부에, 제 1 피막만, 또는, 제 1 피막 및 제 2 피막이 형성되어 있어도 된다.
<표면 처리제 (X)>
본 실시형태에 관련된 표면 처리제 (X) 는, 적어도 아미노기를 갖는 화합물을 함유한다. 아미노기를 갖는 화합물로는 특별히 한정되지 않는다. 아미노기로는, 제 1 급 아미노기, 제 2 급 아미노기, 및 제 3 급 아미노기 중 어느 것이어도 되고, 이것들 중, 2 종 이상의 아미노기를 갖는 것이어도 된다. 구체적으로는, 아민계 경화제 ; 글리시딜 아민형 에폭시 수지, 폴리에틸렌이민 수지, 멜라민 수지, 방향족 아민 수지 등의 단독중합물 또는 이들 중합물을 함유하는 공중합물 ; 아미노기를 갖는 실란 커플링제 등을 들 수 있다. 아민계 경화제로는, 예를 들어, 디시안디아미드, 디에틸렌트리아민, N-아미노에틸피페라진, 메타페닐렌디아민, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸 등을 들 수 있지만 이들에 제한되는 것은 아니다. 또한, 아민계 경화제를 사용하는 경우, 에폭시 수지와 병용하는 것이 바람직하다.
아미노기를 갖는 실란 커플링제로는, 아미노기를 1 개 갖는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필디메틸메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필디에틸에톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필에틸디에톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필디메틸메톡시실란, 3-아미노프로필메틸디메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필디에틸에톡시실란, 3-아미노프로필에틸디에톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-트리에톡시실릴-N-(1,3-디메틸-부틸리덴)프로필아민 등을 들 수 있다.
표면 처리제 (X) 에 함유되는 용매는 특별히 한정되지 않지만, 알코올, 아세톤, 아세토니트릴, 벤젠, 시클로헥산, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 메틸에틸케톤 등의 유기 용매 ; 이들 유기 용매와 물의 혼합물 ; 등을 들 수 있다. 유기 용매로는, 탄소수 5 이하의 알코올이 바람직하다. 또한, 유기 용매와 물의 혼합물인 경우, 함유되는 물의 질량 비율은, 5 질량％ 미만인 것이 바람직하지만, 실질적으로는 물이 함유되지 않은 것이 보다 바람직하다.
또, 표면 처리제 (X) 에는, 젖음성을 향상시키기 위한 레벨링제, 조막성 (造膜性) 을 향상시키기 위한 조막 보조제, 강고한 피막으로 하기 위한 유기 가교제 또는 무기 가교제, 발포를 억제하기 위한 소포제, 점성을 컨트롤하기 위한 증점제, 방청제 등의 첨가제를 함유시켜도 되며, 이들 첨가제는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에서 배합해도 된다.
표면 처리제 (X) 에 있어서의 아미노기를 갖는 화합물의 총 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 표면 처리제 (X) 의 전체량에 대해, 0.1 질량％ 이상 10 질량％ 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 0.5 질량％ 이상 5 질량％ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다.
<표면 처리제 (Y)>
본 실시형태에 관련된 표면 처리제 (Y) 는, 실리콘 수지 (A) 와, 티탄, 백금, 로듐 및 팔라듐에서 선택되는 금속 원소를 함유하는 화합물 (B) 과, 방향족 탄화수소계 용제 (C) 를 함유한다. 이 표면 처리제 (Y) 를 사용함으로써, 생체 조직의 탄화물이 고착되기 어려운 표면 처리 피막을 형성할 수 있다.
<실리콘 수지 (A)>
실리콘 수지 (A) 로는, 복수의 실록산 결합을 갖고, 규소 (Si) 에 유기기가 결합한 오르가노폴리실록산 구조를 갖는 것이면 특별히 제한되는 것은 아니지만, Si 에 결합한 유기기를 1 분자 중에 적어도 2 개 이상 갖는 오르가노폴리실록산 구조를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 유기기가 결합하는 위치에 대해서는 특별히 제한은 없고, 주사슬, 측사슬 또는 말단에 결합하고 있어도 된다. 실리콘 수지 (A) 는, 상기 오르가노폴리실록산 구조를 갖는 단독 중합물이어도 되고, 상기 오르가노폴리실록산 구조를 갖는 단독 중합물과 폴리실록산 구조를 갖는 단독 중합물의 혼합물이어도 되고, 상기 오르가노폴리실록산 구조와 폴리실록산 구조를 갖는 공중합물 (블록 공중합물 또는 그래프트 중합물) 이어도 된다. 또, 실리콘 수지 (A) 는, 부가형이어도 되고, 축합형이어도 된다. 또한, 실리콘 수지 (A) 는, 열 경화형, 실온 경화형 (RTV), UV 경화형 중 어느 것이어도 된다.
