KR102546282B1 - 초순수 공급 장치, 이를 포함하는 기판 처리 시스템 및 이를 이용한 기판 처리 방법 - Google Patents

초순수 공급 장치, 이를 포함하는 기판 처리 시스템 및 이를 이용한 기판 처리 방법 Download PDF

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김세윤
박주희
이지연
신철민
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Abstract

초순수를 생산하는 제1 공급 장치; 상기 제1 공급 장치와 구분되는 제2 공급 장치; 상기 제1 공급 장치 내의 유체의 일부를 상기 제2 공급 장치로 보내는 제1 예비 공급 장치; 및 상기 제2 공급 장치 내의 유체의 일부를 상기 제1 공급 장치로 보내는 제2 예비 공급 장치; 를 포함하고, 상기 제1 공급 장치는: 제1 전반 필터링부; 상기 제1 전반 필터링부를 통과한 유체를 필터링하는 제1 후반 필터링부; 및 상기 제1 전반 필터링부와 상기 제1 후반 필터링부 사이의 제1 연결부; 를 포함하며, 상기 제2 공급 장치는: 제2 전반 필터링부; 상기 제2 전반 필터링부를 통과한 유체를 필터링하는 제2 후반 필터링부; 및 상기 제2 전반 필터링부와 상기 제2 후반 필터링부 사이의 제2 연결부; 를 포함하되, 상기 제1 예비 공급 장치 및 상기 제2 예비 공급 장치의 각각은, 상기 제1 연결부와 상기 제2 연결부를 연결하는 초순수 공급 장치가 제공된다.

Description

초순수 공급 장치, 이를 포함하는 기판 처리 시스템 및 이를 이용한 기판 처리 방법{Apparatus for ultrapure water supply, semiconductor device manufacturing system including the same and semiconductor device manufacturing method using the same}
본 발명은 초순수 공급 장치, 이를 포함하는 기판 처리 시스템 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 초순수의 유량을 일정 레벨 이상으로 안정적으로 공급할 수 있는 초순수 공급 장치, 이를 포함하는 기판 처리 시스템 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자는 다양한 공정을 거쳐 제조될 수 있다. 예를 들어, 반도체 소자는 실리콘 등의 웨이퍼에 대한 포토 공정, 식각 공정, 증착 공정, 연마 공정 및 세정 공정 등을 거쳐 제조될 수 있다. 이러한 공정들에서 초순수(Ultrapure water, UPW)가 사용될 수 있다. 초순수는 전기전도도가 낮고, 불순물이 적은 물을 의미할 수 있다. 이러한 초순수는 별도의 과정을 거쳐 생산될 수 있다. 생산된 초순수는 기판 처리 장치에 일정 유량 이상이 공급되어야 할 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 2개 이상의 반도체 제조 공정 라인에 초순수를 안정적으로 공급할 수 있는 초순수 공급 장치, 이를 포함하는 기판 처리 시스템 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 일정한 품질의 초순수를 지속적으로 공급할 수 있는 초순수 공급 장치, 이를 포함하는 기판 처리 시스템 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 일부 장비의 고장에 대비할 수 있는 초순수 공급 장치, 이를 포함하는 기판 처리 시스템 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 초순수 공급 장치는 초순수를 생산하는 제1 공급 장치; 상기 제1 공급 장치와 구분되는 제2 공급 장치; 상기 제1 공급 장치 내의 유체의 일부를 상기 제2 공급 장치로 보내는 제1 예비 공급 장치; 및 상기 제2 공급 장치 내의 유체의 일부를 상기 제1 공급 장치로 보내는 제2 예비 공급 장치; 를 포함하고, 상기 제1 공급 장치는: 제1 전반 필터링부; 상기 제1 전반 필터링부를 통과한 유체를 필터링하는 제1 후반 필터링부; 및 상기 제1 전반 필터링부와 상기 제1 후반 필터링부 사이의 제1 연결부; 를 포함하며, 상기 제2 공급 장치는: 제2 전반 필터링부; 상기 제2 전반 필터링부를 통과한 유체를 필터링하는 제2 후반 필터링부; 및 상기 제2 전반 필터링부와 상기 제2 후반 필터링부 사이의 제2 연결부; 를 포함하되, 상기 제1 예비 공급 장치 및 상기 제2 예비 공급 장치의 각각은, 상기 제1 연결부와 상기 제2 연결부를 연결할 수 있다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 시스템은 기판에 대한 처리를 수행하는 제1 라인; 상기 제1 라인으로부터 이격되는 제2 라인; 상기 제1 라인에 초순수를 공급하는 제1 공급 장치; 상기 제2 라인에 초순수를 공급하는 제2 공급 장치; 및 상기 제1 공급 장치와 상기 제2 공급 장치를 연결하는 예비 공급 장치; 를 포함하되, 상기 제1 공급 장치는: 제1 전반 필터링부; 및 상기 제1 전반 필터링부를 통과한 유체를 상기 제1 라인으로 보내는 제1 연결부; 를 포함하며, 상기 제2 공급 장치는: 제2 전반 필터링부; 및 상기 제2 전반 필터링부를 통과한 유체를 상기 제2 라인으로 보내는 제2 연결부; 를 포함하되, 상기 예비 공급 장치의 일단은 상기 제1 연결부에 연결되고, 상기 예비 공급 장치의 타단은 상기 제2 연결부에 연결될 수 있다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 제1 라인에 초순수를 공급하는 것; 공급된 초순수를 이용해 상기 제1 라인 상의 기판을 처리하는 것; 제2 라인에 초순수를 공급하는 것; 및 공급된 초순수를 이용해 상기 제2 라인 상의 기판을 처리하는 것; 을 포함하되, 상기 제1 라인에 초순수를 공급하는 것은, 제1 공급 장치로부터 상기 제1 라인으로 초순수를 공급하는 것을 포함하고, 상기 제2 라인에 초순수를 공급하는 것은: 제2 공급 장치로부터 상기 제2 라인으로 초순수를 공급하는 것; 상기 제2 라인에 공급되는 초순수의 유량을 모니터링하는 것; 및 상기 제2 라인에 공급되는 초순수의 유량에 따라, 상기 제1 공급 장치로부터 상기 제2 라인으로 초순수를 공급하는 것; 을 포함할 수 있다.
기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 초순수 공급 장치, 이를 포함하는 기판 처리 시스템 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 따르면, 2개 이상의 반도체 제조 공정 라인에 초순수를 안정적으로 공급할 수 있다.
본 발명의 초순수 공급 장치, 이를 포함하는 기판 처리 시스템 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 따르면, 일정한 품질의 초순수를 지속적으로 공급할 수 있다.
본 발명의 초순수 공급 장치, 이를 포함하는 기판 처리 시스템 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 따르면, 일부 장비의 고장에 대비할 수 있다.
본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 시스템을 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 시스템 중 제1 전반 필터링부를 확대하여 나타낸 도면이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 시스템 중 제1 연결부 및 제1 후반 필터링부를 확대하여 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3의 제1 연결부의 일부를 확대하여 나타낸 도면이다.
도 5는 제1 예비 공급 장치를 확대하여 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 시스템의 기판 처리 챔버의 일 예를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 시스템의 기판 처리 챔버의 일 예를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 순서도이다.
도 9 내지 도 13은 도 8의 순서도에 따른 기판 처리 방법을 순차적으로 나타낸 도면들이다.
도 14는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 시스템을 나타낸 도면이다.
도 15는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 시스템을 나타낸 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들에 대하여 설명한다. 명세서 전문에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 시스템을 나타낸 도면이다.
도 1을 참고하면, 기판 처리 시스템(ST)이 제공될 수 있다. 기판 처리 시스템(ST)은, 기판에 대한 공정을 수행하는 시스템일 수 있다. 기판은 웨이퍼 형태의 실리콘(Si) 기판을 포함할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 기판 처리 시스템(ST)은 기판에 대한 다양한 공정을 수행할 수 있다. 예를 들어, 기판 처리 시스템(ST)은, 기판에 대한 연마 공정, 세정 공정 및/또는 식각 공정 등을 수행할 수 있다. 이러한 공정에서, 기판에 초순수(Ultrapure Water, UPW)가 공급되어야 할 수 있다. 이를 위해, 기판 처리 시스템(ST)은 제1 라인(L1), 제2 라인(L2), 초순수 공급 장치(A) 및 제어부(C)를 포함할 수 있다.
제1 라인(L1) 및 제2 라인(L2)의 각각은 기판에 대한 다양한 공정을 수행할 수 있다. 이를 위해, 제1 라인(L1) 및 제2 라인(L2)의 각각은 복수 개의 기판 처리 챔버(CH)를 포함할 수 있다. 복수 개의 기판 처리 챔버(CH)의 각각은, 기판 연마 장치, 기판 세정 장치 및/또는 식각 장치 중 하나일 수 있다. 제1 라인(L1)은 제2 라인(L2)으로부터 이격될 수 있다. 예를 들어, 제1 라인(L1)과 제2 라인(L2)은 서로 다른 층(floor)에 위치할 수 있다.
초순수 공급 장치(A)는, 제1 라인(L1) 및/또는 제2 라인(L2)에 초순수를 공급할 수 있다. 보다 구체적으로, 초순수 공급 장치(A)는 일반 물로부터 초순수를 생산하여, 제1 라인(L1) 및/또는 제2 라인(L2)에 공급할 수 있다. 이를 위해, 초순수 공급 장치(A)는 제1 공급 장치(1), 제2 공급 장치(3), 제1 예비 공급 장치(5) 및 제2 예비 공급 장치(7)를 포함할 수 있다.
제1 공급 장치(1)는 초순수를 생산 및 공급할 수 있다. 예를 들어, 제1 공급 장치(1)는 제1 라인(L1)에 초순수를 공급할 수 있다. 또한, 제1 공급 장치(1)는 경우에 따라 제2 라인(L2)에 초순수를 공급할 수도 있다. 이를 위해 제1 공급 장치(1)는 제1 전반 필터링부(11), 제1 후반 필터링부(15) 및 제1 연결부(13)를 포함할 수 있다.
제1 전반 필터링부(11)는 일반 물을 공급받아, 이를 필터링할 수 있다. 이를 위해, 제1 전반 필터링부(11)는 여러 종류의 필터링 장치를 포함할 수 있다. 일반 물은 제1 전반 필터링부(11)를 통과하며, DIW(De-ionized Water)가 될 수 있다. 제1 전반 필터링부(11)를 통과한 유체는 제1 연결부(13)로 이동할 수 있다.
제1 후반 필터링부(15)는 제1 전반 필터링부(11)에 연결될 수 있다. 제1 후반 필터링부(15)는 제1 전반 필터링부(11)를 통과한 유체를 다시 필터링할 수 있다. 이를 위해, 제1 후반 필터링부(15)는 필터링 장치를 포함할 수 있다. 제1 후반 필터링부(15)를 통과한 유체는 초순수가 되어, 제1 라인(L1) 등에 공급될 수 있다.
제1 연결부(13)는 제1 전반 필터링부(11)와 제1 후반 필터링부(15) 사이에 위치할 수 있다. 즉, 제1 전반 필터링부(11), 제1 연결부(13) 및 제1 후반 필터링부(15)는 서로 직렬로 연결될 수 있다. 제1 연결부(13)는, 제1 전반 필터링부(11)를 통과한 유체의 일부를 제1 후반 필터링부(15)로 보낼 수 있다. 제1 연결부(13)는 제1 예비 공급 장치(5) 및 제2 예비 공급 장치(7)에 연결될 수 있다. 제1 연결부(13)는, 제1 전반 필터링부(11)를 통과한 유체의 다른 일부를 제1 예비 공급 장치(5)로 보낼 수 있다.
제1 공급 장치(1)에 대한 보다 상세한 내용은 후술하도록 한다.
제2 공급 장치(3)는 제1 공급 장치(1)와 구분될 수 있다. 즉, 제2 공급 장치(3)는 제1 공급 장치(1)와는 독립된 별개의 공급 장치일 수 있다. 제2 공급 장치(3)는 초순수를 생산 및 공급할 수 있다. 예를 들어, 제2 공급 장치(3)는 제2 라인(L2)에 초순수를 공급할 수 있다. 또한, 제2 공급 장치(3)는 경우에 따라 제1 라인(L1)에 초순수를 공급할 수도 있다. 이를 위해 제2 공급 장치(3)는 제2 전반 필터링부(31), 제2 후반 필터링부(35) 및 제2 연결부(33)를 포함할 수 있다.