오르가노폴리실록산 구조에 있어서의 Si 에 결합한 유기기로는, 예를 들어, 포화 탄화수소기, 불포화 탄화수소기, 할로겐화알킬기, 에폭시시클로헥실기 등을 들 수 있지만 이들에 제한되는 것은 아니다. 포화 탄화수소기로는, 예를 들어, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기, 시클로알킬기 등을 들 수 있지만 이들에 제한되는 것은 아니다. 또, 불포화 탄화수소기로는, 예를 들어, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알케닐기, 시클로알케닐기, 시클로알케닐알킬기, 아릴기 등을 들 수 있지만 이들에 제한되는 것은 아니다. 또한, Si 에 결합한 유기기로는, 불포화 탄화수소기인 것이 바람직하고, 알케닐기인 것이 보다 바람직하고, 비닐기 또는 헥세닐기인 것이 특히 바람직하다.
할로겐화알킬기로는, 예를 들어, 클로로메틸기, 3-클로로프로필기, 1-클로로-2-메틸프로필기, 3,3,3-트리플루오로프로필기 등을 들 수 있다. 알킬기로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 등을 들 수 있다. 시클로알킬기로는, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다. 직사슬형 또는 분기사슬형의 알케닐기로는, 예를 들어, 비닐기, 1-프로페닐기, 알릴기, 이소프로페닐기, 1-부테닐, 2-부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기 등을 들 수 있다. 시클로알케닐기로는, 예를 들어, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기 등을 들 수 있다. 시클로알케닐알킬기로는, 예를 들어, 시클로펜테닐에틸기, 시클로헥세닐에틸기, 시클로헥세닐프로필기 등을 들 수 있다. 아릴기로는, 예를 들어, 페닐기 등을 들 수 있다.
폴리실록산 구조로는, 상기 오르가노폴리실록산 구조와는 상이한 것이면 특별히 제한되는 것은 아니고, 예를 들어, Si 에 결합한 수소 원자를 1 분자 중에 적어도 2 개 이상 갖는 폴리실록산 구조, Si 에 결합한 알콕시기를 1 분자 중에 적어도 2 개 이상 갖는 폴리실록산 구조 등을 들 수 있다. 알콕시기로는, 예를 들어, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기 등을 들 수 있다. 또한, 알콕시기는, 직사슬형이어도 되고, 분기사슬형이어도 된다.
상기 각종 실리콘 수지는, 표면 처리제 (Y) 의 조제에 있어서 1 종을 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 실리콘 수지 (A) 의 바람직한 실시형태의 하나로서, Si 에 결합한 불포화 탄화수소기를 1 분자 중에 적어도 2 개 이상 갖는 오르가노폴리실록산 구조를 갖는 중합물과, Si 에 결합한 수소 원자를 1 분자 중에 적어도 2 개 이상 갖는 폴리실록산 구조를 갖는 중합물의 혼합물을 들 수 있다.
Si 에 결합한 불포화 탄화수소기를 1 분자 중에 적어도 2 개 이상 갖는 오르가노폴리실록산 구조를 갖는 중합물로는, 예를 들어, 분자 사슬의 양 말단에 디메틸비닐실록시기를 갖는 디메틸폴리실록산, 분자 사슬의 양 말단에 디메틸비닐실록시기를 갖는 디메틸실록산-메틸페닐실록산 공중합체, 분자 사슬의 양 말단에 디메틸비닐실록시기를 갖는 디메틸실록산-메틸비닐실록산 공중합체, 분자 사슬의 양 말단에 트리메틸실록시기를 갖는 디메틸실록산-메틸비닐실록산 공중합체, 분자 사슬의 양 말단에 트리메틸실록시기를 갖는 디메틸실록산-메틸비닐실록산-메틸페닐실록산 3 원 공중합체, 분자 사슬의 양 말단에 실란올기를 갖는 디메틸실록산-메틸비닐실록산 공중합체, 분자 사슬의 양 말단에 실란올기를 갖는 메틸비닐폴리실록산 등을 들 수 있다. 그 외, 각종 단독 중합체, 공중합체 및 3 원 공중합체의 메틸기의 일부가, 에틸기, 프로필기 등의 메틸기 이외의 알킬기 ; 또는 3,3,3-트리플루오로프로필기, 3,3,3-트리클로로프로필기 등의 할로겐화알킬기 ; 로 치환된 중합체도 들 수 있다. 이들 단독 중합체, 공중합체 및 3 원 공중합체 중에서 선택된 2 종 이상의 혼합물을 표면 처리제 (Y) 의 조제에 사용해도 된다.
Si 에 결합한 수소 원자를 1 분자 중에 적어도 2 개 이상 갖는 폴리실록산 구조를 갖는 중합물로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 수소 원자가 Si 에 결합한 SiH 기를 1 분자 중에 적어도 2 개 이상 갖고, 주사슬로서 디오르가노실록산 구조를 반복적으로 갖고, 분자 사슬의 양 말단이 트리오르가노실록시기로 봉쇄된 직사슬형, 고리형, 분기사슬형, 삼차원 망상 (網狀) 구조의 오르가노하이드로겐폴리실록산 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 분자 사슬의 양 말단에 트리메틸실록시기를 갖는 메틸하이드로겐폴리실록산, 분자 사슬의 양 말단에 트리메틸실록시기를 갖는 디메틸실록산-메틸하이드로겐실록산 공중합체, 분자 사슬의 양 말단에 실란올기를 갖는 메틸하이드로겐폴리실록산, 분자 사슬의 양 말단에 실란올기를 갖는 디메틸실록산-메틸하이드로겐실록산 공중합체, 분자 사슬의 양 말단에 디메틸하이드로겐실록시기를 갖는 디메틸폴리실록산, 분자 사슬의 양 말단에 디메틸하이드로겐실록시기를 갖는 메틸하이드로겐폴리실록산, 분자 사슬의 양 말단에 디메틸하이드로겐실록시기를 갖는 디메틸실록산-메틸하이드로겐실록산 공중합체 등을 들 수 있다. 이들 단독 중합체 및 공중합체 중에서 선택된 2 종 이상의 혼합물을 표면 처리제 (Y) 의 조제에 사용해도 된다.
실리콘 수지 (A) 의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 통상 6,000 이상 45,000 이하의 범위 내이고, 바람직하게는 6,500 이상 40,000 이하의 범위 내이다. 또한, 중량 평균 분자량은, GPC (겔 침투 칼럼 크로마토그래피) 에 의해 측정하고, 폴리스티렌으로 환산한 값이다.
<화합물 (B)>
화합물 (B) 로는, 티탄, 백금, 로듐 및 팔라듐에서 선택되는 금속 원소를 함유하는 것이면 특별히 제한되는 것은 아니다. 티탄을 함유하는 화합물로는, 예를 들어, 황산티타닐, 질산티타닐, 질산티탄, 염화티타닐, 염화티탄, 티타니아졸, 산화티탄, 옥살산티탄산칼륨, 티탄락테이트, 티탄테트라이소프로폭시드, 티탄아세틸아세토네이트, 디이소프로필티타늄비스아세틸아세톤, 티탄디이소프로폭시비스(아세틸아세토네이트) 등을 들 수 있다.
백금, 로듐 또는 팔라듐을 함유하는 화합물로는, 예를 들어, 백금 (백금흑을 포함), 로듐, 팔라듐 등의 백금족 금속 단체 (單體) ; H2PtCl4·nH2O, H2PtCl6·nH2O, NaHPtCl6·nH2O, KHPtCl6·nH2O, Na2PtCl6·nH2O, K2PtCl4·nH2O, PtCl4·nH2O, PtCl2, Na2HPtCl4·nH2O (단, 각 식 중, n 은 0 ∼ 6 의 정수이고, 바람직하게는 0 또는 6 이다) 등의, 염화백금, 염화백금산 또는 염화백금산염 ; 알코올 변성 염화백금산 (알코올과 염화백금산을 반응시킨 것) ; 염화백금산과 올레핀의 컴플렉스 ; 백금흑, 팔라듐 등의 백금족 금속을 알루미나, 실리카, 카본 등의 담체에 담지시킨 화합물 ; 로듐-올레핀 컴플렉스 ; 클로로트리스(트리페닐포스핀)로듐 (윌킨슨 촉매) ; 염화백금, 염화백금산 또는 염화백금산염과 비닐기 함유 실록산의 컴플렉스 ; 폴리스티렌-폴리에틸렌글리콜에 염화백금을 담지한 화합물 ; 등을 들 수 있다.
또한, 이들 화합물은, 표면 처리제 (Y) 의 조제에 있어서, 1 종을 사용해도 되고, 2 종 이상을 사용해도 된다.
실리콘 수지 (A) 의 함유량 (복수의 실리콘 수지를 사용하는 경우에는, 합계 함유량을 의미한다) 은, 당해 실리콘 수지 (A) 와 화합물 (B) 의 전체 고형분 질량에 대해, 90 질량％ 이상 99.9 질량％ 이하의 범위 내이고, 95 질량％ 이상 99.8 질량％ 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 98 질량％ 이상 99.7 질량％ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다.
표면 처리제 (Y) 에 있어서, 실리콘 수지 (A) 의 질량 (AM) [복수의 실리콘 수지를 사용하는 경우에는, 합계 질량을 의미한다] 과, 화합물 (B) 의 질량 (BM) [복수의 화합물을 사용하는 경우에는, 합계 질량을 의미한다] 의 비 (BM/AM) 는 0.001 이상 0.111 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 0.002 이상 0.053 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하고, 0.003 이상 0.02 이하의 범위 내인 것이 특히 바람직하다.