제2 전반 필터링부(31)는 일반 물을 공급받아, 이를 필터링할 수 있다. 이를 위해, 제2 전반 필터링부(31)는 여러 종류의 필터링 장치를 포함할 수 있다. 일반 물은 제2 전반 필터링부(31)를 통과하며, DIW(De-ionized Water)가 될 수 있다. 제2 전반 필터링부(31)를 통과한 유체는 제2 연결부(33)로 이동할 수 있다.
제2 후반 필터링부(35)는 제2 전반 필터링부(31)에 연결될 수 있다. 제2 후반 필터링부(35)는 제2 전반 필터링부(31)를 통과한 유체를 다시 필터링할 수 있다. 이를 위해, 제2 후반 필터링부(35)는 필터링 장치를 포함할 수 있다. 제2 후반 필터링부(35)를 통과한 유체는 초순수가 되어, 제2 라인(L2) 등에 공급될 수 있다.
제2 연결부(33)는 제2 전반 필터링부(31)와 제2 후반 필터링부(35) 사이에 위치할 수 있다. 즉, 제2 전반 필터링부(31), 제2 연결부(33) 및 제2 후반 필터링부(35)는 서로 직렬로 연결될 수 있다. 제2 연결부(33)는, 제2 전반 필터링부(31)를 통과한 유체의 일부를 제2 후반 필터링부(35)로 보낼 수 있다. 제2 연결부(33)는 제1 예비 공급 장치(5) 및 제2 예비 공급 장치(7)에 연결될 수 있다. 제2 연결부(33)는, 제2 전반 필터링부(31)를 통과한 유체의 다른 일부를 제2 예비 공급 장치(7)로 보낼 수 있다.
제1 예비 공급 장치(5)는 제1 공급 장치(1)와 제2 공급 장치(3)를 연결할 수 있다. 예를 들어, 제1 예비 공급 장치(5)는 제1 연결부(13)와 제2 연결부(33)를 연결할 수 있다. 제1 전반 필터링부(11)를 통과한 유체의 일부는, 제1 예비 공급 장치(5)를 통해 제2 라인(L2)으로 공급될 수 있다. 이를 위해, 제1 예비 공급 장치(5)는 제1 예비 배관(51) 및 제1 예비 바이패스 장치(5a)를 포함할 수 있다. 이에 대한 상세한 내용은 후술하도록 한다.
제2 예비 공급 장치(7)는 제2 공급 장치(3)와 제1 공급 장치(1)를 연결할 수 있다. 예를 들어, 제2 예비 공급 장치(7)는 제2 연결부(33)와 제1 연결부(13)를 연결할 수 있다. 제2 전반 필터링부(31)를 통과한 유체의 일부는, 제2 예비 공급 장치(7)를 통해 제1 라인(L1)으로 공급될 수 있다. 이를 위해, 제2 예비 공급 장치(7)는 제2 예비 배관(71) 및 제2 예비 바이패스 장치(7a)를 포함할 수 있다. 이에 대한 상세한 내용은 후술하도록 한다.
제어부(C)는 초순수 공급 장치(A)를 제어할 수 있다. 예를 들어, 제어부(C)는 제1 연결부(13) 및/또는 제2 연결부(33)로부터 신호를 받아, 제1 예비 공급 장치(5) 및/또는 제2 예비 공급 장치(7)를 제어할 수 있다. 보다 구체적으로, 제2 연결부(33)로부터 제2 후반 필터링부(35)에 공급되는 유체의 유량이 부족하다는 신호가 발생한 경우, 제어부(C)는 제1 예비 공급 장치(5)를 제어하여, 제1 전반 필터링부(11)에서 나온 유체의 일부를 제2 라인(L2)으로 보낼 수 있다. 이에 대한 상세한 내용은 후술하도록 한다.
도 2는 도 1의 기판 처리 시스템 중 제1 전반 필터링부를 확대하여 나타낸 도면이다.
도 2를 참고하면, 제1 전반 필터링부(11)는 복수 개의 필터링 장치를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 전반 필터링부(11)는 제1 필터링 장치(113), 제2 필터링 장치(115) 및 제3 필터링 장치(117)를 포함할 수 있다. 제1 필터링 장치(113), 제2 필터링 장치(115) 및 제3 필터링 장치(117)의 각각은, 활성탄 여과 장치, 이온교환수지 장치, 역삼투막 장치 또는 중공사막 장치 중 하나를 포함할 수 있다. 복수 개의 필터링 장치는 서로 직렬로 연결될 수 있다. 복수 개의 필터링 장치는 제1 전반 필터링 배관(111)에 의해 연결될 수 있다. 복수 개의 필터링 장치의 사이에 버퍼 탱크가 제공될 수 있다. 예를 들어, 제1 필터링 장치(113)의 앞에 제1 탱크(T1)가 위치할 수 있다. 제1 필터링 장치(113)와 제2 필터링 장치(115) 사이에 제2 탱크(T2)가 위치할 수 있다. 제2 필터링 장치(115)와 제3 필터링 장치(117) 사이에 제3 탱크(T3)가 위치할 수 있다. 제3 필터링 장치(117)의 뒤에 제4 탱크(T4)가 위치할 수 있다.
외부에서 공급되는 일반 물은, 복수 개의 필터링 장치를 차례로 거치며 필터링될 수 있다. 예를 들어, 복수 개의 필터링 장치를 통과한 유체는 DIW가 될 수 있다.
도 3은 도 1의 기판 처리 시스템 중 제1 연결부 및 제1 후반 필터링부를 확대하여 나타낸 도면이다.
도 3을 참고하면, 제1 연결부(13)는 제1 연결 배관(131), 제1 연결 바이패스 장치(13a), 제1 연결 밸브(135) 및 제1 유량계(133)를 포함할 수 있다.
제1 연결 배관(131)은 제1 전반 필터링부(11, 도 2 참고)와 제1 후반 필터링부(15)를 연결할 수 있다.
제1 연결 바이패스 장치(13a)는 제1 연결 배관(131) 결합될 수 있다. 제1 연결 바이패스 장치(13a)는, 제1 연결 배관(131)을 우회하는 경로를 제공할 수 있다. 이에 따라, 일부 장치의 고장에 대비할 수 있다. 또는, 제1 연결 바이패스 장치(13a)는 플러싱을 위해 사용될 수도 있다. 이에 대한 상세한 내용은 후술하도록 한다.