<방향족 탄화수소계 용제 (C)>
방향족 탄화수소계 용제 (C) 는, 일중 결합과 이중 결합이 교대로 늘어서고, 전자가 비국재화된 6 개의 탄소 원자로 이루어지는 단고리 혹은 복수의 평면 고리를 유닛으로 하여 구성되는 탄화수소이고, 특별히 그 종류는 한정되지 않는다.
방향족 탄화수소계 용제 (C) 로는, 상기 유닛을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 용해도 파라미터 (SP) 값이 8.5 이상 9.5 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 8.8 이상 9.3 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 보다 구체적으로는, 벤젠, 톨루엔, o-자일렌, p-자일렌, m-자일렌, 파라크실렌, 오르토자일렌 등을 들 수 있다. 또한, 이들 방향족 탄화수소계 용제 (C) 는, 표면 처리제 (Y) 의 조제에 있어서, 1 종을 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
표면 처리제 (Y) 에 있어서의 방향족 탄화수소계 용제 (C) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 질량 비율로 40 질량％ 이상 99 질량％ 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 45 질량％ 이상 95 질량％ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하고, 50 질량％ 이상 80 질량％ 이하의 범위 내인 것이 특히 바람직하고, 60 질량％ 이상 75 질량％ 이하의 범위 내인 것이 가장 바람직하다.
<기타 첨가제>
본 실시형태에 관련된 표면 처리제 (Y) 에는, 필요에 따라서, 각종 첨가제가 함유되어 있어도 된다. 첨가제로는, 예를 들어, 계면 활성제, 소포제, 레벨링제, 증점제, 방균 곰팡이방지제, 착색제, 불소 수지 등을 들 수 있지만 이들에 제한되는 것은 아니다. 이들 첨가제는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에서 첨가해도 되며, 첨가제의 함유량은, 많아도 표면 처리제 (Y) 의 질량에 대해 수 질량％ 이다.
표면 처리제 (Y) 에는, 비닐기를 갖는 실란 커플링제 및/또는 에폭시기를 갖는 실란 커플링제 등의 실란 커플링제 (D) 가 추가로 배합되어 있어도 된다.
비닐기를 갖는 실란 커플링제로는, 비닐기를 갖는 실란 커플링제이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란 등의 비닐기 함유 실란 커플링제 ; 등을 들 수 있다. 또, 에폭시기를 갖는 실란 커플링제로는, 에폭시기를 갖는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등의 에폭시기 함유 실란 커플링제 ; 등을 들 수 있다. 에폭시기를 갖는 실란 커플링제를 단독으로 사용하거나, 비닐기를 갖는 실란 커플링제와 병용하거나 하는 경우에는, 에폭시기를 갖는 실란 커플링제로서 에폭시기를 1 개 갖는 실란 커플링제를 사용하는 것이 바람직하다.
표면 처리제 (Y) 의 조제에 있어서, 실란 커플링제를 사용하는 경우에는, 실리콘 수지 (A) 의 질량 (AM) [복수의 실리콘 수지를 사용하는 경우에는, 합계 질량을 의미한다] 과, 상기 실란 커플링제 (D) 의 질량 (DM) [복수의 실란 커플링제를 사용하는 경우에는, 합계 질량을 의미한다] 의 비 (DM/AM) 가 0.005 이상 0.251 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 0.01 이상 0.11 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하지만, 이들의 범위로 제한되는 것은 아니다.
본 실시형태에 관련된 표면 처리제 (Y) 는, 실리콘 수지 (A) 와, 티탄, 백금, 로듐 및 팔라듐에서 선택되는 금속 원소를 함유하는 화합물 (B) 과, 방향족 탄화수소계 용제 (C) 와, 필요에 따라서 실란 커플링제 (D) 등의 첨가제를 혼합함으로써 제조할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 관련된 표면 처리제 (Y) 를 후술하는 표면 처리에 사용할 때, 그 표면 처리제 (Y) 의 점도는, 25 ℃ 에서 1 Pa·s 이상 30 Pa·s 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 3 Pa·s 이상 20 Pa·s 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하고, 5 Pa·s 이상 15 Pa·s 이하의 범위 내인 것이 특히 바람직하다. 또한, 표면 처리제 (Y) 의 점도는, 진동식 점도계 (주식회사 세코닉사 제조, VM 시리즈) 를 사용하여 측정하는 것이 가능하다.
<표면 처리 피막을 갖는 외과용 전극 및 그 제조 방법>
본 실시형태에 관련된, 표면 처리 피막을 갖는 외과용 전극의 제조 방법은, 예를 들어 다음의 방법을 들 수 있다. 먼저, 성형한 외과용 전극 (적어도 선단부의 일부 또는 전부) 의 표면 또는 표면 상에 표면 처리제 (X) 를 접촉시키는 제 1 공정과, 외과용 전극의 표면에 접촉시킨 표면 처리제 (X) 를 건조시켜 제 1 피막을 형성하는 제 2 공정을 포함한다. 이들 공정을 실시함으로써, 제 1 피막을 갖는 외과용 전극을 제조할 수 있다.