제1 연결 밸브(135)는 제1 연결 배관(131) 상에 위치할 수 있다. 제1 연결 밸브(135)는 제1 연결 배관(131) 내의 유체의 유량을 제어할 수 있다. 제1 연결 밸브(135)는 수위 조절 밸브(Level Control Valve, LCV)를 포함할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
제1 유량계(133)는 제1 연결 배관(131) 상에 위치할 수 있다. 제1 유량계(133)는 제1 연결 밸브(135)에 인접하게 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 유량계(133)는 제1 연결 밸브(135)의 앞에 위치할 수 있다. 제1 유량계(133)는 제1 연결 배관(131) 내 흐르는 유체의 유량을 감지할 수 있다. 이를 위해, 제1 유량계(133)는 MFC(Mass Flow Meter)를 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니고, 제1 유량계(133)는 유체의 유량을 측정할 수 있는 다른 다양한 장비를 포함할 수도 있다. 제1 유량계(133)는 제1 연결 배관(131) 내 흐르는 유체의 유량에 대한 정보를, 제어부(C, 도 1 참고)로 전송할 수 있다.
제1 후반 필터링부(15)는 제1 후반 필터링 배관(151), 제1 후반 필터링 장치(153) 및 제5 탱크(T5)를 포함할 수 있다. 제1 후반 필터링 배관(151)은, 제1 연결 배관(131)에 연결될 수 있다. 제1 후반 필터링 장치(153)는 제1 후반 필터링 배관(151) 상에 위치할 수 있다. 제1 후반 필터링 장치(153)는, 유체를 필터링하기 위한 장치를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 후반 필터링 장치(153)는 활성탄 여과 장치, 이온교환수지 장치, 역삼투막 장치 또는 중공사막 장치 중 하나를 포함할 수 있다. 제5 탱크(T5)는 제1 후반 필터링 장치(153)의 뒤에 위치할 수 있다. 제1 후반 필터링부(15)를 통과한 유체는, 초순수가 될 수 있다. 초순수는 제1 라인(L1, 도 1 참고)으로 공급될 수 있다.
도 4는 도 3의 제1 연결부의 일부를 확대하여 나타낸 도면이다.
도 4를 참고하면, 제1 연결 바이패스 장치(13a)는 제1 밸브(137), 제1 연결 바이패스 배관(139), 제1 연결 바이패스 밸브(132) 및 제1 연결 차단 밸브(134, 136)를 포함할 수 있다.
제1 밸브(137)는 제1 연결 배관(134) 상에 위치할 수 있다. 제1 밸브(137)의 제어에 의해, 제1 연결 배관(134) 내 흐르는 유체의 유량을 제어할 수 있다. 제1 밸브(137)는 자동 밸브를 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 밸브(137)는 제어부(C, 도 1 참고)에 의해 자동으로 개폐될 수 있다.
제1 연결 바이패스 배관(139)은 제1 연결 배관(134)에 연결될 수 있다. 제1 연결 바이패스 배관(139)은 제1 밸브(137)를 우회할 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 연결 바이패스 배관(139)의 일단은 제1 밸브(137)의 앞에서 제1 연결 배관(134)에 연결되고, 제1 연결 바이패스 배관(139)의 타단은 제1 밸브(137)의 뒤에서 제1 연결 배관(134)에 연결될 수 있다.
제1 연결 바이패스 밸브(132)는 제1 연결 바이패스 배관(139) 상에 위치할 수 있다. 제1 연결 바이패스 밸브(132)는 수동 밸브를 포함할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
제1 연결 차단 밸브(134, 136)는 제1 연결 배관(134) 상에 위치할 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 연결 차단 밸브(134, 136)는 제1 밸브(137)와 제1 연결 바이패스 배관(139) 사이에서, 제1 연결 배관(134) 상에 결합될 수 있다. 제1 연결 차단 밸브(134, 136)는 2개가 제공될 수 있다. 2개의 제1 연결 차단 밸브(134, 136) 중 하나는 제1 밸브(137)의 의 앞에 위치하고, 다른 하나는 제1 밸브(137)의 뒤에 위치할 수 있다. 제1 연결 차단 밸브(134, 136)를 차단하면, 제1 밸브(137)로 유체가 이동하지 못할 수 있다. 이때 제1 연결 바이패스 밸브(132)를 개방하면, 유체는 제1 연결 바이패스 배관(139)을 통해 이동할 수 있다. 제1 밸브(137)에 이상이 생긴 경우, 제1 연결 차단 밸브(134, 136)를 차단하고 제1 연결 바이패스 밸브(132)를 개방하여, 유체를 제1 연결 바이패스 배관(139)으로 우회시킬 수 있다. 유체를 우회 이동시키는 도중에, 제1 밸브(137)를 수리할 수 있다.
도 5는 제1 예비 공급 장치를 확대하여 나타낸 도면이다.
도 5, 도 3 및 도 1을 참고하면, 제1 예비 배관(51)의 일단은 제1 연결 배관(131)에 연결될 수 있다. 또한, 제1 예비 배관(51)의 타단은 제2 연결부(33)의 제2 연결 배관(미부호)에 연결될 수 있다.
도 5를 참고하면, 제1 예비 바이패스 장치(5a)는 제1 예비 밸브(57), 제1 바이패스 배관(59), 제1 바이패스 밸브(52), 제1 차단 밸브(54, 56), 제1 비저항계(53) 및 제1 압력센서(55)를 포함할 수 있다.
제1 예비 밸브(57)는 제1 예비 배관(51) 상에 위치할 수 있다. 제1 예비 밸브(57)의 제어에 의해, 제1 예비 배관(51) 내 흐르는 유체의 유량을 제어할 수 있다. 제1 예비 밸브(57)는 자동 밸브를 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 예비 밸브(57)는 제어부(C, 도 1 참고)에 의해 자동으로 개폐될 수 있다.
제1 바이패스 배관(59)은 제1 예비 배관(51)에 연결될 수 있다. 제1 바이패스 배관(59)은 제1 예비 밸브(57)를 우회할 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 바이패스 배관(59)의 일단은 제1 예비 밸브(57)의 앞에서 제1 예비 배관(51)에 연결되고, 제1 바이패스 배관(59)의 타단은 제1 예비 밸브(57)의 뒤에서 제1 예비 배관(51)에 연결될 수 있다.
제1 바이패스 밸브(52)는 제1 바이패스 배관(59) 상에 위치할 수 있다. 제1 바이패스 밸브(52)는 수동 밸브를 포함할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
제1 차단 밸브(54, 56)는 제1 예비 배관(51) 상에 위치할 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 차단 밸브(54, 56)는 제1 예비 밸브(57)와 제1 바이패스 배관(59) 사이에서, 제1 예비 배관(51) 상에 결합될 수 있다. 제1 차단 밸브(54, 56)는 2개가 제공될 수 있다. 2개의 제1 차단 밸브(54, 56) 중 하나는 제1 예비 밸브(57)의 의 앞에 위치하고, 다른 하나는 제1 예비 밸브(57)의 뒤에 위치할 수 있다. 제1 차단 밸브(54, 56)를 차단하면, 제1 예비 밸브(57)로 유체가 이동하지 못할 수 있다. 이때 제1 바이패스 밸브(52)를 개방하면, 유체는 제1 바이패스 배관(59)을 통해 이동할 수 있다.
제1 비저항계(53)는 제1 예비 배관(51) 상에 위치할 수 있다. 제1 비저항계(53)는, 제1 예비 배관(51) 내 흐르는 유체의 비저항을 측정할 수 있다. 유체의 비저항을 측정하면, 초순수의 품질을 파악할 수 있다. 즉, 제1 비저항계(53)는 유체의 품질을 감지할 수 있다. 제1 비저항계(53)가 측정한 비저항에 대한 정보는 제어부(C, 도 1 참고)로 전송될 수 있다.
제1 압력센서(55)는 제1 예비 배관(51) 상에 위치할 수 있다. 제1 압력센서(55)는, 제1 예비 배관(51) 내 흐르는 유체의 압력을 측정할 수 있다. 이를 위해 제1 압력 센서(55)는 마노미터(manometer), 바로미터(barometer) 등의 1차 압력계, 부르동관 압력계 등의 2차 압력계 및 압력 전송기(pressure transmitter) 등을 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 제1 압력 센서(55)는 제1 예비 배관(51) 내의 유체의 압력을 측정 및 전송할 수 있는 다른 구성을 포함할 수도 있다. 제1 압력센서(55)는 제1 예비 배관(51) 내의 유체의 압력이 대기압보다 낮아질 경우, 제어부(C)에 이상 신호를 전송할 수 있다. 이 경우, 제1 예비 배관(51) 내의 유체의 압력이 다시 상승하도록 조치가 취해질 수 있다. 이에 대한 상세한 내용은 후술하도록 한다.
도 6은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 시스템의 기판 처리 챔버의 일 예를 나타낸 도면이다.
도 6을 참고하면, 기판 처리 챔버(CH)는 기판 세정 장치를 포함할 수 있다. 이 경우, 기판 처리 챔버(CH)는 세정 챔버(41), 세정 스테이지(43), 회전 구동 장치(45), 세정 노즐(N1) 및 세정 보울(47) 등을 포함할 수 있다.
세정 챔버(41)는 세정 공간(4h)을 제공할 수 있다. 세정 챔버(41) 내에서, 기판(W)에 대한 세정 작업이 수행될 수 있다.
세정 스테이지(43)는 세정 챔버(41) 내에 위치할 수 있다. 세정 스테이지(43)는 기판(W)을 지지할 수 있다.
회전 구동 장치(45)는 세정 스테이지(43)를 회전시킬 수 있다. 이에 따라, 세정 스테이지(43) 상의 기판(W)이 회전할 수 있다.
세정 노즐(N1)은 세정 스테이지(43)로부터 위로 이격 배치될 수 있다. 세정 노즐(N1)은 초순수 공급 장치(A)에 연결될 수 있다. 초순수 공급 장치(A)로부터 세정 노즐(N1)로 초순수가 공급되어, 기판(W) 상으로 분사될 수 있다. 세정 노즐(N1)에 의해 분사된 초순수에 의해, 세정 스테이지(43) 상의 기판(W)이 세정될 수 있다. 이때, 기판(W)은 세정 스테이지(43)에 의해 회전할 수 있다. 회전하는 기판(W)의 상면에 닿은 초순수는 외측으로 밀려날 수 있다.
세정 보울(47)는 세정 스테이지(43)를 둘러쌀 수 있다. 세정 보울(47)은 기판(W)의 상면에서 밀려나는 초순수를 포집할 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 시스템의 기판 처리 챔버의 일 예를 나타낸 도면이다.
도 7을 참고하면, 기판 처리 챔버(CH)는 기판 연마 장치를 포함할 수 있다. 이 경우, 기판 처리 챔버(CH)는 연마 헤드(61), 연마 스테이지(63), 연마 패드(65), 컨디셔닝 디스크(67), 헤드 구동부(HD), 컨디셔닝 구동부(CD), 슬러리 공급부(SLS) 및 연마 노즐(N2)을 포함할 수 있다.
연마 헤드(61)는 기판(W)을 지지할 수 있다. 연마 헤드(61)에 의해 지지된 기판(W)은, 연마 패드(65)에 의해 연마될 수 있다. 연마 스테이지(63)는 연마 패드(65)를 회전시킬 수 있다. 연마 패드(65)는 기판(W)과 접하여, 기판(W)의 일면을 연마할 수 있다. 컨디셔닝 디스크(67)는 연마 패드(65)의 상면의 상태를 개선할 수 있다. 예를 들어, 컨디셔닝 디스크(67)는 연마 패드(65)의 상면을 연마할 수 있다. 헤드 구동부(HD)는 연마 헤드(61)를 회전 및/또는 평행이동시킬 수 있다. 컨디셔닝 구동부(CD)는 컨디셔닝 디스크(67)를 이동시킬 수 있다. 슬러리 공급부(SLS)는 연마 노즐(N2)에 슬러리를 공급할 수 있다. 연마 노즐(N2)은 슬러리 공급부(SLS) 및 초순수 공급 장치(A)에 연결될 수 있다. 초순수 공급 장치(A)는 연마 노즐(N2)에 초순수를 공급할 수 있다. 연마 노즐(N2)은 슬러리 공급부(SLS)에서 공급된 슬러리와, 초순수 공급 장치(A)에서 공급된 초순수를 혼합하여, 연마 패드(65) 상에 분사할 수 있다.