제 1 공정을 실시하기 전에, 외과용 전극의 표면에 요철을 형성하는 목적이나, 외과용 전극의 표면에 부착되어 있는 유분, 오염이나 산화막을 제거할 목적으로, 금속 재료에 전처리를 실시해도 된다. 전처리 방법으로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 숏 블라스트법, 용액 (산성 용액, 알칼리성 용액 등) 에 의한 에칭법, 연마 처리법, 플라즈마 처리법, 코로나 방전 처리법 등의 조면화 처리 ; 탕세 (湯洗), 용제 세정, 알칼리 탈지 세정, 산세 등의 세정 처리 ; 산화막 제거 처리 ; 수세 처리 ; 등의 방법을 들 수 있다. 또한, 이들 처리는 단독으로 실시해도 되고, 2 이상 조합하여 실시해도 된다.
제 1 공정의 접촉 방법으로는, 여러 가지 접촉 방법을 사용할 수 있고, 외과용 전극의 형상 등에 따라서 최적의 방법을 적절히 선택할 수 있다. 구체적으로는, 도포 장치를 사용하여 도포하는 방법, 침지 처리법, 스프레이 처리법, 끼얹기 처리법, 롤 코터법, 바 코트법 등의 방법을 들 수 있지만, 이들 방법으로 제한되는 것은 아니다.
또, 제 2 공정의 건조 방법으로는, 열풍, 인덕션 히터, 적외선, 근적외선 등을 사용하여 건조시키는 방법, 감압 증류 제거에 의해 건조시키는 방법 등을 들 수 있지만 이들로 제한되는 것은 아니다. 건조 온도로는 특별히 한정되지 않지만, 40 ∼ 250 ℃ 의 범위 내인 것이 바람직하고, 60 ∼ 180 ℃ 의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 또, 건조 시간은 특별히 제한되는 것이 아니고, 사용되는 재료의 종류, 외과용 전극의 표면 또는 표면 상에 부착된 표면 처리제 (X) 의 양 등에 따라서 적절히 변경하면 된다.
본 실시형태에 관련된, 표면 처리 피막을 갖는 외과용 전극의 제조 방법은, 외과용 전극에 있어서 형성된 제 1 피막에 있어서의 전체면 또는 일부의 표면에 표면 처리제 (Y) 를 접촉시키는 제 3 공정과, 제 1 피막에 접촉시킨 표면 처리제 (Y) 를 건조시켜 제 2 피막을 형성하는 제 4 공정을 추가로 포함한다. 이들 공정을 실시함으로써, 외과용 전극에, 제 1 피막과 제 2 피막을 이 순서로 포함하는 표면 처리 피막을 형성할 수 있다.
제 3 공정의 접촉 방법으로는, 여러 가지 접촉 방법을 사용할 수 있고, 처리되는 외과용 전극의 형상 등에 따라 최적의 방법을 적절히 선택할 수 있다. 구체적으로는, 침지 처리법, 스프레이 처리법, 끼얹기 처리법, 롤 코터법, 바 코트법 등의 도장 방법 ; 스핀 코터, 슬릿 코터, 다이 코터, 블레이드 코터, 디스펜서 등의 도포 장치를 1 또는 2 개 이상 사용하여 도포하는 방법 ; 등을 들 수 있다.
제 4 공정의 건조 온도로는 특별히 한정되지 않지만, 40 ∼ 250 ℃ 의 범위 내인 것이 바람직하고, 60 ∼ 180 ℃ 의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 건조 방법으로는 특별히 한정되지 않고, 열풍, 인덕션 히터, 적외선, 근적외선 등을 사용하여 건조시키는 방법, 감압 증류 제거에 의해 건조시키는 방법 등을 들 수 있다. 또, 건조 시간은 특별히 제한되는 것은 아니고, 사용되는 재료의 종류, 외과용 전극의 표면 또는 표면 상에 부착된 표면 처리제 (Y) 의 양 등에 따라서 적절히 변경하면 된다. 예를 들어 10 분 이상이어도 되고, 15 분 이상이어도 되고, 또한 60 분 이내여도 되며, 30 분 이내여도 된다.
상기 제 1 공정 ∼ 제 4 공정을 거침으로써, 외과용 전극에, 제 1 피막과 제 2 피막을 이 순서로 포함하는 표면 처리 피막을 형성할 수 있다. 또한, 제 1 피막을 형성하는 부분과 제 2 피막을 형성하는 부분은, 동일 영역이어도 되고, 동일 영역이 아니어도 된다. 단, 제 2 피막을 형성하는 부분의 하층에는, 제 1 피막이 존재한다.