이상에서, 도 6 및 도 7을 참고하여 기판 처리 챔버(CH)가 기판 세정 장치 및 기판 연마 장치인 것으로 도시하였으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 즉, 기판 처리 챔버(CH)는 초순수를 사용해 기판에 대한 처리 공정을 진행하는 다른 장비를 포함할 수도 있다.
도 8은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 순서도이다.
도 8을 참고하면, 기판 처리 방법(S)이 제공될 수 있다. 기판 처리 방법(S)은 도 1 내지 도 7을 참고하여 설명한 기판 처리 시스템(ST)을 이용해 기판을 처리하는 방법일 수 있다. 기판 처리 방법(S)은, 제1 라인에 초순수를 공급하는 것(S1), 제1 라인 상의 기판을 처리하는 것(S2), 제2 라인에 초순수를 공급하는 것(S3) 및 제2 라인 상의 기판을 처리하는 것(S4)을 포함할 수 있다.
제1 라인에 초순수를 공급하는 것(S1)은, 제1 공급 장치로부터 제1 라인으로 초순수를 공급하는 것(S11), 제1 라인에 공급되는 초순수의 유량을 모니터링하는 것(S12) 및 제2 공급 장치로부터 제1 라인으로 초순수를 공급하는 것(S13)을 포함할 수 있다.
제2 라인에 초순수를 공급하는 것(S3)은, 제2 공급 장치로부터 제2 라인으로 초순수를 공급하는 것(S31), 제2 라인에 공급되는 초순수의 유량을 모니터링하는 것(S32) 및 제1 공급 장치로부터 제2 라인으로 초순수를 공급하는 것(S33)을 포함할 수 있다.
이상에서, 도 8의 각 단계가 순차적으로 진행되는 것으로 도시하였으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 즉, 도 8의 각 단계는 서로 동시에 수행될 수도 있고, 혹은 수행 순서가 바뀔 수도 있다.
이하에서, 도 9 내지 도 13을 참고하여 도 8의 기판 처리 방법(S)을 상세히 설명하도록 한다.
도 9 내지 도 13은 도 8의 순서도에 따른 기판 처리 방법을 순차적으로 나타낸 도면들이다.
도 9, 도 10, 도 11 및 도 8을 참고하면, 제1 공급 장치로부터 제1 라인으로 초순수를 공급하는 것(S11)은, 제1 전반 필터링부(11)를 통과한 제1 유체(UPW1)가 제1 연결부(13) 및 제1 후반 필터링부(15)를 차례로 거쳐, 제1 라인(L1)에 공급되는 것을 포함할 수 있다. 제1 유체(UPW1)는 제1 후반 필터링부(15)를 거쳐, 초순수가 될 수 있다.
제1 라인에 공급되는 초순수의 유량을 모니터링하는 것(S12)은, 제1 연결부(13)의 제1 유량계(135, 도 3 참고)가 제1 연결 배관(131) 내의 유체의 유량을 측정하는 것을 포함할 수 있다. 제1 연결 배관(131) 내의 유체의 유량에 대한 정보는 제어부(C)로 전송될 수 있다. 제어부(C)는 제1 연결 배관(131) 내의 유체의 유량이 일정 수치 이상인 경우, 이를 정상 작동 상태라고 판단할 수 있다.
도 11을 참고하면, 정상 작동 상태에서, 제1 예비 밸브(57)는 폐쇄될 수 있다. 따라서 제1 예비 밸브(57)를 통과하는 유체는 없을 수 있다. 반면, 정상 작동 상태에서, 제1 바이패스 밸브(52)는 일부 개방될 수 있다. 따라서, 제1 전반 필터링부(11, 도 10 참고)를 통과한 제1 유체(UPW1, 도 10 참고)의 일부(UPW1x)는, 제1 예비 공급 장치(5)를 통해 제2 공급 장치(3)로 이동할 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 유체(UPW1)의 일부(UPW1x)는 제1 바이패스 배관(59)을 따라 이동하여 제1 바이패스 밸브(52)를 통과한 뒤, 제2 예비 공급 장치(7)로 이동할 수 있다. 즉, 제1 공급 장치로부터 제2 라인으로 초순수를 공급하는 것(S33)은, 정상 작동 상태에서도 수행될 수 있다. 이때 제1 유체(UPW1)의 일부(UPW1x)의 유량은 상대적으로 작을 수 있다.
제2 공급 장치로부터 제2 라인으로 초순수를 공급하는 것(S31)은, 제1 공급 장치로부터 제1 라인으로 초순수를 공급하는 것(S11)과 유사할 수 있다. 즉, 제2 전반 필터링부(31)를 통과한 제2 유체(UPW2)가 제2 연결부(33) 및 제2 후반 필터링부(35)를 차례로 거쳐, 제2 라인(L2)에 공급될 수 있다.
제2 라인에 공급되는 초순수의 유량을 모니터링하는 것(S32)은, 제1 라인에 공급되는 초순수의 유량을 모니터링하는 것(S12)과 유사할 수 있다.
제2 공급 장치로부터 제1 라인으로 초순수를 공급하는 것(S13)은, 제1 공급 장치로부터 제2 라인으로 초순수를 공급하는 것(S33)과 유사할 수 있다. 즉, 정상 작동 상태에서, 제2 전반 필터링부(31, 도 10 참고)를 통과한 제2 유체(UPW2, 도 10 참고)의 일부(UPW2x)는, 제2 예비 공급 장치(7)를 통해 제1 공급 장치(1)로 이동할 수 있다. 즉, 제2 공급 장치로부터 제1 라인으로 초순수를 공급하는 것(S13)은, 정상 작동 상태에서도 수행될 수 있다. 이때 제2 유체(UPW2)의 일부(UPW2x)의 유량은 상대적으로 작을 수 있다.
제어부(C)는 제1 연결 배관(131) 내의 유체의 유량이 일정 수치 이하인 경우, 이를 이상 작동 상태라고 판단할 수 있다.