일례에서는, 제 1 공정 및 제 2 공정에 의해 형성되는 제 1 피막은, 도 7(a) 에 해칭으로 나타내는 바와 같이 선단부 (11) 에 있어서의 블레이드 부분의 전체면에 형성되어도 되고, 도 7(b) 에 해칭으로 나타내는 바와 같이, 선단부 (11) 의 블레이드 부분과 중간 접속부의 일부에 형성되어도 되고, 도 7(c) 에 나타내는 바와 같이 선단부 (11) 의 블레이드 부분 중, 전기적 접속부 (13) 로부터 원위 (遠位) 인 부분에 형성되어도 된다 (중간 접속부에 근접하는 부분에는 형성되어 있지 않다).
또, 일례에서는, 제 3 공정 및 제 4 공정에 의해 형성되는 제 2 피막은, 도 8(a) 에 도트 모양으로 나타내는 바와 같이 선단부에 있어서의 평면부 (블레이드 부분의 상면 및 하면) 의 전체면에 형성되고, 또한 블레이드 부분의 측면 (평면부 이외의 면) 에는 형성되지 않는다. 또, 다른 일례에서는 도 8(b) 에 도트 모양으로 나타내는 바와 같이 블레이드 부분의 측면 그리고 상면 및 하면의 단부 (端部) 에는 제 2 피막은 형성되지 않는다. 이와 같이, 측면, 그리고, 상면 및 하면의 단부 (전기적 접속부 (13) 로부터 원위인 부분), 특히 모서리부에 제 2 피막을 형성하지 않음으로써, 선단부 중, 생체 조직 등에 근접할 수 있는 지점, 즉 방전하는 부분 (이하, 「방전부」라고 한다) 로부터 고주파를 충분히 방출할 수 있기 때문에, 외과용 전극 기구의 양호한 절개능을 확보할 수 있다. 또한, 상기 측면 그리고 상면 및 하면의 단부, 특히 모서리부에 제 2 피막을 형성시키는 경우에는, 피막 두께를 얇게 하는 것 (예를 들어 10 ㎛ 이하, 바람직하게는 5 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 2 ㎛ 이하로 하는 것) 이 바람직하다. 이로써, 생체 조직에 근접할 수 있는 지점인 방전부로부터 고주파를 충분히 방출할 수 있기 때문에, 절개능의 저하를 방지할 수 있다.
표면 처리 피막을 갖는 선단부 (블레이드형 외과용 전극의 경우, 블레이드 부분) 의, 제 1 피막의 피막량은 특별히 한정되지 않지만, 0.1 mg/㎡ 이상 50 mg/㎡ 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 1 mg/㎡ 이상 40 mg/㎡ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 또한, 제 1 피막이 아미노기를 갖는 실란 커플링제로 형성되어 있는 경우에는, SiO2 환산 질량으로 상기 범위 내인 것이 바람직하다.
또한, 제 1 피막의 피막량은, 소정 면적의 금속 재료에 있어서의 피막량을 계측함으로써 구할 수 있다. 또, 제 1 피막이 아미노기를 갖는 실란 커플링제로 형성되어 있는 경우에는, 형광 X 선법으로 분석하여, Si 의 강도로부터 SiO2 로 환산한 질량을 산출하고, 단위 면적당 피막량을 구함으로써, 측정할 수 있다.
또, 선단부 (블레이드형 외과용 전극의 경우, 블레이드 부분) 에 형성되는, 제 1 피막과 제 2 피막을 포함하는 표면 처리 피막의 막두께의 합계는, 10 ㎛ 이상 400 ㎛ 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 20 ㎛ 이상 300 ㎛ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하고, 30 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 50 ㎛ 이상 150 ㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명의 작용 효과를 구체적으로 나타낸다. 단, 하기 실시예에 관한 기재는 본 발명의 범위를 하등 한정하는 것은 아니다.
(1) 외과용 전극의 준비
도 1 에 나타내는 외과용 전극의 선단부 (11) 가 판상인 블레이드형의 외과용 전극을 준비하였다. 준비한 외과용 전극의 재료 및 블레이드 부분의 사이즈를 이하에 나타낸다. 블레이드 부분의 표면 조도 (산술 평균 조도 : Ra) 를, 삼차원 표면 조도 측정기 (주식회사 도쿄 정밀사 제조 형식 Surfcom 570A) 를 사용하여 측정하였다. 측정은, 0.3 ㎜/s 의 속도로 2.0 ㎜ 주사시킴으로써 실시하였다.
(Z1) 외과용 전극의 재료 : 스테인리스강 SUS304
블레이드 부분의 사이즈 : 판두께 0.3 ㎜ 길이 17.0 ㎜ 폭 2.5 ㎜
(Z2) 외과용 전극의 재료 : 스테인리스강 SUS316L
블레이드 부분의 사이즈 : 판두께 0.3 ㎜ 길이 17.0 ㎜ 폭 2.5 ㎜
외과용 전극의 블레이드 부분을, 에탄올 (쥰세이 화학 (주) 제조 1 급) 에 침지시키고, 초음파를 10 분간 가함으로써 표면 상의 유분이나 오염을 제거하였다. 그 후, 블레이드 부분을 100 ℃ 에서 10 분 건조시켜 부착된 에탄올을 제거하였다.