도 12 및 도 13을 참고하면, 이상 작동 상태에서, 제1 예비 밸브(57)는 개방될 수 있다. 따라서 유체가 제1 예비 밸브(57)를 통과할 수 있다. 이상 작동 상태에서, 제1 바이패스 밸브(52)는 여전히 일부가 개방될 수 있다. 따라서, 제1 전반 필터링부(11, 도 10 참고)를 통과한 제1 유체(UPW1, 도 10 참고)의 일부(UPW1y)는, 제1 예비 공급 장치(5)를 통해 제2 공급 장치(3)로 이동할 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 유체(UPW1)의 일부(UPW1y)는 제1 예비 배관(51)을 따라 이동하여 제1 예비 밸브(57)를 통과한 뒤, 제2 예비 공급 장치(7)로 이동할 수 있다. 즉, 제1 공급 장치로부터 제2 라인으로 초순수를 공급하는 것(S33)은, 이상 작동 상태에서도 수행될 수 있다. 이때 제1 예비 밸브(57)가 개방되어 있으므로, 제1 유체(UPW1)의 일부(UPW1y)의 유량은 상대적으로 클 수 있다.
제2 연결부(33) 내의 유체의 유량이 일정 수치 이하인 경우에도, 이와 유사할 수 있다.
전술한 바와 같이, 제2 공급 장치로부터 제1 라인으로 초순수를 공급하는 것(S13)은, 제1 라인(L1)으로 공급되는 유량에 따라 다르게 수행될 수 있다. 또한, 제1 공급 장치로부터 제2 라인으로 초순수를 공급하는 것(S33)은, 제2 라인(L2)에 공급되는 유량에 따라 다르게 수행될 수 있다. 이에 따라, 어느 한 개의 공급 장치에 이상이 생긴 경우, 이상이 생긴 공급 장치에 연결된 라인은 2개의 공급 장치 모두로부터 충분한 유량의 초순수를 공급받을 수 있다.
실시 예들에서, 제1 공급 장치로부터 제2 라인으로 초순수를 공급하는 것(S33)은, 제1 예비 밸브(57)의 개방 시간이 일정 시간을 도과하면, 제2 라인(L2)에 공급되는 초순수의 유량에 관계 없이, 제1 예비 밸브(57)를 폐쇄하는 것을 더 포함할 수 있다. 이에 따라, 제1 라인(L1)에 공급되는 초순수가 부족해지는 것을 방지할 수 있다.
실시 예들에서, 제1 공급 장치로부터 제2 라인으로 초순수를 공급하는 것(S33)은, 이상 작동 상태에서 제1 예비 밸브(57)에 이상이 발생한 경우, 제1 예비 밸브(57)는 폐쇄하고 제1 바이패스 밸브(52)는 완전히 개방하는 것을 더 포함할 수 있다. 즉, 이상 작동 상태가 감지되어 제1 공급 장치(1)로부터 제2 라인(L2)으로 유체를 공급하여야 하나, 제1 예비 밸브(57)가 고장난 경우, 제1 바이패스 밸브(52)를 완전히 개방하여, 제1 바이패스 배관(59)을 통해 제2 라인(L2)으로 충분한 유량의 유체를 보낼 수 있다. 그 동안 제1 예비 밸브(57)를 수리할 수 있다.
제1 공급 장치로부터 제2 라인으로 초순수를 공급하는 것(S33)은, 제1 압력센서(55)가 제1 예비 배관(51) 내의 압력을 모니터링하는 것을 더 포함할 수 있다. 제1 예비 배관(51) 내의 유체의 압력이 대기압보다 낮은 경우, 제1 압력센서(55)는 제어부(C) 등에 이상 신호를 전송할 수 있다. 이 경우, 제1 바이패스 밸브(52) 및/또는 제1 예비 밸브(57)가 더 개방될 수 있다. 이에 따라 제1 예비 배관(51) 내의 유체의 압력이 일정 수준 이상으로 유지될 수 있다. 즉, 제1 예비 배관(51) 내의 압력이 대기압보다 낮아지는 것을 방지할 수 있다. 제1 예비 배관(51) 내의 압력은 항시 양압으로 유지될 수 있다. 따라서 외부의 대기가 제1 예비 배관(51) 내로 누설되어, 제1 예비 배관(51) 내부가 오염되는 것을 방지할 수 있다.
다시 도 6, 도 7 및 도 8을 참고하면, 제1 라인 상의 기판을 처리하는 것(S2) 및 제2 라인 상의 기판을 처리하는 것(S4)의 각각은, 세정 챔버(41)로 공급된 초순수로 기판(W)을 세정하는 것을 포함할 수 있다. 혹은, 제1 라인 상의 기판을 처리하는 것(S2) 및 제2 라인 상의 기판을 처리하는 것(S4)의 각각은, 기판 연마 장치로 공급된 초순수로 기판(W)을 연마하는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 초순수 공급 장치, 이를 포함하는 기판 처리 시스템 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 의하면, 2개 이상의 반도체 제조 공정 라인에 초순수를 안정적으로 공급할 수 있다. 즉, 하나의 공급 장치에 이상이 발생하여 공급되는 유체의 유량이 작아지는 경우, 다른 하나의 공급 장치를 이용해 유량을 일정 수치 이상으로 유지할 수 있다. 이에 따라 라인 상의 기판의 손상을 최소화할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 초순수 공급 장치, 이를 포함하는 기판 처리 시스템 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 의하면, 일부 장비 고장에 대비하여 유체를 우회시킬 수 있다. 예를 들어, 일부 밸브가 고장난 경우, 유체를 바이패스 경로로 우회시켜, 밸브의 수리 시간을 확보할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 초순수 공급 장치, 이를 포함하는 기판 처리 시스템 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 의하면, 예비 공급 장치 상의 바이패스 배관에 항상 유체가 흐르도록 밸브를 일부 개방하여, 정상 작동 상태에서도 배관 내에 유체가 흐르도록 할 수 있다. 따라서 정상 작동 상태에서 일부 배관이 오염되는 것을 방지하여, 이상 작동 상태 시 공급되는 초순수의 품질을 일정 수준 이상으로 확보할 수 있다. 초순수는 일반적인 DIW보다 훨씬 깨끗한 물로써, 이물질 등이 존재하면 기판이 손상될 수 있다. 따라서 본 발명은 예비 공급 장치를 항시 플러싱해주어, 이상 작동 상태 시 초순수를 일정 수준 이상의 품질로 공급하도록 할 수 있다. 또한, 비저항계를 사용해 초순수의 품질을 모니터링할 수도 있다.
도 14는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 시스템을 나타낸 도면이다.
이하에서, 도 1 내지 도 13을 참고하여 설명한 것과 실질적으로 동일 또는 유사한 내용에 대한 것은 설명을 생략할 수 있다.
도 14를 참고하면, 기판 처리 시스템(STa)이 제공될 수 있다. 도 1에 도시된 것과는 달리, 기판 처리 시스템(STa)은 제1 회수 배관(81) 및 제2 회수 배관(83)을 더 포함할 수 있다.
제1 회수 배관(81)은 제1 연결부(13) 내의 유체의 일부가 다시 제1 전반 필터링부(11)로 이동하도록, 양자를 연결할 수 있다. 제1 전반 필터링부(11)에서 공급된 유체의 유량을 제1 후반 필터링부(15)가 소화하지 못하는 경우, 유체의 일부를 제1 전반 필터링부(11)로 돌려보낼 수 있다. 제2 회수 배관(83) 또한 제1 회수 배관(81)과 유사한 기능을 가질 수 있다.
도 15는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 시스템을 나타낸 도면이다.
이하에서, 도 1 내지 도 14를 참고하여 설명한 것과 실질적으로 동일 또는 유사한 내용에 대한 것은 설명을 생략할 수 있다.
도 15를 참고하면, 기판 처리 시스템(STb)이 제공될 수 있다. 도 1에 도시된 것과는 달리, 기판 처리 시스템(STb)의 제1 공급 장치(1b)는 복수 개의 제1 후반 필터링부(15b)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 2개의 제1 후반 필터링부(15b1, 15b2)가 제공될 수 있다. 따라서 제1 전반 필터링부(11)에서 공급되는 유체의 유량이 많더라도, 2개의 제1 후반 필터링부(15b1, 15b2)가 이를 모두 소화할 수 있다. 제1 공급 장치(3b) 또한 제1 공급 장치(1b)와 유사할 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
ST: 기판 처리 시스템
A: 초순수 공급 장치
1: 제1 공급 장치
11: 제1 전반 필터링부
13: 제1 연결부
15: 제1 후반 필터링부
3: 제2 공급 장치
31: 제2 전반 필터링부
33: 제2 연결부
35: 제2 후반 필터링부
5: 제1 예비 공급 장치
51: 제1 예비 배관
7: 제2 예비 공급 장치
71: 제2 예비 배관
L1: 제1 라인
L2: 제2 라인
CH: 기판 처리 챔버
C: 제어부

Claims (10)

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  6. 제1 라인에 초순수를 공급하는 것;
    공급된 초순수를 이용해 상기 제1 라인 상의 기판을 처리하는 것;
    제2 라인에 초순수를 공급하는 것; 및
    공급된 초순수를 이용해 상기 제2 라인 상의 기판을 처리하는 것; 을 포함하되,
    상기 제1 라인에 초순수를 공급하는 것은, 제1 공급 장치로부터 상기 제1 라인으로 초순수를 공급하는 것을 포함하고,
    상기 제2 라인에 초순수를 공급하는 것은:
    제2 공급 장치로부터 상기 제2 라인으로 초순수를 공급하는 것;
    상기 제2 라인에 공급되는 초순수의 유량을 모니터링하는 것; 및
    상기 제2 라인에 공급되는 초순수의 유량에 따라, 상기 제1 공급 장치로부터 상기 제2 라인으로 초순수를 공급하는 것; 을 포함하되,
    상기 제2 공급 장치는:
    제2 전반 필터링부;
    상기 제2 전반 필터링부를 통과한 유체를 필터링하는 제2 후반 필터링부; 및
    상기 제2 전반 필터링부와 상기 제2 후반 필터링부 사이의 제2 연결부; 를 포함하되,
    상기 제2 연결부는:
    상기 제2 전반 필터링부와 상기 제2 후반 필터링부를 연결하는 제2 연결 배관; 및
    상기 제2 연결 배관 상의 유량계; 를 포함하고,
    상기 제1 공급 장치로부터 상기 제2 라인으로 초순수를 공급하는 것은, 제1 예비 공급 장치를 통해 상기 제1 공급 장치로부터 상기 제2 공급 장치로 초순수가 공급되는 것을 포함하되,
    상기 제1 예비 공급 장치는:
    상기 제1 공급 장치와 상기 제2 공급 장치를 연결하는 제1 예비 배관;
    상기 제1 예비 배관 상의 제1 예비 밸브;
    제1 바이패스 배관; 및
    상기 제1 바이패스 배관 상의 제1 바이패스 밸브; 를 포함하되,
    상기 제1 예비 배관은, 상기 유량계와 상기 제2 전반 필터링부 사이에서 상기 제2 연결 배관에 연결되고,
    상기 제1 바이패스 배관의 일단은 상기 제1 예비 밸브의 앞에서 상기 제1 예비 배관에 연결되고, 상기 제1 바이패스 배관의 타단은 상기 제1 예비 밸브의 뒤에서 상기 제1 예비 배관에 연결되고,
    상기 제2 라인에 공급되는 초순수의 유량을 모니터링하는 것은, 상기 유량계를 이용해 수행되며,
    상기 제1 공급 장치로부터 상기 제2 라인으로 초순수를 공급하는 것은:
    상기 유량계가 측정한 초순수의 유량이 일정 수치 이상인 경우, 상기 제1 예비 밸브를 폐쇄하고 상기 제1 바이패스 밸브는 일부만 개방하여, 상기 제1 바이패스 배관을 통해 상기 제1 공급 장치로부터 상기 제2 라인으로 초순수를 공급하는 것;
    상기 유량계가 측정한 초순수의 유량이 일정 수치 미만인 경우, 상기 제1 예비 밸브를 개방하여, 상기 제1 예비 배관을 통해 상기 제1 공급 장치로부터 상기 제2 라인으로 초순수를 공급하는 것; 및
    상기 제2 라인에 공급되는 초순수의 유량이 일정 수치 미만이나, 상기 제1 예비 밸브에 이상이 발생한 경우, 상기 제1 예비 밸브를 폐쇄하고 상기 제1 바이패스 밸브는 완전히 개방하여, 상기 제1 바이패스 배관을 통해 상기 제1 공급 장치로부터 상기 제2 라인으로 초순수를 공급하는 것; 을 포함하는 기판 처리 방법.
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