(2) 표면 처리제의 조제
표면 처리제 (X) 로서, 이하의 표 1 에 기재된 S1 ∼ S7 을 사용하고, 고형분 질량 농도가 1.0 ％ 가 되도록 에탄올에 혼합한 용액을 조제하였다.
표면 처리제 (Y) 의 조제는, 표 2 ∼ 5 에 기재된 성분을, 표 6 에 기재된 비율이 되도록 혼합하여, 표면 처리제를 조제하였다. 또한, 표면 처리제 (Y) 의 점도는, 7.0 Pa·s 였다. 점도는, 25 ℃ 에서 진동식 점도계 (주식회사 세코닉사 제조, VM 시리즈) 를 사용하여 측정하였다.
표 6 에 있어서의 「실리콘 수지 (A)」와 「화합물 (B)」과 「실란 커플링제 (D)」의 질량％ 는, 그것들의 합계 질량에 대한 각 성분 질량의 비율을 각각 나타낸다. 또, 표 6 에 있어서의 방향족 탄화수소계 용제 (C) 의 질량％ 는, 표면 처리제의 총 질량에 대한 방향족 탄화수소계 용제 (C) 질량의 비율을 나타낸다. 그리고, 표 6 에 있어서의 (BM/AM) 는, 실리콘 수지 (A) 의 총 질량 (AM) 과 화합물 (B) 의 총 질량 (BM) 의 비를 나타낸다. 또, 표 6 에 있어서의 (DM/AM) 는, 실리콘 수지 (A) 의 총 질량 (AM) 과 실란 커플링제 (D) 의 총 질량 (DM) 의 비를 나타낸다.
Figure 112021010827218-pct00001
Figure 112021010827218-pct00002
Figure 112021010827218-pct00003
Figure 112021010827218-pct00004
Figure 112021010827218-pct00005
Figure 112021010827218-pct00006
(3) 표면 처리 피막을 갖는 선단부 (11) 의 제조
유분이나 오염을 제거한 블레이드 부분을 표면 처리제 (X) 에 침지하였다. 침지 후, 블레이드 부분을, 100 ℃ 에서 10 분 건조시킴으로써, 제 1 피막을 갖는 외과용 전극을 얻었다. 또한, S1 ∼ S4 를 사용하여 제 1 피막을 형성시킨 경우에는, 형광 X 선법으로 분석하고, Si 의 강도로부터 SiO2 로 환산한 질량을 산출하여, 단위 면적당 피막량을 구하였다. 또, S5 ∼ S7 을 사용하여 제 1 피막을 형성시킨 경우에는, 상기와 같이 제 1 피막을 형성시킨 소정 면적의 브레이트 부분에 있어서의 피막량을 계측하여, 단위 면적당 피막량을 구하였다.
다음으로 얻어진 제 1 피막을 갖는, 선단부 (11) 에 있어서의 평면부 (양면) 에, 표 7 에 나타내는 각종 표면 처리제 (Y) 를, 이하의 디스펜서를 사용하여, 도포하고, 그 후, 표 7 에 기재된 건조 온도에서 30 분 건조시켜, 소정 막두께 (표 7 참조) 의 제 2 피막을 갖는, 실시예 1 ∼ 47 및 비교예 1 ∼ 4 의 외과용 전극을 얻었다.
디스펜서 (탁상형 로봇) : 무사시 엔지니어링사 제조, 제품명 ; ML-808GX, SM4000MEGAX-3A-SS
(4) 평가 시험
실시예 1 ∼ 47 및 비교예 1 ∼ 4 의 외과용 전극을, 이하에 나타내는 전기 외과용 기구 본체와 전기적으로 접속시켰다. 그리고, 전기 외과용 기구 본체와 전기적으로 접속되어 있는 대극판을, 돼지 간을 넣은 스테인리스제의 용기에 첩부 (貼付) 하였다.
<전기 외과용 기구 본체 (고주파 장치 및 컨트롤 펜슬) ＞
고주파 장치 : 엑스캘리버 플러스 PC 의료용구 승인 번호 20700BZY01171
컨트롤 펜슬 : 재팬 메디칼넥스트사 제조 디스포저블 컨트롤 펜슬 의료 기기 승인 번호 : 20300BZY01003000
(4-1) 순수 절개 모드 (30 W) 에 의한 평가
전기 외과용 기구 본체를 순수 절개 모드 (출력 30 W) 로 작동시켜, 블레이드 부분을, 돼지 간 표면에 대해 45°의 각도로 수직 방향으로 삽입하고, 깊이 12 ㎜ 의 위치에서, 돼지 간 표면에 대해 평행하게 20 ㎜/s 의 속도로 60 ㎜ 이동시켜 절개하였다. 이 절개 작업을 2 회 반복하여, 블레이드 부분 중 돼지 간에 삽입시킨 부분을 평가 대상부로 하여, 이하의 밀착성과 내눌어붙음성을 평가하였다.
·밀착성
2 회의 절개 작업을 반복한 외과용 전극을 실온까지 식히고, 계속해서, 평가 대상부를, 가제를 개재하여 손가락 사이에 끼워 1 회 닦아내는 작업을 실시하였다. 그 후, 평가 대상부의 피막을 육안으로 관찰하여, 평가 기준에 따라서 밀착성을 평가하였다. 그 결과를 표 7 에 나타낸다.
S 평가 대상부에 대해 피막 박리 면적이 1 ％ 미만.
A 평가 대상부에 대해 피막 박리 면적이 1 ％ 이상 5 ％ 미만.
B 평가 대상부에 대해 피막 박리 면적이 5 ％ 이상 15 ％ 미만.
C 평가 대상부에 대해 피막 박리 면적이 15 ％ 이상.
·내눌어붙음성
2 회의 절개 작업을 반복한 외과용 전극을 실온까지 식히고, 평가 대상부를, 가제를 개재하여 손가락 사이에 끼워 1 회 닦아내는 작업을 실시하였다. 그리고 평가 대상부에 대해, 눌어붙어서 흑색으로 변화되어 있는 면적의 비율을 수치화하여, 평가 기준에 따라서 내눌어붙음성을 평가하였다. 그들의 결과를 표 7 에 나타낸다.
A 면적의 비율이 0 ％ 이상 5 ％ 미만.
B 면적의 비율이 5 ％ 이상 20 ％ 미만.
C 면적의 비율이 20 ％ 이상.
(4-2) 순수 절개 모드 (80 W) 에 의한 평가
전기 외과용 기구 본체에 있어서의 순수 절개 모드의 출력을 80 W 로 변경한 것 이외에는, 상기 (4-1) 과 동일하게 밀착성, 및 내눌어붙음성을 평가하였다. 결과를 표 7 에 나타낸다.
Figure 112021010827218-pct00007
또한, 본 발명에 대해서는, 구체적인 실시예를 참조하여 상세하게 설명되지만, 본 발명의 취지 및 범위로부터 멀어지지 않으면서, 여러 가지 변경, 개변을 실시할 수 있음은 당업자에게 있어서 분명하다.
10, 20, 30, 40, 60 : 외과용 전극
11, 21, 31, 41, 61 : 선단부
12 : 중간부
13, 23, 33, 43 : 전기적 접속부
14, 24, 34, 44 : 피복물

Claims (2)

  1. 생체 조직의 수술에 사용되는 전기 외과용 기구의 외과용 전극으로서,
    상기 외과용 전극은, 고주파를 방출할 수 있는 선단부를 갖고,
    상기 선단부는, 제 1 피막과 제 2 피막을 이 순서로 포함하는 표면 처리 피막을 갖고,
    상기 제 1 피막은, 표면 처리제 (X) 를, 적어도, 상기 선단부의 전부 또는 일부의 표면 또는 표면 상과 접촉시킴으로써 형성되고, 상기 표면 처리제 (X) 가, 적어도 아미노기를 갖는 화합물을 함유하고,
    상기 제 2 피막은, 표면 처리제 (Y) 를 상기 제 1 피막에 있어서의 전부 또는 일부의 표면과 접촉시킴으로써 형성되고, 상기 표면 처리제 (Y) 가, 실리콘 수지 (A) 와, 티탄, 백금, 로듐 및 팔라듐에서 선택되는 금속 원소를 함유하는 화합물 (B) 과, 방향족 탄화수소계 용제 (C) 를 함유하고,
    (I) 상기 실리콘 수지 (A) 의 함유량이, 당해 실리콘 수지 (A) 와 상기 화합물 (B) 의 전체 고형분 질량에 대해 90 질량％ 이상 99.9 질량％ 이하의 범위 내이고,
    (II) 상기 실리콘 수지 (A) 의 질량 (AM) 과 상기 화합물 (B) 의 질량 (BM) 의 비 (BM/AM) 가 0.001 이상 0.111 이하의 범위 내인, 외과용 전극.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 표면 처리제 (Y) 는, 추가로, 비닐기를 갖는 실란 커플링제 및/또는 에폭시기를 갖는 실란 커플링제를 함유하고, 상기 질량 (AM) 과, 비닐기를 갖는 실란 커플링제 및 에폭시기를 갖는 실란 커플링제의 총 질량 (DM) 의 비 (DM/AM) 가 0.005 이상 0.251 이하의 범위 내인, 외과용 전극.
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